Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Татохина, Яна Александровна

• Татохина, Яна Александровна
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Татохина, Яна Александровна

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Методы получения полупроводниковых гетероструктур

А2ШВЗУ1-АШВУ.

1.1. Перспективы использования полупроводников АШВУ.

1.2. Физико-химические процессы на реальной поверхности арсенида галлия и арсенида индия.

1.3. Методы халькогенидной пассивации полупроводников АШВУ.

1.4. Свойства полупроводниковых соединений типа Аг ШВ3 VI.

1.5. Технология гетеровалентного замещения.

1.6. Кинетика гетерогенных процессов.

Выводы.

Глава 2. Физико-химический процесс гетеровалентного замещения анионов в соединениях Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs.

2.1. Кристаллическая структура соединений Ga2Se3-GaAs и Iri2Se3-InAs.

2.2. Экспериментальное исследование начальной стадии процесса гетеровалентного замещения.

Выводы.

Глава 3. Кинетическая модель процесса гетеровалентного замещения анионов в системе A2inB3VI - AmBv.

3.1. Физическая модель процесса гетеровалентного замещения анионов при получении гетероструктур

A2mB3VI-AmBv.

3.2. Кинетическая модель начальной стадии процесса гетеровалентного замещения.•.

3.3. Перераспределение примесей в неоднородных твердых растворах на границе раздела в гетероструктурах

А2шВзУ1-АшВу.

3.4. Кинетическая модель планарного роста пленок А21ПВ3У на подложках АШВУ при гетеровалентном замещении.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs»

Актуальность темы. Интенсивное развитие современных средств связи, информационных и телекоммуникационных систем привело к революционному изменению их элементной базы. Жесткие требования к миниатюризации, энергоемкости и увеличению быстродействия современных электронных приборов заставляют использовать новые материалы и физические явления при их создании. В связи с этим, последние десятилетия в твердотельной электронике характеризуются чрезвычайно быстрым развитием физики полупроводниковых гетероструктур [1 - 3]. Традиционные материалы микроэлектроники - кремний и германий постепенно заменяются полупроводниковыми соединениями типа AmBv. Последнее обусловлено особенностью физико-химических свойств этих соединений [4 - 6] и, в первую очередь, высокой подвижностью электронов в электрических полях низкой напряженности. Тем не менее, эти соединения до сих пор не нашли широкого применения в промышленной микро- и оптоэлектроники. Это связано с высокой химической активностью их поверхности, что приводит к адсорбции на нее в процессе производства инородных атомов, которые создают поверхностные электронные состояния (ПЭС) в запрещенной зоне полупроводника, закреплению уровня Ферми и, как следствие, снижению электрических характеристик приборов [4-10].

В последние годы интенсивно изучаются условия формирования совершенной границы раздела с малой плотностью поверхностных состояний в ге-теросистемах со слоями широкозонных полупроводников A2inB3VI [11, 12]. Одним из перспективных методов получения гетероструктур А21ПВзУ1 - АШВУ является гетеровалентное замещение [13, 14, 15]. Электрофизические характеристики полупроводниковых гетероструктур во многом определяются кинетикой гетерогенных реакций в этих системах. В связи со сказанным, особую актуальность приобретает изучение условий формирования тонких монокристаллических пленок халькогенидов III группы на поверхности полупроводников АШВУ методом гетеровалентного замещения.

Цель работы: Установить закономерности формирования гетероструктур Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs методом гетеровалентного замещения.

Основные задачи исследования вытекают из цели работы:

1. Исследование состава и структуры слоев Ga2Se3 и In2Se3, полученных методом гетеровалентного замещения.

2. Исследование кинетики формирования слоев Ga2Se3 на поверхности GaAs и In2Se3 на поверхности InAs методом гетеровалентного замещения.

3. Исследование процесса перераспределения примесей на границе раздела гетероструктур Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs.

Объекты и методы исследования. Исследовались гетероструктуры Ga2Se3-GaAs, In2Se3-InAs. Слои A2inB3VI на подложках AinBv формировались методом гетеровалентного замещения в анионной подрешетке элемента Bv на халькоген в процессе термического отжига.

Исследование структуры и состава полученных пленок проводилось методами электронографии, электронной микроскопии, рентгеноспектрального и Оже — анализа. Толщина полученных слоев определялась методами растровой электронной микроскопии.

Научная новизна работы:

1. Установлено, что реакция гетеровалентного замещения при формировании гетероструктур Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs протекает в две стадии: зародышеобразование и формирование сплошного слоя селенидов индия и галлия, планарный рост пленок в глубь подложки.

2. Показано, что тонкие пленки In2Se3 с кубическими структурами типа сфалерит с упорядоченными вакансиями и шпинель могут формироваться на подложках из InAs методом гетеровалентного замещения независимо от существования этих в массивных образцах этих же соединений. Описаны две ранее не наблюдавшиеся кубические фазы селенида индия с упорядоченными вакансиями.

3. Показано, что в неоднородных твердых растворах со стехио-метрическими вакансиями на границе раздела пленка Ga2Se3 -подложка GaAs происходит перераспределение примесей под действием эффективной силы, обусловленной наличием в этой области градиента свободных вакансий.

Практическая значимость работы:

1. Практический интерес для электронной промышленности представляют технологические условия, и метод формирования гетероструктур на основе AmBv со слоями A2lnB3VI с границей раздела, имеющей малую плотность электронных состояний.

2. Выявлены связи между исходными состояниями поверхности монокристаллических подложек, технологическими параметрами гетеровалентного замещения, такими как температура подложек, давление паров халькогена и кинетикой формирования гетероструктур Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs.

3. Используемые в работе пленки полупроводников типа A2mB3VI могут быть использованы для защиты поверхности элементов микроэлектроники на основе полупроводников типа АШВУ от внешних воздействий, а также для разработки новых типов полупроводниковых приборов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Процесс гетеровалентного замещения в системах Se-GaAs и Se-InAs протекает в два этапа: на первом происходит зароды-шеобразование с последующим формированием сплошного слоя из Ga2Se3 и In2Se3; на втором - планарный рост пленки в глубину подложки.

2. В процессе гетеровалентного замещения мышьяка на селен в анионной подрешетке арсенида индия, в зависимости от ориентации подложки в диапазоне температур (630 670) К, происходит образование псевдоморфных слоев селенида индия с кубической структурой типа шпинель (ао~ 1,13 нм), а в диапазоне температур (670 710) К — с кубической решеткой типа сфалерит с упорядоченными вакансиями (ао ~ 1,67 нм).

3. В неоднородных твердых растворах со стехиометрическими вакансиями на границе раздела в гетероструктурах Ga2Se3 существует эффективная сила, обусловленная наличием градиента химического потенциала. Источником градиента химического потенциала является градиент свободных мест. Эффективная сила приводит к перераспределению примесей в формируемой пленке и влияет на процессы диффузионной доставки Se в зону реакции и отвода продуктов реакции в вакуум.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на: Всероссийском межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-99» (Зеленоград, 1999г.); 2-м Всероссийском семинаре «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 1999г.); 1-й Всероссийской конференции «Химия поверхности и нанотехнология» (С.-Петербург, 1999г.); XXXVIII юбилейной отчетной научной конференции ВГТА за 1999 год (Воронеж, 2000г.); 3-м Всероссийском семинаре «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (Воронеж, 2000г.); XXXIX отчетной научной конференции ВГТА за 2000 год (Воронеж, 2001г.); 6-й Международной конференции «пленки и покрытия' 2001», (С.-Петербург, 2001г.); XXXIX Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс» (Новосибирск, 2001г.); 12-м Международном симпозиуме «тонкие пленки в электронике» (Украина, Харьков, 2001г.); ХХХХ отчетной научной конференции ВГТА за 2001 год (Воронеж, 2002г.); Международной школе - семинаре для молодых ученых, аспирантов и студентов «Нелинейные процессы в дизайне материалов» (Воронеж,. 2002г.); 1-й Всероссийской конференции «ФА-ГРАН-2002» (Воронеж, 2002г.).

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 10 работах, в том числе 3 статьях в центральной печати.

Объем и структура диссертации. Диссертация содержит 105 страниц печатного текста, 26 рисунков, 6 таблиц, 105 источников цитированной литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Татохина, Яна Александровна

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Процесс формирования слоев А2ШВ3У1 методом ГВЗ элемента Bv в анионной подрешетке подложки АШВУ можно разделить на две стадии: а) формирование на поверхности АШВУ зародышей с последующей их коалисценцией; б) планарный (плоский) рост пленок в двух направлениях: 1/3 толщины на поверхность образца, 2/3 - в глубину подложки.

2. На начальном этапе на поверхности GaAs (100) формируются слои Ga2Se3 со структурой сфалерита в направлении <110>. На поверхности InAs (100) формируются слои In2Se3 со структурой сфалерита (ао~0,56 нм) в направлении <110> с сильным двойни-кованием в плоскости (100), а на поверхности InAs (111) - слои In2Se3 со структурой сфалерита (ао~0,56 нм) в направлении <110>.

3. На втором этапе получения гетероструктур на поверхности InAs (111) формируются слои In2Se3 в направлении <111> со структурой шпинели (ао»1,14 нм), а при увеличении толщины формируемого слоя пленка In2Se3 имеет структуру сфалерита (ао~1,67 нм)с упорядоченными вакансиями.

4. На начальном этапе процесса ГВЗ происходит снижение плотности ПЭС на поверхностях GaAs и InAs.

5. При твердофазном гетеровалентном замещении градиент концентрации стехиометрических вакансий в переходном слое гетероструктур А2ШВ3У1 - АШВУ облегчает транспорт продуктов распада АШВУ на внешнюю поверхность растущего слоя А2ШВ3У1.

6. Выявлено, что при планарном росте пленок А2ШВ3У1 независимо от начального состояния ширины фронта реакция стабилизируется с течением времени.

Таким образом, отсутствие фазы с кубической решеткой типа сфалерит в массивных образцах In2Se3 не исключает возможность формирования совершенной границы раздела в гетеропереходе In2Se3 — InAs методом ГВЗ в процессе термического отжига подложек в парах селена. На наш взгляд, образование кубических фаз In2Se3, описанных в данной работе, обусловлено особенностями способа ГВЗ, когда формирование новой фазы происходит в решетке подложки арсенида индия, обрабатываемой в парах халькогена, а также ориентирующим влиянием полярных плоскостей арсенида индия.

93

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Татохина, Яна Александровна, 2003 год

1. Алферов Ж. И. Гетеропереходы в полупроводниковой электроники близкого будущего/ Ж.И. Алферов// Физика сегодня и завтра: прогнозы науки, Л.: «Наука», Ленинградское отд., 1973, С. 61 - 69.

2. Алферов Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур/ Ж.И. Алферов // ФТП- 1998. Т. 32. - № 1. - С. 3 - 18.

3. Алферов Ж. И. Полупроводникам AmBv 35 лет / Ж.И. Алферов, Б.В. Царенко //ФТП. - 1985. - Т. 19.- № 12. - С. 2113.

4. Уиссмен У.Арсенид галлия в микроэлектронике/ У. Уиссмен , У. Френели, У. Дункан и др.- М.: «Мир», 1988.- 555 с.

5. Wieder Н. Н. Perspectives on III-V compound MIS-structures/ H.H. Wieder//J. Vac. Sci. Technol., 1978.-v. 15.-№4.-P. 1498-1506.

6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник./ Коллектив авторов.- М.: «Наука».- 1979.- С. 60 70.

7. Spicer W. Е. Fundamental studies of III V surfaces and (III - V) oxide interface / W. E. Spicer, Lindau J., Pianetta P. et. al. // Thin Sol. Films.- 1979.-V. 56. P. 1 - 18.

8. Wager J. F. The deposited insulator ЛИ-V semiconductor interface / J. F. Wager., C. W. Wilmsen // Phys. And Chem. Ill V Compound Semi-cond. Interface, New York, London, 1985. - P. 165 - 211.

9. Monch W. Electronic properties and chemical interactions at III — V compound semiconductor surface: germanium and oxygen on GaAs (110) and InP (110) cleaved surfaces/ W. Monch // Appl. Surf. Sci.- 1985.- № 22/23.- P. 705-723.

10. Hasegawa H. On the electrical properties of compound semiconductor structures and the possible origin of interface states / H. Hasegawa, T. Sawada // Thin Sol. Films.- 1983.- V. 103.- P. 119 140.

11. Войцеховский В. Н. Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников/ В. Н. Войцеховский, В. Н. Давыдов.-Томск: «Радио и связь».- 1990.- 327 с.

12. Сысоев Б. И. К вопросу об управлении поверхностным зарядом в полупроводниках с помощью тонких слоев широкозонных полупроводников / Б. И. Сысоев, В. Ф. Сыноров // ФТП- 1972.- Т. 6.- № 10.- С. 1856- 1859.

13. Сысоев Б. И. Изолирующее покрытие для арсенида галлия / Б. И Сысоев, В. Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин, В. Н. Моргунов // ФТП-1986.- Т.56.-№5.- С.913 -915.

14. Сысоев Б. И. Влияние обработки поверхности арсенида галлияв парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах М — GaAs / Б. И. Сысоев, Н. Н. Безрядин, Г. И. Котов, В.Д. Стрыгин // ФТП.- 1993.- Т. 27.- в. 1.- С. 131 135.

15. Postnicov V. S. Heterostructures on the basis of indium arsenide with semiinsulating Am2BVI3 compound layers / V.S. Postnicov, B.I. Sysoev, A. V. Budanov, N.N. Bezryadin, Yu. K. Shlyk, B.L.Agapov //

16. Phys. Stat, sol.- 1988.- (a).- 109.- P. 467 483.

17. Van Laar J. Influence of volume dope on Fermi level positiion at gallium arsenide surface / J.Van Laar // Surf. Sci./ 1967.- V.8- № 3. -P. 6790

18. Kahn A. Atomic geometries of Zincblende compound semicomduc-tor surface: semilarities in surface rehibridization / A. Kahn // Surf. Sci. 1986.- V.168- № 1-3.- P.78-85.

19. Chelikowski J. R., Self-consistent pseudo-potential calculation for the relaxed (100) surface GaAs / J. R. Chelikowski // Phis. rev. В.- 1979.-V.20.-№ 10.-P23-67.

20. Chadi D. J. Atomic and electronic structures of (111), (211) and (311) surface of GaAs / D.J.Chadi// J. Vac. Sci. Tecnol. B, -1985.- V.3- № 4.-P.56-58.

21. Duke С. B. Summary Abstract: Atomic Geometries of the (110) surface of III-V compound semiconductors: determination by the total-energy minimization and elastic low-energy electron difraction/ C.B. Duke//J. Vac. Sci. Tecnol.- 1985.- V.3- №4.-P124-125.

22. Spicer W. E. Syncrotron radiation studies of electronic structure and surface chemistry of GaAs, GaSb, InP/ W.E. Spicer // J. Vac. Sci. Tecnol. 1976.- V.13- №4.-P.78-80

23. Gudat W. Electronic surface properties of III-V semiconductors: Exitonic effects, band-bending effects and interaction with Au and О ad-sorbate layers/ W. Gudat / J. Vac. Sci. Tecnol. 1976.- V.13.- №4.-P.2-6.

24. Spicer W. E. Surface and Interface states on GaAs (110): Effects of atomic and electronic rearrangements / W.E. Spicer // J. Vac. Sci. Tecnol. -1977.- V. 14.- №4.P-45-48.

25. Spicer W. E. The mechanism of Schottky barrier pinning in III-V semiconductors: criteria developed from microscopic (atomic level) and microscopic experiments / W.E. Spicer// Surf. Sci.-1986.- V.161- №1.

26. Cao R. Kinetic studie of initial stage band-bending at metal-GaAs (110) interfaces / R. Cao R., // J. Vac. Sci. Tecnol. В.- 1987.- V.5.- №4.-P.23-25.

27. Newman N. Mechanism for annealing-induced changes in the electrical characteristics of Al/GaAs and Al/InP Schottky contacts / N. Newman N., // J. Vac. Sci. Tecnol. B.-1987.- V.5.- №4.-P.102-104.

28. Brundle С. R. Oxiden ineraction with GaAs surfaces: an XPS/UPS study / C.R. Brundle// J. Vac. Sci. Tecnol. -1979.- V.16.- №5.-P.l-5.

29. Childs K. D. Species-specificdensities of stastes of Ga and As in the chemisorption of oxiden GaAs (110)/ K.D. Childs // Phys. Rev. B- 1984-V.30.- №10.-P.78-81.

30. Spicer W. E. The surface electron structure of III-V compounds and the mechanism of Fermi level oinning by oxiden (paasivation) and metal (Schottky barrier)/ W. E. Spicer// Surface Sci., 1979, V.86.

31. Vatanabe K. Oxide layers on the GaAs prepared by thermal, anodic and plasma oxidation in depth profiles and annealing effects / K. Vatanabe, M. Hashiba, Y. Hurohata Y.// Thin Solid Films.- 1979.- V.56.-P.10-15.

32. Chang C.C. Chemical preparation of GaAs surface and their characterization by Auger-electron and X-ray photo-emissions spectroscopies / C.C. Chang, P.H. Citrin, B. Shwartz B. // J. Vac. Sci. Tecnol. В.- 1977.-V.14.- №4.-P. 34-38.

33. Weider H. H. Perspective on III-V compounds MIS structures/ H.H. Weider//J. Vac. Sci. Tecnol. 1978.- V.15.- №4.-P.67-69.

34. Бессолов В. H. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников АШВУ / В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев // ФТП.- 1998.- Т. 32.-№ п. с. 1281-1299.

35. Spicer W. Е. New and unified model for Schottky barrier and III-V insulator interface states formation / W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Sceath et. al. // J. Vac. Sci. Technol.- 1979.- V. 16.- № 5.- P. 1422 - 1433.

36. Belyi V. I. On the problem of elemental Bv material in the interface of native oxide / AmBv structures / V. I. Belyi // Thin Sol. Films.- 1984.- V. 113.-№2.-P. 157-164.

37. Hasegawa H. On the electrical properties of compound semiconductor structures and the possible origin of interface/ H. Hasegawa, T. Sa-wada// Thin Sol. Films.- 1983.- V. 103.- P. 119 140.

38. Allen R. Theory of surface defect states and Schottky barrier heights: Application to InAs / R. Allen // J. Vac. Sci. Technol. В.- 1984.- V. 2.-№ 3.- P. 449-452.

39. Hughes G. Is studies of the oxidation of InP (110) and GaAs (110) surfaces / G. Hughes, R. Lundeke // J. Vac. Sci. Technol. В.- 1986.- V. 4.-№4.-P. 1109-1114.

40. Gant H. Anion inclusions in III V semiconductors / H. Gant, L. Koenders, F. Battels, W. Monch// Appl. Phys. Lett.- 1983.- V. 43.-P. 1032 -1034.

41. Monch W. Electronic characterization of compound semiconductor surfaces and interfaces / W. Monch// Thin Sol. Films- 1983.- v. 104.- № 2/3.- P. 285-298.

42. Baier H. U. Oxidation of InAs (110) and correlated changes of electronic surface properties / H.U. Baier, I. Koenders, W. Monch // J. Vac. Technol.- 1986.- V. 4.- № 4.- P. 1095 1099.

43. Freeouf I. L. Schottky barriers: An effective work function model / I. L. Freeouf, I.M. Woodall// Appl. Phys. Lett.- 1981.- v. 39, № 9.- P. 727 -729.

44. Monch W. On the oxidation of III V compound semiconductors / W. Monch // Surf. Sci.- 1986.- V. 168.- P. 577 - 593.

45. Белый В. И. Химия поверхности полупроводников AInBv /В.И. Белый// Проблемы электронного материаловедения, Новосибирск: «Наука».- 1986.- С. 29 40.

46. Андреев И. А. Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GalnAsSb/GaAlAsSb/ И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов В. // ФТП, 1997, т. 31, № 6, с. 653 657.

47. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники/ Н.А. Горюнова- М.: «Сов. радио».- 1968,- 222 с.

48. Sandroff С. J. Dramatie enhancement in the gain of a GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation/ C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg // Appl. Phys. Lett.- 51(1).-1987.-P. 33-35.

49. Yablonovitch E. Nearly ideal electronic properties of sulfide coated GaAs surfaces/ E. Yablonovitch, C.J. Sandroff C. J. // Appl. Phys. Lett.-1987.- V. 51.- № 6.- P. 439 441.

50. Carpenter M. S. Effects of Na25 and (NFL^S edge passivation treatments on the dark carrent voltage characteristics of GaAs pn diodes/ M.S. Carpenter, M. R. Melloch M.// Appl. Phys. Lett.- 1988- v. 52- № 25.-P. 2157 — 2159.

51. Post G. InP MIS transistors with grown-in sulphur dielectric/ G. Post, P. Dimitriou// Electrn Lett.- 1983- V. 19.- № 13- P. 459 461.

52. Descouts B. Thermal sulphidation on InP/ B. Descouts, J. Durand J //Thin Sol. Films.- 1985.-V. 131.-№ l.-P. 139- 148.

53. Sysoev В. I. Electrophysical properties of 1п2Тез — InAs heterojunc-tions / B.I. Sysoev, N.N. Bezryadin, Yu. K. Shlyk // Phys. Stat, sol.- 1986-(a) 95.- P. 169-173.

54. Абрикосов H. Г. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе/ Н.Г. Абрикосов, В.Ф. Банкина, JI.B. Порецкая и др.- М.: «Наука»- 1975.- 220 с.

55. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников/Я.А. Угай.- М.: «Высш. Шк.»-1975.- 302 с.

56. Сюше Ж. П. Физическая химия полупроводников/ Ж.П. Сю-ше.- М.: «Металлургия»- 1969.- 224 с.

57. Палатник JI. С. Об аномальных эффектах на рентгенограммах селенида галлия и его сплавов/ JI.C. Палатник, Е.К. Белова, А.А. Козьма//ДАН СССР, 1964.- Т. 159.-№ 1.-С. 68-71.

58. Антрощенко JI. В.Отклонение от стехиометрии и растворение примесей в полупроводниковых соединениях типа Bni2CvV Л.В. Антрощенко, Л.П. Гальчинецкий, В.М. Кошкин, Л.С. Палатник// Изв. АН СССР. Неорг. материалы.- 1965.- Т.1, № 12.- с. 2140 2147.

59. Антрощенко Л. В. Отклонение от стехиометрии в полупроводнике Ga2Te3 / Л.В. Антрощенко, Л.П. Гальчинецкий, В.М. Кошкин // Изв. АН СССР Неорг. материалы.- 1967.- Т. 3.- № 5.- С. 777 782.

60. Медведева 3. С. Халькогениды элементов ШБ подгруппы периодической системы/ З.С. Медведева.- М.: «Наука».- 1968.- 216 с.

61. Сысоев Б. И.Энергетическая диаграмма тонкопленочных гетероструктур /Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин //Поверхность.- 1986.- № 2.- С. 148 150.

62. Сысоев Б. И. Модуляция области пространственного заряда в изотипных полевых структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника / Б.И. Сысоев, В.Ф. Антюшин, В.Д. Стрыгин // ФТП.-1984.-т. 18.-в. 10.-с. 1739- 1743.

63. Горюнова Н. А.Твердые растворы в системе InAs 1п2Тез / Н.А. Горюнова, С.И. Радауцан// ДАН СССР.- 1958.- т. 121.- № 5. с. 848 -849.

64. Wooley J. С. Electrical and optical properties of InAs In2Te3 alloys/ J.C. Wooley // J. Phys. Chem. Solids.-1961- V. 19.- № 1/2 p. 147154.

65. Wooley J. C.Some electrical and optical properties of InAs In2Se3 and InSb - In2Se3 alloys/ Wooley J. C., Keating P. N // Proc. Phys. Soc.-1961.-V. 78.-P. 1009- 1016.

66. Радауцан С. И. Некоторые электрические свойства арсеноселе-нидов индия/ С.И. Радауцан // ФТТ.-1961.- Т. 3.- В. 11.- с. 3324 3329.

67. Горюнова Н. А. Гомогенизация сплавов системы InAs In2Se3 отжигом под давлением / Н.А. Горюнова, С.И. Радауцан, В.И.Дерябкин// ФТТ- 1959.- т. - в. 3.- С. 512-514.

68. Горюнова Н. А.Об арсеноселенидах галлия/ Н.А. Горюнова, В.С.Григорьева //ЖТФ.- 1956.-Т. 26.-в. 10, С. 2157-2161.

69. Сысоев Б. И.В. Гетеровалентное замещение в процессе получения полупроводникового гетероперехода In2Te3/InAs / Б.И. Сысоев, Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, Т.В. Прокопова, Ю.К. Шлык// Известия РАН. Неорганические материалы- 1996.- Т. 32.- № 11.- С. 1 5.

70. Сысоев Б. И. Получение и электрические характеристики In2S3-InAs / Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Ю.К. Шлык // Микроэлектроника.- 1990.- Т. 19.- В. 6, С. 591 594.

71. Сысоев Б. И.Структура слоев сульфида индия на поверхности InAs/ Б.И. Сысоев, Б.Л. Агапов, Н.Н. Безрядин, А.В. Буданов, Т.В. Прокопова//Неорг. материалы.- 1995.- Т. 31.- № 7, С. 891 895.

72. Сысоев Б. И. Кинетика формирования гетероструктур Ga2Se3 — GaAs при термической обработке подложек GaAs в парах селена/ Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Е.И. Чурсина, Г.И.Котов // Неорг. материалы.-1991.-Т. 27.- № 8.- С. 1583 1585.

73. Безрядин Н. Н. Положение уровня Ферми на поверхности арсенида индия, обработанной в парах серы. / Н.Н. Безрядин, Е.А. Тато-хин, И.Н. Арсентьев, А.В. Буданов, А.В.Линник //ФТП.- 1999.- Т. 33.в. 12.- С. 1447-1449.

74. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников/ Б.Ф. Ормонт.- М.: «Высшая школа».- 1973.655 с.

75. Баре П. Кинетика гетерогенных процессов/П. Баре.; пер. с франц- М.: «Мир».-1976.- 399 с.

76. Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах / Дж Маннинг -М.: «Мир»-1971- 277 с.

77. Girifalco L. A. Atomic Migration in Cristals / New Yore: Diffusions in Slids, 1964, P. 164.

78. Czaj W. Photoluminescence of CdIn2S4 and mixed crystals with In2S3 as related to their structural properties / W Czaj // Phys. Stat. Sol.-1969.-V. 33.-P. 191-199.

79. Алиев С. И. Эффект переключения с памятью в монокристаллах Ga2Te3 / С.И. Алиев, Г.М. Нифтиев, Ф.И. // ФТП- 1979- т. 13, 3, С. 579-584.

80. Сысоев Б. И. О пассивации поверхности полупроводниковых элементов слоем широкозонного полупроводника / Б.И.' Сысоев, Н.Н. Безрядин, А.С. Дронов, А.П. Ровинский // Микроэлектроника- 1985.- т. 14.-В. 2.- С. 140-143.

81. Сысоев Б. И. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогени-дами галлия А2шВзУ1 (110)/ Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, А.С. Дронов, А.П. Ровинский // ФТП- 1995- т.29.- № i. с. 24-32.

82. Безрядин Н. Н.Электронные состояния в приповерхностной области арсенида галлия, обработанной в парах селена с мышьяком / Безрядин Н. Н., Домашевская Э. П., Арсентьев И. Н., Котов Г. И., Кузьменко Р. В., Сумец М. П. // ФТП.-1999- т. 33, в. 6, С. 79-81.

83. Сысоев Б. И. Барьеры Шоттки на GaAs предварительно обработанном в парах селена/ Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Котов Г. И. // Письма в ЖТФ, 1990.-Т. 16- № 9. -С. 22-26.

84. Сысоев Б. И. Структура слоев сульфида индия на поверхности InAs/ Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Буданов А. В., Прокопова Т. В., Агапов Б. JI. // Неорг. материалы- 1995- т. 31, № 7- С. 891 895.

85. Горелик С. С.Рентгенографический и электронооптический анализ./ С.С Горелик.-М.: «Металлурга»- 1970- 351 с.

86. ASTM Difraction Date Card File, 1957, Cards № 5-0731, № 50729, 16-445, 17-86, 15-104, 16-500, № 20-494, №15-869, № 20-492.

87. Буданов А. В. Получение и структура гетероперехода In2Se3 — InAs / Буданов А. В., Татохин Е.А., Агапов Б. Л. // Материалы XXXVII отчетной научной конференции ВГТА за 1998 г., с. 63.

88. Буданов А. В. Варизонность переходных областей в гетерост-руктурах на основе системы 1п2Вз / А.В. Буданов, Т.В. Прокопова, Я.А.Болдырева (Я.А.Татохина) //Материалы XXXIX отчетной научной конференции ВГТА за 2000 г.-Изд.ВГТА.-С.47-48.

89. Сысоев Б. И. Механизм формирования и свойства гетерокон-такта с промежуточным слоем селенидов / Б.И. Сысоев, В.Д. Стрыгин, Г.И. Котов // V Всесоюзная конференция по физическим процессам в полупроводниковых структурах.-Тез. докл.- Калуга.- 1990.- С.7-8.

90. Sysoev В. I. Formation of a Me/GaAs heterocontact with a Intermediate Layer of Gallium Selenide / B.I. Sysoev, V.D. Strygin, G. I. Ko-tov, E. N. Nevrueva, A. P. Domashevskaya A. P. // Phis. Stat. Sol.(a).-1992.- V.129.- P.207-212.

91. Sysoev В. I. Formation of a Me/GaAs heterocontact with an Intermediate Layer of Gallium Selenide/ B.I. Sysoev, V.D. Strygin, G. I. Kotov, E. N. Nevrueva, A. P. Domashevskaya A. P. // Phis. Stat. Sol.(a).- 1992.-V.129.- P.207-212.

92. Сысоев Б. И. Влияние обработки поверхности арсенида галлия в парах халькогенов на свойства барьеров Шоттки в структурах М — GaAs / Б.И. Сысоев, Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, В.Д. Стрыгин // ФТП.-1993.- Т. 27.-В. 1.- С. 131-135.

93. Антюшин В. Ф. Особенности диффузионного перераспределения примесей в гетероструктурах А2шСзУ1 АШВУ / В.Ф. Антюшин, А.В. Буданов, Е.А. Татохин, Я.А. Татохина// Изв. ВУЗов.- Электроника." 2002г.- Вып .5.- С. 9-12.

94. Хирш П. Электронная микроскопия тонких кристаллов/ П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пешли, М. Уэлан Пер. с англ.- М.: «Мир»,- 1968.- 157 с.