Полупроводниковые генераторы на низкоразмерных резонаторах с характеристиками, регулируемыми магнитными и электрическими полями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат физико-математических наук Сорокин, Алексей Николаевич

• Сорокин, Алексей Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сорокин, Алексей Николаевич

Введение.

Глава 1. Анализ современного состояния исследований полупроводниковых СВЧ-устройств на основе резонансных систем «штырь с зазором — короткозамыкатель».

1.1. Влияние постоянного магнитного поля на характеристики полупроводниковых СВЧ-генераторов.

1.2. Электрическая перестройка резонансных характеристик систем типа «штырь с зазором - короткозамыкатель» полупроводниковым диодом.

1.3. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия.

1.4. Исследования полупроводниковых низкоразмерных СВЧ-систем.

Глава 2. Исследование влияния стационарного магнитного поля на характеристики систем типа «штырь с зазором - близко расположенный короткозамыкатель».

2.1. Низкоразмерный СВЧ-генератор на диоде Ганна с магнитной перестройкой.

2.2. Управляемые магнитным полем резонансы в системе «штырь с зазором - близко расположенный короткозамыкатель».

Глава 3. Резонансные системы с повышенной кривизной частотных характеристик и их применение.

3.1. Резонансы в низкоразмерных электродинамических системах типа: «емкостная диафрагма - короткозамыкатель с выемкой» и «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой».

3.2. Резонаторы с повышенной кривизной частотных характеристик на основе систем «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой».

3.3. Подавление шумов лавинно-пролетного диода в низкоразмерной резонансной системе «металлический штырь — близко расположенный короткозамыкатель».

3.4 Низкоразмерный резонатор с повышенной кривизной частотных характеристик и электрической перестройкой по частоте.

3.5. Ближнеполевой СВЧ-микроскоп на основе низкоразмерного резонатора.

Глава 4. Теоретическое описание низкоразмерных электродинамических систем «емкостная диафрагма - близкорасположенный короткозамыкающий поршень».

4.1. Расчет характеристик резонансных систем «емкостная диафрагма — короткозамыкающий поршень» в многомодовом приближении.

4.2. Отражение СВЧ-излучения от низкоразмерного резонатора «емкостная диафрагма - короткозамыкающий поршень».

4.3. Результаты расчетов и измерений и их анализ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полупроводниковые генераторы на низкоразмерных резонаторах с характеристиками, регулируемыми магнитными и электрическими полями»

Актуальность

Область применения твердотельных СВЧ-устройств может быть существенно расширена при решении проблемы эффективного управления их частотными и амплитудными характеристиками. Возможность управления частотой полупроводниковых генераторов введением в них электрически управляемой полупроводниковой емкости хорошо изучена [1, 2]. Сравнительно хорошо изучена также возможность магнитной перестройки частоты СВЧ-генераторов введением в их схему ферритового элемента. Однако такого рода устройства обладают невысокой кривизной частотных характеристик в окрестности резонанса [3-5] и, в этой связи, малочувствительны к внешним воздействиям. Для повышения эффективности работы полупроводниковых СВЧ управляющих и измерительных устройств необходимо повышать кривизну частотных характеристик данных систем.

Возможности совершенствования параметров полупроводниковых СВЧ-устройств могут быть связаны как с изучением физических особенностей работы полупроводниковых структур в условиях воздействия СВЧ-излучения с целью их использования для повышения кривизны частотных характеристик СВЧ-устройств, так и с исследованием специфики взаимодействия СВЧ-колебаний и волн, связанной с электродинамическими системами, являющимися составными частями этих устройств. Отметим, что для теоретического моделирования ситуаций, характерных для указанных выше задач, необходимо решать сложную систему нелинейных дифференциальных уравнений, описывающих физические процессы, протекающие в полупроводниковых элементах при воздействии на них СВЧ-излучения, совместно с не менее сложной задачей по нахождению распределения поля в электродинамической системе, включающей в себя эти элементы. Решение этой задачи связано с достаточно высокими трудностями. Поэтому в большинстве случаев пользуются теми или иными упрощающими предположениями [3, 4, 6-19], к которым можно отнести использование при описании эквивалентной схемы полупроводникового элемента так называемого малосигнального, а при описании электродинамических систем — одномодового приближения.

Анализ исследований, посвященных особенностям волновых процессов в электродинамических системах, содержащих полупроводники, позволяет сделать вывод о том, что до настоящего времени в большинстве работ авторы ограничивались рассмотрением случаев одномодового распространения волны.

В то же время в работах [20-26], отмечалось, что вопреки предсказываемому в результате использования одномодовых представлений характеру взаимодействия СВЧ-излучения с полупроводниковыми структурами, могут наблюдаться качественно иные закономерности, связанные с существованием ближнего поля, обусловленного возбуждением волн высших типов.

Возбуждение волн высших типов в электродинамических системах, содержащих полупроводник, приводит к новым явлениям, описание которых с точки зрения "одномодовой" теории невозможно. В частности, в работах [35] показано, что возбуждением волн высших типов обусловлены эффекты смещения СВЧ-поля при воздействии внешнего постоянного магнитного поля на полупроводниковую пластину, расположенную в волноводе, и эффект невзаимного распространения волны в таком волноводе.

Немонотонный характер зависимости затухания в волноводе от положения, размеров и проводимости размещенного в нем полупроводникового образца, не характерный для одномодового режима распространения волны, объясняется в работах [22-24] тем, что при определенных условиях один из возбужденных высших типов волн распространяется с меньшим затуханием, чем волна основного типа.

Отметим, что в известной литературе исследованию возможности управления характеристиками систем, в которых существенную роль играют эффекты, связанные с существованием ближнего поля, электрическим или магнитным полем уделялось недостаточное внимание.

В литературе, посвященной многомодовому взаимодействию поля с неоднородностью, недостаточно развиты представления о процессе трансформации распределения суммарного поля при возбуждении волн высших типов, недостаточно исследованы случаи взаимодействия ближнего поля с полупроводниковыми структурами с регулируемой проводимостью, исследованы далеко не все особенности, связанные с возбуждением волн высших типов.

В тех немногочисленных работах, в которых рассматриваются ситуации, когда существенен учёт эффектов, связанных с ближним полем в системах, включающих полупроводниковые элементы, осталась не рассмотренной исчерпывающим образом возможность управления характеристиками таких систем, в частности, с помощью электрических и магнитных полей. В частности, не рассмотрены возможности повышения их чувствительности к внешним воздействиям при повышении кривизны частотных характеристик электродинамической системы.

К настоящему времени существует довольно большое число работ, посвященных проблемам ближнеполевой СВЧ-микроскопии [27-45]. По прежнему актуальна проблема повышения чувствительности ближнеполевых СВЧ-микроскопов. К числу нерешенных задач в этой области можно отнести, например, определение предела разрешающей способности, выяснение механизмов взаимодействия микрообъектов с ближним полем, влияния случайных возмущений на результаты измерений. Также не исследованы возможности повышения кривизны частотных характеристик резонансных систем, используемых в качестве измерительных элементов ближнеполевого микроскопа.

В связи с вышесказанным, представляет интерес развитие методов расчета ближнеполевых СВЧ-систем, в том числе систем с полупроводниковыми включениями, поиск путей улучшения характеристик при управлении этими системами с помощью электрических и магнитных полей, возможностей повышения кривизны частотных характеристик резонаторов и использование подобных систем для измерения параметров материалов.

Цель диссертационной работы состоит в увеличении чувствительности полупроводниковых СВЧ-устройств на основе низкоразмерных резонансных систем к внешним воздействиям: влиянию постоянного магнитного поля, электрического смещения и изменению физических параметров нагрузки.

Низкоразмерными называются такие электродинамические системы, в которых длина волны основного типа в 10 и более раз превосходит, по крайней мере, один из размеров системы [46, 47].

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Экспериментальное исследование характеристик низкоразмерных резонансных систем «штырь с зазором - короткозамыкатель», содержащих полупроводниковый элемент, при воздействии на полупроводниковый элемент электрического смещения или постоянного магнитного поля.

2. Разработка способа повышения кривизны частотных характеристик резонансных систем «штырь с зазором - короткозамыкатель».

3. Исследование возможности использования устройств на основе резонансных систем «штырь с зазором - короткозамыкатель с выемкой» для измерения электрических характеристик (диэлектрической проницаемости, проводимости) материалов.

4. Разработка алгоритма расчета амплитудно-частотных характеристик низкоразмерных резонансных систем типа «емкостная диафрагма -короткозамыкатель».

Научная новизна работы 1. Показана возможность расширения полосы частотной перестройки управляющим магнитным полем СВЧ-генератора на диоде Ганна на основе системы «штырь с зазором — короткозамыкатель».

2. Установлена возможность уменьшения шумов лавинно-пролетного диода, работающего в режиме СВЧ-генерации.

3. Экспериментально обоснована возможность повышения кривизны частотных характеристик низкоразмерного резонатора на основе системы «штырь с зазором - короткозамыкатель» при использовании короткозамыкателя с выемкой цилиндрической формы.

4. Показана возможность электрической перестройки частоты резонансной системы «штырь с зазором — короткозамыкающий поршень с выемкой» при использовании в качестве управляющего элемента полупроводникового диода.

5. Показана возможность использования устройств на основе резонансной системы «штырь с зазором - короткозамыкатель с выемкой» для измерения с повышенной локальностью электрических характеристик (диэлектрической проницаемости, проводимости) материалов.

6. Разработан алгоритм расчета коэффициента отражения и КСВН для систем типа «емкостная диафрагма - короткозамыкающий поршень» в широком диапазоне значений частоты, расстояний между поршнем и диафрагмой с использованием многомодового приближения.

Достоверность полученных теоретических результатов обеспечивается: достаточной строгостью используемых математических моделей; корректностью упрощающих допущений; сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям; выполнимостью предельных переходов к известным решениям; соответствием результатов расчета экспериментальным данным.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечена: применением современной стандартной измерительной аппаратуры; метрологической поверкой измерительного оборудования и методик измерения; обработкой экспериментальных данных с помощью современных методов с использованием ЭВМ; воспроизводимостью полученных результатов.

Практическая значимость

Создан генератор на диоде Ганна, работающий в трехсантиметровом диапазоне длин волн, на основе низкоразмерной системы «штырь с зазором -короткозамыкатель», позволяющий производить перестройку частоты изменением величины постоянного магнитного поля на 75Мгц.

На основе низкоразмерной системы «штырь с зазором — короткозамыкатель» реализован СВЧ-генератор на лавинно-пролетном диоде с пониженным уровнем шума.

Реализована резонансная система «штырь с зазором -короткозамыкатель с цилиндрической выемкой» с повышенной кривизной частотных характеристик с введенным в нее полупроводниковым диодом, позволяющая производить перестройку резонанса по частоте при изменении величины напряжения обратного смещения на диоде.

Разработан ближнеполевой СВЧ-микроскоп на основе низкоразмерной резонансной системы «штырь с зазором — короткозамыкатель с выемкой», предназначенный для измерения электрических характеристик (диэлектрической проницаемости, проводимости) материалов.

Предложен алгоритм, позволяющий рассчитывать частотные характеристики низкоразмерных систем типа «емкостная диафрагма -короткозамыкающий поршень», качественно согласующиеся с экспериментом в широком диапазоне значений частоты (8-12ГГц), расстояний между поршнем и диафрагмой и другими параметрами электродинамической системы.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Диапазон невзаимной магнитной перестройки частоты и изменения выходной мощности СВЧ-генераторов на диодах Ганна может быть существенно расширен (более чем в 10 раз) по сравнению с известными схемами, если в качестве резонатора использовать низкоразмерную систему «металлический штырь с зазором - близко расположенный короткозамыкатель»

2. В полупроводниковых СВЧ ЛПД-генераторах на основе низкоразмерных резонансных систем уровень шума может быть существенно уменьшен (не менее чем в 10 раз) регулировкой расстояния между штырем и короткозамыкателем.

3. Низкоразмерная система «металлический штырь - близко расположенный короткозамыкатель с цилиндрической выемкой» обладает высокой кривизной частотных характеристик в окрестности резонанса (более чем в 100 раз по сравнению с известными схемами), частоту которого можно электрически перестраивать изменением напряжения на помещенном в систему диоде.

4. Используя низкоразмерную резонансную систему в виде «штырь с зазором - короткозамыкатель с выемкой» с петлей связи, оканчивающейся зондом, выступающим за пределы волновода, возможно с повышенной локальностью (от Юмкм) измерять диэлектрическую проницаемость (1.5-^-400) и проводимость (2-10"2-Ч07 Om''-м"1) материалов на СВЧ.

5. Вариационная методика позволяет рассчитать частотные зависимости коэффициента отражения низкоразмерной системы «емкостная диафрагма -близко расположенный короткозамыкающий поршень» при выборе, в качестве базисной, системы собственных колебаний типа Hmnp для ТЕ- и ТМ-типов, где индексы изменяются в пределах m,n: 1^50 и более, р: 1-Н50 и более в широком диапазоне значений частоты, расстояний между поршнем и диафрагмой и другими параметрами электродинамической системы.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и приложений. Работа изложена на 109 страницах, содержит 29 рисунков, 2 таблицы, список литературы включает 112 наименований, общий объем работы - 117 страниц.

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Сорокин, Алексей Николаевич

Основные результаты и выводы, полученные в ходе выполнения диссертации, сводятся к следующему:

1. Показано, что использование низкоразмерной системы «металлический штырь с зазором — короткозамыкатель» в качестве резонатора, позволяет существенно расширить диапазон невзаимной магнитной перестройки частоты и изменения выходной мощности СВЧ-генераторов на диодах Ганна по сравнению с известными генераторами.

2. Установлено, что введение в схему СВЧ-генератора на ЛПД низкоразмерной резонансной системы «металлический штырь с зазором — короткозамыкатель» позволяет существенно снизить уровень шума генератора.

3. Установлено, что цилиндрическая выемка в близко расположенном к штырю с зазором короткозамыкателе приводит к существенному увеличению кривизны частотных характеристик, причем частотой резонанса можно электрически управлять изменением напряжения на помещенном в систему полупроводниковом диоде.

4. Использование низкоразмерной резонансной системы позволяет с повышенной локальностью измерять в широком диапазоне значений диэлектрическую проницаемость и проводимость материалов.

5. Установлено, что вариационная методика позволяет рассчитать частотные зависимости коэффициента отражения низкоразмерной системы «емкостная диафрагма - близко расположенный короткозамыкающий поршень».

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сорокин, Алексей Николаевич, 2009 год

1. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Управляемый магнитным полем СВЧ выключатель на p-i-n-диодах // ПТЭ, 2003. — №1. — С. 72-73.

2. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Электрически управляемый СВЧ-резонатор // ПТЭ, 2006. №3. - С. 100-102.

3. Усанов ДА., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях // Известия вузов. Радиоэлектроника. 1987. - Т.30. - №5. - С.53-55.

4. Усанов ДА., Горбатов С.С. Управляемые магнитным полем резонансы в СВЧ системах с полупроводниковыми диодами // Моделирование в прикладной электродинамике и электронике. Сбор, науч. тр. Вып.6. Изд. Сарат. Университета. 2005. - С.50-54.

5. Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Шур М.С. Эффект Ганна / Под. ред. С.М. Рывкина. М.: Сов. радио, 1975. - 288с.

6. Levinstein М.Е., Nasledov D.N., Shur M.S. Magnetic field influence of the Gunn effect // Phys. Stat. Sol. 1969. - V.33. - №2 - P.897-903.

7. Boardman A.D., Fawcett W., Ruch J.G. Monte-Carlo determination of hot electron galvanomagnetic effects in gallium arsenide // Phys. Stat. Sol. (a). -1971. V.4. - №1. -P.133-141.

8. Heinle W. Influence of magnetic field on the Gunn effect characteristic of GaAs // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. -V.2. - №1. - P.l 15-121.

9. Горфинкель В.Б., Левинштейн М.Е., Машовец Д.В. Влияние сильного поперечного магнитного поля на эффект Ганна // ФТП. 1979.- Т.13. Вып.З. - С. 563-569.

10. Андронов А.А., Валов В.А., Козлов В.А., Мазов JLC. Значительное уменьшение порогового поля эффекта Ганна в сильном магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 1980. - Т.372. - Вып. 11. - С.628-632.

11. Ishii Т., Koryn P. Theoretical model of magnetic effect on the Gunn diode // Proc. IEEE. 1983. - V.71. - № 1. - P. 180-181.

12. Жаворонков В.И., Эткин B.C. Исследование влияния магнитного поля на генерацию СВЧ колебаний при эффекте Ганна // Радиотехника и электроника. - 1975. - Т.20. -№11.- С.2416-2417.

13. Воробьев В.Н. Влияние магнитного поля на ширину динамических вольт-амперных характеристик диодов Ганна // Радиотехника и электроника. 1972.-Т.17. - №5.-С.1046-1050.

14. Воробьев В.Н., Дранников Г.Р. К исследованию низкочастотных колебаний при эффекте Ганна в магнитном поле // Радиотехника и электроника. 1972.-Т.17. - №5.-С.1100-1103.

15. Perlman B.S., Upadhyayula C.L., Siekanowicz W.W. Microwave properties and applications of negative conductance transferred electron devices // Proc. IEEE. 1971. - V.59. - P. 1229-1237.

16. Sterzer F. Transferred electron (Gunn) amplifiers and oscillators microwave applications // Proc. IEEE. 1971. - V.59. - №8. - P. 1155-1163.

17. Тагер A.C., Канцеров М.Ю. Зависимость амплитудных характеристик регенеративного СВЧ-усилителя от нелинейных свойств активного элемента // Радиотехника и электроника. — 1976. — Т.21. №2.1. С.350-356.

18. Канцеров М.Ю., Тагер А.С. Влияние нелинейных свойств активного элемента на амплитудно-частотные характеристики регенеративногоусилителя // Радиотехника и электроника. 1977. - Т.22. - №5. - С.988-994.

19. Лицов А.А., Усанов Д.А. Резонансное затухание СВЧ мощности в полубесконечном волноводе, содержащем индуктивный штырь с зазором // Изв. ВУЗов Радиоэлектроника. 1986. - Т.29. - №3. - С.53-57.

20. Усанов Д. А., Горбатов С. С., Вениг С. Б., Орлов В. Е. Резонансы в полубесконечном волноводе с диафрагмой, связанные с возбуждением волн высших типов // Письма в ЖТФ. 2000. - Т.26. - Вып. 18. - С.47-49.

21. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в волноводной системе «штырь с зазором близкорасположенный поршень» // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 2006. - Т.49. - №2. - С.27 - 33.

22. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в системах диафрагма — короткозамыкающий поршень // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2001. Т.4. - №3. — С. 13-20.

23. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Резонансы в системе диафрагма -короткозамыкающий поршень // Изв. вузов. Радиофизика. — 2001. — Т.34. №12. - С.1046-1049.

24. Лицов А.А., Усанов Д.А., Безручко Б.П., Вагарин А.Ю. Влияние высших типов колебаний на частоту перестраиваемого поршнем волноводного генератора Ганна // Радиотехника и электроника. — 1984. — Т.29. №10. - С.2057 - 2058.

25. Виненко В.Г., Лицов А.А., Усанов Д.А. Влияние высших типов колебаний на характеристики волноводных управляющих устройств на p-i-n диодах // Радиотехника и электроника. — 1983. — Т.28. - №1. — С.201-203.

26. Усанов Д.А. СВЧ микроскопия и области ее применения // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2007. - Т. 10 — №3. — С.80-84.

27. Anlage S.M., Steinhauer D.E., Feenstra B.J., Vlahacos C.P., Welstood V.C. Near-Field Microwave Microscopy of Material properties // Microwave Superconductivity. Amsterdam. - 2001. - P.23 9-269.

28. Imtiaz A., Anlage S. A novel Microwave Frequeny Scanning Capacitance Microscope // Ultramicroscopy. 2003. - V.94 - Issues 3-4. - P.209-216.

29. Dutta S.K., Vlahacos C.P., Steinhauer D.E., Thanawalla A.S., Feenstra B.I., Wellstood F.C., Anlage S.M., Newman H.S. Imaging microwave electric fields using a near-field scanning mivrowave microscope // Appl. Phys. Lett.- 1999-V.74.-P.156-158.

30. Резник A.H., Юрасова H.B. Ближнеполевая СВИ томография биологических сред // Журнал технической физики. — 2004. Т.74. — №4.- С.108-117.

31. Norokido Т., Вас I., Mirumo К. Scanning near-field millimeter-wave microscopy using a metal hit as a scanning probe // IEEE Trans. On microwave theory and techniques. 2001. - V.49. — №3. - P.491-499.

32. Gobovsky M., Galkin A., Davidov D. High spatial resolution resistivity mapping of large area YBCO films by a near-field millimeter-wave microscope // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques. 1996. — V.44. - №7. - P. 1390-1392.

33. Усанов Д.А., Вагарин А.Ю., Безменов А.А. Устройство для измерения диэлектрической проницаемости материалов. Авторское свидетельство СССР № 1114979. Опубл. 07.08.84. Бюл. 35. Приоритет 22.06.82.

34. Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е. Устройство для измерения толщин. Авторское свидетельство СССР № 1450602. Опубл. 07.08.88. Бюл. 29. Приоритет 11.08.86.

35. Усанов Д.А., Лицов А.А. Устройство для измерения параметров матеиалов. Авторское свидетельство СССР № 1493939. Опубл. 15.07.89. Бюл.26. Приоритет 26.10.87.

36. Усанов Д.А., Лицов А.А., Феклистов В.Б., Тупикин В.Д., Вагарин А.Ю. Устройство для измерения параметров материалов. Авторское свидетельство СССР № 788039. Опубл. 07.02.91. Бюл.5. Приоритет 16.03.89.

37. Black R.C., Wellstood F.C., Dantsker Е., Miklich А.Н., Kingston J.J., Nemeth D.T., Clarke J. Eddy current microscopy using a 77-K superconducting sensor // Appl. Phys. Lett. 1994. - V.66. - P. 100-102.

38. Imtiaz A.M., Anlage S.M. Effect of tip-geometry on contrast and spatial-resolution of the near-field microwave microscope // Journ. of Appl. Physics. 2006. - V.100. - P.4 044304- 044304-8.

39. Dutta S.K., Vlahacos C.P., Steinhauer D.E., Thanawalla A.S., Feenstra B.J., Wellstood F.C., Anlage S.M. Imaging microwave electric field using a near-field scanning microwave microscope // Appl. Phys. Lett. — 1999. — V.74. P.156-158.

40. Lai K., Kundhikanjanna W., Kelly M., Shen Z.X. Modeling of a cantilever-based near-field scanning microwave microscope // Rev. Sci. Instrum. 2008. - V.79. - P.063703

41. Горбатов C.C., Сорокин A.H., Усанов Д.А. Частотные характеристики низкоразмерных волноводных систем типа «емкостная диафрагма короткозамыкающий поршень» // Известия вузов. Радиоэлектроника. - 2008. - №5. - С.77-80.

42. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Управляемые магнитным полем резонансы в системе «штырь с зазором близко расположенный поршень» // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т.53. - №3. - с.311-315.

43. Усанов Д.А., Горбатов С.С. Управляемое магнитным полем пропускание света системой из металлических диафрагм с отверстиями, разделенного тонким слоем диэлектрика// Письма в ЖТФ. — 2004. Т.ЗО. - №14. — С.25-28.

44. Горбатов С.С., Семенов А.А., Усанов Д.А., Сорокин А.Н., Кваско В.Ю. Магнитная перестройка частоты СВЧ генератора на диоде Ганна // Известия вузов. Радиоэлектроника. — 2009. — №3. С.77-80.

45. Усанов Д. А., Горбатов С. С. Волноводный измерительный резонатор // Радиоэлектроника. 2002. - №9. - С.26-28.

46. Тагер А.С., Вальд-Перлов В.М. Лавинно-пр о летные диоды и их применение в технике СВЧ. — М.: Сов. радио, 1975. 480с.

47. Усанов Д.А. Возможные направления совершенствования параметров устройств полупроводниковой СВЧ-электроники // Радиотехника. 1999. - №4. - С.96-99.

48. Tsai W., Rosenbaum F.J., MacKenzie L.A. Circuit analysis of waveguide cavity Gunn-Effect oscillator // IEEE Trans. - 1970. - v.MTT-18. -№11.-P. 808-817.

49. Эйзенхарт P., Кан P. Теоретическое и экспериментальное исследование держателя СВЧ элемента в волноводе // Зарубежная радиоэлектроника. - 1970. - №8. — С. 102-125.

50. Каплан А.Е., Кравцов Ю.А., Рылов В. А. Параметрические генераторы и делители частоты. М.: Сов. радио, 1966. — 335с.

51. White J.F. Simplified theory for post coupling Gunn Diodes to waveguide II IEEE Trans. 1972. - v.MTT-20. - №6. - P. 372-378.

52. Kramer N.B. Characterization and modeling of IMP ATT oscillators// IEEE Trans. 1968. - v.ED-15. - №11. - P. 838-846.

53. Ямашита E., Бейярд Д.Р. Теория генератора на туннельном диоде в СВЧ-элементе // ТИИЭР. 1966. - Т.54. - №4. - С.177-183.

54. Getsinger W.J. The packaged and mounted diode as a microwave circuit // IEEE Trans. 1966. - v.MTT-14. - №2. - P.58-69.

55. Iperen van B.B. Impedance relation in a diode waveguide mount // IEEE Trans. 1968. - v.MTT-16. - № 11. - P.961 -963.

56. Johnson K.M. Broad band cavity - type parametric amplifier design // IRE Trans. - 1961. - v.MTT-9. - №2. - P. 187-194.

57. Баррас Ч.А. Точечные и плоскостные диоды миллиметрового диапазона // ТИИЭР. 1966. - Т.54. - №4. - С. 143-156.

58. Howes M.J. Circuit consideration in the design of wide-band tunable transferred electron oscillators // IEEE Trans. - 1970. - v.ED-17. - №12. -P. 1060-1067.

59. Jethva C.P., Qunshor R.L. An analysis equivalent circuit representation for waveguide mounted Gunn oscillator // IEEE Trans. - 1972. - v.MTT-20.-№9.-P. 565-572.

60. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ / Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана. Пер. с англ. под. ред. B.C. Эткина. М.: Мир, 1979. - 444с.

61. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Г. Уоткинса. Пер. с англ. под ред. B.C. Эткина. -М.: Мир, 1972. 662с.

62. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия / Пер. с англ.-М.: Мир, 1991.-632с.

63. Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение / Под ред. В.И. Стафеева. М.: Мир, 1968. - 376с.

64. Дзехцер Г.Б., Орлов О.С. p-i-n-диоды в широкополосных устройствах СВЧ. М.: Сов. радио, 1970. - 200с.

65. Тагер А.С. Некоторые тенденции развития полупроводниковых приборов СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1977. - Вып. 11.-С.21-39.

66. Тагер А.С. Перспективные направления полупроводниковой электроники СВЧ // Литовский физич. сб. 1981. - №4. - С.23-44.

67. Кальфа А.А., Тагер А.С., Темнов A.M. Полупроводниковые приборы СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 1993. - Вып.1. -С.34-45.

68. Brown E.R., Sollner T.C.L.G., Goodhue W.D., Parker C.D. Millimeter-band oscillations based on resonant-tunneling in a double-barier diode at room temperature // Appl. Phys. Lett. 1987. - V.50. - P.83-85.

69. Лебедев И.В. Нелинейные свойства и характеристики СВЧ p-i-n-диодов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1979. - Т.22. - №10. - С. 17-26.

70. Полупроводниковые приборы СВЧ / Пер. с англ. под Ф. Бренда. -М.: Мир, 1972.- 146с.

71. Dean М., Howes M.J. An electronically tuned Gunn oscillator circuit // IEEE Trans. 1973. - v.ED-20. - №6. - P. 597-598.

72. Dean M., Howes M.J. Electronic tuned of stable transferred electron oscillator // IEEE Trans. 1974. - v.ED-21. - №9. - P. 563-570.

73. Joshi J.S., Cornick J.A.F. Analysis of a waveguide mounting configuration for electronically tuned transferred electron-devices oscillator and its circuit application // IEEE Trans. - 1976. - v.MTT-24. - №9. - P. 573584.

74. Irvin J.C., Swan C.B. A composite varactor for simultaneous high power and high efficiency harmonic generator // IEEE Trans. 1966. - v.ED-13. -№5.-P. 466-471.

75. Genner R. Phase shifter in waveguide at С band using two diodes // Electron. Lett. 1971. - V.7. - №16. - P. 474-475.

76. Dean M., Howes M.J. J-Band transferred electron oscillators // IEEE Trans. - 1973. - v.MTT-21. - №3. - P. 121 -127.

77. Курокава К., Могалхес Ф.М. 10-W генератор на ЛПД Х-диапазона, использующий метод сложения мощностей // ТИИЭР. 1971. - Т.59. -№1. -С.109-110.

78. Kurokawa К. The single cavity multiple - device oscillator// IEEE Trans. - 1971. - v.MTT-19. - №10. - P. 793-801.

79. Ferdo I. Single state, multi - diode amplifier design and performance // Microwave Jornal. - 1974. - v. 17, №2. pp. 52-56.

80. Hanson D.C., Rowe J.E. Microwave circuit Characteristics of Bulk GaAs Oscillators// IEEE Trans. 1967. - v.ED-14. - №9. - P. 469-476.

81. Clemetson W.J., Kenyon N.D., Kurokawa K., Owen В., Schlosser W.O. An experimental mm Wave path length modulator // The Bell System Tech. Journal. - 1971.-V.50. -№9.-P. 2917-2945.

82. Бауэр Р., Кон Ж., Коттон Дж., Паккард Р.Ф. Полупроводниковые диодные детекторы, смесители и умножители частоты миллиметрового диапазона//ТИИЭР. 1966. -Т.54. - №4. - С. 165-176.

83. Eisenhart R.L. // IEEE MTT-S. Int. Microwave Sump., Cheny Hill, N.S. - 1976. -P.60.

84. Eisenhart R.L., Grelling P.T., Roberts L.K., Robertson R.S. A useful equivalent for a coaxial waveguide junction // IEEE Trans. — 1978. -v.MTT-26. - №3. - P. 172-174.

85. Швингер Ю. Неоднородности в волноводах// Зарубежная радиоэлектроника. — 1970. №3. — С.3-106.

86. Chang К., Khan P. J. Analysis of a narrow capacitive strip in waveguide // IEEE Trans. 1974. - v.MTT-22. - №5. -P. 536-541.

87. Collin R.E. Foundation for Microwave Engineering: 2 Band. New Jork-London: McGraw- Hill. - 1966. -B.l. P.589; B.2. P.362.

88. Левин JI. Теория волноводов: Методы решения волноводных задач Пер. с англ./Под ред. В.И.Вольмана. — М.: Радио и связь,1981. — 312с.

89. Левин Л. Современная теория волноводов. М.: ИЛ, 1954. - 216с.

90. Mizushina S., Kuwabara N., Kondoh H. Theoretical analysis of a ridged — waveguide mounting structure // IEEE Trans. 1977. - v.MTT-25. - №12. -P. 1131-1134.

91. Montgomery J.P. On the complete eigenvalue solution of ridged waveguide // IEEE Trans. 1971. - v.MTT-19. - №6. - P. 547-555.

92. El-Sayed O.L. Impedance characterization of a two post mounting structure for varactor - tuned Gunn oscillators // IEEE Trans. - 1974. -v.MTT-22. - №8. - P. 769-776.

93. El-Sayed O.L. Generalized analysis of parallel two-post mounting structures in waveguide // IEEE Trans. 1977. - v.MTT-25. - №1. - P. 24-33.

94. Joshi J.S., Cornick J.A.F. Analysis of waveguide post configurations: part 1 Gap Immittance Matrices // IEEE Trans. - 1977. - v.MTT-25. - №3. -P. 169-173.

95. Хайнс M. E. Основные ограничения в ВЧ переключателях на полупроводниковых диодах // ТИИЭР. -1964.-№11.- С. 1491-1494.

96. Владимиров Ю.К., Сестрорецкий Б.В., Синьков Ю.А. Полупроводниковые ограничители мощности СВЧ // Вопросы радиоэлектроники, сер. 12. 1962. - Вып.9. - С.58-75.

97. Garver R.V. Microwave semiconductors control devices // IEEE Trans. 1979. V.MTT-27. - №5. - P.523-529.

98. Коцержинский Б. А. Аппроксимационные модели электродинамических систем твёрдотельных устройств мм-диапазона длин волн// Изв. ВУЗов радиоэлектроника. 1983. — Т.26. - №10. - С.38-45.

99. Никольский В.В. Вариационные методы для внутренних задач электродинамики. — М.: Наука, 1967. — 460с.

100. Пореш С.Б., Тагер А.С., Кальфа А. А. Математическое моделирование и анализ на ЭВМ высокочастотных характеристик диодов Ганна // Электронная техника. Сер.1 Электроника СВЧ. 1976. -Вып. 10. — С. 19-31.

101. Славутский JI.A. Основы регистрации данных и планирование эксперимента. Учебное пособие: Изд во ЧТУ, Чебоксары, 2006. - 200с.

102. Ахманов С. А., Дьяков Ю.Е., Чиркин А.С. Введение в статистическую радиофизику и оптику. М.: Наука, 1981. — 640с.

103. Куликовский К.Р., Купер В.Я. Методы и средства измерений. М.: Энергоатомиздат, 1986. - 448с.

104. Дмитриенко Г.В. Способ измерения комплексной диэлектрической проницаемости низкоимпедансных композиционных материалов на СВЧ. Патент на изобретение РФ №2234103, МПК G01R 27/26. Опубл. 10.08.2004. Приоритет 12.05.2003.