Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Хабарова, Ксения Юрьевна

• Хабарова, Ксения Юрьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Хабарова, Ксения Юрьевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 Аморфный гидрированный кремний.

1.1.1 Структура и методы получения а-БШ.

1.1.2 Плотность электронных состояний в щели подвижности а-БШ.

1.1.3 Влияние легирования на плотность электронных состояний а-БШ.

1.1.4 Влияние освещения на плотность электронных состояний а-БШ.

1.2 Микрокристаллический гидрированный кремний.

1.2.1 Получение и структура цс-БШ.

1.2.2 Плотность электронных состояний в цс-БШ.

1.3 Фотоэлектрические методы исследования распределения плотности электронных состояний в щели подвижности а-БШ и цс-БШ.

1.3.1 Метод постоянного фототока.

1.3.2 Метод фотомодуляционной спектроскопии.

1.4 Выводы из обзора литературы и постановка задачи.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ.

2.1 Методика измерения электрических и фотоэлектрических свойств пленок а-БШ и цс-БШ.

2.2 Методика измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения пленок а-БШ и цс-БШ.

2.3 Методика измерения плотности электронных состояний из измерений температурных зависимостей переменной и постоянной составляющих фотопроводимости.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В цс-БШ И а-БШ(Ег).

3.1 Распределение плотности электронных состояний в хвостах зоны проводимости и валентной зоны цс-БШ.

3.2 Влияние легирования эрбием на плотность электронных состояний в щели подвижности а-БШ.

ГЛАВА 4. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ В КОМПЕНСИРОВАННОМ

АМОРФНОМ ГИДРИРОВАННОМ КРЕМНИИ.

4.1 Влияние положения уровня Ферми на фотоиндуцированное изменение проводимости и плотности состояний в щели подвижности а-ЭШ.

4.1.1. Исследованные образцы.

4.1.2. Основные свойства исследованных пленок.

4.1.3. Фотоиндуцированные изменения параметров исследованных пленок.

4.2 Влияние освещения на плотность состояний в щели подвижности компенсированного а-БШ с большой концентрацией примесей.

4.2.1 Основные свойства исследованных пленок.

4.2.2 Фотоиндуцированные изменения проводимости исследованных пленок.

4.2.2.1 Кинетика изменения проводимости в процессе освещения.100 4.2.2.2. Релаксация остаточной фотопроводимости после прекращения освещения.

4.2.3 Фотоиндуцированные изменения плотности состояний в щели подвижности компенсированного а-БЖ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния»

Актуальность темы. В последнее время ведутся интенсивные работы по разработке и созданию тонкопленочных электронных и оптоэлектронных приборов, таких как полевые транзисторы, солнечные элементы, фотоприемники. При этом в качестве материала, перспективного с точки зрения использования в тонкопленочных приборов повышенное внимание исследователей вызывают аморфный гидрированный кремний (а-БЖ) и микрокристаллический кремний (цс-ЭЖ). В основном это связано с тем, что указанные материалы довольно просты в получении и обладают целым рядом свойств, делающих их перспективными для использования в оптоэлектронике. Так, микрокристаллический гидрированный кремний, обладая стабильными фотоэлектрическими свойствами и хорошей технологической совместимостью с а-БЖ, находит применение в качестве ¡-слоя в «тандемных» тонкопленочных солнечных элементах на основе цс-БЖ/а-вЖ. Аморфный гидрированный кремний, легированный эрбием (Ег) обладает эффективной фото- и электролюминесценцией с максимумом излучения на длине волны 1.54 мкм, соответствующей минимуму потерь в оптическом кварцевом волокне. Кроме того, совместимость технологий получения цс-БЖ и а-ЭЖ позволяет создавать различные структуры на основе комбинаций этих двух материалов.

Одной из основных характеристик любой неупорядоченной системы, к которым относятся а-БЖ и цс-БЖ, является плотность электронных состояний. Распределение плотности электронных состояний в щели подвижности а-БЖ и запрещенной зоне цс-БЖ во многом определяет как равновесные, так и неравновесные параметры указанных материалов. Однако к настоящему моменту в литературе практически отсутствуют данные о распределении плотности электронных состояний в цс-БЖ. В нелегированном а-БЖ плотность электронных состояний изучена в достаточной степени. В то же время нет данных о влиянии легирования эрбием на плотность электронных состояний в щели подвижности а-ЭЖ. Кроме того, поскольку свойства а-ЭЖ изменяются в результате предварительного освещения, представляет интерес исследовать фотоиндуцированное изменение плотности электронных состояний этого материала. В особенности данное исследование является необходимым для изучения эффекта остаточной фотопроводимости, заключающегося в увеличении проводимости в результате предварительного освещения пленок компенсированного а-БШ, поскольку имеющиеся в литературе данные не позволяют однозначно объяснить данное явление.

Цель настоящей диссертационной работы - проведение систематических исследований плотности электронных состояний в цс-БШ и а-БШ и исследование влияния на нее уровня легирования образцов и предварительного освещения.

Научная новизна. В результате, проведенных в диссертационной работе исследований, развита новая методика измерения плотности локализованных состояний и получен ряд новых данных по влиянию легирования и длительного освещения на электрические свойства и плотность состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния:

1. Предложен фотомодуляционный метод измерения плотности локализованных состояний в щели подвижности фоточувствительных неупорядоченных полупроводников.

2. Найден вид распределения плотности локализованных состояний вблизи края валентной зоны микрокристаллического гидрированного кремния.

3. Показано, что плотность локализованных состояний в верхней половине щели подвижности а-ЭкН возрастает при увеличении концентрации введенного эрбия. Установлено, что концентрация дефектов, возникающих при введении эрбия в а-БШ, превышает концентрацию дефектов, возникающих при введении мышьяка.

4. Показано, что увеличение концентрации эрбия, введенного в пленки а-БШ, приводит к уменьшению фотоиндуцированного изменения проводимости.

5. Установлена корреляция величины фотоиндуцированного изменения проводимости с положением уровня Ферми в щели подвижности аморфного гидрированного кремния п-типа.

6. Обнаружено фотоиндуцированное увеличение плотности состояний в верхней половине щели подвижности и ее уменьшение при малых временах освещения в нижней половине щели подвижности пленок компенсированного аморфного гидрированного кремния п-типа.

Основные положения, выносимые на защиту.

В рамках проведенных исследований получены следующие основные результаты, выносимые на защиту:

1. Фотомодуляционный метод измерения плотности состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния.

2. Плотность локализованных состояний в щели подвижности микрокристаллического кремния вблизи зоны проводимости и валентной зоны характеризуется экспоненциальным распределением. Характерная энергия, характеризующая крутизну экспоненциального распределения плотности состояний вблизи валентной зоны, составляет 0.065 ± 0.005 эВ.

3. Введение эрбия в a-Si:H приводит к возникновению большей концентрации дефектов и, соответственно, большей плотности состояний в середине щели подвижности нежели в случае легирования пленок a-Si:H мышьяком. С ростом концентрации введенных в a-Si:H атомов эрбия увеличивается плотность электронных состояний вблизи зоны проводимости.

4. Увеличение концентрации введенного в a-Si:H эрбия приводит к уменьшению фотоиндуцированного изменения проводимости. Это связано с увеличением плотности локализованных состояний в верхней половине щели подвижности в пленках, содержащих большую концентрацию эрбия.

5. Величина фотоиндуцированного изменения проводимости пленок компенсированного a-Si:H определяется положением уровня Ферми в щели подвижности и увеличивается при его удалении от середины щели к краю зоны проводимости. В значительной степени это связано с положением уровня Ферми относительно положения фотоиндуцированных дефектов, состояния которых расположены в середине щели подвижности.

6. Максимальное фотоиндуцированное увеличение проводимости наблюдается для компенсированных пленок, уровень Ферми которых расположен на глубине 0.6-0.7 эВ от зоны проводимости. При малых временах освещения плотность электронных состояний в верхней половине щели подвижности увеличивается, а в нижней - уменьшается. Изменения плотности состояний связаны с фотоиндуцированным изменением концентрации комплексов атом бора - дефект типа оборванной связи и изменением концентрации электрически активных атомов бора.

Практическая ценность работы. Данные, полученные в работе о распределении плотности электронных состояний в щели подвижности a-Si:H и hc-Si:H и их изменении при легировании можно использовать для оптимизации параметров фотопреобразователей, солнечных батарей, светодиодов, созданных на основе данных материалов. Результаты по влиянию длительного освещения пленок компенсированного a-Si:H и a-S¡:H(Er) могут быть использованы для оценки стабильности, надежности и срока службы приборов (в случае их использования под действием прямых солнечных лучей), созданных на их основе.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на четвертой Международной конференции "Аморфные и нанокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, 2004), второй и третьей Всероссийских конференциях по материаловедению и технологиям получения легированных кремния и приборных структур на его основе "Кремний - 2003", "Кремний - 2005" (Москва 2003, 2005), 21 Международной конференции по аморфным и нанокристаллическим полупроводникам (Португалия, Лиссабон, 2005), седьмой Всероссийской Молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2005), а также на семинарах кафедры физики полупроводников физического факультета МГУ. Основные результаты опубликованы в 7 работах, список которых приведен в конце диссертации.

Содержание диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Хабарова, Ксения Юрьевна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе с помощью фотоэлектрических методик исследована плотность локализованных состояний в микрокристаллическом гидрированном кремнии, в аморфном гидрированном кремнии, легированном редкоземельными элементами (Ег). Также исследованы фотоиндуцированные изменения плотности состояний в аморфном гидрированном кремнии с различным уровнем легирования и компенсации легирующей примеси. Получены следующие основные результаты:

1. Предложен фотомодуляционный метод определения плотности незаполненных носителями заряда электронных состояний в щели подвижности аморфного и микрокристаллического гидрированного кремния. Предложенная методика позволяет исследовать распределение плотности электронных состояний в фоточувствительных аморфных и микрокристаллических материалах с помощью измерения постоянной и переменной составляющих фототока при возбуждении образца модулированным межзонным излучением. Сканирование плотности состояний по энергии осуществляется в результате изменения интенсивности падающего излучения или изменения температуры, при которой производятся измерения.

2. С помощью фотомодуляционной методики получено распределение плотности состояний в щели подвижности вблизи зоны проводимости и валентной зоны микрокристаллического гидрированного кремния. Измерения проводились на пленках микрокристаллического гидрированного кремния с различным уровнем легирования бора. Показано, что плотность локализованных состояний в щели подвижности микрокристаллического кремния вблизи зоны проводимости и валентной зоны характеризуется экспоненциальным распределением. Установлено, что энергия, характеризующая крутизну экспоненциального распределения плотности состояний вблизи валентной зоны, составляет 0.065±0.005 эВ и превышает характерную энергию экспоненциального распределения плотности состояний вблизи зоны проводимости, равную 0.045±0.010 эВ.

3. Исследовано влияние уровня легирования а-БШ эрбием на плотность состояний в щели подвижности и проведено сравнения с данными, полученными для пленок, легированных «традиционными» примесями (мышьяк) с близким положением уровня Ферми. Установлено, что введение эрбия в a-S¡:H приводит к возникновению большей концентрации дефектов и соответственно, большей плотности состояний в середине щели подвижности нежели в случае легирования пленок a-Si:H мышьяком. Это может быть связано с тем, что атомы эрбия входят в структуру a-Si:H в виде комплексов ЕЮХ. Показано, что с ростом концентрации введенных в a-Si:H атомов эрбия увеличивается плотность электронных состояний вблизи зоны проводимости.

4. Исследовано влияние легирования a-Si:H эрбием на изменение проводимости пленок в результате их освещения. Установлено, что увеличение концентрации введенного в a-Si:H эрбия приводит к уменьшению фотоиндуцированного изменения проводимости. Показано, что это связано с увеличением плотности локализованных состояний в верхней половине щели подвижности в пленках, содержащих большую концентрацию эрбия.

5. Проведены систематические исследования влияние положения уровня Ферми на фотоиндуцированное изменение электрических и оптических свойств пленок a-Si:H n-типа. Измерения проведены на серии пленок a-Si:H, слабо легированных фосфором, положение уровня Ферми которых изменялось введением компенсирующей примеси (бора). Установлено, что величина фотоиндуцированного изменения проводимости определяется положением уровня Ферми в щели подвижности и увеличивается при его удалении от середины щели к краю зоны проводимости. Показано, что в значительной степени это связано с положением уровня Ферми относительно положения фотоиндуцированных дефектов, состояния которых расположены в середине щели подвижности.

6. Исследовано фотоиндуцированное изменение проводимости и плотности состояний в щели подвижности пленок аморфного гидрированного кремния п-типа с различной степенью компенсации примесей и, соответственного, различным положением уровня Ферми в щели подвижности. Изучена кинетика возникновения и релаксации фотоиндуцированного состояния при различных температурах. Получено, что максимальное фотоиндуцированное увеличение проводимости наблюдается для компенсированных пленок, уровень Ферми которых расположен на глубине 0.6-0.7 эВ от зоны проводимости. Обнаружено фотоиндуцированное увеличение плотности состояний в верхней половине и уменьшение при малых временах освещения в нижней половине щели подвижности. Данные изменения могут приводить к явлению остаточной фотопроводимости. Наблюдаемые изменения плотности состояний связываются с фотоиндуцированным изменением концентрации комплексов атом бора - дефект типа оборванной связи и изменением концентрации электрически активных атомов бора.

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Хабарова, Ксения Юрьевна, 2006 год

1. Reimer J. A., Vaugham R. W., Knights J. C, "Proton Magnetic Resonance Spectra of Plasma-Deposited Amorphous Si: H Films" Phys. Rev, Lett., 1980, v.44, №3,p. 193-196

2. Mott N. F., Phyl. Mag., 1970, v.22, p.7

3. Cchen M.H., Frizsche H., Ovshinsky S. R. "Simple band model for amorphous semiconducting alloys." Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, p. 1065

4. Davis, E. A. Mott N. F., Phyl. Mag., 1970, v. 22, p.9O3

5. Bar-Yam Y., Adier D., Joannopoulos J.D. "Structure and electmnic states in disordered systems." Phys. Rev. Lett., 1986, v.57, №4, p.467-470.

6. Street R. A., Kakalios J., Hayes T. M,, "Thermal equilibration in doped amorphous silicon." Phys. Rev. B, 1986, v.34, p.3030

7. Smith Z. E., Wagner S., "Band tails, entropy, and equilibn'um defects in hydrogenatedamorphous silicon." Phys. Rev. Lett., 1987, v.59, p. 688

8. Muller G., J. Appl. Phys. A, 1988, v.45, p.1O3

9. Marshall M., Street R. A., Thompson M. J., Phil. Mag. B, 1986, v.54, p.51

10. Johnson N. M., "Measurement of deep levels in hydrogenated amorphous silicon by transient voltage spectroscopy." Appl Phys. Lett., 1983, v.42, p.981

11. Ley L., Winer K., "The defect pool model for amorphous hydrogenated silicon", 1987

12. Winer K., "Chemical-equilibrium description of the gap-state distribution in a- Si:H.", Phys. Rev. Lett., 1989, v.63, №14, p.1487-1490

13. Deane S. C, Powell M. J., "Defect chemical potential and the density of states in amorphous silicon." Phys Rev. Lett., 1993, v.7O, p.1654

14. Schumm G., Bauer G.H., "Thermodynamical equilibn'um gap-state distribution in undopeda-Si:H.", Phyl. Mag. B, 1991, v. 64, №4, p. 515-527

15. Spear W. E., LeComber P.G., Sol. State Com. "Substitutional doping of amorphous silicon." 1975, v.17, p.1193119

16. Stutzmann М., Biegelsen D. К., R. A. Street, "Detailed investigation of doping in hydrogenated amorptious siiicon and gemnanium." Phys. Rev. B, 1987, v.35,p.5666

17. Nebel C.E., Street R.A., Johnson, N.M. Jackson W.B., "Kinetics of dopant metastabiiity in a-SiiH.", Mat. Res. Soc. Symp. Proc, 1992, v.258, p,395-400

18. Winer K. "Defect formation in a-Si:H.", Phys. Rev. B, v.41, №17, p. 12150- 12161

19. Pierz K., Fuhs W., Mell H. "Con-eiation between defect density and Fenrii- ieveiposition in a-Si:H", J.Non.-Cryst. Solids, 1989, v.114, p.651-653

20. Kakalios J., Street R.A., "Electronic transport in doped amorphous siiicon." Phys. Rev. В 1986, v.34, p.6O14

21. Jackson W. B. "The correiation energy of the dangiing siiicon bond in aSi:H." Solid State Com., 1982, v. 44, p. 477-480

22. Kocka, J. Vanecek M., Triska A., "Energy and density of gap states in a- S/.H, Amorphous Silicon and Realated Materials", ed. Fritzsche (World Scientific 1988)p.297-329

23. Street R. A., "Locaiized states in doped amorphous silicon." J. Non. - Cryst. Solids, 1985, V.77&78, p. 1-16

24. Kazanskii A.G., Mell H., Weiser G., Terukov E.I.. "Donor formation in plazma-deposited amorphous siiicon by erbium incorporation." J. Non-Cryst. Solids,2002, V. 299&302, p. 704

25. Street R.A., Biegelsen D. К., Knights J. С , "Defect states in compensated and doped a-Si:H." Phys. Rev. B, 1981, v. 24, p. 969-972

26. Amer N. M., Skumanich A., "The effect of compensation on iight-induced metastable defects in a-Si:H."J. Non-Cryst. Solids, 1983, V.59&60, p.409-412

27. Howard J. A., Street R. A., "Evidence for potential fiuctuations in compensated and doped a-Si.H.", Phys. Rev. B, 1991, v. 44, p. 7935-7940

28. Rath J. K., Fuhs W., Mell H., "Bandgap fluctuations in compensated a- Si:H(P,B) films." Phys. Stat. Sol. B, 1993, v. 179, p.83-92120

29. Chen Y. F., "Stretched-exponential law for earner capture kinetics of a trapping center in compensated amorphous silicon." Phys. Rev. B, 1989, v. 40, p. 3437-3438

30. Marshall J. M., Street R. A., Thompson M. J., "Localized states in compensated a-Si:H." Phys. Rev. B, 1984, v.29, №4, p. 2331-2333

31. Aljishi S., Jin S., Ley L., "Defects and disorder broadened band tails in compensated hydrogenated amorphous silicon." J. Non-Cryst. Solids, 1991, v.137&138, p. 387-390

32. Cullen P., Harbison J. P., Lang D. V., "A DLTS study of the gap states in n- type hydrogenated amorphous silicon." SoM State Commun., 1984, v. 50, №11, p.991-994

33. Staebler D.L., Wronsky C.R., "Reversible conductivity changes in discharge- produced amorphous Si." App\. Phys. Lett., 1977, v.31, №4, p.292-294

34. Wagner D., "The Staebler-Wronski effect in amorphous hydrogenated silicon."Acta Physica Austriaca, 1985, v. 57, p. 251-275

35. Sabisky E. S., "Status of research on the light-induced effect in a-Si materials and a-Si solar ceils." J. Non-Cryst. Solids, 1986, v.87, p.43-63

36. Hauschild D., Fuhs W., Mell H., Phys. Status Solidi (b), 1982, v. 111, №1, p.171-176

37. Вавилов В. С, Казанский А. Г., Миличевич Е. П.. "Изменение поглош,ения в области энергий, меньших оптической ширины запрещенной зоныгидрогенизированного аморфного кремния при эффекте Стеблера-Вронского."ФТП, 1982, Т.16, №12, 2192-2194.

38. Staebler D.L., Wronsky C.R.. "Optically induced conductivity changes in discharge-produced hydrogenated amorphous silicon." J. Appl. Phys., 1980, v.51, №6,p.3262-3268

39. Wu W., Qui C, Han, D. In: Proc. Intern. Workshop on Amorphous Semiconductors. Beijing, 1987, p. 181-184,

40. Wu W., Qui C, Han D., Phil. Mag. B, 1986, v. 54, №1, p. L9-L11

41. Hirabayashi I., Morigaki K., Nitta S. "New Evidence for Defect Creation by High Opticai Excitation in Giow Discharge Amorphous Silicon" Jap. J. Appl. Phys.,1980, V.19, №7, P.L357-L360

42. Dersh H., Stuke J., Beichler J., "Light-induced dangling bonds in hydrogenated amorphous siiicon." App\. Phys. Lett., 1981, v. 38, №6, p.456-458

43. Goodman N. В., Phil. Mag. B, 1982, v.45, №4, p. 407-434 121

44. Crandall R., "Deep electron traps in hydrogenated amorphous silicon" Phys. Rev. B, 1981, V.24, №12, p,7457-7459

45. Okushi H., Miyakawa M., Tokumaru Y., Yamasaki S., Oheda Т., Tanaka K. "Reversible photoinduced modification of electron-capture cross section at localizedstates in a-S/;H."Appl. Phys. Lett., 1983, v. 42, №10, p. 895-897

46. Strait J., Tauc J., "Light-induced defects in hydrogenated amorphous silicon obsen/ed by picosecond photoinduced absorption." App\. Phys. Lett., 1985, v.47, №6,p. 589-590

47. Huang С Y., Guha S., Hudgens S. J., "Energy distribution of light-induced gap states in hydrogenated amorphous-silicon alloys." Phys. Rev. B, 1984, v. 29, №10,p. 5995-5998

48. Adier D., "Origin of the photo-induced changes in hydrogenated amorphous S/7/COA7." Solar Cells, 1983, v.9, p. 133-148

49. Stutzmann M., Jackson W. В., Tsai С С, "Kinetics of Staebler-Wronski effect in hydrogenated amorphous silicon." App. Phys. Lett, 1984, v. 45, №10, p.1075-1077

50. Bube R. H., Redfield, D. "Kinetics and steady-state effects of iilumination on defects in hydrogenated amorphous silicon." J. Appl. Phys., 1989, v.66, №2, p.820-828

51. Crandall R. S., "Metastable defects in hydrogenated amorphous silicon." Phys. Rev. B, 1987, v.36, №5, p. 2645-2666

52. Fathalah M., Phil. Mag. B, 1990, v. 61, №3, p.403-412

53. Skumanich A., Fathalah M., Amer N. M., "Observation of light-induced defect formation in hydrogenated amorphous silicon by subgap illumination." Appl Phys. Lett.,1989, V. 54, №19, p.1887-1889

54. Stutzmann M., Jackson W. В., Tsai C. C , "Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study." Phys. Rev. B, 1985, v. 32,№1, p. 23-47

55. Morigaki K. "Microscopic Mechanism for the Photo-Creation of Dangling Bonds in a-Si:H." Jap. J. Appl., Phys., 1988, part 1, v.27, №2, p.163-169

56. Jackson W. В., Marshall J. M., Moyer M. D., "Role of hydrogen in the formation of metastable defects in hydrogenated amorphous silicon." Phys. Rev. B,1989,v.39, №2, p.1164-1179

57. Hata N., Isomura M., Wagner S., "Temperature and Intensity dependence of the saturated densty of light-induced defects in hydrogenated amorphous silicon." Appl.Phys. Lett, 1992, v.6O, №12, p. 1462-1464122

58. Jackson W. В., "Role of band-tail carriers in metastable defect formation and annealing in hydrogenated amorphous silicon." Phys. Rev. B, 1990, v.41, №2, p. 1059-• 1075

59. Redfield D., Bube R. H., "Identification of defects in amorphous silicon." Phys. Rev. Lett., 1990, v. 65, №4, p.464-467

60. Казанский A. Г., "Эффект Стеблера-Вронского в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором." ФТП, 1990, т.24, №8, с.1462-1466

61. Yang L., Chen L., ""Fast" and "slow" metastable defects in hydrogenated amorphous silicon." Appl Phys. Lett., 1993, v.63, №3, p.400-402

62. Yoon J. H., Kim M. S., "Light-induced conductivity changes in phosphorus- doped hydrogenated amorphous silicon." J. Non.-Cryst. Solids, 1989, v. 114, p. 636-638

63. Takada J., Frizsche H., "Photoinduced change in the density of localized states near the conduction band of doped a-Si.H." Phys. Rev. B, 1987, v. 36, №3, p.(J 1706-1709

64. Qiu C, Pankove J.I., "Light-induced change in defect-band photoluminescence of doped hydrogenated amorphous silicon." Phys. Re. B, 1990,v.41, №18, p.12744-12749

65. Jackson W.B., "Microscopic mechanism for dopant activation in Ф hydrogenated amorphous silicon." Phys. Rev. B, 1990, v. 41, №17, p. 12323-12326

66. Jang J., Park S. C , Kim S. C , Lee C, "Increase of doping efficiency by light soaking in boron-doped hydrogenated amorphous silicon." Appl Phys. Lett., 1987, v.• 51,№22, p. 1804-1806

67. Казанский A.Г., "Эффект Стеблера-Вронского в пленках a-Si.H р- типа." Вест. Моск. университета, сер.З "Физика, астрономия", 1992, т. 33, №4,с.70-77

68. Казанский А.Г., Мелл X., Теруков Е.И., Форш П.А. "Фотоиндуцированное изменение проводимости пленок аморфногогидрированного кремния, легированного эрбием", ФТП, 2003, т. 37, с. 793-795123

69. Kazanskii A. G., Birukov A.V., Fenuchin A.V., Terukov E.I, "Light-induced effects in a-Si:H(Er)" Materials Science & Engineering B, 2003, v.1O5, Issue 1-3, p.153-156

70. Mell H., Beyer W., "Opticaily induced excess conductivity in compensated a- Si:H fiims." J. Non.-Cryst. Solids, 1983, v. 59&60, p. 405-408

71. Kakalios J., Frizsche H., "Persistent photoconductivity in doping-moduiated amorphous semiconductors." Phys. Rev. Lett., 1984, v. 53, №16, p. 1602-1605

72. Kakaiios J., "Excitation and temperature dependence of the photo-induced excess conductivity in doping-moduiated amorphous silicon." Phil. Mag. B, 1986, v. 54,№3, p. 199-218

73. Hamed A., Frizsche H., "Toward understanding persistent photoconductance in doping-moduiated amorphous silicon." PhW. Mag. Lett, 1989, v. 60, №4, p. 171-175

74. Rath J. K., Fuhs W., Mell H., "Metastable photo-induced changes in compensateda-Si:H films." J. Non.-Cryst. Solids, 1991, v. 137&138, №12, p.279-282

75. Choi S. H., Yoo B. S,, Lee C, Jang J., "Doping and annealing effects on persistent photoconductivity in doping-moduiated amorphous-silicon superlattices."Phys. Rev. B, 1987, v. 36, №12, p.6479-6485

76. Kakalios J., Frizsche H., "Temperature and excitation dependence of the photo-induced excess conductivity in doping modulated amorphous silicon." J, Non-Cryst. Solids, 1985, v. 77&78, p. 1101-1104

77. Choi S. H., "Power-law dependence of persistent photoconductivity on exposure time in compensated a-Si.H." Solid State Comm., 1993, v. 86, №9, p. 589-592

78. Rath J. K., "Mechanism of defect creation and light induced changes in compensateda-Si:H(B, Li) anda-Si:H(B, P) films."SoWd State Comm., 1995, v. 94, №3,p.247-250

79. Hamed A., Frizsche H., "Persistent photoconductance in a-Si.H/a-SiNx'.H multilayers."Ph\\. Mag. B, 1991, v. 63, №1, p.33-46

80. Hamed A., Frizsche H., "The origin of persistent photoconductance in doping-moduiated and compensated a-Si.H." Л. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, p.717-719

81. Beyer W., Mell, H. "influence of boron doping on the transport properties of a-Si:H flims."Solid. State Comm., 1981, v. 38, p.891-894

82. Kakalios J., "The origin of persistent photoconductivity in amorphous silicon." J. Non-Cryst. Solids, 1989, v. 114, p.714-716124

83. Agarwal S. С, Guha S. "Persistent photoconductivity in doping-modulated multilayers and compensated thin films of hydrogenated amorphous silicon." Phys. Rev.B, 1985, V. 32, p. 8469-8472

84. Yoo B. S., Song Y. H., Lee C, Jang J., "Persistent photoconductivity in compensated amorphous silicon." Phys. Rev. B, 1990, v. 41, №15, p. 10787-10791

85. Zhou J.H., Ikuta K., Yasuda Т., Umeda Т., Yamasaki S., Tanaka K. "Control of crystallinity of microcrystalline siiicon film grown on insulating glass substrates." J.Non-Cryst. Solids, 1998, v.227-230, p.857-860

86. Cabarrocas P.R., Layadi N., Drevillak В., Solomon I. "Microcrystaiiine silicon growth by the layer-by-layer technique: iong term evolution and nucleationmechanisms." J. Non-Cryst. Solids, 1996, v.198-200, p.871-874

87. Alpuim P., Chu V., Conde J.P. "Amorphous and microcrystalline silicon films Ф grown at low temperatures by radio-frequency and hot-wire chemical vapor deposition."J. Appl. Phys., 1999, V.86, №7, p.3812-3821

88. Shirai H., Arai T. "Role of hydrogen in the growth of hydrogenated • microcrystalline silicon." J. Non-Cryst. Solids, 1996, v.198-200, p.931-934

89. Demichelis F., Pirri C.F., Tresso E., Dellamea G., Rigato V., Rava P. "Physical properties of undoped and doped microcrystaltine SiC:H deposited byPECVD." Mat. Res. Soc. Symp. Proc, 1991, v.219, p.413-418

90. Mishima Y., Hamasaki Т., Kurata H., Hirose M., Osaka Y. "Nucleation of microcrystaiiites in phosphorus-doped Si:H films." Jpn. J. Appl. Phys., 1981, v.2O, №2,P.L121-L123125

91. Нарке P., Luysberg М., Carius R., Tzolov M., Finger F., Wagner H. "Structural investigation and growth of n-type microcrystalline silicon prepared atdifferent plasma excitation frequencies." J. Non-Cryst, Solids, 1996, v.198-200, p.927-930

92. Otobe M., Kanai Т., Ifuku Т., Yajima H., Oda S. "Nanocrystalline silicon fonnation in a SiH4 plasma cell."J. Non-Cryst. Solids, 1996, v.198-200, p.875-878w

93. Ikuta K., Toyoshima Y., Yamasaki S., Matsuda A., Tanaka K. "STM and Raman study of the evolution of the surface morphology in juc-Si.H." J. Non-Cryst.Solids, 1996, v.198-200, p.863-866

94. Lips K., Kanschat P., Will D., Lerner C, Fuhs W. "ESR and transport in microcrystalline silicon." J. Non-Cryst. Solids, 1998, v.227-230, p.1021-1025

95. Garcia-Caurel E., Niikura C, Kim S.Y., Drevillon В., Bouree J.E. "FTIR phase-modulated ellipsometry measurements of microcrystalline silicon films deposited^ by hot-wire CVD."J. Non-Cryst. Solids, 2002, v.299-302, p.215-219

96. Tanaka K. "Recent progress in microcrystalline semiconductor thin films." Mat. Res. Soc. Symp. Proc, 1997, v.452, p.3-16

97. Kumeda M., Yonezawa Y., Nakazawa K., Ueda S., Shimizu T. "Hydrogen incoqjoration scheme in amorphous-microcrystalline mixed-phase Si:H films." Jpn. J.Appl. Phys., 1983, V.22, №3, p.L194-L196

98. Finger F., Carius R., Hapke P., Houben L, Luysberg M., Tzolov M. "Growth m and structure of microcrystalline siiicon prepared with glow discharge at vanous plasmaexcitation frequencies." Mat Res. Soc. Symp. Proc, 1997, v.452, p.725-736

99. Finger F., Muller J., Malten C, Carius R., Wagner H. "Electronic properties * of microcrystalline silicon investigated by electron spin resonance and transportmeasurements." J. Non-Cryst. Solids, 2000, v.266-269, p.511-518

100. Finger F., Muller J., Malten C , Wagner H. "Electronic states in hydrogenatedmicrocrystalline silicon." Phil. Mag. B, 1998, v.77, №3, p.805-830

101. Vaneoek M., Poruba A., Remes Z., Rosa J., Kamba S., Vorlicek V., Meier _ J., Shah A. "Electron spin resonance and optical characterization of defects inmicrocrystalline silicon." J. Non-Cryst. Solids, 2000, v.266-269, p.519-523126

102. Muller J., Finger F., Carius R., Wagner H. "Electron spin resonance investigation of electronic states in tiydrogenated microcrystaliine siiicon." Phys. Rev. B,1999, V.60, №16, p.11666-11677

103. Lips K., Kanschat P., Brehme S., Fuhs W. "An ESR study of bandtaii states in phosphorus doped microcrystaiiine siiicon." J. Non-Cryst. Solids, 2002, v.299-302,p.350-354

104. Finger F., Malten C, Hapke P., Carius R., Fluckiger R., H Wagner "Free electrons and defects in microcrystaiiine siiicon studied by electron spin resonance."Phii. Mag. B, 1998, v.7O, №4, p.247-254

105. Lima M.M., Jr. and P.C. Taylor, Morrison S., LeGeune A., Marques F.C. "ESR observations of paramagnetic centers in intrinsic hydrogenated microcrystaiiinesiiicon." Phys. Rev. B, 2002, v.65, p.2353241-2353246

106. Bruggemann R. "Band-tail profiling in microcrystaiiine silicon by photoconductivity analysis" J. Appl. Phys., 2002, v.92, №5, p.2540-2543

107. Kleider J.P., Longeaud C, Bruggemann R., Houze F. "Eiectronic and topographic properties of amorphous and microcrystaiiine siiicon thin films." TW\n SolidFilms, 2001, v.383,p.57-60

108. Oheda H.. "Phase-shift anaiysis of moduiated photocurrent: Its application to the determination of the energetic distribution of gap states" J. Appl, Phys., 1981,^ V.52, p. 6693

109. Carius R., Finger F., Backhausen U., Luysberg M., Hapke P., Houben L., Otte M., Overhof H. "Eiectronic properties in microcrystaiiine siiicon." Mat. Res. Soc.• Symp. Proc, 1997, v. 467, p.283-294

110. Bruggemann R., Kleider J. P., Longeaud C , "Electronic properties of thin fiims siiicon." Mat. InfTech., 2000

111. Bronner W., Kleider J. P., Bruggemann R., Mehring M. "Defect and transport properties of eiectron-irradiated microcrystaiiine silicon with successiveanneaiing."Th\n Solid Films, 2003, v. 427, p. 51-55127

112. Bube R. H., Redfield D. "Variation of photoconductivity with doping and optical degradation in hydrogenated amorphous siiicon" J. Appl. Phys., 1989, v. 66,p.3074-3081

113. Beyer W., Overhof H., Semiconductors and Semimetals. 1984, v. 21, part C, p. 258-307

114. Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: 1981, с.383

115. Казанский k.V."Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si:H р-типа." ФТП, 1997, т. 31, в. 3, с.347-349