Влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Макаров, Виталий Владимирович

• Макаров, Виталий Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Макаров, Виталий Владимирович

Введение.

Глава I. Обзор литературы.

1.1. Физические свойства кристалла триглицинсульфата.

1.2. Влияние дейтерирования на свойства сегнетоэлектрических кристаллов. Деитерированный аналог кристалла ТГС.

1.3. Диэлектрические свойства облученных и примесных кристаллов ТГС и ДТГС.

1.4.Процессы переполяризации в сегнетоэлектриках.

1.5. Радиационные дефекты.

1.5.1. Явления, наблюдаемые при электронной бомбардировке твердых тел

1.5.2. Электронное воздействие на сегнетоэлектрические кристаллы.

1.6.Сильноточное импульсное электронное облучение.

1.6.1. Применение импульсного сильноточного источника электронов и ионов в экспериментах по облучению и модификации свойств твердых тел

Постановка задачи.

Глава II. Экспериментальные установки. Методики обработки результатов.

2.1. Метод эффекта Баркгаузена.

2.2. Экспериментальная установка для получения электронных и ионных пучков.

2.3. Установка для исследования релаксации диэлектрической проницаемости в кристаллах ТГС при коммутации внешнего электрического поля.

2.6. Погрешности измерений.

ГЛАВА III. Экспериментальные результаты исследования влияния облучения сильноточным импульсным пучком электронов на переполяризацию кристаллов ТГС и ДТГС, их обсуждение и выводы.

3.1. Релаксация диэлектрической проницаемости при коммутации внешнего электрического поля.

3.2. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС.

3.2.1. Исследование влияния облучения СЭП на релаксационные процессы в кристаллах ТГС методом эффекта Баркгаузена.

3.2.2. Исследование влияния облучения СЭП на динамику доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС методом эффекта Баркгаузена.

3.3. Расчет функции распределения времен релаксации.

3.3.1. Результаты расчета функции распределения времен релаксации.

3.4. Теоретическое описание процессов переполяризации.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС»

Актуальность темы. Сегнетоэлектрики — вещества, у которых в отсутствии внешнего электрического поля в некотором диапазоне температур возникает спонтанная поляризация, — представляют обширную группу соединений и твердых растворов, обладающих огромным спектром характерных явлений и разнообразными физическими свойствами. Они используются для изготовления радиотехнических конденсаторов, электромеханических преобразователей и являются практически единственными материалами для гидроакустических устройств, пироэлектрических приемников инфракрасного излучения, устройств обработки и хранения информации, радио-, акусто- и оптоэлектроники, динамических элементов памяти и логических элементов ЭВМ [1,2], диэлектрических усилителей, частотных модуляторов, диэлектрических устройств в области сверхнизких температур. Сегнетоэлектрики особенно эффективны при работе в условиях, требующих высокой радиационной стойкости. Их универсальность связана с использованием основных свойств: высокой диэлектрической проницаемости, большой пьезоэлектрической активности, диэлектрической и оптической нелинейности, спонтанной поляризации и пироэлектрического эффекта.

Наиболее распространенные сегнетоэлектрические кристаллы принадлежат семейству триглицинсульфата (ТГС), широко применяющегося в пироэлектрических видиконах, а также высокочувствительных телевизионных передающих трубках с пироэлектрической мишенью, в которых считывание сигнала происходит видиконным способом [3]. Хорошие технические характеристики в сочетании с отсутствием селективности по широкому диапазону детектируемых частот обеспечивают большие возможности использования пироприемников, которые нашли применение при визуализации теплопотерь в электрической аппаратуре, а также в медицинских исследованиях.

Свойства сегнетоэлектриков в значительной степени определяются концентрацией и типом дефектов и примесей, содержащихся в кристалле, их расположением в кристаллической решетке и характером взаимодействия между собой. Введение в кристаллическую структуру разного рода допирующих элементов, а также воздействие на кристаллы различными типами ионизирующего излучения существенно влияют на их переключение [4-6]. Эволюция сегнетоэлектрической доменной структуры при переполяризации представляет собой сложный процесс зарождения, роста и слияния множества отдельных доменов. Особую роль в исследовании процессов переключения играет анализ скачков Баркгаузена, которые обычно связывают с образованием зародышей, сквозным прорастанием отдельных доменов и взаимодействием доменных стенок с дефектами. Под влиянием различных внешних воздействий (механических напряжений, освещения, ультразвука, у-облучения и др.) доменная структура и характер ее перестройки существенно изменяются.

Появление оптических квантовых генераторов, а затем ускорителей сильноточных импульсных пучков электронов (СЭП) и мощных импульсных пучков ионов (МИП) создало уникальную возможность получения новых видов воздействий концентрированных потоков энергии на материалы. Они включают одновременно радиационное, тепловое и механическое воздействия. Радиационно- стимулированные процессы имеют сложную физическую природу, связанную с особенностями трансформации и аккумуляции поглощенной энергии.

В настоящее время существует мало литературных данных по результатам исследования влияния сильноточных импульсных пучков электронов на процессы переключения сегнетоэлектрических кристаллов ТГС и его дейтерированного аналога ДТГС. Следует отметить, что работы, проводимые по модификации материала сильноточным импульсным пучком электронов, представляют большой интерес как в фундаментальном, так и прикладном плане [7]. В связи с этим исследование процессов

I переполяризации кристаллов группы ТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов, является актуальной задачей.

Цель и задачи исследования. Целью настоящей работы является комплексное исследование процессов переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов.

В соответствии с этой целью были поставлены следующие основные задачи:

• Исследовать влияние облучения СЭП на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС методом эффекта Баркгаузена.

V • Исследовать релаксационные зависимости диэлектрической проницаемости и числа скачков Баркгаузена в необлученных и облученных кристаллах ТГС при коммутации приложенного к образцу электрического поля, а также влияние внешних воздействий на протекание процессов переполяризации этих кристаллов.

• Разработать методику расчета функции распределения времен релаксации процесса переполяризации в кристаллах ТГС.

• С помощью теоретической модели обосновать влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС.

Объекты исследования. В качестве объектов исследования выбраны перспективные для преобразователей инфракрасного излучения сегнетоэлектрики: триглицинсульфат (NI^CI-^COOHVFbSC^ и его дейтерированный аналог (ND2CD2C00D)3-D2S04, необлученные и облученные сильноточным импульсным пучком электронов. Монокристаллы ТГС и ДТГС выращены в Институте кристаллографии РАН и на Ловозерском горно-обогатительном комбинате. Облучение образцов проводилось на импульсном сильноточном источнике электронов и ионов (ИСИЭИ) в Лаборатории физики частиц Объединенного института ядерных исследований (ЛФЧ ОИЯИ), г. Дубна.

Научная новизна. В данной работе впервые:

• С помощью высокочувствительного метода эффекта Баркгаузена исследовано влияние сильноточного импульсного электронного облучения на процессы переключения кристаллов ТГС и ДТГС.

• Методом регуляризации Тихонова получены спектры распределения времен релаксации в кристаллах ТГС. В предположении, что процесс релаксации поляризации является термоактивационным, рассчитана ширина распределения энергии барьеров. Показано, что облучение сильноточным импульсным пучком электронов приводит к увеличению интервала распределения энергии барьеров.

• Исследовано влияние сильноточного импульсного электронного облучения на временные зависимости числа скачков Баркгаузена в кристаллах ТГС. Показано, что данные зависимости хорошо аппроксимируются законом N ~ 1 - ехр f'Yl ч где т и 0<а<1 - константы.

• Установлено, что увеличение внешнего коммутируемого электрического поля оказывает ускоряющее действие на процессы переполяризации как необлученных, так и облученных кристаллов ТГС.

Практическая ценность результатов работы заключается в возможности использования разработанных экспериментальных и теоретических методов для исследования релаксационных явлений в твердых телах. Впервые полученные результаты углубляют представления о влиянии облучения СЭП на сегнетоэлектрические свойства кристаллов и процессы их переключения под воздействием электрического поля и могут быть применены при производстве современных электронных приборов. Установленные закономерности влияния электронного воздействия на физические свойства кристаллов ТГС могут быть использованы в лабораториях и научных центрах, занимающихся исследованиями свойств кристаллической и доменной структуры облученных сегнетоэлектрических кристаллов, ее кинетикой и моделированием процессов переполяризации. Также они представляют интерес для практического применения в электронике и радиотехнике и могут быть учтены при разработке пироэлектрических приемников, ИК-детекторов, пировидиконов, запоминающих устройств, температурных датчиков.

Тематика работы соответствует «перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований», утвержденных Президиумом РАН (раздел 1.2 - «физика конденсированных состояний вещества»). Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре физики сегнето-и пьезоэлектриков, грантов Минобразования России по научной программе 015 «Фундаментальные исследования высшей школы в области естественных и гуманитарных наук. Университеты России» (Проект № УРО 1.01.053 - «Фундаментальные исследования влияния реальной структуры на гистерезисные и другие физические свойства перспективных сегнетоэлектрических материалов»; №015.01.01.065 — «Теоретические и экспериментальные исследования гистерезисных и других физических свойств перспективных сегнетоэлектрических, пьезоэлектрических и пироэлектрических материалов»), при поддержке стипендии Президента Российской Федерации.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Облучение кристаллов ТГС и ДТГС сильноточным импульсным пучком электронов существенно влияет на процессы их переключения. С увеличением значения флюенса электронов интегральное число скачков Баркгаузена возрастает для обоих кристаллов ТГС и ДТГС. Рост температуры приводит к уменьшению интегрального числа скачков Баркгаузена как для необлученных, так и облученных сильноточным импульсным пучком электронов исследованных сегнетоэлектриков.

2. Релаксационные процессы, наблюдаемые при переполяризации как необлученных, так и облученных сильноточным импульсным пучком электронов сегнетоэлектрических кристаллов ТГС, описываются эмпирическим законом Кольрауша.

3. Увеличение внешнего коммутируемого электрического поля оказывает ускоряющее действие на процессы переполяризации как необлученных, так и облученных кристаллов ТГС.

4. С помощью метода регуляризации Тихонова получены спектры распределения времен релаксации для необлученных и облученных сильноточным импульсным пучком электронов кристаллов ТГС. Установлено, что увеличение внешнего электрического поля приводит к уменьшению степенного параметра а в законе Кольрауша, что в свою очередь способствует изменению спектра распределения времен релаксации.

5. Облучение сильноточным импульсным пучком электронов кристаллов ТГС приводит к изменению ширины распределения энергии потенциальных барьеров.

Публикации. Основные результаты исследований отражены в 9 статьях, опубликованных в центральной и межвузовской печати, и 16 тезисах конференций.

Личный вклад автора. Диссертационная работа выполнена в соответствии с планом исследований, проводимых на кафедре физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков ТвГУ. Постановка задачи исследования, анализ и обобщение данных, а также формулировка выводов выполнены совместно с научным руководителем - кандидатом физико-математических наук, профессором В.В. Ивановым. Все основные экспериментальные результаты по исследованию влияния электронного облучения на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС получены соискателем. Им же выполнены соответствующие расчеты физических параметров, разработана методика расчета спектров времен релаксации с помощью метода регуляризации Тихонова, смоделирован процесс переполяризации с учетом движения плоской доменной стенки.

Апробация результатов работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях:

1) IX, X, XI Национальных конференциях по росту кристаллов г. Москва, НКРК-2000, НКРК-2002, НКРК-2004;

2) The International Jubilee Conference " Single crystals and their application in the XXI century - 2004 " VNIISIMS, Alexandrov, Russia. June, 2004;

3) YI Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», ВНИИСИМС, Александров. Сентябрь, 2003;

4) II Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященная памяти М.П.Шаскольской, МИСИС, Москва. Октябрь, 2003;

5) Международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения», Москва. Ноябрь, 2003;

6) XVI Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, ВКС-XVI, Тверь. Сентябрь, 2002;

7) V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение», ВНИИСИМС, Александров. Сентябрь, 2001;

8) The Third International Seminar on Relaxor Ferroelectrics. Dubna, Russia. 2000;

9) The Sixth International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures, China. 2000;

10) 9-й Международной конференции «Диэлектрики-2000», ICD-2000, СГПУ, Санкт-Петербург. 2000;

11) VI Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых, ВНКСФ-6, Томск. Апрель, 2000;

12) XX Международной конференции "Релаксационные явления в твердых телах", Воронеж. 1999;

13) Международной конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах»-ИАР8-10, Тула. Ноябрь, 2001.

14) XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков, Пенза.

Июнь, 2005.

15) VI Международной конференции "Рост монокристаллов и тепломассоперенос", ICSC-2005, Обнинск. Сентябрь, 2005.

Публикации

Основные результаты исследований отражены в 9 статьях, опубликованных в центральной и межвузовской печати, и 16 тезисах.

Личный вклад автора

Постановка задачи исследования, анализ и обобщение данных, а также формулировка выводов выполнены совместно с научным руководителем-кандидатом физико-математических наук, профессором В.В.Ивановым. Все основные экспериментальные результаты по исследованию влияния электронного облучения на процессы переполяризации кристаллов ТГС и ДТГС получены автором. Им также выполнены соответствующие расчеты физических параметров, разработана методика расчета спектров времен релаксации с помощью метода регуляризации Тихонова, смоделирован процесс переполяризации с учетом движения плоской доменной стенки.

Структура и объем диссертационной работы.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, двух приложений и библиографии. Работа изложена на 120 страницах машинописного текста и содержит 39 рисунков и 3 таблицы. Библиография включает 173 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Макаров, Виталий Владимирович

Основные результаты диссертации опубликованы в статьях:

1. Иванов В.В., Колышева М.В., Макаров В.В., КлевцоваЕ.А. Влияние дейтерирования на процессы переключения кристалла ТГС // Конденсированные среды и межфазные границы, 2001. Т.З. №3. С.59-61.

2. Иванов В.В., МакаровВ.В., КолышеваМ.В., КлевцоваЕ.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Материаловедение, 2001. С.6-9.

3. ИвановВ.В., КлевцоваЕ.А., МакаровВ.В. Релаксационные процессы в кристаллах ТГС // Материалы V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров: ВНИИСИМС, 2001. С.260-270.

4. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксация диэлектрической проницаемости в монокристаллах триглицинсульфата, вызванная изменением температуры // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь: ТвГУ, 2002. С.61-68.

5. Иванов В.В., КлевцоваЕ.А., Макаров В.В. Распределение времен релаксации в монокристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. Физ. 2003. Т.67. №8. С.1127-1128.

6. Ефимов В.В., Иванов В.В., Иванова Т.И., Клевцова Е.А., Макаров В.В., Маркова Т.А., Самсонова О.В., Тютюнников С.И. Исследование процессов переключения монокристаллов ТГС и ДТГС, облученных сильноточным импульсным пучком электронов, методом эффекта Баркгаузена // Материалы международной научно-практической конференции «Фундаментальные проблемы пьезоэлектрического приборостроения». Москва, 2003. С.40-44.

7. Иванов В.В., Макаров В.В., КлевцоваЕ.А. Спектр времен релаксации в монокристаллах ТГС. Вестник Тверского государственного университета. Серия Физика. Тверь: ТвГУ, 2004. Вып 4(6). С.115-117.

8. Ефимов В.В., Иванов В.В., Иванова Т.И., КлевцоваЕ.А., Макаров В.В., Маркова Т.А., Самсонова О.В., Тютюнников С.И. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ДТГС // Материалы электронной техники. 2005. №1. С.62-64. 9. Иванов В.В., Иванова Т.И., Макаров В.В. Влияние электронного облучения на динамику доменной структуры в монокристаллах ТГС и ДТГС // Труды VI международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос». Обнинск, 2005. Т.2. С.458-475. и тезисах:

1. Иванов В.В., Колышева М.В., Макаров В.В. Диэлектрическая релаксация кристаллов ТГС и ДТГС при коммутации внешнего электрического поля // Тезисы XX Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах». Воронеж, 1999. С.260-261.

2. Макаров В.В., Колышева М.В. Диэлектрическкая релаксация в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Тезисы 7 Российской научной студенческой конференции «Физика твердого тела». Томск, 2000. С. 111-112.

3. IvanovV.V., Kolysheva M.V., Makarov V.V. The dynamics of domain structure in TGS and DTGS crystals after change of the temperature // Abstracts The Sixth International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures. Китай. 2000. P.47.

4. Ivanov V.V., Kolysheva M.V., Makarov V.V. Relaxational procceses in TGS and DTGS crystals after change of the temperature // The Third International Seminar on Relaxor Ferroelectrics. Dubna, Russia, 2000. P.82.

5. Иванов B.B., Макаров B.B., Колышева M.B., КлевцоваЕ.А. Релаксация диэлектрической проницаемости в кристаллах триглицинсульфата // Тезисы IX Национальной конференции по росту кристаллов. ИК РАН. Москва, 2000. С.429.

6. Макаров В.В., Колышева М.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата (ТГС) // Тезисы 6 Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых. ВНКСФ-6. Томск, 2000. С. 168-170.

7. Ivanov V.V., Klevtsova E.A., Makarov V.V. Dielectric Relaxation in TGS and DTGS crystals under the temperature changing // Abstract 10th International Meeting on Ferroelectricity. Spain, Madrid, 2001. P.209.

8. Иванов B.B., Клевцова E.A., Макаров B.B. Процессы переключения в кристаллах ТГС и ДТГС // Тезисы V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2001. С.127-128.

9. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Релаксационные процессы в кристаллах ТГС // Тезисы докладов V Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2001. С.126-127.

10. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Макаров В.В. Распределение времен релаксации в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении температуры // Тезисы докладов Международной конференции «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах». Тула, 2001. С.70.

11. Клевцова Е.А., Иванов В.В., Макаров В.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении температуры // Тезисы докладов Пятой научной конференции молодых ученых и специалистов. Дубна, 2001. С.46-48.

12. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Маркова Т.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Исследование процессов переключения кристаллов ДТГС, облученных импульсным пучком электронов // Тезисы VI Международной конференции «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Александров, 2003. С. 192-193.

13. Иванов В.В., Клевцова Е.А., Маркова Т.А., Макаров В.В., Тютюнников С.И., Ефимов В.В. Влияние облучения импульсным пучком электронов на процессы переключения кристаллов ДТГС // Тезисы докладов II Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века», посвященной памяти М.П. Шаскольской. Москва, МИСиС, 2003. С.394.

14. Ivanov V.V., Makarov V.V., Klevtsova E.A., Markova T.A., Samsonova O.V., Tutunnikov S.I., Efimov V.V. Switching processes in TGS and DTGS crystals irradiated by high-current pulsed electron beam // Abstracts of International Jubilee Conference "Single crystals and their application in the XXI centure - 2004". June 8-11, Alexandrov, VNIISIMS, 2004. P.61-63.

15. Ivanov V.V., Makarov V.V., Klevtsova E.A., Markova T.A., Samsonova O.V., Tutunnikov S.I., Efimov V.V. Switching processes in TGS and DTGS crystals irradiated by high-current pulsed electron beam // Abstracts of the International Jubilee Conference "Single crystals and their application in the XXI centure -2004". June 8-11, Alexandrov, VNIISIMS, 2004. P. 193.

16. Иванов B.B., Иванова Т.И., Клевцова E.A., Макаров B.B., Тютюнннков С.И., Ефимов В.В. Влияние электронного облучения на процессы переполяризации монокристаллов ТГС и ДТГС // Тезисы XI Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2004, Москва, 2004. С.274.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Макаров, Виталий Владимирович, 2005 год

1. Гольцман Б.М., Ярмаркин В.К. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти // ЖТФ, 1999. Т.69. № 5. С. 89-92.

2. Мясников Э.Н., Толстоусов С.В., Фроленков К.Ю. Эффект памяти в сегнетоэлектрических пленках Bao.ssSro.isTiOs на кремниевой основе // ФТТ, 2004. Т.46. №12. С.2193-2199.

3. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир, 1981. 736 С.

4. Рудяк В.М. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. -М.: Наука, 1986. 248 С.

5. Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения. М.: Мир, 1981. 528 С.

6. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы.-М.: Мир, 1965. 56 С.

7. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики под ред. Смоленского Г.А.- Л.: Наука, 1971. 476 С.

8. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Физика сегнетоэлектрических явлений под ред. Г.А.Смоленского.- JL: Наука, 1985. 396 С.

9. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах.-М.: Наука, 1995. 304 С.

10. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества. -М.: Атомиздат,1973. 472 С.

11. Желудев И.С. Электрические кристаллы.-М.: Наука, 1969. 216 С.

12. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата.-Мн.: Наука и техника, 1986. 216 С.

13. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах.-М.: Физматлит, 2000. 239 С.

14. Mattias В.Т., Miller С.Е., Remeika J.P. Ferroelectricity of glycine sulphate// Phys.Rev., 1956. V.104. P. 849-853.

15. Гаврилова Н.Д., Новик B.K., Павлов C.B. Динамика протонов и диэлектрические свойства сегнетоэлектриков // Изв РАН, Сер.физ., 1993. Т.57. №6. С. 128-131.

16. Галанов Е.К., Кисловский Л.Д., Шувалов Л.А., Иванов Н.Р. О природе молекулярного механизма сегнетоэлектрического перехода в кристаллах группы триглицинсульфата// Изв. АН СССР. Сер. физ., 1969. Т.ЗЗ. №2. С.246-250.

17. Winterfeldt V., Schaack G., Klopperpieper A. Temperature behaviour of optical phonons near Tc in triglycine sulphate and triglycine selenate // Ferroelectrics, 1977. Vol.15. P.21-35.

18. Kaneko N., Takahashi H., Higasi K. Temperature dependence of the lattice vibrations of triglycine selenate//J. Phys. Chem. Sol., 1977. Vol.38. P.849-853.

19. Schmidt V.A. Ferroelectric hydrogen bonded systems // The hydrogen bond. Recent development in theory and experiment-Amsterdam: 1976. P. 1109-1168.

20. Kettle S.F., Lugwisha E., Eckert J., McGuire N.K. Intermolecular vibrational coupling in glycine // Spectrochimica Acta, 1989. Vol.45A. №5. P.533-539.

21. Sundius Т., Bandekar J., Krimm S. Vibrational analysis of crystalline triglycine // Journal of Molecular Structure, 1989. Vol.214 .P.l 19-142.

22. Комяк А.И., Маляревич A.M., Шашков C.H. Расчет низкочастотного колебательного спектра кристалла триглицинсульфата полуэмпирическими методами // Хим. физ., 1993. Т. 12. №9. С. 1177-1183.

23. Malyarevich A.M., Posledovich M.R. The assignment of lattice vibrations in triglycine sulphate-type crystals// Journal of Molecular Structure, 1996. Vol.375. P.43-51.

24. Hoshino S., Mitsui Т., Jona F., Pepinsky R. Dielectric and thermal study of triglycine sulfate and tri-glycine fluoberyllate// Phys.Rev., 1957. Vol.107. P.1255-1258.

25. Gaffar M.A., Al-Houty L.I., Muraikhi M.A1., Mohamed A.A. Investigations on the existence of a low-temperature phase transiton in triglycine sulphate single crystals//J. Phys.C: Solid State Phys., 1988.Vol.21. P.l831-1838.

26. Suzuki E., Kobayashi Y., Endo S., Deguchi K., Kikegawa T. Pressure-induced structural transition in TGS // Symposium on Ferroelectricity RCBJSF-7. St.Petersburg, 2002. P.97.

27. Афонская И. А., Большакова Н.Н., Комлякова Н.С., Корина Р. В., Соколова И.Д. Процессы перестройки доменной структуры монокристаллов ТГС с двойной примесью кобальта и хрома // Изв. Вузов, 1991. №4. С.63-66.

28. Комлякова Н.С. Воздействие у и рентгеновского облучения на процессы поляризации и переполяризации монокристаллов триглицинсульфата и сегнетовой соли. Автореф. дисс. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук.-Калинин, КГУ. 1973. 16 С.

29. Bolshakova N.N., Maltseva T.V., Rudyak V.M., Fomina V.I., Chereshneva N.N. Characteristics of pyroelectric materials for pyrovidicon targets // Integrated Ferroelectrics, 1998. Vol.19. P. 179-192.

30. Hoshino S., Oraya Y., Pepinsky R. Crystal structure of the ferroelectric phase of(glycine)3-H2S04//Phys. Rev., 1959. Vol.115. P.323-327.

31. Itoh Kazuyuki, Mitsui Toshio. Studies of the crystal structure of triglycine sulphate in connection with its ferroelectric phase transition // Ferroelectrics, 1973. Vol.5. P.235-251.

32. Kay M.I., Kleinberg R. The crystal structure of triglycine sulfate// Ferroelectrics, 1973. Vol.5. P.45-52.

33. Рига В., Przedmojski J. Anisotropy in the reciprocal lattice space of critical x-ray scattering in TGS // Phys. Lett. 43 A., 1959. P.217-218.

34. Solans X., Franco F., Miravitlles С. The pyroelectric phase of TGS. X-ray analyses on triglycine sulphate crystals // Ferroelectrics, 1985. Vol.62. P.59-70.

35. Донцова JI.И., Тихомирова Н.А., Шувалов Л.А. Дефекты и их роль в процессах переполяризации формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках // Кристаллография, 1994. Т.39. №1. С.158-175.

36. Афонская И.А., Большакова Н.Н., Иванова Т.И., Иодковская К.В., Корина Р.В., Рудяк В.М. Влияние у облучения на некоторые физические свойства таллийсодержащих кристаллов триглицинсульфата.// Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат., 1986. №1. С.74-78.

37. Колонцова Е.В., Редько С.В., Стручков Ю.Т., Яновский А.И. Кристаллическая структура облученных и нагретых монокристаллов триглицинсульфата//Кристаллография, 1990. Т.35. №1. С.209-212.

38. Баранов А.И., Якушкин Е.Д. Смешанные фазы и не эргодичность в кристаллах (NH4)1.xRbx.3H3(S04)2 и [(ND4),.xRbx]3D3(S04)2 // Всеросс. конф. по физ. сегнетоэл.: Тез. докл. г. Ростов-на-Дону. 1999. С.78.

39. Сидоркин А.С., Бурданина Н.А., Камышева JI.H., Федосов В.Н. Влияние доменной структуры на процессы переполяризации кристалла KH2XD2(I. Х)Р04 (DKDP) // ФТТ, 1979. Т.21. №3. С.861 865.

40. Камышева JI.H., Подгорная Т.Н. Подвижность доменных стенок в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата // Кристаллография, 1999. Т.44. №2. С.304-307.

41. Наземец О.В., Дабижа Т.А. Доменная структура дейтерированного триглицинсульфата при различных температурных воздействиях // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, 1988. С.116 122.

42. Дрождина С.Н., Голицина О.М., Никишина А.И., Тума Ф.А., Тарасов Д.П. Релаксация доменной структуры кристаллов ТГС и ДТГС в процессе статической переполяризации // ФТТ, 2006. Т. 48. №3. С.497-500.

43. Богомолов А.А., Малышкина О.В. Поверхностный слой в кристаллах ДТГС // Изв РАН, Сер.физ., 1993. Т.57. №3. С.199-203.

44. Богомолов А.А., Дабижа Т.А., Малышкина О.В., Солнышкин А.В. Пироэлектрические свойства кристаллов ДТГС при наличии температурного градиента // Изв РАН, Сер.физ., 1996. Т.60. №10. С. 186189.

45. Наземец О.В., Дабижа Т.А. Доменная структура дейтерированного триглицинсульфата при различных температурных воздействиях // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, 1988. С.116 122.

46. Галиярова Н.М., Федорихин В.А., Донцова Л.И., Шильников А.В. Критическое замедление низкочастотной релаксации в дейтерированном триглицинсульфате // Изв РАН. Сер.физ., 1996. Т.60. №10. С. 142-149.

47. Александрова М.А., Комлякова Н.С., Соколова Н.Д. Исследование процессов переполяризации монокристаллов ДТГС и ДТГС: Си2+ различной толщины // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики, 1988. С. 157159.

48. Иванов Н.Р., Чумакова С.П., Гинзберг А.В. Новая мода переключения сегнетоэлектрических доменов в кристаллах группы триглицинсульфата // Тез.ХУ Всеросс. конф. по физ сегнетоэл. г. Ростов-на-Дону, 1999. С. 125.

49. Дрождин С.Н., Куянцев М.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата // ФТТ, 1998. Т.40. №8. С.1542-1545.

50. Mihailova Е., Stoyanov St. Ferroelectric behaviour of Doped TGS// Solid State Phys., 1996. Vol.154. P.797-802.

51. Strukov B.A., Taraskin S.A., Suvkhanov A.B. Defects and ferroelectric phase transitions // Ferroelectrics, 1991. Vol.124. P. 189-194.

52. Кудзин А.Ю., Волнянский М.Д., Трубицин М.П., Бусоул И.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах слабого сегнетоэлектрика Li2Ge7015 // ФТТ, 1998. Т.40. №12. С.2198-2201.

53. Желудев И.С., Проскурин М.А., Юрин В.А., Баберкин А.С. // Докл.АН СССР, 1955. Т. 103. С. 107.

54. Chynoweth A.G. Radiation damage effects in ferroelectric triglycine sulfate // Phys. Rev., 1959. Vol.113. P.159.

55. Jaskiewicz A., Mroz J. The internal field in an X-ray irradiated TGS crystal having a regular domain structure// Akta Physika Polonika, 1981. Vol. A59. 5. P.561-569.

56. Alemany C., Mendiola J., Jimenez В., Maurer E. X-ray damage on TGS: a thermodynamic theory // Ferroelectrics, 1973. Vol.5. P. 11-15.

57. El-Fadl Abu A. Temperature dependence of the absorption spectra and optical parameters in TGS and Cu -doped TGS crystals // Cryst. Res. Technol., 1999. Vol.34. 8. P. 1047-1054.

58. Buotin W., Frazer B.G., Iona E.J. // Phys. Chem. Solids, 1963. Vol.24. P.1341-1345.

59. Okada K., Gonzalo J.A., Rivera M. // J. Phys. Chem. Solids, 1967. Vol.28. P.689-695.

60. Stankowska J. Ageing process in triglycine sulphate single crystals // Akta Physika Polonika, 1967. Vol.31. P.527-550.

61. Большакова Н.Н., Рудяк В.М. Процессы перестройки доменной структуры и эффект Баркгаузена в чистых и примесных кристаллах триглицинсульфата // Изв. АН СССР, Сер.Физ., 1991. Т.55. №3. С.606-611.

62. Gaffar М.А., Al-Houty L.I., Al-Muraikhi М., Mohamed А.А. The effect on the polarization and piezoelectricity of triglycine sulphate crystals of doping with some divalent and trivalent ions //J. Phys. C: Solid State Phys., 1988. Vol.21. P.1821-1829.

63. Suzuki E., Kobayashi Y., Endo S., Deguchi K., KikegawaT. Pressure-induced structural transition in TGS // Symposium on Ferroelectricity RCBJSF-7. St.Petersburg, 2002. P.97.

64. Ferroelectric TGS (NHiC^COOH^-HsSC^ under high pressure/ Y.Kobayashi, S.Sawada, H.Furuta, S.Endo, K.Deguchi // Journal of Physics: Condensed Matter, 2002. Vol.14. 44. P. 11139-11143.

65. Пешиков E.B. Влияние внешних воздействий и дейтерирования на релаксацию доменных границ в кристаллах триглицинсульфата // Кристаллография, 1975. Т.20. №6. С.1230-1234.

66. Gaffar М.А., El-Fadl A.Abu. Effect of doping and irradiation on optical parameters of triglycine sulphate single crystals // Cryst.Res.Technol., 1999. Vol.34. 7. P.915-923.

67. Corp A.A., Копылова И.Б. Исследование кинетики накопления и релаксации инжектированных зарядов в кристаллах ТГС // Изв. РАН. Сер. физ., 2000. Т.64. №6. С.1199-1202.

68. Согр А. А., Копылова И.Б. Униполярность диэлектрического гистерезиса в монокристаллах ТГС, индуцированная электронным облучением в РЭМ//Изв. РАН. Сер. физ., 1996. Т.60. №10. С. 150-152.

69. Corp А.А., Бородин В.З. Наблюдение динамики доменной структуры сегнетоэлектриков в растровом электронном микроскопе // Изв. АН СССР. Сер. физ., 1984. Т.48. №6. С.1086-1089.

70. Stankowski J. Molecular dynamics of ferroelectric crystals of the triglycine sulphate family// Physics Reports (A Review Section of Physics Letter), 1981. Vol.77. 1. P. 1-46.

71. Bolshakova N.N., Maltseva T.V., Rudyak V.M., Fomina V.I., Chereshneva N.N. Characteristics of pyroelectric materials for pyrovidicon targets // Integrated Ferroelectrics, 1998. Vol.19. P.179-192.

72. Магатаев B.K., Глушков В.Ф., Гладкий B.B., Козин В.В., Яковлева JI.M. Аномальный гистерезис перестройки доменной структуры кристалла Rb2ZnCl4 при изменении температуры // ФТТ, 1989. Т.31. №5. С.317-319.

73. Магатаев В.К., Глушков В.Ф., Гладкий В.В. Электрический отклик полидоменного сегнетоэлектрика на циклическое изменение температуры // ФТТ, 1997. Т.39. №2. С.358-362.

74. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Куминов В.П., Субботин А.Л., Кожевников В.Л. Эффект Баркгаузена при скачкообразном движении доменной стенки в молибдате гадолиния // ФТТ, 1999. Т.41. №2. С.301-305.

75. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов А.С., Собянин А.А. Изменения структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов // ЖЭТФ, 1979. Т.76. №1. С.343-368.

76. Сидоркин А.С., Сигов А.С. Униполярное состояние сегнетоэлектрической пластины с ориентированными полярными дефектами // Кристаллография, 1999. Т.44. №1. С. 115-117.

77. Гриднев С.А., Дрождин К.С., Шмыков В.В. Влияние постоянного магнитного поля на диэлектрическую релаксацию в кристалле молибдате гадолиния // Кристаллография, 1997. Т.42. №6. С.1135-1136.

78. Камышева Л.Н. Диэлектрическая релаксация кристаллов KDP и CDP // Сб.: Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин. КГУ, 1982. С.48-52.

79. Гриднев С.А., Попов В.М., Шувалов Л.А. Процессы медленной релаксации в монокристаллах триглицинсульфата// Изв. АН СССР. Сер. физ., 1984. Т.48. №6. С. 1226-1229.

80. Сердюк О.М., Камышева JI.H., Дрождин С.Н., Барабашина А.Б. Роль внутреннего поля в процессах релаксации макроскопической поляризации кристаллов ТГС // ФТТ, 1988. Т.ЗО. №2. С.540-544.

81. Прасолов Б.Н. Релаксационные явления в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках, обусловленные динамикой доменных границ // Изв. РАН. Сер.физ., 1993. Т.57. №6. С. 57-60.

82. Гриднев С.А., Даринский Б.М., Кудряш В.И., Прасолов Б.Н., Шувалов J1.A. Внутреннее трение в KH3(Se03)2 в процессе переключения // ФТТ, 1982. Т.24. С.217-221.

83. Камышева Л.Н., Дрождин С.Н., Панкова Т.Н. Температурная зависимость времени релаксации поляризации ТГС // Вопросы физ. формообраз. и фаз. превращений. Калинин, 1985. С. 151-156.

84. Камышева Л.Н., Сидоркин А.С., Зиновьева И.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2РО4// Изв. АН СССР. Сер. физ., 1984. Т.48. №6. С. 1057-1060.

85. Прасолов Б.Н., Сафонова И.А. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС, обусловленная динамикой доменных границ // Изв. РАН. Сер. физ., 1993. Т.57. №3. С.126-128.

86. Misarova A. On the increase in permittivity of ferroelectrics during switching// Czech. J.Phys., 1961. B11. P.668-673.

87. Нигматулин P.P., Рябов Я.Е. Диэлектрическая релаксация типа Коула-Девидсона и самоподобный процесс релаксации // ФТТ, 1997. Т.39. №1. С.101-105.

88. Демьянишин Н.М., Мыцык Б.Г. Релаксация пьезооптического двулучепреломления в кристаллах триглицинсульфата // ФТТ, 2002. Т.44. №1. С.144-146.

89. Гриднев С.А., Горбатенко В.В., Прасолов Б.Н. Диэлектрическая релаксация в несоразмерной фазе Rb2ZnCl4 // Изв.РАН., 1993. Т.57. №3. С.97-100.

90. Иванова Т.И., Иванов В.В., Караваева Е.Н. Вязкостные явления и релаксационные процессы проводимости в кристаллах ТГС // Изв.АН СССР. Сер.Физ., 1984. Т.48. №6. С. 1207-1209.

91. Иванова Т.И., Руднев Н.Е. Влияние температуры на релаксационные процессы переполяризации и коэффициент диэлектрической вязкости кристаллов ТГС // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин, КГУ, 1982. С.100-105.

92. Щербаков Ю.В., Некрасова Г.М., Рудяк В.М. Эффект Баркгаузена и вязкостные явления в монокристаллах молибдата гадолиния // Изв.АН СССР. Сер.Физ., 1983. Т.47. №.3. С.518-524

93. Кукушкин С.А., Захаров М.А. Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках // ФТТ, 2002. Т.44. №2. С.332-339.

94. Каллаев С.Н., Камилов И.К. Релаксационные процессы в несоразмерной фазе кристалла с дефектами // ФТТ, 1999. Т.41. №3. С.513-515.

95. Колесников В.В., Козаков А.Т., Никольский А.В. Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процесах переключения поляризации и эмиссии электронов// ФТТ, 2000. Т.42. №1. С.141-146.

96. Schafer Н., Sternin Е. Novel approach to the analysis of broadband dielectric spectra // Phys. Rev., 1996. V 76. № 12. P.2177-2180.

97. Кравченя Э.М. Реальная структура и некоторые физические свойства монокристаллов триглицинсульфата и триглицинселената в зависимости от условий выращивания: Дисс.к. физ.-мат. наук. Минск, 1979. 144 С.

98. Лагутина Ж.П. Исследование воздействия интенсивного электромагнитного излучения на диэлектрические и электромеханическиесвойства сегнетоэлектрических кристаллов: Дисс.к.физ.-мат.наук. Минск, БГУ, 1979. 203 С.

99. Гриднев С.А., Попов С.В. Релаксация метастабильных состояний в области размытого фазового перехода в Ko.sBio.sTiCVPbZrOs// Изв РАН. Сер. физ., 1997. Т.61. №2. С.232-237.

100. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р. Процессы медленной поляризации в релаксорных сегнетоэлектриках // ФТТ, 2002. Т.44. №2. С.351-358.

101. Гладкий В.В., Кириков В.А., Пронина Е.В., Волк Т.Р., Панкрат Р., Велеке М. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода// ФТТ, 2001. Т.43. №11. С.2052-2057.

102. Гладкий В.В., Кириков В.А. Признаки структурного беспорядка сегнетоэлектрика KD2PO4 в кинетике поляризации// ФТТ, 2001. Т.43. №1. С.111-114.

103. Леманов В.В., Шульман С.Г., Ярмаркин В.К., Попов С.Н., Панкова Г.А. Пироэлектрический, пьезоэлектрический и поляризационный отклики кристаллов глицин-фосфита с примесью глицин-фосфата // ФТТ, 2004. Т.46. №7. С. 1246-1251.

104. Сардарлы P.M., Самедов О.А., Садыхов И.Ш., Наджафов А.И., Салманов Ф.Т. Релаксорные свойства и механизм проводимости у-облученных кристаллов TlInS2 // ФТТ, 2005. Т.47. №9. С.1665-1669.

105. Мамин Р.Ф., Блинц Р. Время задержки в низкотемпературной фазе релаксоров // ФТТ, 2003. Т.45. №5. С.896-899.

106. Грабовский С.В., Шнайдштейн И.В., Струков Б.А. Влияние примесей органических красителей на диэлектрические свойства кристаллов КН2РО4 // ФТТ, 2003. Т.45. №3. С.518-522.

107. Садыков С.А., Турик А.В. Электролюминесценция и внутреннее экранирование доменов при переполяризации сегнетокерамики в импульсном самосогласованном поле // ФТТ, 2003. Т.45. №11. С.2074-2078.

108. Леманов В.В., Смирнова Е.П., Сотников А.В., Weihnacht М. Диэлектрическая релаксация в SrTi03:Mn // ФТТ, 2004. Т.46. №8. С. 14021408.

109. Gridnev S.A., Popov S.V. Relaxation effect in perovscite ferroelectrics ceramics with smeared phase transition// Ferroelectrics, 1997. Vol.199. P.271-279.

110. Гладкий B.B., Кириков B.A., Иванова E.C. О релаксации диэлектрической проницаемости кристалла Rb2ZnCl4 в области структурного перехода из несоразмерной фазы в соразмерную полярную фазу//Кристаллография, 1998. Т.43. №4. С.710-715.

111. Гладкий В.В., Кириков В.А., Пронина Е.В. О кинетике медленной поляризации сегнетоэлектрического релаксора магнониобата свинца // ФТТ, 2003. Т.45. №7. С.1238-1244.

112. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Исаков Д.В., Иванова Е.С. Особенности сегнетоэлектрических свойств кристаллов Sr0.75Ba0.25Nb2O6 // ФТТ, 2003. Т.45. №11. С.2067-2073.

113. Гладкий В.В., Кириков В.А., Волк Т.Р., Иванова Е.С., Ивлева Л.И. Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика// ФТТ, 2005. Т.47. №2. С.286-292.

114. Ngai K.L. Universality of low-frequency fluctuation, dissipation and relaxation properties of condensed matter// Comments Solid State Phys., 1979. Vol.9. P. 127140 and 1980. Vol.9. P.141-155.

115. Chamberlin R.V., Mozurcewich G., Orbach R. The decay of the magnetisation in spin-glasses // Phys.Rev.Lett., 1984. Vol.52. P.867.

116. Baranov A.I., Shuvalov L.A., Yakushkin E.D., Synitsyn V.V. Proton glass cs5h3(so4)4*xh20: relaxation dynamics// Ferroelectrics, 1997. Vol.199. P.307-316.

117. Rachna Mishra, Rao K.J. Electrical conductivity studies of poly(ethileneoxide) poly(vinylalcohol) blends // Solid State Ionic, 1998. Vol.106. P.l 13-127.

118. Каллаев C.H., Глушков В.Ф. Медленная стадия эволюции несоразмерной сверхструктуры сегнетоэлектрика// ФТТ, 1998. Т.40. №11. С. 2101-2102.

119. Palmer R.G., Stain D.L., Abrahams Е., Anderson P.W. Models of hierarchically constrained dynamics for glassy relaxation // Phys. Rev. Lett., 1984. Vol.53. 10. P.958-961.

120. Гладкий B.B., Кириков B.A., Иванова E.C. Медленная релаксация полидоменного сегнетоэлектрика в слабых электрических полях// ФТТ, 1997. Т.39. №2. С.353-357.

121. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Иванова Е.С. Релаксация поляризации в сегнетоэлектрическом кристалле с различными состояния доменной структуры и поверхности // ФТТ, 1997. Т.39. №11. С.2046-2052.

122. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С., Нехлюдов С.В. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле // ФТТ, 1999. Т.41. №3. С.499-504.

123. Левин М.Н., Постников В.В., Палагин М.Ю., Косцов A.M. Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллы триглицинсульфата // ФТТ, 2003. Т.45. №3. С.513-517.

124. Novotna V., Fousek J., Kroupa J., Hamano K. Ageing and reactivation of domain wall oscillations in the ferroelectrics lock-in phase of purified Rb2ZnCb // Solid State Commun, 1991. Vol.77. №11. P.821-824.

125. Гладкий B.B., Кириков В.А., Желудев И.С., Гаврилова И.В. Влияние механических напряжений на диэлектрическую проницаемость Rb2ZnCU -сегнетоэлектрика с несоразмерной фазой // ФТТ, 1987. Т.29. №6. С. 16901697.

126. Гладкий В.В., Кириков В.А., Иванова Е.С. Релаксация неравновесной солитонной структуры в несоразмерной фазе сегнетоэлектрика // ЖЭТФ, 1996. Т.110. 1,7. С.298-310.

127. Шур В.Я., Румянцев Е.Л., Макаров С.Д. Кинетика переключения поляризации в сегнетоэлектриках конечных размеров // ФТТ, 1995. Т.37. №6. С. 1687-1692.

128. Шур В.Я., Макаров С.Д., Пономарев Н.Ю., Волегов В.В., Тонкачева Н.А., Суслов Л.А., Салащенко Н.Н., Клюенков Е.Б. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата титаната свинца//ФТТ, 1996. Т.38. №6. С. 1889-1895.

129. Стефанович В.А., Глинчук М.Д., Хилчер Б., Кириченко Е.В. Физические механизмы, приводящие к распределению времени релаксации в разупорядоченных диэлектриках // ФТТ, 2002. Т.44. №5. С.906-911.

130. Усманов С.М. Релаксационная поляризация диэлектриков. Расчет спектров времен диэлектрической релаксации. -М.: Наука, Физматлит., 1996. 144 С.

131. Пешиков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках.-Ташкент: Изд. ФАН УССР, 1986. 140 С.

132. Гладкий В.В., Кириков В.А., Нехлюдов С.В., Волк Т.Р., Ивлева Л.И. Поляризация и деполяризация релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция // ФТТ, 2000. Т.42. №7. С. 1296-1302.

133. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твёрдого тела. -М.: Наука, 1977. 552 С.

134. Шелег А.У., Ячковский А.Я., Курилович Н.Ф. Ультразвуковые исследования кристаллов (CH3)2NH2A1(S04)2-6H20, облученных у- квантами и электронами // ФТТ, 2001. Т.43.№11. С.2048-2051.

135. Давидюк Г.Е., Оксюта В.А., Манжара B.C. Электрические, оптические и фотоэлектрические свойства легированных индием монокристаллов сульфида кадмия, облученных электронами// ФТТ, 2002. Т.44. №2. С.246-250.

136. Яковлев В.Ю., Кабанова Е.В., Вебер Т., Пауфлер П. Короткоживущие центры окраски и люминесценция в облученных импульсными электронными пучками кристаллах 1Л№>Оз // ФТТ, 2001. Т.43. №8. С. 15201524.

137. Декола Т.И., Шелег А.У., Теханович Н.П. Влияние электронного облучения на теплоемкость кристаллов (NH2(CH3)2)2-CuC14 в области фазовых переходов // ФТТ, 2002. Т.44. №5. С.942-944.

138. Шелег А.У., Декола Т.И Теханович Т.И. Влияние у-облучения на теплоемкость кристалла (NH2(CH3)2)2-CuC14 в области температур 80 300 К // ФТТ, 2001. Т.43. №6. С. 1086.

139. Виноградов Е.А., Ефимов В.В., Калмыков А.В. Оптические и структурные исследования PLZT х/65/35 (х=4,8%) сегнетокерамики, облученной сильноточным импульсным пучком электронов// Письма в ЭЧАЯ, 2002. 1,110. С.39-40.

140. Сиколенко В.В. Исследование импульсного источника ионов взрывоэмиссионного типа для его использования в физических экспериментах: Дисс. канд. техн. наук.-Дубна, ОИЯИ, 1995. 99 С.

141. Бойко В.И., Валяев А.Н., Погребняк А.Д. Модификация металлических материалов импульсными мощными пучками частиц // УФН, 1999. Т.169.-11. С.1243-1271.

142. Коренев С.А. Разработка и исследование импульсных сильноточных электронных и ионных источников для прикладных задач: Автореф. дисс. на соискание ученой степени д-ра техн. наук. Дубна, ОИЯИ, 1994. 39 С.

143. Латам Р.В. Вакуумная изоляция установок высокого напряжения. -М.: Энергоатомиздат, 1985. 192 С.

144. Свиньин М.П. Расчет и проектирование высоковольтных ускорителей электронов для радиационных технологий. М.: Энергоатомиздат, 1989. 144 С.

145. Rotshtein V.P., Ivanov Yu.F., Lykov S.V., Marcov А.В. Pulsed electron-beam modification of the structure and properties of metallic materials // 1 st International Symposium Beam Technologies (BT-95). Dubna, 1995. P.51.

146. Енчевич И.Б., Тагирова Ф.А., Маринов M.B., Балалыкин Н.И., Скрыпник

147. A.В. Влияние ионной бомбардировки на структуру металлических пленок. Дубна, 1979. 20 С. (Препринт ОИЯИ: Р14-12649).

148. Калмыков А.В., Коренев С.А., Малахов Н.А., Пиляр Н.В., Попов С.А. Автоматизированная система управления и контроля импульсного сильноточного источника электронов и ионов. Дубна, 1998. 7 С. (Препринт: Сообщения ОИЯИ: Р9-98-158).

149. Korenev S.A., Perry A.J., Kalmykov A.V. A pulsed high-current electron-ion-cluster source for the deposition of films and coatings// Surface and coatings technology. USA, 1998. 108-109. P.265-270.

150. Коренев С.А., Рубин Н.Б. Формирование в вакуумных протяженных каналах пристеночной плазмы. Дубна, 1982. 7 С. (Препринт: Сообщение ОИЯИ. Р9-82-13).

151. Карькин А.Е., Щенников В.В., Гощицкий Б.Н., Данилов С.Е., Арбузов

152. B.JL, Кульбачинский В. А. Влияние электронного облучения на гальваномагнитные свойства монокристаллов полупроводников InxBi2.xTe3 // ФТТ, 2003. Т.45. №12. С.2147-2152.

153. Бакалейников JI.A., Заморянская М.В., Колесникова Е.В., Соколов В.И., Флегонтова Е.Ю. Модификация диоксида кремния электронным пучком // ФТТ, 2004. Т.46. №6. С.989-994.

154. Амирханов И.В., Земляная Е.В., Пузынин И.В., Пузынина Т.П., Сархадов И. Численное моделирование фазовых переходов в металлах, облучаемых импульсными пучками ионов. Дубна, 2001. 14 С. (Препринт: Сообщение ОИЯИ: Р11-2001-164).

155. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. -М.: Наука, 1977. 552 С.

156. Бассани Ф., Парравичини Дж.П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. -М.: Наука, 1982. 390 С.

157. Бойко В.И., Евстигнеев В.В. Введение в физику взаимодействия сильноточных пучков заряженных частиц с веществом.- М.: Энергоатомиздат, 1991. 137 С.

158. Калмыков А.В. Комплексная система для использования в экспериментах в области пучковых технологий на базе импульсного сильноточного источника электронов и ионов: Дисс. канд. техн. наук.-Дубна, ОИЯИ, 2002. 84 С.

159. Голицина О.М., Камышева JI.H., Дрождин С.Н. Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате // ФТТ, 1998. Т.40. №1. С.116-117.

160. Тихонов А.Н., Арсенин В.Я. Методы решения некорректных задач. -М.: Наука, 1986. 214 С.

161. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике.-М.: Наука, 1974. 944 С.

162. Шиллер Э., Гайзиг У., Панцер 3. Электролучевая технология.-М.: Энергия, 1980. 150 С.

163. Zajosz H.I. Pyroelectric response coming from cylindrical shaped domains // Ferroelectric, 1983. Vol.48. P.267-280.

164. Zajosz H.I. The temperature dependence of the first second and third harmonics of the non-linear pyroelectric current in monoaxial ferroelectrics having a second-order phase transition // Infrared Phys., 1986. Vol.26. №2. P. 115-118.

165. Lee M.H., Guo R., Bhalla A.S. Pyroelectric sensors // Journal of electroceramics, 1998. Vol.2. №4. P.229-242.