Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Светухин, Вячеслав Викторович

• Светухин, Вячеслав Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Светухин, Вячеслав Викторович

Введение.

Глава 1. Ассоциация точечных дефектов в полупроводниках.

1.1. Ассоциация дефектов в полупроводниках.

Комплексы, кластеры, преципитаты.

1.2. Термодинамика дефектов в полупроводниках."//

1.3. Распад твердых растворов. /

1.4. Кислород в кремнии.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии»

Актуальность работы.

Проблема дефектов занимает одно из важных мест в физике и технике полупроводников. Образование и ассоциация дефектов в полупроводниках может быть как причиной деградации и изменения свойств полупроводниковых структур, так и лежать в основе управления их свойствами.

Для этого необходимы адекватные теоретические модели, а также их параметры. Это важно для замены длительных и дорогостоящих экспериментов компьютерным моделированием,-так и для оптимизации технологических процессов, в основе которых лежит взаимодействие дефектов. Несмотря на большое количество работ, посвященной данной теме, эта проблема остается актуальной и недостаточно изученной.

В данной работе с помощью предложенных теоретических моделей описываются различные процессы взаимодействия дефектов, проводится изучение кинетики и термодинамики процессов комплексообразования, кластеризации и преципитации.

Цель исследований и постановка задачи.

Целью настоящей работы является теоретическое и экспериментальное исследование кинетики и термодинамики процессов взаимодействия дефектов в полупроводниках, приводящего к комплексообразованию, кластеризации и преципитации.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1) Разрабатывались термодинамические модели, описывающие процессы комплексообразования и кластеризации полупроводниковых дефектов в открытой и замкнутой системе.

2) Теоретически исследовалась кинетика комплесообразования, разрабатывались алгоритмы обработки экспериментальных данных с целью получения параметров комплексообразования.

3) Разрабатывались теоретические модели кластеризации и преципитации, на основании которых анализировались экспериментальные данные, в том числе на примере задачи о преципитации кислорода в кремнии.

Научная новизна.

1) Получены выражения для равновесной концентрации точечных дефектов в элементарных и многокомпонентных полупроводниках с учетом комплексообразования, кластеризации, многозарядности дефектов и вырождения электронной подсистемы.

2) Показана важная роль поверхностной энергии при растворимости примеси в нанокристаллах (в пленках и в образованиях сферической формы). Показано, влияние поверхностной энергии на растворимость.

3) В работе развиты термодинамическая и кинетическая модели образования комплексов из двух дефектов, хорошо описывающие процессы изохронного отжига.

4) В работе предложена теоретическая модель для описания кинетики кластеризации и преципитации, учитывающая геометрию и механизм роста скоплений (диффузионный и реакционный). Данная теория описывает как стадию роста, так и стадию коалесценции.

5) Развита теория неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии, позволяющая моделировать технологии «внутреннее геттерирование», и «кремний на диэлектрике».

Практическая ценность.

1) Разработан алгоритм обработки экспериментальных данных (с учетом вырождения электронной подсистемы) с целью получения термодинамических параметров растворимости примеси в полупроводниковом кристалле.

2) Предложен алгоритм обработки кривых изохронного отжига позволяющий, определять термодинамические и кинетические параметры комплекса, а в некоторых случаях и его структуру.

3) Предложенная в работе теория фазовых переходов первого рода может быть использована для описания ряда технологических процессов (рост кристаллов, рост пленок и т.д.).

4) Разработан алгоритм, позволяющий рассчитать параметры технологических процессов «внутреннее геттерирование» и «кремний на диэлектрике», в основе которых лежит преципитация кислорода в кремнии.

Положения выносимые на защиту.

1) Процессы комплексообразования и кластеризации увеличивают растворимость примеси. На растворимость, и ассоциацию дефектов влияет электронная подсистема.

2) Поверхностная энергия кристалла изменяет растворимость примесей в наноразмерных кристаллах и пленках соответствующей толщины.

3) Вид временной зависимости роста скоплений зависит от механизма роста (диффузионного или реакционного) скоплений и его геометрии.

4) Преципитация кислорода в кремнии ограничена диффузией междоузельного кислорода.

5) Процесс комплексообразования наиболее эффективно проходит в температурном интервале, ограниченном в области низких температур диффузией, а в области высоких температур развалом комплексов.

Апробация.

По материалам диссертации были представлены доклады и тезисы на следующие семинары и конференции: Международная конференция «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (г. Ульяновск, 1997), всероссийский семинар «Моделирование неравновесных систем» (г. Красноярск, 1998), международная конференция «Оптика полупроводников» (г. Ульяновск, 1998), Second International School-Conference «Physical Problems in Material Science of Semiconductors» (Chernivtsi, Ukraine, 1997), всероссийская конференция «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации» (г.Кисловодск, 1996), всероссийская конференция «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов» (г.Ульяновск, 1998).

Доклады представлялись на ежегодных научных конференциях студентов и аспирантов в УлГУ на физико-техническом факультете, а также на других научных семинарах.

Публикации.

Основное содержание работы изложено в 35 публикациях, приведенных в списке работ автора диссертации.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, выводов и приложения. Материал изложен на страницах, включает

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Светухин, Вячеслав Викторович

ВЫВОДЫ К ДИССЕРТАЦИИ

1) Получены выражения для образования точечных дефектов и их ассоциатов в замкнутых и открытых системах с учетом многозарядности и вырождения электронной подсистемы. Показано влияние комплексообразования и кластеризации на растворимость примесей. Доказано, что поверхностная энергия изменяет растворимость в кристаллах малого размера.

2) Развиты термодинамические и кинетические модели образования комплекса из двух дефектов. Разработан алгоритм определения параметров комплекса по кривым изохронного отжига. Получено выражение для коэффициента диффузии комплекса из двух дефектов.

3) Получены решения кинетических уравнений, описывающих рост скоплений дефектов при реакционном и диффузионном механизме присоединения частиц к скоплениям различной геометрии. Найдены диагностические признаки, позволяющие определять механизм роста скоплений.

4) Получены асимптотические выражения для стадии коалесценции в случае скоплений различной геометрии и различных механизмов роста.

5) Предложена теоретическая модель, описывающая фазовые переходы первого рода в твердых телах, которая позволяет объединить и обобщить работы Хэма, Тарнболла, Лифшица-Слезова, Кукушкина -Осипова.

6) В работе проведено экспериментальное и теоретическое исследование преципитации кислорода в кремнии. Показано, что образование кислородных преципитатов лимитировано диффузией междоузельного кислорода.

7) Получены выражения, описывающие процесс преципитации кислорода вблизи поверхности, лежащий в основе внутреннего геттерированйя. Найденные параметры кислородной преципитации могут быть использованы для описания некоторых технологий «кремний на диэлектрике».

8) Методом Монте-Карло смоделированы условия изменения геометрии фрактального кластера.

СПИСОК РАБОТ АВТОРА ДИССЕРТАЦИИ

1. Булярский C.B., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Одномерная модель диффузии комплекса из двух атомов в кристалле. //Неорганические материалы, 1996, т.32, №11, С.1319-1322.

2. Булярский C.B., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Диффузия в кристалле квазимолекулы из двух атомных дефектов. //Краткие сообщения по физике ФИАН, 1995, N11-12, С.3-8.

3. Светухин В.В., Булярский C.B. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов. //Неорган, материалы, 1997, т.ЗЗ, №2, С.246

250. - • --■---■- —.—. -----------------------------------------------------------------------.-.

4. Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С.73-82.

5. Булярский C.B., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Кинетическая модель распада твердых растворов.//Краткие сообщения по физике ФИАН, 1997, №6, С.73-78.

6. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика преципитации раствора кислорода в кремнии. //Изв.вуз.Электроника, 1997, №5, С. 24-29.

7. Светухин В.В. Диффузия дислокаций. , сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С.65-73.

8. Светухин В.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С. 82-93.

9. Львов П.Е., Светухин В.В. О влиянии кластеризации на уравнение состояния реального газа. // Хим. физ., 1998, №2, С. 24-28.

10. Светухин В.В. Одномерная модель диффузии комплекса из двух атомов в кристалле., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С.55-64.

-17611. Булярский С.В, Светухин В.В. Кинетика образования кластеров различной геометрии. "Ученые записки УлГУ. Серия физическая", 1997.

12. Светухин В.В., Приходько О.В., Булярский С.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии.// "Ученые записки УлГУ. Серия физическая ", 1997. С.45-48.

13. Светухин В.В., Николаев А.Ф., Комлев А.В. Моделирование кинетики роста фрактальных кластеров. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.20-24.

14. Светухин В.В., Приходько О.В. Центры зарождения кислородных преципитатов в кремнии. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.56-57.-----------------

15. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.57-61.

16. Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика процесса растворения примеси с учетом кластеризации и многозарядности дефектов. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.62-66.

17. Svetukhin V.V., Bulyarskii S.V. The Kinetics of Solid Solution Decay., Second International School-Conference «Physical Problems in Material xL

Science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 8-12 September, 1997. P. 18.

18. Svetukhin V.V., Bulyarskii S.V., Prikhodko O.V. The Characterization of Oxygen Solution Decay in Si., Second International School-Conference «Physical Problems in Material Science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 8-12th September, 1997. P.75.

19. Светухин B.B., Булярский С.В. Кинетическая модель кластеризации в твердых телах., Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1997.С.4-5.

20. Светухин 6.В., Булярский C.B., Приходько О.В. Кинетика распада раствора кислорода в кремнии., Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1997. С.6-7.

21. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Исследование неоднородной по объему преципитации кислорода., Труды международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск, 1998, С.170-171.

22. Булярский C.B., Светухин В.В. "Кинетика образования комплексов". Тезисы конференции "Кисловодск-95"-"Материаловедение в электронной технике", С.56. ------------------------- ---

23. Булярский C.B., Светухин В.В. Модель диффузии комплекса атомов в кристалле. Тезисы конференции "Кисловодск-95"-"Материаловедение в электронной технике", С.57.

24. Булярский C.B., Приходько О.В., Светухин В.В. Кинетика кластеризации кислорода в кремнии. Тезисы конференции "Преспективные материалы и технологии для средств отображения информации", Кисловодск-96, С.37.

25. Булярский C.B., Светухин В.В. Взаимодействие дефектов в полупроводниках. Тезисы конференции "Преспективные материалы и технологии для средств отображения информации", Кисловодск-96, С.38.

26. Громова Н.Ю., Светухин В.В., Приходько В.В. Преципитация кислорода в германии при отжиге. Тезисы конференции "Преспективные материалы и технологии для средств отображения информации", Кисловодск-96, С.42.

27. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Моделирование динамики роста кластеров. Моделирование неравновесных систем - 98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998, С. 108-109.

28. Светухин В.В., Комлев A.B. Влияние температуры на динамику формирования фрактальных кластеров. Моделирование неравновесных систем - 98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998, С. 110-111.

29. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Влияние геометрии фрактального кластера на динамику его роста. Моделирование неравновесных систем -98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998, С. 112-113.

30. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Моделирование динамики роста фрактального кластера., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульяновск, 1998, С.49-51.

31. Светухин В.В., Комлев A.B. Влияние температуры на динамику роста фрактальных кластеров., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульяновск, 1998, С.55-57.

32. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Имитационное моделирование кинетики роста кластеров., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульяновск, 1998, С.57-59.

33. Светухин В.В. Термодинамика образования кластеров., "Труды молодых ученых УлГУ", Ульяновск, 1996, С.35-36.

34. Uchaikin V., Gismjatov I., Svetukhin V. Paired Levy-Mandelbrot Trajectory as a Homogeneous Fractal. //International Journal of Bifurcation and Chaos, v.8, №5 (1998), P.977-984.

35. Светухин В.В., Приходько O.B. Кинетика кластеризации кислорода в кремнии, сб. "Труды молодых ученых УлГУ", Ульяновск, 1996, С.33-35.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключение отметим, что проблема взаимодействия дефектов в полупроводниках, является актуальной в связи с развитием новых технологий. Методы, развитые для решения данной проблемы, могут быть перенесены на широкий круг задач, не касающихся физики твердого тела.

Так, например, полученные в 4 главе теоретические результаты могут быть использованы для описания роста скоплений не только в твердых телах, но и в газах, жидкостях. Полученные результаты позволяют описывать рост новой фазы, пленок.

В основе ряда существующих технологий лежит фазовый -переход первого рода. И это не преувеличение, т.к. фазовый переход лежит в основе создания новой структуры. Однако в большинстве случаев параметры технологических процессов подбираются эмпирически. Можно с уверенностью сказать, что на определенном уровне развития технологии, возникнет потребность в более точном управлении процессами. Наличие адекватной теории важно как для понимания процессов, так и для их описания. Это особенно важно, когда речь идет о структурах малого размера. - '

Диссертация не затронула вопрос о влиянии собственных точечных дефектов (вакансий и междоузлий) на кинетику распада твердых растворов. Решение этой проблемы важно для адекватного описания процессов распада в сложных (А3В5, А2Вб и т.д.) полупроводниках. Здесь возникают сложности, связанные с большим числом параметров теоретической модели.

В работе не затронут вопрос о процессах самоорганизации, возникающих при фазовых переходах. Это направление практически не изучено и является одним из самых актуальных, интересных и красивых в современной физике.

Автор диссертации выражает признательность своему научному руководителю, профессору Булярскому Сергей Викторовичу, чье постоянное внимание к работе и ряд творческих идей способствовали ее завершению. Я также признателен Виктору Ильичу Фистулю, оказавшему большое влияние на написание 4 главы диссертации.

При проведении экспериментальных данных по преципитации кислорода в кремнии большую помощь оказал Александр Николаевич Сауров, которому автор также выражает свою признательность.

Автор благодарен Игорю Романову (МИЭТ) и Олегу Приходько (УлГУ), без участия и помощи которых оказалось бы невозможным проведение ряда экспериментов.--------- ------------- ------------------—

Написание работы было бы более затруднительным без финансовой поддержки со стороны различных организаций и фондов: фонд Джорджа Сороса, РФФИ и т.д.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Светухин, Вячеслав Викторович, 1999 год

1. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.:Мир, 1969, -654 с.

2. Свелин P.A. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968,-314 с.

3. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. М.: Высшая школа, 1993, -352 с.

4. Фистуль В.И. Физика и химия твердого тела. М: Металлургия, 1995, в 2-х томах.

5. Бургуэн Ж., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Т.1. Теория. М.:Мир, 1985, -230 с.

6. Глазов В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М: Наука, 1967,-250 с.

7. Фистуль В.И. Беседы о хтт. -М.,1994. -120 с.

8. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М:Металлургия,1984, 349с.

9. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках.- М: Радио и связь, 1981, -248 с.

10. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности.-М:Наука, 1990, -214 с.

11. Вавилов В.С.,Ухтин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах.-М:Атомиздат,1969, -199 с.

12. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М: Металлургия, 1977, -240 с.

13. Фистуль В.И. Сильнолегированные полупроводники. М: Наука, 1967, -415 с.

14. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материаллах и приборах. Кишинев, 1978, -230 с.

15. ДжафаровТ.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. -Л. 1978, -240 с !

16. Weiser К. Theory of solubility of interstitial impurities in germanium and silicon. // J. Phys. Chem. Solids, v.17 (1-2), p.149-161.

17. Weiser K. Theoretical calculation of distribution coefficients of impurities in germanium and silicon. Heats of solid solution. // J. Phys. Chem. Solids, v. 17 (1-2), p.149-161.

18. Винецкий В.JI. Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969, -230 с.

19. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972,-384 с.

20. Булярский С.В., Фистуль В.И. «Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках», М:Наука, 1997, -352 с.

21. Булярский С.В. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах. Кишинев: Штиница, 1987, 103 с.

22. Bulyarskii S.V.,01einikov V.P. Termodynamical Evaluation of Point Defect Density and Impurity Solubility in Compound Semiconductors.// Phys. stat. sol.(b) 141,1987, p. K7-K10.

23. Bulyarskii S.V.,01einikov V.P. Termodynamics of Defects Formation and Defect Interaction in Compound Semiconductor. // Phys. stat. sol.(b) 146,1988, p. 439-442.

24. Булярский C.B., Грушко H.C. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск.ун-та,1995, -250 с.

25. Булярский С.В., Комлев А.В. Влияние потенциального взаимодействия на процессы растворения примесей Al, Ga, As, Р в кремнии. // Неорганические материалы, 1997, т.ЗЗ (2), с. 134-138.

26. Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М: Металлургия, 1992, -240 с.

27. Слезов В.В., Шмельцер Ю. Максимальное число частиц новой фазы, зарождающихся при распаде твердых растворов.// ФТП, 1997, т.39 (12), с. 2210-2216.

28. Кукушкин С.А., Осипов A.B. Кинетика фазовых переходов первого рода на асимптотической стадии. // ЖЭТФ, 1998, 113 (6), стр. 2186-2208.

29. Кукушкин С.А., Осипов A.B. Процессы конденсации тонких пленок. // УФН, 168(10),стр. 1083-1115.

30. Дельмон Б. Кинетика гетерогенных реакций. М: Мир, 1972, -556 с.

31. Болдырев В.В. Реакционная способность твердых веществ, Новосибирск, СО РАН, 1997, -304 с.

32. Фольмер М. Кинетика образования новой фазы.-М:Наука,1986, -230 с.

33. Лифшиц Е.М., Питаевский Л.П. Физическая кинетика, т. 10, М: Наука, 1979, -420 с.

34. Успехи физики металлов,т.1, М: Металлургиздат, 1956, -322 с.

35. Ham F.S., Theory of Diffusion-Limited Precipitation // Phys.Chem.Solids.1958. V.6. P.335-350.

36. Ham F.S., Diffusion-Limited Growth of Precipitate Particles // J.Appl.Phys. 1959. V.30. №10. P.1518-1525.

37. Ham F.S., Stress-Assisted Precipitation on Dislocation.// J.Appl.Phys. 1959. V.30. №6. P.915-927.

38. Бриллиантов H.B., Крапивский П. Л. Кинетическая модель кластеризации дефектов в твердых телах. //ФТТ. 1989. Т.31, №2, с.172-181.

39. Волощук В.М. Кинетическая теория коагуляции, Л:Наука, 1984.-315 с.

40. Эрнст М. Кинетика образования кластеров при необратимой агрегации. / Фракталы в физике, под ред. Л. Пьетронеро и Э.Тозатти, М:Мир, 1988, с.399-430.

41. Дубровский В.Г. Об одном точном решении управляющих уравнений модели обратимого роста. //ТМФ, т. 108, №2, с.327-335.

42. Черемскои П.Г.,Слезов В.В.,Бетехтин В.И. Поры в твердом теле.-М: Энергоатомиздат, 1990, -390 с.

43. Слезов В., Шмельцер Ю. Начальная стадия диффузионного распада твердых растворов. // ФТП, 1994, т.36 (2), с.353-362.

44. Слезов В.В. Диффузионная скорость роста макродефектов в ансамблях. // ФТТ, т.31, №8, с.20-30.

45. Клушин Л.И., Скворцов A.M., Горбунов А.А. Точно решаемая модель, демонстрирующая фазовые переходы первого и второго рода. // УФН, т. 168, №7, стр. 719-729.

46. Батавин В.В. Распад пересыщенного твердого раствора кислорода в бездислокационном кремнии. //Кристаллография, 15 (1), 1970, стр. 125135.

47. Ни S.M. Oxygen precipitation in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p.249-266.

48. Зайнабидинов С. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии. -УзССР: Фан, 1984, -165 с.

49. Гринштейн П.М., Орлова Е.В., Фистуль В.И., Ильин М.А., Моргулис Л.М. Кинетика распада раствора кислорода в бездислокационном кремнии.// Электронная техника, сер. Матер., № 9,1978, с.70-74.

50. Wilkes J.G. The precipitation of oxygen in silicon» // Jour, of Crystal Growth, 65, 1983, p.214-230.

51. Borghesi A., Pivac В., Sassella A. and Stella A. Oxygen precipitation in silicon.//J.Appl.Phys.,77, 1995, p. 4169-4310.

52. Сальник З.А. Термодоноры в кремнии, содержащем кислород //Неорган. Материалы, 31,1393 (1995).

53. Borenstein J.T., Peak D., James W. Formation kinetics of thermal donors in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p.173-179.

54. Kimerling L.C. Structure 4tnd properties of oxygen donor. // Materials

55. Research Society Symp. Proc.'59, 1986, p.83-93.

56. Graven R.A". Internal gettering in Czochralski silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 36,1985, p.159-172.

57. Mikkelsen J.C. An overview of oxygen in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p.3-10.

58. Mikkelsen J.C. The chemistry of oxygen in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p.205-214.

59. Мальцев П.П., Чаплыгин Ю.А., Тимошенков С.П. «Перспективы развития технологии кремний на - изоляторе» // Изв. вузов. Электроника, №5, 1998, стр. 5-9.

60. Маковийчук М.И., Паршин Е.О., Рекшинский В.А. Физические основы технологии КНИ- структур, -формируемых методом ионно-лучевого синтеза. // Изв. вузов. Электроника, №5,1998, стр. 10-16.

61. Александров П.А., Баранов Е.К., Баранова И.В. Применение ионной имплантации водорода в КНИ-технологии. //Изв. вузов. Электроника, №5, 1998, стр. 17-21.

62. Попов В.П. Создание КНИ- структур для ультрабольших интегральных схем.//Изв. вузов. Электроника, №5,1998, стр. 22-29.

63. Tan T.Y. On the kinetics of oxygen clustering and thermal donor formation in Czochralski silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p. 195-204.

64. Hartzell R.A., Schaake H.F., Massey R.G. A model that describes role of oxygen, carbon, and silicon interstitials in silicon wafers during device processing.// Mat. Res. Soc. Proc., 36, 1985, p.217-222.

65. Senkander S., Esfandyari J., Hobler G. A model for oxygen precipitation in silicon including bulk staking fault growth.// J.Appl.Phys. 78, 1995, p.6469-6476.

66. Binns M.J., Brown W.P., Wilkes J.G. Diffusion limited precipitation of oxygen in dislocation-free silicon. // Appl.Phys.Lett. 88(6), 1983, p.525-527.л

67. Иверонов В.И., Канцельсон А.А. Ближний порядок в твердых растворах. М:Наука, 1977, -256 с.

68. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М: Наука, 1974, -384 с.

69. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах /сб. статей под ред. В.Н.Романенко, М: Металлургия, 1987, -137 с.

70. Morozov N.P., Tetelbaum D.I. Radiation Defect Formation at Ion Implantation of Semiconductors in the Presence of Force Fields. // Phys. stat. sol. (a), 51, 1979, p.629-640. .

71. Morozov N.P., Tetelbaum D.I., Pavlov P.V. The Calculation of Secondary Defect Formation at Ion Implantation of Silicon. // Phys. stat. sol. (a), 37, 1976, p.57-64.

72. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Закономерности накопления дефектов при облучении полупроводников легкими ионами. // ФТП, 14 (5), 1980, стр. 934-938.

73. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И. Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника. // ФТП, 17 (5), 1983, стр. 838-842.

74. Kung C.Y. Effect of thermal history on oxygen precipitates in Czochralski silicon annealed at 1050°C. // J.Appl.Phys.65(12),1989, p.4654-4664.

75. Hara A., Fukuda Т., Miyabo T. Enhancement of oxygen precipitation in quenched Czochralski silicon crystals. //J.Appl.Phys. 66(8), 1989, p.3958-3960.

76. Matsumoto S., Ishihara I., Kaneko H. Effect of dopant concentration on the growth of oxide precipitates in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 36, 1985, p. 263-268.

77. Huh J.Y., Gosele U., Tan T.Y. Coprecipitation of oxygen and carbon in Czochralski silicon: A growth kinetic approach. // J. Appl. Phys. 78(10), 1996, p.5926-5934.

78. Tan T.Y. Exigent accommodation - volume of precipitation and formation of oxygen precipitates in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59, 1986, p.269-279.

79. Булярский C.B., Георгобиани A.H., Светухин B.B. Одномерная модель диффузии комплекса из двух атомов в кристалле. //Неорганические материалы, 1996, т.32, №11, С.1319-1322.

80. Булярский С.В., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Диффузия в кристалле квазимолекулы из двух атомных дефектов. //Краткие сообщения по физике ФИАН, 1995, N11-12, С.3-8.

81. Светухин В.В., Булярский С.В. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов. //Неорган, материалы, 1997, т.ЗЗ, №2, С.246-250.

82. Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования комплекса из двух атомов., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С.73-82.

83. Булярский С.В., Георгобиани А.Н., Светухин В.В. Кинетическая модель распада твердых растворов.//Краткие сообщения по физике ФИАН, 1997, №6, С.73-78.

84. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика преципитации раствора кислорода в кремнии. //Изв.вуз.Электроника, 1997, №5, С. 24-29.

85. Светухин В.В. Диффузия дислокаций. , сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С.65-73.

86. Светухин В.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С. 82-93.

87. Львов П.Е., Светухин В.В. О влиянии кластеризации на уравнение состояния реального газа. // Хим. физ., 1998, №2, С. 24-28.

88. Светухин В.В. Одномерная модель диффузии комплекса из двух атомов в кристалле., сб. Твердотельная электроника, СВНЦ, г.Ульяновск, 1996, С.55-64.

89. Булярский С.В, Светухин В.В. Кинетика образования кластеров различной геометрии. "Ученые записки УлГУ. Серия физическая", 1997.

90. Светухин В.В., Приходько О.В., Булярский С.В. Кинетика преципитации кислорода в кремнии.// "Ученые записки УлГУ. Серия физическая", 1997. С.45-48.

91. Светухин В.В., Николаев А.Ф., Комлев А.В. Моделирование кинетики роста фрактальных кластеров. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.20-24.

92. Светухин В.В., Приходько О.В. Центры зарождения кислородных преципитатов в кремнии. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.56-57.

93. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. Моделирование технологических процессов, основанных на преципитации кислорода в кремнии. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.57-61.

94. Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. Термодинамика процесса растворения примеси с учетом кластеризации и многозарядности дефектов. //Ученые записки УлГУ. Серия физическая , 1998, №2, С.62-66.

95. Svetukhin V.V., Bulyarskii S.V. The Kinetics of Solid Solution Decay.,

96. Second International School-Conference «Physical Problems in Materialit

97. Science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 8-12 September, 1997. P.18.

98. Svetukhin V.V., Bulyarskii S.V., Prikhodko O.V. The Characterization of Oxygen Solution Decay in Si., Second International School-Conference «Physical Problems in Material Science of Semiconductors», Chernivtsi, Ukraine, 8-12th September, 1997. P.75.

99. Светухин б.В., Булярский C.B. Кинетическая модель кластеризации в твердых телах., Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1997.С.4-5.

100. Светухин В.В., Булярский C.B., Приходько О.В. Кинетика распада раствора кислорода в кремнии., Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1997. С.6-7.

101. Булярский C.B., Светухин В.В., Приходько О.В. Исследование неоднородной по объему преципитации кислорода., Труды международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск, 1998, С.170-171.

102. Булярский C.B., Светухин В.В. "Кинетика образования комплексов". Тезисы конференции "Кисловодск-95"-"Материаловедение в электронной технике", С.56.

103. Булярский C.B., Светухин В.В. Модель диффузии комплекса атомов в кристалле. Тезисы конференции "Кисловодск-95"-"Материаловедение в электронной технике", С.57.

104. Булярский C.B., Приходько О.В., Светухин В.В. Кинетика кластеризации кислорода в кремнии. Тезисы конференции "Преспективные материалы и технологии для средств отображения информации", Кисловодск-96, С.37.

105. Булярский C.B., Светухин В.В. Взаимодействие дефектов в полупроводниках. Тезисы конференции "Преспективные материалы и технологии для средств отображения информации", Кисловодск-96, С.38.

106. Громова Н.Ю., Светухин В.В., Приходько В.В. Преципитация кислорода в германии при отжиге. Тезисы конференции "Преспективные материалы и технологии для средств отображения информации", Кисловодск-96, С.42.

107. Светухин B.B., Николаев А.Ф. Моделирование динамики роста кластеров. Моделирование неравновесных систем 98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998, С. 108-109.

108. Светухин В.В., Комлев A.B. Влияние температуры на динамику формирования фрактальных кластеров. Моделирование неравновесных систем 98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998, С. 110-111.

109. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Влияние геометрии фрактального кластера на динамику его роста. Моделирование неравновесных систем -98: Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск: КГТУ, 1998, С. 112-113.

110. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Моделирование динамики роста фрактального кластера., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульяновск, 1998, С.49-51.

111. Светухин В.В., Комлев A.B. Влияние температуры на динамику роста фрактальных кластеров., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульяновск, 1998, С.55-57.

112. Светухин В.В., Николаев А.Ф. Имитационное моделирование кинетики роста кластеров., Тезисы конференции «Математическое моделирование физических, экономических, социальных систем и процессов», Ульяновск, 1998, С.57-59.

113. Светухин В.В. Термодинамика образования кластеров., "Труды молодых ученых УлГУ", Ульяновск, 1996, С.35-36.

114. Светухин В.В., Приходько О.В. Кинетика кластеризации кислорода в кремнии, сб. "Труды молодых ученых УлГУ", Ульяновск, 1996, С.33-35.

115. Смирнов Б.М. Расчет поверхностной энергии кластера с плотной упаковкой. //УФН, 1992, т.162,№12, С.97.

116. Dannefaer" S., Mascher P., Kerr D. Monovacancy formation enthalpy in silicon. // Phys.Ttev. Let., 1986, v56, №20, P.2195-2198.

117. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах.-М:Мир,1966.-245 с.

118. Воевода Г.П.,Кирнас И.Г., Литовченко П.Г.,Петросян Э.Е. Влияние термообработки на глубокие уровни в кремнии и германии р-типа.Препринт № 15,Киев, 1983.

119. Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах.-М:Мир,1971, 250 с.

120. Старк Д.П.Диффузия в твердых телах.-М:Энергия, 1980, -240 с.

121. Ван Кампен Н.Г. Стохастические процессы в физике и химии, Высшая школа.М.(1990), -258 с.

122. Corbett J.W.,Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors. //AppLPhys. A.-1987.-V.43 .-P. 153-195.

123. Turnbull D. Theory of reaction limited precipitation., Acta Met. 1, 1953, P.764.

124. Pinizzotto R.F., Schaake H.F., Massey R.G. Temperature ramping for nucleation of oxygen precipitates in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 36,1985, P.275-280.

125. S.Tong Lee, Nichols D. Diffusivity and diffusion mechanism of oxygen in silicon. // Materials Research Society Symp. Proc. 59,1986, P.31-37.

126. Смирнов Б.М. Физика фрактальных кластеров.-М: Наука, 1991.

127. Иванова B.C., Баланкин А.С., Бунин И.Ж., Оксогоев А.А. Синергетика и фракталы в материаловедении. -М: Наука, 1994. -315 с.

128. Witten Т.A., Sander L.M. Simulation of fractal cluster grothw.// Phys. Rev. Lett. 1981. - V.87.-P.719.

129. Липцер Р.Ш., Ширяев A.H. Теория мартингалов. M.: Наука, 1986 г.

130. Uchaikin" V., Gismjatov I., Svetukhin V. Paired Levy-Mandelbrot Trajectory as a Homogeneous Fractal. //International Journal of Bifurcation and Chaos, v.8, №5 (1998), P.977-984.

131. Плитке M., Рац 3. Активная зона в модели ДОА и в модели Идена. / Фракталы в физике, под ред. JI. Пьетронеро и Э.Тозатти, М:Мир, 1988, С.301-310.