Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Гришин, Александр Геннадьевич

• Гришин, Александр Геннадьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Гришин, Александр Геннадьевич

ВВЕДЕНИЕ. щ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Колебательный спектр ИК-поглощения межузельного кислорода в кремнии.

1.2. Растворимость и диффузия кислорода в кремнии.

1.3. Кислородные комплексы в термообработанном кремнии.

Ц 1.4. Преципитация кислорода в кремнии.

1.5. Технология внутреннего геттерирования.

1.6. Изовалентные примеси.

Глава 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ КИНЕТИКИ ОБРАЗОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ

2.1. Моделирование кинетики образования кластеров (двухмерная модель).

2.2. Определение фрактальной размерности.

2.3. Описание кинетики роста фрактального кластера.

2.4. Влияние температуры на геометрию фрактальных кластеров.

2.5. Влияние анизотропии кристалла на геометрию фрактальных кластеров.

2.6. Моделирование кинетики образования кластеров в решетке типа алмаз.

2.7. Термодинамика превращения кислородных кластеров в преципитаты.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ПРЕЦИПИТАЦИИ КИСЛОРОДА

В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ ЦИРКОНИЕМ

3.1. Моделирование кинетики преципитации кислорода в кремнии.

3.1.1. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии.

3.2. Экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии, легированном цирконием.

3.2.1. Методика определения концентрации межузельного кислорода в кремнии.

3.2.2. Экспериментальные данные по кинетике преципитации кислорода в кремнии.

3.3. Моделирование процесса "внутреннего геттерирования".

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ЦИРКОНИЕМ

4.1. Измерение удельной электрической проводимости полупроводников.

4.2. Экспериментальное исследование кислородных комплексов в термообработанном кремнии.

4.3. Технология изготовления омических контактов (никель) на подложке.

4.4. Примесная проводимость полупроводников. Температурная зависимость электропроводимости примесных полупроводников.

4.5. Измерение термостимулированной ёмкости.

4.6. Обработка спектров фотопроводимости исследуемых образцов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием»

Поведение кислорода в кремнии (Si), является важнейшей проблемой современной ми1фоэлектроники. Преципитация кислорода в Si, выращенного по методу Чохральского лежит в основе технологического процесса внутреннее геттерирование. Образование кислородных ТД определяет термостабильность Si. В последнее время значительное внимание уделяется изовалентно легированным п/пр. Так, например легирование кремния цирконием (Si<Zr>) позволяет повысить однородность распределения кослорода по кристаллу и улучшить качество кремниевых пластин.К сожалению в настоящее время отечественный Si не может составлять конкуренцию западным аналогам. Определенные надежды возлагаются на использование кремния, легированного цирконием, в котором можно эффективно реализовать процесс внутреннего гетгерирования. Поэтому исследование взаимодействия циркония с кислородом является одной из наиболее актуальных задач для отечественной кремниевой промышленности.Цель работы Целью данной работы является исследование взаимодействия кислорода с цирконием в 1фемнии, выращенном по методу Чохральского. Для достижения данной цели решались следующие задачи: • исследование электрической активности дефектов в кремнии, выращенном по методу Чохральского связанных с цирконием; • исследование образование термодоноров (ТД) в кремнии, легированном цирконием; • исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии, легированном цирконием; • моделирование процесса кластеризации и преципитации кислорода; • проводилось моделирование процесса внутреннего гетгерирования в 1фемнии, легированном цирконием; Научная новизна 1) Было обнаружено, что цирконий замедляет процесс преципитации, а именно замедление кинетики преципитации в кремнии, легированном цирконием, связано, прежде всего, с уменьшением концентрации междоузельного кислорода.2) Проведено моделирование превращения кластера в преципитат и получена оценка критического радиуса.3) Проведено моделирование методом Монте-Карло образование кластеров из атомов кислорода в решетке кремния. Моделирование было проведено с учетом геометрии решетки и дискретности положений, которые может занимать междоузельный атом. Из моделирования была определена фрактальная размерность кластеров из междоузельных атомов.Практическая ценность работы 1) Из моделирования проведенного методом М.-К. следует, что на начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода образуются кластеры характеризующиеся фрактальной геометрией с размерностью 2,4.2) Представлено исследование образования низкотемпературных кислородных термодоноров, что дало воззможность заключить, что легирование кремния цирконием приводит к подавлению образования кислородных ТД.

3) Экспериментальное исследование преципитации кислорода показало, что цирконий замедляет процесс преципитации.4) По экспериментальные данным исследования электрических свойств кремния, легированного цирконием были получены энергии активации уровней связанных с цирконием.Положения, выносимые на защиту 1) Легирование кремния цирконием приводит к подавлению образования кислородных ТД.

2) Легирование кремния цирконием приводит к замедлению кинетики преципитации кислорода из-за уменьщения степени пересыщения.Цирконий учавствует в формировании центров зарождения кислородных преципитатов.3) На начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода образуются кластеры характеризующиеся фрактальной геометрией с размерностью 2,4.4) При достижении размера 3*10^ атомов происходит превращение кластера в преципитат.Апробация работы По материалам диссертации были представлены и опубликованы тезизы на следующие конференции: Труды IV всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002), Труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологиии" (Ульяновск, 2002), Труды международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 2000), Труды III научной научной конференции "Математическое моделирование" (Ульяновск, 2000).Личное участие автора Основные теоретические положения разработаны совместно с д.ф.-м.н., профессором Булярским СВ. и д.ф.-м.н. Светухиным. Спектрометрические исследования и исследование образования низкотемпературных кислородных, путем изохронного отжига, а также численное моделирование (глава 3,4) выполнены автором самостоятельно.Публикации Основные результаты исследований отражены в 11 печатных работах, список которых приведен в заключении.Объем и структура диссертации Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и приложений. Материал изложен на 115 страницах, содержит 40 рисунков, 7 таблиц, 105 наименований в списке литературы.Первая глава содержит обзор данных литературы, касающихся поведения кислорода в кристаллической решетке кремния, комплексообразования и преципитации кислорода. Приведено описание кислородных термодоноров.Во второй главе на основе предложенной теоретической модели кластеризации проводится описание кинетики образования кластеров, влияние температуры и анизотропии на геометрию фрактальных кластеров, а также проводится моделирование образования кластеров в решетке типа алмаз. Рассмотрена термодинамика превращения кислородных кластеров в преципитаты.Третья глава посвящена экспериментальному исследованию преципитации кислорода. Анализируется взаимосвязь кинетики преципитации в кремнии, легированном цирконием с уменьшением концентрации междоузельного кислорода. Описывается моделирование процесса "внутреннее геттерирование".В четвертой главе описано исследование электрических свойств Si, легированного Zr. Проведено экспериментальное исследование кислородных комплексов в термообработанном кремнии. Описан эксперимент по изохронному отжигу образцов кремния легированного и нелегированного цирконием. Представлены исследования температурной зависимости электропроводности в Si легированном Zr. Температурные зависимости электропроводимости позволили обнаружить ряд примесных уровней, связанных с Zr. Было проведено исследование спектров фотопроводимости.В заключении дается общий анализ полученных в работе результатов.В приложении приводятся тексты разработанных автором компьютерных программ, с помощью которых проводилось моделирование кластеризации кислорода в кремнии (приложения 1,2).

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Гришин, Александр Геннадьевич

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Моделирование образования кластеров методом Монте-Карло показало, что на начальной стадии распада пересыщенного твердого раствора кислорода возможно образование кластеров, характеризующихся фрактальной геометрией с размерностью 2,4;

2. Предложен механизм формирования преципитатов из кластеров. Оценен критический размер (~10 частиц) превращения кластеров в преципитаты;

3. Показано, что легирование кремния цирконием приводит к более однородному распределение кислорода по длине слитка кристалла, по сравнению с кремнием, нелегированным цирконием;

4. Легирование цирконием изменяет механизм зарождения центров кислородных преципитатов при температуре свыше 1000°С и увеличивает их концентрацию.

5. По экспериментальным данным исследования электрических свойств кремния, легированного цирконием был обнаружен ряд примесных уровней, связанных с цирконием (0.65, 0.52, 0.32 эВ);

6. Легирование кремния цирконием приводит к уменьшению начальной скорости формирования низкотемпературных кислородных ТД и к уменьшению их максимальной концентрации, по сравнению с кремнием нелегированным цирконием.

СПИСОК РАБОТ АВТОРА ДИССЕРТАЦИИ

1. Булярский С.В., Светухин В .В., Агафонова О.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. // Физика и техника полупроводников. 2001. С. 897-899.

2. Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н. Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии легированном

• цирконием // Письма в ЖТФ, 2002, с.78-81

3. Bulyarskii S.V., Svetuhin V.V., Agafonova O.V., Grishin A.G., H'in P.A. Fractal Lithium Clusters Growth in Germanium // Physica Status Solidi (b) 231, No. 1, 237242 (2002).

4. Светухин B.B., Гришин А.Г., Приходько O.B. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии // Физика и техника полупроводников, 2003, т.37, вып.7, стр. 871-873

5. Булярский С.В., Гришин А.Г. Влияние циркония на кинетику преципитации кислорода в кремнии // Труды четвертой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и ц наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2002

6. Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н. Исследование кинетики преципитации кислорода в кремнии легированном цирконием // Труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологиии", Ульяновск, 2002

7. Светухин В.В., Булярский С.В., Приходько О.В., Гришин А.Г. Моделирование кинетики роста октаэдрических и пластинчатых кислородных преципитатов в кремнии // Ученые записки УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2002, №2(13), с.29-32.

8. Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильина Т.С., Прокофьева В.К., Рыгалин Б.Н. ф Вияние циркония на преципитацию кислорода в кремнии. // Ученые записки

УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2002, №2(13), с. 32-34.

9. Агафонова О.В., Светухин В.В., Булярский С.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Кинетика роста фрактальных кластеров лития в германии // Ученые записки

41 УлГУ, серия физическая, Ульяновск: УлГУ, 2000, №1(8), с. 30-34.

10. Булярский С.В., Светухин В.В., Гришин А.Г. Моделирование роста фрактальных кластеров в решетке типа алмаз. // Труды третьей научной научной конференции "Математическое моделирование", Ульяновск, 26-30 июня, 2000.

11.Булярский С.В., Светухин В.В., Гришин А.Г., Ильин П.А. Рост фрактальных кластеров лития в германии. // Труды международной конференции "Оптика полупроводников", Ульяновск, 2000.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Гришин, Александр Геннадьевич, 2004 год

1. Zulehner W. Czochralski grown of silicon // J. Cryst. Growth, 1983. V.65. No.1-3.• P. 189-213.

2. Пфанн В. Д. Зонная плавка. М.: Металлургия, 1960. - 366 с.

3. Бабич В.М., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. -К.: Интерпресс ЛТД, 1997. 240 с.

4. Newman R.C. Oxygen diffusion and precipitation in Czohralski silicon // J. Phys.:

5. Cond. Matter, 2000. No. 12. P.335-365.

6. Ourmazd A., Schroter W., Bourret A. Oxygen-Related Thermal Donors in Silicon: A New Structural and Kinetic Model // J. Appl. Phys., 1984. V.56. No.6. P.1670-1681.

7. Mikkelsen J.C. An overview of oxygen in silicon // Materials Research Society Symp.Proc., 1986. V.59 P.205-214.

8. Corbett J.W., McDonald R.S., Watkins G.D. The Configuration and Diffusion of isolated Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids, 1964. V.25. No.8. P.873-879.

9. Borghesi A., Pivac В., Sassella A., Stella A. Oxygen precipitation in silicon // J. Appl.

10. Phys., 1995. V.77. No.9. P.4169-4244.

11. Гринштейн П.М., Ильин M.A., Моргулис Л.М., Орлова Е.В., Фистуль В.И. Механизм распада пересыщенного твердого раствора кислорода в бездислокационном кремнии // Электронная техника, сер. Матер., 1978. № 9. С.70-74.

12. Стандарт ФРГ ДИН 50438. Определение концентрации примеси в кремнии с помощью ИК-поглощения (кислород). 1978.

13. Hrostowski H.J., Kaiser R.H. The Solubility of Oxygen in Silicon // J. Phys. Chem. Solids, 1959. V.9. No.2. P.214-216.

14. Bean A.R., Newman R.C. The Solubility of Carbon in Pulled Silicon Crystals // J. £ Rhys. Chem. Solids, 1971. V.32. No.6. P.1211-1219

15. Logan R., Peters A. Diffusion of Oxygen in Silicon // J. Appl. Phys., 1959. V.30. No.ll. РЛ627-1630.

16. Gass J., Muller H.H., Stussi H., Schweitzer S. Oxygen Diffusion in Silicon and the• influence of Different Dopants // J. Appl. Phys., 1980. V.51. No.4 P.2030-2037.

17. Mikkelsen J.CJr. Excess Solubility of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl. Phys. Lett., 1982. V.41. No.9. P.871-873.

18. Kaiser W., Keck P.H. Oxygen Content of Silicon Single Crystals // J. Appl. Phys., 1957. V.28. No.8. P.882-887.

19. Mikkelsen J.C. Jr. The Metallurgy of Oxygen in Silicon // J. Metals, 1985. V.37. No.5. P.51-54.

20. Mikkelsen J.C. Jr. Diffusity of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl. Phys. Lett., 1982. V.40. No.4. P.336-337.

21. Lee S.-Tong, Nichols D. Diffusivity and Diffusion Mechanism of Oxygen in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.31-37.

22. Benton J.L, Kimerling L.C., Stavola M. The Oxygen Related Donor Effect in Silicon // Physica B, 1983. V.116. P.271-275.

23. Kaiser W., Frisch H., Reiss H. Mechanism of the Formation of Donor States in Heat-Treated Silicon // Phys. Rev., 1958. V.112. No.5. P.1546-1554.

24. Haas C. The Diffusion of Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids, 1960. V.15. No. 1-2. P.108-111.

25. Kushner R.A. Oxygen Diffusion in Silicon as Measured by Charged Particle // J. Electrochem. Soc., 1972. V.119. No.8. P.239.

26. Булярский C.B., Светухин B.B., Приходько O.B. Моделирование преципитации кислорода в кремнии // Известия вузов. Материалы электронной техники, 1999. №3. С. 11-17.

27. Newman R.C., Binns M.J., Brown W.P., Livingston F.M., Messoloras S., Stewart R.J., Wilkes J.G. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B, 1983. V.116. No.1-3. P.264-270.

28. Stavola M., Patel J.R., Kimerling L.C., Freeland P.E. Diffusivity of Oxygen in Silicon at the Donor Formation Temperature // Appl. Phys. Lett., 1983. V.42. No.l. P.73-75.

29. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984. -472 с.

30. Fuller C.S., Ditzenberg J.A., Hannay N.B., Buehler E. Resistivity Changes in Silicon Induced by Heat Treatment // Phys. Rev., 1954. V.96. No.3. P.833

31. Kaiser W. Electrical and Optical Properties of Heat-Treated Silicon // Phys. Rev., % 1957. V.105. No.6. P.1751-1756.

32. Gaworzewski P., Schmalz K. On the Kinetics of Thermal Donors in Oxygen-Rich Silicon in the Range from 450 to 900 °C // Phys. Stat. Sol. (a), 1980. V.58. No.l. P.K223-K226.

33. Ф 32.Nakayama H., Katsura J., Nishino Т., Hamakawa Y. Hall-Effect and

34. Suezawa M., Sumino K., Iwaizumi M. Electron Spin Resonance Study of Oxygen Donors in Silicon Cryctals // J. Appl. Phys., 1983. V.54. No.l 1. P.6594-6600.

35. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P., Dotsenko Yu.P., Kovalchuk V.B., Sherschel V.A. Investigation of Formation Conditions of Thermal Donors-I and-II in Oxygenic Containing n-Type Silicon within the Temperature Range 400 to 800 °C // Phys. Stat.

36. Sol. (a), 1983. V.78. No.2. P.733-739.

37. Henry P.M., Farmer J.W., Meese J.M. Symmetry and Electronics Properties of Oxygen Thermal Donor in Pulled Silicon // Appl. Phys. Lett., 1984. V.45. No.4. P.454-456.

38. Keller W.W. Pressure Dependence of Oxygen-Related Defect Levels in Silicon // J. Appl. Phys., 1984. V.55. No.10. P.3471-3476.

39. Pajot В., Compain H., Lerouille J., Clerjaud B. Spectroscopic Studies of 450 °C Thermal Donors in Silicon // Physica B+C, 1983. V.117-118. РЛ10-112.

40. Stavola M., Lee K.M., Nabity J.C., Freeland P.E., Kimeriing L.C. Site Symmetry and Ф Ground-State Characteristics for the Oxygen Donor in Silicon // Phys. Rev. Lett.,1985. V.54. No.24. P.2639-2642.

41. Oeder R., Wagner P. Infrared-Absorption of Thermal Donors in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1983. V.14. P.171-175.

42. Бабич B.M, Баран Н.П., Доценко Ю.П. Зотов К.И., Ковальчук В.Б. Образование термоакцепторов, сопутствующих термодонорам-Н в кислородсодержащих кристаллах кремния // УФЖ, 1988. Т.ЗЗ. No.4. С.593-598.

43. Bender Н. Investigation of the Oxygen-Related Lattice Defect in Czochralski Silicon by Means of Electron Microscopy Techniques // Phys. Stat. Sol. (a), 1984. V.86. No.l. P.245-261.

44. Reiche M., Reichel J., Nitzche W. Correlations Between Thermal Donor Formation, щ Rod-Like Defect Formation and Oxyden Reduction During Low-Temperature

45. Annealing of Cz-Grown Si // Phys. Stat. Sol. (a), 1988. V.107. No.2. P.851-865.

46. Bender H., Vanhellemont J. Rod-Like Defect in Silicon: Coesite or Hexagonal Silicon? // Phys. Stat. Sol. (a), 1988. V.107. No.2. P.455-467.

47. Bourret A., Thibault-Desseaux J., Seidman D.N. Early Stages of Oxygen Segregation and Precipitation in Silicon // J. Appl. Phys., 1984. V.55. No.4. P.825-835.

48. Yasutake K., Umeno M., Kawabe H. Oxygen Precipitation and Microdefects in Czochralski-Grown Silicon Crustals // Phys. Stat. Sol. (a), 1984. V.83. No.l. P.207-217.

49. Фольмер M. Кинетика образования новой фазы.-М.: Наука, 1986.-230 с.

50. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. -М.: Металлургия, 1977. 240 с.

51. Ham F.S., Theory of Diffusion-Limited Precipitation // Phys. Chem. Solids., 1958.1. V.6. P.335-350.

52. Ham F.S., Diffusion-Limited Growth of Precipitate Particles // J. Appl. Phys., 1959. V.30. No.10. P.1518-1525.

53. Ham F.S., Stress-Assisted Precipitation on Dislocation // J. Appl. Phys., 1959. V.30.• No.6. P.915-927.

54. Binns M.J., Brown W.P., Wilkes J.G. Diffusion limited precipitation of oxygen in dislocation-free silicon // Appi. Phys. Lett., 1983. V.88. No.6. P.525-527.

55. Xu L.B. A statistical thermodynamic model for oxygen segregation during Czochralski growth of silicon single crystals // J. Cryst. Growth, 1999. V.200. P.414-420.

56. Hartzell R.A., Schaake H.F., Massey R.G. A model that describes role of oxygen, carbon, and silicon interstitials in silicon wafers during device processing // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1985. V.36. P.217-222.

57. Tan T.Y. On the kinetics of oxygen clustering and thermal donor formation in

58. Czochralski silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P. 195-204.

59. Senkander S., Esfandyari J., Hobler G. A model for oxygen precipitation in silicon including bulk staking fault growth // J. Appl. Phys., 1995. V.78. No. 11. P.6469-6476.

60. Сафронов В.И. Диффузия кластеризующихся примесей в кристаллах. -Новосибирск: Институт физики полупроводников СО РАН, 1993. 32 с.

61. Иверонов В.И., Канцельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах. М: Наука, 1977.-256 с.

62. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. -М.: Наука, 1974. 384 с.

63. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах // Сб. статей подф ред. В.Н. Романенко. М.: Металлургия, 1987. - 137 с.

64. Morozov N.P., Tetelbaum D.I. Radiation Defect Formation at Ion Implantation of Semiconductors in the Presence of Force Fields // Phys. stat. sol. (a), 1979. V.51. P.629-640.

65. Morozov N.P., Tetelbaum D.I., Pavlov P.V. The Calculation of Secondary Defect Formation at Ion Implantation of Silicon // Phys. stat. sol. (a), 1976. V.37. P.57-64.

66. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Закономерности накопления дефектов при облучении полупроводников легкими ионами // ФТП, 1980. Т.14. Вып.5. С.934-938.

67. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника // ФТП,• 1983. Т.17. Вып.5. С.838-842.

68. Боброва Е.А., Галкин Г.Н., Енишерлов K.JL, Антонова И.А. Исследование эффективности некоторых приемов геттерирования в кремнии с использованием метода релаксационной спектроскопии глубоких уровней // Микроэлектроника, 1991. Т.20. Вып.2. С.124-130.

69. Думбров В.И., Гулидов Д.Н., Миляев В.А., Никитин В.А. О возможности оценки качества внутреннего геттера неразрущающими бесконтактными методами // Микроэлектроника, 1988. Т.17. Вып.1. С.19-23.

70. Алехин В.П., Игнатьева J1.A., Литвинов Ю.М., Моисеенко Н.Ф., Сорокина М.Т. Образование дислокаций в бездислокационном Si, подвергнутомф геттерирующей термообработке // Микроэлектроника, 1985. Т.14. Вып.5. С.415419.

71. Васильева Е.Д., Соколов В.И., Шапиро И.Ю. Влияние дефектной структуры кремниевых пластин на формирование внутреннего геттера и параметры границы раздела Si-Si02 // Микроэлектроника, 1991. Т.20. Вып.4. С.392-396.

72. Craven R. Internal gettering in Czohralski silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1985. V.36. P.159-171.

73. Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Рекшинский В.А. Физические основы технологии КНИ-структур, формируемых методом ионно-лучевого синтеза // Изв. вузов. Электроника, 1998. №5. С.10-16.

74. Ш 79. Bennet D.J., Price Т.Е. Clustering, precipitation and diffusion in ion-implanted silicon

75. Semicond. Sci. Technol., 1994. No.9. P.5-9.

76. Попов В.П. Создание КНИ-структур для ультрабольших интегральных схем // Изв. вузов. Электроника, 1998. №5. С.22-29.

77. Булярский С.В., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образованиядефектов в полупроводниках / Сб.: Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред.

78. Булярский С.В., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов // Неорган, материалы. 1997. -Т.33, N2, С.246-250.

79. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М., 1961.

80. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем.

81. Иглицын М.И., Кекелидзе Т.П., Лазарева Г.В. Определение содержания кислорода в кремнии методом диффузии лития // ФТП. -1964. -Т. 6, Вып. 10.1. Щ С.3148-3150.

82. Комалеева Ф.Н., Мордкович В.Н., Тэмпер Э.М., Харченко В.А. Влияние термообработки и облучения на состояние кислорода в кремнии // ФТП.-1976.-Т.10, Вып. 2.-С.320-323.

83. Рыжкова Е.М., Трапезников И.И., Челноков В.Е., Яковенко А.А. Оптические свойства кислорода в кремнии // ФТП.-1977.-Т.11, Вып. 6.-С. 1063-1066

84. Tan T.Y. Exigent-accommodation-volume of precipitation and formation of oxygen precipitates in silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1986. V.59. P.269-278.

85. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его

86. Щ поверхности. М.: Наука, 1990. - 214 с.

87. Булярский C.B., Светухин B.B., Приходько O.B. Расчет параметров внутреннего геттера в кремнии // Труды Всероссийской конференции «Кремний-2000», Москва, 2000. С.38.

88. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, связанных с преципитацией кислорода в кремнии // Микроэлектроника, 2000. Т.29. №5. С.232-238.

89. Fuller С., Logan R.,// J.Appl.Phys.-1957.-V.28.-P.129-146

90. Мордкович В.Н.//ФТТ.- 1962.- Т.4, Вып. 12.- С.3640-3644.

91. Мордкович В.Н.// Вопр.радиоэлектроники. Сер.1. Полупроводниковые приборы.-1964.-Вып.2.-С.46-52.

92. Мордкович В.Н.//ФТТ.- 1962.- Т.6, Вып.З.- С.847-852.

93. Павлов Л.П.// Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. С. 4-21

94. Lemke Н. // Phys. Stat. Sol. (а). 1990. V. 122. P. 617-621.

95. Джабраилов Т. А., Мекеров А. Н., Моливер С. С. Ученые записки Ульяновского госуниверситета, сер. физ., 2(7), 103 (1999).

96. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерения параметров полупроводниковыхф материалов. Изд-во Металлургия 1970. С. 54.

97. Беленький М.А. Электроосаждение металлических покрытий. Москва. 1985. С. 288.