Планарные оптические трехслойные волноводные структуры с потерями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат технических наук Савельев, Сергей Петрович

• Савельев, Сергей Петрович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Савельев, Сергей Петрович

Принятые условные обозначения и сокращения.

Введение.

Глава 1. Анализ трехслойного планарного оптического волновода в структурах с потерями.

1.1. Структура слоев и комплексное дисперсионное уравнение планарной трехслойной структуры на поглощающей подложке

1.2. Условия для определения границ диапазонов различного поведения комплексных нормализованных постоянных распространения, связанных с наличием точек отсечки.

1.3. Аналитические выражения для толщин пленки и нормализованных постоянных распространения волн в точках отсечки и их графическое представление.

1.4. Вид дисперсионных кривых для различных диапазонов изменения показателя преломления пленки.

1.5. Краткие выводы.

Глава 2. Интегрально-оптические фотоприемные структуры.

2.1. Принципы (схемы) построения фотодетекторов, сопряженных с планарным волноводом.

2.2. Фотодетекторы с резким и плавным переходами буферного слоя к области фотодетектирования на подложках из кремния. Оптико-физические параметры й характеристики образцов.

2.3. Улучшение характеристик системы волновод-фотодетектор на подложках из кремния.

2.4. Основные результаты главы 2.

Глава 3. Исследование интегрально-оптического фотодетектора на кремниевой подложке

3.1. Экспериментальная многофункциональная установка для измерения оптико-физических параметров и характеристик планарных волноводных структур.

3.2. Исследование спектральных свойств волновода с помощью встроенного в кремниевую подложку фотодетектора.

3.3. Исследование спектральных свойств сопряженного с волноводом фотодетектора.

3.4. Основные результаты главы 3.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Планарные оптические трехслойные волноводные структуры с потерями»

Применение оптики в радиоэлектронике, а также дальнейшее развитие оптического приборостроения требуют микроминиатюризации и интеграции оптических элементов, устройств, схем. С развитием интегральной оптики, использующей двумерные световые пучки, распространяющиеся в виде поверхностных волн в волноводных системах, возникла новая оптическая схемотехника. Оптические и оптоэлектронные устройства объединяются на общей подложке и изготавливаются одновременно в едином технологическом процессе из одинаковых или взаимно совместимых материалов. При этом исследования планарных оптических элементов и устройств выявили ряд специфических требований к материалам и технологии, которые в большинстве случаев намного выше аналогичных требований в микроэлектронике и оптике тонкопленочных покрытий.

Актуальность работы

Интеграция электронных устройств обработки информации с вол-новодными структурами также выдвигает ряд требований к применяемым материалам и технологии, особенно к принципам построения и качеству изоляции между поглощающими и прозрачными слоями, а также к принципам сопряжения конечных (или промежуточных) оптических и приемных электронных структур. Одним из перспективных материалов, удовлетворяющих таким требованиям в качестве материала подложки, является кремний. Его использование позволит последовательно осуществить процесс микроминиатюризации и интеграции функциональных устройств обработки больших. массивов информации в едином микро-оптоэлектронном пространстве.

Материалы диэлектрических слоев планарной оптики, где сосредоточены оптические пучки и все оптические устройства, должны обладать хорошей прозрачностью (коэффициент поглощения должен быть не более 10"3 см-1), иметь большой диапазон изменения показателя преломления 1,45—2,5, оптическую прозрачность в широком диапазоне спектра 0,35—6,0 мкм, однородную структуру, механическую прочность и стойкость к внешним химическим и радиационным воздействиям. Наиболее полно этому удовлетворяют пленки оксидов и их соединений элементов II-V групп периодической таблицы. В обзоре [1] подробно рассмотрены вопросы применения и технологические пути синтеза с заданными свойствами пленок оксидов и их соединений на непоглощающих подложках и кремнии при реализации различных планарных оптических устройств. Особенности технологии волноводных слоистых систем на основе стеклообразных материалов демонстрирует обзорная статья [2].

Наиболее полное теоретическое исследование распространения волн в открытых волноводах (в том числе и с потерями), имеющее непосредственное отношение к теме диссертации, содержится в работах В. В. Шевченко [4-8], которые оказали большую помощь в интерпретации полученных новых результатов.

Другие исследователи и научные группы также проявляли большой интерес к и-о структурам и элементам с потерями. Описаны многослойные структуры на кремнии, в частности и при наличии металлических слоев, в работах [17], [13,14], [15]. В работе [10] рассмотрена 4-слойная структура с излучением из волновода через буферный слой; приведен пример расчета комплексных нормализованных постоянных распространения при малых значениях затухания волны вдоль направления распространения. В работе [9] рассмотрена структура с поглощением в вол-новодном слое. Эксперименты с 3-слойными структурами с потерями на кремниевых подложках (в основном для целей создания эффективных фотоприемных структур) проводились и за рубежом. В частности, были изготовлены и опробованы структуры с сопряжением с волновода с фотодиодом «в стык» [47] и с плавным скосом буферного слоя к ФЧП [48-51,53] на предмет возможности их использования в оптоэлек-тронной аппаратуре и измерения физических параметров волноведущих структур. В работе [52] продемонстрировано применение кремниевых фотоприемников для измерения рассеяния волноводной волны в плоскости волновода. Были предприняты попытки создания и исследования спектрально-селективного и-о фотоприемника на GaAlAs [40].

Тем не менее, за пределами рассмотрения осталось описание распространения затухающих волн в 3-слойных планарных структурах с потерями в широком диапазоне изменения показателя преломления несущего слоя, а также применение таких структур в виде конкретных устройств в экспериментах по измерению спектральных характеристик волновод-ных слоев и поглощающих элементов интегрально-оптических (и-о) схем. Отсутствовало также сравнительное физическое описание встроенных в и-о схемы фотоприемных элементов с резким и плавным переходами (скосами) буферного слоя к фоточувствительной площадке (ФЧП). Диссертация позволяет заполнить этот пробел. В ней представлены новые факты, поддающиеся экспериментальной проверке, обозначены пути применения полученных результатов в задачах, связанных с измерением и расчетом параметров и характеристик и-о элементов и схем, а также при построении различного рода устройств, работа которых может быть описана в рамках проведенного рассмотрения 3-слойных волноводных структур с потерями.

В представленной работе, под потерями понимается убывание мощности (затухание) волноводной волны в пленке вдоль направления распространения. В рассматриваемой структуре оно обязано поглощению волны в материале подложки и положительной разности между действительной частью показателя преломления подложки и пленки. При правильном выборе геометрических и оптико-физических параметров сред рассматриваемой структуры волна не теряется безвозвратно, а может быть использована для других целей (например, выводится из пленочного волновода, как это происходит при призменном выводе излучения, преобразуется в другие виды, как это происходит при генерации фототока в структурах с р — n-переходами). Неправильный выбор параметров -3-слойной структуры переводит такие потери в разряд безвозвратных (зазор между началом р — n-перехода и местом ввода излучения в 3-слойную структуру, полное внутреннее отражение от 3-слойной структуры и т. п.).

Цель диссертационной работы

Целью диссертационной работы является выявление основных закономерных особенностей распространения волн в 3-слойных планарных структурах с потерями (поперечных резонансов) в широком диапазоне изменения показателя преломления несущего слоя и приложение полученных результатов к описанию свойств и измерению параметров и характеристик элементов и-о схем: планарного фотодиода и планарного волновода.

Основные задачи исследования

Описание распространения волн вдоль 3-слойной планарной структуры с потерями, изготовление и исследование 3-слойного планарного и-о элемента — планарного фотодиода —и применение полученных результатов в эксперименте по измерению спектральных характеристик и параметров элементов и-о схемы.

Метод исследования

Теоретические исследования выполнены с использованием математического аппарата теории распространения волн в планарных структурах (метод сшивания полей на плоских границах раздела сред). Условиями, в рамках которых получены результаты исследования, являются: наличие 3-слойной планарной волноводной структуры с потерями, обусловленными тем, что материал подложки имеет действительную частью показателя преломления большую, чем действительная часть показателя преломления несущего слоя, а также наличием небольшой по сравнению с действительной мнимой части показателя преломления подложки (в данном случае —Si). Математические расчеты и построение графиков выполнены в среде Mathcad 2001i Professional. Структуры образцов исследовались с применением методов электронной, интерференционной и оптической микроскопии, профилометрии и микрофотометрии.

Основные положения, выносимые на защиту

1) для 3-слойной волноводной среды с потерями (щ < ппленки < Ке(^подложки), ^подложки — комплексный) существуют диапазоны различного поведения нормализованных постоянных распространения у бегущей с затуханием по пленочному волноводу волны в зависимости от значения показателя преломления пленки;

2) границы этих диапазонов определяются показателями преломления окружающих пленку слоев;

3) возрастание или убывание полей мод в подложке характеризуется соотношением мнимых и действительных частей показателей преломления подложки и нормализованных постоянных распространения мод;

4) минимальная длина 3-слойной фотоприемной структуры в направлении распространения волны, в основе которой лежит 3-слойная среда с потерями, определяется мнимой частью нормализованной постоянной распространения моды;

5) объединение на единой подложке волноводной структуры и 3-слойной структуры с потерями в виде и-о фотодиода, в отличие от структур с призменным выводом излучения из волновода, позволяет проводить спектральные измерения параметров и характеристик этих структур в экспериментах со слабыми некогерентными источниками излучения сплошного спектра (лампами накаливания).

Достоверность результатов

Достоверность результатов подтверждается непротиворечивостью выводов, полученных в результате исследований, а также согласованностью их с известными из научной литературы фактами. Результаты измерения спектральных характеристик и-о фотодетекторов в объемном варианте сравнивались с независимыми измерениями, проведенными в НПО «Геофизика» (г.Москва) и на заводе «Кварц» (г.Черновцы). Измерения с некогерентным источником излучения дублировались измерениями на длине волны He-Ne лазера.

Научная новизна

Проведенные исследования дали следующие новые результаты:

1) Численное решение комплексного дисперсионного уравнения в широком диапазоне изменения показателя преломления несущего слоя, являющегося следствием решения электродинамической задачи на распространение световой волны в трехслойной структуре с потерями методом сшивания полей на плоских границах раздела сред, выявило наличие нескольких диапазонов различного поведения нормализованных постоянных распространения волн в зависимости от изменения показателя преломления несущего слоя.

2) Сформулированы условия наличия или отсутствия отсечки для волн Н(ТЕ) и Е(ТМ)-тшов, определяющие границы диапазонов изменения показателя преломления несущего слоя, в которых параметрические кривые зависимости решений дисперсионного уравнения 3-слойной среды с потерями от толщины пленки имеют различное поведение: описаны три диапазона и две пограничные точки для Я-волн и четыре диапазона и одна пограничная точка для Е'-волн.

3) Впервые получены аналитические выражения для определения толщин и нормализованных постоянных распространения волн в точках отсечки и приведено их графическое представление.

4) Впервые показано, что в зависимости от значения толщины пленки поля составляющих Еу {Ну) в направлении поперечной координаты в подложке могут как убывать, так и возрастать. Это определяется соотношением мнимых частей нормализованной постоянной распространения и показателя преломления подложки.

5) Проведенный анализ трехслойной структуры с потерями был непосредственно применен к описанию распространения волны на фоточувствительной площадке и-о фотодетектора. Для этих целей были изготовлены образцы фотоприемных структур с резким и плавным переходами буферного слоя к ФЧП на подложках из кремния. Приведены результаты измерений оптико-физических и геометрических параметров фотоприемных структур с привлечением методов электронной, интерференционной и оптической микроскопии, профило-метрии и микрофотометрии с использованием полистиролового волновода. Показано, что структура с плавным скосом буферного слоя к ФЧП по сравнению с резким работает более эффективно.

6) Предложены способы улучшения характеристик фотодиодных структур, сопряженных с волноводом. Даны рекомендации по улучшению работы фотодиода с резким скосом буферного слоя, делающей ее сравнимой по эффективности с работой фотодиода с плавным скосом.

7) Создана и применена для исследовательских целей экспериментальная многофункциональная установка для определения основных параметров и характеристик планарных волноводных структур, сопряженных с фотодетекторами, при работе с когерентным и слабыми1 некогерентным источниками излучения (лазером и лампой накаливания) в широком спектральном диапазоне.

8) Предложена методика и с помощью и-о фотодетектора экспериментально измерена дисперсия 3-слойной волноводной структуры и материала несущего слоя в широком спектральном диапазоне с учетом спектральных свойств самого сопряженного с волноводом фотодетектора.

Практическая значимость работы

1) Результаты проведенных исследований, а также полученные аналитические выражения и построенные на их основе графики, использо

1Разложепие падающего на входной элемент и-о схемы излучения от некогерентного источника— лампы накаливания — в спектр по длинам волн с помощью монохроматора и дальнейший вывод излучения из волновода с использованием призменного или решеточного элементов связи к внешнему по отношению к и-о структуре фотоприемнику обычно приводят к тому, что уровень сигнала на выходе находится ниже порога чувствительности схемы ваны в проектировании и-о узлов и схем для их оптимизации, выбора параметров 3-слойных структур с потерями, а также при обосновании и разработке требований к новым устройствам и технологическим процессам изготовления и контроля планарных элементов этих схем.

2) В ходе исследований были намечены пути реализации фотоприемных устройств с улучшенными характеристиками, а полученные сведения об отсечках мод могут быть применены по предложенным методикам для определения количества мод многомодовых планарных волноводных структур при фиксированной длине волны или в выбранном спектральном диапазоне.

3) Проведенный анализ трехслойной структуры с потерями был непосредственно применен к описанию распространения волн на фо-точувствительпой площадке интегрально-оптического фотодетектора. С помощью изготовленных образцов фотоприемных структур с резким и плавным переходами буферного слоя к ФЧП на подложках из кремния определены основные методы измерения оптико-физических и геометрических параметров фотоприемных структур с полистироловым волноводом с привлечением электронной, интерференционной и оптической микроскопии, профилометрии и микрофотометрии.

4) Предложенные способы улучшения характеристик фотодиодных структур, сопряженных с волноводом, зафиксированы в б авторских свидетельствах на изобретения, а также даны рекомендации по улучшению работы фотодиода с резким скосом буферного слоя (меза-структуры фотодиода: таблица 2.1, и. 96, с. 51).

По результатам исследований получено б авторских свидетельств на изобретения.

Виедрение результатов работы

1) Положения, разработки и научно-технические рекомендации диссертации использованы в ФГУП «НПО «Оптика» при формировании требований к современным технологическим процессам изготовления план арных структур для целей интегральной оптики, при определении перспективных направлений разработки технологического и измерительного оборудования для интегрально-оптических систем и устройств, а также при разработке планарного акусто-оптического модулятора и и-о дальномера (акт о внедрении).

2) Положения, разработки и научно-технические рекомендации диссертации использованы в ОАО «Альтаир» (акт о внедрении).

3) Материалы диссертации используются в учебном процессе по специальностям «Радиофизика и электроника», «Радиотехника» и «Проектирование и технология радиоэлектронных средств», а также в дипломном проектировании (акт о внедрении).

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались в ряде научно-технических семинаров и конференций. Среди них:

Конференция «Физика диэлектриков», Баку, декабрь 1982 г.

Всесоюзная конференция «Волоконно-оптические системы для передачи информации и измерений», Севастополь, июль 1991 г.;

XLIII Научно-техническая конференция МИРЭА. Москва, май 1994 г.

XXXIX Всероссийская научно-техническая конференция по проблемам математики, информатики, физики, химии и методики преподавания естественно-научных дисциплин. РУДН, Москва, 21—22 апреля 2003 г.

Структура диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения и библиографического списка использованной литературы.

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Савельев, Сергей Петрович

Основные выводы но результатам, полученным в диссертационной работе, можно сформулировать следующим образом:

1) В результате исследования численных решений дисперсионного уравнения для 3-слойной среды с плоскими границами при наличии потерь на поглощение и распространение в подложку из кремния в широком диапазоне изменения показателя преломления несущего слоя впервые получены аналитические выражения для определения границ диапазонов различного поведения комплексных нормализованных постоянных распространения волн в зависимости от толщины пленки. Произведенные расчеты представлены в виде графиков, отображающих поведение y(h) в разных диапазонах изменения показателя преломления несущего слоя. Выявлены связанные с наличием отсечек три диапазона и две пограничные точки для Я-волн и четыре диапазона и одна пограничная точка для 1?-волн. Полученные сведения непосредственно применены для определения количества мод в волноводных многомодовых структурах по предложенным методикам и при выборе и оптимизации параметров волноводных и фотоприемных структур.

2) Впервые показано, что в зависимости от значения толщины пленки поля составляющих Еу (Ну) в направлении поперечной координаты в подложке могут как убывать, так и возрастать. Это определяется соотношением мнимых частей нормализованной постоянной распространения и показателя преломления подложки.

3) В результате измерений оптико-физических и геометрических параметров фотоприемных структур с привлечением методов электронной, интерференционной и оптической микроскопии, профиломет-рии и фотометрии с использованием полистиролового волновода, а также с помощью численных расчетов, проведен сравнительный анализ двух структур и-о фотодиодов. Показано, что структура с плавным скосом буферного слоя к ФЧП по сравнению с резким работает более эффективно. Проведенный анализ позволил предложить способы улучшения характеристик фотодиодных структур, сопряженных с волноводом. Результаты представлены в б авторских свидетельствах на изобретения.

4) Создана экспериментальная многофункциональная установка для определения основных параметров и характеристик планарных вол-новодных структур, сопряженных с фотодиодами, позволяющая в широком спектральном диапазоне и с достаточной для практики точностью проводить эксперименты с такими интегрально-оптическими структурами.

5) Экспериментально продемонстрирована эффективная работа интегрально-оптического фотодиода с некогерентным источником излучения (лампой накаливания) в широком спектральном диапазоне (см. с. 12).

6) Предложена методика и с помощью и-о фотодетектора экспериментально измерена дисперсия 3-слойной волноводной структуры и материала несущего слоя в широком спектральном диапазоне с учетом спектральных свойств самого сопряженного с волноводом фотодетектора.

Заключение

В диссертационной работе проведено теоретическое и экспериментальное исследование 3-слойных планарных волноводных оптических структур с потерями.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Савельев, Сергей Петрович, 2005 год

1. Анацкая Н. И., Осадчев J1. А., Савельев С. П., Сергеев А. Н., Шанда-ров С. М. Пленки оксидов и их соединений в планарных оптических устройствах: Обзоры по электронной технике. Сер. 6, Материалы, вып. 5(968). —М.: ЦНИИ «Электроника», 1983. —52 с.

2. Петровский Г. Т., Агафонова К. А. Волновые структуры на основе стеклообразных материалов для задач интегральной оптики // Физика и химия стекла. —1980. — Т. 6, № 1. — С. 3—20.

3. Дмитрук Н. JL, Литовченко В. Г., Стрижевский В. Л. Поверхностные поляритоны в полупроводниках и диэлектриках.— К.: Наукова думка, 1989.-376 с.

4. Шевченко В. В. Вырождение и квазивырождение спектра и преобразование волн в диэлектрических волноводах и световодах // Радиотехника и электроника. — 2000. — Т. 45, № 10. —С. 1157—1167.

5. Шевченко В. В. Наглядная классификация волн, направляемых регулярными открытыми волноводами // Радиотехника и электроника.-1969.-Т. 14, № 10.-С. 1768-1772.

6. Шевченко В. В. О поведении волновых чисел волн диэлектрических волноводов за критическим значением (среды с потерями) // Изв. вузов. Радиофизика.-1972.-Т. XV, № 2.-С. 257-265.

7. Шевченко В. В. Возбуждение волноводов при наличии присоединенных волн // Радиотехника и электроника. —1986.— Т. XXXI, вып. 3. С. 456-465.

8. Шевченко В. В. Плавные переходы в открытых волноводах. — М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1969.— 192 с.

9. Клименко В. А. Поверхностные и вытекающие волны плоского диэлектрического волновода с потерями // Радиотехника и электроника. -1986. Т. XXXI, вып. 3. - С. 448-455.

10. Дерюгин Л. Н., Марчук А. Н., Сотин В. Е. Излучение с плоского диэлектрического волновода // Изв. вузов. Радиоэл-ка. —1970. — Т. XIII, № 3. — С. 309-316.

11. Комоцкий В. А. Плоский оптический волновод: Учебно-методическое пособие.-М.: Из-во РУДН, 2001.-38 с.

12. Мировицкий Д. И., Будагян И. Ф., Дубровин В. Ф. Микроволновод-ная оптика и голография. — М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1983. — 320 с.

13. Думаревский Ю. Д., Ковтонюк Н. Ф., Савин А. И. Преобразование изображений в структурах полупроводник — диэлектрик. — М.: Наука, 1987.-176 с.

14. Борошнев А. В., Ковтонюк Н. Ф. Пространственно-временные модуляторы света на основе структур металл — диэлектрик — полупроводник — жидкий кристалл •// Прикладная физика.— 2000. № 6. С. 5-10.

15. Засовин Э. А. Разработка интегрально-оптических и волоконно-оптических схем // Радиотехника. —1999. № 3. С. 22—25.

16. Содха М. С., Гхатак А. К. Неоднородные оптические волноводы/Пер. с англ.; Под ред. В. А. Киселева. — М.: Связь, 1980. —216 с.

17. Житков П. М. Многослойные планарные оптические волноводные структуры с поглощающими средами: дис. . канд. физ.-мат. наук: 01.04.03.-М., 1992.-154 с.

18. Гроднев И. И. Волоконно-оптические линии связи: Учеб. пособие для вузов.— 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1990.— 224 с.

19. Виноградова М. В., Руденко О. В., Сухоруков А. П. Теория волн: Учеб. пособие. —2-е изд., перераб. и доп. —М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990.-432 с.

20. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики: Учеб. пособие. — 5-е изд., перераб. — М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1976.— 664 с.

21. Савельев С. П. Численное решение волнового уравнения для несобственных волн системы анизотропная пленка на поглощающей подложке // Электродинамика и техника СВЧ, КВЧ и оптических частот, 2002.-Т. 10, № 1(33).-С. 91-102.

22. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред.— М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1992.— 664 с.

23. Калитеевский Н. И. Волновая оптика. — М.: Высшая школа, 1978.— 383 с.

24. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. — М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1973. —720 с.

25. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения. / Под ред. П. Йесперса, Ф. Ван де Виле и М. Уайта; Пер. с англ.; Под ред. Р. А. Суриса. М.: Мир, 1979. - 576 с.

26. Справочник по специальным функциям с формулами, графиками и математическими таблицами. / Под ред. М. Абрамовица, И. Сти-ган; Пер. с англ.; Под ред. В. А. Диткина и Л. Н. Карамзиной.— М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1979.— 832 с.

27. Снайдер А., Лав Дж. Теория оптических волноводов: Пер. с англ.— М.: Радио и связь, 1987.— 656 с.

28. Гармайр Э., Хаммер Дж., Когельник Г., Тамир Т., Цернике Ф. Интегральная оптика. /Под ред. Т. Тамира; Пер. с англ.; Под ред. Т. А. Шмаонова. М.: Мир, 1978. — 344 с.

29. Быковский Ю. А., Кульчин Ю. Н., Розовский М. А. Исследование потерь световой мощности в тонкопленочном волноводе на подложке из кремния // Изв. вузов. Радиофизика. —1980. — Т. XXIII, № 1.— С. 52-55.

30. Хансперджер Р. Интегральная оптика: Теория и технология. Пер. с англ. — М.: Мир, 1985.-384 с.

31. Ranganath Т. R., Wang S. Light detection in dielectric waveguides by a photodiode trough evanescent field // Appl. Phys. Lett. —1977. — V. 31, N 12.-P. 803-806.

32. Golgberg L., Reedy R., Lee S. H. Silicon photodiode for optical channel waveguides // Appl. Phys. Lett.-1980.-V. 37, N 2.-P. 185-197.

33. Cali C., Daneu V., Riva-Sanseverino S. Thin film detector for integrated optical systems // Proc. of the Top. Meet, on Integr. and Guided Wave Optics, Opt. Soc. of Amer., S. L. C., Utah. —Sept.—Oct., 1978.— P. MC3-1—MC3-5.

34. Борсак Дж. M. Фотодетекторы для акустооптических систем обработки сигналов // ТИИЭР. -1981. Т. 69, № 1. - С. 117-137.

35. Sun М. J., Chang W. S. С., Wolfe С. М. Frequency demultiplexing in GaAs EAP waveguide detectors // Appl. Optics —1978. — V. 17, N 22. — P. 3533-3534.

36. Sun M. J., Nichols К. H., Chang W. S. C., Gregory R. O., Rosenbaum F. J., Wolfe С. M. Gallium arsenide electroabsorption avalanche photodiode waveguide detectors // Appl. Optics —1978.— V. 17, N 10.-P. 1568-1578.

37. Караванский В. А., Морозов В. H., Плавич JI. Ф., Попов Ю. М., Смирнов В. JI. Интегрально-оптический фотоприемник на внешнем фотоэффекте через барьер Шоттки // Квантовая электроника. — 1983.-Т. 10, № 2.-С. 449-452.

38. Иванов М. Б., Мизеров М. Н., Портной Е. JL, Пронина Н. В. Волноводный спектрально-селективный фотоприемник // Письма в ЖТФ.- 1980.-Т. 6, вып. 20.-С. 1234-1239.

39. Stillman G. E., Wolfe С. M., Melngaileis I. Monolithic integrated In^Gai-xAs Schottky barrier waveguide photodetector // Appl. Phys. Lett. -1974. -V. 25, N 1. -P. 36.

40. Петров Г. В. Диоды с барьером Шоттки // Зарубежная радиоэлектроника. 1977. - № 4. - С. 77-112.

41. Amann М. С. Analysis of a pin photodiode with integrated waveguide // Electron. Lett.-1987.-V. 23, N 17.-P. 895-897.

42. Hamdi H., Valette S. ZnTe extrinsic photodetector for visible integrated optics // J. Appl. Phys.-1980.-V. 51, N 9.-P. 4739-4741.

43. Андриеш A. M., Быковский Ю. А., Смирнов В. JI., Черний М. Р., Шмалько А. В. Фотоприемные элементы и дифракционные решетки рельефного типа в тонких пленках AS2S3 для интегральной оптики // Квантовая электроника. 1978.-Т. 5, № 5.-С. 1090-1094.

44. Ostrowsky D. В., Poirier R., Reiber L. М., Deverdun С. Integrated optical photodetector. // Appl. Phys. Lett.-1973.-V. 22, N 9.-P. 463-464.

45. Boyd J. Т., Chuang С. M., Chen C. L. Fabrication of optical waveguide taper couplers utilizing Si02 // Appl. Opt. —1979. — V. 18, N 4.— P. 506-509.

46. Boyd J. Т., Chen C. L. Integrated optical silicon photodiode array // Appl. Opt.-1976.-V. 15, N 6.-P. 1389-1393.

47. Boyd J. Т., Chen С. L. An integrated optical waveguide and charge-coupled device image array // Quantum. Electr. —1977. — V. QE-13, N4.-P. 282-286.

48. Boyd J. T. Integrated optoelectronic silicon devices for optical signal processing and communications // Optical Engineering—1979.— V. 18, N 14.-P. 14-19.

49. Hopkins F. K., Jackson H. E., Boyd J. T. Inplane scattering measurements in a planar optical waveguide by an integrated technique // Appl. Opt.-1981.- V. 20, N 16.-P. 2761-2767.

50. Boyd J. Т., Wu R. W., Zelmon D. E., Naumann A., Timlin H. A., Jackson H. E. Guided-wave optical structures utilising silicon // Optical Engineering-1985.-V. 24, N 2.-P. 230-234.

51. A. c. 778525 СССР, МКИ3 G 01 S 17/00. Приемо-передающее устройство лазерного локатора/ А. И. Гудзенко, JI. Н. Дерюгин, И. П. Литвинов, Л. А. Осадчев, С. П. Савельев, О. В. Сорокин, А. А. Тищенко, Л. С. Цеснек (СССР).-№ 2763475/40-23; Заявлено 07.05.79.

52. А. с. 1123484 СССР, МКИ3 Н 01 L 31/14. Интегрально-оптический детектор/ В. В. Серебренников, А. Н. Сергеев, Л. А. Осадчев, С. М. Шандаров, С. П. Савельев, М. Н. Фролова (СССР).— № 3534530/18-25; Заявлено 07.01.83.

53. А. с. 1155136 СССР, МКИ3 Н 01 L 33/00. Способ изготовления интегрально-оптических детекторов/ В. В. Серебренников, А. Н. Сергеев, Л. А. Осадчев, С. П. Савельев, С. М. Шандаров, М. Н. Фролова (СССР).-№ 3606094/24-25; Заявлено 16.06.83.

54. А. с. 1218866 СССР, МКИ3 Н 01 L 33/10. Способ изготовления интегрально-оптических детекторов/ В. В. Серебренников, А: Н. Сергеев,

55. JI. А. Осадчев, С. П. Савельев, С. М. Шандаров, М. Н. Фролова (СССР). —№ 3693353; Заявлено 16.01.84.

56. А. с. 1268029 СССР, МКИ3 Н 01 L 31/10. Интегрально-оптический детектор/ В. В. Серебренников, А. Н. Сергеев, Л. А. Осадчев, С. П. Савельев, М. А. Лапин, М. Н. Фролова (СССР). —№ 3783831; Заявлено 25.08.84.

57. А. с. 1259903 СССР, МКИ3 Н 01 L 31/14. Интегрально-оптический детектор/В. В. Серебренников, А. Н. Сергеев, В. Г. Мирошников, Л. А. Осадчев, С. П. Савельев, М. А. Лапин, М. И. Фролова (СССР).-№ 3867395; Заявлено 07.01.85.

58. Муранова Г. А., Терпугов В. С. Исследование механизма потерь в тонкопленочных волноводах // Изв. АН СССР. Серия физическая, 1981.-Т. 45, № 2.-С. 392-395.

59. Dutta S., Jackson Н. Е., Boyd J. Т. Extremely low-loss glass thin film optical waveguides utilising surface coating and laser annealing // J. Appl. Phys. —1981. —V. 52, N 6.-P. 3873-3875.

60. Литовченко В. Г., Марченко Р. Н., Романова Г. Ф. Применение метода вторичной ионной эмиссии для анализа систем Si—Si02 // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — Киев: Наукова думка, 1972.-С. 20-28.

61. Johannessen J. S., Spicer W. E., Strausser Y. E. An Auger analysis of the SiO-Si interface // Appl. Phys. -1976. -V. 47, N 7. P. 3028-3037.

62. О процессах упорядочения в пленках Si02- / Асонов Б. М., Даниле-вич В. С., Замонский В. Д. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы, 1978. Т. 9, № 2. - С. 183-185.

63. Jizuka Т., Sugana Т. Calculations of energy levels of oxygen and silicon vacancies at the Si—SiCb interface // Jap. J. Appl. Phys. —1973. — V. 12, N1.-P. 73-79.

64. Пресс Ф. П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. — М.: Сов. радио, 1978.-96 с.

65. Пирс К., Адаме А., Кац J1. и др. Технология СБИС: В 2-х кн. /Под ред. С.Зи; Пер. с англ.; Под. ред. Ю. Д. Чистякова. — М.: Мир, 1986.1. Кн. 1.-404 с.1. Кн. 2.-453 с.

66. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Пер. с англ. — 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984.1. Кн. 1.-456 с.1. Кн. 2.-456 с.

67. Аксененко М. Д., Бараночников М. JL, Смолин О. В. Микроэлектронные фотоприемные устройства. — М.: Энер'гоатомиздат, 1984.— 208 с.

68. Практикум по химии и технологии полупроводников: Учеб. пособие для студентов вузов / Анохин В. 3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Пшестанчик В. Р., Маршакова Т. А.; Под ред. Я. А. Угая — М.: Высш. школа, 1978. —191 с.

69. Золотов Е. М., Плехатый В. М., Прохоров А. М. Излучение из сужающегося края оптического волновода // Квантовая электроника. — 1976.-Т. 3, № 7.-С. 1478-1482.

70. Каценеленбаум Б. 3. Теория нерегулярных волноводов с медленно меняющимися параметрами. — М.: Из-во АН СССР, 1961. —216 с.

71. Маркузе Д. Оптические волноводы. /Пер. с англ.; Под ред. В. В. Шевченко.-М.: Мир, 1974.-576 с.

72. Клер Ж.-Ж. Введение в интегральную оптику. /Пер. с англ.; Под ред. В. К. Соколова. — М.: Сов. радио, 1980.— 104 с.

73. Унгер Г. Г. Оптическая связь. /Пер. с нем.; Под ред. Н. А. Семенова. — М.: Связь, 1979. — 264 с.

74. Золотарев В. М., Морозов В. Н., Смирнова Е. В. Оптические постоянные природных и технических сред. Справочник — JL: Химия, 1984.-216 с.

75. Гавриленко В. И., Грехов А. М., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник — К.: Наукова думка, 1987.-608 с.

76. Введение в интегральную оптику. /Под ред. М. Барноски; Пер. с англ.; Под ред. Т. А. Шмаонова. — М.: Мир, 1977, —368 с.

77. Савельев С. П., Грачев Д. Д. Многофункциональная установка для измерения оптико-физических параметров и характеристик планар-ных волноводных структур // Измерительная техника. — 1991.— № 11.-С. 33-34.

78. Аникин В. И., Грачев Д. Д., Савельев С. П. Исследование дисперсионных характеристик системы волновод планарный фотоприемник в широком спектральном диапазоне // Оптика и спектроскопия. — 1990.-Т. 69, вып. 1.-С. 206-210.

79. Грачев Д. Д., Савельев С. П. Исследование спектральных характеристик волноводных кремниевых фотодетекторов в широком спектральном диапазоне // Оптика и спектроскопия.— 1991. —Т. 71, вып. 1.-С. 207-211.

80. Савельев С. П., Грачев Д. Д. Измерение спектральных характеристик волноводных кремниевых фотодетекторов в широком спектральном диапазоне // Измерительная техника.— 1991. —№ 6. — С. 8-9.

81. Грачев Д. Д., Мировицкий Д. И., Савельев С. П. Экспериментальные исследования оптического многомодового многоканального гибридного разветвителя—объединителя // Измерительная техника. — 1991. —№ 10.-С. 31.

82. Новицкий П. В., Зограф И. А. Оценка погрешностей результатов измерений. — JL: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1985.— 248 с.

83. Midwinter J. Е. // IEEE J. Quant. Electron, 1971.-V. QE-7, N 7.-P. 339-344.

84. Половинкин A. H. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук: 01.04.03. — М., 1981.

85. Wong Y. Н. е. а. // Appl. Phys. Lett, 1980.-V. 37, N 3.

86. Малых Н. В. // ЖТФ, 1983.-Т. 53, № 4.-С. 750-752.

87. Котюк А. Ф. и др. Введение в технику измерений оптико-физических параметров световодных систем./ Под ред. А. Ф. Котюка. — М.: Радио и связь, 1987. — 224 с.

88. Адаме М. Введение в теорию оптических волноводов. — М.: Мир,1984.-512 с.

89. Зайдель А. Н., Островская Г. В., Островский Ю. И. Техника и практика спектроскопии. — М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1976. — 392 с.

90. Mitchell L. // IEEE J. Quant. Electron.-1977.-V. QE-13, N 4-P. 173-176.

91. Possner T. e. a. // Experiment. Techn. der Physik, 1985. — B. 33, N 3. — S. 241-250.

92. Midwinter J. E. // IEEE J. Quant. Electron. -1971.-V. QE-7, N7-P. 345-350.

93. Дианов E. M., Кузнецов A. A. // Квант, электроника. —1983. — Т. 10, № 2. — С. 245—264.

94. Аникин В. И., Горобец А. П., Овчаренко О. И., Осовицкий А. Н. // Изв. АН СССР. Физика. —1982.-Т. 46, № 10.-С. 2035-2040.

95. Аникин В. И. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук: 01.04.03. — М., 1972.

96. Аникин В. И., Летов Д. А. // Оптика и спектроскопия. —1978.— Т. 44, вып. 1.-С. 184-188.

97. Летов Д. А. Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук: 01.04.03. — М., 1983.