Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Ловыгин, Михаил Вячеславович

• Ловыгин, Михаил Вячеславович
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Ловыгин, Михаил Вячеславович

Содержание

Введение

Глава 1. Соединения А3В5, гетероструктуры на их основе и металлические контакты к полупроводникам в современной микро- и наноэлектронике

1.1. Применение соединений А3В5 и тонких металлических слоев

1.2. Методы роста полупроводниковых и металлических слоев.

Молекулярно-лучевая эпитаксия

1.3. Атомные процессы на поверхности подложки во время роста

1.4. Структура эпитаксиальных слоев

1.5. Применение просвечивающей электронной микроскопии для

исследования полупроводниковых структур и тонких слоев

1.6. Выводы по главе

Глава 2. Просвечивающая электронная микроскопия

2.1. Приготовление образцов

2.2. Взаимодействие электронов с веществом

2.2.1. Упругое рассеяние

2.3. Устройство и формирование изображения в просвечивающем

электронном микроскопе

2.3.1. Метод слабого пучка

2.3.2. Муаровый узор

2.4. Высокоразрешающая электронная микроскопия

2.4.1. Моделирование высокоразрешающих изображений

2.4.2. Цифровая обработка высокоразрешающих изображений

2.5. Выводы по главе

Глава 3. Электронно-микроскопические исследования структуры слоя алюминия на вицинальной поверхности арсенида галлия

3.1. Образцы для исследований

3.2. Электронографические исследования и светлопольная микроскопия

3.3. Количественный анализ темнопольных микрофотографий

3.4. Высокоразрешающая электронная микроскопия образцов поперечного сечения

3.4.1. Кристаллическая структура зерен алюминия

3.4.2. Влияние атомных ступеней на поверхности подложки на структуру зерен алюминия

3.4.3. Анализ дислокаций несоответствия на границе раздела алюминия и арсенида галлия

3.5. Выводы по главе

Глава 4. Исследование деформаций и определение состава частично релаксированного слоя арсенида индия-алюминия на подложке арсенида галлия

4.1. Образцы для исследований

4.2. Анализ электронограмм и изображений с дифракционным контрастом образца планарного сечения

4.3. Высокоразрешающая электронная микроскопия приграничных областей структуры InAlAs/GaAs

4.3.1. Дислокации несоответствия на границе раздела InAlAs/GaAs

4.3.2. Экспериментальное определение вариаций параметров кристаллических решеток слоя InAlAs и подложки GaAs вблизи границы раздела

4.3.3. Сравнение вариаций параметров решеток в приграничной области с теоретической моделью ван дер Мерве

4.3.4. Определение состава слоя InAlAs

4.4. Выводы по главе

Заключение

Список литературы

4

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии»

Введение

Полупроводниковые гетерокомпозиции на основе соединений А3В5 нашли широкое применение в качестве элементов оптоэлектронных, сверхвысокочастотных и других типов устройств [1-4] и благодаря развитию технологии выращивания гетероструктур и методов исследования продолжают использоваться в новых приборах с улучшенными характеристиками [5].

Формирование металлических слоев на поверхности таких материалов позволяет создавать омические контакты и контакты Шоттки, структура которых в течение продолжительного времени интенсивно изучалась [6-8]. В то же время такие слои продолжают оставаться в центре внимания в связи с возможностью новых приборных применений [9-11].

Свойства и характеристики приборов микро- и наноэлектроники зависят от структуры и совершенства исполнения имеющихся в их составе полупроводниковых гетеропереходов и металлических слоев. Например, неоднородности состава квантовых ям на основе АЮаАэ, которые применяются в лазерах, могут привести к изменению ширины запрещенной зоны или коэффициента поглощения в инфракрасных фотодетекторах, искажая, таким образом, оптические характеристики прибора [12]. Структурное несовершенство металлических слоев при длительной эксплуатации прибора может привести к изменению высоты барьера создаваемых на их основе контактов Шоттки или увеличению сопротивления омического контакта [13].

В связи с этим исследование и контроль структурных характеристик и состава полупроводниковых и металлических слоев на масштабах вплоть до атомного являются необходимыми и интересны как с прикладной, так и с фундаментальной точек зрения. Результаты таких исследований помогут оптимизировать процесс роста слоев для улучшения характеристик создаваемых на их основе устройств и приборов.

Система Al/GaAs(100) является одной из наиболее широко используемых в приборных приложениях, прежде всего, вследствие ее применения для формирования контактов Шоттки. Известно, что рост слоя Al сопровождается образованием зерен различных размеров и кристаллографической ориентации относительно подложки [14-16]. Соотношение между долями зерен разных ориентаций определяется условиями их роста, толщиной, состоянием поверхности подложки, в том числе ее атомной реконструкцией и наличием на ней атомных ступеней различной высоты. В [14] было высказано предположение, что в системе Al/GaAs(100) отклонение подложки GaAs(lOO) от точной кристаллографической ориентации, сопровождаемое появлением регулярно расположенных моноатомных ступеней на ее поверхности, называемой вицинальной, приведет к изменению соотношения между зернами слоя Al различной ориентации. Это предположение было подтверждено в [17] при исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Однако особенности метода СТМ не позволяют изучать достаточно большие участки выращенного слоя, что затрудняет проведение более достоверного статистического анализа. Кроме того, вследствие срастания зерен друг с другом, различить ориентации каждого из них становится затруднительным. Поэтому более подходящим методом для проведения подобного анализа и установления особенностей влияния разориентации подложки GaAs(lOO) на структуру слоя Al является метод просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), позволяющий исследовать большие области слоя и определять размер и ориентацию каждого зерна.

Гетероструктуры на основе InAlAs, выращенные на подложке GaAs(lOO), находят применение в составе транзисторных структур с высокой подвижностью электронов (англ. НЕМТ - high electron mobility transistor) [18-20]. НЕМТ-структуры содержат так называемый метаморфный буфер на основе InAlAs, который призван компенсировать различие в параметрах кристаллической решетки подложки и рабочих слоев. Такой эффект

достигается за счет пошагового или непрерывного изменения доли 1п в буферном слое в направлении от подложки к рабочим слоям. Тщательный контроль состава и структурных характеристик таких слоев является актуальной задачей, поскольку от этого зависит эффективность метаморфного буфера в адаптировании параметров решетки подложки и рабочих слоев.

Для исследования состава существует ряд методов, таких как энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия и спектроскопия характеристических потерь энергии электронов. Эти методы, хотя и обладают хорошим разрешением, но требуют достаточно большого времени для получения спектров с большой области, а также наличия дополнительного дорогостоящего оборудования. В связи с этим разработаны альтернативные методы, основанные, например, на определении методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВРЭМ) параметров решетки слоев и позволяющие, используя известное правило Вегарда, устанавливать связь локального параметра решетки слоя с его составом [21-23]. При проведении расчетов учитываются тетрагональные искажения кристаллических решеток, возникающие из-за рассогласования параметров решеток эпитаксиально выращенного материала и подложки. Однако в рамках описанных в литературе подходов не учитывается влияние поля деформации, вызванного присутствием дислокаций несоответствия (ДН), на структуру этих слоев. В связи с этим актуальным является дальнейшее развитие указанного подхода для исследования состава частично релаксированных гетероэпитаксиальных систем.

Цель диссертационной работы - исследование влияния на структуру металлических (А1) и полупроводниковых (1пА1А8) слоев разориентации подложки ОаАз(100) и рассогласования параметров кристаллических решеток материалов методами просвечивающей электронной микроскопии.

Для достижения поставленной цели в ходе диссертационной работы решались следующие задачи:

1. Исследовать структуру зерен слоя А1, выращенного на вицинальной поверхности подложки ОаАвООО), используя электронографический анализ, электронно-микроскопические изображения с дифракционным контрастом и с прямым разрешением кристаллической решетки.

2. На основе статистического анализа темнопольных изображений оценить размеры и долю зерен А1 с различной кристаллографической ориентацией относительно подложки.

3. Изучить распределение полей деформаций дислокаций несоответствия на границе раздела между зернами А1 и подложкой на основе анализа высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений методом геометрической фазы.

4. Электронно-микроскопическими методами исследовать структуру и определить состав слоя 1плА1|_уАз в многослойной гетерокомпозиции, выращенной на подложке СаАз(ЮО), используя образцы планарного и поперечного сечений.

Структура и объем диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации - 136 страниц, включая 50 рисунков и 3 таблицы.

В первой главе содержится обзор литературы по теме диссертации. Приведены примеры применения полупроводниковых материалов на основе соединений А3В5 и металлических слоев в структурах и приборах микро- и наноэлектроники. Рассмотрены методы, используемые для роста слоев, в частности, особое внимание уделяется методу молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и происходящим во время роста атомным процессам на поверхности материала. Описаны возникающие при росте типичные дефекты и искажения кристаллической решетки эпитаксиальных слоев и проиллюстрированы возможности методов ПЭМ для их исследования.

Во второй главе дан обзор метода ПЭМ. Приведено подробное описание методов приготовления электронно-микроскопических образцов. Рассмотрены теоретические аспекты взаимодействия быстрых электронов с

материалом образца и устройство просвечивающего электронного микроскопа. Изложены принципы формирования дифракционных картин (электронограмм), изображений с дифракционным контрастом и прямым разрешением решетки, описаны методы моделирования и цифровой обработки высокоразрешающих электронно-микроскопических

изображений.

Третья глава содержит результаты электронно-микроскопических исследований структуры тонкого эпитаксиального слоя А1, выращенного на вицинальной поверхности подложки ОаА5(ЮО). Приведены результаты анализа электронограмм и светлопольных изображений образцов планарного сечения. Выполнен статистический анализ темнопольных изображений, который позволил оценить долю и характерные размеры зерен А1 и сравнить эти данные со случаем слоя, выращенного на сингулярной подложке. Кроме того, с использованием высокоразрешающих изображений образца поперечного сечения исследованы области границы раздела зерен слоя с подложкой, и при помощи метода геометрической фазы выполнен количественный анализ поля деформации дислокации несоответствия на границе раздела А1/СаА5(100).

Четвертая глава посвящена электронно-микроскопическим исследованиям эпитаксиальной полупроводниковой структуры 1пА1Аз/ОаА8(100). С помощью образца планарного сечения со ступенчатым профилем изучена релаксация напряжения несоответствия между материалами по данным электронографического анализа и на основе темнопольных изображений. Используя высокоразрешающие изображения образца поперечного сечения, определены параметры решетки материалов в приграничной области, выполнено сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью ван дер Мерве и определен состав слоя в выбранной области.

Научная новизна диссертационной работы:

1. Используя электронографические данные, светлопольные и темнопольные изображения с дифракционным контрастом и высокоразрешающие электронно-микроскопические микрофотографии, показано, что тонкий слой AI, выращенный на вицинальной поверхности GaAs(lOO), как и в случае сингулярной подложки, состоит из зерен с ориентациями Al(100), Al(l 10)R, А1(110), имеющих высокое кристаллическое совершенство. Путем цифровой обработки темнопольных изображений и последующим статистическим анализом экспериментальных данных установлено, что в слое доминируют зерна А1(100), покрывая 67% общей площади слоя, а доли зерен A1(110)R, А1(110) составляют 27% и 6% соответственно.

2. На основе анализа высокоразрешающих изображений методом геометрической фазы выявлены распределения полей деформаций дислокаций несоответствия на границе зерен А1(100) и подложки GaAs(lOO). Выполнено количественное сравнение полученных данных с различными теоретическими моделями и установлено, что поля деформаций этих дислокаций могут быть описаны в рамках модели Формена.

3. Электронно-микроскопическими методами с использованием планарных образцов со ступенчатым профилем и образцов поперечного сечения выявлены закономерности релаксации напряжений в слое In^Al^As многослойной гетерокомпозиции, выращенной на подложке GaAs(lOO). Продемонстрирована возможность определения состава частично релаксированного эпитаксиального слоя путем определения параметра его решетки на высокоразрешающих электронно-микроскопических изображениях в областях, удаленных от дислокаций несоответствия и границы раздела.

Теоретическая и практическая значимость результатов работы:

1. Выявленные изменения относительной доли и размеров зерен алюминия с различными ориентациями при росте тонкого слоя AI на

разориентированной подложке СаАз(100), обусловленные влиянием ступеней на ее поверхности, могут быть использованы как для развития теоретических моделей роста металлических эпитаксиальных слоев на вицинальных полупроводниковых поверхностях, так и оптимизации технологии их формирования.

2. Результаты проведенного анализа поля деформации дислокации несоответствия вблизи границы металлического слоя (А1) и полупроводникового материала (ваАз), в том числе установление его соответствия дислокационной модели Формена, способствуют развитию теоретических подходов, описывающих закономерности релаксации напряжений несоответствия в подобных системах.

3. Описанная в работе процедура нахождения относительных площадей и размеров зерен А1 с различной ориентацией, выращенных на подложке ОаАз(ЮО), с использованием статистического анализа темнопольных изображений может применяться для количественной характеризации кристаллических пленок с островковой структурой в различных системах.

4. Предложенный подход для электронно-микроскопических исследований структуры отдельных слоев в многослойной гетерокомпозиции с применением образца планарного сечения со ступенчатым профилем и образца поперечного сечения, позволяющий выявлять и анализировать закономерности релаксации напряжений несоответствия, а также определять состав слоев, может быть использован при изучении различных гетероэпитаксиальных систем.

Методы исследования. Основным методом исследования, использованным в диссертационной работе, являлся метод ПЭМ. Для приготовления образцов применялись как традиционные, так и современные методы с использованием ФИП. Их исследование проводилось методом электронографического анализа и с применением светлопольных и темнопольных электронно-микроскопических изображений с

дифракционным контрастом, а также высокоразрешающих микрофотографий. Для получения количественной информации на основе экспериментальных изображений использовались методы их цифрового анализа и моделирования.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. При выращивании тонкого слоя А1 на вицинальной поверхности подложки ваАв при ее разориентации на 3° ориентация и совершенство кристаллической структуры зерен А1 остаются такими же, как и в случае сингулярной поверхности, однако относительная доля зерен А1(110)11 увеличивается примерно в 2 раза.

2. Дислокации несоответствия, образующиеся на границе раздела зерен А1(100) и подложки ОаАБ и полностью снимающие напряжение несоответствия кристаллических решеток, описываются в рамках модели Формена с постоянной а = 3,7.

3. Прецизионное определение параметров решетки частично релаксированного полупроводникового эпитаксиального слоя на основе анализа высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений в области, удаленной от дислокаций несоответствия и границы раздела, позволяет установить состав слоя с точностью около 10%.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены на следующих научных конференциях: 18 и 20-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Москва, 2011, 2013 г.); Третья международная молодежная школа-семинар «Современные методы анализа дифракционных данных (дифракционные методы для нанотехнологии)» (Великий Новгород, 2011 г.); XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014 (Черноголовка, 2014 г.); 17-я международная конференция по протяженным дефектам в полупроводниках ЕБ8-2014 (Геттинген, Германия, 2014 г.); Седьмой международный научный семинар и

Пятая международная молодежная научная школа-семинар «Современные

я-

методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики» (Великий Новгород, 2015 г.).

Основные публикации.

Статьи в научных журналах:

1. Ловыгин М.В., Боргардт H.H., Зайбт М., Казаков И.П., Цикунов A.B. Исследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопии // Изв. вузов. Электроника. - 2015. - Т.20. - №1. -С.10-16.

2. Ловыгин М.В., Боргардт Н.И., Казаков И.П., Зайбт М. Электронно-микроскопические исследования слоя алюминия, выращенного на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия // ФТП. - 2015. - Т.49. - №3. - С.349-356.

3. Lovygin M.V., Borgardt N.I., Kazakov I.P., Seibt M. Structural studies of Al thin layer on misoriented GaAs(lOO) substrate by transmission electron microscopy // Phys. Stat. Sol. (c). -2015. - Vol.12. - №8. - РЛ148-1151.

4. Ловыгин M.B., Боргардт Н.И., Бугаев A.C., Волков Р.Л., Зайбт M. Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии // Изв. вузов. Электроника. - 2015. — Т.20. — №4. — С.431-439.

Тезисы докладов на научных конференциях:

1. Ловыгин М.В. 18-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2011» // Исследование ориентации тонких пленок AI, выращенных на подложках GaAs(OOl), методом просвечивающей электронной микроскопии. - Москва, 2011. - С.43.

2. Ловыгин М.В. Третья международная молодежная школа-семинар «Современные методы анализа дифракционных данных (дифракционные методы для нанотехнологии)» // Электронно-микроскопические

исследования тонких пленок А1 на подложке GaAs(OOl). - Великий Новгород, 2011.-С.74.

3. Ловыгин М.В. 20-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2013» // Исследование эпитаксиальной структуры Al/GaAs(001) методами просвечивающей электронной микроскопии. — Москва, 2013.-С.14.

4. Ловыгин М.В., Боргардт Н.И., Казаков И.П. XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014 // Электронно-микроскопические исследования влияния разориентации подложки GaAs(OOl) на структуру тонкой пленки А1. - Черноголовка, 2014. - Т.2. -С.444.

5. Lovygin M.V., Borgardt N.I., Kazakov I.P., SeibtM. 17-я международная конференция по протяженным дефектам в полупроводниках EDS-2014 // Electron microscopy studies on the influence of the GaAs(100) substrate misorientation on the structure of an aluminum thin layer. - Геттинген, Германия, 2014. - C.T-P11.

6. Ловыгин M.B., Боргардт Н.И., Зайбт M. Седьмой международный научный семинар и Пятая международная молодежная научная школа-семинар «Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики» // Цифровой анализ высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений приграничных слоев гетероструктур InAlAs/GaAs(100). - Великий Новгород, 2015.-С.133-135.

Глава 1. Соединения А В', гетероструктуры на их основе и металлические контакты к полупроводникам в современной микро- и

наноэлектронике

1.1. Применение соединений А3В5 и тонких металлических слоев Полупроводниковые материалы на основе соединений

А3В5 играют

важную роль в современной полупроводниковой индустрии и жизни общества. Их производство достигло промышленных масштабов благодаря наличию уникальных свойств, которые отсутствуют у Б! или ве. Например, известно [24], что наличие непрямого перехода в запрещенной зоне 81 и ве значительно снижает вероятность излучательной рекомбинации электрон-дырочной пары, поэтому генерация света в этих материалах затруднена. Напротив, прямой переход из зоны проводимости в валентную зону в ОаАэ означает, что этот материал может использоваться при генерации излучения и применяться в составе устройств, использующих лазерный эффект. Кроме того, наличие двух минимумов в зоне проводимости ваАв допускает его использование в приборах с междолинным переносом электронов (диоды Ганна) [25].

Растущий уровень технологии позволил использовать множество других материалов и приборных структур на основе соединений

А3В5,

включая лазеры на двойной гетероструктуре [1], фотодетекторы для волоконно-оптической связи [26], а также интегрированные высокочастотные схемы на основе ОаАБ и 1пР [27].

В технологии КМОП (комплементарная структура металл-оксид-

<2 г

полупроводник) соединения А В используются благодаря высокой подвижности электронов. Например, в 1пСаАБ или 1пАб подвижность электронов в десятки раз больше, чем в [28,29]. Кроме того, такие материалы используются в высокочастотных приборах. Например, частота

работы транзисторов с высокой подвижностью электронов (англ. НЕМТ — high-electron-mobility transistor) на основе InGaAs может достигать 1 ТГц [30].

Помимо полупроводниковых гетероструктур в микро- и наноэлектронике незаменимыми являются металлические контакты к

3 5

полупроводникам. В случае GaAs и других соединений А В используются два вида контактов: омические контакты и контакты Шоттки. Первые из них используются в качестве проводников, через которые электрический ток протекает в активные области различных полупроводниковых устройств. Контакты Шоттки применяются для изменения электрического потенциала приграничной области, но без протекания через них тока. Они нашли широкое применение в качестве электрода затвора в полевых транзисторах.

Уникальные свойства полупроводников типа А3В5 могут быть использованы в полной мере только при условии получения качественных, т.е. кристаллически совершенных, структур и слоев. Кроме того, полупроводниковые приборы на основе соединений А3В5 часто содержат такие низкоразмерные элементы, как квантовые точки, квантовые ямы и сверхрешетки, что предъявляет повышенные требования к процессу их роста. Неидеальность границы раздела, наличие на ней примесей или других дефектов может привести к непредсказуемому значению сопротивления контакта в случае омических контактов и изменению высоты потенциального барьера или увеличению тока утечки в случае контактов Шоттки. Из анализа всех этих факторов становится понятным, что методы роста полупроводниковых и металлических слоев на подложках А3В5 должны удовлетворять особым требованиям.

1.2. Методы роста полупроводниковых и металлических слоев.

Молекулярно-лучевая эпитаксия

Для выращивания высококачественных совершенных структур используется технология эпитаксии. Эпитаксиальный рост может быть

реализован несколькими методами, включающими жидкофазную, МОС-гидридную (МОС - металлоорганическое соединение) эпитаксии и МЛЭ.

В жидкофазной эпитаксии рост кристаллических слоев происходит из пересыщенного расплава, содержащего компоненты выращиваемого слоя [31]. Среди достоинств этого метода следует отметить высокое кристаллическое совершенство получаемых слоев, а также высокую скорость роста вплоть до 1 мкм/мин, что позволяет получать достаточно толстые слои. Однако он хуже подходит для изготовления низкоразмерных структур типа квантовых ям, требующих атомарно-гладких границ раздела и резких профилей изменения состава.

Такие требования удовлетворяются при использовании МОС-гидридной эпитаксии, в которой слои выращиваются осаждением из газовой фазы при помощи термического разложения металлоорганических соединений [32]. Этот метод позволяет получать не только полупроводниковые, но и металлические, оксидные и органические слои. К его недостаткам относится высокая токсичность используемых реагентов.

Кристаллические слои, обладающие наилучшим структурным совершенством, позволяет получить метод МЛЭ [33]. Он широко применяется как в исследовательских лабораториях, так и в промышленном производстве. Схема системы МЛЭ приведена на рис. 1.1. Ростовая камера установки МЛЭ состоит из стальной емкости, которая соединена с отдельными камерами подготовки и анализа. Камеры подготовки используются для хранения подложек и для их in situ обработки, например, термического обезгаживания. Камера анализа оборудована различными аналитическими приборами, позволяющими проводить исследования такими методами, как оже-спектроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, СТМ и масс-спектрометрия вторичных ионов. Это позволяет осуществлять in situ контроль и оптимизацию экспериментальных условий, необходимых для роста высококачественных эпитаксиальных слоев.

Загрузочно-шлюзовое устройство используется для загрузки и выгрузки подложек при сохранении высокого вакуума. Подложки монтируются на нагреваемый держатель, позволяющий проводить азимутальное вращение подложки для обеспечения однородности получаемых слоев по толщине и составу.

флуоресцентный

Рис. 1.1. Схема установки МЛЭ [34]

\%■

Комбинация ионно-геттерных, криогенных и турбомолекулярных насосов позволяет поддерживать давление в ростовой камере на уровне Ю"10 Па. Кроме того, для минимизации давления остаточных газов, в основном Н2, Н20 и СО, используются криопанели, охлаждаемые жидким азотом.

Во избежание загрязнения камеры и внесения примесей в формируемые слои при росте используются высокочистые материалы, которые доставляются к подложке в виде молекулярных пучков. Образование молекулярных пучков происходит из твердых источников посредством сублимации или при нагревании жидких источников выше

температуры плавления в эффузионных ячейках, либо из газов. Поток вещества от источников зависит от давления в пучках, которое определяется изменением температуры источников. Эпитаксиальные слои кристаллизуются посредством реакции между молекулярными пучками и нагретой поверхностью подложки. Толщина и состав эпитаксиальных слоев напрямую контролируются перекрытием молекулярных пучков при помощи специальных заслонок.

Измеритель молекулярных потоков монтируется на противоположной стороне держателя для измерения давления остаточных газов или при расположении между подложкой и эффузионными ячейками определяет эквивалентное давление молекулярных пучков. Кроме того, для определения состава остаточных газов в ростовой камере используется квадрупольный масс-спектрометр.

В условиях высокого вакуума возможно использование in situ диагностических методов, позволяющих отслеживать процесс роста слоев и состояние поверхности подложки, например, метода дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО, англ. RHEED - reflection high-energy electron diffraction).

В системе ДБЭО пучок электронов с энергией 5-50 кэВ направляется на подложку под скользящим углом 1-2° (рис. 1.2). Часть электронов непосредственно отражается от поверхности, другая часть дифрагирует на кристаллической решетке эпитаксиального слоя. Получающаяся дифракционная картина формируется на флуоресцентном экране на противоположной от электронной пушки стороне ростовой камеры (рис. 1.1) и состоит из яркого центрального рефлекса и дополнительных полос. Поскольку угол падения пучка мал, электроны проникают только в несколько первых атомных слоев кристалла, и дифракция происходит, таким образом, от двумерной структуры. Поэтому на дифракционной картине формируются полосы (рис. 1.2а), в отличие от точечной картины, типичной для электронной дифракции от трехмерной решетки. Пример

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Ловыгин, Михаил Вячеславович, 2015 год

Список литературы

1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. - 1998. - Т.32. - №1. - С.3-18.

2. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики // ФТП. — 2004. — Т.38. — №8. - С.937-948.

3. Reithmaier J.P. Nanostructured semiconductor materials for optoelectronic applications // Nanostructured materials for advanced technological applications / Ed. by J.P. Reithmaier, P. Petkov, W. Kulisch, C. Popov. -Dordrecht: Springer,"2008. - P.447-478.

4. LaPierre R.R., Chia A.C.E., Gibson S.J., Haapamaki C.M., Boulanger J., Yee R., Kuyanov P., Zhang J., Tajik N., Jewell N., Rahman K.M.A. III-V nanowire photovoltaics: Review of design for high efficiency // Phys. Stat. Sol. RRL. - Vol.7. - № 10. - P.815-830.

5. Motohisa J., Tomioka K., Hua B. et al. III-V semiconductor nanowire light emitting diodes and lasers // Advances in III-V semiconductor nanowires and nanodevices / Ed. By J. Li, D.Wang, R.R. La Pierre. - Bentham Science Publishers Ltd., 2011. — P.145-157.

6. Sharma. B.L. Metal-semiconductor Schottky barrier junctions and their applications. - NY: Plenum Press, 1984. - 370p.

7. Mönch. W. Electronic structure of metal-semiconductor contacts. -Dordrecht: Springer Netherlands, 1990.-292p.

8. Liliental-Weber Z., Weber E.R., Newman N. Atomic structure of metal/GaAs interfaces: the role of defects, epitaxy, and morphology // Contacts to semiconductors: fundamentals and technology / Ed. by L.J. Brillson. - Park Ridge: Noyes Publications, 1993. - P.416-464.

9. Huang J.-S., Callegari V., Geisler P., Brüning С., Kern J., Prangsma J. C., Wu X., Feichtner Т., Ziegler J., Weinmann P., Kamp M., Forchel A., Biagioni

P., Sennhauser U., Hecht B. Atomically flat single-crystalline gold nanostructures for plasmonic nanocircuity // Nat Commun. - 2010. - Vol.1. - №150. - P. 1-8.

10. Lu Y.-J., Kim J., Chen H.-Y., Wu C., Dabidian N., Sanders С. E., Wang C.-Y., Lu M.-Y., Li B.-H., Qiu X., Chang W.-H., Chen L.-J., Shvets G., Shih C.-K., Gwo S. Plasmonic nanolaser using epitaxially grown silver film // Science. - 2012. - Vol.337. - P.450-453.

11. Lin S.-W., Wu J.-Y., Lin S.-D., Lo M.-C., Lin M.-H., Liang C.-T. Characterization of single-crystalline aluminum thin film on (100) GaAs substrate // Jpn. J. Appl. Phys. - 2013. - Vol.52. - №045801. - P. 1-8.

12. Mukherjee K., Das N.R. Absorption coefficient in a MQW intersubband photodetector with non-uniform doping density & layer distribution // PIER M. - 2014. - Vol. 38. - P.193-201.

13. Каур И., Густ В. Диффузия по границам зерен и фаз. Монография. - Пер. с англ. - М.: Машиностроение, 1991. - 448с.

14. Petroff P.M., Feldman L.C., Cho A.Y., Williams R.S. Properties of aluminum epitaxial growth on GaAs // J. Appl. Phys. - 1981. - Vol.52. - №12. -P.7317-7320.

15. Landgren G., Ludeke R., Serrano C. Epitaxial A1 films on GaAs(OOl) surfaces // J. Cryst. Growth. - 1982. - Vol.60. - P.393-402.

16. Kiely C.J., Cherns D. On the atomic structure of the Al-GaAs(lOO) interface // Phil. Mag. A. - 1989. - Vol.59. - №1. - P. 1-29.

17. Luo Y.S., Yang Y.-N., Weaver J.H., Florez L.T., Palmstram C.J. Multiorientational growth of A1 on GaAs(OOl) studied by STM // Phys. Rev. B. -1994. - Vol.49. - №3. - P. 1893-1899.

18. Пат. 2474924 Российская Федерация, МПК H01L29/737, В82В1/00. Полупроводниковая наногетероструктура inalas/ingaas с метаморфным буфером [Текст] / Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Пушкарёв С.С., Рубан О.А.; заявитель и патентообладатель ИСВЧПЭ РАН. -№2011132972/28; заявл. 08.08.11; опубл. 10.02.13, Бюл. № 3. - 8 с.

19. Галиев Г.Б, Пушкарев С.С., Васильевский И.С., Климов Е.А., Имамов P.M. Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций // ФТП. - 2013. - Т.47. -№7. - С.990-996.

20. Федоров Ю.В., Щербакова М.Ю., Гнатюк Д.Л., Яременко Н.Г., Страхов В. А. НЕМТ на гетероструктурах Ino,52Alo,48As/In0,53Gao,47As/Ino,52Alo,48As/InP с предельной частотой усиления по мощности до 323 ГГц // Доклады ТУСУРа. - 2010. - Т.2. -№22. - С. 191-197.

21. Сошников И.П., Горбенко О.М., Голубок А.О., Леденцов H.H. Анализ состава когерентных нановключений твердых растворов по высокоразрешающим электронно-микроскопическим изображениям // ФТП.

- 2001. - Т.35. - №3. - С.361-366.

22. Rosenauer. А. Transmission electron microscopy of semiconductor nanostructures: analysis of composition and strain state - Berlin: Springer Berlin / Heidelberg, 2005.-21 Op.

23. Seitz H., Seibt M., Baumann F. H., Ahlborn K., Schröter W. Quantitative strain mapping using high-resolution electron microscopy // Phys. Stat. Sol. (a). - Vol.150. -P.625-634.

24. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. -М.: Наука, 1977-679с.

25. Шур М.С. Современные приборы на основе арсенида галлия -Пер. с англ. под ред. М.Е. Левинштейна, В.Е. Челнокова - М.: Мир, 1991. — 632с.

26. Tsang W.T. (Eds.) Semiconductors and semimetals. Vol.22 Lightwave Communications Technology. Part D Photodetectors. - Orlando: Academic Press, 1985.-454p.

27. Willardson R.K. (Eds.) Semiconductors and semimetals. Vol.26 III-V Compound Semiconductors and Semiconductor Properties of Superionic Materials.

- San Diego: Academic Press, 1988. - 383p.

28. Electrical properties of silicon (Si). [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/Si/electric.htrnl, свободный. - Загл. с экрана.

29. Electrical properties of indium arsenide (InAs). [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/InAs/electric.html, свободный. -Загл. с экрана.

30. Lai R., Mei Х.В., Deal W.R., Yoshida W., Kim Y.M., Liu P.H., Lee J., Uyeda J., Radisic V., Lange M., Gaier Т., Samoska L., Fung A. Sub 50 ran InPHEMT device with Fmax greater than 1 THz // Electron Devices Meeting, 1012 Dec., 2007. - Washington: IEEE, 2007. - P.609-611.

31. Capper P., Mauk M. (Eds.) Liquid phase epitaxy of electronic, optical and optoelectronic materials. - Chichester: John Wiley & Sons Ltd., 2007. -441 p.

32. Stringfellow G.B. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice - San Diego: Academic Press, 1999. - 572 p.

33. Frigeri P., Seravalli L., Trevisi G., Franchi S. Molecular beam epitaxy: an overview. // Comprehensive Semiconductor Science and Technology / Ed. by P. Bhattacharya, R. Fornari, H. Kamimura. - Amsterdam: Elsevier, 2011. - P.480-522.

34. Pohl U.W. Epitaxy of semiconductors. Introduction to physical principles. - Berlin: Springer Berlin / Heidelberg, 2013. - 325 p.

35. Razeghi M. Fundamentals of solid state engineering. - NY: Springer Science+Business Media, 2009. - 757p.

36. van der Merwe J.H. Crystal interfaces. Part I. Semi-infinite crystals // J. Appl. Phys. - 1963. - Vol. 34. - № 1. - P. 117-122.

37. van der Merwe J.H. Crystal interfaces. Part II. Finite overgrowths // J. Appl. Phys. - 1963.-Vol. 34.-№1.-P. 123-127.

38. Bauer E. Phaenomenologische theorie der kristallabscheidung an oberflaechen I. // Z. Kristallogr. - 1958. - Vol.58. - P.372-394.

39. Dhanaraj G., Byrappa K., Prasad V., Dudley M. (Eds.) Springer Handbook of Crystal Growth. - Berlin: Springer Berlin / Heidelberg, 2010.-1816 P-

40. Gonzalez D., Araujo D., Molina S.I., Sacedon E., Calleja E., Garcia R. Step-graded buffer layer study of the strain relaxation by transmission electron microscopy// Mat. Sci. Eng.: B. - 1994. - Vol. 28. -№1-3. -P.497-501.

41. Liu X.W., Hopgood A.A., Usher B.F., Wang H., Braithwaite N.St,J. Formation of misfit dislocations during growth of InxGai_xAs/GaAs strained-layer heterostructures // Semicond. Sci. Technol. - 1999. - Vol.14. - P. 1154-1160.

42. Bolkhovityanov Yu.B., Deryabin A.S., Gutakovskii A.K., Revenko M.A., Sokolov L.V. Direct observations of dislocation half-loops inserted from the surface of the GeSi heteroepitaxial film // Appl. Phys. Lett. - 2004. - Vol.85. -P.6140-6142.

43. Hull D., Bacon D.J. Introduction to Dislocations. - Oxford: Elsevier Ltd., 2011.-p.257.

44. Koch C. Determination of core structure periodicity and point defect density along dislocations // PhD thesis. - Arizona state university, 2002.

45. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. Перев. с англ. под ред. Э. М. Надгорного и Ю.А. Осипьяна. - М.: Атомиздат, 1972. - 600с.

46. Лопатин С., Роддатис В.В., Пресняков М.Ю., Бондаренко В.И., Орехов А.С., Ковальчук М.В., Васильев А.Л. Микроструктура границ раздела в гетеросистемах // Российские нанотехнологии. - 2013. — № 5-6. — С.37-46.

47. Dudka A., Avilov A.S., Lepeshov G.G. Crystal structure refinement from electron diffraction data // Crystallography Reports. - 2008. - Vol.53. - №3. - P.530-536.

48. Jallipalli A., Balakrishnan G., Huang S. H., Rotter T. J., Nunna K., Liang B. L., Dawson L. R., Huffaker D. L. Structural analysis of highly relaxed GaSb grown on GaAs substrates with periodic interfacial array of 90° misfit dislocations // Nanoscale Res. Lett. - 2009. - Vol.4. - P. 1458-1462.

49. Cockayne D.J.H., Orders P., Sikorski A., Usher В., Zhou J. Misfit dislocations in InxGa!_xAs/GaAs heterostructures near the critical thickness// Evaluation of advanced semiconductor materials by electron microscopy / Ed. by D. Cherns - NY: Plenum Press, 1989. - P.395-402.

50. Ourmazd A., Baumann F.H., Bode M., Kim Y.O. Quantitative chemical lattice imaging: theory and practice // Ultramicroscopy. - 1990. - Vol.34. - P.237-255.

51.Ayache J. Beaunier L., Boumendil J., et al. Sample preparation handbook for transmission electron microscopy techniques. - NY.: Springer, 2010. - 338p.

52. Williams D.B., Carter C.B. Transmission electron microscopy. A textbook for materials science. - NY: Springer Science+Business Media, 2009. -760 p.

53. Volkert C.A., Minor A.M. Focused ion beam microscopy and micromachining // MRS Bulletin. - Vol.32. - P.389-399.

54. Gianuzzi L.A., Stevie F.A. Introduction to focused ion beams: instrumentation, theory, techniques, and practice. - NY.: Springer, 2004. - 359p.

55. Gianuzzi L.A., Drown J.L., Brown S.R., et al. Applications of the FIB lift-out technique for ТЕМ specimen preparation // Microscopy Research and Technique - 1998. - Vol.71. - №4. -P.285-290.

56. Нанотехнологии в электронике. Под ред. Ю.А. Чаплыгина. — М.: Техносфера, 2005. -448с.

57. Microscope. Microscopic Equipment. Histologic technique. Cytology. General structure. Structure of the cell. Superficial complex. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://intranet.tdmu.edu.ua/data/kafedra/internal/histolog/classes_stud/en/stomat/pt n/l/01%20Microscope.%20Microscopic%20equipment.%20Histologic%20techniq ue.%20Cytology.%20General%20structure%20of%20the%20cell.%20Superficial %20complex.htm, свободный. - Загл. с экрана.

58. Нанотехнологии в электронике. Выпуск 2. Под ред. Ю.А. Чаплыгина. - М.: Техносфера, 2013. - 688с.

59. De Graef М. Introduction to conventional transmission electron microscopy. - NY.: Cambridge University Press, 2003. - 718p.

60. Haider M., Hartel P., Muller H., Uhlemann S., Zach J. Current and future aberration correctors for the improvement of resolution in electron microscopy // Phil. Trans. R. Soc. A. - 2009. - Vol.367 - P.3665-3682.

61.Egerton R.F. Electron energy-loss spectroscopy in the electron microscope. - NY: Springer Science+Business Media, 2011. - 43 lp.

62. Nikolaichick V.I., Khodos I.I. A review of the determination of dislocation parameters using strong- and weak-beam electron microscopy // J.Microsc. - 1989. - Vol.155. -№2.-P.123-167.

63. Cockayne D.J.H. Weak-beam electron microscopy // Ann. Rev. Mater. Sci.-Vol.11.-P.75-95.

64. Fultz В., Howe J. Transmission electron microscopy and diffractometry of materials. - Berlin: Springer Berlin / Heidelberg, 2013. - 76 lp.

65. Reimer L., Kohl H. Transmission electron microscopy. Physics of image formation. - NY: Springer Science+Business Media, 2008. - 587p.

66. Хирш П., Хови А., Николсон P. И др. Электронная микроскопия тонких кристаллов. - М.: Мир, 1968. - 574с.

67. Kirkland E.J. Image simulation in transmission electron microscopy. -NY: Springer Science+Business Media, 2010. - 289p.

68. Grillo V., Rotunno E. STEM_CELL: A software tool for electron microscopy: Part I—simulations // Ultramicroscopy. - 2013. - Vol.125. - P.97-111.

69. Grillo V., Rossi F. STEM CELL: A software tool for electron microscopy: Part 2 analysis of crystalline materials // Ultramicroscopy. - 2013. -Vol.125.-P.112-129.

70. Marks L.D. Wiener-filter enhancement of noisy HREM images // Ultramicroscopy. - 1996. - Vol.62. - P.43-52.

71.Hytch MJ. Geometric phase analysis of high resolution electron microscope images // Sc. Microsc. - 1997. - Vol.1 - P.53-66.

72. Hytch M.J. Measurement of the displacement field of dislocations to 0.03 A by electron microscopy // Lett. Nat. - 2003. - Vol.432. - P.270-273.

73. Hytch M.J., Snoeck E., Kilaas R. Quantitative measurement of displacement and strain fields from HRTEM micrographs// Ultramicroscopy. -1998. -Vol.74.-№3.-P.131-146.

74. Гутаковский A.K., Чувилин A.Jl., Song S.A. Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для визуализации и количественного анализа полей деформации в гетеросистемах // Изв. РАН серия физическая. - 2007. - Т.71 - №10. - С. 1464-1470.

75. Samavedam S.B., Fitzgerald Е.А. Novel dislocation structure and surface morphology effects in relaxed Ge/SiGe/Si structures // J. Appl. Phys. -1997.-Vol.81 -P.3108-3116.

76 Sun Y., Li K., Dong J., Zeng X., Yu S., Zhao Y., Zhao C., Yang H. Effects of substrate miscut on threading dislocation distribution in metamorphic GalnAs/AlInAs buffers // J Mater Sci: Mater Electron. - 2014. - Vol.25 - P. 581585.

77. Ludeke R., Chang L.L., Esaki L. Molecular beam epitaxy of alternating metal-semiconductor films // Appl. Phys. Lett. - 1973. - Vol.23 - P. 201-203.

78. Cho Y., Dernier P.D. Single-crystal-aluminum Schottky-barrier diodes prepared by molecular-beam epitaxy (MBE) on GaAs // J. Appl. Phys. - 1978. -Vol.49-P. 3328-3332.

79. Гонсалес P., Вудс P. Цифровая обработка изображений. - M.: Техносфера, 2005. - 1072с.

80. ImageJ. Image processing and analysis in Java. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://rsb.info.nih.gov/ij/index.html, свободный. -Загл. с экрана.

81. Jain А.К. Fundamentals of Digital Image Processing. - NJ.: Prentice-Hall, 1989. - 569p.

82. Mulchrone K.F., Choudhury K.R. Fitting an ellipse to an arbitrary shape: implications for strain analysis // J. Struct. Geol. - 2004. - Vol.26 - P. 143153.

83. Strain Mapping in the ТЕМ. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://elim.physik.uni-ulm.de/?page_id=1044, свободный. - Загл. с экрана.

84. Li J., Zhao С., Xing Y., Su S., Cheng B. Full-field strain mapping at a Ge-Si heterostructure interface // Materials. - 2013. - Vol.6. - P.2130-2142.

85. Rouviere J.L., Sarigiannidou E. Theoretical discussions on the geometrical phase analysis // Ultramicroscopy. - 2005. - Vol.106. - P.l-17.

86. Hojo. Atomic structure and strain field of threading dislocations in Ce02 thin films on yttria-stabilized Zr02 // Appl. Phys. Lett. - 2011. - Vol.98. -№.153104.-P. 1-3.

87. Wang Y., Liu X.P., Qin G.W. Strain analysis of misfit dislocations in а-РегОз-а-А^Оз heterostructure interface by geometric phase analysis // Micron. -2015.-Vol.69.-P.21-24.

88. Zhao C.W., Xing Y.M., Zhou C.E., Bai P.C. Experimental examination of displacement and strain fields in an edge dislocation core // Acta Mater. -2008. - Vol.56.-P.2570-2575.

89. Zhao C. W., Xing Y.M., Bai P.C. Experimental verification of Foreman dislocation model // Chin. Phys. B. - 2009. - Vol.18. - №.6. - P.2464-2468.

90. Wang Y., Ruterana P. The strain models of misfit dislocations at cubic semiconductors heterointerfaces // Appl. Phys. Lett. - 2013. - Vol.103. -№.102105.-P.l-5.

91. Liu Q.L., Zhao C.W., Xing Y.M., Su S.J., Cheng B.W. Quantitative strain analysis of misfit dislocations in a Ge-Si heterostructure interface by geometric phase analysis // Optics and Lasers in Engineering. - 2012. - Vol.50. -P.796-799.

92. Hytch M.J., Putaux J.-L., Thibault J. Stress and strain around grain-boundary dislocations measured by high-resolution electron microscopy // Phil. Mag. - 2006. - Vol.86. - P.4641-4656.

93. Adeosun S.O., Sekunowo O.I., Balogun S.A., Osoba L.O. Effect of deformation on the mechanical and electrical properties of aluminum-magnesium alloy // Journal of Minerals & Materials Characterization & Engineering. — 2011.— Vol.10.-№6-P.553-560.

94. Peierls R. The size of a dislocation // Proc. Phys. Soc. - 1940. - Vol.52.

— P.34-37.

95. Nabarro F.R.N. Dislocations in a simple cubic lattice // Proc. Phys. Soc.

- 1947. - Vol.59. - P.256-272.

96. Leibfried G., Lucke K. Uber das Spannungsfeld einer Versetzung // Z. Phys. - 1949. - Vol.126. -P.450-464.

97. Foreman A.J., Jaswon M.A., Wood J.K. Factors controlling dislocation widths lattice // Proc. Phys. Soc. A - 1951. - Vol.64. -P.l56-163.

98. Mechanical properties, elastic constants, lattice vibrations of gallium arsenide (GaAs). [Электронный ресурс]. — Режим доступа: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/mechanic.html, свободный. — Загл. с экрана.

99. Totten G.E., MacKenzie D.S. (Eds.) Handbook of aluminum: Vol. 1: Physical metallurgy and processes. - NY: Marcel Dekker, Inc., 2003. - 1296 p.

100. Shinohara M. Dislocation-free GaAs epitaxial growth with the use of modulation-doped AlAs-GaAs superlattice buffer layers // Appl. Phys. Lett. -1988.- Vol.52. -P.543-545.

101. Liliental-Weber Z., Chen Y., Werner P., Zakharov N., Swinder W., Washburn J., Klem J.F., Tsao J.Y. Interfacial defects and morphology of InGaAs epitaxial layers grown on tilted GaAs substrates // J. Vac. Sci. Tech. B. - 1993. -Vol.11.-P.1379-1383.

102. Hoke W.E., Lyman P.S., Whelan C.S., Mosca J.J., Torabi A., Chang K. L., Hsieh K.C. Growth and characterization of metamorphic Inx(AlGa)!_

xAs/InxGai.xAs high electron mobility transistor material and devices with ХЮ.З-0.4 // J. Vac. Sci. Technol. B. - 2000. - Vol.18. -№3. - P. 1638-1641.

103. Hoke W.E., Kennedy T.D., Torabi A., Whelan C.S., Marsh P.F., Leoni R.E., Lardizabal S.M., Zhang Y., Jang J.H., Adesida I., Xu C., Hsieh K.C. Properties of metamorphic materials and device structures on GaAs substrates // J. Cryst. Growth. - 2003. - Vol.251. - P.804-810.

104. Malik R.J. III-V semiconductor materials and devices (Ed.). -Amsterdam: Elsevier Science Publishers B.V, 1989. — 727 p.

105. STEM_CELL. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://tem-s3.nano.cnr.it/?page_id=2, свободный. - Загл. с экрана.

106. Galindo P.L., Kret S., Sanchez A.M., Laval J.-Y., Yanez A., Pizarro J., Guerrero E., Ben Т., Molina S.I. The Peak Pairs algorithm for strain mapping from HRTEM images // Ultramicroscopy. - 2007. - Vol.107. -P.l 186-1193.

107. Stadelmann P. EMS - a software package for electron diffraction analysis and HREM image simulation in materials science // Ultramicroscopy. — 1987.-Vol.21.-P.131-146.

108. van der Merwe. On the stresses and energies associated with intercristalline boundaries // Proc. Phys. Soc. A. - 1950. - Vol.63. - P.616-637.

109. Hoke W.E., Kennedy T.D., Torabi A. Simultaneous determination of Poisson ratio, bulk lattice constant, and composition of ternary compounds Ino.3Gao.7As, Ino.3Alo.7As, Ino.7Gao.3P, and Ino.7Alo.3P // Appl. Phys. Lett. - 2001. -Vol.79. -№25. - P.4160-4162.