Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Супрунов, Владимир Владимирович

• Супрунов, Владимир Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Супрунов, Владимир Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

§ 1.1. Основные понятия физики МДП-структур.

§ 1.2. Дифференциальная ёмкость МДП-структуры.

§ 1.3. Генерационные процессы в ОПЗ.

§ 1.4. Лавинный пробой и лавинная инжекция в МДПструктурах.

§ 1.5. Дефекты системы 31-3102.

§ 1.6. Дефектообразование в системе 33.-3:102 при. лавинно-инжекционных воздействиях.

§ 1.7. Выводы к обзору литературы и постановка задачи.

2.МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

§ 2.1. Методика проведения лавинной инжекции электронов из кремния в слой диэлектрика.

§ 2.2. Образцы для исследования воздействия горячих электронов на поверхность кремния.

§ 2.3. Экспериментальная ячейка.

§2.4. Измерение высокочастотных и низкочастотных вольтфарадных характеристик МДП-структуры.

§ 2.5. Вычисление спектра плотности поверхностных состояний.

§ 2.6. Определение темпа генерации неосновных носителей заряда методом релаксации неравновесной ёмкости.

3.ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ СИСТЕМЫ 31-3102 НА ПРОТЕКАНИЕ ЛАВИННО-ИНЖЕКЦИОННЫХ ТОКОВ ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКА В

ДИЭЛЕКТРИК.

§ 3.1. Влияние перезарядки электронных состояний границы раздела SI-SI02 на токи лавинной инжекции из полупроводника в окисел.

§3.2. «Краевая» деградация МДП-структур и лавинно-инжекционный способ определения плотности ПС по периферии МДП-структуры.

§ 3.3. Влияние процессов дефектообразования в диэлектрическом слое на токи лавинной инжекции.

§ 3.4. Лавинно-инжекционный отжиг дефектов в приповерхностной области кремния,.

Выводы к главе 3.

4 . ПРОЯВЛЕНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ МОЛЕКУЛЯРНЫХ И ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ЛАВИННО - ИНЖЕКЦИОННОЙ ДЕГРАДАЦИИ СИСТЕМЫ S1-SÍ02.

§ 4.1. О механизме формирования спектра поверхностных состояний при лавинно— инжекционной деградации.

§ 4.2. Влияние центров прилипания в энергетическом спектре ПС на токи лавинной инжекции.

§ 4.3. Влияние молекулярных процессов, происходящих на поверхности МДП-структур ,на токи лавинной инжекции из полупроводника в диэлектрик.

§ 4.4. Низкотемпературная пассивация «краевых» поверхностных состояний в системе Si—Si02.

Выводы к главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния»

Одним из основных элементов широкого класса приборов современной микроэлектроники служат структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-структуры).Наибольшее практическое значение имеют системы металл-двуокись кремния-кремний (МОП-структуры), которые являются базовыми для этой отрасли.Они применяются в транзисторах, в приборах с зарядовой связью (ПЗС), интегральных микросхемах, в некоторых видах фотопреобразователей. В ходе эксплуатации МДП структуры подвергаются полевым и термополевым воздействиям; облучению заряженными частицами и электромагнитными волнами. Обычно это вызывает ухудшение параметров и даже выход из строя интегральных схем из-за генерации дефектов на границе раздела 3:1-3:102 и в слое диэлектрика. Дефектообразование в диэлектрике и на границе раздела полупроводник-диэлектрик вызывает сдвиг порогового напряжения, уменьшение подвижности свободных носителей заряда в канале транзистора снижение коэффициента усиления и крутизны переходной характеристики и другие нежелательные эффекты. Вот почему изучение дефектообразования в МДП-структурах имеет особое значение с точки зрения практических приложений. Один из самых эффективных и достаточно простых способов стимулирования процессов дефектообразования в полупроводнике, на границе раздела полупроводник-диэлектрик и в пленке диэлектрика является лавинная ин-жекция неосновных носителей заряда из полупроводника в диэлектрик. Применение этой методики для кремниевых МДП-структур дает возможность исследовать закономерности изменений в процессе электронного возбуждения основных параметров системы - БЮг, плотности поверхностных электронных состояний, встроенного заряда в окисел, времени генерации неосновных носителей заряда. Для лавинных фотопреобразователей на основе МДП-структур важным фактором является однородность потока инжектированных носителей по площади МДП-структуры и, соответственно, необходим обоснованный выбор оптимального режима реализации лавинной инжекции. Увеличение степени интеграции МДП-микросхем обуславливает уменьшение как размеров элементов микросхем, так и толщины изолирующего слоя диэлектрика. При этом уменьшение размеров происходит несколько быстрее, чем снижение напряжений питания. Это приводит к росту напряженности электрического поля в диэлектрическом слое структур в рабочих режимах, что создает благоприятные условия для инжекции заряда в диэлектрик. Помимо этого, инжекция носителей заряда в диэлектрик происходит при нормальном функционировании ряда элементов памяти на основе МДП-структур. Поэтому исследование закономерностей инжекции горячих электронов из полупроводника в слой диэлектрика может дать ценную информацию, необходимую при разработке элементов микроэлектроники и интегральных схем. Кроме того, изучение воздействия высокоэнергетических носителей заряда при лавинной инжекции на дефекто-образование в МДП-структурах весьма важно с точки зрения физики поверхности полупроводников, поскольку механизмы генерации дефектов в системе полупроводник-диэлектрик под действием горячих носителей и природа возникающих дефектов в значительной степени остаются невыясненными.

Цель работа». Настоящая работа посвящена;

-исследованию влияния перезарядки поверхностных электронных состояний на процесс инжектирования горячих носителей заряда из полупроводника в слой диэлектрика; -экспериментальному исследованию особенностей дефекто-образования на границе 31—ЭЮг при "краевой" лавинной инжекции электронов;

-изучению зависимости процесса инжектирования электронов через границу 3:1-3102 от электро-физических характеристик поверхностных электронных состояний;

-экспериментальному поиску методов пассивации дефектов на поверхности кремния, возникающих в процессе лавинно-инжекционной деградации МДП-структур;

- исследованию влияния зарядового состояния поверхности диэлектрика на процесс лавинной инжекции электронов;

- Изучение закономерностей регенерации деградированных МДП-структур при термовоздействиях

Научная новизна работах

1.Предложен и экспериментально апробирован новый, лавин-но-инжекционный метод определения плотности поверхностных электронных состояний на границе 31—БЮг, Одним из преимуществ этого метода является возможность его использования при измерениях на МДП-структурах малой площади.

2.Предложен новый метод экспериментального исследования дефектообразования в краевой области МДП-структуры. Экспериментально исследована эффективность дефектообразования в периферийной области МДП-структуры при лавинно-инжекционных воздействиях.

3. Разработан и апробирован новый метод регенерации лавинно - деградированной поверхности кремния.

4. Впервые продемонстрирована возможность исследования процессов адсорбции на поверхности окисла с использованием методики «краевого» лавинного инжектирования электронов из полупроводника в окисел.

5. Обнаружен эффект лавинно-инжекционного отжига дефектов на границе — 3102. Предложен и обсужден механизм этого эффекта.

АВТОР защищает:

- новую экспериментальную информацию о процессе дефекто-образования в периферийной области МДП - структуры при лавинно-инжекционных воздействиях;

- новую методику определения интегральной плотности поверхностных электронных состояний в кремнии, кото-1 рая может быть применена для исследования процессов дефектообразования в периферийной области МДП-структур ;

- результаты экспериментальных исследований влияния пере зарядки поверхностных состояний на процесс лавинной инжекции электронов.

- новую методику низкотемпературного пассивирования лавинно -деградированной поверхности кремния;

- новую экспериментальную информацию о лавинно-инжекци-онном отжиге дефектов на поверхности кремния.

Практическая ценность исследований

Полученные в работе новые сведения о механизмах влияния заряда поверхностных электронных состояний на протекание инжекционных токов через границу раздела 31-3102 могут быть использованы при создании лавинно-инжекционных при9 боров, элементов памяти, фотопреобразователей. Предложенные новые методики определения плотности ПС и пассивирования дефектов на границе Эг-ЗЮг могут найти применение при разработке новых технологий, определении оптимальных технологических режимов при изготовлении МДП-приборов и интегральных микросхем.

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Супрунов, Владимир Владимирович

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ:

1.Предложен новый, лавинно-инжекционный метод определения плотности поверхностных электронных состояний в подэатворной области МДП-структуры, основанный на измерении зависимостей тока лавинной инжекции неосновных носителей заряда в МДП-структурах от амплитуды импульса обедняющего напряжения. Существенно, что предложенный метод достаточно прост, применим для исследования МДП-структур малой площади (10"7 - 10~8см2) .

2. Разработан новый метод определения плотности поверхностных электронных состояний в краевой области МДП-структуры. Метод основан на измерении зависимостей тока лавинной инжекции электронов от постоянного напряжения смещения. Выявлено, что процесс генерации дефектов в краевой области МДП-структу-ры идентичен процессу дефектообразования в подзатворной области МДП - структуры.

3.Показано, что измерение токов лавинной инжекции в зависимости от приложенного к затвору МДП-структуры постоянного напряжения смещения позволяет определять степень деградации слоя окисла и оценивать интенсивность генерации медленных состояний и ловушек слое диэлектрика.

4.Установлено, что при высоких дозах лавинно-инжекцион-ной деградации ( Бе > 5 х 1018 см-2 ) резко возрастает вероятность разрядки медленных состояний, генерируемых в переходном слое кремний - диэлектрик через поверхностные электронные состояния. Процесс осуществляется по механизму туннельной эмиссии.

5.Обнаружен новый эффект: отжиг поверхностных электронных состояний, происходящий при невысоких дозах лавинной инжекции ( 0е = Ю15 - 1016 см~2) горячих электронов через границу раздела кремний — диэлектрик. Предложен возможный механизм этого эффекта.

6.Показано, что генерация ионов водорода, происходящая при лавинной инжекции неосновных носителей заряда в окисный слой оказывает существенное влияние на физические процессы, протекающие во время переноса горячих носителей заряда от полупроводника к металлическому электроду.

7. Установлено, что поверхностные дефекты, ответственные за пик электронных состояний в энергетическом спектре стимулируют резкое увеличение токов лавинной инжекции электронов при больших периодах и амплитудах обедняющего напряжения. Выявлено, что это вызвано захватом электронов во время импульсов обедняющего напряжения на эти дефекты. С помощью измерений зависимостей приведенного тока лавинной инжекции от периода инжектирующего напряжения определены сечения захвата горячих носителей на поверхностных состояниях.

8.Обнаружено, что с помощью лавинно-инжекционных измерений представляется возможным оценивать степень гидратации поверхности диэлектрического слоя по краям металлического электрода МДП-структуры . Кроме того, возможно экспериментально устанавливать характер распределения инжекционного тока по площади МДП-структуры ( «однородный» или «краевой» режимы инжектирования) .

142

9.Предложен новый, низкотемпературный метод пассивирования поверхностных дефектов в кремнии, заключающийся в адсорбции паров воды на поверхность окисла с последующей инжекцией ионов водорода к границе ЭЛ-ЗЮг при подаче постоянного смещения к затвору МДП-структуры.

10.Установлено, что последовательные процессы лавинной деградации и пассивирования поверхности кремния могут приводить к существенной перестройке границы кремний—диэлектрик.Эта перестройка заключается в фор мировании более прочных силоксановых связей 31-0-31, которые не разрушаются при дальнейших инжекционных воздействиях.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Супрунов, Владимир Владимирович, 1999 год

1. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. - М. : Мир, 1987.-т.1. - 456 с.

2. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М., Радио и связь, 1990.-264 с.

3. Тугов Н.М.,Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы,- М.: Энергоатомиздат,1990.-576 с.

4. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем, М., Мир, 1989.-630 с.

5. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Наука. 1971.

6. Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. и др. Электронные приборы.- М,: Энергоатомиздат,1989.-496 с.

7. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Киев : Наукова думка,1978.-312с.

8. Shockley W., Read W. Statistics of the recombination of holes and electrons // Phys. Rev.-1952.-v.87, № 1 --p 835-842.

9. Schroder D.K., Guldberg F. Interpretation of surface and bulk effects using the pulsed MOS capasitor // Solid State Electronics.-1971.-v.14, F- 12.- p.1285-1297.

10. Stevenson D.T., Keyes R.J. Measurement of the recombination velociti on germanium Surfaces // Physica.-1954.-v.20,№ 12.-p. 1401-1406.

11. Schroder D.K., Nathanson H.C. On the separation of the bulk and surface components of lifetime using the pulsed MOS capasitor // Solid. St. Electr.-1970.-13, №5.-p.577-586.

12. Zerbst M.Z. // Angew. Phys.-1966. v.22. № l.P. 3033.

13. Goetzberger A., Nicollian E.N. Mos avalanche and tunneling effects in silicon surfaces //J. Appl. Phys. 1967. 38, N 12. P. 4582-4586.

14. Козлов С.Н., Потапов А.Ю., Невзоров А.Н. О краевой лавинной инжекции электронов в кремниевых МДП-структурах // Вестник Московского Университета.-Сер. Физика. Астрономия . -1988 . т.29, № 1. - с.62 - 65.

15. The evolution of the substrate-drain junction parameters during electrical geing for n-MOS transistor characterization / De la Bardonnie Mar, Mialhe Pierre, Charles Jean Pierre // J. Phys. D. 1998.- 31, № 1 --p.151 - 157.

16. Existence of optimal N20 nitridation temperature and time for hot-electron hardness enhancement in metal-oxide-Si-capasitors / Chang-Liao Kuei-Shu, Lai Hau-Chao // J. Vac. Sci. And Technol. В 1998. - 16.® 1 -p.250 - 252.

17. Thermoelectric and hot-electron properties of a silicon inversion layer / Fletche R.,Pudalov V.M.,Feng Y., Tsaousidou M., Butcher P.N. // Phys. Rev. B. 1997. -56, № 19. - p.12422 - 12428.

18. Hot-carrier degradation mechanisms in silicon-on-insu-lator MOSFETS / Cristoloveanu Sorin // Microelectron. And Reliab. 1997.- 37, № 7.- p.1003 - 1013.

19. Field enhanced Si-Si bond-breakage mechanism for time dependent dielectric breakdown in thin film Si02 -dielectrics / McPherson J. W., Reddy V.K., Mogul H.C. // Appl. Phys. Lett. - 1997. - 71. № 8. - p.1101 -1103.

20. Correlation between dielectric breakdown and charge generation in silicon oxide films / Hayakawa Tetsuo, Watanabe Yukihiko, Funabashi Hirofumi, Mitsushima Yasuichi, Taga Yasunori // Appl. Phys. Lett 1997. -70, № 20. p. 2699 - 2701.

21. Analitical study of the contribution of fast and slow oxide traps to the charge pumping current in MOS strue tures / Bauza D., Ghibaudo G. // Solid-State Electron. 1996. - 39, № 4. - p. 563 - 570.

22. Post-stress dual-trap interaction in hot carrier stres sed submicrometer N-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor / Chim Wai Kin, Chua Thiam Joo //Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. 1997. - 36, № 10.-p.6171-6174.

23. Hot hole induced breakdown Of thin silicon dioxide films / Tomita Takayuki, Utsonomiya Hiroto, Kamakura Yoshinari, Taniguchi Kenji if Appl. Phys. Lett. -1997.71, № 25. p. 3664 - 3666.

24. Вавилов В. С., Киселев В.Ф., Мукашев. Б. H. Дефекты в кремнии и на его поверхности.- М.: Наука.-1990.-216с.

25. Kiselev V.F.,Krylov D.N. Adsorption processes on semiconductor and dielectric surfaces // Springer Ser. In

26. Chemical Phys.- 1985.- v.32-Berlin: Springer-verlag.-p.237.

27. Зайцев H.A., Красников Г.Я., Сорокин И.Н. Влияние процесса стабилизации на свойства переходной области Si -S102 .// технол. процессы и матер.компонентов электрон. Устройств / Моск. гос. ин-т электрон, техн. М. 1996.- с. 83. 89.

28. Hasegawa S., Tong X., Nakajima Y., Jiang Chun-Sheng, Nagao Т. // Hgomen kagaku J. Surface Sci. Soc. Jap.-1998.- 19, № 2 - p.114 - 121.

29. X-ray photoelectron spectroscopy study of rapid thermal annealed silicon-silicon oxide systems / Choi W.K. Poon F.W., Loh F.C., Tan K.L. // J.Appl. Phys. 1997.- 81, № 11. p.7386 - 7391.

30. Metal-oxide-semiconductors field-William. // J. Vac. Sci. and Technol. В 1998.- 16. № 1 - p. 306 - 311.

31. Distinguishing the effects of oxide trapped charges and interface states in DDD and LATID nMOSFETs using photon emission spectroscopy / Chim W.K., Chan D.S.H., Tao J.M., Lou C.L., Leang S.E., Teow C.K. // J.Phys.D- 1997.- 30, W 17 p.2411 - 2420.

32. Continuing degradation of the Si02/Si interface after hot hole stress / Al-kofani I.S.,Zhang J.F., Groesene-ken G. // J. Appl. Phys. 1997. - 81, №6 - p.2686 -2691.

33. Козлов С.H.,Потапов А.Ю. Лавинная спектроскопия релаксационных процессов в системах металл-диэлектрик-полупроводник. // Препринт физ. Фак. МГУ.- № 31.-1986, 6с.

34. Козлов С.Н., Потапов А.Ю. Чудинов С.М. Рекомбинацион-но-стимулированное дефектообразование на границе Si-Si02 // Препринт физ. фак. МГУ. № 39 - 1987, 5с.

35. Detection of hot electron current with scanning hot electron microscopy / Vazquez F., Kobayashi D., Koba-yashi I., Miyamoto Y. Furuya K., Maruyama T., Watanabe M. Asada M. if Appl. Phys. Lett. 1996. - 69, № 15 -p. 2196 - 2198.

36. Fischetti M.V., Gastaldi R., Maggioni F., Modelli A.// J. Appl. Phys. 1982. 53, N 4. P. 312 9.

37. New approach to bias scan DLTS for rapid evaluation of interface states in M0S structures // Ôzder Serhat, Atilgan Ismail, Katiruoqlu Bgyram // Solid-States Elec tron. 1996. - 39, № 10 - P.1507 - 1514.

38. Oxide thickness and bias-dependence of postmetalliza-tion annealing of interface states in metall-oxide-silicon diodes / Ragnarsson Lars-Ake, Lungren Per, Ovuka Zoran, Andersson Mats 0. //J. Electro Chem. Soc.1997. 144. № 5.- p. 1866 - 1869.

39. Качлишвили З.С. ,Чумбуридзе Ф.Г. Поперечные эффекты горячих электронов в полупроводниках // Письма в ЖТФ.1998.- 24, № 12. с.36 - 39.

40. Hydrogen adsorption states at the Pd/Si02 interface and simulation of the response of a Pd metal-oxide-semiconductor hydrogen sensor / Eriksson Mats, Ekedahl Lars-Gunner // J. Appl. Phys. 1998. - 83,№ 8.p.3947-3951.

41. Improvement of Si02 properties by heating treatment in high pressure H20 vapor / Sameshima Toshiyuki, Satoh Hitsuru // Jap. J. Appl. Phys. Pt.2. 1997. - » 6a -p.L687 - L689.

42. Positively charged bonded states .of hydrogen at the (lll)Si/Si02 interface / Afan'ev V.V., Stesmans A. // J. Phys. Condens. Matter. J. Phys. F.. 1998. 10, № 1, p.89 - 93.

43. Influence of silicon-wafer loading ambients in an oxidation furnace on the gate oxide degradation due to organic contamination / Saga Koichiro, Hattori Takeshi // Appl. Phys. Lett. 1997. - 71,№ 25. P.3670 - 3672.

44. Grinev V.I., Kiselev V.F. // Phys. Stat. Sol. (a) -1981- v.66.— P. 493 499.

45. H-complexed oxygen vacancy in Si02 : Energy level of a negatively chargedstate / Afanas'ev V.V., Stesmans

46. A, // Appl. Phys. Lett. 1997. - 71, № 26. - p. 3844 - 3846.so. Козлов C.H., Кузнецов C.H. О центрах оптической «памяти» на поверхности кремния адсорбционной природы . // Изв. Вузов. Физика. 1981.- № 1.- с.92 - 96.

47. Grunthaner F.J., Grunthaner P.J. Maserjian J. Radiation induced defects in Si02 as determinated with XPS // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1982. - V. NS. - 29,№ 6. -P.1462 - 1466.

48. Козлов C.H., Щеблыкин Ю.В., Касумов Ю.Н. Радиационно-стимулированная генерация термостабильных электрически активных дефектов в Si02 // Микроэлектроника Том 17, вып. 6. - 1988. - с.548 - 553.

49. A physically based predictive model of Si/Si02 interface trap generation resulting from the presence of holes in the Si02 / Lenahan P.M., Conley J.F. (Jr.) // Appl. Phys. Lett. 1997. - 71. № 21. C. 3126 - 3128.

50. Венгер Э.Ф., Кирилова С.И., Примаченко В.Е., Чорнобай

51. B.А. Система поверхностных электронных состояний термически окисленной и реальной поверхностей кремния. // Укр. Ф1з. Ж. 1997. - 42, № 11 - 12. - с.1333 - 1339.

52. Ладыгин Е.А., Горюнов Н.Н., Галеев А.П., Таперо К.И. Исследование зарядовых эффектов в МДП-структурах при облучении методом подпороговых ВАХ // Петербург, ж. электрон. 1996. - № 4. - с. 22 - 26.

53. Evaluation of hot-hole-induced interface traps at the tunnel-Si02 (3.5 nm) Si interface by the conductance technique / Ogawa Shigeo, Kobayshi Toshio,Nakayama Sa-toshi, Sakakibara Yutaka if Jap. J. Appl. Phys. Pt 1.1997. 36, № 3b. - p. 1398 - 1406.

54. Photon stimulated tunneling of electrons in Si02: Evidence for a defect-assisted process / Afanas'ev V.V., Stesmans A. // J. Phys.: Condens. MatterJ.Phys. F. - 1997. - 9,№ 6. - P. L55 - L60.

55. Gencralazed trapping kinetic model for the oxide degradation after Fowler Nordheim uniform gate stress ./ Panakakis G. Ghibando G., Papados C., Vincent E., Kies R. // J. Appl. Phys.- 1997.- 82, № 5 - p. 2548 - 2557.

56. Capture cross section of electron-stress-induced inter face states in (100) Si metall/oxide semiconductor ca~ pasitor / Inoue Masao, Shimadu Akihiro, Shirafuji Ju-nji // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1996. - 35,№ 12 a.- P. 5915. 5920.

57. Fowler-Nordheim tunneling current oscillation at metal /oxide/Si interfaces / Hebert K. J., Irene E. A. // J. Appl. Phys. 1997.- 82, № 1 - p. 291 - 296.

58. Касумов Ю.Н., Козлов С.H. Влияние инжекции электронов из Si в Si02 на электрическую нестабильность МДП-структуры. // Вестник МГУ, сер. 3 1989. т.30, № 4.- р. 73 77.

59. Касумов Ю.Н., Козлов с.Н. Генерация электронных состояний в Si-Si02 в процессе инжекции носителей заряда из кремния. // В сб. трудов 2 Всесоюзной конференции « Физика окисных пленок » Петрозаводск. - 1987.с. 2 с. 7 .

60. Numerical simulation of hydrogen redistribution in thin Si02 films under electron injection in high fields / Gadiyak G. V. // Appl. Surface Sci. 1997.113 - 114. M 2 - с. 627 - 630.

61. Yon E., Ко W.H., Карег А.В. Sodium distribution in thermal oxide on silicon by radiochemical and MOS analysis // IEEE Trans. El. Dev. 1966. V. ED. - 13, p.276 - 280.

62. Hofstein S.R. Proton and sodium transport in silicon dioxide films // IEEE Trans. El. Dev. 1967. - V. ED. - 14, № 11. - P. 749 - 759.

63. Красников Г.Я. Исследование системы Si-Si02, легированной металлическими примесями / Технол.процессы и материалы компонентов электрон, устройств. / Моск. гос. ин-т электрон, техн. ( техн. ун-т ). М, 1996.с. 93-97.

64. Tangena A.G., De Rovij N. Fa., Middelhoe K.J. Sensitivity of MOS structures for contamination with H+, Na+, K+ ions // J. Appl. Phys. 1978. - v. 49, № 11. - p. 5576 - 5583.

65. Hickmott T.W. Thermally stimulated ionic conductivity of sodium in thermal si02 // J. Appl. Phys. 1975. -v. 46., № 6. - p.2583 - 2598.

66. Вондаренко Г.Г., Столяров А.А. Исследование влияния легирования двуокиси кремния фосфором на зарядовую нестабильность МДП-структур в условиях туннельной инжекции // Физ. и химия обраб. матер. 1997. - № 3.-с.22 — 2 6.

67. Rohatgi A., Butler S.R., Feigl F. J. Mobile sodium ion passivation in HC1 oxides // J. Electrochem. Soc. -1979. v.126, № 1.- p.143 - 149.

68. Investigation of existing defects and defects genera -tion in device grade Si02 by ballistic electron emission spectroscopy / Wen H.J., Ludeke R. // J. Vac.

69. Sci. and Technol. B. 1997. - 15, № 4. - p. 1080 -1088.

70. Low field trap generation dependence on the injection current density in gate unsulators : How valid are accelerated hot electron measurements ? / Kim H.S. Reisman A., Williams C.K. // J. Electrochem. Soc. 1997. - 144, № 7. - p. 2517 - 2521.

71. Correlation between dopant reduction and interfacial defects in low energy X-ray irradiated MOS capasi-tors / de Vasconccelos Elder A., da silva (Jr.) Eroni-des F // Semicond. Sci. and Technol. - 1997. - 12, № 8 - p. 1032 - 1037.

72. The influence of the distribution of potential fluctuations on the distribution of States in amorphous semiconductors / O'Leary Stephen K., Lim P.K. // Solid State Commun. 1997. - 101, № 7. - P.513 - 517.

73. X ray photoelectron spectroscopy study of rapid thermal annealing silicon - silicon oxide systems / Choi W.K., Poon F. W., Loh F. C., Tan K. L. // J. Appl. Phys. - 1997. - 81, № 11. - p. 7386 - 7391.

74. A study on interface and charge trapping properties of nitrided n-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors by backsurface argon bombardment / Lai P.T., Xu J.P., Lo H.B., Cheng Y.C. // J. Appl. Phys. 1997. - 82, № 4. - P.1947 - 1950.

75. Mobility degradation of inversion layer carriers due to MERIE type plasma action / Atanassova E., Paska -leva A. // Solid - State Electron. - 1996. - 39,№ 7. -p. 1033 - 1041.

76. Dependence on gate work function of oxide charging, defect generation and hole currents in metal-oxide-semiconductor structures / Di Maria D.J. // J. Appl. Phys. 1997. - 81, № 7. - p. 3220 - 3226.

77. Physics of defects in silicon dioxide / Kaneta Chioko // Oyo butsuri. 1996. - 65, № 11. - p. 1139 - 1143, 1169 - 1170.

78. Потапов А. Ю. Влияние лавинной инжекции носителей заряда в диэлектрик на электрофизические параметры струк туры Si-^Si02 : дисс.канд. Физ. мат. наук.- 1988. М., - 185с.

79. Defects and radiation effects in semiconductors. London. 1978. / Kimerling L.C. // Inst. Phys. Conf. Ser. N 46. 1979. p.56 - 68.

80. Impact of mixing of disturbed bonding states on time -depend dielectric breakdown in Si02 thin film / McPher son J.W., Mogul H.C. // Appl. Phys. Lett. 1997. -71, № 25. - P.3721 - 3723.

81. Thermally induced interface degradation in (111) Si/Si02 traced by electron spin resonance / Stesmans A., Afanas'ev V. V. // Phys. Rev. B. 1996. - 54,№ 16 - p. R11129 - R 11132.

82. Low temperature hydrogen passivation of donor in silicon / Koshman A.R. // Funct. Mater. 1997.- 4, № 2. -p. 316 - 317.

83. Thermal oxidation of (100) silicon in 02 and C02 and its effect on the Si02 Si metal oxide semiconductor parameters / Khemka V., Chow T.P. // J. Electrochem. Soc. - 1997. - 144, № 3. - p.1137 - 1143.

84. Atomic and electronic structures of oxygen adsorbed Si (001) surfaces / Uchiyama Toshiro, Tsukada Masaru // Phys. Rev. B. 1996. - 53, № 12. - p.7917 - 7922.

85. Давыдов B.H., Несмелов C.H. Электрические свойства Si-Si02 систем после воздействия магнитного поля. / Изв. Вузов. Физ. - 1997. - 40, № 2. - р. 62-66.

86. Oxide voltage and its polarity dependence of interface-state-generation efficiency in (100)n-Si metal / oxide / semiconductor capacitors / Inoue Masao, Shima-da Akihiro, Shirafuji Junji // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1 - 1996. - p. 5921 - 5924.

87. Electrical field dependendence of electron capture cross section of neutral traps in Si02 / Palma A., Lo'pez Villanueve J. A., Carceller J. E. //' J. Elec-trochem. Soc. - 1996. - 143, № 8. - P. 2687 - 2690.

88. Fischetti M.V., Weinberg Z.A., Calise I.A. The effect of gate metal and Si02 thickness on the generation of donor states at the Si-Si02 interface // J. Appl. Phys. 1985. - v. 57, N2. - p.418 - 425.

89. Fischetti M.V. Generation of positive charge in silicon dioxide during avalanche and tunel electron injection // J. Appl. Phys. 1985. - v.57, № 8. - p. 28602879.

90. Fischetti M.V. The importance of the anod field in controlling the generation rate of the donor states at the Si-Si02 interface // J. Appl. Phys. 1984. - v. 56, № 2. - P. 575 - 577.

91. Effect of oxynitridation on charge trapping properties of ultrathin silicon dioxide film / Fukuda Hisashi, Murai Shoji, Endoh Toshiaki, Nomura Shigeru //J. Appl. Phys. 1997. - 81, № 4. P.1825 - 1828.

92. Trap generation in buried oxides of silicon-insulator structures by vacuum ultraviolet radiation / Afa-nas'ev V.V., Stesmans A., Revesz A.G., Hughes H.L. // J. Electrochem. Soc. 1997. - 144, № 2. - p. 749 -753.

93. Impact of tunnel film oxynitridation on band to -band tunneling current and electron injection in flash memory / Arakawa Tomiyuki, Matsumoto Ryoichi, Hayashi Takahisa // Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. - 1997. - 36, № 3b, - p. 1351 - 1354.

94. Гергель В. А., Зеленый А. П., Тимофеев М.В. Особенности перезарядки поверхностных состояний в МДП-структурах в режиме сильной инверсии // Микроэлектроника 1998. -27, № 2 - р.93 - 96.

95. Electric field and equivalent circuit in all-film capa citors / Joubert Ch., Béroual A., Rojat G. // J. Appl. Phys. 1997. - 81, № 10. - p. 6579 - 6584.

96. Effect of hydrogen chloride during oxidation of sili con on trap generation by avalanche electron injection / Chen A.I., Dadgar S., Hsu C., Pan S., Sah C.T. // J. Appl. Phys. 1986. - v.60, № 6. - p. 1391 - 1398.

97. Effects of hydrogen chloride on bown acceptor hydrogénation and trap generation annealing in oxidized silicon irradiated by keV electron / Wallace W.L.L., Sah C.-T. // J. Appl. Phys. - 1988. - v.63, № 9. - p. 4555 - 4560.

98. Борздов В.M., Борейко H.П., Галенчик В.О., Жевняк О.Г. Комаров Ф.Ф. Расчет тока затвора, обусловленного инжек цией горячих электронов в подзатворный окисел субмикронного МОП-полевого транзистора. // Инж.-физ.ж,- 1998 71, № 3.- с. 534 - 537.

99. Юб. Гергель В.А., Тимофеев М.В., Зеленый А.П. О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностнойподвижности в МДП-структурах. //Физ. и техн. полупровод. 1998. - 32, № 6. - с. 748 - 751.

100. Касумов Ю.Н. Воздействие горячих носителей заряда на дефектообразование в диэлектрическом слое МДП-струк-тур. Дисс. канд. Физ. мат. наук - М. 1989.

101. Stress field palarity effect on defects generation in thin silicon dioxide films / El-Hdiy A., Salace G., Jourdain M., Meinertzhagen A., Vuillaume D. // Thin Solid Films. 1997. - 296, № 1-2. - p. 106 - 109.

102. Hole capture cross section and emission coefficient of defect centers related to high-field-induced positive charges in Si02 layers / Gao Xiaoping, Yee Sinclair S. // Solid State Electron. - 1996 - 39, № 3 - p. 399 -403.

103. Fishetti M.V., Gastaldi R., Maggoni F., Modelly A. Positive charge effects on the flatband voltage shift during avalanche injection on Al-Si02-Si capacitors // J.Appl. Phys. 1982. - v. 53, №4.- p.3129 - 3135.

104. Sah C.T., Sun J.Y.-C., Tzou J.J.-T. Deactivation of the bown acceptor in silicon by hydrogen // Appl. Phys. Lett. 1983. - v. 43, № 2, - P.204 - 206.

105. Kaschieva S. Investigation of Na, CI and AL concentration in the system Si-Si02 // Докл. Билг. A.H. 1991.- 44, № 3. P. 45 - 47.

106. B.C. Муравский, В.И. Стриха. Физические основы работы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки. // Материалы конференции, 28, Киев, 1975.не. B.C. Муравский. Радиотехника и электроника. // 8, 162, 1963.

107. Б.С.Муравский, ФТП, 11, 1012, 1977.lis. М.С. Косман, Б.С. Муравский, ФТТ, 3, 2504, 1961.

108. Б.С.Муравский, В.И.Кузнецов. Авторское свидетельство СССР, кл. HOI1 5/00 281651 заявл. 1968, опубл. 21. 03.1973.

109. В.И.Кузнецов, Б.С. Муравский, С.А.Еремин, Д.П.Федоров. Радиотехника и электроника. 17, 1778, 1972.

110. Б.С.Муравский. ФТТ, 4, 2485, 1962.

111. Б.С. Муравский, ФТП, 9, 1140, 1975.

112. Б.С. Муравский, В.И.Кузнецов, Г.И.Фризен, В.Н.Черный, ФТП, 6, 2114, 1973.

113. Iwata Seiichi // Hyomen kagaku = J. Surface Sci. Jap. -1998. 19, № 1 - p.9 - 13.

114. Correlation between dielectric breakdown and charge generation and charge generation in silicon oxide film / Hayakawa Tetsuo, Watanabe Yukihiko, Taga Yasunori // Appl. Phys. Lett. 1997. - 70, № 20. - c. 2699 -2701.

115. Фотостимулированные электронные и протонные процессы на поверхности полупроводников / Киселев В.Ф. Плотников Г.С. // Оптика и спектроскопия. 1997. - 83, № 4. - с. 557 - 560.

116. Surface analysis by imaging of H+ on Si device surface / Ueda Kazuyuki, Ishikawa Kenichi, Yoshimura Masamichi

117. Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. 1997. - 36, № 12b. -p. 7696 - 7698.

118. Methods to determine electron traps created in gate oxides by Fowler Nordheim injection / Auriel G., Du-buc J.P. Sagnes В., Oulid J. // J. Non-Cryst. Solids.-1997 - 220, № 2-3. - c. 157 - 163.

119. Metal oxide - semiconductor field effect transistor junction requirements / Duane Michael, Lynch Willian // J. Vac. Sci. and Technol B. - 1998. - 16, W- 1 - p. 306 - 311.

120. Existence of optimal N20 nitridation temperature and time for hot-electron hardness enhancement in metal -oxide Sicapacitors / Chang-Liao Kuei - Shu, Lai Han-Chao // J. Vac. Sci. and Technol. B. - 1998. - 16, № 1. - p. 250 - 252.

121. Особенности перезарядки поверхностных состояний в МДП-структурах в режиме сильной инверсии / Гергель В. А., Зеленый А.П., Тимофеев М.В. // Микроэлектроника.-1998. 27, № 2. - с. 93. - 96.

122. Low-temperature electron phonon interaction in Si MOSFETs / Zieve R.J., Prober D.E., Wheeler R.G. // Phys. Rev. B. - 1998. - 57, № 4. - p. 2443 - 2446.

123. Influence of external bias on photoelectric properties of silicon MISITL structures / Yerokhov V.Yn., Melhyk I.I. // Solid State Electron. - 1998. - 42. № 6. -p. 883 - 889.

124. Brigging the pressure gap for palladium metal insu -lator - semiconductor hydrogen sensors in oxygen sen -sors in oxygen containing environments / Johansson M. ,1611.ndstom I., Ekedahl L. G. //J. Appl. Phys. - 1998. - 84. № 1 - p. 44 - 51.

125. A new approach to investigate gate oxide degradation of MOS capacitors during Fouler Nordheim stress at low electron fluence / Samanta Piyas, Sarkar C. K. // Solid - State Electron. - 1998. - 42, № 1. - p. 165 -171.