Электронно-микроскопическое исследование кристаллов с сильным изгибом решётки в тонких плёнках на основе халькогенидов и оксидов металлов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Швамм, Константин Леович

• Швамм, Константин Леович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Швамм, Константин Леович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Общие сведения о кристаллах с сильным внутренним изгибом кристаллической решётки

1.1 Особенности и получение тонких, в том числе, аморфных плёнок.

1.2 Кристаллические структуры с переменной кристаллографической ориентировкой.

1.3 Экспериментальные и модельные представления о структуре кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки.

1.4 Изгибные экстинкционные контуры и их роль в исследовании структуры кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки.

1.4.1 Образование изгибных экстинкционных контуров на электронно-микроскопических изображениях.

1.4.2 Теоретические основы индицирования картин изгибных экстинкционных контуров.

1.4.3 Теоретические основы определения кристаллографической ориентировки по картинам изгибных экстинкционных контуров.

1.4.4 Физические и геометрические основы определения величины внутреннего изгиба кристаллической решётки

1.5 Обоснование выбора образцов для исследования.

1.6 Выводы по главе 1. Формулировка цели работы

ГЛАВА 2. Методика

2.1 Приготовление образцов.

2.2 Методы кристаллизации тонких аморфных плёнок и исследования структуры растущих кристаллов.

2.3 Обзор исследовавшихся тонких плёнок.

2.4 Использование метода изгибных контуров для анализа электронно-микроскопических микроизображений

2.4.1 Индицирование картин изгибных экстинкционных контуров.

2.4.2 Определение кристаллографической ориентировки кристаллов

2.4.3 Определение величины внутреннего изгиба кристаллической решётки методом изгибных контуров

2.4.4 Определение толщины кристаллов и плёнок методом изгибных экстинкционных контуров.

2.5 Методика проведения комбинированных исследований методами просвечивающей электронной микроскопии и атомно-силовой микроскопии.

2.6 Методика определения компонентного состава тонких бинарных плёнок.

2.7 Выводы по главе 2. Формулировка задач диссертационной работы.

ГЛАВА 3. Исследование особенностей внутреннего изгиба в кристаллах теллура, растущих в тонких аморфных плёнках Cu-Те и Sb-Te

3.1 Исследование плёнок Cu-Те.

3.1.1 Краткий обзор исследовавшихся плёнок.

3.1.2 Влияние толщины плёнки на изгиб кристаллической решётки и морфологию растущих кристаллов теллура

3.1.3 Влияние состава плёнки на изгиб кристаллической решётки и морфологию растущих кристаллов теллура

3.2 Исследование плёнок Sb-Te.

3.2.1 Краткий обзор исследовавшихся плёнок.

3.2.2 Внутренний изгиб решётки отдельных микрокристаллов

3.2.3 Влияние толщины плёнки на величину внутреннего изгиба

3.3 Обсуждение результатов.

3.3.1 Сильный внутренний изгиб решётки кристаллов теллура

3.3.2 Анизотропия внутреннего изгиба кристаллической решётки.

3.3.3 Влияние толщины и состава плёнки на величину внутреннего изгиба и морфологию кристаллов.

3.4 Краткие выводы.

ГЛАВА 4. Исследование особенностей внутреннего изгиба решётки кристаллов, растущих в плёнках оксида хрома

4.1 Общий обзор плёнок.

4.2 Исследование особенностей кристаллографической ориентировки серповидных кристаллов аС^Оз методом изгибных экстинкционных контуров

4.3 Определение ориентировки серповидных кристаллов гониометрическим методом.

4.4 Выводы по главе.

ГЛАВА 5. Исследование особенностей внутреннего изгиба решётки кристаллов, растущих в плёнках оксида тантала

5.1 Общий обзор плёнок.

5.2 Внутренний изгиб решётки кристаллов Та^Об.

5.3 Влияние толщины кристаллов на величину внутреннего изгиба их кристаллической решётки

5.4 Выводы по главе.

ГЛАВА 6. Исследование влияния сильного внутреннего изгиба кристаллической решётки на рельеф поверхности кристаллов, растущих в тонких плёнках оксида железа

6.1 Краткое изложение ранее полученных результатов.

6.2 Структура поверхности кристаллов а^е20з, исследование методами атомно-силовой микроскопии.

6.3 Глобулярная структура поверхности плёнки Fe

6.4 Выводы по главе.

ГЛАВА 7. Обсуждение результатов

7.1 Обобщение результатов

7.2 Влияние толщины на величину внутреннего изгиба.

7.3 Влияние ориентировки на внутренний изгиб кристаллической решётки.

7.4 Связь морфологии и изгиба кристаллической решётки

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронно-микроскопическое исследование кристаллов с сильным изгибом решётки в тонких плёнках на основе халькогенидов и оксидов металлов»

Актуальность.

В последние годы активно ведутся поиски новых материалов с необычной структурой и физическими свойствами. К таковым, например, относятся нанотрубки и нанолуковицы, материалы с переменной фазой (Phase Change Materials), другие наноструктуры и материалы.

В 80-х годах в тонких плёнках были обнаружены кристаллы Se с сильным внутренним изгибом кристаллической решётки [1]. Впоследствии было показано, что подобные кристаллы могут наблюдаться в плёнках веществ и соединений, обладающих различной физико-химической природой — халькогенидах (Se, Те), металлах и сплавах (Re, Со - Pd, Си — Se, Си - Те), оксидах металлов (Fe203) и полупроводниках (Ge — Те, Sb - S, Sb -Se, Ge - Sb2Se3). Недавно [2] было установлено, что сильным внутренним изгибом могут обладать тонкие кристаллы самых разных размеров — от микро- до нанометров. Такие кристаллы были названы «трансротационными» [3]. Основные обобщающие факторы: формирование кристаллов с внутренним изгибом решётки в тонких плёнках (толщиной до 100 нм), а также кристаллизация из аморфного состояния.

Трансротационные кристаллы необычны по своему строению и, в некотором смысле, близки к нанотрубкам — в них кристаллографические плоскости изгибаются (подобно (001) в нанотрубках), т.е. в соседних областях кристалла ориентировка одной и той же плоскости закономерно изменяется. Анализ ряда экспериментальных данных свидетельствует о том, что зарождение таких кристаллов обусловлено сильным влиянием поверхности в тонких плёнках, в частности, поверхностной нуклеацией [3]. Также есть мнение, что трансротационное упорядочение не являясь ни строго монокристаллическим, ни полностью разупорядоченным, можно рассматривать как промежуточное между аморфным и кристаллическим упорядочениями.

Изучение необычной структуры, причин и механизмов её возникновения могут дать новые сведения не только о самих трансротационных кристаллах, но также и об особенностях кристаллизации в тонких аморфных плёнках, и об особенностях аморфного состояния вещества. Таким образом, эта необычная структура, причины и механизмы её возникновения представляют большой научный интерес.

Весьма важно также и то, что трансротационными могут быть кристаллы самых разных, в том числе и практически значимых материалов, например, материалов с переменной фазой, используемых для записи и хранения информации. Предположительно, особенности внутреннего устройства трансротационных кристаллов могут влиять на такие важные параметры, как скорость кристаллизации, возможность и лёгкость перехода из кристаллического в аморфное состояние и обратно и многие другие. С этой точки зрения кристаллы с сильным внутренним изгибом могут представлять и значительный практический интерес. Например, кристаллизуемые аморфные плёнки на базе системы Sb — Те. На сегодняшний день плёнки на основе этого соединения активно применяются при производстве перезаписываемых CD, DVD дисков.

На основании вышесказанного сформулируем цель работы:

Целью работы являлось экспериментальное исследование особенностей структуры кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки и факторов, её определяющих, в нескольких кристаллизуемых бинарных аморфных плёнках на основе халькогенидов и окислов.

Исходя из цели работы, были сформулированы следующие задачи исследования: методами просвечивающей электронной микроскопии изучить особенности кристаллографической ориентировки, изгиба кристаллической решётки, морфологии кристаллов, растущих в плёнках Си - Те, Sb - Те, Та205, Сг203; при помощи электронно-микроскопической методики изгибных экстинкционных контуров, определяя величину изгиба решётки микрокристаллов, выявить примеры кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки, а также факторы, влияющие на его величину и характер (толщина и состав плёнки, кристаллографическая ориентировка и другие); исследовать возможное влияние внутреннего изгиба кристаллической решётки на морфологию наблюдаемых кристаллов; провести комбинированное исследование структуры (методом просвечивающей электронной микроскопии) и рельефа поверхности (с помощью относительно нового метода атомно-силовой микроскопии) кристаллов одного вещества.

Объекты исследования. Для экспериментального исследования внутреннего изгиба были выбраны плёнки Sb — Те, CV2O3, ТС12О5, литературные данные и предварительные исследования которых свидетельствовали о возможности роста в них кристаллов с сильным внутренним изгибом кристаллической решётки. Так же, гораздо более подробно, с приготовлением плёнок переменного состава и толщины, изучались фольги Си—Те, в которых кристаллы с сильным внутренним изгибом наблюдались и описывались ранее.

Изучение плёнок Си - Те, Sb - Те, Та205 с градиентом толщины позволило исследовать влияние толщины плёнок на величину внутреннего изгиба решётки растущих в них кристаллов.

Для исследования взаимосвязи сильного внутреннего изгиба решётки с рельефом поверхности кристалла были выбраны плёнки Fe203.

Научная новизна работы заключается в следующем:

Впервые обнаружен и исследован внутренний изгиб решётки кристаллов Сг203, Та20^.

Получены количественные зависимости величины внутреннего изгиба решётки кристаллов от толщины в плёнках Та20^, Си —Те.

Углублена методика изгибных экстинкционных контуров, что позволило определить кристаллографические ориентировки и разориентировки мелких (до 1 мкм) кристаллов Сг20з с сильным внутренним изгибом кристаллической решётки по электронно-микроскопическим картинам непараллельных и непересекающихся изгибных контуров.

Впервые проведены комбинированные исследования и сопоставление структуры и рельефа отдельных, конкретных кристаллов aFe203 методами просвечивающей электронной и атомно-силовой микроскопии.

Практическая ценность. Практическая ценность работы заключается в выборе материалов для исследования — тонкие плёнки на основе бинарной системы Sb — Те широко применяются в перезаписываемых устройствах оптического хранения информации (CD-RW, DVD-RW).

Благодаря высокой диэлектрической постоянной к, плёнки Ta205 считаются перспективными для использования в тонкоплёночных микросхемах и устройствах оперативной памяти, наряду с обычно применяемыми материалами типа Si02, Si^N^.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

Экспериментальные данные о характеристиках внутреннего изгиба решётки, морфологии и структуре поверхности кристаллов, растущих в изначально аморфных плёнках Си — Те, Sb - Те, Сг2Оъ, Ta20^, Fe20^, полученные методами просвечивающей электронной микроскопии с применением методики изгибных экстинкционных контуров и атомно-силовой микроскопии в бесконтактном режиме.

Выявление сильного внутреннего изгиба решётки кристаллов Ст2Оъ, Та2Оъ и Те (в плёнках Си - Те, Sb - Те).

Увеличение внутреннего изгиба с уменьшением толщины кристаллов Та2Об и плёнок Си — Те

Методика детального определения кристаллографической ориентировки мелких (до 1 мкм) серповидных кристаллов Сг2Оъ со сложными для анализа картинами изгибных экстинкционных контуров (непараллельные и непересекающиеся контуры).

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на IX Международном семинаре Актуальные проблемы нанокристаллических материалов: наука и технология (Екатеринбург, 2002); XIX, XX, XXI Российских конференциях по электронной микроскопии (Черноголовка, 2002, 2004, 2006); X, XI, XII Национальных конференциях по росту кристаллов (Москва, 2002, 2004, 2006); IV, V Международных конференциях «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (Санкт-Петербург, 2004, 2006); 22th European Crystallographic Meeting (Budapest, 2004); 14th International Conference on Crystal Growth (Grenoble, 2004); 13 European Microscopy Congress (Antwerp, 2004); 12 International Symposium «Nanostructures: physics and technology» (Санкт-Петербург,

2004) X Международном семинаре «Дислокационная структура и механические свойства металлов и сплавов» (Екатеринбург,

2005); Всероссийской научной конференции с международным участием «Электроаналитика 2005» (Екатеринбург, 2005); Microscopy Conference (Davos, Switzerland, 2005); 21 International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (Lisbon, 2005); IV, V Национальных конференциях по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, 2003, 2005); 16 International Microscopy Congress (Saporo, 2006); XV Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твёрдых тел РЭМ'2007 (Черноголовка, 2007)

Основные результаты исследований опубликованы в 33 печатных работах, из них 3 статьи во всероссийских печатных изданиях.

Личный вклад автора. Диссертационная работа выполнена в рамках исследований, проводимых в лаборатории электронной микроскопии кафедры физики и ОСЕ Уральского государственного экономического университета, при частичной поддержке грантов РФФИ №01-03-96520, №02-02-26562-зм, №04-02-96072, INTAS №00100.

Все основные результаты работы были получены лично автором. Выбор направления и задач исследований, отработка эксперимента и обсуждение результатов проводились совместно с научным руководителем, профессором каф. физики и ОСЕ Колосовым В.Ю.

Приготовление плёнок Си — Те, Sb — Те проводилось совместно с к.ф.-м.н., доцентом Веретенниковым Л. М. Электронно-микроскопические исследования образцов Си - Те, Sb - Те, Сг203 велись как совместно с Веретенниковым Л. М. и Колосовым В. Ю., так и самостоятельно Электронно-микроскопические исследования плёнок Ta-jOs, FZ2O4, проводились Колосовым В. Ю., получение первичных данных по плёнкам F^O'i, методами атомно-силовой микроскопии — Гайнутдиновым Р. В.

Структура и объём работы. Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения, списка цитированной литературы, заключения и приложения. Общий объем работы составляет 150 страниц машинописного текста, включая 51 рисунок, две таблицы и приложение. Список литературы содержит 91 наименование.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Швамм, Константин Леович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

На основании электронно-микроскопических исследований с применением методики изгибных экстинкционных контуров, а также комплексных исследований методами атомно-силовой и просвечивающей электронной микроскопии, были сделаны следующие основные выводы:

1. Впервые обнаружен сильный внутренний изгиб решётки кристаллов, растущих в тонких, изначально аморфных плёнках Sb — Те, Сг20з, Та20^. Величина изгиба достигает значений в микрокристаллах Те —235 град/мкм, Сг203 — 145 град/мкм, Та205 — 187 град/мкм. Выявление малодефектных кристаллов Те, Та205, с суммарным внутренним изгибом, превышающим 180°, является дополнительным экспериментальным свидетельством «решёточной» природы изгиба.

2. В кристаллах Те, Сг20з выявлено влияние локального расположения осей изгиба по отношению к основным кристаллографическим направлениям на величину изгиба кристаллической решётки. В кристаллах Те изгиб вокруг оси [001] в два-четыре раза больше, чем вокруг перпендикулярных осей. В кристаллах Сг20з изгиб тем больше, чем сильнее кристаллографическая ориентировка отклонена от [001]. Увеличение угла отклонения оси [001] от нормали к плёнке от 15 до 25 градусов сопровождается увеличением изгиба решётки от 10 до 110 град/мкм.

3. В рамках метода изгибных экстинкционных контуров, на примере кристаллов аСг203 серповидной формы с характерными картинами контуров (непараллельные и непересекающиеся контуры), разработана методика определения кристаллографической ориентировки кристаллов. Применение этого метода позволило уточнить различие в кристаллографической ориентировке кристаллов, дающих идентичные картины микродифракции. Проведена проверка полученных данных прямым гониометрическим исследованием, показавшая хорошее совпадение результатов.

4. Обнаружено сильное влияние толщины кристаллов Та20ь и плёнок Си — Те, Sb — Те на величину внутреннего изгиба решётки кристаллов Та20$ и Те. Уменьшение толщины на 20 нм (Си — Те), 40 нм [Sb — Те) и 60 нм [Та20$) сопровождается увеличением внутреннего изгиба решётки кристаллов (30-100 град/мкм, "100 град/мкм и 160 град/мкм соответственно).

5. Выявлено сходство зависимостей величины изгиба решётки от толщины крупных микрокристаллов (до 15 мкм) и нанокристаллического зерна (от 20 нм) в плёнках Та205. Данные по обоим типам кристаллов могут быть аппроксимированы единой кривой. Это говорит о подобии механизмов возникновения и развития внутреннего изгиба в кристаллах различных размеров с разными величинами изгиба кристаллической решётки.

6. Установлено соответствие между экспериментальными данными по влиянию толщины плёнок/кристаллов Та205 и Cd — Те [90] на величину внутреннего изгиба и оценками, основанными на механизме роста кристаллов с сильным внутренним изгибом решётки от поверхности плёнки. С уменьшением толщины наблюдается увеличение внутреннего изгиба решётки кристаллов, которое может быть описано степенной функцией с показателем близким к -1.

7. Полученные экспериментальные данные свидетельствуют о связи внутреннего изгиба кристаллов с морфологией (Сг20з) и рельефом поверхности (<xFe203).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Швамм, Константин Леович, 2007 год

1. Bolotov 1. Е., Kolosov V. Yu.r Kozhin A. V. Electron microscopy investigation of crystals based on bend-contour arrangement II. Bending phenomena of the crystal growth in an amorphous films // Phys. stat. sol. - 1982. - Vol. 72. - Pp. 645-654.

2. Kolosov V. Yu., Tholen A. R. Transmission electron microscopy studies of the specific structure of crystals formed by phase transition in iron oxide amorphous films // Acta Materialia. — 2000. — Vol. 48,- Pp. 1829-1840.

3. Levine D., Steinhardt P. Quasicrystals: A New Class of Ordered Structures // Physical Review Letters. — 1984. — Vol. 53, no. 26. — Pp. 2477-2480.

4. Тонкие плёнки взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поут, К. Ту, Дж. Мейер. М.: МИР, 1982. - 576 с.

5. Проблемы прикладной физики. Распыление под действием бомбардировки частицами / Под ред. Р. Бериш, К. Виттмак. — М.: МИР, 1998.- 552 с.

6. Физика тонких плёнок. Современное состояние исследований и технические применения / Под ред. Дж. Хасс, М. X. Франкомб, Р. У. Гофман. М.: МИР, 1977. - Т. 7. - 443 с.

7. Технология тонких плёнок / Под ред. Л. Майссел, Р. Глэнг. — М.: Советское радио, 1977. Т. 1.- 768 с.

8. Лихачёв В. А., Шудегов В. Е. Принципы организации аморфных структур. — Издательство С.-Петербургского университета, 1999. С. 228.

9. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твёрдые тела. М.: Мир, 1986. - С. 556.

10. И. Металлические стёкла. Ионная структура, электронный перенос и кристаллизация / Под ред. Г. Гюнтеродт, Г. Бэк. — М.: МИР, 1983. Т. 1. - 376 с.

11. Захаров В. П., Герасименко В. С. Структурные особенности полупроводников в аморфном состоянии. — Киев: Наукова думка, 1976.- 280 с.

12. Физика металлических плёнок. Размерные и структурные эффекты / Под ред. Ю. Ф. Комник. — М.: Атомиздат, 1979. — 263 с.

13. Полатник Л. С., Косевич В. М., Фукс М. Я. Механизм образования и субструктура конденсированных плёнок.— М.: Наука, 1972.- 320 с.

14. Утевский Л. М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. — М.:Металлургия, 1973. — 584 с.

15. Dorset D. L. Crystal-bending and high-resolution protein-structure determination from electron-diffraction data // Naturwis-senschaften. 1977. - Vol. 64. - Pp. 637-638.

16. Feng Q., McConville C. J., Edwards D. D. Dielectric properties and microstructures of Ba(Ti,Zr)Oz multilayer ceramic capacitors with Ni electrodes // Journal of American ceramic society. — 2005. — Vol. 88, no. 6. Pp. 1455-1460.

17. Eaglesham D., Cerullo M. Dislocation-free Stranski-Krastanow growth of Ge on Si (100) // Physical Review Letters.- 1990.-Vol. 64, no. 16.- Pp. 1943-1946.

18. Колосов В. Ю. Электронно-микроскопическое исследование дефектов кристаллов, растущих в аморфных плёнках — дисс. к.ф-м.н. Екатеринбург, ИФМ УРО РАН, 1982. - 179 с.

19. Bolotov I. Е., Kolosov V. Yu. Electron microscopy investigation of crystals based on bend-contour arrangement I. Relations between bend-contour arrangement and bend geometry // Phys. stat. sol.— 1982.- Vol. 69.- Pp. 85-96.

20. Колосов В. Ю., Кожин А. В. Внутреннее искривление решётки кристаллов теллурида меди, растущих в аморфной плёнке // Физико-химические исследования металлургических процессов. — 1988. — С. 65-68.

21. Сопоставление микроструктуры и магнитных свойств плёнок Со — С и Со — Pd, кристаллизующихся с внутренним изгибом кристаллической решётки / Л. И. Квеглис, А. В. Кузовников,

22. B. С. Жигалов, В. Ю. Колосов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2006. — № 5. —1. C. 60-65.

23. Колосов В. Ю., Веретенников Л. М. Электронно-микроскопическое исследование влияния толщины на рост кристаллов в аморфных плёнках селена и соединений сурьмы // Поверхность. 2000. - № 2. - С. 70-74.

24. Ajayan P., Ebbesen Т. Nanometre-size tubes of carbon // Rep. Prog. Phys. 1997. - Vol. 60. - Pp. 1025-1062.

25. Неволин В. Зондовые нанотехнологии в электронике,— М.: Техносфера, 2005.- С. 148.

26. Андриевский Р. А., Рагуля А. В. Наноструктурные материалы. — М.: Издательский центр «Академия», 2005.— С. 188.

27. Kolosov V. Yu. Nontranslational atom ordering in crystals growing in amorphous films // International conference on aperiodic crystals, Les Diablerets, Switzerland, abstract book. — 1994. — P. 117.

28. Колосов В. Ю. О модели искривления решётки при росте кристалла в аморфной плёнке // Тезисы докладов II Всероссийской конференции «моделирование роста кристаллов», Рига. Т. I. - 1987. - С. 154-155.

29. Kolosov V. Yu. On the untraditional geometry of the lattice ordering in thin crystals grown in amorphous films // Zeitschrift fur Kristallographie. 1988. - P. 16.

30. Kolosov V. ТЕМ of crystallizing amorphous films: novel «transrota-tional» structure on the scale micro—meso—nano // Proc. of 13th European microscopy congress, Antwerp, V. II. — 2004. — Pp. 255256.

31. Kolosov V. Yu., Ljalikova N. V. Computer-simulated bend-contour patterns of cylindrically bent crystals // Inst. Phys. Conf. — 1988. — Pp. 429-430.

32. Kolosov V. Yu., Tholen A. R. On the simulation of bend contour patterns in transrotational crystals // 15th International Congress on Electron Microscopy, Durban, Proceedings. — 2002. — P. 957.

33. Колосов В. Ю., Веретенников Л. М. Электронно-микроскопическое исследование кристаллизации аморфных плёнок Se-Te переменного состава // Известия РАН, серия физическая. 2000. - Т. 64, № 8. - С. 1655-1657.

34. Kolosov V. Yu. Тем studies of unusual lattice bending in the crystallites formed in amorphous films by electron beam // EUREM 92, Electron Microscopy, V 2, Granada. 1992.- Pp. 513-514.

35. Iguchi K., Hashimoto H. The fine structure of crossed bend contours appearing in electron microscope images of bent crystals and their energy and thickness dependence // Ultramicroscopy. — 1981.— no. 6.- Pp. 219-226.

36. Spiecker E., Jager W. Burgers vector analysis of large area misfit dislocation arrays from bend contour contrast in transmission electron microscope images // Journal of physics: condensed matter.— 2002.-Vol. 14.-Pp. 12767-12776.

37. Томас Г. Электронная микроскопия металлов. — М.:ИЛ, 1963. — 352 с.

38. Хирш П., Хови А., Николсон Р. Электронная микроскопия тонких кристаллов. — М.:Мир, 1968. — 574 с.

39. Delavignette P., Vook P. W. A method for measuring the thickness of thin bent foils in transmission electron microscopy // Phys. Stat. Sol. 1963. - Vol. 3. - Pp. 648-653.

40. Williams D. В., Carter С. B. Transmission electron microscopy. — New York: Plenum Press, 1996. Vol. II Diffraction. - Pp. 175-346.

41. Шаскольская M. П. Кристаллография,— M.: Высшая школа, 1984.- С. 375.

42. Williams D. В., Carter С. В. Transmission electron microscopy. — New York: Plenum Press, 1996. Vol. Ill Imaging. - Pp. 347-550.

43. Болотов И. E., Колосов В. Ю. Возможности метода экстинкционных контуров в исследовании изгиба тонкоплёночных объектов // Заводская лаборатория. — 1982. — Т. 48, № 11,- С. 53-57.

44. Болотов И. Е., Колосов В. Ю. Об электронно-микроскопическом определении радиуса изгиба и ориентировки изогнутого кристаллического зерна // Металлофизика.— 1982.— Т. 4, № 5.- С. 105-106.

45. Kolosov V. Yu. The formation of unusually ordered crystals in amorphous films revealed in situ by electron microscopy bend-contour method // Acta Crystallographica. 1990. - Vol. 46A. - Pp. c-398.

46. Колосов В. Ю., Веретенников Л. М. Электронно-микроскопическое исследование роста кристаллов Sb2Se 3 в тонких аморфных плёнках // Известия РАН, серия физическая. 1995. - Т. 59, № 2. - С. 55-59.

47. Исследование кристаллов, образующихся в тонких аморфных плёнках Tl-Se / В. Ю. Колосов, Л. М. Веретенников, Б. Н. Лобанов, Ю. Б. Старцева // Материалы XVIII Российской конференции по электронной микроскопии, Черноголовка. — 2000. С. 52-53.

48. Kolosov V. Yu. Possibilities of the bend contour method in the analysis of the lattice disorientations in crystals on thin film transformations // Proceedings of the Xllth International Congress for Electron Microscopy. 1990.- Pp. 574-575.

49. Papid-phase transitions of GeTe Sb2Te3 pseudobinary amorphous thin films for an optical disk memory / N. Yamada, E. Ohno, K. Nishiuchi, N. Akahira // Journal of Applied Physics. — 1991. — Vol. 69, no. 5. - Pp. 2849-2856.

50. Non-volatile phase change memory materials and their induced changes / M. Frumar, T. Wagner, M. Hrdlicka et al. // EPCOS. -2005.

51. Rewritable multi-level recording by mark-size modulation on growth-dominant phase-change material / K. Kiyono, M. Horie, T. Ohno et al. // Int. Symp. Optical Memory Tech. Dig., Chitose, Hokkaido, Japan. 2000. - Pp. 236-237.

52. O'Neil M. P., Wong T. L. Multi-level data storage systems using phase-change optical discs // Optocal Data Storage Conf. Tech. Dig., British Columbia, Canada. 2000. - Pp. 170-173.

53. Wong T. L., O'Neil M. P. Multilevel optical recording // J. Magn. Soc. Jpn. 2001. - no. 25. - Pp. 433-436.

54. O'Neil M. P., Balasubramanian K., Stinebaugh J. Phase-change multilevel recording for 2gb CD-RW // Proc. of 13th Symp. Phase Change Optical Information Storage. — 2001.— Pp. 43-50.

55. Kooi B. J., Hosson J. Th. M. D. On the crystallization of thin films composed of Sb^Te with Ge for rewritable data storage // Journal of Applied Physics. 2004. - Vol. 95, no. 9. - Pp. 4714-4721.

56. Kooi B. J., Groot W. M. G., Hosson J. Th. M. D. In situ transmission electorn microscopy study of the crystallization of Ge2Sb2Te5 // Journal of Applied Physics. 2004. - Vol. 95, no. 3. - Pp. 924-932.

57. Багмут А. Г., Косевич В. M., Николайчук Г. П. Структурные и фазовые превращения в плёнках, осаждённых в зоне воздействия лазерной плазмы на подложку // Рост кристаллов. 1988. - Т. 17, № 44. - С. 5-17.

58. Hampson J. Electron microscopy of tantalum pentoxide, a dissertation submitted for the degree of Doctor of Phylosophy at the University of Bristol. — H.H. Wills physics laboratory, 1972. — 85 pp.

59. Steeds J. W. Real space diffraction analysis in the electron microscope // Proc. Fifth European Congress on Electron Microscopy. — 1972.-Pp. 458-459.

60. Steeds J. WM Eades E. A. Structure analysis by real space methods // Proc. of eighth International congress on electron microscopy, Canberra. Vol. 1. - 1974. - Pp. 360-361.

61. Crystallization behaviour of ALD — Та20^ thin films: the application of in-situ ТЕМ / К. H. Min, R. Sinclair, I. S. Park et al. // Philosophical Magazine. 2005. - Vol. 85, no. 18. - Pp. 2049-2063.

62. Catalina F., Ollacarizqueta M. A., Afonso C. N. Triggerin of dif-fuzion and crystallization of amorphous germanium in contact with antimony // Philosophical magazine В. — 1995.— Vol. 71, no. 3.— Pp. 437-444.

63. Laser induced mixing and microstructures in GeAl thin multilayer films / C. N. Afonso, R. Serna, F. Catalina et al. // Journal of Applied Physics A. 1991. - Vol. 52. - Pp. 69-74.

64. Pseudoepitaxial transrotational structures in 14 nm thick NiSi layers on 001. silicon / A. Alberti, C. Bongiorno, B. Cafra et al. // Acta Crystallographica B. 2005. - Vol. 61. - Pp. 486-491.

65. Quasicrystals in Al Mn and Al - Mn - Si alloys / J. A. Juarez-Islas, J. L. Albarran, B. Campillo, L. Martinez // Journal of Materials Science Letters. - 1991. - Vol. 10. - Pp. 176-178.

66. Кожин А. В., Колосов В. Ю., Фишелева С. Б. Рекристаллизация тонких плёнок окстида диспрозия // Поверхность.— 1990.— № 8,- С. 106-110.

67. Chang Y.-Y., Chou L.-H., Lin H.-T. Laser-induced crystallization in AglnSbTe phase-change optical disk // Advanced nanomaterials and nano devices (IUMRS-ICEM Xi'an, China). 2002,- Pp. 812817.

68. Spiecker E. Determination of crystal polarity from bend contours in transmission electron microscope images // Ultramicroscopy. — 2002. Vol. 92. - Pp. 111-132.

69. Физика тонких плёнок. Современное состояние исследований и технические применения / Под ред. Г. Хасс, Р. Э. Тун, — М.: МИР, 1968.-Т. 3.-331 с.

70. Колосов В. Ю., Толстихина А. Л. Рост кристаллов в аморфных плёнках оксида железа // Известия высших учебных заведений. Чёрная металлургия. 1989. - № 3. - С. 90-93.

71. Горелик С. С., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электроннооптический анализ. Приложения. — М.: Металлургия, 1970. — С. 107.

72. Ковальчук М. В., Толстихина А. Л. Атомно-силовая микроскопия в исследовании морфологии поверхности кристаллов и плёнок // Физика кристаллизации. — 2002. — С. 317-351.

73. Matsko N., Mueller М. AFM of biological material embedded in epoxy resin // Journal of structural biology. — 2004. — Vol. 146, no. 3. Pp. 334-343.

74. The imaging and analysis of semiconductor nanowires by a combined TEM-AFM technique / M. A. Morris, D. Erts, H. Olin et al. // Microscopy society of Ireland, 26th annual symposium. — 2002. — P. 9.

75. Occurence, chemistry, and origin of imiscible silicate glasses in a tholeiitic basalt: a TEM/AFM study / L.-C. Kuo, J. H. Lee, E. J. Es-sene, D. R. Peacor // Contributions to mineralogy and petrology. — 1986.-Vol. 94.-Pp. 90-98.

76. Векшинский С. А. Новый метод металлографического исследования сплавов. — М.:ОГИЗ, 1944. — 250 с.

77. Болотов И. Е.( Кожин А. В. Образование аморфных плёнок при конденсации теллура на Аи, Ад и Си // Физика твёрдого тела. — I 1973. Т. 15. - С. 620-622.

78. Harvey J., Wilman Н. The crystallisation of thin amorphous tantalum oxide films heated in air or vacuo, and the structure of the crystalline oxide // Acta Crystallographica. — 1961. — Vol. 14, no. 12. — Pp. 1278-1281.

79. Kolosov V. Yu., Tholen A. R. Regularly bent nanocrystals formed in an amorphous film of Fe203 // Nanostructured Materials. — 1997. — Vol. 9. Pp. 323-326.

80. Kabayashi M. Structure of amorphous boron // Journal of materials science. 1988. - Vol. 23. - Pp. 4392-4398.

81. О внутренней структуре сферических частиц опала / И. А. Карпов, Э. Н. Самаров, В. М. Маслов и др. // XI Национальная конференция по росту кристаллов, тезисы докладов. 2004. - С. 467.

82. Технология тонких плёнок / Под ред. Л. Майссел, Р. Глэнг.— М.: Советское радио, 1977. Т. 2. - 764 с.