Разработка и исследование наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат технических наук Чесноков, Дмитрий Владимирович

• Чесноков, Дмитрий Владимирович
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Чесноков, Дмитрий Владимирович

Введение.

1. Анализ взаимодействия лазерного излучения с веществом в процессах микротехнологий.

1.1. Преимущества лазерно-пиролитических технологий.

1.2. Физические эффекты неразрушающего взаимодействия материалов с наносекундным мощным лазерным пучком.

1.2.1. Нагревание поверхности подложки лазерным облучением.

1.2.1.1. Металлические подложки.

1.2.1.2. Полупроводниковые подложки.

1.2.1.3. Слоистые металлические структуры на подложках.

1.2.2. Термоупругие напряжения, деформации и разрушения поверхности металла.

1.2.3. Лазерная термодесорбция.

1.2.4. Температурные изменения оптических и теплофизических свойств металлов при лазерном облучении.

1.2.4.1. Обратные связи между тепловыделением на подложке и лазерным излучением.

1.2.4.2. Температурные изменения теплопроводности и теплоемкости.

1.2.4.3. Температурная зависимость поглощательной способности.

1.2.4.4. Изменения поглощательной способности при плавлении металла.

1.2.4.5. Эффект "аномального" поглощения металлов.

1.3. Воздействие лазерного излучения, приводящее к разрушению металлов.;.

1.3.1. Общий обзор моделей процессов.

1.3.2. Процессы при мощностях облучения, вызывающих кипение металла ("режим развитого испарения").

1.3.2.1. Энергетические условия реализации режима развитого испарения.

1.3.2.2. Вынос материала в виде пара и жидкой фазы.

1.3.3. Разрушение пленок на подложках лазерным облучением.

1.3.4. Взрывное разрушение пленок на подложках лазерным излучением.

1.3.5. Образование приповерхностной лазерной плазмы и взрывное воздействие лазерного импульса на подложки.

1.3.5.1. Условия в газе.

1.3.5.2. Условия вблизи поверхности.

1.3.5.3. Воздействие на поверхность подложки.

1.3.6. Нелинейно-оптические процессы на облучаемой поверхности, формирование поверхностных периодических структур (1111С).

1.3.6.1. Периодический рельеф на поверхности.

1.3.6.2. Поглощательная способность резонансных 1111С.

1.3.6.3. Экспериментальные исследования динамики роста ППС.

1.3.6.4. Генерация поверхностного периодического рельефа при лазерно-индуцированных пиролитических реакциях травления и осаждения.

1.4. Лазерное осаждение пленок на подложки.

1.5. Перспективы развития лазерно-пиролитических технологий.

2. Теоретический анализ эффектов воздействия импульсного наносекундного лазерного излучения на подложку и газовую атмосферу при образовании тонкопленочных осадков.

2.1. Теплофизичекие процессы при наносекундном лазерном облучении гладких подложек.

2.2. Теплофизические процессы при наносекундном лазерном облучении подложек с учетом влияния морфологии растущих осадков.

2.2.1. Влияние центров зародышеобразования растущей пленки на теплораспределение на подложке.

2.2.2. Влияние микровыступов на подложке на температурный рельеф поверхности.

2.3. Процессы на поверхности подложки при пиролизе.

2.3.1. Адсорбция молекул реагентов на поверхности.

2.3.2. Оценка влияния шероховатости пленки на кинетику пиролитического процесса.

2.4. Процессы в газовой фазе при пиролизе.

2.4.1. Состояние газовой атмосферы при действии лазерного импульса на подложку.

2.4.2. Химические процессы в газовой фазе.

2.4.3. Газодинамические процессы над подложкой.

2.5. Частицы в газовой среде.

2.5.1. Влияние вязкости газа, силы тяжести; броуновское движение.

2.5.2. Выдавливание расплава паром материала осадка.

2.5.3. Воздействие фронта взрывной волны на выступы шероховатой поверхности растущей пленки.

2.5.4. Испарение осадка металла под действием лазерного излучения и конденсация пара.

2.6. Сравнение влияния различных процессов при НЛПО пленок металлов на стеклянные подложки.

2.7. Основные результаты теоретического анализа.

3. Методика и результаты экспериментальных исследований.

3.1. Задачи этапа экспериментальных исследований.

3.2. Основные требования к составу и параметрам экспериментального оборудования.

3.2.1. Общие требования к технологической установке.

3.2.2. Выбор технологического лазера.

3.2.3. Существующие методы формирования оптических микроизображений.

3.2.4. Контурно-проекционный метод формирования оптического изображения.

3.2.5. Формирование лазерного пучка с повышенной равномерностью освещения подложки.

3.2.6. Оптические элементы, обеспечивающие удобство работы.

3.2.7. Система подачи реагентов в зону реакции на поверхности положки.

3.2.8. Блок регулирования параметров процесса.

3.2.9. Датчик толщины растущей пленки по поглощению света.

3.2.10. Особенности определения температуры в фокальном пятне на поверхности подложки в ходе лазерного облучения.

3.2.11. Проект автоматизации ЭЛТУ и устройство программируемого перемещения образца.

3.3. Устройство экспериментальной технологической лазерной установки.

3.3.1. Оптико-механичекая схема установки.

3.3.2. Основные технические данные экспериментальной технологической лазерной установки.

3.4. Методики исследования экспериментальных образцов.

3.5. Экспериментальное определение зависимости характеристик осаждаемых структур от параметров технологического процесса.

3.6. Разработка ресурсосберегающей технологии лазерографического формирования тонкопленочных рисунков на подложках.

3.6.1. Цель разработки технологии.

3.6.2. Эффективность использования расходуемых материалов и производительность процесса лазерно-пиролитического нанесения пленок на подложку.

3.6.2.1. Использование расходуемых материалов.

3.6.2.2. Производительность процесса нанесения пленок.

3.7. Разработка технологии ретуши шкал, сеток и фотошаблонов для целей оптического производства.

3.8. Обсуждение экспериментальных результатов.

4. Пластическое течение металла при ударном воздействии лазерного луча и формование объемных конструкций микромеханики в тонких пленках.

5. Физико-химическая модель и технологические принципы использования локального твердофазного термохимического травления поверхностей тугоплавких и химически стойких материалов.

5.1. Современные методы профильной обработки тугоплавких и химически стойких материалов.

5.2. Теоретические модельные расчеты физико-химических процессов взаимодействия тугоплавких материалов с металлическими пленками, нанесенными на их поверхность.

5.3. Методика экспериментальных исследований локального твердофазного термохимического травления поверхностей тугоплавких и химически стойких материалов и полученные результаты.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка и исследование наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур»

Актуальность темы

В мире достигнуты большие успехи в области создания устройств различного назначения, отличающихся как миниатюрными размерами, так и большим набором функций, высокой производительностью, малыми энерго- и ресурсопотреблением. Особенно это относится к микроэлектронике, которая, благодаря унификации технологических процессов и функциональной универсализации компонентов микросхем, превратилась в ведущую отрасль промышленности развитых стран и позволила совершить глубокий прорыв в сфере анализа, обработки и передачи больших информационных потоков. В меньшей степени указанные тенденции коснулись оптики и оптоэлектроники, а для микромеханики эти тенденции пока находится в стадии становления.

К основным технологическим процессам, обеспечивающим формообразование микроструктур в условиях массового производства, относятся различные типы напыления, осаждения и эпитаксиального выращивания тонких пленок, химическое/плазменное травление и фотолитография, которые для достижения конкретного результата многократно повторяются, дополняясь множеством вспомогательных процессов. В целом такое производство отличается высокими энергоресурсопотреблением, трудоемкостью и затратами на природоохранные мероприятия, необходимостью поддержания в производственных помещениях особых чистоты и климатического режима и, как следствие, высокой себестоимостью продукции.

Параллельно с развитием интегральных методов массового производства для целей микроэлектронной промышленности в последние десятилетия появились и находят все большее применение способы локального и одностадийного нанесения на различные подложки слоев металлов, диэлектриков и полупроводников. Самым перспективным в этой области является применение инициируемых лазерным излучением процессов выращивания пленочного рисунка в результате локализованных в фокальном пятне фотолитических, пиролитиче-ских и иных радиационно-стимулированных реакций разложения элементоор-ганических соединений (ЭОС). Множество подобных технологических приемов объединяются единым термином "лазерография". Сюда же можно отнести и способы локального удаления или модификации (например, окисления) сплошных пленок.

До последнего времени основой успешного применения технологий лазе-рографии было использование излучения непрерывного лазера, что имеет, однако, существенные недостатки:

- при пиролизе, вследствие высокой плотности мощности излучения в фокальном пятне на подложке, происходит нефункциональный перегрев областей поверхности, непосредственно прилегающих к облучаемой зоне, и возникновение неконтролируемых пиролитических процессов, ведущих к искажению края топологического рисунка;

- температура реакционной зоны на подложке является достаточной для пиролиза ЭОС, но слишком мала для эффективной десорбции атомов кислорода и углерода, загрязняющих растущую пленку. Поэтому процесс осаждения проводят в условиях пониженного давления в специальных камерах, что позволяет контролировать чистоту поверхности роста;

- использование реакционной камеры с комплексом средств получения и контроля высокого вакуума приводит не только к малоэффективному расходованию дорогостоящих реагентов, но и в целом повышает себестоимость технологического процесса.

От перечисленных выше недостатков во многом свободен пиролитический процесс, возбуждаемый излучением импульсного лазера. Особенностью импульсной ВЧ лазерной технологии является локализация энергии лазерного излучения на поверхности обрабатываемой подложки в течение времени порядка наносекунд, в результате реакционная зона самоизолируется от окружающей среды, в зоне создаются управляемые условия для локального проведения сверхвысокотемпературных поверхностных и твердофазных химических реакций. При сканировании луча зона может безынерционно перемещаться по обрабатываемой поверхности. Условия в зоне характеризуются максимальными температурами до 3000-^5000 К, действующими в течение 10"8-Ч0"7 с, тогда как остальной объем, кроме поверхностного слоя подложки толщиной около 1 мкм, остается холодным. Указанные условия благоприятны также для физико-химических воздействий на тугоплавкие и сверхтвердые материалы типа алмаза.

Цель работы

Выявить и исследовать закономерности инициированных воздействием лазерного наносекундного излучения термохимических, в том числе пиролитиче-ских, процессов формообразования функциональных микроструктур на поверхностях подложек, предложить методы управления этими процессами при их использовании в микротехнологии. Реализация цели достигается путем решения следующих задач:

1. Проведением теоретического анализа процессов пиролитического осаждения пленок на подложки при указанном лазерном облучении с выявлением теплофизических и оптических факторов самоорганизации процесса осаждения.

2. Разработкой основных положений теории термомеханических процессов, протекающих в системе "атмосфера-пленка-подложка" при локальном воздействии наносекундного лазерного излучения.

3. Разработкой исследовательской установки лазерографического выращивания пленок и проведением экспериментальных исследований процессов нанесения пленочных металлических рисунков.

4. Разработкой основ безреакторной технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков из тугоплавких металлов, базирующейся на использовании высокочастотного наносекундного лазерно-пиролитического осаждения (НЛПО) в условиях открытой атмосферы.

5. Разработкой технологических принципов использования термомеханических эффектов, возникающих под воздействием лазерного пучка, для кинетического и деформационного формообразования объемных микроструктур на подложках.

6. Исследованием физико-химических процессов твердотельного формообразующего травления поверхностей тугоплавких материалов.

Научная новизна диссертационной работы

Научная новизна диссертационной работы заключается в разработке и исследовании наносекундной лазерной микротехнологии формирования опто-электронных структур в условиях открытой атмосферы. При этом впервые:

1. Проведены теоретический анализ и экспериментальные исследования микротехнологии формирования структур наносекундным ла-зерно-пиролитическим осаждением (НЛПО) пленок в условиях открытой атмосферы, что позволило выявить ряд особенностей процесса, в том числе:

- показана применимость термодинамического подхода при анализе пи-ролитических процессов наносекундной длительности и выявлены условия прохождения пиролиза либо только в адсорбированном слое на подложке, либо также и в газовой фазе;

- исследованы процессы самоорганизации образования шероховатых рельефов при наносекундных лазерных воздействиях и их влияние на пиролитический рост пленок, выявлена роль оптических факторов при формировании морфологии растущих пленок;

- показано, что во время действия лазерного импульса в атмосфере у поверхности подложки возникает ударная волна;

- показаны возможные причины, приводящие к появлению изолированных микрочастиц в газовой фазе и на поверхности подложки в ходе пи-ролитического выращивания пленочных рисунков;

- выявлены причины наступающего в определенных условиях пиролити-ческого осаждения самоограничения роста пленочных осадков.

2. Разработана теоретическая модель процессов НЛПО тонких пленок, позволяющая производить оценочный расчет параметров, обеспечивающих заданные технологические характеристики, в том числе разрешение, производительность и т.п.

3. Создана исследовательская лазерографическая установка микротехнологии формирования оптоэлектронных структур, обеспечивающая проведение и исследование высокочастотного НЛПО пленочных рисунков в условиях открытой атмосферы и приповерхностной инертной среды.

4. Для разработанной микротехнологии предложены методы, обеспечивающие поглощение энергии лазерного импульсного излучения не на поверхности, а в глубине многослойной структуры на подложке, и теоретически и экспериментально исследованы возникающие при этом термомеханические эффекты. Обнаружено пластическое течение и деформация металлических слоев при указанных условиях, предложены области применения механоформую-щего эффекта.

5. Предложены и исследованы принципы лазерного механического передвижения (переноса) микродеталей, что позволило разработать методику кинетического формообразования объемных микроструктур на подложках.

6. Предложены и исследованы принципы локального твердофазного термохимического травления поверхностей тугоплавких и химически стойких материалов, таких как алмаз или сапфир, с возможностью их размерной обработки и микропрофилирования при изготовлении различных инструментов, в том числе и для целей микроэлектроники.

Практическая значимость работы

Полученные в ходе исследований результаты позволили разработать:

1. Исследовательскую установку наносекундной лазерографической микротехнологии формирования оптоэлектронных структур, которая обеспечивает проведение и отработку технологических режимов получения элементов микроприборов в условиях открытой атмосферы и приповерхностной инертной среды.

2. Лазерографическую микротехнологию нанесения пленок из редких и драгоценных металлов на различные подложки в условиях открытой атмосферы (без использования реакционной камеры), обладающую эффективностью использования исходных реагентов на уровне 99 %.

3. Методы пластически-деформационного формообразования микроструктур на подложках в результате протекающих при наносекундном лазерном воздействии термомеханических процессов.

4. Лабораторные способы наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур локальным твердотельным термохимическим травлением поверхностей тугоплавких и химически стойких материалов.

Результаты научных исследований были использованы:

- при выполнении госбюджетных НИОКР "Исследование процессов ла-зерно-пиролитического формирования на подложках пленочных структур" (№ госрегистрации 0193.0005781) и "Ресурсосберегающая технология лазерного нанесения защитных, проводящих и декоративных покрытий из драгоценных и редких металлов с эффективностью использования расходных материалов 99%" (№ госрегистрации 0196.0005781);

- при разработке и изготовлении малой серии установок лазерной ретуши дефектов (проколов) пленочных рисунков, которые были внедрены на предприятии "ПО Новосибирский приборостроительный завод".

Основные положения. выносимые на защиту

1. Теоретический анализ физико-технических основ наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур на поверхно

10 сти подложки в условиях открытой атмосферы, в том числе и в защитном слое инертного газа.

2. Теоретическая физическая модель наносекундного лазерно-пиролитического осаждения (НЛПО) пленок металлов на подложки, позволяющая оценочно рассчитывать основные параметры технологических процессов и осаждаемых структур.

3. Физико-технические и технологические основы лазерографической микротехнологии нанесения пленок из редких и драгоценных металлов на различные подложки в условиях открытой атмосферы (без использования реакционной камеры), а также в слое инертного газа, обладающей эффективностью использования исходных реагентов на уровне 99 %.

4. Теоретическая модель термомеханических процессов, протекающих в системе тонкая пленка/подложка при наносекундном лазерном воздействии и технологические основы пластически-деформационного формообразования микроструктур на подложках, позволяющие создавать функциональные элементы изделий микромеханики и растровой микрооптики.

5. Теоретическая модель и технологические принципы использования локального твердофазного термохимического травления поверхностей тугоплавких и химически стойких материалов, таких как алмаз или сапфир, обеспечивающие возможность их размерной обработки и микропрофилирования при изготовлении различных инструментов, в том числе и для целей микроэлектроники.

6. Для наносекундной лазерной микротехнологии формирования опто-электронных структур в условиях открытой атмосферы разработана исследовательская лазерографическая установка, позволяющая проводить отработку технологических режимов воздействия лазерного излучения на различные материалы в системе "атмосфера-пленка-подложка".

Заключение диссертации по теме «Оптика», Чесноков, Дмитрий Владимирович

Заключение

В диссертации разработаны и исследованы основы наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур в условиях открытой атмосферы и получены следующие основные результаты:

1. Проведен теоретический анализ физико-технических основ наносекундной лазерной микротехнологии формирования оптоэлектронных структур в пиролитическом процессе на поверхности подложки, в условиях открытой атмосферы, в том числе в защитном слое инертного газа. Впервые выявлен ряд особенностей пиролитического формирования структур микроприборов (зависимость механизма пиролиза от температуры подложки, возможность возникновения ударной волны в газе при пиролизе, влияние оптических обратных связей, возникающих при выращивании пленок, на структуру пленок, связь механизмов самоограничения роста пленок с наличием атмосферы, и др.).

2. Разработана теоретическая физическая модель наносекундного лазер-но-пиролитического осаждения (НЛПО) пленок металлов на подложки, позволяющая оценочно рассчитывать основные параметры технологических процессов и осаждаемых структур: лазерной мощности, состава газовой среды, температуры в лазерном пятне и т.п., а также расчет производительности осаждения пленок, разрешающей способности воспроизведения лазерографических рисунков.

3. Разработаны физико-технические и технологические основы лазерогра-фической микротехнологии нанесения пленок из редких и драгоценных металлов на различные подложки, в том числе полимерные, в условиях открытой атмосферы (без использования реакционной камеры), а также в слое инертного газа, обладающей эффективностью использования исходных реагентов на уровне 99 %;

4. Создана теоретическая модель термомеханических процессов, протекающих в системе тонкая пленка/подложка при наносекундном лазерном воздействии и разработаны технологические основы пластически-деформационного формообразования микроструктур на подложках, позволяющие создавать функциональные элементы изделий микромеханики и растровой микрооптики. В том числе:

- впервые исследованы термомеханические эффекты, инициированные поглощением лазерного наносекундного излучения в глубине многослойной тонкопленочной структуры на подложке;

- впервые использован механо-формующий эффект лазерного облучения для одностадийного образования тонкопленочных выпуклых герметичных куполов на подложках и герметичных микроканалов в области между пленкой и подложкой.

5. Разработаны теоретическая модель и технологические принципы использования локального твердофазного термохимического травления поверхностей тугоплавких и химически стойких материалов, таких как алмаз или сапфир, обеспечивающие возможность их размерной обработки и микропрофили

152 рования при изготовлении различных инструментов, а также для целей микроэлектроники.

6. Создана исследовательская установка наносекундной лазерографиче-ской микротехнологии формирования оптоэлектронных структур в условиях открытой атмосферы, позволяющая проводить отработку технологических режимов воздействия лазерного излучения на различные материалы в системе "атмосфера-пленка-подложка".

Разработан ряд основных узлов установки залечивания (ретуши) дефектов тонкопленочных рисунков на основе микротехнологии НЛПО. Изготовлена и передана в эксплуатацию малая серия установок ретуши.

7. Проведенные исследования и полученные результаты позволили создать теоретические и технологические предпосылки получения на более эффективной основе элементов опто- и микроэлектронных приборов и устройств.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Чесноков, Дмитрий Владимирович, 2000 год

1. Прохоров A.M., Конов В.И., Урсу И., Михэнлеску И.Н. Взаимодействие лазерного излучения с металлами.-М.: Наука, 1988.

2. Вейко В.П. Лазерная обработка пленочных элементов.- Л.: Машиностроение, 1986.

3. Анисимов С.И., Имас Я.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы.- М.: Наука, 1970.

4. Воздействие лазерного излучения на материалы / Р.В. Арутюнян, В.Ю. Баранов, Л.А. Болыпов и др.- М.: Наука, 1989.

5. Лазнева Э.Ф. Лазерная десорбция.- Л.: Издательство Ленинградского университета, 1990.

6. Найт Ч.Дж. Теоретическое моделирование быстрого поверхностного испарения при наличии противодавления // Ракетная техника и космонавтика.-1979,- Т.17, №5.- С.81-86.

7. Вейко В.П., Кайданов А.И., Яковлев Е.Б. Двухфазная модель разрушения поглощающих пленок мощными световыми импульсами // Квантовая электрон.-1980.-Т.7, №1.-С.34-41.

8. Вейко В.П., Яковлев Е.Б. О некоторых особенностях разрушения тонких пленок под действием лазерного излучения // Физика и химия обраб. материалов.- 1979.- №2.- С.33-36.

9. Райзер Ю.П. Лазерная искра и распространение разрядов.- М.: Наука, 1974.

10. Уэйл Дж., Пирри А., Рут Ф. Формирование плазмы при воздействии лазерного излучения на алюминиевую поверхность // Ракетная техника и космонавтика." 1981.- Т. 19, №6.- С.53-66.

11. Garrido С., van den Berg H. Temperature Effect on Photolitic Deposition of Platinum Ohmic Contacts and Schottky Diodes // Appl. Phys. A.- 1991.- V.53.-P.265-272.

12. Inoue K., Michimori M., Okuyama M., Hamakawa Y. Low Temperature Growth of Si02 Thin Film by Double-Excitation Photo-CVD // Jap. J. Appl. Phys.- 1987.- V.26, №6.- P.805-811.

13. Gupta A., West G.A., Beeson K.W. Excimer laser-induced chemical vapor deposition of titanium silicide // J. Appl. Phys.- 1985.- V.58, №9.- P.3573-3582.

14. Whitehead J.C., Mitlitsky F., Ashkenas D.J., Bernhardt A.F., Farmwald S.E., Kaschmitter J.L., Mc Williams B.C. Laser Fabrication of Interconnect Structures on CMOS Gate Arrays // SPIE Proc.- 1986.- V.621.- P.62-70.

15. Irvine S.J.C., Giess J., Mullin J.B., Blackmore G.W., Dosser O.D. Photo-metal organic vapor phase epitaxy: A low temperature method for the growth of CdjHgi.jtTe // J. Vac. Sci. Technol. В.- 1985.- V.3, №5.- P. 1450-1455.

16. Nonaka H., Arai K., Fujino Y., Ichimura S. Photochemical vapor deposition of amorphous silica films using disilane and perflurosilanes: Defect structures and deposition mechanism // J. Appl. Phys.- 1988.- V.64, №8.- P:4168-4174.

17. High J. Mechanism of metallo-organic vapor phase epitaxy and routes to a ultraviolet-assisted process //J. Vac. Sci. Technol. В.- 1985.- V.3, №5.- P. 14561459.

18. Tabuchi Т., Yamagishi K., Tarui Y. Low-Temperature Growth of Transparent and Conducting Tin Oxide Film by Photo-Chemical Vapor Deposition // Jap. J. Appl. Phys.- 1987.- V.26, №3.- P.L186-L189.

19. Gross M.E., Appelbaum A., Gallagher P.K. Laser direct-write metallization in thin palladium acetate films // J. Appl. Phys.- 1987.- V.61, №4.- P. 1628-1632.

20. Armstrong J.V., Burk A.A. Jr., Coey J.M.D., Moorjani K. Wavelength control of iron/ nickel composition in laser induced chemical vapor deposited films // Appl. Phys. Lett.- 1987.-V.50, №18.-P. 1231-1233.

21. Higashi G.S., Rothberg L.J. Surface photochemical phenomena in laser chemical vapor deposition // J. Vac. Sci. Technol. В.- 1985.- V.3, №5.- P.1460-1463.

22. Ushida Т., Higashiyama K., Hirabayashi I., Tanaka S. Excimer Laser-Assisted Chemical Vapor Deposition of Metal-Oxide Thin Film from /J-Diketone Complexes // Jap. J. Appl. Phys.- 1991.- V.30, №1A.- P.L35-L38.

23. Blonder G.E., Higashi G.S„ Fleming C.G. Laser projection patterned aluminum metallization for integrated circuit applications // Appl. Phys. Lett.- 1987.- V.50, №12.- P.766-768.

24. Чесноков B.B., Земсков C.B., Игуменов И.Г. Лазерно-химическое осаждение пленок металлов // 5 отрасл. научно-техн. конф. "Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем": Тез. докл.-Нальчик, 1983.

25. Патент РФ 1331369, МКИ Н 01 L 21/312, G 03 F 1/00. Способ локального нанесения покрытия на подложку / В.В. Чесноков, С.В. Земсков, И.К. Игуменов (СССР).- . №3936434; Заяв. 6.06.85; Опубл. 15.08.87, Бюл. №30.- С.260.

26. Чесноков В.В., Резникова Е.Ф. Прямое осаждение на подложку металлических пленочных рисунков с использованием азотного лазера // Междунар. конф. "Laser Optics 93" (21-25 июня 1993г., Россия, г.Санкт-Петербург): Тез. докл.-СПб.: ГОИ, 1993.-С.539.

27. Morishige Y., Kishida S. Thick gold-film deposition by high-repetition visible pulsed-laser chemical vapor deposition // Appl. Phys. A.- 1994.- V.59.- P.395-399.

28. Allen S.D., Trigubo A.B., Liu Y.-C. Laser chemical vapor deposition using continuous wave and pulsed lasers // Opt. Engineering.- 1984.- V.23, №4.- P.470-474.

29. Gilgen H.H., Cacouris Т., Shaw P.S., Krchnavek R.R., Osgood R.M. Direct Writing of Metal Conductors with Near-UV Light // Appl. Phys. В.- 1987.-V.42.- P.55-66.

30. Reznikova E.F., Chesnokov V.V., Zharcova G.I., Igumenov I.K. Direct deposition of metal film patterns using nitrogen laser // J. de Physique IV.- 1995.- C5.-C5-687-694.

31. Reznikova E.F., Chesnokov V.V., Zharcova G.I., Igumenov I.K., Makarov O.A., Naz'mov V.P. The investigation of the contrast of X-ray masks repaired by laser-induced CVD // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A.- 1995.- V.359.-P.400-403.

32. Реди Дж. Действие мощного лазерного излучения.- М.: Мир, 1974.

33. Де Бур Я. Динамический характер адсорбции.- М:, 1962.

34. Турн Р.Э. Структура тонких пленок. В сб. "Физика тонких пленок", т.1.-М.: Мир, 1967.

35. Борн М., Вольф Э. Основы оптики.- М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1970.

36. Коротеев Н.И., Шумай И.Л. Физика мощного лазерного излучения.- М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1991.

37. Михеев М.А., Михеева И.М. Основы теплопередачи.- М.: Энергия, 1973.

38. Дэшман С. Научные основы вакуумной техники.- М.: Мир,. 1964.

39. Сыркин В.Г. Карбонилы металлов.- М.: Химия, 1983.

40. Дэниэльс Ф., Альберти Р. Физическая химия,- М.: Высшая школа, 1967.

41. Разуваев Г.А., Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Саламатин Б.А. Металлоорга-нические соединения в электронике.- М.: Наука, 1972.

42. Седов Л.И. Методы подобия и размерности в механике.- М.: Наука, 1981.

43. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Механика сплошных сред.- М.: Гос. изд-во технико-теоретической литературы, 1953.

44. Чесноков В.В. Лазерная очистка поверхностей от посторонних частиц.// Изв. вузов. Сер. "Приборостроение".- 1993.- N3.-C81-83.

45. Физические величины. Справочник 7 Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова.-М.: Энергоатомиздат, 1991.

46. Взаимодействие алмаза с переходными металлами: Сб. науч. тр./ АН СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т геологии и геофизики; Редкол.: чл.-корр. АН СССР Н.В.Соболев (отв. ред) й др..- Новосибирск, 1989.- 73 с.

47. Заявка №2000102840, Россия. Способ профилирования тугоплавких и химически стойких материалов. / Чесноков Д.В.- Приоритет от 14.02.2000.

48. Краткая химическая энциклопедия.- М.: Советская энциклопедия, 1967.

49. Лямшев A.M. Лазерное термооптическое возбуждение звука.- М.: Наука, 1989.

50. Пат. 1217185 России, МКИ Н 01 L 21/268. Способ очистки поверхности полупроводниковых структур / В.В.Чесноков (СССР).- №3609828;3аявле-но 27.06.83; Зарегистрирован в Государственном реестре изобретений 25.10.93.

51. Чесноков В.В., Чесноков Д.В. Манипулирование и монтаж микродеталей лазерным пучком // Междунар. конф. "Прикладная оптика-96" (17-20 сент. 1996г., Россия, Санкт-Петербург): Тез. докл.- СПб.: ГОИ, 1996.- с.267.

52. Справочник по сопротивлению материалов / Писаренко Г.С. и др.; Отв. ред. Писаренко Г.С.- Киев: Наукова думка, 1988.