Разработка интегральных термосенсоров на основе монокристаллической кремниевой фольги и исследование их характеристик тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Зиновьев, Дмитрий Валерьевич

• Зиновьев, Дмитрий Валерьевич
• кандидат технических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат технических наук Зиновьев, Дмитрий Валерьевич

Введение.

ГЛАВА 1. Аналитический обзор литературы.

1.1. Виды и классификация сенсоров, основанных на термических явлениях.

1.1.1. Измерение температуры.

1.1.2. Термоанемометры.

1.1.3. Термовакууметры.

1.1.4. Катарометры.

1.1.5. Каталитические анализаторы - пеллисторы.

1.1.6. Газочувствительные резисторы и газоанализаторы на твердых электролитах.

1.2. Свойства кремния как основного материала интегральных сенсоров.

1.2.1. р - Т характеристика.

1.2.2. Критическая температура.

1.2.3. Пьезосопротивление.

1.3. Технология кремниевых сенсоров.

1.3.1. Проблема балластного кремния.

1.3.2. Мембранная технология.

1.3.3. Технология ультратонких пластин.

1.3.4. Изоляция внутрикристальным оксидом.

Выводы к главе 1.

ГЛАВА 2. Разработка способов повышения метрологических характеристик терморезисторов.

2.1. Основная функция преобразования.

2.2. Чувствительность изотермического терморезистора.

2.3. Кельвин-вольт-амперная характеристика перегревного терморезистора.

2.4. Динамические характеристики терморезисторов.

2.5. Новая измерительная система.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. Технология монокристаллической кремниевой фольги и псевдопроволоки.

3.1. Базовая структура КСДИ.

3.2. Химическое резание по жертвенной пленке 8Ю

3.3. Новый метод формирования балочных выводов.

3.4. Корпусирование.

3.4.1. Бескорпусная защита.

3.4.2. Окукливание.

3.4.3. Монтаж в металло-керамические корпуса.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. Сенсоры на основе монокристаллической кремниевой псевдопроволоки.

4.1. Изотермические терморезисторы.

4.1.1. Варианты конструкций.

4.1.2. Методки измерения параметров.

4.1.2.1. Измерение толщины монослоя в КСДИ.

4.1.2.2. Измерение номинала и температурного коэффициента сопротивления.

4.1.2.3. Термостарение.

4.1.2.4. Термоциклирование.

4.1.3. Результаты метрологических испытаний.

4.1.3.1. Номинальное сопротивление.

4.1.3.2. Переходное сопротивление.

4.1.3.3. р-Т характеристика.

4.2. Перегревные терморезисторы.

4.3. Терморезисторы косвенного подогрева.

4.4. Пьезоэлектрические и другие приборы на основе кремниевой монокристаллической фольги и псевдопроволоки.

Выводы к главе 4.

ГЛАВА 5. Эффект гигантской теплоотдачи телами субмиллиметровых размеров.

5.1. Измерение температуры микрообектов и рассеиваемой ими мощности.

5.2. Косвенные подтверждения наличия эффекта в работах других авторов.

5.3. Физическая модель эффекта.

5.4. Различные проявления эффекта гигантского тепло- и массопереноса и его применения.

5.4.1. Различия в динамике газов и жидкостей.

5.4.2. Аналогия теплопередачи и массопереноса.

5.4.3. Импульсный режим работы.

5.4.4. Приборы нового типа.

5.4.4.1. Датчики положения и перемещения.

5.4.4.2. Уровнемер на основе перегревного терморезистора.

5.4.4.3. Насадка для катализаторов высокой интенсивности.

Выводы к главе 5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка интегральных термосенсоров на основе монокристаллической кремниевой фольги и исследование их характеристик»

Сенсороэлектроника, назначение которой - обеспечение интерфейса между реальными объектами и электронными системами, играет возрастающую роль в науке и технике и становится самостоятельной, быстро развивающейся отраслью прикладной науки.

Следует отметить, что достижения микроэлектроники в полной мере сейчас используются только при производстве сенсоров

ТЛ ^ ¿Z „

СИЛЫ й ДаВЛсНИЯ. пМСЮЩпс ^КаЧИ i £лъКи оиЛсс ШйрОКОс ирИМсКснИс

Ч ЛТТЛА'МТ Т ЛЛ ЛГТЧ/ЧЧ-» Г» ПЛГ»ЛП Т TT г ЛТ* /Ч Л1П-Г» -г-ж- тл» Airt» Т Л ЛТТЛ»» ЛТТТТТ Т /-» гтп vcnvupöi tuviaca IOJUD, ИЛ vjvupucin и itivuicpaijpm, üvnunariiim^ na

ТПТТТТЛТ4Т tv по» fanmmnv ттл тл/лттлтт гг^тттттх тг TavTтгл ттлтчт тхпллтлт» гглтттт iviuiuddia mivi^pvmwA - nvi ivunvipjivii^m n ivAnujiui ип mi uiUDJiv/mm tiqvaггат^а тто хтлптт OA 'lA ггдтттли ттоптгллттт т? rrv гопотлгйпгтрттттлтт ттл ilUÄV,J/l X VA 11U j pVDllV ~ JV J1V iilVIi Ди131ШУ 1XI XI 1АЛ лиушчх vpxiv I. IUVX1 UV

DPPrniJ ^ЛЛТВРТРТОХТШТ ЛЛВПРИЛРЩЛ.П! тпр^пп^гшаи! i^vvx Ды vw x uv xvi м-fj xv/ x vvu^viuvluxmm x^/v Wi/vtiuti/xm,

ТТпТ/ГТ1ЫТ}АЙ ^ ТГ^Т^ТГ\Л1ГГЛТГТД П IIA Г-ЯЛ/ГПТТ ^Я^ЯТГАГТ. Г^ТЛ

Л. A^F Л * JJ-iAiv IL Ж J X JL* J.J.V iVWJ VW ».V/V i* V ргячльгатмптй п^ттягти - ттмпметпии - акпаетпя ттичк'яа ^ЛЛечггттлглгТч —j—------— —------- **г"*'—""I---- * ——----— х т ------------преобразования тешювого сигнала в электрический. Отсюда вытекает необходимость использования претщзионных усилителей и мостовых схем - приборов, вносящих не только шумы и ошибки, но и требующих систематической поверки, что. естественно,, неприемлемо в условиях промышленного производства. Вместе с тем, тепловые эффекты - кондуктометрические, калориметрические, терморезистивные и др., имеют очень широкое применение в измерительной технике. С помощью термоанемометров можно измерять скорости и расходы газов и жидкостей, пеллисторов - их состав, манометров Пирани - разрежение. Кроме тою, многие тины электронных газоанализаторов (газорезистивные, электролитические) функционируют только при нагреве.

Во всех случаях требуются прецизионные измерения и регулирование температуры микрообъектов - задача по существу новая для традиционной метрологии.

Потребность в тепловых микроприборах и отсутствие приемлемых конструктивных решений доказывают существование технической проблемы. Очевидная актуальность работ в этой области обусловлена ближайшими перспективами развития глобальных систем автоматического управления жилищ, транспорта и производств, мониторинга окружающей среды, контроля качества пищевых продуктов. Если исходить из того, например, что в каждом жилом помещении будут автоматически поддерживаться оптимальная температура и состав атмосферы, то масштабы

ГГЛТГГТП- ЛЛГТЛЛЛЛП ^Л* 7 ТТТ РП ТТЛТТТУЛ ГТГГТ>Т Л*Т Ж »ТХТТ ГТТГПУЧ ТТЛ1 ЖТХ иуДу 1 *х V 1 л 115 тгихл^арДшУх^х.

Г^лп^агтггллт'г гл ллгголпгчп гггллгт ггггтпл £~\хг ггт гггтгл птогг/уг п^лгто'гд ггг ггогг питргпатта шт лтотлг^тп: илгл тт ¿'»л^ллт.т папвгшилт! л^чпо^лтш-г хин VI рид-цт I^ оV х ии 1 у^ллдПих V ^^х^или хх vл.vшш иу^дли тип ^ирииинхл гт/ггияттй ий лттит* гтдгтйгттг^ гшяи^ ир шК^атг. та ГИГТ^^ЯУ ГП/ТЯШЛШ

V'да \ivtvхлл XIV» у/^иу их а. vwi.ii iu.iv« XV и« х V««¿хх« 1 хм VII« 1 х ^ * * " * * " рплпл ял« ы ттопкл/ттштшт ттл тгм аг^палмпгп п&ьэдгя иъ тпттырй информации. Интегральные сенсоры - возможны только на монокристашшческом кремнии^ это диктует монополию его на будущем рынке и оправдывает затраты на НИР и ОКР.

Своевременность работ в этом направлении подтверждается возрастающей потребностью науки и техники в миниатюрных (зондовых) быстродействующих и потребляющих минимум энергии сенсорах, характеризующих состояние газовой и жидкой среды. Современные приборы не удовлетворяют этим условиям; мало того, по мере миниатюризации метрологические параметры традиционных приборов ухудшаются. Понятно, что простое снижение геометрических размеров кремниевых сенсоров не представляет особой трудности, однако одновременно повысить воспроизводимость параметров в производстве приборов, их точность и чувствительность намного сложнее, и для этого требуются новые решения.

Работы в области сенсоров нуждаются прежде всего в новых идеях и не требуют больших затрат на материалы и оборудование, а технологической базой является микроэлектроника, причем не обязательно в самом сложном ее варианте, т.к. топологические гч Л Л Л л л 1ЛГ Л /""ЧСТЛУ4

НОрМЫ С€НСОрОЭЛ6КТрОННКй ДаЛСКИ ОТ ИСПОЛЬЗубМЫХ Б ъолъ.

1 ГагЧТ'А» ГТ Т X ТЛТТЛ\ЛТ7 Г» **ОПУ\О^ЛППРТ ТППШ /Л\ Я Т Т Г» О т> ггатттгтг Г» /\Г>» 4-Л*1Т/*ТТТ т ^Сап х 1 \jivi у ^их^Д!'! х> раэраиа 1 шо^мим га их 1 р ых> ^ 1 ч/гхгиг± п ттлмлотта ^лттт ттттзгл^ лпдттлтп о т^тттптллтлтт -л/К/Кохгг **лч>*лт ллттототс ла ХЭ.>ХЛ^-/Х\.Ч>ХХГХ/Х ии^ШШИЛ X 1>, и X Ч^/ЧХХГХ-ХЧ^ХЧ-ГХХХ ^УрХ^Ч^ХЧХ X уи IV X их XIV/! г- ппнлтлтртилг»т!.ш

V V X ААЧ/V 1 .

Т Т^тттап г»яг^пттл сгтг тта^т^в ^лз ттягга<* этитатоя тгъотурл лV» V/ А. Л-ГЛ. X V** «Ч/ч/^МХЛЛА« «X ^/мох^хлх/д. V терморезистивного модуля сенсоров состава газов, их скорости и темттепят\ты

--------х—1—

Тля достижения этой ттели необходимо пептить слелуюптие

Г "V Г-.-- - -- - - - - г , - Х- - - - - г -V - ч задачи:

- исследовать р-Т характеристику монокристаллического кремния различных марок; выявить основные закономерности преобразования теплового сигнала в электрический с помощью терморезистора и определить условия, обеспечивающие высокую точность и стабильность его работы;

- разработать конструкцию и технологию универсального кремниевого терморезистивного модуля, пригодного при »ТЗГТТТХ» ЯС% ТТТ ТТТ хут ГЛтт«ПЛТГАП>Лдйттаттт»Т1 I I тжтталттттлттттлп'гт! тпгиплчшшпо1Л 1 шл^р^и слл, ишлръилъпгш и пп^рцгшппи^ 1 и л^а^п йттттп отг тлттллтг ионшплтттдггг и пл тт ттдп'члотлгст

1ч- 1 г 11} иш^и^ш и 11. > 11 г 1/1 Г1 ниДцурлхшилл трмптсттч г> «Ачлт»? прпргпрпа'

- выполнить с помощью разработанного прибора ряд уникальных исследований, невозможных имеющимися до сих пор средствами.

Эти задачи решались в рамках конкурсной программы "Конверсия и высокие технологии" (т. №65000), были поддержаны грантом МВО (т. №63820), грантами аспирантских работ МГИЭТ и /1 лло лл \

ИрС^ИДСНТикОМ С1Ш1СНДИСИ {1УУО-УУ1.).

Научная новизна.

1. Разработаны теоретические основы функционирования сенсорного модуля для микрозондовых исследований и регулирования быстропеременных процессов - химических реакций и взрывов, турбулентных течений, процессов конвективного тепло- и массопереноса в реальном масштабе времени.

2. Обнаружен эффект гигантской конвективной теплоотдачи телами субмиллиметровых размеров. Показано, что с уменьшением размеров нагревателя до десятков мкм. коэффициент теплоотдачи возрастает в тысячи раз (5000-20000 Вт/'м2К по сравнению с 2-10 для макрообъектов).

3. Предложено возможное объяснение этого эффекта, основанное на представлениях о кинетике формирования теплового и

TT»ÍTvm «Т*ТТаЛ1ЛЛТ1Л ГГАтт ПТТГ1Т1ТТГ TV Л1ТЛЛ15 rtímaiviHivvivi« и ишрагш1ш)1л wiuvb.

Практическая ценность работы.

1. Разработанный модуль использован в производстве КСДИ структур на предприятии ЗАО НИИМВ.

2. Предложена новая модификация монокристаллического кремния - перфорированная фольга и псевдопроволока, и разработана технология её изготовления.

3. Изготовлена в виде стенда измерительная система, в которой температура перехода от примесной проводимости к собственной используется в качестве опорной.

Положения, выносимые на защиту.

1. С уменьшением размеров нагретого тела до субмиллиметровых значений резко возрастает интенсивность конвективной теплоотдачи, что проявляется в росте коэффициента теплоотдачи в тысячи раз. Эффект гигантской теплоотдачи объясняется тем, что формирование теплового и динамического слоев требует времени и не имеет развития при малых размерах. Поскольку в газах критерий Ралея, характеризующий массообмен близок к единице, в той же мере проявляется и эффект гигантской массопередачи.

2. Вес нагреваемые приборы микронных размеров обладают гигантским быстродействием как вследствие малой термической

ЙКСрЦИОКНОСТК? ТаК К МГНОВЕННОГО ТбПЛООиМбНа С ОКруЖаЮ ЩСй ллаттгчтх тталтсл ттт тлл г •% Аттатм 7ТЮ1 я гчл7 тгпттот/\тттлтча 'попп тта тогрла vpvД\^и, ии^лилол) шил^л) лшп V/ 1 сиа пи 1 р^) V1 \>п. гтлА гтл ггол отг ^от лп Т1 т>тт тта ггт*/К/Кт готтлттттлгл гтлтатттгттттлгл л ттглст ТД и УДА^и^-^ 17 Л1и1иШ1 V ии1 ршшчиил V VJ.LV»/!» XX иал^лплт иагпрв тяг/'тяу тп^тт тпр^/рт лгптдилп \трттт:илн (хха ртгтштлп;

ХХиЧ/Х/Х/^ Ч/ X ? них руи X X Ч/./Х X ^ V V X VI ^1»ХХХУ^ХХ ^Г ^^УХХДХХХ^ХХ yi.AU гттттттйггм^ лжлтггаплт'т/г ГЧ/тттАлтт/^^т гчотт^яттег тття т^атогчатл ч/Л/Т^иг.тттртлтт^ размера нагревателя сопровождается не снижением, а повышением мощности, требующейся для его нагрева.

3. ВАХ пепегпелного кпемниевого тепмопезистопа солешшт информацию о его температуре, и на ней имеется экстремум соответствующий Т , значение которой определяется только концентрацией носителей в образце. Наличие Т может служить удобным средством автоматического регулирования мощности в зависимости от изменения условий теплоотвода - температуры, скорости и состава окружающего газа Таким образом, кремниевый терморезистор может использоваться как сенсор этих величин.

4. Метод химического резания по жертвенному слою 8Ю2 можно использовать для производства в промышленных масштабах новой модификации монокристаллического кремния, отличающийся отсутствием механических напряжений и высоким качеством поверхности.

Апробация работы.

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях: "Микроэлектроника и информатика", МИЭТ, 1996,97,98г.

Кроме того, материалы представлялись на конкурс грантов МВО 1994г., "Конверсия и высокие технологии" 1995г. и в обоих случаях оказались в числе победителей.

Автор за достижения в НИР в период обучения являлся стипендиатом фонда Сороса.

Публикации. Опубликовано 15 статей, получено 3 патента РФ и подано 2 заявки на патенты.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Зиновьев, Дмитрий Валерьевич

Общие выводы по работе.

1. Разработана конструкция многофункционального терморезистора, основанного на специфических свойствах монокристаллического кремния - возможности создания на одном кристалле областей с резко различающимся удельным сопротивлением и наличии на вольтамперной характеристике перегревного терморезистора точки со строго определенной температурой.

2. Разработана технология изготовления терморезисторов прямого и косвенного подогрева, наиболее оригинальной операцией, которой, является отделение кремниевой фольги или элементов любой конфигурации от подложки путем растворения в Н.Б. пленки БЮг в структуре КСДИ - химическое "резание".

3. Исследованы метрологические характеристики изотермических и перегревных терморезисторов: статическая функция преобразования, чувствительность, динамическая Т-Я зависимости. Показано, что быстродействие приборов, имеющих размеры порядка сотен мкм и менее» значительно превосходит расчетное на основании традиционных для макрообъектов значений.

4. Показана роль критической температуры перехода от примесной электропроводности к собственной как опорной для систем автоматики, которая снимает с разработанного терморезистора ограничение по миниатюризации и соответственно - по быстродействию.

5. Прямыми измерениями мощности, рассеиваемой перегревным терморезистором при критической температуре, установлено

Заключение.

В работе вскрыты новые резервы, содержащиеся в преобразовании тепла в электрический сигнал, что позволяет использовать терморезистор как универсальный прибор для измерения и регулирования не только температуры, но и скорости, направления, давления, расхода газов, анализа их смесей, положения и перемещения предметов, а также в качестве нагревателя - носителя катализатора и эффективного смесителя газов.

Все эти функции способен выполнять прибор одной и той же конструкции, на основе монокристаллической кремниевой псевдопроволоки. Технология микроэлектроники обеспечивает возможность массового производства уникальных по быстродействию, габаритам и энергетическим характеристикам сенсоров без каких-либо капитальных затрат.

Разработанные сенсоры могут работать в импульсном режиме с тактовой частотой около ЮкГц, что позволяет использовать один прибор в нескольких функциях. Столь существенное расширение возможностей и увеличение быстродействия термических приборов, ставит их по интеллектуальной насыщенности в один ряд с электронными.

Перспективы использования новой модификации кремния наверняка выходят за рамки наших теперешних представлений и по мере освоения приборов будут расширятся.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Зиновьев, Дмитрий Валерьевич, 1999 год

1. Резисторы. Справочник, под ред. И.И. Четверткова.- М.: Радио и связь, 1991.

2. Зайцев Ю.В. Полупроводниковые термоэлектрические преобразователи.- М.: Радио и связь. 1989, с. 15-23.

3. Ж. Аш. Датчики измерительных систем.- М.: Мир, 1993, т.2, с.284-286.

4. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов.- М.: Мир, 1984, т.1, с. 33-36.

5. Loisch J. Детектирование нижнего уровня масла с помощью термисторов. М.: сборник ВИНИТИ, сер. контрольно-измерительная техника, 1991, с. 10-14.

6. P.Lai, B.Liu, X.Zheng, B.Li, S.Zhang, Z.Wu, Monolithic integrated spreading resistance silicon flow sensor. Sensors and Actuator. A58 1997 pp.85-88.

7. Middelhoek S.,Bellekem A. et al. Silicon sensors. Meas. Sci. Tehnol, 1995, v6, pp. 1641-1658.

8. Sclar N., Pollock D. В. On diode thermometers. Solid State Electronics, 1972, vl5, p. 473.

9. Ahlers H., Schmidt W. Чувствительные элементы измерительных преобразователей температуры и влажности. М.: сборник ВИНИТИ, сер. контрольно-измерительная техника, 1991, с 6-7.

10. O.Herold H. Современные интеллектуальные измерительные преобразователи. М.: сборник ВИНИТИ, сер. контрольно-измерительная техника, 1990, с 1-8.

11. Herwaarden A.W., Vanduyn A.S. et al. Integrated thermopile sensor. Sensors and Actuators. 1989, v.21, pp.621-630.

12. Kohler J. M., M. Zieren. Micro flow calorimeter for thermoelectrical detection of heat of reaction in small volumes. Fresenius' Journal of Analytical Chemistry ,1997,v 358, № 6, pp. 683-686.

13. Baeri P., Campisano S.U. et al. Time resolved temperature measurement of pulsed laser irradiated germanium by thin film thermocouple. Appl. Phys. Lett, 1984, №45, pp.398-400.

14. Volklein F., Wiegant A., Baier V. High-sensitivity radiation thermopiles made of Bi-Sb-Te films. Sensors and Actuators. 1991,v. 29, pp. 87-91.

15. Toda K., Maedo Y. et al. Characteristics of a thermal mass-flow sensor in vacuum system. Sensors and Actuators. 1998, v.69, pp. 62-67.

16. Moseley P.T. Solid state gas sensor. Meas.Sei.Technol. 1997, v.8, №3, pp.223-237.

17. J.G.Whitney Micro electronic element and method of making same. Pat. USA, №967803.

18. Д. Лаймен. Новое поколение "разумных" датчиков. М.: Электроника, №9, 1987, с 6-12.

19. Р.Т. Moseley. Solid state gas sensors. Meas. Sei. Technol., 1997, v.8, №3, pp. 223-237.

20. В.Р.Реньян. Технология полупроводниковых материалов.- М.: Радио и связь. 1969, с. 223-227.

21. J.M. Dorkel, P. Leturgo. Carrier mobilites in silicon. Solid State Electronics, v.25,№9,1981, pp. 821-825.

22. H.Reichert. Thermoresistoren; preiverte Präzision Electronics,1989,v.38,№16, pp. 42-46.

23. Horacle E. Linearization of the temperature dependence of the Si resistivety for its use as a thermometer. IEEE, New Orlean, 1990,pp. 132-137.

24. Ж. Аш. Датчики измерительных систем.- M.: Мир, 1993, т.2, с. 437-439.

25. Тузовский К.А., Андреев В.М., Зиновьев Д.В., Сорокин И.Н. Новые направления технологической интеграции. Сборник научных трудов под ред. И.Н. Сорокина. Технологические процессы и материалы компонентов электронных устройств, Москва 1996, с.5-9.

26. N.Miki, H.Kikuyama. Design, fabrication, sensing, and control of an electrostatically-driven polysilicon microactuator. ШЕЕ Trans.Magn, 1996, v.32,№l, pp. 122-128.

27. E.M.Kussul, D.A. Rachovskij et al. Micromechamcal engineering of mechanical microdevices using microequipment. J. Micromech and Microeng, 1996, v.6, №4, pp.410-425.

28. Тимошенков С.П. Сопротивление материалов. -M.: Наука, 1965, т.1, с 123-127.

29. Моро Уэйн. Микролитография, принципы, методы, материалы. М: Мир, 1990, т. 1, с. 134-149.

30. B.W. Oudheucden, A.W. Herwaarden. High-sensivity 2-D flow sensor with an etched thermal isolation structure. Sensor and actuator A, v.23, 1990, pp.425-430.

31. Структуры кремниевые с диэлектрической изоляцией элементов. ТУ 48-4-355-82, 1982.

32. C.Harendt, C.E.Hunt et al. Silicon on insulator material by wafer bonding. J. Electr. Mater.,1991,v.20,№3, pp.267-277.

33. Петрова В.З. Использование многокомпонентных стекловидных диэлектрических пленок в технологии КСДИ. Межвузовская научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика", под ред. РыгалинаБ.Н. -М,: 1995, с.26.

34. Шабаль О.В. Спаивание кремниевых пластин через слой легкоплавкого стекловидного диэлектрика в технологии микросенсоров. Межвузовская научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика", под ред. Рыгалина Б.Н. М.: 1995, с.42.

35. В.Р.Реньян. Технология полупроводниковых материалов.- М.: Радио и связь. 1969, с. 244-257.

36. Тузовский К.А., Зиновьев Д.В. Физические основы кремниевой термометрии. Сборник научных трудов под ред. И.Н. Сорокина.

37. Павленко Е.Ю., Аношин В.В., Зиновьев Д.В. Температурно-вольт-амперная характеристика кремниевых монокристаллических терморезисторов. Межвузовская конференция "Микроэлектроника и информатика-98", Москва 1998, стр.139.

38. H.M.Hashemian, К.М. Petersen at al. In situ response time testing of thermocouples. ISA Transactions, 1990,v,29,№4, pp.97-104.

39. M.J.Downs, D.H.Ferriss, R.E.Ward. Improving the accurasy of the temperature measurement of gases by correction for the response delays in the thermal sensors. Meas. Sci. Technol., 1990, №.1, pp.717-719.

40. Andreev V.M., Zinoviev D.V., Zotov V.V. Thermometric sensors based on SOI. NATO Advanced Research Workshop. Perspectives, Science and Technologies for novel Silicon on Insulator Devices. 12-15 October 1998, Kyev, poster report №15, p. 10.

41. Ch-M Ho. Review: MEMS and its applications for flow control. J. of Fluids Eng. 1996, vll8,№9, pp.437-447.

42. Лыков JI.A. Тепломассообмен. Справочник. 1978, с 321.

43. Тузовский К.А., Андреев В.М. и др. Тонкопленочный МОП-конденсатор. Патент РФ №1773205, 1993.

44. Тузовский К.А., Андреев В.М. и др. Коммутационная плата. Патент РФ №1771532,1993.

45. Тузовский К.А. Высокоомный поликремний как основа универсальных приборных матриц. Сборник научных трудов под ред. И.Н. Сорокина. Технологические процессы и материалы компонентов электронных устройств, Москва 1996, стр. 171-176.

46. Тузовский К.А., Андреев В.М. и др. Новый метод диэлектрической изоляции пассивных и активных компонентов. Электронная промышленность, 1991,№7, с. 47-50.

47. Андреев В.М., Тузовский К.А., Зиновьев Д.В. Научно-технический отчет по теме "Электронный термометр". 1995.

48. Тузовский К.А., Зиновьев Д.В. Нетрадиционные применения интегральной технологии, Тезисы докладов, Вторая Всероссийская научно-технические конференция с международным участием "Электроника и информатика-97", Москва 1997, с. 40-41.

49. Y.Tai,R.S.Miller. Frictional study of IC-processed micromotors. Sensors and Actuators A.1989,v.21, pp. 180-183.

50. A.Fujimoto, M.Sakata et al. Miniature electrostatic motor. Sensors and Actuators A.1990,v.24, pp.43-46.

51. S.Kumar, D.Cho. A proposal for electrically levitating micromotors. Sensors and Actuators A.1990,v.24, pp.141-149.

52. Тузовский K.A., Павленко Е.Ю., Зиновьев Д.В. Монокристаллическая кремниевая фольга и её применения. Электронная техника. Серия 3 Микроэлектроника, № 1, 1997, с. 11.

53. J.H.Lee, W.I.Jang et al. Characterization of anhydrous HF gas-phase etching with CH3OH for sacrificial oxide removal. Sensors and Actuators. 1998, v.64, pp.27-32.

54. Коледов JI. А. Микроэлектроника. -M.: Высшая школа, 1987, е.35-37.

55. Зиновьев Д.В., Тузовский К.А., Андреев В.М. Полупроводниковая кремниевая структура. Решение о выдаче патента по заявке №96104129/25 (006755) от 29.04.97.

56. Зиновьев Д.В. Приборные структуры на фольговом кремнии. Тезисы докладов, Межвузовская конференция "Микроэлектроника и информатика-96", под ред. В.Ю.Пустовита, МИЭТ, 1996, стр.108.

57. Андреев В.М., Тузовский К.А., Зиновьев Д.В. Научно-технический отчет по гранту "Монокристаллическая кремниевая проволока для изделий микроэлектроники". 1993.

58. Андреев В.М., Зиновьев Д.В., Тузовский К.А. Микронагреватель. Заявка на получение патента РФ №98117001 от 14.09.98.

59. Зиновьев Д.В. Монокристаллический кремниевый микронагреватель. Межвузовская конференция "Микроэлектроника и информатика-97", Москва, 1997, с.77.

60. Сивухин Д.В. Общий курс физики. Термодинамика и молекуляярная физика. М.: Наука, 1979, с. 182-184.

61. V.Voronin, I.Maryamova. Silicon whiskers for mechanical sensors. Sensors and Actuators. 1992, v.30, pp.27-33.

62. F.Sanchez, J.L.Morenza at al. Whiskerlike structure growth on silicon exposed to ArF eximer laser irradiation, Appl. Phys Lett., 1996, v.69, №5, pp.620-622.

63. Тузовский К.А., Андреев B.M., Павленко Е.Ю., Зиновьев Д.В., Этингин P.M. Пьезорезистивный чувствительный элемент. Заявка на получение патента РФ № 98117000 от 14.09.98.

64. Зиновьев Д.В. Микроманипулятор на основе м/к кремниевой фольге. Межвузовская конференция "Микроэлектроника и информатика-98", Москва, 1998, с. 111.73,Тузовский К.А., Андреев В.М. и др. Коммутационная плата. Патент РФ №171532, 1993.

65. S.K.Tewksbury, L.A.Hornak et al. Co-integration of optoelectronics and submicrometr CMOS. IEEE Transctions Components, Hybrids, Manufacturing Technol. 1993, v.16, №7, pp.674-685.

66. Т.Себиси. Конвективный теплообмен. -M.: Мир, 1987, с.28-37.

67. Бочкарев ЭЛ., Андреев В.М., Тузовский К.А., Зиновьев Д.В., Павленко Е.Ю. Эффект гигантской теплоотдачи телами субмиллиметровых размеров. ДАН, т.366, №2,1999.

68. Абрамович Г.Н., Прикладная газовая динамика. -М.: Наука, 1976, с.37-51.

69. E.H.Haasen, G.T.A.Kovacs. Integrated thermal condactivity vacuum sensor. Sensors and Actuators. 1997, v.58, №1, pp.37-42.

70. J.W.Suh, S.F.Glander et al. Organic thermal and electrostatic ciliary microactuator. Sensors and Actuators. 1997, v.63, №1, pp.51-60.

71. C.Rossi, E.Scseid, D.Esteve. Theoretical and experimental stady of silicon micromashined microheater. Sensors and Actuators. 1997, v.63, №1, pp. 183-189.

72. E.Obermeier. Basic modules for chemical sensor. Technical University of Berlin. Microsensor and Actuator Technology Center. 1998.

73. Дульнев Г.Н., Новиков А.П. Процессы переноса в неоднородных средах. М.: Высшая школа, 1991, с. 95-113.

74. Адамсон А. Физическая химия поверхностей, пер. с анг. М.: Наука, 1979, с 127-136.

75. Акопян А.А. Химическая термодинамика. М,: Высшая школа, 1963, с. 513-517.

76. V.M.Andreev, D.V.Zinoviev, V.V.Zotov. The giant convective heat transfer of the submillimeters sizes bodies. SEMI Exicutive mission and exhibit, 1999, pp.34-35.

77. Дульнев Г.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. -М.: Высшая школа, 1991, с. 41-45.

78. Утверждаю щектор ЗАО НИИМВ1. Ю. А .Козлов1999 г.1. АКТиспользования результатов диссертационной работы Зиновьева Д.В.

79. Представители МГИЭТ Представитель1. НИИМВ1. В.В.Зотов1. Утверждаю

80. Утверждаю директор НПП "Дана~Терм:1. Й.А. Соколов 1999 г.1. АКТиспользования результатов диссертационной работы Зиновьева Д.В.

81. Представители МГИЭТ Представитель