Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Глотов, Антон Валерьевич

• Глотов, Антон Валерьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Глотов, Антон Валерьевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Современные методы получения легированных эпитаксиальпых гетероструктур на основе полупроводниковых соединений Л"В3 (понятие и виды эпитаксии).

1 АЛ. Жидкофазпая эпитаксия.

1.1.2. Химическое осаждение гетеросгрукгур из газовой фазы методом разложения мсталлоорганичсских соединений и гидридов.

1.1.3. Методы легирования полупроводниковых структур.

1.1.4. Знитаксиальпый метод легирования.

1.2. Свойства легированных эпитаксиальпых слоев.

1.2.1. Легирование углеродом, автолегировапис.

1.2.2. Легирование кремнием.

1.2.3. Легирование редкоземельными элементами.

1.2.4. Эффекты легирования эпитаксиальпых слоев ОаДй.

1.3. Выводы. Цель работы и задачи исследования.

ГЛАВА 2. ОБЪЕК ТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Характеристики объектов.

2.2. Современные методы исследования атомного и электронного строения эпитаксиальпых гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В">.

2.2.1. Дифрактометрическис и рентгенографические методы определения параметров решетки твердых растворов в гетсроструктурах па основе А'В

2.2.2. Методика расчета параметров эпитаксиальпых твердых растворов с учетом упругих напряжений кристаллической решетки.

2.2.3. Профили рентгеновской дифракции полупроводниковых ici сроструктур.

2.2.4. ИК - спектрометрия на отражение.

2.2.5. Рамановская спектроскопия (комбинациоиное рассеяние света).

2.2.6. Фотолюминссцситная спектроскопия.

2.2.7. Сканирующая электронная микроскопия, эперго-диснерсионный микроанализ.

2.3. Выводы.

ГЛАВА 3. РЕНТГЕНОСТРУ КТУРНЫЕ, МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ И СП ЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАН ИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ГЕТЕРОС ГРУ К ГУ Р GaxlnlxP:Dy/por-CaAs/GaAs (100), ЛЕГИРОВАННЫХ ДИСПРОЗИЕМ.

3.1. Рентгенострукгурный анализ твердых растворов Сач1п|чР в гетероструктурах GaJn,4P/GaAs (100), GajniNP:Dy/GaAs (100), GaNIn,.xP:Dy/por-GaAs/GaAs (100).

3.1.1. Эиитаксиалыгыс жердью растворы, полученные меюдом жидкофазной эпи1аксии.

3.2. Результаты исследования сколов образцов меюдом скапирующй ■электронной микроскопии.

3.3. Отичсские характеристики жидкофазных зпитаксиальных гстероструктур на основе твердых растворов GaNIri|NP в ИК области.

3.4. Выводы.

ГЛАВА 4. РЕНТГЕНОСТРУ КТУРНЫЕ, МОРФОЛОГИЧЕСКИЕ И СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР AIxGa,.xAs/Ga4s (100), ЛЕГИРОВАННЫХ УГЛЕРОДОМ.

4.1. Смруктурпыс и оптические свойспва эпитаксиальных твердых растворов МОС-гидридных гстероструктур AlxGa|.xAs/GaAs (100), jici ированных yj j юродом.

4.1.1. Расчет параметров рсшсіки с учетом внутренних напряжений для низкотемпературных шит аксиальных ге і срост рук тур.

4.1.2. Изучение морфологии поверхносж гетсросфуктур.

4.1.3. Исследование особенностей ИК-спскгров отражения.

4.2. Субструктура и люминесценция низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlxGa|.xAs/GaAs (100), легированных углеродом.

4.2.1. Исследование особенностей спектров Рамаповского рассеяния.

4.2.2. Фотолюминесцентные исследования низкотемпературных гетероструктур Al4Ga,.4As:C/GaAs(100).

4.3. Выводы.

ГЛАВА 5. РЕНТГЕНСКТРУКТУРНЫЕ И СПЕКТРСХКОПИЧЕСКИ Е ИССЛЕДОВАНИЯ ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ GaAs:Si/GaAs(100) И ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР AlxGaI xAs:Si/(;aAs(100), ЛЕГИРОВАННЫХ КРЕМНИЕМ.

5.1. Рентгенос[руктурные исследования МОС-гидридных гомоэпитаксиальных GaAs:Si/GaAs(l 00) и гстсрозпи таксиальпых структур Al4GaixAs:Si/GaAs(l 00), легированных кремнием.

5.1.1. Образование твердых растворов в гомоэнитаксиальпых структурах GaAs : S i/GaAs( 100).

5.1.2. Образование четверных твердых растворов в гстсроструктурах Al4Ga,.xAs:Si/GaAs(100).

5.2. ИК-спсктры юмоэпитаксиальпых GaAs:Si/GaAs(l 00) и гетероэпитаксиальных структур AlNGa,xAs:Si/GaAs( 100), легированных кремнием.

5.3. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе A3B5»

Актуальноеть работы:

Многие годы усилия исследователей сконцентрированы на изучении физических свойств полупроводниковых твердых растворов (ТР) ЛЦСа^ЛБ и Оач1п|чР, поскольку тонкие пленки на их основе являются базисом для большинства оптоэлсктропных компонентов, гетсролазсров, а 1акже элементов эффективных солнечных фотопреобразователей. Разработка любого из вышеперечисленных устройств требует от полупроводпиково! о эпитаксиального материала определенных стабильных электрических и оптических свойсчв. Существенно изменять такие свойства можно посрсдствам введения небольшого количества примесей и дефектов. Однако, если один тип дефектов может оказаться полезным, то другой можеч сделачь будущий прибор некачественным.

В полупроводниках широко известны примеси, используемые как легирующие, для управления типом проводимости и электросопротивлением, которые являются «мелкими» донорами и акцепторами. Их энергии ионизации очень малы по сравнению с шириной запрещенной зоны данного полупроводника. В то же время существуют в большом количестве дефекты, называемые "глубокими" центрами. К ним относят тс примеси, энергии активации которых лежат вблизи середины запрещенной зоны.

Известно, что высокая химическая активность редкоземельных элементов обеспечивает связывание примесных атомов, залечивание вакансий и уменьшение вероятности образования антисгруктурных дефектов. Они также способствуют снятию напряжений в кристаллической решетке эпитаксиального ТР и его «очищению» от дефектов. Кроме того, поскольку редкоземельные элементы обладают сильными магнитными свойствами, введение их в полупроводниковые ТР на основе Л°ВЭ открывает новые возможности таких материалов за счеч взаимодействия свободных носителей и магнитных ионов.

Несмотря па теоретическую возможность практически полного согласования параметров между эпитаксиальным слоем и подложкой в гетеростуктурах, часто в реальных технологических условиях эти параметры оказываются несколько рассогласованными, что приводит к возникновению в пленке внутренних напряжений. Поэтому большой интерес прсдставляс'1 проблема влияния преднамеренного и непреднамеренного легирования, в том числе элементами четвертой группы кремнием и углеродом, на возможность полного согласования параметров пленки и подложки для тройных ТР различных составов в системе Л1(}аЛзЛлаЛй( 100).

Поэтому большой интерес представляет изучение атомного и электронного строения гетероструктур в зависимости от соотношения элемен тов в сос таве твердых растворов.

Цель работы; Исследование особенностей атомного и электронною строения, оптических свойств полупроводниковых гетероструктур па основе тройных ТР Оа1пР и ЛЮаАБ, легированных редкоземельными элементами и элементами четвертой группы - углеродом и кремнием. Выявление технологических условий роста, позволяющих получить наиболее согласованные по параметрам гстсроструктуры.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной пели, являются:

1. определение параметров эпитаксиальных ТР Оач1п1хР:1)у, Д1чС}а|.чД8:С и А1хСа 1 чАй:81, а также влияния легирования на степень их согласования с параме трами подложки ОаЛз (100) ме тодом рентгеновской дифракции;

2. получение данных о морфологии поверхности и элементном составе эпитаксиальных пленок методом сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) с использованием микроанализа (МЛ);

3. изучение особенностей ИК-решеточных спектров отражения в обласчи однофононного резонанса методом ИК-спектроскопии;

4. исследование фоюлюминссцептных (ФЛ) свойств образцов гстсрострукгур для определения энергетического спектра эпитаксиальпых слоев в условиях непреднамеренного легирования углеродом;

5. получение данных об особепнос1ях состава и энергетического спекфа методом Рамановской спек троскопии;

6. изучение влияния легирования редкоземельными элементами и pocia пленки на буферном пористом слое на свойства эпитаксиальпых гетероструктур GaJnixP/GaAs( 100).

Объекты и методы исследования.

В работе исследовались i етеросфуктуры, и:п отовлснные в лаборатории «Полупроводниковой люминесценции и инжекциопных излучателей» Физико-технического и петиту та им. А.Ф. Иоффе РАН.

Ma монокристалличсских подложках GaAs с ориентацией (100) химическим осаждением из газовой фазы путем разложения мсталлорганических соединений и гидридов (МОСГФЭ), а также жидкофазиой эпитаксисй (ЖФЭ), были выращены монокристаллические пленки твердых растворов GaJr)j.4P с различным содержанием индия и галлия в металлической подрешетке и относительно одинаковой толщины.

Также в работе исследовались образцы, представляющие собой гомоэпитаксиальные структуры GaAs:Si/GaAs(l 00) и гетероструктуры AI4GaivAs/GaAs(l 00) легированные кремнием, углеродом, выращенные методом МОСГФЭ.

Анализ влияния эффектов легирования на свойства исследуемых материалов производился методами, позволяющими получать прямые данные о структуре, оптических харамсристиках, морфоложи и энергетическом спектре. В данной работе использовался комплекс структурных и спектроскопических методов: рентгеновская дифрактометрия, сканирующая электронная и а томно-силовая микроскопия, Рамаповская и

ИК-спектроскопия, фо'і оліомиііссцсн тая спектроскопия. Используемые методы являются неразру тающими и позволяют получить полную информацию об атомном и электронном строении и свойствах новых материалов.

Научная новизна определяется тем, что:

1. Обнаружено влияние легирования диспрозием на увеличение композиционной однородности ТР GaJn^J^Dy.

2. Впервые экспериментально установлена и обоснована возможность полного согласования параметров кристаллических решеток ТР Al4Gai4As различных составов с монокристаллической подложкой GaAs (100) за счет управляемого введения концентраций легирующих элементов кремния и углерода в AlGaAs.

3. Обнаружены папокластсры уїлерода, образующиеся при выращивании ТР Al4Ga|.NAs в условиях пониженной температуры методом МОСГФЭ в результате автолегирования высокими копцеїпрацями атомов углерода.

4. Разработана методика регистрации запрещенного рефлекса (600) в гетероструктурах ЛяВ5 на больших брэгговских углах отражения, позволяющая производить прецизионные измерения параметров компонент гетсроструктур с точностью до четвертого знака с использованием в качесі вс репера дифракционной линии (600) подложки GaAs (100).

Практическая значимость:

Определении оптимальных 'технологических условий получения гетсроструктур па подложке GaAs (100) па основе применения комплекса перазрушающих методов рснтгснострукіурпого анализа, ПК, Рамановской, ФЛ спектроскопии и растровой электронной микроскопии, которые позволяют- получать фундаментальные характеристики гетсроструктур -параметры кристаллической решетки ТР. механические напряжения. возникающие в системе пленка / подложка, атомный cocían и оптические свойства.

Моделирование технологических процессов эпитаксиалыю! о выращивания ТР в координатах: параметр решетки — состав - температура -давление позволяет определить оптимальные режимы получения полупроводниковых гстероструктур на основе гетеропары AlGaAs - GaAs с полностью согласованными параметрами решетки путем растворения кремния в кристаллической решетке AlNGaiNAs.

Достоверность полученных результатов обеспечивается использованием современной экспериментальной техники, применением современных и независимых методов обработки данных и воспроизведением обнаруженных эффектов в ряде зарубежных авторов. Достоверность созданных компьютерных моделей подтверждается использованием современного программного обеспечения, а также coi ласовапностыо с имеющимися экспериментальными данными.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Определение оптимальных 'технологических условий наилучшего согласования параметров решеток при эпитаксиальном выращивании гстероструктур GaNIni4P/GaAs (100) методом химического осаждения из газовой фазы МОСГФЭ.

2. Однородность состава ТР в жидкофазных гетсроструктурах Ga0.48lno.52P:üy/GaAs(100), достигаемая путем легирования атомами диспрозия, в результате чего трехкратно уменьшается полуширина дифракционной линии (600) эпитаксиалыюго слоя.

3. Релаксация напряжений в гстсропаре пленка / подложка в результате создания дополнительного пористого слоя в гстсроструктурс Gajni. xP:Dy/por-GaAs/GaAs(lOO) в качссчве буферного при наличии рассогласование параметров между тройным ТР и подложкой m = 0,0019.

4. Образование нанокластсров углерода происходим в результате автолегирования методом МОСГФЭ в условиях роста при пониженной температуре (Т ~ 550°С в реакторе) TP AlxGaiNAs:C высокими концентрациями атомов углерода С<1 ат.%.

5. Полное согласование параметров кристаллических решеток пленки с подложкой Аа—0 при растворении атомов кремния в TP AlNGa,xAs с образованием четверного TP в широкой области измерения х: 0,25<х<0,4, в условиях выполнения обобщенного закона Вегарда для четырехкомпонентиой системы TP AlNGa|.NAs|.ySiy.

Личный вклад автора. Настоящая работа выполнена на кафедре Физики твердого тела и наноструктур Воронежскою госунивсрситета и проводилась в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры, а также грантов РФФИ и AWG. Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором осуществлено обоснование метода исследования и проведены экспериментальные исследования. Совместно с научным руководителем проведен анализ и интерпретация полученных результатов, сформулированы основные выводы и научные положения, выносимые на защи ту.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы были представлены в виде докладов и обсуждались на II и III Всероссийской школе-семинаре студентов, аспирантов и молодых учёных по направлению «Напоматериалы» (Рязань, 2009), NATO Workshop "Advanced Materials and Technologies for Micro/Nano-Deviccs, Sensors and Actuators" (Санкт-Петербург, 2009), Всероссийской конференции с элемспчами научной школы для молодежи «Проведение научных исследований в области индустрии наносисчем и материалов» (Белгород, 2009), X Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и напоэлектропике (Санкт-Петербург, 2009), V Всероссийской конференции

Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и па межфазных границах» «Фаграп - 2010» (Воронеж, 2010), XVII Международной молодежной конференции «Ломоносов» (Москва, 2010), 18th International Symposium "Nanostructurcs: Physics and Technology" (Владивосток, 2010), 13-й научной молодежной школы но твердотельной электронике «Физика и технология микро- и напосис1см» (Сапкт-1 le гербу pi, 2010).

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 7-и печатных рабо тах в журналах, рекомендованных перечнем ВАК РФ, из которых 3 статьи в зарубежных научных журналах. Кроме того, 9 работ опубликованы в трудах конференций.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 i лав и заключения, изложенных на 155 страницах машинописного текста, включая 42 рисунка, 16 таблиц и список литературы из 1 59 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Глотов, Антон Валерьевич

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Данные дифрактометрических исследований MOC-i идридных гетероструктур GaJri|4P/GaAs (100) с различными значениями х вблизи половинного состава позволили определить параметры решеток они такси аньных твердых растворов Gaxíri|.xP и найти оптимальные условия получения гетероструктур с наиболее согласованными парамеїрами решетки. Наиболее согласованные параметры УР и подложки досі и гаю іся при атомной концентрации х=0,51, іемпературе подложки Т~---700оС и скорое і и потока водорода в реакторе 13 мл/сск.

2. В жидкофазных reí еросlрук турах GaxIii|xP:Dy/GaAs(100) легирование твердого раствора атомами диспрозия приводи і к упорядочению составов УР. Введение дополнительного пористого слоя в і етсрост рук туру (}ач1пі xP:Dy/por-GaAs/GaAs(100) в качестве буферного приводит к релаксации напряжений между пленкой и подложкой, несмотря на имеющееся рассогласование параметров их кристаллических структур.

3. Автолегирование высокими концентрациями уїлерода при пониженной температуре тройных твердых растворов AlxGai4As приводит к образованию четырехкомнонен гной системы Al-Ga-As-Si, в которой ríe выполняется закон Веіарда для квазибинариой сисіемьі AIAs-GaAs.

4. 1 Іри эпи таксиальном росте в условиях пониженной температуры (У -550°С в реакторе) высокие концентрации углерода приводят к образованию нанокластеров углерода на дефектах кристаллической решетки твердых растворов AlxGa,.xAs.

5. Введением кремния в энигаксиальные слои і с і ерос іруктур AlxGai xAs:Si/GaAs(100) можно добиться полною согласования параметров кристаллических решеток пленки с подложкой A¿fO в условиях выполнения обобщенного закона Вегарда (5) для четверной системы I Р. Уровень легирования кремнием, соответствующий Ая=-0 определяется значениями х и у.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Глотов, Антон Валерьевич, 2011 год

1. Jackson К. A. Handbook of Semiconductors technology. Processing of Semiconductors / К.Л. Jackson, W. Schröter. London : Wiley-VCll Verlag, 2000.

2. Келдыш JI.B. О влиянии улыразвука па элекфонный спекір крисіалла / JI.B. Келдыш // Ф ГГ. 1962. - Т.4. - N8. 2265 с.

3. Ьом Д. Квап ювая іеория/Д. Бом.-М. : Наука, 1965 728 с.

4. Кейси X. Лазеры на і сісросірукіурах / X.Кейси, М. 1 Іаниш. М. : Мир, 1981,- 299 с.

5. John H.A. IIetcrocpitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characteri/ation / h.A. John. Boca Raton : CRC Pi ess, 2007,- 441 p.

6. Capasso T. Physics of Quantum Electron Devices / F. Capasso S. Sen, l\ Bcltram. — Berlin : Springer-Verlag, 1990.

7. S/.c S.M. Physics of Semiconductor Devices / S.M. S/e, Kwok К Ng. -Singapore : John Wiley & Sons, Inc., 1981. Pp. 250 254

8. Федоров A.B. Физика и іехнолоіия і еіерос і рукіур, опіика квашовых ііаносірукіур : учеб. пособие / A.B. Федоров. СПб. : СПбГУ И І МО, 2009. - 195 с.

9. Tuck В. Properties of Gallium Arsenide / B. 'luck U 1'MiS Data Review Series No. 2, 2nd Mition. London . INSPLC Publication. - 1990. - Pp.513 - 528.

10. Ali A. HLMTs and 1 IB I s: Devices, Fabrication and Circuits / A. Ali, A. Gupta. Boston : Artech 1 louse. - 1991 - 377p.

11. Bayraktaroglu В AlGaAs/GaAs hcterojunction bipolar transistors for powerapplications / B. Bayraktaroglu, N. Camilleri, I l.Q. 1 scrng // Conf. High Speed Semiconductor Devices and Circuits. Cornell : IEEE. - 1993,- Pp. 265- 273.

12. Parker E. C. H. Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy / (lid.) E. C. I I. Parker. New York : Springer, 1985,- 706p.

13. Stringfcllow G. B. Organometallic Vapor Phase Epitaxy: I hcory and Practice / G. B. Stringfcllow. Boston : Acadcmic Press, 1989 - 398p.

14. Critical thickness anisolropy in highly carbon-doped p-typc (100) GaAs layers grown by metalorganic molecular beam epitaxy / 1. George | ct al.| // Appl. Phys. Eett. 1991.- V.59.- I.1.-61 p.

15. Ultrahigh doping of GaAs by carbon during metalorganic moleculai beam epitaxy / C. R. Abernathy et al.| // Appl. Phys. Eett. 1989. - V.55 1.17. - 1750 p.

16. Carbon implantation in InGaAs and AllnAs / S. J. Pearton | et al.J// Appl. Phys. Eett. 1990. - V.56,- 1.13,- 1263p.

17. Self-aligned InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors tor microwave power application / F. Ren |et al.| // IEEE Electron Device Eett 1993. -V.14.- 1.7.-332 p.

18. Novel fabrication of self-aligned GaAs/AIGaAs and GaAs/InGaP microwave power heterojunction bipolar transistors / K. Ren |et al.| // Solid State I electron. 1995. - V.38.- 1.9. - 1635 p.

19. Selective InAs growth by chemical beam epitaxy / K. Shiralagi, M. Walther, R. Tsui //J. Cryst. Growth. 1996. - V.164.- 1.1-4. - 334p.

20. Tunable Diode Easer Spectroscopy: An Invited Review / K. J. Einden jet al.| // Photonics Spectra. 1991. - V25. - 91 p .

21. Mii Y.J. Llectrical and optical properties of GaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown on Si substrates / Y. J. Mii, R. P. G. Karunasiri, K. L. Wang // Appl. Phys. Lett. 1998. - V.53.- 1.21. -2050 p.

22. GaAs Dual-Gate LLT for Operation up to K-band / P. Saunier J et al.| // 10th Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symp., l ech. Digest. -New York : ILLL, 1988. Pp.37-39.

23. LSD sensitivity study of various diode protection circuits implemented in t production 1 pin GaAs IIBT technology / A.K. Oki | et al.| // 16th Gallium Arsenide integrated Circuit (GaAs IC) Symp., lech. Digest. New York . ILLL, 1994.-Pp.271-274.

24. Heavy carbon doping of GaAs by MOVPL using a new dopant source CBrC13 and characteri/ation of the epilayers / K Uchida jet ai.| // J. Ciyst. Growth. 2003. - V.248. - 124 p.

25. Controlled intrinsic carbon doping in MOVPL-grown GaAs layers by using TMGa and TBAs / M. Longo |et al.| //J. Cryst. Growth. 2003. - V.248. -1 19 p.

26. Mimila-Arroyo J. Acceptor reactivation kinetics in heavily carbon-doped GaAs epitaxial layers / J. Mimila-Arroyo, S.W. Brand // Appl. Phys. Lett. -2000. V.77. -1 164 p.

27. Observation of enhanced transport in carbon-doped InGaAsN after in situ anneal and its impact on performance of NpN InGaP/InGaAsN heterojunction bipolar transistors / C. Monier jet al.| // Appl. Phys. Lett. -2002. V.81.-2103 p.

28. Takamoto T. 1 Iigh-eHlcicncy InGaP/InO.OIGa().99As tandem solar cells lattice-matched to Gc substrates / F. l'akamoto, 'I. Agui, LI. Ikcda // Sol. Lncrgy Mater. Sol. Cells. 2001. - V.66. - 5 1 1 p.

29. Comparison of carbon and /inc p-clad doped LP MOCVD grown InGaAs/AlGaAs low divergence high-power laser helerostructures / P.V. Bulacv |et al.| // J. Cryst. Growth. 2003. - V 248. - 1 14 p.

30. Cunningham B. f. Carbon tetrachloride doped A1 x Gal x As grown by metal organic chemical vapor deposition / B. T. Cunningham, J. K. Baker, G. H. Stillman //J. of Electronic Materials.- 1990,- V. 19,- 1.4,- Pp.331-335.

31. Influence of growth parameters on the composition and impurity levels of intrinsically carbon doped Al^Ga^As / J. van Deelen |et al.j // Journal of Crystal Growth. 2005. - V.284. - Pp.28-32.

32. Tatcno K. Carbon doping and etching effects of CBr4 during mctalorganic chemical vapor deposition of GaAs and AlAs / K. fatcno, Y. Kohama, C. Amano // J. Cryst. Growth. 1997. - V. 1 72. - 5 p.

33. Dimroth F. High C-doping of MOVPH grown thin AlxGai ,As layers for AlGaAs/GaAs intcrband tunneling devices / l;. Dimroth, U Schubert, !\ Schicnlc // J. Electron. Mater. 2000. - V.29. - 47 p.

34. High rate epitaxial lift-off of InGaP films from GaAs substrates / J. J. Schermer |el al.| // Appl. Phys. Pelt. 2000. V.76. - 2131 p.

35. Mashita M. Comparative study on carbon incorporation in MOCVD AlGaAs layers between arsinc and tcrtiarybutylarsine / M. Mashita, II. Ishikawa, T. I/umiya // J. Cryst. Growth. 1995. - V. 1 55. - 164 p.

36. Fujii K. Dependence of carbon incorporation on growth conditions for unintentionally doped AlGaAs during mctalorganic vapor-phasc epitaxy / K. Eujii, M. Satoh, K. Kawamura// J. Cryst. Growth. 1999. - V.204. -10 p.

37. Properties of high purity AlNGai ,As grown by the mctalorganic vapor phase epitaxy technique using methyl precursors /' T. I;. Kucch |et al. |//J. Appl. Phys. 1987. - V.62. -632 p.

38. Kakinuma II. Characterization of Oxygen and Carbon in Undoped AlGaAs Grown by Organomctallic Vapor-Phase fpitaxy / II. Kakinuma, M. Mohri, M. Akiyama // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. - V.36 - Pp.23-28.

39. Pujii K. Impurity incorporation of unintentionally doped AlxGai xAs during

40. MOVPE / K. 1'ujii, K. Kawamura, II. Gotoh // J. Cryst. Growth. 2000. -V.221.-41 p.

41. Carbon incorporation in metal organic chemical vapor deposition (Al,Ga)As lilms grown on (100), (311)A, and (311)B oriented GaAs substrates / K. Tamamura |ct al.|// Appl. Phys. Lett. 1987. - V.50. -1 149 p.

42. Characteristics of heavily carbon-doped GaAs by LPMOCVD and critical layer thickness / S.I. Kim |ct al.| // J. Cryst. Growth. 1993. - V. 121. -441 P

43. Pristovsck M. In situ investigation of GaAs (001) intrinsic carbon p-doping in metal-organic vapour phase epitaxy / M. Pristovsck, B. 1 lan, J. 1. Xcttler, // J. Cryst. Growth. 2000. - V.221. - 149 p.

44. Growth and fabrication of strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers grown on GaAs(3 11)A substrates using only a silicon dopant / M. fakahashi i ctal.|//J. Appl. Phys. 1997 - V.82. 1.9. - 4551 p.

45. Vaccaro P. O. Lateral-junction vertical-cavity surface-emitting laser grown by molecular-beam epitaxy on a GaAs (311) A-oriented substrate / P. O. Vaccaro, II. Ohnishi, K. I-ujita // Appl. Phys. Lett. 1999. V.74. -3854 p

46. Sakamoto N. Conduction type conversion in Si doped (3 M )A GaAs grown by molecular beam epitaxy / N. Sakamoto, K. I lirakawa. f Ikoma // Appl. Phys. Lett. 1995. -V.67.- 1444 p.

47. Nanostructures in p-GaAs with improved tenability / M. Csontos et al.) // Appl. Phys. Lett.-2010. V.97.- Pp. 0221 10-0221 13.

48. Kassa S.T. Si doping for n- and p-typc conduction in AfGa|.x As grown on GaAs 31 1 A by molecular-beam epitaxy / S. f. Kassa, R. I ley, K. 11. Ploog // Journal of Applied Physics. 2003. - V.93.- 1.5. - Pp.2638-2642.

49. A Study of GaAs : Si/GaAs : C 'funnel Diodes Grown by MOCVD / D. A. Vinokurov |et al.| // Semiconductors. 2009. - V.43.~ 1.9 - 1213 p.

50. Kawa/.u T. Electron scatterings in selectively doped n-AIGaAs/GaAs hctcrojunctions with high density self-assembled InAlAs antidotes / 'I. Kawa/u, H. Sakaki // Appl. Phys. Lett. 2008. - V.93.- 1.13. - Pp. 1321 161321 19.

51. Transitions of epitaxially liftcd-olT bulk GaAs and GaAs/AlGaAs quantum well under thcrmal-induccd compressive and tensile strain / С. M. N. Mateo |et al.| //J. Appl. Phys. -2008.-- V.104.- Pp. 103537- 103541.

52. Gallium oxide and gadolinium gallium oxide insulators on Si ô-doped GaAs/AlGaAs heterostructurcs / G. W. Paterson | ct al.| // J. Appl. Phys. -2008,-V.104.-I. 10,-Pp. 103719- 103727.

53. Characterization of GaAs grown on SiGc/Si graded substrates using p-n junction diodes / K. P. Chen |ct al.| /7 J. Appl. Phys. 2008. - V.104.- Pp. 073710- 073716.

54. Корольков В.И. Диоды, транзисюры и гиристоры па основе 1 етерострукгур / В.И. Корольков, 11. Рахимов. — Ташкент : ФАН, 1986.150 с.

55. Preparation and properties of fir and Yb doped In-based semiconductor compounds / J. Novotny, O. Procha/.kova, K. Zdansky// Czechoslovak Journal of Physics. 1999. - V.49.- №5. - Pp.75 7-763.

56. Effects of Impurities on Radiation Damage of Silicon Solar Cells / J. Mandclkorn |ctal.| //J. Appl. Phys. 1964. V.35.- 1.7. - 2258 p.

57. Исследование примесей Ho, Gd, Yb / 11. Г. Ваграев, li.II. Ьочкарев, JI.С. Власспко | и др. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. 1978. - № 14. -С. 614.

58. Лашкарев Г.В. Некоторые свойства кремния, легированною гадолинием / Г".В. Лашкарев, А.И. Дмитриев, Г.А. Сукам// Физика и техника полупроводников. 1971. - № 5. - С. 2075.

59. Радунап С.И. Некоторые вопросы материаловедения дефектных алмазоподобных фаз / С.И. Радуцан // Физика и гехпика полупроводников. — 1967.- № 1, —С. 1013.

60. Gorclenok Л.Т. Rare-earth elements in the technology of InP, InGaAsP and devices based on these semiconductor compounds / A T. Gorclenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt // Microelectron. J., 1995,- V.26, 1.7. - Pp. 705723.

61. Влияние примесей лантаноидов на свойства GaP / В.А. Касаткин |и др.// Изв. АН СССР, Ileopian. материалы. 1980. -- Т.16.- №11.- С. 1901-1905.

62. Omling P. Antisite-related defects in plastically deformed GaAs / P. Omling, Ii. R. Weber, L. Samuelson // Phvs. Rev. B. 1986. - V.33.- 1.8. -Pp. 5880-5883.

63. Мастеров В.Ф. Рсдкоземепъные июмешы в полупроводниках A'fT / В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захарепков // Физика и ¡ехпика полупроводников 1990. - Т.21, №4. - С. 610-630.

64. Semiconductor Technology. Processing and Novel 1 abrication Techniques / L.F. Zakharcnkov |et al.|-John Wiley & Sons. 1997.-91 p.

65. Gorclenok A.T. Rare-earth elements in the technolog) of InP, InGaAsP and devices based on these semiconductor compounds I A.T. Gorclenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt// Microelectron. J. 1995. - V. 26. - Pp. 705 - 723.

66. US Patent C30B29/40. Semiconductor materials / M.M. Faktor, J. Naigh. -№4339302,- 1982.

67. Полупроводниковые дс1ск'юры в экспериментальной физике / К.А. 1 "ацоев | и др.| //ФТП. 1983. - ¡.17,- С. 2148 - 21 50.

68. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей вэпитаксиальпых слоях / Ьаграев, Л.С. Власепко, К.Д. Еацосв и др.| // ФТП.- 1984. -№18. 83с.

69. Incorporation and Excitation Behaviour of Rare Earth Ions in I1I-V Semiconductors InP:Yb / W. Korbcr |et al.| // J. Cryst. Growth. - 1986. -V.79.-741 p.

70. Мастеров В. Ф. Редкоземельные элементы в полупроводниках Д'В3 / В. Ф. Мастеров, Л.Ф. Захарепков // ФТП. 1990. - 1.21, вып. 4. - С. 610-630.

71. Еорсленок Д. Т. Редкоземельные элементы в технологии соединений А3ВЭ и приборов па их основе / А 1. Еорсленок, Д. В. Каманин ,11. М. 111м ид 1 //ФТП.-2003. Т. 37, вып. 8.-С. 922-940.

72. Earrow R.E.S. New approaches to epitaxy of transition metals and rare earths: Heterocpitaxy on lattice-matched buffer films on semiconductors / R.E.S. Earrow, S.S.P. Parkin, V.S. Spcriosu // .1. Appl. Phys. 1988. V.64. Pp. 5315-5320.

73. Eoxykowski II.J. Kinetics of luminescence of isoelectronic rare-earth ions in IIEV semicondutcors / Phys. Rev. B. 1993. V.48. Pp.17758 17669.

74. Rush E. Magnetic properties of DyAs and DyP (001) films / E. Rush, E. Wu, Aio fsui // J. Appl. Phys. 1999. V.85. Pp. 4970 4972.

75. Лебедев 13. А. Термохимия сплавов редкоземельных и актиноидных элементов. Справочник / В. А. Лебедев , В. И. Кобер , JI. Ф. Ямщиков. -Челябинск: Металлургия, 1989,- 335с.

76. Еордиепко С. I I. I ермодинамика соединений лан таноидов. Справочник/ С. П. Еордиепко , Ь. В. Фспочка ,Е.П1. Викеман . — Киев: Наукова думка, 1979,- 376с.

77. Paresi L. Photolumincscence of AlNGaixAs / L. Parcsi, M.Gu//i //.I. Appl. Phys.- 1994,- Vol. 15.- N 10,- Pp. 4779-4842.

78. Determination of donor and acceptor densities in high—purity GaAs from photolumincscence analysis / 11. X. Lu |et al.| // App. Phys. Lett- 1990 -Vol. 56,-N2.- Pp. 177-179.

79. Беспалов В. А. Механизм влияния редкоземельных )леменюв на свойства слоев GaAs, выращенных жидкосшой энжаксисй /' В. А. Беспалов. А. Г. Клкин, Б. 1 . Журкин h Краї кие сообщения по физике. — 1987,- Вып. 9,-С. 32-34.

80. Сфсльчснко С. С. Соединения А-,В5 / С.С. Сірельченко, В.В. Лебедев.-Справочник,-М.: Меіаллурі ия, 1984. 34 о.

81. Семенова Г. М. Воссіапівленис ешіаксіппих шарів арсеніду іалю при легуванні іалісвою розплаву ітербієм або скащцем /' Г. М. Семенова, і.

82. Г. Кринпаб, В. 11. Кладько // Укр. фп. жури 1995. -'1. 40,- № 10. С. 1 101-1 106.

83. Шишияну Ф. С. Диффузия и дсфадация в полуироводииковых материалах и приборах/ Ф. С. Шишияну . Кишинев: ПЬиинца, 1978. -с. 147-156.

84. Allen R. 1-. Iheory of GaAs-oxide intcrlacc slates / R. I,. Allen , J. D. Dow // Sol. State Commun.- 1983.- Vol. 45,- N 4,- Pp. 379-381.

85. Nakagomc 11. MOCVD Growth and PI .-Characteristics of Nd Doped GaAs / H. Nakagomc, K.Takahci // Jap. J. Appl. Phys. 1989. - V. 28. - Pp. 2098 -2100.

86. Мастеров В. Ф. Редкоземельные элемент в А'В / В. Ф. Maciеров, Л. Ф. 3axapciIков // Ф'П I. 1990. - Г. 24. - С. 610-629.

87. Measurement of aluminum concentration in epitaxial layers of AlxGai 4As on GaAs by double axis x-ray diffractometry / B.K. Tanner |et al.| // Appl. Phys. Lett.- 1991.-V. 59,- Pp. 2272-2274

88. Bocchi C. X-ray double-crystal rocking curves in GaAlAs/ GaAs heterostructures / C. Bocchi , C. Ferrari, P. Fran/osi //J. Cryst. Growth.-1993,- V. 132 .- Pp. 427-434.

89. Madelung O. Physics of group IV Hlcmcnts and III V Compounds. Semiconductors / O. Madelung, II. Landolt, R.Bornstein .-Springer, Berlin, 1987.- Vol. 17, subvol. A

90. C.R. Wic, Mater. Sci. Fng. 13 (1994) 1.

91. Fcwster P.F. X-ray diffraction from low-dimensional structures / P.F. Fewstcr // Semicond. Sci. Fechnol.- 1993.-V. 8 .- Pp. 1915- 1935.

92. Picraux 'Г. Semiconductors and Scmimctals/ T. Picraux, B.L. Doyle, J.Y. Tsao New York: Academic Press, 1991.- Pp. 139-2.20.

93. Tanner B.K. High resolution X-ray diffraction and topography for crystal characterization / B.K. Tanner //J. Cryst. Growth, 1990.-V. 99,- Pp. 13151323.

94. Lattice strain relaxation study in the Gal -xAlxSb/GaSb system by high resolution x-ray diffraction / C. Bocchi jet al.| // Appl. Phys. Lett.-1997.- V. 71 Pp. 1549- 1552.

95. Описание и руководство к эксплуатации ИК Фурье спектрометра Vcrtcx-70 Brukcr.

96. Фальковский JI.А. Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамаповского) рассеяния света/' Л. А. Фальковский. УФП, 2004. -С. 259-283

97. М.М. Сущииский. Применение комбинационно! о рассеяния света к исследованию состава и строения вещества / М.М. Сущииский, 11.A. Бажулип// УФ11. 1963,- Выи 2. - С. 301-321.

98. Гинзбург B.J1. К истории открытия комбинационного рассеяния света / В. Л. Гинзбург, И. JI. Фабслипский// Вестник Российской Академии Наук,- 2003,-Т. 73.-№ 3.-С. 21 5-227.

99. Фабслипский И. J1. К 50-летию открытия комбинационного рассеяния света /И. JI. Фабслипский // Успехи физических наук. 1978,- Т. 126.-вып.1.-С. 123-152.

100. Фабслипский И. JI. Комбинационному рассеянию света 70 jici (Из истории физики) / И. JI. Фабслипский // Успехи физических паук,-1998.- Г. 168,-№12,- С. 1342-1360.1 16. Описание и руководство к эксплуа1апии Рамаповского микроскопа Senterra Bruker.

101. Porous 111—V compound semiconductors: formal ion, properties, and comparison to silicon /II. Loll |et al. \U Phys. Stat. Sol. (a). -2003.- V.197.-I. l.-Pp. 61-70.

102. R. Dingle Quantum States of Confined Carriers in Very Thin AlNGai xAs-GaAs-AlxGai 4As Ileterostructures/ R. Dingle, W. Wiegmann, С. II. I lenry// Phys. Rev. Lett. -1974. V.33.- Pp.827-830.

103. Zhou D. Deviation of the AlGaAs lattice constant from Vegard's law/ D Zhou , B.L. Usher // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. - V.34. - Pp.14611465.

104. Винокуров Д.А. Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных гегеростуктур раздельною ограничения / Д. А. Винокуров и др. //Физика и техника полупроводников. 2005.- 1. 39. -№ 3. -С. 388-392.

105. Wasilewski Z.R. Composition of AlGaAs / Z.R. Wasilewski, M.M. Dion,

106. D.J. Lock wood// J. Appl. Phys. 1997,- V.81. -1683 p.

107. Закон Вегарда и свсрхструктурная фаза AIGaAs2 в зни iаксиальных гстсроструктурах Al4Gai NAs/GaAs (100) / Э.П. Домашевекая |и др. | // Физика и техника полупроводников. 2005. — ТЗ. — С.354—360.

108. Электронный катало!' РАН ФТИ им. А.Ф. Иоффе ¡Электронный ресурс.: база данных содержи! сведения о параметрах полупроводниковых соединений и i'eiepOC'i'pyKTyp на их основе. — Режим доступа: http://www.iot'fe.ru/SVA/NSM/Semicond/

109. Vcrleur Ll.W. Determination of Optical Constants from Reflectance or Transmittancc Measurements on Bulk Crystals or 'ihin Films / II. W. Vcrleur// JOSA.- 1968. V. 58,- 1356 p.

110. У ханов К).И. Ошичсскис свойства полупроводников / К).И. У ханов. -М. : Паука, 1977.- 368 с.

111. Raman scattering from coupled plasmon-LO-phonon modes in n-type

112. AlxGal-xAs / Т. Yuasa |ct al. .// Phys. Rev. B. 1986. - V.33. - p.2.

113. I legem s M. Infrared Reflection Spectra of C.a,4AI4As Mixed Crystals / M. llegcms, G.L. Pearson// Phys. Rev. В. 1970. - V.I.- 1.4. -Pp. 1 576-1582.

114. Chang I. V. Optical Phonons in Ga,NAl4As Mixed Crystals: A Modified Random-Llcmcnt Isodisplacement-Model Calculation /1. I\ Chang, S.S. Mitra// Phys. Rev. В. 1970. -V. 2. - I. 4,- Pp. 1215-1216.

115. П.В. Середин Спинодальный распад в энитаксиальных твердых растворахгстсроструктур AlxGai xAs/ GaAs(IOO) и Gaxln|4P/GaAs( 100) / 11.В. Середин // Известия Самарского научного центра Российской академии паук,- 2009,- Т. 1 1. №3.- С.46- 52.

116. Кристиан Дж. Теория превращения в меіаллах и сплавах / Дж. Кристиан .—М.: Мир, 1978.-Т. 1 .-808 с.

117. Goldberg Yu.A. Handbook Scries on Semiconductor Parameters/ Yu. A. Goldberg / ed. by M. Levinshtcin, S. Rumyantscv ,M. Shurj // World Scientific, London. -1999.-V. 2,- P. 1.

118. Водопьянов Jl.K. Решеточная ИК—спектроскопия эпитаксиальных слоев 7.П| xCdxSe, выращенных па подложке GaAs методом молекулярно—лучевой эпитаксии / Л.К. Водопьянов, С.П. Козырев, Ю.Г. Садофьев //Физика твердої о тела, 1999. -Т.41 .-Вып.6,- 982 с.

119. Structural and dcfcct characterization of Ga/Ys and AlxGal-xAs grown at low temperature by molecular beam epitaxy/S. Fleischer |et al.|// J. Appl. Phys.- 1997,-V. 81.-I. 1,- Pp. 190- 198.

120. Lattice parameter changes and point defect reactions in low temperature electron irradiated AlAs/ A. Gaber |ct al.| //J. Appl. Phys.-1997.- V. 82,- 1. 11.- Pp. 5348- 5351.

121. Flayes W. Scattering of Light by Crystals /W. Hayes, R. Loudon. -John Wiley & Sons, Inc., New York, 1978,- 372p.

122. Bulbul M. First-order Raman spectra from In 1 Ga Al As epitaxial layers grown on InP substrates/ M. Bulbul, G.D. Farran ,S.R.P. Smith// luir. Phys. J. В .-2001.-V. 24,- Pp. 3- 6.

123. Jusserand B. Raman investigation of anharmonieity and disorder-induced effects in Gal-xAlxAs epitaxial layers/ B. Jusserand, .1. Sapriel/' Phys. Rev. B.-198l.-№24.- P. 7194

124. Moonsuk S. Raman Studies of Heavily Carbon Doped GaAs. A dissertation in Physics. Texas Tech University,!999.- 122p.

125. Direct evidence of carbon precipitates in GaAs and InP/ A.J. Moll, L.L. I lallcr, J. W. Agcr, W. Walukiewicz// Appl Phys. Lett. -- 1994.-V. 65,- Pp. 1 145- 1 148.

126. Gibbs J. W. The Collected Works of J. Willard Gibbs/ J.W. Gibbs .- New Haven: Yale Univ. Press, 1948,- V. 1,- 105 p.

127. Photoluminescence study of acceptors in AIxGal—xAs / V. Swaminathan, J. L. Zilko, W. T. Tsang//J. Appl. Phys. -1982,- V.53.- Pp. 5163- 5169.

128. A comprehensive study of AlGaAs/GaAs beryllium- and carbon-doped base heterojunction bipolar Iransistor structures subjected to rapid thermal processing /Hong Wang |ct al. // J. Appl. Phys.- 1999,- V. 86,- I. 11.- Pp. 6468- 6474.

129. Закон Всгарда и сверхс грукгурная фаза в шитаксиальпых гетероструктурах AlxGal-xAs/GaAs(l 00) / Э.П. Домашсвская |и др.|// Физика и техника полупроводников, 2005,- Г. 39.~ № 3 .-С. 354-360.

130. XRD, АРМ and IR investigation of ordered AlGaAs2 phase in epitaxial AlxGai NAs/GaAs (100) 1 Ictcrostructurcs / P.P. Domashcvskaya |et al.| // Surface and Interface Analysis. -2006. V. 38,- 1.4 .- Pp. 828 - 832.

131. Субструктура и люминесценция низкотемпературных гсюросфуктур AIGaAs/GaAs( 100) / 11.В. Середин, А.В. Глотов, 3.11. Домашсвская |и др.J // Физика и техника полупроводников. 2010. - Г.44.- №?2. - С. 194-199.

132. Raman investigation of low temperature AlGaAs/GaAs( 1 00) hctcrostructures/ P.V. Scredin |ct al.| // Physica B: Condensed Matter.-2010.- V.405.- 1.12.- Pp. 2694-2696.

133. Isiak K. P. Platinum as a lifetime control deep impurity in silicon / K. P. Isiak , A. G. Milncs //J. Appl. Phys.- 1975.- V. 46,- Pp. 5229-5236.

134. Szc S. M. Physics of Semiconductor Devices/ S. M. S/.c .- New York: John Wiley & Sons, Inc.- 1981, 815 p.

135. Comprehensive analysis of Si- doped AlsGai 4As (x т 0 to 1): Theory and experiment / N. Chand |ct al.| // Phys. Rev. 1984. - V. 30. - Pp. 44814492.

136. Mi/uta M. Direct evidence for the DX center being a substitutional donor in AlGaAs alloy system / M. Mi/uta, M. Tachikawa, S. Minomura // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. - V. 24. - Pp. 143-146.

137. Talwar D. N. kffcct of alloy disorder on the vibrational spectrum of silicon donors in AlxGal-xAs/ D. N. Ialwar , M. Vandevyver // Phys. Rev. B 1989,- V. 40,- Pp. 9779- 9789 .

138. Ghadi D.J. Hncrgctics of DX-center formation in GaAs and Al.Ga, xAs alloys / D.J. Ghadi, K.J. Chang // Phys. Rev. 1989. V.39. - Pp. 10063 10074.

139. Harrison W. A. Nectronic Structure and the Properties of Solids : W.A. Harrison. -W. 11. Freeman, San Francisco, 1980,- 582 p.

140. Wolverson D. Lattice dynamics and clastic properties of/inc-blcndc MgS/ D. Wolverson , et al. // Phys. Rev. B 2001 V. 64,- Pp.1 13203- 1 13207.