Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Литвинов, Владимир Георгиевич

• Литвинов, Владимир Георгиевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Литвинов, Владимир Георгиевич

ВВЕДЕНИЕ.„.

ГЛАВА 1. Электрофизические свойства некоторых полупроводниковых соединений А2В6 и квантово-размерных структур на их основе.

1.1. Электрофизические свойства 2п8е и 2пТе.

1.1.1. Дефекты в соединениях АВ

1.1.2. Проблемы легирования ZnSe и ZnTQ.

1.1.3. Дефекты с глубокими уровнями в ZnSe, обнаруженные электрическими методами.

1.1.4. Дефекты с глубокими уровнями в 2пТе. обнаруженные электрическими методами.

1.2. Особенности квантово-размерных структур с одиночными и множественными квантовыми ямами на основе 2п8е^пСс18е и ЪпХъ/ЪпС&Те.

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ДИССЕРТАЦИИ.

ГЛАВА 2. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в квантово-размерных структурах.

2.1. Физические основы РСГУ.

2.2. Особенности применения РСГУ для характеризации объектов с квантовыми ямами.

2.3. Установка релаксационной спектроскопии глубоких уровней.

2.4. Погрешность определения энергии ионизации ГУ по наклону кривой Аррениуса.

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 2.

ГЛАВА 3. Исследование электрофизических свойств эпитаксиальных слоев 2п8е на (ОООваАз.

3.1. Особенности роста и параметры образцов.

3.2. Экспериментальные результаты и их обсуждение.

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. Разрывы зон в квантово-размерных структурах с одиночной квантовой ямой на основе 7пСс18е/7п8е и 7пСс1Те/2пТе.

4.1. Обоснование предлагаемого метода определения относительных разрывов зон.

4.2. Особенности получения и параметры исследуемых образцов.

4.3. Оптические переходы в квантово-размерных структурах на основе гпЭе/гпСсШе и 7,пТе/7,пСс1Те.

4.4. Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней в квантово-размерных структурах с одиночной КЯ.

4.5. Расчет энергий размерного квантования носителей заряда в квантоворазмерных структурах.

4.6. Расчет энергии связи экситона, локализованного на тяжелой дырке.

4.7. Расчет параметра разрыва зоны проводимости с использованием экспериментальных данных KJI и РСГУ.

4.8. Теоретический расчет параметра разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах с одиночной КЯ.

4.9. Расчет изменения положения энергетических зон, вызванного деформационными напряжениями из-за рассогласования постоянных кристаллических решеток.:.

4.10. Деформационные напряжения в слоях, обусловленные различием температурных коэффициентов линейного расширения материалов слоев.

4.11. Расчет критической толщины пленок ZnCdSe(Te) в структурах с одиночными КЯ.

4.12. Сопоставление результатов эксперимента и теории, обсуждение полученных результатов.

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 4.

ГЛАВА 5. Разрывы зон в квантово-размерных структурах с множественными квантовыми ямами на основе ZnCdSe/ZnSe и ZnCdTe/ZnTe.

5.1. Особенности определения относительных разрывов зон в квантово-размерных структурах с множественными квантовыми ямами.

5.2. Параметры исследуемых квантово-размерных структур.

5.3. Оптические переходы в МКЯ-с груктурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe.

5.4. Расчет параметра разрыва зоны проводимости с использованием экспериментальных данных КЛ и РСГУ.

5.5. Теоретический расчет параметра разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах с множественными КЯ.

5.6. Расчет критической толщины многослойной структуры для образцов с множественными КЯ.

5.7. Сопоставление результатов эксперимента и теории, обсуждение полученных результатов.

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков»

Широкозонные полупроводниковые соединения группы А2В6 - 7п8е, 7пТе обладают уникальными фотоэлектрическими и люминесцентными свойствами и представляют интерес для оптоэлектроники.

В настоящее время уделяется значительное внимание изучению электрофизических свойств пленок 2п8е и 2пТе, выращенных на инородных подложках методом эпитаксии из молекулярных пучков. В литературе приводятся данные для большого количества глубоких уровней, наблюдаемых в гетероэпитаксиальных пленках 7п8е и 7пТе. Однако до сих пор данные о природе глубоких центров в пленках ZnSe и 7пТе несистематизированы и практически не установлена взаимосвязь между электрофизическими свойствами пленок 7п8е и 7пТе и технологическими режимами э п итакс и ал ьн о го роста пленок. Поэтому изучение электрофизических свойств гетероэпитаксиальных пленок соединений А"В , выращенных при различных условиях роста, является весьма актуальной задачей.

В связи с интенсивным развитием полупроводниковой микро- и наноэлектроники значительное внимание уделяется изучению оптических и электрических свойств квантово-размерных структур 7п8е/7пСс18е и 7пТе/7пС(1Те. Как правило, квантово-размерные структуры создаются на основе резких гетеропереходов. Величины разрывов энергетических зон в гетеропереходах и квантово-размерных структурах относятся к важнейшим фундаментальным свойствам данных структур. Для структур на основе 7п8е/7пСс18е и 7пТе/7пС(ЗТе относительные разрывы зон определены не достаточно надежно.

К настоящему времени существует ряд теоретических моделей для определения разрывов энергетических зон в гетеропереходах, от модели Андерсона для идеального гетероперехода до более сложных моделей, таких как теория атомных орбиталей Харрисона, теория самосогласованного пограничного потенциала и др. Однако при практическом применении теоретические расчеты дают большой разброс результатов из-за имеющейся свободы в выборе используемых при расчете параметров структур. Кроме того, особенности получения конкретных образцов также могут приводить к колебаниям величин разрывов энергетических зон.

Как правило, для исследования энергетических зон соединений А~В применяют оптические методы контроля. Согласно [1], наиболее надежными считаются данные, полученные в экспериментах по фотоэлектронной спектроскопии в ультрафиолетовой и рентгеновской областях спектра на очень тонких гетеропереходах при условии, что технология изготовления самих переходов очень высока. Определение параметров разрыва зон в гетеропереходах, в том числе и в к ван го во-размер ных структурах возможно только в случае исследования перечисленными методами специально приготовленных объектов [1].

Одними из перспективных методов по изучению оптических и электрических свойств полупроводниковых структур являются фото- и катодолюминесцен ция и релаксационная спектроскопия глубоких уровней (РСГУ). Методы люминесценции позволяют получить информацию о ширине запрещенной зоны материала КЯ, величинах энергий основных состояний электронов и тяжелых (легких) дырок, а также о величине энергии связи экситана в КЯ. РСГУ дает информацию о глубоких центрах. Квантовую яму можно рассматривать как гигантскую ловушку для носителей заряда (ИЗ) [2-3], поэтому с помощью РСГУ можно определить величину энергетического интервала между уровнем размерного квантования, с которого происходит эмиссия носителей заряда, и краем соответствующей зоны в барьере.

В этих условиях представляется актуальным разработка метода экспериментального определения разрывов энергетических зон конкретных; типов структур и сопоставление экспериментальных результатов с предсказаниями различных теоретических моделей.

Изучение особенностей зонной диаграммы в квантово-размерных структурах на основе Хп8е/2пС(18е и гпТе^пСёТе позволит прояснить сложившуюся ситуацию с неопределенностью величин относительных разрывов энергетических зон.

Целью диссертации является определение влияния технологических режимов молекулярно-пучковой эпитаксии на энергетический спектр дефектов с глубокими уровнями (ГУ) в пленках 2п$е, выращенных на подложках ОаАз(ЮО), и разработка методики определения параметров разрыва зон в квантово-размерных структурах на основе полупроводников А2В6, содержащих одиночную и множественные квантовые ямы (КЯ) различной конфигурации.

Научная новизна представленных в работе результатов заключается в следующем:

1. Проведены исследования глубоких центров в пленках 2п8е, позволившие обнаружить зависимость энергетического спектра глубоких центров от типа реконструкции поверхности и скорости роста пленок 7п8е.

2. Впервые параметр разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах на основе 7п8е/7пСс18е и 2пТе/2пСс1Те, имеющих конфигурацию зонной диаграммы первого типа, определен в результате совместного использования экспериментальных данных, полученных методами релаксационной спектроскопии глубоких уровней и катодолюминесценции (КЛ).

3. Развита теоретическая модель Андерсона для определения разрывов зон с учетом внутренних механических напряжений в квантовых ямах и барьерных слоях в квантово-размерных структурах с одиночной и множествен ными квантовыми ямами на основе гетеропереходов 2п8е/2пСс18е и 7пТе/7пСс1Те.

4. Обнаружена зависимость параметра разрыва зоны проводимости в структурах с одиночной и множественными квантовыми ямами на основе 2п8е/7пС<18е и 2пТе/2пСёТе от конфигурации квантово-размерной части структуры.

Положения, выносимые на защиту.

1. При изменении отношения эквивалентных давлений молекулярных пучков селена и цинка на ±25% относительно значения Р§е Рхп = 2:1 или скорости роста слоев 2п8е от 0,6 до 2 мкм/ч на подложках СаА5( 100) имеет место перестройка энергетического спектра дефектов с глубокими уровнями. При переходе от условий обогащения поверхности 2п8е атомами Ъа к условиям обогащения поверхности атомами 8е снижается концентрация ГУ с энергией активации 0,36+0,02 эВ, вместо ГУ с энергией активации 0,84±0,03 эВ появляется ГУ с энергией активации 0,72+0,03 эВ. ГУ с энергией активации 0,56+ 0,02 эВ возникает при форсировании скорости роста эпитаксиальных слоев 7п8е.

2. Методика, основанная на совместном использовании экспериментальных данных релаксационной спектроскопии глубоких уровней и катодолюминесценции, позволяет определять параметры разрыва зон в квантово-размерных структурах, имеющих конфигурацию зонной диаграммы первого типа.

3. Параметр разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах с одиночными и множественными квантовыми ямами на основе 7п8е/7пС<18е и 7,пТе/2пСсГГе не является фиксированной величиной, а зависит от конфигурации квантово-размерной части структуры.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 98" (Зеленоград, 20-22 апреля 1998 г.), IV Всероссийской научно-технической конференции "Методы и средства измерений физических величин" (Нижний Новгород, 16-17 июня 1999 г.), Международной конференции "The Ninth International Conference on И-VI Compounds (II-VI '99)" (Kyoto, Japan, November 1-5, 1999), Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (Воронеж, 18-21 октября 1999 г.), Всероссийском совещании "Нанофотоника-2000" (Нижний Новгород, 20-23 марта 2000 г.), 8-м Международном симпозиуме "Nanostructures: physics and technology" (St Petersburg, Russia, June 19-23, 2000).

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Литвинов, Владимир Георгиевич

Выводы по главе 5

В МКЯ-структурах, в том числе и СР на основе 7п8е/7пСё8е и 7пСёТе/7пТе методом РСГУ обнаружен сигнал, обусловленный по нашему мнению эмиссией электронов с основного уровня (минизоны) размерного квантования. Обнаружено, что энергия активации этого уровня коррелирует с энергетическим положением линии излучения КЯ в спектрах КЛ. Предложена процедура расчета относительного разрыва зоны проводимости Ос, основанная на экспериментальных данных РСГУ и КЛ при известной ширине КЯ.

Предложена процедура теоретического расчета относительного разрыва зоны проводимости по известным параметрам МКЯ-структуры с учетом упругих напряжений в КЯ и барьерах. Для большинства образцов МКЯ-структур экспериментально подтверждено, что для корректного теоретического расчета относительного разрыва зоны проводимости следует учитывать влияние внутренних упругих напряжений и в КЯ, и в барьерных слоях МКЯ-структуры. Расчетная зависимость параметра (2с(х) с учетом упругих напряжений в КЯ и барьерах достаточно хорошо согласуется с полученными экспериментальными значениями для образцов с высоким содержанием Сё в квантовой яме.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Экспериментально показано, что при относительно небольшом изменении отношения эквивалентных давлений молекулярных пучков селена и цинка или скорости роста слоев гпЭе на ОаАз(100) имеет место перестройка энергетического спектра дефектов с глубокими уровнями.

2. С использованием математического аппарата токовой РСГУ для перезарядки ГУ и КЯ получено выражение для сечения захвата НЗ квантовой ямой. Теоретически показано, что сечение захвата КЯ определяется ее геометрическими размерами (шириной) и высотой потенциального барьера для НЗ, находящихся на уровнях размерного квантования в яме.

3. Разработана методика расчета относительного разрыва зон, основанная на экспериментальных данных, полученных методами катодолюминесценции и токовой РСГУ, которая была реализована для высокоомных квантово-размерных структурах 2пСс18е/2п8е и 2пСёТе/2пТе с одиночными и множественными квантовыми ямами.

4. Установлены конкретные значения параметра разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах с одиночной и множественными КЯ на основе 7п8е/7пСс18е и гпТе/2пСс1Те.

5. Получены теоретические выражения для относительного разрыва зоны проводимости в квантово-размерных структурах 2пСё8е/Хп8е и 7пСс1Те/7лТе с одиночными и множественными квантовыми ямами, в которых учитываются упругие напряжения, обусловленные рассогласованием параметров кристаллических решеток материалов КЯ и барьеров.

6. Теоретически показано, что упругие напряжения из-за рассогласования параметров кристаллических решеток по крайней мере на порядок величины превышают напряжения, обусловленные рассогласованием температурных коэффициентов линейного расширения материалов КЯ, барьеров и подложки.

7. Теоретически и экспериментально показано, что относительный разрыв зоны проводимости в структурах с одиночной и множественными квантовыми ямами не является фиксированной величиной, а зависит от ширины квантовой ямы и барьерных слоев, толщины квантово-размерной части структуры, концентрации Сё в

142 квантовой яме.

В заключение выражаю признательность научному руководителю д.ф.-м.н., профессору Садофьеву Юрию Григорьевичу за научное руководство и помощь при выполнении данной работы, Козловскому Владимиру Ивановичу за предоставленные спектры катодолюминесценции, благодарность сотрудникам кафедры Микроэлектроники за внимание к работе и моральную поддержку.

143

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Литвинов, Владимир Георгиевич, 2000 год

1. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Пер. с англ. / Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир. 1989. 584 с.

2. Jiao K.L., Anderson W.A. Trap behavior in nonintentionally doped AlGaAs/GaAs single quantum well structures // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 271-276.

3. Chretien O., Apetz R., Vescan L., Souifi A., Luth H., Schmalz K., Koulmann J.J. Thermal hole emission from Si/Sii,4Gex/Si quantum wells by deep level transient spectroscopy //J. Appl. Phys. 1995. V 78. P. 5439-5447.

4. Hartmann H., Mach R., Selle B. Wide gap II-VI compounds as electronic materials. Preprint 82 of a review publised in "Current topics in materials science". Amsterdam. 1982. V. 9. 572 p.

5. Warlick EX., Ho E., Petrich G.S., Kolodziejski L.A. Reducing the defect density in MBE-ZnSeAIl-V heterostructures //J. Crystal Growth. 1997. V. 175/176. P. 564-570.

6. Qiu J., Qian Q.-D., Gunshor R.L., Kobayashi M., Menke D.R., Li D., Otsuka N. Influence of GaAs surface stoichiometry on the interface state density of as-grown epitaxial GaAs heterostructures//Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. P. 1272-1274.

7. Vanzetti L., Bonanni A., Bratina G., Sorba L., Franciosi A., Lomascolo M., Greco D., Cingolani R. Influence of growth parameters on the properties of ZnSe-GaAs(lOO) heterostructures //J. Crystal Growth. 1995. V.150. P.765-769.

8. Qian Q.-D., Qiu J., Melloch M.R., Cooper J.A., Kolodziejski Jr.,L.A., Kobayashi M., Gunshor R.L. Low interface state density at an epitaxial ZnSe/ epitaxial GaAs interface // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 1359-1361.

9. Ayyar S.G., Colak S., Marshall Т., Khan В., Cammack D. Observation of hysteresis, transients, and photoeffects in the electrical properties of ZnSe/GaAs heterojunctions // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. P. 5226-5233.

10. Hommel D., Jobst В., Behr Т., Bilger G., Beyersdorfer V., Kurtz E., Landwehr G. Correlation between electrical and structural properties of chlorine doped ZnSe epilayers grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 1994. V. 138. P. 331-337.

11. Hierro A., Kwon D., Ringel S.A., Rubini S., Pelucchi E., Franciosi A. Photocapacitance study of bulk deep levels in ZnSe grown by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. P. 730-738.

12. Raisanen A.D., Brillson L.J., Vanzetti L., Bonanni A., Franciosi A. Atomic diffusion-induced deep levels near ZnSe/GaAs( 100) interfaces // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3301-3303.

13. Spahn W., Ress H.R., Schull K., Ehinger M., Hommel D., Landwehr G. The growth start on the heterovalent GaAs-ZnSe interface under Те, Se and Zn termination // J. Crystal Growth. 1996. V.159. P.761-765.

14. Коваленко A.B. Электрические свойства гетероструктур ZnSe/GaAs(100), выращенных методом фотостимулированной газофазной эпитаксии // ФТП. 1997. Т. 31.Вып.1.С. 11-14.

15. Vos М., Xu F., Anderson Steven G., Weaver J.H. Photoemission studies of interface chemistry and Schottky barriers for ZnSe(100) with Ti, Co, Си, Pd, Ag, Ce, and A1 // Phys. Rev. B. 1989. V.39. P. 10744-10751.

16. Blomfield С.J., Dharmadasa I.M., Prior K.A., Cavenett B.C. Discrete Shottky barriers observed for the metal-n-ZnSe (100) system // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 727-731.

17. Marshall Т., Cammack D.A., Electrical characterization of p-type ZnSe:Li epilayers grown on p+-GaAs by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. P. 4149-4151.

18. Imai K., Kuusisto E., Lilja J., Pessa M., Suzuki D., Ozaki H., Kumazaki K. Electrical characterization of Li-doped ZnSe grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 406-409.

19. Ни В., Karczewski G., Luo H., Samarth N., Furdyna J.K. Deep hole traps in p-type nitrogen-doped ZnSe grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 63. P. 358-360.

20. Tanaka K., Zhu Z., Yao T. Study of deep hole and electron traps in nitrogen-doped ZnSe by isothermal capacitance transient spectroscopy and deep level transient spectroscopy //Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3349-3351.

21. Matsumoto Т., Egashira K., Kato T. Hole traps in nitrogen-doped ZnSe epitaxial layers // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 280-283.

22. Qurashi U.S., Iqbal M.Z. Deep levels in nitrogen-doped MBE-grown p-ZnSe // Semicond. Sci. Technol. 1997. V. 12. P. 1615-1618.

23. Matsumoto Т., Kokubo N., Kawakami K., Kato Т., Capacitance-voltage characterization of n-ZnSe/n-GaAs heterojunctions // J. Crystal Growth. 1992. V.117. P.578-582.

24. Shirakawa Y., Kukimoto H. Deep levels in ZnSe/GaAs heteroj unctions // J. Appl. Phys. 1980. V. 51. P. 5859-5863.

25. Besomi P., Wessels B.W. Deep level defects in heteroepitaxial zinc selenide // J. Appl. Phys. 1988. V. 53 P. 3076-3084.

26. Kozlovsky V.I., Krysa A.B., Korostelin Yu.V., Sadofyev Yu.G. МВБ growth and characterization of ZnTe epilayers and ZnCdTe/ZnTe structures on GaAs(100) and ZnTe(lOO) substrates // J. Crystal Growth. 2000. V. 214/215. P. 35-39.

27. Зайцев В В., Багаев B.C., Онищенко EE., Садофьев ЮГ. Излучение свободного и связанного экситонов в напряженных пленках ZnTe, выращенных методом МПЭ на подложках GaAs (100) // ФТТ. 2000. Т. 42 Вып. 1. С. 246-251.

28. Козловский В.И., Крыса А.Б., Садофьев Ю.Г., Турьянский А.Г.

29. Эпитаксиальные слои ZnTe и квантовые ямы CdZnTe/ZnTe, выращенные МПЭ на подложках GaAs(lOO) с использованием твердофазной кристаллизации затравочного аморфного слоя ZnTe //ФТП. 1999. Т. 33. С. 810-814.

30. Kumazaki К., Iida F., Ohno К., Hatano К., Imai К. Lattice strain near interface of MBE-grown ZnTe on GaAs // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 285-289.

31. Hishida Y., Toda Т., Yamaguchi T. Characteristics of Li- and CL-doped ZnTe grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 396-399.

32. Wagner H P , Lankes S., Wolf K., Kuhn W., Link P., Gebhardt W. Spectroscopic investigations of donor and acceptor states in n- and p-doped ZnTe epilayers // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 303-308.

33. Taike A., Momose M., Kawata M., Gotoh J., Mochizuki K. Effect of N-doped ZnTe layers onZnSe/ZnTe graded superlattices//J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 714-717.

34. Losee D.L. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. P. 2204-2214.

35. Khan M.R.H., Saji M. Origin of deep levels in the depletion region of p-ZnTe/n -CdTe heterojunction determined by DLTS // J. Appl. Phys. 1985. V 57. P. 4668-4671.

36. Livingstone M., Galbraith I., Band structure and band offset in Zni,xCdxSe/ZnSe quantum wells // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P.542-545.

37. Guenaud C., Deleporte E., Filoramo A., Lelong Ph., Delalande C., Morhain C., Tournie E., Faurie J.P. Band offset determination of ZnixCdxSe/ZnSe interface // J. Cryst. Growth. 1998. V. 184/185. P. 839-843.

38. Дианов Е.М., Трубенко П.А., Филимонов Е.Э., Щербаков Е.А. Влияние термического отжига на люминесцентные свойства квантово-размерных структур на основе соединений ZnCdSe/ZnSe // ФТП. 1997. Т. 31. С. 232-234.

39. Максимов М.В., Крестников И.Л., Иванов С.В., Леденцов Н.Н., Сорокин С.В. Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах //ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 8. С.939-943.

40. Melnik N.N., Sadofyev Yu.G., Zavaritskaya T.N. Multiphonon relaxation in ZnSe/ZnCdSe superlattice // J. Crystal Growth. 2000. V. 214/215. P. 651-655.

41. Cingolani R., Prete P., Greco D., Giugno P. V., Lomascolo M., Rinaldi R., Calcagnile L., Vanzetti L., Sorba L., Franciosi A. Exciton spectroskopy in Zni.xCdxSe/ZnSe quantum wells // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 5176-5183.

42. Pellegrini V., Atanasov R., Tredicucci A., Beltram F., Amzulini C., Sorba L., Vanzetti L., Franciosi A. Excitonic properties of Zn i xCdxSe/ZnSe strained quantum wells // Phys. Rev. B. 1995. V. 51. P. 5171-5175.

43. Liaci F., Bigenwald P., Briot O., Gil В., Briot N., Cloitre Т., Aulombard R.L. Band offsets and exciton binding energies in ZnixCdxSe-ZnSe quantum wells grown by metal-organic vapor-phase epitaxy // Phys. Rev. В. 1995. V. 51. P. 4699-4702.

44. Pellegrini V., Tredicucci A., Beltram F., Vanzetti L., Lazzarino M., Franciosi A. Band-offset determination in ZnixCdxSe/ZnSe multiple quantum wells // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 498-501.

45. Lankes S., Reisinger Т., Hahn В., Meier C., Meier M., Gebhardt W. Composition dependent determination of band offsets in ZnCdSe/ZnSe and ZnSe/ZnSSe SQW by optical means // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 480-484.

46. Lozykowski H.J., Shastri V.K. Excitonic and Raman properties of ZnSe/ Znj.xCdxSe strained-layer quantum wells //J. Appl. Phys. 1991. V. 69. P. 3235-3242.

47. Young P.M., Runge E., Ziegler M., Ehrenreich H. Optical absorption and exciton linewidths ofZnbxCdxSe quantum wells //Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 7424-7431.

48. Mariette H., Dal1 bo F., Magnea N., Lentz G., Tuffigo H. Optical investigation of confinement and strain effects in CdTe/Cdi.xZnxTe // Phys. Rev. B. 1988. V. 38. P. 1244312448.

49. Kim T.W., Park H.L. Interband transition and electronic subband studies in CdTe/ZnTe strained single and double quantum wells grown by double-well temperature-gradient vapor deposition // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 467-470.

50. Due T.M., Hsu C, Faurie J P. Linearity (commutativity and transitivity) of valence-band discontinuity in heterojunctions with Te-based Il-VI semiconductors: CdTe, HgTe, and ZnTe // Phys. Rev. Lett. 1987. V. 58. P. 1127-1130.

51. Mathieu H., Allegre J., Chatt A., Lefebvre P., Faurie J.P. Band offsets and lattice-mismatch effects in strained-layer CdTe/ZnTe superlattices // Phys. Rev. В 1988. V. 38. P. 7740-7748.

52. Козловский В.И., Садофьев Ю.Г., Литвинов В.Г. Разрыв зон в структурах с одиночной квантовой ямой Zn j xCdxTe/ZnTe, выращенных на GaAs(lOO) эпитаксией из молекулярных пучков // ФТП. 2000. Т. 34. Вып. 8. С. 998-1003.

53. Kozlovsky V.I., Sadofyev Yu.G., Litvinov V.G. Deep level transient spectroscopy and cathodoluminescence of CdxZnt.xTe/ZnTe QW structures grown on GaAs(100) by MBE // J. Cryst. Growth. 2000. V. 214/215. P. 983-987.

54. Kozlovsky V.I., Sadofyev Yu.G., Litvinov V.G. Band alignment in ZnCdTe/ZnTe and ZnCdSe/ZnSe SQW structures grown on GaAs(lOO) by MBE // Nanotechnology. 2000. V.ll.P. 1-5.

55. Палатник Л.С., Сорокин B.K. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия. 1973. 296 с.

56. Yao Т., Zhu Z., Wu Y.H., Song C D., Nishiyama F., Kimura K., Kajiyama H., Miwa S., Yasuda T. Nitrogen doping and carrier compensation in p-ZnSe // J. Crystal Growth. 1996. V. 159. P. 214-220.

57. Ren W., Yang X. Deep centers in S+ implanted ZnSe // J. Crystal Growth. 1990. V. 101. P. 454-457.

58. Kosai K. Electron traps in ZnSe grown by liquid-phase epitaxy // J. Appl. Phys.1982. V. 53(2). P. 1018-1022.

59. Shirakawa Y., Kukimoto H. The electron trap associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSebx // Solid State Commun. 1980. V. 34. P.359-361.

60. Verity D., Bryant F.J., Scott C.G., Shaw D. DLTS investigation of some II-V1 compounds //J. Crystal Growth. 1982. V. 59. P. 234-239.

61. Haase M.A., Qiu J., DePuydt J.M., Cheng H. Blue-green laser diodes // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 1272-1276.

62. Nasibov A.S., Kozlovsky Y.I, Reznikov P.V., Skasyrsky Ya.K., Popov Yu.M. Full colour TV projector based on A2B6 electron-beam pumped semiconductor lasers // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 1040-1044.

63. Демиховский В.Я., Вугальтер ГА. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.: Логос. 2000. 248 с.

64. Силин А.П. Полупроводниковые сверхрешетки // Успехи физических наук. 1985. Т. 147. Вып. 3. С. 485-521.

65. Келдыш Л.В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла // ФТТ. 1962. Т. 4. Р. 2265-2267.

66. Шик А.Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 10. С. 1841-1864.

67. Johnston W.D. Coloumb interaction in semiconductor lasers // Phys. Rev. B. 1972. V. 6. P. 1455-1464.

68. Бондарь H.B., Тищенко В В., Бродин М С. Энергетическое состояние экситонов и спектры фотолюминесценции напряженных сверхрешеток ZnS-ZnSe // ФТП. 2000. Т.34. Вып. 5. С. 588-593.

69. Mathieu Н., Lefebvre P., Christol P. Simple analytical method for calculating exciton binding energies in semiconductor quantum wells // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 40924101.

70. Bassani F., Saminadayar K., Tatarenko S., Kheng K., Cox R.T., Magnea N., Grattepain C. Indium doping of CdTe layers and CdTe/Cdi.xZnxTe microstructures // J. Crystal Growth. 1992. V. 117. P. 391-395.

71. Gourgon C., Eriksson В., Dang L.S., Mariette H., Vieu C. Photoluminescence of CdTe/ZnTe semiconductor wires and dots // J. Crystal Growth. 1994. V. 138. P. 590-594.

72. Пингус С М., Стенин С И., Торопов А.И., Труханов Е.М. Морфологическаястабильность и механизмы роста гетероэпитаксиальных пленок. Препринт 5-86. Новосибирск. СО АН СССР. 1986. 34 с.

73. Александров Л.Н. Структура и свойства переходных слоев, образующихся в процессе эпитаксии // Обзоры по электронной технике. 1972. Сер. Полупроводниковые приборы. Вып. 10(47). 48 с.

74. Van der Merve J.H. Interfacial misfit and bonding between oriented films and their substrates // Single Crystal Films. McMilan. N.Y. 1964. P. 139-163.

75. Cibert J., Gobil Y., Le Si Dang, Tatarenko S., Feuillet G., Jouneau PH., Saminadayar K. Critical thikness in epitaxial CdTe/ZnTe // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 56. P. 292-294.

76. Pinardi K., Jain U., Jain S.C., Maes H.E., Van Overstraeten R., Willander M. Critical thickness and strain relaxation in lattice mismatched II—VI semiconductor layers // J. Appl. Phys. 1998. V.83. P. 4724-4733.

77. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: a new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. 1974. V. 45. P. 3023-3032.

78. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука. 1981. 176 с.

79. Денисов А.А., Лактюшкин В.Н., Садофьев Ю.Г. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней// Обзоры по электронной технике. 1985. Сер. 7. Вып. 15(1141). 52 с.

80. Кузнецов Н.И. Токовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (i-DLTS) //ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 10. С. 1674-1679.

81. Schmalz К., Yassievich I.N., Rucker Н., Grimmeis H.G. Characterization of Si/Sii. xGex/Si quantum wells by space-charge spectroscopy // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. P. 14287-14301.

82. Yoon S.F., Lui P.Y., Zheng H.Q. Characterization of Gao.52Ino.48P/GaAs single quantum well structures grown by solid source molecular beam epitaxy using deep level transient spectroscopy // J. Cryst. Growth. 2000. V. 212. P. 49-55.

83. Broniatowski A., Blosse A., Srivastava Р.С., Bourgoin J.C. Transient capacitancemeasurements on resistive samples // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 2907-2910.

84. Астрова E.B., Лебедев A.A., Лебедев A.A. Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 8. С. 1382-1385.

85. Антонова И.В., Шаймеев С.С. Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами // ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 5. С. 847-851.

86. Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами. Пер. с англ. / Под ред. У. Томпкинса, Д. Уэбстера. М.: Мир. 1992. 589 с.

87. Фогельсон И.Б. Транзисторные термодатчики. М.: Советское радио. 1972. 128с.

88. Куликовский К. Л., Купер В.Я. Методы и средства измерений. М.: Энергоатомиздат. 1986. 448 с.

89. Зайдель А Н. Ошибки измерений физических величин. Л.: Наука. 1974. 108 с.

90. Kim С.С., Chen Y.P., Sivananthan S., Tsen S.-C.Y., Smith D.J. Molecular beam epitaxial growth of ZnSe on GaAs substrates: influence of precursor on interface quality // J. Crystal Growth. 1997. V. 175/176. P. 613-618.

91. Fujita S., Yoshimura N., Wu Y.H., Fujita S. Surface reconstruction and stabilization in MOMBE of ZnSe revealed by in-situ monitoring // J. Crystal Growth. 1990. V. 101. P.78-80.

92. Садофьев Ю.Г. Особенности гетеродиффузии и свойства пленок германия на арсениде галлия, полученных эпитаксией из молекулярных пучков // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 10, Вып. 10. С.5-10.

93. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 5. С. 721-727.

94. Norris С.В. The origin of the 1.59 eV luminescence in ZnTe and nature of the postrange defects from implantation //J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 5172-5177.

95. Kozlovsky V.I., Sadofyev Yu.G. investigation of e-h pair compression in molecular beam epitaxy grown ZnCdSe/ZnSe multiquantum wells at volume excitation by electron // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. 18. P. 1538-1541.

96. Bastard G., Brum J.A. Electronic state in semiconductor heterostructures // IEEE J. Quantum Electronics. 1986. V. 22. P. 1625-1631.

97. Физические величины. Справочник/А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M.152

98. Братковский и др. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат. 1991.1232 с.

99. Katnani A.D., Margaritondo G. Microscopic study of semiconductor heterojunctions: Photoemission measurement of the valence-band discontinuity and of the potential barriers // Phys. Rev. B. 1983. V.28. P. 1944-1956.

100. Шарма Б.JI., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы: Пер. с англ. / Под ред. Ю.В. Гуляева. М.: Сов. Радио. 1979. 232 с.

101. Pollak F.K., Cardona М. Piezo-electroreflectence in Ge, GaAs and Si // Phys. Rev. B. 1968. V. 172. P. 816-820.

102. Van de Walle C.G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory//Phys. Rev. B. 1989. V. 39. P. 1871-1883.

103. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М.: Наука. 1974. 294 с.

104. ИЗ. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Новосибирск: Изд-во НГТУ. 2000. 332 с.