Электронная микроскопия наноразмерных структур в пироуглеродных и полупроводниковых материалах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Кукин, Владимир Николаевич

• Кукин, Владимир Николаевич
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Кукин, Владимир Николаевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ В РЕШЕНИИ ЗАДАЧ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР В ПИРОУГЛЕРОДНЫХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ

1.1 Формирование наноразмерных структур как способ контролируемого управления свойствами пироуглеродных и полупроводниковых материалов

1.2 Характеристика пироуглеродных материалов и методы исследования

их структуры

1.3 Характеристика процессов модификации полупроводниковых материалов ионными и лазерными пучками

1.4 Выводы

ГЛАВА 2 ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ. ОБОРУДОВАНИЕ. МЕТОДИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ

2.1 Объекты исследования и способы их получения

2.2 Электронно-микроскопическое оборудование. Подготовка образцов

для исследований

2.3 Методики электронно-микроскопических исследований

2.3.1 Методики совместного применения просвечивающей электронной микроскопии и метода с фокусированным ионным пучком

2.3.2 Методики цифровой обработки высокоразрешающих изображений

2.3.3 Методика определения величины пористости пироуглеродных материалов

2.3.4 Методика определения типа тетраэдров дефектов упаковки

2.4 Выводы

ГЛАВА 3 ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ДВУМЕРНО УПОРЯДОЧЕННОЙ СТРУКТУРЫ УГЛЕСИТАЛЛА И ПИРОУГЛЕРОДА

3.1 Общая характеристика электронно-микроскопических изображений углеситалла

3.2 Фазовый анализ образцов углеситалла

3.2.1 Электронографические исследования

3.2.2 Исследования методом спектроскопии энергетических потерь

быстрых электронов

3.2.3 Исследования методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа

3.2.4 Анализ фаз углеситалла с применением электронограмм

3.3 Применение методов высокоразрешающей микроскопии для анализа матричной фазы углеситалла

3.3.1 Анализ изображений одинаковых участков образца на высокоразрешающих микрофотографиях и на светлопольных микрофотографиях с дифракционным контрастом

3.3.2 Анализ изображений одинаковых участков образца на высокоразрешающих микрофотографиях, полученных в двух взаимно-перпендикулярных проекциях

3.4 Применение методов высокоразрешающей микроскопии для анализа мелких кристаллических включений карбида бора

3.4.1 Анализ кристаллической структуры мелких включений

3.4.2 Анализ ориентационного соотношения между кристаллическими плоскостями мелких включений и плоскостями матричной фазы

3.5 Электронная микроскопия полостей с крупными частицами

карбида бора

3.5.1 Исследования размеров полостей и величины пористости углеситалла

3.5.2 Анализ крупных включений с помощью совместного применения методов просвечивающей микроскопии и системы с фокусированным

ионным пучком

3.5.3 Исследования средних размеров крупных включений в зависимости

от длительности процесса формирования углеситалла

3.6 Электронная микроскопия структуры изотропного пироуглерода

в сравнении со структурой углеситалла

3.7 Концепция формирования глобулярной структуры углеситалла

3.8 Выводы

ГЛАВА 4 ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ СКРЫТЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ, ФОРМИРУЕМЫХ ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ КРЕМНИЯ

4.1 Применение ионной имплантации для управляемого воздействия

на свойства поверхностных слоев кремния

4.2 Электронная микроскопия скрытых диэлектрических слоев нитрида кремния

4.2.1 Модификация поверхностных слоев кремния с применением циклического ионного синтеза

4.2.2 Циклический ионный синтез сильноточными пучками

4.2.3 Циклический ионный синтез слаботочными пучками

4.2.4 Идентификация кристаллической структуры скрытого слоя и определение ориентационных соотношений

4.3 Электронно-микроскопические исследования ионного внедрения

в кремний тяжелых ионов

4.4 Электронная микроскопия скрытых диэлектрических слоев

оксинитрида кремния

4.5 Выводы

ГЛАВА 5 ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ

СЛОЕВ КРЕМНИЯ ПРИ КОМБИНИРОВАННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ ДВУХ ЛАЗЕРНЫХ ИМПУЛЬСОВ

5.1 Модификация поверхностных слоев кремния с применением импульсных лазерных пучков

5.2 Электронно-микроскопические исследования лазерного воздействия

на аморфные слои кремния в среднем диапазоне энергий

5.3 Электронно-микроскопические исследования лазерного воздействия на аморфные слои кремния с высокой плотностью энергии

лазерного излучения

5.4 Соответствие результатов экспериментальных исследований

тепловой модели импульсного воздействия лазеров

5.5 Электронная микроскопия процессов двухимпульсной комбинированной лазерной рекристаллизации поликремниевых островков

5.5.1 Применение процессов лазерной рекристаллизации в технологии объемных интегральных схем

5.5.2 Электронно-микроскопические исследования лазерного воздействия

на слои поликремниевых островков

5.6 Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронная микроскопия наноразмерных структур в пироуглеродных и полупроводниковых материалах»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы.

В настоящее время исследования наноматериалов и нанострукутр продолжаются нарастающими темпами. Важность таких исследований связана с тем, что в нанометровом диапазоне размеров физические и химические свойства материалов меняются существенным образом. С развитием технологий, обеспечивающих управление процессами на нанометровом масштабе, появляется возможность получения наноматериалов и наноструктур с новой и недоступной ранее функциональностью. К их числу относятся наночастицы, нанотрубки, тонкие пленки, на-новолокна, полупроводниковые гетероструктуры, композиционные наноматериа-лы, нанопорошки и многие другие. Разработки в области наноматериалов и приборов на их основе тесно связаны с изучением свойств объектов нанометровых размеров, обусловленных их малыми размерами, формой, влиянием поверхности, и дальнейшим развитием методов их исследования, среди которых большой информативностью обладает просвечивающая электронная микроскопия.

Разного рода несовершенства и структуры нанометровых размеров могут формироваться в ходе технологических процессов, применяемых в электронике, химии и катализе, медицинской технике и многих других областях. Их формирование в объемных материалах может сопровождаться изменением таких характеристик как однородность, сплошность, пористость, дефектность и других. В этой связи исследования данного класса материалов в настоящей работе были посвящены выявлению того влияния, которое имеющихся в материале структуры на-нометровых размеров могут оказывать на характеристики объемного материала. Установление такого влияния дает возможность изменять свойства разрабатываемых материалов контролируемым образом, что необходимо для совершенствования имеющихся и создания новых материалов и технологий.

Целью настоящего исследования были объемные материалы, характеризующиеся как двумерным, так трехмерным упорядочением атомов. К материалам

с двумерным упорядочением относится широкий класс углеродных материалов, кристаллическое строение которых характеризуется расположением атомов углерода в вершинах правильных шестиугольников в виде гексагональных сеток. Сильные ковалентные связи между атомами в таких сетках и слабое межмолекулярное взаимодействие между их соседними слоями определяют специфические свойства углеродных нанотрубок, пироуглерода, технического углерода, графе-новых слоев и подобных им материалов. Среди этих материалов объектом исследования настоящей работы являлись образцы пироуглеродного материала марки углеситалл (далее - углеситалл), Результаты исследований пироуглеродных материалов со структурой двумерно упорядоченных углеродных сеток достаточно широко представлены в публикациях, например, в работах [1, 2], однако углеси-талл практически не исследовался, в том числе и методами просвечивающей электронной микроскопии.

Материалами с трехмерным упорядочением являлись скрытые диэлектрические слои нитрида и оксинитрида кремния, образующиеся при ионном синтезе и поверхностные слои кремния после комбинированного воздействия на них двух лазерных импульсов. Ионная имплантация и импульсное лазерное воздействие на материалы после разносторонних исследований стали широко применяться на практике, что не исключает научного интереса к их новым разработкам [3-5]. Применяемые в этих процессах ионные и лазерные пучки могут приводить к интенсивной генерации радиационных дефектов и сопровождаться образованием наноразмерных структур, оказывающих влияние на характеристики формирующихся слоев, и в этой связи их исследования являются актуальными.

Исследования наноразмерных структур в настоящей работе проводились с применением просвечивающей электронной микроскопии, имеющей ряд преимуществ по сравнению с методами рентгенодифракционного анализа, нейтронографии, атомно-силовой микроскопии, рамановской спектроскопии и другими. Широкий спектр методов просвечивающей электронной микроскопии позволяет проводить качественный и количественный анализ структуры материалов, изучать структурные превращения при различных технологических воздействиях,

выявлять дефекты кристаллической структуры, анализировать атомарные расположения на границах. Важнейшее преимущество просвечивающей микроскопии, особенно в применении к нанообъектам, заключается в возможности их непосредственной визуализации, что наряду с высокой разрешающей способностью позволяет изучать объекты с атомным разрешением, идентифицировать аморфные и кристаллические фазы на участках образца нанометровых размеров. Вследствие малой длины волны электронов по сравнению с рентгеновскими лучами электронограммы представляют собой плоские сечения обратной решетки, что упрощает их анализ. Аналитические методы просвечивающей микроскопии позволяют определять элементный состав исследуемых объектов.

Цель работы состояла в исследовании методами просвечивающей микроскопии наноразмерных структур, образующихся в пироуглеродных и полупроводниковых материалах при различных технологических процессах, и изучения их влияния на характеристики этих материалов.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- исследовать образцы углеситалла и пироуглерода и идентифицировать входящие в их состав фазы с применением методов дифракционной и высокоразрешающей электронной микроскопии, спектроскопии энергетических потерь быстрых электронов и энергодисперсионного рентгеновского микроанализа; разработать методики совместного использования просвечивающей электронной микроскопии и системы с фокусированным ионным пучком для прецизионного позиционирования и исследования одного и того же участка образца с размерами от долей нанометра до нескольких микрон;

- исследовать электронно-микроскопическими методами скрытые диэлектрические слои нитрида и оксинитрида кремния, формирующиеся в процессах ионного синтеза, и изучить образующиеся в этих процессах наноразмерные структуры;

- изучить методами просвечивающей электронной микроскопии поверхностные слои кремния и термическую стабильность их структуры при комбинированном воздействии двух лазерных импульсов.

Научная новизна.

1 Показано, что углеситалл состоит из фазы пироуглерода с глобулярной турбостратной структурой, в которой преимущественная ориентация базисных плоскостей сохраняется в пределах областей микронных размеров, и кристаллической фазы карбида бора с ромбоэдрической решеткой в виде крупных и мелких включений с икосаэдрической огранкой, для которых характерно множественное двойникование по плоскостям типа {100} (в ромбоэдрической системе координат), приводящее к возникновению оси симметрии пятого порядка. Продемонстрировано, что при формировании углеситалла может происходить подстройка структур матричной фазы и кристаллических частиц, при которой углеродные базисные плоскости располагаются параллельно плоскостям типа {1123 } (в гексагональной системе координат) карбида бора.

2. Установлено, что мелкие включения карбида бора с размерами 10-20 нм относительно равномерно распределены по объему углеситалла, а крупные частицы с размерами от 0,1 до 1 мкм формируются на внутренней поверхности имеющихся внутри материала полостей. Показано, что рост крупных частиц карбида бора продолжается как в процессе формирования углеситалла, так и при последующих повторных термических воздействиях и происходит за счет процессов диффузии атомов бора и растворения мелких включений.

3. Предложена концепция формирования глобулярной структуры углеситалла, в которой размеры областей пироглеродной фазы оцениваются экспериментально определяемыми величинами: ориентационным углом и пористостью углеситалла.

4. Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено, что

при циклическом ионном синтезе скрытых диэлектрических слоев в кремнии как

2 2 сильноточными (20-25 мкА-см" ), так и слаботочными (2 мкА-см" ) пучками обра-

зуется поликристаллический нитрид кремния со структурой <2-Si3N4, ухудшающий диэлектрические свойства скрытых слоев.

5. Обнаружено, что из-за нагрева подложки при циклическом ионном синтезе сильноточными пучками и вследствие пространственного разделения радиационных дефектов в двух подслоях, расположенных на глубине максимальных нарушений кристаллической решетки и максимума распределения внедренной примеси, образуются включения нитрида кремния. Последующий рост от них дендритоподобных отростков нарушает слошность и однородность скрытого слоя. Установлено, что включения нитрида кремния когерентно сопряжены с матрицей кремния так, что: [ 111 ] Si || [0001] Si3N4, [ 112 ] Si || [ 10T0 ] Si3N4, [110] Si || [ 1210 ] Si3N4.

6. Установлено, что циклический ионный синтез слаботочными пучками приводит к образованию подслоя пор толщиной 20 нм, ухудшающий механические свойства скрытого диэлектрического слоя.

7. Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено, что ионный синтез аморфного оксинитрида кремния обеспечивает формирование сплошных и однородных скрытых диэлектрических слоев в кремнии с минимальным уровнем кристаллических дефектов на границах слоев.

8. Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при импульсном лазерном воздействии кристаллическое совершенство рекри-сталлизованных слоев кремния нарушают тетраэдры дефектов упаковки типа внедрения, причиной образования которых являются дефекты нарушенного слоя на глубинах проплавления ниже границы аморфизации.

9. Методами просвечивающей электронной микроскопии продемонстрировано, что импульсная лазерная рекристаллизация аморфизированных слоев кремния при плотности энергии лазерного воздействия выше порога интенсивного образования радиационных дефектов сопровождается образованием нестабильных состояний структуры, что подтверждается структурными изменениями при повторных термических отжигах. Эти изменения происходили по-разному в центре и на периферии лазерного пучка - в центральной части в свободных от дефек-

тов областях возникали стержнеобразные дефекты, на периферии происходило укрупнение дислокационных петель и их трансформация в сетку дислокаций.

Теоретическая и практическая значимость работы

Выполнение настоящей работы позволило получить новые экспериментальные данные для изучения и анализа закономерностей формирования пироуг-леродных материалов, ионного синтеза скрытых диэлектрических слоев нитрида и оксинитрида кремния, процессов рекристаллизации поверхностных слоев кремния при комбинированном воздействии двух лазерных импульсов.

Выявленная структурная организация углеситалла, характеризующаяся формированием глобулярных образований с характерной преимущественной ориентацией гексагональных углеродных сеток, которая зависит от образующихся при его формировании нанокристаллических включений карбида бора расширяет и углубляет представления о структуре этого материала. Локальные неоднородности в виде изгибов гексагональных углеродных сеток и наночастиц карбида бора, проявляющиеся на атомарном уровне и приводящие на макроуровне к образованию пустот между глобулярными образованиями, позволяют объяснить изменения физико-механических свойств углеситалла, в том числе его пористости и твердости по сравнению с пироуглеродом.

Полученные электронно-микроскопические данные способствуют более глубокому пониманию процесса формирования скрытых диэлектрических слоев в кремнии при ионном синтезе и рекристаллизации поверхностных слоев кремния под воздействием лазерных пучков. Они дают возможность выявить зависимость физико-механических свойств от процессов образования радиационных дефектов и дефектов кристаллической решетки при ионном внедрении примесей и лазерном воздействии. На основе этих данных установлено, что при ионном синтезе скрытых слоев комплексы точечных дефектов и атомов примеси обусловливают формирование поликристаллической структуры нитрида кремния и аморфной структуры оксинитрида кремния, а при лазерной рекристаллизации - в появлении дефектов и образовании нестабильных состояний поверхностных слоев кремния.

Выявленные с применением методов просвечивающей микроскопии закономерности дефектообразования и формирования наноразмерных структур могут быть использованы для оптимизации технологических процессы и способствуют созданию материалов с необходимыми механическими, электрофизическими и другими свойствами.

Результаты электронно-микроскопических исследований могут применяться при решении многих прикладных задач, в том числе создании пироуглеродных материалов для конструкций искусственных клапанов сердца, полупроводниковых материалов с ферромагнитными свойствами с высокими значениями параметра намагниченности, композиционных материалов, содержащих металлические наночастицы, приборов для преобразования энергии солнечного излучения, разработке полупроводниковых слоев с концентрацией электрически активной примеси выше предела растворимости, межсоединений и омических контактов с низким удельным сопротивлением поликристаллического кремния и др.

При выполнении исследований были адаптированы необходимые для решения задач диссертационной работы стандартные электронно-микроскопические методики и разработаны новые методики, к которым относятся: методика совместного использования просвечивающей электронной микроскопии и системы с фокусированным ионным пучком, с помощью которой получены дополнительные и ранее не выявляемые при электронно-микроскопических исследованиях сведения об имеющихся в углеситалле пустотах; методика определения природы тетраэдров дефектов упаковки, основывающаяся на закономерностях дефокусированных изображений с амплитудно-фазовым контрастом; методика определения пористости углеситалла, основывающаяся на анализе плоских сечений материала, выполняемых с применением фокусированного ионного пучка. Их использование в дальнейших исследованиях расширяет возможности метода просвечивающей электронной микроскопии для получения данных о на-норазмерных структурах.

Положения, выносимые на защиту:

1. Формирование углеситалла сопровождается образованием фазы пироуг-лерода с глобулярной турбостратной структурой и включений карбида бора состава В4С/В13С2 с ромбоэдрической кристаллической решеткой.

2. Формирование глобулярной структуры углеситалла, зависит от нанокри-сталлических включений карбида бора, влияющих на размеры областей с преимущественной ориентацией базисных плоскостей пироуглеродной фазы.

3. Величина пористости углеситалла, обусловленная образующимися при его росте пустотами, коррелирует с измеренным на электронограммах ориента-ционным углом, величина которого определяется кривизной поверхности, ограничивающей области с преимущественной ориентацией базисных плоскостей.

4. Для кристаллических включений карбида бора, имеющих икосаэдриче-скую огранку, характерна ось симметрии пятого порядка, появление которой обусловлено множественным двойникованием.

5. Скрытые диэлектрические слои нитрида кремния при циклическом ионном синтезе достехиометрическими дозами азота из-за эффектов пространственного разделения радиационных дефектов зарождаются в двух подслоях на стоках из комплексов вакансий и междоузельных атомов и имеют поликристаллическую структуру, что ухудшает их диэлектрические свойства.

6. Формирование сплошного аморфного слоя оксинитрида кремния без на-нокристаллических включений кремния происходит при оптимальном соотношении между дозами имплантированного кислорода и азота, равном 1:3,5.

7. Лазерное воздействие на поверхностные слои кремния с плотностью энергии выше порога интенсивной генерации точечных дефектов приводит к нестабильному состоянию их структуры, свидетельством которого являются процессы образования стержнеобразных дефектов, дислокационных петель и дислокационных сеток при лазерном воздействии и повторных термических отжигах.

Личный вклад автора состоит в постановке задач электронно-микроскопических исследований, проведении экспериментальных исследований

с применением электронографического анализа, получения высокоразрешающих изображений и изображений с дифракционным контрастом, цифровой обработки экспериментальных микрофотографий, анализе полученных результатов, что позволило изучить влияние наноразмерных структур на характеристики пироугле-родных и полупроводниковых материалов.

Результаты работы изложены в 25 публикациях из списка ВАК [6-30], 2-х коллективных монографиях [31,32], представлялись и обсуждались в 48 докладах на следующих научных конференциях и семинарах:

VI конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, г. Новосибирск, 1982; 10th International Congress on Electron Microscopy «Electron Microscopy 82», Hamburg, Germany, 1982; II конференции по микроэлектронике «Микроэлектроника 82», г. Будапешт, Венгрия, 1982; 7-й Международной конференции «Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах», г. Вильнюс, 1983; IV Всесоюзном совещании «Дефекты структуры в полупроводниках», г. Новосибирск, 1984; V Международной конференции «Свойства и структура дислокаций в полупроводниках», г. Москва, 1986; Всесоюзной конференции «Физические методы исследования поверхности и диагностика материалов и элементов вычислительной техники», г. Кишинев, 1986; XI International Congress on Electron Microscopy. Kyoto, Japan, 1986; XII th International Congress For Electron Microscopy, San Francisco, USA. 1990; XIV Всесоюзной конференции по электронной микроскопии, г. Суздаль, 1990; 3-d Mideuropean Symp. and Exhibit. on Semiconductor Engineering and Technology,Warsaw, Poland, 1992; Международной конференции по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М.П. Шаскольской, г. Москва, 1998; XII, XIII Всесоюзных конференциях по электронной микроскопии, г. Сумы, 1982, 1987; IX, Х Национальных конференциях по росту кристаллов, г. Москва, 2000, 2002; II Всероссийской научно-технической дистанционной конференции «Электроника», г. Москва, 2003; V Всероссийской конференции «Керамика и композиционные материалы», г. Сыктывкар, 2004; IV, V Международных научно-технических конференциях «Элек-

троника и информатика», г. Москва, 2002, 2005; 13-th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Grindelwald, Switzerland, 2005; Международной конференции «Плавление и кристаллизация металлов и оксидов», г. Ростов-на-Дону, 2007; Electron Microscopy and Multiscale Modeling, EMMM-2007, г. Москва, 2007; II Международной конференции «Кристаллогенезис и минералогия», г. Санкт-Петербург, 2007; Международной научно-технической конференции «Микроэлектроника и наноинженерия», г. Москва, 2008: XIV международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлетроника», г. Нижний Новгород, 2010; XVIII Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, г. Черноголовка, 2011; TKM-2013. International Workshop on Materials Design Process: Thermodynamics, Kinetics and Microstructure Control, Madrid, Spain, 2013; Technical Faculty in Proceedings of The 45th International October Conference on Mining and Metallurgy, Belgrade, Serbia, 2013; XIX, XX, XXI, XXII, XXIII, XXIV, XXV Российских конференциях по электронной микроскопии, г. Черноголовка, 2002, 2004, 2006, 2008, 2010, 2012, 2014; первом, втором, третьем, четвертом, пятом, седьмом международных научных семинарах «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики», г. Великий Новгород, 2002, 2004, 2006, 2008, 2011, 2015; XXVI Российской конференции по электронной микроскопии, г. Москва, г. Зеленоград, 2016.

ГЛАВА 1 ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ В РЕШЕНИИ ЗАДАЧ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР В

ПИРОУГЛЕРОДНЫХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛАХ

1.1 Формирование наноразмерных структур как способ контролируемого управления свойствами пироуглеродных и полупроводниковых материалов

Формирование наноразмерных структур в ходе различных технологических процессов является одним их подходов, позволяющих контролируемым образом создавать материалы с необходимыми механическими, электрофизическими и другими свойствами. Для получения структур нанометровых размеров используются различные химические реакции и физические процессы. Их формирование может инициироваться различными способами, в том числе, как с помощью термического воздействия, так и с помощью воздействия ионными и лазерными пучками. Разные способы формирования наноразмерных структур характерны для пироуглеродных и полупроводниковых материалов.

В пироуглеродных материалах структуры нанометровых размеров образуется непосредственно в ходе технологического процесса в результате термического разложения газовой смеси и осаждения продуктов реакции на твердой подложке в реакторе. Создание дополнительных центров кристаллизации позволяет влиять на ход технологического процесса так, чтобы пироуглеродный материал с анизотропными свойствами становился изотропным. В результате такого влияния меняются механические свойства пироуглеродного материала, в частности, увеличивается его прочность [33].

Для управления свойствами полупроводниковых материалов широко применяются процессы ионного внедрения примесей совместно с процессами термического и лазерного воздействия. Применение ионных пучков для формирования скрытых диэлектрических слоев в кремнии относится к одному из основных процессов современной электроники. Формирование скрытых слоев происходит с

образованием наноразмерных кластеров, состоящих как из атомов внедряемых примесей, так и собственных точечных дефектов кристаллической решетки [34]. Управление процессами образования наноразмерных структур при формировании скрытых слоев может осуществляться изменением таких параметров, как температура, доза внедряемых примесей, плотность ионного тока и других, а их оптимизация обеспечивает получение скрытых слоев с необходимыми диэлектрическими свойствами и расположенных над ними слоев совершенного монокристаллического кремния.

Импульсное лазерное воздействие, применяемое для точной и дозированной передачи энергии, позволяет модифицировать поверхностные слои кремния без какого-либо воздействия на остальной объем материала. Такое воздействие может сопровождаться образованием наноразмерных структур в поверхностных слоях кремния, связанных как с нарушениями кристаллической решетки кремния при ионной имплантации, так и с процессами генерации точечных дефектов при лазерном воздействии. Управление процессами лазерного воздействия в этих случаях должно заключаться в создании условий, при которых наноразмерные структуры, ухудшающие свойства поверхностных слоев кремния, не образуются.

Разработка и совершенствование процессов формирования наноразмерных структур в пироуглеродных и полупроводниковых материалах связаны с необходимостью получения всесторонней информации об их строении, в том числе на атомарном уровне разрешения. Просвечивающая электронная микроскопия имеет ряд преимуществ по сравнению с методами рентгенодифракционного анализа, нейтронографии, атомно-силовой микроскопии, рамановской спектроскопии и другими. Важное преимущество просвечивающей микроскопии, особенно в применении к нанообъектам, заключается в возможности их непосредственной визуализации, проведении качественного и количественного анализа их структуры, возможности выявления дефектов кристаллической структуры, изучения структурных превращений при различных технологических воздействиях.

1.2 Характеристика пироуглеродных материалов и методы исследования их структуры

Искусственные углеродные материалы составляют обширное семейство материалов, особенностью строения которых являются атомы углерода, располагающиеся в вершинах гексагональных сеток. Вследствие двумерного упорядочения углеродных атомов взаимное расположение гексагональных сеток отличается большим разнообразием, поэтому материалы с такой организацией углеродных атомов отличаются по своим физическим, химическим и механическим свойствам. Разнообразие свойств обуславливает применение таких материалов в электронике, оптоэлектронике и фотовольтаике [35-38], ядерной энергетике [39-41], медицине [42-45], в качестве композитных материалов [46,47] и других областях [48-50].

Взаимосвязь между структурой и физико-механическими свойствами искусственных углеродных материалов является темой интенсивных исследований. Несмотря на то, что основу строения широкого класса искусственных углеродных материалов составляют гексагональные углеродные сетки, изучение многочисленных разновидностей этого класса материалов имеет свои особенности, что подтверждается экспериментальными исследованиями разных авторов [51-53].

Пироуглеродные материалы являются одной из разновидностей искусственных углеродных материалов, характеризующихся двумерным упорядочением атомов углерода. Для исследований их структуры и состава широкое применение нашли методы оптической, атомно-силовой, электронной микроскопии, методы спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния и другие [54-57]. В этих исследованиях важную роль играют методы определения анизотропных свойств пироуглеродных материалов, обусловленных формированием областей с преимущественной ориентацией гексагональных сеток, называемых также базисными плоскостями. Такое строение пироуглеродных материалов с преимущественной ориентацией базисных плоскостей в локальных областях материала, называемое также текстурой, оказывает существенное влияние на физико-

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Кукин, Владимир Николаевич, 2016 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1 Harris P.J.F. New Perspectives on the Structure of Graphitic Carbons // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. - 2005 - Vol. 30. - P. 235-253.

2 Oberlin A. Pyrocarbons // Carbon. - 2002. - Vol. 40. - P. 7-24.

3 Petkov N. In situ real-time TEM reveals growth, transformation and function in one-dimensional nanoscale materials: from a nanotechnology perspective // ISRN Nanotechnology. - 2013. - Vol. 2013. - P. 2-21.

4 Milvidsky M.G. Semiconductor silicon at the threshold of twenty-first century // Crystallography Reports. - 2002. - Vol. 47. - P. S3-S14.

5 Choudhury D., Macdonald J.R., Kar A.K. Ultrafast laser inscription: perspectives on future integrated applications // Laser & Photonics Reviews. - 2014. - Vol. 8. -Issue 6. - P. 78-83.

6 Кукин В.Н. Сопряжение фаз в углеситалле // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2014. - № 8. - С. 18-23.

7 Koltsov A., Pavlova L., Kukin V., Prikhodko A., Cornu M., Kirilenko E. Elaboration and characterization of Fe/silica-nanofilm tailored surfaces // Surface & Coatings Technology. - 2014. - Vol. 247. - P. 39-47.

8 Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Кукин В.Н., Агафонов А.В., Кузнецов В.О. Электронно-микроскопические исследования монокристаллических включений в углеситалле // Известия РАН. Серия Физическая. - 2013. - Т. 77. - № 8. - С. 1076 -1081.

9 Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Кукин В.Н. Агафонов А.В., Кузнецов В.О. Исследование субмикронных полостей в углеситалле методом фокусированного ионного пучка // Письма в ЖТФ. - 2013. - Т. 39. - Вып. 18. - С. 53-60.

10 Бокерия Л.А., Агафонов А.В., Волков Р.Л., Кузнецов В.О., Боргардт Н.И., Кукин В.Н., Фадеев А.А. Исследование микроструктуры контактирующих с кровью поверхностей имплантируемых изделий из пироуглеродных материалов

// Бюллетень НЦССХ им. А.Н. Бакулева РАМН сердечно-сосудистые заболевания. - 2013. - Т. 14. - № 2. - С. 26-35.

11 Волков Р. Л., Боргардт Н. И., Кукин В.Н. Применение фокусированного ионного пучка и просвечивающей электронной микроскопии для локального исследования пироуглеродных материалов // Известия РАН. Серия Физическая.

- 2011. - Т. 75. - № 9. - С. 1297-1301.

12 Кукин В.Н. Электронная микроскопия слоев пироуглерода и углеситалла // Известия РАН. Серия Физическая. - 2011. - Т. 75. - № 9. - С. 1315-1319.

13 Волков Р.Л., Боргардт Н.И., Кукин В.Н., Приходько А.С., Басаев А.С., Шаман Ю.П. Применение фокусированного ионного пучка для приготовления образцов для электронно-микроскопических исследований поверхностных наноструктур // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2011. - № 9. - С. 94-99.

14 Басаев А.С., Шулицкий Б.Г., Воробьева А.И., Кукин В.Н., Прудникова Е.Л., Лабунов В.А., Мозалев А.М., Шаман Ю.П. Нанокомпозитный углеродный материал с упорядоченной структурой, синтезированный с использованием пористого оксида алюминия // Российские нанотехнологии. - 2011. - Т 6. - № 3-4.

- С. 31-38.

15 Неволин В.К. Симунин М.М. Бобринецкий И.И. Кукин В.Н. Исследование углеродного наноматериала методами атомно-силовой и электронной микроскопии // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2007. - № 4. -С. 3-6.

16 Боргардт Н.И. Зыков А.В., Кукин В.Н., Максимов С.К. Электронно-микроскопические методы для исследования наноструктурированных и нано-фазных материалов // Известия высших учебных заведений. Электроника. -2005. - № 4-5. - С. 44-51.

17 Кукин В.Н., Боргардт Н.И., Агафонов А.В. Кузнецов В.О. Исследования структуры углеситалла методами просвечивающей электронной микроскопии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2005. - № 11. - С. 24-30.

18 Кукин В.Н., Боргардт Н.И., Агафонов А.В., Кузнецов В.О. Фазовая неоднородность структуры углеситалла // Письма в ЖТФ. - 2004. - Т. 30. - В. 17. - С. 76-82.

19 Шокина Д.И., Вернер И.В., Кукин В.Н. Влияние химически активной среды отжига на структурные дефекты кремния // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2003. - № 5. - С. 28-31.

20 Сафронова О.И., Уздовский В.В., Гусаков Г.М., Комарницкий А.А., Кукин В.Н., Сафонова Г.Н. Рекристаллизация кремниевых островков на слое диэлектрика методом двухимпульсного лазерного отжига для объемной интеграции // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2003. - № 6. - С. 70-74.

21 Сафронова О.И., Уздовский В.В., Сафонова Г.Н., Комарницкий А.А., Гусаков Г.М., Кукин В.Н., Гордо Н.М., Хайновский В.И. Методы двухимпульсной комбинированной лазерной рекристаллизации кремниевых островков для объемных интегральных схем // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 1999. - № 1. - С. 25-29.

22 Гусаков Г.М., Комарницкий А.А., Сафронова О.И., Седунов Б.И., Уздовский В.В., Кукин В.Н., Хайновский В.И. Лазерная рекристаллизация поликремниевых пленочных островков импульсами регулируемой формы // Эл. тех. сер. 3, микроэлектроника. - 1990. - Вып. 4 (138). - С. 21-25.

23 Кукин В.Н., Максимов С.К., Дракин К.А., Вылеталина О.И. Электронная микроскопия скрытых слоев Si3N4, полученных при циклическом ионном синтезе // Известия АН СССР, сер. физ. - 1991. - Т. 55. - № 8. - С. 1501-1505.

24 Danilin A.B., Drakin K.V., Malinin A.A., Mordkovich V.N., Kukin V.N., Petrov A.F., Saraykin V.V., Vyletalina O.I. Peculiarities of buried silicon oxynitrid layer synthesis by sequential oxygen and nitrogen ion implantation in silicone // Nucl. Instrum. And Meth. In Phys. Res. B. - 1991. - Vol. 58. - P. 191-193.

25 Borgardt N.I., Maksimov S.K., Piskunov D.I, Kukin V.N. Defocused Images of Stacking Faults // Phys. Stat. Sol. (a). - 1989. - Vol. 113. - P. 251-267.

26 Максимов С.К., Пискунов Д.И., Кукин В.Н., Калинин А.А. Идентификация глобулярных прециптатов в GaAs-легированном Te и роль собственных точечных несовершенств в процессах распада пересыщенных твердых полупроводниковых растворов // ДАН СССР. - 1987. - Т. 293. - № 2. - С. 350-354.

27 Максимов С.К., Пискунов Д.И., Кукин В.Н. Структурное совершенство слоев кремния, сформированного в результате лазерного импульсного постим-плантационного отжига // ДАН СССР. - 1987. - Т. 293. - № 3. - С. 600-610.

28 Кукин В.Н. Пискунов Д.И., Грабчак В.П., Шокин А.Н. Кристаллографические особенности распада в ионно-легированных слоях Si(Tl) // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1985. - № 12 . - С. 61-69.

29 Максимов С.К., Боргардт Н.И., Пискунов Д.И., Кукин В.Н., Ходос. И.И. Де-фокусированные микрофотографии объектов с сильным амплитудным контрастом Известия АН СССР, сер. физ. - 1984. -Т. 48. - № 9. - С. 1729-1734.

30 Кукин В.Н., Максимов С.К., Гайдуков Г.Н., Жеребцов А.С., Филиппов А.П. Электронно-микроскопические аномалии дефектной структуры Si, возникающей при лазерном отжиге // ФТТ. - 1982. - Т. 24. - Вып. 5. - С. 1450-1452.

31 Боргардт Н.И. Кукин В.Н. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии // Нанотехнологии в электронике, ред. Ю.А. Чаплыгина. - М., Техносфера, 2013. - Гл. 5. - С. 178-226.

32 Боргардт Н.И. Кукин В.Н. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии. // Нанотехнологии в электронике, под. ред. Ю.А. Чаплыгина, М., Техносфера, - 2005. - Гл. 1 . - С. 20-60.

33 Волков Г.М. Объемные наноматериалы. - М.: КНОРУС, 2011. - 168 с.

34 Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках - новый подход к формированию свойств материалов // Физика и техника полупроводников. - 1998. - Т. 32. - № 5. - С. 513-522.

35 Jariwala D., Sangwan V.K., Lauhon L.J. et al. Carbon nanomaterials for electronics, optoelectronics, photovoltaics, and sensing // Chem. Soc. Rev. - 2013. - Vol. 42. - P. 2824-2860.

36 Avouris P., Zhihong Chen Z., Perebeinos V. Carbon-based electronics // Nature Nanotechnology. - 2007. - № 2. - P. 605-615.

37 Rogers J.A., Someya T., Huang Y. Materials and mechanics for stretchable electronics // Science. - 2010. - Vol. 327. - P. 1603-1607.

38 Bonaccorso F., Sun Z., Hasan T., Ferrari A.C. Graphene photonics and optoelectronics // // Nature Photonics. - 2010. - № 4. - P. 611-622.

39 Tennery V.J., Yust V.J., Krautwasser P., Beatty R.L. Structural characterization of HTGR pyrocarbon fuel particle coatings // Journal of The American Ceramic Society.

- 1977. - Vol. 60. - P. 268-274.

40 Lopez-Honorato E., Tan J., Meadows P.J. et al. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties // Journal of Nuclear Materials. - 2009. - Vol. 392. - P. 219-224.

41 Miller G.K., Petti D.A., Maki J.T. et al. Updated solution for stresses and displacements in TRISO-coated fuel particles // Journal of Nuclear Materials. - 2008. -Vol. 374. - P. 129-137.

42 Behzadi S., Imani M., Yousefi M. et al. Pyrolytic carbon coating for cytocompatibility of titanium oxide nanoparticles: a promising candidate for medical applications // Nanotechnology. - 2012. - Vol. 23. - P. 045102-1-045102-7.

43 Liao Y., Pourzal R., Wimmer M.A. et al. Graphitic tribological layers in metal-on-metal hip replacements // Science. - 2011. - Vol. 334. - P. 1687-1690.

44 Maa L., Sines G. High resolution, structural studies of a pyrolytic carbon used in medical applications // Carbon. - 2002. - Vol. 40. - P. 445-467.

45 Tokunaga S., Tominaga R. Artificial valves "up to date" in Japan // The Japanese Journal of Artificial Organs. - 2008. - Vol. 37. - P. 130-38.

46 Курбаков С.Д. Применение пироуглеродных покрытий из метаносодержа-щих смесей в псевдоожиженном слое // Химия твердого топлива. - 2008. - № 4.

- С. 49-53.

47 Deyneka-Dupriez N., Herr U., Fecht H-J. Interfacial adhesion and friction of pyrolytic carbon thin films on silicon substrates // J. Mater. Res. - 2008. - Vol. 23. -P. 2749-2756.

48 Houdellier F., Masseboeuf A., Monthioux M., Hytch M.J. New carbon cone nanotip for use in a highly coherent cold field emission electron microscope // Carbon. - 2012. - Vol. 50. - P. 2037-2044.

49 Molenda M., Chojnacka A., Natkanski P. et al. Pyrolytic carbons derived from water soluble polymers // J Therm Anal Calorim. - 2013. - Vol. 113. - P. 329-334.

50 Behabtu N., Young C.C., Tsentalovich D.E. et al. Strong, light, multifunctional fibers of carbon nanotubes with ultrahigh conductivity // Science. - 2013. - Vol. 339.

- P. 182-186.

51 Bourrat X., Fillion A., Naslain R. et al. Regenerative laminar pyrocarbon // Carbon. - 2002. - Vol. 40. - P. 2931-2945.

52 Zou L., Huang B., Huanga Y. et al. An investigation of heterogeneity of the degree of graphitization in carbon-carbon composites // Materials Chemistry and Physics. - 2003. - Vol. 82. - P. 654-662.

53 Li A., Zhang S., Reznik B. et al. Synthesis of Pyrolytic Carbon Composites Using Ethanol As Precursor // Ind. Eng. Chem. Res.. - 2010. - Vol. 49. - P. 10421-10427.

54 Zolnai Z., Nagy N., Deak A., Battistig G. Three-dimensional view of the shape, size, and atomic composition of ordered nanostructures by Rutherford backscattering spectrometry // // Phis. Rev. B. - 2011. - Vol. 83. - P. 233302-1-233302-4.

55 Tuschel D. Practical group theory and Raman spectroscopy, Part II: Application of polarization // Spectroscopy. - 2014. - Vol. 29. - № 3. - P. 14-22.

56 Lopez-Honorato E., Meadows P.J., Shatwell R.A., Xiao P. Characterization of the anisotropy of pyrolytic carbon by Raman spectroscopy // Carbon. - 2010. - Vol. 48.

- P. 881-890.

57 Fischbach D.B. Preferred orientation parameters for pyrolytic carbons // Journal of Applied Physics. - 1966. - Vol. 37. - P. 2002-2003.

58 Bourrat X., Trouvat B., Limousin G., Vignoles G. Pyrocarbon anisotropy as measured by electron diffraction and polarized light // J. Mater. Res. - 2000. - Vol. 15. - № 1. - P. 92-101.

59 Guentert O.J., Klein C.A. Preferred orientation and anisotropy ratio of pyrolytic graphite // Applied Physics Letters. - 1963. - Vol. 2. - P. 125-127.

60 Lieberman M.L., Pierson H.O. Effect of gas phase conditions on resultant matrix pyrocarbons in carbon/carbon composites // Carbon. - 1974. - Vol. 12. - P. 233-241.

61 Pfrang A., Schimmel T. Quantitative analysis of pyrolytic carbon films by polarized light microscopy // Surface and interface analysis. - 2004. - Vol. 36. - № 2. - P. 184-188.

62 Zou L., Huang B., Huang Y. et al. An investigation of heterogeneity of the degree of graphitization in carbon-carbon composites // Materials Chemistry and Physics. -2003. - Vol. 82. - № 3. - P. 654-662.

63 Raynal P.I., Monthioux M., Dugne O. Multi-scale quantitative analysis of carbon texture, nanotexture and structure: I. Electron diffraction-based anisotropy measurements // Carbon. - 2013. - Vol. 66. - P. 493-503.

64 Li Z.Q., Lu C.J., Xia Z.P. et al. X-ray diffraction patterns of graphite and turbostratic carbon // Carbon. - 2007. - Vol. 45. - P. 1686-1695.

65 Dong G.L., Huttinger K.J. Consideration of reaction mechanisms leading to pyrolytic carbon of different textures // Carbon. - 2002. - Vol. 40. - P. 2515-2528.

66 Lopez-Honorato E., Meadows P.J., Xiao P. Fluidized bed chemical vapor deposition of pyrolytic carbon - I. Effect of deposition conditions on microstructure // Carbon. - 2009. - Vol. 47. - P. 396-410.

67 Yang D. Frindt R. F. Powder x-ray diffraction of turbostratically stacked layer systems // J. Mater. Res. - 1996. - Vol. 11. - P. 1733-1738.

68 Norimatsu W., Kusunoki M. Selective formation of ABC-stacked graphene layers on SiC (0001) // Phys. Rev. B.- 2010. - Vol. 81. - P. 161410-1-161410-4.

69 Курдюмов А.В., Бритун В.Ф. Турбостратный нитрид бора: особенности структуры и фазовых превращений // Наноструктурное материаловедение. -2010. - № 1. - С. 3-8.

70 Bourrat X. Electrically conductive grades of carbon black: structure and properties // Carbon. - 1993. - Vol. 31. - № 2. - P. 287-302.

71 Burian A, Ratuszna A, Dore J.C. Radial distribution function analysis of the structure of activated carbons // Carbon. - 1998. - Vol. 36. - № 11. - P. 1613-1621.

72 Harris P.J.F. Structure of non-graphitising carbons // International Materials Reviews. - 1997. - Vol. 42. - P. 206-218.

73 Jacques S., Guette A., Bodrrat X. LPCVD and characterization of boron-containing pyrocarbon materials // Carbon. - 1996. - Vol. 34. - № 9. - P. 11351143.

74 Kroto H W, Heath J R, O'Brien S C, et al. C60 : buckminsterfullerene // Nature. -1985. - Vol. 318. - P. 162- 163.

75 Iijima S. Helical microtubules of graphitic carbon // Nature. - 1991. - Vol. 354. -P. 56-58.

76 Iijima S., Ichihashi T. Single-shell carbon nanotubes of 1-nm diameter // Nature. -1993. - Vol. 363. - P. 603-605.

77 Li N., Wang Z., Zhao K. et al. Synthesis of single-wall carbon nanohorns by arc-discharge in air and their formation mechanism // Carbon. - 2010. - Vol. 48. - P. 1580-1585.

78 Sano N., Akita Y., Tamon H. Effects of synthesis conditions on the structural features and methane adsorption properties of single-walled carbon nanohorns prepared by a gas-injected arc-in-water method // Journal of Applied Physics. - 2011. - Vol. 109. - P. 124305-1-124305-9.

79 Kawai T., Miyamoto Y., Sugino O., Koga Y. Nanotube and nanohorn nucleation from graphitic patches: Tight-binding molecular-dynamics simulations // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 66. - P. 033404-1-033404-4.

80 Ohlertt M., Baruchelt J., Galez Ph. An x-ray diffraction topographic study of highly oriented pyrolytic graphite // J. Phys. D Appl, Phys. - 1995. - Vol. 28. - P. A78-A83.

81 Ihara S., Itoh S. Structure of polygonal defects in graphitic carbon sheets // Phys. Rev. B. - 1996. - Vol. 54. - № 20. - P. 14713-14719.

82 Reznik B., Huttinger K.J. On the terminology for pyrolytic carbon // Carbon. -2002. - Vol. 40. - P. 621-624.

83 Delhaes P. Chemical vapor deposition and infiltration processes of carbon materials // Carbon. - 2002. - Vol. 40. - P. 641-657.

84 Franklin R.E. Crystallite growth in graphitizing and non-graphitizing carbons // Proceedings of the Royal Society A. - 1951. - Vol. 209. - P. 196-218.

85 Ergun S., Tiensuu V.H. Tetrahedral structures in amorphous carbons // Acta Cryst.

- 1959. - Vol. 12. - P. 1050-1051.

86 Harris P.J.F., Liu Z., Suenaga K. Imaging the atomic structure of activated carbon // J. Phys.: Condens. Matter. - 2008. - Vol. 20. - P. 362201-1-362201-5.

87 Lawandy S.N., Halim S.F., Darwish N.A. Structure aggregation of carbon black in ethylene-propylene diene polymer // eXPRESS Polymer Letters. - 2009. - Vol. 3. -№ 3. - P. 152-158.

88 Harris P.J.F., Burian A., Duber S. High-resolution electron microscopy of a microporous carbon // Philosophical Magazine Letters. - 2000. - Vol. 80. - № 6. - P. 381-386.

89 Harris P.J.F. Fullerene-related structure of commercial glassy carbons // Philosophical Magazine. - 2004. - Vol. 84. - № 29. - P. 3159-3167.

90 Jenkins G.M., Kawamura K. Structure of glassy carbon // Nature. - 1971. - Vol. 231. - P. 175-176.

91 Reznik B., Gerthsen D., Huttinger K.J. Micro- and nanostructure of the carbon matrix of infiltrated carbon fiber felts // Carbon. - 2001. - Vol. 39. - P. 215-229.

92 Bourrat X., Rociie E.J., Lavin J.G. Strucrure of mesophase pitch fibers // Carbon.

- 1990. - Vol. 28. - P. 435-436.

93 Zhi-yong X., Gu-yin J., Min Z. et al. Improved properties of carbon fiber paper as electrode for fuel cell by coating pyrocarbon via CVD method // Trans. Nonferrous Met. Soc. China. - 2010. - Vol. 20. - P. 1412-1417.

94 Grieco W.J., Howard J.B., Rainey L.C. at al. Fullerenic carbon in combustion-generated soot // Carbon. - 2000. - Vol. 38. - P. 597-614.

96 Goel A., Hebgen P., Sande J.B.V., et al. Combustion synthesis of fullerenes and fullerenic nanostructures // Carbon. - 2002. - Vol. 40. - P. 1107-1111.

97 Vander Wal R.L., Tomasek A.J., Kenneth Street K. at al. Carbon Nanostructure Examined by Lattice Fringe Analysis of High-Resolution Transmission Electron Microscopy Images // Applied Spectroscopy. - 2004. - Vol. 58. - P. 230-237.

98 Виргильев Ю.С., Татаринов В.Ф. Свойства некоторых углеситаллов // Химия твердого топлива. - 2000. - № 3. - С. 57-63.

99 Волков Г.М., Захарова Е.Н., Калугин В.И. Влияние дисперсного углерода на формирование надмолекулярной структуры пиролитических углеродных отложений // Химия твердого топлива. - 1972. - № 4. - С. 155-157.

100 Волков Г.М., Калугин В.И., Леонтьев В.А. и др. Электронно-микроскопическое исследование углеродного отложения псевдоизотропной структуры // Химия твердого топлива. - 1972. - № 1. - С. 128-130.

101 Куроленкин Е.И., Виргильев В.С., Чугунова Т.К. и др. Надмолекулярная структура углеситалла // Известия АН. Сер. Неорганические материалы. - 1985.

- Т. 24. - № 2. - С. 308-311.

102 Encyclopedia of microfluidics and nanofluidics / ed. Li D. - New York: Springer-Verlag, 2015. - 3535 p.

103 Nastasi M., Mayer J.W. Ion Implantation and Synthesis of Materials. - Springer Berlin Heidelberg, 2006. - 263 p.

104 Ion implantation and beam processing / ed. Williams J.S., Poate J.M. - Academic Press, 2014. - 419 p.

105 Зорин Е.И., Павлов П.В., Тетельбаум Д.И. Ионное легирование полупроводников. - М.: Энергия, 1975. - 128 с.

106 Вавилов В.С., Челядинский А.Р. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения // УФН. -1995. - № 3. - С. 347-359.

107 Chini T.K., Okuyama F., Tanemura M. et al. Structural investigation of keV Ar-ion-induced surface ripples in Si by cross-sectional transmission electron microscopy/ / Phys. Rev. - 2003. - Vol. 67. - P. 205403-1-205403-6.

108 Ruault M.O., Chaumont J., Penisson J.M. et al. High resolution and in situ investigation of defects in Bi-irradiated Si // Philosophical Magazine A. - 1984. - Vol. 50.

- № 5. - P. 667-675.

109 Li W.Q., Xiao X.H., Stepanov A.L. et al. The ion implantation-induced properties of one-dimensional nanomaterials // Nanoscale research letters. - 2013. - Vol. 8.

- № 1. - P. 1-13.

110 Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова. - Новосибирск: Наука, 1980. - 296 с.

111 Овчинников В.В. Радиационно-динамические эффекты. Возможности формирования уникальных структурных состояний и свойств конденсированных сред // УФН. - 2008. - Т. 178. - № 9. - С. 991-1001.

112 Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л.С. Смирнова. - Новосибирск: Наука, 1977. - 256 с.

113 Interpretation of Transmission Electron Micrographs / ed. by J.W. Edington. -Macmillan, 1975. - 122 p.

114 Peeva A., Kogler R., Skorupa W. et al. Spatial distribution of cavities in silicon formed by ion implantation generated excess vacancies // Journal of Applied Physics.

- 2004. - Vol. 95. - P. 4738- 4741.

115 Eaglesham D.J., Haynes T.E., Gossmann H.-J. et al. Transient enhanced diffusion of Sb and B due to MeV silicon implants // Applied Physics Letters. - 1997. -Vol. 70. - P. 3281-3283.

116 Pellegrino P., Leveque P., Wong-Leung J. et al. Separation of vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon: Experimental observation // Applied Physics Letters. - 2001. - Vol. 78. - P. 3442-3444.

117 Leveque P., Nielsen H.K., Pellegrino P. et al. Vacancy and interstitial depth profiles in ion-implanted silicon // Journal of Applied Physics. - 2003. - Vol. 93. - P. 871- 877.

118 Abdelgader N., Evans-Freeman J.H. High resolution electrical studies of vacancy-rich and interstitial-rich regions in ion-implanted silicon // Journal of Applied Physics. - 2003. - Vol. 93. - P. 5118-5124.

119 Veneziaa V.C., Eaglesham D.J., Haynes T.E. et al. Depth profiling of vacancy clus-ters in MeV-implanted Si using Au labeling // Applied Physics Letters. - 1998. -Vol. 73. - P. 2980-2982.

120 Kalyanaraman R., Haynes T.E., Venezia V.C. et al. Quantification of excess vacancy defects from high-energy ion implantation in Si by Au labeling // Applied Physics Letters. - 2000. - Vol. 76. - P. 3379-3381.

121 Pelaz L., Marques L.A., Aboy M., Barbolla J. Atomistic modeling of amorphization and recrystallization in silicon // Applied Physics Letters. - 2003. -Vol. 82. - P. 2038-2040.

122 Mok K.R.C., Jaraiz M., Martin-Bragado I. et al. Ion-beam amorphization of semiconductors: A physical model based on the amorphous pocket population // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82. - P. 5360-5373.

123 Henkel T., Heera V., Kogler R. et al. Kinetics of ion-beam-induced interfacial amorphization in silicon population // Journal of Applied Physics. - 2005. - Vol. 98. - P. 046104-1-046104-3.

124 King A.C., Gutierrez A.F., Saavedra A.F., Jones K.S. Defect evolution of low energy, amorphizing germanium implants in silicon // Journal of Applied Physics. -2003. - Vol. 93. - P. 2449-2452.

125 Барабаненков, М.Ю., Леонов, А.В., Мордкович, В.Н. и др. // Влияние природы бомбардирующих ионов на образование радиационных дефектов в кремнии. ФТП. - 1998. - Т.32 - № 5. - С. 523 - 526.

126 Тетельбаум Д.И., Менделева Ю.А. Механическая модель аморфизации при ионном облучении // ФТТ. - 2004. - Т. 46. - Вып. 11. - С. 1960-1963.

127 Koffel S., Scheiblin P., Claverie A. et al. Amorphization kinetics of germanium during ion implantation // Journal of Applied Physics. - 2009. - Vol. 105. - P. 013528-1- 013528-5.

128 Pelaz L., Marqués L.A., Barbolla J. Ion-beam-induced amorphization and recrystallization in silicon // Journal of Applied Physics. - 2004. - Vol. 96. - P. 5947-5976.

129 Souza J.P., Cima C.A., Fichtner P.F.P., Boudinov H. Amorphization/recrystalli-zation of buried amorphous silicon layer induced by oxygen ion implantation // Journal of Applied Physics. - 2004. - Vol. 95. - P. 877-880.

130 Gonga W.L.,Wang L.M., Ewing R.C. Cross-sectional transmission electron microscopy study of 1.5 MeV Kr+ irradiation-induced amorphization in a-quartz // Journal of Applied Physics. - 1998. - Vol. 84. - P. 4204- 4208.

131 Ultra-thin chip technology and applications / ed. by J.N. Burghartz. - New York: Springer, 2011. - 467 p.

132 FinFETs and Other Multi-Gate Transistors / ed. by J.-P. Colinge. - New York: Springer, 2008. - 339 p.

133 Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П. и др. Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы и проблемы реализации // ФТП. - 2003. - Т.37 -Вып. 10. - С. 1253-1259.

134 Попов В.П., Антонова А.И., Французов А.А. Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе // ФТП. - 2001. - Т.35 - Вып. 9. - С. 1075-1083.

135 Colinge J.P. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSI, 2nd ed. Boston, MA, USA: Kluwer Academic Publishers, 1997. - P. 1-4.

136 Cellera G.K., Cristoloveanu S. Frontiers of silicon-on-insulator // Journal of applied physics. - 2003. - Vol. 93. - № 9. - P. 4955 - 4978.

137 Petruzzello J., McGee T. F., Frommer M. H. Transmission electron microscopy and Auger electron spectroscopy of silicon-on-insulator structures prepared by highdose implantation of nitrogen // Journal of Applied physics. - 1985. - Vol. 58. - P. 4605-4613.

138 Charni L.A., Danilin A.B., Drakin K.A., et al. Features of buried dielectric layers: ion beam synthesis in silicon by a high temperature sequential oxygen and nitrogen implantation with substoichiometric doses // Materials Science and Engineering. - 1992. - Vol. B15. - P. 244-248.

139 Noyce R.N. Large-Scale Integration: What Is Yet to Come? // Science. - 1997. -Vol. 18. - P. 1102-1106.

140 Moriceau H., Mazen F., Braley C. et al. Smart Cut: Review on an attractive process for innovative substrate elaboration // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2012. - Vol. 277. - P. 84-92.

141 Ghica C., Nistor L.C., Teodorescu V.S. et al. Laser treatment of plasma-hydrogenated silicon wafers for thin layer exfoliation // Journal of Applied Physics. -2011. - Vol. 109. - P. 063518-1- 063518-6.

142 Plobl A., Krauter G. Silicon-on-insulator: materials aspects and applications // Solid-state electronics. - 2000. - Vol. 44. - № 5. - P. 775-782.

143 Li Y., Kilner J.A. Analysis of thin-film silicon-on-insulator structures formed by low-energy oxygen ion implantation // Journal of Applied Physics. - 1991. - Vol. 70.

- P. 3605-3612.

144 Bagchi S. Krause S.J. Dose dependence of microstructural development of buried oxide in oxygen implanted silicon-on-insulator material // Applied Physics Letters. - 1997. - Vol. 71. - P. 2136-2138.

145 Ogura A. Formation of a buried oxide film at the damage peak induced by oxygen implantation into a Si substrate // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 74. - P. 2188-2190.

146 Macia J., Martin E., Perez-Rodriguez A., et al. Raman microstructural analysis of silicon-on-insulator formed by high dose oxygen ion implantation: As-implanted structures // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 82. - P. 3730-3735.

147 Saavedra A.F., King A.C., Jones K.S. Secondary defect formation in bonded silicon-on-insulator after boron implantation // J. Vac. Sci. Technol. - 2004. - Vol. B 22(1). - P. 459-462.

148 Ono H., Ikarashi T., Ogura A. Infrared studies of silicon oxide formation in silicon wafers implanted with oxygen // Applied Physics Letters. - 1998. - Vol. 72. - P. 2853-2855.

149 Eidelman K.B., Shcherbachev K.D., Tabachkova N.Yu. et al. Characterization of crystal structure features of a SIMOX substrate // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2015.

- Vol. 365. - P. 141-145.

150 Chang P.H., Mao B.Y. High resolution transmission electron microscopy of sili-con-on-insulator formed by high dose oxygen implantation // Applied Physics Letters. - 1987. - Vol. 50. - P. 152-154.

151 Kruseman A.C., Veen A., Schut H. et al. Buried oxide and defects in oxygen implanted Si monitored by positron annihilation // Journal of Applied Physics. - 2001. -Vol. 90. - P. 1179-1187.

152 Onoa H., Ogura A. In- and out-diffusion of oxygen during the buried-oxide formation in oxygen-implanted silicon // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 87. - P. 1782-1787.

153 Gat A., Gibbons J.F. A laser-scanning apparatus for annealing of ionimplantation damage in semiconductors // Appl. Phys. Lett. - 1978. - Vol. 32. - P. 142-144.

154 White C.W., Narayan J., Young R.T. Laser annealing of ion-implanted semiconductors // Science. - 1979. - Vol. 204. - P. 461-468.

155 Nastasi M., Mayer J.W. Ion Implantation and Synthesis of Materials. - SpringerVerlag, 2006. - 263 p.

156 Качурин Г.А., Придачин Н.Б., Смирнов JI.C. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением // ФТП. - 1975. - Т. 9. - Вып. 7. - С. -1428-1434.

157 Штырков Е.И., Хайбуллин И.В., Зарипов М.М., Галяутдинов М.Ф., Баязи-тов P.M. Локальный лазерный отжиг ионнолегированных полупроводниковых слоев // ФТП. - 1975. - Т. 9. - Вып. 10. - С. 2000-2002.

158 Хайбуллин И.Б., Штырков Е.И., Зарипов М.М. Лазерный отжиг имплантированных полупроводников // Изв. АН СССР, сер. физическая. - 1981. - Т. 45. -Вып. 8. - С. - 1464-1473.

159 Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. - М.: Наука, 1982. - 207 с.

160 Milazzo R., Napolitani E., Impellizzeri G. N-type doping of Ge by As implantation and excimer laser annealing // Journal of Applied Physics. - 2014. - Vol. 115. -P. 053501-1-053501-5.

161 Xin Ou, Kogler R., Mucklich A. et al. The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers // Applied Physics Letters. - 2009. - Vol. 94. - P. 011903-1-011903-3.

162 Meekison C.D., Booker G.R., Peart R.F. et al. A transmission electron microscope investigation of the dose dependence of the microstructure of silicon-on-insulator structures formed by nitrogen implantation of silicon // Journal of Applied Physics. - 1991. - Vol. 63. - P. 3503-3511.

163 Recht D, Sullivan J.T., Reedy R. et al. Controlling dopant profiles in hyperdoped silicon by modifying dopant evaporation rates during pulsed laser melting // Applied Physics Letters. - 2012. - Vol. 100. - P. 112112-1-112112-3.

164 Sher M., Mangan N.M., Smith M.J. et al. Femtosecond-laser hyperdoping silicon in an SF6 atmosphere: Dopant incorporation mechanism // Journal of Applied Physics. - 2015. - Vol. 117. - P. 125301-1-125301-6.

165 Garcia-Hemme E., Garda-Hernansanz R., Olea J. et al. Ion Implantation and Pulsed Laser Melting Processing for the Development of an Intermediate Band Material // AIP Conference Proceedings. - 2012. - Vol. 54. - P. 54-57.

166 Pastor D., Olea J., Munoz-Martin A. et al. Interstitial Ti for intermediate band formation in Ti-supersaturated silicon // Journal of Applied Physics. - 2012. - Vol.

112. - P. 113514-1-113514-5.

167 Sanchez K., Aguilera I., Palacios P. et al. Assessment through first-principles calculations of an intermediate-band photovoltaic material based on Ti-implanted silicon: Interstitial versus substitutional origin // Phys. Rev. B. - 2009. - Vol. 79. - P. 165203-1-165203-7.

168 Antolin E., Marti A., Olea J., Pastor D. Lifetime recovery in ultrahighly titanium-doped silicon for the implementation of an intermediate band material // Applied Physics Letters. - 2009. - Vol. 94. - P. 042115-1-042115-3.

169 Hatano M., Moon S., Lee M. et al. Excimer laser-induced temperature field in melting and resolidification of silicon thin films // Journal of Applied Physics. -2000. - Vol. 87. - P. 36-43.

170 Малюков С.П., Калашников Г.В., Пташник В.В. Об одном подходе применения лазерных технологий в создании солнечных элементов // Известия Южного федерального университета. Технические науки. - 2010. - Вып. 12. - Т.

113. - С. 134-141.

171 Peng Y.C., Fu G. S., Yu W. et al. Crystallization of amorphous Si films by pulsed laser annealing and their structural characteristics // Semicond. Sci. Technol. -2004. - Vol. 19. - P. 759-763.

172 Recht D., Smith M.J., Charnvanichborikarn S. et al. Supersaturating silicon with transition metals by ion implantation and pulsed laser melting // Journal of Applied Physics. - 2013. - Vol. 114. - P. 124903-1-124903-8.

173 Nikolova L., Stern M.J., MacLeod J.M. et al. In situ investigation of explosive crystallization in a-Ge: Experimental determination of the interface response function using dynamic transmission electron microscopy // Journal of Applied Physics. -2014. - Vol. 116. - P. 093512 -1-093512-9.

174 Geiler H.D., Glaser E., Gotz G., Wagner M. Explosive crystallization in silicon // Journal of Applied Physics. - 1986. - Vol. 59. - P. 3091-3099.

175 Володин В.А., Ефремов М.Д., Качурин Г.А. и др. Фазовые переходы в пленках a-Si: на стекле при воздействии ощных фетосекундных ипульсов: проявление нелинейных и нетерических эффектов // Письма в ЖЭТФ. - 2007. - Т. 86. - Вып. 2. - С. 128-131.

176 Stevens-Kalceff M.A., Wong J. Distribution of defects induced in fused silica by ultraviolet laser pulses before and after treatment with a CO2 laser // Journal of Applied Physics. - 2005. - Vol. 97. - P. 113519-1-113519-8.

177 Duchateau G., Feit M.D. Demos S.G. Strong nonlinear growth of energy coupling during laser irradiation of transparent dielectrics and its significance for laser induced damage // Journal of Applied Physics. - 2012. - Vol. 111. - P. 093106-1093106-12.

178 Mirzade F. Elastic wave propagation in a solid layer with laser-induced point defects // Journal of Applied Physics. - 2011. - Vol. 110. - P. 064906-1-064906-10.

179 Петраков А.П., Бушуев В.А. Рентгенодифракционные исследования точечных дефектов, образующихся в монокристаллах кремния при импульсном лазерном воздействии // Письма в ЖТФ. - 1993. - Т. 19. - Вып. 19. - С. 92-96.

180 Knickerbocker J.U., Andry P.S., Dang B. et al. Three-dimensional silicon integration // IBM J. RES. & DEV. - 2008. - Vol. 52. № 6. - P. 553-569.

181 Topol A.W., Tulipe D.C., Shi L., Frank D.J. Three-dimensional integrated circuits // IBM J. RES. & DEV. - 2006. - Vol. 50. № 4/5. - P. 491-506.

182 Татаринов В.Ф., Золкин П.И. Новые достижения в технологии получения углеситалла для искусственных кланов сердца // Огнеупоры и техническая керамика. - 1999. - № 3. - С. 37-38.

183 Ma L., Sines G. High resolution, structural studies of a pyrolytic carbon used in medical applications // Carbon. - 2002. - Vol. 40. - № 3. - P. 451-454.

184 Jiannuzzi L.A., Kempshall B.W., Schwarz S.M. et al. FIB Lift-Out Specimen Preparation Techniques Ex-Situ and In-Situ Methods // Introduction to focused ion beams: instrumentation, theory, techniques, and practice / ed. A. Lucille, L.A. Giannuzzi, F.A. Stevie. - N.Y.: Springer, 2004. - 237 p.

185 Ayache J., Beaunier L., Boumendil J. et al. Sample Preparation Handbook for Transmission Electron Microscopy Techniques / - N.Y.: Springer, 2010. - 125 p.

186 Li J., Malis T., Dionne S. Recent advances in FIB-TEM specimen preparation techniques // Materials Characterization. - 2006. - Vol. 57. - P. 64-70.

187 Millera M.K., Russella K.F., Thompson G.B. Strategies for fabricating atom probe speci-mens with a dual beam FIB // Ultramicroscopy. - 2005. - Vol. 102. - P. 287-298.

188 Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов / Пер. с англ. под ред. Л.М. Утевского. - М.: Мир, 1968. - 574 с.

189 Каули Д. Физика дифракции / Пер. с англ. под ред. З.Г. Пинскера. - М.: Мир, 1979. - 431 с.

190 Cullis A.G., Hutchison J.L. Microscopy of Semiconducting Materials. - UK: Oxford, - 2005. - 600 p.

191 Spence G.C.H. High-Resolution Electron Microscopy. - USA: Oxford University Press, - 2009. - 424 p.

192 Williams D.B., Carter C.B. Transmission Electron Microscopy: A Textbook for Materials. - N.Y.: Springer, - 2009. - 850 p.

193 Fultz B., Howe J. Transmission Electron Microscopy and Diffractometry of Materials. - USA: Springer Berlin Heidelberg, - 2008. - 758 p.

194 Николайчик В.И. О разрешающей способности просвечивающей электронной микроскопии при исследовании упорядоченных структур // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т 69. - № 4. - С. 507-511.

195 Nikolaichik V.I., Klinkova L.A. Electron microscopic characterization of nanostructured perovskite oxides // Practical Metallography. - 2008. - Vol. 45. - P. 456-460.

196 Chernysheva M.V., Kiselev N.A., Zhigalina O.M., et al. The electronic properties of SWNTs intercalated by electron acceptors. // Physica E. Low-dimensional Systems and Nanostructures. - 2008. - Vol . 40. - Issue 7. - P. 2283-2288.

197 Kiselev N.A., Zakalyukin R.M., Zhigalina O.M. et al. The structure of 1D CuI crystals inside SWNTs // Journal of Microscopy. - 2008. - Vol. 232. - P. 335-342.

198 Klinkova L.A., Nikolaichik V.I., Ramasse, Q.M. et al. Local variations of cation composition on a nanometer-sized scale in a YBa2Cu3O6.92 superconductor // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. - 2016. - Vol. 29. - № 5. - P. 11391143.

199 Абросимова, Г.Е., Аронин, А.С. Влияние размера на совершенство структуры нанокристаллов на основе Al и Ni // ФТТ. - 2008. - Т. 50. - Вып. 1. - C. 154-158.

200 Гонсалес Р., Вудс Р. Цифровая обработка изображений. - М.: Техносфера, -2005. - 1072 с.

201 Методы компьютерной обработки изображений / Под ред. В. А. Сойфера. -М.: ФИЗМАТЛИТ, 2003. - 784 с.

202 Сошников И.П., Горбенко О.М., Голубок А.О. и др. Анализ состава когерентных нановключений твердых растворов по высокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям // Физика и техника полупроводников. -2001. - Т. 35. - Вып. 3. - C. 361-366.

203 Папулис А., Теория систем и преобразований в оптике, - М.: Мир, 1971. -496 с.

204 Numerical Recipes. The Art of Scientific Computing, / by W.H. Press, S.A. Teukolsky et al. - Cambridge University Press, 2007. - 1235 p.

205 Nordlund K. Gao F. Formation of stacking-fault tetrahedra in collision cascades // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 74. - P. 2720-2722.

206 Kato T., Koyama H., Matsukawa T. et al. SEM observation and contrast mechanism of stacking faults in an epitaxial silicon layer // Journal of Applied Physics. -1974. - Vol. 45. - P. 3732-3737.

207 Wang N., Sou I. K., Fung K. K. Transmission electron microscopy study of stacking faults and the associated partial dislocations in pseudomorphic epilayers of ZnSe/GaAs(001) // Journal of Applied Physics. - 1996. - Vol. 80. - P. 5506-5508.

208 Fung K. K., Wang N., Sou I. K. Direct observation of stacking fault tetrahedra in ZnSe/GaAs(001) pseudomorphic epilayers by weak beam dark-field transmission electron microscopy // Applied Physics Letters. - 1997. - Vol. 71. - P. 1225-2727.

209 Электронномикроскопические изображения дислокаций и дефектов упаковки: справочное руководство / под ред. В.М. Косевича., Л.С. Палатника. - М.: Наука, 1976. - 224 с.

210 Egerton R.F. Electron Energy-Loss Spectroscopy in the Electron Microscope. -Springer US, 2011. - 491 p.

211 Shindo D, Oikawa T. Analytical Electron Microscopy for Materials Science. -Japan: Springer, 2002. - 156 p.

212 Colliex C. Electron energy loss spectroscopy in electron microscope. // Adv. Opt. Electron Microsc. London: Academic Press, 1984. - Vol. 9. - P. 65-117.

213 Боргардт Н.И. Крамар С.Ф. Использование сильных брэгговских пучков в спектроскопии энергетических потерь быстрых электронов. // Изв. РАН, сер. физическая. - 1997. - Т. 61. - С. 1877-1884.

214 Ahn A.A., Krivanek O.L. EELS Atlas. A reference collection of electron energy loss spectra covering all stable elements. - USA, Tempe: Arizona State University, 1983. - 92 p.

215 Забегаева У.Г., Максимов С.К. // Заводская лаборатория. - 1990. - Т. 56. -№ 3. - С. 27-32.

216 Powder diffraction file. Inorganic. / Published by the JCPDS - International Center for Diffraction Data, Pennsylvania, 1998.

217 Reid J., Crane D., Blanton J. et al. Tools for Electron Diffraction Pattern Simulation for the Powder Diffraction File. // Microscopy today. - 2011. - № 1. - P. 38-42.

218 Эндрюс К., Дайсон Д., Киоун С. Электронограммы и их интерпретация. -М. Мир: 1971. - 256 с.

219 Pauw V., Reznik B., Kalhofer S. et al. Texture and nanostructure of pyrocarbon layers deposited on planar substrates in a hot-wall reactor // Carbon. 2003. - Vol. 41. - № 1. - P. 71-77.

220 Prikhodko A.S., Borgardt N I. Seibt M. Turbostratic pyrocarbon structure study by means of exit wave reconstruction from high-resolution transmission electron microscopy // Physica Status Solidi C. - 2015. - Vol. 12 - № 8. - P. 1179-1182.

221 Bianco A. et al. All in the graphene family-a recommended nomenclature for two-dimensional carbon materials // Carbon. - 2013. - Vol. 65. - P. 1-6.

222 Татаринов В.Ф., Золкин П.И. Исследование свойств углеситалла // Огнеупоры и техническая керамика. - 1999. - № 1-2. - С. 25-26.

223 Ling M., Sines G. High resolution, structural studies of a pyrolytic carbon used in medical applications // Carbon. - 2002. - Vol. 40. - № 3. - P. 445-467.

224 Domnich V., Reynaud S., Haber R.A. et al. Boron Carbide: Structure, Properties, and Stability under Stress // J. Am. Ceram. Soc. - 2011. - Vol. 94 - P. 3605-3628.

225 Zhdanov G.S., Zhuravlev N.N., Zevin L.S. Roentgenographic Ordering of Structure in Boron Carbide // Dokl. Akad. Nauk. SSSR. - 1953. - Vol. 92. - P. 767-768.

225 International Tables for Crystallography / ed. T. Hahn. - USA: Springer, 2006. -Vol. A, Space group 166. - P. 544-547. - 911 p.

226 Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ. Индицирование электроно-грамм. Справочное руководство. - М.: Наука, 1981. - 496 с.

227 Lin K.L. Phase identification using series of selected area diffraction patterns and energy dispersive spectrometry within TEM // Microscopy Research. - 2014. - № 2 -P. 57-66.

228 Черняева Т.П., Грицина В.М. Характеристики ГПУ-металлов, определяющие их поведение при механическом, термическом и радиационном воздействии // Вопросы атомной науки и техники. - 2008. - № 2 - С. 15-37.

229 Powder diffraction file. Inorganic. / Published by the JCPDS - International Center for Diffraction Data, Pennsylvania, 1998. - PDF № 71-0585, - PDF № 75-0424.

230 Thevenot F. Boron Carbide - A Comprehensive Review // Journal of the European Ceramic Society. - 1990. - № 6 - P. 205-225.

231 Mauri F., Vast N., Pickard C.J. Atomic Structure of Icosahedral B4C Boron Carbide from a First Principles Analysis of NMR Spectra // Phys. Rev. Lett. - 2001. -Vol. 87. - P. 085506-1-085506-4.

232 Zinin P.V., Liu Y., Burgess K. et al. Elastic properties, sp3 fraction, and Raman scattering in low and high pressure synthesized diamond-like boron rich carbides // J. Appl. Phys. - 2014. - Vol. 116. - P. 133519-1-133519-9.

233 Conde O., Silvestre A.J., Oliveira J.C. Influence of carbon content on the crystal-lographic structure of boron carbide films // Surface and Coatings Technology. -2000. - Vol. 125. - P. 141-146.

234 Sologub O., Michiue Y. Takao Mori T. Boron carbide, B13-xC2-y (x = 0.12, y =0.01) // Acta Crystallographica Section E. - 2012. - Vol. 68. - P. i67- i67.

235 Vast N., Besson J.M., Baroni S. et al. Atomic structure and vibrational properties of icosahedral a-boron and B4C boron carbide // Computational Materials Science. -2000. - Vol. 17. - P. 127-132.

236 Clark H.K., Hoard J.L. The crystal structure of boron carbide // Journal of the American Chemical Society. - 1943. - Vol. 65. - № 11. - С. 2115-2119.

237 Silver A.H., Bray P. J. Nuclear magnetic resonance of boron carbide // J. Chem. Phys. - 1959. - Vol. 31. - P. 247-253.

238 Shirai K. Electronic Structures and Mechanical Properties of Boron and Boron-Rich Crystals // Journal of Superhard Materials. - 2010. - Vol. 32. - P. 205-225.

239 Vast N., Besson J.M., Baroni S. et al. Atomic structure and vibrational properties of icosahedral a-boron and B4C boron carbide // Computational Materials Science. -2000. - Vol. 17. - P. 127-132.

240 Balakrishnarajan M.M., Pattath D. Pancharatna P.D., Hoffmann R. Structure and bonding in boron carbide: The invincibility of imperfections // New J. Chem. 2007. -Vol. 31. - P. 473-485.

241 Kovalevski V.V., Buseck P.R., Cowley J.M. Comparison of carbon in shungite rocks to other natural carbons: An X-ray and TEM study // Carbon. - 2001. - Vol. 39. - № 2. - P. 243-256.

242 Monthioux M., Smith B.W., Burteaux B., et al. Sensitivity of single-wall carbon nanotubes to chemical processing: an electron microscopy investigation // Carbon. -2001. - Vol.39. - № 8. - P. 1251-1272.

243 Hillier J., Ramberg E.G., The Magnetic Electron Microscope Objective: Contour Phenomena and the Attainment of High Resolving Power // Journal of Applied Physics. - 1947. - Vol. 18. - P. 48-71.

244 Gross T.S., Timoshchuk N., Tsukrov I.I. et al. On the ability of nanoindentation to measure anisotropic elastic constants of pyrolytic carbon // ZAMM-Journal of Applied Mathematics and Mechanics. - 2013. - Vol. 93. - № 5. - P. 301-312.

245 Gross T.S., Nguyen R., Buck M. et al. Tension-compression anisotropy of inplane elastic modulus for pyrolytic carbon // Carbon. - 2011. - Vol. 49. - № 6. - P. 2145-2147.

246 Беленький Г.Л., Салаев Э.Ю., Сулейманов Р.А. Деформационные явления в слоистых кристаллах // УФН. - 1988. - Т. 155. - Вып. 1. - С. 89-127.

247 Ritchie R.O. Fatigue and fracture of pyrolytic carbon: a damage-tolerant approach to structural integrity and life prediction in "Ceramic" heart valve prostheses // J Heart Valve Dis. - 1996. - Vol. 5. - № Suppl 1. - P. S9-S31

248 Jasinski J.B., Dumpala S., Sumanasekera G.U. et al. Observation and interpretation of adjacent Moire patterns of different shapes in bilayer grapheme // Appl. Phys. Lett. - 2011. - Vol. 99. - P. 073104-1 - 073104-3.

249 Warner J.H., Rummeli M.H., Gemming T. et al. Direct Imaging of Rotational Stacking Faults in Few Layer Graphene // Nano Lett. - 2008. - Vol. 9. - № 1. - P. 102-106.

250 Lu C., Lin Y., Liu Z. et al. Twisting bilayer graphene superlattices // ACS nano.

- 2013. - Vol. 7. - № 3. - P. 2587-2594.

251 Wellner A., Nellist P.D., Palmer R.E., et al. Orientational and translational ordering of sub-monolayer films of passivated multiply-twinned gold clusters //Journal of Physics D: Applied Physics. - 2000. - Vol. 33. - № 2. - P. L23-L26.

252 Vargas-Hernandez C., Marisca M.M., Esparza R. et al. A synthesis route of gold nanoparticles without using a reducing agent // Applied Physics Letters. - 2010. -Vol. 96. - № 21. - P. 213115-1-213115-3.

253 Yuan J., Chen Y., Han D. et al. Synthesis of highly faceted multiply twinned gold nanocrystals stabilized by polyoxometalates // Nanotechnology. - 2006. - Vol. 17. - № 18. - P. 4689-4693.

254 Li B. Q., Zuo J. M. Structure and shape transformation from multiply twinned particles to epitaxial nanocrystals: importance of interface on the structure of Ag na-noparticles // Physical Review B. - 2005. - Vol. 72. - № 8. - P. 085434-1-085434-7.

255 Hofmeister H., Sader J.E., Sun X. et al. Composition and lattice structure of fivefold twinned nanorods of silver // Journal of crystal growth. - 2002. - Vol. 234. - № 4. - P. 773-781.

256 Lu X. et al. Fabrication of cubic nanocages and nanoframes by dealloying Au/Ag alloy nanoboxes with an aqueous etchant based on Fe (NO3) 3 or NH4OH // Nano letters. - 2007. - Vol. 7. - № 6. - P. 1764-1769.

257 José-Yacaman M., Marm-Almazo M., Ascencio J.A. High resolution TEM studies on palladium nanoparticles // Journal of Molecular Catalysis A: Chemical. - 2001.

- Vol. 173. - № 1. - P. 61-74.

258 Hofmeister H. Lattice defects in decahedral multiply twinned particles of palladium // Zeitschrift für Physik D Atoms, Molecules and Clusters. - 1991. - Vol. 19. -№ 4. - P. 307-310.

259 Li Q., Shao M., Zhang S. et al. Preparation of multiply twinned palladium particles with five-fold symmetry via a convenient solution route // Journal of crystal growth. - 2002. - Vol. 243. - № 2. - P. 327-330.

260 Urban J., Sack-Kongehl H., Weiss K. Study of partial oxidation of Cu clusters by HRTEM // Catalysis letters. - 1997. - Vol. 49. - № 1-2. - P. 101-108.

261 Mani R.C., Sunkara M.K. Kinetic faceting of multiply twinned diamond crystals during vapor phase synthesis // Diamond and related materials. - 2003. - Vol. 12. -№ 3. - P. 324-329.

262 Buhler J., Prior Y. Study of morphological behavior of single diamond crystals // Journal of crystal Growth. - 2000. - Vol. 209. - № 4. - P. 779-788.

263 Takeguchi M., Tanaka N., Yasuda H. et al. Real-time high-resolution transmission electron microscopy observation of the growth process of (001) surfaces on a nanometer-sized Si multiply twinned particle // Surface science. - 2001. - Vol. 493. -№ 1. - P. 414-419.

264 Klimenkov M., Matz W, Nepijko S.A. et al. Crystallisation of Ge nanoclusters in SiO2 caused by electron irradiation in TEM //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2001. -Vol. 179. - № 2. - P. 209-214.

265 Jiang J., Cao M., Sun Y. et al. Star-shaped cyclic-twinning nanowires // Applied physics letters. - 2006. - Vol. 88. - № 16. - P. 163107-1-163107-3.

266 Oku T., Hiraga K., Matsuda T. et al. Formation and structures of multiply-twinned nanoparticles with fivefold symmetry in chemical vapor deposited boron nitride // Diamond and related materials. - 2003. - Vol. 12. - № 10. - P. 1918-1926.

267 Yu Z.Y., Fu X., Zhu J. Structural investigations of a boron carbide nanorod with pseudo-fivefold twinned cross-section //Science China Technological Sciences. -2011. - Vol. 54. - № 8. - P. 2119-2122.

268 Fu X., J Jiang J., Liu C. et al. Fivefold twinned boron carbide nanowires // Nanotechnology. - 2009. - Vol. 20. - № 36. - P. 365707-1-365707-5.

269 Marks L.D. Surface structure and energetics of multiply twinned particles // Philosophical Magazine A. - 1984. - Vol. 49. - № 1. - P. 81-93.

270 Elechiguerra J.L., Reyes-Gasga J., Yacaman M.J. The role of twinning in shape evolution of anisotropic noble metal nanostructures // Journal of Materials Chemistry. - 2006. - Vol. 16. - № 40. - P. 3906-3919.

271 Halder A., Kundu P., Viswanath B. et al. Symmetry and shape issues in nanostructure growth // Journal of Materials Chemistry. - 2010. - Vol. 20. - № 23. -P. 4763-4772.

272 Serin V., Brydson R., Scott A. et al. Evidence for the solubility of boron in graphite by electron energy loss spectroscopy // Carbon. - 2000. - Vol. 38. - № 4. -P. 547-554.

273 Schouler M.C. Cheynet M.C., Sestier K. et al. New filamentous deposits in the boron-carbon system // Carbon. - 1997. - Vol. 35. - № 7. - P. 993-1000.

274 Lowell C.E. Solid solution of boron in graphite // Journal of the American Ceramic Society. - 1967. - Vol. 50. - № 3. - P. 142-144.

275 Hach C.T., Linda E. Jones L.E., Crossland C. et al. An investigation of vapor deposited boron rich carbon-a novel graphite-like material-part I: the structure of BCx (C6B) thin films // Carbon. - 1999. - Vol. 37. - № 2. - P. 221-230.

276 Гусева Н.Б., Ситникова А.А., Сорокин Л.М., Трапезникова И.Н. Тучкевич В.М., Щульпина И.Л. Образование и растворение колоний преципитатов в бестигельном кремнии // ДАН СССР. - 1983. - Т. 50. - Вып. 1. - C. 154-158.

277 Apicella B., Pre P., Alfe M. et al. Soot nanostructure evolution in premixed flames by High Resolution Electron Transmission Microscopy (HRTEM) // Proceedings of the Combustion Institute. - 2015. - Vol. 35. - № 2. - P. 1895-1902.

278 Shim H.S., Hurt R.H., Yang N.Y.C. A methodology for analysis of 002 lattice fringe images and its application to combustion-derived carbons // Carbon. - 2000. -Vol. 38. - № 1. - P. 29-45.

279 Darmstadt H., Roya C., Kaliaguine S. et al. Solid state C-NMR spectroscopy and XRD studies of commercial and pyrolytic carbon blacks // Carbon. - 2000. - Vol. 38. - № 9. - P. 1279-1287.

280 Grieco W.J., Howard J.B., Rainey L.C. at al. Fullerenic carbon in combustion-generated soot // Carbon. - 2000. - Vol. 38. - P. 597-614.

281 Теснер П.А. Образование углерода из углеводородов газовой фазы. - М.: Химия, 1972. - 136 с.

282 Lehua Q., LI M., LI H. et al. Research on precision-calibration techniques for selected area electron diffraction patterns of pyrocarbon // Microscopy research and technique. - 2009. - Vol. 72. - P. 338-342.

283 Hua Z.J., Zhanga W.G., Huttingera K.J., Reznik B. Influence of pressure, temperature and surface area /volume ratio on the texture of pyrolytic carbon deposited from methane // Carbon. - 2003. - Vol. 41. - P. 749-758.

284 Lee W.J., Li C., Gunning J. et al. Is the structure of anisotropic pyrolytic carbon a consequence of growth by the Volmer-Weber island growth mechanism? // Carbon.

- 2012. - Vol. 50. - P. 4773-4780.

285 Coffin F. Structure property relations for pyrolytic graphite // Journal of The American Ceramic Society. - 1964. - Vol. 47. - № 10. - P. 473-478.

286 Torquato S., Jiao Y. Organizing principles for dense packings of nonspherical hard particles: Not all shapes are created equal // Physical Review E. - 2012. - Vol. 86. - № 1. - P. 011102-1-011102-14.

287 Волков Г.М. Надмолекулярная структура углеродных наполнителей // Наполнители полимерных материалов. - 1977. - С. 92-98.

288 Lv Z., Chen B., Wang H. et al. Charge-transfer supra-amphiphiles built by water-soluble tetrathiafulvalenes and viologen-containing amphiphiles: supramolecular nanoassemblies with modifiable dimensions // Small. - 2015. - Vol. 11. - № 29. - P. 3597-3605.

289 Jin W., Liu Q., Dougherty D.B. et al. C60 chain phases on ZnPc/Ag (111) surfaces: Supramolecular organization driven by competing interactions // The Journal of chemical physics. - 2015. - Vol. 142. - № 10. - P. 101910-1-101910-9.

290 Hirsch B.E., McDonald K.P., Flood A.H. et al. Living on the edge: Tuning supramolecular interactions to design two-dimensional organic crystals near the boundary of two stable structural phases // The Journal of chemical physics. - 2015. -Vol. 142. - № 10. - P. 101914-1-101914-12.

291 Reeson K.J. Fabrication of buried layers of SiO2 and Si3N4 a using ion beam synthesis // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. - 1987.

- Vol. 19-20, Part 1. - P. 269-278.

292 Качурин Г.А., Тысченко И.Е., Попов В.П. и др. Имплантация азота в кремний при 700-1100 ОС // ФТП. - 1989. - Т. 23. - P. 434-438.

293 Ziegler J.F., Ziegler M.D., Biersack J.P. SRIM - The stopping and range of ions in matter // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B . - 2010. - Vol. 268. - P. 1818-1823.

294 Данилин Ф.Б., Мордкович В.Н. Физические проблемы создания КНИ-структур методом реактивной ионной имплантации. - Препринт ИПТМ АН СССР, 1989. - 35 с.

295 Meekison C.D., Booker G.R., Reeson K.J. et al. A transmission electron microscope investigation of the dose dependence of the microstructure of silicon-on-insulator structures formed by nitrogen implantation of silicon // Journal of Applied Physics. - 1991. - Vol. 69. - P. 3503-3511.

296 Hemment P.L.F., Peart R.F., Yao M.F. et al. High quality silicon on insulator structures formed by the thermal redistribution of implanted nitrogen // Applied Physics Letters. - 1985. - Vol. 46. - P. 952-954.

297 Yatsurugi Y., Yatsurugi Y., Akiyama N. et al. Concentration, solubility, and equilibrium distribution coefficient of nitrogen and oxygen in semiconductor silicon // Journal of the electrochemical society. - 1973. - Vol. 120. - № 7. - P. 975-979.

298 Wang B., Zhao P., Zhu Y. et al. Orthogonal design-assisted solvothermal strategy for preparing silicon nitride nanodendrites on a large scale // Int. J. Appl. Ceram. Technol. - 2010. - Vol. 7. - P. 889-894.

299 Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография: В 4 т. Т.3: Образование кристаллов. - М.: Наука, 1980. - 408 с.

300 Glicksman M.E., Lupulescu A.O. Dendritic crystal growth in pure materials // Journal of Crystal Growth. - 2004. - Vol. 264. - P. 541-549.

301 Саратовкин Д.Д. Дендритная кристаллизация. - М.: Металлургиздат, 1957. - 128 с.

302 Чернов А.А. Слоисто-спиральный рост кристаллов // УФН. - 1961. - Вып. 2. - С. 277-331.

303 Bai Y., Wang C., Qi Y. et al. Rapid synthesis of Si3N4 dendritic crystals // Scripta Materialia. - 2006. - Vol. 54. - P. 447-451.

304 Li F., Fu L., Ma X. et al. Additive-assisted nitridation to synthesize Si3N4 nanomaterials at a low temperature // J. Am. Ceram. Soc. - 2009. - Vol. 92. - P. 517-519.

305 Powder diffraction file. Inorganic. / Published by the JCPDS - International Center for Diffraction Data, Pennsylvania, 1998. - PDF № 41-0360, - PDF № 83-0701.

306 Федоров П.К., Мохосеев М.В., Алексеев Ф.П. Химия галлия, индия, таллия.

- Новосибирск: Наука, 1977. - 221 с.

307 Дедечкаев Т.Т., Елисеев В.В., Лачкуев Д.К., Фидаров В.А. Диффузия и растворимость таллия в кремнии // ФТТ. - 1985. - Т. 27. - Вып. 9. - С. 2819-2822.

308 Kobayashi J., Nakajima M., Ishida K. Study of the background sources in the trace analysis of carbon using secondary ion mass spectrometry // J. Vac. Sci. Technol. - 1989. - Vol. A7. - P. 2542- 2548.

309 Asher S.E. Secondary Ion Mass Spectrometry // Microanalysis of Solids. ed. by B.G. Yacobi, D.B. Holt, L.L. Kazmerski. - Springer US, 1994. - P. 149-177.

310 Bender H. Investigation of the oxygen-related lattice defects in Czochralski silicon by means of electron microscopy techniques // Physica status solidi (a). - 1984. -Vol. 86. - № 1. - P. 245-261.

311 Nesbit L., Slusser G., Frenette R., Holbach R. Microstructure of Silicon Implanted with High Doses of Nitrogen and Oxygen // J. Electrochem. Soc. - 1986. -Vol. 133. - P. 1186-1190.

312 Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС. - Новосибирск: Наука Сиб. отделение, 1980. - 256 с.

313 Nesbit L., Slusser G., Frenette R. et al. Microstructure of silicon implanted with high doses of nitrogen and oxygen // Journal of The Electrochemical Society. - 1986.

- Vol. 133. - № 6. - P. 1186-1190.

314 Pivac B. Infrared study of structural changes in silicon oxynitride films // Journal of Materials Science Letters. - 1993. - № 12. - P. 23-26.

315 Boyd I.W., Wilson J.I.B. A study of thin silicon dioxide films using infrared absorption techniques // Journal of Applied Physics. - 1982. - Vol. 53. - P. 41664172.

316 Schalch D., Scharmann A., Wolfrat R. IR transmittance studies of hydrogen-free and hydrogenated silicon nitride and silicon oxynitride films deposited by reactive sputtering // Thin Solid Films. - 1987. - Vol. 155. - №. 2. - P. 301-308.

317 Zhang L., Shi T., Tang Z. et al. Carbon-assisted growth and high visible-light optical reflectivity of amorphous silicon oxynitride nanowires // Nanoscale Research Letters. - 2011. - № 6. - P. 469-474.

318 Aspnes D.E., Theeten J.B. Dielectric function of Si-SiO2 and Si-Si3N4 mixtures // Journal of Applied Physics. - 1979. - Vol. 50. - P. 4928-4935.

319 Galeener F.L. A model for the distribution of bond angles in vitreous SiO2 // Philosophical Magazine B. - 1985. - Vol. 51. - № 1. - P. L1-L6.

320 Coombs P.G., Natale J.F., Hood P.J. et al. The nature of the Si-O-Si bond angle distribution in vitreous silica // Philosophical Magazine B. - 1985. - Vol. 51. - № 4. - P. L39-L42.

321 Мирзоев Ф.Х., Панченко В.Я., Шелепин Л.А. Лазерное управление процессами в твердом теле // УФН. - 1996. - Т. 166. - С. 1-32.

322 Wood R.F., Giles G.E. Macroscopic theory of pulsed-laser annealing. I. Thermal transport and melting // Phys. Rev. B. - 1981. - Vol. 23. - № 6. - P. 29232942.

323 Becker R.S., Higashi G.S., Golovchenko J.A. Low-Energy Electron Diffraction during Pulsed Laser Annealing: A Time- Resolved Surface Structural Study // Phys. Rev. Lett. - 1984. - Vol. 52. - № 4. - P. 307-310.

324 Gibson J.M., Tsu R. Evidence for partial solid-state regrowth during pulsed laser an-nealing // Applied Physics Letters. - 1980. - Vol. 37. - P. 197-200.

325 Wang K.L., Liu Y.S., Burman C. Relationships of electrical properties and melting threshold in laser-annealed ion implanted silicon // Applied Physics Letters. - 1979. - Vol. 35. - P. 263-265.

326 Narayan J., Holland O.W., White C.W. Excimer laser annealing of ion-implanted silicon // Journal of Applied Physics. - 1984. - Vol. 55. - P. 1125-1130.

327 Капаев Ю.В. Расчет температурного поля в неоднородно-легированном кремнии при импульсном лазерном отжиге // Поверхность. Физика, химия,

механика. - 1983. - № 11. - С. 138-146.

328 Гусаков Г.М., Комарницкий А.А. Исследование динамики двухимпульс-ного комбинированного лазерного отжига полупроводников // Тезисы докладов Всесоюзной научной конференции «Исследование и разработка перспективных ИС памяти». - М., МИЭТ, 1986. - С. 18.

329 Hieslmair H., Latchford I., Mandrell L. et al. Ion implantation for silicon solar cells // Photovoltaics International. - 2012. - Edition 18. - P. 58-64.

330 Hayafuji Y., Yanada Т., Aoki Y. Laser damage gettering and it's application to lifetime improvement in silicon // J. Electrochem. Soc. - 1981. - Vol. 128. - P. 1975-1980.

331 Narayan J., Holland W. Solid-phase epitaxial growth in ion-implanted silicon // Phys. Stat. Sol. - 1982. - Vol. 73. - № 1. - P. 225-236.

332 Campisano S.U., Foti G. Laser irradiation of furnal preannealed (111) ion-implanted silicon // Applied Physics Letters. - 1980. - Vol. 36. - P. 279-281.

333 Coene W., Bender H., Amelinckx S. High resolution structure imaging and image simulation of stacking fault tetrahedra in ion-implanted silicon // Phil. Mag. A.

- 1985. - Vol. 52. - № 3. - P. 369-381.

334 Narayan J. Laser annealing under the oxide layers in silicon // Applied Physics Letters. - 1980. - Vol. 37. - P. 66-68.

335 Eaglesham D.J., Stolk P.A., Gossmann H.-J., Poate J.M. Implantation and transient B diffusion in Si: The source of the interstitials // Applied Physics Letters. - 1994.

- Vol. 65. - P. 2305-2307.

336 Jones K.S., Banisaukas H., Glassberg J. et al. Transient enhanced diffusion after laser thermal processing of ion implanted silicon // Applied Physics Letters. - 1999. -Vol. 75. - P. 3659-3661.

337 Рожанский В.Н., Костикова К.П. Морфология и происхождение дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях // ФТТ. - 1965. - Т. 7. - № 4. - С. 1169-1174.

338 Jasper С., Hoover A., Jone K.S. The effect of implantation, energy, and dose on extended defect formation for MeV phosphorus implanted silicon/ / Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 75. - P. 2629-2631.

339 Герасименко Н.Н. Наноразмерные структуры в имплантированных полупроводниках // Ж. Рос. хим. об-ва им. Д.И.Менделеева. - 2002. Т. 46. - № 5. -С. 30 -41.

340 Федина Л.И. О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с по -верхностью при кластеризации точечных дефектов в Si // ФТП. - 2001. - Т. 35. - С. 1120-1127.

341 Fedina L., Gutakovskii A., Aseev A. et al. Intrinsic Point Defect Clustering in Si: A Study by HVEM and HREM in Situ Electron Irradiation // n-Situ Microscopy in Materials Research. - Springer US, 1997. - P. 63-92.

342 Nyamhere C., Cristiano F., Olivie F. et al. Electrical characterization of {311} defects and related junction leakage currents in n-type Si after ion implantation // AIP Conference Proceedings. - 2012. - Vol. 1496. - P. - 171-174.

343 Takeda S. Kohyama M. Ibe K. Interstitial defects on {113} in Si and Ge Line defect configuration incorporated with a self-interstitial atom chain // Phil. Mag. A. - 1994. - Vol. 70. - № 2. - P. 287-312.

344 Claverie A., Colombeau B., Mauduit B., et al. Extended defects in shallow implants // Appl. Phys. A. - 2003. - Vol. 76. - P. 1025-1033.

345 Челядинский А.Р.. Комаров Ф.Ф. Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии // УФН. - 2015. - Т. 185. - С. 813-844.

346 Yoon M., Larson B. C., Tischler J. Z. et al. Use of x-ray microbeams for cross-section depth profiling of MeV ion-implantation induced defect clusters in Si // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 75. - P. 2791-2793.

347 Nyamhere C., Cristiano F., Olivie F. et al. Electrical characterisation and predictive simulation of defects induced by keV Si+ implantation in n-type Si // Journal of Applied Physics. - 2013. - Vol. 113. - P. 184508-1-184508-7.

348 Fatima S., Wong-Leung J., Gerald J.F. et al. Effect of ion mass on the evolution of extended defects during annealing of MeV ionimplanted p-type Si // Applied Physics Letters. - 1999. - Vol. 74. - P. 1141-1143.

349 Li J., Jones K.S. {311} defects in silicon: The source of the loops // Applied Physics Letters. - 1998. - Vol. 73. - P. 3748-3750.

350 Robertsona L. S., Jones K. S. Annealing kinetics of {311} defects and dislocation loops in the end-of-range damage region of ion implanted silicon // Journal of Applied Physics. - 2000. - Vol. 87. - P. 2910-2913.

351 Gutkin M.Yu., Ovidko I.A. Homogeneous nucleation of dislocation loops in nanocrystalline metals and ceramics // Acta Materialia. - 2008. - Vol. 56. - P. 16421649.

352 Guanshui Xu. Homogeneous nucleation of dislocation loops under stress in perfect crystals // Philosophical magazine letters. - 2000. - Vol. 80. - P. 605-611.

353 Cristiano F., Grisolia J., Colombeau B. et al. Formation energies and relative stability of perfect and faulted dislocation loops in silicon // Journal of Applied Physics.

- 2000. - Vol. 87. - P. 8420-8428.

354 Pan G.Z., Tua K.N. Microstructural evolution of {113} rodlike defects and {111} dislocation loops in silicon-implanted silicon // Applied Physics Letters. -1997. - Vol. 71. - P. 659-661.

355 Cheng J.Y., Eaglesham D.J., Jacobson D.C. et al. Formation of extended defects in silicon by high energy implantation of B and P // Journal of Applied Physics. -1996. - Vol. 80. - P. 2105-2112.

356 Pan G.Z., Tu K.N., Prussin S. Size distribution of end-of-range dislocation loops in silicon-implanted silicon // Applied Physics Letters. - 1996. - Vol. 68. - P. 16541656.

357 Jingwei Xu., Krishnamoorthy V., Jones K.S. A comparison of boron and phosphorus diffusion and dislocation loop growth from silicon implants into silicon // Journal of Applied Physics. - 1997. - Vol. 81. - P. 107-111.

358 McFarlane S.H., Elbaum C. Formation of dislocation networks in gallium single crystals // Journal of Applied Physics. - 1967. - Vol. 38. - P. 2024-2029.

359 Liu J., Law M.E., Jones K.S. Evolution of dislocation loops in silicon in an inert ambient-I // Solid-State Electronics. - 1995. - Vol. 38. - № 7. - P. 1305-1312.

360 Eyre B.L., Maher D.M. Neutron irradiation damage in molybdenum // Phil. Mag.

- 1971. - Vol. 24. - Issue 190. - P. 767-797.

361 Wua Ji, Wangb G. Cost evaluation on reuse of generic network service dies in three-dimensional integrated circuits // Microelectronics Journal. - 2013. - Vol. 44. -№ 2. - P. 152-162.

362 Qian L., Zhu Z., Yang Y. Through-silicon-via insertion for performance optimization in three-dimensional integrated circuits // Microelectronics Journal. - 2012. -Vol. 43. - № 2. - P. 128-133.

363 Akasaka Y. Three-dimensional integrated circuit: technology and application prospect // Microelectronics Journal. - 1989. - Vol. 20. - № 1-2. - P. 105-112.

364 Crnogorac F., Wong S., Pease R. Semiconductor crystal islands for three-dimensional integration // J. Vac. Sci. Technol. B. - 2010. - Vol. 28. - P. 53-59.

365 Biegelsen D.K., Johnson N.M., Bartelink D.J., Moyer M.D. Laser-induced crystallization of silicon islands on amorphous substrates: Multilayer structures // Applied Physics Letters. - 1981. - Vol. 38. - P. 150-152.

366 Mukai R., Sasaki N., Iwai T. et al. Single crystalline Si islands on an amorphous insulating layer recrystallized by an indirect laser heating technique for three-dimensional integrated circuits // Applied Physics Letters. - 1984. - Vol. 44. - P. 994-996.

367 Hawkins W.G., Black J.G., Griffiths C.H. Growth of single-crystal silicon islands on bulk fused silica by CO2 laser annealing/ / Applied Physics Letters. - 1982. - Vol. 40. - P. 319-996.

368 Ryu S-R, Jiang T., Lu K.H. et al. Characterization of thermal stresses in through-silicon vias for three-dimensional interconnects by bending beam technique // Applied Physics Letters. - 2012. - Vol. 100. - P. 041901-1-041901-4.