Закономерности формирования структуры, внутренних напряжений и морфологии поверхности наноразмерных углеродных покрытий, осаждаемых импульсным вакуумно-дуговым методом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Поплавский, Александр Иосифович
- Специальность ВАК РФ01.04.07
- Количество страниц 131
Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Поплавский, Александр Иосифович
Введение
Глава 1. Алмазоподобные углеродные покрытия, методы получения, структура, внутренние напряжения и морфология поверхности
1.1. Углерод и его формы. Алмазоподобные углеродные покрытия, структура и свойства
1.2. Анализ существующих Р\Т) методов синтеза алмазоподобных углеродных покрытий
1.3. Внутренние напряжения в углеродных покрытиях
1.4. Методы измерения внутренних напряжений в покрытиях
1.5. Модели формирования алмазоподобных углеродных покрытий, объясняющие возникновение внутренних напряжений
1.6. Способы снижения внутренних напряжений
1.7. Морфология поверхности алмазоподобных углеродных покрытий
Выводы к главе
Глава 2. Методика эксперимента, оборудование и материалы
2.1. Получение образцов наноразмерных углеродных покрытий
2.2. Исследование структуры углеродных покрытий
2.3. Определение величины внутренних напряжений в углеродных покрытиях
2.4. Исследование морфологии поверхности углеродных покрытий
Глава 3. Закономерности формирования структуры, внутренних напряжений и морфологии поверхности углеродных покрытий
3.1. Результаты исследований структуры наноразмерных углеродных покрытий
3.2. Зависимости величины внутренних напряжений в наноразмерных углеродных покрытиях от условий формирования
3.3. Зависимости морфологии поверхности наноразмерных углеродных покрытий от условий формирования
3.4. Влияние последующего отжига на величину внутренних напряжений в наноразмерных углеродных покрытиях
Выводы к главе
Глава 4. Феноменологическая модель возникновения внутренних напряжений в углеродных покрытиях, учитывающая глубину залегания радиационных дефектов. Роль внутренних напряжений сжатия в процессе структурообразования
4.1. Феноменологическая модель возникновения внутренних напряжений в углеродных покрытиях, учитывающая глубину залегания радиационных дефектов
4.2. Роль внутренних напряжений сжатия в процессе структурообразования
Выводы к главе
Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК
Влияние радиационных дефектов на процесс формирования углеродного алмазоподобного покрытия2000 год, кандидат физико-математических наук Колпаков, Александр Яковлевич
Внутренние напряжения в углеродных конденсатах, формируемых импульсным вакуумно-дуговым методом2005 год, кандидат физико-математических наук Галкина, Марина Евгеньевна
Модифицирование поверхности стали низкоэнергетическим ионным облучением перед нанесением углеродного покрытия2006 год, кандидат физико-математических наук Ковалева, Марина Геннадьевна
Формирование рельефа поверхности углеродных конденсатов, получаемых импульсным вакуумно-дуговым методом2004 год, кандидат физико-математических наук Гончаров, Игорь Юрьевич
Влияние радиационного и термического воздействия на состав и структуру алмазоподобных водородсодержащих углеродных пленок1999 год, кандидат физико-математических наук Рубштейн, Анна Петровна
Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности формирования структуры, внутренних напряжений и морфологии поверхности наноразмерных углеродных покрытий, осаждаемых импульсным вакуумно-дуговым методом»
Актуальность темы. Создание наноразмерных покрытий (пленок) функционального назначения на изделиях, деталях и инструменте, применяемых в таких отраслях как металлообработка, аэрокосмическая промышленность, медицина, микромеханика и т.д. является важной и перспективной задачей, позволяющей существенно повысить их эксплутационные характеристики. Большой- интерес в этом плане представляют алмазоподобные углеродные пленки (АПУ), известные во всем мире как DLC (diamond-like carbon), благодаря своим уникальным механическим и физико-химическим свойствам, близким к свойствам природного алмаза.
Импульсный вакуумно-дуговой метод получения АПУ покрытий обладает рядом преимуществ перед непрерывными методами получения таких покрытий: более высокая- плотность плазмы; возможность управления температурным режимом подложки путем изменения длительности импульсов и частоты их следования; обеспечение необходимой толщины покрытия путем задания определенного количества импульсов, что особенно важно при формировании наноразмерных покрытий; сплошность покрытия при минимальной толщине.
Свойства и эксплуатационные характеристики наноразмерных АПУ покрытий, получаемых осаждением ускоренных частиц углерода на холодной подложке, определяются их структурой, а также, в значительной степени, величиной внутренних напряжений и морфологией поверхности. Исследование структуры углеродных покрытий необходимо для их характеризации и имеет большие сложности с учетом их неупорядоченной структуры. Высокие значения внутренних напряжений сжатия, достигающих ЮГПа и больше, с одной стороны, могут приводить к деформации подложки или процессам отслаивания пленки, что в значительной степени ограничивает область их применения в микромеханике и нанотехнологии, а с другой стороны, играют основную роль в процессах «самоорганизации». Имеются научные публикации, в которых установлена корреляционная связь между структурой и внутренними напряжениями углеродных покрытий, физическая сущность которой во многом остается не выясненной. Остаются открытыми вопросы о причинах и механизмах возникновения внутренних напряжений и способах управления их величиной. Среди многообразия моделей формирования АПУ покрытий, объясняющих возникновение внутренних напряжений, наибольшее признание получили модели, основанные на теории термических пиков, «БиЬр1ап1айоп» модель, и модели уплотнения углеродных пленок, учитывающие процессы генерации и эволюции радиационных дефектов в термически активируемых диффузионных процессах. Недостаточно изучены закономерности и механизмы формирования, рельефа поверхности наноразмерных углеродных покрытий в условиях ионной бомбардировки. Анализ научной литературы показал, что наиболее полно изучено влияние средней энергии ионов, углерода и температуры осаждения на структуру и свойства АПУ покрытий. При этом требуются дополнительные исследования влияния параметров процесса осаждения, легирования различными элементами, а также последующего отжига на величину внутренних напряжений и морфологию поверхности наноразмерных углеродных покрытий, получаемых импульсным вакуумно-дуговым методом.
Таким образом, исследование закономерностей процессов формирования структуры, внутренних напряжений и морфологии поверхности наноразмерных углеродных покрытий, осаждаемых импульсным вакуумно-дуговым методом, представляют как научный, так и практический интерес. Они необходимы, во-первых, для расширения представлений о механизмах возникновения внутренних напряжений и их роли в процессе формирования углеродных покрытий. Во-вторых, для определения возможных путей регулирования величины внутренних напряжений в наноразмерных углеродных покрытиях и влияния на их морфологию с перспективой использования результатов исследований для расширения области применения этих покрытий, например, в микромеханике, медицине и нанотехнологии.
Цель работы: Определение закономерностей формирования структуры, внутренних напряжений и морфологии поверхности наноразмерных углеродных покрытий, осаждаемых импульсным вакуумно-дуговым методом.
Научная новизна работы:
1. С использованием аналитических методов просвечивающей электронной микроскопии установлены особенности спектров потерь энергии электронов и получены зависимости энергии плазмона для наноразмерных углеродных покрытий, сформированных импульсным вакуумно-дуговым методом, от угла наклона плазменного потока, заряда емкостного накопителя и давления азота в вакуумной камере. Показана возможность использования этих методов для характеризации наноразмерных углеродных покрытий с аморфной (неупорядоченной) структурой, получаемых импульсным вакуумно-дуговым методом.
2. Экспериментально показана возможность управления величиной внутренних напряжений в углеродных наноразмерных покрытиях в диапазоне от 13 до 6 ГПа путем изменения угла наклона плазменного потока к подложке. Предложено объяснение полученного результата, основанное на анализе процессов генерации и миграции радиационных дефектов. Обнаружена взаимосвязь между величиной внутренних напряжений и энергией плазмона.
3. Экспериментально установлено, что легирование азотом и вольфрамом углеродного покрытия, формируемого импульсным методом, а также приложение ускоряющего потенциала к подложке позволяют изменять морфологию поверхности (степень шероховатости, высоту нановыступов). Показано, что на формирование рельефа определяющее влияние оказывают процессы релаксации внутренних напряжений в результате миграции радиационных дефектов и диффузионные процессы.
4. Установлено, что особенности изменения величины внутренних напряжений в углеродных наноразмерных покрытиях, характеризующихся различной энергией плазмона, при отжиге связаны с различной концентрацией в них радиационных дефектов. Процесс отжига носит пороговый характер, и определяющее значение имеет не время отжига, а температура.
5. Предложена феноменологическая модель возникновения внутренних напряжений в углеродных покрытиях, основанная на радиационно-диффузионной модели уплотнения пленок, но отличающаяся тем, что в ней учитывается'процесс исчезновения дефектов на стоках (поверхность покрытия), который зависит от глубины их залегания. Предложенная модель позволяет объяснить полученные экспериментальные зависимости величины внутренних напряжений от угла наклона плазменного потока к подложке. Показана определяющая роль внутренних напряжений сжатия в процессе структурообразования углеродных покрытий.
Практическая ценность работы. Результаты, полученные в ходе выполнения работы, определяют возможные пути регулирования величины внутренних напряжений в углеродных покрытиях, осаждаемых импульсным вакуумно-дуговым методом, и влияния на морфологию их поверхности, что позволит расширить область применения углеродных покрытий, в частности, на изделиях микромеханики и медицинских имплантатах. Полученные выходе выполнения работы результаты и технические решения обладают патентоспособностью. Получено положительное решение о выдаче патента по заявке на изобретение № 2009130532/02(042619) «Способ формирования сверхтвердого углеродного покрытия в вакууме», где использована часть результатов данной работы.
Положения, выносимые на защиту:
1. Характеризация наноразмерных углеродных покрытий с использованием методов аналитической просвечивающей электронной микроскопии. Влияние угла наклона плазменного потока к подложке и напуска азота при формировании покрытия на энергию плазмона и спектры потерь энергии электронов.
2. Закономерности и механизмы управления величиной внутренних напряжений и морфологией поверхности наноразмерных углеродных покрытий. Определяющая роль процессов генерации и миграции радиационных дефектов в возникновении внутренних напряжений и в формировании рельефа поверхности.
3. Особенности и закономерности отжига наноразмерных углеродных покрытий, сформированных под разными углами наклона оси плазменного потока к подложке и характеризующихся различной энергией плазмона.
4. Феноменологическая модель возникновения внутренних напряжений в углеродных покрытиях, учитывающая глубину залегания радиационных дефектов. Оценка возможности формирования покрытий, имеющих преимущественно алмазоподобный (sp3) тип связи атомов в диапазоне полученных величин внутренних напряжений.
Апробация результатов работы. Основные результаты работы были представлены на следующих научно-технических конференциях:
• Международная школа-конференция молодых ученых «Физика и химия наноматериалов». - Томск, 13-16 декабря, 2005.
• VIII Всероссийская конференция «Физикохимия ультрадисперсных (нано-) систем». - Белгород, 10-14 ноября, 2008.
• 9-ая Международная конференция «Пленки и покрытия — 2009». — Санкт-Петербург, 26-29 мая, 2009.
• Международный форум по нанотехнологиям «Ыизпаг^есЬ 09». - Москва, 6-8 октября, 2009.
• Всероссийская конференция с элементами научной школы для молодежи «Проведение научных исследований в области индустрии наносистем и материалов». - Белгород, 16-20 ноября, 2009.
• Международная научно-техническая конференция «Нанотехнологии функциональных материалов (НФМ" 10)». - Санкт-Петербург, 22-24 сентября, 2010.
• 7-ая Международная конференция «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технология. Конструкционные и функциональные материалы (в том числе наноматериалы) и технологии их производства». — Владимир, 17-19 ноября, 2010.
Публикации. Основные результаты работы опубликованы в четырех статьях из списка ВАК, одном патенте на изобретение и восьми сборниках трудов конференций.
Личный вклад автора в проведении исследований и получении результатов является определяющим. Все результаты, приведенные в диссертации, получены либо самим автором, либо при его непосредственном участии.
Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы. Полный объем работы составляет 131 страницу.
Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК
Влияние сверхтвердой углеродной пленки нанометровой толщины, полученной импульсным вакуумно-дуговым методом, на микротвердость композиции "покрытие-подложка"2006 год, кандидат физико-математических наук Дручинина, Оксана Александровна
Влияние толщины и легирования азотом углеродных покрытий на электропроводность и механические свойства системы "кремний - покрытие"2008 год, кандидат физико-математических наук Суджанская, Ирина Васильевна
Ионно-плазменные методы нанесения твердых аморфных углеродных покрытий на подложки большой площади2001 год, кандидат физико-математических наук Оскомов, Константин Владимирович
Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов2004 год, доктор физико-математических наук Файзрахманов, Ильдар Абдулкабирович
Основы теории непрерывного технологического контроля параметров нанокомпозитных структур в технологии ионно-плазменных процессов2003 год, доктор технических наук Баранов, Александр Михайлович
Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Поплавский, Александр Иосифович
Выводы к главе 4
1. Предложена феноменологическая модель возникновения внутренних напряжений в углеродных покрытиях, основанная на изменении объема материала в результате генерации радиационных дефектов. Описание процессов генерации и эволюции радиационных дефектов базируется на основных положениях и уравнениях радиационно-диффузионной модели уплотнения пленок, разработанной А.С. Бакаем с соавторами, но отличается тем, что учитывается процесс исчезновения дефектов на стоках (поверхность покрытия), который зависит от глубины их залегания.
2. Показана определяющая роль внутренних напряжений сжатия4 в процессе структурообразования углеродных пленок. Образование в выделенном объеме (кластере) эр2 или- Бръ типа связи атомов зависит от величины возникающих внутренних напряжений сжатия, которые прямо пропорциональны давлению, действующему на единицу поверхности объема. Согласно оценочным расчетам, структура углеродного покрытия будет преимущественно графитоподобной, если величина внутренних напряжений сжатия а <3.75 ГПа, и алмазоподобной, если а >1.5 ГПа, в случае, когда 3.75 <<т< 7.5 ГПа, присутствуют обе фазы, соотношение которых определяется величиной <7.
Заключение
1. По результатам исследования аморфных углеродных наноразмерных покрытий методом спектроскопии характеристических потерь энергии электронов установлено, что увеличение угла наклона плазменного потока к подложке, заряда емкостного накопителя, а также напуск в камеру азота приводят к уменьшению энергии плазмона, что свидетельствует об увеличении доли яр1— фазы в покрытии.
2. Получены зависимости величины внутренних напряжений в углеродных покрытиях от толщины, угла наклона плазменного потока относительно подложки, заряда емкостного накопителя, коэффициента абляции графитового катода, величины ускоряющего потенциала. Показана возможность управления величиной внутренних напряжений в углеродных наноразмерных покрытиях в диапазоне от 13 до 6 ГПа путем изменения угла наклона плазменного потока к подложке. Увеличение угла приводит к уменьшению глубины залегания радиационных дефектов, что обуславливает большую вероятность частичной релаксации внутренних напряжений за-счет миграции дефектов к стокам (поверхности покрытия). Обнаружена взаимосвязь между величиной внутренних напряжений'и энергией плазмона, которая обусловлена относительным содержанием в матрице углеродного покрытия атомов с Бр1 и ярг — гибридизацией валентных электронов.
3. Получены экспериментальные зависимости влияния легирующих элементов (азот, алюминий и вольфрам) на величину внутренних напряжений в нанокомпозитных углеродных покрытиях. Обнаружено, что минимальная величина внутренних напряжений сжатия присуща покрытиям, легированным элементами, которые не являются карбидообразующими. Снижение внутренних напряжений по мере повышения давления азота в камере обусловлено, во-первых, изменением элементного и фазового состава матрицы углеродного покрытия, во-вторых, наличием атомов газовой примеси, которая способствует превращению растущего скопления вакансий в поры и формированию пористого покрытия.
4. Установлено, что добавление азота приводит к существенному увеличению шероховатости углеродного покрытия. В случае легирования углеродного покрытия вольфрамом, наоборот, происходит снижение степени шероховатости поверхности в результате уменьшения количества нановыступов и их высоты. Влияние легирующей примеси в углеродном покрытии на морфологию его поверхности объясняется, в первую очередь, изменением диффузионной подвижности атомов углерода.
5. Сильное влияние на высоту нановыступов и, соответственно, на степень шероховатости поверхности покрытия оказывает приложение ускоряющего потенциала к подложке. Подача на подложку ускоряющего потенциала 1200 В приводит к увеличению средней высоты нановыступов приблизительно в пять раз.
6. Отжиг углеродных покрытий при температуре 350°С приводит к снижению величины внутренних напряжений на 43% в покрытии, полученном при угле наклона оси плазменного потока к подложке 0-0°, и только на 20% в покрытии, полученном при 0 = 70°, что связано с меньшим количеством дефектов в последнем. Процесс отжига дефектов, с которым связано уменьшение внутренних напряжений, носит пороговый^ характер, имеет значение не только время отжига, но и температура отжига, которая обуславливает перестройку дефектов (отжиг) с определенной энергией миграции.
7. Предложена феноменологическая модель возникновения внутренних напряжений в углеродных покрытиях, основанная на изменении объема материала в результате генерации радиационных дефектов. Описание процессов генерации и эволюции радиационных дефектов базируется на основных положениях и уравнениях радиационно-диффузионной модели уплотнения пленок, разработанной A.C. Бакаем с соавторами, но отличается тем, что учитывается процесс исчезновения дефектов на стоках (поверхность покрытия), который зависит от глубины их залегания.
8. Показана определяющая роль внутренних напряжений сжатия в процессе структурообразования углеродных пленок. Образование в выделенном объеме (кластере) зр1 или яр3 типа связи атомов зависит от величины возникающих внутренних напряжений сжатия, которые прямо пропорциональны давлению, действующему на единицу поверхности объема. Согласно оценочным расчетам, структура углеродного покрытия будет преимущественно графитоподобной, если величина внутренних напряжений сжатия сг<3.75 ГПа, и алмазоподобной, если <т > 7.5 ГПа, в случае, когда 3.75 < ст < 7.5 ГПа, присутствуют обе фазы, соотношение которых определяется величиной (7 .
9. Результаты и технические решения, полученные в ходе выполнения работы, использованы при разработке способа формирования сверхтвердого углеродного покрытия в вакууме [165].
Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Поплавский, Александр Иосифович, 2011 год
1. Алмазоподобные пленки углерода: обзор, инф. сер. Монокристаллы и особо чистые вещества / Э.Ф. Чайковский, В.М. Пузиков, А.В. Семенов. — М.: НИИТЭХИМ, 1985. 365 с.
2. Алмаз: Справочник / Д.В. Федосеев и др.. Киев.: Наукова думка, 1981. - 78с.
3. Novoselov K.S. et al. Electric field effect in atomically thin carbon films // Science. 2004. Vol. 306. P. 666-669.
4. Морозов C.B., Новоселов K.C., Гейм A.K. Электронный транспорт в графене // УФН. 2008. Т. 178, №7. С. 776-780.
5. Вуль А .Я., Соколов В.И. Исследование наноуглерода в России: от фуллеренов к нанотрубкам и наноалмазам // Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2, №3-4. С. 17-30.
6. Ивановская В.В., Ивановский A.JI. Алмазоподобные углеродные наноматериалы: моделирование структуры и свойств // Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2, №9-10. С. 12-27.
7. Елецкий А.В., Смирнов Б.М. Фуллерены и структуры углерода // УФН. 1995. Т. 165, №9. С. 977-1009.
8. Robertson J. Diamond-like amorphous carbon // Materials Science and Engineering R. 2002. Vol. 37. P. 129-281.
9. Новиков Н.Д. и др. Структура сверхтонких- пленок линейно-цепочечного углерода // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия.2002. №2. С. 57-60.
10. Lifshitz Y. Diamond-like carbon present status // Diamond and Related Materials. 1999. Vol. 8. P. 1659-1676.1 l.McKenzie D.R. Tetrahedral bonding in amorphous carbon // Rep. Prog. Phys. 1996. N.59. P. 1611-1664.
11. Lifshitz Y. Pitfalls in amorphous carbon studies // Diamond and Related Materials.2003. Vol.12. P. 130-140.
12. Aksenov I.I., Strel'nitskij V.E. Vacuum-arc discharge as an instrument for PVD process of DLC films deposition // Алмазные пленки и пленки родственных материалов: сб. докл. 5-го Международного симпозиума. — Харьков: ННЦ ХФТИ, 2002. С. 39-64.
13. Gaskell P.H. et al. Neutron-scattering studies of the structure of highly tetrahedral amorphous diamondlike carbon//Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 67. P. 1286-1289.
14. Tochitsky E.I. et al. Structure and properties of carbon films prepared by pulsed vacuum arc deposition // Surface and Coatings Technology. 1991. Vol. 47. P. 292298.
15. Davis C.A., Amaratunga G.A.J., Knowles K.M. Growth Mechanism and Cross-Sectional Structure of Tetrahedral Amorphous Carbon Thin Films // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 80. P. 3280-3283.
16. Yin Y., Zou D.R., McKenzie J. Preferred orientation in carbon films induced by energetic condensation//Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. 1996. Vol. 119. P. 587590.
17. Taylor M.B. The origin of preferred orientation during carbon film growth // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. Vol. 21. P 225003.
18. Lau D.W.M. et al., Abrupt stress induced transformation in amorphous carbon films with a highly conductive transition phase // PRL 2008. Vol. 100. P.176101.
19. Scheibe H.-J., Drescher D., Alers P.Raman characterization of amorphous carbon films //Fresenius J. Analytical Chemistry. 1995. Vol: 353. P. 695-697.
20. Scheibe H.-J. et al. Investigation of surface topography, morphology and structure of amorphous carbon films by AFM and ТЕМ // Fresenius J. Analytical Chemistry. 1995. Vol. 353. P.690-694.
21. Drescher D. et al. A model for particle growth in arc deposited amorphous carbon films // Diamond and Related Materials. 1998. Vol. 7. P. 1375-1380.
22. Fallon P.J. et al. Properties of filtered-ion-beam-deposited dimondlike carbon as a function of ion energy // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48, №7. P. 4777-4782.
23. Chhowalla M: et al. Influence of energy and substrate temperature on the optical and electronic properties of tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81 (1), P. 139-145.
24. Shi Xu et al. Properties of carbon ion deposited tetrahedral amorphous carbon films as a function of ion energy // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 79 (9), P. 7234-7240.
25. Polo M.C. et al. Preparation of tetrahedral amorphous carbon films by filtered cathodic vacuum arc deposition // Diamond and Related Materials. 2000. Vol. 9. P. 663-667.
26. Tay B.K. et al. Effects of substrate temperature on properties of tetrahedral amorphous carbon films // Thin Solid Films. 1999. Vol. 346. P. 155-161.
27. McKenzie D.R. et al. Properties of tetrahedral amorphous carbon prepared by vacuum-arc deposition // Diamond and Related Materials. 1991. Vol. 1. P. 51-59.
28. Teo K.B.K, et al. Highest optical gap tetrahedral amorphous carbon // Diamond and Related Materials. 2002. Vol. 11. P. 1086-1090.
29. Inkin V.N. et al. Change of internal stress of carbon superhard condensates at a process of annealing // Diamond and Related Materials. 2004. Vol. 13. P. 1474-1479.
30. Schulz H. et al. Pulsed arc deposition of super-hard amorphous carbon films // Appl. Phys. A. 2004. Vol. 78. P. 675-679.
31. Inkin V.N., Kirpilenko G.G., Kolpakov A.J. Internal stresses in ta-C films deposited by pulse arc discharge method // Diamond and Related Materials. 2001. Vol. 10. P. 1103-1108.
32. Колпаков А.Я. Влияние радиационных дефектов на процесс формирования углеродного алмазоподобного покрытия: дис. канд. физ.-мат. наук Белгород.: БелГУ, 2000, 135 с.
33. Маслов А.И. Разработка способа и технологии нанесения углеродных алмазоподобных покрытий на спецоснастку и изделия электронной техники: дис. . канд. тех. наук. Москва.: МИЭТ, 1987, 237 с.
34. Галкина М.Е. Внутренние напряжения в углеродных конденсатах, формируемых импульсным вакуумно-дуговым методом: дис. канд. физ.-мат. наук. Белгород.: БелГУ, 2005, 164 с.
35. Способ формирования сверхтвердого аморфного углеродного покрытия в вакууме: пат. РФ. 2240376 / Колпаков А.Я., Инкин В.Н., Уханов С.И.; опубл. 20.11.04.
36. Ferrari А.С. et al. Density, sp2 fraction, and cross-sectional structure of amorphous carbon films determined by x-ray reflectivity and electron energy-loss spectroscopy // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62, №16. P. 11089-11103.
37. Ferrari A.C. Diamond-like carbon for magnetic storage disks // Diamond and Related Materials. 2004. Vol. 180-181. P. 190-206.
38. Fyta M'.G. et al". Structure, stability, and. stress properties of amorphous and nanostructured carbon films // Thin Solid Films. 2005. Vol. 482. P. 56-62.
39. Beghi M.G. et al. Elastic constants and structural properties of nanometre-thick diamond-like carbon films // Diamond andt Related Materials. 2002. Vol. 11. P. 1062-1067.
40. Beghi M.G. et al. Bonding and mechanical properties of ultrathin diamond-like carbon films //Applied Physics Letters. 2002. Vol. 81, №20. P. 3804-3806.
41. Druz B. et al. Nitrogenated carbon films deposited using filtered cathodic arc // Diamond and Related Materials. 2000. Vol. 9. P. 668^674.
42. Kleinsorge B. et al. Bonding regimes of nitrogen in amorphous carbon // Diamond and Related'Materials. 2000. Vol. 9. P. 643-648.
43. Zhang P. et al. Microstructure and mechanical properties of nanocomposite amorphous carbon films // J. Vac. Sci. Technoh A. 20021 Vol. 20, N. 4. P. 13901394.
44. Tay B.K. et al. Hard carbon nanocomposite films with low stress // Diamond and Related Materials. 2001. Vol. 10. P. 1082-1087.
45. Суджанская И.В. Влияние толщины и легирования азотом на электропроводность и механические свойства системы «кремний покрытие»: Дис. .канд. физ.-мат. наук. - Белгород.: БелГУ, 2008, 138 с.
46. Способ формирования сверхтвердого легированного углеродного покрытия на кремнии в вакууме: пат. РФ. 2342468 / Галкина М.Е. и др..
47. Egerton R.F. Electron energy-loss spectroscopy in the ТЕМ I I Rep. Prog. Phys. 2009. Vol. 72. P. 016502-016527.
48. Kulik J. et al. Electron energy - loss spectroscopy of mass-selected ion-beam -deposited diamondlike carbon // J. Appl. Phys. 1994. Vol.76 (9). P. 5063-5069.
49. Григорьев C.H., Волосова M.A. Нанесение покрытий на инструмент. М.: Изд-во «ИТО», 2007.-68 с.
50. Аксенов И.И., Стрельницкий В.Е. Синтез безводородных пленок алмазоподобного углерода // Алмазные пленки и пленки родственных материалов: сб. докл. 12-го Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Харьков: ННЦХФТИ, 2001. С. 96-105.
51. Способ получения искусственных алмазов: А.С. № 411037 / Голянов В.М., Демидов А.П.
52. Чайковский Э.Ф., Пузиков В.M., Семенов А.В. Осаждение алмазных пленок из ионных пучков углерода // Кристаллография. 1981-,. Т. 26, вып. 1. С. 219-222.
53. Yamamoto К. et al. Carbon films deposited with mass-selected carbon ion beams under substrate heating // Surface and Coatings Technology. .2003. V. 169-170. P. 328-331.
54. Voevodin A.A., Donley M.S. Preparation of amorphous diamond-like carbon by pulsed; laser deposition: a critical review // Surf. Coatings Technol., 1996: Vol; 82. P. 199-213;
55. Eason R. Pulsed laser deposition of thin films: Applications LED growth of functional materials / R. Eason. - Hoboken: Wiley- Interscience, 2007. - 628 p.
56. Андреев А.А. и др. Вакуумно-дуговые устройства и покрытия. Харьков: ННЦ ХФТИ, 2005.- 236 с.
57. Аксенов И.И Вакуумная дуга в эрозионных источниках плазмы. Харьков: ННЦ ХФТИ, 2005. - 212 с.
58. Блинов И.Г. и др. Вакуумные сильноточные плазменные устройства и их применение в технологическом оборудовании микроэлектроники. М.: ЦНИИ «Электроника», 1974.
59. Вакуумные дуги: пер. с англ. / под ред. Дж. Лафферти. -М.: Мир, 1982. 432с.
60. Месяц Г.А. Эктоны в вакуумном разряде: пробой, искра, дуга. М.: Наука, 2000. 424с.
61. Кесаев И.Г. Катодные процессы электрической дуги. -М.: Наука, 1968.
62. Kimblin C.W. Erosion and Ionization in Cathode Spot Regions of Vacuum Arc // J. Appl. Phys. 1973. Vol. 44, N. 7. P. 3074-3081.
63. Стрельницкий B.E. Исследование алмазоподобных форм углерода и получение покрытий на их основе при конденсации плазмы в вакууме : дис. . канд. физ.-мат. наук. Харьков, 1980.
64. Sethuraman S.K., Chatterton Р.А., Barrault M.R. A study of the erosion rate of vacuum arcs in a transverse magnetic field // Journal of Nuclear Materials. 1982. Vol. 111-112. P. 510-516.
65. Камышанченко H.B., Ковалева М.Г., Колпаков А.Я., Поплавский А.И. Влияние величины заряда емкостного накопителя на процесс абляции графита в импульсном вакуумно-дуговом разряде // Упрочняющие технологии и покрытия. 2006. №5. С. 30-31.
66. Никитин В.М., Колпаков А .Я., Гончаров И.Ю. Влияние длительности импульса сильноточного вакуумно-дугового разряда на величину коэффициента эрозии графитового катода // Научные ведомости. Белгород: БелГУ, 2001. №2, (15). С. 12-15.
67. Kandah М., Meunier J-L. Erosion Study on Graphite Cathodes Using Pulsed Vacuum Arcs // IEEE Transactions on plasma science. 1996. Vol. 24,№.2. P. 523527.
68. Бугаев A.C. и др. Исследования направленных скоростей ионов в вакуумном дуговом разряде эмиссионными методами // ЖТФ. 2000. Т. 70, Вып. 9. С. 37-43.
69. Месяц Г.А., Баренгольц С.А. Механизм генерации аномальных ионов вакуумной дуги // УФН. 2002. Т. 172, № 10. С.1113-1130.
70. Кринберг И.А. Зависимость зарядности ионов от силы тока в стационарных и импульсных вакуумных разрядах // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27, Вып. 2. С. 9-16.
71. Ivanov V., Juttner В., Pursch Н. Time resolved measurement of the parameters of arc cathode plasma in vacuum // IEEE Trans. Plasma Sci. 1985. Vol. 13. P. 334-336.
72. Meunier J-L., Campbell M., Kandah M. Evidence of columnar diamond growth structures within cathode spot craters of vacuum arcs on carbon // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. Vol. 36. P. 3138-3143.
73. Золотухин И.В., Соколов Ю.В. Фрактальная структура и некоторые физические свойства углеродного депозита, полученного распылением графита в электрической дуге // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23, № 13. С. 71-75.
74. Золотухин И.В., Соколов Ю.В., Иевлев В.П. Структура, внутреннее трение и модуль упругости фрактального углеродного депозита // ФТТ. 1998. Т. 40, № 3. С. 584-586.
75. Аксенов И.И. и др. Высокоэффективный источник чистой углеродной плазмы // ЖТФ. 1980. Т. 50, №9. С. 2000-2004.
76. Стрельницкий В.Е. Вакуумно-дуговой синтез алмазоподобных пленок: история, последние разработки, применение, перспективы // Вопросы Атомной Науки и Техники. 2002. №6. С. 125-133.
77. Маслов А.И., Дмитриев Г.К., Чистяков» Ю.Д. Импульсный" источник углеродной плазмы для технологических целей // Приборы и техника эксперимента. 1985. №3. С. 146-149.
78. Method of forming diamond-like carbon coating in vacuum: US patent. 6,261,424 B1 / V.P. Goncharenko, A.J. Kolpakov, A.I. Maslov, 2001.
79. Аксенов Д.С., Аксенов И.И., Стрельницкий В.Е. Подавление эмиссии макрочастиц в вакуумно-дуговых источниках, плазмы // Вопросы Атомной Науки и Техники. 2007. №6. С. 106-114.
80. Биргер И.А. Остаточные напряжения. — М.: Машиностроительная литература, 1963.232с.
81. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости. М.: Наука. 1987. 250 с.
82. Бакай А.С. Радиационная повреждаемость аморфных и мелкокристаллических тел // В кн. Структура и радиационная повреждаемость конструкционных материалов: -М.: Металлургия. 1996. 163с.
83. Бакай А.С. Поликластерные аморфные тела-М.: Энергоатомиздат. 1987. 191с.
84. McKenzie D.R., Muller D.A., Pailthorpe В.A. Compressive-stress-induced formation of thin-film tetrahedral amorphous carbon // Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 67. P. 773776.
85. Ferrari А.С. et al. Is stress necessary to sp bonding in diamond-like carbon // Diamond. Relat. Mater. 2002. Vol. 11. P. 994-999.
86. Lau D.W.M. et al. Microstructural investigation supporting an abrupt stress induced transformation in amorphous carbon films // Journal of Applied Physics. 2009. Vol. 105. P. 084302-1 -084302-6.
87. Гофман Р.У. Механические свойства тонких конденсированных пленок // Физика тонких пленок. Т. 3. М.: Мир, 1968. - 225 с.
88. Yongqing Fu et al. Carbon turns the tensile surface stress of Ti to be compressive // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. Vol. 34. P. L129-L132.
89. Clyne T.W. Residual Stresses in Coated and Layered Systems // Encyclopedia of Materials: Science and Technology. Elsevier, 2010. P.8126-8134.
90. Механические напряжения в тонких пленках: Обзоры по электронной технике / Романов А.С., Щеглова В.В. -М.:ЦНИИ «Электроника», 1981 .-68с.
91. Овидько И.А., Скиба Н.В., Шейнерман А.Г. Релаксация напряжений несоответствия путем зернограничной диффузии в нанокристаллических пленках //Materials Physics and Mechanics. 2009. №8. С. 149-154.
92. Doerner M.F. and Nix W.D. Stresses and deformation processes in thin-films on substrates // Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences. 1988. V. 14(3). P. 225-268.
93. Spaepen F. Interfaces and stresses in thin films // Acta mater. 2000. Vol.48. P. 3142.
94. Lifshitz Y., Kasi S.R., Rabalais J.W. Subplantation Model for Film Growth From Hyperthermal Species: Application to Diamond // Phys. Rev. Lett. 1989. Vol. 62, N. 11. P. 1290-1294.
95. Lifshitz Y., Lempert G.D., Grossman E. Substantiation of Subplantation Model for Diamondlike Film Growth from by Atomic Force Microscopy // Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 72 (17). P. 2753-2756.
96. Lifshitz Y. et al. Subplantation Model for Film Growth From Hyperthermal Species //Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41. P. 10468-10471.
97. Lacombe R. Adhesion Measurement Methods Theory and Practice. USA: Taylor & Francis Group, LLC, 2006. 428 pp.
98. Технология тонких пленок: Справочник. Т. 2. Ч. III. / пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко. -М.: Сов. радио, 1977. 768 с.
99. Stoney G.G. The Tension of Metallic Films deposited by Electrolysis // Proceedings of the Royal Society of London. A. 1909. V. 82. P. 172-175.
100. Klein C.A. How accurate are Stoney's equation and recent modifications // J. Applied Physics. 2000. V. 88, N. 9. P. 5487-5489.
101. Добрынин A.B. О применимости формулы Стони для расчета механических напряжений в толстых пленках и покрытиях // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23, № 18. С. 32-36.
102. Матвеев Н.В. и др. Остаточные напряжения в покрытии из нитрида титана, осажденного в вакууме // Проблемы прочности. 1985. №5. С. 90-93.
103. Davis C.A. A simple model for the formation of compressive stress in thin films by ion bombardment // Thin Solid Films. 1993. Vol. 226. P. 30-34.
104. Калиниченко А.И., Перепелкин C.C., Стрельницкий B.E. Формирование напряжений сжатия в тонких пленках при ионном' облучении* // Вопросы атомной науки и техники. 2007. №6. С. 116-119.
105. Калиниченко А.И., Перепелкин С.С., Стрельницкий В.Е. Влияние температуры подложки на внутренние напряжения и структуру алмазоподобного покрытия при ионном осаждении // Вопросы атомной науки и техники. 2008. №1. С. 147-151.
106. Hofasass Н. et al. Cylindrical spike model for the formation of diamondlike thin films by ion deposition // Applied Physics A. 1998. Vol. 66. P. 153-181'.
107. Seitz F., Koehler J.S. Displacement of atoms during irradiation // Solid State Physics. 1956. Vol. 2. P. 305-448.
108. Деревщиков В.А., Стручков А.И. О разбросе сгустков по массам и скоростям в импульсных плазменных ускорителях // ЖТФ. 1970. Т. XL, вып. 9.
109. Осадин Б.А., Шаповалов Г.И. Нанесение тонких пленок с помощью импульсных генераторов плазмы // ФХИОМ. 1976. №5. С. 43-51.
110. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М. : Мир, 1971.-355 с.
111. Бакай А.С., Стрельницкий В.Е. О структуре углеродных пленок, образуемых при осаждении быстрых ионов //ЖТФ. 1981. Т. 51, вып. 9. С. 2004-2007.
112. Эггинс Б.Р. Химическая структура и реакционная способность твердых веществ. М.: Химия, 1976. - 160 с.
113. Тонкие поликристаллические и аморфные пленки. Физика и применение / Под ред. JI. Казмерски; пер. с англ.-М.: Мир, 1983.-300с.
114. Muller К.Н. Model for ion-assisted thin-film densification // J. Appl. Phys. 1986 Vol. 59 (8) P.2803-2807.
115. Бакай A.C., Слепцов C.H., Жуков А.И. Радиационно-диффузионная модель уплотнения пленок, осаждаемых из ионно-атомных потоков // Металлофизика и новейшие технологии. 1995. Т.17. №9: С 42-50.
116. Ахиезер И.А., Давыдов JI.H. Введение в теоретическую радиационную физику металлов и сплавов. Киев.: Наукова Думка, 1985. - 144 с.
117. Зеленский В.Ф., Неклюдов И.М., Черняева Т.П. Радиационные дефекты и распухание материалов Киев.: Наукова Думка, 1988. - 296 с.
118. Бышкин М.С., Бакай А.С., Туркин А.А. Перколяция и фазовый переход в аморфном углероде. Молекулярно-динамическое моделирование // Вісник Харківського університету. 2007. №781, вып. 3/35. С. 81-87.
119. Uhlmann S., Frauenheiir Th., Lifshitz Y. Molecular-dynamic study of the fundamental processes involved in subplantation of diamondlike carbon // Physical Review Letters. 1998. Vol. 81, №3. P. 641-644.
120. Marks N.A., McKenzie, Pailthorpe B.A. Molecular-dynamics study of compressive stress generation // Phys. Rev. B. 1996. V. 53. P. 4117 4124.
121. Sulin Zhang et al. Stress generation mechanisms in carbon thin films grown by ion-beam deposition // Acta Materialia. 2003. Vol. 51. P. 5211-5222.
122. Иванов-Омский В.И., Ястребов С.Г., Рихтер А. Об изменении плотности аморфного углерода при воздействии на него атомами углерода с энергиями 10-500 eV // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 20. С. 29-34.
123. Marcela М.М. Bilek et al. Control of stress and microstructure in cathodic arc deposited films // IEEE Transactions on plasma science. 2003. Vol. 31, №5. P. 939-944.
124. Chhowalla M. et al. Investigation of carbon nitride films by cathodic arc evaporation//Thin Solid Films. 1996. Vol. 290-291. P. 103-106.
125. Воеводин А.А., Ерохин A.JI., Спасский С.Е. Модель выбора схемы многослойного ионно-плазменного покрытия на основе расчета напряжения в его слоях//Поверхность. 1991. №9. С. 78-84.
126. Ляшенко Б.А. и др. О снижении остаточных напряжений в вакуумно-плазменных покрытиях // Проблемы прочности. 2001. №4. С. 62-68.
127. Xiao Han et al. Stress, microstructure and mechanical properties of graded multilayer tetrahedral amorphous carbon films // Applied Physics A. 2008. Vol. 91. P. 529-533.
128. Friedman T.A. et al. US Patent № 6103 305, 6C23C016/26, B05D 003/02,1999.
129. Lifshitz Y. et al. Surface roughness evolution and growth mechanism of carbon films from hyperthermal species // Diamond and Related Materials. 2007. Vol. 16. P. 1771-1776.
130. Рубштейн А.П. и др. Влияние температуры на формирование рельефа углеродных алмазоподобных пленок и его модификация ионной бомбардировкой // Физика металлов и металловедение. 2006. Т. 102, №6. С. 671-677.
131. Трахтенберг И.Ш. и др. Формирование морфологии поверхности алмазоподобных пленок, конденсирующихся при дуговом распылении графита в вакууме // Физика металлов и металловедение. 2005. Т. 100, №1. С. 65-70.
132. Casiraghi С. et al. Dynamic roughening of tetrahedral amorphous carbon / // Physical review letters. 2003. Vol.91, №22. P. 226104-1 226104-4.
133. Casiraghi C. et al. Surface properties of ultra-thin tetrahedral amorphous carbon films for magnetic storage technology // Diamond and Related Materials. 2004. Vol. 13. P. 1416-1421.
134. Casiraghi C., Ferrari A.C., Robertson J. The smoothness of tetrahedral amorphous carbon // Diamond and Related Materials. 2005. Vol. 14. P. 913-920.
135. Гончаров И.Ю., Колпаков А .Я., Камышанченко Н.В. Динамика роста нановыступов на поверхности углеродного покрытия на начальной стадии конденсации / Вопросы атомной науки и техники. 2004. №5. С. 168-172.
136. Гончаров И.Ю. Формирование рельефа поверхности углеродных конденсатов, получаемых импульсным- вакуумно-дуговым методом: дис. канд. физ.-мат. наук. Белгород: БелГУ, 2004, 193с.
137. Синдо Д., Оикава Т. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия. М.: Техносфера, 2006. — 256 с.
138. Колпаков А.Я., Галкина М.Е., Гончаров И:Ю:,.Суджанская И.В;, Поплавский
139. A.И. Влияние внутренних напряжений на морфологию поверхности твердых наноразмерных углеродных покрытий // Российские нанотехнологии. 2008. Т.З, №9-10. С. 69-73.
140. Колпаков AJL, Галкина М.Е., Поплавский А.И.,. Гончаров И.Ю., Харченко
141. Второго Международного конкурса научных работ молодых ученых в области нанотехнологий. М., 2009. С. 178-180.
142. Гордеев Ю.С., Микушкин В.М., Шнитов В.В. Спектры элементарных возбуждений фуллерита Сбо и влияние на них электронного возбуждения // Физика твердого тела. 2000. Т. 42, вып.2. С.371-377.
143. Voevodin A.A. et. al. Growth and structure of fiillerene-like CNX thin films produced by pulsed laser ablation of graphite in nitrogen // Journal of Applied Physics. 2002. V. 92. P. 4980-4988.
144. Ziegler J.F., Biersack J.P. and Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids. New York: Pergamon Press, 1985. (www.srim.org).
145. Medhekar N.V. et al. Stress-enhanced pattern formation on surfaces during low energy ion bombardment // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21. P. 224021224028.
146. Беграмбеков JI.Б. и др. Формирование микровыступов на бомбардируемой ионами поверхности // Физика и химия обработки материалов 1989. №5. С. 26-33.
147. Праттон М. Введение в физику поверхности. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». 2000. — 256 с.
148. Zazula Jan М. On Graphite Transformations at High Temperature and Pressure Induced by Absorption of the LHC Beam // LHC Project Note 78, 1997.Xhttp://lbruno.home.cern.ch/lbruno/documents/Bibliography/LHCNote78.pdf).
149. Заявка на изобретение № 2009130532/02(042619) Р.Ф. Способ формирования сверхтвердого углеродного покрытия в вакууме / Москвитин А.А., Маслов А.И., Колпаков А.Я., Поплавский А.И. решение о выдачи патента на изобретение от 17.08.2010.
Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.