Сегрегация, атомная структура и электронные свойства поверхности моно- и поликристаллов Cu-Ge тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Сергеев, Игорь Николаевич

• Сергеев, Игорь Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сергеев, Игорь Николаевич

Введение.

1. Исследования поверхности сплавов металл - элементарный полупроводник методами ЭОС, ДМЭ и СХПЭЭ.

1.1. Поверхностная сегрегация и ее ориентационная зависимость.

1.2. Кинетика поверхностной сегрегации.

1.3. Электронные свойства поверхности.

1.4. Поверхностные фазы.

Выводы из 1 главы.

2. Аппаратура и методика исследования поверхности сплавов Cu-Ge.

2.1. Электронный спектрометр для комплексного исследования поверхности твердых тел.

2.2. Образцы монокристаллов Cu-Ge.

2.2.1. Диаграмма состояния системы Cu-Ge.

2.3. Методика исследований.

2.3.1.Подготовка атомарно-чистой поверхности.

2.3.2. Запись спектров Оже и ХПЭЭ.

2.3.3i Учет матричных эффектов

2.3.4. Равновесные условия.

2.3.5. Кинетические кривые.

2.3.6. Методика регистрации картин ДМЭ.

Выводы из 2 главы.

3. Экспериментальное изучение сегрегации и реконструкции поверхности в сплавах Cu-Ge.

3.1. Температурная и ориентационная зависимости состава поверхности сплавов Cu-Ge.

3.1.1.Грань (111) сплава Си-2 ат. % Ge.

3.1.2. Грани (110), (111) и (100) сплава Си-6 ат. % Ge.

3.1.3. Толщина обогащенного слоя.

3.1.4.Поликристаллический сплав Сщ^е^ь.

3.1.5, Коэффициент распределения германия.

3.2. Упорядоченные структуры на поверхности сплавов Cu-Ge и концентрационные интервалы их стабильности.:

3.2.1.(111)Си-6 ат. % Ge.

3.2.2. (ЮО)См-б ат. % Ge.

3.2.3. (110)Си-6 ат. % Ge.

3.2.4. (11 \)Си-2 ат. % Ge.

3.3. Влияние сегрегации на реконструкцию поверхности.

Выводы из 3 главы.

4. Исследование поверхности сплавов Cu-Ge методом СХПЭЭ.

4.1. Характеристические потери энергии для грани (111) чистых Си и Ge.

4.2. Характеристические потери энергии для сингулярных граней сплавов Cu-Ge.

4.2.1. Интерпретация пиков ХПЭ для сплава Си-6 ат. % Ge.

4.3. Температурная и ориентационная зависимости характеристических потерь энергии для сплавов Cu-Ge.

4.3.1. Сингулярные грани сплава Си-6 ат.% Ge.

4.3.2. Сплав (111)Сн-2 ат. % Ge.

4.3.31 Поликристаллический сплав Сщ^^Зе^гъ.

4.4. Расчет электронной концентрации для поверхности сплавов Cu-Ge по данным СХПЭЭ.

4.4.1. Сплав (111)См-2 ат. % Ge.

4.4.2. Сингулярные грани сплава Си-6 ат. % Ge.

4.5. Распределение германия в приповерхностной области сплава Cu-Ge по данным СХПЭЭ.

4.6. Химические превращения на поверхности и их влияние на характер сегрегации в сплавах Cu-Ge.Ill

Выводы из 4 главы.

5. Исследование кинетики поверхностной сегрегации в монокристаллах Cu-Ge методами ЭОС и СХПЭЭ.

5.1. Измерение временной зависимости поверхностного состава методом ЭОС.

5.2. Коэффициенты диффузии и энергия активации сегрегации в сплавах Cu-Ge.

5.3. Электронные свойства поверхности и их временная зависимость при изотермическом отжиге.

5.4. Кинетика формирования германидов меди на сингулярных гранях сплава Си-6 ат. % Ge.

Выводы из 5 главы. t Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Сегрегация, атомная структура и электронные свойства поверхности моно- и поликристаллов Cu-Ge»

Актуальность темы

Поверхностная сегрегация в бинарных и многокомпонентных сплавах приводит к избирательной концентрации на поверхности отдельных компонентов, что сопровождается изменением многих свойств материалов. Знание поверхностных характеристик необходимо для решения широкого круга фундаментальных и прикладных задач, в частности, для определения работы адгезии, поиска эффективных модификаторов структур, разработки композиционных материалов и т.д. Эти данные позволяют выбирать виды и режимы воздействия на материалы для целенаправленного изменения их свойств и предсказывать изменения этих свойств со временем.

Для исследования физико-химических процессов в наноразмерных слоях на поверхности сплавов более всего подходят неразрушающие методы электронной оже-спектроскопии (ЭОС), спектроскопии характеристических потерь энергии электронов (СХПЭЭ) и дифракции медленных элек- ; тронов (ДМЭ), позволяющие получать информацию на атомно-электронном уровне.

Интерес к изучению сплавов на основе меди обусловлен их важным технологическим значением. Особенно перспективны в этом отношении ультратонкие пленки на основе сплавов Cu-Ge, технологические свойства которых значительно улучшаются при взаимодействии компонентов с образованием германидов меди. Исследования последних лет в этом направлении привели к разработке новых низкорезистивных омических контактов к арсениду галлия и кремнию, систем металлизации высокотемпературных сверхпроводников, высокоадгезионных слоев и пассивирующих покрытий. Перераспределение компонентов и образование интерметаллидов в напыленных сплавах происходит в процессе отжига при формировании контактов, когда химический состав свободной и межфазных границ задается тер-мостимулированной сегрегацией. Изучение этих процессов "в чистом виде" на поверхностях с хорошо определенной кристаллографической ориентацией позволяет прояснить механизмы формирования полезных свойств медно-германиевых сплавов.

Цель работы

Цель настоящей работы состоит в получении новых данных о составе, структуре и электронных свойствах наноразмерных слоев на поверхности медно-германиевых сплавов в моно- и поликристаллическом состояниях, а также о влиянии на сегрегацию температуры, объемного состава, кристаллографической ориентации грани и поверхностных фазовых превращений методами электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов. Для достижения указанной цели были поставлены и решены следующие задачи:

1. Модернизация и улучшение эксплуатационных характеристик электронного спектрометра для комплексного анализа наноразмерных поверхностных слоев методами низкоэнергетической электронной спектро-; скопии и дифракции медленных электронов.

2. Комплексное экспериментальное исследование методами ЭОС,. СХПЭЭ и ДМЭ состава, структуры и электронных свойств наноразмерных слоев, формирующихся в процессе термостимулированной сегрегации на поверхности медно-германиевых моно- и поликристаллов.

3. Исследование диффузионных процессов и кинетики формирования наноразмерных слоев на поверхности медно-германиевых сплавов.

4. Выяснение закономерностей физико-химических процессов, протекающих в наноразмерных слоях на поверхности сплавов Cu-Ge.

Научная новизна

В ходе выполнения работы получены следующие результаты, обладающие признаками научной новизны:

1. Впервые получены экспериментальные данные о составе, структуре и электронных свойствах наноразмерных слоев, формирующихся в процессе термостимулированной сегрегации на сингулярных гранях а-твердых растворов медь-германий с 2 и 6 ат. % Ge в объеме, а также о составе и электронных свойствах поверхности поликристаллического герма-нида меди Cu^Ge.

2. Экспериментально определены диффузионные характеристики и их температурная и ориентационная зависимости для приповерхностной области сингулярных граней а-твердого раствора медь-германий с 6 ат. % Ge в объеме.

3. Обнаружены двумерные германиды меди различного состава на поверхности медно-германиевых сплавов и определены кинетика и условия их формирования.

4. Установлено существование взаимосвязи поверхностной сегрегации и структурно-фазовых переходов в поверхностном слое медно-германиевых сплавов.

Практическая ценность работы

Данные о составе, атомно-электронной структуре и фазовых переходах в наноразмерных слоях, формирующихся при поверхностной сегрегации, могут представлять интерес для наноэлектроники, нанотехнологии и t создания наноматериалов. Новые данные о закономерностях поверхностной сегрегации могут быть использованы для построения теоретических моделей поверхности твердого тела.

Усовершенствованный электронный спектрометр применяется при выполнении научно-исследовательских работ и в учебном процессе на факультете микроэлектроники и компьютерных технологий Кабардино-Балкарского госуниверситета, в том числе в лабораторном практикуме, в научно-исследовательской работе аспирантов и магистрантов, а также при выполнении курсовых и выпускных квалификационных работ специалистов и магистров. Результаты исследований используются в курсе лекций по предмету «Методы анализа материалов и структур электроники».

На защиту выносятся:

1. Модернизация и улучшение эксплуатационных характеристик электронного спектрометра для комплексного анализа наноразмерных поверхностных слоев методами ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ.

2. Результаты экспериментального изучения состава, структуры и электронных свойств наноразмерных слоев, формирующихся в процессе термостимулированной сегрегации на сингулярных гранях а-твердых растворов медь-германий с 2 и 6 ат. % Ge в объеме, а также состава и электронных свойств поверхности поликристаллического германида меди CuiGe.

3. Диффузионные характеристики и их температурная и ориентационная зависимости для сингулярных граней а-твердого раствора медьt германий с 6 ат. % Ge в объеме.

3. Образование двумерных германидов меди различного состава на поверхности медно-германиевых сплавов, кинетика и условия их формирования.

4. Взаимовлияние сегрегации и структурно-фазовых переходов в поверхностном слое медно-германиевых сплавов.

Личный вклад автора

Диссертантом модернизирован электронный спектрометр, приготовлены образцы моно- и поликристаллических сплавов медь-германий и самостоятельно проведены все измерения методами ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ. В опубликованных статьях соавторам принадлежат примерно равные доли творческого участия. Выводы, сделанные в настоящей работе, принадлежат автору.

Апробация результатов

Основные результаты, полученные в работе, докладывались и обсуждались на следующих региональных всесоюзных, и международных научных конференциях: XX Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике (Киев, 1987); IV Всесоюзная конференция по взаимодействию излучения с твердым телом (The IV-th ALL-Union Conference on Interaction of Radiation with Solids, Москва, 1990); XI Всесоюзная конференция «Поверхностные явления в расплавах и технология новых материалов» (Киев, 11-13 июня 1991 г.); Всесоюзная научная конференция «Физика межфазных явлений и процессов взаимодействия потоков энергии с твердыми телами» (Нальчик, 1995); Региональная научная конференция, посвященная 85-летию С.Н. Задумкина «Физика межфазных явлений и процессов взаимодействия потоков частиц с твердыми телами» (Нальчик, 1998); Региональная конференция "Вакуумная электроника на Северном Кавказе" (Нальчик, 2001); Международный семинар «Теплофизические свойства вещества» (Нальчик, 2001); V Международная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск-Ставрополь, 2005).

Публикации

Основные результаты диссертации опубликованы в 8 статьях и тезисах 3 конференций, а также защищены 4 авторскими свидетельствами на изобретение.

Благодарности

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю профессору Шебзухову А.А. за постоянное внимание и интерес к данной работе, кандидату физико-математических наук Журтову З.М. за помощь при экспериментальных исследованиях, профессору Кармокову A.M. и доценту Гаеву Д.С. за полезные обсуждения и конструктивную критику. Особую благодарность автор выражает доценту Молоканову О.А. за неоценимую помощь при подготовке и оформлении диссертации.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Сергеев, Игорь Николаевич

выводы

1. На модернизированном электронном спектрометре методами Л

ЭОС, СХПЭЭ и ДМЭ в сверхвысоком вакууме 10' Па при температурах до 950 К исследованы состав, структура и электронные свойства наноразмер-ных слоев на поверхности моно- и поликристаллических сплавов медь-германий.

2. Установлено, что в сплавах Cu-Ge поверхностно-активным компонентом является германий, а распределение его концентрации в приповерхностной области аппроксимируется экспоненциальной зависимостью. При температурах 550.925 К сегрегация становится немонотонной и обратимой и относится к равновесному состоянию поверхности. Взаимосвязь максимально достижимой поверхностной концентрации с объемным составом аппроксимируется логарифмической зависимостью.

3. Установлена ориентационная зависимость сегрегации германия в монокристаллических сплавах Cu-Ge. Максимальное обогащение поверхности наблюдается на грани (110). Степень анизотропии сегрегации в области максимального обогащения для разных граней изменяется от 1,22 до 1,4.

4. Выявлено, что на поверхности изученных монокристаллов германий создает упорядоченные структуры, зависящие от кристаллографической ориентации, состава поверхности, температуры и продолжительности отжига. На грани (110) формируются сверхрешетки с(2х2) и c(2x2)+(3xl). На гранях (111) с 2 и 6 ат. % Ge один и тот же тип упорядочения -(V3xV3)R30°. На грани (100) образуются сверхструктуры (2x2) и (5x1).

5. На поверхности твердых растворов для исследованных концентраций в слое толщиной несколько атомных слоев обнаружены химические соединения германия с медью — поверхностные германиды, соответствующие стехиометрии Cu$Ge, Cu^Ge и CuGe. Установлены температурные и концентрационные интервалы существования этих фаз, их структурные формы, условия перехода одной структуры в другую, а также распределение фаз по глубине приповерхностной области.

6. Изучена кинетика поверхностной сегрегации на трех сингулярных гранях твердого раствора Cu-Ge при температурах до 700 К и установлена ее ориентационная зависимость. Определены с учетом ориентации грани коэффициенты диффузии и энергии активации поверхностной сегрегации германия в меди и рассчитаны их температурные зависимости. Коэффициенты диффузии максимальны, а энергия активации минимальна для грани (110).

7. Установлено, что немонотонная сегрегация и реконструкция поверхности обусловлены формированием двумерных упорядоченных фаз в поверхностном слое, обогащенном германием. Начало зарождения и степень упорядочения двумерных германидов меди определяются температурой, составом поверхностного слоя и кристаллографической ориентацией грани. В зависимости от сочетания условий они либо образуют высоко-упорядоченные структуры, покрывающую всю поверхность кристалла, либо состоят из ориентированных определенным образом структурных доменов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сергеев, Игорь Николаевич, 2005 год

1. Шебзухов А.А. Поверхностная сегрегация в разбавленных металлических растворах // Поверхность. Физ., химия, мех. - 1983. - № 8. -С. 13-22.

2. Шебзухов А.А. Теории поверхностной сегрегации в концентрированных растворах // Поверхность. Физ., химия, мех. -1983. -№ 9. -С. 31-39.

3. Chebzoukhov A.A., Lefkaier I.K., Kapmokov A.M., Boutassouna D. About new criteria of component activities at the interface between two condensed phases // Surface Sci. 2000. - 445. - P. 65-70.

4. Городецкий С.Д. Сегрегация в поверхностных слоях сплавов на основе никеля // Металлофизика. 1993. - Т. 15. - № 7. - С. 46-83.

5. Блащук А.Г. Электронно-статистические теории эффекта многослойной поверхностной сегрегации в бинарных сплавах замещения // Металлофизика и новейшие технологии. — 1998. Т. 20. - № 2. - С. 11-30.

6. Diebold U., Zhang L., Anderson J.F., Mrozek P. Surface segregation of silicon in platinum (111) // J. Vac. Sci. and Technol. A. 1996. - 14. - № 3. - Pt 2. - P. 1679-1683.

7. Васильев M.A., Вдовенкова T.A., Городецкий С.Д., Рыжкова М.В. Термостимулированная сегрегация на поверхности FeSi(\\\) II Поверхность. Физ., химия, мех. 1992. - № 6. - С. 121-123.

8. Городецкий С.Д., Вдовенкова Т.А., Мосейчук A.M. Термостимул-ированные процессы в поверхностных слоях сплава Co50Ni5o(\00) II Поверхность. Физ., химия, мех 1992. - № 1. - С. 92-101.

9. Васильев М.А., Бабанская Л.Н., Городецкий С.Д. Исследование температурной зависимости поверхностной сегрегации сплава FeNi^ II Поверхность. Физ., химия, мех. 1983. - № 11. - С. 101-108.

10. Бобырь A.M. Сегрегация и упорядочение атомов поверхности (111) бинарных ГЦК-сплавов // Укр. физ. ж. 1990. - Т. 35. - № 9. -С. 1360-1371.

11. Бобырь A.M. К теории сегрегационно-стимулированных реконструк-ционных переходов в поверхностном слое бинарных сплавов // Укр. физ. ж. 1992. - Т. 37. - № 7. с. 1091-1098.

12. Бобырь A.M. Сегрегационно-обусловленные поверхностные сверхструктуры с тремя подрешетками в бинарных ГЦК-сплавах // Металлофизика. 1992. - Т. 14. - № 11. - С. 62-67.

13. Frank Т.С., Falconer J.L. Surface compositions of copper-silicon alloys // Appl. Surface Sci. 1982. - 14. - P. 359-374.

14. Sampath Kumar T.S., Hegde M.S. XPS and XAES studies of surface segregation of Cu-Ge alloy // Surface Sci. 1985. - 150. - P. 123-129.

15. Bansil A., Rao R.S., Prasad R., Asonen H., Pessa M. An angle-resolved photoemission study of Cug6Ge4 and CuggGeu single crystals // J. Phys. F: Met. Phys. 1984. - 14. - P. 273-279.

16. Bezuidenhout F., du Plessis J. and Viljoen P.E. The segregation of impurities at the (110) surface of an Fe-10 at. % Si single crystal // J. Vac. Sci. Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. 1984 - V. 2. - № 4. -P. 1481-1485.

17. Hoff H.A., Lam N.Q. Surface and subsurface compositional modifications in Ni-Ge alloys measured by ion scattering spectroscopy // Surface Sci. -1988. V. 204. - № 1-2. - P. 233-246.

18. Бобырь A.M., Бурмака JI.C., Иващенко Ю.Н., Рыжков В.И., Черепин

19. B.Т. Немонотонность температурной зависимости поверхностной сегрегации сплавов Fe-Si. II Укр. Физич. Журнал. 1982. - № 5.1. C. 721-726.

20. Biedermann P., Schmid М. and Varga P. Segregated Si on Fe96,5Si3j5(\ 10): Domain-wall structures in a two-dimensional alloy // Phys. Rev. 1994. -В 50.-P. 17518-17524.

21. Aberdam D., Corotte C. and Dufayard D. An auger electron spectroscopy study of low temperature segregation of silicon at aluminum surface // Surface Sci. 1983. - V. 133. -№ l.-P. 114-136.

22. Хоконов Х.Б. Анизотропия поверхностной энергии и работы выхода электрона простых металлов в модели Ланга / В сб. Поверхностные явления на границах конденсированных фаз. Нальчик: КБГУ, 1983. С. 3-22.

23. Lejcek P., Paidar V., Firstov S.A., Ivashchenko Yu.N., Krajnikov A.V. Anisotropy of surface segregation in Fe-5,9 at. % Si alloy // Scr. met. -1989. V. 23. - № 12. - P. 2147-2152.

24. Viljoen E.C., du Plessis J. Surface segregation measurements via the linear programmed heating method: Part В Experiment and results. // Surface Sci. - 2000. - V. 468. - № 7. - P. 27-36.

25. Lejcek P., Krajnikov A.V., Militzer M., Adamek J. Effect of surface orientation on the segregation of Si and N in Fe-6 at. % Si II Czech. J. Phys. -1997.-V. 47.-P. 429-433.

26. Krajnikov A.V., Lejcek P., Militzer M., Adamek J. Surface segregation on Fe-Si single crystals: The effect of crystallography // Surface Sci. 1998. -V.417.-P. 337-349.

27. Гранкина А.И., Рыжков В.И., Васильев M.A. К ориентационной зависимости эффекта поверхностной сегрегации в бинарных сплавах // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. - № 6. - С. 105-109.

28. Мак-Лин Д. Границы зерен в металлах. Пер. с англ. М.: Металлургиз-дат, 1960. 324 с.

29. Seah М.Р. Quantitative prediction of surface segregation // J. Catal. -1979.-Y. 57.-P. 450-457.

30. Wille L.T., Vennik J. Kinetics of surface segregation in binary alloys // Phys. Stat. Sol. 1985. - V. В131. - № 2. - P. 443-449.

31. Слезов B.B., Давыдов Л.Н., Рогожкин B.B. Кинетика сегрегации примеси на границах зерен в поликристаллах. I. Слабый раствор // Физ. тверд, тела (С.-Петербург). 1995. - Т. 37. - № 12. - С. 3565-3579.

32. Фельдман Э.П., Юрченко В.М. Кинетика сегрегации примесей на поверхностях раздела в твердых телах // Поверхность: Физ., химия, мех. 1990.-№12.-С. 138-147.

33. Ingrey S. and MacLaurin В. Auger studies on rapid grain boundary diffusion of Ge through Au И J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. - V. 2. - № 2. -P. 358-361.

34. Militzer M., Wieting J. Segregation kinetics and surface phase transitions // Surface Sci. 1988. - 200. - № 2-3. - P. 342-353.

35. Es-Souni M., Mosser A. Surface segregation of sulfur and silicon in an Fe-6 at. % Si alloy // Scripta Metallurgica. 1988. - V. 22. - №°9. -P. 1469-1474.

36. Du Plessis J., Viljoen P.E. Non-equlibrium surface segregation of silicon in Fe-6,3 at. % 5/(110) // Surface Sci. 1983. - 131. -P. 321-327.

37. Du Plessis J. and Viljoen P. E. Kinetics of the weak surface segregation of Si in an Fe-10 at % Si single crystal // Surface Science Letters. — 1992. -V. 276.- Issues 1-3.-P. 7-11.

38. Lejcek P., Seidl R., Paidar V. Orientation dependent surface segregation in dilute Fe-Si alloy single crystals // Scr. met. 1987. - V. 21. - № 3. -P. 273-276.

39. Terblans J. J., Erasmus W. J., Viljoen E. C., du Plessis J. Orientation dependence of the surface segregation kinetics in single crystals // Surface and Interface Anal. 1999. - V. 28. - № 1. - P. 70-72.

40. Terblans J. J., van Wyk G. N. Effect of surface orientation on the segregation kinetics of Sb from а Си single crystal // Surface and Interface Anal. -2003. -V. 35. № 10. - P. 779-784.

41. Карлсон Т.А. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия. JI.: Машиностроение, 1981.

42. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977.

43. Лифшиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. М.: Наука, 1985, 200 с.

44. Пайнс Д. Элементарные возбуждения в твердых телах. М.: Мир, 1965,382 с.

45. Marklund I., Andersson S., Martinson J. Scattering of low-energy electrons from a copper (111) surface // Arkiv for fysik. 1968. - V. 37. - № 12. -P. 127-139.

46. Jordan L.K., Scheibner E.J. Characteristic energy loss spectra of copper crystals with surfaces olescribed by LEED // Surface Sci. 1968. - V. 103. P. 373-391.t

47. Иоффе M.C. Учет многократного неупругого рассеяния в спектрах потерь энергии отраженных электронов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. - № 1. - С. 19-28.

48. Bohm D., Pines D. A collective description of electron interactions. III. Coulomb interactions in a degenerate electron gas // Phys. Rev. 1953. -V. 92.-P. 609-625.

49. Ludeke R., Koma A. Low-energy-electron-loss spectroscopy of Ge surface // Phys. Rev. B. 1976. - V. 13. - № 2. - P. 739-749.

50. Surnev L. Oxygen adsorption on Ge(l 11) surface. 1. Atomic clean surface // Surface Sci. 1981. -V. 110. - № 12.-P. 439-457.

51. Лифшиц В.Г., Луняков Ю.В. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии. Владивосток: Дальнаука, 2004. - 314 с.

52. Плюснин Н.И., Галкин Н.Г., Каменев А.Н., Лифшиц В.Г. Атомноесперемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные стадии эпитаксии CrSi2 II Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. -№ 9 - С. 55-60.

53. Новикова Н.Н., Казначеев А.П., Еловиков С.С., Дубнина Е.М., Нети-шенская Г.П. Размерные эффекты в островковых металлических пленках In, Ли и Си, определенные методом СХПЭЭ // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. - № 10 - С. 55-60.

54. Заводинский В.Г., Воронов А.В., Лифшиц В.Г. Формирование тонких пленок CrSii при напылении хрома на нагретую подложку Si (100) // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. - № 7 - С. 63-69.

55. Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И Упорядоченные поверхностные фазы в системе £7(111)-0 // Поверхность. Физика,химия, механика. 1987. - № 12. - С. 50-59.

56. Nath P., Chopra К. Electrical resistivity and thermoelectric power of copper-germanium films // Thin Solid Films. 1979. - V. 58. - № 2. -P. 339-343.

57. Becht J.G.M., van Loo F J.J., Metselaar R. The solid state diffusion reaction of copper with germanium; a comparison between silicon and germanium // Reactivity of Solids 1988. - V. 6. - № 1. - P. 61-73.

58. Hong S.Q., Comrie C.M., Russell S.W. and Mayer J.W. Phase formation in Си-Si and Cu-Ge II J. Appl. Physics. 1991. - V. 70. - № 1. -P. 3655-3660.

59. Wang Z., Ramanath G., Allen L. H., Rockett A., Doyle J.P., Svensson B.G. Kinetics of thin-film reactions of Cula-Ge bilayers // J. Appl. Physics. -1997. V. 82. - № 7. - P. 3281-3286.

60. Aboelfotoh M.O., Tawancy H.M. Effect of crystal structure on the electrical resistivity of copper-germanium thin-film alloys // J. Appl. Phys. -1994. V. 75. - № 5. - P. 2441- 446.

61. Dhar S., Som Т., Mohapatra Y.N., Kulkarni V.N. Room-temperature synthesis of copper germanide phase by ion beam mixing // Appl. Physics Letters. 1995.-V. 67.-№ 12.-P. 1700-1702.

62. Huang J.S., Huang S.S, Tu K.N., Deng F., Lau S.S., Cheng S.L., Chen L.J. Kinetics of Cu3Ge formation and reaction with A1 // J. Appl. Phys. 1997. - V. 82. - № 2. - P. 644-649.

63. Chahg Chin-An. Metal-Metal epitaxy on Germanium near room temperatures: Ni( 100)/Cu( 100)/Ge{ 100) // Surface Sci. 1991. - V. 245. - № 1-2. -P. 12-16.

64. Bootsma T.I.M., Hibma T. The epitaxial growth of Си on 5/(111)-7х7: a RHEED study. // Surface Sci. 1995. - V. 331-333. - Pt. A. - P. 636-640.

65. Chambers S.A., Weaver J.H. Thermally induced structural and compositional modification of the Cu/Si(l 1 l)-7x7 interface // J. Vac. Sci. Technol. A. — 1985. -V. 3. -№.5. — P. 1929-1934.

66. Журтов 3.M., Шебзухов А. А. Ориентационная зависимость поверхностной сегрегации монокристалла a-Cw-14 ат. % А1 / Физико-химия межфазных явлений. Нальчик: КБГУ, 1986. - С. 73-79.

67. А. с. ,1606502 СССР, МКИ3 С 04 В 37/02. Способ соединения корундовой керамики с металлом / Кармоков A.M., Сергеев И.Н., Молоканов О.А., Шериев В.Х. (СССР). № 4439225/31-33; Заявлено 10.06.1988. Опубл. 15.11.1990, Бюл. № 42.-4 е.: ил.

68. А. с. 1611622 СССР, МКИ3 В 23 К 1/00. Способ получения охватывающих металлокерамических спаев / Диденко Н.Я., Сергеев И.Н. (СССР). № 4612469/31-27; Заявлено 02.12.1988. Опубл. 07.12.1990, Бюл. № 45. - 3 е.: ил.

69. А. с. 1807042 СССР МКИ3 С 04 В 37/02. Способ соединения керамики с метадлом / Сергеев И.Н., Диденко Н.Я., Шапиро A.JI. (СССР). — №4777730/33; Заявлено 05.01.1990. Опубл. 07.04.1993, Бюл. № 13. -3 е.: ил.

70. Митягин А.Ю., Черевацкий Н.Я., Александров A.JL, Баландин Г.Д., Корольков Н.С. Электронный оже-спектрометр, совмещенный с системой дифракции электронов низкой энергии // Приборы и техника эксперимента. 1972. -№ 1. - С. 187-190.

71. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989.

72. А.с. 1445390 СССР: МКИ3 G 01 N 23/227. Спектрометр оже-электронов: / З.М. Журтов, А. А. Афицинский (СССР) Б.И. 1988, Бюл. № 44. - 4 е.: ил.

73. А. с. 1260751 СССР, МКИ3 G 01 N 13/02. Устройство для определения поверхностных свойств жидкостей / Сергеев И.Н., Шебзухов А.А., Матвеев Г.Н. (СССР). № 3834838/31-25; Заявлено 02.01.1985; Опубл. 30.09.86, Бюл. № 36. - 3 е.: ил. /г.

74. Демирский В.В., Комник С.Н., Старцев В.И. Низкотемпературное деформационное упрочнение монокристаллов а-твердых растворов медь-германий // ФММ. 1981. - Т. 52. - вып. 1. - С. 178-182.

75. Двойные и многокомпонентные системы на основе меди / М.Е. Дриц, Н.Р. Бочвар, J1.C. Гучей и др. М.: Наука, 1979.

76. Oktyabrsky S., Aboelfotoh М.О., Narayan J. Cu3Ge ohmic contacts to n-type GaAs II J. Electron. Materials. 1996. - V. 25. - № 11. - P. 16621672. .

77. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии: Пер. с англ. / Под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. -М.: Мир, 1987.

78. Shimizu R., Ichimura S. Quantitative Analysis by Auger Electron Spectroscopy. Toyata Foundation Research Report 1-006 № 76-0175, Osaka, 1981.

79. Ichimura S., Shimizu R. Backscattering correction for quantitative Auger analysis : I. Monte Carlo calculations of backscattering factors for standard materials // Surface Sci. 1981. - V. 112. - № 3. - P. 386-408.

80. Физические величины: Справочник под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейликова. М.: Энергоатомиздат, 1991.

81. Журтов 3. М., Сергеев И. Н., Шебзухов А. А. Исследование поверхности (111) монокристаллов медь-германий методами ЭОС, ДМЭ и

82. СХПЭЭ / Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике-Киев- 1987 С. 101.

83. Sergeev I.N., Zhurtov Z.M., Shebzuchov A.A. Phase transition on the surface of Copper-Germanium monocrystals / The IV-th ALL-Union Conference on Interaction of Radiation with Solids: Book of Abstracts. Moscow. - 1990.-P. 21.

84. Seah M.P., Dench W.A. Quantitative electron spectroscopy of surfaces: a standard data base for electron inelastic mean free paths in solids // Surf. Interf. Anal. 1979. - V 1. - P. 2-11.

85. Васильев M.A., Городецкий С.Д., Мосейчук A.M. Температурная зависимость поверхностного состава CoMj(lOO). // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991-№ 12. - С. 112-118.

86. Сергеев И.Н., Молоканов О.А., Шебзухов А.А. Химический состав и электронная структура поверхности поликристаллического сплава CusGe / Вестник Каб.-Балкар. госуниверситета. Серия Физические науки. Нальчик: КБГУ, 1999. - Вып. 3. - С. 6-11.

87. Сергеев И. Н., Шебзухов А. А. Термостимулированная реконструкцияtповерхности медно-германиевых монокристаллов // Вестник Каб.-Балк. госуниверситета. Серия Физические науки. Нальчик: КБГУ, 2005. - Вып. 9. - С. 6-9.

88. Задумкин С.Н. Новый вариант статистической электронной теории поверхностного натяжения металлов // ФММ. -1961. -Т. 11. № 3. -С. 331-346.

89. Бынков К.А., Ким B.C., Кузнецов В.М. Поверхностная энергия ГЦК-металлов. // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1991. № 9. —1. С. 5-10.t

90. Mezey L.Z. Monotonic and alternating surface segregation profiles in binary alloy//Phys. Stat. Solidy. 1983. - A 78. - № 1.-P. 323-331.

91. Viefhaus H. and Rusenberg M. Electron spectroscopic studies of tin surface segregation on iron single crystal surfaces // Surface Sci. 1985. -V. 159. -№ l.-P. 1-23.

92. Aebi P., Erbudak M., Vanini F. and Vvedensky D. D. Secondary-electron and energy-loss spectra of copper // Surface Sci. 1992. - V. 264. - № 12. - P. L181-L186.

93. Саранин А. А., Лифшиц В. Г. Изучение тонких слоев окислов кремния методом электронной оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов // Поверхность: Физ., химия, мех. 1986. - № 2. - С. 48-56.

94. Плюснин Н. И., Миленин А. П., Солдатов В. Ю. Эффекты дифракции и обратного рассеяния в зависимости СХПЭЭ 5/(111) и поверхностных фаз хрома от энергии первичных электронов // Поверхность: Рентген., синхротрон, и нейтрон, исслед. — 2000. № 6. -С. 30-37.

95. Гелахова С. Г., Гражулис В. А., Ионов А. М., Николаев Р. К., Сидоров Н. С. Спектры характеристических потерь энергии электронов соединения УВа2СщОу // Поверхность. Физ., химия, мех. 1989. - № 5. - С. 72-75.

96. Данильцев Н. В. Электронная структура субмонослойных покрытий Аи и Ag на поверхности Ge II Письма в ЖТФ. 1989. - Т. 15. - № 16 -С. 54-57.

97. Сергеев И.Н., Шебзухов А.А. Исследование методом СХПЭЭ поверхности сингулярных граней твердого раствора Си-6 ат. % Ge // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. Приложение. 2006. - № 2. - С. 78-83.

98. Сергеев И.Н., Шебзухов А.А. Формирование поверхностных фаз при сегрегации германия в твердом растворе Си-2 ат. % Ge И Изв. вузов.

99. Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. Приложение. 2006. - № 2. - С. 83-88.

100. Юм-Розери В., Рейнор Г. Структура металлов и сплавов. Пер. с англ.1. B.: Металлургиздат, 1959.

101. Сергеев И.Н., Шебзухов А.А. Влияние сегрегации Ge на распределение компонентов по глубине поверхностного слоя в сплаве (111 )Си-6 ат. % Ge II Вестник Каб.-Балк. госуниверситета. Серия Физические науки. Нальчик: КБГУ, 2005. - Вып. 10. - С. 4-6.

102. Елецкий А.В. Диффузия. / Физические величины: Справочник под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991.1. C. 375.

103. Тонкие пленки: Взаимная диффузия и реакции. Под. ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейера. М: Мир, 1982, 576 с.

104. Клоцман С.М., Рабовский Д.А., Талинский В.К. и Тимофеев А.Н. Объемная диффузия галлия-67 и германия-68 в меди // Физ. металлов и металловедение. 1971. - Т. 31. - № 2. - С. 429-431.

105. Горбачев В.А., Клоцман С.М., Рабовский Д.А., Талинский В.К. и Тимофеев А.Н. Диффузия примесей в меди. III. Диффузия серебра, кадмия и индия в меди // Физ. металлов и металловедение. 1972. - Т. 34.-№4.-С. 879-883.

106. Hehenkamp Th., Lodding A., Odelins Н., Schlett V. Isotope effect in the diffusion of the stable germanium isotopes in copper // Acta. Met. 1979. -V. 27.-№5.-P. 829-832.