Структурные, оптические и электронные свойства многокомпонентных халькогенидов металлов групп I и III для тонкопленочных фотопреобразователей солнечной энергии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Якушев, Михаил Васильевич

• Якушев, Михаил Васильевич
• доктор физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Якушев, Михаил Васильевич

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОЕДИНЕНИЯ ГРУППЫ А1ВП1С2У1 СО СТРУКТУРОЙ

ХАЛЬКОПИРИТА. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР.

1.1 Структура кристаллической решетки соединений группы А1В1ПС2У1.

1.2 Электронные свойства соединений Си1п8е2, Си1п82, СиСа8е2.

1.2.1 Зонная энергетическая структура соединений Си1п8е2, Си1п82, Сива8е2.

1.2.2 Ширина запрещенной зоны соединений Си1п8е2, Си1п82, СиОа8е2.

1.2.3 Эффективные массы носителей заряда в Си1п8е2, Си1п82 и СиСа8е2.

1.2.4 Обнаружение экситонных состояний по спектрам люминесценции

Си1п8е2, Си1п82, СиОа8е2.

1.3 Собственные дефекты структуры и легирование халькопиритных соединений Си1п8е2, Си1п82 и СиСа8е2.

1.3.2 Точечные дефекты в соединении Си1п8е2.

1.3.3 Точечные дефекты в соединениях Си1п82и СиОа8е2.

1.3.4 Образование хвостов плотности состояний в сильнолегированных халькопиритных соединениях.

1.4 Легирование халькопиритных соединений собственными структурными дефектами.

1.5 Поверхность соединений Си1п8е2.

1.6 Радиационная стойкость соединений Си1п8е2 и Си(1п,Са)8е2.

1.7 Формулировка цели и постановка задач исследований.

ГЛАВА 2. ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ПЛЕНОК

ХАЛЬКОПИРИТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ГРУППЫ А1ВП1С2У1.

2.1 Монокристаллы халькопиритных соединений группы А'В1"^1.

2.2 Тонкие пленки Си1п8е2.

2.3 Тонкие пленки Си(1п,Са)8е2.

2.4 Выводы по Главе 2.

ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ.

3.1. Элементный анализ монокристаталлов и пленок халькопиритных соединений группы А1В1ПС2У1.

3.1.1 Резерфордовское обратное рассеяние.

3.1.2 Метод ядерных реакций.

3.1.3 Волнодисперсионный и энергодисперсионный анализ.

3.1.4 Рентгеновская фото- и Оже-электронная спектроскопия.

3.2. Методы исследование структуры и структурного совершенства монокристалловов.

3.2.1 Эффект теней.

3.2.2 Ионная спектроскопия и резерфордовское обратное рассеяние с эффектом каналирования.

3.2.3 Метод разделения спектров Резерфордовского обратного рассеяния многокомпонентных соединений.

3.2.4 Профили распределения дефектов по глубине монокристаллов.

3.3 Рентгеновская фотоэлектронная дифракция на монокристаллах.

3.4 Рамановская спектроскопия халькопиритных соединений.

3.5 Релаксация спина мюонов.

3.6 Оптическая спектроскопия халькопиритных соединений.

3.6.1 Оптическое поглощение.

3.6.2 Фотолюминесценция.

3.6.4 Техника спектроскопических измерений.

3.7 Подготовка поверхности монокристаллов халькопиритных соединений.

3.7.1 Механическая полировка.

3.7.2 Химическое травление.

3.7.3 Подготовка поверхности, методика полировки и травления для Си1п8е2,

СиОаБез и Си1пТе2.

3.7.4 Ионная чистка поверхности халькопиритных соединений с последующим термическим отжигом.

3.7.5 Распыление поверхности низко-энергетическими ионами.

3.8 Ионная имплантация поверхностных слоев халькопиритных соединений.

3.9 Научное сотрудничество при исследовании халькопиритных соединений группы А1ВП1С2У1.

ЗЛО Выводы по Главе 3.

ГЛАВА 4. ЭФФЕКТЫ ВНЕДРЕНИЯ ВОДОРОДА В РЕШЕТКУ

ХАЛЬКОПИРИТНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ГРУППЫ А1ВП,С2У1.

4.1 Эффекты введения водорода из плазмы в поверхностные слои соединений CuInSe2.

4.2 Эффекты низкоэнергетической имплантации водорода в поверхностные слои соединний CuInSe2.

4.2.1 Структурные изменения в соединениях CuInSe2, имплантированных водородом.

4.2.2 Модификация оптоэлектронных свойств халькопиритных соединений CuInSe2 и Cu(In,Ga)Se2 при имплантации водородом и дейтерием.

4.2.3 Свойствар-п перехода, сформированного имплантацией водорода.

4.3 Эффекты имплантации водородом с эВ энергиями в CuInSe2.

4.4 Диффузия водорода в халькопиритные соединения группы AiBiiiC2vi.

4.5 Структурные позиции водорода в решетке CuInSe2 и CuInS2.

4.6 Выводы по Главе 4.

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В

ХАЛЬКОПИРИТНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ CuInSe2, CuInS2, CuGaSe2 И ТВЕРДЫХ РАСТВОРAXCu(In,Ga)Se2.

5.1 Исследование влияния ионной бомбардировки на структурные свойства халькопиритных соединений CuInSe2, CuInS2 и CuGaSe2.

5.2 Исследование влияния ионной бомбардировки на оптоэлектронные свойства CuInSe2 и Cu(In,Ga)Se2.

5.3 Влияние электронной бомбардировки на оптоэлектронные свойства тонких пленок Cu(In,Ga)Se2.

5.4 Исследование влияния электронной бомбардировки на оптоэлектронные свойства структурно-совершенных монокристаллов CuInSe2.

5.5. Выводы по Главе 5.

ГЛАВА 6. ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ СОЕДИНЕНИЙ AIBIIIC2VI СО

СТРУКТУРОЙ ХАЛЬКОПИРИТА.

6.1 Оптическая спектроскопия структурно-совершенных монокристаллов CuInSe2.

6.2 Спектральное положение линий свободных экситонов в CuInSe2.

6.3 Магнитооптические исследования свободных экситонов в CuInSe2.

6.4 Возбужденные состояния свободных экситонов в CuInSe2.

6.5 Анизотропия приведенной массы свободных экситонов в CuInSe2.

6.6 Оптическая спектроскопия структурно-совершенных монокристаллов CuInS2.

6.7 Возбужденные состояния свободных экситонов в CuInSe2 и CuInS2.

6.8 Магнитооптические исследования свободных экситонов в CuInS2.

6.9 Оптическая спектроскопия монокристаллов CuInS2 выращенных разными методами.

6.10 Оптическая спектроскопия твердых растворов CuIn(Se,S)2.

6.11. Оптическая спектроскопия структурно-совершенных тонких пленок

CuInSe2.

6.12 Влияние условий роста на образование дефектов в тонких пленоках CuInSe2 и Cu(In,Ga)Se2.

6.13 Оптические свойства пленок Cu(In,Ga)Se2 на полиимидных подложках.

6.14 Излучательная рекомбинация с участием хвостов плотности состояний энергетических зон в халькопиритных соединениях Cu(In,Ga)Se2.

6.15 Выводы по Главе 6.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурные, оптические и электронные свойства многокомпонентных халькогенидов металлов групп I и III для тонкопленочных фотопреобразователей солнечной энергии»

Актуальность темы. Солнечная энергия является наиболее экологически безопасным источником энергии среди возобновляемых. Ее запасы в 100 ООО раз превышают количество электроэнергии, потребляемой во всем мире. Поэтому разработка солнечных батарей сегодня становится одним из приоритетных направлений развития человечества. Высокая стоимость и ограниченное количество производимого кристаллического кремния, используемого в настоящее время для промышленного производства 90% солнечных батарей первого поколения (с одним р-п переходом, изготовленных из пластин монокристаллического либо поликристаллического кремния толщиной около 0.2 мм), заставляет разрабатывать солнечные фотопреобразователи с существенно меньшими расходами на материалы. Такое удешевление может быть достигнуто при использовании тонкопленочных технологий с микронными и субмикронными толщинами слоев, позволяющих создать солнечный элемент с р-п переходом и при этом уменьшить количество используемых материалов в сотни и тысячи раз по сравнению с приборами, созданными на базе кристаллического кремния. Другое преимущество тонкопленочных технологий заключается в возможности использования непрерывных автоматизированных процессов для изготовления солнечных элементов, что позволит уменьшить стоимость одного ватта пиковой мощности солнечного фотопреобразовтеля с 4.8 долларов в настоящее время до 1 доллара и ниже [1].

Среди тонкопленочных технологий производства солнечных батарей лидирующими по эффективности (г) = 20% [2]), стабильности работы и радиационной стойкости являются фотопреобразователи, в которых в качестве поглощающего слоя используются многокомпонентные соединения Си(1п,Оа)8е2 (СЮ8). Эти соединения являются твердыми растворами базовых тройных соединений Си1п8е2 и СиОа8е2 со структурой халькопирита.

Типовой солнечный элемент на основе халькопиритного соединения СЮ8 представляет собой многослойную структуру следующего состава: подложка из стекла, металла или полимера/задний электрод Мо (2 мкм)/поглощающий слой р-типа СЮ8(2 мкм)/буфферный слой п-типа Сс18(0.05 мкм)/прозрачный передний электрод ZnO (0.3 - 1 мкм)/токоотводящие электроды из №.

Несмотря на лидирующее положение СЮ8-технологии и значительный отрыв в эффективности преобразования от ближайшего тонкопленочного конкурента (с поглощающим слоем на базе Сс1Те и с г| = 16.5% [3]) наметилось замедление темпов роста в повышении эффективности и ассимптотическое приближение этого параметра к значению ~ 20%, вместо теоретического предела 30% [4].

Известно, что основными причинами, ограничивающими эффективность CIGS-технологий являются:

1. Многокомпонентность химического состава соединений CIGS, в котором кроме основных элементов Си, In, Ga, Se присутствует Mo, дифундирующий из заднего контакта, Cd и S - диффундирующие из буферного слоя CdS, Na - диффундирующий из стекла, а также попадающие из воздуха элементы О, Н, N, С;

2. Отсутствие достоверной информации об электронной структуре и физике дефектов в CIGS соединениях и недостаток экспериментальных данных из-за ограниченности экспериментальных методик для характеризации материала;

3. Недостаточная эффективность используемого метода легирования собственными структурными дефектами путем отклонения элементного состава от идеальной стехиометрии в сторону обеднения медью и недостаточное внимание к разработке альтернативных методов легирования.

Традиционным для соединений CIGS считается легирование собственными дефектами, создаваемыми при отклонении элементного состава от идеальной стехиометрии, автолегирование. Для этого отношение молярных долей меди [Си] и [In+Ga] устанавливается [Cu]/[In+Ga]<l. При избытке [In+Ga] в соединениях CIGS резко возрастает концентрация дефектов, образуются "хвосты" плотности электронных состояний зоны проводимости и валентной зоны. Механизм легирования и природа основных легирующих дефектов не установлены. Сложность контроля над степенью легирования заключается еще и в том, что простое изменение отношения [Cu]/[In+Ga] элементного состава соединений CIGS приводит не только к количественному изменению концентрации легирующих акцепторов, но также к появлению компенсирующих дефектов n-типа и к фиксированию уровня Ферми (Fermi level pinning) в запрещенной зоне. Подобные проблемы легирования в двойных полупроводниках решаютя солегированием, т.е. введением дополнительных легирующих элементов [5]. Такие солегирующие элементы, например кислород и водород, возможно, уже присутствуют в кристаллической решетке CIGS, однако механизмы их влияния не установлены и физика процесса такого солегирования в халькопиритных соединениях экспериментально практически не исследована.

Неотъемлемым условием практического применения любого полупроводникового материала является достоверное знание физики собственных дефектов, присутствующие в его кристаллической решетке [6]. Особенно важно это для соединений СЮ8, где легирование осуществляется собственными дефектами структуры из-за отклонения состава от идеальной стехиометрии. Несмотря на значительные усилия собрано недостаточно экспериментальных данных о природе собственных дефектов в этих материалах. Теоретические исследования физики дефектов [7] без должной поддержки экспериментальными данными не могут считаться надежной базой для разработки технологий, особенно, принимая во внимание то, что в расчетах не воспроизводятся экспериментальные значения ширины запрещенной зоны и до настоящего времени не принимались во внимание связанные с Эе дефекты.

Известно, что соединения СЮЭ и солнечные элементы на их основе обладают высокой радиационной стойкостью, однако физические причины такой стойкости практически не изучены. Также не ясна физика процессов при радиационном воздействии и природа дефектов, созданных при облучении электронами, протонами и др. высокоэнергетическими частицами. В результате положительное свойство самолегирования материала собственными структурными дефектами может быть утрачено при дальнейшем развитии технологии.

Из-за высокой концентрации дефектов эффективность методов оптической спектроскопии, являющихся основными методами при исследовании дефектов, значительно снижается. Эффективность спектроскопических экспериментов может быть существенно улучшена, если при совершенствовании технологии получения СЮБ-материалов использовать традиционный путь, который применялся при разработке технологии выращивания других полупроводников, когда на начальном этапе исследовались модельные высокочистые и совершенные материалы. После этого собранные данные обобщались и использовались для анализа реальных физических свойств материалов. Такой путь является более научным и, потому, более быстрым. Достоверность информации из оптических спектров чистых материалов значительно возрастает, что повышает не только количество, но и качество получаемых данных.

Технологические достижения в создании высокоэффективных тонкопленочных солнечных элементов на основе соединений СЮЯ в значительной степени базируются на выполненных ранее спектроскопических исследованиях модельных монокристаллов [8]. Дальнейший прогресс в развитии практических приложений халькопиритных соединений сдерживается отсутствием высококачественных модельных материалов СЮБ, знания фундаментальных физических параметров элекронной энергетической структуры соединений и природы собственных дефектов структуры на атомарном уровне.

Структурное совершенство халькопиритных соединений определяется степенью отклонения элементного состава материала от идеальной стехиометрии и отсутствием остаточных технологических примесей. Структурно-совершенные материалы должны являться модельными системами с наиболее простыми дефектами и малой их концентрацией. Такие материалы позволяют эффективно использовать методы оптической спектроскопии исследования, и в первую очередь спектроскопию экситонных состояний. Известно, что исследование экситонных оптических спектров позволяет распознавать природу собственных дефектов структуры и физику процесса автолегирования материала. Это в свою очередь позволит понять физику ростовых дефектов в более сложных материалах используемых для создания солнечных элементов и сделать процесс их разработки более научным, а потому и более быстрым. С появлением структурно-совершенных модельных материалов появляется возможность контролировать модификации свойств халькопиритных соединений при различных видах внешних воздействий (термической обработке, радиационном облучении, ионной имплантации и т.д.).

Цель и задачи исследования

Целью настоящей диссертационной работы явилась определение фундаментальных спектроскопических и электронных параметров монокристаллов и пленок халькопиритных соединений Си1п8е2, Си1п82, СиОа8е2 и их твердых растворов Си(1п,Оа)8е2 и Си1п(8,8е)2, опредение природы ростовых и радиационных дефектов, разработка методов солегирования и оптимизация матодов легирования, а также разработка технологий выращивания этих халькопиритных соединений.

Для достижения поставленной цели в диссертационной работе решались следующие задачи:

1. Разработка методики выращивания структурно-совершенных монокристаллов базовых тройных соединений Си1п8е2, СиОа8е2 и Си1п82 и их твердых расворов Си(1п,Оа)8е2 и Си1п(8,8е)2.

2. Разработка методологии подготовки поверхности материала для достоверного анализа их физических свойств с использованием различных методов, в частности, каналирования ионов, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, методов оптической спектроскопии (поглощение, люминесценция, отражение и т.д.) и др.

3. Разработка новых методов модификации свойств халькопиритных соединений и легирования внедрением водорода, с одновременным совершенствованием традиционного метода легирования собственными структурными дефектами при отклонении состава от стехиометрии.

4. Изучение влияния проникающей радиации (электронов, протонов), имплантации ионов на изменение физических свойств монокристаллов CuInSe2, CuInS2, CuGaSe2 и тонких пленок твердых растворов Cu(In,Ga)Se2.

5. Исследование оптических свойств высокосовершенных монокристаллов CuInSe2, CuInS2, CuGaSe2 и их твердых растворов, а также изучение влияния внешних воздействий, в частности, магнитного поля и температуры на оптические спектры свободных и связанных экситонов при криогенных температурах (люминесценция, отражение, поглощение).

Объекты исследования. В соответствии с поставленной целью и задачами исследования были выбраны следующие объекты: монокристаллические трехкомпонентные соединения CuInSe2, CuGaSe2, CuInS2 и CuInTe2, как базовые материалы в поглощающих слоях тонкопленочных солнечных элементов, поликристаллические тонкие пленки CuInSe2, CuGaSe2 и CuInS2, их твердые растворы CuIn(S,Se)2, Cu(In,Ga)Se2 и солнечные элементы на базе этих твердых растворов со структурой ZnO/CdS/CIGS/Mo на различных подложках (стекле и полиимиде).

Основные объекты исследования: монокристаллы CuInSe2, CuGaSe2 и их твердые растворы CuInxGa!.xSe2, где х изменяется от 0 до 1, выращивались лично автором. Другие монокристаллы CuInS2 и CuIn(SexS).x)2, где х также изменялся от 0 до 1 были предоставлены сотрудником Национальной Академии Наук Беларуси А.В .Мудрым в ходе выполнения совместных проектов (INTAS-96, INTAS-01-283, The Royal Society 2001; The Royal Society, 2004; EPSRC, 2007; The Royal Society, 2008). Тонкопленочные образцы CuInxGaixSe2 и готовые солнечные элементы были предоставлены Г.В.Шоком, университет Штутгарта (сейчас в Гельмгольц-центре, Берлин, Германия) в ходе выполнения совместного проекта (INTAS-01-283), выполняемого под руководством автора. Солнечные элементы на полимерной подложке были предоставлены фирмой 8о1апоп Ав (Лейпциг, Германия).

Научная новизна диссертационной работы состоит в установлении ряда неизвестных ранее физических эффектов в халькопиритных соединениях Си1п8е2, СиОа8е2, Си1п82 и Си(1п,Оа)8е2 а также впервые определение важных спектроскопических параметров и параметров электронной структуры:

• достоверном определение фундаментальных физических параметров халькопиритных соединений Си1п8е2, Си1п82 и СиОа8е2 в области края фундаментального поглощения (точных значений энергии свободных и связанных экситонов и поляритонов, ширины запрещенной зоны Её и коэффициентов ее температурного изменения, энергии связи экситонов, величины кристаллического поля и спин-орбитального расщепления, определении эффективных £-факторов расщепления, коэффициентов диамагнитного смещения, достоверных значений приведенных масс экситонов, эффективных масс дырок в соединениях Си1п8е2 и Си1п82, обнаружении анизотропии масс дырок в Си1п8е2 и т.д.;

• обнаружении новых центров излучательной рекомбинации, обусловленных ростовыми и радиационными дефектами (после облучения высокоэнергетическими частицами протонами или электронами) в монокристаллах и поликристаллических пленках Си1п8е2, Си1п82 и Си(1пОа)8е2;

• улучшении структурного качества кристаллической решетки и электрической пассивации ионно-внедренным водородом ростовых дефектов структуры в монокристаллах и поликристаллических пленках халькопиритных соединений, изменении типа проводимости (с /?-типа на л-тип), уменьшении глубины потенциальных флуктуаций в кристаллических решетках;

• определении коэффициентов диффузии водорода в соединениях Си1п8е2 и Си1п82, и его местоположения в кристаллической матрице соединений Си1п8е2;

• разработке математической модели обработки спектров резерфордовского обратного рассеяния с эффектом каналирования, позволяющей определять глубинные профили концентраций дефектов раздельно в каждой подрешетке тройных монокристаллических соединений.

Положения, выносимые на защиту

1. Основные параметры свободных и связанных экситонов, а также поляритонов (спектральное положение, полуширина линии, энергия связи, зависимость этих параметров от температуры в интервале 4.2 - 300 К, элементного состава материала и наличия дефектов, коэффициенты диамагнитного сдвига и эффективные g-факторы расщепления в магнитных полях, изменяемых до 20 Т, их зависимость от направления магнитного поля относительно осей кристаллографической решетки), впервые достоверно определенные в оптических спектрах монокристаллов CuInSe2, CuInS2, CuGaSe2, CuIn(SSe)2, и тонких пленок CuInSe2, обусловлены такими свойствами электронной структурой материала как: шириной запрещенной зоны, температурными коэффициентами ее изменения, эффективными массами электронов и дырок, их анизотропией и природой дефектов.

2. Ионное внедрение водорода в моно- и поликристаллические соединения CuInSe2 и Cu(In,Ga)Se2 изменяет тип проводимости (с /»-типа на «-тип), улучшает качество кристаллической структуры, уменьшает степень компенсации, пассивирует ростовые дефекты и уменьшает глубину потенциальных флуктуаций. Оптимальные параметры внедрения: энергия 0.2 кэВ, доза 3T015 см"2, температура материала при имплантации 200° С. Механизм диффузии атомов водорода в кристаллических матрицах халькопиритных соединений может быть как междоузельным, так и по вакансиям меди в зависимости от типа материала, температуры, элементного состава и дефектов материала. В совершенных кристаллах коэффициент диффузии водорода достигает 2-10"9 cmV, что на несколько порядков выше, чем в кристаллах с радиационными дефектами (от 10"14 см2с-1 при 200°С до 10"17 cmV при 20°С). При низких температурах атомы водорода располагаются в антицентрах химических связей In-Se и Cu-Se вдоль диагонали <112> решетки халькопирита. При увеличении температуры выше 200 К водород переходит в вакансии меди.

3. Ионная бомбардировка CuInSe2 и Cu(InGa)Se2 аргоном (Аг+) и ксеноном (Хе+) при комнатной температуре не аморфизует кристаллическую структуру благодаря быстрому «залечиванию» линейных и планарных дефектов но с поверхности преимущественно выбивается селен. Точечные дефекты замещения (CuIn и Сиоа), возникающие после облучения почти любыми быстрыми частицами, имеют преимущественно акцепторную природу. Аморфизация достигается лишь бомбардировкой при температурах жидкого азота. Отжиг в вакууме при 500-650° С восстанавливает кристаллическую структуру облученного материала. При температурах выше 650° С материал разлагается.

4. Облучение соединений CuInSe2 и Cu(In,Ga)Se2, выращенных с недостатком меди, малыми и средними дозами высокоэнергетических (МэВ) электронов и протонов (менее

17 2 12 2

10 см" для электронов и 10 см" для протонов) приводит к уменьшению степени компенсации материала, увеличению интенсивности люминесценции. В совершенных материалах такое облучение приводит к уменьшению интенсивности и исчезновению линий свободных экситонов и экситонов связанных на ростовых дефектах, но появляются новые линии экситонов, локализованных на дефектах замещения. Дальнейшее увеличение дозы облучения приводит к доминированию излучательной рекомбинации, связанной с хвостами плотностей состояний и к росту средней глубины потенциальных флуктуаций.

5. Технологии выращивания структурно-совершенных монокристаллов CuInSe2 и CuGaSe2, разработанные на базе метода Вертикальный Бриджмен, позволяют при криогенных температурах получать в оптических спектрах линии свободных и связанных экситонов с полушириной до 0.2 мэВ и применять методы магнитооптической спектроскопии.

6. Разработанные методы подготовки поверхности трехкомпонентных халькопиритных соединений, позволяют применять эффект каналирования ионов в экспериментах с использованием POP и ядерных реакций, рамановское рассеяние, оптическую спектроскопию (ФЛ, поглощения, отражения) высокого разрешения, рентгеновскую фотоэлектронную спектроскопию.

7. Методы обработки и разделения спектров каналирования в монокристаллах многокомпонентных халькопиритных соединениях, позволяют количественно анализировать глубинные профили дефектов раздельно в каждой из подрешеток (например Си, In и Se в CuInSe2).

Научная и практическая значимость диссертационной работы

Научная значимость работы определяется новизной ее результатов, часть которых содержит данные о фундаментальных физических параметрах исследованных халькопиритных соединений, другая часть заключается в разработках методов модификации этих соединений, открывающих новые направления в развитии технологии тонкопленочных солнечных элементов и, наконец, третья часть заключается в разработке экспериментальных методов исследования, которые учитывают особенности сложной химической структуры и электронных свойств материалов.

Практическая значимость работы состоит в следующем:

- разработана технология выращивания структурно-совершенных монокристаллов халькопиритных соединений Си1п8е2, Си1п82 и СиОа8е2, а также тонких пленок Си1п8е2, пригодных для изготовления солнечных элементов;

- разработан способ модификации физических свойств халькопиритных соединений Си1п8е2 и Си(1п,Оа)8е2 с использованием имплантации водорода позволяющий измененять тип проводимости материалов, улучшать его структурное совершенство и снижать среднюю величину флуктуаций потенциала в материале;

- определены фундаментальные параметры халькопиритных соединений Си1п8е2, Си1п82, Сива8е2, Си(1п,Оа)8е2, Си1п(8,8е)2 ширина запрещенной зоны Её в широком интервале температур, энегия связи экситонов, эффективные массы дырок, статические диэлектрические постоянные и др., необходимые для расчета параметров солнечных элементов и других оптоэлектронных приборов, создаваемых на основе этих материалов;

- разработана методика определения ширины запрещенной зоны Её твердых растворов Си(1п,Оа)8е2 на непрозрачных подложках (полиимид) или в структурах со слоем молибдена, основанная на измерении спектров возбуждения люминесценции при детектировании в области максимума полосы близкраевой люминесценции, являющаяся неразрушающим способом контроля оптоэлектронных свойств создаваемых на их основе солнечных элементов.

Разработано новое научное направление: физика экситонных состояний и дефектов структуры, а также магнитооптическая спектроскопия экситонов в соединениях группы AiBiiiCVI2 со структурой халькопирита.

Решение крупной научной проблемы: определены основные фундаментальные оптические параметры (ширина запрещенной зоны, энергия связи экситонов, эффективная масса носителей заряда и т.д.) трехкомпонентных соединений AIBII1CVI2 (CuInSe2, CuInS2, CuGaSe2) в широком интервале температур от 4.2 до 300 К, и определена природа основных ростовых и радиационных дефектов, введенных электронным облучением и ионной имплантацией.

Решение крупной технологической проблемы: Впервые выращены наиболее совершенные монокристаллы и пленки соединений AIBIIICVI2 со структурой халькопирита, разработаны методы модификации их физических свойств с использованием внешних воздействий - ионной имплантации, облучения высокоэнергетическими электронами и протонами, термического отжига и т.д., приводящих к изменению типа проводимости и степени электрической компенсации материала.

Личный вклад автора. Диссертационная работа яляется результатом моноголетних (с 1991 по 2010) исследований, проведенных автором на кафедрах физики Университетов Сэлфорда (Манчестер, Англия), Страсклайда (Глазго, Шотландия), кафедре экспериментальной физики УрФУ (Екатеринбург, Россия), Институте химии твердого тела УрО РАН (Екатеринбург, Россия), Национальной Академии Наук Беларуси (Минск, Беларусь), Liepzig University (Liepzig, Germany), Grenoble High Magnetic Field Laboratory (Grenoble, France), Appleton Rutherford Laboratory (Didcot, UK) и др. Почти все опубликованные работы сделаны в той или иной степени в соавторстве с другими российскими и иностранными учеными. Личный вклад автора, как правило, приведен при описании результатов исследований. В большинстве случаев вкладом явилось личное участие в экспериментах, интерпретации результатов и написании статей. Кроме этого, во многих случаях автор участвовал (в последние 12 лет принимал ведущее участие) в написании проектов, организации научных коллективов, нахождении финансовых средств для выполнения исследований, координации их выполнения и написании отчетов. Автор участвовал в европейских и британских конкурсах на получение грантов на научные исследования, как руководитель проектов. Общая сумма такого финансирования, полученного на конкурсной основе, с 1997 года по 2010 составила около двух миллионов долларов. Часть результатов вошла в кандидатские диссертации K.Otto (Leipzig, Germany), А.В.Иванюковича (Минск, Беларусь), А.В.Кароткого (Минск, Беларусь), F.Luckert (Glasgow, UK).

Общая постановка задачи исследования, выбор основных методов исследований, анализ и окончательная интерпретация полученных результатов, формулировка защищаемых положений и выводов диссертации выполнены лично автором. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежат результаты, которые вошли в сформулированные защищаемые положения и выводы.

Публикация результатов работы. По теме публикации имеется более 149 публикации. Основное содержание работы изложено в 96 научных работах в рецензируемых научных журналах, рекомендованным ВАК. В том числе 76 статьи в ведущих иностранных и 20 российских журналах, 53 статей в материалах международных конференций и симпозиумов.

Аппробация работы. Результаты исследований, изложенные в диссертации и сформулированные в защищаемых положениях, докладывались и обсуждались в ходе выступлений с приглашенными, устными и стендовыми докладами на на всероссийских и международных конференциях и симпозиумах в том числе: International Conference on Ternary and Multinary Compounds-17 Баку, Азербайджан, 2010; European Material Research Symposiums 2010, Strasbourg, France; PV Science, Application and Technology (PVSAT-6), 2010, Southampton; The 11th International Conference on Optics of Excitons in Confined Systems (OECS-11), 2009, Madrid, Spain; European Material Research Symposiums 2009, Strasbourg, France; PV Science, Application and Technology (PVSAT-5), 2009, Wrexham, UK; 24th European PV Solar Cell Energy Conference, 2008, Valencia; 17th International Conference on Ion-Surface Interactions 2005, Zvenigorod, Russia; The 19th European PV Solar Cell Conference, Paris, 2004; European Material Research Symposiums 2005 Strasbourg, France; European Material Research Symposiums 2003 Strasbourg, France; European Material Research Symposiums 2002, Strasbourg, France; XXXII International Conference on Physics of charge particles interaction with crystals, 2002, Moscow, Russia; International Conference on Ternary and Multinary Compounds-13, Paris, 2002, France; 17th European PV Solar Cell Energy Conference, 2001, Munich, Germany; 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, September 2000, Anchorage, US; 16th European PV Solar Cell Energy Conference, May 2000, Glasgow, UK; International Conference on Ternary and Multinary Compounds-12 Taipei, Taiwan, 1999; 2nd World Conference and Exhibition on PV Solar Energy Conversion, Vienna, Austria, 1998; International Conference on Ternary and Multinary Compounds-11 Salford, 1998, UK; Material Research Symposium, Pittsburgh 1998, US; 14th European PV Solar Energy Conference, Barcelona, 1997, Spain; Material Science Forum, 1997, Germany; 12th European PV Solar iL

Energy Conference, 1994, Netherlands; 11 European Photovoltaic Solar Energy Conference, Montreux, 1992, Switzerland; 9th European Photovoltaic EU Solar Energy Conference, 1989, Freiburg, Germany.

Структура и объем работы. Диссертация содержит введение, шесть глав, заключение и список цитируемой литературы, Приложение 1, включающее список 149 оригинальных научных работ с участием автора по теме диссертации. Общий объем диссертации составляет 298 страниц, в том числе 73 рисунка, 18 таблиц, список литературы из 326 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Якушев, Михаил Васильевич

6.14 Выводы по главе 6

1. Используя разработанную методику выращивания структурно-совершенные монокристаллов халькопиритных полупроводниковых соединений были выращены слитки монокристаллов Си1п8е2 и Си1п82 с рекордно узкими линиями свободных и связанных экситонов в спектрах люминесценции при 4.2 К и ярко выраженных резонансов свободных экситонов в спектрах отражения. Полуширина линий в спектрах люминесценции при 4.2 К для Си1п8е2 составила 0.4 мэВ и ~ 0.2 мэВ для свободных и связанных экситонов, соответственно. Эксперименты впервые показали, что полуширина линии люминесценции связанных экситонов меньше кТ при криогенных температурах 4.2 - 15 К и сопоставима с полушириной линий связанных экситонов для высококачественных двухкомпонентных полупроводниковых соединений 2п8е, ZnO, СсГГе, ваИ и др.

2. С использованием спектроскопии высокого разрешения линий люминесценции и резонансов отражения свободных экситонов при 4.2 К для полупроводниковых соединений Си1п8е2 и Си1п82 определены наиболее точные значения фундаментальных параметров - величины кристаллического поля Дкп и спин-орбитального взаимодействия Дзо- Впервые по спектральному смещению линий свободных экситонов в спектрах люминесценции и отражения при 4.2 К установлена зависимость изменения параметров зонной структуры - величины кристаллического поля Дкп и ширины запрещенной зоны от соотношения СиЛп в халькопиритном соединении Си1п8е2.

3. Впервые в спектрах люминесценции полупроводниковых соединений Си1п8е2 и Си1п82 при 4.2 К обнаружены линии возбужденных состояний свободных экситонов, что позволило в рамках водородоподобного приближения впервые определить энергию связи свободных экситонов, наиболее точное значение ширины запрещенной зоны Её и статической диэлектрической постоянной е для этих соединений.

4. Впервые на основании измерения смещений линий люминесценции свободных А и В экситонов в Си1п8е2 от величины магнитного поля до 20 Тл определены коэффициенты диамагнитного смещения, приведенная масса экситонов и энергия связи свободных экситонов. Полученное значение энергии связи свободных экситонов из магнитооптических измерений оказалось близким к значению вычисленному в рамках водородоподобного приближения по энергетическому положению линий возбужденных состояний свободных экситонов, обнаруженных в поляризованных спектрах люминесценции. Магнитооптические измерения позволили экспериментально подтвердить одноосную кристаллографическую структуру соединения CuInSe2, выявить анизотропию эффективной массы дырок валентнох зон А и В, и определить эффективные массы для дырок обоих валентных зон.

5. Впервые на основании измерения смещений экситонных А и В, С резонансов в спектрах отражения и линий люминесценции свободных А экситонов от величины магнитного поля определены коэффициенты диамагнитного смещения, приведенная масса и энергия связи свободных экситонов, а также эффективные массы дырок для полупроводникового соединения CuInS2. Показано соответствие величины энергии связи экситонов ~ 18.5 мэВ из магнитооптических измерений значению, вычисленному в водородоподобном приближении из энергетического положения второго и третьего возбужденных состояний свободных экситонов в спектрах люминесценции CuInS2.

6. Определена природа основных ростовых дефектов в монокристаллах CuInSe2 и CuInS2. Показано, что междоузельные атомы и атомы замещения собственных структурных дефектов, возникающих при отклонении состава от идеальной стехиометрии, создают как мелкие так и глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне через которые происходят излучательные переходы.

7. На основании измерения спектров поглощения и люминесценции при криогенных температурах определена зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов CuIn(S,Se)2 от соотношения Se/S и Cu(In,Ga)Se2 от соотношения In/Ga. Выявлен нелинейный характер изменения ширины запрещенной зоны от состава, описываемый параболической зависимостью с коэффициентом прогиба b = 0.19 и b = 0.1 для халькопиритного соединения CuIn(S,Se)2 и Cu(In,Ga)Se2, соответственно.

8. Установлено, что высокосовершенные поликристаллические тонкие пленки CuInSe2 и Cu(In,Ga)Se2 могут быть синтезированы путем селенизации слоев меди, галлия и индия. Были определены оптимальные значения температуры и времени селенизации: 530°С и 1020 мин. для роста высокосовершенных пленок. Установлены основные типы дефектов, а также закономерности изменения типа и концентрации дефектов при отклонении температуры и времени роста от оптимальных значений.

9. Изучение структурных и оптических свойств тонких пленок Си(1п,Оа)8е2 на полиамидных подложках показало, что они уступают по качеству материалам, осажденным на стеклянных подложках. Установлено, что основным типом излучательной рекомбинации в данных пленках является ДАЛ (донор - Уси, акцептор - У8е, либо 1пСи)-Установлено, что введение натрия приводит к улучшению структурного качества Си(1п,Оа)8е2 : уменьшению концентрации дефектов, средней глубины потенциальных флуктуаций и концентрации дефектов безызлучательной рекомбинации.

10. Разработана методика применения теории Шкловского - Эфроса - Леванюка - Осипова для интерпретации излучательной рекомбинации в халькопиритах на основе анализа ФЛ-спектров данных соединений, в частности, определения механизма излучательной рекомбинации и основных параметров флуктуации потенциальных колебаний.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В конце каждой главы были сформулированы основные выводы и результаты выполненной диссертационной работы. Эти выводы можно обобщить в следующих заключениях:

1. Выращены монокристаллы халькопиритных соединений CuInSe2 с рекордно узкими линиями свободных и связанных экситонов в спектрах люминесценции и отражения при 4.2 К, определены наиболее точные значения величины кристаллического поля Акп =5.3 мэВ и спин-орбитального взаимодействия ASo = 234.7 мэВ, установлена зависимость изменения Акп и ширины запрещенной зоны Eg от элементного состава монокристаллов CuInSe2. В спектрах ФЛ CuInSe2 и CuInS2 обнаружены линии возбужденных состояний свободных экситонов, определены энергии связи свободных экситонов, наиболее точное значение ширины запрещенной зоны Eg и статической диэлектрической постоянной е: в CuInSe2Eg = 1.0502 эВ 8 = 11.3 и в CuInS2Eg= 1.5540 эВ s = 10.2. Определены коэффициенты диамагнитного смещения, приведенная масса и энергия связи свободных экситонов в CuInSe2 и CuInS2, выявлена анизотропия эффективной массы дырок валентнох зон А и В в CuInSe2, определены эффективные массы для дырок А и ВС валентных зон в CuInS2, экспериментально подтверждена одноосность кристаллографической структуры соединения CuInSe2. Разработана методика применения теории Шкловского - Эфроса - Леванюка - Осипова для интерпретации излучательной рекомбинации в халькопиритах на основе анализа ФЛ-спектров данных соединений, в частности, определения механизма излучательной рекомбинации и основных параметров флуктуации потенциальных колебаний.

2. Установлено, что введение водорода в решетку халькопиритных соединений приводит к ряду положительных изменений свойств исследуемых материалов: занимая вакансии меди НСи водород улучшает структурное совершенство монокристаллов и пленок, благодаря электрической пассивации безызлучательных заряженных дефектов-ловушек увеличивается интенсивность близкраевой люминесценции, уменьшается глубина потенциальных колебаний, изменяется тип излучательной рекомбинации с рекомбинации с участием хвостов зон на ДА-рекомбинацию. Установлены возможные местоположения атомов водорода в решетке CuInSe2: междоузельное в антицентре связей In-Se и CuSe вдоль диагонали <112> решетки халькопирита при низких температурах (до 200 К) и в узлах решетки в вакансиях меди НСи (до 350 К). Установлены механизмы и измерены коэффициенты диффузии водорода в различных халькопиритных соединениях в широком диапазоне температур. В Си1п8е2, содержащем высокие концентрации дефектов (созданных бомбардировкой ионов водорода, коэффициент диффузии имеет значение от 10"14 см2с-1 при 470 К до 10"17 см2с"' при 300 К, и механизм диффузии преимущественно прыжковый по вакансиям меди. Определены энергии активации этого процесса. Обнаружены новые центры излучательной рекомбинации при внедрении водорода с глубокими энергетическими уровнями в запрещенной зоне монокристаллов Си1п8е2 и поликристаллических пленок Си(1п,ва)8е2 относящиеся к донорным (1пСи+2УСи+Н)+ и акцепторным (1пСи+2УСи+Н)" центрам. Установлено, что внедряя водород в решетку /?-типа проводимости Си(1пОа)8е2-материалов с концентрацией ва от 0 до 5% можно изменять тип проводимости данных соединений с р на п тип и создавать р-п переходы. Разработана новая технология введения водорода в халькопиритные соединения, позволяющая улучшать их оптоэлектронные свойства без изменения элементного состава и образования структурных дефектов.

3. Установлено, что бомбардировка ионами Хе+ монокристаллов Си1п8е2 при комнатной температуре приводит к быстрому залечиванию возникающих линейных и планарных дефектов кристаллической структуры и аморфизации структуры достичь не удается. Аморфизация достигается при температуре жидкого азота, а радиационная стойкость Си1п8е2 связана с высокой подвижностью первичных дефектов и низкими энергиями формирования дефектов замещения. Показано, что при бомбардировке ионами Хе+ и Аг+ монокристаллов Си1п8е2 происходит деформация кристаллической решетки в результате насыщения решетки Си1п8е2 микропузырьками благородных газов. Установлено, что бомбардировка монокристаллов Си1п8е2 «-типа проводимости любыми частицами (кроме водорода) приводит к смене типа проводимости на р-тип, увеличению сопротивления материала и степепени компенсации за счет увеличения концентрации глубоких заряженных дефектов, постепенному повышению средней глубины потенциальных флуктуаций и появлению хвостов плотности состояний в запрещенной зоне. В облученных электронами МэВ энергий тонких пленках Си(1п,Оа)8е2 радиационные дефекты обусловлены появлением двух, а иногда трех глубоких и широких полос в спектрах ФЛ, связанных с рекомбинацией электронов с дырками, локализованными на

17 9 глубоких акцепторах - дефектах замещения Cujn и CuGa- Средние дозы (Ф < 10 см") облучение приводят к существенному увеличению интенсивности полосы близкраевой люминесценции, уменьшению компенсации материала и средней глубины флуктуаций потенциала за счет радиационного отжига ростовых дефектов. В спектрах ФЛ высокосовершенных монокристаллов CuInSe2, облучение электронами приводит к появлению и росту относительной интенсивности новых узких линий, относящихся к рекомбинации экситонов, локализованных на ДАП. Предложена физическая модель формирования вторичных дефектов, возникающих в результате радиационного облучения при комнатной температуре: под действием ионизации первичные дефекты (междоузельные атомы и вакансии) рекомбинируют, формируя дефекты замещения. Наиболее подвижными являются атомы Си и In. Они создают наиболее вероятные дефекты: CuIn и InCu, находящиеся в нескольких зарядовых состояниях. Более мелкие из этих дефектов: акцептор CuIn" и донор InCu+ образуют центры излучательной рекомбинации и ДА- пары, присоединяя доноры (InSe, InCu) и акцепторы (CuSe, SeIn InCu), которые захватывают экситоны, обнаруженые в виде узких линий.

4. Разработаны методики подготовки поверхности монокристаллов халькопиритных соединений, включающие механическую полировку, химическое или ионное травление с последующим термическим отжигом для анализа методами ионной и фотоэлектронной спектроскопии. Впервые получены угловые карты рассеяния ионов Не+ для CuInSe2, CuGaSe2 и других халькопиритных соединений. Впервые продемонстрирована возможность и отработана методика каналирования быстрых ионов в монокристаллах CuInSe2, CuGaSe2, CuInTe2 и твердых растворах Cu(In,Ga)Se2, позволившая достичь минимума деканалирования % = 3 - 4%, что является наилучшим результатом достигнутым к настоящему времени. Разработана ранее не известная методика интерпретации спектров каналирования POP в трехкомпонентных соединениях, позволяющая количественно анализировать глубинные профили концентрации дефектов раздельно в трех подрешетках соединения. Отработана методика исследований структуры поверхности методом фотоэлектронной дифракции, впервые получены угловые карты дифракции фотоэлектронов In и Оже электронов Se с поверхности {221} монокристаллов CuInSe2 и Cu(In,Ga)Se2.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Якушев, Михаил Васильевич, 2011 год

1. Bagnall, D.M. Photovoltaic technologies / D. M. Bagnall, M. Boreland // Energy Policy. 2008.- V. 36. - P.4390-4396.

2. Repins, I. 19.9%-efficient ZnO/CdS/CuInGaSe2 solar cell with 81.2% fill factor //1. Repins, Contreras M.A., et al. // Progress in Photovoltaics. 2008.- V. 16. № 3. - P. 235-239.

3. Shockley, W. Detailed balance limit of efficiency of p-n junction solar cells / W. Shockley, H.J. Queisser//J. Appl. Phys. -1961,-V. 32. P. 510 - 519.

4. Wei, S. Chemical trends of defect formation and doping limit in II-VI semiconductors: The case of CdTe / S. Wei, S.B. Zhang // Phys. Rev. B. 2002.- Y.66, № 3, - P. 155211-1552110.

5. Watkins, G.D. Intrinsic defects in II-VI semiconductors / G.D.Watkins // Journal of Crystal Growth. -1996,- V.159. № 1 4. - P. 338 - 344.

6. Zhang, S.B. Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor / S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yoshida/ Phys. Rev. B. 1998.- V.57. № 16. - P. 9642 - 9656.

7. Shay, J. L., Ternary Chalcopyrite Semiconductors Growth, Electronic Properties, and Applications / J.L. Shay, J.H. Wernick. New York: Pergamon Press, 1975. - 475 p.

8. Ullal, H.S. Current Status of Polycrystalline Thin-Film PV Technologies / H.S. Ullal // Proceedings of the 26th IEEE Photovolt Spec Conf; Anaheim, CA, USA, 29 September 3 October 1997./ - New York, USA, 1997. - P. 301 - 305.

9. Weinert, K. Consequence of 3-MeV electron irradiation on the photovoltaic output parameters of Cu(In,Ga)Se2 solar cells / K. Weinert, A. Jasenek, U. Rau // Thin Solid Films. 2003. - V. 431 - 432. -P. 453 -456.

10. Rockett, A. CuInSe2 for Solar Cell Application / A. Rockett, R. Birkmire / J. Appl. Phys. // -1991.-V.70. P. R81 - R97.

11. Meeder, A. Temperature dependence of the exciton gap in monocrystalline CuGaSe2 / A. Meeder, A. Jager-Waldau, V. Tezlevan et al. // Journal of Physics Condensed Matter // - 2003.- V.15. - P. 6219- 6227.

12. Hwang, H.L. CuInS2 Material Growth, Defect Structure and Physical Properties / H.L. Hwang // Cryst. Res. Technol. -1996. - V.31. - P. 405 - 418.

13. Yakushev, M.V. Optical properties and band gap energy of CuInSe2 thin films prepared by two-stage selenization process / M.V. Yakushev, A.V. Mudryi, V.F. Gremenok et al. // J. Phys. Chem. Solids.- 2003.- V.64. P. 2003 - 2009.

14. Horig, W. The Optical Properties of CuInSe2 Thin Films / W. Horig, H. Neumann, H. Subotta et al. // Thin Solid Films. 1978. - V.48. - P. 67 - 72.

15. Wagner, S. The p-CuInSe2/n-CdS Heterodiode: Photovoltaic Detector, Solar cell and Light Emitting Diod / S. Wagner, J.L. Shay, H.M. Kasper // Journal de Physique C3 Supl. -1975. V. 36, № 9. -P.101 - 104.

16. Lany, S. Intrinsic DX centers in ternary chalcopyrite semiconductors / S. Lany, A. Zunger // Phys. Rev. Lett. 2008,- V. 100. № 1. - P. 016401 - 016404.

17. Yan, Y. Grain-boundary physics in polycrystalline CuInSe2 revisited: Experiment and theory / Y.Yan, R. Noufi, M.M. Al-Jassim // Phys. Rev. Lett. 2006. - V. 96, № 20. - P. 1-3.

18. Jaffe, J.E. Theory of the Band-Gap Anomaly in ABC2 Chalcopyrite Semiconductors / J.E. Jaffe, A. Zunger // Phys. Rev. B. 1984,- V. 29. № 4. - P. 1882 - 1906.

19. Deus, P. Low-temperature thermal expansion in CuInSe2 / P. Deus, H. Neumann, G. Ktihn, B. Hinze // Phys. Stat. Sol. (a). 1983,- V. 80. - P.205 - 209.

20. Parkes, J. Crystal Data for CuInSe2 / J. Parkes, R.D. Tomlinson, M.J. Hampshir // Journal of Applied

21. Crystallography. 1973,- V.6, № 1. - P. 414 - 416.

22. Mandel, L. Crystal Data for CuGaSe2 / L. Mandel, R.D. Tomlinson, M.J. Hampshire // Journal of Applied Crystallography. 1977.- V.10. - P. 130 -131.

23. Abrahams, S.C. Piezoelectric Nonlinear Optic CuGaS2 and CuInS2 Crystal Structure: Sublattice Distortion in AIBIIIC2VI and A"BivC2v Chalcopyrites / S.C. Abrahams, J.L. Bernstein // J. Chem. Phys. 1973,- V.59. - P. 5415 - 5422.

24. Neumann, H. Relation Between Electrical Properties and Composition in CuInSe2 Single Crystals / H. Neumann, R.D. Tomlinson // Solar Cells. 1990,- V.28. - P. 301 - 313.

25. Belova, E.K. Triple chalcogenides of gallium of the type A super I-III-2VI (Phase diagrams and structure of triple chalcogenides of gallium, discussing stability) / E.K. Belova, L.S. Palatnik // Inorganic Materials. 1967.- V.3. - P. 865 - 870.

26. Maeda, T. Characteristics of chemical bond and vacancy formation in chalcopyrite-type CuInSe2 and related compounds / T.Maeda, T.Wada//Physica Status Solidi (c). 2009. - V. 5. - P. 1312 - 1316.

27. Tomlinson, R.D. Fabrication of CuInSe2 Single Crystals Using Melt-Growth Technique / R.D. Tomlinson // Solar Cells. 1986,- V. 16. - P. 17 - 26.

28. Stanbery, B.J. Epitaxial growth and characterization of CuInSe2 crystallographic polytypes / B. J. Stanbery, S. Kincal, S. Kim et al. // Journal of Applied Physics. 2002. - V. 91. № 6. - P. 3598 -3604.

29. Alvarez-Garcia, J.A. Polymorphism in CuInS2 epilayers: Origin of additional Raman modes / J.A. Alvarez-Garcia, A.Pe'rez-Rodriguez, B.Barcones et al. // Appl. Phys. Lett. -2002.- V.80. № 4. P. 562 - 564.

30. Wei, S.H. Band structure and stability of zinc-blende-based semiconductor polytypes / S.H. Wei, S.B. Zhang, A. Zunger // Phys. Rev. B. 1999.- V. 59. № 4. - P. R2478 - R2481.

31. Rowe, J.E. Extension of the Quasicubic Model to Ternary Chalcopyrite Crystals / J.E. Rowe, J.L. Shay // Phys. Rev. B. -1971,- V.3. P. 451- 453.

32. Neumann, H. Optical Properties and Electronic Structure of CuInSe2 / H.Neumann // Solar Cells. -1986.- V.16.-P. 317 333.

33. Shirakata, S. Photoreflectance of CuInS2 single crystal prepared by travelling heater method / S.Shirakata, H. Miyake // J. Phys. Chem. Solids. -2003,- V.64. P. 2021 - 2024.

34. Binsma, J. J. M. Luminescence of CuInS2 / J. J. M. Binsma, L. J. Gilliny, J. Bloem // J. Lumin. -1982. V.27. - P. 55-71.

35. Eberhardt, J. Excitonic luminescence of polycrystalline CuInS2 solar cell material under the influence of strain / J. Eberhardt, H. Metzner, K. Schulz et al. // J. Appl. Phys. 2007,- V.102. - P. 0335031 -0335039.

36. Медведкин, Г. А. Полупроводниковые кристаллы фотоприемников линейно -поляризованного излучения / Г.А. Медведкин, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Ташкент: Фан, - 1992. - 296 с.

37. Tell, В. Aspects of the Band Structure of CuGaS2 and CuGaSe2 / B. Tell, P.M. Bridenbaugh // Phys. Rev. B. 1975,- V. 12. - P. 3330 - 3335.

38. Yu, P.W. Radiative Recombination in Melt-Grown and Cd-implanted CuInSe2 / P.W.Yu // J. Appl. Phys. 1976,- V. 47. - P. 677 - 684.

39. Chatraphorn, S. Photoluminescence of a high quality CuInSe2 single crystal / S. Chatraphorn, K.Yoodee, P.Songpongs et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998.- V.37. - P.L269 - L271.

40. Quintero, M. Temperature-Variation of Energy Gaps and Deformation Potentials in CuGa(SzSei-z)2 Semiconductor Alloys / M.Quintero, C.Rincon, P.Grima // J. Appl. Phys. 1989. - V. 65, № 7. - P. 2739-2743.

41. Mandel, L. Electrocal properties of CuGaSe2 single crystals / L.Mandel, R.D.Tomlinson, M.J. Hampshire, H.Neumann // Solid State Communications. 1979.- V. 32, № 3. - P. 201 - 204.

42. Look, D.C. Electron and Hole Conductivity in CuInS2 / D. C. Look, T. C. Manthuruthil // J. Phys. Chem. Sol. 1976,- V.37. - P. 173 - 180.

43. Wasim, S.M. Density of states effective mass of n-type CuInSe2 from the temperature dependence of Hall coefficient in the activation regime / S.M.Wasim, L.Essaleh, C.Ricon et al. // J. Phys. Chem. Sol. 2005,- V. 66. - P. 1887 - 1890.

44. Neumann, H. Hole Effective Masses in CuInSe2 / H.Neumann, H.Subotta, W.Kissinger et al. // Phys. Stat. Sol. B. 1981,- V. 108. - P. 483 - 487.

45. Syrbu, N.N. Lattice vibrations in CuIni.xGaxSe2 crystals / N.N.Syrbu, M.Bogdanash, V.E. Tezlevan et al. // Physica B. 1997,- V. 229. № 2. - P. 199 - 212.

46. Li P.W. Dielectric constant of CuInSe2 by capacitance measurements / P.W. Li, A.R.Anderson, R.H. Plovnick // J. Phys. Chem. Sol. -1979. V.40. - P. 333 - 334.

47. Chichibu, S. Band gap energies of bulk, thin-film, and epitaxial layers of CuInSe2 and CuGaSe2 / S.Chichibu, T.Mizutani, K.Murakami et al. // J. Appl. Phys. 1998. - V.83. - P. 3678 - 3689.

48. Hsu, T.M. Anomalous Temperature-Dependent Band-Gaps in CuInS2 Studied by Surface-Barrier Electroreflectance / T.M.Hsu, J.H.Lin // Phys. Rev. B. 1988.- V. 37. № 8. - P. 4106 -4110.

49. Bell, A. Exciton freeze-out and thermally activated relaxation at local potential fluctuations in thick AlxGai.xN layers / A.Bell, S.Srinivasan, C.Plumlee et al. // Appl. Phys. 2004,- V.95. № 9. - P. 4670 - 4674.

50. Arushanov, E. Shubnikov-De Haas Oscillations in N-Cuinse2 / E.Arushanov, Essaleh L., Galibert J., Leotin J., Arsene M.A., Peyrade J.P., Askenazy S. Applied Physics Letters. 1992.- V. 61. № 8. -P.958 - 960.

51. Weinert, H. Infrared Faraday Effect in n-type CuInSe2 / H.Weinert, H.Neumann, H.J.Hobler et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 1977,- V.81. - P. K59 - K61.

52. Irie, T. Electrical Properties of n- and p-type CuInSe2 Single Crystals / T.Irie, S.Endo, S.Kimura // Jpn. J. Appl. Phys. -1979,- V. 18. P. 1303 - 1310.

53. Kildal, H. Band structure of CdGeAs2 near k=0 / H. Kildal // Phys. Rev. B. 1974,- V.10. - P. 5082 -5087.

54. Mansour, B.A. Transport properties of CuGaSe2 thin films / B.A.Mansour, M.A.El-Hagary // Thin sj Solid Films. 1995.- V.256. - P.165-170. ' }

55. Amara, A. Electrical properties of CuGaSe2 single crystals and polycrystalline coevaporated thin } films / A.Amara, W.Rezaiki, A.Ferdi et al. // Phys. Stat. Sol. (a). -2007,- V.204, № 4. P.1138-1146.

56. Taguchi, S. Magneto-Optical Effects of the Wanie Excitons in a Biaxial ZnP2 Crystal, I / S.Taguchi, T.Gota, M.Takeda, G.Kido // J. Phys. Soc. Jpn. -1988.- V.57. P.3256-3261.

57. Lawaetz, P. Valence-Band Parameters in Cubic Semiconductors / P.Lawaetz // Phys. Rev. B. 1972.-V 4, № 10. - P. 3460-3445.

58. Gilliland, G.D. Photoluminescence spectroscopy of crystalline semiconductors / G.D.Gilliland // Mat. Sci. Eng. 1997,- V.R18. - P.99-400.

59. Niki, S. Excitonic Emissions from CuInSe2 on Gaas(001) Grown by Molecular-Beam Epitaxy / S.Niki, H.Shibata, P.J.Fons, A.Yamada et al. // Appl. Phys. Lett. 1995,- V.67, № 9. - P.1289-1291.

60. Mudryi, A.V. Free and bound exciton emission in CuInSe2 and CuGaSe2 single crystals / A.V.Mudryi, I.V.Bodnar, V.F.Gremenok et al. // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1998.-V.53, № 3-4. - P.247-253.

61. Chatraphorn, S. Photoreflectance of a High Quality CuInSe2 Single Crystal / S.Chatraphorn, K.Yoodee, P.Songpongs, C.Chityuttakan // Jpn. J. Appl. Phys. -2000,- V.39, № 102, Suppl. 39-1. -P.102-106.

62. Schon, J.H. Excitonic luminescence in CuInSe2 / J.H.Schon, E.Bucher // Appl. Phys. Lett. 1998.-V.73, № 2. - P.211-213.

63. Tell, B. Electrical Properties, Optical Properties and Band Structure of CuGaS2 and CuInS2 / B.Tell, J.L.Shay, H.M. Kasper // Phys. Rev. B. 1971,- V.4, № 8. - P.2463-2471.

64. Yoshino, K. Sharp band edge photoluminescence of high-purity CuInS2 single crystals / K.Yoshino,

65. T.Ikari, S.Shirakata et al. // Appl. Phys. Lett. 2001.- V.78, № 6. - P. 742-744.

66. Stepnewski R. Polariton Effects in Reflectance and Emission Spectra of Homoepitaxial GaN / R.Stepnewski, K.P.Korona, A.Wysmolek et al. // Phys. Rev. B. 1997.- V.56. - P.l5151-15156.

67. Weber, E.R. Understanding Defects in Semiconductors as Key to Advancing Device Technology / E.R.Weber // Physica (b). 2003.- V.340. - P. 1-14.

68. Wei, S.H. Chemical ternds of defect formation and doping limit in II-VI semiconductors: the case of CdTe / S.H.Wei, S.B.Zhang // Phys. Rev. B. 2002,- V.66. - P. 155211.

69. Kohn, W. Hyperfine Splitting of Donor States in Silicon / W.Kohn, J.M.Luttinger // Phys. Rev. -1955.-V.97,№4. P. 883 -888.

70. Шкловский, В.И. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников / В.И. Шкловский, А.Л. Эфрос // ЖЭТФ. 1971, Т.60, С. 867 - 878.

71. Abou-Elfotouh, F.A. Characterization of the Defect Levels in Copper Indium Diselenide / F.A.Abou-Elfotouh, H.Moutinho, A.Bakry et al. // Solar Cells. -1991.- V.30, № 1 4. - P. 151 - 160.

72. Neumann, H. Influence of Intrinsic Defects on the Properties of AIBIUCvt2 Compounds / H.Neumann // Cryst. Res. & Technol. 1983,- V.18, № 4. - P.483-490.

73. Neumann, H. Vacancy formation enthalpies in AIBIIIC2VI chalcopyrite semiconductors / H.Neumann // Cryst. Res. Techn. -1983,- V.18. P.901-906.

74. Van Vechten J.A. Handbook of Semiconductors / J.A.Van Vechten, -Amsterdam: North Holland, 1980.-628 p.

75. Jaffe, J.E. Anion displacement and the band-gap anomality in ternary ABC2 chalcopyrite semiconductors / J.E.Jaffe, A.Zunger // Phys. Rev. B. 1983.- V.27, № 8. - P.5176-5179.

76. Schmid, D. Chalcopyrite/defect chalcopyrite heterijunctions on the basis of CuInSe2 / D.Schmid, M.Ruckh, F.Grunwald, H.W.Schock // J. Appl. Phys. Phys. 1992,- V.73, № 6. - P. 2902-2909.

77. Chernyak, L. Electronic Effects of Ion Mobility in Semiconductors: Semionic Behaviour of CuInSe2 / L.Chernyak, K.Gartsman, D.Cahen et al. // J. Phys. Chem. Sol. 1995.- V.56. - P.l 165-1169.

78. Gartsman, K. Direct evidence for diffusion and electromigration of Cu in CuInSe2 / K.Gartsman, L.Chernyak, V.Lyahovitskaya et al. // J. Appl. Phys. 1997,- V.82. № 9. - P. 4282-4285.

79. Abou-Elfotouh, F.A. Determination and observation of electronic defect levels in CuInSe2 crystals and thin films / F.A.Abou-Elfotouh, L.L.Kazmerski, H.R.Moutinho // J. Vac. Sc.Technol. A. 1991. -V.9. № 3. - P.554-558.

80. Kazmerski, L. Atomic-level imaging, processing and characterization of defects and surfaces using proximal probe techniques / L.Kazmerski // Vacuum. 1992.- V.43, №11.- P.1011-1017.

81. Jaffe, J.E. Electronic Structure of the Ternary Chalcopyrite Semiconductors CuAlS2, CuGaS2, CuInS2, CuAlSe2, CuGaSe2 and CuInSe2 / J.E.Jaffe, A.Zunger // Phys. Rev. B. 1983.- V.28. № 10. - P.5822-5847.

82. Scheer, R. Photoemission Study of Evaporated CuInS2 Thin Films. I. Surface Stoichiometry and Phase Segregation / R.Scheer, H.J.Lewerenz // J. Vac. Sei. Technol. A. 1994,- V.12. - P. 51-55.

83. Neumann, H. Ionicity of Chemical Bond in A'BmCVI2 Semiconductors / H.Neumann // Cryst. Res. Technol, -1983.- V.18, № 10. P. 1299-1312.

84. Phillips, C. Ionicity of the Chemical Bond in Crystals / C.Phillips // Rev. Mod. Phys. 1970.- V.42.1. V.317-356.

85. Persson, С. n-type Doping of CuInSe2 and CuGaSe2 / C.Persson, Y.J.Zhao, S.Lany, A.Zunger // Phys. Rew. B. 2005,- M.12. - P.035211-035226.

86. Yamomoto, T. The Electronic structure of Non-stoichiometric CuInS2 and the Study of Defects Levels of CuInS2 with Chalcopyrite Structure / T.Yamomoto, H.Katayama-Yoshida // Cryst. Res. Technol. -1996,- V.31. P.97-100.

87. Hwang, H.L. CuInS2 Material Growth, Defect Structures and Physical Properties / H.L.Hwang Cryst. Res. Technol. - 1996,- V.31. - P.405-418.

88. Siebentritt, S. Reconciliation of luminescence and Hall measurements on the ternary semiconductor CuGaSe2 / S.Siebentritt, I.Beckers, T.Riemann et al. // Appl. Phys. Lett. 2005,- V.86, № 9. - P. 091909-091911.

89. Schon, J.H. Characterization of intrinsic defect levels in CuInS2 / J.H.Schon, E.Bucher // Physica Status Solidi (a) -Applied Research. 1999.- V.171, № 2. - P.511-519.

90. Schon, J.H. Comparison of point defects in CuInSe2 and CuGaSe2 single crystals / J.H.Schon, E. Bucher // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1999,- V.57, № 3. - P.229-237.

91. Nanu, M. Deep-level transient spectroscopy of Ti02/CuInS2 heterojunctions / M.Nanu, F.Boulch, J.Schoonman et al. // Appl. Phys. Lett. 2005.- V. 87, № 24. - P. 242103 - 242105.

92. Zott, S. Photoluminescence of polycrystalline CuInSe2 thin films / S.Zott, K.Leo, M.Ruckh et al. // Appl. Phys. Lett. -1996.- V.68. P.l 144-1146.

93. Dirnstorfer, I. Characterization of CuIn(Ga)Se2 Thin Films (III) / I.Dirnstorfer, M.Wagner, D.M.Hofmann et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1998,- V.168. - P.163 -175.

94. Shklovskii, B.I. Electronic properties of doped semiconductors / B.I.Shklovskii, A.L.Efros,: -Berlin: Springer-Verlag, 1984. 416 p.

95. Леванюк, А.П. Теория Люминесценции Сильно Легированных Полупроводников /

96. A.П.Леванюк, В.В.Осипов // ФТП. 1973,- Т.7, Вып.6. - С.1058-1068.

97. Леванюк, А.П. Краевая Люминесценция Прямозонных Полупроводников / А.П.Леванюк,

98. B.В.Осипов // УФН. -1981.- Т.133, Вып.З. С.427-477.

99. Van de Walle, С.G. Universal alignment of hydrogen levels in semiconductors, insulators and solutions / C.G.Van de Walle, J.Neugebauer // Nature. 2003,- V. 423. - P. 626 - 628.

100. Krauser, J. Hydrogen concentration in chalcopyrite thin-filmsolar cells / J.Krauser, T.Riedle, R.Klenk et al. // Appl. Phys. (a). 2000.- V.70. - P. 617-623.

101. Topper, K. Photoluminescence of CuInS2 thin films and solar cells modified by postdeposition treatments / K.Topper, J.Bruns, R.Scheer et al. // Appl. Phys. Lett. 1997,- V.71, № 4. - P.482-484.

102. Kihc, C. Doping of chalcopyrites by hydrogen / C.Kilic, A.Zunger // Appl. Phys. Lett. 2003.-V.83. - P.2007 - 2009.

103. Rau, U. Oxygenation and air-annealing effects on the electronic properties of Cu(In,Ga)Se2 films and devices / U.Rau, D.Braunger, R.Herberholz et al. // J. Appl. Phys. 1999.- V. 86. № 1. - P. 497505.

104. Markvart, T. Radiation Damage in Solar Cells: a review / T.Markvart // Journal of Material Science: Materials in Electronics. 1990,- V.l, № 1. - P.l-12.

105. Jasenek, A. Defect generation in Cu(In,Ga)Se2 heteroj unction solar cells by high-energy electron and proton irradiation / A.Jasenek, U.Rau // J. Appl. Phys. 2001.- V.90, № 2. - P.650-658.

106. Guillemoles, J.F. Cu(In,Ga)Se2 solar cells: Device stability based on chemical flexibility / J.F. Guillemoles, U.Rau, L. Kronik et al. / Advanced Materials. 1999,- V.l 1, № 11. - P.957-968.

107. Schock, H.W. Development of CIS Solar Cells for Space Applications / Proceedings of 2nd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 6-10 July 1998./ eds.: J. Schmid et al.. E.C. JRC, Luxembourg; 1998. P.3586-3589.

108. Tanaka, T. Effect of Electron Irradiation on Properties of CuInSe2 Thin Films / T.Tanaka, T.Ohshima, H.Itoh et al. // Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 2000.- V.39-1. - P.192-193.

109. Queisser, H.J. The conquest of the microchip / H.J.Queisser. Cambridge: Harvard University Press MA, 1992.-200 p.

110. Hahn, H. Untersuchungen über ternäre Chalkogenide. V. Über einige ternäre Chalkogenide mit Chalkopyritstruktur / H.Hahn, G.Frank, W.Klinger et al. // Anorg. Allg. Chem. 1953,- V.271, № 34. - P.153-170.

111. Палатник, JI. С. Фазовые Диаграммы Структуры Некоторых Полупроводниковых Сплавов A2ICvi-B2IIICvi / Л.С.Палатник, Е.И.Рогачева // Изв. Акад. Наук СССР. Неорг Матер. 1967,-Т.12. - С.503-506.

112. Yu, P.W. Radiative Recombination in Melt-grown and Cd Dopped CuInSe2 / P.W.Yu // J. Appl. Phys. 1976,- V.47, № 2. - P. 677-684.

113. Боднарь, И.В. Выращивание кристаллов тройных соединений типа А1-ВШ-С2У1 и их свойства / И.В. Боднарь, А.И. Лукомский // Изв. АН СССР. Неорган Матер. 1979,- Т.15, № 10. -Р. 1718-1721.

114. Gonzales, J. Photodetecting Properties of CuInSe2 Homojunctions / J.Gonzales, C.Ricon, A. Redendo, P. Negrete // Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 1980,- V.3, № 19. - P. 29-32.

115. Tomlinson, R.D. Crystal Growth of Cu-III-VI2 Compounds From the Melt / R.D.Tomlinson // Material Research Society Symposium Proceedings, Anaheim, California, 18-23 September 1987/. eds. D.Neil et al.. - Anaheim, California. 1987; - P.177-186.

116. Fearheiley, M.L.D. Phase Relations in the System In-CulnS2 / M.L.D.Fearheiley, N.Birkholtz, M. Hopfner, С. H. // Journal of Electronic Materials. 1991.- V.20, № 2. - P. 173 - 175.

117. Shukri, Z.A. Identification of oxygen in the copper as the source of adhesion in Bridgman-grown CuInSe2 crystals / Z.A.Shukri, C.H.Champness // Journal of Crystal Growth. 1996.- V.166, № 1 - 4. -P. 708 -711.

118. Mullan, C.A. A Microstructural and Compositional Analysis of CuInSe2 Ingots Grown by the Vertical Bridgmann Technique / C.A.Mullan, C.J.Kiely, S.M.Casey et al. // J. Cryst. Growth. -1997,- V.171. P.415-424.

119. Mandel, L. The fabrication and Doping of Single Crystals of CuGaSe2 / L.Mandel, R.D. Tomlinson, M.Hampshire //J. Cryst. Growth. 1976.- V.36. - P.152-156.

120. Gabor, A.M. High-efficiency CuInxGai.xSe2 solar cells made from (Inx,Gai.x)2Se3 precursor films / A.M.Gabor, J.R.Tuttle, D.S.Albin, M.A.Contreras, R.Noufi // Appl. Phys. Lett. 1994.- V.65. -P. 198-200.

121. Jackson, P. High Quality Baseline for High Efficiency, Cu(Inix,Gax)Se2 Solar Cells / P.Jackson, R.Wu'rz, U.Rau et al. // Prog. Photovolt. Res. Appl. -2007,- V.15. P.507-519.

122. Contreras, M.A. Characterization of Cu(In,Ga)Se2 materials used in record performance solar cells / M.A.Contreras, M.J. Romero, R.Noufi // Thin Solid Films. 2006,- V.511-512. - P.51-54.

123. Zachmann, H. Characterisation of Cu(In,Ga)Se2-based thin film solar cells on polyimide / H.Zachmann, S.Heinker, A.Braun, et al. // Thin Solid Films. 2009,- V.517, № 7. - P. 2209-2212.

124. Chu, W.K. Backscattering Spectrometry / W.K.Chu, J.W. Mayer, M.A. Nicolet // New York, San Francisko, London: Academic Press. 1978. 384 p.

125. Doolittle, L. R. A semiautomatic algorithm for rutherford backscattering analysis / L. R. Doolittle // Nucl. Instr. Meth. B. 1986.- V.15, № 1-6. - P.227-231.

126. Ziegler, J.F. Ion Beam Surface Layer Analysis / J.F.Ziegler, R.F.Lever, J.K.Hirvonen // New York, USA: Plenum Press. 1976,- 422 p.

127. Bragg, W.H. On the alpha particles of radium and their loss of range in passing through various atoms and molecules / W.H.Bragg, R.Kleeman // Phil. Mag. 1905,- V.10. - P. 318-341.

128. Lagford, W.A. New Precision Technique for Measuring the Concentration Versus Depth of Hydrogen in Solids / W.A.Lagford, H.P.Trautvetter, J.F.Ziegler, S.P.Keller // Appl. Phys. Lett. -1976. V.28, № 9. - P.566-569.

129. Fink, D. Neutron Depth Profiling / D.Fink. Berlin: Hahn-Meitner-Institute GmbH (Germany)1996.-316 p.

130. Гоулдстейн, Д. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. В двух книгах. Пер. с англ. / Д.Гоулдстейн, Д.Ньюбери, П.Эчлин и др. М.: Мир. - 1984. - 366 с.

131. Зигбан, К. Электронная спектроскопия / К.Зигбан, К.Нордлинг, А.Фальман и др.,: М.: Мир. 1971. 445 с.

132. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д.Бриггса, М.Сиха. М.: Мир. 1987. -562 с.

133. Kuznetsov, M.V. XPS And XPD Study of Cu(InGa)Se2 Surface / M.V.Kuznetsov, E.V.Shalaeva, A.G.Panasko, M.V.Yakushev // Thin Solid Films. 2004.- V.451-452. - P. 137-140.

134. Kuznetsov, M.V. Evolution of CuInSe2 (112) Surface Due to Annealing: XPS Study / M.V.Kuznetsov, E.V.Shalaeva, M.V.Yakushev, R.D.Tomlinson // Surface Science Letters. 2003.-V.530, № 1-2. - P. L297 - L301.

135. Тулинов, А.Ф. Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы / А.Ф.Тулинов // Успехи физических наук. 1965.- Т. 87, Вып. 4. - С. 585-592.

136. Линдхард, И. Влияние Кристаллической Решетки на Движение Быстрых Заряженных Частиц / И. Линдхард // УФН. 1969.- Т.99, Вып.2. - С.249-296.

137. Bogh, Е. Defect Studies in Crystals by Means of Channeling / E.Bogh // Can. J. Phys. 1968,-V.46. - P.653-662.

138. Yakushev, M.V. Depth Profiles and Dose Dependence of Radiation Damage Caused by 30kev Ar+ in CuInSe2 Single Crystals / M.V.Yakushev Surface Investigation / 2003,- V.5. - P.48-52.

139. Yakushev, M.V. Radiation Damage and Amorphization Mechanism in Xe+ Irradiated CuInSe2 / M.V.Yakushev, I.S.Tashlykov, R.D.Tomlinson, A.E.Hill, R.D.Pilkington // Material Science Forum.1997,- V.171. P.248-249.

140. Otte, K. Low Energy Ion Beam Etching of CuInSe2 Surfaces / K.Otte, G.Lippold, A.Schindler, Yakushev M.V. et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999.- V. 17, № 1. - P. 19-23.

141. Yakushev, M.V. An RBS-Channelling and Raman Study of Implant Damage in Hydrogen Implanted CuInSe2 Single Crystals / M.V.Yakushev, G.Lippold, A.E.Hill, R.D.Pilkington, R.D.Tomlinson// Cryst. Res. Technol. 1996,- V.95. - P.357-360.

142. Hiifner, S. Photoelectron Spectroscopy / S.Hufner. New-York: Springer-Verlage, 1995.- 456 p.

143. Rehr, J.J. Scattering-matrix formulation of curved-wave multiple-scattering theory: Application to x-ray-absorption fine structure / J.J.Rehr, R.G.Albers // Phys. Rev. B. 1990.- V.42. - P.8139-8149.

144. Nakamura, K. Ion-irradiation effects on the phonon correlation length of graphite studied by Raman spectroscopy / K.Nakamura, M.Kitajima// Phys. Rev. B. 1991.- V.45. - P.78-82.

145. Abragam, A. The Principles of Nuclear Magnetism / A.Abragam // Oxford: Oxford University Press. 1961.-288 p.

146. Hayano, R.S. Zero-and low-field spin relaxation studied by positive muons / R.S.Hayano,

147. Y.J.Uemura, J.Imazato, N.Nishida, T.Yamazaki, R.Kubo 11 Phys. Rev. B. 1979,- V.20. - P. 850-859.

148. Brewer, J.H. Muon Spin Rotation / Relaxation / Resonance / J.H.Brewer // V. 11: VCH Publishers, Inc. 1994. 316 p.

149. Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков; пер. под ред. Ж.И. Алферова, B.C. Вавилова. Москва: Мир, 1973, 456 с.

150. Yu, P.Y. Fundamentals of Semiconductors / P.Y.Yu, M.Cardona Berlin: Springer, 2001, - 637 p.

151. Elliot, R.J. Intensity of optical absorption by excitons / R.J.Elliot // Phys. Rev. -1957.- V.108. P. 1384-1389.

152. Gilliland, G. D. Photoluminescence Spectroscopy of Crystalline Semiconductors / G. D. Gilliland // Materials Science and Engineering. 1997.- V.R18. - P.99-400.

153. Wanie, G.H. The Structure and Electronic Excitation Levels in Insulating Crystals / G.H.Wanie // Phys. Rev. 1937,- V.52. - P.191-197.

154. Knox, R. Theory of Excitons / R.Knox. New York: Academic Press, 1963, 178 p.

155. Hopfield, J.J. Theory of the Contribution of Excitons to the Complex Dielectric Constant of Crystals / J.J.Hopfield // Phys. Rev. 1958,- V. 112. - P. 1555 - 1567.

156. Klingshirn, C.F. Semiconductor Optics / C.F.Klingshirn. Berlin Heidelberg New York: SpringerVerlag, 1995, - 490 p.

157. Steiner, T. Effect of neutral donor scattering on the time-dependent exciton-polariton photoluminescence line shape in GaAs / T.Steiner, M.L. W.Thewalt, E.S.Koteles, J.P.Salerno // Phys. Rev. B. 1986.- V.34. - P. 1006 - 1013.

158. Sharma, R.R. Theory of Excitons Bound to Ionized Impurities in semiconductors / R.R.Sharma, S.Rodriguez // Phys. Rev. -1967.- V.153. P.823-827.

159. Hynes, J.R. Experimental Proof of the Existence of a New Electronic Complex in Silicon / J.R.Hynes // Phys. Rev. Lett. I960.- V.4. - P.361-363.

160. Atzmuller, H. Theory of Excitons Bound to Neutral Impurities in Polar Semiconductors / H.Atzmtiller, F.Froshl, U.Schroder // Phys. Rev. B. 1979.- V.19. - P.3138-3129.

161. Turowski, M. Photoemission studies of CuInSe2 and CuGaSe2 and of their interfaces with Si and Ge / M.Turowski, G.Margaritondo, M.K.Kelly, R.D.Tomlinson // Phys. Rev. B. 1985,- V.31. -P. 1022- 1027.

162. Wasim, S.M. Transport properties of CuInSe2 / S.M.Wasim // Sol. Cells. 1986.- V.16. - P.289-316.

163. Yakushev, M.V. The Observation of Near Surface Deviation from Stoichiometry in CuInSe2 Crystals Following Chemical Etching / M.V. Yakushev, G. Constantinidis, M. Imanieh, R.D. Tomlinson // Solid State Communications. 1989.- V.65, № 10. - P. 1079-1083.

164. Sander, M. Site-specific surface interaction of adsorbed water and halogens on copper indium selenide (CuInSe2) surfaces / M.Sander, W.Jaegermann, H.J.Lewerenz // J. Phys. Chem. Sol. 1992.-V.96, № 2. - P.782-790.

165. Alberts, V. Control of VSe Defect Levels in CuInSe2 Prepared by Rapid Thermal Processing of Metallic Alloys / V.Alberts, J.Bekke, M.J.Witcomb, J.H.Schon, E.Bucher // Thin Solid Films. 2000,-V.361-362. - P.432-436.

166. Heske, C. Electronic and Compositional Effects of Na Deposition on Cu(InGa)Se2 Thin Film Surfaces / C.Heske, R.Fink, E.Umbach, W.Riedl, F.Karg // Cryst. Res. Technol. 1996.- V.31. -P.465-468.

167. Niemi, E., Stolt L., Characterization of CuInSe2 thin films by XPS / E.Niemi, L.Stolt // Surf Interface Anal. 1990,- V.15 -P. 422-426.

168. Yakushev, M.V. Modification of the CuInSe2 Single Crystal Surface During Polishing and Annealing / M.V.Yakushev, H.Neumann, R.D.Tomlinson // Cryst. Res. Technol. 1997.- V.32, № 1. - P.155-161.

169. Curran, J.E. The properties and applications of low energy plasmas / J.E.Curran // Vacuum. -1984.- V.34, № 3-4. P.343-345.

170. Biersack, J.P. A Monte Carlo program for the transport of energetic ions in amorphous material / J.P.Biersack, L.G.Haggmark //Nucl. Instr. Meth. B. 1980,- V.174. - P.257-268.

171. Yakushev, M.V. Effect of Plasma Hydrogenation on the Defect Properties of CuInSe2 / M.V.Yakushev, A.Zegadi, H.Neumann, P.A.Jones, A.E.Hill, R.D.Pilkington, M.A.Slifkin, R.D.Tomlinson // Cryst. Res. Technol. 1994,- V.29, № 3. - P.427-437.

172. Yakushev, M.V. Ion Channelling Study of Hydrogen Induced Damage in CuInSe2 Crystals / M.V.Yakushev, P.A.Jones, H.Neumann, G.A.Stephens, R.D.Tomlinson // Nucl. Instr. Meth. Lett. B. -1993.-V.84.-P.405-407.

173. Corvini, P. Surface order and stoichiometry of sputter-cleaned and annealed CuInSe2 / P.Corvini, A.Kahn, S.Wagner // J. Appl. Phys. 1985,- V.57. - P. 2967-2969.

174. Cahen, D. Free energies and enthalpies of possible gas phase and surface reactions for preparation of CuInSe2 / D.Cahen, R.Noufi // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1991.- V. 52, № 8. - P. 947-961.

175. Yakushev, M.V. Influence of Proton Implantation on the Properties of CuInSe2 Single Crystals (I) Ion Channelling Study of Lattice Damage / M.V.Yakushev, R.D.Tomlinson, H.Neumann // Cryst. Res. Technol. 1994.- V.29, № 1. - P.125-132.

176. Yakushev, M.V. Radiation hardness of CuInSe2 / M.V.Yakushev // The 17th International Conference on Ion-Surface Interactions (ICIS-17), Zvenigorod, Russia, 10-14 June, 2005.

177. Yakushev, M.V. Radiation hardness of CuInSe2 / M.V.Yakushev, Y.Feofanov, J.Krustok, M.Grossberg, A.V.Mudriy // Изв. Акад. Наук. СССР, Неорг Матер. 2006.- Вып.70, № 6. - С. 806-809.

178. Krustok, J. The role of Spatial Potential Fluctuations in the Shape of the PL Bands of Multinary Semiconductor Compounds / J.Krustok, H.Collan, M.Yakushev, K.Hjelt // Physica Scripta. 1999.-V.79. - P.179-182.

179. Krustok, J. On the Shape of the Close-to-Band-Edge Photoluminescent Emission Spectrum in Compensated CuGaSe2 / J.Krustok, J.Raudoja, M.Yakushev, R.D.Pilkington, H.Collan // Phys. Stat.

180. Sol. (a). 1999,- V.173. - P. 483-490.

181. Yakushev, M.V. A PL Study of Hydrogen Implanted Cu(InGa)Se2 Thin Films / M.V.Yakushev, R. W.Martin, F.Urquhart, A.V.Mudri, H.W.Schock, J.Krustok, R.D.Pilkington, A.E.Hill, R.D.Tomlinson // Jpn. J. Appl. Phys. 2000,- V. 39-1. - P.320-321.

182. Yakushev, M.V. A PL Study of CIGS Thin Films Implanted With He fnd D Ions / M.V.Yakushev, R.W.Martin, J.Krustok, H.W.Schock, R.D.Pilkington, A.E.Hill, R.D.Tomlinson // Thin Solid Films. -2000,- V.361-362. P.488-493.

183. Yakushev, M.V. Effects of D+ Implantation of CIGS Thin Films Through CdS Layer / M.V.Yakushev, R.W.Martin, J.Krustok, A.V.Mudriy, D.Holman, H.W.Schock, R.D.Pilkington, A.E.Hill, R.D.Tomlinson // Thin Solid Films. 2001,- V.387. - P.201-204.

184. Rau, U. Electronic properties of Cu(In,Ga)Se2 heteroj unction solar cells-recent achievements, current understanding, and future challenges / U.Rau, H.W.Schock // Applied Physics (a) -Materials Science & Processing. 1999.- V.69, № 2. - P. 131-147.

185. Scheer, R. Measurements of Minoroty-carrier Diffusion Length in n-CuInSe2 by Electron-Beam-Induced Current / R.Scheer, M.Wilhelm, H.J.Lewerenz // J. Appl. Phys. 1989.- V.66. - P.5412-5415.

186. Matson, R.J. CdS induced homojunction formation in crystalline p-CuInSe2 / R.J.Matson, R.Noufi, K.J.Bachmann, D.Cahen // Appl. Phys. Lett. 1987,- V.50. - P.158-160.

187. Боднарь, И. В. Спектры фотолюминесценции монокристаллов AgGaTe2, имплантированных водородом / И.В.Боднарь, В.Ф.Гременок, Р.В.Мартин, М.В.Якушев // Оптика и спектроскопия. 2000,- Т.88, Вып.З. - С.424-426.

188. Otte, K. In Situ XPS Investigations Of Ion Beam Hydrogenation Of CuInSe2 Single Crystal Surfaces / K.Otte, G.Lippold, D.Hirsch, A.Schindler, M.V.Yakushev, R.W.Martin, F.Bigl // Thin Solid Films. 2001,- V.387. - P. 185-188.

189. Fink, D. On the Redistribution of lOkeV Hydrogen in CuInSe2 / D.Fink, J.Krauser, G.Lippold, M.V.Yakushev, R.D.Tomlinson, A.Weidinger, K.K.Dwivedi, S.Ghosh, W.H.Chung // Rad. Eff. Def. in Solids. 1998,- V.145. - P.85-105.

190. Gil, J.M. Modelling Hydrogen in CuInSe2 and CuInS2 Solar Cell Materials Using Implanted Muons//. J.M.Gil, P.J.Mendes, L.P.Feireira, H.V.Alberto, R.C.Vilao, N. Ayres de Campos,

191. A.Weidinger, C.Niedermayer, M.V.Yakushev, R.D.Tomlinson, S.P.Cottrell, S.F.J.Cox // Phys. Rev.

192. B. 1999.- V.59, № 3. - P.1912-1916.

193. Chow, K.H. Diffusion, trapping, and relaxation of Mu+ and Mu- in heavily-doped GaAs / K.H.Chow, S.F.J.Cox, E.A.Davisc, S.R.Dunsigerd, T.L.Estle, B.Hitti, R.F.Kiefl, R.L.Lichti // Hyperfine Interactions. 1997.- V.105. - P.309-314.

194. Vilao, R.C. Muon diffusion and trapping in chalcopyrite semiconductors / R.C.Vilao, J.M.Gil, H.V.Alberto, J.P.Duarte, N.Ayres de Campos, A.Weidinger, M.V.Yakushev, S.F.J.Cox // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2002,- V. 326, № 1-4. - P.181-184.

195. Van Vleck, J.H. The Dipolar Broadening of Magnetic Resonance Lines in Crystals / J.H.Van Vleck // Phys. Rev. 1948.- V.74. - P. 1168-1183.

196. Lee, H. 3 MeV electron irradiation-induced defects in CuInSe2 thin films / H.Lee, H.Okada, A.Wakahara, T.Ohshima, H.Itoh, S.Kawakita, M.Imaizumi, S.Matsuda, A.Yoshida // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2003,- V.64. - P. 1887-1890.

197. Polity, A. Study of defects in electron irradiated CuInSe2 by positron lifetime Spectroscopy / A.Polity, R.Krause-Rehberg, T.E.M.Staab, M.J.Puska, J.Klais, H.J.Moller, B.K.Meyer // J. Appl. Phys. -1998,- V.83, № 1. P.71-78.

198. Ascheron, C. Study of proton-bombardment-induced radiation damage in elemental and compound semiconductors by RBS channeling / C.Ascheron, J.P.Biersack, D.Fink, P.Goppelt, A.Manuaba, F.Paszti, N.Q.Khanh//Nucl. Instr. Meth. B. 1992,- V.68. - P.443-449.

199. Mullan, C.A. The effect of Ion Implantation on the Microstructure of CuInSe2 Single Crystals /

200. C.A.Mullan, C.J.Kiely, M.V.Yakushev, M.Imanieh, R.D.Tomlinson, A.Rockett // Phil. Mag. A. -1996,- V.73, № 4. P.l 131-1145.

201. Sigmund, P. Energy density and time constant of heavy-ion-induced elastic-collision spikes in solids / P.Sigmund // Appl. Phys. Lett. 1974.- V.25, № 3. - P.1974-1976.

202. Nadazdy, V. Switching of Deep Levels in CuInSe2 Due to Electric Field-induced Cu Ion Migration / V.Nadazdy, M.Yakushev, E.D.Djebbar, A.E.Hill, R.D.Tomlinson // J. Appl. Phys.1998.- V.84, № 8. P.4322-4326.

203. Lippold, G. A Raman Scattering Study of Ion Implantation Damage in CuInSe2 Single Crystals / G.Lippold, M.V.Yakushev, R.D.Tomlinson, A.E.Hill, W.Grill // Cryst. Res. Technol. 1996,- V.95. -P.385-388.

204. Nomura, S. Preparation of CuInSe2 Thin Films by Pulse-Plated Electrodeposition / S. Nomura, S. Endo // Ternary and Multinary Compounds in the 21st Century. 2001. - Book 1. P. 131 -136.

205. Shirakata, S. Raman spectra of CuInSe2 Thin films prepared by chemical spray pyrolys / S.Shirakata, H.Kubo, C.Hamaguchi, S.Isomura // Jpn. J. Appl. Phys. -1997.- V.36. P.L1394-L1396.

206. Rau, U. Oxygenation and air-annealing effects on the electronic properties of Cu(In,Ga)Se2 films and devices / U.Rau, D.Braunger, R.Herberholz, H.W.Schock, J.-F.Guillemoles, L.Kronik, D.Cahen // J. Appl. Phys. -1999.- Y.86. P.497-505.

207. Tomlinson, R.D. Electrical Properties of CuInSe2 Single Crystals Implanted with Xenon / R.D.Tomlinson, M.V.Yakushev, H.Neumann // Cryst. Res. Technol. 1993,- V.28, - P.267 - 272.

208. Jagomagi, A. Photoluminescence studies of heavily doped CuInTe2 crystals / A.Jagomagi, J.Krustoka, J.Raudojaa, M.Grossberga, M.Danilsona, M.Yakushev // Physica В Condens Matter. -2003.- V.337. - P.369-374.

209. Болотов, В.В. Физические процессы в облученных полупроводниках / В.В.Болотов, А.В.Васильев, Н.Н.Герасименко, А.В.Двуреченский, Г.А.Качурин, В.И.Панов, В.Ф.Стась // отв. ред. Л.С.Смирнов. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение. 1977. 256 с.

210. Hariskos, D. Chemical bath deposition of CdS buffer layer: prospects of increasing materials yield and reducing waste / D.Hariskos, M.Powalla, N.Chevaldonnet, D.Lincot, A.Schindler, B.Dimmler //

211. Thin Solid Films. 2001.- V.387, № 1-2. - P.179-181.

212. Neumann, H. Comparative Optical Absorption and Photoreflectance Study of n-Type CuInSe2 / H.Neumann, W.Horig, P.A.Jones, G.Lippold, H.Sobotta, R.D.Tomlinson, M.V.Yakushev // Cryst. Res. Technol. 1994,- V.29 - P.719 - 726.

213. Theodoropoulou, S. Raman and photoreflectance study of CuIni-xGaxSe2 epitaxial layers / S.Theodoropoulou, D.Papadimitriou, N.Rega, S.Siebentritt, M.C.Lux-Steiner // Thin Solid Films. -2006,- V.511-512 -P.690 694.

214. Kuskovsky, I. Decay Dynamics in Disordered Systems: Application to Heavily Doped Semiconductors / I.Kuskovsky, G.F.Neumark, G.F.Bondarev, P.V.Pikhitsa // Phys. Rev. Lett. -1998,-V.80. P.2413 - 2416.

215. Rincon, C. Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor / C.Rincon, R.Marquez // J. Phys. Chem. Solids. 1999,- V.60. - P.1865 - 1873.

216. Герасименко, H.H. Радиационный отжиг дефектов, образующихся при бомбардировке кристаллов ионами / Н.Н.Герасименко, А.В.Двуреченский, Г.А.Качурин, Н.Б.Придачин, Л.С.Смирнов // ФТП. 1972.- Т.6, Вып.9. - С.1834-1835.

217. Мудрый, А.В. Образование дефектов в тонких пленках полупроводникового соединения Cu(In,Ga)Se2 при облучении протонами / А.В.Мудрый, А.В.Иванюкович, М.В.Якушев,

218. B.С.Куликаускас, В.С.Черныш // Журнал прикладной спектроскопии. 2006,- Т.73, Вып.6.1. C.828-830.

219. Yakushev, M.V. Magneto -PL Study of Radiative Recombination in CuInSe2 Single Crystals / M.V.Yakushev, Y.Feofanov, R.W.Martin, R.D.Tomlinson, A.V.Mudryi // J. Phys. Chem. Solids. -2003,- V.64.-P.2011-2016.

220. Tanino, H. Raman Spectra of CuInSe2 / H.Tanino, T.Maeda, H.Fujikake, H.Nakanishi, S.Endo, T.Irie // Phys. Rev. B. 1992,- V.45. - P. 13323-13330.

221. Leroux, M. Temperature quenching of photoluminescence intensities in undoped and doped GaN / M.Leroux, N.Grandjean, B.Beaumont, G.Nataf, F.Semond, J.Massies, P.Gibart // J. Appl. Phys. -1999,- V.86, No 7. P.3721-3728.

222. Cohen, E. Excited states of excitons bound to nitrogen pairs in GaP / E.Cohen, M.D.Sturge // Phys. Rev. B. 1977.- V. 15. - P. 1039-1051.

223. Medvedkin, G.A. Diode n-p CuInSe2 Structures Fabricated by Oxygen Implantation / G.A.Medvedkin, Y.V.Rud, M.V.Yakushev // Cryst. Res. Technol. 1990,- V.25, № 11. - P.1299-1302.

224. Polity, A. Study of defects in electron irradiated CuInSe2 by positron lifetime spectroscopy / A.Polity, R.Krause-Rehberg, T.E.M.Staab, M.J.Pushka, J.Klais, H.J.Moller, B.K.Meyer // J. Appl. Phys. 1998.-V.83.-P.71-78.

225. Walukiewicz W. Mechanism of Fermi-level stabilization in semiconductors / W.Walukiewicz // Phys. Rev. B. 1988,- V.37. - P.4760-4763.

226. Lany, S. Intrinsic DX centers in ternary chalcopyrite semiconductors / S.Lany, A.Zunger // Physical Review Letters. 2008,- V.100, № 1. - P. 016401 - 016404.

227. Мудрый, А.В. Оптическая спектроскопия экситонных состояний в CuInSe2 / А.В.Мудрый,

228. М.В.Якушев, Р.Д.Томлинсон, А.Е.Хилл, Р.Д.Пилкингтон, И.В.Боднарь, И.А.Викторов, В.Ф.Гременок, И.А.Шакин, А.И.Патук // ФТП. 2000,- Т. 34, Вып. 5. - С.550-554.

229. Weber, J. Excitons Bound to an Isoelectronic Trap in Silicon / J.Weber, W.Schmid, R.Sauer // J. Luminescence. 1979,- V.93. - P.18-19.

230. Yakushev, M.V. Temperature dependence of excitonic emission in CuInSe2 / M.V.Yakushev, R.W.Martin, A.V.Mudryi // Physica Status Solidi (c). 2009.- V.6, № 5. - P.1082-1085.

231. Watkins, S.P. Sources of donor impurities in undoped GaAs grown using arsine and trimethylgallium / S.P.Watkins, G.Haacke // J. Appl. Phys. 1991.- V.69. - P.1625-1630.

232. Hyness, J.R. Experimental Proofe of the Existence of a New Electronic Complex in Silicon / J.R.Hyness // Phys. Rev. Lett. I960,- V.4, № 7. - P.361-363.

233. Hopfield, J.J. Fine Structure and Magneto-Optic Effects in the Exciton Spectrum of Cadmium Sulfide / JJ.Hopfield, D.G.Thomas // Phys. Rev. -I960.- V.122. P.35-52.

234. Yakushev, M. V. Excited states of the free excitons in CuInSe2 single crystals / M.V.Yakushev, F. Luckert, C. Faugeras, A. V. Karotki, A. V. Mudryi, R. W. Martin // Appl. Phys. Lett. 2003. - V.97. -P.152110 - 152110.

235. Shah, J. Effects of Bound Excitons in II-IV-V2 Chalcolpyrite Compounds / J. Shah, E.Buehler // Phys. Rev. B. 1971.- V.4. - P.2827-2829.

236. Yakushev, M.V. Effects of Deviation From Stoichiometry on Excitons in CuInSe2 Single Crystals / M.V.Yakushev, A.V.Mudryi, Y.Feofanov, R.D.Tomlinson // Thin Solid Films. 2003,- V.431/432. -P. 190-192.

237. Yakushev, M.V. Energy of Free Excitons in CuInSe2 Single Crystals / M.V.Yakushev, A.V.Mudryi, R.D.Tomlinson // Applied Physics Letters. 2003,- V.82, № 18. - P.3233-3235.

238. Tell, B. Some Properties of AgAlTe2, AgGaTe2 and AgInTe2 / B.Tell, J.L.Shay, H.M.Kasper // Phys. Rev. B. 1974,- V.9, № 12. - P.5203-5208.

239. Chichibu, A. Optical properties of tensile-strained wurtzite GaN epitaxial layers / A.Chichibu, T.Azuhata, T.Sota, H.Amano, I.Akasaki // Appl. Phys. Lett. 1997.- V.70. - P.2085-2087.

240. Yakushev M.V. Effects of magnetic fields on free excitons in CuInSe2 / M.V.Yakushev, R.W.Martin, A.Babinski, A.V.Mudryi // Physica Status Solidi (c). 2009,- V.6, № 5. - P.1086-1088.

241. Mudriy A.V. Optical Properties of High-Quality CuInSe2 Single Crystals / A.V.Mudriy, I.V.Bodnar, I.A.Viktorov, V.F.Gremenok, M.V.Yakushev, R.D.Tomlinson, A.E.Hill, R.D. Pilkington // Applied Physics Letters. 2000.- V.77. - P.2542-2544.

242. Mudryi, A.V. Optical Properties of High-Quality CuInSe2 Single Crystals / A.V.Mudryi, M.V.Yakushev, R.D.Tomlinson, A.E.Hill, R.D.Pilkington, I.V.Bodnar, I.A.Victorov, V.F.Gremenok // Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 2000,- V.39-1. - P.92-94.

243. Shay, J.L. Electronic Structure of AgInSe2 and CuInSe2 / J.L.Shay, H.M.Tell, H.M.Kasper, L.M.Schiavone // Phys. Rev. B„ 1973.- V. 7, № 10. - P.4485-4490.

244. Kildal H. Band structure of CdGeAs2 near k = 0 / H. Kildal // Phys. Rev. B. 1974,- V.10. -P.5082-5087.

245. Yakushev, M.V. Excited States of the A and В Free Excitons in CuInSe2 single crystals / M.V.Yakushev, F.Luckert, C.Faugeras, A.V.Karotki, A.V.Mudryi, R.W.Martin // Appl. Phys. Lett. -2010.- V.97. -P. 152110-152112.

246. Yakushev, M.V. Energy of Excitons in CuInS2 Single Crystals / M.V.Yakushev, A.V.Mudryi, I.V.Victorov, J.Krustok, E.Mellikov // Appl. Phys. Lett. 2006.- V.88. - P.011922-011924.

247. Мудрый, A.B. Оптическая спектроскопия свободных экситонов в халькопиритном полупроводниковом соединении CuInS2 / А.В.Мудрый, А.В.Иванюкович, М.В.Якушев, Р.Мартин, А. Саад // ФТП. 2008.- Т.42, Вып.1. - С.31-35.

248. Yakushev, M.V. Excitons in High-Quality CuInS2 Single Crystals / M.V.Yakushev, Y.Feofanov, A.V.Mudryi, A.V.Ivaniukovich, I.V.Victorov // Thin Solid Films. 2006,- V.511-512. - P. 130-134.

249. Bacewicz, R. Raman scattering in CuInS2XSe2(i-X) mixed crystals / R.Bacewicz, W.Gebicki, J.Filipowiz // J. Phys.: Cond Matter. 1994.- V. 6. - P.L777 - L780.

250. Kosihel, W.H. Zone-centered phonons in AIBIIIS2 chalcopyrits / W.H.Kosihel, M.Bettini // Phys. Stat. Sol. (b). 1975.- V. 72. - P. 729 - 737.

251. Eryigit, R. Abinitio vibrational and dielectric properties of chalcopyrite CuInS2 / R.Eryigit, C.Parlak, R.Eryigit // Eur. Phys. J. B. 2003,- V. 33. - P.251 - 254.

252. Gossla, M.M. CuInS2 thin-films from co-evaporated precursors / M.M.Gossla, H.Metzner, H.E.Mahnke // Thin Solid Films. 2001.- V. 387. - P. 77 - 79.

253. Wakita K. Resonant Raman scattering and luminescence in CuInS2 crystals / K.Wakita, H.Hirooka, S.Yasuda, F.Fujita, N.Yamamoto // J. Appl. Phys. 1998.- V.83. - P.443 - 447.

254. Susaki, M. Luminescence of mixed-mode exciton-polariton in CuGaS2 / M.Susaki, H.Wakita, N.Yaumomoto // Jpn. J. Appl. Phys. 1999,- V.38, № 5. - P.2787 - 2791.

255. Pan, D.S. The j-j coupling in bound excitons in the effective mass approximation / D.S.Pan // Solid State Communications -1981,- V.37, № 5. P.375-378.

256. Yakushev, M.V. Excited States of the A Free Exciton in CuInS2 / M.V.Yakushev, R.W.Martin, A.V.Mudryi, A.V.Ivaniukovich // Appl. Phys. Lett. 2008,- V.92. - P.l 11908-111910.

257. Varshni, Y.P. Temperature dependence of the energy gap in semiconductors / Y.P.Varshni // Physica В Condens Matter. - 1967.- V.34. - P.149 - 154.

258. Passler, R. Dispersion related description of temperature dependencies of band gaps in semiconductors / R.Passler // Phys. Rev. B. 2002,- V.66. - P.0852011 - 08520118.

259. Reynolds, D.C. Valence-band ordering in ZnO / D.C.Reynolds, D.C.Look, B.Jogai, C.W.Litton,

260. G.Cantwell, W.C.Harsch // Phys. Rev. В -1999,- V.60. P.2340 -2344.

261. Rodina, A.V. Free excitons in wurtzite GaN / A.V.Rodina, M.Dietrich, A.Goldner, L.Eckey, A.Hoffmann, A.L.Efros, M.Rosen, B.K.Meyer//Phys. Rev. B. 2001,- V.64. - P.l 152041-11520419.

262. Arimoto, O. Polariton Luminescence in Monoclinic Z11P2 Crystal / O. Arimoto, S. Okamoto, K.Nakamura // J. Phys. Soc. Jpn. -1990. V.59, № 10. - P.3490 - 3493.

263. Baldereschi, A. Enrgy levels of direct excitons in semiconductors with degenerate bands / A.Baldereschi, N.C.Lipari // Phys. Rev. B. -1971.- V.3. P.439- 451.

264. Shay, J.L. p-d Hybridization of the Valence Bands of I-III-VI2 Compounds / J.L.Shay, B.Tell,

265. H.M.Kasper, L.M.Shianove // Phys. Rev. B. 1972,- V.5. - P.5003-5005.

266. Stepnewski, R. Polariton effects in reflectance and emission spectra of homoepitaxial GaN / R.Stepnewski, K.P.Korona, A.Wysmolek, J.M.Baranovski, K.Pakula, M.Potemski, G.Martinez,

267. Gregory, S.Porovski //Phys. Rev. B. 1997,- V.56. - P.15151 -15156.

268. Yakushev, M.V. Diamagnetic Shifts of Free Excitons in CuInS2 in Magnetic Fields / M.V.Yakushev, R.W. Martin, A.V.Mudryi // Appl. Phys. Lett. -2009.- V.94. P.042109-042111.

269. Мудрый, A.B. Фотолюминесценция монокристаллов CuInS2, выращенных методом направленной кристаллизации и из газовой фазы / А.В.Мудрый, А.В.Короткий, М.В.Якушев,

270. Р.Мартин // Журнал прикладной спектроскопии. 2009.- Т.76, Вып.2. - С.232-236.

271. Wakita, К. Analysis of Recombination Process Resonantly Excited with Free Exciton Energy on CuInS2 Using Photoacoustic Spectroscopy / K.Wakita, G.Hu, N.Nakayama, D. Shoji. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002,- V.41. - P.3356-3357.

272. Molva, E. Acceptor Pair-Bound Exciton Complexes in Semiconductors / E.Molva, N.Magna // Physica Status Solidi (b). 1980,- V. 102, № 2. - P. 475 - 486.

273. Mudryi, A.V. Optical Spectroscopy of Chalcopyrite Compounds CuInS2, CuInSe2 and Their Solid Solutions / A.V.Mudryi, I.A.Victorov, V.F.Gremenok, A.I.Patuk, I.A. Sakin, M.V. Yakushev // Thin Solid Films. 2003,- V. 431/432. - P. 197-200.

274. Abou-Elfotouh, F.A Broad band spectroscopic ellipsometry for the characterization of photovoltaic materials / F.A.Abou-Elfotouh, G.S.Horner, T.J.Coutts, M.W.Wanlass // Solar Cells. -1991,- V.30. P.473 - 480.

275. Dagan, G. Defect level identification in copper indium selenide (CuInSe2) from photoluminescence studies / G.Dagan, F.Abou-Elfotouh, D.J.Dunlavy, R.J.Matson, D.Cahen // Chem. Mater. 1990,- V.2, № 3. - P. 286-293.

276. Hopfield, J.J. Isoelectronic Donors and Acceptors / J.J.Hopfield, D.G.Thomas, R.T.Lynch // Phys. Rev. Lett. -1966,-V.17. P.312-315.

277. Наумов, А.Ю. Экситонные Спектры Твердого Раствора ZnSei.xTex / А.Ю.Наумов, С.А.Пермагоров, А.Н.Резницкий, В.Я.Жулай, В.А.Новожилов, Г.Т.Петровский // ФТТ. 1987.-Т.29, Вып.2. - С.377-384.

278. Schon, J.H. Sharp optical emissions from Cu-rich, polycrystalline CuInSe2 thin films / J.H. Schon, V.Alberts, E.Bucher // J. Appl. Phys. -1997,- V.81, № 6. P.2799-2802.

279. Alberts, V. Preparation of Cu(In, Ga)Se2 polycrystalline thin films by two-stage selenization processes using H2Se-Ar gas / V.Alberts, J.H.Schon, M.J.Witcomb, E.Bucher, U.Ruhle, H.W. Schock //J. Phys. D: Appl. Phys. 1998.- V.31. - P.2869-2876.

280. Ушанов, Ю.И. Оптические Свойства Полупроводников / Ю.И.Ушанов. Москва: Наука. 1997.-366 с.

281. Swanepoel, R. Determination of the Thickness and Optical-Constants of Amorphous-Silicon / R.Swanepoel // J. Phys. E. 1983.- V.16. - P.1214 - 1222.

282. Wemple S.H. Optical Transmission Through Multilayered Structures / S.H.Wemple, J. A.Seman / Appl. Opt. 1973,- V.12, № 12. - P.2947-2949.

283. Tutle, J.R. A comprehensive study on the optical properties of thin-film CuInSe2 as a function of composition and substrate temperature / J.R.Tutle, D.Albin, R.J.Matson, R.Noufi // J. Appl. Phys. -1989.- V.66.-P.4408-4417.

284. Horig, W. Refractive indices of CuInSe2 and CuGaTe2 / W.Horig, H.Neumann // Phys. Lett. -1980.-V.78A.-P.189- 191.

285. Alonso, M.I. Optical functions and electronic structure of CuInSe2, CuGaSe2, CuInS2, and CuGaS2 / M.I.Alonso, K.Wakita, J.Pascual, M.Garriga, N.Yamamoto // Physical Review B. 2001.- V. 63. -P.0752031-07520313.

286. Stolt, L. ZnO/CdS/CuInSe2 thin-film solar cells with improved performance / L.Stolt, J.Hedstrom, J.Kessler, M.Ruckh, K.O.Velthaus, H.W.Schock // Appl. Phys. Lett. -1991,- V.62. P.597-599.

287. Ramanathan, К. Extrinsic doping effect in the fabrication of CIGS and CIGSS thin film solar cells / K.Ramanathan, J.Pankow, S.Asher // Phys. Stat. Sol. (b). 2004,- V.241, № 3. - P.767-770.

288. Contreras, M.A. Characterization of Cu(In,Ga)Se2 Materials Used in Record Performance Solar Cells / M.A.Contreras, M. J.Romero, R.Noufi // Thin Solid Films. 2006.- V.511-512. - P.51-54.

289. Yoshino, K. Piezoelectric Photoacoustic and Photoluminescence Properties of CuInxGai.xSe2 Alloys / K.Yoshino, M.Iwamoto, H.Yokayama, A.Fukayama, K.Maeda, S.Niki, T.Ikari // Jpn. J. Appl. Phys. 1999,- V.38-74. - P.3171 - 3174.

290. Shirakata, S. Properties of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films Prepared by Chemical Spray Pyrolysis / S.Shirakata, Y.Kannaka, H.Hasegawa, T.Kariya, S.Isomura // Jpn. J. Appl. Phys. 1999.- V.38. -P.4997-4999.

291. Theodoropoulou S. Raman and photoreflectance study of CuInixGaxSe2 epitaxial layers / S. Theodoropoulou, D.Papadimitriou, N.Rega, S.Siebentritt, M.C.Lux-Steiner // Thin Solid Films. -2006,- V.511-512, № 147. P.690 - 694.

292. Kuskovsky, I. The Role of Potential Fluctuations in cw Luminescence of Heavily Doped Materials / I.Kuskovsky, D.Li, G.F.Neumark, V.N.Bondarev, P.V.Pikhitsa // Appl. Phys. Lett. -1999.- V.75. -P.1243-1235.