Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах полупроводников халькогенидов кадмия и свинца тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат наук Черевков, Сергей Александрович

• Черевков, Сергей Александрович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Черевков, Сергей Александрович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Общие сведения о полупроводниковых нанокристаллах

1.2. Физические основы спектроскопии комбинационного рассеяния 15 света

1.3. Методы оптической характеризации электронной энергетической 32 структуры нанокристаллов

ГЛАВА 2. РАЗМЕРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ КОМБИНАЦИОННОГО

РАССЕЯНИЯ СВЕТА НАНОКРИСТАЛЛАМИ ХАЛЬКОГЕНИДОВ СВИНЦА

2.1. Введение

2.2. Используемые материалы и методы исследования

2.3. Анализ фононных спектров поликристаллических пленок РЬ8, 44 РЬБе и СёРЬБе с использованием спектроскопии микро-КР

2.4. Сравнительный анализ спектров КР микро- и нанокристаллов РЬЭ 49 разных размеров

2.5. Выводы по главе 2 53 ГЛАВА 3. СТРУКТУРНО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ КВАНТОВЫХ

ТОЧЕК И СТЕРЖНЕЙ ТРОЙНОГО СОЕДИНЕНИЯ СёхНвьхЭе МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ МИКРО-КР

3.1. Введение

3.2. Используемые материалы и методы исследования

3.3. Спектры поглощения и люминесценции нанокристаллов СсУ^1_ 62 хБе с различным относительным содержанием атомов Н§ и Сс1

3.4. Исследование процесса химического замещения атомов Сё 66 атомами Н§ в квантовых точках и наностержнях СёБе методами спектроскопии микро-КР

3.4.1. Квантовые точки Сё8е с кубической кристаллической 66 структурой

3.4.2. Квантовые точки и стержни Сё8е с гексагональной 70 кристаллической структурой

3.5. Выводы по главе 3

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОНОННОЙ СТРУКТУРЫ

КВАНТОВЫХ НАНОПЛАСТИН Сё8е РАЗЛИЧНОЙ ТОЛЩИНЫ МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ МИКРО-КР

4.1. Введение

4.2. Используемые материалы и методы исследования

4.3. Асбсорбционно-люминесцентные свойства квантовых нанопластин 88 Сё8е раличной толщины

4.4. Исследование фононной структуры квантовых нанопластин Сс18е 90 различной толщины методом спектроскопии микро-КР

4.5. Аннизотропия электрон-фононного взаимодействия в квантовых 95 нанопластинах Сё8е

4.6. Формирование монослоев Сё8 на поверхности квантовых

нанопластин Сё8е

4.7. Выводы по главе 4

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ОПРЕДЕЛЕНИЯ, ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах полупроводников халькогенидов кадмия и свинца»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы

Исследования, результаты которых проведены в данной диссертационной работе, относятся к актуальной области нанотехнологий и соответствуют приоритетному направлению развития науки, технологий и техники в Российской Федерации. Создание нового поколения функциональных элементов фотоники и оптоэлектроники с качественно улучшенными эксплуатационными параметрами , основывается в большой степени на использовании различных наноразмерных и наноструктурированных материалов с требуемыми свойствами. В настоящее время коллоидные полупроводниковые нанокристаллы (квантовые точки (КТ), квантовые стержни (КС) и квантовые нанопластины (КП)) являются актуальным объектом для исследования фундаментальных физических свойств наноразмерных систем [1]. Благодаря эффектам размерного квантования оказывается возможным целенаправленно управлять оптическими и электрическими параметрами нанокристаллов (НК), что открывает возможности создания на их основе наноструктурированных материалов с уникальными оптическими и электрическими свойствами, недостижимыми для объемных материалов. Дополнительные возможности предоставляет также зависимость физических параметров НК от их химического состава и формы. Для реализации представляющихся возможностей необходимым условием является получение надежной информации об энергетических спектрах фононных возбуждений в НК различных материалов, размеров и формы. Наиболее подходящей для решения этой задачи является техника спектроскопии микро-комбинационного рассеяния света (микро-КР), которая также широко используется для исследования химического состава и структуры нанокристаллов [2]. Информация о структурно-химических особенностях НК, а также об электрон-фононном взаимодействии являются ключевыми для прогнозирования эффективности работы элементов нанофотоники, поскольку электрон-фононное взаимодействие определяет соотношение между излучательными и безызлучательными каналами релаксации

фотовозбужденных носителей в нанокристаллах, а также механизмы уширения спектральных линий. Поэтому такие исследования являются актуальной проблемой.

В настоящей работе спектроскопия микро-КР использована для исследования особенностей комбинационного рассеяния и определения структурно-химических параметров квантовых точек халькогенида свинца (РЬ8), квантовых точек и стержней тройного соединения СёхН§1_х8е, а также квантовых нанопластин халькогенида кадмия (Сё8е). Исследования фононных спектров микро и нанокристаллов узкозонного полупроводника РЬ8, имеющих оптические переходы в ближней ИК области спектра, является весьма актуальным в свете прогнозируемого использования НК РЬ8 для создания нового поколения устройств визуализации ИК изображений и биологического картирования (окна прозрачности тканей 800 и 1100 нм), построения волоконно-оптических телекоммуникационных систем (1300-1600 нм) и использования в качестве эффективных приемников солнечной энергии (800-2000 нм). Однако в настоящее время имеет место явный недостаток информации о размерной модификации электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах РЬ8.

Обычно электронный энергетический спектр НК, определяющий спектральное положение полос поглощения и люминесценции, изменяется путем варьирования размера НК одного химического состава. Однако, целенаправленное изменение энергий оптических переходов НК может быть достигнуто также путем контролируемого изменения их химического состава и формы. Полупроводниковые КТ и КС тройного соединения СсУ^.^е, где 0<х<1 - содержание Сс1 в составе соединения, изменяемое в ходе химического замещения атомов Сё атомами Н§, открывают такую возможность. Именно поэтому исследования их структурно-химических параметров является актуальной задачей для разработки функциональных оптических и оптоэлектронных материалов на основе нанокристаллов тройных соединений АХВ1.ХС.

Коллоидные квантовые нанопластины СсШе с фиксированными толщинами в 4, 5 или 6 монослоев и латеральными размерами в несколько десятков нанометров, подобно квантовым ямам, являются примером нанокристаллов с одномерным пространственным ограничением квазичастиц. Предполагается, что на основе коллоидных КП возможно формирование более сложных самоорганизованных систем с улучшенными функциональными свойствами. Однако коллоидный синтез КП разработан только в самое последнее время, поэтому электронные и, особенно, фононные параметры таких анизотропных нанокристаллов практически не исследованы.

Экспериментальные исследования особенностей фононных подсистем в квантовых нанокристаллах полупроводников различного состава и формы в рамках данной диссертационной работы объединены использованием техники резонансного микро-комбинационного рассеяния света. Необходимые дополнительные данные об оптических и структурных параметрах исследуемых нанокристаллов, получены с использованием методов абсорбционной и люминесцентной спектроскопии.

Цели и задачи диссертационной работы

Основными целями диссертационного исследования были:

• Исследование фононных спектров микро и нанокристаллов (квантовых точек) узкозонного полупроводника РЬБ методом спектроскопии микро-КР; установление размерных зависимостей фононного энергетического спектра и электрон-фононного взаимодействия в НК РЬ8.

• Исследование структурно-химических параметров квантовых точек и стержней СёБе кубической и гексагональной структуры при образовании тройного соединения СсУН^л _х8е в результате химического замещения атомов Сё атомами Н§.

• Исследование фононной структуры коллоидных квантовых нанопластин СёЭе различной толщины и установление особенностей электрон-фононного

взаимодействия в квантовых нанопластинах при нерезонансном и резонансном КР.

Для достижения этих целей решались следующие задачи:

• Получение и анализ спектров микро-КР оптическими фононами в тонких поликристаллических пленках соединений РЬБ, РЬ8е, а также тройного соединения Сс1РЬ8е с целью отнесения полос в спектрах КР фононным модам микрокристаллов халькогенидов кадмия и свинца.

• Регистрация спектров резонансного микро-КР микрокристаллами РЬ8 и нанокристаллами РЬ8 с размерами 6.6 и 3.8 нм; проведение сравнительного анализа спектров КР микро- и нанокристаллов РЬ8 для установления размерной зависимости электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах (квантовых точках) РЬ8.

• Получение и анализ спектров микро-КР оптическими фононами в квантовых точках Сс18е кубической и гексагональной структуры, а также квантовых стержнях Сё8е гексагональной структуры при химическом замещении атомов Сс1 ионами с образованием нанокристаллов тройного соединения СёхН£].х8е, где 0<х<1; сопоставление со спектрами поглощения и люминесценции нанокристаллов СёхН£1.х8е различного химического состава.

• Регистрация спектров поглощения, люминесценции и микро-КР коллоидных квантовых нанопластин Сс18е с толщиной 4, 5 и 6 монослоев полупроводника; сравнительный анализ спектров нерезонансного и резонансного микро-КР нанопластинами разных толщин для установления размерной зависимости электрон-фононного взаимодействия в КП Сё8е.

Научная новизна работы

• Показано, что электрон-ЬО-фононное взаимодействие в квантовых точках РЬ8 увеличивается по сравнению с объемным материалом и растет с уменьшением размеров нанокристаллов.

• Установлено, что при контролируемом химическом замещении атомов С<1 ионами в нанокристаллах Сс18е в коллоидном растворе происходит образование тройного соединения СсЦ-^^е, демонстрирующего характерные для двухмодового смешанного кристалла колебания решетки. Показано, что химическое превращение бинарных СсШе нанокристаллов в тройные Сс1хН§1_х8е зависит от морфологии и кристаллической фазы исходных нанокристаллов Сс18е.

• Впервые получены спектры КР оптических фононов квантовых нанопластин Сс18е различной толщины. Обнаружена анизотропия электрон-ЬО-фононного взаимодействия в направлениях вдоль и перпендикулярно плоскости нанопластин.

• Показано, что наличие у квантовых нанопластин аномально большой поверхности приводит к возможности формирования на ней монослоя СсШ в результате реакции замещения лигандов.

Положения, выносимые на защиту:

1. Электрон-ЬО-фононное взаимодействие в нанокристаллах РЬ8 увеличивается по сравнению с объемным материалом и растет с уменьшением размеров нанокристаллов.

2. При контролируемом химическом замещении атомов Сс1 ионами в нанокристаллах СёБе в коллоидном растворе происходит образование тройного соединения СсУ^.^е, демонстрирующего характерные для двухмодового смешанного кристалла колебания решетки. Химическое превращение бинарных Сс18е нанокристаллов в тройные Сс1хН£1_х8е зависит от морфологии и кристаллической фазы исходных нанокристаллов Сё8е.

3. Квантовые нанопластины Сё8е обладают анизотропным электрон-фононным взаимодействием в направлениях вдоль и перпендикулярно плоскости нанопластин.

4. В результате замещения лигандов в ходе реакции с тиогликолятом натрия на поверхности нанопластин Сс18е формируется монослой Сё8.

Апробация работы и публикации

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: SPIE «Optics + Photonics», 2013, Сан Диего, СИТА; 1-м Всероссийском конгрессе молодых ученых, 2012 г., СПб НИУ ИТМО, г. Санкт-Петербург; III Международной научной конференции «Наноструктурные материалы - 2012: Россия - Украина - Беларусь», г. Санкт-Петербург; V, VI, VII и VIII Всероссийских межвузовских конференциях молодых учёных, СПб НИУ ИТМО, 2008, 2009, 2010 и 2011 гг., Санкт-Петербург; The 3-rd International Symposium «Molecular Photonics», 2012, St. Petersburg, Russia; Международной конференции «0птика-2011», СПб НИУ ИТМО, 2011 г., Санкт-Петербург, Россия; 14th International conference «Laser Optics - 2010», 2010, Saint-Petersburg, Russia; International conference «Organic Nanophotonics» (ICON-RUSSIA 2009), Saint-Petersburg, Russia; 5-й Международной конференции «Фундаментальные Проблемы Оптики - 2008». СПбГУ ИТМО, 2008 г., Санкт-Петербург, Россия.

Основные результаты диссертации изложены в 15 публикациях, из которых 7 опубликованы в рецензируемых научных журналах, входящих в перечень ВАК.

Практическая значимость результатов работы

Практическая значимость работы состоит в том, что полученные результаты по размерной зависимости электрон-фононного взаимодействия в квантовых точках PbS и структурно-химическим параметрам квантовых нанокристаллов CdHgSe имеют большое значение для развития методов синтеза квантовых нанокристаллов с расширенным спектральным диапазоном излучения и создания элементов устройств ближнего ИК диапазона, таких как люминофоры и детекторы, а также компоненты телекоммуникационных систем и солнечных батарей. Обнаружение в двумерных нанокристаллах CdSe анизотропного электрон-фононного взаимодействия представляет собой важный вклад в понимании фундаментальных физических процессов в анизотропных наноструктурах, формирующих их оптические свойства.

Результаты диссертационной работы использованы и используются в НИУ ИТМО при выполнении проектов в рамках государственных контрактов, грантов РФФИ и Правительства Санкт-Петербурга, аналитических ведомственных программ Министерства образования и науки РФ.

Материалы диссертационной работы используются в учебном процессе кафедры Оптической физики и современного естествознания НИУ ИТМО при подготовке студентов по двум профилям 200700 «Оптика наноструктур» и «Физика наноструктур».

Личный вклад автора

Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы. Проведение экспериментальных исследований, обсуждение результатов и подготовка к публикации полученных результатов проводилась совместно с соавторами, причем вклад диссертанта был определяющим. Общая постановка целей и задач исследований в рамках диссертационной работы проведена совместно с научным руководителем работы проф. А.В. Барановым.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка цитированной литературы, включающего 131 наименование. Материал изложен на 116 страницах и содержит 31 рисунок.

В первой главе дается краткое классическое и квантово-механическое изложение физических основ спектроскопии комбинационного рассеяния света (КР), включая резонансное КР и низкочастотное КР, а также особенности использования различных методов КР при исследовании наноструктур. Приведен аналитический обзор научно-технической литературы, содержащий общие сведения о полупроводниковых нанокристаллах, описаны аппаратура, методики исследования и приготовления образцов.

Вторая глава посвящена экспериментальному исследованию фононных спектров поликристаллических пленок PbS, PbSe и CdPbSe с размерами микрокристаллов в несколько микрометров методом резонансного КР, а также сравнительному анализу спектров резонансного КР микро- и нанокристаллов PbS с целью получения информации о размерной зависимости электрон-фононного взаимодействия в нанокристаллах PbS.

В третьей главе приведены результаты исследования структурно-химических параметров квантовых точек и стержней CdSe кубической и гексагональной структуры при образовании тройного соединения CdxHgi_xSe в результате химического замещения атомов Cd атомами Hg, проведенные с использованием спектроскопии микро-КР, а также методов абсорбционной и люминесцентной спектроскопии.

В четвертой главе диссертации приведены результаты исследования особенностей процесса комбинационного рассеяния света в коллоидных квантовых нанопластинах CdSe с толщиной 4, 5 и 6 монослоев CdSe и фундаментальным экситонным переходом на 460, 515 и 550 нм, соответственно.

В заключении приведены основные результаты, полученные при выполнении диссертационной работы.

ГЛАВА 1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1 Общие сведения о полупроводниковых нанокристаллах

Наноструктуры это материальные объекты с характерными размерами, по крайней мере, в одном измерении, до 100 нм. Уникальные физико-химические параметры существенно отличают их от свойств атомов, молекул и твердых тел. Важнейшими объектами физики низкоразмерных полупроводниковых нанокристаллов (НК) являются так называемые квазинульмерные, -одномерные и -двумерные системы, или квантовые точки, стержни и пластины соответственно (Рисунок 1). Это три довольно широких класса нанокристаллов, в которых проявляется эффект размерного квантования энергетических спектров электронов, дырок и экситонов. К этим классам относят полупроводниковые кристаллы, у которых хотя бы одно пространственное измерение сравнимо или меньше Боровского радиуса экситона (ReX) в объемном материале. В этих структурах пространственное ограничение трансляционного движения элементарных возбуждений обусловлено наличием границ раздела между различными материалами и средами, т. е. существованием гетерограниц [2].

Уменьшение размеров наночастиц до сравнимого или меньше определяемого соответствующим материалом, приводит к пространственному квантованию трансляционного движения элементарных возбуждений (экситонов, электронов, дырок, фононов и др.) и, следовательно, к существенному изменению энергетической структуры и характера взаимодействий между элементарными возбуждениями в НК, между электромагнитными полями носителями заряда, а также между самими НК. Это, в свою очередь, приводит к формированию уникальных оптических и электрических параметров нанокристаллов и их сильной зависимости от размера и формы и, в частности, к размерной зависимости энергии оптических переходов (люминесценции и поглощения).

20

10

о 5

с

Энергия

Рисунок 1 - Нульмерные ((Ю), одномерные (Ш) и двумерные (2Э) нанокристаллы, или

квантовые точки, стержни и пластины соответственно, в которых имеет место пространственное ограничение в одном (20), двух (Ш) и трех ((Ю) пространственных измерениях. Внизу показана соответствующая плотность электронных состояний.

Возможность управления электронной энергетической структурой посредством не только изменения химического состава и внутренней структуры, но и, главным образом, варьированием размера и формы нанокристаллов позволяет целенаправленно манипулировать физико-химическими параметрами нанокристаллов, необходимыми для различных приложений от нанофотоники до биологии и медицины. Именно эти возможности определяют большой интерес к нанокристаллам, включающий в себя развитие научных основ возникновения уникальных свойств наноструктур и разработку технологий формирования наноструктур с заданными свойствами для различных приложений.

Традиционные методы синтеза нанокристаллов соединений АПВУ1 и А1УВУ| развивавшиеся в конце 80-х - начале 90-х годов, были основаны на взаимодействии ионов металла и халькогена в соответствующих растворителях в присутствии различных стабилизаторов образующихся коллоидных частиц (полимеры, тиолы, поверхностно-активные вещества и др.). Большинство синтезов проводилось при комнатной температуре. Наиболее развитыми были методы синтеза нанокристаллов ZnS, С(18, РЬ8, поскольку в качестве

прекурсоров использовались широкодоступные соли соответствующих металлов, Ыа28, газообразный Н28, тиомочевина и др. Фундаментальные оптические свойства полупроводниковых нанокристаллов в режиме размерного квантования

экситонного энергетического спектра такие, как сдвиг полосы поглощения и люминесценции в область больших энергий при уменьшении размера НК, увеличение силы осциллятора экситонного перехода, усиление нелинейных оптических свойств при уменьшении размера нанокристаллов, были установлены на образцах, полученных традиционными методами [3-5]. Однако в дальнейшем недостатки традиционных методов синтеза заставили многие научные группы включиться в разработку новых подходов. Основными недостатками традиционных методов синтеза нанокристаллов являлись следующие: большая полидисперсность ансамбля нанокристаллов; плохой контроль среднего размера нанокристаллов; большое количество поверхностных дефектов, что приводит к низкому квантовому выходу экситонной люминесценции нанокристаллов и интенсивной ловушечной люминесценции.

Разработка методов синтеза квантоворазмерных полупроводниковых нанокристаллов методами коллоидной химии является в настоящее время одним из основных направлений нанотехнологии. Это связано с уникальными оптическими свойствами полупроводниковых нанокристаллов: размерной зависимостью спектральной области люминесценции и поглощения, высоким квантовым выходом люминесценции, сравнимым с таковым для стандартных органических лазерных красителей, значительно более высокой фотостабильностью по сравнению с органическими молекулами [3,4,6]. К настоящему времени разработаны методы синтеза широкого класса полупроводниковых нанокристаллов, включая соединения АПВУ1 (СёБе, СёБ, Сс1Те), АШВУ (1пР, ваАз, ваР, ЬЯЬ) и А1УВУ1 (РЬБ, РЬТе, РЬ8е), и др. [7-10]. В основе современных методов синтеза высококачественных люминесцентных полупроводниковых нанокристаллов лежит высокотемпературная реакция между металл органическими реагентами в среде координирующего растворителя [11]. Эти методы позволяют получать нанокристаллы с высоким выходом продукта, хорошей воспроизводимостью по размеру и форме, отсутствием объемных и поверхностных дефектов и, как следствие, высоким квантовым выходом люминесценции. Разработаны методы химической модификации коллоидных

нанокристаллов с целью закрепления на их поверхности функциональных органических молекул для последующего практического применения в различных приложениях [12].

Определение химического состава, строения и локальных внутренних напряжений в наноструктурах также необходимо для прогнозирования и создания наноструктур с необходимыми физико-химическими свойствами. В настоящее время накоплена достаточно обширная информация по методам исследования оптических, структурных и физико-химических свойств коллоидных нанокристаллов [11]. Для этих целей используются в основном рентгеновские и оптические методы. Одним из таких оптических методов является спектроскопия комбинационного рассеяния света. В частности, она широко используется для исследования полупроводниковых нанокристаллов [13-15], обеспечивая прямую информацию о фононной подсистеме и электрон-фононном взаимодействии. Эти данные очень важны для более глубокого понимания физики низкоразмерных систем и построения улучшенной модели нанокристаллов.

1.2 Физические основы спектроскопии комбинационного рассеяния (КР)

света

Информация о параметрах фононной подсистемы материалов и о взаимодействии фононов с электронной подсистемой, которая необходима для понимания оптических, электрических, термодинамических и механических свойств исследуемых структур может быть получена с использованием методов оптической спектроскопии, таких как ИК-поглощение, резонансная люминесценция с участием фононов и комбинационное рассеяние света. Наибольшее распространение получила спектроскопия комбинационного рассеяния, которая используется для быстрой и неразрушающей характеризации различных материалов [16,17]. Анализ энергий (частот) фононов, интенсивностей, ширин и поляризаций соответствующих полос в спектрах КР позволяет определять химический состав и симметрию исследуемого материала, степень

кристалличности, наличие дефектов и механических напряжений. Использование резонансного КР, когда возбуждающее излучение находится в резонансе с электронными уровнями материала, позволяет получить информацию об электронной подсистеме и о параметрах электрон-фононного взаимодействия. Спектроскопия КР, а особенно резонансного КР и низкочастотного КР, широко используется при изучении нанокристаллов различного состава. Анализ спектров КР оптическими и акустическими фононами, возбуждаемых светом с различными длинами волн, позволяет получать уникальную информацию о химическом составе, напряжениях и размерах нанокристаллов, о взаимодействии нанокристаллов с матрицей, о размерных зависимостях электронных и фононных энергетических спектров, а также электрон-фононного взаимодействия.

Комбинационное рассеяние света (КР) представляет собой один из процессов, возникающих при взаимодействии излучения и вещества. Для комбинационного рассеяния света характерно отличие частоты рассеянного излучения от частоты возбуждающего излучения. При этом в отличие от люминесценции, которая также представляет собой вторичное излучение с измененной частотой, при комбинационном рассеянии света рассеивающая система не переходит в возбужденное состояние на конечные (хотя бы и очень малые) интервалы времени. Подобные возбужденные состояния в процессах рассеяния играют роль лишь виртуальных состояний [18].

Спектры КР в большей степени, чем спектры люминесценции характерны для материалов. Это связано с тем, что частоты фононов однозначно определяются химическим составом материала и внутренними напряжениями в нем, а соответствующие полосы КР, как правило, в десятки раз уже, чем полосы люминесценции, что повышает избирательность определений. В то же время, интенсивность КР на 3-5 порядков меньше, чем интенсивность люминесценции. Хотя имеется ряд эффектов, приводящих к размерной зависимости параметров фононов, они проявляются только при размерах наночастиц в несколько постоянных решетки, поэтому спектроскопия КР может быть использован для характеризации наноструктур с размерами более 1-2 нм.

Нерезонансное комбинационное рассеяние света Классическое описание механизма КР.

В классическом описании [16-17] комбинационное рассеяние возникает в процессе взаимодействия электрического поля возбуждающего оптического излучения с электронной подсистемой материала, в результате чего в среде возникает электронная поляризуемость на частоте возбуждающего света. Поскольку электронная подсистема связана с фононной через электрон-фононное взаимодействие, то индуцированная поляризуемость приводит к возбуждению характерных колебаний ядер материала. В свою очередь, колебания ядер (фононы) модулируют электронную поляризуемость, приводя к возникновению в спектре вторичного излучения материала дополнительных спектральных компонент с частотами, отличными от частоты возбуждающего света.

Известно, что выражение для энергии, излучаемой диполем Р, колеблющемся с частотой со, в единицу времени в единицу телесного угла с10, имеет вид [19]:

со

е8Р

(1.1)

¿0 (4л") £0С

где Р -векторная величина, 8о - статическая диэлектрическая проницаемость среды, с - скорость света в среде, е5 -единичный вектор поляризации испущенного света.

Величину дипольного момента Р, индуцированного светом с напряженностью электрического поля Е, можно определить как

Р = аЕ, (1.2)

где а тензор (3^3) поляризуемости материала, так называемый тензор КР, с компонентами (/,у - х, у и т), который имеет вид:

(1.3)

ау* ау2

С учетом того, что КР возникает в результате слабой модуляции поляризуемости колебаниями ядер, поляризуемость, соответствующую

нормальному колебанию / , можно разложить в ряд по координате этого колебания вблизи точки равновесия ядер:

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Черевков, Сергей Александрович, 2013 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Gouadec G., Colomban P. Raman spectroscopy of nanomaterials: how spectra relate to disorder, particle size and mechanical properties //Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. - 2007. - T. 53. - №. 1. - C. 1-56.

2. Федоров А. В., Баранов А. В. Оптика квантовых точек //Оптика наноструктур/Под ред. АВ Федорова.-СПб: Недра. - 2005.

3. Gaponenko S. V. Optical properties of semiconductor nanocrystals. - Cambridge university press, 1998. - T. 23.

4. Woggon U. Optical properties of semiconductor quantum dots. - Berlin : SpringerVerlag, 1997.-T. 136.

5. Yoffe A. D. Semiconductor quantum dots and related systems: electronic, optical, luminescence and related properties of low dimensional systems //Advances in Physics.- 2001. -T. 50. -№. l.-C. 1-208.

6. Nalwa H. S. Handbook of Nanostructured Materials and Nanotechnology, vols. 15 Academic Press //San Diego. - 2000.

7. Murray С. В., Norris D. J., Bawendi M. G. Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E= sulfur, selenium, tellurium) semiconductor nanocrystallites //Journal of the American Chemical Society. - 1993. - T. 115. -№. 19.-C. 8706-8715.

8. Qu L., Peng X. Control of photoluminescence properties of CdSe nanocrystals in growth //Journal of the American Chemical Society. - 2002. - T. 124. - №. 9. - C. 2049-2055.

9. Talapin D. V. et al. Highly luminescent monodisperse CdSe and CdSe/ZnS nanocrystals synthesized in a hexadecylamine-trioctylphosphine oxide-trioctylphospine mixture //Nano Letters. - 2001. - Т. 1. -№. 4. - C. 207-211.

10. Qu L., Peng Z. A., Peng X. Alternative routes toward high quality CdSe nanocrystals //Nano Letters. - 2001. - Т. 1. - №. 6. - C. 333-337.

11. Murray С. В., Kagan С. R., Bawendi M. G. Synthesis and characterization of monodisperse nanocrystals and close-packed nanocrystal assemblies //Annual Review of Materials Science. - 2000. - T. 30. - №. 1. - C. 545-610.

12. Sukhanova A. et al. Biocompatible fluorescent nanocrystals for immunolabeling of membrane proteins and cells //Analytical biochemistry. - 2004. - T. 324. - №. 1. -C. 60-67.

13. Klein M. C. et al. Size dependence of electron-phonon coupling in semiconductor nanospheres: The case of CdSe //Physical Review B. - 1990. - T. 42. - №. 17. - C. 11123-11132.

14. Scamarcio, G., Spognolo, V., Ventruti, G., et al., Size dependence of electron-LO-phonon coupling in semiconductor nanocrystals. // Physical Review B. - 1996 - T. 53.-C. R10489-R10492.

15. Baranov A. V., Bobovich Y. S., Petrov V. I. Excitation profiles of Raman scattering and electron-phonon coupling in semiconductor nanocrystals //Solid state communications. - 1992. - T. 83. -№. 12. - C. 957-959.

16. Уилкинсон Г. P. Спектры комбинационного рассеяния ионных, ковалентных и металлических кристаллов //Применение спектров комбинационного рассеяния. М. Мир. - 1977.

17. Кардона М. В кн.: Рассеяние света в твердых телах/Под ред //М. Кардоны и Г. Гюнтеродта. Мир, М. - 1984. - №. 2. - С. 35.

18. Сущинский М. М. Спектры комбинационного рассеяния молекул и кристаллов, Сущинский М. JI1, Изд.«Наука», Главная редакция физ.-матем. литературы, 1969, стр. 576. Систематически рассмотрены общие вопросы спектроскопии комбинационного рассеяния света (КР)-Проведено общее исследование. - 1969.

19. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теория поля. - Наука, 1973. - Т. 2.

20. Damen Т. С., Porto S. P. S., Tell В. Raman effect in zinc oxide //Physical Review. - 1966. - T. 142. - №. 2. - C. 570.

21. Loudon R. The Raman effect in crystals //Advances in Physics. - 1964. - T. 13. -№. 52. - C. 423-482.

22. Baranov A. V., Bobovich Y. S., Petrov V. I. Evidence of quantum-size effect and electron-phonon interactions in resonance Raman scattering spectra of semiconductor nanocrystals //Journal of Raman spectroscopy. - 1993. - T. 24. -№. 11.-C. 767-773.

23. Myers A. B., Mathies R. A. Resonance Raman intensities: A probe of excited-state structure and dynamics //Biological Applications of Raman Spectroscopy. - 1987. -T. 2.-C. 1-58.

24. Fedorov, A.V., Baranov, A.V., Inoue, K., Exciton-phonon coupling in semiconductor quantum dots: Resonant Raman scattering // Physical Review B. -1997. - T. 56. - №.12. - C. 7491-7502

25. Menendez-Proupin E., Cabo-Bisset N. Resonance Raman scattering in semiconductor quantum dots: Adiabatic versus time-dependent perturbation theory //Physical Review B. - 2002. - T. 66. - №. 8. - C. 085317.

26. Mougin J. et al. In situ Raman monitoring of chromium oxide scale growth for stress determination //Journal of Raman Spectroscopy. - 2001. - T. 32. - №. 9. -C. 739-744.

27. Shiang J. J., Risbud S. H., Alivisatos A. P. Resonance Raman studies of the ground and lowest electronic excited state in CdS nanocrystals //The Journal of chemical physics. - 1993. - T. 98. - C. 8432.

28. Baranov A. V. et al. Effect of ZnS shell thickness on the phonon spectra in CdSe quantum dots // Physical review B. - 2003. - T. 68. - №. 16. - C. 165306.

29. Sunu Z., Shi J.R., Tay B.K., Lau S.P. UV Raman characteristics of nanocrystalline diamond films with different grain size // Diamond and Related Materials. - 2000. -T. 9.-C. 1979-1986.

30. Bimberg D. et al. Quantum dot heterostructures. - Chichester : John Wiley, 1999. -T. 471973882.

31. Masumoto Y., Takagahara T. (ed.). Semiconductor quantum dots: physics, spectroscopy and applications. - Springer, 2002.

32. Semiconductors: Group IV Elements, IV-IV and III-IV Compounds, LandoltBornstein, New Series, Group III. V. 41, Pt. A / Ed. by Madelung O., Rossler U., Schulz M. Berlin: SpringerVerlag. - 2005.

33. Rogach A. L. et al. Infrared-Emitting Colloidal Nanocrystals: Synthesis, Assembly, Spectroscopy, and Applications //Small. - 2007. - T. 3. - №. 4. - C. 536-557.

34. Harrison M. T. et al. Colloidal nanocrystals for telecommunications. Complete coverage of the low-loss fiber windows by mercury telluride quantum dot //Pure and applied chemistry. - 2000. - T. 72. - №. 1. - C. 295-307.

35. Kershaw S. V., Harrison M., Rogach A. L., Kornowski A. Development of IR-emitting colloidal II-VI quantum-dot materials // IEEE Journal of selected OF SELECTED topics in quantum electronics. - 2000. - T. 6. - №. 3. - C. 534-543

36. Springholz G. et al. Midinfrared surface-emitting PbSe/PbEuTe quantum-dot lasers //Applied Physics Letters. - 2001. - T. 79. - №. 9. - C. 1225-1227.

37. Anderson A. A. The Raman Effect, Vol. 2 //Applications, Dekker, New York. -1973.

38. Pattantyus-Abraham A. G. et al. Depleted-heterojunction colloidal quantum dot solar cells //ACS nano. - 2010. - T. 4. - №. 6. - C. 3374-3380.

39. Barkhouse D. A. R. et al. Thiols passivate recombination centers in colloidal quantum dots leading to enhanced photovoltaic device efficiency //ACS nano. -2008.-T. 2. - №. 11.-C. 2356-2362.

40. Johnston K. W. et al. Schottky-quantum dot photovoltaics for efficient infrared power conversion //Applied Physics Letters. - 2008. - T. 92. - №. 15. - C. 151115-151115-3.

41. Koleilat G. I. et al. Efficient, stable infrared photovoltaics based on solution-cast colloidal quantum dots //Acs Nano. - 2008. - T. 2. - №. 5. - C. 833-840.

42. Leschkies K. S. et al. Solar cells based on junctions between colloidal PbSe nanocrystals and thin ZnO films //Acs Nano. - 2009. - T. 3. - №. 11. - C. 36383648.

43. Szendrei K. et al. Solution-Processable Near-IR Photodetectors Based on Electron Transfer from PbS Nanocrystals to Fullerene Derivatives //Advanced Materials. -

2009. - T. 21. - №. 6. - C. 683-687.

44. Klem E. J. D. et al. Impact of dithiol treatment and air annealing on the conductivity, mobility, and hole density in PbS colloidal quantum dot solids //Applied Physics Letters. -2008. -T. 92. -№. 21. - C. 212105-212105-3.

45. Luther J. M. et al. Structural, optical, and electrical properties of self-assembled films of PbSe nanocrystals treated with 1, 2-ethanedithiol //Acs Nano. - 2008. - T. 2. - №. 2.-C. 271-280.

46. Tang J. et al. Quantum dot photovoltaics in the extreme quantum confinement regime: the surface-chemical origins of exceptional air-and light-stability //ACS nano. - 2010. - T. 4. - №. 2. - C. 869-878.

47. Rauch T. et al. Near-infrared imaging with quantum-dot-sensitized organic photodiodes //Nature Photonics. - 2009. - T. 3. - №. 6. - C. 332-336.

48. Zhao N. et al. Colloidal PbS quantum dot solar cells with high fill factor //ACS nano. - 2010. - T. 4. - №. 7. - C. 3743-3752.

49. Shabaev A., Efros A. L., Nozik A. J. Multiexciton generation by a single photon in nanocrystals //Nano letters. - 2006. - T. 6. - №. 12. - C. 2856-2863.

50. Sambur J. B., Novet T., Parkinson B. A. Multiple exciton collection in a sensitized photovoltaic system //Science. - 2010. - T. 330. - №. 6000. - C. 63-66.

51. Shcherbatyuk G. V. et al. Viability of using near infrared PbS quantum dots as active materials in luminescent solar concentrators //Applied Physics Letters. -

2010.-T. 96. - №. 19.-C. 191901-191901-3.

52. Fernandes G. E. et al. Quantum dot/carbon nanotube/silicon double heterojunctions for multi-band room temperature infrared detection //Nanotechnology. - 2010. - T. 21. -№. 46.-C. 465204.

53. de Mello Donega C., Liljeroth P., Vanmaekelbergh D. Physicochemical Evaluation of the Hot-Injection Method, a Synthesis Route for Monodisperse Nanocrystals //Small.-2005.-T. l.-№. 12.-C. 1152-1162.

54. Hines M. A., Scholes G. D. Colloidal PbS nanocrystals with size-tunable near-infrared emission: observation of post-synthesis self-narrowing of the particle size distribution //Advanced Materials. - 2003. - T. 15. - №. 21. - C. 1844-1849.

55. Murray C. B. et al. Colloidal synthesis of nanocrystals and nanocrystal superlattices //IBM Journal of Research and Development. - 2001. - T. 45. - №. 1. -C. 47-56.

56. Madelung O. Semiconductors: data handbook. - Berlin : Springer, 2004. - T. 3.

57. Etchegoin P. G. et al. Temperature-dependent Raman scattering of natural and isotopically substituted PbS //physica status solidi (b). - 2008. - T. 245. - №. 6. -C. 1125-1132.

58. Smith G. D. et al. First-and second-order Raman spectra of galena (PbS) //Journal of applied physics. - 2002. - T. 92. - №. 8. - C. 4375-4380.

59. Ferraro J. R. Factor group analysis for some common minerals //Applied Spectroscopy. - 1975. - T. 29. -№. 5. - C. 418-421.

60. Reedyk M. et al. Observation of the effects of phonon dispersion on the Fröhlich-interaction-induced second-order Raman scattering in Pb2Sr2PrCu308 //Physical Review B. - 1994.- T. 50.-№. 18.-C. 13762.

61. Krauss T. D., Wise F. W. Raman-scattering study of exciton-phonon coupling in PbS nanocrystals //Physical Review B. - 1997. - T. 55. - №. 15. - C. 9860.

62. Landolt-Bornstein Substance/Property Index [http://lb.chemie.uni-hamburg.de/search/element_search.php]

63. Data N. Functional Relationships in Science and Technology, edited by O. Madelung, Landolt-Bömstein, New Series, Group III, Vol. 17, Pt. a. - 1982.

64. Abel K. A. et al. Highly photoluminescent PbS nanocrystals: the beneficial effect of trioctylphosphine //Chemistry of Materials. - 2008. - T. 20. - №. 12. - C. 37943796.

65. Kane R. S., Cohen R. E., Silbey R. Theoretical study of the electronic structure of PbS nanoclusters //The Journal of Physical Chemistry. - 1996. - T. 100. - №. 19. -C. 7928-7932.

66. Elcombe M. M. The crystal dynamics of lead sulphide //Proceedings of the Royal Society of London. Series A. Mathematical and Physical Sciences. - 1967. - T. 300.-№. 1461.-C. 210-217.

67. Chan W. C. W., Nie S. Quantum dot bioconjugates for ultrasensitive nonisotopic detection //Science. - 1998. - T. 281. -№. 5385. - C. 2016-2018.

68. Colvin V. L. et al. Light-emitting diodes made from cadmium selenide nanocrystals and a semiconducting polymer //Nature. - 1994. - T. 370. - №. 6488. -C. 354-357.

69. Sapra S. et al. Bright White-Light Emission from Semiconductor Nanocrystals: by Chance and by Design //Advanced Materials. - 2007. - T. 19. - №. 4. - C. 569572.

70. Cotter D., Burt M. G., Girdlestone H. P. Electroabsorptive behaviour of semiconductor quantum dots in glass //Semiconductor Science and Technology. -1990. -T. 5. -№. 6.-C. 631.

71. Anikeeva P. O. et al. Electronic and excitonic processes in light-emitting devices based on organic materials and colloidal quantum dots //Physical Review B. -2008. - T. 78. - №. 8. - C. 085434.

72. Zhong X. et al. Composition-Tunable Zn x Cdl-x Se Nanocrystals with High Luminescence and Stability //Journal of the American Chemical Society. - 2003. -T. 125. - №. 28. - C. 8589-8594.

73. Bailey R. E., Nie S. Alloyed semiconductor quantum dots: tuning the optical properties without changing the particle size //Journal of the American Chemical Society. - 2003. - T. 125. - №. 23. - C. 7100-7106.

74. Zhong X. et al. Alloyed Zn x Cdl-x S Nanocrystals with Highly Narrow Luminescence Spectral Width //Journal of the American Chemical Society. - 2003. -T. 125.-№. 44.-C. 13559-13563.

75. Qian H. et al. High-quality and water-soluble near-infrared photoluminescent CdHgTe/CdS quantum dots prepared by adjusting size and composition //The Journal of Physical Chemistry C. - 2007. - T. 111. - №. 45. - C. 16852-16857.

76. Taniguchi S., Green M., Lim T. The room-temperature synthesis of anisotropic CdHgTe quantum dot alloys: a "molecular welding" effect //Journal of the American Chemical Society.-2011.-T. 133.-№. 10.-C. 3328-3331.

77. Smith A. M., Nie S. Bright and compact alloyed quantum dots with broadly tunable near-infrared absorption and fluorescence spectra through mercury cation exchange //Journal of the American Chemical Society. - 2010. - T. 133. - №. 1. -C. 24-26.

78. Shen H. et al. High quality synthesis of monodisperse zinc-blende CdSe and CdSe/ZnS nanocrystals with a phosphine-free method //CrystEngComm. - 2009. -T. 11. -№. 8.-C. 1733-1738.

79. Peng Z. A., Peng X. Nearly monodisperse and shape-controlled CdSe nanocrystals via alternative routes: nucleation and growth //Journal of the American Chemical Society. - 2002. - T. 124.-№. 13.-C. 3343-3353.

80. Liu F. C. et al. Synthesis of highly fluorescent glutathione-capped ZnxHgi-xSe quantum dot and its application for sensing copper ion //Journal of colloid and interface science. - 2009. - T. 337. - №. 2. - C. 414-419.

81. Graydon O. Microfluidics: laser-induced bubbles create valves and pumps //Nature Photonics. - 2011. - T. 5. - №. 5. - C. 256-256.

82. Kumazaki K. Resonant Raman Scattering near E1+ Al in CdxHgl- xSe //physica status solid (b). - 1989. -T. 151. -№. 1. - C. 353-362.

83. Peng, Z. A.; Peng, X. G. Formation of high-quality CdTe, CdSe, and CdS nanocrystals using CdO as precursor //Journal of the American Chemical Society. -2001.-T. 123.-№. 1.- C. 183-184

84. Peng X. et al. Shape control of CdSe nanocrystals //Nature. - 2000. - T. 404. - №. 6773.-C. 59-61.

85. Bruchez M. et al. Semiconductor nanocrystals as fluorescent biological labels //Science. - 1998,- T. 281. -№. 5385.-C. 2013-2016.

86. Huynh W. U., Dittmer J. J., Alivisatos A. P. Hybrid nanorod-polymer solar cells //Science. - 2002. - T. 295. - №. 5564. - C. 2425-2427.

87. Coe S., Woo W. K., Moungi Bawendi V. B. Electroluminescence from single monolayers of nanocrystals in molecular organic devices //Nature. - 2002. - T. 420.-№. 6917.-C. 800-803.

88. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors //IBM Journal of Research and Development. - 1970. - T. 14. -№. l.-C. 61-65.

89. Chang L. L., Ploog K. Molecular beam epitaxy and heterostructures: proceedings. - 1985.

90. Esaki L., Chang L. L. New Transport Phenomenon in a Semiconductor" Superlattice" //Physical Review Letters. - 1974. - T. 33. - №. 8. - C. 495.

91. Dingle R., Wiegmann W., Henry C. H. Quantum states of confined carriers in very thin alxgal-xas-gaas-alxgal-xas heterostructures //Physical Review Letters. -1974.-T. 33. -№. 14.-C. 827.

92. Tang Z. et al. Self-assembly of CdTe nanocrystals into free-floating sheets //Science. - 2006. - T. 314. - №. 5797. - C. 274-278.

93. Ko H. et al. Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for highperformance nanoscale transistors //Nature. - 2010. - T. 468. - №. 7321. - C. 286289.

94. Li B. W. et al. Engineered interfaces of artificial perovskite oxide superlattices via nanosheet deposition process //ACS nano. - 2010. - T. 4. - №. 11. - C. 66736680.

95. Wang F. et al. Substrate-Free Self-Assembly Approach toward Large-Area Nanomembranes //ACS nano. - 2012. - T. 6. - №. 3. - C. 2602-2609.

96. Cavallo F., Lagally M. G. Semiconductors turn soft: inorganic nanomembranes //Soft Matter. - 2010. - T. 6. - №. 3. - C. 439-455.

97. Novoselov K. S. et al. Electric field effect in atomically thin carbon films //Science. - 2004. - T. 306. - №. 5696. - C. 666-669.

98. Coleman J. N. et al. Two-dimensional nanosheets produced by liquid exfoliation of layered materials //Science. - 2011. - T. 331. - №. 6017. - C. 568-571.

99. Sun Y. et al. Fabrication of flexible and freestanding zinc chalcogenide single layers //Nature Communications. - 2012. - T. 3. - C. 1057.

100. Mitzi D. B. et al. High-mobility ultrathin semiconducting films prepared by spin coating //Nature. - 2004. - T. 428. - №. 6980. - C. 299-303.

101.Konagai M., Sugimoto M., Takahashi K. High efficiency GaAs thin film solar cells by peeled film technology //Journal of crystal growth. - 1978. - T. 45. - C. 277-280.

102. Liu K. K. et al. Growth of large-area and highly crystalline MoS2 thin layers on insulating substrates //Nano letters. - 2012. - T. 12. - №. 3. - C. 1538-1544.

103. Yoon J. et al. GaAs photovoltaics and optoelectronics using releasable multilayer epitaxial assemblies //Nature. - 2010. - T. 465. - №. 7296. - C. 329-333.

104. Zhao X. K., McCormick L. D., Fendler J. H. Scanning tunneling microscopic, optical, and scanning tunneling spectroscopic characterization of size-quantized cadmium selenide particulate films in situ generated at monolayer interfaces //Langmuir. - 1991.-T. 7.-№. 6.-C. 1255-1260.

105. Han Q. F. et al. Liquid-liquid interfacial synthesis of single-crystalline PbS nanoplates and nanocube-based microspheres //Materials Letters. - 2012. - T. 69. -C. 10-12.

106. Huang X. et al. Inorganic-organic hybrid composites containing MQ (II-VI) slabs: A new class of nano structures with strong quantum confinement and periodic arrangement //Chemistry of materials. - 2001. - T. 13. - №. 10. - C. 3754-3759.

107. Yu S. H., Yoshimura M. Shape and Phase Control of ZnS Nanocrystals: Template Fabrication of Wurtzite ZnS Single-Crystal Nanosheets and ZnO Flake-like Dendrites from a Lamellar Molecular Precursor ZnS (NH2CH2CH2NH2) 0.5 //Advanced Materials. - 2002. - T. 14. - №. 4. - C. 296-300.

108. Li J. et al. Hydrothermal synthesis of novel sandwich-like structured ZnS/octylamine hybrid nanosheets //Solid state communications. - 2004. - T. 130. - №. 9.-C. 619-622.

109. Wang X. et al. Controllable synthesis of PbSe nanostructures and growth mechanisms //Crystal Growth and Design. - 2008. - T. 8. - №. 4. - C. 1406-1411.

110. Zhu T. J. et al. Anisotropic Growth of Cubic PbTe Nanoparticles to Nanosheets: Controlled Synthesis and Growth Mechanisms //Crystal Growth & Design. - 2010. -T. 10. - №. 8.-C. 3727-3731.

111. Liang Y. et al. Raman scattering investigation of Bi2Te3 hexagonal nanoplates prepared by a solvothermal process in the absence of NaOH //Journal of Alloys and Compounds.-201 l.-T. 509.-№. 16.-C. 5147-5151.

112. Ekimov A. I., Onushchenko A. A. Quantum size effect in three-dimensional microscopic semiconductor crystals //ZhETF Pisma Redaktsiiu. - 1981. - T. 34. -C. 345.

113. Henglein A. Photo-Degradation and Fluorescence of Colloidal-Cadmium Sulfide in Aqueous Solution //Berichte der Bunsengesellschafit fur physikalische Chemie. -1982. - T. 86. - №. 4. - C. 301-305.

114. Brus L. E. A simple model for the ionization potential, electron affinity, and aqueous redox potentials of small semiconductor crystallites //The Journal of chemical physics. - 1983. - T. 79. - C. 5566.

115. Yin Y., Alivisatos A. P. Colloidal nanocrystal synthesis and the organic-inorganic interface //Nature. - 2004. - T. 437. - №. 7059. - C. 664-670.

116. Morales A. M., Lieber C. M. A laser ablation method for the synthesis of crystalline semiconductor nanowires //Science. - 1998. - T. 279. - №. 5348. - C. 208-211.

117. Milliron D. J. et al. Colloidal nanocrystal heterostructures with linear and branched topology //Nature. - 2004. - T. 430. - №. 6996. - C. 190-195.

118. Joo J. et al. Low-temperature solution-phase synthesis of quantum well structured CdSe nanoribbons //Journal of the American Chemical Society. - 2006. - T. 128. -№. 17.-C. 5632-5633.

119. Ithurria S., Bousquet G., Dubertret B. Continuous transition from 3D to ID confinement observed during the formation of CdSe nanoplatelets //Journal of the American Chemical Society. - 2011. - T. 133. -№. 9. -C. 3070-3077.

120. Ithurria S., Dubertret B. Quasi 2D colloidal CdSe platelets with thicknesses controlled at the atomic level //Journal of the American Chemical Society. - 2008. -T. 130.-№. 49.-C. 16504-16505.

121. Lim S. J., Kim W., Shin S. K. Surface-dependent, ligand-mediated photochemical etching of CdSe nanoplatelets //Journal of the American Chemical Society. - 2012. - T. 134. - №. 18. - C. 7576-7579.

122. Semiconductors, edited by O. Madelung, W. von der Osten, and U. Rossler, eds., Landolt-Bornstein, New Series, Group III, Vol. 22, Pt. a. - 1982.

123. Englman R., Ruppin R. Optical lattice vibrations in finite ionic crystals: I //Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1968. -T. 1. -№. 3. - C. 614.

124. Ruppin R., Englman R. Optical phonons of small crystals //Reports on Progress in Physics. - 1970,-T. 33. - №. l.-C. 149.

125. Bhattacharya S. et al. Surface optical Raman modes in GaN nanoribbons //Journal of Raman Spectroscopy. - 2011. - T. 42. -№. 3. -C. 429-433.

126. Hines M. A., Guyot-Sionnest P. Synthesis and characterization of strongly luminescing ZnS-capped CdSe nanocrystals //The Journal of Physical Chemistry. -1996.-T. 100. -№. 2. -C. 468-471.

127. Trallero-Giner C. et al. Optical vibrons in CdSe dots and dispersion relation of the bulk material //Physical Review B. - 1998. - T. 57. - №. 8. - C. 4664.

128. Achtstein A. W. et al. Electronic Structure and Exciton-Phonon Interaction in Two-Dimensional Colloidal CdSe Nanosheets //Nano letters. - 2012. - T. 12. - №. 6.-C. 3151-3157.

129. Hwang Y. N., Park S. H., Kim D. Size-dependent surface phonon mode of CdSe quantum dots //Physical Review B. - 1999. - T. 59. - C. 7285-7288.

130. Mahler B. et al. Core/shell colloidal semiconductor nanoplatelets //Journal of the American Chemical Society. - 2012. - T. 134.-№. 45.-C. 18591-18598.

131. Tschirner N. et al. Interfacial Alloying in CdSe/CdS Heteronanocrystals: A Raman Spectroscopy Analysis //Chemistry of Materials. - 2012. - T. 24. - №. 2. - C. 311318.