Ближнеполевая СВЧ - микроскопия и её использование для определения характеристик элементов твердотельной СВЧ электроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Фадеев, Алексей Владимирович

• Фадеев, Алексей Владимирович
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Фадеев, Алексей Владимирович

Содержание

Введение

Глава 1. Анализ современного состояния исследований полупроводниковых

СВЧ-приборов с использованием ближнеполевой СВЧ-микроскопии

Глава 2. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия анизотропных свойств

диэлектрических материалов

Глава 3. Ближнеполевой сверхвысокочастотный микроскоп на основе низкоразмерного резонатора

3.1. Резонансное устройство для ближнеполевого СВЧ-контроля параметров материалов

3.2. Низкоразмерный резонатор, перестраиваемый магнитным полем

Глава 4. Распределение ближнего поля в резонаторе для ближнеполевого СВЧ-микроскопа типа «металлический штырь с зазором - короткозамыкающий

поршень с выемкой»

Глава 5. Применение ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа для исследования распределения концентрации носителей заряда и электрического

поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна

Глава 6. Нелинейная динамика формирования пространственно-неоднородной

структуры в р-Ь-п диоде

Заключение

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ближнеполевая СВЧ - микроскопия и её использование для определения характеристик элементов твердотельной СВЧ электроники»

Введение

Актуальность

Процессы, происходящие в полупроводниковых приборах, в том числе активно использующихся в современной твердотельной СВЧ электронике, считаются известными и хорошо изученными. В то же время следует отметить, что массив экспериментальных данных, собранных в процессе исследования работы различных полупроводниковых приборов, был получен на оборудовании, не всегда соответствующем современному уровню. Характеристики известных, считающихся хорошо изученными, приборов не исследовались с использованием появляющихся новых методов измерений.

Одним из перспективных современных устройств, которое может быть использовано для более точного исследования характеристик приборов при изменении режима питания, уровня воздействующего сигнала, температуры и других факторов, является сканирующий ближнеполевой СВЧ-микроскоп. Основным его достоинством по сравнению с туннельным и атомно-силовым микроскопами является возможность определения параметров материала под поверхностью, достигаемая за счет проникновения СВЧ излучения в толщу измеряемой структуры.

В отличие от оптических микроскопов, ближнеполевые не ограничены дифракционным пределом, их разрешающая способность может на несколько порядков превосходить длину волны использующегося излучения. Данная возможность возникает за счет использования эффектов «ближнего поля», обусловленных образованием квазистационарных полей, быстро затухающих с расстоянием и локализующихся в малой (по сравнению с длиной волны основного типа, распространяющейся в электродинамической системе) окрестности излучающей системы. Располагая исследуемый объект в области существования этого поля, можно исследовать распределение его электрофизических свойств с разрешением, намного меньшим, чем длина волны используемого излучения.

К преимуществам данного типа микроскопа можно отнести отсутствие квантовых эффектов поглощения излучения исследуемой средой, прозрачность в СВЧ-диапазоне многих оптически непрозрачных веществ.

В связи с повышением требований к схемам высокоскоростного переключения, необходимо детальное исследование свойств материалов, функционирующих в диапазоне сверхвысоких частот. Наиболее предпочтителен для такого исследования именно ближнеполевой СВЧ-микроскоп, так как параметры материалов и структур определяются на тех же частотах, на которых они будут использованы.

В настоящее время существует большое число различных конструкций ближнеполевых СВЧ-микроскопов, которые отличаются по исполнению (волноводные, резонаторные) и назначению (для определения параметров материалов, для выявления подкожных новообразований). В зависимости от решаемой задачи используются микроскопы с различной величиной чувствительности и разрешающей способности.

Одним из важнейших элементов ближнеполевого СВЧ-микроскопа является резонатор с подключенным к нему зондом, именно он определяет основные характеристики микроскопа.

При исследовании параметров материалов наиболее подходящими являются резонаторы типа «штырь с зазором - короткозамыкающий поршень» и «индуктивная диафрагма - близко расположенная емкостная диафрагма», названные авторами [1,2] низкоразмерными, поскольку в них длина волны основного типа в 10 и более раз превосходит, по крайней мере, один из размеров системы. Свойства систем близкорасположенный штырь с зазором -короткозамыкающий поршень исследовались в работе [3], при этом было обнаружено, что в таких системах можно осуществлять эффективное управление параметрами резонансов [4].

В [5,6] было показано, что наилучшая локализация поля в резонаторе, а, следовательно, и селективность, возникает при использовании выемки в поршне. Это объясняется тем, что фронт ^-компоненты поля, возбуждаемого между

короткозамыкателем и штырем, не лежит только в поперечной плоскости волновода, как для волны основного типа. Существующее в резонаторе ближнее поле очень чувствительно к малым возмущением, что показано в работах [7-9], столь большая чувствительность позволяет с высокой точностью измерять характеристики структур различной топологии.

Наравне с экспериментальными совершенствуются и теоретические методы исследования, благодаря увеличению вычислительных мощностей современных ЭВМ задачи, решение которых раньше требовало нескольких дней, сейчас решаются за доли секунд. Помимо уменьшения времени счета современные ЭВМ дают возможность решать системы дифференциальных уравнений, описывающих физику работы элементов твердотельной СВЧ электроники, в частности таких, как р-ьп диоды и диоды Ганна, без использования различных упрощающих предположений, к которым можно отнести, например, фиксирование значений коэффициента диффузии электронов и дырок, а также их подвижностей.

Можно предположить, что совместное использование современных экспериментальных методов исследования и теоретическое решение задач без использования упрощающих предположений, позволит расширить представления о физических эффектах, нашедших свое практическое применение.

Осуществление такого рода исследований актуально для науки и практики в связи с тем, что установление новых закономерностей, в поведении характеристик питания рч-п диодов и диодов Ганна при изменении режима, позволит сформировать рекомендации разработчикам по улучшению основных характеристик приборов, в конструкции которых используются эти диоды.

Цель диссертационной работы состояла в поиске путей совершенствования характеристик ближнеполевого СВЧ-микроскопа и его использования для измерения материалов и приборов, применяемых в твердотельной СВЧ электронике.

Для достижения этой цели решались следующие задачи:

1. Теоретическое и экспериментальное исследование СВЧ резонаторов для ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа.

2. Создание ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа, предназначенного для исследования р-ьп диодов и диодов Ганна.

3. Теоретическое описание распределения концентрации носителей заряда, напряженности электрического поля в р-ьп диоде и диоде Ганна при изменении режима его питания.

4. Экспериментальное исследование нелинейной динамики изменения характеристик р-ьп диодов и диодов Ганна с изменением режима питания с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа.

5. Сопоставление теоретических и экспериментальных результатов.

Из формулировки задач, которые было необходимо решить для достижения поставленной цели диссертационного исследования, можно сделать вывод о том, что направление исследований находится на стыке научных дисциплин: радиофизики и твердотельной электроники, радиоэлектронных компонентов, микро- и наноэлектроники, приборов на квантовых эффектах. Для успешного решения этих задач возникает необходимость в использовании новых принципов создания СВЧ элементов ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа, совершенствования физической модели, используемой для описания распределения концентрации носителей заряда и электрического поля и установления взаимосвязи этих характеристик с измеряемым с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа распределением коэффициента отражения СВЧ излучения от р-ьп диода и диода Ганна.

Научная новизна работы:

1. Предложена методика локального определения концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля в р-ьп диодах для различной плотности протекающего через него тока, основанная на использовании результатов измерений зависимости коэффициента отражения от координаты с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа.

2. Реализован вычислительный алгоритм, позволяющий определить область максимальной локализации поля в низкоразмерном резонаторе, что

открывает возможность повышения чувствительности микроскопа путем оптимизации конструкции его зондирующей части.

3. Предложен и реализован резонатор для ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа, включающий емкостную металлическую диафрагму с наложенным на неё плоскопараллельным диэлектриком, на котором размещен металлический зонд с заостренным концом.

4. Показано, что при увеличении плотности тока через р-ьп диод выше некоторого критического значения наблюдается немонотонная зависимость концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля от координаты, имеющая для различных значений плотности тока различное число максимумов. Качественное совпадение результатов расчета и эксперимента получается при одновременном учете зависимости от напряженности электрического поля подвижности и коэффициента диффузии электронов и дырок.

5. Предложен новый способ определения анизотропии диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь СВЧ керамики. Достоинством предложенного метода является повышенная локальность измерения диэлектрических характеристик, определяемая расстоянием между зондами и составляющая ~1 мкм.

Защищаемые положения

1. Использование ближнеполевого СВЧ-микроскопа на основе системы «емкостная диафрагма - индуктивная диафрагма» позволяет производить неразрушающее определение анизотропии диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь диэлектрических материалов с высокой степенью локальности.

2. Координатная зависимость коэффициента отражения СВЧ излучения от поверхности полупроводниковой структуры в р-ьп диоде, получаемая с помощью ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа, может быть использована для локального определения напряженности электрического поля и

концентрации носителей заряда в р-ьп диодах для различных значений плотности тока.

3. При увеличении плотности тока через р-ьп диод выше некоторого критического значения наблюдается появление пространственных осцилляций, число которых увеличивается с увеличением плотности тока. Качественное совпадение результатов расчета и эксперимента получается при одновременном учете зависимости от напряженности электрического поля подвижности и коэффициента диффузии горячих электронов.

Практическая значимость.

Предложенная методика определения зависимости стационарного значения концентрации носителей заряда от плотности тока проходящего через р-1-п диод дает возможность расширить представления о физике работы р-ьп диодов, и позволяет разработчикам полупроводниковых устройств с использованием р-ьп диодов уточнить условия их эксплуатации.

Предложен новый способ неразрушающего определения анизотропии диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь СВЧ керамики с использованием сканирующего ближнеполевого СВЧ-микроскопа на основе системы «емкостная диафрагма - индуктивная диафрагма».

Предложен новый тип устройства ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа, содержащего СВЧ-генератор с подключенным к нему прямоугольным волноводом, имеющим емкостную металлическую диафрагму с наложенным на неё плоскопараллельным диэлектриком, на котором находится зонд в виде металлической проволоки с заостренным концом, один отрезок зонда расположен на диэлектрической пластине перпендикулярно щели в диафрагме, другой, с заостренным концом, перпендикулярен плоскости образца диэлектрика. На предложенную конструкцию получен патент на изобретение.

Достоверность результатов диссертации обеспечивается качественным и количественным соответствием выводов теории основным результатам, полученным экспериментально, строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью

вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям. Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с использованием стандартных методов.

Личный вклад автора выразился в проведении всего объема экспериментальных работ, в создании теоретических моделей, описывающих результаты экспериментов, проведении компьютерного моделирования и анализе полученных результатов.

Диссертационная работа представляет собой существенный вклад в решение проблемы разработки нового типа ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа, проблемы локального неразрушающего определения анизотропии диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь диэлектрических материалов и также измерении пространственного распределения характеристик полупроводниковых приборов СВЧ (р-ьп диодов и диодов Ганна).

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка литературы и приложений. Работа изложена на 106 страницах, содержит 38 рисунков, список литературы включает 104 наименования.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, содержится критический обзор современного состояния проблемы, сформулирована цель работы, приведена общая характеристика работы, включающая научную новизну, практическую значимость работы, основные положения, выносимые на защиту, кратко изложено содержание работы.

В главе 1 проведен критический анализ характеристик СВЧ-резонаторов, способов численного моделирования их параметров и возможностей их использования в составе ближнеполевых СВЧ-микроскопов, различных конструкций сканирующих ближнеполевых СВЧ-микроскопов и способов исследования параметров материалов и структур с их помощью, а также теоретических и экспериментальных работ, описывающих характеристики р-ьп диодов.

В главе 2 показана возможность применения сканирующего ближнеполевого СВЧ-микроскопа на основе системы «емкостная диафрагма -индуктивная диафрагма» для определения анизотропных свойств диэлектрических материалов. Приведены результаты исследования анизотропии диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в СВЧ керамике.

В главе 3 приведены описание, принцип действия и результаты, полученные с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа на основе системы из емкостной диафрагмы и близкорасположенного металлического зонда, не имеющего гальванического контакта с диафрагмой. Показано, что с помощью данного ближнеполевого СВЧ-микроскопа можно производить измерение величины диэлектрической проницаемости и проводимости материала с повышенной локальностью. Приведены результаты перестройки магнитным полем низкоразмерного резонатора на основе системы «два штыря - близко расположенный поршень».

В главе 4 приведены результаты численного и экспериментального определения параметров низкоразмерного резонатора на основе системы «металлический штырь с зазором - короткозамыкающий поршень с выемкой». Найдена область максимальной локализации поля в резонаторе, являющаяся оптимальным местом для размещения элемента связи зонда с резонатором.

В главе 5 приведены результаты численного и экспериментального исследования напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в объеме арсенид-галлиевого диода Ганна. Показана возможность наблюдения многодоменной структуры в более широком диапазоне плотностей тока через диод, чем это было получено ранее.

В главе 6 приведены результаты численного моделирования распределения напряженности электрического поля и концентрации носителей заряда в кремниевом р-ьп диоде. Показана принципиальная важность учета зависимости коэффициента диффузии основных носителей заряда от электрического поля при описании процессов, протекающих в р-ьп диодах. Результаты расчета

качественно согласуются с экспериментом, выполненным с использованием ближнеполевого СВЧ-микроскопа.

В заключении сформулированы основные результаты работы.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы доложены на:

1) 21-й Международной Крымской конференции «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2011), г. Севастополь, Украина, 11-16 Сентября 2011г.;

2) юбилейной научно-технической конференции, посвященной 55-летию ОАО «НПП «Контакт», г. Саратов, 19 февраля 2014 г.

3) Всероссийской научной школе-семинаре «Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и нанострукурами, метаматериалами и биообъектами», г. Саратов, 14-15 мая 2014 г.

4) 24-ой Международной Крымской конференции «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2011), г. Севастополь, 7-13 сентября 2014г.;

5) 12-й Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов», г. Нижний Новгород, 22-26 сентября 2014 г.;

Публикации

По материалам диссертации опубликовано: 8 научных работ, в том числе 2 статьи в изданиях, входящих в Перечень ВАК, 5 тезисов докладов на конференциях, получен патент на изобретение.

Исследования выполнялись в рамках НИР «Разработка на основе фотонных кристаллов СВЧ-методов контроля высокого разрешения параметров наноструктур и нанокомпозитов» на 2012-2014 годы, НИР «Исследование механизмов резонансного взаимодействия излучения СВЧ и терагерцового диапазона с неоднородными структурами, содержащими включения с управляемыми характеристиками в виде композитов» на 2012-2014 годы, НИР

«Разработка технологии формирования нанокомпозитов на основе диэлектрических матриц с включениями в виде углеродных нанотрубок с управляемыми характеристиками в СВЧ-диапазоне и создание сканирующего зондового ближнеполевого СВЧ-микроскопа, обеспечивающего локальное измерение СВЧ-характеристик нанокомпозитов», (Государственный контракт № 16.740.11.0512) в рамках федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы, НИР «Исследование эффектов резонансного взаимодействия электромагнитного излучения сверхвысокочастотного и терагерцового диапазонов с неоднородными микро- и наноструктурами и композитами».

Глава 1. Анализ современного состояния исследований полупроводниковых СВЧ-приборов с использованием ближнеполевой СВЧ-микроскопии

Большинство СВЧ методов измерения параметров материалов и структур дают возможность получить результат измерений, усредненный по размеру, сравнимому с длиной волны излучения. При использовании таких методов пространственное разрешение изменения характеристик материалов ограничивается несколькими миллиметрами. Следствием такого усреднения является то, что на результат измерения существенно влияет изменение параметров в сравнительно малой части исследуемого объекта, а при измерении параметров одного из слоев сложных структур могут влиять параметры прилегающих слоев.

От такого рода ограничений свободны микроскопы, работающие на эффекте ближнего поля. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия - это неразрушающий прямой метод исследования, позволяющий с высокой степенью локальности получать информацию о поверхностных и подповерхностных свойствах различных сред. Этот метод базируется на регистрации СВЧ-воздействия, локализованного в ближнем поле зонда. Это позволяет резко поднять пространственное разрешение и преодолеть дифракционный предел для данных частот [10-14].Такого рода микроскопы позволяют проводить количественные измерения с высоким разрешением. При этом данные микроскопы не имеют ограничений, связанных с частотой зондирующего поля. Результаты измерений с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа могут быть успешно использованы при изучении сверхпроводимости, эффектов, связанных с распространением спиновых волн, плазмонов, эффекта Джозефсона и т.д. Высокое разрешение ближнеполевых СВЧ-микроскопов позволяет при измерении локализовать области дефекта в интегральной микросхеме [15].

В настоящее время существует довольно большое число экспериментальных и теоретических работ, посвященных измерениям с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа. Основной проблемой, которую решают создатели ближнеполевых

СВЧ-микроскопов является повышение их чувствительности. К настоящему времени задачу описания взаимодействия ближнего поля с микрообъектами нельзя считать окончательно решенной.

Можно предположить, что чувствительность ближнеполевых СВЧ-микроскопов можно повысить, используя новые типы резонаторов, характеризующиеся повышенной селективностью, и новые конструкции зондирующей части микроскопа.

Ближнеполевые СВЧ-микроскопы могут создаваться как на основе резонансных, так и на основе волноводных нерезонансных систем. Во втором случае исследуемый образец размещается вблизи разомкнутого конца линии передачи. Источником информации о свойствах образца при этом является изменение коэффициента отражения или поглощения. В качестве такой линии связи чаще всего используются коаксиальная линия, волновод с резонансной щелью, микрополосковая линия или какая-либо другая. Подобные ближнеполевые СВЧ-микроскопы обладают низкой чувствительностью к изменению параметров исследуемой структуры.

Микроскоп, созданный на основе резонансной системы, имеет преимущество перед описанным выше, заключающееся в более высокой чувствительности и селективности присущей всем резонансным устройствам.

Авторами [16] в качестве источника ближнего поля была использована тонкая диафрагма, в которой было выполнено отверстие диаметром 3 мм, являющаяся составной частью открытого резонатора. При частоте генерации 10 ГГц было достигнуто четкое разрешение металлической решетки с характерным размером элемента 0.5 мм.

Открытый резонатор имел радиус кривизны 10 см. Для повышения точности измерения использовался режим модуляции резонансной частоты, который обеспечивался расположением исследуемого объекта на вибраторе, расположенном на координатном столике, который мог перемещаться по двум координатам х и у. Сигнал отклика детектировался, после чего он усиливался малошумящим усилителем и усилителем, настроенным на частоту модуляции.

Фазовый детектор получал продетектированый и усиленный сигнал отклика и эталонный сигнал от акустического модулятора. Авторами [16] было получено изображение букв, ширина которых составляла 2 мм, выполненных из тонких металлических пленок на диэлектрической подложке. С помощью этого же микроскопа удалось четко разрешить границу между двумя образцами диэлектриков с диэлектрической проницаемостью £¿=2.58 и £¿=2.24.

Ближнеполевая СВЧ-микроскопия находит свое применение при изучении поверхности диэлектрических и полупроводниковых структур и получения карт распределения диэлектрической проницаемости, выявления мелких дефектов и неоднородностей. Подобного рода диагностика хорошо зарекомендовала себя в области биологии и медицины. При изучении биологических объектов СВЧ-волны имеют преимущество перед волнами оптического и инфракрасного диапазонов благодаря сравнительно высокой проникающей способности (от нескольких миллиметров до дециметров). Поэтому появляется возможность изучения не только поверхностных, но и глубинных слоев. Эта особенность была применена авторами [17] для составления температурной карты биологических сред, данный микроскоп был назван авторами ближнеполевым локатором (БПЛ). В своей работе авторы исходили из предположения, что комплексная диэлектрическая проницаемость среды зависит от температуры. Для решения поставленной задачи температурной диагностики необходимо иметь разрешение порядка 1 см, а глубину зондирования не менее 5 см.

Зонд, служивший антенной БПЛ, имел малый по сравнению с длиной волны измерения размер апертуры. Повышения чувствительности устройства удалось добиться подключением антенны к волноводному входу рефлектометра через согласующий резонатор, при этом на резонансной частоте /о достигалось идеальное согласование Щ0) = 0, где Г - коэффициент отражения от входа антенны. Таким образом, по сдвигу частоты /0 можно судить о возмущении диэлектрической проницаемости е. Поскольку наибольшие изменения коэффициента отражения будут наблюдаться в области максимальной крутизны АЧХ зонда, БПЛ будет чувствителен к изменению диэлектрической

проницаемости £. При зондировании над злокачественными образованиями действительная и мнимая части е в несколько раз превышают окружающий их фон [18].

Авторами [19] был использован ближнеполевой СВЧ-микроскоп для раннего определения меланомы кожи. Измерительная система состояла из резонатора в виде отрезка коаксиальной линии с фторопластовым заполнением с диаметром внутреннего проводника 4 мм и внешнего - 6 см, на одном конце которого находилась зондирующая антенна, а на другом - магнитная рамка диаметром 0.5 см. Возбуждение резонатора и получение информационного сигнала происходило через петлю магнитной связи. В качестве измерительной емкости использовалась краевая емкость цилиндрического конденсатора, заполненного фторопластом. При измерении торец конденсатора вплотную подводился к исследуемой поверхности. В качестве информационного сигнала использовалась частотная зависимость коэффициента отражения. Добротность резонатора при этом была порядка 150.

Пространственное разрешение, достигаемое с помощью такого рода зондов, и низкая добротность резонатора, позволяют использовать ближнеполевой СВЧ-микроскоп, описанный авторами [17-19], только для изучения биологических объектов. Большие размеры зонда ограничивают использование микроскопа при исследовании объектов, имеющих сложную топологию.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Фадеев, Алексей Владимирович, 2014 год

Список литературы

1. Усаиов Д.А., Горбатов С.С., Сорокин А.Н. Частотные характеристики низкоразмерных волноводных систем типа «емкостная диафрагма -короткозамыкающий поршень» // Известия вузов. Радиоэлектроника. - 2008. -№5. - С.77-80.,

2. Электрическая перестройка частоты в высокодобротном низкоразмерном СВЧ резонаторе / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, А. Н. Сорокин, В. Ю. Кваско // Тезисы докладов 7-ой Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов». - г. Самара. - 2008г. -С. 238-239.

3. Усанов Д. А., Горбатов С. С. Резонансы в волноводной системе "штырь с зазором - близкорасположенный поршень // Изв. вузов. Радиоэлектроника. -2006. - Т. 49. - № 2. - С. 27-33.

4. Усанов Д. А., Горбатов С. С. Управляемый магнитным полем СВЧ-выключатель на p-i-n диодах // Приборы и техника эксперимента. - 2003. - № 1. -С. 72-73.

5. Низкоразмерный резонатор для ближнеполевого СВЧ-микроскона / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, В.Ю. Кваско, A.B. Фадеев // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. -2014. - Т. 17. - №1. - С. 41-44

6. Распределение поля в резонаторе ближнеполевого СВЧ-микроскопа / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, В.Ю. Кваско, A.B. Фадеев // Материалы Всерос. научной школы-семинара «Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами», г. Саратов, 14-15 мая 2014 г. : изд-во Саратовский источник, 2014, С 61-64

7. Магнитная перестройка частоты СВЧ генератора на диоде Ганна / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, A.A. Семенов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско // Известия вузов. Радиоэлектроника. - 2009. - Т. 52. - №3. - С.77-80.

8. Высокодобротный низкоразмерный резонатор с электрической перестройкой частоты / Д. А.Усанов, С.С. Горбатов, А. Н. Сорокин, В. Ю. Кваско // Известия вузов. Радиоэлектроника. - 2009. - Т. 52. - №9. - С.78-80.

9. Полупроводниковые СВЧ-генераторы с низкоразмерными резонаторами / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, А. Н. Сорокин, В. Ю. Кваско // Пленарные доклады 8-ой Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов» г. Санкт-Петербург - 2009. - Т. 12. - №3. - С. 69-77.

10. Усанов Д.А., Скрипаль A.B. Анизотропия свойств полупроводниковых структур с отрицательным сопротивлением, помещенных в магнитное поле // Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниковыми и полупроводниково-диэлектрическими структурами и проблемы, создания интегральных КВЧ схем. - Саратов: СГУ, 1985. Часть 2. - С.154-155.

11. Усанов Д.А., Скрипаль A.B. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных электрическом и магнитном полях // Изв.вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. - 1987. - Т.30. - № 5. - С.53-55.

12. Эффект невзаимного усиления СВЧ-колебаний полупроводниковыми структурами с междолинным переходом электронов / Д.А. Усанов, В.Н. Посадский, П.В. Буренин, С.С. Горбатов // Радиотехника и электроника. - 1978. -Т.23. - № 4. - С. 868-869.

13. Экспериментальное исследование широкополосного проходного усилителя трехсантиметрового диапазона на эффекте междолинного перехода электронов / Усанов Д.А., Посадский В.Н., Буренин П.В., Горбатов С.С. // Электронная техника, Сер. Электроника-СВЧ. - 1976. - Вып. 1. - С. 85-87.

14. Гончаров Б.А., Мамзелев И.А., Тузов В.М. Режимы работы генераторов на диодах Ганна при напряжениях питания, близких к пороговому напряжению образца // Радиоэлектроника. - 1980. - Т.35. - №12, - С. 44-47.

15. Эффекты ближнего поля в электродинамических системах с неоднородностями и их использование в технике СВЧ / Д.А, Усанов, С.С. Горбатов. - Саратов : Изд-во Саратовского университета, 2011. - 398 с.

16. Ash E.A., Nicholls G. Super-resolution Aperture Scanning Microdcope // Nature. - 1972. - V. 237.-P. 510-512.

17. Резник A. H., Юрасова H. В. Ближнеполевая СВЧ-томография биологических сред // ЖТФ. - 2004. - Т.74. - № 4. - С.108-117.

18. Резник А. Н., Юрасова Н. В. Обнаружение контрастных образований внутри биологических сред при помощи ближнеполевой СВЧ-диагностики // ЖТФ. -2006. - Т.76. - № 1. - С. 90-104.

19. Неинвазивная диагностика меланомы кожи методом ближнепольного СВЧ зондирования / Д.В. Янин, А.Г. Галка, А.В. Костров, А.И. Смирнов, А.В. Стриковский // 24-ая Международная Крымская конф. «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2014). Материалы конф. (Севастополь, 7-13 сент. 2014г.). Севастополь: Вебер, 2014 - С.1114-1115

20. Nozokido Т., Bae J., Mizuno К. Scanning near-field millimeter-wave microscopy using a metal slit as a scanning probe // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. - 2001. - V.49. - №3. - P.491-499.

21. Near-Field Microwave Microscopy of Material properties / S. M. Anlage, D. E. Steinhauer, B. J. Feenstra, C. P. Vlahacos, V. C. Welstood // Microwave Superconductivity. - Amsterdam. - 2001. - P.239-269.

22. Полетаев Д.А., Старостенко В.В., Шадрин А.А. СВЧ резонаторный измерительный преобразователь в диагностике полупроводниковых пластин // 24-ая Международная Крымская конф. «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2014). Материалы конф. (Севастополь, 7-13 сент. 2014г.). Севастополь: Вебер, 2014 - С.914-915.

23. Fee М., Chu S., Hansch T.W. Scanning electromagnetic transmission line microscope with sub-wavelength resolution // Opt. Commun. - 1989. - V. 69. - P. 219— 224.

24. Mircea D. I., Clinton T. W. Near-field microwave probe for local ferromagnetic resonance characterization // Applied physics letters. - 2007. - V.90. - P. 1-3.

25. Авторское свидетельство 1114979 СССР, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерений диэлектрической проницаемости материалов / Д.А. Усанов, А.Ю.

Вагарин, А.А. Безменов (СССР), № 3455902/18-21; Заявл. 22.06.82; Опуб. 07.08.84.; Бюл. № 35

26. Авторское свидетельство 1450602 СССР, МКИ G01 И 27/26. Устройство для измерения толщин / Д.А. Усанов, Б.Н. Коротин, В.Е. Орлов. (СССР), № 4163905/24-28; Заявл. 11.08.86.; Опуб. 07.08.88.; Бюл. №29.

27. Atomic resolution imaging at 2.5 GHz using near-field microwave Microscopy / J. Lee, C. J. Long, H. Yang, X.D. Xiang and I. Takeuchi // Appl. Phys. Lett. - 2010 -V.97. - P. 1-3.

28. Lann A. F., Golosovsky M., Davidov D. Combined millimeter-wave near-field microscope and capacitance distance control for the quantitative mapping of sheet resistance of conducting layers / // Applied physics letters. - 1998. - V.73. - P. 28322834.

29. Bryant C.A. Gunn J.B. Noncontact technique for the measurement of semiconductor resistivity//Rev. Sci. Instrum. - 1965. - V.36. - P. 1614-1617.

30. Near-field Scanning Microwave Microscope with 100 щп Resolution / C.P. Vlahacos, R.C. Black, S.M. Anlage, F.C. Welstood // Appl. Phys. - 1996. - №69. - P. 3272-3274.

31. Booth J.C., Wu D.H., Anlage S.M. A broadband method for the measurement of the surface impedance of thin films at microwave frequencies // Review of Scientific Instruments. - 1994. - № 65. - P. 2082-2090.

32. Surface Resistance Imaging with a Scanning Near-Field Microwave Microscope / D. E. Steinhauer, C. P. Vlahacos, S. K. Dutta, F. C. Wellstood, S. M. Anlage // Appl. Phys. - 1997. - №71. - P. 1736-1738.

33. Quantitative Imaging of Sheet Resistance with a Scanning Near-Field Microwave Microscope / D. E. Steinhauer, C. P. Vlahacos, S. K. Dutta, F. C. Wellstood, S. M. Anlage // Appl. Phys. - 1998. - №72. - P. 861-963.

34. Quantitative Topographic Imaging Using a Near-Field Scanning Microwave Microscope / C. P. Vlahacos, D. E. Steinhauer, S. K. Dutta, B. J. Feenstra, S. M. Anlage , F. C. Wellstood //Appl. Phys. - 1998. - №72. - P. 1778-1780.

35. Погребняк А.Д., Тюрин Ю.Н. Модификация свойств материалов и осаждение покрытий с помощью плазменных струй // УФН. - 2005. - Т. 175 - №5. - С. 515544.

36. Low-power near-field microwave applicator for localized heating of soft matter / A. Copty, F. Sakran, M. Golosovsky, D. Davidov, A. Frenkel // Applied physics letters, -2004.-V.84.-P. 5109-5111.

37. Near-field scanning microwave microscope using dielectric resonator: Pat. USA № US7,130,755B2 / Lee K.J., Kim J.Y., Yoo H.J, Yang J.I, Kim S.H.; Data of patent: Oct. 31, 2006; Prior Publ. Data: Nov. 3, 2005.

38. Усанов Д.А, Горбатов С.С. Резонансы в системе диафрагма -короткозамыкающий поршень // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2001. - Т.4. - №3. - С. 13-20.

39. Усанов Д. А, Горбатов С.С. Теоретическое описание резонансов на высших типах колебаний в полубесконечном волноводе с емкостной диафрагмой // Тезисы докладов и сообщений. 1-я Международная научно-техническая конференция "Физика и технические приложения волновых процессов". - г. Самара - 2001 г. -Т. 2.-С. 91.

40. Karmakar N.C, Mollah M.N. Investigations into nonuniform photonic-bandgap microstripline low-pass filters / // IEEE transactions on microwave theory and techniques.-2003.-V. 51.-№2.-P. 564-572.

41. Усанов Д.А, Горбатов С.С, Кваско В.Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа "индуктивная диафрагма - емкостная диафрагма" // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. -2010. - Вып.6. - С.66-69

42. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия структур метал л-диэлектрик / Д.А. Усанов, С.А. Никитов, А.В. Скрипаль, С.С. Горбатов, Д.В. Пономарев, А.П. Фролов, В.Ю. Кваско // Электронная техника, Сер. 1, СВЧ-техника, - 2012 - Вып. 3(514).-С.71-81.

43. Коцержинский Б.А. Аппроксимационные модели электродинамических систем твёрдотельных устройств мм-диапазона длин волн // Изв. ВУЗов радиоэлектроника. - 1983. - Т.26. - №10. - С.38-45.

44. Виненко В.Г., Лицов А.А., Усанов Д.А. Влияние высших типов колебаний на характеристики волноводных управляющих устройств на p-i-n - диодах // Радиотехника и электроника. - 1983. - Т.28. -№1. - С.201-203.

45. Параметрические генераторы и делители частоты. / А.Е. Каплан, Ю.А. Кравцов, В.А. Рылов. - М.: Сов. радио, - 1966. - 335с.

46. Лицов А.А., Усанов Д.А. Резонансное затухание СВЧ мощности в полубесконечном волноводе, содержащем индуктивный штырь с зазором // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. - 1986. - Т.29. - №3. - С.53-57.

47. White J.F. Simplified theory for post coupling Gunn Diodes to waveguide // IEEE Trans. - 1972. - V.MTT-20. - №6. - P. 372-378.

48. Вариационные методы для внутренних задач электродинамики / В.В. Никольский. - М.: Наука, 1967. - 460с.

49. Ближнеполевая сканирующая СВЧ-микроскопия и области ее применения / Усанов Д.А. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2010. - 100 с.

50. Near-field scanning microwave microscopy: measuring local microwave properties and electric field distribution / В. I. Feenstra, C. P. Vlahacos, A. S. Thanawalla, D. E. Steinhauer, S. K. Dutta, F. C. Wellstood, S. M. Anlage // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest. - 1998. - P.965-968.

51. Диодные генераторы и усилители СВЧ / Н.С. Давыдова, Ю.З. Данюшевский. -М.: Радио и связь, 1986. -184с.

52. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого СВЧ - микроскопа // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. - 2013. - Т.56. - № 11.- С.25-32.

53. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Нелинейная динамика формирование доменной структуры в арсенид-галлиевом диоде Ганна // Изв. ВУЗов. Прикладная нелинейная динамика. - 2013. - Т 21. - №5. - С.51-59.

54. Грибников З.С. Теория инжекции носителей тока в «длинных» диодах // ФТТ. - 1965.-Т. 7. -№1. - С. 251-257.

55. Токи двойной инжекции в полупроводниках. / Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю Лейдерман. - Под ред. Е. И. Гальперина. - М: Сов. радио, 1978.-320 с.

56. Карагеоргий-Алкалаев П.М, Шейнман А.В. Особенности пространственного распределения плотности неравновесной электронно-дырочной плазмы в возбуждаемом током полупроводнике // Изв. ФН УзССР. Сер. физ.мат. - 1976. -№6.-С. 37-43.

57. Schilling R. В, Lampert М. A. Plasmas Injected into Solids: Analytic Study of the Diffusion Corrections // Journal of Applied Physics. - V. 41. - № 4. - P. 1791-1798.

58. Lampert M.A, Rose A. Volume-Controlled, Two-Carrier Currents in Solids: The Injected Plasma Case // Phys. Rev. - 1961. - V. 121. - №1. - P. 26-37.

59. Mayer J.W, Baron R, Marsh O. Obserwation of double injection in long silicon p-i-n structures // Phys. Rev. - 1965. - V. 137. - № 1 A. - P.A286-A289.

60. Mayer J.W, Marsh O, Baron R. Double injection in semiconductors p-i-n structures // Journal of Applied Physics. - 1968. - V. 39. - № 3. - P.1447-1455.

61. Отклонение от нейтральности в слоистых полупроводниковых структурах в результате двойной инжекции / Л.И. Баранов, А.Ю. Вагарин, В.Б. Гаманюк, Д.А. Усанов // Проблемы диэлектрической электроники, Ташкент - 1974. - С. 499.

62. Грибников З.С. Пространственные осцилляции электрического поля и концентрации носителей заряда при биполярном дрейфе в полупроводнике // ФТП. - 1975. - Т.9. - №9. - С.1710-1716.

63. Грибников З.С. Вольтамперные характеристики полупроводникового диода в пределе больших токов // Радиотехника и электроника. - 1964. - Т. 9. - №1. - С. 163-171.

64. Измерение анизотропии диэлектрической проницаемости алюмооксидных материалов в сантиметровом диапазоне длин волн / А.В. Новиков, A.M. Морозов, О.И. Павлов, В.А. Березин // Электронная техника. Сер. 1 Электроника СВЧ. -1978.- №5.-С. 39-45.

65. Батура В.Г., Кривозубов Б.А., Моисеев В.К. Анизотропия эиэлектрической проницаемости подложек на основе А1203 // Электронная техника. Сер. 1 Электроника СВЧ.- 1980.-№ 1.- С. 102-105.

66. Пат. 2417379 РФ, МПК G01 R27/26. Резонансное ближнеполевое устройство для СВЧ-микроскопа / Д.А Усанов, С.С. Горбатов №2009142478/28; Заявл. 19.11.09.; Опубл. 27.04.11.; Бюл. № 12.

67. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в системе диафрагма-короткозамыкающий поршень // Известия ВУЗов. Радиофизика. 2001. - Т.44. -№12.-С. 1046-1049

68. Резонансы в полубесконечном волноводе с диафрагмой, связанные с возбуждением волн высших типов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, С.Б. Вениг, В.Е. Орлов // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26. - № 18. - С. 47-49.

69. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Управляемый магнитным полем СВЧ -выключатель на p-i-n диодах // ПТЭ. - 2003. - № 1. - С. 72-73.

70. Физика полупроводниковых радиочастотных и оптических автодинов / Д. А. Усанов, Ал.В. Скрипаль, Ан.В. Скрипаль.- Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2003.-312 с.

71. Усанов Д.А., Скрипаль Ан.В., Добдин С.Ю. Определение ускорения при микро- и наносмещениях по автодинному сигналу полупроводникового лазера на квантово-размерных структурах // Письма в ЖТФ. - 2010. -Т. 36. - Вып. 21. -С.78-84.

72. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ / М.Г. Малорацкий. - М.: Сов. радио, 1976.- 90 с.

73. 12. Справочник по электротехническим материалам: В 3-х томах / Под ред. Ю.В. Корицкого и др. - Т. 2 - М.: Энергоатомиздат, 1987. - 209 с.

74. Пат. 2529417 С1 РФ, МПК G01 R27/26. Резонансное устройство для ближнеполевого СВЧ-контроля параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, В.Ю. Кваско, A.B. Фадеев № 2013147833/07; Заявл. 25.10.2013.; Опубл. 27.09.2014.; Бюл. №27.

75. Резонансы в системе «штырь с зазором - близкорасположенный поршень» / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов // Радиотехника и электроника - 2008. - Т. 53. - №3. -С 311-315.

76. Низкоразмерный резонатор, настраиваемый магнитным полем / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, В.Ю. Кваско, А.В. Фадеев // 21-ая Международная Крымская конф. «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2011). Материалы конф. (Севастополь, 12-16 сент. 2011г.). Севастополь: Вебер, 2011 -С.674-675.

77. Усанов Д.А, Горбатов С.С. Электрически управляемые низкоразмерные СВЧ-резонаторы // Приложение к журналу «Физика волновых процессов и радиотехнические системы». Тез. докл. 5-ой межд. н.-т. конф. «Физика и технические приложения волновых процессов» (Самара, 11-17 сент. 2006 г.). Самара: Изд-во Поволжского государственного университета телекоммуникаций и информатики, 2006 - С.226.

78. Пат. 2373545 С1 РФ, МПК С01 1127/26. Устройство для измерения параметров материалов / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, А.Н. Сорокин, В.Ю. Кваско; № 2008122332/28; Заявл. 03.06.2008.; Опубл. 20.11.2009.; Бюл. № 32

79. Усанов Д.А, Горбатов С.С. Резонансы в системах диафрагма-короткозамыкающий поршень // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2001. -Т.4. - №3.-С. 13-20.

80. Усанов Д.А, Горбатов С.С. Электрически управляемый СВЧ-резонатор // ПТЭ. - 2006. - № 3. - С. 100-102.

81. Иванов С.А, Сестрорецкий Б.В, Боголюбов А.Н. Метод импедансного аналога электромагнитного пространства для решения начально-краевых задач электродинамики // Вычислительные методы и программирование. - 2008. - Т. 9. - С. 274-304.

82. Сестрорецкий Б.В. Возможности прямого численного решения краевых задач на основе метода импедансного аналога электромагнитного пространства (ИАЭП) // Вопросы радиоэлектроники. Серия «Общетехническая». - 1976. - Вып. 2. - С. 113-128.

83. Электродинамический анализ двумерных неоднородных сред и плазмы / К.Н. Климов, Б.В. Сестрорецкий, В.А. Вершков, C.B. Солдатов, Т.В. Камышев, В.А. Рученков. - М. : МАКС Пресс, 2005 г. - 322 с.

84. Анализ электромагнитных процессов на основе RLC и Rt сеток / Б.В. Сестрорецкий, A.C. Петров, С.А. Иванов, К.Н. Климов, С.А. Королев, C.B. Фастович. - М. : МГИЭМ, 2000 г. - 149 с.

85. Сестрорецкий Б.В., Кустов В.Ю. Эффективный алгоритм анализа плоских волноводных устройств // Вопросы радиоэлектроники. Серия «Общие вопросы радиоэлектроники». - 1988. - Вып. 2. - С. 3-16.

86. Сестрорецкий Б.В. Балансные RLC и Rt схемы элементарного объема пространства // Вопросы радиоэлектроники. Серия «Общие вопросы радиоэлектроники». - 1983. - Вып. 5. - С. 56-85.

87. Голиус А.Б., Сестрорецкий Б.В. Оценка методических ошибок при расчете плоских волноводных устройств методом ИАЭП // Вопросы радиоэлектроники. Серия «Общетехническая». - 1979. - Вып. 3. - С. 43-57.

88. Иванов С.А., Сестрорецкий Б.В., Боголюбов А.Н. Собственные волны в трехмерной импедансной потоковой Ят-сетке // Радиотехника и электроника. -

2009. - Т. 54. - № 7. - С. 785-795.

89. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия p-i-n диодов и диодов Ганна / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, В. Ю. Кваско, A.B. Фадеев // Тезисы докладов 12-ой Международной научно-технической конференции «Физика и технические приложения волновых процессов». - г. Нижний Новгород. - 2014. - С. 93-95.

90. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В. Ю. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп с низкоразмерным резонатором типа "индуктивная диафрагма - емкостная диафрагма" // Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. -

2010.-Вып.6,-С. 66-69.

91. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Скрипаль A.B. Особенности низкочастотной генерации в диодах Ганна // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1981. - Т 24. - №10. - С. 67-69.

92. Murayama К, Ohmi T. Static negative resistance in highly doped Gunn diodes and application to switching and amplification // Japan J. Appl. Phys. - 1973. - V.12. -№12. - P.1931-1940.

93. Электроны в полупроводниках. Вып.З. Диффузия горячих электронов / В. Барейкис. - Под ред. Ю. Пожелы. - Вильнюс: Мокслас, 1981. - 212 с.

94. Осцилляции пространственного распределения электрического поля и концентрации носителей заряда в полупроводниковой p-i-n структуре / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, В.Ю. Кваско, A.B. Фадеев, A.A. Калямин // 24-ая Международная Крымская конф. «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2014). Материалы конф. (Севастополь, 7-13 сент. 2014г.). Севастополь: Вебер, 2014 - С.145-146.

95. Пространственные осцилляции электрического поля и плотности заряда в кремниевом p-i-n диоде / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, В.Ю. Кваско, A.B. Фадеев, A.A. Калямин // Письма в ЖТФ. - 2014. - Т. 40. - Вып. 21- С. 104-110. Размещено по адресу: http://journals.ioffe.rU/pjtf72014/21/page-104.html.m

96. Нелинейная динамика формирования пространственно-неоднородной структуры в p-i-n диоде / Д.А. Усанов, С.С. Горбатов, В.Ю. Кваско, A.B. Фадеев // Изв. ВУЗов. Прикладная нелинейная динамика. - 2014. - Т 22. - №4. - С.98-107.

97. Баранов Л.И, Гаманюк В.Б, Усанов Д.А. К теории р-п-п+ и p-n-m диодов // Радиотехника и электроника. - 1972. -№11. - С. 2409-2413.

98. Толпыго К.Б, Заславская И.Г. Биполярная диффузия при значительных токах // ЖТФ. - 1955. - Т. 25. - № 6. - С. 955-977.

99. Baron R. Effect of diffusion on double injection in semiconductors // J. Appl. Phys. - 1968. - V. 39 - № 3. - P. 1435-1446.

100. Алмазов А.Б, Куликов E.B, Стафеев В.И. Исследование биполярного уравнения, описывающего распределение неравновесных носителей в полупроводниках // ФТП. - 1973. - Т. 7. - № 2. - С. 319-326.

101.Усмонов LLI.H, Саидов А.Н, Лейдерман А.Ю. Эффект инжекционного обеднения в р-п-гетероструктурах на основе твердых растворов (SÍ2)i-x-

y(Ge2)x(GaAs)y, (Si2),.x(CdS)x, (InSb),.x(Sn2)x, CdTe,.xSx / // ФТТ. - 2014. - T. 56. -Вып. 12.-С. 2319-2325.

102. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. / Э. Конуэлл. - Пер. с англ. А. Ф. Волкова и А. Я. Шульмана. - М.: Мир, 1970. -302 с.

103. Основы теории фотопроводимости / А. Роуз. - Пер. с англ. A.A. Рогачева и Р.Ю. Хансеварова. -М.: Мир, 1966. - 192 с.

104. Введение в теорию самоорганизации открытых систем / Д.И. Трубецков, Е.С. Мчедлова, JI.B. Красичков. - М.: Физматлит, 2005. - 212 с.