Высокополевая туннельная инжекция в системах металл-диэлектрик-полупроводник и разработка методов их контроля тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор технических наук Столяров, Александр Алексеевич

• Столяров, Александр Алексеевич
• доктор технических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор технических наук Столяров, Александр Алексеевич

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

Глава 1. Высокополевая туннельная инжекция в методах контроля дефектности и зарядовой стабильности МДП-систем

1.1. Дефекты в системах металл-диэлектрик-полупроводник

1.2. Методы исследования и контроля МДП-структур, использующие токополевые воздействия

1.3. Высокополевая туннельная инжекция в МДП-системах

1.4. Зарядовая нестабильность МДП-систем в условиях

высокополевой туннельной инжекции

Выводы

Глава 2. Инжекционные методы исследования и контроля

МДП-систем в сильных электрических полях

2.1. Способы и устройства для измерения напряжения микропробоя МДП-систем

2.2. Определение положения центроида заряда, накопленного в диэлектрике, и оценка генерационных характеристик границы раздела и ОПЗ полупроводника

по измерениям напряжения микропробоя

2.3. Инжекционный метод исследования МДП-систем в режиме постоянного тока

2.4. Совместное применение методов инжекции заряда в диэлектрик и ТСД для исследования и контроля характеристик центров захвата в диэлектрических

слоях МДП-систем

2.5. Экспериментальные установки для измерения электрофизических параметров МДП-систем в условиях высокополевой туннельной инжекции

Выводы

Глава 3. Исследование процессов зарядовой нестабильности

ЩП-систем в условиях туннельной инжекции

3.1. Исследование накопления и растекания отрицательного заряда в системе Si-Si02-i€C-Al при инжекции электронов из кремния

3.2. Зарядовая нестабильность системы Si-Si02-ФСС-А1

при инжекции электронов из А1-электрода

3.3. Исследование влияния толщины пленки ФСС на процессы зарядовой нестабильности в системе

Si-Si02 -ФСС-AI в условиях туннельной инжекции

3.4. Исследование зарядовой нестабильности систем Si-Si02 -AI, Si-Si02-ФСС-AI и Si-Si02-Si*, изготовленных в одном технологическом цикле

3.5. Исследование ЩП-систем в неравновесных

условиях при протекании токов туннельной инжекции

3.6. Исследование дефектности изоляции и зарядовой стабильности МДП-систем в режиме постоянного тока

туннельной инжекции

Выводы

Глава 4. Моделирование зарядовой нестабильности МДП-систем в условиях высокополевой туннельной инжекции

4.1. Модель зарядового состояния системы Si-Si02-AI

в условиях высокополевой туннельной инжекции

4.2. Модель зарядового состояния системы Si-Si02-ФСС-А1 при высокополевой туннельной инжекции

4.3. Моделирование зарядовой нестабильности системы Si-Si02-ФСС-AI при инжекции электронов из кремния

4.4. Влияние режимов высокополевой инжекции

на зарядовую деградацию МДП-систем

4.5. Модели зарядовой нестабильности МДП-систем в условиях неравномерного распределения тока туннельной инжекции

4.6. Исследование процессов накопления зарядов в диэлектрике дефектных областей МДП-систем

Si-Si02 -AI

4.7. Моделирование зарядовой нестабильности МДП-систем Si-Si02-ФСС-AI в условиях неравномерного

протекания туннельного тока

Выводы

Глава V. Применение инжекиионных методов контроля в

производстве МЩП-ВИС

5.1. Контроль дефектности подзатворного диэлектрика в производстве МДП-БИС методом измерения напряжения микропробоя

5.2.Сравнительная оценка методов контроля дефектности диэлектрических пленок

5.3. Применение зондов с жидким электродом при исследовании и контроле МДП-структур

5.4. Применение импульсных инжекционных воздействий для контроля структур с плавающим затвором и контроль качества технологического процесса получения подзатворного диэлектрика по напряжению инверсии

5.5. Моделирование выхода годных микросхем по дефектности подзатворного диэлектрика

5.6. Исследование влияния технологических операций

на дефектность подзатворного диэлектрика

5.7. Совершенствование технологического процесса получения подзатворного диэлектрика на основе исследований дефектности изоляции и зарядовой стабильности

Выводы Заключение Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Высокополевая туннельная инжекция в системах металл-диэлектрик-полупроводник и разработка методов их контроля»

ВВЕДЕНИЕ

Увеличение степени интеграции изделий микроэлектроники обусловливает необходимость повышения их надежности, что неразрывно связано с совершенствованием методов производственного контроля интегральных схем (ИС). Достигнутый уровеь развития технологии, высокая интеграция и надежность ИС и БИС на основе кремния указывают на то, что в качестве основного материала для изготовления интегральных схем на ближайшие 10-15 лет останется кремний. Основными базовыми элементами ИС и БИС будут являться системы металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) с диэлектрическими слоями на основе термической двуокиси кремния. Увеличение степени интеграции микросхем обеспечивается уменьшением длин каналов и толщин подзатворного диэлектрика транзисторов в МДП-технологии. Поэтому возрастает роль процессов в МДП-системах, связанных с влиянием сильных электрических полей. Воздействие инжекции носитетелей в диэлектрик МДП-систем в таких полях приводит к изменению зарядового состояния диэлектрика, повышению плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик, к активизации дегра-дационных процессов в электрически активных дефектах.

Важное научное и большое практическое значение имеет исследование воздействия высокополевой туннельной инжекции на характеристики зарядов в МДП-системе с двухслойным диэлектриком Si02-0CC (фосфорно-силикатное стекло). Подзатворный диэлектрик Si02 -ФСС используется во многих серийно выпускаемых полевых приборах для стабилизации их электрических характеристик. Образование пленок ФСС происходит также в системах Si-Si 02 -Si* (поликристаллический кремний, легированный фосфором), являющихся основой современных БИС. Несмотря на обилие работ, посвященных экспериментальным исследованиям зарядовой неста-

бильности и определению механизмов накопления зарядов в системах 31-3102 и Зл.-3:102-ФСС, до настоящего времени не была разработана физико-математическая модель зарядового состояния системы 31-3±02-ФСС, учитывающая основные механизмы захвата носителей в двуокиси кремния и ФСС, положения центроидов зарядов, напряженности локальных электрических полей.

В связи с широким распространением ¡УЩП-технологии важнейшей задачей является выявление потенциально ненадежных схем. Известны и широко применяются в производстве МДП-ИС методики отбраковки потенциально ненадежных схем, основанные на термо-электротренировках микросхем в рабочих и форсированных режимах. Однако процесс выявления дефектных схем такими методами длителен, энергоемок, применим только для готовых изделий и не может быть использован на ранних стадиях технологического процесса. Известны также методы контроля дефектности подзатворно-го диэлектрика, такие как электрографический, электрохимический, электролитический, электрофорезный и др., к общим недостаткам которых следует отнести отсутствие количественной оценки дефектности и возможности полной автоматизации, большую длительность контрольно-измерительных операций. Поэтому была поставлена задача разработать электрофизические методы ускоренного выявления потенциально ненадежных схем, удовлетворяющих требованиям производства ЩП-ЕИС.

Особое место в исследовании дефектности и зарядовой нестабильности МДП-систем принадлежит методам, использующим инжек-цию носителей в диэлектрик в силу их чувствительности именно к электрически активным дефектам. Данные методы обладают высокой достоверностью, экспрессностью и могут быть применены в автоматизированных системах операционного технологического контроля в производстве МДП-БИС. Однако развитию методов, использующих инжекционные воздействия, мешает, с одной стороны, недостаточная изученность влияния туннельной инжекции на электрофи-

зические характеристики МДП-систем, что не позволяет определить допустимые границы воздействий и провести обоснованный выбор режимов измерения. С другой стороны, недостаточно развиты инжекционные методы исследований и контроля, что ставит задачу дальнейшего их развития с учетом требований производства интегральных схем, важнейшими из которых являются: сокращение времени проведения контрольно-измерительных операций, уменьшение степени влияния на характеристики контролируемых структур, точная дозировка инжекционных воздействий, повышение информативности, снижение трудоемкости, возможность реализации в автоматизированных системах операционного контроля. Серьезной проблемой остается и отсутствие аппаратных средств для реализации инжекционных методов исследования и контроля МДП-систем.

Цель работы. Установление на основе экспериментальных и теоретических исследований закономерностей влияния сильных электрических полей и высокополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик на электрофизические характеристики МДП-систем и разработка - методов и автоматизированных средств производственного контроля дефектности и зарядовой нестабильности диэлектрических слоев в производстве МДП-ИС и БИС.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

1. Экспериментальные исследования воздействия высокополевой туннельной инжекции на системы Зл--ЗЮ2-А1 и Зл--Зл.02-ФСС-А1, процессов зарядовой нестабильности и дефектности.

2. Моделирование процессов зарядовой нестабильности МДП-систем при высокополевой туннельной инжекции, в условиях равномерного и неравномерного протекания туннельного тока.

3. Разработка на основе результатов экспериментальных и теоретических исследований новых методов исследования и контроля дефектности и зарядовой нестабильности МДП-систем.

4. Разработка автоматизированных средств операционного контроля и апробирование в промышленности разработанных методов контроля, направленных на снижение дефектности и повышение зарядовой стабильности, и рекомендаций по их применению.

Научная новизна. На основании выполненных исследований разработано теоретическое описание процессов зарядовой нестабильности в ЩП-структурах на основе системы 51-5Ю2 -ФСС в условиях высокополевой туннельной инжекции. Впервые поставлена и решена на основе единого подхода к изучению явлений дефектности и зарядовой нестабильности проблема контроля инжекционной стоикости МДП-систем в производстве МДП-БИС. При этом получены следующие новые результаты.

1. На основе экспериментальных исследований воздействия высокополевой туннельной инжекции на систему 51-5102-ФСС-А1 определены характеристики центров захвата электронов в ФСС и их зависимости от концентрации фосфора и толщины пленки фос-форно-силикатного стекла.

2. Установлено, что изменение кинетики сдвига вольт-амперной характеристики в МДП-системах 51-5Ю2-ФСС-А1 с ростом напряженности электрического поля в условиях туннельной инжекции из кремния связано с накоплением положительного заряда в двуокиси кремния.

3. Впервые обнаружено, что в МДП-системе 51-5Ю2-ФСС-А1 в слоях ФСС наблюдается существенное ослабление генерации дырок, ответственных за накопление положительного заряда в пленке двуокиси кремния при высокополевой туннельной инжекции из кремния.

4. Предложены модели зарядовой нестабильности МДП-систем Эл.—Б Ю2 —ФСС-А1 на начальном этапе высокополевой туннельной ин-жекции из кремния в условиях равномерного и неравномерного протекания тока.

5. На основе численного моделирования впервые исследованы процессы зарядовой нестабильности в областях дефектов и определены токовые нагрузки, плотности инжектированных в диэлектрик зарядов и их зависимости от параметров дефектных областей в условиях неравномерного распределения плотности туннельного тока на начальном этапе инжекции.

6. Разработан инжекционный метод определения параметров ЩП-структур, основанный на анализе временной зависимости напряжения на ВДП-структуре при подаче на нее импульса постоянного тока.

7. Предложен новый способ исследования зарядовой нестабильности МДП-систем, основанный на измерении токов термости-мулированной деполяризации (ТСД), в котором поляризация образца осуществляется в условиях высокополевой туннельной инжекции электронов в диэлектрик.

Практическая ценность работы. Результаты экспериментальных и теоретических исследований процессов зарядовой нестабильности и дефектности МДП-систем лежат в основе разработки методов измерения параметров, устройств и автоматизированных систем котроля качества технологического процесса в производстве МДП-ИС и БИС:

- четыре новых способа измерения напряжения микропробоя, повышающие производительность контроля дефектности диэлектрических слоев;

- три новых схемы построения устройств для измерения напряжения микропробоя, позволяющие уменьшить время снятия испытательного напряжения и уменьшить время измерения напряжения микропробоя;

- новая конструкция зонда с жидким электродом, предназначенного для контактирования при реализации инжекционных методов контроля качества диэлектрических слоев на пластинах без металлизации в разработанных специальных тестовых модулях;

- метод контроля качества технологического процесса формирования подзатворного диэлектрика по измерениям напряжения инверсии после проведения технологических операций, способ и устройство для измерения напряжения инверсии МДП-структур;

- метод оценки дефектности подзатворного диэлектрика и области пространственного заряда (ОПЗ) ЩП-структур по напряжению неравновесного микропробоя;

- приборы и автоматизированные установки контроля и измерения параметров ЩП-систем и полевых приборов в условиях туннельной инжекции: измерители напряжения микропробоя ИМП-2М, ИМП-ЗТ, измеритель напряжения инверсии ЦШИ; установка контроля напряжения микропробоя УКНМП-2М; автоматизированная установка для проведения инжекционных испытаний в режиме постоянного тока УСИН.

Новизна предложенных технических решений подтверждена авторскими свидетельствами на изобретения.

Применение разработанных новых способов, устройств и автоматизированных средств контроля дефектности позволило впервые установить корреляцию между результатами контроля дефектности подзатворного диэлектрика по измерениям напряжения микропробоя и выходом годных микросхем. Разработана модель, позволяющая прогнозировать выход годных схем на ранних стадиях технологического процесса.

Инжекционный метод котроля дефектности изоляции и зарядовой стабильности применяется в качестве аттестационного на АО "Восход" г.Калуга.

Подзатворный диэлектрик с улучшенными характеристиками дефектности изоляции и зарядовой стабильности применяется в вы-

соковольтном слаботочном стабилизаторе тока на основе ДМДП-транзистора (МС-СТ1 ТВО 205.002-16ТУ) и низковольтном слаботочном стабилизаторе на основе ЩП-транзистора (МС-СН1 ТВО 205.002-15ТУ)и других ЩЦП-ИС, серийно выпускаемых АО "Восход"' г. Калуга.

Разработанные метод контроля и автоматизированная установка контроля напряжения микропробоя УКНМП-2М (АБ 3.381.002-ПС) рекомендованы ОСТ 1120.9903-86 "Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые, системы и методы операционного контроля в процессе производства, технические требования к технологическому процессу при аттестации производства" (метод 3.36) для контроля изолирующих свойств диэлектрических слоев и находятся в производственной эксплуатации на АО "Восход" г.Калуга и НИИМП г. Зеленоград.

Полученные в работе результаты используются в курсе "Электроника и микроэлектроника", читаемом автором в КФ МГТУ. Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

- Установленные на основе экспериментальных исследований закономерности воздействия высокополевой туннельной инжекции на систему 51-3 Ю2 -ФСС-А1.

- Модели зарядового состояния системы 31-3102-ФСС-А1 на начальном этапе высокополевой туннельной инжекции из кремния при равномерном и неравномерном распределении тока и результаты их исследований.

- Инжекционный метод определения параметров МДП-структур, основанный на анализе временной зависимости напряжения на структуре при подаче на нее импульса постоянного тока, позволивший осуществить единый подход к исследованию дефектности изоляции и зарядовой стабильности.

- Способы измерения и схемы построения устройств для определения параметров МДП-систем с условиях туннельной инжекции.

- Результаты применения инжекционных воздействий для контроля дефектности и зарядовой стабильности МДП-систем в условиях производства МДП-ИС и БИС.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Столяров, Александр Алексеевич

Выводы

1. Разработана установка контроля напряжения микропробоя УКНМП-2М, предназначенная для контроля дефектности диэлектрических слоев на ранних стадиях технологического процесса. Методика и аппаратура (измеритель напряжения микропробоя ИМП-2М) для контроля дефектности диэлектрических слоев методом измерения напряжения микропробоя рекомендованы ОСТ 1120.9903-86 "Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые, системы и методы операционного контроля в процессе производства, технические требования к технологическому процессу при аттестации производства" (метод 3.36) и находятся в производственной эксплуатации на предприятиях электронной промышленности.

Измеритель напряжения микропробоя ИМП-2М и установка контроля дефектности диэлектрических слоев МДП-ИС демонстрировались на ВДНХ СССР (1980,1984), получены бронзовая и золотая медали.

2. Разработан измеритель напряжения микропробоя ИМП-ЗТ, реализующий разработанный способ измерения напряжения микропробоя при заряде МДП-структуры постоянным током заданной величины.

3. Разработана новая конструкция зонда с жидким электродом, позволяющая осуществлять контактирование в тестовом модуле, размещенном на рабочих пластинах, и контролировать качество технологических операций формирования подзатворного диэлектрика до проведения металлизации на основе измерения напряжения инверсии разработанным измерителем напряжения инверсии ЦИНИ.

4. Показана возможность выявления потенциально ненадежных структур с плавающим завтором по характеристикам стекания заряда с плавающего затвора при импульсных инжекционных воздействиях .

5. Установлена корреляция между дефектностью подзатворно-го диэлектрика и выходом годных микросхем. Предложена модель, позволяющая оценивать выход годных схем по результатам контроля дефектности подзатворного диэлектрика методом измерения напряжений микропробоя.

6. На основе единого подхода к изучению дефектности изоляции и зарядовой стабильности МДП-структур с использованием инжекционного метода контроля показано, что технологическая операция термического отжига при неизменных режимах окисления определяет качество подзатворного диэлектрика. Разработаны и осуществлены мероприятия по совершенствованию технологического процесса получения подзатворного диэлектрика на АО "Восход" г.Калуги (Операционная карта технологического процесса ТВО 734 525 ТК2. Обработка термическая.). Проведена оптимизация режимов проведения операции термического отжига, что позволило получить подзатворный диэлектрик с улучшенными характеристиками изоляции и зарядовой стабильности, применяемый в высоковольтном слаботочном стабилизаторе тока на основе ДМДП-транзистора (МС-СТ1 ТВО 205.002-16ТУ) и низковольтном слаботочном стабилизаторе на основе ВДП-транзистора (МС-СН1 ТВО 205.002-15ТУ) и других КМДП-ИС, серийно выпускаемых АО "Восход" г.Калуга.

269

ЗАКПОЧЕНИЕ

1. Определены закономерности накопления отрицательного заряда в пленках ФСС в условиях высокополевой туннельной ин-жекции. В результате изучения зависимостей накопления отрицательного заряда в ФСС от инжектированного в диэлектрик заряда показано, что за захват электронов в пленке фосфорно-силикатного стекла ответственны два вида ловушечных центров с сечениями захвата 1,4 • Ю-15 см2 и 3,2 • Ю-16 см2, локализующихся в объеме ФСС. Концентрация и сечение захвата электронных ловушек слабо зависят от толщины слоя ФСС. Увеличение напряжения смещения ВАХ с ростом толшины пленки ФСС связано со смещением центроида отрицательного заряда, захваченных на ловушки электронов, в сторону границы раздела Б1-БЮ2.

2. На основании исследований зависимостей напряжений сдвига ВАХ от заряда, инжектированного в диэлектрик ЩП-систем Б1-БЮ2-А1 и Б!—БЮ2 —ФСС—А1, изготовленных в одном технологическом цикле, установлено, что уменьшение величины напряжений сдвига ВАХ с ростом напряженности электрического поля в условиях туннельной инжекции электронов из кремния связано с накоплением положительного заряда в двуокиси кремния.

3. Сопоставление экспериментальных и теоретических зависимостей изменения зарядового состояния диэлектрика ВДП-систем Б1-БЮ2-ФСС-А1 от инжектированного заряда с учетом зависимостей напряженностей локальных электрических полей в ФСС позволило установить, что в слоях ФСС наблюдается существенное ослабление генерации дырок межзонной ударной ионизацией, ответственных за накопление положительного заряда в двуокиси кремния.

4. Предложены модели зарядовой нестабильности МДП-систем Б1-БЮ2-ФСС-А1 на начальном этапе высокополевой туннельной инжекции в условиях равномерного и неравномерного протекания туннельного тока.

5. На основе численного моделирования с использованием разработанных моделей зарядового состояния исследованы процессы зарядовой нестабильности в системах 31-3102-А1 и 31-3102-ФСС-А1 с дефектами, характеризующимися пониженным потенциальным барьером и меньшей толщиной диэлектрика. Показано, что наибольшая токовая нагрузка наблюдается на начальном этапе инжекции. Наличие пленки ФСС снижает токовые нагрузки в областях дефектов.

6. Предложен единый подход к изучению дефектности изоляции и зарядовой стабильности с использованием разработанного инжекционного метода определения параметров МДП-структур, основанного на анализе временной зависимости напряжения на МДП-структуре при подаче на нее импульса постоянного тока.

7. Предложен способ исследования и контроля зарядовой нестабильности МДП-систем, основанный на измерении токов ТСД, в котором поляризация образца осуществляется в условиях высокополевой туннельной инжекции заряда в диэлектрик в режиме постоянного тока.

8. Разработаны четыре новых способа измерения напряжения микропробоя, основанные на заряде ВДП-структуры током постоянной величины, повышающие точность и сокращающие время измерения напряжения микропробоя. Предложены три новых схемы построения устройств для измерения напряжения микропробоя, уменьшающие инжекционные нагрузки структур за счет уменьшения времени снятия испытательного напряжения и времени измерения.

9. Создана новая конструкция зонда с жидким электродом. Разработан способ и устройство для измерения напряжения инверсии. Разработан тестовый модуль для проведения контроля параметров ¡МДП-систем с использованием инжекционных методов на рабочих пластинах.

10. Показана возможность оценки дефектности подзатворного диэлектрика и ОПЗ МДП-структур по напряжению неравновесного микропробоя и выявления потенциально ненадежных структур с плавающим затвором по характеристикам стекания заряда с плавающего затвора при импульсных инжекционных воздействиях.

11. Установлена корреляция между результатами контроля дефектности подзатворного диэлектрика по измерениям напряжения микропробоя и выходом годных микросхем. Разработана модель, позволяющая прогнозировать выход годных схем на ранних стадиях технологического процесса.

12. На основе единого подхода к изучению дефектности изоляции и зарядовой стабильности с использованием инжекционного метода контроля разработаны и осуществлены мероприятия по совершенствованию технологического процесса получения подзатворного диэлектрика на АО "Восход" г.Калуга.

13. Методика и аппаратура (измеритель напряжения микропробоя ИМП-2М) для контроля дефектности диэлектрических слоев методом измерения напряжения микропробоя рекомендованы ОСТ 1120.9903-86 "Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые, системы и методы операционного контроля в процессе производства, технические требования к технологическому процессу при аттестации производства" (метод 3.36) и находятся в производственной эксплуатации на предприятиях электронной промышленности .

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Столяров, Александр Алексеевич, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Измерения и контроль в микроэлектронике/Под ред. А.А.Сазонова. -М.: Высшая школа, 1984.-367 с.

2. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность. Отраслевой руководящий документ РД 11 0755-90.

3. Управление качеством электронных средств/Под ред. О.П.Глудкина.-М.: Высшая школа, 1992.-414 с.

4. Корзо В.Ф., Черняев В.Н. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. -М. : Энергия, 1977.-368с.

5. Воробьев Г.А., Мухачев В.А. Пробой тонких диэлектрических пленок.-М.: Сов. Радио, 1977.-72 с.

6. Физические основы надежности интегральных схем/Под ред. М.Миллера.-М.: Сов. радио, 1976.-320 с.

7. Джоветт Ч.Е. Статическое электричество в электронике. -М.: Энергия, 1980.-136 с.

8. Ажажа Э.Г., Коркин В.И. О сплошности окисных пленок кремния// Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы.- 1968.-Вып. З.-С. 44-53.

9. Румак Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП структурах.- Минск: Наука и техника, 1986.-240 с.

10. Оценка вероятности выхода годных МОП-ИС по пористости подзатворного диэлектрика / K.M. Кролевец, A.B. Кудина, Э.М. Тысячник и др. //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1975.-Вып. 1.- С. 56-60.

11. Чернышев A.A., Араненков А.П. Развитие сотрудничества разработчиков СБИС, средств производства и контроля //Электронная промышленность.-!990.-№ 12.- С. 37-40.

12. Андрушко А.Ф., Зеленов В.И., Устинов В.Ф. Влияние дефектности кремния и эффективного периметра МДП-структур на

электрическую прочность подзатворного диэлектрика // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1980.-Вып. 1.-С. 48-51.

13. Исследование природы сквозных пор в пленках двуокиси кремния на кремнии / B.C. Данилович, Б.М. Аюпов, Т.Н. Смирнова и др. //Микроэлектроника.-1975.-Т. 4.-Вып. 1.-С.89-92.

14. Герасименко B.C., Посудиевский А.Ю. Дислокационная структура и морфология системы Si02-Si// Физика диэлектриков: тез. докл. Всесоюзной научно-техн. конф.-Баку,-1982.-С. 110.

15. Эдельман Ф.Л. Структура компонентов БИС.-Новосибирск, Наука, 1980.-С. 256.

16. Козлов Б.И., Раков A.B. Исследование структурных особенностей пограничных областей системы кремний-двуокись кремния, полученной термическим окислением кремния // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1970.-Вып. 4.-С. 60-64.

17. Литвиненко С.А., Цыганков И.Н. Исследование влияния фазовых переходов в окисле на зарядовые и механические свойства системы кремний окисел //Поверхность. Физика, химия, механика.-1982.-№ 5.-С. 73-75.

18. Литвиненко С.А., Митрофанов В.В., Соколов В.И. Процессы, протекающие при формировании системы кремний-окисел, и их влияние на свойства кремниевых планарных структур // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы.-1983.-Вып. 1.-С. 50-60.

19. Лукичев A.B. Проблема загрязненности технологических сред микрочастицами в современной микроэлектронике / / Электронная промышленность.-1988.-№ З.-С. 41-46.

20. Холоменко A.A., Пчелкин В.Ю., Об эффекте образования частиц на конденсированных в вакууме металлических пленках // Физика металлов и металловедение.-1969.-Т. 28.-Вып. З.-С. 112114.

21. Введение в фотолитографию/Под ред. В.П.Лаврищева.-М.: Энергия, 1977.- 400 с.

22. Лабутин Н.И., Мартынов В.В., Павалайнян B.C. Перенос дефектов фотошаблона на пленки двуокиси кремния в процессе контактной фотолитографии// Электронная техника. Сер. 7.-1971.-Вып. 5.-С. 41-44.

23. Денисюк В.А., Попов В.М. Влияние дефектов с аномально высокой скоростью генерации на характеристики МДП-транзисторов // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1980.-Вып. 1.-С. 82-86.

24. Литвиненко С.А., Литовченко В.Г., Соколов В.И. Исследование процессов структурной релаксации, протекающих в системе кремний-окисел при ее формировании // Физика диэлектриков: тезисы докл. Всесоюз. научно-техн. конф.-Ваку, 1982.-С. 115.

25. Денисюк В.А., Попов В.М. Влияние дефектов с аномально высокой скоростью генерации на характеристики МДП-транзисторов //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1980.-Вып. 1. -С.82-85.

26. Денисюк В. А., Попов В.М. Метод определения МДП-структур с аномально высокой скоростью генерации неосновных носителей //Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания.-1975.-№ 11.-С. 60-64.

27. Денисюк В.А., Попов В.М. Исследование качества структуры Si-Si02 по характеристикам ее генерационной активности //Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1978.-№ 1. -С.14-16.

28. Красников Г.Я., Радионов A.A. Стабильность параметров ВДП-ИС при термических и токовых воздействиях // Электронная промьшшенность.-1988.- № 4.-С.43-44.

29. Жарких Ю.С., Пятницкий В.В., Третяк О.В. Локализация заряда на гидрофобной и гидрофильной поверхности кремния и в окисной пленке // Микроэлектроника.-1997.-Т. 26.-Вып. 6.-С. 464-469.

30. Greeuw G., Bakker S., Verwey J.F. Influence of annual temperature on the mobile ion concentration in MOS structures // Solid State Electron.-1984.-Vol.-27.-№ l.-P. 77-81.

31. Зи C.M. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1/ Пер. с англ. Под ред. Р.А.Суриса.-М.: Мир, 1984.456 с.

32. Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев Si02 на кремнии.- Л.: ЛГУ, 1988.-304 с.

33. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Основы физики приборов с зарядовой связью.-М.: Наука, 1982.-320 с.

34. Масловский В.М., Личманов Ю.О., Семанович Е.В. Влияние протяженных дефектов на пробой тонкопленочных ВДП-структур //Письма в ЖГФ.-1993.-Т. 19.-Вып. 24.-С. 11-16.

35. Kimura М., Mitsuhashi J., Kogama Н. Si/Si02 interface states and neutral oxide traps induced by surface microrough-ness // J. Appl. Phys.-1995.-Vol. 77.-№ 4.-P. 1569-1575.

36. Броудай Ч., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии.-М.: Мир, 1985.-496 с.

37. Цербст М. Контрольно-измерительная техника.-М.: Энер-гоатомиздат, 1989.-320 с.

38. Таруи Я. Основы технологии сверхбольших интегральных схем. -М.: Радио и связь, 1985.-480 с.

3 9. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС.-М.: Энергоатомиздат, 1988.- 256 с.

40. Радиационные эффекты в короткоканальных МДП-приборах/ М.Н. Левин, С.Г. Кадминский, А.В.Татаринцев и др.// Микроэлектроника.-19 92 .-Т. 21.-Вып. 2.-С. 34-41.

41. Влияние электронного облучения на характеристики МДП-структур при исследовании в растровом электронном микроскопе М.Г. Картамыпев, А.Н. Невзоров, A.A. Обухов и др.// Микроэлектроника.-1990.-Т. 19.-Вып. 1.-С. 22-30.

42. Altken J.M., Yuong D.R. Electron trapping by radiation induced positive charge in Si02 // J. Appl. Phys.-1976.-Vol. 47.-P. 1196-1201.

43. Altken J.M., Yuong D.R., Pan K. Electron trapping in electron-beam irradiated Si02 // J. Appl. Phys.-1978.-Vol. 49. -P. 3386-3391.

44. Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых ЩП-структурах.-Новосибирск. Наука, 1993.- 280 с.

45. Гамкренаридзе С.А., Дорошевич В.К. Оценка уровня качества СБИС методом комплексной физико-технической экспертизы. Труда Proceedings II А . Отделение микроэлектроники и информатики.- Москва, Зеленоград, НПК "Научный центр", 1997,- Вып. 2. -С. 307-311.

46. Глудкин О.П., Черняев В.Н. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной аппаратуры и интегральных микросхем. -М.: Энергия, 1980.- 360 с.

47. Ленков С.В., Зубарев В.В., Тариелашвили Г.Т. Физико-технический анализ причин отказов электрорадиоизделий в составе радиоэлектронной аппаратуры // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.-1997.-№ З.-С. 31-34.

48. Фогель В.А. Электрохимический метод определения пористости диэлектрических пленок// Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы.-1971.-Вып. 1.-С.8 7-93.

49. ОСТ 11 20.9903-86. Метод 3.8. Электрохимический метод обнаружения дефектов в диэлектрических и резистовых слоях.

50. Ковчагцев А.П., Французов A.A., Пористость термического окисла толщиной 30-600 А //Микроэлектроника.-1979.-Т. 8.-№ 5.-С. 439-444.

51. Перелыгин А.И., Холомина Т.А., Лакткшкин О.Н. Электрофизические методы исследования и контроля параметров МДП-систем.-Рязань, РРТИ, 1983.- 64 с.

52. OCT 11 20.9903-86. Метод 3.30. Контроль маскиругащх свойств диэлектрических пленок методом электрографии.

53. Исследование сплошности тонких диэлектрических пленок методом электрографии / Ванпггейн А.Б., Власов Г.В., Королева Г.И. и др.// Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1974.-№ 2.-С. 57-61.

54. Беспалов Г.П. Сравнительная оценка методов контроля пористости диэлектричеких пленок // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания.-1982.-№ З.-С. 49-51.

55. Гриценко Н.И., Кучеров С.И. Контроль дефектности поверхности кремния нематическими жидкими кристаллами. // Микроэлектроника.-1997 .-Т. 26.-№ 5.-С.389-391.

56. Демидова Г.Н., Глудкин О.Н., Черняев В.Н. Диагностика дефектов диэлектрика с помощью исследования начального пробоя МДП (МДМ)-структур // Микроэлектроника.-1982.-Т. 11.-№ 4.-С. 356-366.

57. Wang S.T., Harari Е., Neelsen W.Y. Improved reliability and yield in thin thermal Si02 // 16-th Annual Proceedings Reliability Physics. -1978.-P. 137-139.

58. Лашевский P.А., Филаретов Г.А., Шапиро А.А. Исследование надежности затворного диэлектрика МДП-структур // Микроэлектроника. -19 80. -Т. 9.- Вып. 4.-С. 347-354.

59. Лещенко Н.Е., Рвачев А.П., Чугай О.И. Поляризация центров переноса заряда и контроль качества ВДП-структур // Электронная техника. Сер. 8.-1980.-Вып. 4.-С. 79-81.

60. Костычев Г. И. Явление пробоя в тонких слоях МДП-структур // Электронная промышленность.-1971.-№ 1.-С.80-81.

61. Боханкевич В. И. Исследование изолирующих свойств подзатворного диэлектрика по вольт-амперным характеристикам МДП-структур // Электронная техника. Сер. 8. Управление ка-

чеством, стандартизация, метрология, испытания.-1980.-№ б.-С. 50-54.

62. Luchies J.M.,Kuper F.,Verwei J. On the use of DC measurements for ESD-related process monitoring / Eur.Symp.Reliab.Electron. Devices, Failure and Anal.(ESREF-92). Schwabisch Gmund, Ost. 1992// Qual, and Realiab. End Jnt 1993-9.- № 4.- P. 309-313.

63. A.c. СССР № 699454. Способ определения параметров ЩП-структур / В.И. Боханкевич - Опубл. в Б.И., 1980, №43.

64. Инициирование микропробоя ЩП-структур на основе кремния со сверхтонкими диэлектрическими слоями / Н.С. Мукаи-лов, A.A. Суханов, Г.В. Степанов и др. // Микроэлектроника. -1989.-Т. 18.-Вып. 6.-С.544-548.

65. Шмидт Т.В., Гуртов В.А., Далеко В.А. Временные характеристики пробоя пленок двуокиси и нитрида кремния // Микроэлектроника .-1988.-Т.17.-Вып.3.-С.244-247.

66. Solomon P. High-field electron trapping in Si02 // J. Appl. Phys.-1977.-Vol.48.- № 9.-P. 3843-3849.

67. Иьщу К.А., Петрова И.Ю. Физико-статистический метод оценки надежности ЩП-структур // Электронная промышленность. -1975.-№ 1.-С. 41-45.

68. Исследование начального несобственного пробоя и дефектов в диэлектрике МОП-структур на основе кремния / Г.Н.Демидова, Н.И.Гаврилин, О.П.Глудкин и др.// Микроэлектроника.-1983.-Т. 12.-Вып. 1.-С. 24-28.

69. Воронкова Г.М., Кузьминова A.B., Попов В.Д. Исследование крупных дефектов в МОП-структурах после облучения и низкотемпературного отжига // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: материалы докл. научно-техн. семинара -М.: МЭИ, 1997.- С.335-340.

70. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М.: Высшая школа, 1987.- С. 239.

71. Концевой Ю.А., Кудин В.Д. Методы контроля технологии и производства полупроводниковых приборов.-М.: Энергия, 1973.-С. 144.

72. Михайловский И.П., Эпов А.Е. Зарядовая нестабильность кремниевых МДП-структур в сильных электрических полях// Микроэлектроника.-1985.-Т.14.-Вып.2.-С.173-176.

73. Fischetti M.V. Generation of positiv charge in silicon dioxide during avalanch and tunnel electron injection // J. Appl. Phys.-1985.-Vol.57.-№ 8.-P.2860-2879.

74. Масловский B.M. Долговременные нестационарные процессы в МДП-структурах с аморфными диэлектриками на основе кремния/ Дисс. док. физ.-мат. наук. 05.27.01 -М., 1996.

75. Климов И.В., Листопадов Ю.М., Назаров А.И. Деградация межфазной границы раздела Si-Si02 при полевых и радиационных воздействиях// Письма в ЖГФ.-1995.-Т. 21.-Вып. 10.-С. 1-4.

76. Knoll М., Brauning D., Fahrner W.R. Comparative studies of tunnel injection and irradiation on metal oxide semicondactor structures // J. Appl. Phys. -1982.-Vol.53,-

№ 10.-P.6946-6952.

77. Fiegna C., Sangiorgi E., Selmi L. Oxide-field dependence of electron from silicon into silicon dioxide // Trans. Electron Devices.-1993.-Vol. 40.-№ 11.-P. 2018-2022.

78. Weinberg Z.A. On tunneling in metal-oxide-silicon structures // J. Appl. Phys.-1982.-Vol.53,-№ 7.-P.5052-5056.

79. Lenzlinger M., Snow E.H. Fowler-Nordheim tunneling in to thermally grown Si02 // J.Appl. Phys.-1969.-Vol.-40.-№ l.-P. 278-286.

80. Ricco В., Fischetti M.V. Temperature dependence of the current in Si02 in the high field tunneling regimme // J.Appl. Phys.-1984.-Vol. 55.- № 12. P.

81. Av-Ron M., Shatzkes M., Di Stefako Т.Н., Gdula R.A. Electron tunneling at Al-Si02 interfaces //J.Appl. Phys.-1981. -Vol. 52.-№ 4.-P. 2897-2894.

82. Osburn C.M., Weitzman E.J. Electrical conduction and dielectric breakdown in silicon dioxide fields on silicon // J. Electrochem.-1972.-Vol.119-№ 5.-P. 603-610.

83. Weinberg Z.A., Harstein A. Effect of silicon orientation and hydrogen anneling on tunneling from Si into Si02 // J.Appl. Phys.-1983.-Vol. 54.-№ 5.-P. 2517-2521.

84. Mazerjian J., Zamani N. Behavior at Si-Si02 interface abserved by Fowler-Nordheim tunneling // J.Appl. Phys.-1982. -Vol. 53.-№ 1.-P.559-563.

85. Krieger G., Swanson R.M. Fowler-Nordheim electron tunneling in thin Si-Si02-Al structures // J.Appl. Phys.-1981. -Vol. 52.-№ 9.-P. 5710-5715.

86. Зарядовая деградация МДП-систем с термическим оксидом кремния, пассивированным фосфорно-силикатным стеклом, при высокополевой туннельной инжекции/ В.В. Андреев, Г.Г. Бондарен-ко, А.А. Столяров и др. // Микроэлектроника.-1997.-Т. 26.-№6.-С. 440-446.

87. Столяров А.А. Исследование МДП-систем в предпробивных условиях с целью повышения стабильности приборов. Дисс. канд.техн.наук 01.04.10.- Рязань, 1984.

88. Барабан А.П., Коноров П.П., Кручинин А.А. Электролю-минисценция и особенности электронного токопереноса в слоях двуокиси кремния на кремнии в .сильных электрических полях. -Вестн. Ленингр. Ун-та, 1984.-№ 16.-С. 23-28.

89. Барабан А.П., Коноров П.П., Кручинин А.А. Электронные процессы в структурах Si-Si02 в сильных электрических полях // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.-1985.-№ 7.-С.43-48.

90. Кручинин А. А. Электролкминисценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях. Дис. канд. физ. мат. наук. 01.04.10 -JI. 1984.

91. Aymerich-Humet X., Campabadal F., Serra-Mestres F. Oxide thickness determination in Cr-Si02-Si structures by dc current-voltage pairs//Vacuum.-1987.-Vol. 37.-№ 5.-P. 403-405.

92. Calligaro R.B. Iterative determination of oxide thickness in MOS structures from one DC current/voltage palir // Electron Lett.-1984.-Vol. 20.-№ 2.-C. 70-72.

93. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High-field and current-induced positive charge in thermal Si02 layers // J. Appl. Phys.-1985.-Vol.57,-№ 8.-P. 2830-2839.

94. Mikhailovskii I. P., Potapov P.V., Epov A.E. Sign of the charge accumulated in thermal Si02 films of silicon MIS structures under high electric field condition// Phys. Stat. Sol.(a).-1986.-Vol.94.-P.679-685.

95. Емельянов A.M. Ловушки для электронов в термических пленках Si02 на кремнии // Микроэлектроника. -198 6. -Т. 15.-Вып. 5.-С. 434-442.

96. Емельянов A.M., Дворников Б.Д., Кунин В.Я. Зарядовые явления в термических пленках Si02 при лавинной инжекции электронов // Микроэлектроника.-1985.-Т.14.-Вып.6.-С.525-528.

97. Arnold D., Cartier Е., DiMaria D.J. Theory of high-field electron transport and impact ionization in silicon dioxide// Phys. Rev. B.-1994.-Vol. 49.-№ 15.-P.10278-10297.

98. Chen C., Wu C. A characterization model for constant current stressed voltage-time characteristics of thin thermal oxides grown on silicon substrate // J. Appl. Phys.-1986.-Vol.60.-№ 11.-P.3926-3944.

99. Электронный захват в МДП-структурах с термическим оксидом кремния при туннельной инжекции / В.С.Солдатов,

Н.В.Соболев, И.Б.Варлашов и др.// Изв. вузов. Физика.-1989.-№ 12.-С.82-84.

100. Nissan-Cohen Y., Shappir J., Frohman-Bentchkowsky D. High field current induced-positive charge transients in Si02 // J. Appl. Phys.-1983.-Vol.54.-№ 10.-P.5793-5800.

101. Солдатов B.C., Коляда В.А., Соболев H.B. Особенности заряжения МДП-структур с термическим пассивированным Si02 при гамма-облучении и туннельной инжекции // Шумовые и деградаци-онные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы докл. научно-техн. семинара -М.: МЭИ, 1997.- С. 348-353.

102. Гуртов В.А., Назаров А.И., Травков И.В. Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП-структур при облучении // ФТП.-Т.24.-Вып.6.-С.969-977.

103. Левин М.Н., Личманов Ю.О., Масловский В.М. Изменение зарядовой стабильности МДП-структур, индуцированное импульсным магнитным полем // Письма в ЖГФ.-1994.-Т.20.-Вып.4.-С.27-30.

104. Релаксационные процессы в МДП-элементах интегральных схем, вызванные ионизирующим излучением и импульсным магнитным полем / А.Г.Кадменский, С.Г.Кадменский, М.Н.Левин и др. // Письма в ЖГФ.-1993.-Т.19.-Вып.З.-С.41-45.

105. Назаров А.И., Листопадов Ю.М., Сергеев М.С. Исследование неоднородной деградации МДП-транзисторов методом зарядовой накачки // Микроэлектроника.-Т.2 3.-Вып.4.-С.74-7 9.

106. Назаров А.И., Листопадов Ю.М. Метод зарядовой накачки и его применение для исследования деградации МДП-транзисторов // Микроэлектроника.-1994.-Т.23.-Вып.4.-С.66-73.

107. Avni Е., Shappir J. Modeling of charge-injection effects in metal-oxide-semiconductor structures // J. Appl. Phys.-1988.-Vol. 64.-№ 2.-P.734-742.

108. Avni E., Sonnenblick Y., Nissan-Cohen Y. The effect of gate material on oxide degradation due to charge-

injection in metal-oxide-semiconductor capacitors // Solid State Electronics.-1988.-Vol.31.-№ 2.-P.245-250.

109. Нагин А.П., Ткшькин В.М. О механизме генерации положительного заряда в структуре Si-Si02 в сильных полях // Письма ЖГФ.-1982.-Т.8.-Вып.23.-С.1423-1427.

110. Holand S., Ни S. Correlation between breakdown and process-induced positive charge trapping in thin thermal Si02 //J. Electrochem. Soc.-1986.-Vol.133.-№ 8.-P.1705-1712.

111. Chen C.F., Wu C.Y. A characterization model for rampvoltage-stressed I-V charactiristics of thin thermal oxides grown silicon substrate // Solid State Electronics. 1986.- Vol. 29.-№ 10.-P.1059-1068.

112. Solomon P., Klein N. Impact ionization in silicon dioxide at fields in breakdown range // Solid State Communications.-1975. -Vol.17. -№ 11.-P.1397-1400.

113. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под ред. А.В. Ржанова.-М.: Наука, 1976.- 219 с.

114. Зайцев Н.А., Красников Г.Я., Неустроев С.А. Воздействие паров РС13 на свойства структур Si-Si02 // Изв. АН СССР: Неорган, материалы.-1989.-Т.25.-№ 3.-С.403-405.

115. Bhattacharya А.В., Manchande L., Vase J. Electron traps in Si02 grown in the presence of thrichlorethylene //J. Electrochem. Sos.-1982.-Vol.129.-№ 12.-P.2772-2778.

116. Interface states induced by the presence of trapped holes near the silicon-silicon-dioxide interface / D.J. DiMaria, D.A. Buchanan, J.H. Stathis et al.// J.Appl. Phys.-1995.-Vol.77.-№ 5.-P.2032-2040.

117. Khosru Q.D., Yasuda N., Taniguchi K. Generation and relaxation phenomena of positive charge and interface trap in a metal-oxide-semiconductor structure // J.Appl. Phys.-1995.-Vol.77.-№ 9.-P.4494-4503.

118. Fischetti M.V., Laux S.E., Crabbe E. Understanding hot-electron in silicon devices: is there a shortcut? // J.Appl.-Phys.-1995.-Vol.78.-№ 2.-P.1058-1087.

119. Релаксация зарядового состояния подзатворной системы в n-канальных МДП-транзисторах после инжекции электронов в Si02 по механизму Фаулера-Нордгейма/ B.C. Солдатов, Н.В. Соболев, В.А. Коляда и др. // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы научно-технического семинара.-М.: МЭИ, 1997.-С. 341-348.

120. DiMaria D.I., Cartier Е., Arnold D. Impact ionization, trap creation, degradation and breakdown in silicon dioxide films on silicon // J. Appl.Phys.-1993.-Vol.73.-№ 7.-P.3367-3383.

121. Theory of high-field electron transport in silicon dioxide / M.V.Fischetti, D.I.DiMaria, S.D.Brorson et al. // Physical Review B.-1985.-Vol.-31.-№ 12.-P. 8124-8142.

122. Buchanan D.A., Fischetti M.V., DiMaria D.I. Coulombic and neutral trapping, centers in silicon dioxide // Physical Review B.-1991.-Vol.43.-№ 2.-P.1471-1485.

123. DiMaria D.I., Fischetti M.V. Vacuum emission of not electrons from silicon dioxide at low temperatures // J. Appl.Phys.-1988.-Vol.64.-№ 9.-P.4684-4690.

124. DiMaria D.I. Temperature dependence of trap creation in silicon dioxide // J.Appl.Phys.-1990.-Vol. 68.-№ 10.-P.5234-5246.

125. DiMaria D.I., Stasiak I.W. Trap creation in silicon dioxide produced by hot electrons // J. Appl.Phys.-1989.-Vol. 65.-№ 6.-P.2342-2356.

126. DeKeersmaecker R.F., DiMaria D.J. Electron trapping and detrapping characteristics of arsenic-implanted Si02 layers // J. Appl. Phys.-1980.-Vol.51,-№ 2.-P.1085-1101.

127. Гадияк Г.В. Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках Si02 в сильных электрических полях // ФТП.-1997,-Т.31.-№ 3.-С.257-263.

128. Fischetti M.V., Ricco В. Hot electron-induced defects at the Si-Si02 interface at high fields at 295 and 77 К // J.Appl.Phys.-1985.-Vol.57.-№ 8.-P.2854-2859.

129. Avni E., Shappir J. A model for silicon-oxide breakdown under high field and current stress// J. Appl. Phys. -1988.-Vol. 64.-№ 2.-P.743-748.

130. Пространственное распределение зарядов, прогенери-рованных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП-структуры/ В.С.Солдатов, А.Г.Воеводин, И.Б.Варлашов и др. // ФТП.-1990.-Т.24.-Вып.9.-С. 1611-1615.

131. Белоусов И.И., Ефимов В.М., Духанова Т.Г. Электропроводность слоев фосфорно-силикатного стекла, полученных при низких температурах // Микроэлектроника.-1990.-Т. 19.-Вып.6. -С.604-607.

132. Влияние пассивации на динамику накопления заряда в МДП-структурах при туннельной инжекции / В.С.Солдатов, Н.В.Соболев, И.Б.Варлашов, О.В.Сопов, А.А.Смотраков // Электронная техника. Сер.2 Полупроводниковые приборы.-1987.-Вып.6. -С.25-28.

133. Nature of deforts in P- and B-dopel Si02 / M. Offenberg, M. Maier, P. Balk et al.// J. Vacuum Sci and Tachnel.-1986. -Vol.4.-№ 3.-P. 1009-1012.

134. Зайцев H.A., Козлов A.M., Неустроев С. А. Влияние термообработки структур Si-Si02 в атмосфере РС13 на их электрофизические характеристики // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1977.-Вып.6.-С.18-23.

135. Зайцев Н.А. Влияние неконтролируемых примесей на однородность свойств системы Si-Si02 / Электроника и информатика

- 97: Тезисы докл. II Всерос. научно-техн. конф. с международным участием.-М.:, МИЭТ, 1997.-С.133.

136. Зайцев H.A., Шурчков И.О. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-Si02.-M.: Радио и связь, 1993.-192 с.

137. Солдатов B.C., Воеводин А.Г., Коляда В.А. Модель генерации поверхностных состояний в МДП-структурах при туннельной инжекции // Поверхность. Физика, химия, механика.-1990.-№ 7.-С.92-97.

138. Панасюк В.Н., Кузин С.М., Петрова А.Г. Тенденции развития методов и системы операционного контроля технологии СБИС // Электронная промышленность.-1994.-№ З.-С.38-44.

139. О физическом прогнозировании надежности тонкопленочных конденсаторов/ З.Ф. Воробей, В.А. Лабунов, С.Н. Кураева и др. // Электронная техника. Сер. 8.-1974.-Вып. 2.-С.91-93.

140. A.C. СССР № 307360. Устройство для измерения пробивных напряжений полупроводниковых приборов/ Е.З. Рыскин.-Опубл. в Б.И. 1971, №20.

141. Рыскин Е.З. Измерение пробивных напряжений на уровне микротоков// Электронная промышленность.-1974.-Вып.4.-С.29-30.

142. Gabler W., Conrad R., Braunig К. Semiautomatic measurements of thin-film breakdown voltages// Rev. Sei.Instrum.-1979.-V. 50.-№ 10.-P.1218-1222.

143. A.C. СССР № 421959. Способ измерения пробивного напряжения р-n переходов полупроводниковых приборов с лавинным механизмом пробоя/ H.A. Борисов, A.A. Экслер, В.И. Шалов.-Опубл. в Б.И. 1974, № 12.

144. Разработка оборудования и методик контроля микропробоя диэлектрика МДП-структур и .их отбраковка : Отчет о НИР / КФ МГТУ. Рук. В.Г. Барышев. № ГР 78077235.-М.: 1978.-69 с.

145. Столяров A.A. Минимизация энергии, выделяющейся в канале пробоя при изменении напряжения микропробоя// Тезисы докл. VII научно-техн. конф. - Калуга, 1982.-С.218-220.

146. А. с. СССР № 767673 Устройство для неразрушающего контроля и измерения напряжения микропробоя в диэлектрике МПД-структур/ В.Г. Барышев, В.И. Боханкевич, A.A. Столяров и др.-Опубл. в Б.И. 1980, №36.

147. Апробирование и внедрение метода анализа • дефектности диэлектрика затвора МДП-структур по напряжению микропробоя: Отчет о НИР/ КФ МВТУ. Рук. В.Г. Барышев.- № ГР 78073659, -М.:, 1979.-63 с.

148. Барышев В.Г., Столяров A.A. Неразрушающий контроль напряжения микропробоя подзатворного диэлектрика в производстве МДП-БИС// Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем: Тез. докл. 2 Всесоюзн. семинара.- М., 1981.-С.174.

149. Разработка электрофизических методов оценки качества и надежности слоев МДП-БИС : Отчет о НИР / КФ МВТУ. Рук. В.Г. Барышев. № ГР 79069921, - М.:, 1980.- 53 с.

150. А. с. СССР № 1342252 Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В.Г. Барышев, В.Е.Каменцев, A.A. Столяров -1987.

151. А. с. СССР № 1409007 Устройство для измерения напряжения микропробоя МДП-структур / В.Г. Барышев, В.Е. Каменцев, A.A. Столяров -1988.

152. Андреев В.В., Столяров A.A. Автоматизированная установка контроля качества диэлектрических пленок. (АУККДП)// Автоматизация исследования, проектирования и испытаний сложных технических систем: Тез. докл. Всесоюз. научно-техн. конф. -Калуга- 1989.-С. 82.

153. А. с. СССР № 1637603 Способ измерения напряжения микропробоя ЩП-структур / В.В. Андреев, В.Г. Барышев, Ю.А. Сидоров, A.A. Столяров. 1990.

154. А. с. СССР № 1637604 Способ измерения напряжения микропробоя ЩП-структур / В.В. Андреев, В.Г. Барышев, Ю.А. Сидоров, A.A. Столяров. 1990.

155. А. с. СССР № 1829787 Способ измерения напряжения микропробоя ЩП-структур / В.В. Андреев, В.Г. Барышев, Ю.А. Сидоров, A.A. Столяров. 1992.

156. Разработка и внедрение электрофизических методик и аппаратуры автоматизированного неразрушаетцего контроля качества диэлектрических слоев МДП-ИС: Отчет о НИР / КФ МГТУ. Рук. В.Г. Барышев. № ГР У-31566 - М., 1989.- 99 с.

157. Барышев В.Г., Столяров A.A., Андреев В.В. Зарядовая нестабильность тонкопленочного диэлектрика в системе Si-Si02-ФСС-А1 при инжекции электронов из AI-электрода// Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1987.-Вып.4.-С.59-61.

158. Барышев В.Г., Столяров A.A., Андреев В.В. Исследование особенностей накопления и растекания отрицательного заряда в тонкопленочном диэлектрике // Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1986.- Вып.4.- С.45-48.

159. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Киев. Нау-кова думка, 1978.- 316 с.

160. Зуев В.А., Саченко A.B., Топлыго К.В. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах.-М.: Сов. радио, 1977.-195 с.

161. Барышев В.Г., Столяров A.A. Интегральный метод контроля качества МДП-структур // Вклад ученых и специалистов области в развитие научно-техн. прогресса: Тез. докл. научно-техн. конф.- Калуга, 1984. С.184-186.

162. Барышев В.Г., Банкевич Г.С., Столяров A.A. Способ измерения скорости генерации неосновных носителей в ОПЗ МДП-структур// Вклад ученых и специалистов области в развитие научно-техн прогресса: Тезисы, докл. научно-техн. конф.-Калуга, 1984.-С. 182-184.

163. Ковтонюк Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик.- М.: Энергия, 1976.- 184 с.

164. Денисюк В.А., Захаров В.П., Попов В.М. Эффект лавинного пробоя в области пространственного заряда МДП-конденсаторов // Микроэлектроника.- 1975.-Т. 4.-Вып. 1.-С.47-61.

165. Вьюков JI.A., Гергель В. А., Соляков A.M. Локальная генерация в ОПЗ МДП-структур как причина уменьшения времени релаксации с напряжением // Микроэлектроника.-1980.-Т. 9.-Вып. 2.-С.107-111.

166. Андреев В.В.,Барышев В.Г., Вихров С.П. Высокополевой инжекционный метод контроля параметров и исследования диэлектрических пленок МДП-систем // Тезисы докл. Международ, конф. по электротехническим материалам и компонентам МКЭМК-95.-Крьм, 1995.- С.36.

167. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Метод постоянного тока в контроле ВДП-структур // Санкт-Петербургский журнал электроники.- 1997.- № 3.- С. 69-72.

168. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Инжекционный метод исследования влияния технологических факторов на зарядовые характеристики МДП-систем // Микроэлектроника и информатика: Тезисы докл. 3 Междунар. научно-техн. конф. - Москва-Зеленоград, 1997.- С.18.

169. Метод постоянного тока для контроля параметров МДП-систем / В.В. Андреев, С.П. Вихров, A.A. Столяров и др.// Тезисы докладов 2 Международной конференции по электромеханике и электротехнологии МКЭЭ-96. Часть 1. -Крым, 1996.- С.87.

170. Метод постоянного тока для исследования зарядовой деградации МДП-систем при воздействии радиации / В.В. Андреев, Г.Г. Бондаренко, А.А. Столяров и др.// Радиационная физика твердого тела: Тезисы докл. б Межнац. совещания.- Севастополь, 1996.- С.110-111.

171. High-field injection technique for determing charge degradation parameters of dielectric fields in irradiated MOS-devices / V.V. Andreev, S.P. Vikhrov, A.A. Stolyarov et al// Book of abstracts second international conference MPSI/96.-Sumy, 1996.-C. 80.

172. Castagne R., Vapaille A. Description of the Si02-Si interface properties by means of very low frequency MOS capacitance measurements // Surface Sci.-1971.-Vol. 28.-P. 157193.

173. Инжекция тока в диэлектрик как метод оценки качества МДП-структур/ В. В. Андреев, В. Г. Барышев, А. А. Столяров и др.// Электронная техника. Сер. 6. Материалы .-1990. -Вып. 2.-С.64-66.

174. Столяров А. А. Повышение качества диэлектрических слоев на основе исследования дефектности изоляции и зарядовой стабильности// Перспективные материалы.-1998.-№ 3.- С.

175. Гороховатский Ю.А. Основы термополяризационного анализа.- М.: Наука, 1981.- 176 с.

176. А. с. СССР № 1114992 Способ испытания полупроводниковых приборов с МДП-структурой/ Ю.А. Гороховатский, В.И. Жда-нюк, А.П. Пономарев и др.-Опубл. в Б.И. 1984, № 35.

177. Садофьев Ю.Г. Исследование причин нестабильности параметров МДП-структур / Дисс. канд. физ.-мат. наук. Рязань. РРТИ, 1977.- 186 с.

178. А. с. СССР № 1632189 Способ контроля полупроводниковых приборов с МДП-структурой / В.Г. Барышев, А.А. Столяров, В.В. Андреев. 1990.

179. Андреев В.В., Столяров A.A. Комплексная методика оценки зарядового состояния подзатворного диэлектрика ВДП-структур// Прогрессивные технологии и конструкции, механизация и автоматизация производственных процессов в машино- и приборостроении: Тезисы докл. Межвузовской научно-техн. конф. - Калуга, 1987.- С. 182-183.

180. Методы диагностирования дефектов в диэлектрических слоях, подвергнутых воздействию электронного луча: Отчет о НИР/ КФ МГТУ. Рук. Барышев В.Г. № ГР 01.9.50.001004 - М., 1995.-26 с.

181. Андреев В.В., , Лоскутов С.А., Столяров A.A. Установка для исследования МДП-систем высокополевым инжекционным методом. // Приборостроение-97: Сб. трудов Международной научно-техн. конф.- Винница-Симеиз.- 1997.- С.259.

182. Разработка лабораторного образца установки экспрессного контроля зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика ВДП-БИС: Отчет о НИР / КФ МГТУ. Рук. В.Г. Барышев. № ГР 80075267 - М., 1981.- 61 с.

183. Разработка метода экспрессной оценки зарядовой стабильности ВДП-структур: Отчет о НИР / КФ МГТУ. Рук. В.Г. Барышев № ГР 81099897.- Калуга, 1982.-46 с.

184. Установка экспресс-контроля зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика МДП-БИС / В.Г. Барышев, А.Н. Петров, A.A. Столяров и др.// Инф. Листок Калужского ЦНТИ.-1985.-№ 216.-3 с.

185. Милехин А.Г. Радиотехнические схемы на полевых транзисторах.- М.: Энергия, 1976.- 144 с.

186. Zerbst М. Relaxationseffekte an Halbleiter-IsolatorGrenzflachen // Zetschr. Angw. Phys.-1966.-Vol. 22.-№ l.-P. 30-37.

187. Берман Л.С., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках.-Л.: Наука, 1981.- 286 с.

188. Орешкин П.Т., Гармаш Ю.В., Перелыгин А.И. Исследование физического механизма формирования инверсных слоев в МДП-структурах / Пути повышения стабильности и надежности макроэлементов и микросхем: Материалы II Всесоюзн. научно-техн. семинара .-Рязань, 1982.- С.18.

189. Andreev V.V., Baryshev V.G., Stolyarov А.А. Instability of the parameters of dielectric layers under conditions of high-fields injection stresses.// Jornal of advanced materials.-1995.- V.2.- P. 451-457.

190. Барышев В.Г., Столяров А.А. Деградационные явления в МДП-структурах под действием предпробивных токов // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: Тезисы докл. 2 Всесоюзн. конф.-Кишинев, 1986.- С.14.

191. Барышев В.Г., Столяров А.А., Сидоров Ю.А. Особенности накопления заряда в системе Si-Si02-ФСС-А1 под действием микротоков // Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1986.-Вып.10.- С.74-76.

192. Барышев В.Г., Сидоров Ю.А., Столяров А.А. Зарядовые явления в структурах при туннельной инжекции электронов// Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем: Сб. материалов 4 Всесоюзн. научно-техн. семинара.-Рязань, 1988. -С. 83-86.

193. Комплексный инжекционный метод исследования надежности и деградации МДП-систем/ В.Г. Барышев, Ю.А. Сидоров, А.А. Столяров и др.//Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: Тезисы докл. III Всесоюзн. конф.~ Кишинев, 1991.-С. 146.

194. Влияние пассивации подзатворного диэлектрика слоем ФСС на деградацию характеристик n-МДП-транзисторов прИ эмиссии горячих электронов / В.Г. Барышев, С.П. Вихров, А.А. Столяров и др. // Приборостроение-95: Тезисы докладов научно-

технической конференции с международным участием.- Винница-Львов.- 1995.- С.70.

195. Andreev V.V., Baryshev V.G., Stolyarov А.А. Instability of the dielectric later parameters under high-field injection stress // Advanced materials and processes: Third Russian-Chinese Symposium.- Kaluga.-Rossia,1995.- P.106.

196. Барышев В.Г., Андреев В.В., Столяров А.А. Нестабильность параметров МДП-систем в условиях высокополевых инжекци-онных нагрузок // Тезисы докл. научно-техн. конф. 165 лет МГТУ им.Н.Э.Баумана.- М:, №ТУ , 1995.- С. 113.

197. Влияние структуры подзатворного диэлектрика на деградацию характеристик n-канального МДП-транзистора, обусловленную горячими электронами / В.В. Андреев, С.П. Вихров, А.А. Столяров и др.// Социально-экономические проблемы управления производством, создание прогрессивных технологических конструкций и систем в условиях рынка: Российская научно-техн. конф. - Калуга, 1995.- С.93.

198. Comparative studies of high-fields tunnel injection and electron beams on dielectric films of MOS-structures / V.V. Andreev, G.G. Bondarenko, A.A. Stolyarov et al. // Book of abstracts second international conference MPSL'96.- Sumy, 1996.- C. 51.

199. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров А.А. Исследование особенностей высокополевой туннельной инжекции в диэлектрик в 1УЩП-системах n-Si-Si02-ФСС-А1 // Социально-экономические проблемы управления производством, создание прогрессивных технологий конструкций и систем в условиях рынка: Тезисы докл. Российской научно-техн. конф.- Калуга, 1996.-С.102.

200. Исследование влияния температуры на зарядовую деградацию МДП-систем n-Si-Si02-ФСС-А1/ В.В. Андреев, С.П. Вихров, А.А. Столяров и др. // Социально-экономические проблемы управ-

ления производством, создание прогрессивных технологий конструкций и систем в условиях рынка: Тезисы докл. Российской научно-техн. конф.-Калуга, 1996.- С.103.

201. Барышев В.Г., Столяров A.A. Зарядовая нестабильность тонкопленочного диэлектрика в области предпробивных токов// Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1985.-Вып.7.-С.60-64.

202. Влияние концентрации фосфора в пленках Si02 на характеристики МДП-систем / В.В. Андреев, В.Г. Барышев, A.A. Столяров и др.// Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1993.- Вып.З.- С.56-59.

203. Михайловский И.П., Овсюк В.Н., Эпов А.Е. Неоднородное накопление положительного заряда в кремниевых МДП-структурах в сильных полях // Письма в ЖГФ.-1983.-Т. 9.-Вып. 17.-С. 1051-1054.

204. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Нестабильность параметров диэлектрических слоев в условиях высокополевых инжекционных нагрузок // Перспективные материалы.-1996.

-№ 6.- С.39-45.

205. Барышев В.Г., Андреев В.В., Столяров A.A. Влияние параметров пленок фосфорно-силикатного стекла на электрофизические характеристики МДП-структур 31-3102-ФСС // Методы исследования и проектирования сложных технических систем: Труды МГТУ №564. -М.: МГТУ, 1994.- С.86-94.

206. Барышев В.Г., Андреев В.В., Столяров A.A. Метод контроля концентрации фосфора в пленке ЗЮ2-ФСС МДП-систем // Тезисы докл. научно-техн. конф. 165 лет МГТУ им. Н.Э. Баумана. -М.: МГТУ, 1995.- С. 113.

207. Бондаренко Г.Г., Столяров A.A. Исследование влияния легирования двуокиси кремния фосфором на зарядовую нестабильность МДП-структур в условиях туннельной инжекции // Физика и химия обработки материалов.- 1997.- № 3.- С.22-26.

208. Adams A.C., Murarka S.P. Measuring the phosphorus concentration in deposited phosporosilicate films // J. Electrochem. Soc.- 1979.- Vol.126,- № 2.- P.334-340.

209. Chow K., Garrison M. Phosphorus concentration of chemical vapor deposited phosphosilicate glass//J. Electrochem. Soc.- 1977.- Vol.124,- № 7.- P.1133-1136.

210. Технология СБИС. В 2х кн., кн. 2/ Под ред. Зи С.М. -М.: Мир, 1986.- С. 404.

211. Барышев В.Г., Андреев В.В., Столяров А.А. Зарядовые явления в термических пленках Si02 и Si02-<&CC при высокополевой туннельной инжекции электронов// Тезисы докл. Международ, конф. по электротехническим материалам и компонентам МКЭМК-95.-Крым, 1995.- С.54.

212. Improvement of oxide quality by rapid thermal annealing/ H. Wendt, A. Spitzer, W. Bensch et al. // J.Appl. Phys.-1990.-Vol.67.-№ 12.-P.7531-7535.

213. Столяров А.А. Исследование МДП-структур при высокополевой туннельной инжекции в неравновесном режиме // Социально-экономические проблемы управления производством, создание прогрессивных технологий, конструкции и систем в условиях рынка: Тезисы, докл. Российской научно-техн. конф.- Калуга, 1997.- С. 49.

214. Гергель В.А., Старикова Т.И., Тишин Ю.А. Релаксационные процессы в МДП-структурах при больших напряжениях // Микроэлектроника.- 1979.- Т. 8.- Вып.- С. 351-356.

215. Барабан А.П., Тарантов Ю.А. Особенности релаксации неравновесной емкости структур в сильных электрических полях// Микроэлектроника.- 1979.- Т. 8.- Вып. 4.- С. 376-378.

216. Столяров А.А. Исследование МДП-структур в неравновесных условиях при высокополевой туннельной инжекции электронов// Радиационная физика твердого тела: Материалы VII Межнац. совещания.- Севастополь, 1998.

217. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой р-n перехода в полупроводниках. -Л.: Энергия. 1980.- 152 с.

218. Fischetti М. Model for the generation of positive charge at the Si-Si02 interfase based on hot-hole injection from the anode// Phys. Rev. B.-1985.-Vol.31.-№ 4.-P.2099-2113.

219. OCT 1120.9903-86. Метод 3.36. Метод контроля изолирующих свойств диэлектрических слоев.

220. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Контроль качества диэлектрических пленок по их стойкости к высокополе-вьм инжекционньм нагрузкам// Труды МГТУ № 567.-М.: МГТУ, 1995.- С.54-58.

221. Андреев В. В. Исследование пленок Si02 на Ge //Прогрессивные материалы, технологии и конструкции в машиностроении и приборостроении: Тезисы докл. Регион, научно-техн. конф.-Калуга, 1990.- С. 42.

222. Efimov V.M., Meerson Е.Е., Evtukh A.A. Study of tunnel currents of electrons and holes in thermal Si02 with charge accumulation in the dielectric// Phys. Stat. Sol. (a) . -1985.- Vol.91.- P.693-703.

223. Касумов Ю.Н., Козлов C.H. Изменение электрофизических параметров системы Si-Si02-металл при инжекционной деградации// Микроэлектроника.- 1993.- Т.22.- Вып.2.- С.20-26.

224. Столяров A.A. Исследование влияния пассивирующих слоев на нестабильность зарядов МДП-структур при туннельной инжекции. Известия вузов. Электроника. 1998. № 2. С. 17-23.

225. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Исследование зарядовой деградации МДП-систем Si-Si02-<£>CC-Al при высокополевой инжекции заряда в режиме постоянного тока// Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы докл. научно-техн. семинара.- М.: МЭИ, 1998.-С.440-444.

226. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Исследование зарядовой деградации МДП-систем n-Si-Si02-®CC-Al при вы-

сокополевой туннельной инжекции электронов// Шумовые и дегра-дационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы докл. научно-техн. семинара.- М.: МЭИ, 1997.-С. 370-375.

227. Hokari Y. Dielectric breakdown wearout limitation of thermally-grown thin-gate oxides // Solid-State Electron. -1990.- Vol.33.- P.75-78.

228. Высокополевой инжекционныи метод постоянного тока для исследования зарядовой деградации МДП-систем/ В.В. Андреев, С.П. Вихров, А.А. Столяров и др.// Шумовые и деградацион-ные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы докл. научно-техн. семинара.- М.: МЭИ, 1997.-С. 376-381.

229. Моделирование зарядовой деградации МДП -систем Si-Si02-<£CC-Al в условиях высокополевой инжекции заряда постоянным током и постоянным напряжением / В.В. Андреев, С.П. Вихров, А.А. Столяров и др. // Физико-технические проблемы электротехнических материалов и компонентов: Тезисы докл. 2 Международ, конф. МКЭМК-97.- М., 1997.- С. 144 .

230. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров А.А. Исследование зарядовой деградации ВДП-систем при различных режимах высокополевой инжекции заряда// Электроника и информатика: Тезисы докл. 2 Всероссийской научно-техн. конф. с межд. участием. - М.: МИЭТ, 1997.- С.131.

231. The influence of high-field charge injection conditions on charge degradation of MOS systems/ V.V. Andreev, G.G. Bondarenko, A.A. Stolyarov et al.// Book of Abstract of the IV Cina-Russian Symposium "Advanced Materials and Processes" Beijin China.- Printing House of General Research Institute for Nonferraus Metals Beijin, 1997.- P. 137.

232. Андреев В.В. Сравнительные исследования высокополевой зарядовой деградации МДП-систем с поликремниевым и алюминиевым затвором // Шумовые и деградационные процессы в полу-

проводниковых приборах: Материалы докл. научно-техн. семинара.- М.: МЭИ, 1998.-С. 430-435.

233. Исследование высокополевой деградации МДП-систем S1-Si02-OCC-Al в условиях неоднородного протекания тока/ В.В. Андреев, С.П. Вихров, A.A. Столяров и др. // Физико-технические проблемы электротехнических материалов и компонентов: Тез. докл. 2 Международной конф. МКЭМК-97.- М., 1997г.- С.144.

234. Столяров A.A. Модель зарядового состояния системы Si-Si02^CC-Al в условиях неравномерного токопереноса.// Математическое моделирование сложных технологических систем: Сб. статей.- М.: МГТУ, 1997.- С.71-76.

235. Столяров A.A. Моделирование зарядовой деградации МДП-систем с деффектами под действием инжектированных электронов// Радиационная физика твердого тела: Материалы 7 Межнац. совещания.- Севастополь, 1997.- С.182.

236. Барышев В.Г., Бондаренко Г.Г., Столяров A.A. Исследование зарядовой деградации МДП-систем при высокополевых ин-жекционных воздействиях в условиях неоднородного протекания тока // Приборостроение-97: Сб. трудов Международной научно-техн. конф. - Винница-Симеиз, 1997.- С.259.

237. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Зарядовая деградация МДП-систем при высокополевой инжекции заряда в условиях неоднородного протекания тока//Электроника и информатика: Тезисы, докл. 2 Всероссийской научно-техн. конф. с международным участием,- М.: МИЭТ, 1997.- С.130.

238. Столяров A.A. Исследование характеристик ЩП-структур с зарядовыми дефектами/ Методы исследования и проектирования сложных технических систем: Сб. статей.- М.: МГТУ , 1997.- С. 71-76.

239. Столяров A.A. Зарядовая нестабильность параметров МДП-структур при неравномерном распределении тока туннельной инжекции// Известия вузов. Электроника.-1997.-№ 6.-С. 29-36.

240. Столяров A.A. Моделирование зарядовой деградации МДП-систем при высокополевых воздействиях в условиях неоднородного протекания тока// Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы докл. научно-техн. семинара.- М.: МЭИ, 1998.-С. 445-449.

241. Усиков В.Д. Влияние неоднородностей на динамические вольт-амперные характеристики ЩП-структур // Микроэлектроника.-1989.-Т. 18.-Вып. 5.-С. 447-455.

242. Прогнозирование надежности подзатворного диэлектрика / E.H. Бабенко, В.И. Боханкевич, Ю.Д. Гахов и др. // Электронная промышленность.-1989.-№ 2.-С. 9-10.

243. Моделирование выхода годных микросхем по дефектности подзатворного диэлектрика/ В.Г. Барышев, О.Д. Парфенов, A.A. Столяров и др.// Технология и конструирование в электронной аппаратуре.- 1992.- №2.- С. 57-58.

244. Барышев В.Г., Столяров A.A., Цветков Л.Г. Схема зашиты МДП-ИС и -БИС при испытаниях на микропробой // Тез. докл. 6 научно-техн. конф. - Калуга, 1980.-С. 197-198.

245. Барышев В.Г., Столяров A.A., Цветков Л.Г. Установка автоматизированного контроля статических параметров МДП-БИС // Каталог МВТУ №7. Машины, приборы, стенды,- М., 1987.- С. 90.

246. Барышев В.Г., Столяров A.A., Цветков Л.Г. Установка контроля напряжения микропробоя // Инф. Листок Калужского ЦНТИ.- 1981.-№ 27.- 3 с.

247. Барышев В.Г., Столяров A.A., Цветков Л.Г. Влияние измерения напряжения микропробоя на поверхностный заряд границы диэлектрик-полупроводник.// Тезисы докл. научно-практ. конф. молодых ученых и специалистов. - Калуга, 1981. С.99-100.

248. Барыпева Л.М., Столяров A.A. Влияние вида и степени легирования полупроводника на напряжение микропробоя МДП-структур // Тезисы докл. научно-практ. конф. молодых ученых и специалистов. -Калуга, 1981.- С.100-102.

249. Столяров A.A. Исследование влияния ионной имплантации на дефектность пленок двуокиси кремния, пассивированных фосфорно-силикатным стеклом // Физика и химия обработки материалов.-1998.-№ 2.

250. Барыдева Л.М., Столяров A.A. Взаимосвязь эффективного заряда подзатворного диэлектрика и напряжения микропробоя // Тезисы докл. 7 научно-техн. конф. - Калуга, 1982.-С.187-189.

251. Барышев В.Г., Столяров A.A., Цветков Л.Г. Неразру-шаюший контроль ЩП-ИС и -БИС// Радиоэлектроника на службе народного хозяйства: Сб. статей- Калуга, 1982.- С.87-89.

252. Автоматизированная установка для операционного контроля изолирующих свойств диэлектрических слоев ЗУЩП-БИС/ В.Г. Барышев, В.И. Боханкевич, А.А.Столяров и др. // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника.-1982.-Вып. 4.-С. 62-64.

253. Барышев В.Г., Столяров A.A. Автоматизированный контроль дефектности диэлектрических слоев МДП-БИС по напряжению микропробоя // Технологические пути экономии трудовых и материальных ресурсов и интенсификации производства в приборостроении: Тезисы докл. Всесоюз. научно-техн. конф.- М., 1983.-С.84-90.

254. Барышев В.Г., Столяров A.A. Исследование дефектности тонкопленочного диэлектрика методом микропробоя // Электронная техника, сер.6. Материалы. -1983.- Вып.9.- С. 72-74.

255. Барышев В.Г., Сидоров Ю.А., Столяров A.A. Установка автоматизированного неразрушающего контроля дефектности тонкопленочного диэлектрика // Каталог МВТУ № 9. Машины, приборы, стенды. - М. : МГТУ, 1984. -С. 39.

256. Барышев В.Г., Сидоров Ю.А., Столяров A.A. Оценка дефектности диэлектрических слоев МДП-БИС по измерению напряжения микропробоя // Пути повышения стабильности и надежности

микроэлементов и микросхем: Тезисы докл. 3 Всесоюзн. научно-техн. семинара. Ч. 2- М., 1984.-С. 206-207.

257. Совершенствование и стабилизация технологического процесса получения подзатворного диэлектрика КВДП-ИС: Отчет о НИР / КФ МГТУ. Рук. В.Г. Барышев. № ГР 6000332. - М., 1985.86 с.

258. Разработка лабораторного образца многоканального анализатора изолирующих свойств диэлектрических слоев МДП-БИС : Отчет о НИР/ КФ МГТУ. Рук. В.Г. Барышев. № ГР У-31565.- М., 1985.- 43 с.

259. Барышев В.Г., Сидоров Ю.А. Комплексный операционный экспресс-контроль в производстве МДП-ИС// Тезисы, докл. 7 Всесоюзной научн. конф. по микроэлектронике.- Тбилиси, 1987.- С. 119-120.

260. Разработка автоматизированной установки контроля качества и надежности диэлектрических слоев: Отчет о НИР/ КФ МГТУ. Рук. В.Г. Барышев. № ГР 44302.- М., 1987.-43 с.

261. Повышение производительности контроля изолирующих свойств диэлектрических пленок / В.В. Андреев, В.Г. Барышев, A.A. Столяров и др.// Моделирование и автоматизация проектирования сложных технических систем: Тезисы докл. региональной научно-техн. конф. - Калуга, 1990.- С. 68.

262. Высокопроизводительный метод контроля изолирующих свойств диэлектрических пленок/ Андреев В.В., Вихров С.П., Столяров A.A. и др.// Приборостроение-96: Материалы научно-техн. конф. с международным участием. Часть 2.- Винница-Судак.- 1996.- С.69.

263. Столяров A.A. Методы оперативного операционного контроля в производстве МДП-ИС // Прогрессивные технологии и конструкции, механизация и автоматизация производственных процессов в машино- и приборостроении: Тезисы, докл. межвузовской научно-техн. конф.-Калуга.-1987.-С.181-182.

264. Сравнительная оценка методов контроля дефектности диэлектрических пленок / В.Г. Барышев, Ю.А. Сидоров, A.A. Столяров и др. // Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1990.-№

1.-С.72-76.

265. Барышев В.Г., Столяров A.A., Цветков Л.Г. Зондовая головка с жидким электтродом // Инф. Листок Калужского ЦНТИ.-1981.-№ 27.-3 с.

266. A.c. СССР № 1552260 Измерительный ртутный зонд / В.Г. Барышев, A.A. Столяров, Ю.А. Сидоров.-Опубл. в Б.И. 1990, № 11.

267. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Тестовый модуль для оценки качества диэлектрических пленок МДП-систем высокополевыми инжекциокиыми методами // Приборостроение-96: Материалы научно-техн. конф. с международным участием. Часть

2.- Винница-Судак, 1996.- С.69.

268. Исследование поверхности пленочного диэлектрика после сканирования ртутным зондом / В.В. Андреев, И.В. Истомин, A.A. Столяров и др.// Электронная техника. Сер.6. Материалы. -1988.- Вып.4.- С.66-68.

269. Рязанов М.И., Тилинин И.С. Исследование поверхности по обратному рассеянию.- М.:Энергоатомиздат, 1985.-150 с.

270. Robertson А.,Prestwich W.V., Kennet T.J. An automatic peakextraction technigue // Nucl. Duts Meth. 1972.- Vol. 100.- № 2.- P. 317-324.

271. ГОСТ 12.1005-76. Воздух рабочей зоны.

272. А. с. СССР № 1068848 Устройство для измерения параметров МДП-структур / В.Г. Барышев, A.A. Столяров, А.Н. Петров. Опубл. в Б.И. 1984, № 3.

273. Барышев В.Г., Петров А.Н., Столяров A.A. Экспресс-контроль зарядовой стабильности МДП-БИС // Тезисы докл. 7 на-учно-техн. конф. - Калуга, 1982.-С. 185-187.

274. Барышева JI.M., Столяров A.A. Исследование релаксации заряда у структур с плавающим затвором // Вклад ученых и специалистов области в развитие научно-технического прогресса: Тезисы докл. научно-техн. конф.- Калуга,1984.- С. 186-187.

275. Барышев В.Г., Столяров A.A. Установка для автоматизированного измерения напряжения инверсии МДП-структур // Электронная техника. Сер. 6. Материалы.-1984.-Вып.З.-С.77-78.

276. Автоматизированная установка измерения напряжения инверсии МДП-структур / В.Г. Барышев, А.Н. Петров, A.A. Столяров и др.// Инф. Листок Калужского ЦНТИ.- 1985.-№ 215.- 3 с.

277. Барышев В.Г., Столяров A.A., Сидоров Ю.А. Исследование неоднородности зарядового состояния тонкопленочного диэлектрика Si02-<ICC в партии полупроводниковых пластин // Электронная техника. Сер.6. Материалы.-1986.-Вып.1.-С. 76-78.

278. Автоматизированная установка для измерения напряжения инверсии в производстве МДП-ИС / В.Г. Барышев, Ю.А. Сидоров, A.A. Столяров и др.// Машины, приборы, стенды. Каталог МВТУ №10.- М.: МГТУ, 1986.- С.20.

279. Разработка автоматизированной установки контроля зарядового состояния диэлектрических слоев. Отчет о НИР/ КФ МГТУ Рук. В.Г. Барышев. № ГР У52777.- М.:, 1987.-48 с.

280. Разработка методов и средств контроля оптических параметров полупроводниковых лазеров по их электрическим параметрам: Отчет о НИР/ КФ МГТУ Рук. В.Г. Барышев. № ГР Т-53719.-М., 1988.-42 с.

281. Алексеев В.А., Столяров A.A. Контроль удельного сопротивления полуизолирующего полупроводника // Прогрессивные материалы, технологии и конструкции в машино- и приборостроении: Тезисы докл. региональной научно-техн. конф.-Калуга, 1990.- 41 с.

282. Барышев В.Г., Столяров A.A. Определение порогового напряжения при расчете параметров модели МДП-транзистора //

Автоматизация исследования, проектирования и испытаний сложных технических систем и технологических процессов: Тезисы докл. Всероссийская научно-техн. конф. - Калуга, 1994.- С.93.

283. Барышев В.Г., Столяров A.A. Определение параметров моделей ЩП-транзисторов описывающих пороговое напряжение // Автоматизация исследования, проектирования и испытаний сложных технических систем и технологических процессов: Тезисы докл. Всероссийская научно-техн. конф.-Калуга, 1994.-С. 96.

284. Барышев В.Г., Столяров A.A. Экспресс-метод измерения напряжения отсечки МЦП-структур // Социально-экономические проблемы управления производством, создание прогрессивных технологических конструкций и систем в условиях рынка: Российская научно-техн.-Калуга, 1995.- С. 93.

285. Высокополевой инжекционный метод постоянного тока для исследования зарядовой деградации МДП-систем/ В.В. Андреев, С.П. Вихров, A.A. Столяров и др.// Шумовые и деградацион-ные процессы в полупроводниковых приборах: Материалы докл. научно-техн. семинара -М.: МЭИ, 1997.-С. 376-381.

286. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Особенности анализа токопереноса по Фаулеру-Нордгейму при исследованиях влияния радиационных воздействий на характеристики МДП-систем // Радиационная физика твердого тела: Тезисы докл. 6 Межнационального совещания.-Севастополь, 1996.-С. 110-111.

287. Исследование особенностей токопереноса по Фаулеру-Нордгейму в МДП-системах n-Si-Si02-ФСС-AI/ B.B. Андреев, С.П. Вихров, A.A. Столяров и др.// Тезисы докл. 2 Международ, конф. по электромеханике и электротехнологии МКЭЭ-96. Часть 1.-Крым,1996.- С. 87.

288. Столяров A.A. О невозможности отбраковки в процессе ЭТТ КМОП-ИС, имеющих зарядовые дефекты в пленке ФСС подзатвор-ного диэлектрика// Социально-экономические проблемы управления производством, создание прогрессивных технологий конструкций и

систем в условиях рынка: Тезисы докл. Российской научно-техн. конф.- Калуга, 1996.- С. 103.

289. Барышев В.Г., Столяров А.А., Андреев В. В. Методика ускоренных испытаний КМДП-ИС/ Методы исследования и проектирования сложных технических систем: Сб. статей.- М.: МГТУ им. Н.Э.Баумана, 1997.- С.62-67.

290. Барышев В.Г., Столяров А.А. Нестабильность заряда МДП-структур при импульсных воздействиях // Пути повышения стабильности, и надежности микроэлементов и микросхем: Материалы 2 Всесоюзн. семинара.- Рязань,1982.- С. 123-126.

291. Барышев В.Г., Столяров А.А. Локальная нестабильность заряда диэлектрика МДП-систем // Физика диэлектриков: Тезисы докл. Всесоюзн. научн. конф.-Баку, 1982.-С. 97.

292. Барышев В.Г., Петров А.Н., Столяров А.А. Прибор для контроля зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика МДП-БИС // Машины, приборы, стенды. Каталог МВТУ № 9.-М.: МГТУ, 1984.-С. 39.

293. Разработка технической документации и устройства для анализа зарядовой стабильности тестовых МДП-транзисторов МДП-СБИС:Отчет о НИР/ КФ МГТУ. Рук. В.Г.Барышев. № ГР 5100164.-М., 1984. 24 с.

294. Fukuda Y., Kadama Н. Retention characteristics hole-injection-type EEPROM // Trans. Electron Devices.-1980.-Vol. 27.-№ 11.-P. 2080-2084.

295. Cottrell P., Troutman R., Ning H. Hot-electron emission in N-Channel IGEET's // J. Solid State ircuits.-1979.-Vol. 14.-№ 2.-P. 442-454.

296. Характеристики электрически репрограммируемых ВДП-элементов памяти с плавающими электродами/С.Н.Беляев, В.А. Ко-лясников, В.В. Ракитин В.В. и др.// Микроэлектроника.- 1982.-Т.11.-Вып. 2.-С.152-156.

297. Сальман Е.Г., Вертопрахов В.Н., Перов Г.В. К модели растекания заряда в элементах памяти в режиме хранения // Микроэлектроника.-1988 .-Т. 17.-Вып. 1.-С. 72-74.

298. Тестовый модуль для контроля радиационной стойкости КМДП-ИС с поликремниевым затвором / В.В. Андреев, Г.Г. Бонда-ренко, A.A. Столяров и др. // Радиационная физика твердого тела: Материалы 7 Межнац. совещания.- Севастополь, 1997.- С.182.

299. Барышева JI.M., Столяров A.A., Цветков Л.Г. Прогнозирование отказов МДП-структур / Тезисы докл. 6 научно-техн. конф.-Калуга, 1980.-С. 195-197.

300. Барышев В.Г., Столяров A.A., Сидоров Ю.А. Прогнозирование выхода годных схем по дефектности тонкопленочного диэлектрика // Электронная техника. Сер.б. Материалы.-1985.-Вып. 1.-С. 68-70.

301. Барыггев В.Г., Сидоров Ю.А., Столяров A.A. Прогнозирование выхода годных МДП-ИС по дефектности подзатворного диэлектрика // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: Тезисы докл. 2 Всесоюзн. конф,- Кишинев, 1986.- С.98.

302. Прогнозирование выхода годных БИС по анализу дефектности / В.Т. Гаврилков, В.Н. Дерюгин, В.А. Казинов и др. // Электронная промышленность.-1989.-Вып. 8.-С. 47-48.

303. Боханкевич В.И. Комлексная оценка качества МДП-

»

структур по напряжению микропробоя // Электронная промышленность .-1985. -Вып. З.-С. 34-38.

304. Прогнозирование технико-экономических параметров производства кристаллов ИС на пластине / И.В. Журавлева, С.А. Остапчук, A.A. Радаев и др.// Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника.-1990.-Вып. 4.-С. 42-51.

305. Барышев В.Г., Столяров A.A. Комплексное исследование МДП-систем с различным материалом верхнего электрода // Автоматизация исследования, проектирования и испытания сложных

технических систем: Тезисы докл. Российской научно-техн. конф.-Калуга, 1993.- С. 38.

306. Коррекция режимов термического отжига систем диэлектрик-полупроводник на базе информативных показателей качества диэлектрических слоев / В.Г. Барышев, О.Д. Парфенов, A.A. Столяров и др.// Электронная техника. Сер. 6. Материалы.-1992.- № 2.- С. 66-68.

307. Автоматизированная установка контроля параметров МДП-систем высокополевым инжекционным методом / В.В. Андреев, В.Г. Барышев, A.A. Столяров и др. // Социально-экономические проблемы управления производством, создание прогрессивных технологий, конструкции и систем в условиях рынка: Тезисы докл. Российской научно-техн. конф.- Калуга, 1997.- С. 48.

308. Андреев В.В., Барышев В.Г., Столяров A.A. Коррекция режимов термического отжига подзатворного диэлектрика КМДП-ИС // Микроэлектроника и информатика: Тезисы докл. 3 Международной научно-техн. конф.-Москва-Зеленоград.-1997.-С.19.

309. Денисюк В.А. Исследование сплошности окисных слоев на кремниевых пластинах с помощью нематических жидких кристаллов // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. -1977.-Вып. 6.-С. 18-23.

310. Обзоры по электронной технике: Методы контроля микродефектов диэлектрических покрытий / И.С. Суровцев, Г.А. Кузнецов, С.С. Булгаков и др.// Сер. Микроэлектроника.- 1983.-Вып. 3.-51 с.

311. Адлер Ю.П., Маркова Е.В., Грановский Ю.В. Планирование эксперимента при поиске оптимальных решений.-М.: Наука, 1976.-279 с.