Перестраиваемый инжекционный лазер с малой шириной линии генерации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат физико-математических наук Зибров, Александр Сергеевич

• Зибров, Александр Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 1985

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Зибров, Александр Сергеевич

ВВЕДОНИЕ.

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

§ I.I Исследование ширины линии генерации инжекционных лазеров. ^

§ 1.2.Спектральная селекция типов колебаний инжекционного лазера с помощью внешней оптической связл.

ГЛАВА II. ОБЩАЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНА ЧАСТЬ.

§ 2.1.Методики анализа спектра генерации, применяемые в работе.

§ 2.2.Просветление зеркал инжекционных лазеров. чо

§ 2.3.Блок питания и модуляции тока лазера. ^

§ 2.4.Селективные элементы.^

§ 2.5.Конструкции криостатов.

§ 2.6. Механические и пьезокерамические узлы юстировки объектива и внешнего зеркала.

ГЛАВА III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ШИРИНЫ ЛИНИИ

ГЕНЕРАЦИИ ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ.

§ 3.1 .Экспериментальная установка.

§ 3.2.Типы исследовавшихся лазеров.

§ 3.3.Результаты исследований.^

§ 3.4. Обсуждение результатов.^

Выводы.-^

ГММ 1У. ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР С ВНЕШНИМ РЕЗОНАТОРОМ.

ОБЕСПЕЧЕНИЕ 0ДОЧАСТ0ТН0Г0 РЕЖИМА ГЕНЕРАЦИИ И ПЛАВНОЙ ПЕРЕСТРОЙКИ ЧАСТОТЫ.I

§ 4Л.Схемы резонатора лазера с внешней оптической связью. -1

§ 4.2.Типы колебаний и пороговое усиление лазера с внешним резонатором.XKjr

§ 4.3. Исследование характеристик инжекционного лазера с внешней оптической связью.

§ 4.4.Анализ результатов.

§ 4.5.Инжекционный лазер с внешним селективным зеркалом на парах

Выводы.

ГЛАВА У. ШИРИНА ЛИНИИ ГЕНЕРАЦИИ ИНЖЕКЦИОННОГО ЛАЗЕРА

С ВНЕШНЕЙ ОПТИЧЕСКОЙ СВЯЗЬЮ.

Введение.

§ 5.1.Ширина линии генерации лазера с внешней оптической связью, работающего в свободном режиме.

§ 5.2.Стабилизация частоты лазера с внешней оптической связью по резонансам пропускания интерферометра.

§ 5.3.Ширина линии генерации инжекционного лазера с внешенёйоптической связью, работающего в режиме привязки по сигналу биений.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Перестраиваемый инжекционный лазер с малой шириной линии генерации»

В 1961 году Н.Г. Басов, О.Н. Крохин и Ю.М. Попов предложили создать полупроводниковый лазер на р-п переходе /4/.

Это предложение было осуществлено сразу в нескольких лабораториях / 2 -v /• Компактность, простота накачки, прямое и эффективное преобразование электрической энергии в световую, простые способы перестройки частоты генерации и богатое многообразие возможных применений (оптическая связь, обработка и передача информации, голография, спектроскопия, метерология, квантовые стандарты частоты) стимулировали интенсивное развитие инжекционных лазеров.

В развитии инжекционных лазеров можно выделить несколько главных этапов:

1. Разработка теоретических основ и получение генерации на диффузионных р-п переходах с широким контактом, работающих при температуре жидкого азота.

2. Уточнение физических механизмов, определяющих усиление и потери в инжекционных лазерах, в частности, влияние волновода на величину дифракционных потерь.

3. Создание полосковых одноканальных лазеров, получение воспроизводимых спектров, развитие теории поперечных мод.

4. Освоение технологии гетеропереходов, создание волно-водных структур с улучшеным перекрытием функций пространственного • . распределения усиления и поля, получение генерации в гетероструктурах с полосковым контактом при комнатной температуре.

5. Получение одночастотного режима в широком диапазоне токов накачки, благодаря осуществлению пространственной стабилизации положения поля в боковом направлении.

6. Создание лазеров с квантово-размерным эффектом.

7. Создание сфазированных решеток лазеров в едином монокристалле.

8. Расширение опектрального диапазона, перекрываемого инжекционными лазерами с современной структурой за счет использования четверных соединений полупроводников типа А3В5.

Основным материалом, использовавшимся для создания ин-жекционных лазеров в течение длительного времени являлся 6л и Gatttfls. Ширина линии усиления инжекционных лазеров, отнесенная к частоте генерации не превышает Ь%. При вариации состава тройного соединения и рабочей температуры лазеров можно перекрыть диапазон длин волн 680 - 900 нм. Для перекрытия более широкого интервала были освоены другие материалы на основе соединений А3В5 (0,65 - 4) мкм и A^Bg (3,5 - 40) мкм. В последнее время очень быстро развиваются четверные соединения на базе А3В5 в особенности, системаCoaTviРД5; позволяющая, в частности, получить генерацию в диапазонах 1,3 и 1,55 мкм, где развертываются волоконно-оптические системы связи.

Перечисленные этапы развития инжекционных лазеров приводили только к модификации поперечной структуры (в плоскости перпендикулярной оптической оси) лазерных диодов. В продольном направлении активная область оставалась однородной (с точностью до неконтролируемых неоднородностей материала). В рамках такого подхода удалось значительно улучшить характеристики полупроводниковых лазеров, однако для многих применений возможности эффективного управления параметрами лазерного излучения, оставались недостаточными.

В результате возник ряд направлений, в которых для улучшения характеристик лазеров используются структуры с пространственной неоднородностью вдоль резонатора. К этим направлениям можно отнести:

1. Лазеры с внешней оптической связью,

2. Лазеры с неоднородной вдоль оси резонатора накачкой, в 3 частности, разрезные или в более современном варианте С -лазеры усо связью^ cceavecl coup&cL ccn/ct^. - составной резонатор^через сколотые грани).

3. Лазеры с распределенной обратной связью и (или) брег-говскими отражателями.

Разработка перечисленных направлений позволяет повышать мощность генерации, изменять диаграмму направленности, реализовать синхронизацию мод и ультракороткие импульсы, получать одночастотную генерацию и перестраивать частоту в этом режиме, осуществлять высокочастотную модуляцию, подавлять амплитудные и фазовые флуктуации.

В настоящей работе основное внимание было уделено изучению и улучшению спектральных и перестроечных характеристик ин-жекционных лазеров на основе GaflEfls и созданию на основе этих исследований высококогерентного источника излучения пригодного для применений в спектроскопии высокого разрешения, метрологии, стандартов частоты, как микроволнового так и оптического диапазонов и оптической гетеродинной связи. Это и составило основную цель работы. Для её достижения использовалось первое из перечисленных направлений - применение внешней оптической обратной связи для улучшения спектральных характеристик инжекционных лазеров, которое не требует вмешательства в технологию выращивания инжекционных лазеров и позволяющее получать одночастотную генерацию с узким спектром и перестройкой в широких пределах (см.1У и У главы настоящей работы).

В этой связи заметим, что интервал перестройки частоты генерации лазеров с распределенной обратной связью (РОС - лазеры) существенно меньше, чем у лазеров с внешним селективным

- У я резонатором. Лазеры со связанными микрорезонаторами (типа С ) по диапазону перестройки занимают промежуточное положение между лазерами с внешней оптической связью и РОС лазерами. Кроме о того С - лазеры также как и лазеры с внешней оптической связью позволяют устранять разрывы в перестроечной характеристике, свойственные обычным инжекционным лазерам из-за различия перестроечных коэффициентов для линии усиления и продольных мод. Для спектроскопии высокого разрешения решающим преимуществом инжекционного лазера с внешней оптической связью по сравнению

•а с РООи С - лазерами является существенно более высокая монохроматичность излучения.

В работе решаются следующие задачи:

- исследование ширины линии генерации инжекционных лазеров;

- исследование влияния внешней оптической связи на ширину линии генерации инжекционных лазеров;

- разработка и исследование методов перестройки частоты инжекционного лазера с внешним резонатором.

Диссертация содержит введение, пять глав, приложение и заключение. В первой главе дан обзор литературных данных по исследованию ширины линии генерации инжекционных лазеров и спектральных характеристик лазера с внешним резонатором, выполненных к началу настоящей работы. Во второй главе изложены методические вопросы. В третьей - приведены результаты исследования ширины линии генерации инжекционных лазеров с различной поперечной структурой волновода при комнатной и азотной температурах и для различных уровней накачки. В четвертой главе рассмотрены проблемы, связанные с получением одночастотного режима генерации лазера с внешней оптической связью и разработкой методов плавной перестройки его частоты, представлено экспериментальное исследование перестроечных характеристик

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Зибров, Александр Сергеевич

Выводы к главе У.

Предложено и реализовано сужение ширины линии генерации инжекционного лазера с помощью внешней оптической связи. Полупроводниковый лазер с внешним резонатором внервые использован в ка честве узкополосного перестраиваемого гетеродина для спектраль-" ных исследований. Ширина спектра биений двух лазеров с внешним резонатором, генерирующих при комнатной температуре составила ~ 0,5 кГц при мощности мВт.

Осуществлена привязка частоты генерации инжекционного лазера с внешней оптической связью по резонансу пропускания (отражения) конфокального интерферометра, что позволило снизить дрейф частоты лазера с 10 МГц/мин. до уровня ^0,5 МГц/мин.

Предложены схемы резонаторов лазеров с внешней оптической связью, которые позволяют повысить добротность резонатора по сравнению с традиционной однопроходовой схемой и тем самым добиться сужения линии генерации инжекционного лазера ещё на один-два порядка.

- 166 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В последние годы число публикаций, посвященных исследованию флуктуаций излучения инжекционных лазеров, резко увеличилось. Повышенное внимание к ширине линии генерации вызвано не только академическим интересом к фундаментальной характеристике - монохроматичности - одного из самых распространенных типов лазеров, но и большим практическим значением вопроса. Эффективность применения инжекционных лазеров в гетеродинной волоконно-оптической связи и спектроскопии в значительной степени определяется их шириной линии генерации. В частности, для многих прикладных задач вполне достаточна ширина линии генерации на уровне £ I МГц, но круг применений резко сужается, если она превышает 10 МГц.

Разработанные в диссертационной работе методики измерения ширины линии генерации позволили установить, что значение её для современных типов одночастотных инжекционных лазеров лежит в пределах 3-300 МГц. Не подлежит сомнению, что дальнейшие исследования по определению относительной роли механизмов, дающих вклад в уширение линии генерации различных структур, и целенаправленные технологические разработки, основанные на таких исследованиях, поз волят значительно повысить монохроматичность полупроводниковых лазеров.

С другой стороны реализованный метод сужения ширины линии генерации инжекционных лазеров с помощью внешней оптической связи уже сейчас привёл к созданию лазеров с шириной линии на уровне I—100 кГц. Такие лазеры найдут применение не только в вышеназванных направлениях (в спектроскопии высокого разрешения они уже эффективно используются ,/о? / ), но и в метрологии.

Далее перечислим основные результаты работы.

1. Создана экспериментальная установка для исследования спектральных характеристик инжекционных лазеров. Анализ характеристик осуществлялся с помощью интерференционной и гетеродинной методик. Разрешение спектра^достигаемое с помощью конфокального сканирующего интерферометра,составило МГц, - с помощью оптического смешения 30 Гц.

2. Исследована ширина линии генерации инжекционного лазеров в зависимости от мощности, при разных рабочих температурах и для различных структур резонатора. Установлено, что когерентность одночастотных инжекционных лазеров на 1-3 порядка хуже, чем предсказывает формула Шавлова-Таунса. При мощностях излучения

I—10 мВт ширина линии составляет 3-300 МГц.

3. Предложено и реализовано сужение ширины линии генерации инжекционного лазера с помощью внешней оптической связи. Ширина спектра биений двух лазеров с внешним резонатором в режиме взаимной привязки их частот по сигналу биений составила ^ 0,5 кГц при мощности излучения * 3 мВт, тем самым показано, что ширина линии генерации инжекционных лазеров может быть уменьшена до 0,5 кГц.

4. Разработаны и исследованы методы плавной перестройки частоты лазера с внешней оптической связью: сканирование длины собственного и внешнего резонаторов, их одновременная перестройка. Последний метод позволил осуществить перестройку на величину почти на порядок превыщающую межмодовый интервал.

5. Зарегистрированы асимметричные зависимости мощности генерации при расстройке плечей резонатора лазеров с внешней оптической связью. На основе дисперсионного уравнения и скоростных уравнений для составного резонатора, учитывающих взаимосвязь усиления, потерь и показателя преломления при расстройке плечей резонатора, развита модель, объясняющая асимметрию.

6, Предложены схемы резонаторов лазера с внешней оптической связью, позволяющие повысить добротность резонатора по сравнению с традиционной схемой и тем самым добиться дальнейшего сужения линии генерации инжекционного лазера ещё на один-два порядка.

7. Получена генерация инжекционного лазера с внешним селективным зеркалом, использующим явление селективного зеркального отражения от пароватомов цезия.

Все перечисленные результаты являются оригинальными.

В работе исследовались лазеры на основе арсенида галлия, но полученные результаты по сужению линии генерации могут быть применены для лазеров на основе других соединений АдВ^ и для лазеров на узкозонных материалах A^Bg.

В заключение выражаю благодарность за руководство, неизменную подцержку и создание хороших условий работы моих руководителей д.т.н. В.В.Никитина и к.ф.м.н. В.Л.Величанского. Выражаю бла— годарность за полезные обсуждения и критические замечания к.ф.м.н.

А.П.Богатова, д.ф.м.н. Э.М.Беленов, к.ф.м.н. М.А.Губина, д.ф.м.н., профессора Л.А.Ривлина, к.ф.м.н. А.В.Ускова, д.ф.м.н. Я.И.Ханина, а также - за предоставление лазеров-М.В.Зверкова, к.ф.м.н. О.Г.Охотникова, к.ф.м.н. С.Д.Якубовича. С особой признательностью хочу отметить большую помощь на всех этапах рабрты к.ф.м.н. В.А.Саутёнкова и ст.инженера Д.А.Тюрикова, аспиранта Н.В.Сенкова, м.н.с. A.M.Акулыпина и инженера Е.К.Юркина.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Зибров, Александр Сергеевич, 1985 год

1.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М., Получение состояний с отрицательной температурой в р-п переходах вырожденных полупроводников. ЮТФ, 1961, 40, 1879-1880.

2. Hall R.H., Pener G.E., Kingsley J.D., Soltys T.F., Carlson R.O., Coherent light emission from GaAs junctions. Phys. Rev. Lett., 1962, 9, 366-378.

3. Nathan M.J., Dumke W.P., Burns G., et al., Stimulated emission of radiation from GaAs p-n junctions;

4. Appl.Phys.Lett., 1962, J.» 62-64.4# Багаев B.C., Басов Н.Г., Вул Б.М. Полупроводниковый квантовый генератор на р-п переходе. ДАН СССР, 1963, 150, 275-278.

5. Ривлин Л.А., Семенов А.Т., Якубович С.Д. Динамика и спектры излучения полупроводниковых лазеров. Радио и связь, М:, 1983.

6. Jacobs S.F., How monochromatic is laser light?, Am.J.Phys., 1979, Ц, N7, 597-601.

7. Мэйтлэнд А., Данн M. Введение в физику лазеров, 1978, Наука,М:.

8. КазанцевА.П., Сурдутович Г.И. Квантовая теория лазера, в книге Ареки Ф., Скалли М., Хакена Г., Вайдлиха В. "Квантовые флуктуации излучения лазера", 1974, Мир,М:.

9. Лэмб У. Теория оптических лазеров в книге "Квантовая оптика и квантовая радиофизика" под редакцией Богданкевича О.В. и Крохина O.h., 1965, М:,МИР.

10. Haug Н., and Haken Н. Theory of noise in semiconductor laser emission. Z.Phys., 1967, 204, 262-275.

11. Henry H., Logan R.A., and Merrit P.R. Measurement ofgain and absorption spectra in AlGaAs buried heteroetruc-ture lasers. J.Appl.Phys., 1980, £1» 3042""3°50.

12. Елесин В.Ф., Русаков В.В. К теории естественной ширины линии полупроводникового лазера. Квантовая электроника, 1975, 2, 2276-2280.

13. Armstrong J.A., and Smith A.W., Intrferometrio measurement of linewidth and noise in GaAs lasers. Appl.Phys.Lett., 1964, 1, N1, 196-198.

14. Ciftan M., and Debye P.P., On the parameters which affect the CW output of GaAs lasers. Appl.Phys.Lett., 1965, 6, 120 -121.

15. Crowe J.W., and Craig R.M., Jr., GaAs laser linewidth measurements by heterodyne detection. Appl.Phys.Lett., 1964,5, 196-198.

16. Ahearn W.E., and Crowe J.W., Linewidth measurements of GW gallium arsenide lasers at 77 K.IEEe J.Quant.Electron.,1966, QE-2, N9, 597-602.

17. Hinkley e.d., and Freed C., Optical heterodyne detection of 10,6 m of the beat frequency beetween a tunable Pb0 Qg SnQ 12Te laser and CC^ gas laser. Appl.Phys.Lett., 1966, J2> 49-51.

18. Hinkley E.D., and Freed C., Direct observation of lorentzian noise in a laser above threshold. Phys.Rev.Lett.,1968, 22, N6, 277-280.

19. Елисеев П.Г., Введение в физику инжекционных лазеров, 1983, Наука,М:.

20. Reid J., Cassidy D.T., Menzies R.T., Linewidth measurements of tunable diode lasers using heterodyne and etalon techniques. Appl.Optics, 1982, 21, N21 , 3961-3965.

21. Freed C., and Bielinski J.W., Fundamental linewidth in solitary, ultranarrow output FbS^^ diodQ laser8e f '

22. Appl.Phys.Lett., 1983, U7, 629-631.

23. Миронов Ю.М., Молочев В.И., Никитин В.В., Семенов А.С. Исследование ширины линии генерации инжекционного лазера в сильном и слабом полях. Квантовая электроника, 1976, 3, №1, 222-223.

24. Broom R.F., Mohn Е., Risch С., and Salathe R., Microwave self-modulation of a diode laser coupled to an external cavity. IEEE J.Quant.Electron., 1970, QE-6, 328-334.

25. Bogatov A.P., Eliseev P.G., and Sverdlov B.N., Anomalous interaction of spectral modes in a semiconductor laser.

26. EE J.Quant.Electron.,1975, QE-11, N7, 510-515.

27. Wright P.D., Coleman J.J., Holonyak N., et al., Homogeneousor inhomogeneous line broadening in semiconductor laser:

28. Observations on In1 Ga P., As double beteronunctione in an1.—X X I — 3 , zexternal grating cavity. Appl.Phys.Lett., 1976, 2£t N1, 18-20.

29. Курылев В.В., Логинов А.С., Сенаторов К.Я., Овчинников А.А. Оптический рантовый усилитель на основе инжекционного лазера m3^qAs . Радиотехника и электроника, 1969, 6, 1072-1074.

30. Edmonds H.D., and Smith a.w., Second-harmonics generation with the GaAs laser. IEEE J.Quant.Electron.,1970,QE-6t356-360.

31. Phillip-Rutz E.M., and Edmonds H.D., Diffraction-limited GaAs laser with an external resonator. Appl.Optics, 1969,8,1859-186531. цлисеев П.Г., Попов Ю.М., Шуйкин Н.Н., Влияние частотного фильтра на спектр излучения полупроводниковы генераторов.

32. ЖЭТФ, 1969 , 56,. I4I2-I4I8.

33. Елисеев И.Г., Исмаилов И., Манько М.А., Страхов В.П., Инжек-ционный полупроводниковый квантовый генератор с составнымрезонатором, ЖЭТФ, Письма в редакцию, 1969, 9, 594-595.

34. Богданкевич ., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры. 1976, М., Наука.

35. Ludeke R., and Harris E.P., Tunable GaAs laser in external dispersive cavity. Appl.Phys.Lett., 1972, 20, 499-500.

36. Voumard C., Salathe R., and Weber H., Mode selection by eta-Ions in external diode laser cavity, Appl.Pbys.Lett•,1975, 7, 123-126.

37. Аккерман Д., Елисеев П.Г., Кайнер А., и др. Методы селекциитипов колебаний в инжекционных ПКГ. Сб.Квантовая электроника, 1971, №1, 85-90.

38. Vourmard С., Salathe R., and Weber Н., Single-mode operation of diode lasers coupled to hemisphirical resonators.

39. Opt.Commun., 1975, 12» 130-132.

40. Ахманов C.A., Дьяков Ю.Е., Чиркин А.С. Введение в статистическую радиофизику. Наука,М:, 1981.

41. Вольнов М.И., Тюриков Д.A., Электронная система для стабилизации частоты лазерного излучения. Препринт ФИАН, 1980, №58.

42. Анохов С.П., Марусий Т.Я., Соскин М.С., Перестраиваемые лазеры. Радио и связь, М:. 1982, 149-154.47« Кейси X., Паниш М., Лазеры на гетероструктурах. Мир,М:.1981.

43. Fleming M.W., Mooradian A., Fundamental line broadening of single-mode GaAlAs diode lasers. Appl.Phys.Lett., 1981, 38, 511-513.

44. Takakura Т., Iga K., Tako Т., Mesurement of width of a single longgitudinal mode semiconductor laser. Japan.J.Appl.Phys., 1980, 29, L725-L727.

45. Nemoto K., Hayashi K., Hirano H., Measurement of spectral width of a single longitudinal mode semiconductor laser in Rec.

46. Nat. Conf. IECE Japan, Mar.1980.

47. Yamamoto Y., Saito S., and Mukai Т., Am and Fm Quantum Noise in semiconductor lasers part II: Comparison of theoretical and experimental results for AlGaAs lasers. IEEE J.Quant. Electron.,1983, QE-19, N1, 47-58.

48. Machida S., Kawana A., Ishihara K., et al., Interference of AlGaAs laser diode using 4,15 km single mode fiber cable.

49. Henry С.Н., Th®ry of the linewidth of semiconductor lasers. IEEE J.Quant.Electron., 1982, QE-18.N3, 259-264.

50. Vahala K., and Yariv A., Semiclassical theory of noise in semiconductor lasers, part I . IEEE J.Quantum.Electron., 1983, QE-19, N6, 1096 1101.

51. Vahala K., and Yariv A., Semiclassical theory of noise in semiconductor lasers, partll. IEEE J.Quantum.Electron., 1983.QE-19. N6, 1102-1109.

52. Lax M., Classical noise V. Noise in self-sustained oscillators. Phys.Rev.,1967, 160, 290.

53. Lax M., Quantum noise X. Desity matrix treatment of field and population-difference fluctuations. Phys.Rev., 1967, 157. 213.

54. Henry C.H., Logan R.A., and Bertness G., Spectral dependence of the change in refractive index due to carrier injection in GaAs lasers. J.Appl.Phys.,198t, 52, N7, 4457-4461.

55. Vahala K., Chiu L.C., Margalit S., and Yariv A., On the line-width enhancement factor cL in semiconductor lasers. Appl.Phys.Lett., 1983, 42, N8, 631-633.

56. Harder C., Vahala K., and Yariv A., Measurement of the line-width enhancement factor cL of semicinductors lasers. Appl.Phys.Lett., 1983, Д2, N4, 328-330.

57. Маев Р.Г., Полуэктов И.A"., Пустовойт В.И. Об изменении электронной части диэлектрической проницаемости фотополупроводников при внешней накачке. 1973, 15, №1, 18-21.

58. Elsaber W., Gobel E.O., Eintein relations for gain guided semiconductor lasers. Electr.Lett. 1983, J.9, N9, 335-336.

59. Yariv A., Marglits G. On spontaneous emission into guided modes with curved wavefronts. 1982, IEEE J.Quant.Elect-ron., QE-18, 1831-1832.

60. Harrison J., Mooradian A. Temperature dependence of quantum fluctuation linewidth broadening in (GaAl)As diode lasers. J. Opt.Soc.Am.B., 1984, J., N3,459-460.

61. Vahala K., Harder C., and Yariv A. Observation of relaxation effects in the field spectrum of semiconductor lasers. Appl.Phys.Lett. 1983, 42, N3, 211-213.

62. Daino В., Spano P., Tamburrini M., and Piazzola S. Phase noise and spectral line shape in semiconductor lasers. IEEE J.Quant.Electron., 1983, QE-19, N3.266-270.70.

63. Spano P., Piazzola S., and Tamburrini M. Phase noise insemiconductor lasers. A theoretical approach.*

64. EE J.Quant.Electron., 1983, QE-19, 1195-1199.

65. Богатов А.П., Елисеев П.Г., Свердлов Б.Н. Аномальное взаимодействие спектральных типов колебаний в полупроводниковом лазере. Квантовая электроника, 1974, №10, 2286-2288.

66. Величанский В.Л., Зибров А.С., Каргополцев B.C., и др.

67. О предельной ширине линии генерации инжекционного лазера. Письма Ш, 1978 , 4, №18, 1087-1090.

68. Акулыиин A.M., Боро,пулин В.И., Величанский B.JI., Зибров А.С., и др. Влияние геометрии внешнего резонатора на согласование и пространственные характеристики излучения инжекционного лазера. Препринт ФИАН, 1982, №157.

69. Fontana J.R.• Modes in coupled optical resonators with active media. IEEE Trans.Ш Theory and Techn., 1964, 12. 400-404.

70. Saito S., Mlseon 0., and Yamamoto Y. Oscillation center frequency modulation characteristics in external grating loaded semiconductor lasers. IEEE J.Quant.Electron., 19S2,QE-18, 6, 961-970.

71. Taylor H.F., Dandridge A., Weller J.F., and Miles R.O. Spectral characteristics of semiconductor lasers with optical feedback. IEEE J.Quant.Electron., 1982, QE-18, 555-564

72. Величанский B.JI. Полупроводниковые лазеры в спектроскопии высокого разрешения. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Московский инженерно-физический институт, 1974.

73. Бахерт Х.-Ю., Богатов А.П., Ю.В.Гуров и др. Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором. Квантовая электроника, 1981, 8, №9, №?:.-1961.

74. Богатов А.П., Елисеев П.Г., Охотников О.Г., и др. Взаимодейс твйё мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах. Квантовая электроника, 1983, 10,№9, 18511865.

75. Lang R., Kobayashi К. External optical feedback effects on semiconductor injection laser properties.

76. EE J.Quant.Electron., 1980, QE-16, N3,347-355.

77. Баженов В.Ю., Богатов А.П., Елисеев П.Г., и др. Бистабиль-ный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором. Квантовая электроника, 1981,8, №4, 853-859.

78. Величанский В.Л., Зибров АёС*, Молочев В.И., и др. Асимметрия некоторых характеристик перестраиваемых инжекционных лазеров с внешним резонатором. Квантовая электроника, 1981, 8, №9, I925-1934.

79. Величанский В.Л., Зибров А.С., Молочев В.И., и др. Асимметрия некоторых характеристик перестраиваемых инжекционных лазеров с внешним резонатором. 1981, Москва, Препринт1. ФИАН №5.4 , * .

80. Sorokin P.P., Lonkard J.P., Moruzzi V.L. Frequency locking4 « * 'of organic lasers to atomic lines. Appl.Phys.Lett., 1969, Г5, N6,179-182.

81. Летохов B.C. Селективная обратная связь для широкополосных лазеров. Краткие сообщения по физике, ФИАН, 1970, №11, 14-17.

82. Yamagishi A., and Inaba Н. Spectral narrowing of a dye laser oscillation using an intracavity vapor prism.

83. Optics Comms., 1976, J6, N2, 223-225.

84. Shank C.V., Klein М.В.» Frequancy locking of a CW dye laser atomic absorption lines in a gas discharge.

85. Appl.Phys.Lett. 1973, 22, N3,153-157.

86. Величанский В.Л., Зибров А.С., Никитин В.В., и др. Полупроводниковый лазер с внешним селективным зеркалом на парахг уЧ>Ь1.> , Квантовая электроника, 1978,5, №7, 1465-1470.

87. Зибров А.С., Зубков B.M., Никитин В.В., Перевалов М.Г. Стабилизация частоты инжекционного полупроводникового лазера пс внешнему конфокальному интерферометру. Квантовая электроника, 1983, 10, №9, 1888-1889.

88. Favre F., and Guen D.Le. High frequency stability of laser diode for heterodyne communication systems. Electron.1.tt., 1980, J.6, TT8, 709-710.

89. Зибров А.С., Акульшин A.M., Величанский В.Л., и др. Стабилизация частоты инжекционного лазера с внешним резонатором. Квантовая электроника, 1982, 9, №4, 804-806.

90. Зибров А.С., Акулыпин A.M., Величанский В.Л., и др.

91. Стабилизация частоты инжекционного лазера с внешним резонатором по добротному интерферометру. Тезисы докладов III Всесоюзной конференции "Оптика лазеров", Ленинград, 1982, 226-227.

92. Троицкий Ю.В. Оптимизация и сравнение характеристик оптических интерференционных дискриминаторов. Квантовая электроника, 1978, 5, №5, II0I-II06.

93. Акулыпин A.M., Басов Н.Г., Величанский В.Л., Зибров А.С., и др. Гетеродинное измерение ширины линии генерации инжекционных лазеров в режиме стабилизации частоты биений. Квантовая электроника, 1983, 10, №8, 1527-1529.

94. Тюриков Д.А. Разработка метода выделения высокодобротных спектральных линий и его применение для стабилизации частоты Не- Не/СН^лазера. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. ШАН, 1985.

95. ЮЗ. Баженов В.Ю., Багатов А.П., Гуров Ю.В., идр. Оптическое гете-родинирование излучения инжекционного лазера с внешним резонатором. Квантовая электроника, 1980, 7, №12, 2642-2644. / ^

96. Акулыпин A.M., Величанский В.Л., Зибров А.С., и др. Перестраиваемые инжекционные лазеры на основе широкозонных полупроводников. Минск, 1983, Материалы республиканской научно-технической школы-семинара, 44-53.

97. Беленов Э.М., Величанский В.Л., Зибров А.С., и др. Методы сужения линии генерации инжекционного лазера. Квантовая электроника, 1983, 10, №6, 1232-1243.

98. Юб. Акулыпин A.M., Величанский В.Л., Зибров А.С., и др. Столк-новительное уширение внутридоплеровских резонансов отражения на -линии цезия. Письма в ЖЭТФ, 1982, /36, №7, 247-250.

99. Саутенков В.А., Акулыпин A.M., Величанский В.Л., Зибров А.С. и др. Внутридоплеровские резонансы Д2~линии цезия в контуре селективного зеркального отражения. Квантоавя электроника, 1981 8, №9, I877-1872.

100. Saito S., Nilsson 0., and Yamamoto Y. Oscilation center frequency tuning, quantum FM noise and direct frequency modulation characteristics in external grating loaded semiconductor lasers. IEEE J.Quant.Electron., 1982, QE-18, N6, 961-970.

101. Taylor H.F., Dandridge A., Weller J.F., and Miles R.O. Spectral characteristics of semiconductor lasers with optical feedback. IEEE J.Quantum.Electron., 1982, QE-18. N4, 555-564.

102. Favre F., Guen D.Le., and Simon J.C. Optical feedback effects upon laser diode oscillation field spectrum. IEEE J.Quantum Electron., 1982, QE-18, N10, 1712-1717.

103. Smith P.W., Mode selection in lasers. Proc. IEEE, 1972, 60, 422-440.

104. Striefer W., Pouce F.A., Scifres D.R. Reduction of GaAs diode laser spontaneous emmission. Appl.Phys.Lett., 1980, 21* N1» 10-12.

105. Muller W., Weber H. Decay time of optical resonators. Opt .comms., 1977, 23., n3, 440-447.

106. Ландау Л.Д., Лифпиц E.M. Электродинамика сплошных сред. 1963, Физматгиз, М:.