Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Фирсов, Дмитрий Анатольевич

• Фирсов, Дмитрий Анатольевич
• доктор физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Фирсов, Дмитрий Анатольевич

Введение

Глава 1. Поглощение и преломление света свободными горячими электронами и дырками в объемных полупроводниках

1.1. Введение

1.2. Межподзонные оптические переходы теплых дырок. Функция распределения теплых дырок в германии. Малоинерционные модуляторы ИК излучения

1.2.1. Состояние проблемы

1.2.2. Эксперимент

1.2.3. Расчет функции распределения

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда»

2.2. Генерация излучения дальнего ИК диапазона в р-Ое в конфигурациях полей

Фойгта и Фарадея 77

2.2.1. Физические принципы возникновения межподзонной инверсии населенности дырок в германии 77

2.2.2. Генерация излучения при различных температурах 81

2.2.3. Усиление длинноволнового ИК излучения горячими дырками в скрещенных электрическом и магнитном полях при различных температурах 84

2.2.4. Спектры излучения 94

2.2.5. Экспериментальные исследования коэффициента усиления 101

2.3. Селекция мод в лазере на горячих дырках. Узкополосный режим генерации 108

2.3.1. Описание известных методов селекции мод в лазере на горячих дырках 108

2.3.2 Узкополосный лазер с поглощающим селектирующим элементом 110

2.3.3. Селекция мод лазера с помощью наклонного интерферометра Фабри-Перо 114

2.3.4. Узкополосный лазер с перестройкой длины волны излучения 123

2.4. Применение узкополосного лазера для исследования полупроводников 124

2.4.1. Исследование циклотронного резонанса в и-1п8Ь 125

2.4.2. Исследование электрического пробоя примеси 127

2.5. Основные научные результаты и положения, выносимые на защиту 131 ГлаваЗ. Оптические свойства квантово-размерных структур, связанные с внутризонными переходами равновесных и горячих носителей заряда 133

3.1. Введение 133

3.2. Краткая теория оптических внутризонных переходов 134

3.2.1. Межподзонные оптические переходы 137

3.2.2. Внутриподзонные оптические переходы 139

3.3. Межподзонные переходы горячих электронов в простых прямоугольных квантовых ямах 141

3.3.1. Поглощение и двулучепреломление света в продольном электрическом поле в селективно легированных структурах с множественными прямоугольными квантовыми ямами 141

3.3.2. Влияние непараболичности и обменных поправок 156

3.3.3. Фотоионизация квантовых ям p-Ge/GeSi в условиях разогрева дырок 164

3.3.4. Фотоионизация квантовых ям в поперечном электрическом поле 167

3.4. Оптические явления на горячих электронах в туннельно-связанных квантовых ямах 175

3.5. Внутриподзонное поглощение длинноволнового ИК излучения горячими двумерными электронами 182

3.5.1. Расчет коэффициента поглощения света при внутриподзонных переходах 183

3.5.2. Поглощение излучения дальнего ИК диапазона в квантовых ямах GaAs/AlGaAs 189

3.6. Основные научные результаты и положения, выносимые на защиту 190 Глава 4. Эмиссия излучения из полупроводниковых наноструктур 193

4.1. Введение 193

4.2. Внутриподзонная эмиссия длинноволнового ИК излучения из структур с квантовыми ямами 195

4.2.1. Расчет спектров эмиссии 195

4.2.2. Экспериментальное исследование спектров спонтанного внутриподзонного излучения 198

4.3. Излучение света при межуровневых и межподзонных переходах в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами 201

4.3.1. Инверсия населенности в структурах с квантовыми точками 201

4.3.2. Спонтанное излучение из лазерных структур с квантовыми точками и квантовыми ямами 204

4.3.3. Инверсия населенности в структурах с квантовыми ямами ("двухцветный" лазер) 210

4.3.4. Схема оже-лазера 219

4.4. Основные научные результаты и положения, выносимые на защиту 225 Заключение 227 Список основных публикаций автора по теме диссертации 230 Список цитируемой литературы 234

Введение

Диссертационная работа посвящена исследованию новых оптических явлений, связанных с внутризонными оптическими переходами свободных носителей заряда в полупроводниках и полупроводниковых квантово-размерных структурах в неравновесных условиях, в частности в условиях разогрева и дрейфа свободных носителей заряда электрическим полем, и их применению для создания новых оптоэлектронных приборов.

Актуальность темы диссертации. Исследование свойств систем, выведенных из состояния термодинамического равновесия, представляет значительный интерес. В данном случае могут быть изучены свойства системы, не проявляющиеся в равновесных или в близких к равновесным условиях. Газ свободных электронов в полупроводниках является очень удобным объектом для исследований в неравновесных условиях. Привести его в неравновесное состояние можно, например, прикладывая к полупроводнику сильное электрическое поле, которое в определенных условиях увеличивает среднюю энергию электронов, "разогревает" их. Кинетические свойства горячих электронов исследованы к настоящему времени достаточно подробно [1], получено значительное количество информации о свойствах горячих электронов, параметрах зонной структуры, особенностях взаимодействия горячих электронов с решеткой. Разработан ряд приборов, работа которых связана с неравновесными свободными, в том числе разогретыми, электронами, среди которых можно упомянуть диод Ганна, лавинно-пролетные и резонансно-туннельные диоды. Оптические свойства горячих электронов в объемных полупроводниках изучены заметно слабее. Между тем, оптические исследования часто оказываются более информативными по сравнению с исследованием кинетических свойств. Кроме того, оптические явления, возникающие благодаря разогреву и дрейфу носителей заряда или в других неравновесных условиях, интересны с физической точки зрения и могут быть использованы для создания новых приборов оптоэлектроники. С практической точки зрения малая инерционность явлений разогрева, определяемая обычно временем релаксации энергии (Ю"10 4- 10"12 с) привлекает возможностью создания скоростных электрооптических приборов. Так, например, известен малоинерционный модулятор инфракрасного излучения, основанный на межподзонных переходах горячих дырок в германии. Разработанные в 80-х годах источники стимулированного излучения на горячих дырках в германии привели к росту активности исследований оптических свойств горячих носителей заряда. Эти факторы в значительной степени определили выбор темы настоящей работы.

Физика полупроводников развивается в последние годы в значительной степени как физика полупроводниковых структур с пониженной размерностью. Большой интерес к оптическим исследованиям наноструктур вызывается как принципиально новыми физическими явлениями, которые можно наблюдать в квантово-размерных структурах, так и возможностью создания новых оптоэлектронных приборов (фотодетекторов, модуляторов, квантовых генераторов). Оптические свойства наноструктур изучаются достаточно давно и интенсивно, однако к началу настоящей работы было очень мало работ, посвященных исследованиям влияния греющего электрического поля на эти свойства. История развития оптики горячих электронов в объемных полупроводниках позволяет надеяться на получение интересных как с научной, так и с практической точки зрения результатов и при изучении оптических свойств горячих электронов в системах с пониженной размерностью.

Актуальной задачей полупроводниковой оптоэлектроники является разработка новых источников излучения инфракрасного диапазона. Оптические исследования горячих носителей заряда открывают такую возможность. Одним из мощных и удобных источников дальнего инфракрасного (Х = 70.210 мкм) излучения является лазер на горячих дырках в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях [2]. Большая ширина полосы излучения (АХ/Х ~ 0.2) ограничивала возможности его практического использования. Это определяло актуальность дальнейших исследований, направленных на сужение полосы генерации и оптимизацию параметров такого лазера.

Разработка инясекционных лазеров среднего инфракрасного (СИК) диапазона, основанных на межзонных электронно-дырочных переходах, затруднена по причинам фундаментального характера. Основная из них состоит в увеличении интенсивности Оже рекомбинации с уменьшением ширины запрещенной зоны. В связи с этим в последние годы интенсивно исследуется возможность создания лазеров СИК диапазона, основанных на межподзонных (внутризонных) оптических переходах свободных электронов в квантовых ямах. К настоящему времени среди многочисленных вариантов межподзонных лазеров реализованы только два. Это униполярный квантовый каскадный лазер [3] основанный на идее, предложенной Р.Ф.Казариновым и Р.А.Сурисом [4] и униполярный фонтанный лазер с межподзонной оптической накачкой [5]. К сожалению, изготовление каскадного лазера требует использования весьма сложной технологии, а необходимость мощной оптической накачки на длине волны, близкой к длине волны генерации, ограничивает возможность практического использования фонтанного лазера, и задача исследования эмиссии излучения из наноструктур и разработки новых типов лазеров на межподзонных переходах неравновесных электронов остается по-прежнему актуальной.

Основные задачи работы можно разделить на пять групп:

1. Обнаружение и исследование новых электрооптических эффектов, связанных с разогревом и дрейфом свободных носителей заряда в объемных полупроводниках (на примере Ое и ¡пБЬ):

• влияние виртуальных межзонных и межподзонных переходов электронов на показатель преломления полупроводника и его анизотропию в условиях разогрева и дрейфа электронов;

• увлечение света током дырок;

• межподзонное поглощение инфракрасного излучения теплыми дырками.

2. Исследование генерации стимулированного излучения лазера на межподзонных переходах горячих дырок в скрещенных электрическом и магнитном полях:

• расчет функций распределения горячих дырок по состояниям и коэффициента межподзонного усиления света с помощью решения уравнений баланса импульса, мощности и числа частиц;

• расчет поглощения света при внутри- и межподзонных непрямых переходах горячих дырок;

• определение предельной рабочей температуры лазера в конфигурациях приложенных полей Фойгта и Фарадея;

• экспериментальное исследование коэффициента усиления лазерной среды в конфигурациях Фойгта и Фарадея;

• получение узкополосного режима генерации с возможностью перестройки длины волны излучения лазера.

3. Демонстрация возможности практического применения узкополосного лазера на горячих дырках для исследования полупроводников и наноструктур:

• исследование циклотронного резонанса при разогреве электронов в 1п8Ь.

• исследование электрического пробоя мелкой примеси;

• изучение внутриподзонного поглощения излучения дальнего инфракрасного диапазона в квантовых ямах ОаАв/АЮаАз в равновесных условиях и при разогреве двумерных электронов.

4. Исследование новых электрооптических явлений в гетероструктурах с квантовыми ямами:

• модуляция поглощения и двулучепреломления при межподзонных переходах двумерных электронов в продольном электрическом поле в простых прямоугольных квантовых ямах с разным типом селективного легирования;

• модуляция поглощения и двулучепреломления в продольном электрическом поле в туннельно-связанных квантовых ямах;

• фотоионизация квантовых ям в сильном поперечном электрическом поле;

• внутриподзонное поглощение излучения в квантовых ямах при непрямых переходах горячих двумерных электронов с рассеянием на фононах, примесях и несовершенствах интерфейса.

5. Рассмотрение некоторых новых методов генерации излучения в полупроводниковых наноструктурах:

• спонтанная эмиссии излучения дальнего инфракрасного диапазона при непрямых внутризонных переходах горячих двумерных электронов;

• спонтанная эмиссия инфракрасного излучения из лазерных структур с квантовыми точками и квантовыми ямами при токовой накачке;

• исследование возможности создания лазеров на внутризонных (межуровневых и межподзонных) переходах носителей заряда в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментально наблюдаемое изменение поглощения излучения в дырочном германии в слабых греющих электрических полях, связанное с межподзонными переходами дырок, может быть с достаточной точностью описано с помощью функции распределения (ФР) теплых дырок, найденной из кинетического уравнения Больцмана.

2. Экспериментально обнаруженное новое явление - возрастание индуцированной электрическим полем анизотропии диэлектрической проницаемости полупроводника на свободных носителях заряда вблизи края собственного поглощения может быть объяснено вкладом виртуальных переходов валентных электронов в показатель преломления.

3. Обнаруженное экспериментально изменение показателя преломления дырочного полупроводника в греющем электрическом поле связано с разогревом и дрейфом дырок и сложной структурой валентной зоны. Основной вклад в эффект дают виртуальные межподзонные переходы горячих дырок.

4. Экспериментально обнаружен эффект увлечения света током дырок (линейная по току добавка к показателю преломления дырочного полупроводника).

5. Расчеты, основанные на использовании уравнений баланса импульса, мощности и числа частиц, качественно адекватно описывают основные характеристики горячих дырок и свойства инверсной среды в скрещенных электрическом и магнитном полях.

6. В лазерах на горячих дырках конфигурация полей Фойгта по сравнению с конфигурацией Фарадея является более предпочтительной по интенсивности излучения, интервалу рабочих температур и диапазону полей генерации.

7. Узкополосный лазер на горячих дырках в германии, пригодный для практических научных исследований полупроводников, может быть создан методами квантовой электроники терагерцового диапазона.

8. Значительное влияние на спектральное положение линии межподзонного поглощения в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур оказывают эффекты пространственного заряда, возникающего при селективном легировании.

Продольное электрическое поле, вызывая разогрев двумерных электронов, приводит к их переносу в реальном пространстве и смещению спектрального положения пика.

9. Изменение межподзонного поглощения в туннельно-связанных квантовых ямах специальной формы объясняется перераспределением электронов между подзонами размерного квантования и переносом электронов в реальном пространстве.

10. Экспериментально наблюдаемое уменьшение поглощения излучения дальнего инфракрасного диапазона в квантовых ямах при Т = 4.2 К в продольном электрическом поле связано с внутриподзонными непрямыми переходами горячих электронов с преобладающим рассеянием на шероховатостях интерфейсов и ионизованных примесях.

11. Спонтанное излучение дальнего инфракрасного (терагерцового) диапазона в прямоугольных квантовых ямах в сильном продольном электрическом поле вызвано непрямыми внутриподзонными переходами горячих электронов.

12. Спонтанное излучение среднего инфракрасного диапазона из лазерных диодных структур с квантовыми точками связано с внутризонными межуровневыми переходами носителей заряда в квантовых точках.

13. Возможно создание инжекционного лазера среднего инфракрасного диапазона, основанного на межподзонных переходах электронов в квантовых ямах специальной формы при одновременной генерации излучения ближнего инфракрасного диапазона либо при резонансной оже-рекомбинации.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих отечественных и международных конференциях: VI Всесоюзный симпозиум "Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы" (Львов, 1983); V, VII Всесоюзные симпозиумы "Плазма и неустойчивости в полупроводниках" (Вильнюс, 1983; Паланга, 1989); X Всесоюзная конференция по физике полупроводников (Минск, 1985); II Всесоюзная школа-семинар "Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами" (Саратов, 1988); XIV Международная конференция по когерентной и нелинейной оптике (Ленинград, 1991); 16th International Conference on Infrared and Submillimeter Waves (Lausanne, 1991); 1991, 1995, 1997 International Semiconductor Research Symposium

Charlottesville, 1991, 1995, 1997); 1-4 Российские конференции по физике полупроводников (Н.Новгород, 1993; Зеленогорск, 1996; Москва, 1997; Новосибирск, 1999); 8th, 9th International Conference on Hot Carriers in Semiconductors (Oxford, 1993; Chicago, 1995); Conferences on Laser and Electro-Optics (Anaheim, 1994, 1996); 2-7 Intern. Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1994-1999); 7th, 9th - 11th International Conference on Superlattices, Microstructures and Microdevices (Canada, 1994; Liege, 1996; Lincoln, 1997; Hurgada, 1998); Conference on Laser and ElectroOptics CLEO/Pacific Rim'95 (Japan, 1995); 9th, 10th Vilnius Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconductors (Vilnius, 1995, 1998); 23rd, 24th International Conference on the Physics of Semiconductors (Berlin, 1996; Jerusalem, 1998); 23rd International Symposium on Compound Semiconductors (St. Petersburg, 1996); 15th, 16th IEEE International Semiconductor Laser Confer. (Haifa, 1996; Nara, 1998); European Conference on Lasers and Electro-Optics (Glasgow, 1998); 11 Intern. Confer, on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors (Kyoto, 1999); 5th International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells (Bad Ischl, 1999); 13rd International Conference on Low-Dimensional Structures and Devices (Antalya, 1999).

Публикации. По результатам исследований, изложенных в диссертации, опубликовано 119 научных работ в ведущих отечественных и международных журналах, а также в трудах конференций. Основное содержание отражено в 41 работе. Перечень основных публикаций приведен в конце диссертации.

Структура диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка основных публикаций автора и списка цитированной литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Фирсов, Дмитрий Анатольевич

Заключение

Результатом работы явилось обнаружение новых электрооптических эффектов, определяемых неравновесными свободными носителями заряда в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах. Были разработаны модели, описывающие полученные результаты, а также выполнена экспериментальная проверка высказанных ранее теоретических предположений. В результате исследований получен значительный объем новых данных. В первую очередь необходимо отметить следующие результаты:

1. Подробно изучено поглощение при межподзонных переходах теплых дырок в германии, доказана неприменимость двухтемпературного приближения для функции распределения теплых дырок путем нахождения точного вида функции распределения;

2. Экспериментально обнаружены и исследованы новые электрооптические эффекты, связанные с разогревом и дрейфом дырок, проведен теоретический анализ вклада дырок в анизотропию тензора диэлектрической проницаемости;

3. Экспериментально обнаружено и детально изучено новое явление - влияние виртуальных межзонных переходов горячих электронов на анизотропию диэлектрической проницаемости в антимониде индия;

4. Экспериментально обнаружен и исследован эффект увлечения фотонов током дырок в германии;

5. Развита методика расчета коэффициентов усиления и поглощения длинноволнового поляризованного света и функций распределения горячих тяжелых и легких дырок по импульсам, основанная на решении системы уравнений баланса импульса, мощности и числа частиц в скрещенных электрическом и магнитном полях;

6. Впервые прямым методом получена величина коэффициента усиления света и определена предельная рабочая температура лазера на горячих дырках в германии для конфигураций полей Фойгта и Фарадея;

7. Обнаружены и исследованы электрооптические эффекты, связанные с межподзонными переходами разогретого двумерного электронного газа в квантоворазмерных структурах различного типа: с простыми прямоугольными квантовыми ямами, легированными в области ямы и барьера и с туннельно-связанными квантовыми ямами.

8. Впервые экспериментально исследовано внутриподзонное поглощение и эмиссия излучения дальнего ИК диапазона горячими электронами в квантовых ямах в продольном электрическом поле, построена модель, позволяющая определить вклад основных механизмов рассеяния двумерных электронов в поглощение и эмиссию излучения;

9. Впервые экспериментально обнаружено спонтанное излучение среднего инфракрасного диапазона из структур с квантовыми точками и квантовыми ямами при токовой накачке;

10. Предложен ряд новых конструкций лазеров среднего инфракрасного диапазона на межуровневых и межподзонных переходах носителей заряда в структурах с квантовыми точками и квантовыми ямами.

Практическая ценность работы определяется тем, что в результате проведенного цикла экспериментальных исследований, расчетов и анализа полученных данных получена информация о параметрах распределений горячих носителей заряда в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, деталях зонного спектра, механизмах рассеяния свободных носителей заряда. Изученные явления могут быть основой для разработки электрооптических приборов нового типа.

Разработан ряд новых методик:

• методика экспериментального анализа вещественной и мнимой частей диэлектрической проницаемости, связанной со свободными носителями заряда в сильных электрических полях;

• методика измерения линейных по полю поправок для вкладов в тензор диэлектрической проницаемости на основе интерферометра Маха - Цендера;

• методика селекции продольных мод в лазере терагерцового диапазона на горячих дырках в германии с использованием внутрирезонаторных интерферометров Фабри - Перо;

• методика определения параметров лазеров на горячих дырках в германии при различных температурах и в различных конфигурациях эксперимента;

• методика исследования электрооптических явлений на горячих электронах в полупроводниковых наноструктурах;

• методика исследования спектров спонтанного излучения среднего ИК диапазона в квантово-размерных структурах.

Разработаны новые электрооптические приборы на неравновесных носителях заряда:

• малоинерционный (т£Ю"10с) широкополосный (/'= 103—Ю10 Гц) модулятор инфракрасного излучения с большой глубиной модуляции (М= 7%) на теплых дырках;

• узкополосный лазер дальнего инфракрасного диапазона на горячих дырках в германии с возможностью перестройки длины волны излучения;

• предложен ряд конструкций лазеров среднего инфракрасного диапазона на структурах с квантовыми ямами и квантовыми точками.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Фирсов, Дмитрий Анатольевич, 2000 год

1. AI. Л.Е.Воробьев, В.И.Стафеев, А.Ю.Ушаков, Д.А.Фирсов. Индуцированная дрейфом электронов анизотропия диэлектрической проницаемости в InAs и Cdo^HgojsTe. Вклад квантовых поправок. ФТП, т.16, в.10, с.1831-1833 (1982).

2. А2. Л.Е.Воробьев, В.И.Стафеев, Д.А.Фирсов. Влияние междырочных столкновений на модуляцию света и функцию распределения теплых дырок в германии. ФТП, т. 17, в.5, с.796-802 (1983).

3. A3. Л.Е.Воробьев, В.И.Стафеев, Д.А.Фирсов. Влияние разогрева и дрейфа электронов на показатель преломления w-InSb с учетом межзонных переходов. ФТП, т. 18, в.З, с.513-518 (1984).

4. A4. Л.Е.Воробьев, В.И.Масычев, В.И.Стафеев, Д.А.Фирсов. Спектральная зависимость индуцированной током анизотропии показателя преломления на горячих электронах в n-InSb. ФТП, т. 18, в.З, с.565-567 (1984).

5. А5. Л.Е.Воробьев, В.И.Стафеев, Д.А.Фирсов. Электрооптический эффект на свободных носителях заряда в полупроводниках. Минск. Тезисы докладов X Всесоюзн. конференции по физике полупроводников. Часть 2, с.33-34 (1985).

6. A8. Л.Е.Воробьев, С.Н.Данилов, Д.В.Донецкий, Ю. В. Кочегаров, В.И.Стафеев, Д.А.Фирсов. Безьшжекционный узкополосный лазер дальнего ИК-диапазона на горячих дырках и его использование для исследования примесного пробоя. ФТП, т.27, в. 1, с. 146-155 (1993).

7. А9. Л.Е.Воробьев, Д.В.Донецкий, В.И.Стафеев, Д.А.Фирсов. Индуцированное током и разогревом дырок изменение диэлектрической проницаемости германия. Тезисы докладов 1-й Российской конфер. по физике полупроводников, Н.Новгород, 1993, с.276.

8. All. L.E.Vorobjev, S.N.Danilov, D.V.Donetsky, Yu.V.Kochegarov, V.I.Stafeev, D.A.Firsov. Injectionless FIR laser on interband transitions of hot holes in germanium. Semicond. Science and Technol., v.9, N.4, p.641-644 (1994).

9. A12. Л.Е.Воробьев, Д.В.Донецкий, Д.А.Фирсов. Электрооптический эффект на горячих дырках. Письма в ЖЭТФ, т.59, в. 12, с.832-836 (1994).

10. А13. Л.Е.Воробьев, Д.А.Фирсов. Полупроводниковый узкополосный лазер дальнего ИК диапазона с поглощающим селектирующим элементом и возможностью плавной перестройки частоты. Письма в ЖТФ, т.20, в.24, с.40-44 (1994).

11. А15. E.Towe, D.Sun, L.E.Vorobjev, S.N.Danilov, E.A.Zibik, D.A.Firsov. A two-dimensional hot electron electro-optic effect in GaAs/(Al,Ga)As multiple quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 17, No.2, p. 129-133 (1995).

12. A16. L.E.Vorobjev, S.N.Danilov, E.A.Zibik, D.A.Firsov, E.Towe, D.Sun, A.A.Toropov, T.V.Shubina. Electrooptical effect due to heating of two-dimensional electrons in multiple quantum wells. Lithuanian Journal of Physics, v.35, N5-6, p.363-367 (1995).

13. A19. S.N.Danilov, L.E.Vorobjev, V.I.Stafeev, D.A.Firsov. Tunable submillimeter laser and its applications. Laser Physics, v.7, №2, p.369-374 (1997).

14. A20. Л.Е.Воробьев, С.Н.Данилов, Ю.В.Кочегаров, В.Н.Тулупенко, Д.А.Фирсов. Характеристики лазера дальнего ИК диапазона на горячих дырках в германии в конфигурациях полей Фогта и Фарадея. ФТП, т.31, в. 12, с. 1474-1481 (1997).

15. А21. Л.Е.Воробьев, С.Н.Данилов, Ю.В.Кочегаров, В.Н.Тулупенко, Д.А.Фирсов. Усиление излучения дальнего ИК диапазона горячими дырками в германии в скрещенных Е и В полях. ФТП, т.31, в. 12, с. 1482-1486 (1997).

16. All. Л.Е.Воробьев, И.И.Сайдашев, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин.

17. Двулучепреломление и поглощение света при межподзонных переходах горячих электронов в квантовых ямах. Письма в ЖЭТФ, т.65, No.7, с.525-530 (1997).

18. А26. Л.Е.Воробьев, Е.А.Зибик, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин, О.Н.Нащекина, И.И.Сайдашев. Модуляция оптического поглощения квантовых ям GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле. Физика и техника полупроводников, т.32, в.7, с.849-851 (1998).

19. А28. Л.Е.Воробьев, Д.В.Донецкий, Д.А.Фирсов, Е.Б.Бондаренко, Г.Г.Зегря, E.Towe. Излучение терагерцового диапазона из квантовых ям в продольном электрическом поле. Письма в ЖЭТФ, т.67, No.7, с.507-511 (1998).

20. A31. L.E.Vorobjev, V.L.Zerova, I.E.Titkov, D.A.Firsov, V.A.Shalygin, V.N.Tulupenko, E.Towe. Electrooptical phenomena in tunnel-coupled quantum wells in longitudinal electric field. Materials Science Forum, Vols. 297-298, pp. 33-36 (1999).

21. A32. L.E.Vorobjev, S.N.Danilov, D.V.Donetsky, V.L.Zerova, Yu.V.Kochegarov,

22. D.A.Firsov, V.A.Shalygin, G.G.Zegrya, E.Towe. Hot electron FIR emission and absorption in GaAs/AlGaAs QW. Materials Science Forum, Vols. 297-298, pp. 45-48 (1999).

23. А34. L.E.Vorobjev, V.L.Zerova, I.E.Titkov, D.A.Firsov, V.A.Shalygin, V.N.Tulupenko,

24. E.Towe. Birefringence and absorption of infrared radiation in tunnel-coupled GaAs/AlGaAs quantum wells in longitudinal electric field. Superlattices and Microstructures, v.25, No. 1/2, p.367-371 (1999).

25. А36. E.Towe, L.E.Vorobjev, S.N.Danilov, Yu.V.Kochegarov, D.A.Firsov, D.V.Donetsky. Hot electron far-infrared intrasubband absorption and emission in quantum wells. Applied Physics Letters, v.75, Iss. 19, p.2930-2932 (1999).

26. А38. L.E.Vorobjev, S.N.Danilov, D.V.Donetsky, D.A.Firsov, E.Towe, R.Kh.Zhukavin, S.G.Pavlov, V.N.Shastin. Intrasubband fast absorption and emission of terahertz radiation by hot electrons in GaAs/AlGaAs MQW. Physica B, v.272, iss.1-4, pp.223-225 (1999).

27. A39. L.E.Vorobjev, E.A.Zibik, D.A.Firsov, V.A.Shalygin, E.Towe, A.A.Toropov, T.V.Shubina. Fast modulation of infrared light by hot electrons in tunnel coupled GaAs/AlGaAs quantum wells. Physica B, v.272, iss.1-4, pp.451-453 (1999).

28. Список цитируемой литературы

29. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М., "Мир", 1970, 384 с.

30. Optical and Quantum Electronics 23, No. 2, 1991 (Special Issue on Far-infrared Semiconductor Lasers).

31. Faist J., Capasso F., Sivco D.L., Sirtori C,, Hutchinson A.L., Cho A.Y. Quantum cascade laser. Science 264, 553-556 (1994).

32. Казаринов P.O., Сурис P. А. О возможности усиления электромагнитных волн в полупроводнике со сверхрешеткой. ФТП 5, в. 4, 797-800 (1971); К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводника со сверхрешеткой. ФТП 6, в. 1 148-162 (1972).

33. Gauthier-Lafaye О., Boucaud P., Julien F.H., Sauvage S., Cabaret S., Lourtioz J.-M., Thierry-Mieg V., Planel R. Long-wavelength (»15.5 jam) unipolar semiconductor laser in GaAs quantum wells. Appl. Phys. Lett, 71, No. 25, 3619-3621 (1997).

34. Pinson W.E., Bray R. Experimental determination of the energy distribution functions and analysis of energy-loss mechanisms of hot carriers in p-type germanium. Phys. Rev. 136, No. 5 A, A1449-A1466 (1964).

35. Bray R, Pinson W.E. Determination of hot carriers distribution function from anisotropic infrared absorption in p-type germanium. Phys. Rev. Lett. 11, No. 6, 268-271 (1963).

36. Васильева M.A., Воробьев JI.E, Стафеев В.И. Влияние разогрева дырок в сильном электрическом поле на оптическую прозрачность германия. ФТП 1, в. 3, 333-339 (1967).

37. Воробьев Л.Е, Пожела Ю.К, Реклайтис А.С, Смирницкая Е.С, Стафеев В.И, Федорцов А.Б. Функция распределения горячих дырок в германии при малых концентрациях. ФТП 12, в. 4, 742-747(1978).

38. Воробьев Л.Е, Пожела Ю.К, Реклайтис А.С, Смирницкая Е.С, Стафеев В.И, Федорцов А.Б. Влияние примесного и междырочного рассеяния на функцию распределения горячих дырок в германии. ФТП 12, в. 4, 754-757 (1978).

39. Воробьев Л.Е, Пожела Ю.К, Реклайтис А.С, Смирницкая Е.С, Стафеев В.И, Федорцов А.Б. Функция распределения и поглощение света горячими легкими дырками в германии. ФТП 12, в.8, 1585-1589 (1978).

40. Васильева М.А, Воробьев Л.Е, Солтамов У.Б, Стафеев В.И, Ушаков, Штурбин А.В. Модуляция света горячими дырками в германии. ФТП 1, в. 3, 439-440 (1967).

41. Васильева М.А, Воробьев Л.Е, Стафеев В.И. Определение структуры валентной зоны германия по поглощению света. ФТП 1, в. 1, 29-33 (1967).

42. Болтаев А.П, Пенин Н.А. Разогревание носителей заряда в германии р-типа слабым электрическим полем. ФТП 10, в. 5, 911-917 (1976).

43. Левинсон И.Б, Мажуолите Г.Э. Влияние межэлектронных столкновений на функцию распределения электронов в электрическом поле. ЖЭТФ 50, в. 4, 1048-1054 (1966).

44. Денис В, Канцлерис Ж, Мартунас 3. Электроны в полупроводниках, т.4. Теплые электроны. Под ред. ПожелыЮ. Вильнюс, «Мокслас», 1983, 144 с.

45. Jorgensen М.Н. Warm electron effects in n-type silicon and germanium. Phys. Rev. 156, No. 3, 834-843 (1967).

46. Денис В, Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс, «Минтис», 1971, 289 с.

47. Appel J, Interband electron-electron scattering and transport phenomena in semiconductors. Phys. Rev. 125, No. 6, 1815-1823 (1962).

48. Appel J, Bray R, Effect of hole-hole scattering on the mobility of p-type germanium. Phys. Rev. 127, No. 5, 1603-1604 (1962).

49. Болтаев А.П, Пенин H.A. Влияние междырочных столкновений на подвижность носителей заряда в германии р-типа. ФТП 13, в. 3, 612-614 (1979).

50. Левинсон И.Б., Мажуолите Г.Э. Влияние межэлектронного рассеяния на коэффициент неомичности слабо разогретых электронов. Литовский физ. сборник 6, в. 2, 245-253 (1966).

51. Левинсон И.Б., Мажуолите Г.Э. Влияние межэлектронных соударений на механизмы релаксации энергии горячих электронов в p-Ge и n-InSb при азотных температурах. ФТП 1, в. 4, 556-564 (1967).

52. Dienys V., Kancleris Z. Influence of e-e scattering on the phenomenological energy relaxation time in non-polar semiconductors. Phys. Stat. Sol. (b) 67, No. 1, 317-323 (1975).

53. Болтаев А.П., Пенин H. А. Влияние междырочных столкновений на разогревание носителей заряда в германии р-типа слабым электрическим полем. ФТП 11, в. 11, 2246-2248 (1977).

54. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М., "Наука", 1978, 615 с.

55. Brown D.M., Bray R. Analysis of lattice and ionized impurity scattering in p-type germanium. Phys. Rev. 127, No. 5, 1593-1602 (1962).

56. Hasegawa A., Yamashita J. Electron-electron interaction in warm electrons. J. Phys. Soc. Jap. 17, No. 11, 1751-1759(1962).

57. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М., "Мир", 1970, 384 с.

58. Гельмонт Б.Л., Лягущенко Р.И., Яссиевич И.Н. Функция распределения и потери энергии горячими электронами при взаимодействии с оптическими фононами. ФТТ 14, в.2, 533-542 (1972).

59. Спитцер Л. Физика полностью ионизованного газа. М., "ИЛ", 1957, 112 с.

60. Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках. Киев, "Наукова думка", 1981, 319 с.

61. Баранский П.И., Клочков В.П., ПотыкевичИ.В. Полупроводниковая электроника. Киев, "Наукова думка", 1975, 704 с.

62. Brockhouse B.N., Ivengart Р.К. Normal modes of germanium by neutron spectrometry. Phys. Rev. Ill, No. 3, 747-754 (1958).

63. М.А.Васильева, Л.Е.Воробьев, В.ИСтафеев. Авторское свидетельство № 824836. Опубл. в Бюлл. №30(1982).

64. Воробьев Л.Е., Комиссаров B.C., Стафеев В.И., Ушаков А.Ю. Электрооптический эффект Керра на горячих электронах в n-InSb. Письма в ЖЭТФ 13, в. 3, 305-307 (1971).

65. Vorobjev L.E., Komissarov V.S., Stafeev V.I., Faraday effect oh hot electrons in degenerate n-type InSb in the infrared (II). Phys. Stat. Sol. (b) 54, No. 1, K61-K64 (1972).

66. Воробьев Л.Е., Комиссаров B.C., Стафеев В.И. Двойное лучепреломление на горячих электронах в ИК области в вырожденном арсениде индия. ФТП 6, в. 6, 1153-1155 (1972).

67. Воробьев Л.Е., Стафеев В.И., Ушаков А.Ю. Интерференционная модуляция света на горячих электронах в n-InSb. ФТП 8, в. 9,1710-1713 (1974).

68. Воробьев Л.Е., Осокин Ф.И., Вашкевич А.Б. Определение температуры горячих электронов в n-InAs методом интерференционной модуляции излучения. ФТП 13, в. 8, 16591661 (1979).

69. Аронов А.Г., Пикус Г.Е., Шехтер Д.Ш. Квантовая теория диэлектрической проницаемости свободных электронов в полупроводниках. ФТТ 10, в. 2, 822-824 (1968).

70. Васько Ф.Т. Квантовая теория диэлектрической проницаемости горячих электронов. ФТТ 15, в. 6, 1693-1696 (1973).

71. Васько Ф.Т. Электрооптический эффект, обусловленный виртуальными межзонными переходами. ФТТ 14, в. 12, 3680-3682 (1972).

72. Алмазов Л. А. Зависимость показателя преломления полупроводника от направления дрейфа носителей тока. ФТП 9, в. 4, 657-664 (1975).

73. Давыдов А.С. Теория твердого тела. М., "Наука", 1976, 639 с.

74. Vorobjev L.E., Komissarov V.S., Stafeev V.I. Faraday and Kerr effects of hot electrons in n-type InSb in the infrared (I). Phys. Stat. Sol. (b) 52, No. 1, 25-37 (1972).

75. Kane E.O. Band structure of indium antimonide. J. Phys. Chem. Sol. 1, No. 4, 249-261 (1957).

76. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М,, "Наука", 1972, 584 с.

77. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. М., "Наука ФМ", 1978, 328 с.

78. Dresselhaus G., Kip A.F., Kittel С., Wagoner G. Cyclotron and spin resonance in indium antimonide. Phys. Rev. 98, No. 2, 556-557 (1955).

79. Товер X.T., Аскарелли Ж. Циклотронный резонанс в валентной зоне антимонида индия. В кн.: Труды IX Международной конференции по физике полупроводников, т. 1, Д, "Наука", 1969, с. 348-352.

80. Hrostowski H.J., MorinF.J., Geballe Т.Н., Wheatley G.H. Hall effect and conductivity of InSb. Phys. Rev. 100, No. 6, 1672-1676 (1955)

81. ХилсумК, Роуз-Инс А. Полупроводники типа A3B5. M., "ИЛ", 1963, 323 с.

82. Filipchenko A.S., Nasledov D.N., Radaikina L.N. Optical effective mass of holes in p-type A3B5 compounds. Phys. Stat. Sol. (b) 62, No. 2, 351-359 (1974).

83. Filipchenko A.S., Lang I.G., Nasledov D.N., Pavlov S.T., Radaikina L.N. The effective mass of holes in p-type A3B5 compounds. Phys. Stat. Sol. (b) 66, No. 2, 417-425 (1974).

84. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М., "Наука", 1977, 368 с.

85. Бассани Ф., Пастори Парравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М., "Наука", 1982, 392 с.

86. Baumgardner С. A., Woodruf Т.О. Effect of current flow on the optical absorption of a semiconductors. Phys. Rev. 173, No. 3, 746-754 (1968).

87. Пожела Ю.К. Сдвиг функции распределения и люминесценция горячих электронов. В кн.: Плазма и неустойчивости в полупроводниках. Тезисы докладов на V симпозиуме. Вильнюс, 1983,60-61.

88. Wang C.S., Klein В.М. First-principles electronic structure of Si, Ge, GaP, GaAs, ZnS, and ZnSe. II. Optical properties. Phys. Rev. В 24, No. 6, 3417-3429 (1981).

89. Kurnickt S.W., Powell J.M. Optical absorption by pure single crystal InSb at 298 and 78 K. Phys. Rev. 116, No. 31, 597-604 (1059).

90. Алейников B.C., Дорожкина E. А., Масычев В.И. Лазер на окиси углерода и перспективы его применения. Электронная промышленность, в. 5-6, 64-69 (1981).

91. Воробьев Л.Е., Стафеев В.И., Ушаков А.Ю., Фирсов Д. А. Индуцированная дрейфом электронов анизотропия диэлектрической проницаемости в InAs и Cda^Hgoj^Te. Вклад квантовых поправок. ФТП 16, в. 10, 1831-1833 (1982).

92. Воробьев Л.Е., Осокин Ф.И. Внутризонное поглощение света в n-InAs при разогреве электронов электрическим полем. ФТП 13, в. 8, 1494-1501 (1979).

93. Blue M.D. Optical absorption in HgTe and HgCdTe. Phys-. Rev. 134, No. 1A, A226-234 (1964).

94. Воробьев Л.Е., Осокин Ф.И., Стафеев В.И. Анизотропное поглощение ИК излучения свободными дырками в p-InSb в сильных электрических полях. ФТП 16, в. 7, 1313-1316 (1982).

95. Kane E.O. Energy band structure in /»-type germanium and silicon. J. Phys. Chem. Sol. 1, 82-99 (1956).

96. Combescot M, Nozieres P. The dielectric constant and plasma frequency of/»-type Ge like semiconductors. Sol. St. Comm. 10, 301-305 (1972).

97. СейсянР.П. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М., "Наука", 1984, 272 с.

98. Данишевский А.М., Кастальский А.А., Рывкин С.М., Ярошецкий И.Д. Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах в полупроводниках. ЖЭТФ 58, в. 2, 544-550 (1970).

99. Гринберг А. А. Теория фотоэлектрического и фото магнитного эффектов, обусловленных давлением света. ЖЭТФ 58, в. 3, 989-995 (1970).

100. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. М., "Мир", 1980, 208 с.

101. Ландау Л.Д., Лившиц E.M. Статистическая физика, ч.1. М., "Наука", 1976, 584 с.

102. Алмазов Л. А., Васько Ф.Т., Дыкман И,М. Влияние дрейфа носителей на распространение электромагнитных волн в твердотельной плазме. Письма в ЖЭТФ 16, в. 5, 305-307 (1972).

103. Васько Ф.Т. Электрооптический эффект, обусловленный виртуальными межзонными переходами. ФТТ 14, в. 12, 3680-3682 (1972).

104. Алмазов Л. А. Зависимость показателя преломления полупроводника от направления дрейфа носителей тока. ФТП 9, в. 4, 657-664 (1975).

105. Васько Ф.Т., Стебловский Г.И. Эффект увлечения током дырок. Укр. физ. журн. 32, в. 5, 673-675 (1987).

106. Maeda Н., Kurosawa Т. Hot electron population inversion in crossed electric and magnetic fields. J. Phys. Soc. Jap. 33, No. 2, 562-564 (1972).

107. Андронов A.A., Козлов В.А., Мазов Л.С., Шастин В.Н. Об усилении далекого инфракрасного излучения в германии при инверсии населенностей "горячих" дырок. Письма в ЖЭТФ 30, в. 9, 585-589 (1979).

108. Шастин В.Н. Инверсия населенностей и высокочастотная отрицательная проводимость в сложной зоне при оптическом возбуждении. ФТП 14, в. 3, 557-559 (1980).

109. Шастин В.Н. О возможности усиления субмиллиметрового излучения на циклотронном резонансе легких дырок при внутризонном оптическом возбуждении. ФТП 15, в. 8, 1641-1644(1981).

110. Иванов Ю.Л., Васильев Ю.Б. Субмиллиметровое излучение горячих дырок германия в поперечном магнитном поле. Письма в ЖТФ 9, в. 10, 613-616 (1983).

111. Чеботарев А.П., Мурзин В.Н. Излучение горячих электронов в Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях в миллиметровом диапазоне. Письма в ЖЭТФ 40, в. 6, 234-236 (1984).

112. Воробьев Л.Е., Осокин Ф.И., Стафеев В.И., Тулупенко В.Н. Обнаружение генерации длинноволнового ИК излучения горячими дырками в германии в скрещенном электрическом и магнитном полях. Письма в ЖЭТФ 35, в. 9, 360-362 (1982).

113. Андронов А.А., Зверев И.В., Козлов В.А., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Шастин В.Н. Стимулированное излучение в длинноволновом ИК диапазоне на горячих дырках Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях. Письма в ЖЭТФ 40, в.29, 69-71 (1984).

114. Komiyama S., Iizuka N., Akasaka Y. Evidence for induced far-infrared emission fromp-Ge in crossed electric and magnetic fields. Appl. Phys. Lett. 47, No. 9, 958-960 (1985).

115. Helm M, Unterrainer K, Gornik E., Haller E.E. New results on stimulated emission from p-Germanium in crossed fields. 5th Intern. Confer, on Hot Carriers in Semicond. Boston, USA, 1987; Sol. State Electron. 31, No. 3/4 ( Special issue), 759-762 (1988).

116. Heiss W., Unterrainer K, Gornik E., Hansen W.L., Haller E.E. Influence of impurity absorption on germanium hot hole laser spectra. Semicond. Science and Technol. 9, No. 5S, 638-640 (1994).

117. Strijbos R.C., Lok J.G.S., Wenkenbach W.Th. A Monte Carlo simulation of mode-locked hothole laser operation. J. Phys: Condens. Matter 6,7461-7468 (1994).

118. Keilmann F., Till R. Saturation spectroscopy of the p-Ge far-infrared laser. Opt. Quantum Electron. 23, No. 2, S231-S246 (1991); Keilmann F., Zuckermann H. Transient gain of the germanium hot hole laser. Opt. Commun. 109, 296-303 (1994).

119. Bespalov A.V., Shnellboegl A., Renk K.F. Temperature dependence of gain and emission intensity of a far-infrared broad-band /»-germanium laser. Proc. 18th Int. Quantum Electronics Conf., Vienna, Austria, PTh092, 1992.

120. Briindermann E., Linhart A.M., Roser H.P., Dubon O.D., Hansen W.L., Haller E.E. Miniaturization ofp-Ge lasers: Progress toward continuos wave operation. Appl. Phys. Lett. 68, No. 10, 1359-1361 (1996)

121. Briindermann E., Linhart A.M., Reichertz L., Roser H.P., Dubon O.D., Hansen W.L., Sirmain G., Haller E.E. Double acceptor doped Ge: A new medium for inter-valence-band lasers. Appl. Phys. Lett. 68, No. 22, 3075-3077 (1996).

122. Briindermann E., Roser H.P., Heiss W., Gornik E., Haller E.E. High repetion rate far-infrared p-type germanium hot hole lasers. Appl. Phys. Lett. 67 No. 24, 3543-3545 (1995).

123. Optical and Quantum Electronics 23, No. 2, 1991 (Special Issue on Far-infrared Semiconductor Lasers).

124. Андронов A.A. Горячие электроны в полупроводниках и субмиллиметровые волны (обзор). ФТП 21, в. 7, 1153-1187 (1987).

125. Инвертированные распределения горячих электронов в полупроводниках. Сб. под ред. А. А.Андронова, Ю.К.Пожелы, Горький, ИПФ АН СССР, 1983, 228 с.

126. Субмиллиметровые лазеры на горячих дырках в полупроводниках. Сб. под ред. А. А.Андронова, Горький: ИПФ АН СССР, 1986, 185 с.

127. Полупроводниковые мазеры на циклотронном резонансе. Сб. научных трудов. Горький: ИПФ АН СССР, 1986, 176 с.

128. Pozhela Yu.K., Starikov E.V., Shiktorov P.N. Population inversion due to separate shift and heating of light and heavy holes in semiconductors. Phys. Lett. 96A, No. 7, 361-364 (1983).

129. Vorobjev L.E., Danilov S.N., Stafeev V.I. Generation of far-infrared radiation by hot holes in germanium and silicon in E1H fields. Opt. Quantum Electron. 23, No. 2, S221-S230 (1991).

130. Воробьев JI.E., Данилов C.H., Стафеев В.И. Длинноволновое стимулированное излучение из дырочного германия в Е 1 Н полях. ФТП 21, в. 7, 1271-1277 (1987).

131. Hosako I., Komiyama S. P-type Ge far-infrared laser oscillation in Voight configuration. Semicond. Sci. Technol. 7, B645-B648 (1992).

132. Starikov E.V., Shiktorov P.N. Numerical simulation of far-infrared emission under population inversion of hole sub-bands. Opt. Quantum Electron. 23, No. 2, S177-S193 (1991).

133. Воробьев Л.Е., Данилов C.H., Стафеев В.И., Тулупенко В.Н., Пожела Ю.К., Стариков Е.В., Шикторов П.Н. Инверсия населенности дырок и коэффициенты усиления света в германии в Е 1Н полях. ФТП 19, в. 7, 1176-1181 (1985).

134. Kahn А.Н. Theory of infrared absorption in germanium and silicon. Phys. Rev. 97, 1647-1652 (1955).

135. Brazis R, Keilmann F. Lattice absorption of Ge in the far infrared. Sol. St. Comm., 70, No. 12, 1109-1112 (1989).

136. Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. М, "Мир", 1986, 304 с.

137. Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. М, "Мир", 1971, 472 с.

138. Воробьев Л.Е. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках. Ленинград, ЛПИ, 1988, 99 с.

139. Воробьев Л.Е, Данилов С.Н, Стафеев В.И. Мощность стимулированного излучения из дырочного германия. ФТП 21, в. 9, 1707-1710 (1987).

140. Воробьев Л.Е, Данилов С.Н, Стафеев В.И, Тулупенко В.Н. Механизм межзонной инверсии населенности состояний горячих дырок в германии. ФТП 21, в. 9, 1600-1605 (1987).

141. C.Kremser, W.Heiss, K.Unterrainer, E.Gornick, E.E.Haller, W.L.Hansen. Stimulated emission from p-Ge due to transitions between light-hole Landau levels and excited states of shallow impurities. Appl. Phys. Lett. 60, No. 15, 1785-1787 (1992).

142. Муравьев A.B, Ноздрин Ю.Н, Шастин В.Н. Стимулированное излучение на второй гармонике циклотронного резонанса легких дырок p-Ge в Е1В полях. Письма в ЖЭТФ 48, в. 5, 241-244 (1988).

143. Komiyama S, Kuroda S. Far-infrared laser oscillation in p-Ge. Solid State Commun. 59, в. 3, 167-172 (1986).

144. Воробьев Л.Е, Пожела Ю.К, Реклайтис А.С, Смирницкая Е.С, Стафеев В.И, Федорцов А.Б. Функция распределения горячих дырок в германии при малых концентрациях. ФТП 12, в. 4, 742-747(1978).

145. Митягин Ю.А, Муравьев А.В, Мурзин В.Н, Ноздрин Ю.Н, Павлов С.А, Стоклицкий С.А, Трофимов И.Е, Чеботарев А.П, Шастин В.Н. Модовый состав длинноволнового ИК лазера на горячих дырках Ge. Краткие сообщения по физике ФИАН СССР, No. 12, 30-32 (1986).

146. Andronov A.A, Kozlov V.A, Pavlov S.A, Pavlov S.G. Bragg selection in hot hole FIR laser. Opt. Quantum Electron. 23, No. 2, S205-S210 (1991).

147. Komiyama S, Kuroda S. Far infrared laser oscillation in p-Ge using external reflectors. Jap. Journ. Appl. Phys. 26, No. 1, L71-L73 (1987).

148. Komiyama S, MoritaH, Hosako I. Continuous wavelength tuning of inter-valence-band laser oscillation in p-type germanium over range of 80-120 цт. Jap. Journ. Appl. Phys. 32, part 1, No. 11 A, 4987-4991 (1993).

149. Muravjov A.V., Pavlov S.G, Shastin V.N, Brundermann E, Roser H.-P. Proc. of 14th IEEE Int. Semicond. Laser Conf, Hawaii, USA, 83 (1994).

150. Mityagin Yu.A, Murzin V.N, Stoklitsky S.A, Chebotarev A.P. Wide-range tunable submillimeter cyclotron resonance laser. Opt. Quantum Electron. 23, No. 2, S307-S312 (1991).

151. Троицкий Ю.В. Радиотехника и электроника, в. 9, 1642-1647 (1969).

152. Анохов С.П, Марусий Т.Я., Соскин M.C. Перестраиваемые лазеры. М, "Наука", 1982, 367 с.

153. Leeb W.R. Losses introduced by tilting intracavity etalons. Appl. Phys. 6, No. 2,267-272 (1975).

154. O.Matsuda, E.Otsuka. Cyclotron resonance study of conduction electrons in n-type indium antimonide under a strong magnetic field -1. J. Phys. Chem. Sol. 40, 809-817 (1979).

155. O.Matsuda, E.Otsuka. Cyclotron resonance study of conduction electrons in n-type indium antimonide under a strong magnetic field II. J. Phys. Chem. Sol. 40, 819-829 (1979).

156. H.Hasegawa, R.E.Howard. Optical absorption spectrum of hydrogenic atoms in a strong magnetic field. J. Phys. Chem. Sol. 21, No. 3/4,179 (1961).

157. Koenig S.H., Brown R.D., Schillinger W. Electrical conduction in n-type germanium at low temperatures. Phys. Rev. 128, No. 4, 1668-1696 (1962).

158. Банная В.Ф., Веселова Л.И., Гершензон E.M., Гринберг В.Р. Электрический пробой в чистом германии при гелиевых температурах. ФТП5, 155 (1971).

159. Reuszer J.H., Fisher P. An optical determination of the ground-state splittings of group V inpurities in germanium. Phys. Rev. 135, No. 4A, 1125-A1132 (1964); Fisher P. J. Phys. Chem. Sol. 23, 1346 (1962).

160. Берман Л.В., Коган Ш.М. Применение фотоэлектрической спектроскопии для оценки качества полупроводниковых материалов (обзор). ФТП 21, в. 9, 1537 (1987).

161. Levine B.F. Quantum-well photodetectors. J. Appl. Phys. 74, No. 8, R1-R81 (1993).

162. Levine B.F. Recent progress in quantum well infrared photodetectors. In "Intersubband transitions in quantum wells", ed. by E.Rosencher, B.Vinter, B.Levine. NATO ASI Series. Serie B, Physics, v.288, Plenum Press, N.Y. and London, p.43-55, 1992.

163. West L.C., Eglash S.I. First observation of an extremely large-dipole infrared transition within the conduction band of a GaAs quantum wells. Appl. Phys. Lett. 46, 1156-1158 (1985).

164. Intersubband Transitions in Quantum Wells. Editors E.Rosencher, B.Vinter, B.Levine. NATO ASI Series. Serie B, Physics, v.288, Plenum Press, N.Y. and London, 1992.

165. Quantum Well Intersubband Transitions Physics and Devices. Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, 1994.

166. Bastard G. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures. Les Ulis; Editions de Physique, 1988, 360 p.

167. Mitin V.V., Kochelap V.A., Stroscio M.A. Quantum heterostructures. Microelectronics and optoelectronics. Cambridge University Press, 1999.

168. Sakaki H., Noda Т., Hirakawa K., Tanaka M., Matsusue T. Interface roughness scattering in GaAs/AlGaAs quantum wells. Appl. Phys. Lett. 51, No. 23, 1934-1936 (1987).

169. Hoffman C.A., Meyer J.R., Youngdale E.R., Bartoli F.J., Miles R.H. Interface roughness scattering in semiconducting and semimetallic InAs-Gai.xInxSb superlattices. Appl. Phys. Lett. 63, No. 16, 2210-2212(1993).

170. Шик А.Я. О правилах отбора для оптических переходов в тонкопленочных гетероструктурах. Письма в ЖТФ 5, в. 14, 869-871 (1979).

171. Livescu G., Miller D.A.B, Chemba D.S., Ramaswang M., Chang T.Y., Sauer N., Gassard A.C., English J.E. IEEE Journ. Quant. Electr. 24, L1677 (1988).

172. Seilmeier A., Plodereder U., Weimann G. Temperature dependence of intersubband scattering in multiple quantum well structures. Semicond. Sci. Technology 9, 736-739 (1994).

173. Bandara K.M.S.V., Coon D.D., Byungsung O., Lin Y.F, Francomble M.H. Exchange interaction in quantum well subbands. Appl. Phys. Lett. 53, No. 20, 1931-1933 (1988).

174. Choe J.-W., Byungsung O., Bandara K.M.S.V., CoonD.D. Exchange interaction effects in quantum well infrared detectors and absorbers. Appl. Phys. Lett. 56, No. 17, 1679-1681 (1990).

175. Manasreh M.O., Szmulowicz F., Vaughan Т., Evans K.R., Stutz C.E., Fisher D.W. Intersubband infrared absorption in a GaAsZAlo.3Gao.7As multiple quantum -well. In 142., p.287-297.

176. Ando Т., Fowler A., Stern F. Electronic properties of two-dimensional systems. Reviews of Modern Physics 54, No. 2, (1982), см. перевод: Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М, "Мир", 1985, 415 с.

177. Helm М. Semic. Sci. Technol. 10, 557 (1995).

178. Zaluzny M. Intersubband absorption line shape in tunneling superlattices. Appl. Phys. Lett. 60, No. 12, 1486-1488 (1992).

179. Rita Gupta, Balkan N., Ridley B.K. Hot-electron transport in GaAs quantum wells: effect of non-drifting hot phonons and interface roughness. Semicond. Sci. Technol. 7, B274-B278 (1992).

180. Kaufman D., Sa'ar A., Kuze N. Anisotropy, birefringence, and optical phase retardation related to intersubband transitions in multiple quantum well structures. Appl. Phys. Lett. 64, No. 19, 25432545 (1994).

181. Воробьев JI.E., Осокин Ф.И. Внутризонное поглощение света в n-InAs при разогреве электронов электрическим полем. ФТП 13, в. 8, 1494-1501 (1979).

182. G.G.Zegrya. Proc. of 1993 Intern. Semicond. Device Research Sympos., p.635, Charlottesville, USA, 1993.

183. Шик А.Я. Оптическое поглощение на гетерогранице. ФТП 22, в. 10, 1843-1847 (1988).

184. Fainstein A., Etchegoin P., Santos P.V., Cardona М., Totemeyer К., Eberl К. In-plane birefringence of GaAs/AlAs multiple quantum wells. Phys.Rev. В 50, No. 16, 11850-11860 (1994).

185. Ekenberg U. Nonparabolicity effects in a quantum well: sublevel shift, parallel mass, and Landau levels. Phys.Rev. В 40, No. 11, 7714-7726 (1989).

186. Park J.S., Karunasiri R.P.G., Wang K.L. Intervalence-subband transition in SiGe/Si multiple quantum wells — normal incident detection. Appl. Phys. Lett. 61, No. 6, 681-683 (1992).

187. Fromherz Т., Kruck P., Helm M., Bauer G., Nutzel J.F., Abstreiter G. Polarization dependence of intersubband absorption and photoconductivity in p-type SiGe quantum wells. Superlatt. and Microstr. 20, No. 2, 237-243 (1996)

188. Yia-Chung Chang, James R.B. Saturation of intersubband transitions inp-type semiconductor quantum well. Phys^Rev. В 39, 12672-12681 (1989).

189. Алешкин В.Я., Романов Ю.А. Поглощение инфракрасного излучения дырками в структурах с квантовыми ямами. ФТП 27, в. 2, 329-336 (1993).

190. Петров А.Г., Шик А.Я. Поглощение света дырками в квантовых ямах. ФТП 28, в. 12, 2185 (1994).

191. Голуб Л.Е., Ивченко Е.Л., Расулов Р. Межподзонное поглощение света в квантовой яме полупроводника со сложной зонной структурой. ФТП 29, в. 6, 1093-1099 (1995).

192. Воробьев Л.Е., Голуб Л.Е., Донецкий Д.В. Поглощение и эмиссия света дальнего ИК-диапазона горячими дырками в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Письма в ЖЭТФ 63, в. 12, 928-932 (1996).

193. Hilber W., Helm M., Alavi K., Pathak R.N. Superlatt. and Microstr. Energy relaxation of hot electrons in GaAs/AlGaAs superlattices measured by infrared differential spectroscopy. 21, No. 1, 85-90 (1997).

194. Shah J., Pinczuk A., Gossard A.C., Wiegmann W. Energy-loss rates of hot electrons and holes in GaAs quantum wells. Phys. Rev. Lett. 54, No. 18, 2045-2048 (1985)

195. Петров А.Г., Шик А Я. Фотоионизация квантовых ям в сильном электрическом поле. ФТП 24, 1431-1436(1990).

196. Серженко Ф.Л., Шадрин В.Д. Теория фотоэлектрических и пороговых характеристик фотоприемников на основе многослойных структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами. ФТП 25, в. 9, 1579 (1991).

197. Петров А.Г., Шик А.Я. Эффекты деполяризации и фотоионизация квантовых ям. ФТП 31, в. 6, 666-669, (1997).

198. Harwit A., Harris Jr.J.S. Observation of Stark shifts in quantum well intersubband transitions. Appl. Phys. Lett. 50, в. 11, 685-687 (1987).

199. Rosencher E., Martinet E., Luc F., Bois Ph., Bockenhoff E. Discrepancies between photocurrent and absorption spectroscopies in intersubband photoionization from GaAs/AlGaAs multiquantum wells. Appl. Phys. Lett. 59, 3255 (1991).

200. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика (нерелятивистская теория). М., "Наука", 1974, 752 с.

201. Dupont Е., Delacourt D., Berger V., Vodjdani N., Papuchon M. Phase and amplitude modulation based on intersubband transitions in electron transfer double quantum wells. Appl. Phys. Lett. 62, No. 16, 1907-1909 (1992).

202. Berger V., Dupont E., Delacourt D., Vinter В., Vodjdani N, Papuchon M. Triple quantum well electron transfer modulator. Appl. Phys. Lett. 61, No. 17, 2072-2074 (1992).

203. Gornick E., Schawarz R., Tsui D.C., Gossard A.C., Wiegmann W. Far infrared emission from 2D electrons at the GaAs-AlxGai.xAs interface. Solid State Commun. 38, No. 6, 541 (1981).

204. Helm M., England P., Colas E., DeRosa F., Allen S.J., Jr. Intersubband emission from semiconductor superlattices excited by sequential resonant tunneling. Phys. Rev. Lett. 63, No. 1, 74-77 (1989).

205. Xu В., Hu Q., Melloch M.R. Electrically pumped tunable terahertz emitter based on intersubband transition. Appl. Phys. Lett. 71, No. 4, 440-442 (1997).

206. Гуревич В.Л., Паршин Д.А., Штенгель К.Е. Поглощение света свободными носителями при участии оптических фононов в квазидвумерных системах. ФТТ 30, 1466-1475 (1988).

207. Gashimzade F.V., Tairov E.V. Free-carrier absorption in quantum-well structures for charged inmurity scattering. Physica Status Solidi В 160, K177-K181 (1990).

208. Vass E. Theory of the hot free carrier intraband-ab sorption coefficient of n-inversion layers. Solid State Commun. 60, No. 7, 603-607 (1986).

209. Adamska H., Spector H.N. Free-carrier absorption from electrons in confined systems. J. Appl. Phys. 59, No. 2, 619-626 (1986).

210. Ridley B.K. Semic. Sci. Technol. 4, 1142 (1989).

211. Воробьев Л.Е. Внутризонное излучение и поглощение ИК-света в сильных электрических полях в n-InAs. ФТП 8, в. 7, 1291-1298 (1974).

212. Берегулин Е.В., Ганичев С.Д., Шик А.Я. Быстрая субмиллиметровая фотопроводимость и энергетическая релаксация двумерного электронного газа. ЖЭТФ 97, в. 6, 212 (1990).

213. Fromherz Т., Koppensteiner Е., Helm М., Bauer G., Niitzel J.F., Abstreiter G. Hole energy levels and intersubband absorption in modulated-doped Si/Sii-xGex multiple quantum wells. Phys. Rev. В 50, No. 20, 15073-15085 (1994)

214. Gornik E., Tsui D.C. Voltage tunable far-infrared emission from Si inversion layers. Phys. Rev. Lett. 37, 1425-1428 (1976).

215. Gornik E., Tsui D.C. Cyclotron and subband emission from Si-inversion layers. Surf. Sci. 73, 217-227 (1978).

216. Gornik E., Tsui D.C. Far infrared emission from hot electrons in Si-inversion layers. Sol. State. Electr. 21, 139(1978).

217. Hirakawa K., Grayson M., Tsui D.C., Kurdak C. Blackbody radiation from hot two-dimensional electrons in AlxGai-xAs/GaAs heterojunctions. Phys. Rev. В 47, No. 24, 16651-16654 (1993).

218. Tredicucci A., Gmachi C., Capasso F., Sivco D.L., Hutchinson A.L., Cho A. Y. Long wavelength superlattice quantum cascade lasers at x = 17 im. Appl. Phys. Lett. 74, No. 5, 638-640 (1999).

219. Gauthier-Lafaye O., Julien F.H., Cabaret S., Lourtioz J.-M., Strasser G., Gornik E., Helm M., Boib P. High power GaAs/AlGaAs quantum fontain unipolar laser emitting at 14.5 pm with 2.5% tunability. Appl. Phys. Lett., 74, No. 11, 1537-1539 (1999).

220. Kurtz S.R., Allerman A.A., Biefeld R.M., Baucom K.C. High slope efficiency, "cascaded" midinfrared lasers with type I InAsSb quantum wells. Appl. Phys. Lett. 72, No. 17, 2093-2095 (1998).

221. Sauvage S., Boucaud P., Julien F.H., Gérard J.-M., Marzin J.-Y. Journ. Appl. Phys. 82, No. 7, 3396-3401 (1997).

222. Helm M., Colas E., England P., F. de Rosa, Allen S.J. Observation of grating-induced intersubband emission from GaAs-AlGaAs superlattices. Appl. Phys. Lett. 53, No. 18,1714-1716 (1988).

223. Берман Л.В., Гавриленко В.И., Красильник З.Ф., Никоноров В.В., Павлов С.А., Чеботарев А.П. Люминесценция горячих дырок германия в субмиллиметровом диапазоне волн. ФТП 19, в. 3, 369-377 (1985).

224. Kastalsky A. Infrared intraband laser induced in a multiple-quantum well interband laser. IEEE Journ. of Quant. Electr. 29, No. 4, 1112-1115 (1993).

225. Воробьев Л.Е. Внутризонная инверсия населенности и усиление ИК излучения при инжекции носителей заряда в квантовые ямы и квантовые точки Письма в ЖЭТФ 68, No. 8, 392-399 (1998).

226. Grundmann M., Stier О., Bimberg D. InAs/GaAs pyramidal quantum dots: strain distribition, optical phonons, and electronic structure. Phys. Rev. В, 52, 11969-11981 (1995).

227. Heitz R, Veit M., Ledentsov N.N., Hoffmann A., Bimberg D. Energy relaxation by multiphonon processes in InGaAs/GaAS quantum dots. Phys. Rev. В. 56, 10435-10445 (1997).

228. Ledentsov N.N. Ordered arrays of quantum dots. В сб. : The Physics of Semiconductors, ed. by M.Sheffler, RZimmerman, World Scientific, Singapour, т.1, с. 19 (1997).

229. Benisty H., Sotomayor-Torres С.M., Weisbuch С. Intrinsic mechanism for the poor luminescence properties of quantum-box systems. Phys. Rev. В 44, No. 19, 10945-10948 (1991).

230. Semiconductor Injection Lasers, ed. by W.Tsang. Chapter 2. In: Semiconductors and Semimetals, v.22. Acad. Press Inc., 1985.

231. Miller B.T, Hansen W, Manus S., Luyken R.J, Lorke A, Kotthaus J.P. Few-electron ground states of charge-tunable self-asembled quantum dots. Phys. Rev. B, 56, 6764-6769 (1997).

232. Sauvage S, Boucaud P, Julien F.H, Gerard J.M, Thierry-Mieg V. Intraband absorption in л-doped InAs/GaAs quantum dots. Appl. Phys. Lett. 71, No. 19, 2785-2787 (1997).

233. Jiang H.T, Singh J.P. Conduction band spectra in self-assembled InAs/GaAs dots: a comparison of effective mass and an eight- band approach. Appl. Phys. Lett. 71, No. 22, 3239-3241 (1997).

234. Sandmann J.H.H, Grosse S, G. von Plessen, Feldmann J, Hayes G, Phillips R, Lipsanen H, Sopanen M, Ahopelto J. Ultrafast relaxation dynamics in strain-induced quantum dots. Physica Status Sol. (b) 204, 251-254 (1997).

235. Grundmann M, Weber A, Goede K, Ustinov V.M, Zhukov A.E, Ledentsov N.N, Kop'ev P.S, Alferov Zh.I. Mid-infrared emission from near-infrared quantum-dot lasers. Appl. Phys. Let. (2000), in print.

236. Afzali-Kushaa A, Haddad G.I, Norris T.B. Optically pumped intersubband lasers based on quantum wells. IEEE Journ. of Quant. Electr. 31, No. 1, 135-143 (1993).

237. Berger V. Three-level laser based on ontersubband transitions in asymmetric quantum wells: a theoretical study. Semic. Science Technol. 9, 1493-1499 (1994).

238. Kinsler P, Harrison P, Kelsall R.W. Intersubband electron-electron scattering in asymmetric quantum wells designed for far-infrared emission. Phys. Rev. В 58, 4771-4778 (1998).

239. Garbuzov D.Z, Martinelli R.U, Lee H, York P.K, Menna R.J, Connolly J.C, Narayan S.Y. Ultralow-loss broadening-waveguide high-power 2 (im AlGaAsSb/InGaAsSb/GaSb separate-confinement quantum-well lasers. Appl. Phys. Lett. 69, No. 14, 2006-2008 (1996).

240. Polkovnikov A.S, Zegrya G.G. Auger recombination in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. В 58, No. 7, 4039-4056 (1998).

241. Zegrya G.G. Mid-Infrared Strained Diode Lasers, in: Antimonide-Related Strained-Layer Heterostructures, ed. by M.O.Manasreh, Gordon and Breach Science Publishers, Amsterdam, The Netherlands, 1997, p. 273-368.

242. Choi H.K, Eglash S.J, Turner G.W. Double-heterostructure diode lasers emitting at 3 |i,m with a metastable GalnAsSb active layer and AlGaAsSb cladding layers. Appl. Phys. Lett. 64, No. 19, 2474-2476 (1994).