Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Каменская, Ирина Валентиновна

• Каменская, Ирина Валентиновна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Каменская, Ирина Валентиновна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В АНТИМОНИДАХ (In, Ga)-Sb.

Введение.

1.1. Антимонид индия (InSb).

1.1.1. Электрофизические свойства облученного InSb.

1.1.2. Отжиг радиационных дефектов в InSb.

1.1.3. Трансмутационное легирование InSb.

1.2. Антимонид галлия (GaSb).

1.2.1. Электрофизические свойства облученного GaSb.

1.2.2. Отжиг радиационных дефектов.

1.3. Цель и задачи исследования.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Параметры исследуемых полупроводников.

2.2. Характеристики исследуемых материалов.

2.3. Методика измерения, облучения и отжига.

2.3.1. Измерение электрических параметров.

2. 3. 2. Измерение электрических параметров GaSb в условиях всестороннего сжатия.

2.3. 3. Облучение электронами и протонами.

2.3.4. Облучение реакторными нейтронами.

2.3. 5. Изохронный отжиг.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В InSb.

Введение.

3. 1. Электрофизические характеристики облученного InSb.

3.1. 1. InSb, облученный электронами.

3.1.2. InSb, облученный ионами водорода.

3.2. Нитевидные микрокристаллы InSb, облученные нейтронами.

3.3. Уровни радиационных дефектов в InSb.

3.4. Термическая стабильность радиационных дефектов в InSb.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В GaSb.

Введение.

4.1. Электрофизические характеристики облученного GaSb.

4.1.1. GaSb, облученный электронами.

4.1.2. GaSb, облученный ионами водорода.

4.2. Уровни радиационных дефектов в GaSb.

4. 3. Радиационные дефекты в GaSb в условиях гидростатического сжатия.

4.4. Термическая стабильность радиационных дефектов в GaSb.

4. 5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами»

5.1. Закрепление уровня Ферми в облученных соединениях группы III-Sb.75

5.2. Радиационные дефекты в условиях гидростатического сжатия.81

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.84

ЛИТЕРАТУРА.86

ПРИЛОЖЕНИЕ.93

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы

Соединения на основе сурьмы - InSb и GaSb - являются представителями полупроводников группы III-V, характерной особенностью которых являются: малые значения ширины запрещенной зоны, высокие значения спин-орбитального расщепления валентных зон Лад, большие значения подвижности электронов, высокие значения барических коэффициентов ширины запрещенной зоны, низкие температуры плавления. Основной областью использования InSb и GaSb является производство датчиков Холла, фотоприемников среднего ИК-диапазона, включая устройства на основе квантовых точек InSb/GaSb, туннельных диодов, датчиков давления, а также применение данных материалов в твердых растворах полупроводников с близкими значениями постоянной решетки - AlSb, InAs.

Полупроводники (In,Ga)-Sb получают в виде объемных кристаллов, эпитаксиальных пленок и нитевидных микрокристаллов ("усов"). Предполагается, что собственные несовершенства структуры - вакансии и антиструктурные дефекты - в антимонидах являются фактором, от которого в сильной степени зависят свойства материала. Так, особенностью GaSb является р~тип проводимости ростового материала, и для получения материала «-типа проводимости необходима его перекомпенсация примесями донорного типа. Поэтому исследованию собственных дефектов в облученных InSb и GaSb уделяется особое внимание, что определяет актуальность данной работы.

Облучение высокоэнергетическим частицами (электронами, ионами, нейтронами) может быть использовано как для контролируемого введения собственных дефектов решетки с целью их последующего изучения, так и в методах радиационной технологии - ионном и трансмутационном легировании полупроводников. Этим вопросам и посвящена данная работа.

Объект исследований

Объектом исследования являются объемные кристаллы InSb и GaSb п-ир-типа проводимости, полученные методом Чохральского, ядерно-легированные кристаллы «-InSb и нитевидные микрокристаллы w-InSb(Sn), полученные методом свободной кристаллизации из газовой фазы, облученные электронами интегральными потоками до 1х1019см"2, протонами до 2хЮ16см'2 и быстрыми нейтронами до 3.1 *1016 см'2.

Научная новизна результатов работы

1. Обнаружено явление закрепления уровня Ферми в "предельном" положении Fun, в облученных большими интегральными потоками электронов, протонов и быстрых нейтронов кристаллах InSb и GaSb и выявлена связь величины Fliin с особенностями энергетического спектра данных соединений. В основу анализа экспериментальных данных положен принцип физико-химических аналогий, используемый при описании свойств материалов с родственным типом химических связей.

2. Установлена чувствительность удельного сопротивления облученных электронами кристаллов GaSb к гидростатическому сжатию при изменении энергетического положения уровня Ферми в пределах запрещенной зоны материала вследствие различного исходного уровня легирования и дозы облучения.

3. Определено условие высокой устойчивости электрофизических свойств микрокристаллов InSb(Sn) при реакторном облучении.

4. Обнаружены стадии отжига радиационных дефектов в интервале температур (20-500) °С в облученных электронами и протонами кристаллах InSb и GaSb различного исходного типа проводимости и уровня легирования.

Практическая значимость работы

Представленные в работе результаты исследований электрофизических свойств облученных электронами, протонами и быстрыми нейтронами соединений InSb и GaSb, данные по чувствительности облученных электронами кристаллов GaSb к гидростатическому сжатию и данные по термической стабильности радиационных дефектов в этих соединениях могут быть использованы при разработке методов ионного и трансмутационного легирования данных полупроводников, при радиационном модифицировании свойств (изменении удельного сопротивления, типа проводимости) данных материалов, при разработке сенсоров давления, при прогнозировании стойкости соединений InSb и GaSb к воздействию высокоэнергетического облучения.

Результаты исследований, вошедших в данную работу, получены при исполнении ГБ НИР по заказ-нарядам Министерства образования РФ, хоздоговорам с предприятиями Министерства химической промышленности СССР и проекта МТЦ №1630 «Радиационно-стойкие полупроводники».

Научные положения, выносимые на защиту

1.При облучении в InSb и GaSb вводятся радиационные дефекты как донорной, так и акцепторной природы, эффективность влияния которых на электрофизические свойства данных соединений определяется уровнем легирования и типом проводимости исходного материала.

2. Облучение InSb и GaSb приводит к стабилизации (закреплению) уровня Ферми в "предельном" (стационарном) положении Fiim, вблизи потолка валентной зоны кристалла независимо от вида облучения и типа исходного материала.

3. Радиационные дефекты являются сильно локализованными ("глубокими") состояниями, в формировании которых участвуют энергетические состояния всей зоны Бриллюэна кристалла.

4. Радиационные дефекты, как и термодефекты, в InSb и GaSb ответственны за р-тип проводимости материала. Образование радиационных дефектов донорного и акцепторного типов при облучении InSb подтверждается многократной п->р—>п->р конверсией типа проводимости при отжиге в интервале температур (20-500) °С.

Апробация работы

Результаты исследований докладывались на XII Международной конференции "Radiation physics and chemistry of inorganic materials" (Томск, Россия, 2003 г.), VIII Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V (GaAs-2002)" (Томск, 2002 г.), VIII Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, Россия, 2001 г.), VII Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, Россия, 1998 г.), II Всесоюзном семинаре "Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках" (Павлодар, 1989 г.), XIV семинаре "Взаимодействие радиационных и термических дефектов в полупроводниках" (Киев, 1988 г.), XIII семинаре "Радиационная физика полупроводников" (Новосибирск, 1987 г.).

Публикации

По тематике диссертации опубликовано 6 статей в рецензируемых научных журналах: Физика и Техника Полупроводников (3), Physica Status Solidi (1), Известия вузов. Физика (2) и 5 тезисов докладов на научных конференциях. В опубликованных работах автору принадлежат результаты, отображенные в выводах диссертации.

Личный вклад автора

Диссертационная работа - результат многолетних исследований автора, часть из которых выполнена лично автором, а часть совместно с сотрудниками отдела физики полупроводников ОСП "СФТИ ТГУ" (г.Томск). Автором проводилось планирование эксперимента, подготовка образцов для облучения, измерение свойств образцов до и после облучения и обработка экспериментальных данных. Автору принадлежит существенная часть результатов, опубликованных в совместных с другими исследователями работах, относящихся к анализу полученных данных, их обобщению и выводам.

Структура работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и приложения и содержит 104 страницы, включая 50 рисунков, 11 таблиц и список цитируемой литературы из 73 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Каменская, Ирина Валентиновна

Результаты исследования электрофизических свойств и особенностей отжига показывают, что при облучении высокоэнергетическими электронами, протонами или быстрыми нейтронами в соединениях InSb и GaSb вводятся радиационные дефекты как донорной, так и акцепторной природы, эффективность влияния которых на электрофизические свойства материала зависит от типа проводимости и уровня легирования исходного материала. Облучение высокоэнергетическими частицами приводит к стабилизации ("закреплению") уровня Ферми в "предельном" положении вблизи потолка валентной зоны, независимо от типа проводимости и вида легирующей химической примеси. Предполагается, что при радиационном воздействии, когда формируется большой набор собственных дефектов решетки, в полупроводнике протекает процесс радиационной самокомпенсации, эффективность которого определяется как условиями облучения, так и исходным уровнем легирования материала [57]. При этом электрическая активность исходного полупроводника может уменьшаться при захвате свободных электронов или дырок радиационными акцепторами или донорами, соответственно, либо увеличиваться вплоть до конверсии типа проводимости в результате облучения, например, в случае облучения исходного п-GaSb. В конечном счете, при облучении уровень Ферми всегда закрепляется в предельном" положении Fiim, характерном для каждого полупроводника. Это указывает на то, что в таком материале степень взаимной компенсации радиационных доноров и акцепторов должна быть близка единице даже в том случае, когда "предельные" электрофизические свойства облученного полупроводника соответствуют вырождению материала, например для

1 О -5 облученного GaSb, где £>ит« 2.5x10 см". Степень компенсации такого материала после облучения будет определяться только исходным уровнем легирования полупроводника и дозой облучения (соотношением между плотностью радиационных дефектов и плотностью легирующей химической примеси). В целом это соответствует результатам исследований других облученных полупроводниковых материалов группы III-V.

Особенностью соединений InSb, GaSb и AlSb по сравнению с нитридами, фосфидами и арсенидами группы полупроводников III-V является то, что в результате облучения данные материалы приобретают р-тип проводимости, в то время как соединения III-(N, Р, As) при облучении приобретают тип проводимости близкий к собственному типу в случае A1N, GaN, GaP, GaAs, AlAs и другие, «-тип проводимости для InP, либо п+-тип проводимости в случае облучения InN и InAs. Для оценки величины Fijm в антимонидах используем несколько модельных подходов.

Облучение высокоэнергетическими частицами приводит к разрыву химических связей и формированию дефектов оборванных связей, таких как вакансии, антиструктурные дефекты (дефекты антизамещения), междоузельные атомы. Рассмотрим один из основных дефектов в решетке облученного полупроводника - вакансию. В тетраэдрических полупроводниках при образовании собственного дефекта на ближайших к вакансии атомах появляются оборванные sp2 ~ гибридные связи с энергией <Eh>, зарядовое состояние которых ± или 0 определяется положением уровня Ферми относительно энергии <Eh>, так что условию электронейтральности этого состояния соответствует выражение

F = <Eh> = (£hA + Ehc )/2, где Eh = (Es + 3Ер )/4, здесь Es и Ер энергии s- и р- орбиталей анионов (А) и катионов (С), соответственно. Поэтому энергию <£h> можно отождествить с положением Fijm в облученном полупроводнике [39]. Тогда можно записать, что относительно потолка валентной зоны полупроводника

Еы = \ = ЕШ-<Еь>,где

Е(Г^) = (£ра + Ерс + X а + Л с )/2 - РРА - £рс + Я а + Д с )2/4 + Гхх2]1/2. При оценках учтен вклад спинорбитального расщепления валентной зоны

А р полупроводника ДА = Ag0 /3 и /1с = Ago /3 [67] в величину А,. Здесь, VXK=Axxh2/4n2md1, Ахх - эмпирический матричный элемент межатомного взаимодействия равный 2.16 для орбиталей Хермана - Скиллмана (ХС) и 1.28 - для орбиталей Хартри-Фока (ХФ) [68]. Хотя оценочные значения Дх.ф и Дхс (табл. 5.1) не точны для каждого отдельного полупроводника, они выявляют физический смысл величины F\im и воспроизводят "химические" тенденции в ее изменении в исследованных материалах.

В табл. 5.1 также представлены значения "нейтральной" точки кристалла для InSb, GaSb и AlSb, отождествляемой с положением FVm в облученных полупроводниках [39] и оцененной в рамках моделей амфотерного дефектного уровня £adl [12], наиболее "глубоко" дефектного уровня EDDL [49] и энергетического уровня <Е0>/2 [57], где <EG> - средний энергетический интервал между нижней зоной проводимости и верхней валентной зоной в пределах первой зоны Бриллюэна кристалла (средняя изотропная энергетическая щель). Эти расчетные модели показывают удовлетворительное соответствие с экспериментальными значениями F\\m в исследованных материалах.

При отождествлении "нейтральной" точки кристалла с энергетическим положением Fnm в облученном материале в моделях [12, 39, 49] собственные дефекты кристалла присутствуют в решетке полупроводника "по умолчанию", т.е. их природа и электронная структура в каждом конкретном случае остается неизвестной. В работе [69] был выполнен расчет энергетических уровней нейтральных вакансий анионов Уд, катионов Vc и антиструктурных дефектов -анион на месте катиона Ас и катион на месте аниона СА в группе полупроводниковых соединений III-V. Точечные дефекты такого типа образуются как основные дефекты в бинарных полупроводниках при электроном (1-2 МэВ) и гамма - облучении, а также присутствуют в материале при других типах высокоэнергетического воздействия. По результатам этого расчета с учетом энергетического положения уровней дефектов, а также их донорной и акцепторной природы, было оценено энергетическое положение уровня зарядовой нейтральности для этих простейших дефектов <Е L>, которое можно отождествить с положением F|im в облученном полупроводнике. Эти данные, представленные в табл. 5.1, также качественно коррелируют с экспериментальными и расчетными значениями величины Fiim, полученными в других моделях.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. При облучении InSb и GaSb вводятся радиационные дефекты как донорной, так и акцепторной природы, эффективность влияния которых на электрофизические свойства полупроводника определяется уровнем легирования и типом проводимости исходного материала. Поэтому радиационное модифицирование является процессом самокомпенсации материала, при котором плотности радиационных доноров и акцепторов в условиях высокодозового облучения близки. Эта компенсация тем более точна, чем выше доза облучения и ниже уровень исходного легирования материала химическими примесями.

2. Высокоэнергетическое облучение приводит к закреплению уровня Ферми в "предельном" положении FVim вблизи потолка валентной зоны в соединениях InSb и GaSb, что обусловлено особенностями энергетических зонных спектров данных полупроводников, а именно, высокими значениями спин - орбитального расщепления их валентных зон по отношению к величине минимальной запрещенной зоны. Такая особенность соединений на основе Sb приводит к "выталкиванию" потолка валентной зоны в направлении уровня Fiim, что обеспечиваетр-тт проводимости данных материалов после облучения.

3. Выявлена область высокой (Ес <F< Е/1) и низкой (Е^2 > F >Еу) чувствительности удельного сопротивления р к всестороннему сжатию в облученном электронами GaSb, что является следствием "закрепления" уровней РД относительно потолка валентной зоны в данном соединении. Это предполагает, что РД являются сильно локализованными ("глубокими") состояниями независимо от их расположения в запрещенной зоне кристалла, в формировании которых участвуют состояния всей зоны Бриллюэна полупроводника.

4. При нагреве облученных образцов InSb и GaSb в интервале температур (20-500)°С обнаружены стадии отжига дефектов донорного и акцепторного типа, что подтверждает одновременное образование радиационных доноров и акцепторов в результате облучения. При этом отжиг облученного InSb выявляет многократную п->р—>п->р конверсию типа проводимости вследствие последовательного смещения уровня Ферми к краям запрещенной зоны материала при селективном отжиге радиационных доноров и акцепторов.

5. Отмечено, что термодефекты и радиационные дефекты в кристаллах InSb и GaSb ответственны за р - типа проводимости материала, а в случае GaSb такими свойствами обладают и ростовые дефекты. Такие особенности соединений (In,Ga)-Sb обусловлены тем, что их "нейтральная" точка, тождественная уровню F\im, располагается вблизи потолка валентной зоны данных соединений, что обуславливает высокую эффективность образования собственных дефектов с энергетическими уровнями в нижней половине запрещенной зоны данных материалов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Каменская, Ирина Валентиновна, 2007 год

1. Cleland J.W., Crawford J.H., Jr. Radiation Effects in 1.dium Antimonide // Phys. Rev.-1954.- V.93, №4.- P. 894-895.

2. Aukerman L.W. Radiation Effects // Semiconductors and Semimetals / ed. Willardson R.K. and Bear A.C.-N.Y: AP, 1968.- P. 343-409.

3. Koumitzi S.D. Evidence of a radiation induced defect level in «-type InSb // Sol. State Commun.- 1987.- V.64,N8.-P. 1171-1173.

4. Витовский H.A., Машовец T.B., Оганесян O.B., Бахбухчан Н.Х. Кинетика изменения концентрации носителей заряда в антимониде индия при облучении электронами с энергией 50 МэВ // Физ. Техн. Полупров.- 1978.- Т. 12, в.9.- С. 1861-1862.

5. Скипетров Е.П., Дмитриев В.В., Заитов Ф.А., Кольцов Г.И., Ладыгин Е.А. Электрофизические свойства антимонида индия «-типа, облученного быстрыми электронами // Физ. Техн. Полупров.- 1986.- Т.20, №10.- С. 1787-1790.

6. Водопьянов Л.К., Курдиани Н.И. О разупорядоченных областях в InSb, обусловленных облучением быстрыми нейтронами // Физ. Техн. Полупров.- 1967.-Т.1, №5.- С. 646-648.

7. Baramidze N.V., Bonch-Bruevich V.L., Georgadze М.Р, Kurdiani N.I. Electrical Properties of InSb Irradiated with Fast Neutrons // Phys. Stat.Sol.(b).- 1982.- V.110, №1.-P. 33-37.

8. Gossik B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons // J.Appl. Phys.- 1959.- V.30, №8.- P. 1214-1218.

9. Водопьянов Л.К., Курдиани Н.И. Электрические свойства сурьмянистого индия, облученного нейтронами при 77 К и электронами при 300 К // Физ. Тверд. Тела.-1965.- Т.7, №9.- С. 2749-2753.

10. Колин Н.Г., Миркурисов Д.И., Соловьев С.П. Электрофизические свойства InSb, облученного быстрыми нейтронами реактора// Физ. Техн. Полупров.- 1999.-Т.ЗЗ, в. 8.- С. 927-930.

11. Stein HJ. Fast Neutron Irradiation of InSb // Bull.Am.Phys.Soc., Ser.II.- 1962.- V.7, №8.- P. 543.

12. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica B: Condense Matter. -1995.- V.212.-P. 429-435.

13. Eisen F.H., Bickel P.W. Electron Damage Threshold in InSb // Phys,Rev.- 1959.-V.115, №2.- P.345-346.

14. Eisen F.H. Orientation Dependence of Electron Radiation Damage in InSb // Phys.Rev.- 1964.- V.135, №5A.- P. A1394-A1399.

15. Eisen FM Recovery of Electron Radiation Damage in n-type InSb // Phys.Rev.-1961.- V.123, №.3.- P. 736-744.

16. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Поляков А.Я., Кузьмин А.В. Влияние проникающей радиации на свойства антимонида и арсенида индия.- Баку: Элм, 1984.- 205 с.

17. Ивлева B.C., Ольховникова Т.И., Селянина В.И., Фомин В.Г. Влияние некоторых дефектов роста на изменение типа проводимости InSb при термообработке // Электронная техника, серия 6. Материалы.- 1972.- В.1.- С. 71-77.

18. Марианашвили Ш.М., Нанобашвили Д.И., Размадзе З.Г. О возможности трансмутационного легирования антимонида индия // Физ.Тверд.Тела.- 1965,- Т.7, №.12.- С. 3566-3570.

19. Kucher F., Fantner Е., Bauer G. Systematic Control of Doping Characteristics of n-InSb by Nuclear Reactions // Phys. Stat. Sol.- 1974.- V.24, №2.- P. 513-518.

20. Колин Н.Г., Миркурисов Д.И., Соловьев С.П. Электрофизические свойства ядерно-легированного InSb // Физ. Техн. Полупров.- 1999.- Т.З, №7- С. 774- 777.

21. Колин Н.Г. Ядерное легирование и радиационное модифицирование полупроводников: состояние и перспективы // Известия вузов. Физика.- 2003.- №6.-С. 12-20.

22. Nakashima К. Electrical and optical studies in gallium arsenide // Jap. J. Appl.Phys.-1981.- V.20, №6.- P. 1085-1094.

23. Колокольцев B.H. Определение параметров собственных акцепторов в нелегированном GaSb // Изв. АН СССР. Неорганические материалы,- 1978.- Т. 14, №3.- С. 401-406.

24. Абрикосов Н.Х., Колокольцев В.Н., Скуднова Е.В. Введение радиационных дефектов в антимонид галлия, легированный цинком и теллуром // Свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1977.- С. 183-189.

25. Kaiser R., Fan H.Y. Optical and electrical studies of electron bombarded GaSb // Phys. Rev.- 1965.- V.138, №1A.- P. 156-161.

26. Poujade A.M., Albany H.J. Conversion do type n au type p, har irradiation electronique, de Tantimoniure de gallium dope au tellure: etude par conductibilite thermique // C.r. Acod.Sci.- 1970.- V.270, №13.- P. 840-873.

27. Абрикосов H.X., Колокольцев B.H., Скуднова E.B. Воздействие электронного облучения на нелегированный GaSb // Физика и химия обработки материалов.-1974,-№6.- С. 21-24.

28. Thommen К. Energy and orientation dependence of electron-irradiation-induced damage in undoped GaSb // Phys. Rev.- 1968.- V.174, №3,- P. 938-945.

29. Thommen K. Effect of low-temperature electron irradiation on the electrical properties of undoped GaSb // Phys. Rev.- 1967.- V.161, №3,- P. 769-778.

30. Абрикосов H.X., Колокольцев B.H., Скуднова E.B. Отжиг радиационных дефектов в р- GaSb / Изв. АН СССР. Неорганические материалы.- 1976.- Т. 12, №6.-С. 1017-1020.

31. Абрикосов Н.Х., Колокольцев В.Н., Скуднова Е.В. Взаимодействие примесей акцепторного и донорного типов с радиационными дефектами в антимониде галлия //Свойства легированных полупроводников.- М.: Наука, 1977.-С. 137-152.

32. Абрикосов Н.Х., Колокольцев В.Н., Скуднова Е.В. Влияние легирующих примесей акцепторного и донорного типа на отжиг радиационных дефектов в антимониде галлия // Космическое материаловедение и технология.- М.: Наука, 1977.- С. 90-94.

33. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology. Ed. Madelung O. // Group III: Crystal and Solid State Physics. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg.- 1987,- V.22.- 451 p.

34. Gertenberg H.,Glaser W. Transmutation doping and lattice defects degenerate InSb // Phys.St.Sol. (a). 1990.-V. 118,№1.-P. 241-252.

35. Кучис Е.И. Методы исследования эффекта Холла.- М.: Сов. Радио, 1974.- 328 с.

36. Киреев П.С. Физика полупроводников.- М.: Высшая школа, 1969 590 с.

37. Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1970.- 304 с.

38. Брудный В.Н. Радиационная модификация и дефекты некоторых алмазоподобных полупроводников сложного состава. // Дис. на соискание ученой степени доктора физ.-матем. наук. Томск, ТомГУ.-1993.- 383 с.

39. Хафнер Дж. Ядерное излучение и защита в космосе.-М.:Атомиздат, 1971.-320 с.

40. Блаут-Блачев А.Н., Ивлева B.C., Кеворков М.Н., Пепик Н.И., Попков А.Н., Селянина В.И. Влияние термообработки на свойства InSb, легированного Ge, Zn, Mn, Cd // Изв. АН СССР. Неорг. Матер.- 1977.- Т.13, № 4.- С. 620-622.

41. Oszwaldowski М., Berus Т. Effect of tin doping on InSb thin films. // Thin Solid Films.-1989.-V.172.-P. 71-80.

42. Брудный B.H., Каменская И.В., Колин Н.Г. Электрические свойства сильнооблученного InSb // Материалы 2-го Всесоюзного семинара "Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках". АН СССР, Павлодар.-1989. часть 2.-С. 140-144.

43. Брудный В.Н., Каменская И.В., Колин Н.Г. Электрофизические свойства InSb, облученного электронами при 300 К // Изв.вузов. Физика. -1991,- Т.34, №7.-С. 99-103.

44. Брудный В.Н, Бойко B.M, Каменская И.В, Колин Н.Г. Электрофизические характеристики и предельное положение уровня Ферми в InSb, облученном прогонами // Физ. Техн. Полупр.- 2004.- Т.38, в. 7.- С. 802-807.

45. Большакова И.А, Бойко В.М, Брудный В.Н, Каменская И.В, Колин Н.Г, Макидо ЕЛО, Московец Т.А, Меркурисов Д.И. Влияние нейтронного облученияна свойства нитевидных микрокристаллов «-InSb // Физ. Техн. Полупр.- 2005.-Т.39, в.7.- С. 814-819.

46. Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Kolin N.G. A model for Fermi-level pinning in semiconductors: radiation defects, interface boundaries. // Phys.B: Condense Matter-2004.- V.348.- P. 213-225.

47. Брудный B.H., Гриняев C.H., Катаев С.Г. Стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках// Материалы 2-го Всесоюзного семинара "Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках".- АН СССР, Павлодар.- 1989.-Ч. II.-С.145-150.

48. Брандт Н.Б., Дмитриев В.В., Ладыгин Е.А., Скипетров Е.П. Влияние давления на электрофизические свойства антимонида индия р-типа, облученного быстрыми электронами // Физ. Техн. Полупр.- 1987.-Т.21, в.З.-С. 514-520.

49. Брудный В.Н. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях гидростатического сжатия // Физ. Техн. Полупров.- 1999-Т.ЗЗ, Вып. 11.-С. 1290-1294.

50. Машовец Т.В., Хансеваров Р.Ю. Низкотемпературное у-облучение и отжиг сурьмянистого индия / Радиационная физика неметаллических кристаллов,- Киев.: Наукова Думка, 1967.- С. 200-206.

51. Myhra S. Radiation damage and recovery effects in p-type InSb // Radiation Effects.-1981.- V.59, №1-2.- P. 1-6.

52. Дмитриев В.В., Скипетров Е.П. Глубокий радиационный уровень в антимониде индия «-типа, облученном электронами// Физ. Техн. Полупров.- 1990.-Т.24, в.5.-С.897-901.

53. Брудный В.Н., Колин Н.Г., Смирнов JI.C. Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках // Физ. Техн. Полупр.-2007.- Т.41, Вып.9.- С. 1031-1040.

54. Brudnyi V.N., Kamenskaya I.V. The Electrical Properties and Fermi Level Pinning in Proton-Irradiated GaSb //Phys.Stat.Sol (a). 1988.- V.105.- P. K141-K144.

55. Брудный В.Н., Каменская И.В. Электрофизические свойства антимонида галлия, облученного ионами водорода // Известия вузов. Физика. Деп. в ВИНИТИ, №104-В88.- 1988.

56. Брудный В.Н., Каменская И.В. Радиационная модификация свойств антимонида галлия// Материалы 7-ой Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах.- Кемерово.- (6-9) октября 1998.-4.IL-С. 18-19.

57. Брудный В.Н., Каменская И.В. Исследование радиационных дефектов в полупроводниках в условиях всестороннего сжатия // Физ. Техн. Полупр.- 1999.-Т.ЗЗ, в. 11.-С. 1290-1294.

58. Каменская И.В. Радиационные дефекты в антимониде галлия // Материалы 8-ой Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах». Кемерово.- (9-12) октября 2001.- Ч.1.- С. 54-55

59. Murewala Р.А., Arora В.М., Chadvankar S.S. Low Temperature Electron Irradiation Induced Defects inn- GaSb //Mater.Sci.Forum.- 1986.- V. 10-12, №3.- P. 1069-1073.

60. Leifer H.N., Dunlap W.C. Some properties of p-tipe GaSb between 15 К and 925 К // Phys.Rev.-1954.-V.95, №1,- P. 51-56.

61. Рюле В., Яковец В., Пилкун С. Излучательная рекомбинация с участием акцепторов в GaSb // Изв. АН СССР. Сер. Физика.- 1973.- Т.37, №3.-С. 570-572.

62. Эварестов Р.А. Квантово-химические методы в теории твердого тела.-Ленинград: ЛГУ, 1982.- 279 с.

63. Chadi D.J. Spin-orbit splitting and compositionally disordered semiconductors // Phys. Rev. B.-1977.- V.16, N2.-P. 790-796.

64. Брудный B.H., Гриняев C.H., Колин Н.Г. Корреляция положения глубоких уровней собственных точечных дефектов с "предельным" положением уровня Ферми в облученных полупроводниках группы III-V // Изв. Вузов. Физика.- 2007.-Т.50, №5.- С. 17-22.

65. Brydnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica B. Condensed Matter 1995.- P. 429-435.

66. Van de Walle C.G. and Neugebauer J. Universal alignment of hydrogen levels in semiconductors, insulators and solutions // Nature.- 2003.- V.423, №5.- P. 626-628.

67. Агринская H.B., Машовец T.B. Самокомпенсация в полупроводниках // Физ. Техн. Полупр.- 1994.-Т. 28, в. 9.- С. 1505-1534.

68. Cardona М. Christensen N.E. Acoustic deformation potentials and heterostructure band offsets in semiconductors // Phys. Rev. B. 1987.- V.35, №12.- P. 6182-6194.