Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Каневский, Владимир Михайлович

• Каневский, Владимир Михайлович
• доктор физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Каневский, Владимир Михайлович

Содержание

ВВЕДЕНИЕ

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1 Сверхгладкая и активная поверхность

1.2 Механохимнческий синтез соединений в гетерофазных системах

1.3 Объемные кристаллы и пленки CdTe

- полифункциональные материалы

1.4. Металлические пленки на диэлектриках

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1 Формирование свергладких поверхностей

2.2 Механохимнческий синтез шпинели

2.3.Методика выращивания объемных кристаллов и пленок CdTe

2.4. Выращивание металлических пленок на диэлектриках

3. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ СВЕРХГЛАДКОЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ ( ZNS, TTC,a-AL203)

3.1 Активность сверхгладкой поверхности кристаллов ZnS, ТГС

3.2 Размерные эффекты при формировании регулярных наноструктур на сверхгладкой поверхности а-А12Оз

4. ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ И РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ ТВЕРДОФАЗНОМ (МЕХАНОХИМИЧЕСКОМ) СИНТЕЗЕ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОРОШКОВ MgAL204

4.1 Модельная реакция MgO + А1203 —> MgAl204 и выбор режимов ее механоактивации

4.2 Исследование процесса совместной механоактивации порошков MgO и у-А1203

4.3 Разработка теоретической модели механохимического процесса фазообразования в квазибинарной системе MgO - А1203, выявление размерных эффектов

5 РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ СсПГе ИЗ РАСПЛАВА

6. РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ (ЭПИТАКСИИ) ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МЕТАЛЛОВ НА СВЕРХГЛАДКИХ И НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЯХ ДИЭЛЕКТРИКОВ

6.1 Эпитаксия полупроводниковых пленок теллурида кадмия на сверхгладких и наноструктурированных поверхностях сапфира

6.2. Кристаллизация пленок Аи и А§ на активной поверхности щелочногалоидных кристаллов

6.3. Наноразмерные эффекты при формировании упорядоченных ансамблей частиц золота на наноструктурированной поверхности сапфира

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ОБОЗНАЧЕНИЯ И СОКРАЩЕНИЯ

АСМ атомно-силовая микроскопия

ГЦК-металлы металлы с гранецентрированной кубической структурой

ДИГМ диффузионно-инициируемая миграция границ зерен

МЛЭ молекулярно-лучевая эпитаксия

ТГС триглицинсульфат

ТСН террасно-ступенчатые наноструктура

ХМП химико-механическая полировка

ЩГК щелочно-галоидные кристаллы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах»

ВВЕДЕНИЕ

Интерес к поверхностным явлениям и процессам в кристаллических материалах обусловлен общими тенденциями, определяющими развитие современной науки и техники. Известно, что свойства гетерогенных структур, к которым относится подавляющее большинство как уже внедренных, так и разрабатываемых материалов нового поколения, определяются, прежде всего, характером межфазных взаимодействий на внутренних поверхностях раздела. В большинстве случаев структура и свойства поверхности раздела закладываются в момент ее формирования, поэтому образование поверхности раздела, процессы, идущие при этом на атомно-молекулярном уровне и способы управления ими, являются ключевым моментом формирования гетерогенных материалов самого различного назначения.

В материалах полупроводниковой техники поверхность играет особую роль, не имеющую аналогов в каком-либо ином классе веществ. Одним из базовых процессов технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем является эпитаксия, реализация которой определяется в первую очередь свойствами поверхности монокристаллической подложки. Развитие полупроводниковой техники, на протяжении десятилетий определявшееся «борьбой за чистоту», увенчалось разработкой уникальных технологических процессов, обеспечивающих формирование сверхгладких и очищенных от примесей поверхностей монокристаллов. «Борьба за размер», которая в настоящее время определяет развитие технологии интегральных схем, несмотря на внушительные успехи (увеличение разрешения литографического оборудования с 130 до 28 нм за последнее десятилетие), несет в себе ряд проблем, не имеющих удовлетворительного решения. В частности, не решена проблема эпитаксии материалов, существенно различающихся по параметрам кристаллической ячейки. Кроме того, перспективная миниатюризация технологического процесса до кластерного (и даже атомарного) уровня

неизбежно поставит вопрос о самоорганизации таких структур, реализуемость которой на сверхгладкой поверхности не очевидна.

Одним из направлений решения существующих проблем является формирование на поверхности монокристалла регулярного нанорельефа, который может не только обеспечивать реализацию эпитаксии на наноразмерном уровне, но и сформировать шаблон для самоорганизации на поверхности кластеров и отдельных атомов. Работы в этом направлении на протяжении последних пятнадцати лет интенсивно ведутся и, к настоящему времени накоплен значительный экспериментальный материал. Вместе с тем, большинство этих работ имеет сугубо прикладной характер (самоорганизация полимеров, белков, моно- и мультимолекулярных и полупроводниковых пленок). Механизм формирования поверхностных наноструктур обсуждается только в отдельных публикациях, работ, посвященных исследованию механизма взаимодействия наноструктурированной поверхности с наносимым веществом крайне мало. Сопоставление и анализ данных, полученных различными группами исследователей, затруднены даже для наиболее изученных материалов подложек, так как используемые для образования поверхностных наноструктур разориентировки и режимы термической обработки монокристаллов существенно разнятся от работы к работе. В связи с этим, безусловно актуальными, являются задачи систематического изучения процессов формирования наноструктурированных поверхностей и их взаимодействия с наносимым на поверхность веществом.

Качество массивных монокристаллов и керамики во многом определяется характеристиками исходной порошковой шихты, для получения которой широко используют твердофазную деформационную обработку. Этому этапу получения монокристаллов зачастую не уделяют должного внимания, рассматривая его как сугубо технологический процесс получения дисперсной однородной смеси. Вместе с тем, установленная к настоящему времени способность деформационного воздействия обеспечивать не только

измельчение порошков, но и оказывать влияние на вещество на более глубоком уровне, вплоть до атомно-молекулярного, требует более фундаментального подхода к изучению этого процесса. Понимание движущих сил и механизмов процессов, приводящих к изменению структурно-фазового состояния вещества под механическим воздействием, необходимо для выработки научно-обоснованных подходов к приготовлению шихтовых материалов для выращивания монокристаллов различных, в том числе полупроводниковых, материалов. Вместе с тем, вопросы о механизме процессов, протекающих в веществе на атомарном уровне и о механизме массопереноса под воздействием интенсивной твердофазной деформации, удовлетворительного ответа к настоящему моменту не имеют, предлагаемые же различными авторами модели этих механизмов противоречивы и не подкреплены достаточными обоснованиями.

Наконец, поверхностные процессы и размерные эффекты играют существенную, определяющую роль в формировании реальной (дефектной) структуры объемных кристаллов, которые в процессе выращивания претерпевают полиморфные фазовые переходы.

В основу развиваемого в настоящей работе подхода положено представление об определяющем вкладе структурных неоднородностей поверхности в процесс формирования ее активных свойств. Основным результатом выполнения работы является выявление общих для широкого круга материалов и процессов закономерностей, определяющих связь между свойствами поверхности и характерными размерами ее структурных неоднородностей. Учет этих закономерностей позволит целенаправленно формировать поверхности с необходимыми характеристиками, обеспечивающими решение конкретных материаловедческих и технологических задач, в том числе и в области материалов микроэлектроники.

В основу развиваемого в настоящей работе подхода положено представление об определяющем вкладе структурных неоднородностей

поверхности, обусловленных линейным размером объекта, в процесс формирования ее активных свойств.

Объектами исследований, наряду с модельными (кристаллы ШС1, ТГС, 2п8) выбраны материалы и системы, имеющие важное практическое значение:

• полупроводниковые кристаллы соединения СсГГе (материал для датчиков и детекторов ИК-излучения, рентгеновских и у-квантов, фоторефрактивный и фотоэлектрический материал);

• ультрадисперсные кристаллические порошки М^О, А1203, которые являются исходным материалом для получения шпинели М&А1204, которая используется, в свою очередь, как исходный материал для прозрачной керамики, отличающейся высокой ударо - и термостойскостью;

® кристаллы синтетического лейкосапфира (А1203) (материал подложек в эпитаксиальных технологиях полупроводников и нанотехнологиях, материал кристаллических элементов для оптики, включая рентгеновскую оптику).

Целью исследования является выявление закономерностей формирования активных поверхностей в результате различных внешних воздействий, исследование процессов, происходящих на поверхности и взаимодействия ее со второй фазой, а также выявление роли наноразмерных эффектов в поверхностных явлениях при кристаллизации в гетерофазных системах.

Для достижения поставленной цели были последовательно поставлены и решены следующие задачи, направленные на выявление закономерностей формирования активных поверхностей и их взаимодействия со второй фазой:

• Формирование активной поверхности различных материалов, способной эффективно взаимодействовать со второй фазой в гетерофазных системах: А12 03 - пленки СсГГе; А12 03 - пленки Аи и Ag ; А12 03 - М§0; ЩГК- пленки Аи, А§, А§С1, Си.

• Выявление размерных эффектов и общих закономерностей, определяющих активные свойства поверхности. Разработка методики

наноструктурирования поверхности А12 03 с заданными параметрами и исследование влияния наноструктурированной поверхности на рост эпитаксиальных пленок СсГГе.

• Постановка модельного механохимического эксперимента синтеза новых фаз в системах оксидов и теоретический анализ полученных результатов. Выявление роли активной поверхности в механохимическом процессе.

• Изучение размерных эффектов при высокотемпературных фазовых переходах бинарного соединения Сс1Те и их влияния на формирование реальной (дефектной) структуры и свойства кристалла.

• Модифицирование поверхности щелочно-галлоидных кристаллов, изучение начальных стадий кристаллизации, получение сплошных сверхтонких эпитаксиальных пленок Аи, Ag, А§С1, Си.

Получение упорядоченных частиц Аи на подложках лейкосапфира. Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложена и реализована оригинальная методика формирования регулярных наноразмерных структур на сверхгладких химически нейтральных поверхностях (лейкосапфире А1203).

2. Показано, что присутствие регулярного нанорельефа обеспечивает формирование монокристаллических слоев наносимого вещества, тогда как стохастически распределенная шероховатость препятствует монокристаллическому росту.

3. Установлено, что предварительная механоактивация исходных компонентов существенно повышает скорость твердофазных реакций при последующей совместной механоактивации.

4. Впервые предложена теоретическая модель, описывающая размерный эффект механохимического процесса. Показано, что механохимические твердофазные превращения локализованы на активной контактной поверхности раздела реагирующих соединений. Установлено, что механизм механохимического формирования новой фазы в наноструктурных

материалах основан на зернограничном проскальзывании, сопровождаемом генерацией динамических вакансий с последующим фазообразованием по механизму диффузионно инициируемой миграции границ.

5. Выявлено определяющее влияние несоразмерности (метрической (объемной) и композиционной) полиморфных фаз бинарного соединения СсГГе на формирование реальной (дефектной) структуры кристалла при его выращивании из расплава.

6. Выявлено образование активных участков (ступени, домены и области нарушения стехиометрии) на сверхгладких поверхностях сколов кристаллов СсГГе, гпБ, ШО и ТГС. Показана роль ступеней в процессе переполяризации доменов кристаллов ТГС. Показано, что только при модификации поверхности внешним воздействием (парами газов или облучением электронами) происходит эпитаксиальный рост металлических пленок (А§, Аи,Си).

Во всех исследованных случаях ключевым элементом, определяющим активные свойства поверхности, являются структурные неоднородности с характерным размером, соответствующим межатомному расстоянию.

Практическая значимость работы:

1. Разработан способ обработки сапфировых пластин, позволяющий получать сверхгладкую поверхность с шероховатостью 2А. Разработан метод формирования регулярного нанорельефа. Наличие нанорельефа благоприятствует эпитаксиальному росту полупроводниковых пленок. Разработанные экспериментальные приемы и установленные закономерности могут быть положены в основу технологии формирования

высококачественных тонкопленочных материалов для микроэлектроники и полупроводниковой техники.

2. Калиброванные террасно-ступенчатые структуры на поверхности сапфира могут быть использованы в качестве тестовых образцов при метрологии в наноразмерном диапазоне.

3. Предложены способы получения сверхтонких пленок (толщиной в несколько нанометров) путем их выращивания через граничные (аморфные) слои или в результате обработки поверхности галогенами (С1, Вг, I). Разработанные подходы открывают возможности создания новых материалов для нелинейной оптики и сцинтилляционных детекторов.

4. Обнаруженный размерный эффект механохимии и связанные с ним пути интенсификации твердофазных деформационных превращений являются основой для разработки нового метода синтеза керамических соединений и получения шихт для роста кристаллов.

5. Доработана методика выращивания из расплава кристаллов бинарного соединения СсГГе, отличающихся повышенным значением цт (параметр качества кристаллов для рентгеновских детекторов) за счет резкого снижения плотности дислокаций и преципитатов Те.

Ценность научных работ соискателя также определяется их финансовой поддержкой грантами РФФИ и Минобрнауки РФ в рамках проектов, руководителем или исполнителем которых он являлся.

Положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальные подходы и способы формирования регулярных наноструктур на сверхгладких кристаллических поверхностях.

2. Связь между эпитаксиальным ростом наносимого из газовой фазы вещества и упорядоченностью нанорельефа поверхности; переход от поликристаллического роста к монокристаллическому при переходе от стохастического нанорельефа к регулярному.

3. Явление существенной интенсификации механохимического синтеза при использовании предварительно механоактивированных реагентов. Теоретическая модель механохимических твердофазных превращений, рассматривающая механохимическую реакцию как локализованный на активной контактной поверхности раздела реагирующих соединений процесс формирования новой фазы, основанный на зернограничном

проскальзывании, сопровождаемом генерацией динамических вакансий с последующим фазообразованием по механизму диффузионно инициируемой миграции границ.

4. Представление о структурных неоднородностях с характерным размером, соответствующим межатомному расстоянию, как основном факторе, определяющем активные свойства поверхности.

5. Влияние несоразмерности (метрической и композиционной) полиморфных фаз бинарного соединения CdTe на формирование реальной (дефектной) структуры кристалла при его выращивании из расплава.

6. Способы образования активных участков (ступени, домены, нарушение стехиометрии) путем хрупкого разрушения (скол) кристаллов ZnS, NaCl и ТГС. Роль ступеней в процессе переполяризации доменов сегнетоэлектриков. Модификация поверхности внешними воздействиями (парами газов, облучением электронами) для эпитаксиального роста металлических пленок (Au,Ag,Cu).

7. Размерные эффекты в гетерофазных системах. Изменение их свойств при различных соотношениях: шероховатость-параметр ячейки, параметры различных фаз, размер зерна- диффузионная длина компонентов, ширина террасы- диффузионная длина компонентов.

Личный вклад автора

В исследованиях, представленных в настоящей диссертационной работе, автору принадлежит выбор направлений, постановка задач и интерпретация полученных результатов. Автором были разработаны основные концепции проведения экспериментов. Результаты экспериментальных исследований получены автором лично или при его определяющем участии, что нашло отражение в совместных публикациях с Асадчиковым В.Е., Буташиным A.B., Власовым В.П., Ивановым Ю.М., Михайловым В.И. и др. Автор принимал непосредственное участие в создании экспериментального оборудования и методик исследований.

Апробация работы

Основные результаты работы доложены и обсуждены на 7-м Европейском конгрессе по электронной микроскопии (Гаага, Нидерланды, 1980), VIII Всесоюзном симпозиуме по механоэмиссии твердых тел (Таллин, 1981), VIII и IX Всесоюзных совещаниях по кинетике и механизму химических реакций в твердых телах (Черноголовка, 1982; Алма-Ата, 1986), Европейском совещании по росту кристаллов (Прага, Чехословакия, 1982), IV, VII, XII, XIII, XIV, XVI Всесоюзных (Российских) симпозиумах по растровой микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Черноголовка, 1984, 1991,

2001, 2003, 2005, 2009), X Юбилейном Всесоюзном симпозиуме по механоэмиссии и механохимии твердых тел (Ростов-на-Дону, 1986), 2-м Всесоюзном семинаре «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках» (Павлодар, 1989), XIV, XVIII, XIX, XXI, XXII и ХХШ Всесоюзных (Российских) конференциях по электронной микроскопии (Черноголовка, 1990, 2000, 2002, 2006, 2008, 2010), 5-м Всесоюзном совещании по когерентному взаимодействию излучения с веществами (Симферополь, 1990), IX, X, XI, XII, XIII и XIV Национальных конференциях по росту кристаллов (Москва, 2000,

2002, 2004, 2006, 2008, 2010), III, IV, V, VI, VII и VIII Национальных конференциях по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, 2001, 2003, 2005, 2007, 2009, 2011), 6-й и 8-й Международных конференциях «Экспертные оценки и контроль материалов и технологий полупроводниковых соединений» (Венгрия, Будапешт, 2002; Испания, Кадис, 2006), 10-й Международной конференции по дефектам (Франция, Бац-сюр-Мер, 2003), 1-м Международном совещании по нанокристаллическим полупроводникам (Венгрия, Будапешт, 2005), VII Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии» (Кисловодск-Ставрополь, 2007), 11-м Европейском симпозиуме по полупроводниковым детекторам (Германия, Вильдбад Кройт, 2009), IX Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск-

Томск, 2009), Совещании «Рентгеновская оптика-2010» (Черноголовка, 2010), VI Международной научно-технической конференции «Актуальные вопросы теоретической и прикладной биофизики, физики и химии» (Севастополь, 2010), 1У-м Международном форуме по нанотехнологиям (Москва, 2011), Конференции стран СНГ по росту кристаллов ( Харьков, 2012).

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

Общей задачей настоящей работы является выявление роли размерного фактора в процессах массопереноса и фазообразования, локализующихся на поверхностях гетерогенных систем различной природы. Материалы и процессы, выбранные в качестве модельных объектов исследования, можно разделить на следующие группы:

1) Свободные сверхгладкие поверхности, формируемые раскалыванием монокристалла или его химико-механической полировкой с последующим термическим воздействием. Предметом исследования здесь являлось влияние размерных эффектов, обуславливаемых химическими и структурными неоднородностями поверхности, на ее активность, проявляемую как во взаимодействии с наносимыми на поверхность веществами, так и в изменении ее физико-химических свойств.

2) Механохимический синтез сложного оксида из смеси простых. Задачей исследования являлось выявление роли размерных эффектов, обуславливаемых неоднородностями контактирующих в процессе синтеза поверхностей, в процессах массопеноса, зарождения и роста новой фазы в условиях интенсивного деформационного воздействия.

3) Выращивание совершенных кристаллов из расплава. Объектом исследований здесь являлось влияние размерных эффектов, связанных с несоразмерностью сосуществующих высокотемпературных полиморфных фаз, на формирование дефектов кристаллического строения конечного материала, и

поиск путей формирования кристаллов с минимальной концентрацией дефектов.

4) Металлические пленки на диэлектриках.

В настоящем разделе приведен обзор литературных данных, касающихся перечисленных выше материалов и процессов, являющихся объектом исследования настоящей работы. На основе проведенного анализа литературных данных осуществлен выбор модельных систем для исследования и выработаны конкретные направления экспериментальных исследований, направленных на выявления роли размерного фактора в протекающих в гетерогенных системах поверхностных процессах различной природы.

1.1. Сверхгладкая и активная поверхность

Понятие активной поверхности широко используется в отдельных направлениях неорганической химии, преимущественно в катализе и электрохимии [1-6]. Вместе с тем, многочисленные исследования, проводимые в этом направлении, не могут являться

оптимальной базой для постановки модельных экспериментов: исследования структуры поверхности и ее взаимосвязи с химической активностью, судя по имеющимся публикациям, развиты недостаточно; вопросу о физической природе активных центров редко уделяется должное внимание. Кроме того, основным объектом исследований по понятным причинам являются материалы с развитой поверхностью, преимущественно пористые; обилие дефектов кристаллического строения и областей с химической неоднородностью на таких поверхностях не дает возможности связать активные свойства поверхности с каким-либо конкретным несовершенством ее структуры, что необходимо при проведении модельных экспериментов.

По мнению автора настоящей работы, подходящие объекты для проведения модельных исследований активной поверхности следует искать в областях, связанных с изучением тонких пленок и покрытий специального назначения.

Подобного рода задачи требуют тщательной подготовки поверхности и последующего контроля ее качества, что, с точки зрения модельных исследований должно дать как понимание возможных механизмов формирования поверхности, так и необходимый комплекс методик для всестороннего охарактеризования строения поверхности. С учетом поставленных в настоящей работе задач, оптимальным объектом являются материалы полупроводниковой техники, где в качестве подложек широко используются керамические материалы. Особым преимуществом таких модельных объектов является богатый опыт подготовки поверхностей, в том числе обладающих специальной структурой и наличие прецизионных методик контроля их качества. Ниже будет дан краткий обзор применяемых в полупроводниковой технике способов формирования поверхностей с заданными характеристиками и методов их контроля.

Согласно [7], методы получения сверхгладких поверхностей с величиной шероховатости

Яа < 0,5 нм на монокристаллических пластинах можно разделить на две большие группы:

1) Метод раскалывания кристалла по плоскостям спайности;

2) Методы полировки, включая механическую полировку поверхности абразивными материалами, химическую полировку поверхности, прошедшей предварительную механическую обработку абразивными материалами, химико-механическую полировку поверхности, прошедшей предварительную механическую обработку абразивными материалами, высокотемпературный отжиг пластин с поверхностью, прошедшей предварительную механическую обработку абразивными материалами.

Первый метод позволяет получить идеально гладкую поверхность, но только кристаллографической плоскости, являющейся плоскостью спайности для данного типа кристалла, и пригоден только для "толстых" образцов с отношением размеров поверхности к толщине образца < 100. Вторая группа

методов пригодна для получения "тонких" образцов с отношением размеров поверхности к толщине образца > 100. Современные тенденции развития производств с использованием сверхгладких поверхностей требуют получения все более "тонких" образцов с отношением размеров поверхности к толщине образца в диапазоне 200-^500.

Объектами исследования в настоящей работе являются поверхности, получаемые как раскалыванием монокристаллов, так и полировкой. Современные тенденции развития этих методов, их преимущества и недостатки будут рассмотрены в настоящем разделе обзора литературы. РНС на сверхгладких поверхностях кристаллов сапфира получены высокотемпературным отжигом на воздухе при 1000-1500°С пластин, несколько разориентированных относительно сингулярных граней [8-10]. Подробные сведения о РНС приведены в Разделе 1.1. Образование подобных РНС обусловлено проявлением такого фундаментального свойства кристаллов, как анизотропия поверхностной энергии (огранка) [11], и характерно не только для сапфира, но и других оксидных кристаллов: 1л№>03 и 1лТа03 [12], БгТЮз [13]. Указанные РНС представляют из себя параллельные террасно-ступенчатые структуры с симметрией т из атомно-гладких сингулярных граней, метрические параметры которых (ширина и высота ступеней) зависят от разориентации плоскости пластины, температурного и временного режимов отжига.

Хотя оксидные кристаллы демонстрируют широкое разнообразие гранных форм [14], сведений о получении РНС с более высокой симметрией в научно-технической литературе не обнаружено. Для восполнения этого пробела проведен поиск подходящих материалов и выбраны кристаллы иттрий-алюминиевого граната У3А15012 (далее по тексту гранат), которые, также как и сапфир, характеризуются высокой твердостью, химической стойкостью, механической прочностью [15], не содержат дорогостоящих исходных компонентов и технологичны с точки зрения выращивания крупных

монокристаллов высокого совершенства из расплава [16]. Кристаллы граната ограняются простыми формами ромбододекаэдра {110} и тригонтриоктаэдра {211} [14,17], что позволяет ожидать в результате высокотемпературного отжига образование на сверхгладких поверхностях (100) и (111) этих кристаллов РНС пирамидального габитуса с симметрией 4тт и Зт, соответственно.

Как уже указывалось, РНС на сверхгладких поверхностях подложек из монокристаллов сапфира получают преимущественно путем отжига пластин на воздухе в температурном диапазоне 1000-1500°С. В результате отжига на поверхности сапфировых подложек часто формируются террасно-ступенчатые структуры, сформированные из атомно-гладких поверхностей (т.н. вицинальные поверхности). Для целей работы представляет интерес информация, касающаяся оптимизации режимов получения РНС с различными метрическими параметрами (латеральными и по высоте) в зависимости от исходной шероховатости поверхности, температуры и времени отжига, величины угла отклонения плоскости подложки от сингулярной плоскости. Для задач эпитаксии представляется важной информация о морфологии, реальной атомной структуре и симметрии вицинальных поверхностей. В литературе имеются данные о формировании РНС на плоскостях: пинакоида (0001) (или близких к пинакоиду с разориентацией до нескольких градусов относительно сингулярной плоскости) [8-10,18-23], ромбоэдра {101-2} [18,25], призмы первого рода {101-0} [19], призмы второго рода {112-0} [18].

Для целей молекулярной эпитаксии соединений А3В5 и А2В6 , а также в плане создания упорядоченных ансамблей наночастиц наиболее часто используются РНС на подложках лейкосапфира ориентации (0001). Результаты анализа литературных данных по созданию РНС на поверхности подложек из лейкосапфира сведены в Таблицу 1. Анализ публикаций [8-10,18-24] позволяет установить некоторые тенденции, а в ряде случаев и закономерности в

формировании нанорельефа на поверхности свергладких подложек из лейкосапфира в результате термического отжига на воздухе.

1.1.1. Пластины С-ориентации (0001), разориентацпя менее 1°. 1. Шероховатость.

Исходная среднеквадратичная шероховатость (RMS) сверхгладких подложек для получения РИС (далее по тексту - шероховатость) варьируется в диапазоне

0.2-1,0 нм (наиболее часто 0,2-0,3 нм). Для пластин с большими значениями шероховатости (0,8-2,0 нм) использовался предварительный кратковременный отжиг на воздухе, приводящий к существенному уменьшению величины шероховатости [19].

1. Режимы отжига. Структура (морфология) поверхности.

Для получения РНС на подложках сапфира применяют различные режимы отжига на воздухе: температура 1000-1500 °С, время отжига от 1 часа до 10 часов [8-10,18-20,22]. В «мягких» режимах отжига (1000-1100 °С; t=l час) на сапфировых пластинах с незначительной (до 0,67°) разориентацией плоскости пластины относительно сингулярной грани (0001) формируются, как правило, террасно-ступенчатые структуры из атомно-гладких граней с минимальной высотой -0,216 нм (так называемые моноступени), соответствующие минимальному расстоянию между кислородными слоями в кристаллической решетке сапфира (1/6 параметра решетки). Ширина таких ступеней зависит от угла разориентации и лежит в диапазоне 30-1000 нм. Для пластин с малой разориентацией ~ 0,02° наблюдалось образование островных структур с латеральными размерами 100-500 нм и высотой -0,216 нм [18].

Увеличение температуры и времени отжига, в общем случае, приводит к формированию ограненных террасных структур с существенно большими высотами ступеней (до 3 нм и более) [9,18,20,]. В работе [8] наблюдалась ориентационная деформация полученных регулярных 2-слойных террасных структур при увеличении времени отжига с 1 до 3 часов при температуре

1380°С. Ступени становились искривленными и произвольно ориентированными. В [25] продемонстрированы АБМ изображения сложных (ограненных тремя типами поверхностей) террасных структур с величиной атомных ступеней от ~0,2 до нескольких единиц нанометров. Таким образом, для подложек С-типа (0001) с малой разориентацией мы имеем примеры образования РНС с различной морфологией в зависимости от разориентации и условий термообработки.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Каневский, Владимир Михайлович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Экспериментально показано и теоретически обоснована и возможность перестройки параметров регулярных наноразмерных структур на сверхгладких химически нейтральных поверхностях (лейкосапфире А1203) и разработаны методы управления этими параметрами.

Экспериментально получены сверхгладкие поверхности лейкосапфира с шероховатостью <0,2 нм. Установлен размерный эффект при формировании сверхгладкой поверхности, выраженный в образовании террасно-ступенчатых структур.

Показано, что необходимым условием образования наноразмерных террасно-ступенчатых структур на вицинальной кристаллической поверхности является выполнение соотношения Ячплотноупакованными слоями кислорода. Реализован метод получения регулярных наноструктур с заданными параметрами (с шириной террас 10-^500 нм и высотой ступеней 0.22-^7 нм) в зависимости от угла разориентации сапфировых пластин, при различных режимах отжига.

Показано, что формирование наноструктурированной кристаллической поверхности может быть описано теоретической моделью, основанной на представлении минимизации поверхностной энергии и кристаллического строения сапфира.

2. Экспериментально обнаружен новый размерный эффект: механохимический синтез предварительно механоактивированных порошков смеси оксидов М^О и А1203 с размером блоков около 80 нм приводит к образованию шпинели М§А1204 при комнатной температуре.

Построена теоретическая модель, описывающая размерный эффект механохимического процесса. Показано, что механохимические твердофазные превращения локализованы на активной контактной поверхности раздела реагирующих соединений, механизм формирования новой фазы в таких материалах основан на зернограничном проскальзывании, сопровождаемом генерацией динамических вакансий с последующим фазообразованием по механизму диффузионно-инициируемой миграции границ. На этой основе разработана методика механохимического синтеза шпинели (MgAl204), повышающая выход реакции до 86%.

3. В гетерофазных системах с полиморфными превращениями и широкой областью гомогенности впервые установлен кинетический размерный эффект образования совершенных слабонапряженных и бездефектных фаз. С учетом выявленных размерных эффектов доработана методика выращивания CdTe из расплава с получением кристаллов высокого структурного совершенства с

3 1 3 2 высокими оптическими (а=10" см" ,Т=70%) и транспортными (ц =10" см /в) характеристиками.

Получены опытные образцы кристаллов, на базе которых изготовлены подложки для эпитаксиальных структур, электрооптические модуляторы и детекторы рентгеновского излучения.

4. Показано влияние наноразмерного эффекта строения поверхности лейкосапфировых подложек ориентации (0001) на совершенство пленок CdTe. Установлено, что на подложках, отожженных на воздухе при температуре 1000°С и выше и на поверхности которых имеется система гладких террас и ступеней, растут эпитаксиальные пленки CdTe с кубической структурой типа сфалерита, ориентированные плоскостью (111) параллельно подложке. На подложках без отжига или отожженных в вакууме растут поликристаллические пленки CdTe , что интерпретируется с позиции нарушения стехиометрии и дефектности поверхности подложки.

5. Разработан способ модификации поверхности кристаллов ЩГК, позволяющий выращивать на подложках этих кристаллов сверхтонкие эпитаксиальные пленки Au, Ag и Си. Установлена зависимость морфологии эпитаксиальных пленок Au и Ag от температуры в интервале 400-900°С.

Установлен критический размер кристаллита (менее 15 нм), достигающего ориентированного относительно подложки положения.

6. Показано, что для различных материалов эпитаксиальный рост начинается лишь при достижении критических значений размеров образующихся нанокристаллов по порядку величины близких к 10 нм. Обнаружено, что на начальных стадиях роста пленка поликристаллическая, и по достижении определенной толщины становится монокористаллической.

7. Обнаружено явление упорядочения ансамблей наночастиц золота на наноструктурированной поверхности лейкосапфира и обоснован механизм их формирования. Модифицирован метод фазового контраста в атомно-силовой микроскопии (сканирование в режиме фазового контраста в противоположных направлениях и последующее наложение изображений), позволяющий увеличить контраст изображения нанообъектов на рельефной поверхности в 1,5 раза.

БЛАГОДАРНОСТЬ

Выражаю глубокую признательность и благодарность за помощь:

Ковальчуку Михаилу Валентиновичу; Асадчикову Виктору Евгеньевичу; Буташину Андрею Викторовичу; Иванову Юрию Михайловичу; Писаревскому Юрию Владимировичу; Власову Василию Платоновичу; Муслимову Арсену Эмирбеговичу; Фейгину Льву Абрамовичу; Носику Валерию Леонидовичу; Спиридоновой Людмиле Семеновне; Голубевой Александре Сергеевне; Скворцовой Ульяне Петровне.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Каневский, Владимир Михайлович, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Lique J.J., Maestro V., Lozar A., Cordoba A. Transient orient states in a model

reaction on a surface with active sites // International Journal of Modern Physics С 14(2003) 159-167.

2. Declan Burke L., O'Mullane A.P. Generation of active surface states of gold and the

role of such states in electrocatalysis // Journal of Solid State Electrochemistry 4 (2000) 285-297.

3. Харчук В.Г., Корякова O.B., Хмара Е.Ф., Уймин М.А. Спектральные

проявления активных центров на поверхности наноразмерного оксида меди // Аналитический контроль 9 (2005) 423-427.

4. Bezrodina Т., Puchkovska G., Shimanovska V., Chashechnokova I., Khalyavka Т., Baran J. Pyridine-Ti02 surface interaction as a probe for surface active centers analysis // Applied Surface Science 214 (2003) 222-231.

5. Arabczyk W., Narkiewicz U. A new method for in situ determination of number of active sites in iron catalysts for ammonia synthesis and decomposition // Applied Surface Science 196 (2003) 423-428.

6. Пантелеев C.B., Игнатов C.K., Масленников C.B., Разуваев А.Г., Спирина И.В. Структура и свойства дефектов поверхности магния как активных центров реакции Гриньяра. Квантово-химическое исследование // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского 6 (2010) 88-101.

7.Справочник технолога-оптика (ред. Окатов М.А.), Санкт-Петербург: Политехника, 2004.

8. Cui J., Sun A., Reshichkov М., et. al. Preparation of sapphire for high quality Ill-nitride growth // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. - 2000. - V. 5. - P. 7-13.

9. Kurnosikov O., Pham Van L., Cousty J. About anisotropy of atomic-scale height step on (0001) sapphire surface // Surface Science. - 2000. - V. 459. - P. 256-264.

10. Shiratsuchi Y., Yamamoto M., Kamada Y. Surface structure of self-organized sapphire (0001) substrates with various inclined angles // Japanese J. Applied Physics. - 2002. - V. 41. - P. 5719-5725.

11. Чернов А.А. Процессы кристаллизации // Современная кристаллография - М.: Наука, 1980. - Т. 3. - С. 5-232.

12. Lee G.H. Realization of ultrasmooth surface with atomic scale step structure on LiNb03 and LiTa03 substrates // Optics Express. - 2002. - V. 10. - P. 556-560.

13. Cho G.B., Yamamoto M., Kamada Y. Morphology of Fe film grown on self-organized SrTi03 (001) substrates with inclined angles // Japanese J. Applied Physics. - 2002. - V. 41. - P. 5713-5718.

14. Вайнштейн Б.К. Симметрия кристаллов, методы структурной кристаллографии // Современная кристаллография - М.: Наука, 1979. - Т. 1. - 384 с.

15.Каминский А.А. Лазерные кристаллы. - М.: Наука. - 1975. - С. 189.

16. Разработка технологий выращивания крупногабаритных монокристаллов со структурой граната для применения в оптоэлектронике и лазерной технике.: Технологическая документация АБШВ 10.00.000 / Институт кристаллографии РАН

(ИК РАН); ГК от 13.05.2005 г. № 02.447.11.2001; Руководитель Каневский В.М.- Per. Номер 13243.6904008332.06.1.001.6. - Москва, 2006.

17. Милль Б.В., Буташин А.В. Особенности кристаллизаций кальций-галлий-германиевого граната // Труды ИНЭУМ. - М., 1980. - вып. 82. - С. 44-56.

18. Yoshimoto М., Maeda Т., Ohnishi Т., et. al. Atomic-scale formation of ultrasmooth surfaces on sapphire substrates for high-quality thin-film fabrication // Appl. Phys. Lett. -1995,-V. 67.-P. 2615-2620.

19.Heffelfinger J.R., Carter C.B. Mechanism of surface faceting and coarsening // Surf. Sci. - 1997. - V. 389. - P. 188-200.

20. Van L.P., Kurnosikov O., Cousty J. Evolution of step on vicinal (0001) surfaces of

a-alumina // Surf. Sci. - 1998. - V. 411. - P. 263-271.

21. Ismach A., Kantorovich D., Joselevich E. Carbon nanotube graphoepitaxy: highly

oriented growth by faceted nanosteps // J. Am. Chem. Soc. - 2005. - V. 127. - P. 11554-11555.

22. Lintz M., Bouchiat M.-A. Oservation of the diffraction of helium-neon laser beam on

the monoatomic steps of vicinal sapphire surface // Surf. Sci. - 2002. - V. 511. - P. L319-L324.

23. Saw K.G. Surface recostraction of a-(0001) sapphire: an AFM, XPS, AES, and EELS

investigations // J. Mater. Sci. - 2004. - V. 39. - P. 1211-1214.

24. Yu Q., Qin G., Li Y., et. al. Mechanism of horizontally aligned growth of single-wall

carbon nanotubes on R-Plane sapphire // J. Phys. Chem. B. - 2006. - V. 110. - P. 22676-22680.

25. Данько А.Я., Ром M.A., Сидельникова H.C. и др. Трансформация

приповерхностного слоя сапфира в результате высокотемпературного отжига в восстановительной среде // Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. - 2005. - №11. - С. 85-88.

26. Фундаментальные основы механической активации, механосинтеза и

механохимических технологий (ред. АввакумовЕ.Г.), Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2009.

27. Бутягин П.Ю. Проблемы и перспективы развития механохимии // Успехи

химии. 63 (1994) 1031-1043.

28. Boldyrev V.V. Mechanochemistryand mechanical activation //Materials Science

Forum 225-227 (1996) 511-520.

29. Томсон P. Физика разрушения. // Атомистика разрушения, М.: Мир, 1980, С.

104- 144.

30. Аввакумов Е.Г., Косова И.В., Александров В.В. Дефектообразование при

механической активации оксидов титана, олова и вольфрама // Известия АН СССР. Неорганические материалы 19 (1984) 1118-1121.

31. Ляхов Н.З., Талако Т.Л., Григорьева Т.Ф. Влияние механоактивации на

процессы фазо- и структурообразования при СВС. Новосибирск: Параллель, 2008.

32. Аввакумов Е.Г., Гусев А.А. Механические методы активации в переработке

природного и техногенного сырья. Новосибирск: Гео, 2009.

33. Kumar К., Kumar S., Mehrotra S.P. Towards sustainable solutions for fly ash

through mechanical activation // Resources, Conservation and Recycling52 (2007) 157-179.

34. Придачин K.A., Сулименко JI.M. Механохимическая

активацияпигментированных цементов // Успехи химии и химической технологии 17(15)(2003) 48-50.

35. Стрелков Н.С., Коныгин Г.Н., Поздеев В.В., Максимов П.Н., Базина Н.Ю.,

Корляков Д.В., Ел суков Е.П. Биоусвояемая форма кальция глюконата с уникальными терапевтическими свойствами в профилактике и комплексном лечении костных и стоматологических заболеваний, обусловленных нарушением кальциевого обмена в организме // Нанотехника 2(10)(2007) 69 -72.

36. Lu L., Lai М.О. // Mechanical alloying. Kluwer Academic Publishers, Norwell, USA,

1998.

37. Li L., Lai M. O., Gupta M., Chua B.W., Osman A. Improvement of microstructure

and mechanical properties of AZ91/SiC composite by mechanical alloying// Journal of Materials Science 35 (2000) 5553-5561.

38. Zhang D.L. Processing of advanced materials using high-energy ball milling //

Progress in Materials Science 49 (2004) 537-560.

39. Eckert J., Schurack F., Schultz L. Synthesis and mechanical properties of high

strength aluminum-based quasicrystalline composites// Journal of Metastable and Nanocrystalline Materials 15-16 (2003) 245-252.

40. Чердынцев B.B., Калошкин С.Д., Томилин И.А., Шелехов Е.В., Лаптев А.И.,

Степашкин А.А., Данилов В.Д. Структура и свойства механоактивированных композиционных материалов А1 / квазикристалл Al-Cu-Fe // Физика металлов и металловедение 104 (2007) 517-524.

41. Gorshenkov M.V., Kaloshkin S.D., Tcherdyntsev V.V., Danilov V.D., Gulbin V.N.

Fabrication and microstructure of al-based hybrid composite reinforced by b4c and ultra-dispersed tungsten// Defect and Diffusion Forums 309-310 (2011) 249-254.

42. Petrovsky V.Ya., Rak Z.S Densiflcation, microstructure and properties of

electroconductive Si3N4-TaN composites. Part I: Densiflcation and microstructure // Journal of the European Ceramic Society 21 (2001) 219-235.

43. Li J., Ни K., Zhou Y. Formation of TiB2/TiN nanocomposite powder by high energy

ball milling and subsequent heat treatment // Materials Science and Engineering A 325 (2002) 270-275.

44. Suryanarayana C. Synthesis of nanocomposites by mechanical alloying // Journal of

Alloys and Compounds 509 (2010) S229-S234.

45. Wang G., Chen Y., Wang Q. Structure and properties of poly(ethylene

terephthalate)/Na+-montmorillonite nanocomposites prepared by solid state shear milling (S3M) method // Journal of Polymer Science. Part B. Polymer Physics 46 (2008) 807-817.

46. Hedayati M., Salehi M., Bagheri R., Panjepour M., Maghzian A.Bali milling

preparation and characterization of poly (ether ether ketone)/surface modified silica nanocomposite // Powder Technology 207 (2011) 296-303.

47. ZhangG., SchlarbA.K., TriaS., ElkedimO. Tensile and tribological behaviors of

PEEK/nano-Si02 composites compounded using a ball milling technique// Composites Science and Technology 68 (2008) 3073-3080.

48. Kaloshkin S.D., Vandi L.-J., Tcherdyntsev V.V., Shelekhov E.V., Danilov V.D.

Multi-scaled polymer-based composite materials synthesized by mechanical alloying // Journal of Alloys and Compounds 483 (2009) 195- 199.

49. Сенатов Ф.С., Калошкин С.Д., Чердынцев B.B., Кузнецов Д.В. Исследование физико-механических свойств композиционного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена, наполненного керамическими частицами // Деформация и разрушение материалов 3 (2011) 33-38.

50. Benjamin J.S. Dispersion strengthened superalloys by mechanical alloying // Metallurgical Transactions 1 (1970) 2943-2951.

51. Gilman P.S., Benjamin J.S. Mechanical alloying // Annual Review of Materials

Science 13 (1983)279 - 300.

52. Зырянов B.B. Модель реакционной зоны при механической обработке

порошков в планетарной мельнице // Неорганические материалы 34 (1998) 1525-1534.

53. Ohara S., Tan Z., Hanaici Т., Sato К, Abe H. Collision synthesis of unique carbon

nanomaterials inspired by the Allende meteorite // Solid State Communications 150 (2010) 198-200.

54. Уракаев Ф.Х., Болдырев B.B. Расчет физико-химических параметров реакторов

для механохимических процессов // Неорганические материалы 35 (1999) 248-256.

55. Ebadzadeh Т. Effect of mechanical activation and microwave heating on synthesis

and sintering of nano-structure mullite //Journal of Alloys and Compounds 489 (2010) 125-129.

56. Kong L.B., Zhang T.S., Ma J., Boey F. Anisotropic grain growth of mullite in high-

energy ball milled powders doped with transition metal oxide // Journal of the European Ceramic Society 23 (2003) 2247-2256.

57. Каракичев Л.Г., Аввакумов Е.Г., Гусев A.A., Винокурова О.Б. Получение

нанодисперсного муллита с применением механической активации // Материаловедение 10 (2008) 55-60.

58. Temuujin J., Jadambaa T.S., Okada К., Mackenzie K.J.D. Preparation of

aluminosilicate precursor by mechanochemical method from gibbsite-fumed silica mixtures //Bulletin of Materials Science 21 (1998) 185-187.

59. Temuujin J., Okada K., Mackenzie K.J.D. Effect of mechanochemical treatment on the crystallization behavior of diphasic mullite gel // Ceramics International 25 (1999) 85-90.

60. КаракичевЛ.Г., АввакумовЕ.Г., ВинокуроваО.Б., ГусевА.А., ЗимаТ.М.,

ЛяховН.З. Сравнение золь-гель и механохимического способов получения дисперсного Al2Ti05// Химия в интересах устойчивого развития 9 (2001) 2734.

61. Kong L.B., Ma J., Huang H. MgAl204 spinel phase derived from oxide mixture

activated by high-energy ball milling process // Materials Letters 56 (2002) 238243.

62. Bocanegra S.A., Ballarini A.D., Scelza O.A., de Miguel S.R. The influence of

synthesis routes of MgAl204 on its properties and behavior as support of dehydridogenation catalysis // Materials Chemistry and Physics 111 (2008) 534541.

63. Stubicar N., Tonejic A., Stubicar M. Microstructural evolution of some Mg0-Ti02

and Mg0-Al203 powder mixtures during high-energy ball milling and post-annealing studied by X-ray diffraction // Journal of Alloys and Compounds 370 (2004) 296-301.

64. Mackenzie K.J.D., Temuujin J., Jadambaa T., Smith M.E., Angerer P.

Mechanochemical synthesis and sintering behavior of magnesium alumínate spinel // Journal of Materials Science 35 (2000) 5529-5535.

65. Plesingerova B., Stevulova N., Luxova M., Boldizarova E. Mechanochemical

synthesis of magnesium spinel in oxide-hydroxide systems // Journal of Materials Synthesis and Processing 8 (2000) 287-293.

66. Yalamac E., Akkurt S. Additive and intensive grinding effects on the synthesis of

corderite // Ceramics International 32 (2006) 825-832.

67. Pavlovic M., Jovalekic C., Nikolic A.S., Manojlovic D., Sojic N. Mechanochemical

synthesis of stoichiometric MgFe204 spinel // Journal of Materials Science: Materials of Electronics 20 (2009) 782-787.

68. Marincovic Z.V., Specovic T.V., Pertovic-Prelevic I., Ristic M.M. Structural

changes of ZnO - Cr2C>3 system during mechanical activation and their influence on the spinel synthesis // XHMHSBHHTepecaxycToñHHBoropa3BHTHJi 10 (2002) 155160.

69. Zhao Z.W., Ouyang K., Wang M. Structural macrokinetics of synthesizing ZnFe204

by mechanical ball miling // Transactions of Nonferrous Metals Society of China 20 (2010) 1131-1135.

70. Kim W., Saito F. Mechanochemical Synthesis of zinc ferrite from zinc oxide and a-

Fe203 // Powder Technology 114 (2001) 12-16.

71. Jean M., Nachbaur V. Determination of milling parameters to obtain

mechanosynthesized ZnFe204// Journal of Alloys and Compounds 454 (2008) 432436.

72. Nachbaur V., Tauvel G., Verdier T., Jean M., Juraszek J., Houvlet D.

Mechanosynthesis of partially inversed zinc ferrite // Journal of Alloys and Compounds 473 (2009) 303-307.

73. Yang H., Zhang X., Huang C., Yang W., Qiu G. Synthesis of ZnFe204

nanocrystallites by mechanochemical reaction // Journal of Physics and Chemistry of Solids 65 (2004) 1329-1332.

74. Botta P.M., Aglietti E.F., Porto Lopez J.M. Kinetic study of ZnFe204 formation from

mechanochemically activated Zn-Fe203 mixtures // Materials Research Bulletin 41 (2006)714-723.

75. Berbenni V., Milanese С., Bruni G., Marini A., Pallecchi I. Synthesis and magnetic

properties of ZnFe204 obtained by mechanochemically assisted low-temperature annealing of mixtures of Zn and Fe oxalates // Thermochimica Acta 447 (2006) 184-189.

76. Nikolic N.S., Specovic T.V., Ristic M.M. The influence of mechanical activation of

ZnO and Sn02 powder mixtures on the obtaining of zinc stannate ceramics // Химия в интересах устойчивого развития 10 (2002) 213-217.

77. Ivetic Т., Vukovic Z., Nikolic M.V., Pavlovic V.B., Nikolic N.S., Minic D., Ristic

M.M. Morphology investigation of mechanically activated Zn0-Sn02 system // Ceramics International 34 (2008) 639-643.

78. Suwanboon S., Amornpitoksuk P., Bangrak P. Synthesis, characterization and

optical properties of Zn!.xTixO nanoparticles prepared via a high-energy ball milling technique // Ceramics International 37 (2011) 333-340.

79. Анциферов B.H., Пещеренко С.И., Боброва C.H., Тимохова А.П. Механизм и

кинетика диссипации внешнего механического воздействия при дроблении порошковой смеси // Физика металлов и металловедение 81(2) (1996) 76-82.

80. Стрелецкий А.Н., Борунова А.Б., Козина Н.П., Лапшин В.И., Релушко П.Ф.

Закономерности механохимического синтеза сложных оксидов в системе Pb0-Fe203-Nb203 // Механохимический синтез в неорганический химии (ред. АввкумовЕ.Г.). Новосибирск: Наука, Сибирскоеотделение (1991) 66-83.

81. Fecht H.-J. Nanostructure formation by mechanical attrition // Nanostructured

Materials 6 (1995) 33-42.

82. Mohamed F.A. A dislocation model for the minimum grain sized obtainable by

milling // Acta Materialia 51(2003) 4107-4119.

83. Balaz P., Dutkova E., Skorvanek I, Gock E., Kovac J., Satka A. Kinetics of

mechanochemical synthesis of Me/FeS (Me = Cu, Pb, Sb) nanoparticles // Journal of Alloys and Compounds 483 (2009) 195- 199.

84. Mancheva M., Iordanova R., Dimitriev Y. Mechanochemical synthesis of

nanocrystalline ZnW03 at room temperature // Journal of Alloys and Compounds 509 (2011) 15-20.

85. Каракчиев Л.Г., Аввакумов Е.Г., Винокурова О.Б., Гусев А.А., Ляхов Н.З.

Мягкий механохимический синтез дисперсного титаната циркония // Химия в интересах устойчивого развития 11 (2003) 493-497.

86. Аввакумов Е.Г., Чижевская С.В., Стоянов Е.С., Поветкина М.В., Чекмарев

A.M., Шафиров В.Л., Винокурова О.Б. Влияние природы компонентов механически активированной смеси оксидов циркония и кремния на твердофазный синтез циркона // Журнал прикладной химии 73 (1999) 14201424.

87. Sherif El-EskandaranyM., El-Banasawy H.N., Ahmed H.A., Essia N.A. Mechanical

solid-state reduction of haematite with magnesium // Journal of Alloys and Compounds 314 (2001) 286-295.

88. Sheibani S., Ataie A., Heshmati-Manesh S. Kinetics analysis of mechano-chemically

and thermally synthesized Cu by Johnson-Mehl Avrami model // Journal of Alloys and Compounds 455 (2008) 447-453.

89. Sheu H.-H., Hsiung L.-C., Sheu J.-R. Synthesis of multiphase intermetallic

compounds by mechanical alloying in Ni-Al-Ti system// Journal of Alloys and Compounds 469 (2009) 483-487.

90. Shen Y., Hng H.H., Oh J.T. Formation kinetics of Ni - 15 % Fe - 5 % Mo during

ball milling // Materials Letters 58 (2004) 2824-2828.

91. Louidi S., Bentayeb F.-Z., Sunol J.J., Escoda L. Formation study of the ball milled Cr20Cu80 alloy // Journal of Alloys and Compounds 493 (2010)110-115.

92. Gupta R., Gupta A. Mechanical alloying of Fe-B powders // Materials Science and

Engineering A 304-306 (2002) 270-275.

93. Sherif El-Eskandarany, Bahgat A.A., Gomaa N.S., Eissa N.A. Kinetics and

formation mechanism of amorphous Fe52Nb48 alloy powder fabricated by mechanical alloying // Journal of Alloys and Compounds 290 (1999) 181-190.

94. Moumeni H., Alleg S., Greneche J.M. Formation of ball-milled Fe-Mo

nanostructured powders // Journal of Alloys and Compounds 419 (2006) 140-144.

95. Jiang H.G., Perez R.J., Lau M.L., Lavernia E.J. Formation kinetics of nanocrystalline

Fe - 4 wt. % A1 solid solution during ball milling // Journal of Materials Research 12 (1997) 1429-1432.

96. Bab M.A., Mendoza-Zelis L., Damonte L.C. Nanocrystalline NfN produced by

mechanical milling: kinetic aspects // Acta Materialia 49(2001) 4205-4213.

97. Браун M., Доллимор JI., Галвей A. // Реакции твердых тел. - М.: Мир, 1983.

98. Физическое материаловедение (ред. Кан Р.), М.: Мир, 1968.

99. Toporov A.Yu., Kiselev M.R., Kaloshkin S.D., Tcherdyntsev V.V., Tomilin I.A.

Changes of magnetic properties of Fe5oMn50composition by mechanical alloying// Journal of Magnetism and Magnetic Materials 203 (1999) 310-312.

100. Minoru Funaki, Tsutomu Ozaki, Kazuyu Satoh, Ryoichi Ohno. Growth and

characterization of CdTe single crystais for radiation detectors 7/ Nuclear Instruments and Methods in Physics Reseach A. 1999. V.436. P. 120-126.

101. Khan A.A., Allred W.P, Dead B. et.al. Growth and structural propeties of

low defect, sub-grain free CdTe substrates growth by the horizonta.l bridgman technique.//J. Electronic Materials. 1986. V. 15, N 3. P. 181-184.

102. Rudolph Peter and Muhlberg Manfred. Basic problems ofvertical Bridgman

growth ofCdTe//Material Science and Engineering. В16. 1993. P. 8-16.

103. Shen J., Aidun D.K., Regel L. and Wilcox W.R. Characterization of

precipitates in CdTe and Cd ,x ZnxTe grown by vertical Bridgman-Stockbarger Technique //J. Crystal Growth. 1993. V. 132. P. 250-260.

104. Shiraki H.,Funaki M., Ando J., at all //Nuclear Science Symp., Medical Imaging

Conf.,16 Room Temperature Semicond. Detctor

Workshop,200 8,Dresden,Germany.

105. Szeles Csaba, Eissler Elgin E. Current Issue of High-Pressure Bridgman

Growth of Semi-Insulating CdZnTe // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. V. 484. P.309.

106. Asahi Т., Oda 0., Taniguchi У., Koyama A. Characterization of 100 mm

diameter CdZnTe single crystals grown by vertical gradient freezing method // J. Crystal Growth. 1995. V. 149.P. 23-29.

107. Sato К., Seki У., Matsuda У., Oda О. Recent developments ш П-Vl

substrates //J. Crystal Growth. 1999. V.197. P. 413-422.

108. Rozen G.J., Carlson M., Thomson J.E. and Wilcox W.R. Monitoring vertical

Bridgman-Stockbarger growth of CdTe by an eddy current technique // J. Electron. Mater. - 1995. - V.24. - P. 491-496.

109. Ivanov Yu.M., Polyakov A.N., Kanevsky V.M. and Horvath Zs. Detection of

polymorphous transformations in CdTe by dylatometry // J. Phys. Sol. (C). -2003.-№3.-P. 889-895.

110. Ветисов И.Х., Иванов Ю.М., Зорин A.B. Проблемы полиморфных переходов в

CdTe // Поверхность. - 2001. - № 10. - С. 82-89.

111. Ivanov Yu.M. Growth and homogeneity region of CdTe // J. Crystal Growth. - 1996.

-V. 161.-P. 12-18.

112. Ivanov Yu.M., Artemov V.V., Kanevsky V.M., Polyakov A.N., Chudakov V.S.,

Pashaev E.M. and Semin R.A. Production of structurally perfect single crystals of CdTe and CdZnTe // Eur. Phys. J. Appl. Phys. - 2004. - V.27. - P. 371-379.

113. Sochinskii N.V., Munoz V., Bellani V., Vina L., Dieguez E., Alves E. da Silva,

Soares J.C. and Bernardi S. Substrate effect on CdTe layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V.70, Is. 10. - P. 1314-1317.

114. Sochinskii N. V., Bernardi S., Dieguez E., Franrosi P. and Kletskii S.V. Vapor phase

epitaxy of Hgi.xCdxTe on CdTe heteroepitaxial substrates // J. Crystal Growth. -1995. -V. 149. - P. 35-39

115. Alberts W. Физика и химия соединений А2В6 (Ред. С.А. Медведев). - М.: Наука. - 1970. -С.173-198.

116. Иванов Ю.М., Поляков А.Н., Зенкова М.Д., Каневский В.М., Артемов В.В. Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия. Патент на изобретение № 2 341594С2 от 20.12.2008 г.

117. Zuniga-Perez J., Tena-Zaera R. , Munoz-Sanjose V. Structural characterization of

CdTe layers grown on (0001) sapphire by MOCVD // J. Crystal Growth. - 2004. -V. 270, Is. 3-4.-P. 309-314.

118. Huerta-Ruelas J., Lopez-Lopez M. and Zelaya-Angel O. Observation of thermal

desorption and MBE growth rate using laser light scattering // Thin Solid Films. -

2000. - V. 373, Is. 1-2. - P. 239-243.

119. Baetzner D.L., Romeo A., Zogg H., Endt R.W., Tiwari A.N. Development of

efficient and stable back contacts on CdTe/CdS solar cells // Thin Solid Films. -

2001.- V.387. - P. 151-156.

120. Romeo N., Bosio A., Tedeschi R., Canevari V. Growth of polycrystalline CdS and

CdTe thin layers for high efficiency thin film solar cells // Materials Chemistry and Physics. - 2000. - V. 66, Is. 2-3. - P. 201-209.

121. Demtsu S.H. and Sites J.R. Effect of back-contact barrier on thin-film CdTe solar

cells // Thin Solid Films. - 2006. - V. 510, Is. 1-3. - P. 320-324.

122. Safran G., Geszti O., Barna P.B.// Phys.Status Sol.l995,v.l50,p.489 .

123. А.А.Чернов, Л.И.Трусов. Кристаллография. J_4, 218 (1969)

124. Robins J.L., Mortlock H.S., Howard D.C.// Appl.Surf.Sci.1985, v.22/23,p.565

125. Дж.П. хирт, С.Дж.Хруска, Г.М. Паунд. Сб. «Монокристаллические

пленки»//Мир,М. 1066

126. Kozhevnikov I.V., Pyatakhi M.V. Use of DWBA and perturbation theory in X-ray

control of the surface roughness // Journal of X-Ray Science and Technology. -1998.-V. 8. - P.253 - 275.

127. K.L.Chopra, M.R.Randlett//J.Appl.Phys. 39, 1874(1968).

128. Гельман Ю А., Дымшиц Ю.М., Самохвалов Ю.Ф. и др. Установка

молекулярно-лучевой эпитаксии с двумя синхронизированными модулированными пучками // ПТЭ. - 1994. - №5. - С. 181-188.

129. Асадчиков В.Е., Буташин А.В., Волков Ю.О. и др. // Зав. Лаб.- 2008. - №10. -

С. 21.

130. Edwards S.T., Schreiner A.F., Myers Т.М., Schetzina J. F. Photoluminescence from

CdTe/sapphire films prepared by molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. - 1983. -V. 54, Is. 11.-P. 6785-6791.

131. Myers Т.Н., Giles-TaylorN.C., Yanka R.W., Bicknell R.N., Cook J.W.,Schetzina

J.F., Jost S.R., Cole H.S. and Woodbury H.H. Properties and applications of CdTe/sapphire epilayers grown by molecular beam epitaxy. // J. Vac. Sci. & Techn. A. - 1985. - V. 3, Is. 1. - P. 71-80.

132. Бутягин П.Ю., Стрелецкий A.H. Кинетика и энергетический баланс в

механохимических превращениях // Физика твердого тела 47 (2005) 830-836.

133. Дистлер Г.И., Кортукова Е.И.Исследование электронной структуры зеркальных

сколов монокристаллов LiF, CaF2, MgO // Физика твердого тела 15 (1973) 2917-2923.

134. Дистлер Г.И., Власов В.П., Герасимов Ю.М., Кобзарева С.А., Кортукова Е.И.,

Лебедева В.Н., Москвин В.В., Шенявская Л.А. // Декорирование поверхности твердых тел М.: Наука, 1976.

135. Gruber Е.Е., Mullins W.W. // J. Phys. Chem. Solids. 1967. V.28. P.875

136. L.Pham Van, O. Kurnosikov and J.Cousty, Surf.Science, V.411, 1998, P.263.

137. Stubicar N., Tonejic A., Stubicar M. Microstructural evolution of some Mg0-Ti02

and Mg0-Al203 powder mixtures during high-energy ball milling and post-annealing studied by X-ray diffraction // Journal of Alloys and Compounds 370 (2004) 296-301.

138. Manova E., Estournes C., Paneva D., Rehspringer J.L., Tsoncheva T., Kunev В.,

Mitov I. Mossbauer study of nanodimensional nickel ferrite - mechanochemical synthesis and catalytic properties // Hyperfine Interactions 165 (2005)215-220.

139. Дзисько B.A., Карнаухов А.П., Тарасова Д.В. // Физико-химические основы

синтеза окисных катализаторов. Новосибирск: Наука, 1978.

140. Дзисько В.А. // Основы методов приготовления катализаторов. - Новосибирск:

Наука, 1983.

141.Ламберов А.А., Аптикашева А.Г., Егорова С.Р.,Левин О.В., Гильманов Х.Х. Формирование морфологии гидроксидов алюминия непрерывного осаждения в процессе промышленного синтеза // Журнал прикладной химии 78 (2005) 177-183.

142. Пакет прикладных программ для РФА. Версия JCPDS - International Centre for

Diffraction Data. Программа Ident. - JI., 1997.

143. Рентгенометрическая картотека ASTMDiffractiondatacardfile, 1970.

144. LuH., SunH., Mao A., Yang H., Wang H., Ни X. Preparation of plate-like nano-a-

A1203 using nano-aluminium seeds by wet-chemikal methods //Materials Science and Engineering A 406 (2005) 19-23.

145. Строение и свойства адсорбентов и катализаторов. Линеен Б.Г., ред. М.: Мир,

1973.

146. . Иконникова К.В. Влияние структурных параметров оксида алюминия

различной модификации на кислотно-основные свойства его поверхности //Дисс. ...канд. хим. наук. -Кемерово, ТГАСУ, 2007.

147. Физико-химические свойства окислов. Спр. под ред. Самсонова Г.В. М.:-

Металлургия 1978.

148. Черепанов A.M., Тресветский С.Г. // Высокотемпературные материалы и

изделия из оксидов. М.: Металлургия, 1964.

149. Phasediagramsforceramics, TheAmericanCeramicSociety, Columbus, ОН, Vols. I -

XII (1964-1996).

150. БалкевичВ.Л. // Техническаякерамика. М.: Стройиздат, 1984.

151. Jebb М., Barron A.W. ICP-MS for Trace Metal Analysis // Connection Modulus

M34666, IBC Plaza Houston, Houston, TX, 2010.

152. Ковтуненко П.В.// Физическая химия твердого тела. М.: Высшая шклоа, 1993.

153. Скоморовская Л.А. Магнезиальная шпинельная керамика, легированная

оксидами редкоземельных элементов. ПИКВИНИТИЦИ- ОНТ№5, 1994.

154. Dal Mascyio R.,Fabbri В. Industrial applications of refractories containing

magnesium alumínate spinel //Industrial Ceramics 8 (1988) 121-126.

155. Пивинский Ю.Е. Новые огнеупорные бетоны и вяжущие системы -

основополагающее направление в разработке, производстве и применении огнеупоров в XXI веке. Часть III. Шпинельные и литые бетоны // Огнеупоры и техническая керамика 4 (1998) 12-18.

156. Gentilman R.L. Fusion-castingoñransparent spinel //

AmericanCeramicSocietyBulletin60(9) (1981) 906-909.

157. Wu X.C., Tao Y.R., Han Z.J., Zhang B.D. Synthesis and characterization of MgAl204

spinel nanowires // Journal of Materials Chemistry 13 (2003) 2649-2651.

158. Антонов Г.И. Синтез алюминий-магниевой шпинели // Новые огнеупоры 1

(2003) 26-29.

159. Tripathi H.S., Mukherjee В., Das S., Haldar M.K., Das S.K., Ghosh A. Synthesis and

densification of magnesium aluminate spinel: effect of MgO reactivity // Ceramics International 29 (2003) 915-918.

160. Angappan S., John Berchmans L., Augustin C.O. Sitering behavior of MgAl204 -a prospective anode material // Materials Letters 58 (2004) 2283-2289.

161. Mohapatra D., Sarkar D. Effect of in situ spinel seeding on synthesis of MgO-rich

MgAl204 composite // Journal of Materials Science 42 (2007) 7286-7293.

162. БеляковА.В., ФайковП.П., ЦвигуновА.Н., АндриановН.Т., ИвлеваЮ.В.

СинтезМ§А1204сизбытком 10 мол. % MgOnpn изменении скоростей массопотоков катионов // Стекло и керамика 2 (2006) 14-19.

163. Кузнецова Т.В., Третьякова Н.С. Разработка составов огнеупорного материала,

содержащего алюмомагнезиальную шпинель// Стекло и керамика 5 (2004) 20-22.

164. Кащеев Л.Д., Каменецких В.А., Земляной К.Г., Шатилов О.Ф., Коптелов В.Н.,

Пономарев Д.В. Синтез шпинели из каустического магензита и глиноземной пыли // Новые огнеупоры 8 (2003) 17-21.

165. Цыбуля С.В., Крюкова Т.Н., Кригер Т.А., Цырульников П.Г. Структурный

аспект эффекта термоактивации в алюмомарганцевых катализаторах глубокого окисления // Кинетика и катализ 44 (2003) 311-321.

166. Zhang Z., Li N. Effect of polymorphism of Al203on the synthesis of magnesium

aluminate spinel // Ceramics International 31 (2005) 583-589.

167. LavatA.E., Grasselli M.C., Lovecchio E.G. Effectofa and у polymorphs of alumina

on the preparation of MgAl204 - spinel - containing refractory cement // Ceramics International 36 (2010) 15-21.

168. Mazzoni A.D., Sainz M.A., Caballero A., Aglietti E.F. Formation and sintering of

spinels (MgAl204) in reducing atmospheres // Materials Chemistry and Physics 78 (2002) 30-37.

169. Ganeshl., Johnson R., Rao G.V.N., Mahajan Y.R., Madavendra S.S., Reddy B.M.

Microwave-assisted combustion synthesis of nanocrystalline MgAl204 spinel powder // Ceramics International 31 (2005) 67-74.

170. Gomez I., Hernandez M., Aguilar J., Hinojosa M. Comparative study of microwave

and conventional processing of MgAl204-based materials // Ceramics International 30 (2004) 893-900.

171. Ganeshl., Srinivias В., Johnson R., Saha B.P., Mahajan Y.R. Microwave-assisted

solid state reaction synthesis of MgAl204 spinel powder // Journal of the European Ceramic Society 24 (2004) 201-207.

172. . Chou Y.H., Morgan A.J., Hondow N.S., Brydson R., Douthwaite R.E. Microwave-

induced plasma heating and synthesis: In situ temperature measurement of metal oxides and reactions to form ternary oxide // Dalton Transactions 39 (2010) 60626066.

173. Brooks D.J., Douthwaite R.E., Gillie L.J. Plasma-promouted dielectric heating in the

microwave synthesis of spinels // Chemical Communications (2005) 4857-4859.

174. Horvitz D., Gotman I. Pressure-assisted SHS synthesis of MgAl204-TiAl in situ

composites with interpenetrating networks // Acta Materialia 50(2002) 1961-1971.

175. Guo J., Lou H., Zhao H., Wang X., Zheng X. Novel synthesis of high surface area

MgAl204 spinel as catalyst support // Materials Letters 58 (2004) 1920-1923.

176. Kim W., Saito F. Effect of grinding on synthesis of MgAl204 spinel from a powder

mixture of Mg(OH)2 and Al(OH)3 // Powder Technology 113 (2000) 109-113.

177. Henkel L., Koch D., Grathwohl G. MgAl204 spinel synthesizing by high-energy ball

miiling and reaction sintering // Journal of the American Ceramic Society 92 (2009) 805-811.

178. Zhihui Z., Nan L. Influence of mechanical activation of A1203 on synthesis of

magnesium aluminate spinel // Science of sintering 36 (2004) 73-79.

179. Смитлз К. Дж. Металлы. Справочник. М.: Металлургия, 1980.

180. Balluffi R.W., Mehl R.F. Grain boundary diffusion mechanisms in metals //

Metallurgical Transactions A 13 (1982) 2069-2095.

181. Yoon D.Y. Theories and observations of chemically induced interface migration //

International Materials Review 40 (1995) 149-179.

182. AlbertsW. Физика и химия соединений А2В6 (Ред. С.А. Медведев). -

183. М.: Наука. 1970. С.173-198.

184. . Н.В. Белов. Структура ионных кристаллов и металлических фаз. - М.:

185. Изд. АН СССР. 1947. С. 60-62.

186. L.Pham Van, О. Kurnosikov and J.Cousty, Surf.Science, V.411, 1998, P.263.

187. Neretina S., Hughes R.A., Britten J.F. et al. The role of substrate surface

188. termination in the deposition of (111) CdTe on (0001) sapphire. // Appl. Phys.A.

2009. V. 96. P. 429.

189. Godin T.J., LaFemina J.P.. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. № 11. P. 7691.

190. Дж.А. Стрэттон «Теорияэлектромагнетизма»//М.1948.

поверхности твердых тел. М.: Наука, 1976. С. 111.

191. Дедков Г.В., Дедкова Е.Г., Карамурзов Б.С., Хоконов Х.Б., Тегаев Р.И., Коков

З.А.Исследование силовых взаимодействий зонда сканирующего микроскопа с проводящими и непроводящими образцами в атмосферных условиях // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 6 (2007) 93-98.

192. Дедкова Е.Г. Контактная атомно-силовая спектроскопия металлических плёнок и диэлектрических материалов // Дисс. ...канд. физ.-мат.. наук. -Нальчик, Кабардино-Балкарский государственный университет им. X. М. Бербекова, 2008.

Основные публикации автора по теме диссертации:

1. Власов В.П., Дистлер Г.И., Каневский В.М. Исследование методом Оже-электронной спектроскопии элементов активной поверхности кристаллов ZnS, возникающих в процессе их хрупкого разрушения. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1980. Т. 44. № 6. С. 1226-1228.

2. Власов В.П., Дистлер Г. И. Каневский В.М. Влияние примесной структуры на хрупкое разрушение кристаллов ZnS и ZnO. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1980. Т. 44. №6. С. 1303-1304.

3. Дистлер Г.К, Герасимов Ю.М., Каневский В.М. Получение тонких пленок с гладкой поверхностью методом дальнодействующей кристаллизации. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1984. Т. 48. № 9. С. 1697-1702.

4. Герасимов Ю.М., Дистлер Г.И., Каневский В.М., Макаров В.П., ШныревГД. О твердофазных реакциях, инициированных термообработкой на поверхности кристаллов КС1, легированных SrCl2. // Изв. АН СССР, сер.физич. 1986. Т. 50. № 3. С. 486-490.

5. Герасимов Ю.М., Дистлер Г.И., Каневский В.М., Макаров В.П. О микроканалах, возникающих при твердофазных примесных реакциях, инициированных термообработкой, на поверхности кристаллов KCl, легированных SrCl2.//H3B. АН СССР, сер.физ. 1986. Т. 50. № 3. С. 440-445.

6. Власов В.П., Каневский В.М. Электронная спектроскопия и электронография переходных слоев, образующихся при эпитаксии Au, Ag, Си на KCl. // Изв. РАН, сер.физич. 2001. Т. 65. № 9. С. 1288.

7. Иванов Ю.М., Чудаков B.C., Каневский В.М., Поляков А.Н., Пашаев Э.М., Писаревский Ю.В., Абрамец Ю.В., Тихомиров С.А. Получение однородных монокристаллов теллурида кадмия. // Поверхность. 2001. № 10. С. 65-68.

8. Власов В.П., Каневский В.М. Исследование изменения доменной структуры кристаллов ТГС методом декорирования хлористым серебром// Поверхность. 2002. № 6. С. 38-41.

9. Власов В.П., Каневский В.М. О возможности получения сплошных монокристаллических пленок металлов нанометровой толщины на поверх-ностяхщелочногалоидных кристаллов.//Поверхность. 2002. № 9. С. 69-73.

10. Власов В.П., Каневский В.М. Электронно-микроскопические исследования эволюции ориентации первичных микрокристалллов при вакуумном осаждении Au, Ag, AgCl на поверхности (100) щелочногаллоидных кристаллов. //Поверхность. 2002. № 10. С.26-29.

11. Ivanov Yu.M., Polyakov A.N., Kanevsky V.M., Pashaev E.M., Horvath Zs.J. Detection of Polymorphous Transformations in CdTe by Dilatometry. // Phys. Stat. Solid. (C) 2003. №3. P. 889-892.

12. В.В.Артемов, Каневский B.M., Ю.М.Иванов. Исследование структуры кристаллов CdTe методами просвечивающей и растровой электронной микроскопии //Поверхность.2003. №3. С. 96-98.

13. Ivanov Yu.M., Kanevsky V.M., Dvoryankin V.F., Artemov V.V., Polyakov A.N., Kudryashov A.A., Pashaev E.M., Horvath Zs.J. The Possibilities of Using Semi-Insulating CdTe Crystals as Detecting Material for X-Ray Imaging Radiography //Phys. Stat. Solid., (C) 2003. № 3.P. 840-844.

14. Иванов Ю.М., Артемов В.В., Поляков А.Н., Каневский В.М., Чудаков B.C., Пашаев Э.М., Сенин P.A. Получение структурно-совершенных кристаллов CdTe //Поверхность. 2004. №9. С. 12-16.

15. Ivanov Yu.M., Artemov VV, Polyakov A.N., Kanevsky V.M., Chudakov VS., Pashaev E.M., Senin R.A. Production of Structurally Perfect Single Crystals of CdTe and CdZnTe // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 27. P. 371.

16. Иванов Ю.М., Поляков A.H., Зенкова М.Д., Каневский В.М., Акчурин М.Ш., Асадчиков В.Е., Рощин Б.С., Кожевников И.В., Гайнутдинов Р.В., Занавескин M.JI. Исследование шероховатости поверхности подложек из совершенных монокристаллов CdTe // Поверхность. 2006. №12. С. 12-14.

17. Ковалъчук М.В., Каневский В.М., Тихонов Е. О., Дерябин А.И. Установка для горизонтальной односторонней очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 53592 от 27.05.2006.

18. Каневский В.М., Михайлов В.К, Поляк JI.E. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe: часть 1. Cd, Те2 nCdTe. // Поверхность. 2007. № 6. С.53-58.

19. Каневский В.М., Михайлов В.К, Поляк Л.Е. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe: часть 2. Cd, Те2nCdTe. //Поверхность. 2007. № 11. С.48-54.

20. Буташин A.B., Каневский В.М., Семенов В.Б., Федоров В.А., Занавескин M.JI. Контейнер для отжига оксидных монокристаллов. Патент на полезную модель №73877. Заявка № 2007146175/22(050606) от 13.12.2007. Положительное решение от 17.01.2008 г. Дата per. 10.06.08 г.

21. Каневский В.М., Тихонов Е. О., Дерябин А.Н. Установка для двухсторонней вертикальной очистки поверхности круглых пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 2327247 от 20.06.2008.

22. Ковалъчук М.В., Каневский В.М., Тихонов Е. О., Дерябин А.Н. Способ изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов. Патент на изобретение № 2337429 от 27.10.2008.

23. Асадчиков В.Е., Буташин A.B., Волков Ю.О., Грищенко Ю.В., Дерябин А.Н., Занавескин М.Л., Каневский В.М., Кожевников И.В., Рощин Б.С., Тихонов Е.О., Толстихина А.Л., Федоров В.А. Неразрушающие методы контроля нанорельефа поверхности на примере сапфировых подложек // Заводская лаборатория; диагностика материалов. 2008. № 10. С. 21-24.

24. Прохоров И.А., Захаров Б.Г., Асадчиков В.Е., Буташин A.B., Рощин Б.С., Толстихина А.Л., Занавескин М.Л., Грищенко Ю.В., Муслимое А.Э., Якимчук И.В., Волков Ю. О., Каневский В.М., Тихонов Е. О. Характеризация монокристаллических подложек лейкосапфира рентгеновскими методами и атомно-силовой микроскопией // Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 490-496.

25. Муслимое А.Э., Волков Ю.О., Асадчиков В.Е., Каневский В.М., Рощин Б.С., Власов В.П. Применение различных методик атомно-силовой микроскопии для детальной диагностики золотых нанопокрытий на поверхности монокристаллическоголейкосапфира// Кристаллография. 2011. Т. 56. № 3. С. 545-554.

26. Михайлов В.И., Буташин A.B., Каневский В.М., Поляк Л.Е., Ракова Е.В., Муслимое А.Э., Кварталов В.Б. Исследование молекулярно-лучевой эпи-таксиителлурида кадмия на сапфире//Поверхность. 2011. № 6. С. 97-102.

27. Каневский В.М. Размерные эффекты механохимии оксидов // Кристаллография. 2011. Т. 56. №4. С. 711-718.

28. Муслимое А.Э.,Бутагиин А.В.,Коноеко A.A., Смирнов И.С., Рощин Б.С., Волков Ю.О., Ангелуц А.А.,Андреев A.B., Шкуринов А.П., Каневский В.М., Асадчиков В.Е. Упорядоченные наноструктуры золота на поверхности сапфира: получение и оптические исследования // Кристаллография. 2012. Т. 57. №3. С. 471-476.

29. Асадчиков В.Е., Кожевников И.В., Рощин Б.С., Волков Ю.О., Муслимое А.Э., Каневский В.М., Занавескин М.Л. Анализ шероховатости поверхностей

методами рентгеновского рассеяния и атомно-силовой микроскопии // Мир измерений. 2012. №7. С. 11-17. 30. Буташин A.B., Власов В.П., Каневский В.М., Муслимое А.Э., Федоров В.А. Особенности формирования террас но-ступенчатых наноструктур на (0001) поверхности кристаллов сапфира // Кристаллография. 2012. Т. 57. № 6. С.

31. Иванов Ю.М., Поляков А.Н., Зенкова М.Д., Каневский В.М. Установка для выращивания кристаллов. Патент на изобретение № 51030 от 27.01.2006 г

32. Иванов Ю.М., Поляков А.Н., Зенкова М.Д., Каневский В.М., Артемов В.В. Способ выращивания монокристаллов теллурида кадмия. Патент на изобретение № 2 341594С2 от 20.12.2008 г.

33. Pavlyuk M.D., Kanevsky V.M., Dvoryankin V.F., Kudryashov A.A., Petrov A. G., Ivanov Yu.M. Manufacturing detectors for digital x-ray images of melt-grown CdTe and CdZnTe single crystals. // Nuclear Instr. And Methods in Phys. Research A624 (2010) P.482-485.

34. V.E.Asadchikov, A. V.Butashin, V.M. Kanevsky,A.E. Muslimov and B.S.Roshchin Syntetic Sapphire: Growth and Surface Investigations.// Materials Science and technologies.(2013)P35-75.

927-933.