Переходы диэлектрик-металл-сверхпроводник в перовскитоподобных системах типа Ba1-x Kx BiО3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Русаков, Александр Пименович

• Русаков, Александр Пименович
• доктор физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Русаков, Александр Пименович

ОГЛАВЛЕНИЕ

стр.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ПЕРОВСКИ ГО-ПОДОБНЫЕ СИСТЕМЫ С ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ СВЕХПРОВОДИМОСГЬЮ И ПРОБЛЕМА КАЧЕСТВА ИССЛЕДУЕМЫХ ОБРАЗЦОВ

§1 Л. Кристашюхимнческое строение перовскито-подобных

систем с высокотемпературной сверхпроводимостью §1,2. Некоторые особенности электронной зонной структуры

§1.3. Сверхпроводимость и проблема качества образцов для экспериментальных исследований

ГЛАВА IL СИНТЕЗ ОБРАЗЦОВ СИСТЕМЫ Ва,-хКхВЮ3 И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ИХ

МАГНИТНЫХ, ТЕПЛОВЫХ СВОЙСТВ

§2.1. Синтез диэлектрических и металлических образцов,

технология получения качественных монокристаллов и поликристаллов с большим эффектом Мейснера

§2.2. Магнитные и электрические измерения

§ 2.3. Теплоемкость

§ 2.4. Тепловое расширение образцов системы Bai-xKJBIOs

ГЛАВА III. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ СИСТЕМЫ Ва,-хКхВЮ3

§3.1. Спектры комбинационного рассеяния

§3.2. Спектры отражения

§3.3. Фононный спектр

§3.4. Спектр электронного парамагнитного резонанса

ГЛАВА IV. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ СИСТЕМ BaBii-жРЬхОз и La^SrxCu04

§4.1. Синтез диэлектрических и металлических образцов

§4.2. Тепловое расширение образцов системы BaBii xPbxOs

§4.3. Тепловое расширение образцов системы La2-xSrxCu04

§4.4. Спектр электронного парамагнитного резонанса образцов системы BaBii хРЬхОз

ГЛАВА. V. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ

§5.1. Верхнее критическое магнитное поле Нс2 (0)

§5.2. Зависимость коэффициента электронной теплоемкости у * от магнитного поля и постоянная Зоммерфельда у

§5.3. Константа электрон-фононной связи л. и плотность состояний на уровне Ферми для образцов Вао,бКо,4В10з

§5.4. Сравнительные оценки параметров образцов систем Bai-хКхВЮз, La2-xSrxCu04 и BaBii хРЬхОз §5.5. Расслоение на сверхпроводящую и диэлектричскую фазы ГЛАВА VI. ПЕРЕХОДЫ С ЛЕГИРОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ-СВЕРХПРОВОДНИК

§6Л. Фононный спектр и аномальная дисперсия оптических фоновов в направлении [100] кристаллической решетки §6.2. Образование диэлектрического состояния §6.3. Переход с легированием диэлектрик-металл §6.4 Сверхструктурное упорядочение и устойчивость кристаллической решетки §6.5. Влияние сверхструктурного упорядочения на тепловое расширение и данные ЭПР §6.6. Особенности металлической фазы и их влияние на фононный спектр, электронную теплоемкость и сверхпроводимость ЗАКЛЮЧЕНИЕ ЛИТЕРАТУРА

113

115

128

128 134

156

169

179 186

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Переходы диэлектрик-металл-сверхпроводник в перовскитоподобных системах типа Ba1-x Kx BiО3»

ВВЕДЕНИЕ

Открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП)

послужило началом нового этапа интенсивных исследований физики сверхпроводников и, в частности, привлекло внимание к целому ряду новых подходов к пониманию сущности явления сверхпроводимости. Несмотря на значительный объем исследований ВТСП систем (систем, в которых имеются ВТСП соединения), до сих пор остаются до конца не решенными фундаментальные вопросы о природе основного диэлектрического состояния, механизме влияния легирования и природе концентрационных фазовых переходов диэлектрик-металл в этих соединениях.

Проблема, создания технологичных ВТСП материалов является одной из актуальных задач физики твердого тела. Решение этой проблемы позволит создать принципиально новые типы приборов для энергетики и

микроэлектроники. Для синтеза и практического внедрения таких материалов ключевой проблемой является выяснение механизма высокотемпературной сверхпроводимости, который до сих пор активно дискутируется. Понимание природы ВТСП позволит проводить целенаправленный поиск таких соединений, которые обладают повышенной критической температурой Тс, критическим током /,, верхним критическим магнитным полем Нс2 и подходящими технологическими свойствами.

Проблема ВТСП в теоретическом плане была поставлена в работах Гинзбурга В.Л. и Литтла У.А. и обстоятельно рассмотрена в первой книге на тему ВТСП группой авторов [I], а также в работах [2,3]. Последовавшие затем теоретические и экспериментальные исследования показали, что для создания ВТСП. нужны полярные соединения, включающие легкие элементы с сильным локальным взаимодействием, в частности, полярные соединения меди (оксидные, оксиг алогенидные). Этот факт и был использован Беднорцем Д. и Мюллером К. в успешном синтезе первого ВТСП [4].

Обилие уже имеющихся разнообразных, в том числе взаимоисключающих, теоретических работ о механизме

сверхпроводимости в ВТСП показывает, что пока не существует общепринятой физической модели как сверхпроводящего, так и нормального состояния ВТСП систем. Распространено, в частности, мнение о том, что фононный механизм, хорошо объясняющий в рамках теории Бардина, Купера

и Шриффера (БКШ) появление сверхпроводимости в обычных (стандартных) сверхпроводниках, в случае ВТСП уже недостаточен.

Одной из главных причин трудностей понимания, природы сверхпроводящего, металлического и диэлектрического состояний ВТСП систем является недостаточное количество надежно установленных экспериментальных данных, полученных на тестированных образцах. Несмотря на то, что выполнено большое количество экспериментальных исследований образцов ВТСП систем, в большинстве из них не обращалось должного внимания на качество образцов, что обесценивало эксперимент. Например, неожиданным для многих экспериментаторов стало открытие, что при вакуумной откачке образцов даже при столь низкой температуре как температура жидкого азота металлическая поверхность образцов становится диэлектрической из-за легкого ухода кислорода с приповерхностного слоя образца. Это приводило к ошибочным экспериментальным результатам, на основании которых возникали теории типа холонной сверхпроводимости и ставилась под сомнение применимость теории сверхпроводимости БКШ для ВТСП.

Таким образом, изучение ВТСП материалов в очередной раз указало на актуальную необходимость тесного единства м агер и ал овед ч ее ко й технологии, физического эксперимента и их теоретического осмысления. Из-за недостаточного качества образцов не удавалось получить количественных данных о скачках теплоемкости при переходе в сверхпроводящее состояние, о зависимости электронной теплоемкости от магнитного поля, о надежно установленной зависимости Нс2 от температуры, об аномалии теплового расширения и других термодинамических и электронных характеристик ВТСП материалов. Наибольшее затруднения для получения объективной информации возникали в тех ВТСП оксидных системах, где кислород особенно легко уходит из образца. В этом смысле известной является система Ва1.хКхВЮз. Исследование этой и других висмутовых систем позволяет ответить на вопрос : так ли уж необходим для объяснения ряда аномалий свойств ВТСП большой магнитный момент ионов двухвалентной меди, которая присутствует в системах типа La2-.xSr7.CuO4 и других ВТСП. Поэтому в данной работе было обращено особое внимание на разработку технологии синтеза монокристаллических и поликристаллических образцов системы ВащКхВЮз- На одних и тех же образцах проводились различные экспериментальные исследования с учетом возможного технологического воздействия на образцы физических условий эксперимента. Сопоставление с экспериментальными данными для

других ВТСП, рассмотренных в работе, дает возможность ответить на рад актуальных вопросов о физике переходов диэлектрик-металл-сверхпроводник в перовскито-подобных системах.

Главной целью работы являлось всестороннее экспериментальное исследование физической природы концентрационных фазовых переходов из диэлектрического состояния в металлическое при легировании оксидных систем типа ВаьхКхВЮз, а также выяснение особенностей электронных характеристик, приводящих к ряду аномалий физических свойств. При этом ставились следующие основные задачи.

1. Разработать технологию синтеза качественных монокристаллических и поликристаллических сверхпроводящих образцов системы Ва1-хКхВ10з с большим эффектом Мейснера и резким диамагнитным переходом в сверхпроводящее состояние. Получить качественные диэлектрические и металлические образцы этой системы с разным составом. Отработать технологические режимы управления стехиометрией оксидных систем: типа ВаьхКхВЮз» Ьаг-хЗгхСиОч и ВаВЬ хРЬ<Оз.

2. На синтезированных образцах провести исследования магнитных и электрических свойств с целью выяснения влияния на эти свойства фазового расслоения на сверхпроводящую и диэлектрическую области. Найти технологические условия, сводящие эффект фазового расслоения к минимуму.

3. Провести исследование электронной теплоемкости в сильных магнитных полях при низких температурах. Экспериментально определить скачок теплоемкости при Тс. На основе измерений проверить соответствие полученных термодинамических данных с предсказаниями теории БКШ.

4. С целью получения информации о локальной симметрии, об электронных и фононных характеристиках экспериментально исследовать спектры комбинационного рассеяния, оптические спектры отражения, фононные спектры, спектры электронного парамагнитного резонанса образцов с составами, для которых имеющейся информации о материале недостаточно.

5. Исследовать влияние легирования на тепловое расширение при низких температурах диэлектрических и металлических образцов систем Ва1 ХКХВЮ?, Ьа2-к8гхСи04 и ВаВЬ хРЬхСЬ.

6. На основе анализа экспериментальных данных исследовать физические особенности переходов с легированием диэлектрик-металл-сверхпроводник оксидных перовскито-подобных систем типа Ва1-хКхВЮз.

В работе впервые получены количественные экспериментальные данные о зависимости электронной теплоемкости от сильного магнитного поля для сверхпроводящей системы В«| хК.*ВЮя. Впервые калориметрическим методом получены данные об аномальной температурной зависимости верхнего критического магнитного поля в широком диапазоне температур. Тем самым показано, что по такой термодинамической характеристике как Нс2(Т), система ВаихКхВЮз вблизи .границы диэлектрик-металл принадлежит к общему классу ВТСП оксидных материалов. Впервые получены данные из измерений теплоемкости в магнитных полях о постоянной Зоммерфельда у. Из отношения экспериментально измеренного скачка теплоемкости АС при Тс к у-Тс впервые показано соответствие этой величины предсказаниям теории БКШ.

Получены новые данные о фононных спектрах диэлектрических и металлических образцов системы Ва^хКхВЮз. Дано объяснение физической природы аномального смягчения высокочастотных оптических фононов для: металлических систем типа Ва1 хКхВЮз.

Впервые получены экспериментальные данные об аномальном отрицательном коэффициенте теплового расширения а при низких температурах и зависимости а от легирования для систем Ва^КхВЮз, La2-.xSrxCu.O4 и ВаВ^-хРЬхОз. Дано объяснение физической природы аномального сжатия образцов при их нагревании.

Предложено физическое объяснение изменения электронной зонной структуры и типа проводимости с легированием в системах типа Вал-хКхВЮз.

На основе анализа экспериментальных данных выявлены особенности электронной зонной структуры, приводящие к ряду аномалий физических свойств перовскито-подобных систем типа Ba1-xK.xBj.O3.

Результаты исследований работы дают более глубокие представления о физических процессах при переходах с легированием диэлектрик-металл ВТСП систем. Разработаны практические рекомендации по технологии синтеза качественных. сверхпроводящих монокристаллических. и

поликристаллических образцов системы ВаьхКхВ10з с большим эффектом Мейснера и резким диамагнитным переходом в сверхпроводящее состояние. Указаны практические технологические методы регулирования влияния фазового расслоения на магнитные и электрические свойства.

Получены практически значимые данные о термодинамических свойствах систем ВаьхКхВЮз, La.2-xSrxC11.O4 и ВаВЬ-хРЬхОз. Получены

количественные данные об электронной теплоемкости Вао/, Ко.4 В1 Оз в различных магнитных полях. Уточнены особенности фазовой диаграммы состав-свойство системы Ва1-хКхВЮз.

Получены количественные данные о температурной зависимости коэффициента теплового расширения монокристаллических образцов Ьа2-х8гхСи04. Выявлена сильная анизотропия теплового расширения. Получены количественные данные о тепловом расширении систем Ва1-хКхВЮз, ВаВЬ-хРЬхОз.

Полученные данные о фононных спектрах диэлектрических и металлических образцов также как и данные о теплоемкости и тепловом расширении практически нужны экспериментаторам, технологам и теоретикам, поскольку оксидные системы с высокотемпературной сверхпроводимостью будут находить все более широкое применение в различных областях науки и техники.

Основные положения и результаты выносимые на защиту.

1. Результаты экспериментальных исследований теплоемкости в сильных магнитных полях и результаты численных расчетов электронных характеристик сверхпроводящих соединений системы Ва1.хКхВЮз.

2. Результаты экспериментальных исследований теплового расширения при низких температурах диэлектрических и металлических составов систем ВамКхВЮз, Ьа2-х5гхСи04, ВаВЬ-хРЬхОч и результаты анализа аномалий теплового расширения.

3. Результаты экспериментальных исследований спектров комбинационного рассеяния, спектров отражения, фононных спектров, спектров ЭПР диэлектрических и металлических составов Ва?-хКхВ10з, ВаВм-хРЬхОз и анализ особенностей этих спектров.

4. Результаты экспериментальных исследований магнитных, электрических свойств, критических параметров сверхпроводников системы ВаихКхВ10я и результаты анализа особенностей этих свойств.

5. Физическая модель особенностей электронного спектра, приводящих к аномалиям свойств неровекито-подобных оксидных ВТСП систем типа ВаихКхВЮз.

Основные результаты исследований, представленные в диссертации:, докладывались на: Всесоюзной конференции "Сверхпроводники с высокими

температурами сверхпроводящего перехода" (Донецк, 1988 г.); Всесоюзной конференции "Физико-хнмия и технология высокотемпературных

сверхпроводящих материалов" (Москва, 1988 г.): Международной

конференции "Физика макроскопических квантовых явлений" (Прага. Чехия, 1989 г.); XIX европейском конгрессе "молекулярная спектроскопия" (Дрезден, ГДР, 1989 г.); Международной конференции "Высокотемпературная сверхпроводимость" (Стэнфорд, США. 1989 г); Международной конференции "Высокотемпературные сверхпроводники" (Дубна, 1989 г.); Международной конференции "Транспортные явление в сверхпроводниках" (Рио-де-Жанейро, Бразилия, 1990 г.); Международной конференции "Высокотемпературная

сверхпроводимость и явления локализации" (Москва, 1991 г.); Международной конференции "Материалы и механизмы сверхпроводимости" (Токио, Япония,

1991 г.); Всероссийской конференции "Физика низких температур" (Казань,

1992 г.); Международной конференции "Молекулярные и оксидные сверхпроводники" (Орегон, США, 1993 г.): Международной конференции "Материалы и механизмы сверхпроводимости высокотемпературных сверхпроводников" (Гренобль, Франция, 1994 г.): Международной конференции "Прикладная сверхпроводимость" (Бостон, США. 1994 г.); Международной конференции "Химия и технология высокотемпературных сверхпроводников" (МГУ, Москва, 1995 г.); Международной конференции "Сверхпроводимость: физические аспекты" (Харьков, Украина, 1995 г.); Международной конференции "Физика оксидных сверхпроводников и нано-техника. II" (Сан Хосе, США, 1996 г.); XXI Международной конференции "Физика низких температур" (Прага, Чехия, 1996 г.); Международной конференции "Материалы и механизмы сверхпроводимости высокотемпературных сверхпроводников" (Пекин, Китай, 1997 г.).

По теме диссертации опубликовано 40 печатных работ, перечень которых приводится в общем списке литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Русаков, Александр Пименович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных экспериментальных исследований магнитных, электрических, тепловых, спектральных и других свойств были выявлены ряд специфических особенностей влияния легирования на переходы из диэлектрического состояния в металлическое и сверхпроводящее состояние перовскито-подобных систем типа Ва,.хКхВЮ3.

1. Для проведения экспериментальных исследований была разработана технология синтеза качественных сверхпроводящих монокристаллов и поликристаллов системы Ва1.хКхВЮз с большим эффектом Мейснера. Определена область температур, составов расплавов, режимов термообработки, при которых получаются образцы с резким переходом в сверхпроводящее состояние.

Выяснены технологические условия возникновения фазового расслоения образцов на сверхпроводящую и диэлектрическую фазу. Показано, что решающим технологическим параметром в процессах фазового расслоения является нестехиометрия по кислороду. Выяснены технологические режимы синтеза и условия проведения экспериментальных исследований, позволяющие регулировать процессы фазового расслоение.

Уточнены границы на фазовой диаграмме состав-свойства области существования диэлектрической фазы, металлической фазы и сверхпроводящей фазы.

2. Качество синтезированных образцов позволило впервые провести количественные измерения электронной теплоемкости в сильных магнитных полях и измерения скачка теплоемкости при переходе в сверхпроводящее состояние. На основания калориметрических измерений построена температурная зависимость верхнего критического магнитного поля Нс2(Т) до 20 Тл. Зависимость Нс2(Т) оказалась аномальной с положительной кривизной во всем исследованном интервале температур и хорошо согласуется с резистивными измерениями до 32 Тл. Показано, что по такой термодинамической характеристике как Нс2(Т) Ва1-хКхВЮз принадлежит к общему классу ВТСП оксидных материалов.

3. Используя экспериментальные данные, была построена зависимость коэффициента электронной теплоемкости у от магнитного поля. Экстраполяцией к Нс2(0) было получено значение постоянной Зоммерфельда у. Отношение экспериментально определенной величины скачка теплоемкости при Тс к у-Тс дает возможность оценить параметр теории БКШ ЛС/у-Тс, что с учетом данных по тунельной спектроскопии дает оценку константы электрон-фононной связи для Вао.бКдыВЮз По данным о теплоемкости была определена плотность состояний носителей на уровне Ферми и другие характеристики, которые оказались близки к характеристикам металлических образцов Ьаг-хБгхСиО^ Плотность состояний была оценена также по экспериментально измеренной в работе магнитной восприимчивости. Эти результаты согласуются с данными по теплоемкости. Обнаружено, что в металлическом Ва1-хКхВЮз при х>0.4 плотность состояний на уровне Ферми уменьшается с легированием, при этом уменьшается критическая температура сверхпроводимости Тс.

4. Проведены исследования спектров комбинационного рассеяния диэлектрических и металлических образцов ВаьхКхВЮз разных составов. Обнаружена, что для металлических образцов вблизи границы перехода диэлектрик-металл локальная симметрия - не кубическая. Это локальное отклонение от кубической симметрии в металлической фазе уменьшается при удалении от границы диэлектрик-металл с ростом легирования.

Проведено исследование спектров оптического отражения для диэлектрических и металлических образцов. Получены данные о характеристиках электронной структуры в зависимости от легирования. Для металлического состава Вао.бКсиВЮз плотность свободных носителей оказалась как и для других оксидных ВТСП на порядок ниже, чем в обычных металлах.

5. Проведены исследование фононных спектров диэлектрических и металлических образцов Ва^КхВЮз. Для металлического состава обнаружено смягчение спектра в высокочастотной области с легированием. Это смягчение обусловлено аномально сильным уменьшением частот коротковолновых продольных оптических фононов в направлении [100] для металлических образцов Ва1-хКхВЮз. Такая же аномалия наблюдается для Ьа2-х8гхСи04 и УВагСизО,- Смягчение фононных частот не удается объяснить в рамках стандартных моделей динамики решетки и было объяснено в данной работе влиянием электронного упорядочения в подрешетке ионов кислорода.

6. Проведено исследование линейного коэффициента теплового расширения от температуры жидкого гелия и выше для диэлектрических и металлических образцов систем Ьа2-х8гхСи04, Ва1 хКхВЮз, ВаВцхРЬхОз. Обнаружен аномальный отрицательный коэффициент теплового расширения а, то есть образцы при нагревании сжимаются. С ростом легирования аномалия а уменьшается, однако в металлической фазе а все еще отрицательно.

Измерения на монокристаллических образцах Ьаг-хЯгхСиОа показали сильную анизотропию аномального теплового расширения. Такой же аномалией и анизотропией а обладают ВТСП В128г2СаСи208 и УВагСизО?. Все эти сверхпроводящие составы обладают отрицательным коэффициентом теплового расширения в плоскости СиОг и меньшей аномалией а в перпендикулярном направлении. Обнаружено, что в случае несовершенных образцов, например, нестехиометрии по кислороду аномалии а ослабевают и даже исчезают. Причем нестехиометрия по кислороду может возникнуть даже во время проведения экспериментов, например, из-за вакуумной откачки. При этом кислород уходит с поверхности образцов, что приводит к изменению экспериментальных результатов. С этой целью была отработана технология синтеза и последующего обращения с образцами Ьаг-х8гхСи04 и ВаВцхРЬхОз диэлектрических и металлических составов.

7. Проведены исследования спектров электронного парамагнитного резонанса от температуры 3 К и выше диэлектрических и металлических образцов ВаьхКхВЮз, ВаВЬ хРЬхОз различных составов. Дополнительно к сигналу ЭПР поглощения с ^-фактором «2.1 обнаружен сигнал с #«4.2, так называемый "резонанс в половинном поле". Изменяя степень легирования образцов, а также изменяя условия термообработки образцов, в работе было показано, что этот "резонанс в половинном поле" обусловлен ионами кислорода и наблюдается для свежеприготовленных и качественных образцов. Экспериментальное исследование природы этих сигналов свидетельствует о наличии еинглетных пар магнитных моментов в подрешетке ионов кислорода. Возбужденное триплетное состояние этих пар наблюдается методом ЭПР в магнитном поле. Такой же "резонанс в половинном поле" существует и для образцов Ьа2-х8гхСи04.

8. Полученные в работе экспериментальные данные могут быть объяснены для систем Ва| ХКхВЮз и ВаВЬхРЬхОз в рамках модели "легированного полупроводника". Полупроводниковое состояние образовалось в результате электронной неустойчивости в системе с образованием волн зарядовой плотности при удвоении периодов решетки типа 2а-2а-2а. Это удвоение периодов решетки происходит из-за электронного упорядочения, которое модельно можно проиллюстрировать, как упорядочение ионо-ковалентных связей ВьО, что приводит к новой зоне Бриллюэна. В результате электронной неустойчивости на поверхности Ферми праметалла, совпадающей с границей новой зоны Бриллюэна, возникает диэлектрическая энергетическая щель Е. При удвоении периодов решетки в исходном ВаВЮз фононная неустойчивость из-за нестинга возникнет лишь при сильном легировании, например, для системы Ва1хКхВЮз при х>0.5. При такой большой концентрации легирующей примеси кулоновское взаимодействие волн зарядовой плотности, стабилизирующее структуру ВаВЮз, будет эффективно заэкранировано вырожденными носителями.

9. При легировании происходит переход из полупроводникового состояния в состояние вырожденного полупроводника с металлическим типом проводимости. Например, для системы ВаьхКхВЮз такой переход происходит при х>0.3 (при Г=300 К). Поверхность Ферми, построенная в рамках модели вырожденного полупроводника, хорошо согласуется с имеющимися экспериментальными данными для Вао.бКолВЮз

10. Существование волн зарядовой плотности проявляет себя в аномалиях ряда физических свойств оксидных перовскито-подобных материалов. Взаимодействие волн зарядовой плотности оказывает стабилизирующее влияние на кристаллическую структуру, но это влияние уменьшается с ростом давления или температуры из-за увеличения экранирования при увеличении перекрытия электронных оболочек соседних ионов. В результате, постоянная Грюнайзена для низкочастотной фононной ветви колебаний вблизи границы зоны Бриллюэна соТА(х) имеет отрицательную величину, что и приводит к отрицательному коэффициенту теплового расширения при низких температурах.

Сигналы ЭПР поглощения с ¿»-фактором 2.1 и 4.2 ("резонанс в половинном поле") возникают из-за нарушений в идеальном упорядочении ВЗП в подрешетке ионов кислорода.

Волны зарядовой плотности приводят к аномалиям в высокочастотной области фононного спектра оксидных ВТСП. Нестинг в вырожденном полупроводнике с конгруэнтными участками поверхности Ферми, с расстоянием между ними (?н=я/а [100] приводит к аномальному смягчению частот продольных оптических фононов со,0(()) при О -> 0И. Это обусловлено расходимостью электронной восприимчивости %(&) » когда для энергии Е(ку) вырожденных носителей на конгруэнтных участках поверхности

Ферми выполняется условие Е(кР) - Е(кР + Оп). В результате, для такого волнового вектора становится отрицательной электронная диэлектрическая проницаемость е((т), что приводит к аномально большому смягчению высокочастотной продольной оптической ветви колебаний вблизи границы зоны Бриллюэна.

11. В перовскиго-подобных материалах типа ВаьхКхВЮз аномалии свойств объясняются существованием волн зарядовой плотности в направлениях [100] в подрешетке ионов кислорода в дополнение к ВЗП в направлениях [110] в подрешетке ионов висмута. Это приводит к почти квадратным участкам поверхности Ферми вокруг точки (0,0,0) зоны Бриллюэна со сторонами квадратных участков вдоль направлений [100], что согласуется с экспериментом. Такие же характерные аномалии свойств наблюдаются и для ряда купратных ВТСП: это отрицательное тепловое расширение бездефектных образцов при низких температурах; почти квадратные участки поверхности Ферми вокруг точек — (±1,±1,0) зоны Бриллюэна со сторонами квадрата квадратных участков а4 ' вдоль направлений [100]; смягчение высокочастотной продольной оптической фононной ветви вблизи границы зоны Бриллюэна для направления [100] и другие аномалии. Отсюда делается вывод, что в купратных ВТСП в дополнение к антиферромагнитному упорядочению ионов меди в направлениях [110] необходимо учитывать влияние на свойства образцов волн зарядовой плотности в подрешетке ионов кислорода в направлениях [100].

В заключение считаю своим долгом выразить глубокую благодарность профессору Г.М.Ашмарину и доброй памяти профессору О.Т.Малючкову за предоставленные благоприятные условия работы на кафедре, помощь и поддержку, обусловившие возможность выполнения данной работы.

Автор глубоко признателен и благодарен доценту А.И.Головашкину, старшему научному сотруднику Л.И.Ивановой и научному сотруднику Н.В.Аншуковой за многолетнюю совместную работу, постоянную поддержку и активное участие на всех этапах выполнения данной работы.

Автор выражает свою признательность и благодарность профессору Ю.Х.Векилову, профессору Е.К.Наими, доценту Ю.С.Старку и доценту Ю.М.Кузьмину, общение с которыми стимулировали данные исследования.

Автор благодарит всех сотрудников кафедры физики и проблемной лаборатории синтеза МИСиС за оказанную помощь и моральную поддержку при подготовке диссертации.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Русаков, Александр Пименович, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Булаевский Л.Н.» Гинзбург В.Л., Жарков Г.Ф., Киржниц Д.А., Копаев Ю.В., Максимов Е.Г., Хомский Д.Н. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. - М.: Наука, 1977. - 400 с.

2. Копаев Ю.В. // Труды ФИАН. 1975. т. 86. с. 3.

3. Максимов Е.Г. // Труды ФИАН. 1975. т. 86. с. 101.

4. Bednorz J.G., Müller К. А. // Z. Phys.B. 1986. v. 64. p. 189.

5. Mattheiss L.F., Gyorgy E.M., Johnson D.W.Ir.. // Phys. Rev. B. 1988. v. 37. № 7. p. 3745.

6. Cava R.J., Batlogg В., Krajewski J.J., Farrow R.C., Rupp L.W.Jr., White A.E., Short K.T., Peck W.F. Jr., Kometani T.Y. // Nature. 1988. v. 332. № 6. p. 14.

7. Pei S., Jorgensen J.D., Dabrowski В., Hinks D.G., Richards D.R., Mitckell A.W., Newsam J.M., Sinha S.K., Vaknin D., Jacobson A.J. // Phys. Rev.B. 1990. v. 41. № 8. p. 4126.

8. Cox D.E., Sleight A.W. // Sol.st.comm. 1976. v. 19. p. 469.

9. Sleight A.W., Cox D.E. // Sol.st.comm. 1986. v. 58. p. 347.

10. Pickett W.E. // Rev. Mod. Phys. 1989. v. 61. № 2. p. 433.

11. Dagotto E. It Rev. Mod. Phys. 1994. v. 66. № 3. p. 763.

12. You H„ Welp U., Fang У. // Phys. Rev.B. 1991. v. 43. № 4. p. 3660.

13.Yang Z.J., Yewondwossen M., Lawther D.W., Ritcey S.P., Geldart D.J.W., Dunlap R.A. //J. Superconductivity. 1995. v. 8. № 2. p. 223.

14. Tal war D.N., Vandevyver M., Kunc K., Zigone M. // Phys. Rev.B. 1981. v. 24. № 2. p. 741.

15.Wendel H., Martin R.M. // Phys. Rev.B. 1979. v. 19. № 10. p. 5251.

16. Braden M., Reichardt W., Schmidbauer W., Ivanov A.S., Rumiantsev A.Yu. // J. Superconductivity. 1995. v. 8. № 5. p. 595.

17. Reichardt W., Pintschovius L.. Рука N., Schweiß P., Erb A., Bourges P., Collin G., Rossat-Mignod J., Henry I.Y., Ivanov A.S., Mitrofanov N.L., Rumiantsev A.Yu. //J. Superconductivity. 1994. v. 7. № 2. p. 399.

18. Mosley W.D., Dykes J.W., Shelton R.N., Sterne P.A., Howell R.H. // Phys. Rev. Lett. 1994. v. 74. № 9. p. 1271.

19. Marshall D.S., Dessau D.S., Loeser A.G., Park C.H., Matsuura A.Y., Eckstein J.N., Bozo vie L., Fournier P., Kapitulnik A., Spicer W.E., Shen Z.X. // Phys. Rev. Lett. 1996. v. 76. № 25. p. 4841.

20. Schabel M.C., Park C.H., Matsuura A., Shen Z.X., Bonn D.A., Liang R., Hardy W.N. //Phys. Rev. B. 1997. v. 55. № 5. p. 2796.

21. King D.H., Shen Z.X., Dessau D.S., Wells B.O.. Spicer W.E., Arko A J., Marshall D.S., DiCarlo J., Loeser A.G., Park C.H., Ratner E.R., Peng J.L., Li Z.Y., Greene R.L. // Phys. Rev. Lett. 1993. v. 70. № 20. p. 3159.

22. Massidda S., Hamada N., Yu J., Freeman A.j. // Physica C. 1989. v. 157.

p.571.

23. Golovashkin A.I., Anshukova N.V., Ivanova L.I., Rusakov A.P. //Inter. J. of Modern Physics B. 1998. v. 12. p. 2147.

24. Wells B.O., Shen Z.X., Matsuura A., King D.M., Kastner M.Ä., Greven M., Birgeneau R.J. // Phys. Rev. Lett. 1995. v. 74. № 6. p. 964.

25. LaRosa S., Vobornik I., Zwick F., Berger H., Grioni M., Margaritondo G., Kelley R.J., Onellion M., Chubukov L. // Phys. Rev. B. 1997. v. 56. № 2. p. R525.

26. Shrieffer J.R., Wen X.G., Zhang S.C. // Phys. Rev. B. 1989. v. 39. p. 11663.

27. Kampf A.P., Shrieffer J.R.//Phys. Rev. B. 1990. v. 41. p. 6399.

28. Bulut N.. Scalapino D.J., White S.R. // Phys. Rev. Lett. 1994. v. 73. № 5.

p.748.

29. Liu Z., Manousakis E. // Phys. Rev. B. 1992. v. 45. p. 2425.

30. Nasarenko A., Vos K.J.E., Haas S., Dagotto E., Gooding R.L // Phys. Rev. B. 1995. v. 51.№ 13. p.8676.

31. Sushkov O.P., Sawatzky G.A., Eder R„ Eskes H. // Phys. Rev. B. 1997. v. 56. № 18. p. 11769.

32. Subramaniam C.K., Kaiser A.B., Tang H.Y. // Physica C. 1994. v. 230. № 1.

p. 184.

33. Uchida S.//Jpn. J. Appl. Phys. 1993. v.32. p. 3784.

34. Williams G.V.M., Tallon J.L., Michalak R., Duprec R. // Phys. Rev. B. 1996. v. 54. №10. p.R6909.

35. Mila F., Rice T.M. // Physica C. 1989. v. 157. p. 571.

36. Torrance J.B. // Phys. Rev. Lett. 1988. v. 61. p. 1127.

37. Loeser A.G., Shen Z.X., Dessau D.S., Marshall D.S., Park C.H., Fournier P., Kapitulnik A. II Science. 1996. v. 273. p. 325.

38. Ding h., Yokoya T., Campuzano J.C., Takahashi T., Randeria M., Norman M.R., MochikuT., Kadowaki K., Giapintzakis J. //Nature. 1996. v. 382. p. 51.

39. Dabrowski B. // J. Electronic Materials. 1993. v. 22. № 10. p. 1183.

40. List R.S. II Phys. Rev. B. 1988. v. 38. p. 11966.

41. Verwerft M., Van Tendeloo G., Hinks D.G., Dabrowski B., Richards D.R., Mitchell A.W., Marx D.T., Pei S., Jorgensen J.D. // Phys. Rev. B. 1991. v. 44. № 17. p. 9547.

42. Zhang J.P., Wang Y.Y., Ai R., Platt C.E., Zhang Y„ Shi D.L., Hinks D.C., Marks L.D. // Physica C. 1994. v. 219. p. 191.

43. Du C.H., Hatton P.D., Tang H.Y., Wu M.K. // J. Phys. Condens Matter. 1994. v. 6. p. L575.

44. EapHJio C.H., MuryHOB R.H., KypoMKHH JT.A. // C0>XT. 1992. t. 5. № 6.

c.1084.

45. Kondoh S., Sera M., Fukuda K., Ando Y„ Sato M. // Sol. St. Comm. 1988. v. 67. № 9. p. 879.

46. Hinks D.O., Dabrowski B., Jorgensen J.D., Mitchell A.W., Richards D.R., Pei S., Shi D. //Nature. 1988. v. 333. № 6. p. 836.

47. Hinks D.G., Richards D.R., Dabrowski B., Mitchell A.W., Jorgensen J.D., Marx D.T.//Physica C. 1988. v. 156. № 2. p. 477.

48. Hinks D.G., Dabrowski B., Richards D.R., Jorgensen J.D., Pei S., Zasadzinski J.F. //High-Temp. Supercond. 1989. v. 156. № 1. p. 357.

49. Pei S., Zaluzec N.J., Jorgensen J.D., Dabrowski B., Hinks D.G., Mitchell A.W., Richards D.R. // Phys. Rev. B. 1989. v. 39. № 1. p.811.

50. Hinks D.G., Jorgensen J.D., Richards D.R., Pei S., Zheng Y., Dabrowski B., Mitchell A.W. // J. Less-Common Met. 1991. v. 168. № 2. p. 19.

51. Taylor R.C., Plechaty M.M., Beach D.B.,Bringley J.F., Shafer M.W. // Physica C. 1990. v. 169. № 3. p. 35.

52. Tseng D., Ruckenstein E. // J.Mater. Res. 1990. v. 5. № 4. p. 742.

53. Kamino M., Iyori M., Takahashi K., Yoshisato Y., Nakano S. // Physica C. 1991. v. 185-189. p. 445.

54. Heinrich A., Urland W. // Sol. St. Comm. 1991. v. 80. № 7. p. 519.

55. Stark J.C., Sandman D.J., Levinson M., Rossoni P.G. // Mat. Res. Bull. 1991. v. 26. №7. p. 623.

56. Taylor R.C., Plechaty M.M., Beach D.B. // Mat. Res. Bull. 1991. v. 26. № 11. p. 1185.

57. Ono Y., Yamauchi K., Yamada N. // Jpn. J. Appl. Phys. 1991. v. 30. № 2A. p. L182.

58. Jones N.L., Parise J.В., Flippen R.B., Sleight A.W. // J. Sol. St. Chem. 1989. v. 78. №2. p. 319.

59. Marcus J., Escribe-Filippini C., Agarwal S.K., Chaillout C., Durr J., Fournier T. // Physica C. 1991. v. 185-189. p. 707.

60. Norton M.L. // Mat. Res. Bull. 1989. v. 24. № 11. p. 1391.

61. Norton M.L., Tang H. II Chem. Mater. 1991. v. 3. № 3. p. 431.

62. Rosamilia J.M., Glarum S.H., Cava R.J., Batlogg В., Miller B. // Physica C. 1991. v. 182. p. 285.

63. Marcus J., Escribe-Filippini C., Agarwal S.k., Chaillout C., Durr J., Fournier Т., Tholence J.L. // Sol. St. Comm. 1991. v. 78. № 11. p. 967.

64. Nagata Y., Suzuki N., Uchida Т.» Mosley W.D., Klavins P., Shelton R.N. //Physica C. 1992. v. 195. p. 195.

65. Tang H., Chen W., Chien Т., Norton M.L., Wu M. // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. v. 32. № ЗА. p. L312.

66. Roberts G.L., Kauzzlarich S.M., Glass R.S., Estill J.C. // Chem. Mater. 1993. v. 5. № 11. p. 1645.

67. Savvides N., Collocott S.J., Andrikidis C., Mbller K.H. // Physica C. 1990. v. 171.p. 181.

68. Collocott S.J., Savvides п., Vance E.R. // Phys. Rev. B. 1990. v. 42. № 7. p.4794.

69. Stupp S.E., Reeves M.E., Ginsberg D.M., Hinks D.G., Dabrowski В., Vandervoort K.G. //Phys. Rev. B. 1989. v. 40. № 15. p. 10878.

70. Handley M.F., Thompson J.D., Kwei G.II. // Sol. St. Comm. 1989. v. 70. №12. p. 1155.

71. Ott K.C„ Hundley M.F., Kwei G.H., Malev M.P., McHenry M.E., Peterson E.J., Thompson J.D., Willis J.O. // High-Temp. Supercond. 1989. v. 156. № 1. p. 369.

72. Graebner J.E., Schneemeyer L.F., Thomas J.K. // Phys. Rev. B. 1989. v. 39. № 13. p. 9682.

73. Панова Г,Х., Шиков А.А., Савельев Б.И., Жернов А.П., Аншукова Н.В., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Русаков А.П. IIЖЭТФ. 1993. т. 103. № 2. с. 605.

74. Аншукова Н.В., Богуславский Ю.В., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Крынецкий И.Б., Русаков А.П. IIФТТ. 1993. т. 35. № 6. с. 1415.

75. Балбашов A.M., Шулятев Д.А., Панова Г.Х., Хлопкин М.Н., Черноплеков Н.А., Суетин А.В., Шиков А.А. // СФХТ. 1994. т. 7. № 8-9. с. 1426.

76. Аншукова H.B., Гинодман В.Б., Головашкин А.И., Жерихина Л.Н., Иванова Л.И., Русаков А.П., Цховрабов A.M. // ЖЭТФ. 1990. т. 97. № 5. с. 1635.

77. Аншукова Н.В., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Малючков О.Т., Русаков А.П. //СФХТ. 1994. т. 7. № 10-12. с. 1573.

78. Anshukova N.V., Golovashkin А.I., Ivanova L.I., Maljuchkov O.T., Rusakov A.P. // IEEE Trans, of Applied Superconductivity. 1995. v. 5. № 2. p. 1325.

79. Ершов O.B., Зайцев И.А., Минаков A.A., Швец И.В. // Труды ИОФАН. 1992. т. 37. с. 3.

80. Роус-инс А., Родерик Е. // Введение в физику сверхпроводимости. - М.: Мир. 1972. - с. 272.

81. Kurmaev E.Z., Finkelstein L.D. // Intern. J. Mod. Phys. 1991. v. 5. № 8. p. 1097.

82. Anshukova N.V., Golovashkin A.I., Corelik V.S., Ivanova L.I., Mitsen K.V., Rusakov A.P. // Physica C. 1989. v. 162-164. p. 1657.

83. Аншукова H.B., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Русаков А.П. //СФХТ. 1992. т. 5. №4. с. 644.

84. Sato Н., Ido Т., Ushida S., Tajima S., Yoshida M., Tanabe К., Tatsuhara К., Miura N. I!Phys. Rev. B. 1993. v. 48. № 9. p.6617.

85. Mosley W.D., Lan M.D., Sterne P.A.. Howell R.H., Shelton R.N. 115. Supercond. 1994. v. 7. № 2. p. 299.

86. AfYronte M., Marcus J., Escribe-Filippini C., Sulpice A., Bakoto H., Broto J.M., Ousset J.C., Askenazy S., Jansen A.G.M. II Phys. Rev. B. 1994. v. 49. № 5. p.3502.

87. Klein Т., Baril L., Escribe-Filippini C., Marcus J., Jansen A.G.M. //Phys. Rev. B. 1996. v. 53. № 14. p. 9337.

88. Gantmakher V.F., Klink ova L.A., Barkovskii N.V., Tsvdynzhapov G.E., Wiegers S., Geim A.K. I! Phys. Rev. B. 1996. v. 54. № 9. p. 6133.

89. Алексеевский H.E., Краснопёрое Е.П., Назин В.Г. II ДАН СССР. 1971. т. 197. с. 814.

90. Batlogg В., Cava R.J., Rupp L.W. II Phys. Rev. Lett. 1988. v. 61. p. 14.

91. Yang H.C., Hsieh M.H., Lee D.S., Horng U.E. II Phys. Rev. B. 1990. v. 42. №4. p. 2551.

92. Хлопкин M.H., Черноплеков H.A., Черемных П.А.Низкотемпературный

калориметр для измерений теплоемкости в магнитных полях до 20 Тл. Препринт ИАЭ-3549/10,1982.

93. Новикова С.И. // Тепловое расширение твердых тел. - М.: Наука, 1974. -

с. 294.

94. Баженова H.B. II Кристаллография. 1976. т. 21. с. 184.

95. Anshukova N.V., Golovashkin A.I., Bugoslavskii Yu.V., Ivanova L.I., Rusakov A.P. //J. Supercond. 1994. v. 7. № 2. p. 427.

96. Аншукова H.B., Головашкин А.И., Горелик B.C., Иванова Л.И., Кульчинский И. А., Мицен К. В., Русаков А.П., Хашимов Р.Н. //Краткие сообщен и по физике. 1989. № 7. с. 26.

97. Anshukova N.V., Golovashkin АЛ., Gorelik V.S., Ivanova L.I., Mitsen К.V., RusakovA.P., Khashimov R.N.// Progr. High-Temp. Supercond. 1989. v. 21. p. 341.

98. Anshukova N.V., Golovashkin A.I., Gorelik V.S., Ivanova L.I., Mitsen K.V., RusakovA.P., Khashimov R.N. // J. Molecular Structure. 1990. v. 219. p. 147.

99. Горелик B.C. // Неупругое рассеяние света в кристаллахю - М.: Наука, 1987.-с. 137.

100. McCarty К.F., Radowsky Н.В., Hinks D.G., Zheng Y„ Mitchell A.W., Folkerts T.J., Shelton R.N.// Phys. Rev. B. 1989. v. 40. № 4. p. 2662.

101. Sugai S., Enomoto Y., Murakami T. // Sol. St. Comm. 1989. v. 72. № 12.

p. 1193.

102. Sugai S. //Sol. St. Comm. 1989. v. 72. № 12. p. 1187.

103. Guha S., Peebles D., Wieting Т., Gilardi R., Norton M. // Physica C. 1991. v. 185-189. p. 991.

104. Inouc A., lyo A., Oiji Y., Tanaka Y., Tokumoto M., Uwe H., Sakudo T. //Physica C. 1991. v. 185-189. p. 985.

105. Sugai S., Uchida S., Kitazawa K., Tanaka S., Katsui A. // Phys. Rev. Lett. 1985. v. 55. p. 426.

106. Uchida S., Kitazawa K., Tanaka S. // Phase trans. 1987. v. 8. p. 95.

107. Головашкин А.И., Крайская K.B., Шелехов А.Л. // ФТТ. 1990. т. 32. №1. с. 175.

108. Schlesinger Z., Collins R.T., Calise I.A., Hinks D.G., Mitchell A.W., Zeng Y., Dabrowski В., Bickers N.E., Scalapino D.J. // Phys. Rev. B. 1989. v. 40. №10. p. 6862.

109. Blanton S.H., Collins R.T., Kelleher K.H., Rotter L.D., Schlesinger Z., Hinks D.G., Zheng Y. II Phys. Rev. B. 1993. v. 47. № 2. p. 996.

110. Guha S., Peebles D., Browning V., Wieting Т., Chandler-Horowitz D., Norton M. // J. Supercond. 1993. v. 6. № 5. p. 339.

111. Schlesinger Z., Collins R.T., Holtzberg F., Feild C., Koren G., Gupta A. //Phys. Rev. B. 1990. v. 41. № 16. p. 11237.

112. Karlow M.A., Cooper S.L., Kotz A.L., Klein M.V., Han P.D., Payne D.A. // Phys. Rev. В. 1993. v. 48. № 9. p. 6499.

113. Puchkov A.V., Timusk Т., Mosley W.D., Shelton R.N. // Phys. Rev. B. 1994. v. 50. № 6. p. 4144.

114. Puchkov A.V., Timusk Т., Karlow M.A., Cooper S.L., Han P.D., Payne D.A. li Phys. Rev. B. 1995. v. 52. № 14. p. R9855.

115. Marsiglio F., Carbotte J.P., Puchkov A., Timusk T. li Phys. Rev. B. 1996 v.53. № 14. p. 9433.

116. Puchkov A.V., Timusk Т., Karlow M.A., Cooper S.L., Han P.D., Payne D.A. //Phys. Rev. B. 1996. v. 54. № 9. p. 6686.

117. Shelepov A.L., Anshukova N.V., Golovashkin A.I., Ivanova L.I., Rusakov A.P. // Physica C. 1991. v. 185-189. p. 989.

118. Земля нов М.Г., Паршин П. П., Солдатов П.И.. Аншукова Н.В., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Русаков А.П. //СФХТ. 1991. т. 4. № 5. с. 961.

119. Zemlyanov M.G., Parshin P.P., Soldatov P.I., Anshukova N.V., Golovashkin A.I., Ivanova L.I., Rusakov A.P. // Physica B. 1991. v. 174. p. 360.

120. Zemlyanov M.G., Parshin P.P., Soldatov P.I., Anshukova N.V., Golovashkin A.I., Ivanova L.I., Rusakov A.P. // Physica C. 1991. 85-189. p. 1367.

121. Земля нов М.Г., Головин A.E., Миронов С.П., Сырых Г.Ф., Черноплеков H.A., Шитиков Ю.Л. // ПТЭ. 1973. т. 5. с. 34.

122. Zemlyanov M.G., Brovman E.G., Chernopljokov N.A. //Inelastic scattering of neutrons. 1965. v. 2. p. 431.

123. Vashishta P., Kali a R.K., Degani M.H., Jorgensen J.D., Hinks D.G., Dabrowski В., Mitchell A.W. // Phys. Rev. Lett. 1989. v. 62. № 22. p. 2628.

124. Belushkin A.V., Vagov A.V., Zemljanov M.G., Parshin P.P. // Physica C. 1992. v. 199. № 1. p. 103.

125. Prassides K.. Rosseinsky M.J., Dianoux A.J., Day P. ii J. Phys.: Condens. Matter. 1992. v. 4. p. 965.

126. Yakubovskii A., Gudenko S., Rusakov A., Golovashkin A., Verkhovskii S. // Physica C. 1997. v. 282-287. p. 1929.

127. Якубовский АЛО., Гуденко C.B., Русаков А.П., Головашкин А.И., Вер-ховский С.В. //Краткие сообщения по физике. 1997. № 9-10. с. 30.

128. Wertz J., Bolton J. // Electron Spin Resonance: Elementary Theory and Practical Applications. - New York: McCrow-Hill, 1972. - p. 351.

129. Misra S.K., Andronenko S.I., Andronenko R.R., Mezentseva L.P. II Phys. Rev. B. 1996. v. 53. № 14. p. 9442.

BO.Owens FJ. // J. Phys.: Condens. Matter. 1990. v. 2. p. 8345.

131. Thornann H., Klemm R., Johnston D.C., Tindall P.J., Jin II., Goshorn D.P. 11 Phys. Rev.B. 1988. v. 38. № 10. p. 6552.

132. Suzuki M. //Jpn. J. Appl. Phys. 1992. v. 31. № 12A. p. 3830.

133. Suzuki M. //Jpn. J. Appl. Phys. 1993. v. 32. № 6A. p. 2640.

134. Idemoto Y., Iwata Y., Fueki KM Physica C. 1992. v. 201. № 1. p. 43.

135. Idemoto Y., Iwata Y., Fueki К.// Physica C. 1994. v. 222. p. 257.

136. Uher C., Peacor S.D., Kaiser A.B. // Phys. Rev. B. 1991. v. 43. № 10.

p.7955.

137. Sera M., Kondoh S., Sato M. // Sol. St. Comm. 1988. v. 68. № 7. p. 647.

138. Mosley W.D., Dykes J.W., Klavins P., Shelton R.N., Sterne P.A., Howell R.H. // Phys. Rev. B. 1993. v. 48. № 1. p. 611.

139. Koyama Y., Ishimaru M. // Phys. Rev. B. 1992.v. 45. p. 9966.

140. Oda M., Hidaka Y., Katsui A., Muzakami T. // Sol. St. Comm. 1985. v. 55.

p. 423.

141. Oda M., Hidaka Y., Katsui A., Muzakami T. // Sol. St. Comm. 1986. v. 60.

p. 897.

142. Hashimoto Т., Kawazoe H. // Sol. St. Comm. 1993. v. 87. № 3. p. 251.

143. Hashimoto Т., Kawazoe H. // Physica C. 1994. v. 223. p. 131.

144. Xiao G., Cieplak M.Z., Chien C.L. // Phys. Rev. B. 1989. v. 40. № 7. p.4538.

145. Аншукова H.B., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Крынецкий И.Б., Русаков А.П. //Краткие сообщения по физике. 1997. № 11-12. с. 67.

146. Keimer В. // Phys. Rev. В. 1992. v. 46. p. 14034.

147. Haskel D., Stern E.A., Hinks D.G. // Phys. Rev. Lett. 1996.v. 76. p. 439.

148. Anshukova N.V., Golovashkin A.I., Ivanova L.L, Krinetskii I.В., Rusakov A.P. // Czechoslovak. J. Physics. 1996. v. 46. Suppl. S 3. p. 1189.

149. Аншукова H.B., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Крайская К.В., Крынецкий И.Б., Леонюк Л.И., Русаков А.П. // Краткие сообщения по физике. 1996. № 7/8. с. 58.

150. Anshukova N.V., Golovashkin А.I., Ivanova L.L, Rusakov A.P. //Physica С. 1997. v. 282-287. p. 1065.

151. Aleksandrov I.V., Zibrov LP., Stishov S.M. // Письма ЖЭТФ. 1990. т. 52.

с. 301.

152. Escribe-Filippini С., Marcus J., Affronte M. // Physica С. 1933. v. 210.

p. 133.

153. Fabrega L. II Phys. Rev. B. 1992. v. 46. p. 5581.

154. De Andrade M.C. II Physica C. 1991. v. 184. p. 378.

155. De Andrade M.C. // Phys. Rev. Lett. 1990. v. 64. p. 599.

156. Mackenzie A.P., Julian S.R., Lonzazich G.G. II Phys. Rev. Lett. 1993. v.71. p. 1238.

158. Mackenzie A.P., Julian S.R., Lonzazich G.G. // J. Supercond. 1994. v. 7.

p.271.

159. Osofsky M.S., Sonlen R.J., Wolf S.A., Broto J., Rakoto H., Ousset J. IIPhys. Rev. Lett. 1993. v. 71. p. 2315.

160. Osofsky M.S., Sonlen R.J., Wolf S.A., Broto J., Rakoto H., Ousset J. //J. Supercond. 1994. v. 7. p. 279.

161. Walker D.J., Laborde O., Mackenzie A.P. // Phys. Rev. B. 1995. v. 51. p.

9375.

162. Krusin-Elbaum L., Tsnei C.C., Gupta A. //Nature. 1995. v. 373. p. 679.

163. Зайцев-Зотов C.B., Протасов E.A., Хлопкин M.H. II ФТТ. 1984. т. 26.

с.2933.

164. Batlogg В. II Physica В. 1984. v. 126. p. 275.

165. Helfand E., Werthamer N.R. // Phys. Rev. 1966.v. 147. p. 288.

166. Werthamer N.R., Helfand E., Hohenberg P.C.// Phys. Rev. 1966. v. 147.

p. 295.

167. Абрикосов A.A. II Основы теории металлов. - М.: Наука, 1987. - 520 с.

168. Vieland L.J. II Phys. Lett. 1965. v. 15. p. 23.

169. Линтон Э. // Сверхпроводимость. - М.: Мир, 1971. - 262 с.

170. Хлопкин М.Н., Панова Г.Х., Суетин A.B., Черноплеков H.A., Шиков A.A. // СФХТ. 1994. т. 7. № 3. с. 495.

171. Вонсовский С.В., Изюмов Ю.А., Курмаев Э.З. II Сверхпроводимость переходных металлов и сплавов. - М.: Наука, 1977. - 384 с.

172. Kosugi М., Akimitsu J., Uchida Т., Furuya М., Nagata Y., Ekino Т. //Physica С. 1994. v. 229. p. 389.

173. McMillan W.L. // Phys. Rev. B. 1968. v. 167. p. 331.

174. Samuely P., Bobrov N.L., Jansen A.G.M., Wyder P., Barilo S.N., Shiryaev S.Y. // Phys.Rev. B. 1993. v. 48. № 18. p. 13904.

175. Shirai M., Suzuki N., Motizuki К. II J. Phys. Condens. matter. 1989. v. 1.

p.2939.

176. Shirai M., Suzuki N., Motizuki K. // Sol. St. Comm. 1990. v. 73. № 9. p.633.

177. Shirai M., Suzuki N., Motizuki K. // J. Phys. condens. Matter. 1990. v. 2.

p.3553.

178. Navarro О. // Physica С. 1996. v. 265. № 1. p. 73.

179. Liechtenstein A.I., Mazin LI., Rodriguez C.O., Jepsen O., Andersen O.K., Methfessel M. // Phys. Rev. B. 1991. v. 44. № 10. p. 5388.

180. Киттель 4. // Введение в физику твердого тела. - М.: Наука, 1978. -

с.792.

181. Таблицы физических величин // под ред. И.К. Кикоина. М.: Атомиздат. 1976. с. 302.

182. Menushenkov А.Р., Ignatov A.Yu., Klementev K.V., Kochubey D.I. // Physica B. 1995. v. 208-209. p. 295.

183. Ignatov A.Yu., Menushenkov A.P., Chernov v.A. IS Physica C. 1996. v. 271.

p. 32.

184. Menushenkov A.P. // Nuclear instruments and methods in physics research A. 1997. v. 3027. p. 3.

185. Salem-Sugui SJr., Alp E.E., Mini S.M., Ramanathan M., Campuzano J.C., Jenwings G., Faiz M., Pei S., Dabrowski В., Zheng Y., Richards D.R., Hinks D.G. //Phys. Rev. B. 1991. v. 43. p. 5511.

186. Heald S.M., DiMazzio D., Croft M„ Hegde M.S., Li S., Greenblatt M. //Phys. Rev. B. 1989. v. 40. p. 8828.

187. Akhtar Z.N., Akhtar M.J., Catlow C.R.A. // J. Phys.: Conden. Matter. 1993. v. 5. p. 2643.

188. Nagoshi M., Fukuda Y., Suzuki T., Ueki K., Tokiwa A., Kikuchi M., Syono Y., Tachiki M. // Physica C. 1991. v. 185-189. p. 1051.

189. Nagoshi M., Suzuki T., Fukuda Y., Ueki K., Tokiwa A., Kikuchi M., Syono Y., Tachiki M. // J. Phys.: Condens. Matter. 1992. № 4. p. 5769.

190. Namatame H., Fujimore A., Torii H., Uchida T., Nagata Y., Akimitsu J. //Phys. Rev. B. 1994. v. 50. p. 13674.

191. Qvarford M., Nazin V.G., Zakharov A.A., Mikheeva M.N., Andersen J.N., Johansson M.K.-J., Chiaid G., Rogelet T., S4derholm S., Tjernberg O., Nylen H., Lindau L, Nyholm R., Karlsson U.O., Barilo S.N., Shiryaev S.V. // Phys. Rev. B. 1996. v. 54. p. 6700.

192. Uemura Y.J., Le L.P., Luke G.M., Sternlieb B.J., Wu W.D., Brewer J.H., Riseman T.M., Seaman C.L., Maple M.B., Ishikawa M., Hinks D.G., Jorgensen J.D., Saito G., Yamochi H. II Phys. Rev. Lett. 1991. v. 66. p. 2665.

193. Fisher R., Gordon J., Philips N. 113. Supercond. 1988. v. 1. p. 231.

194. Junod A., Bezinge A., Cattani D. // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. v. 26. Suppl. 2. p. 1119.

195. Wada N.. Muro-Oka H., Nakamura Y., Kumagui K. // Physica C. 1989. v. 157. p. 453.

196. Wada N.. Muro-Oka H., Nakamura Y.» Kumagui K. // Physica B. 1990. v.165. p. 1341.

197. Панова Г.Х., Жернов А.П., Шиков A.A., Гамаюнов К.В. // ФТТ. 1994. т. 36. с. 1293.

198. Batlogg В. // Physica С. 1991. v. 185-189. р. 18.

199. Bohmhammel К., WolfG. II Phys. Stat. sol. (Ъ). 1994. v. 185. p. K47.

200. Uwe П., Ji X.» Minami H. II Czechoslovak. J. Physics. 1996. v. 46. Suppl. S.

p. 326.

201. Thank Т.О., Koma A., Tanaka S. It Appl. Phys. 1980. v. 22. p. 205.

202. Tajima S., Ushida S., Masaki A., Takagi H., Kitazawa K., Tanaka S., Katsui A. // Phys.Rev. B. 1985. v. 32. p. 6302.

203. Tajima S., Ushida S., Masaki A., Takagi H., Kitazawa K., Tanaka S., Katsui A. //Phys.Rev. B. 1987. v. 35. p. 696.

204. Lin C.L., Qiu S.L., Chen J., Strongin M., Cao G., Jee C., Crow J.E. //Phys. Rev. B. 1989. v. 39. p. 9607.

205. Matsuyama II., Takahashi Т., Katayama-Yoshida H., Okabe Y., Takagi H., Uchida S. //Phys. Rev. B. 1989. v. 40. p. 2658.

206. Nagoshi M., Suzuki Т., Fukuda Y., Tokiwa-Yamamoto A., Syono Y., Tachiki M. II Phys. Rev. B. 1993. v. 47. p. 5196.

207. Flavell W.R., Mian M., Morris B.C., Wincott P.L., Teekan D., Law D.S.L. //Phys. Rev. B. 1994. v. 49. p. 595.

208. Affronte M., Marcus J., Escribe-Filippini С. II Sol. St. Comm. 1993. v. 85.

p. 501.

209. Горбацевич А.А., Копаев Ю.В., Токатлы И.В. // Письма ЖЭТФ. 1990. т. 52. № 2. с. 736.

210. Горбацевич А.А., Копаев Ю.В., Токатлы И.В. II ЖЭТФ. 1992. т. 101.

с.971.

211. Gorbatsevich А.А., Kopaev Yu.V., Tokatly IN Л Physica С. 1994. v. 223. № 1-2. p. 95.

212. Gupta H.C. // Physica C. 1989. v. 158. p. 153.

213. Pintschovius L., Рука N., Reichardt W., Rumiantsev A.Yu., Mitrofanov N.L., Ivanov A.S., Collin G., Bourges P. // Physica C. 1991. v.185-189. p. 156.

214. Falter C., Klenner M., Hoffmann G.A., Chen Q. // Phys. Rev. B. 1997. v.55. № 5. p. 3308.

215. Ishihara S., Egami Т., Tachiki M. // Phys. Rev. B. 1997. v. 55. № 5. p.3163.

216. McQueenev R.J., Egami Т., Shirane G.» Endoh Y. // Phys. Rev. В. 1996. v.54. № 14. p. R9689.

217. Andersen O.K., Liechtenstein A.I., Rodriguez O., Mazin 1.1., Jepsen O., Antropov V.P., Gunnarsson O., Gopalan S. // Physica C. 1991. v. 185-189. p. 147.

218. Poiblane D., Rice T.M. // Phys. Rev. B. 1989. v. 39. p. 9749.

219. Ruvalds J., Rieck C.T., Tewari S., Thoma J., Virosztek A. // Phys. Rev. B. 1995. v. 51. № 6. p. 3797.

220. Shirai M., Suzuki N., Motizuki К. II J. Phys.; Condens. Matter. 1990. v.2. p.3553.

221. Cox D.E., Sleight A.W. //Acta Cryst. 1979. v. B35. p. 3.

222. Mattheis L.F., Hamann D.R. II Phys. Rev. B. 1983. v. 28. p. 4227.

223. Mattheis L.F., Hamann D.R. // Phys. Rev. Lett. 1988. v. 60. p. 2681.

224. Rice M.J., Wang Y.R. // Physica C. 1989. v. 157. p. 192.

225. Pei S., Jorgensen J.D., Hinks D.G., Lightfoot P., Zheng Y., Richards D.R., Dabrowski В., Mitchell A.W. II Mat. Res. Bull. 1990. v. 25. p. 1467.

226. Sakuma IL, Hashizume H., Yamanaka A. 11 Acta cryst. 1990. v. B46. p. 693.

227. Lightfoot P., Hrilyac J.A., Pei S., Zheng Y., Mitchell A.W. , Richards D.R., Dabrowski В., Jorgensen J.D., Hinks D.G.// J. Sol. St. Chem. 1991. v. 92. p. 473.

228. Hamada N., Massidda S., Freeman A., Redinger J. // Phys. Rev. B. 1989. v.40. № 7. p. 4442.

229. Zeyher R., Kunc К. II Sol. St. Comm. 1990. v. 74. № 8. p. 805.

230. Julien J.P., Papaconstantopoulos D.A., Singh D.J., Pickett W.E., Cyrot-Lackmann F. //Physica C. 1994. v. 220. p. 359.

231. Papaconstantopoulos D.A., Pasturel A., Julien J.P., Cyrot-Lackmann F. //Phys. Rev. B. 1989. v. 40. № 13. p. 8844.

232. Freeman A.J., Ju J. // Helvetica Phys. Acta. 1988. v. 61. p. 401.

233. Liechtenstein A.I., Gunnarsson O., Andersen O.K., Martin R.M. // Phys. Rev. B. 1996. v. 54. № 17. p. 12505.

234. Kunc K., Zeyher R., Liechtenstein A.I., Methfessel M., Andersen O.K. //Sol. St. Comm. 1991. v. 80. № 5. p. 325.

235. Гинзбург В.Л., Максимов Е.Г. // СФХТ. 1992. т. 5. № 9. с. 1543.

236. Penn D.R., Lewis s.P., Cohen M.L. // Phys. Rev. В. 1995. v. 51. № 10. p.6500.

237. Pick R.M., Cohen M.H., Martin R.M. // Phys. Rev. B. 1970. v. 1. p. 910.

238. Векилов Ю.Х., Кадышевич А.Е., Русаков А.П. // ФТТ. 1973. т. 15. № 10. с. 3093.

239. Русаков А.П. // Phys. Stat. Sol.(b). 1975. v. 72. p. 503.

240. Анфимов M.B., Русаков А.П. // Phys. Stat. Sol.(b). 1976. v. 75. p. 73.

241. Van Camp Т.Е., Van Dören V.E., Devrese J.T. II Phys. Rev. B. 1979. v. 20. p. 5408.

242. Phillips J.C. // Phys. Rev. Lett. 1968. v. 20. p. 550.

243. Walter J.P., Cohen M.L. // Phys. Rev. B. 1971. v. 4. № 6. p. 1877.

244. Penn D.R. // Phys. Rev. 1962. v. 128. p. 2093.

245. Luwdin O.O. //J. Chem. Phys. 1951. v. 19. № 11. p. 1396.

246. Meissner G. // Zs. Phys.Kl. B. 1971. Bd. 247. s. 203.

247. Квятковский O.E., Максимов Е.Г. И УФН. 1988. т. 154. № 1. с. 3.

248. Аншукова Н.В., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Русаков А.П.//СФХТ. 1992. т. 5. № 4. с. 644.

249. Anshukova N.V., Golovashkin АЛ., Ivanova L.I., Rusakov А.P. //Progr. High Temp. Superc. 1993. v. 32. p. 403.

250. Аншукова H.B., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Русаков А.П. //СФХТ. 1994. т. 7. № 10. с. 1476.

251. Anshukova N.V., Golovashkin А.I., Ivanova L.I., Rusakov A.P. //Physica С. 1994. v. 235. p. 1299.

252. Anshukova N.V., Golovashkin A.I., Ivanova L.I., Rusakov A.P. //J. Superc. 1994. v. 7. № 2. p. 423.

253. Аншукова H.B., Головашкин А.И., Иванова Л.И., Малючков О.Т.,Русаков А.П.//ЖЭТФ. 1995.т.108.№6.с.2132.