Поляризационные явления и разложение азида серебра в электрическом поле тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат наук Родзевич, Александр Павлович

• Родзевич, Александр Павлович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Родзевич, Александр Павлович

СОДЕРЖАНИЕ

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АЗИДА СЕРЕБРА

1.1. Кристаллическая и энергетическая структура азида серебра

1.2. Дефектная структура азида серебра

1.3. Проводимость AgN3

1.4. Инжекция носителей заряда

1.4.1. Твердотельная электронно-дырочная инжекция носителей зарядов

1.4.2. Роль контактов в инжекционных токах

1.5. Электрополевое разложение азидов тяжелых металлов (ATM)

1.5.1. Медленное разложение

1.5.2. Взрывное разложение

1.5.3. Слабое электрическое поле

1.5.4. Поляризация диэлектриков

1.6 Управление процессом разложения. Постановка задачи

ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ, МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ И ОБРАБОТКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ

2.1. Синтез и выращивание кристаллов AgN3

2.2. Приготовление образцов

2.3 Волюмометрические методы анализа разложения

2.3.1 Методика Хилла

2.3.2. Методика измерения внешнего газовыделения

2.4 Методика определения промежуточного продукта

2.5. Методика исследования дислокационной структуры. Метод ямок травления

2.6. Методика измерения амбиполярной дрейфовой подвижности носителей заряда

2.7. Метод электрометрических измерений

2.8. Метод определения взрывной чувствительности

2.9. Статистическая обработка экспериментальных данных

ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЯ

3.1. Оценка падения напряжения в кристалле азида серебра в бесконтактном электрическом поле путем измерения подвижности носителей заряда

3.2. Диэлектрическая проницаемость азида серебра в слабом постоянном электрическом поле

3.3. Электрополевое разложение кристаллов азида серебра в бесконтактном электрическом поле

3.4. Взрывная чувствительность азида серебра в бесконтактном электрическом поле

3.5. Явления переноса и взрывная чувствительность

3.6. Определение подвижности электронов и дырок

3.7. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда

3.8. Твердотельная электронно-дырочная плазма в азиде серебра

4.1. О природе колебательного характера пост-процессов

4.2. Моделирование пост-процессов

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Поляризационные явления и разложение азида серебра в электрическом поле»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования

Задача повышения стабильности материалов к неконтролируемым внешним воздействиям и необходимость решения вопроса увеличения срока их хранения является одной из важнейших задач современного материаловедения. Особо актуальной становится эта задача для решения вопросов стабильности энергетических материалов, к которым относится и азид серебра, объект настоящего исследования.

Особенностью азида серебра является возможность реализации в нем после воздействия как медленного, так и взрывного разложения. Внешнее воздействие инициирует в нитевидных кристаллах азида серебра процессы разложения, качественная модель которых включает, наряду с генерацией в объеме образца неравновесных электронов и дырок, перенос их в реакционные области (РО), образованные краевыми дислокациями и облаком Коттрелла (состоящего из положительно заряженных частиц), а также реализацию в РО цепной химической реакции [1].

В течение длительного времени после воздействия в кристаллах протекают процессы разложения (пост-процессы), сопровождающиеся выделением металла и молекулярного азота. Длительностью и амплитудой пост-процессов, как показали результаты исследований, можно эффективно управлять постоянным электрическим полем [2]. Вопросы управления реакционной способностью энергетических материалов актуальны и важны, как для теории (азид серебра - традиционный модельный объект исследования химических реакций в твердой фазе), так и для практики, в связи с важностью решения вопросов стабильности взрывчатых веществ.

Объекты настоящего исследования находят применение в

малогабаритных средствах инициирования, широкому применению которых

мешает лишь высокая цена серебра. Кроме того они используются при

производстве взрывчатых веществ, промышленных кумулятивных зарядов,

4

детонирующих шнуров, перфорационных систем, электродетонаторов, применяемых в нефтяной и газовой промышленности при перфорации и закачивании скважин, а также в промысловой геофизике, в качестве датчиков электромагнитных полей.

Все больший интерес представляют электромагнитные поля неконтролируемого происхождения (различные проявления статического электричества, излучения мощных электротехнических и радиотехнических устройств, действие различных техногенных источников и т.д.). Возможность использования для этих целей слабых электрических полей, моделирующих реальные условия хранения и транспортировки взрывчатых веществ, позволит управлять долговременной стабильностью энергетических материалов при неконтролируемых внешних воздействиях. В настоящей работе представлены результаты исследований влияния энергетически слабого постоянного бесконтактного электрического поля на медленное и взрывное разложение, инициированное в нитевидных кристаллах азида серебра контактным электрическим полем в режиме монополярной инжекции дырок.

Данная работа показывает возможность управления с помощью электрического поля твердофазными химическими реакциями. ' Дает возможность объяснения влияния низких и сверхнизких полей на твердофазные реакции на примере азида серебра.

Пели и задачи исследования

Целью данной работы является исследование влияния электрической поляризации на процесс электрополевого разложения кристаллов азида серебра.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. разработать методику оценки напряженности электрического поля в нитевидных кристаллах азида серебра для системы: воздух- А£Н3-воздух;

5

2. разработать метод оценки относительной диэлектрической проницаемости нитевидных кристаллов AgNз при различных напряженностях внешнего электрического поля;

3. изучить влияние внешнего бесконтактного электрического поля на процесс медленного электрополевого разложения (кинетику пост-процессов, процесс образования промежуточного продукта), взрывную чувствительность кристаллов AgNз;

4. экспериментально доказать, что в результате реакции генерируется твердотельная электронно-дырочная плазма;

5. изучить влияние поля деполяризации на кинетику пост-процессов разложения.

Научная новизна

1. Предложена методика оценки напряженности электрического поля в нитевидном кристалле AgNз.

2. Впервые, на примере нитевидных кристаллов азида серебра, изучена зависимость относительной диэлектрической проницаемости от напряженности бесконтактного постоянного электрического поля.

3. Впервые экспериментально показано, что при разложении нитевидных кристаллов генерируется твердотельная электронно-дырочная плазма; изучены ее свойства (коллективный отклик на электромагнитное возмущение, токовые неустойчивости, инициирование плазмой процесса разложения).

4. Впервые обнаружены затухающие колебания комплексов «краевая дислокация - атмосфера Коттрелла» в кристаллах азида серебра.

На защиту выносятся

1. Метод оценки напряженности электрического поля в нитевидном кристалле азида серебра.

2. Зависимость относительной диэлектрической проницаемости в азиде серебра от напряженности внешнего бесконтактного электрического поля в системе «воздух-кристалл-воздух».

3. Поляризация в бесконтактном постоянном электрическом поле -как способ управления взрывной чувствительностью кристаллов азида серебра.

4. Генерация электронно-дырочной твердотельной плазмы в нитевидных кристаллах азида серебра при их электрополевом разложении.

5. Затухающие колебания микроструктур «краевая дислокация -атмосфера Коттрелла» в нитевидном кристалле азида серебра после действия контактного электрического поля.

Научная и практическая значимость работы заключается в возможности управления твердофазными реакциями в кристаллах азида серебра, являющегося типичным представителем энергетических материалов, способных под действием факторов различной природы претерпевать как взрывное, так и медленное разложение.

Личный вклад автора

Изложенные в диссертации результаты получены автором в совместной работе с сотрудниками кафедры химии твердого тела Кемеровского госуниверситета, участие которых отражено в совместных публикациях. В совместных публикациях автору принадлежат результаты, сформулированные в разделах «защищаемые положения» и «основные результаты» данной работы.

Публикации

По теме диссертации опубликованы 25 работ, из них 7 публикаций в журналах, рекомендованных ВАК РФ.

Объем и структура диссертации

Диссертация состоит из четырех глав, введения, заключения и списка литературы, содержащего 119 наименований. Работа изложена на 117 страницах, содержит 43 рисунка, 4 таблицы.

Апробация работы

Основные результаты докладывались и обсуждались на Международных и российских конференциях: X Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах»,

2007 г., г. Кемерово; VII Международной конференции «Физика и химия элементарных химических процессов», г. Черноголовка, 2007 г.; V, VI, VII Всероссийской, I, II, III Международной научно-практических конференциях «Инновационные технологии и экономика в машиностроении», г. Юрга, 2007-2013 гг.; VI Международной научно конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах», г. Томск,

2008 г.; VII Международной научно-практической конференции «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности», Санкт-Петербург, 2009 г; VII Интернациональном форуме по стратегическим технологиям «IFOST-2012», г. Томск, 2012 г.; III Интернациональном конгрессе «Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter, High Current Electronics and Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows», г. Томск, 2012 г.

ГЛАВА 1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АЗИДА СЕРЕБРА

1.1. Кристаллическая и энергетическая структура азида серебра

Азид серебра (рис. 1.1) при кристаллизации в нормальных условиях образует объемно-центрированную орторомбическую решетку с четырьмя молекулами в элементарной ячейке. Параметры решетки азида серебра: а = 0,5617 нм, Ь = 0,5915 нм, с = 0,6006 нм [3].

Рис. 1.1. Кристаллическая решетка азида серебра

В интервале температур от 160 до 200°С азид серебра претерпевает необратимое полиморфное превращение [4,5] ромбической модификации в моноклинную с параметрами а = 0,64908 нм, Ь = 0,60656 нм, с = 0,60656 нм, у = 114,26 град. Две кристаллографические модификации азида серебра различаются по электрофизическим свойствам. У них меняется тип электронно-дырочной проводимости, симметрия и параметры элементарной ячейки [6].

В данном соединении катионы с анионами образуют частично ковалентные связи. Азид-ион имеет линейную структуру, расстояние между

атомами азота приблизительно равно 0,116 нм [7,8]. Согласно Полингу [7] структура азид-иона может быть представлена резонансом четырех структур:

: N — N += N : : N = N 2~:

Расстояния Ag-Nз равны 0,256 нм и 0,279 нм [8]. Радиус иона серебра по Гольшмиту 0,113 нм, по Полингу 0,126 нм [7].

Поскольку первой стадией разложения азидов тяжелых металлов является генерация неравновесных электронов и дырок [9,10], то для протекания химических процессов особое значение имеет их энергетическая зонная структура и, прежде всего, ширина запрещенной зоны.

По данным оптических измерений, приведенным в работе [11], оптическая ширина запрещенной зоны в азиде серебра составляет 3,65 эВ, уровень Ферми в зависимости от способа синтеза находится на 0,4-0,9 эВ от потолка валентной зоны. Позднее эти результаты были подтверждены в работе [12] методом внешней фотоэмиссии электронов (ВФЭЭ). Кроме того, авторами показано, что верхние уровни валентной зоны азида серебра состоят из уровней азид-иона. Сделан вывод о возможности термического возбуждения электронов на локальные акцепторные уровни в запрещенной зоне. Энергетическая диаграмма AgNз представлена на рисунке 1.2.

В работе [13] авторами проведен самосогласованный расчет зонной структуры азида серебра методом функционала плотности в смешанном базисе с использованием псевдопотенциалов, сохраняющих норму. Это позволило оценить не только оптическую ширину запрещенной зоны, значение которой совпадает с результатами исследований, приведенными

выше, но также и термическую ширину запрещенной зоны, она составляет 1,5 эВ. Авторы отмечают, что в формировании зонной структуры азида серебра основное влияние на молекулярное состояние N3 имеют с!-состояния серебра.

Е, эВ

2р (N3-)

4с1(А§+)

Рис. 1.2. Энергетическая диаграмма электронных уровней в азиде серебра, где: Е - энергетический уровень, Еу, Ее -энергия потолка валентной зоны и дна зоны проводимости, Б - квазиуровень Ферми

В целом, данные экспериментов по ВФЭЭ [14] хорошо согласуются с рассчитанным порядком следования зон, что подтверждает подобие электронной структуры азида серебра структуре галогенидов серебра.

Была сделана попытка построения квантово-химической модели разложения азида серебра [15]. Проведены вычисления зонной структуры, плотности состояний и распределения электронной плотности в нескольких основных плоскостях кристалла, гипотетической электронной плотности, отвечающей первой зоне проводимости. Для А§1Мз вычисленная минимальная энергия прямых переходов составляет 3,45 эВ, непрямых ~ 1эВ. 1 Из оценки компонент тензора эффективной массы дырок и электронов видно, что масса дырки несколько меньше массы электрона. Это обусловлено сильной гибридизацией ё-состояний Ag с р-состояниями N в валентной зоне и, в соответствии с этим, значительной дисперсией верхней связки валентной зоны. При анализе полученных результатов с позиции бимолекулярной реакции:

N3 +Нз = ЗЫ2, (1.2)

показана возможность ее протекания при поляризованности центрального атома и образовании общих контуров валентной плотности между азидными группами. Ясно, что существенное усиление взаимодействия между N3 может иметь место вблизи дефектов [16].

1.2. Дефектная структура азида серебра

Реальные кристаллы не могут существовать без нарушений идеального расположения атомов (дефектов кристаллической структуры), которые оказывают существенное влияние на свойства кристаллов и на реакционную способность этих материалов. Наиболее ранняя классификация дефектов и их роль в разложении азидов была проведена в работе [17].

Дефекты в кристаллах классифицируют по их размерам: точечные (или атомные), линейные (одномерные), поверхностные (двумерные) и объемные [18,19]

Точечные дефекты - это атомы примесей, замещающие атомы основного вещества в узлах решетки или располагающиеся в междоузлиях, или атомы основного вещества, отсутствующие или смещенные из нормальных узлов. Узел решетки, в котором отсутствует атом, называется вакансией или дефектом по Шоттки [18]. Совокупность вакансии и междоузельного атома называется дефектом по Френкелю [19].

Вакансии и междоузельные атомы могут перемещаться в кристалле. Появление вакансии в новом месте происходит в результате переноса соседнего атома в свободный узел. Определение типа дефектности и природы ионных дефектов в АТМ проведено в работах [20, 21] путем измерения чисел переноса и ионной электропроводности. Экспериментальные данные по числам переноса в азиде серебра, полученные модифицированными методами Тубанта и ионного ключа [20] показали, что в AgNз более подвижны катионы. Установлено, что азид серебра разупорядочен по Френкелю с более подвижными междоузельными катионами серебра Ag\

Линейными дефектами называют дислокации, то есть нарушение периодичности структуры, представляющие собой различного рода смещения большого числа атомов из нормальных узлов в некоторые, промежуточные между нормальными узлами, положения. Подобные деформированные области возникают и у поверхности кристаллов, вблизи точек выхода дислокации. Поэтому скорость растворения кристаллов в различных травителях изменяется в пространстве, прилегающем к этим точкам. На этом основан метод обнаружения дислокаций по "ямкам травления" [22]. Поскольку вокруг дислокаций возникают механические напряжения, то потенциальная энергия примесных атомов вблизи дислокаций меньше, чем вдали от них. Поэтому легко диффундирующие

13

примеси могут накапливаться вокруг дислокаций, образуя примесную "атмосферу Коттрелла" вокруг них [23], что позволяет обнаружить дислокации.

В ходе полярографического и комплексометрического анализа азида серебра обнаружены примеси положительных ионов металлов Ag+, Cu2+, Fe3+, А13+ с концентрацией 1016 4- 1017 см"3, которые и образуют облако Коттрелла. Необходимо отметить, что количество примесных атомов, скапливающихся у дислокации, зависит от температуры. При повышении температуры атмосферы Коттрелла рассеиваются, при понижении образуются вновь.

Дислокации могут возникать самопроизвольно в процессе роста кристаллов. Они могут взаимодействовать друг с другом и с другими дефектами. Характеристикой дислокационной структуры является плотность дислокаций - число дислокаций, пересекающих единицу площади. В

3 6 ^

монокристаллах она составляет величину 10" - 10 см"" [24].

Существует три основных вида дислокаций [25]: "краевая", "винтовая" и поворотная (клиновая). Чаще всего в кристалле при деформации возникает комбинация "винтовой" и "краевой" дислокации (рис. 1.4).

Детальное исследование линейных дефектов, появляющихся в решетке ATM при кристаллизации или в результате механической деформации, началось с получения совершенных кристаллов ATM [26]. В материалах с ионной связью (к ним можно отнести и кристаллы ATM) краевые дислокации могут иметь заряд. За счет оборванных связей у ионов решетки, расположенных в ядре дислокации энергетические уровни ионов понижаются, попадая в запрещенную зону (рис. 1.5).

Рис. 1.4. Виды дислокаций: а - краевая, б - винтовая дислокации

т

пшшмпшм

птттттшш

Е

с

Рис. 1.5. Зонная структура твердого тела в области дислокации

Если это приводит к частичной перезарядке ионов ядра, то дислокация будет обладать зарядом. В нитевидных кристаллах азида серебра дислокации имеют отрицательный заряд [27]. В течение определенного времени вокруг заряженной дислокации формируется атмосфера Коттрелла, состоящая из противоположно заряженных точечных дефектов. На выходе дислокации на поверхность возникает так называемый "вакансионный кластер", который является причиной появления ямок травления, поскольку растворение в этой области идет быстрее - как в наиболее рыхлой структуре, в отличие от остальной поверхности [22]. Образование вакансионного кластера обусловлено наличием вокруг дислокаций механических напряжений (растяжение, сжатие), что приводит к выходу на поверхность кристалла наиболее подвижных ионов, а в приповерхностном слое остаются катионные вакансии (рис. 1.6). Таким образом, в области дислокаций поверхность

заряжена положительно, а приповерхностный слой - отрицательно, что не противоречит экспериментальным данным [27].

2

3

Рис. 1.6. Схема образования вакансионного кластера в приповерхностной области азида серебра: 1 - поверхность, 2 - вакансионный кластер, 3 - линия дислокации

Влияние дислокаций на процессы медленного твердофазного разложения азидов, на поведение кристаллов в электрических и магнитных полях подробно исследованы в работе [27].

В качестве объемных дефектов в ATM наиболее часто рассматривают поры, как биографические, так и образованные в результате разложения [28]. В последнем случае считается, что они заполнены азотом (продуктом распада в анионной подрешетке), который практически не диффундирует. При растворении кристалла поры вскрываются и в растворитель выделяются пузырьки газа.

Процессы переноса носителей заряда играют основную роль при протекании реакции разложения в твердом теле.

Изучение ионной и электронной проводимости на прессованных образцах AgNз с использованием модифицированного метода Турбанда и ионного ключа [15] показало, что в области температур 20-К200 °С

Ag1 Ag

Ag+ Ag*

1.3. Проводимость AgN3

электропроводность в азиде серебра примерно на 80 % является ионной и на 20 % - электронной. Значения полученных чисел переноса показывают, что в AgNз более подвижны катионы. Проведена оценка [15] концентрации и подвижности междоузельных атомов серебра, которая при температурах 100-150 °С составляет 1024-1025 м"3 и 10"12-10"и м2-с 1 соответственно.

Отдельные исследования посвящены измерению подвижности носителей зарядов. Янг [10] приводит результаты измерения Холовской подвижности электронов, которая составила 100 см2/В-с. Измеренное значение [6] Холловской подвижности дырок составило около 5 см2/В-с.

При изучении микроподвижности в полупроводниковых материалах важным инструментом является исследование эффекта Холла, привлекательность которого заключается в том, что с его помощью можно исследовать кинетические эффекты. Эффект Холла непосредственно связан с подвижностью и концентрацией носителей заряда. Изучение температурной зависимости эффекта Холла может дать очень важную информацию о механизмах рассеяния носителей заряда, их концентрации, ширине запрещенной зоны полупроводника и энергии ионизации различных примесей. Однако в случае веществ со смешанным токопереносом, холловские измерения имеют свои особенности, связанные с вкладом в токоперенос ионных носителей [6, 31].

В работе [31] был измерен коэффициент Холла на прессованных пластинках азида серебра при различных режимах тепловой обработки. В частично разложившемся азиде серебра при 100 °С подвижность электронов составляла 100 ± 80 см2/(В-с). Измеренная в работах [6, 31] максимальная Холловская подвижность для дырок составила 190 см /(В-с) при 393 К. После модификационного перехода азид серебра становится полупроводником р-типа с аномально низкой холловской подвижностью.

Известно, что в низкоомных полупроводниках могут существовать электрически нейтральные пакеты, в которых содержится одинаковое число избыточных электронов и дырок. Несмотря на то, что пакеты являются

нейтральными, они могут дрейфовать в электрическом поле вследствие поляризации. Если каким-либо образом увеличить концентрацию электронов (п) и дырок (р) в какой-то области полупроводника, то диффузия и дрейф облака неравновесных носителей заряда определяется коэффициентом амбиполярной диффузии (Ба) и амбиполярной дрейфовой подвижности (ца), которые можно оценить по следующим соотношениям [30]:

£> =

п + р п р

А. £>

Ма

п- р

п р +

М„ М„

(1.3)

(1.4)

где ц,р, (1п - микроподвижности электронов и дырок соответственно.

В электрических полях важно отличать дрейф отдельных частиц от дрейфа нейтрального пакета носителей заряда. Несмотря на то, что пакет носителей заряда является нейтральным, им можно управлять при помощи электрических полей. Это объясняется тем, что электроны и дырки -заряженные частицы и во внешнем электрическом поле происходит пространственное смещение дырок относительно электронов. В результате этого возникает дополнительное поле, которое в свою очередь действует на движение пакета носителей заряда. Время жизни нейтрального пакета носителей заряда определяется рекомбинационными процессами [33].

Подавляющее большинство результатов по исследованию дрейфовой подвижности носителей заряда в полупроводниках получено с помощью, так называемой времяпролетной методики. Определение дрейфового времени пролета на практике сводится к измерению времени прохождения импульса напряжения через образец. На одну сторону плоского образца полупроводника, помещенного во внешнее электрическое поле с разностью

потенциалов и, инжектируются (лазерный импульс, электрический разряд) носители заряда, которые дрейфуют к противоположно заряженному электроду. Экспериментально фиксируется зависимость тока I от времени т. Дрейфовая подвижность носителей заряда выражается формулой:

О- 5)

пр

где Ь - длина образца, и - падение напряжения между электродами, тпр - время пролета носителей заряда.

В работе [34] было показано, что подвижность носителей заряда в разложенных кристаллах азида серебра носит амбиполярный характер. Величина подвижности электронов и дырок меняется симбатно постпроцессам, протекающим в кристаллах после энергетического воздействия. Оцененное в работе [32] значение амбиполярной подвижности для AgNз изменяется от - 4 до + 10 см7(В-с).

В случае определения распределения электрического поля в многослойном диэлектрике нет однозначной модели. Как показано в работе [35], в случае двуслойного диэлектрика в однородном поле, в начальный момент времени, когда появляется начальная плотность заряда, поле в слоях распределяется соответственно диэлектрическим проницаемостям:

<■ о

_/_

-V О '2

(1.6)

где 81 и е2 - диэлектрические проницаемости первого и второго слоя двуслойного диэлектрика, и /2° - распределение электрического поля в 1-ом и 2-ом слоях.

В случае если есть сквозной ток, то и /2° меняются со временем.

При достижении стационарного состояния значения ^0 и У7° будут зависеть от удельной проводимости и выражаться уравнением:

v

= — > (1-7)

'lern Yi

где yi и у 2 - удельные проводимости.

1.4. Инжекция носителей заряда

В 1973 году Сухушиным Ю.Н. с соавторами [28] был открыт эффект разложения азидов в предпробивных электрических полях. Обнаружено значительное влияние материала контактов на процесс разложения энергетических материалов.

Рассмотрим типы инжекций носителей зарядов в твёрдых телах:

1. Монополярная - через контакт. Хорошо контролируется концентрация носителей заряда по вольтамперной кривой. Теоретически максимальная возможная концентрация носителей заряда 1019 см"3 и определяется концентрацией в «резервуаре» [34].

2. Двойная инжекция - одновременно и электронов и дырок соответственно из катода и анода.

3. Биполярная инжекция - кристалл облучается светом в области длин волн собственного поглощения, когда генерируются и электроны и дырки.

Остановимся более подробно на механизмах двойной инжекции в полупроводниках.

1.4.1. Твердотельная электронно-дырочная инжекция носителей зарядов

Теория токов двойной инжекции рассмотрена в монографиях [36, 37]. Система носителей зарядов - электроны и дырки, связанные между собой кулоновским взаимодействием, является так называемой плазмой твёрдого тела. Она может существовать в равновесном состоянии и характеризуется высокой степенью управляемости.

Понятие плазма [38] в твердом теле (полупроводнике) используется применительно к описанию коллективного отклика на электромагнитные возмущения квазинейтральной системы, состоящей из свободных носителей заряда двух знаков и ионизованных атомов примесей, также двух знаков.

В твердых телах носители заряда находятся в среде с высокой диэлектрической проницаемостью, что позволяет легко ионизировать атомы и осуществить плазменное состояние даже при очень низких температурах. Ионы такой плазмы неподвижно связаны с решеткой. Подвижные заряды, электроны и дырки, связанные между собой силами кулоновского взаимодействия, свободно перемещаются под действием электрического поля по кристаллу, не нарушая условий нейтральности. Каждому свободному электрону соответствует положительно заряженный ион-донор или дырка. Каждой дырке соответствует отрицательный ион-акцептор или электрон.

Плазма может быть электронной, дырочной или собственной.

Принципиальное отличие плазмы в твердых телах от газовой плазмы состоит в том, что подвижные заряды плазмы в твердых телах перемещаются под действием внешних сил не как свободные частицы, а, во-первых, в условиях сильного взаимодействия с полями атомов, образующих решетку, и, во-вторых, в условиях сильного трения - многочисленных столкновений с дефектами и колебаниями кристаллической решетки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Родзевич, Александр Павлович, 2013 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Захаров, В. Ю. Физико-химические процессы в азидах тяжелых металлов и дислокационная структура / В. Ю. Захаров, Е. Г. Газенаур, А. И. Гасанов, В. И. Крашенинин, В. И. Якунина // Известия ВУЗов. Физика. 2002. - №6. - С. 17-21.

2. Крашенинин, В.И. Моделирование дефектной структуры в кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, JI. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, В. И. Гасанова // Вестник ТГУ. Приложение. 2006. - № 19. - С. 103-104

3. Energetic materials. Physics and chemistry of inorganic azides / Edited by Faer H. D., Walker R. F. // New York, 1977. - V.l - 503 p.

4. Сидорин, Ю. Ю. Полиморфное превращение в азиде серебра / Ю. Ю. Сидорин, Б. Г. Эренбург, Ю.А. Захаров. - ЖФХ, 1981. - Т.55. - С. 254-255.

5. Пугачев, В. М. Новые данные о структуре высокотемпературного азида серебра / В. М. Пугачев, Б. Г. Эренбург, С. Д. Кирик, Ю. Ю. Сидорин // Совещание по кинетике и механизму реакций в твердых телах / Госуниверситет. - Кемерово, 1981. - С. 115.

6. Сидорин, Ю. Ю. Характер переноса носителей заряда в азиде серебра / Ю. Ю. Сидорин, Ю. А. Захаров, Е. В. Кучис // Кемеровский госуниверситет, 1981,- № 23. - С. 82. - Деп. ВИНИТИ

7. Gora, Т. Elektronic structure of the azide ion and metal azid / T. Gora, D. S. Downs, P. J. Kemmey, J. In Sharma // Energetic materials. - New York, Plenum Press, 1997.-V. l.-P. 193-250.

8. Muller, U. Strukturchmie der azide / U. Muller, Z. Anorg // Allg. Chem, 1972. - V. 392. - N. 2. - P. 97-192.

9. Захаров, В. Ю. Медленное разложение азидов тяжелых металлов / В. Ю. Захаров, Е. Г. Газенаур, А. И. Гасанов, В. И. Крашенинин, В. И. Якунина // Боеприпасы, 2001. - № 4-5. - С. 57-61.

10. Янг, Д. Кинетика разложения твердых веществ. - М.: Мир, 1996. -

263 с.

11. Мс Laren, A. S. The optical and electrical properties of AgN3 and their relation / A. S. Mc Laren, G. T. Rogers Proc // Roy. Soc, 1958. - V.246. -P. 250-253.

12. Захаров, Ю. А. Энергетика и природа энергетических зон азида серебра / Ю. А. Захаров, Л. В. Колесников, А. Е. Черкашин // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1979. - Т. 14. -№ 7. - С. 1283-1288.

13. Гордиенко, А. Б. Энергетическая зонная структура азида серебра / А. Б. Гордиенко, Ю. Н. Журавлев, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика, 1992. - Т. 35. - Ж - С. 38-40.

14. Захаров, Ю. А. Исследование методом внешней фотохимии азида серебра / Ю. А. Захаров, JT. В. Колесников, А. Е. Черкашин, С. В. Кащеев // Известия вузов. Физика, 1975. - Т. 44. - С. 44-50.

15. Алукер, Э. Д. Химическая связь в азидах металлов и их реакционная способность / Э. Д. Алукер, Ю. Н. Журавлев, В. Ю. Захаров, Н. Г. Кравченко, В. И. Крашенинин, А. С. Поплавной // Известия вузов. Физика, 2003,-№9. -С. 10-14.

16. Гордиенко, А. Б. Электронная структура азидов металлов / А. Б. Гордиенко, Ю. Н. Журавлев, А. С. Поплавной // Радиационные гетерогенные процессы: 6 Междун. конф.; КемГУ. - Кемерово, 1995. - Ч. 1. -С. 21-22.

17. Болдырев, В. В. Влияние дефектов в кристаллах на скорость термического разложения твердых веществ - Томск: ТПУ, 1963. - 248 с.

18. Киттель, Ч. Введение в физику твердого тела - М.: Мир, Наука, 1978.- 972 с.

19. Блейкмор, Дж. Физика твердого тела - М.: Мир, 1988-606 с.

20. Захаров, Ю. А. Точечные дефекты и ионные электропроводности в азиде свинца / Ю. А. Захаров, С. П. Баклыков, Г. Т. Шечков // Изв. АН СССР серия Неорг. материалы, 1980. - Т. 16. - № 1. - С. 62-67.

106

21. Захаров, Ю. А. Ионный и электронно-дырочный токоперенос в азиде серебра / Ю. А. Захаров, В. К. Гасьмаев, С. П. Баклыков, Ю. Р. Морейнс // Физическая химия, 1978. - Т.52. - В.8. - С. 2076-2078.

22. Сангвал, К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение - М.: Мир, 1990. - 496 с.

23. Bullough, R. Kinetik of migration of point defects in dislocation / R. Bullough, R. Newman // Rep. Prog. Phys, 1970. - V.33. - №.22. - P. 101-130.

24. Иванов, Ф. И. Роль структурно-деформационных дефектов в процессах, протекающих при фото- и электрополевом воздействии в азидах тяжелых металлов // Изв. СО АН СССР, серия Хим. наук, 1985. - № 11. -В. 4.-С. 63.

25. Фридель, Ж. Дислокации - М.: Мир, 1967. - 643 с.

26. Иванов, Ф. И. Дислокационная структура и некоторые физико-химические свойства НК азидов тяжелых металлов / Ф. И. Иванов, М. А. Лукин, Г. В. Назарова // Матер. 3 Всесоюз. конф. "Нитевидные кристаллы для новой техники". - Воронеж, 1979. - С. 181-184.

27. Кузьмина, JT. В. Разложение азидов серебра и свинца в электрическом и магнитном полях: Дис. к.ф.-м.н. 02.00.04. - Кемерово, 1998.

28. Сухушин, Ю. Н. Разложение азидов металлов в сильном электрическом поле. Топография и некоторые макроскопические закономерности разложения монокристаллов РЬ^„ AgNз и ТШ3 / Ю. Н. Сухушин, Ю. А. Захаров, Ф. И. Иванов // Химия высоких энергий, 1973.-Т. 7, № 3. - С. 261-268.

29. Картужанский, А. Л. Полевое смещение промежуточных продуктов разложения азидов тяжелых металлов / А. Л. Картужанский, В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, А. Ю. Сталинин // Письма ЖТФ. -1993. - Т. 19. -Вып. 16.-С. 59-61.

30. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. - М.: Наука, 1977. - 672 с.

- 149 с.

31. Захаров, Ю. А. Холловская подвижность носителей заряда в азиде серебра / Ю. А. Захаров, Ю. Ю. Сидорин, Е. В. Кучис // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1979.-Т. 15,-№8.-С. 1397-1401.

32. Крашенинин, В. И. Способ визуального определения дрейфовой подвижности в азидах тяжелых металлов / В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур,

A. Ю. Сталинин // Патент РФ. № 93043944/25, 27.05.97. Бюл. №15. С. 1-8.

33. Картужанский, А. Л. Подвижность носителей заряда в азиде ссребра / А. Л. Картужанский, В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, А. Ю. Сталинин // Письма в ЖТФ, 1994. - Т. 20. - В. 8. - С. 1-3.

34. Крашенинин, В. И. Электрополевое разложение азида серебра: влияние поперечных электрического и магнитного полей / В. И. Крашенин, Л. В. Кузьмина, В. Ю. Захаров, А. Ю. Сталинин // Химическая физика, 1995. -Т. 14.-№4.-С. 126-135.

35. Сканави, Г. И. Физика диэлектриков (область слабых полей) - М,-Л.: Гостехиздат, 1949. - 500 с.

36. Ламперт, М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах - М.: Мир, 1973.-416 с.

37. Адирович, Э. И. Токи двойной инжекции в полупроводниках / Э. И. Адирович, П. М. Карагеоргий-Алкалоев, А. Ю. Лейдерман. Под. ред. Е.И. Гальперина. - М.: Сов. Радио, 1978. - 320 с.

38. Пожела, Ю. К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках - М: Наука, 1977. - 368 с.

39. Губанов, А. И. Теория выпрямляющего действия полупроводников. - М.: Гос. изд. техн.-теор. литер., 1956. - 348 с.

40. Стриха, В. И. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки /

B. И. Стриха, Е. В. Бузанева, И. А. Радзневский - М.: Советское радио, 1974. - 248 с.

41. Милне, А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводники - М.: Мир, 1975. - 432 с.

42. Бьюб, Р. Фотопроводимость твердых тел - М.: ИЛ, 1962. - 558 с.

108

43. Vanderziel, A. Space-Limited Solid-State Diodes / Semicanductors and semimetals, 1979. - V. 74. - P. 195-247.

44. Фукс, Б. И. Инжекционные свойства контактов к высокоомным полупроводникам - ФТП. - Т. 15. - В. 9. - С. 1679-1700.

45. Адирович, Э. И., Дубровский Л. А. Диэлектрическая электроника и квадратичный закон токов, ограниченных пространственным зарядом -ДАН СССР, 1965. - Т. 164. - №4. - С .771 -774.

46. Гутман, Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники - М.: Мир, 1970.-696 с.

47. Сандомирский, В. Б., Мусаханова Н. М. Метод времени пролета носителей заряда в полупроводниках в условиях контролируемого заполнения ловушек-ФТП, 1981. - Т. 15. - В. 4. - С. 818-819.

48. Sword Kowski, У., Nespurek S. Determination of the parameters of traps for current carriers from space-charge-limited currents - Y. of Electrostatics, 1979. - V. 8.-P. 97-101.

49. Сухушин, Ю. H. Первичные и вторичные процессы разложения термодинамически лабильных кристаллов в сильном электрическом поле / 10. Н. Сухушин, Ю. А. Захаров // Вс. совещ. по воздействию ионизирующего излучения на гетерогенные системы. - Кемерово, госуниверситет, 1979. -С. 15-16.

50. Кригер, В. Г. Собственно-дефектная модель разложения азидов тяжелых металлов / В. Г. Кригер, А. В. Каленский, В. В. Вельк // Изв. вузов. Физика.-2000.-Т. 43.-№ 11.-С. 118-123.

51. Адуев, Б. П. Модели взрывного разложения азидов тяжелых металлов / Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, Г. М. Белокуров, А. Г. Кречетов, А. Ю. Митрофанов // Деп. ВИНИТИ, Per. №1124-В99, 14.04.99. - 41 с.

52. Крашенинин, В. И. О продуктах медленного разложения азидов свинца и серебра / В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, А. И. Гасанов, В. Ю. Захаров // Депонент в ВИНИТИ 19.10.00, № 2662-В00. Кемерово, 2000. -19 с.

53. Гасанов, А. И. Физико-химические процессы, инициированные электрическим полем и у-облучением в кристаллах азида серебра: дисс. к.ф,-м.н. 02.00.04. - Кемерово, 2004. - 130 с.

54. Крашенинин, В. И. Тепловой эффект при электрополевом разложении азида серебра / В.И. Крашенинин, В.Ю. Захаров, JI.B. Кузьмина // Химическая физика, 1997. - Т.16. - №5. - С. 96-99.

55. Газенаур, Е. Г. Формирование кластера промежуточного продукта разложения азидов металлов / Е. Г. Газенаур, А. И. Гасанов, В. Ю. Захаров, В. И. Крашенинин // Боеприпасы, 2001 - № 1. - С. 64-67.

56. Крашенинин, В. И. Продукты медленного разложения AgN3 в анионной подрешетке / В. И. Крашенинин, А. И. Гасанов, В. И. Якунина // Физико-химические процессы в неорганических материалах: тезисы докладов 7 Международной конференции. - Кемерово, 1998. - Т.2. - С. 1141 15.

57. Кригер, В. Г. Квантово-химическое моделирование реакции 2N3 -3N2 / В. Г. Кригер, А. В. Каленский, Л. Г. Булушева // Тез. докл. 9 Междун. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ-9. -Томск, 1996.-С. 224-225.

58. Huber, Н. Is N6 an open-chain molecule? / H. Huber, Т. К. На, М. Т. Nguyen // J. Mol. Struct. (THEOCHEM). - 1983. - № 105. - P. 351-358.

59. Nguyen, M. Comments on the stable points on the N6 energy hypersurface / M. Nguyen // J. Phys. Chem. - 1990. - V. 94. - №. 17. - P. 69236924.

60. Кригер, В. Г. Кинетика и механизмы реакций твердофазного разложения азидов тяжелых металлов: Дис. д.ф.-м.н. - Кемерово. 2002. - 369 с.

61. Кабанов А. А. Влияние электрического поля на термическое разложение твердых веществ / А. А. Кабанов, Е. М. Зингель // Успехи химии, 1975.-Т. 44.-№7.-С. 1194-1216.

62. Иванов, Ф. И. О выращивании нитевидных кристаллов азидов серебра и свинца / Ф. И. Иванов, J1. Б. Зуев, М. А. Лукин, В.Д. Мальцева // Кристаллография, 1983.-Т. 28. -№ 1.-С. 194-196.

63. Захаров, В. Ю. Физико-химические процессы, инициированные различными видами энергетических воздействий в азидах серебра и свинца: Дис. д. ф.-м.н. 02.00.04. - Кемерово, 2004. - 314 с.

64. Картужанский, А. Л. Подвижность носителей заряда в азиде серебра / А. Л. Картужанский, В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, А. Ю. С галинин // Письма ЖТФ. - 1994. - Т. 20. - Вып. 8. - С. 1-3.

65. Крашенинин, В. И. Влияние магнитных полей на образование реакционных областей в кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Д. В. Добрынин, М. А. Дорохов // Химическая технология. - 2005. - № 12.-С. 8-10.

66. Крашенинин, В. И. Инжекционные токи в некоторых азидах тяжелых металлов / В. И. Крашенинин, Ю. Н. Сухушин, Ю. А. Захаров // Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы. - 1987. - Т. 23. - № 9. - С. 1567-1569.

67. Крашенинин, В. И. Физико-химические процессы, инициированные постоянным электрическим полем в нитевидных кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, В. Ю. Захаров // Журнал прикладной химии. - 1996. - Т.69. В.-1. - С. 21-24.

68. Газенаур, Е. Г. Переход медленного твердофазного разложения кристаллов азида серебра во взрывное: влияние слабых электрических полей / Е. Г. Газенаур, Л. В. Кузьмина, В. И. Крашенинин, Д. В. Добрынин // Альманах современной науки и образования. Тамбов: Грамота. - 2009. -№ 5(24). - С. 35-39

69. Адуев, Б. П. Предвзрывная люминесценция азида свинца / Б П. Адуев, Э. Д. Алукер, Г. М. Белокуров, А. Н. Дробчик, А. Г. Кречетов, М. М. Кукля, А. Б. Кунц, А. Ю. Митрофанов, Э. X. Юнк // Изв. Вузов, физика, 2000. - Т. 43. - № 3. - С. 17-22.

70. Адуев, Б. П. Исследование взрывного разложения азида серебра методами спектроскопии с высоким временным разрешением / Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, Г. М. Белокуров и др. // Изв. ВУЗов. Физика, 1996. - Т. 39. -№ 11.-С. 162-175.

71. Захаров, Ю. А. Предвзрывные явления в азидах тяжелых металлов /10. А. Захаров, Э. Д. Алукер, Б. П. Адуев, Г. М. Белокуров, А. Г. Кречетов. -М.: ЦЭИ «Химмаш», 2002. - 115 с.

72. Адуев, Б. П. Взрывная люминесценция азида серебра / Б. П. Адуев, Э. Д. Алукер, Ю. А. Захаров, А. Г. Кречетов, И. В. Чубукин // Письма в ЖЭТФ, 1997. - Т. 66. - № 2 - С. 101-103.

73. Кригер, В. Г. Анализ механизмов термического разложения азидов тяжелых металлов / В. Г. Кригер, А. В. Ханефт, О. JI. Колпаков // В кн.: Химия твердого состояния. - Кемерово: КемГУ, 1981. - С. 56-68.

74. Кригер, В. Г. Анализ механизмов и кинетика реакций твердофазного разложения некоторых солей со сложным анионом: Дис. канд. физ.-мат. наук. - Кемерово, 1982. - 178 с.

75. Кригер, В. Г. Анализ ионной проводимости азида серебра / В Г. Кригер, О. Л. Колпаков, А. В. Ханефт // Кинетика и механизм реакций в твердой фазе: сб. научн. Трудов / КемГУ. - Кемерово, 1982. - С. 92.

76. Trinks, Н. Gasdynamic investigations of lead azide / lead styphnate detonation processes in vacuum by multichannel mass spectrometry / H. Trinks, N. Schilf // Gasdyn. detonat. and explos. techn. pap. "7th Int. Colloc. gasdyn. explos. and react. Syst". - Gottingen, aug., New York, N. Y, 1979. - P. 242-252.

77. Aduev, B. P. Luminescence of lead azide induced by the electron accelerator pulse / B. P. Aduev, E. D. Aluker, M. M. Kuklja, A. B. Kunz, E. H. Younk // Journal of Luminescence. 2000. - T. 91. - № 1-2. - C. 41-48.

78. Gordienco, A. B. Electronic Structure of Metal Azides / A. B. Gordienco, Yu. N. Zhuravlev, A. S. Poplavnoy // Phys. stat. sol. (b), 1996. - V. 197,-№2.-P. 707-719.

79. Смит, P. Полупроводники. - M.: Мир, 1982. - 560 с.

112

80. Савельев, Г. Г. Влияние электрического и магнитного полей на термическое разложение твердых веществ // Труды I конференции молодых ученых-химиков г. Томска. - Изд. Томского ун-та, 1970. - С. 71-73.

81. Лаптенков, Б. К., Абруков С. А. О влиянии электростатического поля на скорость роста реакционных центров при термическом распаде орторомбического перхлората аммония // В кн: Физика горения и методы ее исследования. Чебоксары. Чувашек, ун-т, 1978. - В.8. - С. 37-40.

82. Лаптенков, Б. К. Об особенностях термического разложения кристаллов перхлората аммония в электрическом поле / Б. К. Лаптенков, С. А. Абруков // В кн: Физика горения и методы ее исследования. Чебоксары. Чувашек, ун-т, 1979. - В.9. - С. 23-27.

83. Rodzevich, А. P. Features of Physical and Chemical Properties of Inorganic Salts, Grown in the Electric Field / A. P. Rodzevich, E. G. Gazenaur, A. S. Walnukova, L. V. Kuzmina // The 7th International Forum on Strategic Technology IFOST2012 - Tomsk Polytechnic University, 2012. - V.I. - P. 296299

84. Kao, К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. 4.1. - М.: Мир, 1984.-352 с.

85. Geurst, J. A. Theory of space-charge - limited currents in thin semiconductor layers. //Phys. Status Solidi, 1966. -№ 15. - P. 107-118.

86. Захаров, В. Ю. Физико-химические процессы, инициированные действием электрического поля в кристаллах азидов серебра и свинца: Дис. к.ф.-м.н. 02.00.04. - Кемерово, 1997. - 119 с.

87. Heal, Н. G. A microgazometric procedure // Nature, 1953. - V.172. -

30 p.

88. Сухушин, Ю. Н., Захаров Ю. А. Общие закономерности разложения твердых веществ в электрическом поле / В кн.: Кинетика и механизм химических реакций в твердом теле. - Черноголовка, ИХФ АН СССР, 1981.-С. 152-161.

89. Боуден Ф., Иоффе А. Быстрые реакции в твердых телах - М.: ИЛ, 1962.-243 с.

90. Крашенинин В. И. Управление медленным и взрывным разложением азида серебра бесконтактным электрическим полем / В. И. Крашенинин, А. П. Родзевич, Е. Г. Газенаур, Л. В. Кузьмина // Бутлеровские сообщения. - 2010. - Т. 23. - № 14. - С. 66-72.

91. Добрынин, Д. В. Предвзрывные процессы, инициированные действием контактного электрического поля в кристаллах азида серебра: Дисс. к. ф.-м.н. 02.00.04. - Кемерово, 2007. - 165 с.

92. Ханефт, А. В. Механизм низкопорогового инициирования азида свинца лазерным импульсом / А. В. Ханефт, В. Г. Кригер // 4 Всесоз. совещание по детонации. - Черноголовка, 1988. -Ч. 2. - С. 205-211.

93. Газенаур, Е. Г. О продуктах медленного разложения азидов серебра и свинца / Е. Г. Газенаур, А. И. Гасанов, В. И. Крашенинин // Боеприпасы, 2004. -№ 1. - С. 64-67.

94. Крашенинин В. И. Основные стадии перехода медленного разложения в быстропротекающий процесс в кристаллах азида серебра / В. 11 Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, Д. В. Добрынин // Химическая технология, 2010. - № 2. - С. 75-79

95. Родзевич, А. П. Влияние слабого бесконтактного электрического поля на взрывную чувствительность кристаллов азида серебра / Д. П. Родзевич, В. И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, Л. В. Кузьмина // Материаловедение. - 2010. - №4. - С. 14-19

96. Крашенинин, В. И. Управление твердофазными реакциями в азиде серебра электрическим и магнитным полями / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, А. И. Гасанов, А. Ю. Сталинин // Труды Первого всероссийского симпозиума ТТД-97, Екатеринбург. - 1998. - С. 118-125.

97. Krasheninin, V. I. On the electric field effect on the decomposition rate of filament silver azide crystals / V. I. Krasheninin, L. V. Kuz'mina, V. Yu. Zakharov // Chem. Phys. Reports, 1997. - V. 16(4). - P. 659-663.

114

98. Иванов, Ф. И. Эффекты и явления в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов при действии тепла, света, электрического и магнитного полей / Ф. И. Иванов, В. И. Крашенинин, J1. В. Кузьмина // И ;вестия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49. - № 1. - С. 96-102.

99. Газенаур, Е. Г. Медленное разложение азидов серебра и свинца, инициированное облучением быстрыми электронами: Дис. к.ф.-м.н. 02.00.04. - Кемерово, 2002. - 135 с.

100. Шейнкман, М. К. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках / М. К. Шейнкман, А. Я. Шик // Физика и техника полупроводников, 1976. - Т. 10. - В. 2. - С. 209-233.

101. Иванов, Ф. И. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов и их роль в фото- и электрополевом разложении: Дисс. д.х.н. 02.00.04. - Кемерово, 1997.-497 с.

102. Zakharov, Yu. A. A new class chemical reaction - solid-fase chain processes involving quasi-particles / Yu. A. Zakharov, E. D. Aluker // 1st International congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials. - Tomsk, 2000. - 24-29 September. - V. 1. - P. 25-32.

103. Kriger, V., Kalensky, A. The self-imperfection model of the chain reaction of the heavy metal azide initiation // 13th International Simposium on the Reactivity of Solids. - Hamburg, September 8-12. - 1996. - 9-PO-248.

104. Газенаур, E. Г. Эффективное время жизни неравновесных электронов и дырок в азиде серебра / Е. Г. Газенаур, В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина // Материаловедение. - 2011. - № 5. - С. 2-7.

105. Шалимова, К. В. Физика полупроводников - М.: Энсргоатомиздат, J 985.- 392 с.

106. Krasheninin. V. I. The Relaxation of Nonequilibrium Carriers of Charges in Photo- and Electroraised of Silver Azide / V. I. Krasheninin, E. G. Gazenaur, A. P. Rodzevichl, L. V. Kuzmina, V. G. Gritchina, E. V. Sugatov // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55.-№ 11-3.-С. 87-91.

107. Лисицын, В. М. Структурные фазы азида серебра / В. М. Лисицын, Ю. Н. Журавлев // Известия ТПУ. 2010. - №2.-С. 138-143

108. Крашенинин, В. И. Инжекционные токи и разложение в кристаллах азидах серебра и свинца: Дис. канд. физ.-мат. наук. - Кемерово, 1999.- 156 с.

109. Ханефт, А. В. Механизм разложения азида серебра в режиме ипжекции дырок / А. В. Ханефт, Ю. А. Захаров // Химическая физика, 2002. -Т. 21.-№ 12.-С. 32-34.

110. Физические величины: Справочник / А. П. Бабичев, И. А. Бабушкина, А. М. Братковский и др.; под. ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. - М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

111. Крашенинин, В. И. О колебательном характере пост-процессов при электрополевом разложении нитевидных кристаллов азида серебра / В. И. Крашенинин, А. П. Родзевич, Е. Г. Газенаур, Л. В. Кузьмина, В. Г. Гритчина // Вестник Кемеровского государственного университета. - 2012. -№ 1 (49). - С. 244-247.

1 12. Крашенинин, В.И. Разложение кристаллов азида серебра в постоянном электрическом поле / В. И. Крашенинин, В. Ю. Захаров, А. П. Родзевич, Л. С. Нестерюк // Известия вузов «Физика». - 2006. - Т.49. - №10. - С. 53-56.

113. Крашенинин, В. И. Время формирования вакансионного кластера / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, В. Е. Иващенко// Физико-химические процессы в неорганических материалах: Тезисы докладов Международной конференции. - Кемерово, 1998. -Ч. 1. - С. 127.

114. Захаров, В. Ю. Медленное разложение азидов серебра и свинца / В. Ю. Захаров, В. И. Крашенинин. - Томск: изд-во НТЛ, 2006 - 168 с.

115. Крашенинин, В. И. Моделирование дефектной структуры в кристаллах азида серебра / В. И. Крашенинин, Л. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, В. И. Гасанова // Вестник ТГУ. Приложение, 2006. - №19. - С. 103-104.

116. Zakharov, V. Yu. The control of solid phase decomposition of silver azide by noncontact electric field / V. Yu. Zakharov, V. 1. Krasheninin, L. V. Kuz'mina, Yu. A. Zakharov // Solid State Ionics, 1997. - V. 101-103. -P 161-164.

117. Крашенинин, В. И. Способы управления стабильностью азида серебра / В. И. Крашенинин, J1. В. Кузьмина, Е. Г. Газенаур, О. В. I ^елыковская // Ползуновский вестник, 2010. - №3. - С.48-51.

118. Борисова, М. Э. Физика диэлектриков / М. Э. Борисова, С Н. Койков. - J1.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1979. - 240 с.

119. Крашенинин, В. И. Электронно-дырочная плазма в азиде серебра / В И. Крашенинин, Е. Г. Газенаур, Кузьмина Л. В., К. И. Вершинина, И.И. Бардина // Известии Вузов. Физика, 2011. - Т. 54. - № 1/3. - С. 4-9.