Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Явтушенко, Игорь Олегович

• Явтушенко, Игорь Олегович
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Явтушенко, Игорь Олегович

Введение.

Глава 1.

1.1. Состояние вопроса.

1.2. Проблемы в описании дислокационного транспорта.

1.3 Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций.

1.4 Анодные процессы на поверхности полупроводника.

1.5 Окисление полупроводника.

Глава 2. Методическая часть.

2.1 Скрайбирование кремния с целью формирования зон упругих напряжений и введения дислокаций.

2.2. Режимы отжига кремниевых пластин.

2.3. Методика выявления дислокаций и расчет их линейной плотности. 27 2.4 Скрайбирование кремния в водных растворах.

2.4.1 Скрайбирование кремниевых пластин в различных средах при воздействии электрического поля.

2.4.2. Методика изучения анодных процессов на поверхности полупроводника.

Глава 3. Формирование дислокационной структуры вблизи концентраторов напряжений.

3.1 Скрайбирование как процесс разрушения кристалла.

3.2 Анизотропия основных параметров скрайба.

3.3 Дислокационная структура вблизи концентраторов напряжений при различных направлениях индентирования.

3.4 Релаксация упругих напряжений при различных температурных режимах обработки.

3.5 Эволюция линейной плотности в дислокационной дорожке со временем отжига.

3.6 Возмущения, вносимые индентором при скрайбировании.

Глава 4. Поверхностные свойства кремния после токовой обработки в водных растворах.

4.1. Изменение параметров скрайба и дислокационной картины при индентировании n—Si в воде.

4.1.1. Изменение параметров скрайба при скрайбировании кремния в Н20 без внешней поляризации.

4.1.2. Изменение параметров скрайба при индентировании кремния в Н20 с внешней поляризацией.

4.2 Влияние электрического поля на краевой угол смачивания кремния водой.

4.3 Взаимосвязь механических свойств кремния с ВАХ полупроводника в водных растворах.

4.4 ИК-спектральный анализ кремния при различных режимах анодного формирования окисных пленок.

4.5 Кинетика окисления кремния в водных растворах при анодной поляризации.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений»

Одной из важнейших характеристик полупроводниковых материалов является наличие структурных несовершенств — дислокаций, в силу того, что они оказывают существенное влияние на механические и электрофизические свойства полупроводников, кинетику фазовых и структурных превращений, диффузионных процессов. Такие дефекты изменяют спектр электронных состояний кристалла, что приводит к изменению многих физических свойств (электрических, оптических и магнитных) кристалла [1]. Дислокации, дислокационные ряды, если они пересекают рабочую область прибора, ведут к возникновению токов утечки, неравномерному распределению плотности тока по сечению кристалла и к преждевременному выходу прибора из строя [2]. Помимо этого, наличие внутренних и внешних механических напряжений возникающих при работе приборов за счёт разности коэффициента теплового расширения на краях диэлектрических слоев, на границе р-n перехода и т.д., [3] может приводить к движению дислокаций даже при комнатных температурах. С уменьшением размеров полупроводниковых приборов степень влияния на их работу несовершенств кристаллической структуры увеличивается. В связи с этим очень остро стоит вопрос о причинах, ведущих к образованию и перемещению структурных дефектов в кристалле.

Учитывая всё возрастающую степень интеграции современных приборов, изучение поведения дислокаций в возмущающих полях механической природы, выяснение механизмов зарождения, размножения и перемещения является важнейшей задачей физики полупроводников. Поэтому целью данной работы являлось исследование влияния внутренних напряжений на дислокационную динамику в кристаллах кремния.

Целью диссертационной работы является экспериментальное и теоретическое изучение поведения дислокаций в поле внутренних напряжений при различных режимах скрайбирования, включая скрайбирование кремния в воде.

Для достижения поставленных целей были рассмотрены и решены следующие задачи:

Установлены закономерности образования, размножения и транспорта дислокаций в результате скрайбирования Si на воздухе и в воде;

Оптическими методами установлены основные направления перемещения дислокаций на различно ориентированных поверхностях монокристаллов кремния;

Построена математическая модель, описывающая экспериментально наблюдаемую дислокационную картину вблизи скрайба;

Разработана методика скрайбирования пластин при анодной поляризации;

Методами оптической спектроскопии зафиксировано изменение стехиометрии оксидной пленки полученной анодированием кремния.

Научная новизна

Впервые определен закон перераспределения дислокационных рядов вблизи концентратора напряжений при изменении ориентации скрайба на поверхности кремния.

Определены релаксационные параметры ответственные за характер распределения дислокаций в линиях скольжения.

Обнаружена зависимость микротвердости от потенциала поверхности полупроводника.

Определено изменение состава оксидной пленки образующейся при анодной поляризации кремния в воде в электрическом поле.

Практическая значимость работы

Вскрыт механизм формирования дефектной области в окружении скрайба.

Установлены режимы индентирования, позволяющие с достаточной точностью предсказывать изменение дефектной области. Установлена последовательность структурных изменений окисных слоев, формируемых при анодировании кремния, позволяющая формировать диоксидные пленки с конкретными свойствами установленного диапазона.

Основные положения, выносимые на защиту

• Направления дислокационных разбегов зависят от ориентации скрайба относительно основных кристаллографических направлений и возможны только в разрешенных направлениях.

• Трансформация дислокационной картины при изменении режима индентирования определяется релаксационными параметрами, которые могут быть вычислены с использованием представленной в работе математической модели.

• Микротвердость поверхностных слоев полупроводника зависит от концентрации основных носителей заряда в них.

• Стехиометрия оксидной пленки на поверхности кремния зависит от времени анодирования в дистиллированной воде.

Объем и структура диссертации

Диссертация включает в себя литературный обзор, методическую часть, две экспериментальные главы, основные выводы и список литературы. Работа содержит 116 страниц текста, включая 46 рисунков и 10 таблиц. Список литературы включает 125 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Явтушенко, Игорь Олегович

Основные результаты и выводы

1. Впервые определена последовательность перераспределения дислокаций при изменении ориентации скрайба относительно основного кристаллографического направления [ 110 ]. Установлена последовательная перегруппировка линий через каждые 15°, сопровождаемая исчезновением и последующим появлением линий с набегающей и удаляющейся стороны скрайба соответственно.

2. Предложена математическая модель, описывающая кинетические особенности формирования дислокационной дорожки вблизи концентратора напряжений, позволяющая определять количество зарождающихся дислокаций, их расположение в линии скольжения, релаксационные параметры образования (ti=79.600 с) и перемещения дислокаций (т2=2427. 14000 с).

3. По температурной зависимости максимального пробега, линейной плотности и числа дислокаций в выделенной линии скольжения определены значения энергий активации релаксации процессов образования (i?i=0,5 эВ) и транспорта линейных дефектов (£2=0,3-0,6 эВ).

4. Установлено, что дислокационная структура кремния, формируемая в водных растворах, определяется изменением упругих напряжений в вершине микротрещины через капиллярное, расклинивающее давления и пространственный заряд в полупроводнике, которые зависят от внешнего потенциала. Показано, что экстремальное изменение исследуемых параметров определяется электрическим пробоем окисной пленки и ОПЗ.

5. Показана взаимосвязь между изменением электрического потенциала и структурой окисной пленки, формируемой при анодной поляризации кремния. Методом ИК-спектроскопии установлена последовательность изменения стехиометрии оксидной пленки SiOx (х —> 2), с увеличением потенциала и времени анодирования. Определено, что наиболее интенсивный рост оксида происходит при потенциалах превышающих 25В, соответствующих напряжению пробоя.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Явтушенко, Игорь Олегович, 2008 год

1. Шмурак С.З. Дислокационная спектроскопия кристаллов //ФТТ, т.41, вып.12 (1999) 2139-2146 с.

2. Горидько Н.Я., Макара В.А., Новиков Н.Н., Стебленко Л.П. Влияние термообработки и металлизации поверхности на процесс открепления дислокаций от примесных центров в кристаллах кремния.// ФТТ, т.31, вып.5 (1982)31-34 с.

3. Судзуки Т., Есинага X., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность.// М.: Мир (1989) 296 с.

4. Усатенко О.В., Горбач А.В., КовалевА.С. Энергия и барьер Пайерлса дислокации (кинка) Френкеля-Конторовой. // ФТТ, т.43, вып.7 (2001) 1202-1206 с.

5. Sagdeev I.R., Vinokur VMM J.Phys. 48, 9 (1987) 1395 p.

6. Flytzanis N., Crowley S., Celli. V.// Phys. Rev. Lett. 39, 14 (1977) 891 p.

7. Абловиц M., Сигур X. Солитоны и метод обратной задачи.// М.: Мир (1987). 480 с.

8. Косевич A.M., Ковалев А.С. Материалы школы по радиационным и другим дефектам в твердых телах.// Тбилиси, т.1 (1974) 186 с.

9. Flach S., Kladko KM Phys. Rev. E54, 3 (1996) 2912 p.

10. Flach S., Willis C.R.// Phys. Rev. E47, 6 (1993) 4447 p.

11. Munakata T.//Phys. Rev. A45, 2 (1992) 1230 p.

12. Spejght J.M., Ward R.S.// Nonlinearity 7, 2 (1994) 475 p.

13. Boesch R., Willis C.R., M.El-Batanouny. Phys. Rev. B40, 4 (1989) 2284 p.

14. Majernikova E., Drobny G.// Phys. Rev. E47, 5 (1993) 3677 p.

15. Rosenau P.//Phys. Lett. A118, 5 (1986) 222 p.

16. Ishimory Y., Munakata T. J.//Phys. Soc. Jpn. 51, 10 (1982) 31367 p.

17. Чернов B.M., Персиянова Е.И. Статистическое описание формы движущейся дислокации.// ФТТ, т.50, вып.4 (2008) 624-629 с.

18. Петухов Б.В. Статистическая теория движения дислокаций при наличии спонтанных процессов блокирования-деблокирования. // ФТТ, том.43, вып.5 (2001) 813-817 с.

19. Belov A.Yu. In: Elastic Strain Fields and Dislocation Mobility / Ed. by Indenbom V.L., Lothe J. Elsevior (1992) 391 c.

20. Louat N., Sadananda KM Phil. Mag. A64, 31 (1991) 213 p.

21. Колесникова A.JI., Романов A.E. Петлевые дислокации и дисклинации в методе виртуальных дефектов.// ФТТ, т. 45, вып.9 (2003) 1626-1636 с.

22. GutkinM.Yu., Romanov A.E.//Phys. Sta. Sol. (a) 125, 1 (1991) 107 p.

23. Belov A.J., Chamrov V.A., Indenbom V.I., Lothe J.// Phys. Stat. Sol. (b) 119, 2 (1983) 565 p.

24. Гуткин М.Ю., Шейнерман А.Г. Упругое поведение винтовой дислокации в стенке полой нанотрубки.// ФТТ, т. 49, вып.9 (2007) 1595-1602 с.

25. Малыгин Г.А. Процессы самоорганизации дислокаций и плсатичность кристаллов. //УФН, т. 169, №9 (1999) 979-10 Юс.

26. Бернер Р., Кронмюллер Г. Пластическая деформация металлов.// М.: Мир. (1972)

27. Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов.// М.: Мир. (1972)

28. Степанов В.А. Основы практической прочности кристаллов.// М.: Наука (1974)

29. Laird С. in Dislocations in Solids. Vol. 6. (Ed. F R N Nabarro) (Amsterdam: North-Holland) (1983), 55c.

30. Камышанченко H.B., Красильников B.B., Сирота B.B. и др. Роль внутренних напряжений в локализации пластического течения облученных материалов. //Письма в ЖТФ, т.25, вып.18 (1999) 86-90 с.

31. Макара В.А., Стебленко Л.П., Обуховский В.В., Горидько Н.Я., Лемешко В.В. Влияние электрического тока на стартовые характеристики и активационные параметры коротких дислокаций в кристаллах кремния.// ФТТ, т. 42, вып.5 (2000) 854-858 с.

32. Скворцов А. А., Орлов A.M., Фролов В. А., Соловьев А. А. Электростимулированное движение краевых дислокаций в кремнии при комнатных температурах. // ФТТ, т. 42, вып.11 (2000) 1998-2003 с.

33. Моргунов Р.Б. Спиновая микромеханика в физике пластичности.// УФН, т. 174, №2 (2004) 131-153 с.

34. Даринский Б.М., Фёклин В.Н. Спиновые эффекты в немагнитных кристаллах в магнитном поле.// ФТТ, т. 48, вып.9 (2006) 1614-1616 с.

35. Макара В.А., Стебленко Л.П., Горидько Н.Я., Кравченко В.М., Коломиец А.Н. О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния.// ФТТ, т. 43, вып.З (2001) 462-465 с.

36. Гадияк Г.В. Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации.// ФТП, т. 31, №4 (1997) 385389 с.

37. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах.// УФН, т. 165, №8 (1995) 887-917 с.

38. Неустроев Е.П., Антонова И.В., Попов В.П., Киланов Д.В., Мисюк А. Формирование донорных центров при различных давлениях в кремнии, облученном ионами кислорода.// ФТП, том 33, вып.10 (1999) 1153-1157 с.

39. Власов Н.М., Зазноба В.А. Влияние атомов водорода на подвижность краевых дислокаций.// ФТТ, т. 41, вып.З (1999) 451-453 с.

40. Гасан-заде С.Г., Старый С.В., Стриха М.В., Шепельский Г.А. Электрическая активность дислокаций и точечных дефектов деформационного происхождения в кристаллах CdxHgi.xTe.// ФТП, т. 37, вып.1 (2003) 8-16 с.

41. Ерофеева С.А., Осипьян Ю.А. В сб.: Динамика дислокаций. Наук. Думка, Киев (1975). 26 с.

42. Шаскольская М.П. Кристаллография. //М.: Высшая школа. (1984) 376с.

43. Алехин В.П. Физические закономерности микропластической деформации разрушения поверхностных слоев твердого тела.// Автореф. дис. Киев (1978)

44. Уорен П.Д., Роберте С.Г., Хирш П.Б. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 51,4, (1987) 812 с.

45. Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д. // Сообщения АН Грузии 142, 1 (1991) 61 с.

46. Головин Ю.И., Тюрин А.И. // ФТТ, т. 37, вып.5 (1995) 1562 с.

47. Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д., Кутивадзе Н.Г., Бибилашвили А.П., Бохочадзе З.Г. Влияние режима формирования отпечатка на оценку величины фотомеханического эффекта.// ФТТ, т. 40, №3 (1998) 503-504 с.

48. Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д., Кутивадзе Н.Г., Бибилашвили А.П., Бохочадзе З.Г. О распределении величины микротвердости по глубине образца.// ФТТ, т. 41, вып.7 (1999) 1225-1227 с.

49. Герасимов А.Б., Чирадзе Г.Д. Влияние рода и концентрации мелких примесей на микротвердость и фотомеханический эффект в полупроводниках.// ФТП, т. 35, вып.4 (2001) 385-386 с.

50. Delerue С., Allan G., Lannoo М. // Phys. Rev. В. V.48 №5 P. 11024 (1993)

51. Adachi S., Kubota T. // Electrochemical and Solid-State Letters. V.10. N2. P. H39-H42 (2007)

52. Shin-Ichiro Kuroki, Takamara Kikkawa.// J. Electrochem. Soc. V. 153. N 8. P. G759-G76453.0ton C.I., Navarra-Urrios D., Capuj N.E. et 2Х.И Appl. Phys. Lett. V.89. №1.P.011107-3

53. Сидоров В.Г., Дрижук А.Г., Шагалов М.Д., Сидоров Д.В., Усиков А.С. Повышение эффективности ^'-л-СаЛ^-светодиодов с помощью электрохимического травления.// ПЖТФ, т. 25, №2 (1999) 55-60 с.

54. Ефимов Е.А., Ерусалимчик И.Г. Анодное растворение кремния в плавиковой кислоте.// ЖФХ, т. 35, №2 (1961) 384-388 с.

55. Плесков Ю.В. // ЖФХ, т. 35, (1961) 2540 с.

56. МямлинВ.А.//ДАН СССР, т. 139, (1961) 1153 с.

57. Изидинов С.О., Борисова Т.И., Веселовский В.И. Электрохимическое и фотоэлектрохимическое поведение кремниевого электрода.// ДАН СССР. Ф.Х. т. 133, №2 (1960) 393-395 с.

58. Ильчук Г.А., Украинец В.О., Рудь Ю.В., Кунтый О.И., Украинец Н.А., Лукиянец Б.А., Петрусь Р.Ю. Электрохимический синтез тонких пленок CdS.// ПЖТФ, т. 30, вып. 15 (2004) 19-24 с.

59. Репинский С.М. Процессы окисления полупроводников и строение границ раздела.// ФТП, т. 35, вып.9 (2001) 1050-1062 с.

60. Батенков В.А. Электрохимия полупроводников.// Барнаул: Изд-во Алт. Ун-та (2002) 162 с.

61. Изидинов С.О., Борисова Т.И., Веселовский В.И. Особенности фотоэлектрохимического поведения границы раздела кремний-щелочь.// ДАН СССР. Ф.Х. т. 145, №3 (1962) 598-601 с.

62. Изидинов С.О. Диссертация. Физико-хим. ин-т им. Карпова Л.Я.//М. (1963)

63. Гаврилов С.А., Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И. Механизм кислородной пассивации пористого кремния в растворах HF:HC1:C2H50H.// ФТП, т. 36, вып.1 (2002) 104-108 с.

64. Александров О.В. Влияние эффекта экранирования на пассивацию дырочного кремния водородом.// ФТП, том 36, вып.1 (2002) 24-28 с.

65. Cai W., Lin Z., Strother Т., Smith L.M., Hamers R.J.// J. Phys. Chem. B, 106, (2002) 2656 p.

66. Антонова И.В., Соотс P.A., Селезнев B.A., Принц В.Я. Электрическая пассивация поверхности кремния органическими монослоями 1-октадецена.// ФТП, т. 41, вып.8 (2007) 1010-1016 с.

67. Pantelides S.T.// Appl. Phys. Lett., 50 (1987) 995 p.

68. Johnson N.M., Donald C., Ponce F., Walker J., Anderson G. Physica B, 170, 3 (1991)

69. Pearton S.J., Corbett J.W., Stavola M. Hydrogen in crystalline semiconductors (Springer Verlag, Berlin, 1992) ch. 2, 4, 9

70. Miramond C., Vuillaume D.// J. Appl. Phys., 96 (2004) 1529 p.

71. Шелонин E.A., Найденкова M.B., Хорт A.M., Яковенко А.Г., Гвелесиани А.А., Марончук И.Е.// ФТП, т. 32 (1998) 494 с.

72. Arigane Т., Yoshida К., Wadayama Т.// A. Hatta. Surf. Sci., 427-428, 304 (1999)

73. Баранов И. Д., Становая Л.С., Табулина Л.В., Русальская ТТЛ Электрохимия, 40, 228 (2004)

74. Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г. Влияние быстрого отжига на электрофизические свойства структур SiCVSi с тонкими слоями анодного оксида кремния.// ФТП, т. 40, вып.8 (2006) 944948 с.

75. Deal В.Е., Grove A.S. J. Appl. Phys. 1965. V.36, N12. p.3770-3778

76. Hamsaki M. Sol. State Electron. 1982, V.25, N.6. p.479-486

77. Lu Y.L., Cheng Y.C. J. Appl. Phys. 1984. V.56, N.6. p. 1608-1612

78. Колобов H.A., Маслов В.П., Данилов В.Г., Волосов К.А. Математическое моделирование процессов тепломассопереноса.// М., 1987. 280-345 с.

79. Дубровский Л.А., Мельник В.Г., Одынец Л.Л.// ЖФХ, 36 (1962) 2199 с.

80. Jorgensen P.J. Effect of electric field on Silicon oxidation.// J. Chem. Phys. 1952, v.37, n.4. p. 874-877

81. Modlin D.N., Tiller W.A. J.//Electr. Soc. 1985. V.132, N.7. p. 1659-1669

82. Румак H.B., Хатько B.B. Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике.// Мн.:Навука I тэхшка (1990) 191 с.

83. Hatzakis М., Lithographic Processes in VLSI Circuit Fabrication, Scanning Electron Microscopy Meeting, Washington, D.C., pt 1, (1979) p.275-284

84. Lora-Tamayo A., Dominguez E., Lora-Tamayo E., Liabres J. A new model of the thermal growth of a silicon dioxide layer.// Appl. Phys. V.17, N.l. (1978) p.79-84

85. Tiller W.A. On the kinetics of the thermal oxidation of Silicon. I. A theoretical perspective J. Electrochem. Soc. V.127, N.3, (1980) 619-624 p.

86. Long M., Walker C. Stress factors in positive photoresist.// Proc. Kodak interface" 79, 125 (1979)

87. Аверьянов E.E. Справочник по анодированию.// M.: Машиностроение (1988) 224 с.

88. Основы технологии кремниевых интегральных схем. (под ред. Бургера Р. и Донована Р.)М.:Мир. (1969) 451с.

89. Wolters D.L. The role of water in the oxidation of Silicon. In: Insul films semicond. Inv. Contrib. Pap. Conf. Durcham, (1980) p. 18-27

90. Малевская JI.А. Диссертация.// M.: РГБ. (1984) 150 с.

91. Технология СБИС (под ред. Зи С.) М.: Мир. т.1 (1986) 405с.

92. Frey D.W., Guild J.R., Hryhorenko Е.В., Edge profile and dimensional control for positive photoresist. Pros.// Kodak interface" 81 (1981)

93. Берман Л.С., Белякова Е.И., Костина Л.С., Kim E.D., Kim S.C. Анализ зарядов и поверхностных состояний на границе раздела структур полупроводник-диэлектрик-полупроводник.// ФТП, т. 34, вып.7 (2000) 814-817 с.

94. Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний-на-изоляторе в электрических полях.// ФТП, т. 36, вып.7 (2002) 853-857 с.

95. Дмитриев С.Г., Маркин Ю.В. Макроскопические ионные ловушки на границе раздела кремний-окисел.// ФТП, т. 32, вып 12 (1998) 1439-1444 с.

96. Антонова И.В., Попов В.П., Поляков В.И., Руковишников А.И. Ловушки с энергиями вблизи середины запрещенной зоны на границе Si/Si02, созданной сращиванием, в структурах кремний-на-изоляторе.// ФТП, т. 38, вып.12 (2004), 1439-1444 с.

97. Pacchioni G., Ierano G.H Phys. Rev. Lett. 79,4 (1997) 753 p.

98. Шапошников A.B., Гриценко B.A., Жидомиров Г.М., Роджер М. Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в SKX// ФТТ, т. 44, вып.6 (2002) 985-987 с.

99. Антонова И.В. Стабилизация заряда на границе со скрытым диэлектриком структур кремний-на-изоляторе.// ФТП, т. 39, вып. 10 (2005) 1195-1199 с.

100. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник. Металлургия.// М. (1974) 528 с.

101. Епифанов Г.И. Физика твердого тела.// М. «Высшая школа» (1977) 288с.

102. Григорьев И.С., Мейлихов Е.З. Физические величины.// М.: Энергоатомиздат (1991) 1230 с.

103. Химическая энциклопедия.// М.: «Советская энциклопедия» т.1 (1988) 625 с.

104. Рабинович В.А., Хавин З.Я. «Краткий химический справочник»// Л.: Химия (1977) 74 с.

105. Belov A.Yu., Scheerschmidt К., Goesele U. Extended point defect structures at intersections of screw dislocations in Si: a molecular dynamics study.// Phys. Stat. sol. (a) 171, 159 (1999) 159-166 p.

106. Макара В.А., Стебленко Л.П., Горидько Н.Я., Кравченко В.М., Коломиец А.Н.// ФТТ, т. 43, вып.З (2000) 462 с.

107. Алехин В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов.//М.: Наука (1983) 280 с.

108. Орлов A.M., Скворцов А.А., Соловьев А.А.// ЖЭТФ, т.123, вып.З (2003) 590 с.

109. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория упругости.// М.: Наука (1965) 204 с.

110. Ажеганов А.С., Горинов Д.А., Сеник К.А., Шестакова Н.К. Исследование процесса релаксации внутренних напряжений в твердых композитах с порошковым наполнителем.// Структура и динамика молекулярных систем. Вып. 10, ч.1, 97-101 с (2003).

111. Орлов A.M., Соловьев А.А., Скворцов А.А., Явтушенко И.О. Перераспределение дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений. // ФТТ, т. 47, вып. 11 (2005) 1967-1972 с.

112. Малыгин Г.А., // ФТТ, т. 43, вып.2, 248 (2001)

113. Веттегрень В.И., Светлов В.Н., Рахимов С.Ш.// ФТТ, т.38, 2 (1996) 590с.

114. Веттегрень В.И., Рахимов С.Ш., Светлов В.Н.// ФТТ, 40, 12 (1998) 2180с.

115. Шпейзман, Смирнов, Солнцева.// Изв. АН СССР. Сер. физ. 51,4 (1987) 768 с.

116. Орлов A.M., Соловьев А.А., Явтушенко И.О., Скворцов А.А. О перераспределение дислокаций в монокристаллах кремния вблизи концентраторов напряжений. // ФТТ, т. 49, вып.6 (2007) 1039-1043 с.

117. Герасимов Я.И., Древинг В.П., Еремин Е.Н., Киселев А.В., Лебедев В.П., Панченков Г.М., Шлыгин А.И. Курс физической химии. // Под общей редакцией чл.-корр. АН СССР проф. Герасимова Я.И. Изд-во «Химия», М., т.2. (1965) С.656

118. Кнунянц И.Л., Бахаровский Г.Я., Бусев А.Н. Краткая химическая энциклопедия.// М.: Изд-во «Советская энциклопедия» т.4 (1965) 1182 с.

119. Прохоров A.M. Физический энциклопедический словарь.// М.: Изд-во «Советская энциклопедия» (1983) 928 с.

120. Дерягин Б.В., Чураев Н.В„ Муллер В.М. Поверхностные силы.// М.: Наука (1985) 400 с.

121. Булярский С.В., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.// М.: МГУ (1995) 400с.

122. Мямлин В.А., Плесков Ю.В. Электрохимия полупроводников.// М.: Наука (1965) 339 с.

123. Карпов А.Н., Марин Д.В., Володин В.А., Jedrzejewski J., Качурин Г.А. Формирование SiOx-слоев при плазменном распылении Si- и Si02-мишеней.// ФТП, т. 42, вып.6 (2008) 747-752 с.

124. Лисовский И.П., Индутный И.З., Гненный Б.Н., Литвин П.М., Мазунов Д.О., Оберемок А.С., Сопинский Н.В., Шепелявый П.Е. Фазово-структурные превращения в пленках SiOx в процессе вакуумных термообработок.// ФТП, т. 37, вып.1 (2003) 98-103 с.