Сильноточный импульсный магнетронный разряд с автоускорением плазмы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.08, кандидат физико-математических наук Щелканов, Иван Анатольевич

• Щелканов, Иван Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Щелканов, Иван Анатольевич

Введение

1. Анализ современного состояния вопроса и задачи настоящего исследования

1.1. Описание импульсного магнетронного разряда

1.2. Основные процессы в плазме сильноточного импульсного магнетронного разряда

1.3. Актуальность применения импульсных магнетронных разрядов большой мощности

1.4. Сравнение разрядов СИМР и НІРІМ

2. Экспериментальная установка

2.1. Принципиальная схема

2.2. Вакуумная система

2.3. Разрядное устройство

2.4. Электрическая система питания разряда 50 2.4.1. Система коммутации большой мощности

2.5. Система зондовых измерений

2.6. Электростатический энергоанализатор

2.7. Спектральная диагностика

3. Моделирование процессов в СИМР

3.1. Расчет магнитной системы магнетрона

3.2. Расчет скорости нанесения покрытия

3.3. Динамика тепловых процессов на катоде

3.3.1. Программный пакет Сонібоі МиШрЬуБюэ

3.3.2. Тепловая модель катода

3.3.3. Влияние мощности СИМР на температуру поверхности катода

4. Экспериментальное исследование СИМР

4.1. Результаты зондовых и спектральных исследований

4.2. Импульсная скорость нанесения покрытий

4.3. Ускорительные процессы в СИМР

4.3.1. Область замыкания разрядного тока

4.3.2. Скорость распада плазменного образования

4.3.3. Процессы потери частиц

4!3.4. Качественная модель процесса электродинамического ускорения

4.3.5. Зондовые эксперименты по подтверждению ускорительных процессов

4.3.6. Энергетический спектр ионов, выходящих из плазмы СИМР

5. Технологическое применение СИМР

5.1. Развитие физико-математической модели

5.2. Применение СИМР 115 Заключение 123 Список литературы

Основные обозначения, термины и сокращения

MPC - магнетронная распылительная система

ВАХ - вольт-амперная характеристика

СИМР - сильноточный импульсный магнетронный разряд

HIPIMS - high power impulse magnetron discharge

HPPMS - high power pulsed magnetron sputtering

Предионизация - заполнение плазмой разрядного промежутка перед началом сильноточной формы разряда.

Импульсная скорость нанесения - скорость нанесения покрытий без учета временных пауз между импульсами В — вектор индукции магнитного поля

Вг - проекция вектора магнитного поля на ось г в цилиндрической системе координат

Bz - проекция вектора магнитного поля на ось z в цилиндрических координатах

С р — теплоемкость при постоянном давлении D — коэффициент теплопроводности d - расстояние между электродами Е - вектор электрического поля Еф - энергия сублимации е - заряд электрона g - коэффициент, больший единицы и учитывающий тот факт, что не всякое столкновение приводит к ионизации

H - вектор напряженности магнитного поля h - толщина осаждаемой пленки 1р - ток разряда

1т - ионный ток насыщения на одиночный зонд Ленгмюра «/раз — плотность тока разряда (экспериментальное значение) j+ ~ — плотность ионного тока на поверхности катода jlSp — плотность потока испаренных атомов jte— плотность термоэлектронного тока к — постоянная Больцмана те — масса электрона п — концентрация частиц ni — концентрация ионов пе - концентрация заряженных частиц qsurf — поток тепла, приходящий на поверхность катода

RiE - коэффициент отражения ионов с энергией Е

Rin~ коэффициент отражения нейтралов г к — радиус катода

Т— температура материала (в тепловых расчетах)

Тт - температура излучателя

То - температура окружающей среды

Те - электронная температура

Ti— температура иона

Ui - потенциал ионизации

V - скорость распыления катода (количество вещества, распыляемое с 1 см катода за 1 с)

Va - атомный объем

Vsh~ падение напряжения на катодном слое v — скорость частицы Vp - потенциал зонда

Y - коэффициент распыления

Г - коэффициент вторичной электронной эмиссии в магнитном поле Y3g - коэффициент вторичной ион-электронной эмиссии Gpre.sh - энергия, набираемая ионами в предслое ~ 0,5кТс А - длина свободного пробега р — плотность материала р - работа выхода электрона с поверхности металла

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Сильноточный импульсный магнетронный разряд с автоускорением плазмы»

Магнетронные распылительные системы (MPC) широко применяются в машиностроении, микроэлектронике и других областях промышленности. В настоящее время одним из направлений исследований в физике разрядов магнетронного типа является повышение скорости нанесения покрытий, а также улучшение параметров получаемых покрытий. В некоторых технологических плазменных процессах, например при чистке поверхности, необходимо управление такими параметрами потока частиц на образец, как энергия, угол падения на подложку, плотность потока. Возможность управления данными параметрами важна в задачах, требующих одновременного нанесения покрытия и модификации поверхности, а также при создании новых покрытий. При этом необходима высокая стабильность и повторяемость результатов, а также возможность переноса лабораторных исследований на промышленные установки больших размеров.

Одновременное повышение скорости нанесения как металлических покрытий, так и сложных соединений, получаемых в реактивных средах, а также управление параметрами потока падающих на подложку частиц может быть достигнуто при использовании сильноточного импульсного магнетронного разряда (СИМР) открытого в МИФИ [1].

Подобная форма разряда активно исследуется за рубежом и имеет устоявшееся название HIPIMS - High Power Impulse Magnetron Sputtering. Количество работ по данной тематике всё более увеличивается. За последние 10 лет за рубежом опубликовано более 300 работ, при этом большая часть в последние 5 лет. Однако, согласно этим работам, максимально достигнутые скорости нанесения покрытий в HIPIMS не превышают скоростей нанесения при использовании стационарного магнетронного разряда.

Актуальность темы диссертации заключается в исследовании физических процессов в перспективном методе нанесения покрытий с помощью сильноточного импульсного магнетронного разряда (СИМР). С использованием этого разряда становится возможным нанесение однородных покрытий с высокой адгезией к подложке, в том числе сложной формы, со скоростью в несколько раз большей, чем в стационарном и импульсном магнетронном разрядах.

В рассматриваемом в настоящей работе сильноточном импульсном магнетронном разряде (СИМР) возможно нанесение покрытий со скоростью в несколько раз большей, чем в любых других магнетронных разрядах. Впервые с помощью этого разряда были получены соединения нитридов и оксидов тугоплавких материалов, таких как 8 (дельта)-фаза нитрида титана, без смещения и без нагрева подложки свыше 60°С [2]. Получено нанесение чисто металлических покрытий с импульсной скоростью до нескольких микрон в минуту [3]. Под импульсной скоростью понимается скорость нанесения покрытий без учета временных пауз между импульсами.

Феноменологическое описание устойчивости сильноточной формы импульсного магнетронного разряда и условия ее получения проводились в работе [4] еще в конце прошлого века. Однако нерассмотренными до сих пор остаются многие вопросы. В частности, остаются необъясненными процессы, обеспечивающие высокие скорости нанесения покрытий (например, в СИМР импульсная скорость напыления титана до 6 мкм/мин), а также явления, обеспечивающие возможность нанесения нитрида титана без смещения на подложку.

Целью диссертационной работы является исследование физики сильноточного импульсного магнетронного разряда (СИМР) для создания высокоскоростной технологии нанесения покрытий.

К основным задачам исследования относятся:

1. Построение модели, объясняющей сверхвысокие импульсные скорости нанесения покрытий в СИМР.

2. Создание физико-математической модели для расчета поля температур в катоде.

3. Проведение комплексных зондовых и оптических исследований плазмы разряда, а также измерение энергетического распределения ионов, приходящих из плазмы разряда на подложку.

4. Определение на основе построенных моделей путей оптимизации СИМР.

5. Демонстрация возможностей СИМР в технологических процессах.

Научная новизна работы заключается в следующем:

• Построена экспериментально верифицированная тепловая модель катода.

• На базе построенной модели показано, что во время сильноточного импульса разряда происходит перегрев тонкого слоя катода, вызывающего испарения, что и обеспечивает скорости нанесения покрытий, значительно превосходящие скорости традиционных магнетронных систем.

• Впервые проведены комплексные зондовые и спектроскопические исследования плазмы сильноточного импульсного магнетронного разряда с энергией в одном импульсе более 100 Дж.

• С использованием спектроскопической диагностики показано, что в плазме разряда присутствует в основном ионизованный материал распыляемого катода, что позволяет управлять энергией и плотностью потока частиц, приходящих на обрабатываемый образец.

• Впервые в СИМР измерено энергетическое распределение ионов плазмы и показано, что его ширина достигает десятков электронвольт при средней энергии ионов ~15 эВ.

Предложена качественная модель электродинамического ускорения плазмы в СИМР.

Практическая ценность работы состоит в следующем:

1. Созданная новая конструкция магнетронного распылительного узла позволяет получать режимы разряда, в которых происходит электродинамическое ускорение плазмы, обеспечивающее нанесение нитридных и оксидных покрытий на холодную подложку с хорошей адгезией и высокими скоростями.

2. Обнаруженный перегрев тонкого слоя катода во время сильноточного импульса обеспечивает значительно более высокие, чем в других магнетронных разрядах, скорости нанесения металлических покрытий.

3. Построенная и экспериментально верифицированная тепловая модель катода позволяет прогнозировать его тепловое состояние при СИМР.

4. Измерены высокие энергии ионов, в осаждаемом потоке на заземленную подложку, что позволяет наносить покрытия с высокой адгезией.

5. Показана обоснованность применения исследуемого разряда в технологии производства катодной фольги электролитических конденсаторов повышенной емкости.

На защиту выносятся следующие содержащие новизну положения: 1. Идентификация СИМР как специфического вида разряда.

2. Результаты спектральных измерений, показавшие полную ионизацию материала катода в плазме СИМР.

3. Результаты экспериментально верифицированного численного моделирования теплового состояния катода, показывающие, что за высокую импульсную скорость нанесения титановых покрытий (более 4 мкм/мин) в СИМР отвечает испарение катода.

4. Экспериментально измеренное энергетическое распределение ионов плазмы СИМР, обладающее широким спектром, достигающим десятков электронвольт при средней энергии ионов ~ 15 эВ.

5. Обнаруженный эффект электродинамического ускорения плазменного сгустка в сильноточном импульсном магнетронном разряде.

6. Обоснование технологического применения сильноточного импульсного магнетронного разряда, подтвержденное с помощью повышения емкости катодной фольги электролитических конденсаторов.

Апробация работы. Результаты исследований, изложенные в диссертации, доложены на следующих конференциях: Twelfth International Conference on Plasma Surface Engineering, 2010, Germany (PSE 2010); XIX международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ISI 2009); XVI научно-технической конференции «Вакуумная наука и техника» 2008, 2009.

Личный вклад соискателя отражен в постановке задач, создании, реализации и отладке численных алгоритмов, в создании физико-математической модели, объясняющей высокие скорости нанесения металлических покрытий в СИМР, идентификации СИМР как особой формы разряда, составлении качественного описания электродинамического ускорения плазмы в разрядном промежутке, проведении экспериментов на усовершенствованной установке, расчетов и анализе полученных результатов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Общий объем составляет 135 страниц, 62 рисунка. Список литературы включает 103 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика плазмы», Щелканов, Иван Анатольевич

Основные результаты выполненных в настоящей работе исследований сводятся, по мнению автора, к следующему.

1. Выполненный анализ состояния исследований в области импульсных плазменных магнетронных технологий и проблемы изучения фундаментальных физических процессов в мощных импульсных формах разряда в магнитном поле, с учетом результатов данной работы, позволил идентифицировать СИМР как отдельную форму сильноточного импульсного магнетронного разряда.

2. Создана новая экспериментальная установка, включающая импульсный магнетрон, оптическую систему управления, систему измерения давления и расхода газа.

3. Впервые проведены комплексные зондовые и спектроскопические исследования плазмы сильноточного импульсного магнетронного разряда с энергией в одном импульсе более 100 Дж.

4. Построена качественная модель, объясняющая сверхвысокие скорости нанесения металлических покрытий в квазистационарной фазе СИМР.

5. Проведено определение компонентного состава плазмы методом эмиссионной спектроскопии. Показано, что в плазме разряда присутствует в основном ионизованный материал распыляемого катода, что позволяет управлять энергией и плотностью потока частиц, приходящих на обрабатываемый образец.

6. Обнаружена спадающая зависимость времени жизни плазменного образования от вкладываемой в разряд мощности.

7. Измерено энергетическое распределение ионов плазмы СИМР и показано, что ширина спектра достигает десятков электронвольт при средней энергии ионов ~ 15 эВ.

8. Предложено качественное описание механизма электродинамического ускорения плазмы в разряде, позволившее объяснить спадающую зависимость времени жизни плазменного образования от вкладываемой в разряд мощности.

9. Рассмотрены перспективы дальнейших исследований сильноточного импульсного магнетронного разряда, создания принципиально новых распылительных установок и предложения по внедрению сильноточной импульсной магнетронной технологии в промышленность. Показана эффективность технологического применения разряда СИМР, на примере производства катодной фольги электролитических конденсаторов.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Щелканов, Иван Анатольевич, 2011 год

1. Fetisov I. К., Khodachenko G. V., Mozgrin D. V. Quasi-stationary high current forms of low pressure discharge in magnetic field Тезисы докладов. // I.C.P.I.G.-XX. Piza.1991. Vol. 2. C. 476-478.

2. Фетисов И. К., Ходаченко Г. В., Мозгрин Д. В., Исследование возможности создания технологического реактора на основе разрядов в магнитных полях сложной конфигурации для ускоренного травления слоев. Отчет по теме № N89-93-3-021-3396. М., 1990. 99 с.

3. Mozgrin D. V., Fetisov D. V., Khodachenko G. V., High-current low-pressure quasi-stationary discharge in a magnetic field: experimantal research // Plasma Phys. Rep. 1995. T. 21. № 5. C. 400-409.

4. Ходаченко Г. В. Исследование условий зажигания и режимов газового разряда в поперечном слабо-неоднородном магнитном поле : дис. . канд. физ.-мат. наук. М., 1992. С. 138.

5. Grove W. R., On the Electro-Chemical Polarity of Gases // Phil. Trans. R. Soc. Lond. 1852. T. 142. C. 87-101.

6. Кузьмичев А. И. Магнетронные распылительные системы. Кн.ига 1. Введение в физику и технику магнетронного распыления Текст. К. : Аверс, 2008. 244 с.

7. Духопельников Д. В. Магнетронные распылительные системы с электромагнитами: дис. канд. техн. наук. М., 2007. С. 202.

8. Powel Sarah Finite element modelling of magnetostatics for magnetron sputter sources Тезисы докладов. // CAD for Electromagnetic Devices. UK Magnetic society, 2006.

9. Бурмакинский И. Ю., Рогов А. В., Расчет профиля выработки катода для магнетронных систем ионного распыления // Журнал технической физики. 2003. Т. 73. № 10. С. 46-50.

10. Fetisov I. К. Filippov A. A. Khodachenko G. V. Mozgrin D. V. Pisarev A. A. et al., Impulse irradiation plasma technology for film deposition // Vacuum. 1999. T. 53. №. C. 133-136.

11. Мозгрин Д. В., Фетисов PI. К., Ходаченко Г. В. Структура сильноточного диффузного разряда низкого давления в магнитном поле Тезисы докладов. // VIII Конференция по физике газового разряда, тезисы докладов. 1996. Т. 2. С. 73-75.

12. Гордеев А. А. и др. Спектроскопические исследования излучения плазмы сильноточного диффузного разряда низкого давления в магнитном поле [Тезисы докладов] // IV Межгосударственный симпозиум по радиационной плазмодинамике. Москва, 1997. С. 166-167.

13. Гордеев А. А. и др. Определение компонентного состава плазмы сильноточного диффузного разряда [Тезисы докладов] // II Международная конференция по физике плазмы и плазменным технологиям. Минск, 1997.

14. Фетисов И. К. Газовый разряд низкого давления в магнитном по-ле .(Физика газоразрядных процессов и лабораторный практикум) Текст. М. : Изд. МИФИ, 1999.

15. Мозгрин Д. В. Экспериментальное исследование сильноточных форм квазистационарного разряда низкого давления в магнитном поле: дис. . канд. физ.-мат. наук. М., 1994. С. 122.

16. Райзер Ю. П. Физика газового разряда Текст. М. : Наука, 1987.

17. Козырев А. В., Королев Ю. Д., Месяц Г. А., Автоэмиссионные процессы перехода от тлеющего разряда к дуговому // ЖТФ. 1982. Т. 57.

18. Месяц Г. А., Проскуровский Д. И. Импульсный электрический разряд в вакууме Текст. Новосибирск : Наука, 1984.

19. Королев Ю. Д., Месяц Г. А. Автоэмиссионные процессы в газовом разряде Текст. Новосибирск : Наука, 1982.

20. Александров Н. JI. и др., Диффузия электронов в слабоионизованной плазме во внешних полях // Физика плазмы. 1983. Т. 9. №. С. 1068.

21. Акишев Ю. С., Напартович А. П., Перетятько П. И., Трушкин Н. И. и др., Приэлектродные области тлеющего разряда и нормальная плотность тока на аноде // ТВТ. 1980. Т. 18. № 4. С. 873.

22. Акишев Ю. С. и др. Исследование плазменного столба и прианодной области продольного разряда в азоте и воздухе // ТВТ. 1982. Т. 20. № 1.С. 30-37.

23. Акишев Ю. С. и др. Влияние состояния поверхности электродов на образование катодных, и анодных пятен // ТВТ. 1984. Т. 22. № 2.С. 201— 207.

24. Акишев Ю. С. и др. Исследование преддугового катодного пятна в стационарном тлеющем разряде // ЖТФ. 1985. Т. 55. № 4. С. 655-663.

25. Lin J. et а1и др. Ion energy and mass distributions of the plasma during modulated pulse power magnetron sputtering // Surface and Coatings Technology. 2009. Vol. 203. № 24. C. 3676-3685.

26. Alami J., et al. Sarakinos K., Mark G., Wuttig M., On the deposition rate in a high power pulsed magnetron sputtering discharge // Applied Physics Letters. 2006. Vol. 89. № 15.

27. Gudmundsson J. Т., Alami J., Helmersson U. Spatial and temporal behaviar of the plasma parameters in a pulsed magnetron discharge // Surface and Coatings Technology. 2002. Vol. 161. C. 249-256.

28. Gudmundsson J. Т., Alami J., Helmersson U. Evolution of the electron energy distribution and plasma parameters in a pulsed magnetron discharge // Applied Physics Letters. 2001. Vol. 78. № 22. C. 3427.

29. Konstantinidis S. et al. Influence of pulse duration on the plasma characteristics in high-power pulsed magnetron discharges // Journal of Applied Physics. 2006. Vol. 99. № 1.

30. Sarakinos K., Alami J., Konstantinidis S., High power pulsed magnetron sputtering: A review on scientific and engineering state of the art // Surface and Coatings Technology. 2010. Vol. 204. № 11. C. 1661-1684.

31. Ehiasarian A. P., Andersson J., Anders A., Distance-dependent plasma composition and ion energy in high power impulse magnetron sputtering // Journal of Physics D: Applied Physics. 2010. Vol. 43. № 27.

32. Kadlec S., Simulation of Neutral Particle Flow During High Power Magnetron Impulse // Plasma Processes and Polymers. 2007. Vol. 4. № 1. P. 419423.

33. Zhukov V. V., Krivobokov V. P., Yanin S. N., Significance of Self-Sputtering Effect for the Magnetron Discharge // Известия вузов. Физика. 2006. № 8 (Приложение). С. 30-33.

34. Anders A.ndre, Andersson J., Ehiasarian A., High power impulse magnetron sputtering: Current-voltage-time characteristics indicate the onset of sustained self-sputtering // Journal of Applied Physics. 2007. Vol. 102. № 11.

35. Andersson J., Ehiasarian A. P., Anders A., Observation of Ti sup 4+. ions in a high power impulse magnetron sputtering plasma // Applied Physics Letters. 2008. Vol. 93. № 7.

36. Andersson J., Anders A., Self-Sputtering Far above the Runaway Threshold: An Extraordinary Metal-Ion Generator // Physical Review Letters. 2009. Vol. 102. №4.

37. Alami J. et al. Phase tailoring of Та thin films by highly ionized pulsed magnetron sputtering // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515. № 778-8. C. 3434-3438.

38. Rossnagel S. M., Kaufman H. R., Charge transport in magnetrons // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 1987. Vol. 5. № 4. C. 2276-2279.

39. Hoffman D. W., A sputtering wind // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 1985. Vol. 3. № 3. C. 561-566.

40. Bohlmark J. et al. The ion energy distributions and ion flux composition from a high power impulse magnetron sputtering discharge // Thin Solid Films. 2006. Vol. 515. № 4. C. 1522-1526.

41. Ehiasarian A. et al. New R. Munz W.-D. Hultman L. Helmersson U. Kouznetsov V. Influence of high power densities on the composition of pulsed magnetron plasmas // Vacuum. 2002. Vol. 65. C. 147—154.

42. Lu J., Kushner J. M., Effect of sputter heating in ionized metal physical vapor//J. App. Phys. 2000. Vol. 87. № 10. C. 7198-7207.

43. Kouznetsov V. et al. A novel pulsed magnetron sputter technique utilizing very high target power densities // Surface and Coatings Technology. 1999. Vol. 122. № 223-3. C. 290-293.

44. Andersson J., Anders A., Gasless sputtering: Opportunities for ultraclean metallization, coatings in space, and propulsion // Applied Physics Letters. 2008. Vol. 92. № 22.

45. Cada M. et al. Plasma diagnostics in the pulse magnetron sputtering system used for deposition Ti-C:H thin films // Surface and Coatings Technology. 2006. Vol. 200. № 12. C. 3861-3867.

46. Cada M. et al. Time-resolved plasma parameters in the HiPIMS discharge with Ti target in Ar/02 atmosphere // Surface and Coatings Technology. 2010.

47. Gudmundsson J. T. et al. On the electron energy in the high power impulse magnetron sputtering discharge // Journal of Applied Physics. 2009. Vol. 105. № 12.

48. Vetushka A., Ehiasarian A. P. Plasma dynamic in chromium and titanium HIPIMS discharges // Journal of Physics D: Applied Physics. 2008. Vol. 41. № 1.

49. Hecimovic A., Burcalova K., Ehiasarian A. P., Origins of ion energy distribution function (IEDF) in high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) plasma discharge // Journal of Physics D: Applied Physics. 2008. Vol. 41. №9.

50. J. Alami.-Linkoping University, Linkoping, Sweden, .2005. c 130

51. Bohlmark J. et al. Measurement of the magnetic field change in a pulsed high current magnetron discharge // Plasma Sources Science and Technology. 2004. Vol. 13. № 4. C. 654-661.

52. Lundin D. et al. Cross-field ion transport during high power impulse magnetron sputtering // Plasma Sources Science and Technology. 2008. Vol. 17. №3.

53. Lundin D. et al. Anomalous electron transport in high power impulse magnetron sputtering // Plasma Sources Science and Technology. 2008. Vol. 17. №2.

54. Bohlmark J. et al. Ionization of sputtered metals in high power pulsed magnetron sputtering // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 2005. Vol. 23. № 1. P. 18.

55. Greczynski G., Hultman L. Time and energy resolved ion mass spectroscopy studies of the ion flux during high power pulsed magnetron sputtering of Cr in Ar and Ar/N2 atmospheres // Vacuum. 2010. Vol. 84. № 9. C. 1159-1170.

56. Poolcharuansin P., Bradley J. W. Short- and long-term plasma phenomena in a HiPIMS discharge // Plasma Sources Science and Technology. 2010. Vol. 19. №2.

57. Poolcharuansin P., Bradley J. W. The evolution of the IEDFs in a low-pressure HiPIMS discharge // Surface and Coatings Technology. 2010.

58. Anders A., Discharge physics of high power impulse magnetron sputtering // Surface & Coatings Technology. 2011.

59. Ehiasarian A. P., Bugyi R. 47th Annual Technical Conference Proceedings / ed. S. о. V. C. San Francisco. C. 437-444.

60. Ehiasarian A. P. High-power impulse magnetron sputtering and its applications // Pure and Applied Chemistiy. 2010. Vol. 82. № 6. C. 1247-1258.

61. Ehiasarian A. P., Wen J. G., Petrov I. Interface microstructure engineering by high power impulse magnetron sputtering for the enhancement of adhesion // Journal of Applied Physics. 2007. Vol. 101. № 5.

62. Münz W. D. et al. Industrial applications of HIPIMS // Journal of Physics: Conference Series. 2008. Vol. 100. № 8.

63. Konstantinidis S., Dauchot J., Hecq M. Titanium oxide thin films deposited by high-power impulse magnetron sputtering // Thin Solid Films. 2006. Vol. 515. №3. C. 1182-1186.

64. Samuelsson Mattias et al. On the film density using high power impulse magnetron sputtering // Surface and Coatings Technology. 2010. Vol. 205. №2. C. 591-596.

65. Чан П., Тэлбот Л., Турян К. Электрические зонды в неподвижной и движущейся плазме;, пер. с англ. Текст. М. : Мир, 1978. С. 148-157.

66. Козлов О. В. Электрический зонд в плазме Текст. М. : Атомиздат,1969.

67. Tichy M. et al.. Langmuir Probe Diagnostics for Medium Pressure and Magnetised Low-Temperature Plasma // J. Phys. IV. 1997. Vol. 7. № 4. C. 397411.

68. Sanmartín J. R., Theory of a Probe in a Strong Magnetic Field // Журнал. 1970. Vol. 13. № l.C. 103-116.

69. Brussaard G. J. H. et al. Langmuir probe measurements in an expanding magnetized plasma // Physical Review E. 1996. Vol. 54. № 2. P. 1906.

70. Hutchinson H. Principles of Plasma Diagnostics , Second EditionTeKCT./. -: Cambridge University Press, 2002.

71. Kocan M., Gunn J. P., Influence of impurities on ion temperature measurements in the tokamak scrape-off layer by retarding field analysers // Plasma Physics and Controlled Fusion. 2011. Vol. 53. № 8.

72. Шафранов В. Д. Вопросы теории плазмы / под ред. М. А. Лёонтович Текст. М. : Госатомиздат, 1963. Вып. 2. 92 с.

73. Шиллер Э., Гайзиг У., Панцер 3. Электронно-лучевая технология; пер. с нем. Текст. М. : Энергия, 1980. 528 с.

74. Никоненко В. А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / под ред. Г. Д. Кузнецова Текст. М. : МИСИС, 2001. 48 с.

75. Данилин В. С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы Текст. М. : Радио связь, 1982.

76. Smith D. L. Physical sputtering model for fusion reactor first wall materials // Journal of Nuclear Materials. 1978. № 75. C. 20-31.

77. Плешивцев H. В., Бажин А. И. Физика воздействия ионных пучков на материаллы Текст. М. : Вузовская книга, 1998.

78. Doerner R. P., Krasheninnikov S. I., Schmid D. Particle-induced erosion of materials at elevated temperature // Journal of Applied Physics. 2004. Vol. 95. №8. C. 4471.

79. Lee H. Т., Krieger К. Modeling tungsten and carbon sputtering by carbon at elevated temperatures // Physica Scripta. 2009. Vol. T. 138. №.

80. Schiller S., Heisig U., Panzer S. Electron Beam Technology Текст. Wiley, 1982.

81. Таблицы физических величин. Справочник / под ред. И. К. Кикоина Текст. М. : Атомиздат, 1976. 1008 с.

82. Roger W. Pryor. Multiphysics Modeling Using COMSOL: a first principles approach Текст. Jones and Bartlett Publishers, LLC, 2009.

83. Егоров В. И. Применение ЭВМ для решения задач теплопроводности. Учебное пособие Текст. СПб : СПб ГУ ИТМО, 2006.85. http://www.comsol.com/.

84. Sonia М. F. Garcia. Numerical Simulation of a Joule Heating Problem. 2010. 23 c.

85. Курнаев В. А. Взаимодействие плазмы с поверхностью Текст. М. : МИФИ, 2003.

86. Ziegler J. F., Biersack J. Monte Carlo code SRIM2006.02 Online., (downloadable from http://srim.org/).

87. Лебедев Ю. А., Соломахин П. В., Шахатов В. А. Электродный микроволновый разряд в азоте: структура и газовая температура // Физика плазмы. 2007. Т.-ЗЗ. № 2. С. 180-190.

88. Брагинский С. И. Явления переноса в плазме // Вопросы теории плазмы. Текст. М. : Госатомиздат, 1963. Вып. 1. С. 183-274.

89. Москаленко И. В. и др. Измерение эффективной температуры ионов аргона методом лазерной спектроскопии в плазменном нейтрализаторе ПН-3 // Физика плазмы. 2004. Т. 30. № 5. С. 469.

90. Brenning N. et al. A bulk plasma model for dc and HiPIMS magnetrons // Plasma Sources Science and Technology. 2008. Vol. 17. № 4.

91. Ходаченко Г. В. и др. Ионно-плазменная генерация тонкого TiN покрытия фольги электролитических конденсаторов // Известия ран. Серия Физическая. 2010. Т. 74. № 2. С. 277-283.

92. Misozhnikov L.V., Sharipov Е. I., Report at the CARTS Europe 2007 Conference. Barcelona, 2007.

93. Ролдугин В. И. Свойства фрактальных дисперсных систем // Успехи химии. 2003. Т. 72. № 11. С. 1027-1054.

94. Bonn D., Ross D. Wetting transitions // Rep. Progr. Phys. 2001. Vol. 64. № 9. P. 1085.

95. Данилин Б. С. и др. Осаждение металлических пленок путем распыления из жидкой фазы // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1978. № 2 (72). С. 84-87.

96. Krutenat R. С., Jesick W. R. Vapor Deposition by Liquid Phase Sputtering // J. Vac. Sci. Techn. 1970. Vol. 7. № 1. C. 40.

97. Zhukov V. V. et aL. Magnetron Discharge in the Diode with a Liquid-Metal Target [Тезисы докладов] // 7th Intern. Conf. on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. Tomsk, год. С. 277-280.

98. Третьяков P. С., Кривобоков В. П., Янин С. Н. Эрозия жидкофазной мишени в плазме магнетронного разряда // Известия вузов. Физика. 2007. № 9 (Приложение). С. 487-490.

99. Блейхер Г. А. и др. Тепловые и эрозионные процессы при работе магнетронних распылительных систем с неохлаждаемыми мишенями // Известия вузов. Физика. 2009. Т. 52. № 11/2 (Приложение). С. 180-185.

100. Берлин Е. В. Скоростное магнетронное напыление меди на установке CAROLINE D 12А1 // Интеграл. 2009. № 6 (50).