Оптические свойства квантовых проволок и сужений со статическими дефектами в электрическом и магнитном полях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат наук Калинин, Владимир Николаевич

• Калинин, Владимир Николаевич
• кандидат наук
• 2014

Оглавление диссертации кандидат наук Калинин, Владимир Николаевич

СОДЕРЖАНИЕ

4

Глава 1. Оптические свойства квантового сужения с Б -центром во внешних электрическом и магнитном полях

1.1. Введение

1.2. Дисперсионное уравнение электрона, локализованного на 0~-центре в квантовом сужении при наличии внешних электрического и магнитного полей

1.3. Зависимость энергии связи Б'-состояния в квантовом сужении от эффективной длины сужения и величины внешних электрического и магнитного полей

1.4. Расчёт коэффициента примесного поглощения в квантовом сужении во внешних электрическом и магнитном полях

1.5. Эффекты влияния внешних электрического и магнитного полей на спектры примесного поглощения в квантовом сужении

Выводы к главе 1

Глава 2. Эффект фотонного увлечения электронов при внутризонных оптических переходах в квантовой проволоке с краевой дислокацией во внешнем продольном магнитном поле

2.1. Введение

2.2. Расчёт времени релаксации при рассеянии электронов на краевой дислокации в квантовой проволоке во внешнем магнитном поле

2.3. Влияние внешнего магнитного поля и параметров краевой дислокации на зависимость времени релаксации от энергии налетающего электрона

2.4. Подвижность электронов в квантовой проволоке с краевой дислокацией во внешнем продольном магнитном поле

2.5. Расчёт плотности тока фотонного увлечения при внутризонных оптических переходах в квантовой проволоке при наличии внешнего

магнитного поля

2.6. Влияние механизмов рассеяния электронов на форму спектральных кривых плотности тока фотонного увлечения в квантовой

проволоке

Выводы к главе 2

Глава 3. О возможности использования эффекта фотонного увлечения на внутризонных оптических переходах в квантовой проволоке для разработки детекторов лазерного излучения

3.1. Введение

3.2. Зависимость фоточувствительности детекторов лазерного излучения из ОаАэ квантовой проволоки от величины внешнего магнитного поля и параметров дислокационной линии

3.3. Влияние различных механизмов рассеяния носителей заряда в квантовой проволоке на фоточувствительность детектора лазерного излучения

Выводы к главе 3

Заключение

Список авторских публикаций по теме диссертации

Библиографический список использованной литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оптические свойства квантовых проволок и сужений со статическими дефектами в электрическом и магнитном полях»

ВВЕДЕНИЕ

Полупроводниковые квантовые проволоки (КП) привлекают внимание исследователей благодаря их уникальным электронным, оптическим и оптоэлектронным свойствам. КП нашли применение в лазерах, фото детекторах [1] и полевых транзисторах [2]. Приборное применение КП может существенно улучшить характеристики лазеров (снизить порог генерации, увеличить полосу модуляции, уменьшить влияние изменения температуры на характеристики лазера), транзисторов (повысить подвижность носителей), оптических переключателей (понизить значения энергии, затрачиваемые на переключение, и уменьшить времена переключения). Существуют различные методы получения полупроводниковых КП [3,4]: использование молекулярно-лучевой эпитаксии или роста из газовой фазы с использованием металлоорганических соединений на специально приготовленных подложках, травление двумерной структуры, скалывание двумерной структуры перпендикулярно поверхности с последующим продолжением процесса молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности скола (Т-образные квантовые нити) и т.д. [5].

Условно можно выделить две основные группы изготовления КП:

1) создание КП путем травления исходных двумерных структур;

2) формирование КП непосредственно в процессе выращивания полупроводниковой структуры. Методы, относящиеся к первой группе, обладают несомненными преимуществами. Суть этих преимуществ состоит в том, что, во-первых, при травлении структур с квантовыми ямами (КЯ) можно в достаточно широких пределах варьировать геометрические размеры получаемых КП. Во-вторых, при использовании этого способа можно проводить сопоставление свойств исходных КЯ и получаемых из них КП.

Сравнительно недавно методом молекулярно-лучевой эпитаксии были впервые выращены бинарные КП гпТе [6,7]. Важной особенностью бинарных полупроводников является их способность к формированию

тройных соединений. Это дает возможность изменять ширину запрещенной зоны в нужных пределах.

В последние годы заметно возрос интерес к пористым полупроводниковым материалам [8], на основе которых естественным образом непосредственно в процессе электрохимического травления кристалла могут быть сформированы объекты пониженной размерности, включая КП [9, 10]. Одна из таких идей, направленная на создание системы квантовых проволок, связывается с заполнением пор исходной диэлектрической матрицы (предполагаются пористый кристаллы опала и цеолиты [11,12]) веществом другого химического состава, имеющего металлический, либо полупроводниковый тип проводимости. Однако практическая реализация идеи использования пористого материала для формирования в его плоскостях низкоразмерных включений сталкивается с серьезными проблемами. Последние связаны, прежде всего, с трудностью формирования внутри пор исходной матрицы нитей другого материала нанометрового сечения с совершенной кристаллической структурой и малой степенью разброса параметров, и одновременно обладающих приемлемыми электрическими характеристиками. Отчасти эти проблемы можно решить используя хризотиловый асбест состоящий из нанотрубок, упорядоченных параллельно друг другу [13]. КП 1пБЬ диаметром 5 нм изготавливаются путем заполнения каналов нанотрубок расплавленным полупроводником под действием высокого гидростатического давления [13-15]. Созданные таким методом образцы представляют собой пучки асбестовых волокон,

л

заполненных 1п8Ь. Они имеют типичные сечения ~ 0,01 мм и длину КП 1-10 мм. Внутренние каналы достаточно полно (рис. 1) заполняются полупроводниковым материалом ЫБЬ [16].

Любой технологический процесс получения низкоразмерных полупроводниковых структур сопровождается появлением различных упругих деформаций [17, 18], вакансий, атомов в нерегулярных позициях, искажений атомных плоскостей (дислокаций), инородных атомов -

примесей. Примесные атомы и дефекты в полупроводниках являются не только центрами рассеяния и рекомбинации носителей заряда, но и что наиболее важно для приборных приложений, радикально влияют на физические свойства полупроводника [19-38].

Рис. 1. Электронное изображение нанотрубки хризотилового асбеста, заполненной 1пЭЬ [16].

В последние годы получила интенсивное развитие концепция инженерии дефектов в технологии полупроводниковых приборов на основе наноструктур. Важным аспектом инженерии дефектов является использование методов оптической спектроскопии для обнаружения, характеризации и идентификации дефектов [39]. В работе [40] были получены и исследовались КП на основе гетероструктур ЫОаАв/ОаАэ. При изготовлении экспериментальных образцов вначале методом МОС-гидридной эпитаксии выращивались исходные гетероструктуры с КЯ. Структуры выращивались на подложках из полуизолирующего ваАБ (100) и

17 —3

содержали последовательно широкозонный слой п-А10.зСа0 л Аз (п ~ 10 см ) толщиной 0,8 мкм, нелегированные слои ОаАв (0,15 мкм), Ino.15Gao.gAs (10 нм, КЯ) и слой ваАв (0,07 мкм). Содержание фоновых примесей в

1 о _Л

нелегированных слоях не превышало п ~ 2-10 см . Формирование КП начиналось с создания маски на поверхности пластины. Для этого на поверхность наносился слой плазмостойкого фоторезиста AZ-13751 толщиной ОД мкм, который затем засвечивался двухлучевой интерференционной картиной, полученной от Аг-лазера (А, = 351 нм). Экспонированный фоторезист обрабатывался в проявителе №-303. Полученная маска имела вид параллельных полос фоторезиста шириной 80100 нм, расположенных с периодом 0,2 мкм. Реактивное ионное травление структур через полученную маску проводилось на установке вШ-ЗОО А1ка1е1 в смеси ВС1зС12К21:1:1 при давлении в камере 0,8 Па и напряжении автосмешения ис = 50 В, что обеспечивало малую концентрацию дефектов в приповерхностной области полупроводникового материала [41]. При выбранных параметрах процесса в [40] травление было анизотропным, благодаря чему образовавшиеся под маской гребни имели прямоугольное сечение, а их поперечный размер совпадал с шириной полосы маски. Глубина травления составляла 0,15 мкм, так что узкие участки КЯ Ino.15Gao.8As, остающиеся в каждом гребне (т.е. КП), располагались примерно на половине его высоты. После удаления маски в плазме кислорода на последнем этапе формирования КП образцы помещались в реактор установки хлорид-гидридной газофазной эпитаксии, где осуществлялись дополнительное подтравливание поверхности и затем заращивание рельефной поверхности образцов слоем нелегированного ОаАэ. Травление поверхности в газовой фазе позволяло варьировать среднюю ширину получаемых КП от 80 до 40 нм. При средней толщине выращенного слоя ваАв 0,2 мкм рельеф на поверхности образцов практически полностью сглаживался. На рис. 2 приведена фотография участка изготовленной наноструктуры с КП, полученная на просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ) [40].

Рис. 2. Фотография поперечного сечения участка образца с квантовыми проволоками, полученная на просвечивающем электронном микроскопе [40].

На фотографии хорошо видны КП, ширина которых имеет разброс в диапазоне 70-80 нм. Авторы работы [40] обращают внимание на отчетливое проявление внутренней границы раздела GaAs/GaAs, образующейся в процессе заращивания структуры. Проявление этой границы объясняется довольно высокой концентрацией на ней точечных дефектов кристалла. Отмечается, что в полученных образцах при исследовании на ПЭМ наблюдались отдельные участки, на которых вблизи КП имелись дефекты упаковки и дислокации. Также авторы работы [40] исследовали линейную поляризацию люминесценции, так как ожидалась существенная анизотропия поляризационных свойств [42-44]. Для того чтобы избежать ошибок, связанных с возможным влиянием собственной поляризационной анизотропии регистрирующей системы [44, 45], при регистрации линейно поляризованных спектров вращался на 90° не анализирующий поляроид, а образцы. Образцы вращались вокруг горизонтальной оси с помощью специального устройства, смонтированного непосредственно в дьюаре. При регистрации излучения по нормали к плоскости образцов в исходных КЯ в пределах ошибки измерений анизотропии люминесценции не наблюдалось. На рис. 3 представлены спектры люминесценции одного из образцов с КП для линейной поляризации, параллельной и перпендикулярной направлению проволок [40].

Wavelength. t nm

Рис. 3. Спектры ФЛ при Т = 77 К образцов с КГТ для линейной поляризации, параллельной (I) и перпендикулярной (2) направлению КП [40].

Из рис. 3 видно, что излучение поляризовано преимущественно вдоль направления КП, что согласуется с результатами, полученными ранее при излучении КП AlGaAs/GaAs [42]. Отмечается [40], что наблюдавшаяся поляризационная анизотропия излучения КП может быть связана не только с размерными эффектами, но и с воздействием дополнительных напряжений, которые могут возникать в процессе изготовления образцов.

В ряде теоретических работ [46-50] показано, что в спектрах оптического поглощения и люминесценции квантовых нитей доминируют экситонные переходы. Так в работе [51] приведены результаты измерения линейного поглощения в квантовых нитях GaAs и CdSe, кристаллизованных в прозрачной матрице, и нелинейного поглощения при возбуждении образцов мощными пикосекундными импульсами лазера. Наблюдаемые особенности спектра линейного поглощения авторы [51] объясняют экситонными переходами. Энергии экситонных переходов, рассчитанные в рамках вариационной модели (с учетом потенциалов изображений и размерного квантования электронов и дырок), совпадают с измеренными.

Как отмечается в [51], благодаря эффекту диэлектрического усиления [52] энергии связи экситонов достигают больших значений (более 100 мэВ).

Современные технологии [53] не исключают возможности существования случайного поля, связанного с флуктуациями толщины квантовой полупроводниковой проволоки. Так в работе [54] получены выражения для времени релаксации, подвижности электронов и статической электропроводности вдоль полупроводниковой квантовой проволоки, обусловленные случайным полем гауссовых флуктуаций толщины проволоки при наличии внешнего продольного относительно оси КП магнитного поля и проведено сравнение с влиянием других механизмов рассеяния на электропроводность, известных из литературных данных [5559]. На рис. 4 приведены оценки подвижности электронов в отсутствии магнитного поля для невырожденной, относительно чистой полупроводниковой проволоки при рассеянии на ЬА-фононах [56] (кривая 1) и на флуктуациях толщины проволоки согласно [54] (кривые 2, 3) для ваАБ КП.

Рис. 4. Подвижность электронов вдоль невырожденной полупроводниковой проволоки ОаАэ: 1- рассеяние на ЬА-фононах [56]; 2, 3 - рассеяние на флуктуациях КП толщиной с! = 5-10~9 (2) и 7-10 9 м (3) [54].

Из рис. 4 следует, что механизм релаксации носителей заряда на случайных неровностях границ действительно может быть существенным в

сравнении с рассеянием на акустических фононах при толщинах в, < 10"9м в области низких температур.

На рис. 5 приведены рассчитанные температурные зависимости электропроводности вдоль вырожденной проволоки на основе ОаАБ в предельном случае низких температур для механизмов акусто-пьезоэлектрического рассеяния [57] (кривая 1), примесного рассеяния [57] (кривые 2, 3 для значений низкотемпературной подвижности двумерного движения в отсутствие магнитного поля) и рассмотренного механизма релаксации носителей заряда на случайных неровностях границ [54] (кривые 4-7). Видно, что оптические фононы дают вклад, сравнимый с акустическими фононами, при Т>50К [57]. Полученные результаты в [54] (рис. 1,2) свидетельствуют о существенном вкладе в электропроводность механизма рассеяния носителей тока на гауссовых флуктуациях толщины полупроводниковой квантовой проволоки.

кг7 кг8

ь

с£ кг10 иг"

г. к

Рис. 5. Проводимость вдоль вырожденной полупроводниковой проволоки ЭаАз: 1 - акусто-пьезоэлектрическое рассеяние [57]; 2, 3 - примесное рассеяние [57]; 4-7 - рассеяние на флуктуациях проволоки толщиной ё = 5• 1 (Г9 (4), с! = 7-10"9 (5), ё = 9- 1(Г9 (6), <1 = 2-10"8 м (7) [54].

Наличие внешнего магнитного поля приводит к дополнительному ограничению поперечного движения носителей тока в КП, что проявляется в энергетическом спектре носителей заряда и в конечном счете может

существенно влиять на оптические и транспортные свойства КП. Это связано с тем, что процессы переноса могут заметным образом изменяться в зависимости от величины отношения радиуса КП к магнитной длине.

Приложенное вдоль оси КП магнитное поле В, как известно, усиливает латеральный геометрический конфайнмент [60,61], поэтому, варьируя В, можно изменять эффективный геометрический размер системы и, следовательно, изменять параметры зависимости проводимости от поля В. Изучение проводимости КП в продольном магнитном поле позволяет также исследовать такие важные характеристики электронов, как параметры потенциала конфайнмента и энергии подзон в энергетическом спектре [62, 63].

Наличие внешнего электрического поля может заметным образом влиять на кинетические явления в размерно-ограниченной системе. В [64] исследуется влияние электрического и магнитного полей, на электропроводность в модели параболического потенциала. Показано, что при учете взаимодействия носителей с шероховатой поверхностью наноструктуры с ростом величины внешнего электрического поля подвижность описывается немонотонной осциллирующей кривой. Предложена физическая интерпретация такого поведения. С ростом напряженности магнитного поля подвижность уменьшается, что объясняется авторами [64] увеличением эффективной массы носителей заряда в КП.

Экспериментальные исследования температурной зависимости подвижности (или сопротивления) в чистых и легированных Т1 КП В1 проводились в работах [65-69] в широкой области температур. Изучение особенностей сопротивления в простых КП В1 в однородном магнитном поле различной ориентации проведено в экспериментальных работах [65, 66, 68, 70].

В работе [71] рассматривался случай упругого рассеяния носителей на длинноволновых акустических колебаниях решетки. При этом использовалась модель КП с параболическим потенциалом в плоскости,

перпендикулярной оси размерно-квантованной системы. Такая модель очень часто применяется при расчетах кинетических коэффициентов в нанопроволоках [72,31] и находит свое теоретическое обоснование [73]. В [71] конечные теоретические результаты для проводимости сравниваются с экспериментальными данными. Показано, что в области низких температур Т < 5 К при сравнении теории с экспериментальными результатами необходимо учитывать рассеяние носителей на примесях в легированных КП и на поверхности исследуемой размерно-квантованной системы.

Результаты расчетов оптических и транспортных характеристик, модифицированных наличием статических дефектов (СД) в наноструктурах, позволяют получить ценную информацию об энергетическом спектре примесных атомов и параметрах дислокаций. Такие расчёты наиболее актуальны для КП и квантовых сужений (КС), оптические и транспортные свойства которых во многом определяют их широкие приложения в наноэлектронике. Особый интерес с точки зрения проблемы управления электронными свойствами КП и КС, представляет исследование влияния эффектов электрического и магнитного полей на СД в данных структурах. Действительно, как магнитное, так и электрическое поле, модифицируя электронный спектр в КП и КС, могут оказывать существенное влияние на энергию связи примесных центров и рассеивающие свойства краевых дислокаций (КД). Актуальность таких исследований определяется перспективой создания новых оптоэлектронных приборов с управляемыми характеристиками.

Цель диссертационной работы заключается в теоретическом исследовании влияния эффектов электрического и магнитного полей на оптические свойства КС с Неподобными примесными центрами, а также в исследовании особенностей электронного транспорта в КП с краевой дислокацией, связанного с эффектом фотонного увлечения (ЭФУ) при внутризонных оптических переходах во внешнем магнитном поле.

Задачи диссертационной работы

1. В рамках модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы получить аналитическое решение задачи о связанных состояниях электрона, локализованного на Б"-центре в КС при наличии внешних продольных относительно оси сужения магнитного и электрического полей. Исследовать зависимость энергии связи ^-состояния от эффективной длины КС и величины внешних электрического и магнитного полей.

2. В дипольном приближении получить аналитическую формулу для коэффициента примесного поглощения света в КС с Б^-центром с учётом лоренцева уширения энергетических уровней. Исследовать влияние эффектов электрического и магнитного полей на спектры примесного поглощения света в КС.

3. В борновском приближении в рамках модели Бонч-Бруевича и Когана получить аналитическое выражение для времени релаксации импульса при рассеянии электронов на КД в КП при наличии внешнего продольного магнитного поля. Исследовать влияние внешнего магнитного поля и параметров КД на зависимость времени релаксации от кинетической энергии налетающего на КД электрона.

4. Рассчитать температурную зависимость подвижности электронов в КП при рассеянии на КД во внешнем продольном магнитном поле. Исследовать влияние внешнего магнитного поля и параметров КД на температурную зависимость подвижности. Провести сравнение полученной температурной зависимости подвижности электронов с другими механизмами рассеяния - на ЬА-фононах и на случайных неровностях границы КП.

5. В линейном по импульсу фотона приближении получить аналитическое выражение для плотности тока фотонного увлечения электронов при внутризонных оптических переходах в КП с КД при наличии внешнего продольного магнитного поля. Исследовать влияние внешнего

магнитного поля и параметров КД на спектральную зависимость плотности тока фотонного увлечения. Выявить влияние механизмов рассеяния электронов (на ЬА-фононах, на системе короткодействующих примесей, на КД) на форму спектральных кривых плотности тока фотонного увлечения в КП. Теоретически исследовать возможность использования ЭФУ электронов при внутризонных оптических переходах в КП в продольном магнитном поле для разработки детекторов лазерного излучения.

Научная новизна полученных результатов

1. В модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы получено дисперсионное уравнение электрона, локализованного на Б"-центре в КС при наличии продольных электрического и магнитного полей. Показано, что в КС, находящемся во внешнем магнитном поле, продольное электрическое поле подавляет эффект магнитного вымораживания состояния вследствие электронной поляризации и штарковского сдвига по энергии.

2. В дипольном приближении получена аналитическая формула для коэффициента примесного поглощения света в КС во внешних продольных электрическом и магнитном полях с учётом лоренцева уширения энергетических уровней. Показано, что для спектральной зависимости коэффициента примесного поглощения света характерны квантово-размерные эффекты Зеемана и Штарка. Выявлена возможность эффективного управления краем полосы примесного поглощения света в КС путем вариации величин внешнего магнитного и электрического полей. Найдено, что внешнее продольное электрическое поле приводит к уменьшению амплитуды осцилляций на зависимости коэффициента примесного поглощения света от величины внешнего продольного магнитного поля в КС из-за штарковского сдвига по энергии.

3. В борновском приближении в рамках модели Бонч-Бруевича и Когана получено аналитическое выражение для времени релаксации импульса при рассеянии электронов на КД в КП с параболическим

удерживающим потенциалом при наличии внешнего продольного магнитного поля. Показано, что для зависимости времени релаксации от кинетической энергии налетающего на КД электрона характерны осцилляции, период которых в продольном магнитном поле уменьшается, а величина времени релаксации возрастает вследствие гибридного квантования.

4. Рассчитана температурная зависимость подвижности электронов при рассеянии на КД в КП при наличии внешнего продольного магнитного поля. Найдено, что с ростом температуры подвижность электронов в КП достаточно медленно убывает, что связанно с изменением зарядового состояния КД. Показано, что рассмотренный механизм рассеяния электронов может быть существенным в сравнении с рассеянием на ЬА-фононах и на случайных неровностях границы КП, при этом температурный интервал его эффективности определяется величиной вероятности заполнения акцепторных центров в дислокационной линии.

5. Развита теория ЭФУ электронов при внутризонных оптических переходах в КП при наличии внешнего продольного магнитного поля. В линейном по импульсу фотона приближении получена аналитическая формула для плотности тока фотонного увлечения и исследована его спектральная зависимость для разных механизмов рассеяния электронов: на ЬА-фононах, на системе короткодействующих примесей, на КД. Показано, что для спектральной зависимости плотности тока характерен дублет Зеемана, форма пиков в котором зависит от механизма рассеяния электронов в КП. Выявлена чувствительность пиков к параметрам дислокационной линии и удерживающего потенциала. Показано, что на температурной зависимости плотности тока фотонного увлечения имеется максимум, который с ростом величины внешнего магнитного поля смещается в область более высоких температур.

Практическая ценность работы

1. Развитая теория примесного поглощения света в КС при наличии внешних продольных электрического и магнитного полей может быть использована при разработке фотоприемников ИК-излучения с управляемыми характеристиками.

2. Рассчитанная в диссертационной работе температурная зависимость подвижности электронов в КП с КД в продольном магнитном поле может оказаться полезной для предсказания электрофизических характеристик полупроводниковых приборов на основе КП.

3. Развитая теория ЭФУ электронов при внутризонных оптических переходах в КП при наличии внешнего продольного магнитного поля может быть использована при разработке детекторов лазерного излучения с управляемой фоточувствительностью.

Основные научные положения, выносимые на защиту

1. Внешнее продольное электрическое поле подавляет эффект магнитного вымораживания 0~-состояний в КС за счёт электронной поляризации и штарковского сдвига по энергии.

2. Влияние внешних продольных электрического и магнитного полей проявляется в спектрах примесного оптического поглощения КС в виде квантово-размерных эффектов Зеемана и Штарка, а также в уменьшении амплитуды осцилляций во внешнем электрическом поле на зависимости коэффициента примесного поглощения света от величины внешнего магнитного поля в КС.

3. В продольном магнитном поле период осцилляций в энергетической зависимости времени релаксации при рассеянии электронов на КД уменьшается вследствие гибридного квантования.

4. Температурный интервал эффективного влияния механизма рассеяния электронов на КД в КП в продольном магнитном поле определяется величиной вероятности заполнения акцепторных центров в дислокационной линии.

5. Форма пиков в дублете Зеемана в спектральной зависимости плотности тока фотонного увлечения в КП существенно зависит от механизма рассеяния носителей заряда.

Диссертационная работа состоит из трех глав.

Первая глава диссертации посвящена теоретическому исследованию влияния эффектов электрического и магнитного полей на примесное оптическое поглощение в КС с Б~-центром. Удерживающий потенциал КС моделировался потенциалом вида V{р,ч>,г} = гпш20р2 / 2 - гпи/г2 /2, где т*—

эффективная масса электрона; и>0- характерная частота удерживающего потенциала в радиальном направлении КС; и>2 = ^Н / (тЬ, Ьг -

эффективная длина КС. Внешнее электрическое и магнитное поля направлены вдоль оси КС. Короткодействующий потенциал Б^-центра, расположенного в сечении узкого горла КС, моделировался потенциалом нулевого радиуса. Задача определения волновой функции и энергии связи Б--состояния состояла в построении одноэлектронной функции Грина для уравнения Шредингера с электрическим и магнитным полями и исследовании её аналитических свойств. В модели потенциала нулевого радиуса в приближении эффективной массы получено дисперсионное уравнение электрона, локализованного на ^-центре в КС при наличии внешних продольных электрического и магнитного полей. В дипольном приближении проведен расчёт коэффициента поглощения при фотоионизации Б_-центра в КС во внешних продольных электрическом и магнитном полях с учётом лоренцева уширения энергетических уровней.

Вторая глава диссертации посвящена теоретическому исследованию электронного транспорта, связанного с ЭФУ при внутризонных оптических переходах в КП с КД в продольном магнитном поле. Удерживающий потенциал КП моделировался потенциалом двумерного гармонического осциллятора. Для описания электрических свойств КД использовалась

модель Бонч-Бруевича и Когана [75], согласно которой экранированный потенциал заряженной дислокации имеет вид:

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Калинин, Владимир Николаевич, 2014 год

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ

ЛИТЕРАТУРЫ

1. Singh A., Li X. Y., Protasenko V., Galantai G., Kuno M., Xing H. L., Jena D.

Polarization-sensitive nanowire photodetectors based on solution-synthesized CdSe quantum-wire solids // Nano Lett., 2007, 7(10), p. 2999.

2. Y.G. Wang, B.S. Zou, Т.Н. Wang, N. Wang, Y. Cai, Y.F. Chan, S.X.Zhou. I-V

characteristics of Schottky contacts of semiconducting ZnSe nanowires and gold electrodes. (2006) Nanotechnology, 17 (9), pp. 2420-2423.

3. K. Kash. Optical properties of III-V semiconductor quantum wires and dots //

Journal of Luminescence vol.46, no.2 p.69-82 (1990).

4. J. L. Merz, P. M. Petroff. Making quantum wires and boxes for optoelectronic

devices. // Materials Science and Engineer, B9, pp.275-284 (1991).

5. M. S. Sundaram, S.A. Chalmers, P.H. Hopkins, and A.C. Gossard. New Quantum Structures, Science, pp. 1326-1335 (1991).

6. E. Janik, J. Sadowski, P. Dluzewski, S. Kret, L. T. Baszrwski, A. Petroutchik, E.

Lusakowska, I. Wrobel, W. Zaleszczyk, G. Karczewski, and T. Wojtowicz. ZnTe nanowires grown on GaAs (100) substrates by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. 89, 133114 (2006).

7. E. Janik, P. Dluzewski, S. Kret, A. Presz, H. Kirmse, W. Neumann, W. Zaleszczyk, L.T. Baszrwski, A. Petroutchik, E. Dynowska, J. Sadowski, W. Caliebe, G. Karczewski, T. Wojtowicz. Nanotechology 18, 475606 (2007).

8. Орлов Л. К. Формирование структуры квантовых нитей InGaAs в матрице

арсенида галлия / Л. К.Орлов, Ивина Н. Л. // ФТТ. - 2004. - Т. 46. -Вып. 5.-С. 913.

9. Грозав А. Д.Температурное поведение размерных особенностей продольного магнетосопротивления микропроволок висмута / А. Д. Грозав, Н. И. Лепорда // ФТТ.- 1996. - Т. 38.- Вып. 6. - С.1924.

10. D. P. Yu, Y. J. Xing, Q. L. Hang, H. F. Yan, J. Xu, Z. H. Xi, S. Q. Feng. Controlled growth of oriented amorphous silicon nanowires via a solid-liquidsolid (SLS) mechanism.: PHYSICA E 9(2): pp.305-309, 2001.

11. Богомолов В. Н. N- и S -образные вольт-амперные характеристики (ВАХ) кластерной сверхрешетки теллура в цеолите типа X / В. Н. Богомолов, А. И. Задорожний, Т. М. Павлова, В. П. Петрановский, В. П. Подхалюзин,

A. Л. Холкин // Письма в ЖЭТФ. - 1980. - Т. 31.- Вып. 7, С. 406.

12. Богомолов В.Н. Периодичность всплесков тока на вольт-амперной характеристике кластерного кристалла на основе теллура / В. Н. Богомолов, А. И. Задорожный, Т. М. Павлова // ФТП. -1981- Т. 15 - Вып. 10.-С. 2029.

13. У. Kumzerov, S. Vakhrushev. Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, ed. by H.S. Nalva (American Sci. Publishers, 2004) v. 7, p. 811.

14. O. N. Uryupin, M. V. Vedernikov, A. A. Shabaldin, Y. V. Ivanov, Y. A. Kumzerov, A. V. Fokin, J. Thermoelectric Properties of InSb Nanowires Over a Wide Temperature Range. // Journal of Electronic Materials., Vol. 38, No. 7, pp. 990-993 (2009).

15. Кумзеров Ю. А. Теплопроводность ультратонких полупроводниковых нанопроволок InSb со свойствами латтинжеровой жидкости / Ю.А. Кумзеров, И. А. Смирнов, Ю. А. Фирсов, Л. С. Парфеньева, Н. Misiorek, J. Mucha, A. Jezowski. // ФТТ. - 2006. -Т. 48. - С 1498 [Phys. Solid State, 48, 1584 (2006)].

16. Урюпин О.Н. Структура нанопроволок InSb в каналах хризотилового асбеста / О. Н. Урюпин, Н. Ф. Картенко, Н. Ю. Табачкова // ФТП. - 2014. -Т. 48.-Вып. 7.-С. 1002.

17. J. R. Downes, D. A. Faux, Е. P. O'Reilly. Influence of strain relaxation on the electronic properties of buried quantum wells and wires. // Materials Science and Engineering. B. - 1995. -v.35. - P.357-363.

18. M. Notomi, J. Hammersberg, H. Weman, S. Nojima, H. Sugiura, M. Okamoto, T. Tamamura, and M. Potemski. Dimensionality effects on strain and quantum confinement in lattice-mismatched InAs^P^/InP quantum wires. // Phys. Rev.

B. - 1995. -v.52.-P.11147.

19. Y. В. Levinson, M. I. Lubin, and E. V. Sukhorukov. Short-range impurity in a saddle-point potential: Conductance of a microjunction. // Phys. Rev. В 45, 11936(1992).

20. Левинсон M. Б., Любин М. И., Сухоруков Е. В. // Письма в ЖЭТФ. - 1991. -Т. 54.-С. 405.

21. Любин М. И. // Письма в ЖЭТФ. - 1993. - Т. 57. - С. 346.

22. D. Н. Cobden, N. К. Patel, М. Pepper, D. A. Ritchie, J. Е. F. Frost, and G. A. С. Jones. Noise and reproducible structure in a GaAs/AlxGal-xAs one-dimensional channel. // Phys. Rev. В 44, 1938 (1991).

23. A. B. Fowler, G.L. Timp, J. J. Wainer, and R. A. Webb. Observation of resonant tunneling in silicon inversion layers. // Phys. Rev. Lett. 57,v.l,p. 138 (American Physical Society, 1986).

24. Т. E. Kopley, P. L. McEuen, and R. G. Wheeler. Resonant Tunneling through Single Electronic States and Its Suppression in a Magnetic Field. // Phys. Rev. Lett. 61, 1654(1988).

25. S. J. Bending and M. R. Beasley. Transport processes via localized states in thin a-Si tunnel barriers. // Phys. Rev. Lett. 55, v.3, p. 324 (American Physical Society, 1985).

26. Y. Xu, A. Matsuda, and M. R. Beasley. Role of inelastic effects on tunneling via localized states in metal-insulator-metal tunnel junctions. Phys. Rev. В 42, 1492 (1990).

27. M. W. Dellow, P. H. Beton, C. J. G. M. Langerak, T. J. Foster, P. C. Main, L. Eaves, M. Henini, S. P. Beaumont, and C. D. W. Wilkinson. Resonant tunneling through the bound states of a single donor atom in a quantum well. // Phys. Rev. Lett. 68, p. 1754 (1992).

28. A. K. Geim, P. C. Main, N. La Scala Jr, L. Eaves, T. J. Foster, P. H. Beton, J. W. Sakai, F.W. Sheard, M. Henini, G. Hill, M. A. Pate. Fermi-edge singularity in resonant tunneling . // Phys. Rev. Lett. 72, v.13, 2061 (1994).

29. А. К. Geim, Т. J. Foster, A. Nogaret, N. Mori, P. J. McDonnell, N. La Scala, Jr., P. C. Main, and L. Eaves. Resonant tunneling through donor molecules. // Phys. Rev. В 50, 8074 (1994).

30. Гейлер В. А. Баллистический кондактанс квазиодномерной микроструктуры в параллельном магнитном поле / В. А. Гейлер, В. А. Маргулис // ЖЭТФ. - 1997. - Т. 111. - С. 2215.

31. Гейлер В. А. Проводимость квантовой проволоки в продольном магнитном поле / В. А. Гейлер, В. А. Маргулис, Л. И. Филина // ЖЭТФ. -1998.-Т. 113.-Вып. 4.-С. 1377.

32. V. Vargiamidis and Н. М. Polatoglou. Shape effects on scattering in quantum wires with a transverse magnetic field. // Phys. Rev. В 67, 245303 (2003).

33. С. S. Kim, A.M. Satanin. Tunneling through a quantum channel with impurities: An exactly solvable model. // Physica E, V.4, No.3, pp.211-219

(1999).

34. Ким Ч. С. Интерференция квантовых состояний в электронных волноводах с примесями / Ч. С. Ким, Сатанин А. М., О. Н. Рознова, В. Б. Штенберг // ЖЭТФ. - 2002. - Т. 121. - Вып. 5. - С. 1157.

35. D. Boese, М. Lischka, and L. Е. Reichl. Resonances in a two-dimensional electron waveguide with a single 5-function scatterer. // Phys. Rev. В 61, 5632

(2000).

36. S. A. Gurvitz and Y. B. Levinson. Resonant reflection and transmission in a conducting channel with a single impurity. Phys. Rev. В 47, 10578 (1993).

37. P. F. Bagwell. Evanescent modes and scattering in quasi-one-dimensional wires. Phys. Rev. В 41, 10354 (1990).

38. Авотина E. С. Нелинейный кондактанс квантового контакта, содержащего единичные дефекты / Е. С. Авотина, Ю. А. Колесниченко // ФНТ. -2004. -№ 30. - С. 209.

39. Соболев Н. А. Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной

люминисценцией (обзор) / H. А. Соболев // ФТП. - 2010. - Т. 44. - Вып. 1. -С. 3-25.

40. Берт Н. А. Создание и исследование оптических свойств квантовых проволок InGaAs/GaAs /Берт Н.А., Гуревич С.А. и др. // ФТП. - 1994. - Т. 28.-Вып. 9.-С. 1605.

41. F. N. Timofeev. Proc. of Joint Sov.-Amer. Workshop on the Phys. of Semicond. Lasers. (AIP Conf Proc.) 240,130 (1991)

42. M. Kohl, D. Heitmann, P. Grambow, and K. Ploog. Localization of two-dimensional exciton polaritons // Phys. Rev. В 42, 2941 (1990).

43. H. Weman, M. S. Miller, С. E. Pryor, Y. J. Li, P. Bergman, P. M. Petroff, and J. L. Merz. Optical properties of quantum-wire arrays in (Al,Ga)As serpentine-superlattice structures // Physical Review В 48, 8047 (1993).

44. M. Tsuchiya, J. M. Gaines, R. H. Yan, R. J. Simes, P. O. Holtz, L. A. Coldren, and P. M. Petroff. Optical Anisotropy in a Quantum-Well-Wire Array with Two-Dimensional Quantum Confinement // Phys. Rev. Lett., 62, pp.466-469 (1989).

45. H. Weman, M. S. Miller, and J. L. Merz. Comment on Comment on "Optical anisotropy in a quantum-well-wire array with two-dimensional quantum confinement" // Phys. Rev. Lett., 68, 3656 (1992).

46. T. Ogawa and T. Takagahara. Interband absorption spectra and Sommerfeld factors of a one-dimensional electron-hole system. // Phys. Rev. В 43, 14325 (1991).

47. T. Ogawa, T. Takagahara. Optical absorption and Sommerfeld factors of one-dimensional semiconductors: An exact treatment of excitonic effects. // Phys. Rev. В 44(15), 8138-8156 (1991).

48. T. Someya, H. Akiyama, H. Sakaki. Enhanced binding energy of one-dimensional excitons in quantum wires. // Phys. Rev. Lett. 76, 2965 (1996).

49. R. Zimmennann. Jpn. J. Appl. Phys. 34, 228 (1995).

50. L. V. Keldysh. Excitons in semiconductor-dielectric nanostructures. // Phys. Stat. Sol. (a) 164(1), C.3-12 (1997).

51. Днепровский В. С. Линейное и нелинейное поглощение экситонов в полупроводниковых квантовых нитях, кристаллизованных в диэлектрической матрице / В. С. Днепровский, Е. А. Жуков, Е. А. Муляров, С. Г. Тиходеев // ЖЭТФ. - 1998. - Т. 114. - Вып. 2. - С. 700.

52. Келдыш Л. В. Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов / Л. В. Келдыш // Письма в ЖЭТФ. -1979.-Т. 29.-Вып. 11.-С. 716.

53. Nanotechnology, ed. by G. Timp (N.Y., Springer, 1999).

54. Рувинский M. А. О влиянии флуктуации толщины на статическую электропроводность квантовой полупроводниковой проволоки / М. А. Рувинский, Б. М. Рувинский // ФТП. - 2005. - Т. 39. - Вып. 2. - С. 247.

55. Y. Imry. Introduction to Mesoscopic Physics (Oxford, University Press, 2002).

56. Поклонский H. А. О температурной зависимости статической электропроводности полупроводниковой квантовой проволоки в изоляторе / Н. А. Поклонский, Е. Ф. Кисляков, С. А. Вырко // ФТП. -2003. - Т. 37. - Вып. 6. С. 735.

57. Н. Bruus, К. Flensberg, and Н. Smith. Magnetoconductivity of quantum wires with elastic and inelastic scattering. Phys. Rev. B, 48, 11144 (1493).

58. H. Smith, H. Hojgaard. Transport Phenomena, p.431, (Oxford, University Press, 1989).

59. В. K. Ridley. Quantum Processes in Semiconductors (Oxford, Clarendon Press, 1999).

60. J. K. Jain and S. A. Kivelson. Quantum Hall effect in quasi one-dimensional systems: Resistance fluctuations and breakdown. // Phys. Rev, Lett.60 (15), pp. 1542-1545 (1988).

61. M. Y. Azbel. Variable-range-hopping magnetoresistance. Phys. Rev. В 43, 2435 (1991).

62. J. F. Weisz and K.-F. Berggren. Characterization of narrow quantum channels using model potentials. Phys. Rev. В 40,1325 (1989).

63. D. C. Peacock and C. A. Jones, Phys. Rev. В 39, 6283 (1989).

64. Синявский Э. П. Особенности подвижности в нанопроволоках в поперечных электрическом и магнитном полях / Э. П. Синявский, С. А. Карапетян // ФТП. - 2014. - Т. 48. - Вып. 2. - С. 229.

65. Z. Zhang, Xiangzhong Sun, М. S. Dresselhaus, Jackie Y. Ying, and J. Heremans. Electronic transport properties of single-crystal bismuth nanowire arrays. Phys. Rev. B, 61, 4850 (2000).

66. J. Heremans, С. M. Thrush, Yu-Ming Lin, S. Cronin, Z. Zhang, M. S. Dresselhaus, and J. F. Mansfield. Bismuth nanowire arrays: Synthesis and galvanomagnetic properties. Phys. Rev. B, 61, 2921 (2000).

67. Yu-Ming Lin, M. S. Dresselhaus. Determination of carrier density in Te-doped Bi nanowires //Appl. Phys. Lett., 83(17), pp.3567-3569 (2003).

68. J. Heremans, С. M. Thrush, Z. Zhang, X. Sun, M. S. Dresselhaus, J. Y. Ying, and D. T. Morelli. Magnetoresistance of bismuth nanowire arrays: A possible transition from one-dimensional to three-dimensional localization. Phys. Rev. B, 58, 10091 (1998).

69. Yu-Ming Lin, S. B. Cronin, J. Y. Ying, M. S. Dresselhaus, J. P. Heremans. Transport properties of Bi nanowire arrays // Appl. Phys. Lett. 76, pp.39443946 (2000).

70. A. Nikolaeva, D. Gitsu, T. Huber, L. Konopko. Confinement effect in single nanowires based on Bi // Physiea B, vol.346-347, pp.282-286 (2004).

71. Синявский Э. П. Электропроводность квантовых проволок в однородном магнитном поле / Э. П. Синявский, Р. А. Хамидуллин // ФТП. - 2006. -Т. 40.-Вып. 11.-С 1368.

72. A. Gold and A. Ghazali. Analytical results for semiconductor quantum-well wire: Plasmons, shallow impurity states, and mobility.Phys. Rev. B, 41, 7626 (1990).

73. C. W. J. Beenakker, H. Van Houten. In: Solid State Physics, ed. by H. Ehrenreich, D. Tumbull (N.Y., Academic Press, 1991) v. 44, p. 83.

74. Кибис О. В. Влияние конфигурации квантовой проволоки на электрон-фононное взаимодействие / О. В. Кибис // ФТП. - 1999. - Т. 33. - Вып. 10. -С. 1232-1234.

75. Бонч-Бруевич В. JI. К теории электронной плазмы в полупроводниках / В. Л. Бонч-Бруевич, С. М. Коган // ФТТ. - 1959. - Т. 1. - Вып. 8. - С. 12211224.

76. Geiselbrecht W., Sahr U., Masten A., Grabner O., Klutz U., Forkel M., Dohler G.H., Campman., Gossard A.C. Electro-optical probing of envelope wavefunctions in gaas/algaas parabolic quantum well structures // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. — 1998. — Vol. 2, no. 1-4. Pp.106-110.

77. Глазман Л. И. Нелинейная квантовая проводимость микросужения / Л. И. Глазман, А. В. Хаецкий // Письма ЖЭТФ. - 1988. - Т. 48. - Вып. 10. -С. 546.

78. Галкин Н. Г. Электронный транспорт через микросужение в произвольно ориентированном однородном магнитном поле / Н. Г. Галкин, В. А. Гейлер, В. А. Маргулис // ЖЭТФ. - 2000. - Т.117. - С. 593.

79. J. Faist, P. Gueret, Н. Rothuizen. Possible observation of impurity effects on conductance quantization. //Phys. Rev. В 42, 3217 (1990).

80. M. Biittiker. Quantized transmission of a saddle-point constriction. // Phys. Rev. В 41, 7906 (1990).

81. Biittiker M., The quantum Hall effect in open conductors, in Semiconductors and Semimetals, Vol. 35 (Academic Press, San Diego) 1992, pp. 191-277.

82. A. G. Scherbakov, E. N. Bogachek, and Uzi Landman. Quantum electronic transport through three-dimensional microconstrictions with variable shapes. // Phys. Rev. В 53, 4054 (1996).

83. Кревчик В. Д. Энергетический спектр и оптические свойства D~ - центров в структурах с квантовыми дисками / В. А. Прошкин, В. И. Жуковский, В. Д. Кревчик, М. Б. Семенов // Вестник МГУ сер.З- 2008 - вып. 4 - С. 19.

84. Кревчик В. Д. Магнитооптические свойства D2 - центра в квантовом микросужении / В. А. Прошкин, В. Д. Кревчик, А. В. Разумов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки. -2008.-№3.-С. 150.

85. Krevchik V. D. Optical properties of the disk - shaped quantum dots with D~ -impurity centers / V. A. Proshkin, A. K. Arigazov, V. D. Krevchik, M. B. Semenov // Hadronic Journal - 2008 - vol.31, num.2, P. 140-152.

86. Прошкин В. А. Термы молекулярного иона DJ в квантовой нити / В. А. Прошкин // Материалы 53-й научной студенческой конференции : сб. науч. работ студентов ун-та. - Пенза: Изд-во ПГПУ им. В.Г. Белинского, 2004. - С. 118.

87. Кревчик В. Д. Магнитооптические свойства - центра в микросужении / В. А. Прошкин, В. Д. Кревчик, А. А. Марко // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики, физ. св-ва и применение : тез. докл. IV межрег. научной школы для студентов и аспирантов. - Саранск : Изд-во Морд. гос. ун-та, 2005. - С. 50.

88. Кревчик В. Д. Эффект передислокации электронно-волновой функции в D~ - системе в квантовой точке во внешнем электрическом поле / В. А. Прошкин, В. Д. Кревчик, А. В. Разумов, J1. Н. Туманова, А. М. Иванов // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики, физ. св-ва и применение : сб. тр. V всерос. молодеж. науч. школы. - Саранск : Изд-во Морд. гос. ун-та, 2006. - С. 19.

89. Кревчик В. Д. Энергитический спектр £>J - центра в полупроводниковой квантовой точке при наличии внешних электрического и магнитного полей/ В.А. Прошкин, В.Д. Кревчик, А.В. Разумов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Естественные науки. - 2008. -№ 3. - С. 150.

90. D. Tobben, D. A. Wharam, G. Abstreiter, J. P. Kotthaus, and F. Schaffler. Transport properties of a Si/SiGe quantum point contact in the presence of impurities. // Phys. Rev. В 52, 7, 4704 (1995).

91. Градштейн, И. С. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений / И. С. Градштейн, И. М. Рыжик. - М.: Физматгиз, 1962.

92. Прудников, А. П. Интегралы и ряды: в 4 т. / А. П. Прудников, Ю. А. Брычков, О. И. Маричев. - М.: Физматлит, 2003.

93. Галкин Н. Г. Внутризонное поглощение электромагнитного излучения квантовыми наноструктурами с параболическим потенциалом конфайнмента / Н. Г. Галкин, В. А. Маргулис, А. В. Шорохов // ФТТ. -2001.-Т. 43. -Вып 3.

94. L. Вгеу, N. F. Johnson, and В. I. Halperin. Optical and magneto-optical absorption in parabolic quantum wells // Phys. Rev. В 40, 10647 (1989).

95. Синявский Э. П. Электроиндуцированная люминесценция в параболических квантовых ямах в магнитном поле / Э. П. Синявский, С. М. Соковнич // ФТТ. - 2000. - Т. 42. - Вып. 9. - С. 1685.

96. Rui Q. Yang, J. М. Xu, and Mark Sweeny. Selection rules of intersubband transitions in conduction-band quantum wells // Phys. Rev. В 50, 7474 (1994).

97. L. V. Butov, A. A. Shashkin, V. T. Dolgopolov, K. L. Campman, and A. C. Gossard. Magneto-optics of the spatially separated electron and hole layers in GaAs/ALfGai..vAs coupled quantum wells // Phys. Rev. В 60, 8753 (1999).

98. S. Blom, L. Y. Gorelik, M. Jonson, R. I. Shekhter, A. G. Scherbakov, E. N. Bogachek, and Uzi Landman. Magneto-optics of electronic transport in nanowires. // Phys. Rev. В 58. 16305 (1998).

99. Yu. A. Uspenskii and B. N. Harmon. Large selective magneto-optic response from magnetic semiconducting layered structures.//Phys. Rev. В 61, 10571 (2000).

100. D. Huang, G. Gumbs, J. M. Horing. Magneto-optical absorption in a one-dimensional array of narrow antiwires. // Phys. Rev. В 49, 11463 (1994).

101. Маргулис В. А. Гибридно-фононный резонанс в квазидвумерной наноструктуре / В. А. Маргулис // ЖЭТФ. - 1997. - Т. 111.- Вып. 3 - С. 1092.

102. Jai Yon Ryu, G. Y. Hu, and R. F. O'Connell. Magnetophonon resonances of quantum wires in tilted magnetic fields. // Phys. Rev. В 49, 10437 (1994).

103. A. Grincwajg, M. Jonson, R. I. Shekhter. Optical absorption in a two-dimensional quantum point contac . // Phys. Rev. В 49, 7557 (1994).

104. V. Halonen, P. Pietilainen, T. Chakraborty. Optical-absorption spectra of quantum dots and rings with a repulsive scattering centre. // Europhys. Lett. 33 (5), 377 (1996).

105. L. Wendler and V.G. Grigoryan. Theory of magnetooptical absorption of the quasi-one-dimensional electron gas. Physica В 245, 127-156 (1998).

106. C.S. Chu and R. S. Sorbello. Effect of impurities on the quantized conductance of narrow channels. // Phys. Rev. В 40, 5941 (1989).

107. H. A. Fertig and В. I. Halperin. Transmission coefficient of an electron through a saddle-point potential in a magnetic field. // Phys. Rev. В 36, 7969 (1987).

108. Martin Т., Feng S. Suppression of scattering in electron transport in mesoscopic quantum Hall systems. // Phis. Rev. Lett. — 1990.-V.64.-P. 19711974.

109. S. В. Kaplan and A. C. Warren. Magnetoconductance oscillations of a quasi-one-dimensional electron gas in a parabolic transverse potential. // Phys. Rev. В 34, 1346 (1986).

110. Liu С. T. Magneto-optics of a quasi-zero-dimensional electron gas / С. T. Liu, K. Nakamura, D. C. Tsui, K. Ismail, D. A. Antoniadis, H. I. Smith // Appl. Phys. Lett. 1989. - V. 55 (2). - P. 168.

111. P.L. McEuen, B.W. Alphenaar, R.G. Wheeler R.N. Sacks. Resonant transport effects due to an impurity in a narrow constriction // Surf. Sci. pp.312-325, vol.229 (1990).

112. M. Naito and M. R. Beasley, Phys. Rev. В 42,1492 (1990).

113. Игнатов А. А. Об увлечении электронов интенсивной электромагнитной волной в полупроводниках со сверхрешеткой / А. А. Игнатов // ФТТ. -1980. - Т. 22. - Вып. 11. - С. 3319.

114. Эпштейн Э. М. Увлечение электронов солитонами в полупроводниковой сверхрешетке / Э. М. Эпштейн // ФТП. - 1980. - Т. 14. - Вып. 12. -С.2422.

115. Эпштейн Э. М. Затухание солитона в сверхрешетке / Э. М. Эпштейн // Изв. ВУЗов. Радиофизика. -1981. - Т. 24(4). - № 10. - С. 1293.

116. Эпштейн Э. М. Усиление и обращение солитоноэлектрического тока в сверхрешетке внешним магнитным полем / Э. М. Эпштейн // ФТП. -1982.-Т. 16.-Вып. 12.-С. 2231.

117. Н.А. Брынский, С.А. Сагдуллаева // ФТП. - 1978. - Т. 12. - Вып. 4. -С. 798.

118. Ганичев С. Д. Многофотонное поглощение в полупроводниках в субмиллиметровом диапазоне / С. Д. Ганичев, С. А. Емельянов, Е. JI. Ивченко, Е. Ю. Перлин, Я. В. Терентьев, А. В. Федоров, И. Д. Ярошецкий // ЖЭТФ. - 1986. - Т. 91. - Вып. 4. С. 1233.

119. Расулов Р. Я. Эффект увлечения при трехфотонном поглощении света в кристаллах типа германия / Р. Я. Расулов // ФТП. - 1988. - Т. 22. - Вып. 11.-С. 2077.

120. Маргулис В. А. Гибридно-примесный резонанс в трехмерной анизотропной квантовой проволоке / В. А. Маргулис, Н. Ф. Филина, А. В. Шорохов // ФТТ. - 2006. - Т. 48. - Вып. 5. - С. 880.

121. Rossi F. Theory of ultrafast phenomena in photoexcited semiconductors / F. Rossi, T.F. Kuhn // Reviews of Modem Physics. - 2002. - Aug. - Vol. 74, no. 3. Pp. 895-950.

122. Shah J., Ultrafast Spectroscopy of Semiconductors and Semiconductors Nanostructures / J. Shah. - 2nd enlarged ed. edition (July 20, 1999) edition. -Berlin: Springer, 1999. - P. 518.

123. Ryzhii V. Comparison of dark current, responsivity and detectivity of different intersubband infrared photodetectors / V.Ryzhii, I.Khmyrova, M.Ryzhii, V.Mitin // Semiconductor Science and Technology. 2004. - V.19. -Pp.8-16.

124. S. Calderón, O. Kadar, A. Sa'ar, A. Rudra, E. Martinet, K. Leifer, and E. Kapon. Observation of photoinduced intersubband transitions in one-dimensional semiconductor quantum wires. // Phys. Rev. В 62, № 15, 9935 (2000).

125. Deng, Z.-Y. Optical absorption spectra associated with donors in a corner under an applied electric field / Z.-Y. Deng, Q.-B. Zheng, T. Kobayashi // Journal of Physics: Condensed Matter. - 1998. - Vol. 10, no. 18. - P. 3977.

126. Deng Z.-Y., Optical absorption spectra associated with an impurity in lateral-surface superlattice quantum well wires / Z.-Y. Deng, J.-K. Guo // Journal of Physics: Condensed Matter. - 1995. - Vol. 7, no. 7. - P. 1327.

127. C.A. Duque, A. Montes, N. Porras-Montenegro, L.E. Oliveira. Density of impurity states and donor-related optical absorption spectra of GaAs-(Ga,Al)As semiconductor heterostructures. // J. Phys. D: Appl. Phys. 32, 24, 3111 (1999).

128. Джотян А. П. Межпримесное поглощение света в тонких проволоках полупроводников типа АШВУ / А. П. Джотян, Э. М. Казарян, А. С. Чиркинян // ФТП. - 1998. - Т. 32. - Вып. 1. - С. 108.

129. Кревчик В. Д. Энергетический спектр и оптические свойства комплекса квантовая точка-примесный центр / В. Д. Кревчик, А. В. Левашов // ФТП. -2002.-Т. 36.-С. 216.

130. Синявский Э. П. Особенности примесного поглощения света в размерно-ограниченных системах в продольном магнитном поле / Э. П. Синявский, С. М. Соковнич // ФТП. - 2000. - Т. 34. -С. 844.

131. El-Said М., The magnetoabsorption spectra of donors in a quantum well wire / M. El-Said // Semiconductor Science and Technology. - 1994.- Vol. 9, no. 10. P. 1787.

132. Агафонов В. Г. Фотоприемники на основе эффекта увлечения светом носителей тока в полупроводниках / В. Г. Агафонов, П. М. Валов, Б. С. Рыбкин, И. Д. Ярошецкий // ФТП. - 1973. - Т. 7. - Вып. 12. - С. 2316.

133. Бурдаев Б. Я. Измерение энергетических параметров и характеристик лазерного излучения / Б. Я. Бурдаев, Р. А. Валитов, М. А. Винокур и др./ Под ред. А.Ф. Котюка. М.: Радио и связь, - 1981. - 288 с.

134. Ишанин Г. Г. Приёмник и излучения оптических и оптико-элекгронных приборов. JI.: Машиностроение, 1986. - 174 с.

135. A. F. Gibson, С. В. Hatch, М. F. Kimmitt, S. Kothari, and A. Serafetinides. Optical rectification and photon drag in n-type gallium phosphide // Journal of Physics. C. Solid State Physics Vol.10, Pp.905-915 (1997).

136. Алимпиев С. С. Спектральная зависимость фоточувствительности фотоприёмников на эффекте фотонного увлечения / С. С. Алимпиев, П. М. Валов, И. Д. Ярошецкий // Письма в ЖТФ. - 1978. - Т. 4. - Вып. 3. - С. 146.

137. Рыбкин С. М., Ярошецкий И. Д. Проблемы современной физики. JL: Наука, 1980.-С. 173.

138. Алешкин В. Я. Вольт-фарадные характеристики сверхрешеток / В. Я. Алешкин, Б. Н. Звонков, Е. Р. Линькова, А. В. Мурель, Ю. А. Романов // ФТП. - 1993. - Т. 27. - С. 931.

139. Orlov L. К., Ivina N.L., Alyabina N.A.,Zvonkov B.N., Demidov E.S. Porous superlattice InGaAs/GaAs as a new material for quantum electronics.// Proceed. EXMATEC 02 . Budapest. May.- 2002.- Physica Status Solidy (a).-2003.- No.3.-P.981-985.

140. Орлов Л. К. Самоформирование сеток квантовых нитей в пористых сверхрешетках InGaAs/GaAs / Л. К. Орлов, Н. Л. Ивина // Письма в ЖЭТФ. - 2002. - Т. 75. - Вып. 9. - С. 584.

141. S. Simhony, Е. Kapon, Е. Colas, D. М. Hwang, N. G. Stoffel and P. Worland. Vertically stacked multiple-quantum-wire semiconductor diode lasers. Appl. Phys. Lett. 59 , 2225 (1991)

142. Бейтмен Г., Эрдейн А. Высшие трансцендентные функции. Т. 1-2. - М.: Наука, 1973.

143. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика (нерелятивистская теория). Т. 3. - М.: Наука, 1989.

144. Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников. / А. И. Ансельм. М., 1978,616 с.

145. Шорохов А. В. Генерация постоянного тока в полупроводниковой сверхрешетке под действием бихроматического поля как параметрический эффект / А. В. Шорохов, Н. Н. Хвастунов, Т. Хьярт, К. Н. Алексеев // ЖЭТФ. - 2010. - Т. 138. - Выи 5(11). - С. 930.

146. Кревчик В. Д. Энергетический спектр и магнитооптические свойства О--центра в квантовом сужении / В. Д. Кревчик, А. А. Марко, А. Б. Грунин // ФТП. - 2006. - Т. 40. - Вып 4. - С. 433.

147. Кревчик В. Д. Подвижность электронов в полупроводниковых квантовых проволоках и микросужениях с краевой дислокацией / В. Д. Кревчик, А. А. Киндаев // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Естественные науки. — 2005. — № 6. - С. 191.