Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Якимов, Сергей Владимирович

• Якимов, Сергей Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Якимов, Сергей Владимирович

Введение.

Глава 1. Электрофизические свойства теллура.

1.1. Кристаллическая структура теллура.

1.2. Зонная структура и электрофизические свойства теллура.

1.3. Свойства расплава теллура.

1.4. Кристаллизация теллура.

1.5. Очистка теллура.

1.6. Влияние уровня гравитации на процесс затвердевания.

Выводы.

Глава 2. Технология, методы выращивания кристаллов при разных уровнях гравитации.

2.1. Эксперименты по перекристаллизации теллура в условиях микрогравитации.

2.1.1. Особенности технологии перекристаллизации теллура.

2.1.2. Исследование кристаллической структуры образцов после перекристаллизации в условиях микрогравитации. Структурные исследования.

2.2. Эксперименты по направленной кристаллизации в условиях повышенной гравитации.

Выводы.л.

Глава 3. Исследование электрических свойств. Экспериментальные методы и экспериментальные результаты.

3.1. Методика измерений.

3.2.1. Результаты измерений электрических характеристик образцов, выращенных в условиях микрогравитации.

3.2.2. Влияние травления на электрофизические свойства образцов теллура, полученных переплавкой в космосе.

3.3.1. Исследование электрических свойств образцов, переплавленных при повышенной гравитации.

Выводы.

Глава 4. Формирование дефектов в теллуре при различных уровнях гравитации.

Выводы.

Глава 5. Затвердевание стеклообразного сплава Te80Si2o.

5.1. Стеклообразование и. кристаллизация.

5.2. Стеклообразный сплав Te8oSi2o.

5.3. Подготовка образцов.

5.4. Свойства образцов.

5.4.1. Физико - механические свойства.

5.4.2. Электрические свойства.

5.4.2.1. Определение ширины запрещённой зоны измерением фотопроводимости.

5.4.2.2. Температурная зависимость электросопротивления Te80Si2o

5.4.3. Обсуждение результатов.

5.5. Исследование газовых пор в слитках Te8oSi2o.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации»

Развитие микроэлектроники (наноэлектроника, оптоэлектроника, крио электроника) и новейшие направления научных исследований (свойства систем с пониженной размерностью) выдвигают все возрастающие требования к качеству полупроводниковых материалов. Одним из важных технологических факторов при выращивании совершенных кристаллов и управлении их свойствами является уровень гравитации.

Цели работы заключались в следующем:

1) разработка и выполнение программы переплавки слитков чистого теллура в замкнутом объёме в условиях пониженной и повышенной гравитации;

2) структурное исследование морфологических особенностей полученных слитков;

3) определение особенностей распределения электрически активных и нейтральных дефектов вдоль кристаллических слитков, перекристаллизованных при разных уровнях гравитации, различных типах загрузки и разных режимах конвекции;

4) получение стеклообразного сплава Te-Si при разных уровнях гравитации и исследование особенностей его электрических и физических свойств;

5) исследование возможности использования термокапиллярной конвекции и эффекта отрыва расплава от стенок ампулы для получения в условиях микрогравитации образцов с микрокристаллической структурой.

Теллур - анизотропный материал, пространственная группа Dj(6) перспективный для оптоэлектронных устройств ИК-диапазона, в частности, как элемент акустооптических преобразователей [4]. Однако, практическое применение теллура сдерживает то обстоятельство, что этот полупроводник известей исключительно как полупроводник р-типа. Минимальная достигнутая концентрация дырок составляет (1-2)-10 см" (77К). Эксперименты по глубокому охлаждению теллура не привели к обнаружению эффекта вымораживания примесных состояний. Возможными источниками остаточной концен трации дырок могут быть: а) достаточно высокая концентрация структурных дефектов, обладающих акцепторными свойствами (например, обрывы винтовых цепочек атомов), б) остаточные примеси.

Получение бездислокационных кристаллов может позволить разделить эти два источника остаточной концентрации дырочных носителей заряда. Если бездислокационные кристаллы окажутся типичным полупроводником, т.е. при низких температурах их сопротивление экспоненциально возрастет, то это открывает новые перспективы как для научных исследований деталей взаимодействия электронных и фононных систем с анизотропным спектром, так и для практического использования теллура в ИК-технике.

Вопрос об источнике остаточной концентрации дырок имеет большое практическое значение также и потому, что теллур является одним из компонентов ряда важных полупроводниковых материалов (КРТ, СОТ и др.) и его химическая чистота определяет качество полученных приборов.

Технологические эксперименты, проведенные с различными полупроводниками в космических условиях, показали, что в отсутствие гравитации происходит уменьшение зародышеобразования и увеличение линейных размеров первичных кристаллов [5]. Кроме того, в условиях микрогравитации i уменьшается соприкосновение расплава со стенками ампулы, что является одной из причин снижения плотности дислокаций на 2-4 порядка.

В работе основное внимание уделено решению следующих вопросов:

1) Поиск оптимальных условий для выращивания кристаллов Те в условиях невесомости.

2) Исследование особенностей электрофизических свойств полученных образцов: кристаллической структуры, распределения примесей и дефектов, концентрации и подвижности носителей заряда. Сопоставление с параметрами кристаллов, переплавленных аналогичным методом при нормальном и повышенном уровнях гравитации.

3) Исследование влияния гравитационных условий (|xg - микрогравитация, lgo и 5go) во время кристаллизации теллура на формирование и распределение нейтральных (ND) и электрически - активных (Nad) структурных дефектов в образцах, полученных как при полной переплавке исходного слитка, так и при направленной перекристаллизации слитка с затравкой.

4) Разработка методики получения стеклообразного сплава TegoSi2o в условиях невесомости и исследование особенностей полученного образца.

5) Анализ процессов газовыделения в расплаве Te-Si и влияния на них гравитационных условий. Динамика пузырей в расплаве Te-Si сопоставлена с теорией с учетом сил тяжести, плавучести, вязкого трения, капиллярных и других сил в предположении отсутствия конвекции.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Якимов, Сергей Владимирович

Выводы

Проведено сравнительное исследование плотности, микротвёрдости и электрических свойств стеклообразного сплава Те8о812о, полученного в условиях микрогравитации на ОКС "Мир" на аппаратуре "Кристаллизатор-ЧСК

1" и его земного аналога. Установлено, что пористость образцов, полученных при и 1§0 не отличается, а микрооднородность и однородность по составу у "космического" образца выше, чем его земного аналога. Большая однородность образца подтверждается, также, электрическими измерениями. Исследование температурной зависимости электропроводности образцов показало, что Мр-гоютность состояний на уровне Ферми, создаваемая дефектами, по которым идет прыжковая проводимость меньше для образца чем для земного аналога.

Различия обусловлены подавлением процесса образования кластеров при затвердевании в условиях микрогравитации вследствие "эффекта отрыва", уменьшающего вероятность возникновения седиментации и гетерогенной кристаллизации.

Согласно теоретическим оценкам, образование пузырей в условиях микрогравитации должно происходить намного легче и интенсивнее, чем на Земле. Однако, в эксперименте различия в процессах образования пузырей в космосе и на Земле практически не установлено.

Заключение

I. Кристаллический теллур.

Впервые выполнены эксперименты по направленной кристаллизации чистого Те в движущемся температурном градиенте в условиях микрогравитации на космической станции "Мир". Результаты исследования электрических свойств кристаллических образцов с разной структурой в широком интервале температур сопоставлены с данными для образцов, полученных по аналогичным циклограммам в нормальных условиях на земле и на центрифуге ЦФ-18 при 5§0. Выявлена чувствительность процесса кристаллизации теллура к уровню гравитации. Чувствительность обусловлена наличием эффекта отрыва и термокапиллярной конвекции в условиях микрогравитации, .а при повышении уровня гравитации -аномальной зависимостью плотности расплава Те от температуры.

1) Направленный рост кристалла теллура в условиях микрогравитации при частичной переплавке монокристаллического образца показал, что кристаллизация части слитка происходила со свободной поверхностью в условиях "эффекта отрыва". Полученный кристалл по своим электрическим свойствам не уступает кристаллам, выращенным методом Чохральского в земных условиях. Наибольшая подвижность дырок, соответствующая наименьшему количеству дефектов, наблюдалась в части кристалла, сформированной в условиях свободной поверхности.

2) Используя высокую чувствительность электрических свойств Те при низких температурах к наличию нейтральных и электрически активных собственных дефектов и примесей, развита методика определения концентрации и профилей примеси и дефектов вдоль исследуемых слитков путём низкотемпературных измерений гальваномагнитных свойств. Оценена концентрация нейтральных дефектов, снижающих величину подвижности дырок и характеризующих совершенство кристаллов, выращенных по разным программам: неполная перекристаллизация монокристалла, полная перекристаллизация поликристал-лических слитков с монокристаллической затравкой и без неё.

3) Концентрация дырок в начальной части всех исследованных слитков Те уменьшается, что связано с уменьшением числа структурных дефектов, имеющих акцепторный характер, по мере кристаллизации слитка. Наблюдаемый профиль распределения акцепторов, как примесных, так и собственных, описывается двумя слагаемыми, учитывающими как начальный экспоненциальный спад концентрации структурных дефектов акцепторного типа, так и оттеснение акцепторной примеси (вЬ) в процессе направленной кристаллизации.

4) Величины подвижности дырок при низкой температуре (77К) в образцах, полученных в условиях микрогравитации, различаются почти на порядок в зависимости от кристаллической структуры. Температурные зависимости подвижности дырок для всех образцов количественно описаны в рамках единого подхода, учитывающего температурно зависимое рассеяние дырок на ионах примеси и акустических фононах, а также независящее от температуры рассеяние на нейтральных примесях и дефектах. Различие в максимальных значениях подвижности в различных образцах определяется рассеянием на нейтральных дефектах, максимальная концентрация которых ~1018 см"3 обнаружена в поликристалле Те, перекристаллизованном без затравки.

5) Полная переплавка слитка Те без затравки в условиях микрогравитации и последующая кристаллизация сопровождается переохлаждением расплава с последующим спонтанным гомогенным зародышеобразованием, что приводит к однородной микрокристаллической структуре с хаотической ориентацией кристаллитов с размерами от 50 до 5 мкм в конце слитка. Возникает система из разориентированных микрокристаллических анизотропных структурных элементов.

Соприкосновение расплава с ампулой в отдельных точках влияет на ориентацию образующихся в контактных областях кристаллитов, что приводит к модуляции удельного сопротивления р и подвижности дырок Кст вдоль слитка из-за анизотропии электрических свойств Те.

6) Установлена зависимость эффективного коэффициента распределения остаточной примеси (сурьмы) в теллуре от уровня гравитации. Зависимость объясняется аномальной зависимостью плотности расплава теллура от температуры вследствие формирования в расплаве структурных элементов типа цепочек атомов или "сеток" вблизи точки плавления.

II. Стеклообразный сплав на основе теллура Te»nSi?n.

Из сравнительного исследования плотности, микротвёрдости и электрических свойств стеклообразного сплава TegoSi2o, полученного на ОКС "Мир" на аппаратуре "Кристаллизатор-ЧСК-1" и его земного аналога установлено, что пористость образцов, полученных при (ig и lgo не отличается, а микрооднородность и однородность по составу у "космического" образца выше, чем его земного аналога. Большая однородность образца |xg подтверждается, также, электрическими измерениями.

Различия обусловлены подавлением процесса образования кластеров при затвердевании в условиях микрогравитации вследствие "эффекта отрыва", уменьшающего вероятность возникновения седиментации и гетерогенной кристаллизации.

Основное содержание диссертации изложено в следующих работах: I. Статьи

1. JI.JI. Регель, Р.В. Парфеньев, A.M. Турчанинов, И.И. Фарбштейн, Н.К. Шульга, С.В. Никитин, С.В, Якимов. Электрофизические свойства монокристаллов теллура и сплава Te^Se*, полученных в условиях повышенной гравитации (5g и 10g). Препринт ИКИ АН СССР Пр-1474 (1989).

2. L.L. Regel, A.M. Turchaninov, R.V. Parfeniev, I.I. Farbshtein, N.K. Shulga, S.V. Yakimov, S.V. Nikitin Те and Te-Se alloy crystal growth under higher gravity. J.Phys. Ill France 2,.373 (1992).

3. И.И. Фарбыггейн, Б.Т. Мелех, В.П. Шалимов, Н.К. Шульга, С.В. Якимов. Образование пузырей в расплаве теллур-кремний в условиях микрогравитации и их динамика. Известия РАН Механика жидкости и газа. 5, 135 (1994).

4. R.V. Parfeniev, I.I. Farbshtein, S.V. Yakimov, V.P. Shalimov,

A.M. Turchaninov. Recrystallization Of Anysotropic Semiconductor Tellurium Samples Under Microgravity Conditions And Their Properties. 48th Int. Astronautical Congress. Turin, Italy, 1997, abstracts IAA-97-IAA. 12.2.0, proc. Acta Astr^nautica, 48, 2-3, 87 (2001).

5. P.B. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов,

B.П. Шалимов, А.М. Турчанинов, А.И. Иванов, С.Ф. Савин. Рекристаллизация теллура в условиях микрогравитации и свойства полученных образцов. ФТТ, 42, 2, 238 (2000).

6. L.L. Regel, R.V. Parfeniev, I.I. Farbshtein, I.L. Shulpina, S.V. Yakimov, V.P. Shalimov, A.M. Turchaninov. Defect Formation in Tellurium at Different Gravitational Levels. Processing by Centrifugation. / Ed. Liya L. Regel and William R. Wilcox. Clarkson University, Kluwer Academic Publishers, Potsdam, New Yprk, USA (2001) 241.

7. P.B. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов, В.П. Шалимов, А.М. Турчанинов. Формирование дефектов в теллуре при различных уровнях гравитации ФТТ 44, 7, 1190 (2002).

8. Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбштейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов. Затвердевание расплава Те в условиях микрогравитации и особенности электрофизических свойств полученного поликристалла. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 6, 36 (2004).

II. Материалы конференций

9. L.L. Regel, А.М. Turchaniñov, N.K. Shulga, S.V. Yakimov, B.T. Melekh, S.V. Vakhrushev, S.V. Nikitin, K.V. Kougia, I.I. Farbstein. Solidification of glass alloy Te8oSÍ2o under zero-gravity (ALSUTEST-2 program). 41 International congress, October 1990, Dresden, GDR.

10. L.L. Regel, A.M. Turchaninov, R.V. Parfeniev, I.I. Farbstein, N.K. Shulga, S.V. Yakimov, B.T. Melekh, S.V. Vakhrushev, S.V. Nikitin. Solidification of Glassy alloy Te80SÍ2o under zero-gravity (ALSUTEST-2 program). Proc. AIAA/IKI Microgravity Science Symposium Moscow, USSR, May 13-17 (1991).

11. L.L. Regel, A.M. Turchaniñov, R.V. Parfeniev, I.I. Farbstein, N.K. Shulga, S.V. Yakimov, S.V. Nikitin. Transport phenomena in Single Crystals of Tellurium and Tellurium-Selenium Alloy Grown Under Higher Gravity Conditions. The First Sino-Soviet Symposium on Astronauticle Science and Technology, Harbin, China, January 7-10 (1991) Abstracts. P. 92, proceedings P. 341.

12. L.L. Regel, A.M. Turchaninov, R.V. Parfeniev, I.I. Farbstein, N.K. Shulga, S.V. Yakimov, S.V. Nikitin. Investigatiion of the Tellurium and Tellurium-Selenium Alloys Obtained Under Higher Gravity Conditions. 1 International workshop on mat. Processihg in High Gravity. Dubna, USSR, May 1991. Program and abstracts.

13. R.V. Parfeniev, I.I. Farbshtein, S.V. Yakimov, V.P. Shalimov, A.M. Turchaninov. Solidification Of Anysotropic Semiconducting Compounds Under Microgravity Conditions And Their Properties. Proc. Joint 10th Eropean and 6th Russian Symposium Physical Sciences in Microgravity. St.Petersburg, Russia (1997) Vol.2, P.56.

14. Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбпггейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов, В.П. Шалимов, A.M. Турчанинов, А.И. Иванов, С.Ф. Савин. Гравитационная чувствительность в экспериментах по перекристаллизации теллура и затвердеванию стекла Te-Si в невесомости. УП Российский симпозиум Механика невесомости. Итоги и перспективы фундаментальных исследований гравитационно чувствительных систем. 11-14 апреля 2000 года. Москва. Тезисы докладов 79.

15. R.V. Parfeniev, I.I. Farbshtein, I.L. Shulpina, S.V. Yakimov, V.P. Shalimov,

A.M. Turchaninov, A.I. Ivanov, S.F. Savin. Solidification of Anisotropic Semiconducting Material - Tellurium under Microgravity Conditions. Solidification and Gravity- 2000. Proceedings of the Third International Conference on Solidification and Gravity. Miskolc, Hungary, April 25-28, 1999. / Ed. A. Roysz, M. Rettenmayr, D. Watring. Materials Science Forum 329 until 330 (2000) 297/556.

16. P.B. Парфеньев, И.И. Фарбпггейн, И.Л. Шульпина, С.В. Якимов,

B.П. Шалимов, A.M. Турчанинов. Электрические свойства микрокристаллического теллура, полученного в условиях невесомости. Сборник трудов III международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" Санкт-Петербург, Издательство СПбГПУ (2002) С. 174.

17. И.И. Фарбпггейн, А.В. Черняев, Д.В. Шамшур, С.В. Якимов. Роль граничного рассеяния в эффекте слабой локализации электронов (Исследование микроблочного теллура). VI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 27-31 октября 2003. Тезисы докладов. С.206.

18. Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбпггейн, С.В. Якимов, Б.Т. Мелех. Особенности условий затвердевания стеклообразного сплава Te8oSi2o в невесомости и электрофизические свойства полученного образца. IV международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники", Санкт Петербург, 5-8 июля 2004. Сборник трудов, С.288.

19. V.A. Berezovets, I.I. Farbstein, R.V. Parfeniev, S.V. Yakimov, V.I. Nizhankovskii. Grain Boundary Influence on the Electrical Properties of Tellurium Microstructure Ingots and Nanocluster Crystals. Fourth International Conference on Solidification and Gravity. Miskolc-Lillafiired, Hungary, September 6-10 (2004) Abstracts. P. 16-17.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность заведующему лабораторией кинетических явлений в твёрдых телах при низких температурах Р.В. Парфеньеву и научному руководителю И.И. Фарбштейну за постоянное внимание к работе, своим соавторам А.И. Иванову, С.Ф. Савину, В.П. Шалимову, И.Л. Шульпиной и Б.Т. Мелеху, принимавшим участие в работе на разных её этапах, а также всему коллективу своей лаборатории за доброжелательное отношение и дружескую поддержку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Якимов, Сергей Владимирович, 2005 год

1. Landolt-Bornstein. Group 3. Volume 17. Subvol. Physics of Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds 1./ Ed. O. Madelung. Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York Tokyo (1983) 534 p.

2. B.M. Глазов, C.H. Чижевская, H.H. Глаголева. Жидкие полупроводники. Наука, М. (1967) 244с.

3. В. Cabane, J. Friedel. Local order in liquid tellurium. J.de Physique 32, 1, 73 (1971).

4. A.M. Погарский. Исследование некоторых явлений переноса в теллуре. Дисс. на соиск. уч. ст. к.ф.-м.н. Л. Институт полупроводников АН СССР (1968).

5. J.S. Blakemore, D. Long, К.С. Nomure, Nussbaum. Progress in Semiconductors 6, 37 (1962)

6. И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников. Наука, М. (1978) 328 с.

7. Н.В. Callen. Electronic structure, infrared absorption, and Hall effect in tellurium. J. Chem. Phys. 22, 3, 518 (1954).

8. R. Gaspar. Theoretical interpretation of the optical and electrical properties of tellurium, selenium and their alloys. Acta Phys., Hungar, 7, 3, 313 (1957).

9. M.C. Бреслер, В.Г. Веселаго, Ю.В. Косичкин, Г.Е. Пикус, И.И. Фарбпггейн, С.С. Шалыт. Структура энергетического спектра валентной зоны теллура. ЖЭТФ, 57,11. 1479 (1969).

10. Р.В. Парфеньев, И.И. Фарбпггейн и С.С. Шалыт. Гальваномагнитные свойства теллура. И. Влияние отжига на температурный ход подвижности. ФТТ 2, 11, 2923 (1960).

11. Р.В. Парфеньев, А.М. Погарский, И.И. Фарбпггейн и С.С. Шалыт. Гальваномагнитные свойства теллура. Структура валентной зоны. ФТТ 4, 12,(1962).

12. И.И. Фарбпггейн. Электрические свойства теллура при низких температурах и структура его валентной зоны. Канд. дисс. Ленинград, (1965).

13. А.Р. Регель, В.М. Глазов. Физические свойства электронных расплавов. Наука, М., (1980) 296 с.

14. М. Катлер. Жидкие полупроводники, перевод с английского, Мир, М. (1980) 256 с.

15. G. Tourand. Etude de la structure du tellure liquide par diffraction de neutrons au voisinage de la temperature de fusion. Phys Lett., A54, 209 (1975).

16. JI.Д. Ландау Е. M. Лифшиц. Теоретическая физика. Том 10. Физическая кинетика. Наука, М., (1979) С. 503-525.

17. Б.И. Кидяров. Кинетика образования кристаллов из жидкой фазы Наука, Новосибирск (1979) 136с.

18. A.D. Tevebaugh, E.J. Cairns. Triple Point Temperature of Tellurium. J. Chem. and Eng. Data. 9,2, 172 (1964).

19. H. Minagava, Y. Suzuki, J. Kavabata, K. Shimokawa, Y. Ueda, S. Iwasaki, J. Shinohara, H. Ueno, E. Nishizawa, H. Sakurai, M. Kaburagi. Control of Lévitation in Electromagnetic Levitators under Microgravity. Jpn. J. Appl. Phys. 35, L1714 (1996). ,

20. W.G. Pfann. Priciples of Zone Melting. Trans. AIMME 194, 747 (1952).

21. J.A. Burton, R.C. Prim, W.P. Slichter. The Distribution of Solute in Crystals Grown from The Melt. J. Chem. Phys. 21,11, 1987 (1953).

22. W.A. Tiller, K.A. Jackson, J.W. Rutter, B. Chalmers. The Redistribution of Solute Atoms During the Solidification of Metals. Acta Metallurgica 1, 428 (1953).

23. B.C. Авдуевский, С.Д. Гришин, JI.B. Лесков. О физических особенностях направленной кристаллизации в невесомости. Научные чтения по авиации и космонавтике, 1980 г. Наука, М., (1981) С. 15-24.

24. Л.И. Иванов, B.C. Земсков, В.Н. Кубасов. Плавление, кристаллизация и фазообразование в условиях невесомости. Наука, М., (1979) 256 с.

25. Appolo-Soyus Test Project: Summary science Rept. NASA, Wash. (1997).

26. B.C. Авдуевский, С.Д. Гришин, Л.В. Лесков. Проблемы космического производства. Машиностроение, М., (1980) 223 с.

27. А.Ю. Малинин. Эксперименты по выращиванию полупроводниковых материалов в условиях космоса на аппаратуре "Кристалл". Электронная промышленность. 3, 3 (1979).

28. С.В. Цивинский. О факторах, определяющих максимальную скорость роста при получении кристаллов из расплавов. Изв. АН СССР, Сер. физ.37, 11,582(1973).

29. W.R. Wilcox, L.L. Regel. Detached Solidification. Micrograv. Sci. Technol. 7, 56(1995).

30. R. Sen and W.R. Wilcox. Behavior of non-wetting melt in free fall: experimental. J. Crystal Growth 74, 591 (1986).

31. H. Ahibom and K. Lohberg, in Proceedings Nordemey Symposium on Scientific Results of the German SpaceLab Mission Dl. European Space Agency. Paris. (1986) P.268.

32. T. Duffar, I.Paret-Harter, P. Dussere. Crucible de-wetting during bridgman growth of semiconductors in microgravity. J. Cryst. Growth 100, 171 (1990).

33. D.I. Popov, L.L. Regel, W.R. Wilcox. Detached Solidification, J. Mat. Synth and Proc. 5, 5,283 (1997).

34. JI.JI. Регель. Космическое материаловедение. Часть II. Итоги науки и техники. Серия: исследование космического пространства. Том 29. Изд-во ВИНИТИ, М., (1987) С. 146.

35. A.P. Лэнг. Диффракционные и микроскопические методы в материаловедении. Металлургия, М., (1984) С. 364.38. 35., С.190.

36. К. von Klitzing. Impurity spectroscopy on tellurium by means of magnetoresistance measurements under nonohmic conditions. Solid State Electronics, 21,223 (1978).

37. A. Кота, E. Takimoto, S. Tanaka. Etch Pits and Crystal Structure of Tellurium. Phys. Stat. Sol. 40, 239 (1970).

38. J.C. Doukhan, J.L. Farvacque. The Physics of Selenium and Tellurium. Solid State Sciences. 13, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York (1979) P. 126.

39. H. Rodot, L.L. Regel, G.V. Sarafanov, M. Hamidi, I.V. Vidensky, A.M Turchaninov. Crystaux de telluride de plomb élaborés en centrifugence. J. Crystal Growth 79, 77 (1986).

40. W.A. Arnold. Numerical Modeling of Directional Solidification in a Centrifuge. Ph.D. Thesis. Clarkson University, Potsdam, New York (1994).

41. И.И. Фарбпггейн, A.M. Погарский, С.С. Шалыт. Гальваномагнитные свойства теллура и структура валентной зоны вблизи энергетического минимума. ФТТ, 7, 8, 2383 (1965).

42. С. Erginsoy. Neutral Impurity Scattering in Semiconductors. Phys. Rev. 79, 1013 (1950).

43. К. Герт, К. Хильберт, Д. Унангст, А.С. Охотин, И.В. Бармин. Влияние микрогравитации на распределение неоднородностей в расплаве стекла. Салют-6-Союз. Материаловедение и технология. Наука, М., (1985) 184с.

44. L.G. Bailey. Preparation and properties of silicon telluride. J. Phys. and Chem. Solids 27,10, 1593 (1966).

45. M.C. Аблова, A.A. Андреев, B.T. Мелех, З.В. Маслова, P.M. Идрисова, Т.Б. Жукова. Электрофизические свойства эвтектических стекол системы Si-Te. Физика и химия стекла 14, 3,413 (1988).

46. Ф. Гаскелл. Металлические стекла. Выпуск 2. / под ред. Г. Бека и Г. Гюнтеродта. Мир, М. (1986) С. 12.

47. J. Tauc. Optical Properties of Non-crystalline Solids. Optical Properties of Solids. / Ed. F. Abeles. North Holland, Amsterdam (1972) P.279.

48. N.F. Mott. Conduction in Non-crystalline Materials Ш. Localized States in a Pseudogap and Near Extremities of Conduction and Valence Bands. Philosophical magazine 19,160, 835 (1969).

49. V.V. Iliukhin, V.P. Shalimov, S.J. Budurov, P.D. Kovachev, S.A. Toncheva. On the conditions of gas inclusion formation in melts under zero gravity state (after "Pirin" experiment). Acta Astronaut. 11,9, 585 (1984).

50. B.B. Илюхин, В.П. Шалимов и др. Возникновение газовых включений в расплавах в условиях невесомости "Салют-6" "Союз": Материаловедение и технология. Наука, М. (1985) С. 67-72.

51. V.P. Shalimov. Gravity effects in the problem of gas bubble formation and dynamics in liquid phasq. Proc. ALAA/IKI Microgravity Sci. Sympos. Moscow, USSR (1991) P.50.

52. R.F. Brebrick. Si-Te system: partial pressure of Те and SiTe and thermodynamic properties from optical density of the vapor phase. J. Chem. Phys. 49, 6, 2584 (1968).

53. В.П. Скрипов. Метастабильная жидкость. Наука, М. (1972) 312 с.

54. Б.Т. Мелех, И.И. Фарбштейн, В.П. Шалимов, Н.К. Шульга, С.В. Якимов. Образование пузырей в расплаве теллур-кремний в условиях микрогравитации и их динамика. Изв. Академии наук. Механика жидкости и газа 5,135 (1994).