Сверхширокополосный электрически перестраиваемый генератор сантиметрового диапазона в гибридном исполнении тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.04, кандидат наук Хабитуева Екатерина Исаковна

• Хабитуева Екатерина Исаковна
• кандидат наук
• 2021

Оглавление диссертации кандидат наук Хабитуева Екатерина Исаковна

Список сокращений

Введение

1 Широкополосные источники колебаний сантиметрового диапазона волн

1.1 Основные методы частотного синтеза

1.2 Основные характеристики ГУН

1.3 Схемотехника ГУН сантиметрового диапазона волн

1.3.1 Эквивалентная схема ГУН

1.3.2 Управляющие цепи ГУН

1.3.3 Типичные схемы широкополосных ГУН сантиметрового диапазона волн

1.4 Моделирование ГУН сантиметрового диапазона волн

1.4.1 Особенности моделирования ГУН

1.4.2 Выбор системы моделирования

1.5 Цель и основные задачи исследования

2 Обобщённая модель сверхширокополосного ГУН сантиметрового диапазона

волн

2.1 Эквивалентная схема ГУН

2.2 Исследование активного элемента генератора в линейном режиме работы

2.3 Стационарный режим генератора. Выбор базовой структуры ГУН

2.4 Разработка моделей основных компонентов ГУН

2.4.1 Методика измерений характеристик компонентов генератора

2.4.2 Модели SMD-резисторов, SMD-конденсаторов и SMD-индуктивностей

2.4.3 Модели варикапов

2.5 Выводы

3 Моделирование сверхширокополосного ГУН сантиметрового диапазона волн

в гибридном исполнении

3.1 Схемотехническое моделирование основных элементов ГУН

3.1.1 Цепи подачи смещения на варикап

3.1.2 Управляющие цепи генератора

3.1.3 Выходная согласующе-трансформирующая цепь ГУН

3.2 Схемотехническое моделирование ГУН

3.3 ЭМ моделирование ГУН

3.4 Выводы

4 Экспериментальное исследование сверхширокополосного ГУН сантиметрового диапазона волн

4.1 Макет ГУН

4.2 Характеристики стационарного режима ГУН

4.3 Сравнение результатов моделирования ГУН с данными измерений

4.4 Сверхширокополосный источник колебаний сантиметрового диапазона волн

на основе разработанного ГУН

4.4.1 Интеграция разработанного ГУН в сверхширокополосный синтезатор частот с ФАПЧ

4.4.2 Исследование влияния параметров ГУН на флуктуационные характеристики выходного колебания синтезатора частот

4.5 Выводы

Заключение

Список литературы

Приложение

Список сокращений

АДП - активный диодный преобразователь;

АРМ - автоматическая регулировка мощности;

АЭ - активный элемент;

ВАХ - вольт-амперная характеристика;

ВЧ - высокочастотный;

ГУН - генератор, управляемый напряжением;

ГУТ - генератор, управляемый током;

ЖИГ - железо-иттриевый гранат;

МИС - монолитная интегральная схема;

МПЛ - микрополосковая линия / микрополосковый;

ОГ - опорный генератор;

ОУ - операционный усилитель;

ПГ - перестраиваемый генератор;

ПФ - петлевой фильтр;

ПХ - перестроечная характеристика;

САПР - система автоматизированного проектирования;

СПМ - спектральная плотность мощности;

СЧ - синтезатор частот;

ФАПЧ - фазовая автоподстройка частоты;

ФНЧ - фильтр нижних частот;

ФШ - фазовый шум;

ЦАП - цифро-аналоговый преобразователь; ЧФД - частотно-фазовый детектор; ЭМ - электромагнитный; ADS - Advanced Design System;

AWR DE - Applied Wave Research Design Environment;

LDO - Low DropOut (Regulator);

MWO - Microwave Office;

PSRR - Power Supply Rejection Ratio;

SMD - Surface Mounted Device;

SMT - Surface Mount Technology.

Введение

Твердотельные генераторы являются неотъемлемой частью подавляющего большинства радиотехнических устройств, используемых в системах связи, радиолокации, навигации, радиоуправления и др. [1-5].

Одним из видов твердотельных генераторов являются перестраиваемые генераторы (111), обеспечивающие изменение частоты выходного колебания в зависимости от величины приложенного тока или напряжения. В первом случае речь идёт о генераторах, управляемых током (ГУТ), а во втором - о генераторах, управляемых напряжением (ГУН). Подобные устройства широко применяются в синтезаторах частот (СЧ) с системой фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ), которые, в свою очередь, используются, например, в качестве гетеродинов различных приёмо-передающих устройств. При этом в составе большинства современных СЧ применяются именно ГУН, поскольку по сравнению с аналогичными генераторами, управляемыми током, данные устройства характеризуются меньшими массогабаритными параметрами и существенно меньшим (в несколько раз) энергопотреблением, а также обеспечивают на несколько порядков большую скорость перестройки частоты выходного колебания СЧ [1-6].

Использование в радиотехнических устройствах сверхширокополосных ГУН (с рабочей полосой частот не менее октавы) позволяет существенным образом расширить сферы их практического применения. В частности, использование в СЧ с ФАПЧ сверхширокополосных ГУН даёт возможность: 1) перекрыть требуемый частотный диапазон посредством использования меньшего количества перестраиваемых генераторов, то есть заменить одним сверхширокополосным ГУН целый набор генераторов, диапазон перестройки каждого из которых существенно меньше октавы; 2) устранить необходимость использования дополнительной схемы переключения между перестраиваемыми генераторами, входящими в состав СЧ; 3) упростить схему СЧ, а также уменьшить его габариты и энергопотребление по сравнению с устройствами, использующими несколько ГУН, и др. [5-6]

Разработка таких генераторов подразумевает решение широкого круга различных задач, связанных в том числе с выбором необходимого типа управляющих элементов (варикапов). Для обеспечения перестройки частоты выходного колебания ГУН в полосе не менее октавы требуется

наличие варикапов, обладающих достаточно большими значениями коэффициента перекрытия £

по ёмкости к (к = тах/г ). В диапазоне частот до нескольких сотен МГц характерные

значения коэффициента к могут достигать величин не менее 15-20, тогда как на более высоких частотах (от единиц до десятков ГГц) значения указанного параметра обычно не превышают 89. Подобное снижение значений коэффициента перекрытия по ёмкости к приводит к значительному уменьшению реализуемой полосы перестройки частоты ГУН сантиметрового диапазона волн по сравнению с генераторами, рассчитанными на работу в области более низких частот. Как следствие, данное обстоятельство усложняет процесс создания и конечной реализации сверхширокополосных генераторов сантиметрового диапазона волн [2, 7].

В настоящее время разработкой и изготовлением подобных устройств занимаются несколько ведущих компаний-производителей электронных компонентов и модулей: Analog Devices, MACOM, Z-Communications, Crystek Corporation и др. Однако, несмотря на это, количество ГУН, обеспечивающих сверхширокополосную перестройку частоты в сантиметровом диапазоне волн, ограничивается сравнительно небольшим числом образцов, к которым, например, относятся интегральные микросхемы MAOC-409000 [8] и HMC732LC4B [9], выпускаемые компаниями MACOM и Analog Devices и характеризующиеся перестройкой частоты в полосе от 6 до 12 ГГц. При этом в качестве базовых технических характеристик таких генераторов можно рассматривать параметры микросхемы HMC732LC4B, изготавливаемой фирмой Analog Devices [9]: октавный диапазон электрической перестройки частоты (6-12 ГГц) при величине выходной мощности 1 дБм, уровень спектральной плотности мощности (СПМ) фазового шума (ФШ) не более -95 дБн/Гц на отстройке 100 кГц от несущей, уровень гармонических составляющих спектра выходного колебания не более -12 дБн, напряжение питания +5В, типичное значение потребляемого тока 57 мА.

Примеры аналогичных ГУН в коротковолновой части сантиметрового диапазона волн, выполненных на основе доступной гибридной технологии, сочетающей микрополосковые (МПЛ) элементы с SMD-компонентами, в научно-технической литературе практически полностью отсутствуют. Из-за трудностей реализации на частотах более 4-6 ГГц устройств в гибридном исполнении, обусловленных ограничениями технологии, налагаемыми на минимальные размеры используемых компонентов, примеры разработки сверхширокополосных ГУН сантиметрового диапазона волн в имеющейся научно-технической литературе ограничиваются лишь нижней частью сантиметрового и дециметровым диапазонами [5, 10].

Кроме того, в связи с введением ограничений на поставку в Россию различных электронных устройств и систем получение из-за рубежа требуемой продукции становится все более затруднительно [11]. В то же время для создания ГУН, выполненных в виде монолитных интегральных схем (МИС), необходимо наличие специализированного дорогостоящего оборудования, отсутствующего у многих отечественных предприятий-производителей радиотехнических устройств. При этом размещению заказов на изготовление МИС у

соответствующих производителей микроэлектроники (как правило, зарубежных) должен предшествовать этап опытно-исследовательской и проектной деятельности, необходимый для разработки итоговой топологии устройства. Данное обстоятельство значительным образом усложняет процесс создания МИС и не подразумевает возможности внесения оперативных корректив в схему устройства без существенного изменения всего цикла разработки. Как следствие, отсутствует возможность сделать процесс разработки новых устройств гибким и динамичным, что может оказаться критичным в условиях жёстких временных рамок реального производства и возникновения ситуаций, требующих оперативного изменения требуемых характеристик разработки [12].

В связи с изложенным выше практический интерес представляет исследование путей разработки сверхширокополосных генераторов сантиметрового диапазона волн, выполненных на основе доступной и гибкой гибридной технологии с использованием стандартных серийно выпускаемых электронных компонентов. Однако работы, посвящённые исследованию таких генераторов, ограничиваются рассмотрением устройств дециметрового и длинноволновой части сантиметрового диапазонов волн вследствие сложности их реализации на более высоких частотах. Имеющиеся же зарубежные ГУН, обеспечивающие перестройку частоты в диапазоне от 6-8 ГГц и выше [13], в подавляющем большинстве случаев реализуются в виде монолитных и квазимонолитных схем.

Кроме того, при создании сверхширокополосных ГУН сантиметрового диапазона волн также необходимо учитывать особенности сантиметрового диапазона волн, ограничивающие использование в схеме генератора элементов с распределёнными параметрами вследствие значительного изменения их характеристик в пределах полосы перестройки. Применение же в сантиметровом диапазоне волн дискретных элементов (SMD-резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности и др.), требует для разработки генератора наличия достоверных данных о характеристиках рассматриваемых компонентов в широкой полосе частот, учитывающих в том числе существенное в сантиметровом диапазоне волн влияние «паразитных» параметров. Однако, как показывает практика, несмотря на предоставляемую большинством производителей информацию о своей продукции, для целого ряда типов и номиналов полностью или частично отсутствует их подробное описание. Так, например, на сайте одной из ведущих компаний по производству пассивных электронных компонентов Yageo не приводятся Б-параметры, в том числе резисторов относительно небольших типоразмеров (например, типоразмера 0201), предназначенных для создания различных устройств сантиметрового диапазона волн. Вследствие этого разработка ГУН требует для своего проведения большого объёма дополнительных исследований, связанных с измерением параметров используемых БМБ-компонентов [2, 7, 14-18].

При разработке сверхширокополосных генераторов сантиметрового диапазона волн следует уделить особое внимание этапу их моделирования с использованием соответствующих систем автоматизированного проектирования и моделирования (САПР), позволяющих создавать и анализировать модели различных устройств с учётом особенностей рассматриваемого диапазона волн. На сегодняшний момент существует несколько таких автоматизированных систем, используемых в сантиметровом диапазоне волн: AWR Design Environment (AWR DE) [19], PathWave Advanced Design System (ADS) [20], Sonnet Suites [21], Ansys HFSS [22] и др. Некоторые из указанных САПР позволяют при разработке устройств использовать различные виды моделирования. Так, например, одна из наиболее эффективных и широко используемых в инженерной практике автоматизированных систем AWR Design Environment (AWR DE) позволяет проводить как схемотехническое моделирование, так и электромагнитное моделирование устройств [19].

При этом под схемотехническим моделированием подразумевается процесс создания и исследования модели устройства в виде его эквивалентной схемы, реализованной на основе встроенной в автоматизированную систему библиотеки стандартных элементов. Такая библиотека включает в себя как набор дискретных компонентов (пассивных и активных), так и топологические примитивы, необходимые для формирования модели микрополосковых устройств. Электромагнитное (ЭМ) моделирование позволяет проводить анализ произвольной микрополосковой топологии различных устройств методами электродинамики, основанными на использовании уравнений Максвелла. Причём ЭМ моделирование в ряде случаев (особенно в сантиметровом диапазоне волн) даёт более достоверные результаты по сравнению со схемотехническим моделированием планарных структур. Однако в то же время оно более трудоёмко и предъявляет повышенные требования к ресурсам компьютера. Учитывая особенности рассматриваемого сантиметрового диапазона и требуемые октавные полосы перестройки ГУН, значительное влияние на эффективность процесса разработки может играть выбор методов моделирования.

Целью настоящей работы является исследование путей построения и разработка на их основе сверхширокополосных перестраиваемых генераторов сантиметрового диапазона, выполненных в рамках гибридной технологии на основе стандартных промышленно выпускаемых электронных компонентов и не уступающих по основным характеристикам зарубежным аналогам.

Достижение указанной цели требует решения следующих задач:

1. Определение базовой структуры гибридного ГУН сантиметрового диапазона, а также требований, предъявляемых к его управляющим элементам (варикапам), необходимых для обеспечения перестройки частоты выходного колебания генератора в полосе не менее октавы.

2. Проведение экспериментальных исследований характеристик SMD-компонентов и разработка библиотеки их моделей, адекватно описывающих реальные характеристики данных электронных компонентов в сантиметровом диапазоне и необходимых для теоретического анализа стационарного режима работы перестраиваемого генератора.

3. Разработка модели сверхширокополосного ГУН сантиметрового диапазона, учитывающей топологические особенности микрополосковой реализации генератора, на основе уточнённых моделей БМО-компонентов.

4. Анализ основных характеристик сверхширокополосного ГУН на основе разработанной модели генератора.

5. Разработка опытных образцов сверхширокополосного перестраиваемого генератора на основе стандартных промышленно выпускаемых электронных компонентов и их экспериментальное исследование, в том числе в составе стандартной петли ФАПЧ.

Научная новизна работы

1. Усовершенствована методика обработки результатов измерения Б-параметров дискретных компонентов перестраиваемого генератора путём уточнения эквивалентной схемы измерительной установки.

2. Исследовано влияние на характеристики гибридного ГУН сантиметрового диапазона параметров управляющих элементов (варикапов), их количества и способа включения в микрополосковую схему генератора.

3. Разработана методика построения сверхширокополосных генераторов сантиметрового диапазона, выполненных по гибридной технологии, основанная на использовании специальных выходных согласующе-трансформирующих цепей, обладающих существенно немонотонным характером изменения мнимой составляющей импеданса.

4. Разработана модель сверхширокополосного гибридного ГУН сантиметрового диапазона, базирующаяся на электромагнитном (ЭМ) анализе его микрополосковой структуры.

5. Разработаны и исследованы схемы ГУН, выполненные по гибридной технологии и реализующие в сантиметровом диапазоне октавную перестройку частоты.

Теоретическая ценность новых научных результатов

1. Предложенная модель неоднородностей измерительной установки, необходимая для обработки результатов измерений Б-параметров дискретных компонентов ГУН, учитывает (в отличие от традиционной модели) дополнительные потери, а также возможную несимметричность её структуры. Данная модель позволяет существенным образом (до нескольких раз) уменьшить значение взвешенной разницы между измеренными и рассчитанными S-параметрами исследуемого устройства при проведении процедуры обработки экспериментальных данных.

2. Проведённые исследования стационарного режима работы показывают, что в качестве базовой структуры сверхширокополосного ГУН сантиметрового диапазона волн следует использовать схему с двумя управляющими элементами (варикапами) в эмиттерной и базовой цепях активного элемента, характеризующуюся меньшим значением коэффициента перекрытия по ёмкости, требуемого для обеспечения октавной полосы перестройки, чем однодиодная структура, а также меньшей сложностью реализации схемы, чем трехдиодный вариант.

3. Разработанная методика создания гибридных генераторов сантиметрового диапазона волн, основанная на использовании специальных выходных согласующе-трансформирующих цепей, обладающих существенно немонотонным характером изменения мнимой составляющей полного сопротивления, позволяет добиться сверхширокой (в полосе не менее октавы) перестройки ГУН в рассматриваемом диапазоне частот.

4. Разработанная на основе ЭМ анализа микрополосковой структуры ГУН модель перестраиваемого генератора демонстрирует хорошее совпадение результатов моделирования с экспериментальными данными и может быть использована для построения устройств аналогичного назначения.

Практическая ценность новых научных результатов

1. Применение усовершенствованной, в части использования уточнённой модели исключаемых неоднородностей измерительной установки, методики обработки экспериментальных данных позволяет уточнить параметры SMD-компонентов генератора и разработать библиотеку моделей таких элементов, адекватно описывающих их реальные частотные характеристики в сантиметровом диапазоне и необходимых для разработки сверхширокополосных ГУН.

2. Моделирование стационарного режима работы перестраиваемого генератора и его экспериментальные исследования позволили определить конфигурацию схемы ГУН и значения её параметров, обеспечивающие сверхширокополосную (в полосе не менее октавы) перестройку частоты в рассматриваемом диапазоне частот.

3. Практическое использование разработанной топологии микрополосковой схемы ГУН демонстрирует повторяемость результатов в процессе мелкосерийного производства сверхширокополосных генераторов, выполненных по гибридной технологии на основе стандартных промышленно выпускаемых электронных компонентов.

4. Экспериментальное исследование опытных образцов разработанного ГУН, в том числе в составе стандартной петли ФАПЧ, показывает возможность создания на его основе сверхширокополосного источника стабильных колебаний, перестраиваемого в диапазоне частот от 6 до 12 ГГц.

Методология диссертационного исследования

В ходе проведённых исследований использовались следующие методы и подходы:

1. При схемотехническом моделировании сверхширокополосного генератора сантиметрового диапазона волн применялись методы анализа линейных и нелинейных электрических цепей (методы комплексных амплитуд и гармонической линеаризации).

2. Электромагнитное моделирование микрополосковой структуры перестраиваемого генератора базировалось на использовании методов моментов и конечных элементов.

3. При проведении процедуры оптимизации применялись т.н. симплекс-метод (реализованный на основе метода Нелдера-Мида), метод прямого поиска (метод Хука-Дживса) и др.

Положения, выносимые на защиту

1. Определённая в работе базовая структура перестраиваемого генератора, подразумевающая использование двух управляющих элементов (варикапов) в эмиттерной и базовой цепях активного элемента, является наиболее предпочтительной для создания гибридного ГУН сантиметрового диапазона с полосой перестройки частоты выходного колебания не менее октавы.

2. Развитая в работе методика создания выходных согласующе-трансформирующих цепей с существенно немонотонным характером изменения мнимой составляющей импеданса позволяет построить нагрузочную цепь генератора сантиметрового диапазона, обеспечивающую непрерывную перестройку ГУН в сверхширокой (октава и более) полосе частот.

3. Использование при проведении процедуры исключения неоднородностей (англ. de-embedding) модели измерительной установки, учитывающей дополнительные потери, а также возможную несимметричность её структуры, приводит к уменьшению (до нескольких раз) значения взвешенной разницы между измеренными и рассчитанными S-параметрами исследуемого устройства.

4. Созданная библиотека уточнённых моделей SMD-компонентов (резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, варикапов) адекватным образом описывает их реальные характеристики в сантиметровом диапазоне.

Степень достоверности полученных результатов

При решении поставленных задач применялись классические методы анализа линейных и нелинейных электрических цепей (методы комплексных амплитуд и гармонической линеаризации). Для построения моделей перестраиваемого генератора и их исследования использовались специализированные среды моделирования высокочастотных устройств (Microwave Office (MWO), AXIEM, Analyst), входящие в состав автоматизированной системы AWR Design Environment (AWR DE), широко применяемой в инженерной и научной практике.

Результаты проведённых исследований не противоречат известным данным о

моделировании широкополосных устройств сантиметрового диапазона волн, расширяя и дополняя их в части выбора базовой структуры генератора и параметров его схемы. Полученные результаты подтверждены данными экспериментальных исследований, которые проведены на специальных установках с применением стандартных методов измерений регулярных и флуктуационных характеристик исследуемых устройств.

Внедрение результатов работы

Результаты диссертационной работы использовались в ООО «Специальный технологический центр» (ООО «СТЦ») при создании приёмо-передающего оборудования в рамках проекта «навОри (ИНИ)», а также при выполнении ряда НИР, проводимых ФГАОУ ВО «СПбПУ» совместно с ООО «СТЦ» (имеется соответствующий Акт внедрения результатов диссертационной работы).

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Сверхширокополосный электрически перестраиваемый генератор сантиметрового диапазона в гибридном исполнении»

Апробация работы

Материалы, представленные в данной работе, прошли апробацию на следующих конференциях:

1. Научный форум с международным участием «XLIII Неделя науки СПбПУ», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Российская Федерация, 1 - 6 декабря 2014 г.

2. Научный форум с международным участием «XLIV Неделя науки СПбПУ», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Российская Федерация, 30 ноября - 5 декабря 2015 г.

3. 2016 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE 2016), Yuri Gagarin State Technical University of Saratov, Saratov, the Russian Federation, September 22 - 23, 2016.

4. XIII-я международная научно-практическая конференция "Актуальные проблемы электронного приборостроения - АПЭП - 2016», Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Российская Федерация, 3 - 6 октября 2016 г.

5. Научная конференция с международным участием «XLV Неделя науки СПбПУ», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Российская Федерация, 14 - 19 ноября 2016 г.

6. III Всероссийская научно-техническая конференция им. В.А. Солнцева "Проблемы СВЧ электроники - 2017", Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Московский институт электроники и математики им. А.Н. Тихонова, Москва, Российская Федерация, 8-9 ноября 2017 г.

7. 2018 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE 2018), Yuri Gagarin State Technical University of Saratov, Saratov, the Russian Federation, September

27 - 28, 2018.

8. 2018 IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech), Congress Center of Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, the Russian Federation, October 22 - 23, 2018.

9. Научная конференция с международным участием «XLVII Неделя науки СПбПУ», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Российская Федерация, 19 - 24 ноября 2018 г.

10. International Youth Conference on Electronics, Telecommunications and Information Technologies, Congress Center of Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, the Russian Federation, July 11 - 12, 2019.

11. Научная конференция с международным участием «XLVIII Неделя науки СПбПУ», Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Российская Федерация, 18 - 23 ноября 2019 г.

12. International Youth Conference on Electronics, Telecommunications and Information Technologies, Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, the Russian Federation, July 10 - 11, 2020.

13. 2020 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering (APEDE 2020), Yuri Gagarin State Technical University of Saratov, Saratov, the Russian Federation, September 24 - 25, 2020.

14. 2020 IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech), Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, the Russian Federation, October 15 - 16, 2020.

Публикации

По теме представленных в данной работе исследований опубликовано 20 работ, в том числе 5 статей в ведущих рецензируемых отечественных журналах, входящих в перечень ВАК РФ, 8 - в сборниках материалов международных конференций, входящих в перечень Scopus, 7 -в сборниках материалов конференций всероссийского и международного уровней.

Основные результаты в диссертационной работе получены лично автором.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, четырёх глав, заключения, списка литературы и приложения. Общий объем работы составляет 119 страниц, включая 63 рисунка, 7 таблиц, список используемой литературы из 125 наименований и 1 приложение с Актом внедрения результатов диссертационного исследования.

1 Широкополосные источники колебаний сантиметрового диапазона

волн

1.1 Основные методы частотного синтеза

В научно-технической литературе выделяют несколько методов частотного синтеза: 1) прямой (аналоговый и цифровой) метод; 2) косвенный метод; 3) комбинированный, или гибридный метод [5, 23-26]. Основные характеристики данных методов приведены в таблице 1.1 [5-6, 27-39].

Таблица 1.1 - Основные характеристики методов частотного синтеза

Метод Преимущества Недостатки

Прямой аналоговый метод 1 Широкий диапазон частот (с умножителями частот - до 100 ГГц и выше) 2 Высокая скорость переключения частот (от мкс до нс) 3 Низкий уровень ФШ, в основном определяемый характеристиками используемых источников опорных колебаний 1 Получение широкого диапазона частот влечёт за собой резкое увеличение количества используемых источников опорных колебаний, смесителей, блоков фильтрации и проч. 2 Наличие в спектре выходного колебания СЧ нежелательных составляющих, генерируемых смесительными каскадами

Прямой цифровой метод 1 Малый шаг перестройки (единицы мкГц) 2 Высокая скорость переключения частот (сравнима с прямым аналоговым методом) 3 Потенциальное улучшение шумовых характеристик источника опорного г колебания на 20^(-вх), где /вх - частота /вых колебания опорного источника, /вых - 1 Ограниченная полоса частот (несколько сотен МГц) 2 Наличие в спектре выходного колебания СЧ нежелательных составляющих

частота колебания на выходе цифрового СЧ

Косвенный 1 Широкая полоса частот (до 1 Скорость перестройки

метод миллиметрового диапазона волн) ограничена требуемым размером

2 Высокий уровень интеграции шага перестройки и обычно

(практически все ключевые компоненты СЧ значительно ниже, чем в прямым

могут быть интегрированы в один чип) методах

2 На несколько порядков

больший, чем при прямом

цифровом методе, шаг

перестройки, уменьшение

которого приводит к

значительному усложнению

схемы СЧ

Несмотря на широкий диапазон частот (с использованием умножителей частот - вплоть до 100 ГГц и выше) и высокую скорость переключения (от мкс до нс) СЧ, реализующих прямой аналоговый метод, при создании широкополосных источников колебаний сантиметрового диапазона волн в основном используются методы косвенного и/или гибридного частотного синтеза. Данное обстоятельство обусловлено неприемлемо большими массогабаритными параметрами (при прочих равных условиях) широкополосных СЧ, выполненных в рамках прямого аналогового метода, по сравнению с устройствами, построенными по принципу косвенного метода, вследствие необходимости введения в схему СЧ значительного количества источников опорных колебаний, смесительных каскадов, а также различных блоков фильтрации [5-6, 29].

Одним из ключевых элементов СЧ, реализующих метод косвенного частотного синтеза, является ПГ, в качестве которого может выступать либо ГУТ, либо ГУН [5-6, 32-34, 40-41]. Выбор того или иного вида ПГ зависит от требований, предъявляемых к характеристикам выходных колебаний СЧ. Так, например, при создании качественного измерительного оборудования (широкополосных анализаторов спектра, векторных и скалярных анализаторов цепей и проч.) в качестве ПГ СЧ чаще всего используются ГУТ (в большинстве случаев ЖИГ-генераторы, принцип работы которых основан на использовании в роли резонатора железо-иттриевого граната), характеризующиеся широкой полосой перестройки (вплоть до декады и более), сравнительно низким уровнем ФШ (не более -120 дБн/Гц на отстройке 100 кГц от несущей), а также хорошей повторяемостью параметров и высокими значениями частоты выходного колебания (до 2 ГГц и выше для генераторов с ЖИГ-резонатором в виде сферы) [5,

40-46].

Однако существенно большая по сравнению с ГУН инерционность процесса управления частотой ГУТ и, как следствие, на несколько порядков меньшая скорость перестройки частоты синтезаторов на их основе (от единиц до десятков мс), приводит к тому, что в составе СЧ, реализующих косвенный метод частотного синтеза и применяемых при создании различных радиотехнических устройств, в основном используются ГУН [40-41].

1.2 Основные характеристики ГУН

Как указывалось выше (п.1.1), в СЧ с системой ФАПЧ, применяемых в различных системах связи и радиоконтроля, чаще всего используются именно ГУН. В таблице 1.2 представлены основные характеристики современных ГУН сантиметрового диапазона волн, выпускаемых рядом известных компаний-производителей электронных компонентов [9, 47-54].

Таблица 1.2 - Основные характеристики ГУН

Наименование fвых, р вых, ^упр, СПМ ФШ ^пит, ^пит,

ГГц дБм В (100 кГц), В мА

дБн/Гц

НМС586ЬС4Б 4-8 5 0-18 -100 5 55

НМС587ЬС4Б 5-10 5 0-18 -95 5 55

НМС732ЬС4Б 6-12 1 0-23 -95 5 57

НМС6380ЬС4Б 8-16 6 0-23 -92 5 75

НМС733ЬС4Б 10-20 3 -0.25-23 -90 5 70

СУС055ББ-1000-2000 1-2 9 1-20 -115 10 15

СУС055С^ 1600-3200 1.6-3.2 5 0.5-20 -105 5 15

МУС0-1020 1-2 5 0-20 -117 5 22

МУС0-2040-8Б 2-4 2.5 0-20 -109 5 32

Приведённые в таблице 1.2 параметры ГУН являются частью целого ряда характеристик ПГ, входящих в состав и существенным образом влияющих на качество работы всего СЧ,

реализующего косвенный метод частотного синтеза [5-6, 55-58]:

1 Диапазон перестройки частоты

Диапазонные свойства ПГ определяют полосу рабочих частот СЧ с системой ФАПЧ, являющихся одним из ключевых элементов различных систем связи и радиоконтроля [5-6, 55]. Поэтому при реализации различных сканирующих систем и соответствующего измерительного оборудования, требующих наличия СЧ с широкополосной перестройкой частоты в сантиметровом диапазоне волн, возникает необходимость в обеспечении широкополосной перестройки частоты выходного колебания используемых ГУН.

2 Мощность выходного сигнала

Несмотря на то, что ГУН является неотъемлемой частью подавляющего большинства СЧ с системой ФАПЧ, реализация необходимого уровня выходной мощности таких СЧ не предъявляет жёстких требований к уровню выходного колебания ПГ, поскольку достаточно часто в подобных СЧ используются различные усилительные тракты и буферные каскады. Однако для упрощения схемы СЧ, прежде всего направленного на минимизацию массогабаритных параметров конечного устройства, неравномерность выходной мощности ГУН не должна превосходить 3-5 дБ. Данное ограничение позволяет избежать применения в СЧ систем автоматической регулировки мощности (АРМ) и эквалайзеров [5-6, 10].

3 Фазовый шум

Шумовые характеристики ПГ существенным образом влияют на качественные показатели СЧ с системой ФАПЧ, определяя уровень СПМ ФШ вне полосы пропускания петли ФАПЧ. Для построения современных широкополосных СЧ с системой ФАПЧ, применяемых в различных радиотехнических системах, требуется обеспечить уровень СПМ ФШ используемых широкополосных ГУН не выше -95 дБн/Гц на отстройке 100 кГц от несущей во всем диапазоне генерируемых частот [5-6, 13].

4 Гармонические искажения спектра

Гармонические искажения спектра выходного колебания ГУН связаны с уровнем высших гармоник, то есть с мощностью второй, третьей и иногда четвертой гармоник в спектре выходного колебания по отношению к мощности несущей частоты [55]. Наличие подобных составляющих в спектре выходного колебания ГУН существенным образом искажает вид спектра на выходе всего СЧ, в составе которого предполагается использование данного генератора. Поэтому для реализации приемлемого уровня высших гармонических составляющих выходного колебания СЧ с системой ФАПЧ (-15.. .-30 дБн) требуется обеспечить их подавление относительно несущей на выходе ГУН не менее чем на 15 дБ [6].

Однако для ряда современных широкополосных ГУН сантиметрового диапазона волн, выпускаемых известными компаниями-производителями электронных компонентов и модулей,

типичное значение уровня второй гармоники оказывается выше -15 дБн, что в ряде случаев может потребовать значительного усложнения схемы фильтрации выходного колебания ГУН, а значит, и всего СЧ [13]. Так, например, генератор HMC732LC4B [9] от фирмы Analog Devices характеризуется подавлением второй гармоники в пределах 12 дБ. Поэтому исследование и разработка ГУН, демонстрирующих лучшее подавление гармонических составляющих спектра выходного колебания, является актуальной и практически значимой задачей.

5 Энергопотребление

Энергопотребление схемы ГУН связано с определением величины питающего напряжения и соответствующего уровня потребляемого тока [55]. Типичные значения величины потребляемого тока широкополосных ГУН варьируются в достаточно широких пределах - от 1520 до 60-70 мА (при номинальном напряжении питания 5 В). При этом меньшее энергопотребление свойственно ГУН, работающим в нижней части сантиметрового диапазона волн (в основном до 2 ГГц), а большее потребление тока - для более высокочастотных генераторов [47-54]. Так, например, для микросхемы ГУН HMC732LC4B [9], выпускаемой компанией Analog Devices и обеспечивающей перестройку частоты в диапазоне от 6 до 12 ГГц, потребляемая мощность составляет 285 мВт, тогда как для генератора MVC0-1020 [53], предназначенного для работы в полосе частот от 1 до 2 ГГц, уровень потребляемой мощности не превосходит 110 мВт.

6 Затягивание частоты выходного колебания ГУН и зависимость её значения от величины напряжения питания и температуры

Зависимость значения частоты выходного колебания ГУН от величины изменения питающего напряжения определяется при номинальной температуре Гном = 300 К и нагрузке RH = 50 Ом [55]. Для большинства современных широкополосных ГУН сантиметрового диапазона волн данный параметр составляет несколько десятков МГц/В [47-54].

Зависимость частоты выходного колебания ГУН от температуры определяется как уход частоты от номинальной величины для предельно допустимых значений температуры окружающей среды [55]. Для современных генераторов указанный параметр составляет менее 1МГц/оС [47-54].

Затягивание частоты выходного колебания ГУН представляет собой зависимость частоты на выходе генератора от значения полного электрического сопротивления нагрузки и для большинства современных широкополосных генераторов сантиметрового диапазона волн не превышает нескольких десятков МГц [47-54].

1.3 Схемотехника ГУН сантиметрового диапазона волн

1.3.1 Эквивалентная схема ГУН

На рисунке 1.1 приведены упрощённые эквивалентные схемы ГУН, в которых [У] и [7] -У- и Z-матрицы активного элемента (АЭ) ГУН, У^ (/ = 1... 3) и (у = 1... 3)) - проводимости и импедансы цепей, подключённых к выводам АЭ.

а)

Рисунок 1.1 - Упрощённые эквивалентные схемы ГУН: а) параллельная схема; б)

последовательная схема

б)

Для схемы, изображённой на рисунке 1.1а, уравнение стационарного режима работы (режима установившихся колебаний) имеет следующий вид [2]:

^Вых + ^н 0,

(1.1)

где Гн = У3, Гвых = ^22 + Ъ - (\™Ту2¥2), = 1,2) - элементы матрицы [У].

Из уравнения (1.1) следует, что для обеспечения режима генерации необходимо, чтобы выполнялись следующие условия:

МГвых) + МГн) = 0 МПвых) + /т(*н) = 0

(12)

Для схемы, изображённой на рисунке 1.16, уравнение стационарного режима работы

(режима установившихся колебаний) имеет следующий вид [2]:

^вых+^н = 0, (1.3)

где 2н = ¿3, ¿вых = ^22 +%2--711+71+72—' = 1>2) - элементы матрицы Щ.

Из уравнения (1.3) следует, что для обеспечения режима генерации необходимо, чтобы выполнялись следующие условия:

(Ивовых) + М^н) = 0

Ът(г вых) + 1т(г н) = 0 ( )

При этом элементы матрицы [22] связаны с элементами матрицы [7] следующим образом: ^ _ У+2 ^ _ _ ^12 £ _ _ ^21^ _ ^11

11 ЛV ' 12 лу' 21 лу' 22 лу' ( . )

где ДГ = 1/Д2, ДГ = Гц^ - У^.

Выбор того или иного типа схемы ГУН (последовательной или параллельной) зависит от множества различных факторов, а именно: значений рабочих частот генератора, требуемой точности проектирования, методов реализации и т.д. [2]. Так, например, при проектировании гибридного ГУН наиболее предпочтительной с точки зрения простоты схемной реализации является последовательная схема генератора, приведённая на рисунке 1.16.

Как видно из уравнений (1.3-1.4), для выполнения условий стационарного режима работы генератора необходимо обеспечить соотношение активных и реактивных составляющих Zвых и 2н согласно (1.4). Решение уравнений стационарного режима (1.4) позволяет определить частоту и мощность автоколебаний. При разработке перестраиваемых генераторов один или более двухполюсных элементов 2^ (у = 1...3) (рисунок 1.16), подключаемых в выводам АЭ ГУН, могут включать в себя управляющие цепи, то есть цепи с варикапами, изменение напряжения на которых приводит к изменению импедансов 2^ ( = 1.3), а значит, и к изменению решений уравнений стационарного режима - и, в первую очередь, частоты генерации. Поэтому характеристики управляющих цепей, их число и способы включения в них варикапов будут в значительной степени определять диапазонные свойства перестраиваемого генератора.

1.3.2 Управляющие цепи ГУН

Под термином «управляющие цепи ГУН» подразумеваются цепи перестраиваемого генератора, содержащие один или несколько управляющих элементов (чаще всего - варикапов), необходимых для осуществления перестройки частоты выходного колебания ГУН в требуемом диапазоне частот.

На рисунке 1.2 приведены упрощённые эквивалентные схемы управляющих цепей ГУН.

dpCex Сварит

а)

Хвх

Г

L =j=Cex Ce°Pj\

б)

Leap

Lвx

Хвх

—,— Свх

В)

Рисунок 1.2 - Упрощённые эквивалентные схемы резонансной системы ГУН

На данных схемах символом «Свар» обозначена модель варикапа, «¿» - модель катушки индуктивности, «Свх» - входная эквивалентная ёмкость активного элемента (АЭ), «£вар» и «¿вх» - индуктивности, формирующие с «¿» Г-трансформатор.

Для схемы, изображённой на рисунке 1.26, частота генерации может быть вычислена по следующей формуле [2, 5]:

ВЫХ 2n-^LCBX I сварО, "вар,_к V Свх ( <Р }

(1.6)

1

1

Для того чтобы получить максимально линейную перестроечную характеристику ГУН, необходимо минимизировать следующий параметр [2]:

^ ^макс(^вар) ^мин(^вар) „з (г, ' (17)

Лш ивар мин+^

I/

где = —

Сравнение равенства (1.7) с аналогичным выражением для резонансной цепи, изображённой на рисунке 1.2а (а7 = вар макс ^)1-у), показывает, что снижение нелинейности

^вар мин+Ф

перестроечной характеристики проще осуществить именно для колебательного контура,

приведённого на рисунке 1.2а. Однако это вовсе не означает, что при разработке ГУН необходимо ориентироваться исключительно на указанный резонансный контур, поскольку в рассмотренных случаях модели резонаторов были сформированы на основе идеализированных сосредоточенных элементов, не учитывающих «паразитные» параметры реальных компонентов [1]. Дальнейший анализ показал [5, 7], что усложнение резонансной системы путём введения Т-образного индуктивного трансформатора (рисунок 1.2в) позволяет существенным образом улучшить диапазонные свойства ГУН при одновременном увеличении линейности его перестроечной характеристики по сравнению, например, с генератором на основе резонансного контура, изображённого на рисунке 1.2а.

Данное обстоятельство обусловлено зависимостью вида перестроечной характеристики не только от характеристик используемого варикапа и активного элемента ГУН, но и от соотношения величин ¿вар, ¿вх и ¿, что в свою очередь ослабляет требования, предъявляемые к управляющим элементам широкополосных генераторов сантиметрового диапазона волн [7]. Однако при этом следует отметить, что данные выводы базируются на рассмотрении схем управляющих цепей ГУН, построенных на основе идеальных Ь, С-элементов и не учитывающих «паразитные» параметры микрополосковой схемы генератора и используемых электронных компонентов. Пренебрежение указанными параметрами в сантиметровом диапазоне волн может приводить к значительным ошибкам проектирования, вследствие чего процесс разработки ГУН требует проведения дополнительных исследований микрополосковой схемы генератора, построенной на основе адекватных моделей элементов топологии и используемых БМО-компонентов [14-17, 59].

1.3.3 Типичные схемы широкополосных ГУН сантиметрового

диапазона волн

Построение схем широкополосных ГУН сантиметрового диапазона волн непосредственным образом связано не только с выбором типа управляющих элементов (варикапов), но и с определением необходимого их количества и способа включения в схему генератора [2]. Так, например, для обеспечения октавных (и более) полос перестройки частоты выходного колебания ГУН требуется использование в схеме генератора т.н. «гиперрезких»

варикапов, отличающихся коэффициентом перекрытия по ёмкости не менее 6-8 [16, 60].

На рисунке 1.3а приведена упрощённая эквивалентная схема ГУН, на основе которой в работах [61-63] был проведён анализ влияния на диапазонные свойства перестраиваемого генератора количества варикапов и способов их включения.

Kf

1

2

3

Kci,Kc2

ю

б)

Рисунок 1.3 - Схема ГУН с общей базой

Здесь KCi

птах

_ ^VB

ртах jz _ bVE

17Т7, ИГ.

V — ^тах / ип и ^f = /ШГ

' nmin, l^C2 / пmin и 'V

- bVB ' bVE

Из рисунка 1.36 видно, что схема с двумя управляющими элементами в эмиттере и базе транзистора (кривая 1 на рисунке 1.3б) характеризуется большим (как минимум, в 1.2 раза) диапазоном перестройки выходной частоты широкополосного ГУН, чем схемы с одним варикапом в базовой (кривая 2 на рисунке 1.3 б) и эмиттерной (кривая 3 на рисунке 1.3 б) цепях соответственно [61-63]. Это значит, что при прочих равных условиях использование в схеме ГУН двух управляющих цепей позволяет получить больший (как минимум, в 1.2 раза) диапазон перестройки частоты, чем схема с одной управляющей цепью. Однако при этом необходимо учитывать следующее:

1) схема, приведённая на рисунке 1.3 а является упрощённой эквивалентной схемой ГУН, не учитывающей «паразитные» параметры используемых электронных компонентов и неоднородности самой микрополосковой структуры генератора, что в сантиметровом диапазоне волн может приводить к существенным ошибкам проектирования [2, 14-17, 59];

2) модели управляющих элементов (варикапов), используемые в схеме ГУН, приведённой на рисунке 1.3 а, построены на основе идеальных конденсаторов переменной ёмкости, не учитывающих особенности частотных зависимостей реальных компонентов;

3) модель активного элемента данной схемы ГУН приведена в крайне упрощённом виде -включает в себя лишь источник тока и две ёмкости и рассчитана на работу исключительно в

линейном режиме работы и т.д.

Вышеуказанные упрощения и допущения приводят к тому, что полученные в работах [6163] выводы носят весьма ограниченный характер и вряд ли могут быть в полной мере использованы при разработке широкополосных ГУН сантиметрового диапазона волн. Поэтому вопрос о количестве и способах включения управляющих цепей в схему ГУН требует проведения дополнительных исследований с учётом специфики частотного диапазона, в том числе в стационарном режиме работы генератора.

ГУН на основе одной управляющей цепи

На рисунке 1.4 приведены типичные схемы ГУН, построенные на основе одной управляющей цепи [2, 3].

а)

б)

Рисунок 1.4

Схема генератора, приведённая на рисунке 1.4а, характеризуется полосой перестройки частоты в пределах от 11.3 до 14.3 ГГц, схема на рисунке 1.46 - в диапазоне от 7.055 до 11.93 ГГц, а схема на рисунке 1.4в - от 3.4 до 4.6 ГГц.

В большинстве случаев использование в генераторе одной управляющей цепи не позволяет достичь октавной перестройки частоты выходного колебания ГУН. Например, в [6466] диапазон перестройки частоты составляет менее 20%, в [67-69] - не более 10%, а в [70-72] -и вовсе единицы процентов. Однако в ряде случаев для ГУН, построенных на основе одной управляющей цепи, возможно получение широких (в пределах октавы и более) полос перестройки, но лишь в длинноволновой части сантиметрового диапазона волн (единицы ГГц).

В качестве примера на рисунке 1.5 приведена схема генератора, частота выходного колебания которого перестраивается в полосе от 0.98 до 2.12 ГГц включительно при изменении управляющего напряжения в диапазоне от 0 до 20 В.

Рисунок 1.5 - Схема сверхширокополосного ГУН с парой встречно-включённых

варикапов

ГУН на основе нескольких управляющих цепей

Одним из возможных (и чаще всего применяемых на практике) способов расширения диапазона перестройки частоты ГУН является использование в генераторе сантиметрового диапазона волн нескольких управляющих цепей [2, 73-75].

В качестве примера такого генератора с несколькими варикапами на рисунке 1.6а приведена эквивалентная схема ГУН с тремя управляющими цепями, соединёнными с соответствующими выводами АЭ генератора, а на рисунке 1.6б - пример его реализации в виде монолитной интегральной схемы [73-75].

б)

Рисунок 1.6 - Многодиодный ГУН

Указанный генератор обеспечивает перестройку частоты в диапазоне от 9.9 до 21.9 ГГц.

Согласно результатам исследований, приведённым в работах [73-75], подобная конфигурация многодиодного ГУН (с использованием трёх управляющих цепей) характеризуется на 30% более широкой полосой перестройки в исследуемом диапазоне частот (9.9-21.9 ГГц) по сравнению с двухдиодным вариантом. Однако при этом отсутствует подробная информация о типе используемого активного элемента (АЭ), а также параметрах применяемых варикапов, что усложняет задачу сравнения характеристик модели данного генератора (рисунок 1.66) с другими. Кроме того, необходимо отметить, что сверхширокополосный ГУН, модель которого приведена на рисунке 1.66, выполнен на основе монолитной интегральной схемы, предназначенной для работы на частотах 15-20 ГГц и выше. Особенности используемой технологии позволяют существенно снизить влияние «паразитных» параметров компонентов генератора на его характеристики, что даёт возможность упростить при анализе модель ГУН, из-за чего сделанные в работе выводы и численные оценки могут быть не применимы к устройствам в гибридном исполнении.

Таким образом, в результате проведённого анализа научно-технической литературы было установлено следующее:

1) подавляющее большинство исследований, касающихся определения лучшего с точки зрения диапазона перестройки частоты способа включения в схему генератора управляющих элементов, а также требуемого их количества выполнены на основе упрощённых эквивалентных схем ГУН, чаще всего с использованием идеальных моделей элементов топологии и электронных компонентов, не учитывающих т.н. «паразитные» параметры [2-4, 5, 7, 61-63];

2) примеры сравнения трехдиодной и двухдиодной структур ГУН в основном осуществляются на основе МИС [73-75], тогда как в гибридных генераторах добавление третьей

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Хабитуева Екатерина Исаковна, 2021 год

Список литературы

1. Andronov A.A., Vitt A.A., Khaikin S.E. Theory of Oscillators: Adiwes International Series in Physics. - Elsevier Science, 2013. - 762 p.

2. Grebennikov A.V. RF and Microwave. Transistor Oscillator Design / A.V. Grebennikov. -John Wiley & Sons, Ltd., 2007. - 441 p.

3. Rohde U.L., Poddar A.K., Bock G. The Design of Modern Microwave Oscillators for Wireless Applications: Theory and Optimization. - John Wiley & Sons, Ltd., 2005. - 542 p.

4. Abrie P.L.D. Design of RF and Microwave Amplifiers and Oscillators. - Artech House Publishers, 1999. - 480 p.

5. Глазов Г.Н., Горевой А.В. Методы измерений на СВЧ: т.2 Управляемые генераторы СВЧ. - Томск: ЗАО «Издательство «Красное знамя», 2015. - 1016 с.

6. Chenakin A.V. Frequency Synthesizers: Concept to Product. - ARTECH HOUSE, INC., 2011.

- 305 p.

7. Grebennikov A.V. Wideband linear varactor tuning of LC resonant circuits /A.V. Grebennikov//Int. J. Elect. Enging. Educ. - 1999. - Pp. 37-45.

8. MAOC-409000. Broadband Voltage Controlled Oscillator 6-12 GHz [Электронный ресурс].

- Режим доступа: https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/893810/MA-COM/MAOC-409000.html.

9. HMC732LC4B. Wideband MMIC VCO with buffer amplifier 6-12 GHz [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc732.pdf.

10. Горевой А.В. Генератор диапазона 1 -2 ГГц с повышенной крутизной регулировочной характеристики / А.В. Горевой // Доклады ТУСУРа. - 2011. - № 1 (23). - С. 44-49.

11. Кочемасов В.Н., Строганова Е.П. Электронные компоненты иностранного производства. Ограничение экспорта в Россию / В.Н. Кочемасов, Е.П. Строганова // Электроника НТБ. - 2013. - № 1. - С. 125-129.

12. Гнатюк Д.Л. Моделирование и проектирование монолитных интегральных схем малошумящих усилителей диапазона крайне высоких частот: дис. канд. техн. наук: 05.27.01 / Гнатюк Дмитрий Леонидович. - М., 2012. - 122 с.

13. Wideband VCO [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/ en/parametricsearch/10718.

14. Stauffer G.H. Finding the Lumped Element Varactor Diode Model/G.H. Stauffer // High

Frequency Electronics. - 2003. - V. 2. - № 6. - Pp. 22-28.

15. Sun W. Accurate EM Simulation of SMT Components in RF Designs / W. Sun // Proceedings of the 2017 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC). - 2017. - Pp. 140-143.

16. Малышев В.М., Матвеев Ю.А., Никитин А.Б., Худяков А.В. Выбор варактора для широкополосного перестраиваемого генератора СВЧ // Материалы Междунар. науч.-техн. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП-2014)». - 2014. - Т. 1. - С. 34-41.

17. Bahl I.J. Lumped Elements for RF and Microwave Circuits. - Artech House, Inc., 2003. -

488 p.

18. High Precison High Stability Thin Film Chip Resistor [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.yageo.com/en/Product/Index/rchip/thin_film/rt.

19. AWR Design Environment [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.awr.com/software/products/awr-design-environment.

20. PathWave Advanced Design System (ADS) [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.keysight.com/ru/ru/products/software/pathwave-design-software/pathwave-advanced-design-system.html.

21. Sonnet. Precision electromagnetics [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.sonnetsoftware.com/products/sonnet-suites/.

22. Ansys HFSS. 3D Electromagnetic Field Simulator for RF and Wireless Design [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.ansys.com/products/electronics/ansys-hfss.

23. Манассевич В. Синтезаторы частот. Теория и проектирование: пер. с англ. под ред. Певзнера В. А. - М.: Радио и связь, 1979. - 382 с.

24. Chenakin A.V. Frequency Synthesis: Current Solutions and New Trends / A.V. Chenakin // Microwave Journal. - 2007. - Pp. 256-266.

25. Chenakin A.V. Frequency Synthesis: Current Status and Future Projections / A.V. Chenakin // Microwave Journal. - 2017. - V. 60. - № 4. - Pp. 22-36.

26. Elo M. High-Speed Wideband Frequency Synthesis / M. Elo // International Telemetering Conference Proceedings. - 2013. - V. 49.

27. Ченакин А.В. Частотный синтез: текущие решения и новые тенденции / А.В. Ченакин // Электроника НТБ. - 2008. - № 1. - С. 92-97.

28. Белов Л.А. Синтезаторы стабильных частот / Л.А. Белов // Электроника НТБ. - 2004. -№ 3. - С. 38-44.

29. Chenakin A.V. Building a Microwave Frequency Synthesizer - Part 1: Getting Started / A.V. Chenakin // High Frequency Electronics. - 2008. - Pp. 58-67.

30. Kroupa V.F. Direct Digital Frequency Synthesizers. - New York: IEEE Press, 1999. - 383

p.

31. Vaucher C.S. Architectures for RF Frequency Synthesizers. - Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 2003. - 250 p.

32. Chenakin A.V. Synthesizers: Looking Beyond the Basics / A.V. Chenakin // Microwave Journal. - 2014. - Pp. 84-94.

33. Никитин Ю.А. Частотный метод анализа синтезаторной системы импульсно-фазовой автоподстройки частоты. Часть 1. Фильтрация помех структурой ФАП: классификация и основы теории / Ю.А. Никитин // Современная электроника. - 2007. - № 4. - С. 50-54.

34. Романюк В.А. Синтезаторы частот на основе автогенераторов с ФАПЧ: учебное пособие. - М.: МИЭТ, 2005. - 100 с.

35. Кандырин Н.П. Комбинированные синтезаторы сигналов на основе двухкольцевой ИФАПЧ и ЦСС / Н.П. Кандырин // Системи обробки шформацп. - 2015. - № 1 (126). - С. 27-31.

36. Кандырин Н.П. Перспективы использования комбинированных формирователей на основе ФАПЧ и ЦСС для формирования СВЧ сигналов. Фазовые шумы системы ФАПЧ / Н.П. Кандырин // Збiрник наукових праць Харювського ушверситету Пов^яних Сил. - 2014. - № 2 (39) - С. 70-73.

37. Tian L., Liu J. A wideband frequency synthesizer with high frequency resolution // Microwave and Optical Technology Letters. - 2013. - V. 55. - № 10. - Pp. 2454-2457.

38. Кузменков А.С., Поляков А.Е., Стрыгин Л.В. Обзорный анализ современных архитектур синтезаторов частот с ФАПЧ // Труды МФТИ. - 2013. - Т. 5. - № 3. - С. 121-133.

39. Поляков А.Е., Кузменков А.С., Стрыгин Л.В. Синтезаторы частот с ЦВС в тракте обратной связи // Труды МФТИ. - 2015. - Т. 7. - № 1. - С. 119-131.

40. Горевой А.В. Выбор генераторов для построения малошумящих СВЧ-синтезаторов / А.В. Горевой // Компоненты и технологии. - 2012. - № 6. - С. 12-17.

41. Chenakin A.V. YIGs or VCOs in PLLs? / A.V. Chenakin // Microwaves&RF. - 2011. - Pp.

72-74.

42. Литвиненко А.Н., Тихонов В.В. Термостабильный перестраиваемый ЖИГ генератор // Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Физика. - 2014. - Т. 14. - № 1. - С. 35-40.

43. MODEL VIDA V-12. Differential YIG Tuned Oscillator [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://docs.wixstatic.com/ugd/ded6d1_c82e4aec32ff49dcb8ba1e526949b851.pdf.

44. MINIATURE PACKAGING YIG OSCILLATORS WITH 12 BIT DIGITAL DRIVERS. YIG OSCILLATORS 2-18 GHz [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.omniyig.com/sites/default/files/yigosc_yom3824dd.pdf.

45. MLSMO - SERIES SURFACE MOUNT .5" PERMANENT MAGNET YTO's [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.microlambdawireless.com/pdfs/MLSMO%20Series%20.5%20Data%20Sheet.pdf.

46. YIG Tuned Oscillator [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.cetc-ei.com/PDF/2/Oscillator.pdf.

47. HMC586LC4B WIDEBAND MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 4 - 8 GHz [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc586.pdf.

48. HMC587LC4B WIDEBAND MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 5-10 GHz [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc587.pdf.

49. HMC6380LC4B WIDEBAND MMIC VCO WITH BUFFER AMPLIFIER 8.0 - 16.0 GHz [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/HMC6380.pdf.

50. HMC733LC4B WIDEBAND MMIC VCO w/ BUFFER AMPLIFIER, 10 - 20 GHz [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc733.pdf.

51. Voltage Controlled Oscillator-VCO CVCO55BE-1000-2000 [Электронный ресурс]. -Режим доступа: http://www.crystek.com/microwave/admin/webapps/welcome/files/vco/CVCO55BE-1000-2000.pdf.

52. Voltage Controlled Oscillator-VCO CVCO55CW-1600-3200 [Электронный ресурс]. -Режим доступа: http://www.crystek.com/microwave/admin/webapps/welcome/files/vco/CVCO55CW-1600-3200.pdf.

53. MVCO-1020 - генератор, управляемый напряжением [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://vebion.m/upload/iblock/5a9/5a94aa3475f53f90©fd6e0a417f4699.pdf.

54. MVCO-2040-SF Voltage Controlled Oscillator 2-4 GHz [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://micran.com/sites/micran_eng/tmpl/default/p/pdf/MVC0-2040.pdf.

55. Белов Л.А. Компоненты синтезаторов стабильной частоты. Генераторы, управляемые напряжением / Л.А. Белов // Электроника НТБ. - 2004. - № 1. - С. 42-46.

56. Khanna A.P.S. State of the Art in Microwave VCOs / A.P.S. Khanna // Microwave Journal. - 2015. - Pp. 22-42.

57. Бельчиков С.А. Фазовый шум: как спуститься ниже -120 дБн/Гц на отстройке 10 кГц в диапазоне частот до 14 ГГц, или борьба за децибелы / С.А. Бельчиков // Компоненты и технологии. - 2009. - № 5. - С. 139-146.

58. ГОСТ 23221-78 Модули СВЧ, блоки СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения (с изменениями №1,2). - М.: Стандартиформ, 2005. - 12 с.

59. Дидилев С. Особенности применения и критерии выбора конденсаторов и резисторов для работы в цепях ВЧ/СВЧ / С. Дидилев // Компоненты и технологии. - 2005. - № 5. - С. 38-44.

60. Cory R. The Nuts and Bolts of Tuning Varactors / R. Cory // High Frequency Electronics. -2009. - Pp. 42-51.

61. Grebennikov A.V. Wideband VCO designs are independent of circuit parameters / A.V. Grebennikov // Microwaves&RF. - 2001. - V. 40. - № 8. - Pp. 147-155.

62. Grebennikov A.V. An analytic method of microwave bipolar single-frequency and voltage-controlled oscillator design / A.V. Grebennikov // International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering. - 1999. - V. 9. - № 5. - Pp. 403-414.

63. Grebennikov A.V. RF and microwave oscillator design [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.researchgate.net/publication/309726668_RF_and_microwave_oscillator_design.

64. Magrisso T., Elad D., Buadana N., Kraus S., Cohen E.D., Gavrilov A., Cohen S., Ritter D. An X-Band Low Noise InP-HBT VCO with Separate Optimized Varactor Layers // 2007 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium. - 2007. - Pp. 661-664.

65. Kitagawa S., Suzuki S., Asada M. 650-GHz Resonant-Tunneling-Diode VCO With Wide Tuning Range Using Varactor Diode // IEEE Electron Device Letters. - 2014. - V. 35. - № 12. - Pp. 1215-1217.

66. Perez J.C., Guardado A.H., Freixedas J.C., Ambrojo J.C.P. A Hybrid Bipolar Wideband VCO with Linearized Tuning Behaviour for a New Generation TTC Transponder // 2018 48th European Microwave Conference (EuMC). - 2018. - Pp. 1341-1344.

67. Chang C.-L., Tseng C.-H. Design of Microwave Oscillator and Voltage-Controlled Oscillator with Second and Third Harmonic Suppressions // Proceedings of the Asia-Pacific Microwave Conference 2011. - 2011. - Pp. 876-879.

68. Singha H., Parmara Y., Rajb V.B., Pandyac H.M., Kumara J., Mishraa M., Nimala A.T., Sharmaa M.U. Sensitivity Enhancement Studies of SAW vapor sensor by oscillator tuning using Varactor diode // IEEE Sensors Journal. - 2016. - V. 17. - № 5. - Pp. 1391-1398.

69. Kosov A.S., Zotov V.A., Skulachev D.P., Vald-Pedov V.M. The Ka-band VCO with linear tuning // 2004 14th International Crimean Conference "Microwave and Telecommunication Technology". - 2004. - Pp. 106-107.

70. Jinshui J., Xingguo L., Wen W. Ka-band hybrid planar circuit voltage controlled oscillator // 2000 2nd International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology Proceedings. -2000. - Pp. 491-493.

71. Chang C.-L., Tseng C.-H. Design of Low Phase-Noise Oscillator and Voltage-Controlled Oscillator Using Microstrip Trisection Bandpass Filter // IEEE Microwave and Wireless Components Letters. - 2011. - V. 21. - № 11. - Pp. 622-624.

72. Patel S.S., Gupta S., Ghodgaonkar D. Ku-Band Novel Voltage Controlled Oscillator Microwave Integrated Circuit with Low Phase Noise // 2014 International Conference on Computational

Intelligence and Communication Networks. - 2014. - Pp. 74-77.

73. Tsuru M., Kawakami K., Tajima K., Miyamoto K., Nakane M., Hieda M., Miyazaki M. A Triple Tuned Ultra-Wideband VCO in X-K Band // Proceedings of 3rd European Microwave Integrated Circuits Conference. - 2008. - Pp. 458-461.

74. Tsuru M., Kawakami K., Tajima K., Miyamoto K., Nakane M., Itoh K., Miyazaki M., Isota Y. A Triple-Tuned Ultra-Wideband VCO // IEEE MTT. - 2008. - Pp. 346-354.

75. Tsuru M., Hayashi R. Microwave Triple Tune Wideband VCO // Mitsubishi Electric Advance. - 2009. - Pp. 8-10.

76. MGV125-x Series. GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes 1.25 Constant Gamma [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://cdn.macom.com/datasheets/MGV125-x%20Series.pdf.

77. Малышев В.М., Матвеев Ю.А., Никитин А.Б., Худяков А.В. Модель варикапа для разработки сверхширокополосных перестраиваемых генераторов СВЧ // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Информатика. Телекоммуникации. Управление. - 2014. - № 2 (193). - С. 5560.

78. Hiebel M. Основы векторного анализа цепей / Пер. с англ. Смольского С.М. под ред. Филипп У. - М.: Издательский дом МЭИ, 2009. - 500 с.

79. Agilent De-embedding and Embedding S-Parameter Networks Using a Vector Network Analyzer. Application Note 1364-1 [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://anlage.umd.edu/Microwave%20Measurements%20for%20Personal%20Web%20Site/5980-2784EN.pdf.

80. Сиркели А.И., Драч В.Е. Обзор САПР моделирования СВЧ-устройств / А.И. Сиркели, В.Е. Драч // Интерактивная наука. - 2017. - № 11. - С. 139-141.

81. PathWave RF Synthesis (Genesys) [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.keysight.com/ru/ru/products/software/pathwave-design-software/pathwave-rf-synthesis-software.html.

82. PathWave EM Design (EMPro) [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.keysight.com/ru/ru/products/software/pathwave-design-software/pathwave-em-design-software.html.

83. Вай Д. Обзор нововведений NI AWR Design Environment V14 // Современная электроника. - 2018. - №8. - С. 2-5.

84. Сифри Д. САПР ADS 2011.10: новая эпоха проектирования ВЧ- и СВЧ-устройств / Д. Сифри // Современная электроника. - 2012. - № 5. - С. 66-69.

85. Яп Х.-С. Agilent Genesys - недорогое и высокопроизводительное решение для моделирования ВЧ и СВЧ схем / Х.-С. Яп // Современная электроника. - 2012. - № 8. - С. 52-55.

86. Романюк В.А. Проектирование СВЧ-генератора, управляемого напряжением / В.А. Романюк // Современная электроника. - 2010. - № 2. - С. 46-51.

87. Белкин М.Е., Лопарев А.В. Компьютерное проектирование монолитной интегральной схемы сверхвысокочастотного генератора на гетероструктурных полевых транзисторах // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. - 2010. - № 1 (224). - С. 45-52.

88. Mirajkar P., Chand J., Aniruddhan S., Theertham S. Low Phase Noise Ku-Band VCO With Optimal Switched-Capacitor Bank Design // IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. - 2018. - V. 26. - Pp. 589-593.

89. Xu X., Chen C., Sugiura T., Yoshimasu T. 18-GHz band low-power LC VCO IC using LC bias circuit in 56-nm SOI CMOS // 2017 IEEE Asia Pacific Microwave Conference (APMC). - 2017. -Pp. 938-941.

90. Ortega-Rosales E.B., Sandoval-Ibarra F., Becerra-Alvarez E. A Silicon-based 2.4GHz Fully-differential LC-VCO: A Design Methodology Proposal // 2015 International Conference on Synthesis, Modeling, Analysis and Simulation Methods and Applications to Circuit Design (SMACD). - 2015. -Pp. 1-4.

91. Moghadami S., JalaliBidgoli F., Ahmadi A. Analysis and design LC cross coupled VCO regarding different phase noise approaches // 2013 IEEE International RF and Microwave Conference (RFM). - 2013. - Pp. 278-282.

92. NESG3031M14 [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.cel.com/parts.do?command=load&idRootPart=566.

93. BFU610F. NPN wideband silicon RF transistor [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.nxp. com/docs/en/data-sheet/BFU610F.pdf/.

94. BFU630F. NPN wideband silicon RF transistor [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.nxp. com/docs/en/data-sheet/BFU630F .pdf.

95. BFU660F. NPN wideband silicon RF transistor [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.nxp. com/docs/en/data-sheet/BFU660F .pdf.

96. BFU768F. NPN wideband silicon germanium RF transistor [Электронный ресурс]. -Режим доступа: https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/BFU768F.pdf.

97. BFP620. Surface mount high linearity silicon NPN RF bipolar transistor [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BFP620-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0396db3 924.

98. BFP640FESD. Low profile robust silicon NPN RF bipolar transistor [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BFP640FESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03 c65d3 92e.

99. BFP650. High linearity wideband silicon NPN RF bipolar transistor [Электронный ресурс].

- Режим доступа: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BFP650-DS-v02_00-

EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f03d00e3930.

100. BFR740L3RH. SiGe:C NPN RF bipolar transistor [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BFR740L3RH-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ffD1663896ffd44ecb.

101. High Q Chip Multilayer Ceramic Capacitors for General Purpose GJM Series [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://psearch.en.murata.com/capacitor/lineup/gjm/.

102. L0402 Tight Tolerance RF Inductor [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://datasheets.avx.com/l0402lga.pdf.

103. MA46 Series. Surface Mount GaAs Tuning Varactors 0.75, 1.25, & 1.5 Gamma Hyperabrupt [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://cdn.macom.com/datasheets/MA46%20Series.pdf.

104. MA46H120 Series. GaAs Constant Gamma Flip-Chip Varactor Diode [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://cdn.macom.com/datasheets/MA46H120%20Series.pdf.

105. MGV100-x Series. GaAs Hyperabrupt Varactor Diodes 1.0 Constant Gamma [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://cdn.macom.com/datasheets/MGV100-x%20Series.pdf.

106. Малышев В.М., Матвеев Ю.А., Никитин А.Б. Цепи питания СВЧ генератора с октавной перестройкой частоты // Международный научно-исследовательский журнал. - 2014. -№4(23). - С. 42-46.

107. Voltage Controlled Oscillator (VCO) Products [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.zcomm.com/products/voltage-controlled-oscillator-vco/.

108. R04000® Series. High Frequency Circuit Materials [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://rogerscorp.com/-/media/project/rogerscorp/documents/advanced-connectivity-solutions/english/data-sheets/ro4000-laminates-ro4003c-and-ro4350b—data-sheet.pdf.

109. Источники питания постоянного тока линейные GPS-72303, GPS-73303, GPS-74303 GOOD WILL INSTRUMENT CO., LTD. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.compel.ru/item-pdf/954df513c0624764fb122b0c2a5f9288/pn/gw~gps-74303.pdf.

110. LP38798 800-mA Ultra-Low-Noise, High-PSRR LDO [Электронный ресурс]. - Режим доступа:

https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lp38798.pdf?ts=1603192009431&ref_url=https%253A%252F%252 Fwww.google.com%252F.

111. Keysight Technologies CXA X-Series Signal Analyzer N9000A 9 kHz to 3.0, 7.5, 13.6, or 26.5 GHz, https://www.keysight.com/us/en/assets/7018-02222/data-sheets/5990-4327.pdf.

112. Малышев В.М., Никитин А.Б. Фазовый шум управляемого напряжением

широкополосного СВЧ генератора с линеаризованной диодным конвертором перестроечной характеристикой // Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-2016: материалы Междунар. науч.-техн. конф. - 2016. - Т. 1. - С. 71-77.

113. Смолов В.Б. Диодные функциональные преобразователи. - Л.: Энергия, 1967. - 136

с.

114. AD797. Ultralow Distortion, Ultralow Noise Op Amp [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/AD797.pdf.

115. HSMS-281x Surface Mount RF Schottky Barrier Diodes [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://docs.broadcom.com/doc/AV02-1367EN.

116. LTC3261 High Voltage, Low Quiescent Current Inverting Charge Pump [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/3261fb.pdf.

117. BNX024H01# [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.murata.com/en-global/products/productdetail.aspx?cate=luNoiseSupprFilteBlockType&partno=BNX024H01%23.

118. NFM41PC155B1H3# [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.murata.com/en-eu/products/productdetail?partno=NFM41PC 155B1H3%23.

119. S/SM-Series Environmental Chambers [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://thermotron.com/equipment/humidity-chamber/s-sm-series-environmental-chambers/.

120. UT71A Middle Size Intelligent Digital Multimeter [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.uni-trend.com/meters/html/product/General_Meters/Digital_Multimeters/UT71_Series/UT71A.html.

121. MXO37/14Р. Малопотребляющие высокостабильные миниатюрные генераторы [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://mxtal.ru/upload/uf/1d4/MXO37-14%D0%A0(S-T)(ru)12.pdf.

122. LTC6947. Ultralow Noise 0.35GHz to 6GHz Fractional-N Synthesizer [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/6947f.pdf.

123. HMC862LP3E. 0.1 - 15 GHz low noise programmable divider (N = 1, 2, 4, 8) [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc862.pdf.

124. HMC451LP3 / 451LP3E. GaAs pHEMT MMIC medium power amplifier, 5 - 18 GHz [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc451lp3.pdf.

125. Fractional-N PLL [Электронный ресурс]. - Режим доступа: https://www.analog.com/en/parametricsearch/11183#/p6694=|No.

Приложение 1