Метастабильность состояния в легированных бором и фосфором пленках a-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Ларина, Эльвира Викторовна

• Ларина, Эльвира Викторовна
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ларина, Эльвира Викторовна

ОГЛАВЛЕНИЕ

Введение

Глава 1. Литературный обзор

1.1. Образование и релаксация созданных освещением метастабильных состояний в нелегированном a-Si:H

1.2. Образование и релаксация созданных освещением метастабильных состояний в легированном a-Si:H

1.3. Термоиндуцированные метастабильные состояния в пленках a-Si:H и механизмы их образования и релаксации

1.4. Влияние высокотемпературного изотермического отжига на параметры пленок a-Si:H

Глава 2. Образцы и методики эксперимента, используемые в данной работе

2.1. Исследованные образцы

2.2. Измерительная установка, методы и методика измерений

2.3. Оценка точности измерений

Глава 3. Фотоиндуцированные метастабильные состояния в пленках a-Si:H, легированных бором

Основные результаты главы 3

Глава 4. Влияние высокотемпературного отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H и на процессы образования и релаксации фотоиндуцированных состояний в них

4.1. Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H

4.2. Фотоиндуцированные метастабильные состояния в отожженных при высоких

температурах пленках a-Si:H(B)

Основные результаты главы 4

Глава 5. Фотоиндуцированные и термоиндуцированные метастабильные состояния в пленках a-Si:H, легированных фосфором

5.1. Фотоиндуцированные метастабильные состояния в пленках a-Si:H(P)

5.2. Термоиндуцированные метастабильные состояния в пленках a-Si:H(P)

Выводы

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Метастабильность состояния в легированных бором и фосфором пленках a-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий»

Введение

В течение последних двадцати лет изучение физических свойств неупорядоченных полупроводников стало областью интенсивных фундаментальных исследований в физике твердого тела.

Это обусловлено, во-первых, логикой развития физики - от простых упорядоченных структур кристаллов, к более сложным аморфным материалам, обладающим только ближним порядком; во-вторых, ростом практического применения аморфных полупроводников.

Наиболее широко исследуемым из неупорядоченных материалов является аморфный гидрогенизированный кремний (а-8г.Н). Он используется в электронном приборостроении из-за относительно дешевого способа его получения и возможности выращивания пленок а-БгН большой площади. Впервые пленки а-81:Н были использованы в качестве материала для создания фотоэлектрических приборов, таких, как солнечные батареи для часов и калькуляторов. К настоящему времени, на основе а-БгН созданы и используются в электронике тонкопленочные полевые транзисторы, световые сенсоры, которые применяются в жидкокристаллических дисплеях, в оптических сканерах, БАХ-машинах; фоторецепторы для ксерографических аппаратов и лазерных принтеров. Кроме того, широко используются матрицы из солнечных батарей большой площади с КПД 6-9%. Существует много приложений для приборов большой площади, например для проявления изображения высокоэнергетичного излучения и треков частиц. Отображение излучения используется в биологических измерениях, таких, как гелевый электрофорез, в котором фрагменты биологических молекул (ДНК) диффундируют в геле и детектируются добавлением меченых радиоактивных атомов, излучение которых отображается на экране дисплея. В таких экспериментах используются детекторы на основе а-8кН, которые проявляют изображение на экран в реальном маштабе времени, или накапливают информацию в памяти ЭВМ с последующей обработкой - компьютерная томография.

Одной из интересных проблем, как с научной, так и с практической точек зрения это проблема метастабильности - образование и релаксация метастабильных электронных состояний. Метастабильность является характерной особенностью аморфных материалов и проявляется как обратимое изменение электрических и оптических свойств материала под влиянием внешних воздействий. Метастабильность накладывает ограничения в применении пленок аморфного гидрогенизированного кремния в приборах. Например, длительное использование солнечных батарей приводит к их деградации, то есть к уменьшению КПД. Это явление вызвано образованием метастабильных электронных состояний и, как следствие, уменьшением фоточувствительности пленок а-БШ под влиянием длительного освещения. Поэтому изучение природы метастабильных состояний, процессов их образования и релаксации является важным направлением в физике аморфного гидрогенизированного кремния.

В литературе имеется большое количество экспериментальных данных об изменениях электрических и оптических свойств под влиянием освещения, температурной обработки и других внешних воздействий в основном в нелегированных пленках а-Бг.Н при температурах вблизи или ниже комнатной. Разработан ряд моделей, объясняющих наблюдаемые изменения свойств материала. Экспериментальных данных, посвященных изучению метастабильности в легированных пленках а-БШ, значительно меньше, а сколь-нибудь подробные исследования метастабильных состояний при высоких температурах отсутствуют.

Настоящая работа посвящена изучению метастабильных состояний в легированных бором и фосфором пленках а-БкН, образованных под влиянием различных воздействий - освещения при высоких температурах и быстрого изменения температуры. Было также исследовано образование метастабильных состояний под влиянием высокотемпературного отжига (температура отжига выше температуры получения пленки) и их влияние на электрические и фотоэлектрические параметры легированных бором пленок а-БШ и процессы

образования и релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в них. В легированных фосфором пленках а-8г.Н была исследована релаксация фотоиндуцированных и термоиндуцированных метастабильных состояний (в одних и тех же пленках) для сравнения характеристик процессов релаксации и ответа на вопрос: одинаковы ли закономерности и механизмы образования метастабильных состояний, повышающих проводимость пленки, но образованных разными способами.

Целью работы было установление механизмов образования и природы фотоиндуцированных метастабильных состояний (ФМС) и термоиндуцированных метастабильных состояний (ТМС) в легированных бором и фосфором пленках а-БШ.

Научная новизна работы состоит в следующем.

1. Обнаружено, что при освещении легированных бором или фосфором пленок а-8ьН образуются два типа ФМС - быстрые и медленные, обуславливающие немонотонную кинетику изменения темновой проводимости во время и после освещения пленок. Установлено, что для быстрых и медленных состояний скорости образования и параметры релаксации, описываемой растянутой экспонентой - т и Д по-разному зависят от температуры и интенсивности освещения. Показано, что это обусловлено разной природой быстрых и медленных ФМС и различными механизмами их образования. Быстрые состояния - это фотоиндуцированные метастабильные оборванные связи кремния (ФОС), механизм образования которых описывается двухуровневой конфигурационной диаграммой; медленные состояния - это фотоиндуцированные метастабильные электрически активные атомы примеси (ФЭАП), механизм образования которых описывается трехуровневой конфигурационной диаграммой.

2. Обнаружено, что высокотемпературный отжиг легированных бором пленок а-БШ (7л<7а<400°С) приводит к образованию термоиндуцированных метастабильных электрически активных атомов бора с большой энергией отжига -2 эВ. Эти термоиндуцированные метастабильные состояния

обуславливают повышение темновой проводимости и фотопроводимости отожженных пленок, стабильное при низких температурах.

3. Установлено, что релаксация образованных закалкой ТМС в пленках а-8г.Н(Р) описывается растянутой экспонентой с параметром Д практически не зависящим от температуры, что отличается от релаксации ФМС в этих пленках, когда параметр (3 уменьшается при увеличении Т. Это обусловлено разным механизмом образования ТМС и ФМС.

На защиту выносятся следующие положения.

1. Обнаружено, что в пленках а-8Ш, легированных бором или фосфором, при высоких температурах образуются два типа фотоиндуцированных метастабильных состояний - быстрые и медленные, имеющие различные зависимости скоростей образования и параметров релаксации - т и Р от температуры и интенсивности освещения. При этом, различие в температурных зависимостях параметров /? быстрых и медленных состояний коррелирует с различным изменением с температурой полуширины распределения метастабильных ФОС и ФЭАП по энергиям отжига Еа. В случае ФОС полуширина распределения Р(Еа) практически постоянна, в случае ФЭАП -наблюдается увеличение полуширины. Это обусловлено различной природой быстрых и медленных ФМС и разными механизмами их образования: быстрые состояния - это фотоиндуцированные метастабильные оборванные связи кремния (ФОС), механизм образования которых описывается двухуровневой конфигурационной диаграммой; медленные состояния - это фотоиндуцированные метастабильные электрически активные атомы примеси (ФЭАП), механизм образования которых описывается трехуровневой конфигурационной диаграммой.

2. Обнаружено, что отжиг пленок а-8Ш(В) при 7^<Та<400°С, когда еще нет существенной эффузии водорода из пленок, приводит к увеличению фотопроводимости и темновой проводимости. При этом, энергия активации темновой проводимости Еа уменьшается. Показано, что эти изменения

параметров материала обусловлены увеличением эффективности легирования пленок а-8г.Н(В) в результате образования термоиндуцированных метастабильных электрически активных атомов бора с большой энергией отжига ~2 эВ. Исследования процессов образования и релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний (ФМС) в пленках, отожженных при Га<400оС показали, что характер кинетики их образования и релаксации не изменяется по сравнению с неотожженными образцами. Параметры релаксации г, Еа и /? изменяются в соответствии большей концентрацией электрически активных атомов бора в отожженных пленках, что согласуется с данными стационарных измерений об увеличении концентрации метастабильных электрически активных атомов бора.

3. Установлено, что в пленках а-Яг.ЩР) релаксация ТМС, образованных закалкой, описывается растянутой экспонентой с параметрами релаксации т и Д зависящими от температуры. Показано, что параметр /3 практически постоянен с температурой, что согласуется с практически постоянной, определяемой экспериментально, полушириной начального распределения ТМС по энергиям отжига и определяется отличным от ФМС механизмом образования ТМС.

Практическая значимость работы состоит: 1) в доказанной возможности увеличения темновой проводимости и фотопроводимости легированного бором а-Бг.Н после высокотемпературного отжига; 2) в возможности устранения после высокотемпературного отжига зависимости темновой проводимости от тепловой предыстории образца, что является существенным для улучшения стабильности функционирования ряда приборов на основе а-Бг.Н, в частности, тензодатчиков.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ларина, Эльвира Викторовна

Выводы

I. Исследованы процессы образования и релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний (ФМС) в легированных бором и фосфором пленках а-вШ.

1). Установлено, что при определенных условиях освещения легированных пленок а-8кН (интенсивности и длительности освещения, температуры пленки) наблюдается немонотонная кинетика изменения темновой проводимости съ во время и после освещения пленок. Показано, что такая кинетика изменения аа обусловлена образованием двух типов ФМС - быстрых и медленных.

2). Обнаружено, что зависимости скоростей образования быстрых и медленных состояний от интенсивности освещения и температуры пленки различны.

3). Показано, что кинетика релаксации быстрых и медленных ФМС описывается растянутыми экспонентами, а их сумма - суммой растянутых экспонент с различными по величине и температурной зависимости параметрами - временами релаксации г и параметрами /3.

4). Показано, что установленные особенности процессов образования и релаксации быстрых и медленных ФМС обусловлены различной их природой и механизмами - образования. Быстрые ФМС, механизм образования которых описывается двухуровневой конфигурационной диаграммой - это фотоиндуцированные оборванные связи кремния (ФОС). Медленные ФМС, образование которых описывается трехуровневой конфигурационной диаграммой - это фотоиндуцированные электрически активные атомы примеси (ФЭАП). Различие в температурных зависимостях параметров (3 быстрых и медленных состояний связано с различным изменением с температурой полуширины распределения метастабильных ФОС и ФЭАП по энергиям отжига Еа. В случае ФОС полуширина распределения Р(Еа) практически постоянна, в случае ФЭАП - наблюдается увеличение полуширины.

II. Исследовано влияние высокотемпературного отжига (Га>7х) на электрические и фотоэлектрические свойства легированных бором пленок а-БкН и на процессы образования и релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в них.

1). Обнаружено, что отжиг пленок а-8Ш(В) при ^фотопроводимости и темновой проводимости. При этом, энергия активации темновой проводимости Еа уменьшается. Показано, что эти изменения параметров материала обусловлены увеличением эффективности легирования пленок а-8Ш(В) в результате образования термоиндуцированных метастабильных электрически активных атомов бора с большой энергией отжига ~2 эВ.

2). Исследования процессов образования и релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний (ФМС) в пленках, отожженных при Га<400°С показали, что характер кинетики их образования и релаксации не изменяется по сравнению с неотожженными образцами. Параметры релаксации т, Еа и /? изменяются в соответствии большей концентрацией электрически активных атомов бора в отожженных пленках.

3). Показано, что в отожженных при Га>400°С пленках а-8Ш(В) существенно увеличивается концентрация ОС, что приводит к проявлению прыжковой проводимости, которая хорошо описывается законом Мотта с показателем степени п = 4, то есть наблюдается прыжковая проводимость по локализованным состояниям оборванных связей кремния вблизи уровня Ферми. Оценка концентрации ОС дает значение р(Е) соответствующее литературным данным для практически полностью дегидрогенизированного аморфного кремния.

4). Установлено, что в пленках а-81:Н(Р) релаксация ТМС, образованных закалкой от температуры, близкой к температуре установления равновесия - Те, описывается растянутой экспонентой с параметрами релаксации т и Д

Показано, что параметр /5 практически постоянен с температурой, что определяется отличным от ФМС механизмом образования ТМС и согласуется с практически постоянной полушириной начального распределения ТМС по энергиям отжига.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ларина, Эльвира Викторовна, 1999 год

Список литературы

[1]. Chittick R. С., Alexander J. H. and Sterling H. F. - J. Electrochemical Soc., 1969, v.116, p.77.

[2]. LeComber P. G., Madan A., Spear W. E. - J. Non-Cryst. Solids, 1972, v. 11, p.219.

[3]. Chittick R. C. - J. Non-Cryst. Solids, 1970, v.3, p.255.

[4]. Staebler D. L., Wronski C. R. - Appl. Phys. Lett. 1977, v.31, p.292.

[5]. Hirabayashi I., Morigaki K. and Nitta S. - Jpn. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, p.L357.

[6]. Dersch H., Stuke J. and Beichler J. - Appl. Phys. Lett., v.38, p.456.

[7]. Amer N. M., Skumanich A. and Jackson W. B. - Physica (Utrecht), 1983, v.B117&118, p.897.

[10]. Cohen J. D., Lang D. V., Harbison J. P., Sergent A. M. - J. Phys. (Paris) Colloq., 1981, v.C4-42,p.371.

[11]. Staebler D., Crandall R., Williams R. - Appl. Phys. Lett., 1981, v.39, p.733.

[12]. Elliott S. R. - Philos. Mag., 1979, v.B39, p.349.

[13]. Stutzmann M. - Philos. Mag., 1987, v.B56, p.63. .

[14]. Stutzmann M., Jackson W. В., Tsai С. C. - Phys. Rev., 1985, v.B32, p.23.

[15]. Adler D. - J. Phys. (Paris). Colloq., 1981, v.C4-3, p.42.

[16]. Adler D., Eberhart M. E., Johnson К. H. and Zygmunt S. A. - J. Non-Cryst. Solids, 1984, v.66,p,273.

[17]. Essick J. M. and Cohen J. D. - Phys. Rev. Lett., 1990, v.64, p.3062.

[18]. Shimizu T., Kidoh H„ Morimoto A. and Kumeda M. - Jap. J. Appl. Phys., 1989, v.28, p.586.

[19]. Shimizu T., Kidoh H., Matsumoto M., Morimoto A. and Kumeda M. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v.114, p.630.

[20]. Bar-Yam Y., Adler D. and Joannopolus J. D. - Phys. Rev. Lett., 1988, v.57, p.467.

[21]. Branz H. M. and Silver M. - J. Non-Cryst. Solids, 1989, v.114, p.639.

[22]. Branz H. M. and Silver M. - Phys. Rev., 1990, v.B42, p.7420.

[23]. Chen Y. F. and Wong С. K. - Phys. Stat. Sol., 1990, v.B157, p.101.

[24]. Eberhart M. E., Johnson К. H. and Adler D. - Phys. Rev., 1982, v.B26, p.3138.

[25]. Lee C., Ohlsen W. K. and Taylor P. C. - Phys. Rev., 1987, v.36, p.2965.

[26]. Stutzmann M., Jackson W. B. and Tsai С. C. - Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, p.1075.

[27]. Staebler D. L. and Wronski С. R. - J. Appl. Phys., 1980, v.51, p.3262.

[28]. Wagner D. and Irsigler P. - Appl. Phys., 1984, v.A35, p.9.

[29]. Guha S., Huang C. Y. and Hudgens S. J. - Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, p.50.

[30], Lee C., Ohlsen W. Т., Taylor P. C., Ullal H. S. and Ceasar G. P. - Optical Effects in Amorphous Semiconuctors. - Snowbird, Utah, 1984. - p.205.

[31]. RedfieldD. - Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, p.1517.

[32]. RedfieldD. - Appl. Phys. Lett., 1987, v.52, p.492.

[33]. Graeff C. F. O., Buhleier R. and Stutzmann M. - Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, p.3001.

[34]. Gleskova H., Morin P. A. and Wagner S. - Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, p.2063.

[35]. Vignoli S., Meaudre R. and Meaudre M. - Philos. Mag., 1996, v.B73, p.261.

[36]. Takeda K., Hikita H., Kimura Y., Yokomichi H., Yamaguchi M. and Morigaki K. - Jpn. J. Appl. Phys., 1997, v.36, p.991.

[37]. Staebler D. L., Wronski C. R. - J. Appl. Phys., 1980, v.51, p.3262.

[38]. Звягин И. П., Курова И. А., Ормонт Н. Н. - Письма в ЖЭТФ, 1988, том 43, вып. 11, с.528.

[39]. Den Boer W. and Guha S. J. - Appl. Phys., 1985, v.57, p.5539.

[40]. Jang J., Kim Т. M., Hyun J. K., Yoon J. H. and Lee C. - J. Non-Cryst. Solids, 1983, v.59&60, p.429.

[41]. Курова И. А., Мочалова Д. A. - ФТП, 1990, том 24, вып.2, с314.

[42]. Елькин Н. В., Звягин И. П., Коробов О. Е., Курова И. А., Лупачева А. Н. -ФТП, 1988, том 22, вып.5, с943.

[43]. Jang J., Park S. С., Kim S. С. and Lee C. - Appl. Phys. Lett., 1987, v.51, p. 1804.

[44]. Deng X.-M. and Fritzsche H. - Phys. Rev., 1987, v.B36, p.9378.

[45]. Kazanskii A. G. and Yarkin D. G. - Semiconductors, 1993, v.27, p.935.

[46]. Street R. A. Hydrogenated Amorphous Silicon. - Cambridge University Press, 1991.

[47]. Street R. A. - J. Non-Cryst. Solids, 1985, v.77&78, p.l.

[48]. Street R. A., Kakalios J. and Hayes T. M. - Phys. Rev., 1986, v.B34, p.3030.

[49]. Street R A., Kakalios J., Tsai C. C. and Hayes T. M. - Phys. Rev., 1987, v.B35, p.1316.

[50]. Street R. A., Kakalios J. and Hack M. - Phys. Rev., 1988, v.B38, p.5603.

[51]. Street R. A. - Philos. Mag., 1984, v.B50, p.L19.

[52]. Street R. A. - Phil. Mag., 1989, v.B60, p.213.

[53]. Street R. A. -PhysicaB, 1991, v.170, p.69.

[54]. Street R. A., Hack M., Jackson W. B. - Phys. Rev., 1988, v.B37, p.4209.

[55]. Smith Z. E., Aljishi S., Slobodin D., Chu V., Wagner S., Lenahan P. M., Arya R. R., and Bennett M. S. - Phys. Rev. Lett., 1986, v.57, p.2450.

[56]. Street R. A., Winer K. - Phys. Rev., 1989, v.B40, p.6236.

[57]. Kakalios J., Street R. A., Jackson W. B. - Phys. Rev. Lett., 1987, v.59, p.1037.

[58]. Street R. A., Tsai C. C., Kakalios J. and Jackson W. B. - Philos. Mag., 1987, v.B56, p.305.

[59]. Carlson K. E. and Magee C. W. - Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, p.81.

[60]. Chang K..J. and Chadi D. J. - Phys. Rev. Lett., 1988, v.60, p. 1422.

[61]. Chang K. J. and Chadi D. J. - Phys. Rev., 1989, v.B40, p.l 1644.

[62]. Denteneer P. J. H., Van de Walle C. G. and Pantelides S. T. - Phys. Rev., 1989, v.B39, p.10809.

[63]. Johnson N. M., Herring C. and Chadi D. J. - Phys. Rev. Lett., 1986, v.56, p.769.

[64]. Zhang S. B. and Chadi D. J. - Phys. Rev., 1990, v.B41, p.3882.

[65]. Watkins G. D., Fowler W. B., Stavola M., DeLeo G. G., Kozuch D. M., Pearton and J. Lopata S. J. - Phys. Rev.. Lett., 1990, v.64, p.467.

[66]. Herrero C. P., Stutzmann M. - Phys. Rev., 1988, v.B38, p.12668.

[67]. Boyce J. B. and Ready S. E. - Physica, 1991, v.B170, p.305.

[68]. Tsai С. С. - Phys. Rev., 1979, v.B19, 2041.

[69]. Jackson W. B. - Phys. Rev., 1990, v.B41, p. 12323.

[70]. Liu E. Z. and Spear W. E. - J. Non-Cryst. Solids, 1991, v.137&138, p.167.

[71]. Nebel С. E„ Street R. A., Jackson W. В., Johnson N. M. - J. Non-Cryst. Solids, 1993, v.164-166, p.203.

[72]. Meaudre R., Meaudre M. and Roca i Cabarrocas P. - Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, p.594.

[73]. Fujita Y„ Yamaguchi M. and Morigaki K. - Philos. Mag., 1994, v.B69, p.57.

[74]. Takeda K., Hikita H., Kimura Y., Yokomichi H. and Morigaki K. - J. Non-Cryst. Solids, 1996, v. 198-200, p.486.

[75]. Schlesinger M. F. - J. Stat. Phys., 1984, v.36, p.639.

[76]. Jackson W. B. and Kakalios J. - Phys. Rev., 1988, v.B37, p.1020.

[77]. Crandall R. S. - Phys. Rev., 1991, v.B43, p.4057.

[78]. Benatar L. E., Redfield D. and Bube R. H. - J. Appl. Phys., 1993, v.73, p.8659.

[79]. Zellama K., Germain P., Squelard S., Monge J. and Ligeon E. - J. Non-Cryst. Solids, 1980, v.35-36,p.225.

[80]. Zanzucchi P. J., Wronski C. R. and Carlson D. E. - J. Appl. Phys., 1977, v.48, p.5227.

[81]. Kumeda M. and Shimizu T. - Solid State Comm., 1986, v.58, p.455.

[82]. Sakka Т., Toyoda K. and Iwasaki M. - Appl. Phya. Lett., 1989, v.55, p.1068.

[83]. Pankove J. I., Lampert M. A. and Tarng M. L. - Appl. Phys. Lett., 1978, v.32, p.439.

[84]. Biegelsen D. K., Street R. A, Tsai С. C. - Phys. Rev., 1979, v.B20, p.4839.

[85]. Stutzmann M. - Phil. Mag., 1989, v.B60, p.531.

[86]. Staebler D. L. and Pankove J. I. - Appl. Phys. Lett., 1980, v.37, p.609.

[87]. Chou J. C., Hsiung S. K. and Lu C. Y. - Jap. J. Appl. Phys., 1987, v.26, p.1971.

[88]. Yang S. H. and Lee C. - Phil. Mag., 1986, v.B53, p.293.

[89]. Казанский А. Г., Миличевич E. П. - ФТП, 1989, v.23, p.2027.

[90]. WuZ. Y. andEquerB. - J. Non-Cryst. Solids, 1991, v.137&138, p.179.

[91]. Deng X.-M. - Phys. Rev., 1991, v.B43, p.4820.

[92]. Mitra S., Gleason К. К., Jia H. and Shinar J. - Phys. Rev., 1993, v.B48, p.2175.

[93]. Mahan A. H., Johnson E. J., Crandall R. S. and Branz H. M. - Mater. Res. Soc. - Pittsburgh, PA, USA, 1995.

[94]. Аморфные полупроводники. M.: Мир, 1982, c324.

[95]. Redfield D. - Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1992, v.258, p.341.

[96]. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. M.: Мир, 1988.

[97]. Rath J. К., Fuhs W., Meli H. - J. Non-Cryst. Solids, 1991, v.137&138, p.279.

[98]. Kazanskii A. G., Kuznetzov S. V. - Phys. Stat. Sol., 1991, v.B168, p.K19.

[99]. Курова И. А., Лупачева А. H., Мелешко H. В., Ларина Э. В. Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H. - ФТП, 1994, том 28, с. 1092.

[100]. Курова И. А., Мелешко Н. В., Ларина Э. В., Хлебникова О. П., Громадин А. Л. Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором. - ФТП, 1996, том 30, с. 12.

[101]. Курова И. А., Ларина Э. В., Ормонт H. Н., Сенашенко Д. В. Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si:H при повышенных температурах. - ФТП, 1997, том 31, с.1455.

[102]. Казанский А. Г., Ларина Э. В. Релаксация созданного освещением метастабильного состояния a-Si:H р-типа, легированного бором. - ФТП, 1998, том 32, с.117.

[103]. Звягин И. П., Казанский А. Г., Курова И. А., Ларина Э. В., Ормонт H. Н. Образование и релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в a-Si:H при повышенных температурах. - Доклад на Всероссийском симпозиуме "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" с участием ученых из стран СНГ, С-Пб, 1998, с. 19:

В заключение я хочу выразить благодарность с.н.с. И. А. Куровой за руководство работой и помощь в обсуждении результатов; профессору И. П. Звягину за интерес к работе и обсуждение сложных моментов диссертации; вед.н.с. А. Г. Казанскому за совместное творческое сотрудничество; с.н.с. Н. Н. Ормонт за совместную работу.