Магнитооптические свойства квантовых ям и квантовых проволок с примесными резонансными состояниями молекулярного типа тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.05, кандидат наук Губин, Тихон Александрович

• Губин, Тихон Александрович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Губин, Тихон Александрович

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1 Влияние обменного взаимодействия на энергетический спектр и

оптические свойства резонансных -состояний в квантовых ямах во

внешнем магнитном поле

1.1 Введение

1.2 Дисперсионное уравнение, описывающее резонансные 1У2 -состояния в квантовой яме при наличии внешнего магнитного поля

1.3 Влияние магнитного поля и обменного взаимодействия на среднюю энергию связи резонансного §-состояния. Сравнение с экспериментом

1.4 Спектры примесного магнитооптического поглощения в многоямной квантовой структуре с резонансными -состояниями

Выводы к главе 1

Глава 2 Особенности примесной зоны, образованной резонансными состояниями электрона в поле регулярной цепочки I)0-центров в квантовой проволоке во внешнем продольном магнитном поле.

2.1 Введение

2.2 Дисперсионное уравнение, определяющее границы примесной зоны, образованной резонансными состояниями электрона в поле регулярной цепочки ¿^-центров в квантовой проволоке

2.3 Зависимость ширины примесной зоны от величины внешнего магнитного поля и параметров диссипативного туннелирования

2.4 Эффективная масса электрона в примесной зоне

Выводы к главе 2

Глава 3 Эффект фотонного увлечения электронов в квантовой проволоке с примесной зоной во внешнем продольном магнитном поле

3.1 Введение

3.2 Расчет матричного элемента оптического перехода электрона из примесной зоны в гибридно-квантованные состояния квантовой проволоки в линейном по импульсу фотона приближении

3.3 Плотность тока фотонного увлечения электронов в квантовой проволоке при наличии внешнего продольного магнитного поля

3.4 Спектральная зависимость плотности тока фотонного увлечения при рассеянии электронов на системе короткодействующих примесей

Выводы к главе 3

Заключение

Библиографический список использованной литературы

102

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Магнитооптические свойства квантовых ям и квантовых проволок с примесными резонансными состояниями молекулярного типа»

Введение

В последние годы развитие нанотехнологий стимулировало прогресс в полупроводниковой наноэлектронике. В настоящее время имеется довольно широкий спектр её приборных приложений. В работе [1] предложена классификация одноэлектронных приборных структур, в основу которой положены выделенные в работе принципы. Большое количество известных в настоящее время наноэлектронных приборов рассмотренного типа может быть описано в рамках данной классификации. Структуры на основе одноэлектронного туннелирования (кулоновской блокады) [2] являются перспективными для создания широкого спектра твердотельных приборов [35]. Известно достаточно большое число структур рассматриваемого типа различной конфигурации и назначения, и количество публикаций на эту тему продолжает возрастать. Вследствие этого авторами работы [1] предложена классификация одноэлектронных приборов, доминирующим для которых является выделенный эффект. Достоинством классификации является то, что известные на момент опубликования работы приборы могут быть описаны с её использованием, а также то, что на её основе могут быть предложены новые приборы одноэлектроники [1]. Авторами [1] в основу классификации положены следующие принципы:

I. На основе характерных активных областей приборов различаются следующие классы одноэлектронных структур:

1) однотуннельные приборы, т.е. структуры, содержащие только один туннельный переход. Пример - одноэлектронный диод [6,7], содержащий р-п-переход с вырожденным газом носителей заряда;

2) цепочки туннельных переходов. К этому классу относятся структуры, содержащие два и более туннельных перехода в активной области, соединённые последовательно. Один из наиболее изученных приборов этого класса - одноэлектронный транзистор [8,9], содержащий два туннельных

перехода, отделяющих очень малый островок полупроводника от областей стока и истока. Большинство известных на данный момент одноэлектронных приборов относится к этому классу: «насос» [10-11], модулятор [11-12], одноэлектронная память [13] и др. [1].

3) матрицы туннельных переходов. Структуры этого класса содержат в активной области последовательное и параллельное соединение туннельных переходов в плоскости. Пример - гранулированная микроперемычка [14].

4) Массивы туннельных переходов. Такие структуры содержат последовательное и параллельное соединение туннельных переходов в различных измерениях [1].

II. Каждый из отмеченных классов структур может быть представлен определённым видом принципиальной структурной схемы:

1) Бокс (однотуннельный прибор). Структурная схема этого прибора соответствует нулевой размерности. В качестве островка выступает промежуточный электрод между туннельным переходом и конденсатором затвора.

2) Транзистор (цепочка туннельных переходов) содержит два туннельных перехода, соединённых последовательно, и островок между ними. Управление током через структуру осуществляется посредством затвора. На рис. 1 приведена одна из принципиальных схем реализации одноэлектронного транзистора. Существуют и другие варианты принципиальных схем [15], различающиеся расположением островка и затвора относительно истока и стока, а также конфигурацией затвора [1]. Островок может находиться как в плоскости стока и истока, так и выше или ниже неё. Конфигурация затвора может быть различной. Одна из часто используемых конфигураций -расщеплённый затвор [11]. В реальном транзисторе может использоваться различное число затворов разной конфигурации и различного расположения относительно островка.

1D

2D

Рис. 1 Принципиальные структурные схемы некоторых одноэлектронных приборов [1].

3) Принципиальная структурная схема для «многоостровковой» схемы цепочки туннельных переходов отличается от схемы транзистора количеством островков (см. рис. 1). Расположение островков относительно истока и стока, а также конфигурация, количество и расположение затворов может быть различным [15].

4) Микроперемычка (матрица туннельных переходов) - принципиальная структурная схема содержит двумерный массив островков (см. рис. 1, структура 2D). Управление током через структуру осуществляется затвором, расположенным над островками (на схеме отсутствует).

III. Условно (так как обычно одноэлектронные структуры состоят из различных материалов) выделяют следующие виды одноэлектронных структур по материалам островка (-ов):

1) Металлические. Плёночные структуры, в которых металлические островки разделены туннельными барьерами в виде диэлектрических слоев [1618], или структуры на основе гранулированных плёнок [14, 19], или на основе металлических коллоидных частиц [20] и т.д. В таких структурах имеет место ограничение трёхмерного электронного газа в островках.

2) Полупроводниковые. Примером таких структур могут быть приборы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs [21-24], GaAs с ^-легированным слоем [10, 13], AlGaAs/InGaAs/GaAs [24] и др. В этих структурах осуществляется ограничение двумерного газа в малые лужицы различными способами: в результате прикладывания определённых смещений к затворам [21, 22], путём использования электронно-лучевой литографии и травления структуры [23], при использовании ионно-лучевой имплантации [24] и т. д. К этому же виду относятся кремниевые одноэлектронные структуры: на основе МОП полевого транзистора [8, 25]; структуры, полученные методом осаждения наноразмерных кремниевых кристаллов [26]; структуры, выполненные на подложке кремний-на-изоляторе [9, 27] и др.

3) Диэлектрические. В этом случае диэлектрические островки должны быть разделены слоями с меньшей проницаемостью по сравнению с материалом островков. На момент написания работы [1] примеров изготовления приборов этого типа нет.

4) Органические. Примером такой структуры может служить транзистор на основе стеариновой кислоты и карбонатовых кластеров [29]. Последние выступают в качестве островков.

5) Композиционные. Островки изготавливаются из композиционного материала или из различных материалов.

IV. По технологическим методам изготовления, материалам, формирующим различные области, управляющим электродам и другим принципам можно выделить разновидности одноэлектронных структур.

Металлические одноэлектронные структуры могут различаться по технологическому процессу изготовления. Применяемые методы: 1) электронно-лучевой литографии (ЭЛЛ) и напыления [16,17]; 2) линейного самосовмещения [30]; 3) окисления с использованием сканирующего туннельного микроскопа [18]; 4) SECO (ступенчатого торцевого среза) [31]; 5) анодирования переходов, изготовленных методами ЭЛЛ и напыления [32] и т.д.

Полупроводниковые структуры имеют следующие разновидности.

По материалам, образующим активную область, различают кремниевые структуры и структуры на основе полупроводников типа АШВУ По способу формирования активных областей среди кремниевых структур в свою очередь различают: 1) структуры, полученные в инверсионном слое кремниевого МОП полевого транзистора с двойным затвором [8, 33]; 2) структуры, сформированные на подложке кремний-на-изоляторе с использованием ЭЛЛ и реактивного ионного травления [9, 27, 34, 35]; 3) структуры на основе наноразмерных кремниевых кристаллов, полученных методом обработки в СВЧ плазме и используемых в качестве островков [26], и др. Как для кремниевых, так и для одноэлектронных структур на основе ОаАв существуют различные технологические методы их получения. Основным отличием этих методов является способ ограничения двумерного электронного газа (ДЭГ) в структурах, малые «лужицы» которого используются в качестве островков. В настоящее время известны следующие способы ограничения: 1) ограничение расщеплёнными барьерами Шоттки двумерного газа, формируемого в гетероструктуре ОаАз/АЮаАБ [11, 21]; 2) ЭЛЛ и реактивное ионное травление гетероструктуры ОаАв/АЮаАз для формирования областей истока, стока, канала и затворов [23]; 3) ЭЛЛ и вытравливание меза-структур в ОаАз/АЮаАБ и формирование барьеров Шоттки [36, 37]; 4) ограничение боковым затвором ДЭГ в 8-легированном слое ОаАв [13, 38]; 5) Ионно-лучевая имплантация ва в селективно-легированные гетероструктуры ваАз/АЮаАз или АЮаАзЛпОаАзЮаАз [24, 39] и т.д.

Далее авторы статьи рассматривают приборные структуры одноэлектроники по способам изготовления. Нас особенно интересуют полупроводниковые приборы. Рассмотрим несколько одноэлектронных структур, относящихся к полупроводниковым.

На рис. 2 представлен кремниевый одноэлектронный транзистор, сформированный в инверсионном слое МОП полевого транзистора с двойным затвором [8]. Нижний и верхний затворы получены методом ЭЛЛ и сухого химического травления. Нижний затвор (положительно смещённый) формирует

инверсионный канал, верхний затвор (отрицательно смещённый) -потенциальные барьеры. Рабочая температура прибора около 4,2 К.

Рис.2 Одноэлектронный транзистор, сформированный в инверсионном слое МОП полевого транзистора с двойным затвором [1].

К другой разновидности относится квантово-точечный транзистор. Он изготовлен на основе структуры кремний-на-изоляторе с использованием ЭЛЛ и реактивного ионного травления. Канал с островком сформированы в верхнем кремниевом слое подложки. В отличие от предыдущего прибора, данный транзистор имеет только один поликремниевый затвор, расположенный над каналом. В режиме туннелирования в структуре наблюдаются осцилляции тока в зависимости от напряжения на затворе по причине двух эффектов: квантового ограничения и одноэлектронного туннелирования, причём изготовлены были квантово-точечные транзисторы с каналом п- и р-типа проводимости. Рабочая температура п-канального транзистора - до 100 К, р-канального транзистора -до 81 К [41]. К этой же разновидности по методу изготовления относятся и другие приборы, например, одноэлектронная память [27, 42]. Структура этого прибора подобна структуре квантово-точечного транзистора (рис. 3), поэтому также относится к классу цепочек туннельных переходов. Её отличие от транзистора заключается в том, что в качестве островка выступает квантово-точечный кремниевый плавающий затвор. Хранение электрона на плавающем затворе приводит к экранированию канала от потенциала на управляющем затворе и сдвигу порогового напряжения. Известны различные методы получения плавающего затвора: осаждение и второй этап ЭЛЛ и реактивного

Upper gate

Lower gate

ионного травления [27], метод самосовмещения [42]. Этот прибор может работать при комнатной температуре.

Интенсивно разрабатываются и одноэлектронные полупроводниковые структуры на основе ОаАя. В этих структурах осуществляется ограничение ДЭГ в островки различными методами. По способу ограничения можно выделить несколько разновидностей таких структур.

Рис. 3 Квантово-точечный транзистор с поликремниевым затвором [1].

На рис. 4 показан прибор, представляющий собой двойной туннельный переход на основе гетероструктуры ОаАз/АЮаАБ [21]. В этом приборе ограничение ДЭГ в островки осуществляется посредством приложения напряжения к металлическим расщеплённым затворам Шоттки, расположенным на поверхности структуры. Двумерный электронный газ формируется на границе раздела слоёв ОэАб и АЮэАб, его плотность контролируется напряжением, приложенным к проводящей подложке. При подаче отрицательных напряжений на расщеплённые затворы происходит обеднение ДЭГ под ними. В результате в ДЭГ формируется канал с малыми сегментами (островками) между участками (барьерами) [43-45]. Рабочая температура прибора около 1 К. Другая разновидность может быть представлена транзистором на основе гетероструктуры ОаАэ/АЮаАз, в котором области затвора, стока, истока, островка и канала получены путём ЭЛЛ и реактивного ионного травления канавок в исходной пластине [24]. В результате такого технологического процесса происходит ограничение ДЭГ в этих областях. В отличие от прибора, изображённого на рис. 4, в такой структуре затворы лежат в одной плоскости с областями стока, истока и островка (планарные затворы).

Metal

2DEG

ж"

Рис. 4 Структура на основе ОаА$/АЮаА$ с расщеплённым затвором Шоттки [1].

GaAs

n" GaAs Substrate

Как одну из разновидностей

отмеченных структур можно рассматривать транзистор на основе ОаАз/АЮаАБ, изготовленный методом ЭЛЛ и жидкостного химического вытравливания меза-структуры и формирования затворов Шоттки [36]. ДЭГ формируется на границе раздела слоёв ОаАз и АЮэАб. На боковых стенках полученного при травлении канала с ДЭГ электрохимическим способом сформированы планарные затворы Шоттки. Напряжение, подаваемое на эти островки, обеспечивает ограничение ДЭГ в островки. Если в структуре с расщеплённым затвором (рис. 4) электрическое поле приложено перпендикулярно ДЭГ, то горизонтальное электрическое поле, вызванное напряжением на планарном затворе Шоттки, действует на электроны в направлении, параллельном ДЭГ, вызывая его сильное ограничение. Рабочая температура прибора - до 20 К. Существует ряд одноэлектронных структур с ДЭГ в 5-легированной пластине ОаАз. В таких структурах ДЭГ лежит выше 5-легированного слоя. Контуры структур (исток, сток, затворы и канал) очерчены методами ЭЛЛ и травления меза-структуры в пластине ОаАз с 5-легированным слоем. В результате прикладывания напряжения к боковым затворам, а также ввиду наличия примесей и шероховатостей границ в структуре происходит разделение канала с ДЭГ на ряд островков. Такие структуры относятся к классу цепочек туннельных переходов и могут использоваться при создании одноэлектронной памяти. Рабочая температура структур с ДЭГ в 8-легированной структуре ваАз около 4,2 К.

Таким образом, авторами работы [1] предложена классификация приборов наноэлектроники, работающих на основе эффекта одноэлектронного туннелирования. Большое количество известных в настоящее время одноэлектронных приборов может быть описано в рамках данной классификации. Авторы работы отмечают, что появившиеся структуры, которые можно отнести к функционально-интегрированным элементам или простейшим интегральным схемам, также могут быть классифицированы согласно приведённым ими принципам. Некоторые сложности могут возникнуть при описании приборных структур смешанного типа, которые функционируют на основе нескольких механизмов транспорта.

Важную роль в приложениях к оптоэлектронике играют теоретические и экспериментальные исследования оптических свойств полупроводниковых наноструктур с примесными центрами. В работе [46] экспериментально исследовались магнитооптические свойства D~ -центров в селективно-легированных кремнием GaAs/AlGaAs многоямных квантовых структурах (МКС) с помощью оптического возбуждающего лазера и внешнего магнитного поля, индукция которого достигала величины 21 Тл. Были изучены два образца 100 А-яма/100 А-барьер со 150 периодами (содержание алюминия 25%). Образы планарно легировались в середине каждой ямы и в 10 А перед границей соответственно, поверхностная концентрация примеси Si в яме составляла Ю10 см"2. Выявлено, что пик в спектре транспорта в магнитном поле связан с избытком электронов в квантовых ямах (КЯ). В спектре магнитофотопроводимости наблюдается ряд осцилляций, квазипериодичных с обратной зависимостью от величины внешнего магнитного поля.

В работе [47] проведён расчёт коэффициента поглощения света с использованием модели многофононных процессов [48, 49]. Как показывают экспериментальные исследования [50], энергия связи zr -центров в объёмных материалах мала и с ростом индукции магнитного поля увеличивается. Такое поведение энергии связи может быть хорошо описано в модели потенциала нулевого радиуса [51]. В размерно-ограниченных системах энергия связи с

ростом внешнего магнитного поля, как следует из экспериментальных данных, увеличивается; при £ = 0 Е1 «1 мэВ, при 5 = 20 Тл 7 мэВ. Уширение линий поглощения может быть связано только с неупругими процессами рассеяния электрона на фононах. Однако полуширина линий поглощения в этом случае для КЯ ОаАз/АЮаАэ составляет Д~1(Г3 мэВ, что значительно меньше экспериментальных данных [46]. На рис. 5 приведена частотная зависимость коэффициента поглощения света (в относительных единицах), определяемая переходами электронов из донорных состояний на уровни Ландау. Именно такая осцилляционная зависимость коэффициента поглощения света от частоты наблюдалась в ОаАз/А1о.250ао.75А8 МКС [52]. Наиболее активно происходит поглощение света при переходе электрона из связанного состояния донора на первый уровень Ландау. Экспериментальное значение полуширины Д=4.8 мэВ несколько отличается от рассчитанного авторами [47] (Д~3.4мэВ), что последние объясняют существованием ещё и неоднородного уширения, характерного для оптических свойств систем со многими КЯ. Следовательно, многофононный механизм уширения линий поглощения в магнитном поле является важным в одиночных КЯ и может оказаться существенным в многослойных структурах [47]. На рис. 6 показано сравнение теоретической и экспериментальной зависимостей энергии связи П~ -иона от величины внешнего магнитного поля, проведённое в работе [52]. Как видно, результаты вычислений меньше экспериментальных данных. По мнению авторов [52], это объясняется тем, что выбранная ими вариационная волновая функция В~ -состояния учитывает только радиальную корреляцию и не может описать угловую корреляцию между двумя электронами П~ -иона. В работе [53] рассчитан спектр магнитопоглощения £г -центров в квантовых ямах с учётом их взаимодействия с магнитной плазмой в условиях резонанса, когда расстояние между уровнями Ландау одного порядка с энергией кванта магнитоплазменных колебаний. Построена зависимость коэффициента поглощения V -центра от магнитного поля с учётом взаимодействия первого и второго уровней Ландау с верхней гибридной модой магнитоплазменных

колебаний и проведено сравнение с экспериментальными данными работы [46]. Результаты теоретических расчётов представлены на рис. 7 и 8.

Ш, теУ

Рис. 5 Частотная зависимость коэффициента поглощения света. Максимумы I, II, III, IV соответствуют переходам локализованных электронов на нулевой, первый и т.д. уровни Ландау соответственно. Пунктирная линия -частотная зависимость коэффициента поглощения, полученная в [52]. Рисунок взят из [47].

Magnetic field (Т)

Рис. 6. Зависимость энергии связи (сплошная линия) £)(_)-иона в КЯ от величины магнитного поля [52]. Незакрашенные кружки соответствуют экспериментальным значениям энергии связи [46].

Magnetic field, T

Рис.7 Спектр поглощения £> -центров при энергии фотона ксо = 17.58 мэВ, Ьсор =3.67 мэВ и а = 100 А. Римские цифры обозначают номер уровня Ландау,

на который происходит переход из основного состояния, а - полуширина А = 0.28 мэВ, 1 - Ы = 0.1, 2- N = 1; б - полуширина А = 4.8 мэВ, 1 - N = 0.01, 2-N = 0.5,3-N = 1 [53].

4 6 8

Magnetic field, T

Рис. 8 Зависимость коэффициента поглощения D~ -центра от величины магнитного поля с учётом взаимодействия первого и второго уровней Ландау с верхней гибридной модой магнитоплазменных колебаний, рассчитанная при энергии фотона hco = 17.58 мэВ, hcop = 2 мэВ, hGl0 = Ю2Х =1.64 мэВ, а - 100 А, и с использованием экспериментальных значений энергии связи [46, 53].

В работе [54] была предпринята попытка объяснить полученные в [46] экспериментальные результаты по зависимости энергии связи D' -центров в МКС от величины внешнего магнитного поля в модели потенциала нулевого радиуса для одиночной КЯ. Но оказалось (см. рис. 9), что, согласно расчётам, зависимость энергии связи от величины внешнего магнитного поля имеет линейный характер, в то время как экспериментально [46] установлено, что в МКС эта зависимость имеет резко нелинейный характер.

Рис. 9 Зависимость энергии связи Е2Х £Г-центра,

локализованного в точке Яа = (0,0,0), от величины магнитной индукции В в ЬСЯ на основе СаАя при |£\|=0.4 мэВ,

Ь —10 ям для различных значений амплитуды

потенциала С/о: 1 - С/о= 0.48 эВ, 2-и0 = 0.45 эВ, 3 - С/0 = 0.4 эВ [54]. Точками обозначены результаты эксперимента в селективно легированных структурах ОаАз/АЮаАз [46].

В обзоре [55] обсуждается современное положение дел в исследованиях локализованных и резонансных примесных состояний в квантово-размерных структурах и напряжённых полупроводниках. Рассмотрены также резонансные оптические переходы, вызванные взаимодействием с оптическими фононами. Проведён анализ различных методик расчёта как донорных, так и акцепторных резонансных и локализованных состояний, а также представлен большой набор экспериментальных данных. Примеси в полупроводниках могут являться причиной образования не только локализованных состояний, энергия которых лежит в запрещённой зоне, но и резонансных (или квазистационарных) состояний, энергии которых находятся в разрешённых зонах [55]. От обычных состояний непрерывного спектра резонансные состояния отличаются, прежде всего, большей амплитудой волновой функции около примесного центра.

О 5 10 15 20

В, Т

Резонансные состояния примесей в полупроводниках исследуются уже достаточно давно, и известно достаточно большое число их разновидностей. Например, в присутствии квантующего магнитного поля состояния мелкой примеси, сформированные из волновых функций подзон Ландау с большими циклотронными энергиями, попадают в непрерывный спектр более низких подзон и являются резонансными [56]. Другими хорошо известными примерами резонансных состояний являются примеси в узкощелевых или бесщелевых полупроводниках [57] и состояния глубоких примесей в полупроводниках А^В^ [58]. Обычно для появления резонансных примесей необходимо присутствие нескольких близких по энергии подзон Ландау, состояния зоны проводимости и валентной зоны в узкощелевых полупроводниках или состояния подзон размерного квантования в квантовых ямах (КЯ). В валентной зоне хорошо известны резонансные состояния мелких акцепторов, обусловленные присутствием спин-расщеплённой зоны [59]. Наконец, в ве под воздействием одноосной деформации, которая расщепляет зоны тяжёлых и лёгких дырок, также появляются резонансные состояния акцепторов [60]. Специфическими резонансными состояниями являются резонансные состояния примеси, появляющиеся в результате взаимодействия электронов с оптическими фононами, для обозначения которых часто используется термин «резонансы Фано» [61, 62]. В объёмных полупроводниках довольно сложно изменять свойства примесных состояний, включая и резонансные. Чаще всего это делают с помощью магнитного поля или деформации. В гетероструктурах с КЯ значительно проще управлять свойствами как локализованных, так и резонансных состояний, поскольку в этом случае свойства примесных состояний зависят от положения примеси относительно гетерограниц. Таким образом, гетероструктуры предоставляют возможность управления не только зонным, но и примесным спектрами.

В работе [55] рассмотрены состояния мелкого донора, расположенного в КЯ, имеющей несколько подзон размерного квантования. Примесные состояния возникают под каждой подзоной размерного квантования.

Примесные состояния под возбуждёнными зонами могут попадать в спектр нижележащих подзон. В этом случае из-за взаимодействия локализованных состояний и состояний непрерывного спектра волновые функции таких примесных состояний представляют собой суперпозицию волновых функций тех и других. Иначе говоря, локализованное состояние становится квазистационарным, поскольку у него появляется конечное время жизни. Взаимодействие локализованных состояний и состояний непрерывного спектра обусловлено кулоновским потенциалом донора, если это не запрещено симметрией. Например, если донор располагается точно в центре КЯ, то локализованные состояния, принадлежащие второй подзоне размерного квантования, не взаимодействуют с состояниями непрерывного спектра, принадлежащими первой подзоне размерного квантования, поскольку состояния этих подзон имеют разную чётность относительно отражения в плоскости, проходящей через середину КЯ. Если донор несколько смещён от середины КЯ, то взаимодействие возникает, и примесные уровни, принадлежащие второй подзоне, становятся резонансными.

В работе [55] также отмечается, что в полупроводниковых структурах типа дно зоны проводимости которых находится в центре зоны Бриллюэна, в приближении эффективной массы в объёмном прямозонном полупроводнике с параболическим законом дисперсии в зоне проводимости состояния донора характеризуются тремя атомными квантовыми числами: главным квантовым числом п, числом /, соответствующим полному моменту, и азимутальным числом /и, соответствующим проекции момента на ось г. При помещении донора в КЯ в результате понижения симметрии может частично сняться вырождение донорных уровней [55]. Для донора в КЯ сохраняется проекция полного момента на нормаль к плоскости КЯ. Состояния, отличающиеся только знаком проекции, будут иметь одинаковые энергии.

Авторами обзора показано, что чётным подзонам соответствуют состояния донора, у которых сферические функции характеризуются чётной разностью / -т, а нечётным - состояния с нечётной разностью. В работе приведён пример

расчёта спектра уровней мелкого донора и подзон размерного квантования в КЯ при расположении легирующего слоя в центре КЯ. Для гетероструктуры СаАз/АЬ.зСао.тАз с КЯ вариационным методом вычислялись функции основного и возбуждённых донорных состояний [63]. Результаты расчёта приведены на рис. 10. Видно, что при уменьшении ширины КЯ вырожденные по энергии уровни 2^, 2р± остаются под первой подзоной, а уровень 2ро оказывается привязанным ко второй подзоне размерного квантования. Таким образом, когда расстояние между уровнями размерного квантования становится сначала равным, а затем больше, чем энергия связи возбуждённого состояния донора, привязанного ко второй подзоне размерного квантования, это примесное состояние выходит в область непрерывного спектра первой подзоны. Несколькими годами позже в работе [64] было исследовано поведение донорных уровней в сверхрешётках при различных ширинах КЯ и барьеров, а также отмечено, что уровень 2р0 выходит в непрерывный спектр при ширинах КЯ, несколько меньших боровских радиусов В этой же работе вариационным методом был вычислен спектр энергий мелкого донора в сверхрешетках ОаАБ/АЬ.зОао.уАз. Несмотря на то, что в работе рассматривались сверхрешетки, широкие КЯ и барьеры (например, сверхрешетки с барьерами шириной 50 А и КЯ более 300 А) приводят к слабому перекрытию волновых функций, поэтому такая система качественно описывает и одиночную КЯ, легированную мелкими донорами.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Губин, Тихон Александрович, 2013 год

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ

ИСТОЧНИКОВ

1. Абрамов И.И. Классификация приборных структур одноэлектроники. / Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Физика и техника полупроводников - 1999 - Т. 33 -вып. 11-С. 1388-1394.

2. Averin D.V. Coherent oscillations in small tunnel junctions / Averin D.V., Likharev K.K. // JETP - 1986 - Vol. 63 - №2 - C. 427-432.

3. Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures, ed. by H. Grabert et M.H. Devoret. NATO ASI Series B: Physics (Plenum, N.Y., 1992) - v.294.

4. Special Issue on Single Charge Tunneling, ed. by H. Grabert - Z. Physik В -1991-V.85 -№3.

5. Алфёров Ж.И. История и развитие полупроводниковых гетероструктур // Физика и техника полупроводников -1998 - Т. 32 - вып. 3 - С. 3-18.

6. Richardson W.H. Possibility of a single electron tunneling diode and a controllable saturated tunneling current // Appl. Phys. Lett. 71,1113 (1997)

7. Lafarge P. Direct observation of macroscopic charge quantization / P. Lafarge, H. Pothier, E.R. Williams, D. Esteve, C. Urbina, M.H. Devoret. Z. Phys. B, 85, 327, (1991)

8. Kimura H. Sawtooth stabilization experiments by ICRF heating alone and its combination with NBI or LCHD in JT-60U / H. Kimura, M. Matsuoka, T. Fuji, M. Sato, K. Hamamatsu, T. Kondoh, S. Moriyama, M. Saigusa, H. Takeuchi, K. Ushigusa and D.J. Campbell // AIP Conf. Proc. - 1994 - Vol. 289 - p. 52.

9. E. Leobandung, L. Guo, Y. Wang, S.Y. Chou. // Appl. Phys. Lett., 67, 938 (1995)

10. Tsukaghoshi K. Operation of logic function in a Coulomb blockade / K. Tsukaghoshi, B.W. Alphenaar and K. Nakazato. // Appl. Phys. Lett., 73, 2515 (1998)

11. Kouwenhoven L.P. Photo-induced absolute negative current in a molecular electronic. / L.P. Kouwenhoven, A.T. Johnson, N.C. van der Vaart, A. van der Enden,

C.J.P.M. Harmants, C.T. Foxon. //Z. Phys. B, 85, 381 (1991)

12. L.E. Geerlings, V.F. Anderegg, P.A.M. Holweg, J.E. Mooij, H. Pothier,

D. Esteve, C. Urbina, M.H. Devoret. Phys. Rev. Lett., 64,2691 (1990)

13. Nakazato K. Single electron memory / K. Nakazato, R.J. Blaikie, H. Ahmed. // J. Appl. Phys., 75, 5123 (1994).

14. N. Muira, N. Yoshikawa, M. Sugahara. Appl. Rev. Lett., 67, 3969 (1995).

15. Абрамов И.И. Моделирование квантовых проволок на различных материалах с использованием формализма функций Вигнера // Известия Белорусской инженерной Академии, №2 (6)/2, 4 (1998)

16. Zimmerli G. Voltage gain in the single electron transistor / G. Zimmerli, R. L.Kautz, J.M. Martinis //Appl. Phys. Lett., 61, 2616, (1992)

17. Fulton T.A. New approach to electron beam lithography T.A. Fulton, G.J. Dolan Phys. Rev. Lett., 59,109, (1987)

18. K. Matsumoto, M. Ishii, K. Segawa, Y. Oka, B.J. Vartanian, J.S. Harris Appl. Phys. Lett., 68, 34 (1996)

19. Bar-Saveh E. Single electron tunneling effects in granular metal films / E. Bar-Saveh, Y. Goldstein, C. Zhang, H. Deng, B. Abeles, O. Millo. // Phys. Rev. B, 50, 8951(1994)

20. Sato T. Observation of a Coulomb staircase in electron transport through a molecularly linked chain of gold colloidal particles / T. Sato, H. Ahmed, D. Brown, B.F.G. Johnson. //J. Appl. Phys., 82, 696, (1997)

21. Meirav U. Single electron charging and periodic conductance resonances in a GaAs nanoctructures / U. Meirav, M.A. Kastner, S.J. Wind. // Phys. Rev. Lett. 65, 771 (1990)

22. Wang Y. Observation of bias induced resonant tunneling peak splitting in a quantum dot / Y. Wang, S. Y. Chou //Appl. Phys. Lett., 64, 309 (1994)

23. Pothier H. Realization of an in plane gate single electron transistor / H. Pothier, J. Weis, R.J. Haug, K. v. Klitzing. //Appl. Phys. Lett., 62, 3174 (1993)

24. Fujisawa Т. Many-body excitations in tunneling current spectra of a few-electron quantum dot / T. Fujisawa, S. Tarucha. // Appl. Phys. Lett., 68,526 (1996)

25. Ohata A. Reduction of operating voltage in organic light-emitting diode by corrugated photonic crystal structure / A. Ohata, A. Toriumi, K. Uchida. // Jpn. J. Appl. Phys., 36, 1686, (1997)

26. A. Dutta, M. Kimura, Y. Honda, M. Otobe, A. Itoh, S. Oda. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 4038, (1997).

27. Chou S.Y. Single electron Coulomb blockade in a nanometer fieldeffect transistor with a single barrier / Stephen Y. Chou and Yun Wang Appl. Phys. Lett. 61 , 1591 (1992).

28. Paul D.J. Coulomb blocade in silicon based structures at temperatures up to 50 К/ D.J. Paul, J.R.A. Cleaver, H. Ahmed, Т.Е. Wall. // Appl. Phys. Lett., 63, 631 (1993).

29. Солдатов E.C. Одноэлектронный транзистор на основе одиночной кластерной молекулы при комнатной температуре / Е.С. Солдатов, В.В. Ханин, A.C. Трифонов, С.П. Губин, В.В. Колесов, Д.Е. Преснов, С.А. Яковенко, Г.Б. Хомутов // Письма ЖЭТФ - 1996 - 64 - Вып. 7 - С. 510.

30. Götz М. Preparation of self-aligned in-line tunnel junctions for applications in single-charge electronics / M. Götz, К. Blüthner, W. Krech, A. Nowack, H.-J. Fuchs, E.-B. Kley, P. Thieme, Th. Wagner, G. Eska, K. Hecker, H. Hegger. // J. Appl. Phys., 78, 5499 (1995).

31. Altmeier S. A new concept for the design and realization of metal based single electron devices: Step edge cut-off /S. Altmeier, B. Spandenberg, H. Kurz. // Appl. Phys. Lett., 67,569 (1995).

32. Nakamura Y. A1/A1203/A1 single electron transistors operable up to 30 К utilizing anodization controlled miniaturization enhancement / Y. Nakamura, D.L. Klein, J.S. Tsai. // Appl. Phys. Lett., 68, 275 (1996).

33. H. Matsuoka, T. Ishiguchi, T. Yoshimura, E. Takeda. Appl. Phys. Lett., 64, 586 (1994).

34. Smith R.A. Gate controlled Coulomb blockade effects in the conduction of a silicon quantum wires/ R.A. Smith, H. Ahmed. // J. Appl. Phys., 81, 2699 (1997).

35. Ali D. Coulomb blockade in a silicon tunnel junction device / D. Ali, H. Ahmed. // Appl. Phys. Lett., 64,2119 (1994).

36. Jinushi K. Novel GaAs-based single electron transistors with Schottky in-plane gates operating up to 20 K / K. Jinushi, H. Okada, T. Hatsizume, H. Hasegawa. / Jpn. J. Appl. Phys., 35, 1132 (1996).

37. Nagamune Y. Single electron transport and current quantization in a novel quantum dot structure / Y. Nagamune, H. Sakaki, L.P. Kouwenhoven, L.C. Mur, C.J.P.M. Harmans, J. Motohisa, H. Noge. //Appl. Phys. Lett., 64, 2379 (1994).

38. K. Nakazato, T.J. Thornton, J. Withe, H. Ahmed. Appl. Phys. Lett., 61, 3145 (1992).

39. Bever T. Strong negative transconductance in in-plane-gate transistors written by focused-ion-beam implantation /T. Bever, Y. Hirayama, S. Tarucha. // Appl. Phys. Lett., 75, 7573 (1994).

40. K.-H. Park, J.S. Ha, W.S. Yun, M. Shin, K.-W. Park, E.-H. Lee. //Appl. Phys. Lett., 71, 1469 (1997)

41. Leobandung E. Single hole quantum dot transistor in silicon/ E. Leobandung, L. Guo, S.Y. Chou. //Appl. Phys. Lett., 67, 2338 (1995).

42. A. Nakajima, T. Futatsugi, K. Kosemura, T. Fukano, N. Nokoyama. Appl. Phys. Lett., 70, 1742 (1997)

43. Crouch C.H. Evolution of the Coulomb gap in tunnel coupled quantum dots / C.H. Crouch, C. Livermore, R.M. Westervelt, K.L. Campman, A.C. Gossard. // Appl. Phys. Lett., 71, 817 (1997)

44. Blick R.H. Single electron tunneling through a double quantum dot: The artificial molecule / R.H. Blick, R.J. Haug, J. Weis, D. Pfannkuche, K. v. Klitzing, K. Eberl. //Phys. Rev. B, 53, 7899 (1996).

45. Special Issue. Scanning Tunneling Microscopy, ed. by S. Hosok et al. Jpn. J. Appl. Phys., 36, Part. 1, No6B, (1997)

46. Huant S. Two-dimensional D~ -Centers / S. Huant, S.P.Najda, B. Etienne 11 Phys. Rev. Lett. - 1990 -V. 65 -№12 - P. 1486-1489.

47. Синявский Э.П. Особенности примесного поглощения света в размерно-ограниченных системах / Э.П. Синявский, С.М. Соковнич // Физика и техника полупроводников - 2000 - Т. 34 - Вып. 7 - С. 844-845.

48. Ю.Е. Перлин. Современные методы теории многофононных процессов // УФН, 80, 553, (1963).

49. В.А. Коварский. Многоквантовые переходы. Кишинёв, Штиинца, 1974.

50. Taniguchi М. Isolated D~ -states and D~ -complexes in Germanium in magnetic fields /М. Taniguchi, S.-I. Narito // J. Phys. Soc. Japan, 47,1503 (1979).

51. Sinyavskiy E. P. Energy of the bound state in a parabolic quantum well in magnetic and electric fields / E. P. Sinyavskiy, S.M. Sokovnich, E.I. Pasechnik // Phys. St. Sol. (b), 209, 55 (1998)

52. FujitoM. Magneto-optical absorption spectrum of a Z>"-ion in a GaAs-Gao.75Alo.25As quantum well. / M. Fujito, A. Natori, H. Yasunaga // Phys. Rev. В -1995-Vol. 51-№7-p. 4637-4640.

53. Юпоканов А.А. Плазменные эффекты в магнитопоглощении D~ -центров в квантовых ямах / А.А. Юпоканов, В. Гурэу, И. Санду // Физика твёрдого тела -2004-Т. 46-Вып. 9-С. 1695-1699.

54. Кревчик В.Д. Магнитооптика квантовых ям с D~ -центрами / В.Д. Кревчик, А.Б. Грунин, Вас.В. Евстифеев // Физика и техника полупроводников - 2006 - Т. 40 - Вып. 6 - С. 689-694.

55. Алёшкин В.Я. Примесные резонансные состояния в полупроводниках. Обзор. / В.Я. Алёшкин, Л.В. Гавриленко, М.А. Одноблюдов, И.Н. Яссиевич // Физика и техника полупроводников - 2008 - Т. 42 - Вып. 8 - С. 899-922.

56. Голубев В.Г. Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний в полупроводниках / В.Г. Голубев, В.И. Иванов-Омский, А.В. Осутин, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева // Физика и техника полупроводников, 22, 1416 (1988).

57. Цидильковский И.М. Бесщелевые полупроводники с магнитными примесями, образующие резонансные донорные состояния // УФН - 1992 -Т.162 - С.63-105.

58. Кайданов В.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AwBYl / В.И. Кайданов, Ю.И. Равич // УФН, 145,51 (1985)

59. Ramdas А.К. Zeeman effect of electronic Raman lines of acceptors in elemental semiconductors: Boron in blue diamond / Hyunjung Kim, Zdenka Barticevic, M. Grimsditch, T. R. Anthony. A. K. Ramdas, and S. Rodriguez // Physical Review B, 2000-11, 15 September - Volume 62 - Number 12 - pp. 80388052.

60. Алтухов В.И. Резонансные состояния акцепторов и стимулированное терагерцовое излучение одноосно деформированного германия / И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королёв, М.А. Одноблюдов, В.П. Синие, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. // ЖЭТФ - 1999 - Т.115 - вып. 89 - С. 89-100.

61. Алёшкин В.Я. Поляризационная зависимость резонансов Фан о в примесной фотопроводимости квантовых ям, легированных мелкими донорами / В.Я. Алёшкин, А.В. Антонов, М.С. Жолудев, В.Ю. Паневин, JI.E. Воробьёв, Д.А. Фирсов, А.П. Васильев, А.Е. Жуков // Физика твёрдого тела - 2011 - Т. 53 -вып. 6-С. 1188-1197.

62. Алёшкин В.Я. Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами. / В.Я. Алёшкин, А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, JI.B. Гавриленко, Б.Н. Звонков. // Физика твёрдого тела - 2008 -Т. 50-Вып. 7-С. 1162-1165.

63. Greene R.L. Binding energies of Wannier excitons in GaAs-Gai.xAlxAs quantum-wells structures in a magnetic field / R. L. Greene, K.K. Bajaj. // Phys. Rev. B, 31, 4006 (1985).

64. Helm M. Far-infrared spectroscopy of minibands and confined donors in GaAs/Gai.xAlxAs superlattices / M. Helm, F.M. Peeters, F. deRosa, E. Colas, J.P. Harbison, L.T. Florez. //Phys. Rev. B, 43, 13 983 (1991)

65. Blom A. Resonant states induced by impurities in heterostructures / A. Blom, M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, K.A. Chao. //Phys. Rev. B, 65, 155 302 (2002)

66. Yassievich I.N. Configuration interaction applied to resonant states in semiconductors and semiconductor nanostructures / I.N. Yassievich, A. Blom, A.A. Prokofiev, M.A. Odnoblyudov, K.A. Chao. //PhysicaB, 308-310, 1129-1132 (2001).

67. Blom A. Donor states in modulation-doped Si/SiGe heterostructures / A. Blom, M.A. Odnoblyudov, K.A. Chao, I.N. Yassievich. // Phys. Rev. B, 68, 65 338, 2003

68. Monozon B.S. Impurity centers in a semiconductor quantum ring in the presence of crossed magnetic and electric field / B.S. Monozon, P. Schmelcher // Phys. Rev. B, 71, 085 302, (2005)

69. Yen S.T. Resonant hydrogenic impurity states and Is - 2p0 transitions in coupled double quantum wells //Phys. Rev. B. 68, 165 331 (2003)

70. V. Ya. Aleshkin. / V. Ya. Aleshkin, L.V. Gavrilenko. // Proc. 12th Int. Symp. (Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia, July 25-30, 2004), P. 103.

71. Алёшкин В.Я. Примесное поглощение света с участием резонансных состояний мелких доноров в квантовых ямах. / В.Я. Алёшкин, Л.В. Гавриленко. // ЖЭТФ - 2004 - Т. 125 - вып. 6 - С. 1340-1348.

72. Белявский В.И. Энергия связи мелких доноров в асимметричных системах квантовых ям. / В.И. Белявский, М.В. Гольдфарб, Ю.В. Копаев, С.В. Швецов. // Физика и техника полупроводников - 1997 - Т.31 - Вып. 3 - С. 302307.

73. Чаплик В.А. Заряженные примеси в сверхтонких слоях / В.А. Чаплик, М.В. Энгин // ЖЭТФ, 61, №6 - 2496 (1972).

74. A.A. Gorbatsevich, V.V. Kapaev, Yu.V. Kopaev, V.Yu. Kremlev. Phys. Low-Dim. Struct., 5, 57 (1994).

75. Белявский В.И. Эффект изменения энергии ионизации примесей при передислокации волновых функций в системе квантовых ям / В.И. Белявский, Ю.В. Копаев, Н.В. Корняков, С.В. Швецов. //ПисьмаЖЭТФ - 1995 - Вып. 61 -С. 1010-1012.

76. Галкин Н.Г. Внутризонное поглощение электромагнитного излучения квантовыми наноструктурами с параболическим потенциалом конфайнмента /

H.Г. Галкин, В.А. Маргулис, А.В. Шорохов // Физика твёрдого тела - 2001 - Т. 43-вып. 3-С. 511-519.

77. Орлова Е.Е. Влияние локализации в квантовой яме на время жизни состояний мелких примесных центров / Е.Е. Орлова, P. Harrison, W.-M. Zheng, М.Р. Halsall // Физика и техника полупроводников - 2005 - Т. 39 - вып. 1 -С. 67-70.

78. Pavlov S.G. Stimulated emission from donor transitions in silicon / S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Huebers, K. Auen, H. Riemann. // Phys. Rev. Lett., 84, 5220 (2000).

79. Odnoblyudov M.A. Population inversion induced by resonant states in semiconductors / M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, M.S. Kagan, Yu.M. Galperin, K.A. Chao. //Phys. Rev. Lett., 83, 644 (1999).

80. Zheng W.-M. Effect of quantum confinement on shallow acceptor transitions in 6-doped GaAs/ALAs multiple-quantum wells // W.-M. Zheng, M.P. Halsall, P. Harmer, P. Harrison, M.J. Steer. J. Appl. Phys., 92, 6039 (2002)

81. W.-M. Zhang, M.P. Halsall, P. Harmer, P. Harrison, J.-P.R. Wells,

I.V. Bradley, M.J. Steer. Phys. Status Solidi (b), 235, 54 (2003)

82. Halsall M.P. Picosecond far-infrared studies of intra-acceptor dynamics in bulk GaAs and 5-doped ALAs/GaAs quantum wells / M.P. Halsall, P. Harrison, J.-P.R. Wells, I.V. Bradley, H. Pellemans. //Phys. Rev. B, 63,155 314 (2001).

83. C.B. Мешков Плазменные колебания в сверхрешётке в присутствии сильного электрического поля. // ФТТ - 1979 - Т. 21 - С. 114.

84. Кревчик В.Д. Модель полимерной молекулы в квантовой проволоке при наличии внешнего продольного магнитного поля. / В.Д. Кревчик, А.В. Разумов, В.А. Гришанова // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2010. - №2 - С. 105-116.

85. Кревчик В.Д. Магнитооптические свойства молекулярного иона D~ в квантовой нити // В.Д. Кревчик, А.Б. Грунин, A.A. Марко // Физика твёрдого тела - 2004 - Т. 46 - вып. 11 - С. 2099-2103.

86. Жуковский В.Ч. Термы молекулярного иона D~ в продольном магнитном поле / В.Ч. Жуковский, В.Д. Кревчик, A.A. Марко, М.Б. Семёнов, А.Б. Грунин // Вестник МГУ. Сер. Физика. Астрономия - 2004 - №5 - С.7-10.

87. Жуковский В.Ч. Изучение управляемости туннелирования в структурах типа «квантовая точка - квантовая яма» или «квантовая молекула» / В.Ч. Жуковский, Ю.И. Дахновский, В.Д. Кревчик, М.Б. Семёнов, В.Г. Майоров, Е.И. Кудряшов, К. Yamamoto // Вестник МГУ. Серия 3: Физика. Астрономия - 2006 - №3 - С. 24-27.

88. Shur M.S. Introduction to electronic devices / M.S. Shur. - New York: Wiley.- 1995-577 p.

89. Кревчик В.Д. Фотолюминесценция квантовой молекулы с резонансным u-состоянием £>~-центра во внешнем электрическом поле при наличии диссипативного туннелирования / В.Д. Кревчик, А.Б. Грунин, В.А. Рудин // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2012. - №3 (23). - С. 154-161.

90. Кревчик В.Д. Влияние магнитного поля на оптические свойства квантовых молекул с резонансными донорными состояниями / В.Д. Кревчик, A.B. Калинина, E.H. Калинин, М.Б. Семёнов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2011. -№3(19).-С. 114-134.

91. Кревчик В.Д. Управляемое диссипативное туннелирование. Туннельный транспорт в низкоразмерных системах (монография) / В.Д. Кревчик, А.К. Арынгазин, В.А. Бендерский, Ю.И. Дахновский, X. Деккер, Ю.Н. Овчинников, М.Б. Семёнов, К. Ямамото, А.И. Тернов // Москва, Изд-во Физматлит. — 2011 — С. 288-295.

92. Кревчик В.Д. Влияние диееипативного туннелирования на энергию связи и оптические свойства квазистационарных D~ -состояний в квантовой молекуле. / В.Д. Кревчик, А.В. Калинина, Е.Н. Калинин, М.Б. Семёнов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2011 -№1 (17) - С. 126-139.

93. Бейтмен Г., Эрдейи А.. Высшие трансцендентные функции. - М.: Наука, 1973, Т.2.

94. Градштейн И.С., Рыжик И.М. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. —М.: Физматгиз, 1962.

95. Имамов Э.З. Особенности поглощения света глубокими примесными центрами в тонких полупроводниковых слоях / Э.З.Имамов, В.Д. Кревчик // ФТП - 1983 - Т. 17 - №7 _ с. 1235.

96. Кревчик В.Д. Эффект увлечения одномерных электронов при фотоионизации D~ -центров в продольном магнитном поле / В.Д. Кревчик, А.Б. Грунин // ФТТ - 2003 - Т.45 - Вып. 7 - С. 1272.

97. Гришанова В. А. Особенности эффекта фотонного увлечения электронов в двумерной ленте, свёрнутой в спираль, и в квантовой проволоке с примесной зоной в магнитном поле. Автореферат на соискание степени кандидата физ.-мат. наук - Саранск - 2010.

98. Гейлер В.А. Проводимость квантовой проволоки в продольном магнитном поле / В.А. Гейлер, В.А. Маргулис, Л.И. Филина // ЖЭТФ - 1998 -Т. 113-С. 1377-1396.

99. Caldeira А.О. Influence of dissipation on quantum tunneling in macroscopic systems / Caldeira A.O., Leggett A.J. // Phys. Rev. Lett. - 1981. - Vol. 46, N 4. - P. 211-214.

100. Affleck I. Quantum-statistical metastability // Phys. Rev. Lett. - 1981. - Vol. 46, N6.-P. 388-391.

101. Wolynes P. G. Quantum theory of activated events in condensed phases // Phys. Rev. Lett. - 1981. - Vol. 47, N 13. -P. 968-971.

102. Langer J.S. Theory of the condensation point // Ann. of Phys. - 1967. - Vol. 41, N1.-P. 108-157.

103. Ларкин А.И. Квантовое туннелнрованне с диссипацией / Ларкин А.И., Овчинников Ю.Н. // Письма в ЖЭТФ. - 1983. - Т. 37, N 7., - С. 322-325.

104. Larkin A.I., Ovchinnikov Yu.N. Decay of the supercurrent in tunnel junctions.

- Preprint Istituto di Cibernetica del Consiglo Nazionalle delle Ricerche Arco Felice (Napoli). - 1983. -23 P.

105. Ларкин А.И. Квантовомеханическое туннелирование с диссипацией. Предэкспоненциальный множитель / Ларкин А.И., Овчинников Ю.Н. // ЖЭТФ.

- 1984. - Т. 86, N 2., - С. 719-726.

106. Ларкин А.И., Овчинников Ю.Н. Затухание тока в сверхпроводящих контактах при неравновесной функции распределения электронов // ЖЭТФ. -1984. - Т. 87, N 5(11)., - С. 1842-1856.

107. Ларкин А.И. Квантовая локализация в нерегулярных системах разной мерности (макроскопическое квантовое туннелирование с диссипацией). - М.: изд-во МИФИ, 1985. - 40 С.

108. Мельников В.И., Мешков С.В. О броуновском движении квантовых частиц // Письма в ЖЭТФ. - 1983. - Т. 38, N 3., - С. 111-113.

109. Larkin A.I., Ovchinnikov Yu.N. Decay of the supercurrent in tunnel junctions / Phys. Rev. - 1983. - Vol. В 28, N 11. - P. 6281-6285; Ларкин А.И., Овчинников Ю.Н. Влияние квантования уровней на время жизни метастабильных состояний //ЖЭТФ. - 1986. - Т. 91, N 1(7)., - С. 318-325.

110. ИвлевБ.И. Туннельно-активационное движение струны через потенциальный барьер / Ивлев Б.И., Мельников В.И. // ЖЭТФ. - 1986. - Т. 91, N5(11).,-С. 1944-1954.

111. Ивлев Б.И. Распад метастабильных состояний при наличии близких подбарьерных траекторий / Ивлев Б.И., Овчинников Ю.Н. // ЖЭТФ. - 1987. -Т. 93, N2(8).,-С. 668-679.

112. Grabert Н. Thermal enhancement of the quantum decay rate in a dissipative system / Grabert H., Weiss U. // Z. Phys. - 1984. - Vol. В 56, N 2. - P. 171-183.

113. Caldeira A.O. Quantum tunnelling in a dissipative system / Caldeira A.O., Leggett A.J. //Ann. ofPhys. - 1983. - Vol. 149, N 2. - P. 374-456.

114. Мельников В.И. Активационно-туннельный распад метастабильных состояний // ЖЭТФ. - 1984. - Т. 87, N 2(8)., - С. 663-673.

115. Dekker Н. Classical and quantum mechanics of the damped harmonic oscillator //Phys. Repts. - 1981. - Vol. 80, N 1. - P. 1-112; Dekker H. Dissipative quantum mechanics. A proof of dynamical consistency. // Physica. A. - 1987. - Vol. 144.-P. 445-452.

116. Dekker H. Quantum coherence and tunneling in a double-well potential in a thermal environment: Dynamics of the weakly coupled spin-boson system. // Physica. A. - 1987. - Vol. 144. - P. 453-480.

117. Dekker H. Multisite spin hopping analysis of multilevel dissipative quantum tunneling and coherence at finite temperatures. I. General Theory. // Physica. A. -1991.-Vol. 175.-P. 485-527,

118. Leggett A.J. Quantum tunneling in the presence of an arbitrary linear dissipation mechanism // Phys. Rev. - 1984. - Vol. В 30, N 3. - P. 1208-1218.

119. СумецкийМ.Ю. Неупругое туннелирование частицы, взаимодействующей с колебаниями // ЖЭТФ. - 1985. - Т. 89, N 2(8)., - С. 618634.

120. Овчинников Ю.Н. Динамика частицы в двухъямном потенциале // ЖЭТФ. - 1988. - Т. 94, N 5., - С. 365-375.

121. Ивлев Б.И. О динамике частицы в двухъямном потенциале // ЖЭТФ. -1988. - Т. 94, N 7., - С. 333-343.

122. Туннельные явления в твердых телах / Под ред. Э. Бурпггейна и С. Лундквиста / Пер. с англ. - М.: Мир, 1973. - 422 С.

123. Кожушнер М.А. Туннельные явления. - М.: Изд-во «Знание», 1983. - 64 С.

124. Белл Р. Протон в химии / Пер. с англ. - М.: Мир, 1977. - 384 С.

125. Чернавская Н.М., Чернавский Д.С. Туннельный транспорт электронов в фотосинтезе. - М.: Изд-во Моск. ун-та, 1977. - 176 С.

126. Bell R.P. The tunnel effect in chemistry.-L.-N.Y.: Chapman and Hall, 1980. -222 P.

127. Замараев К.И., Хайрутдинов Р.Ф., Жданов В.П. Туннелирование электрона в химии. - Новосибирск: Изд-во «Наука», Сибирское отделение, 1985.-318 С.

128. Гольданский В.И., Трахтенберг Л.И., Флеров В.Н. Туннельные явления в химической физике. - М.: Наука, 1986. - 296 С.

129. Инстантонная азбука / Вайнштейн А.И., Захаров В.И., Новиков В.А., Шифман М.А. // УФН. - 1982. - Т. 136, N 4., - С. 553-591.

130. Раджараман Р. Солитоны и инстантоны в квантовой теории поля / Пер. с англ. -М: Мир, 1985.-416 С.

131. Coleman S. The uses of instantons // The ways of subnuclear physics/ Ed. By A. Zichichi. - L„ N.Y.: Plenum press, 1979. - P. 805-941.

132. Фейнман P., Хибс А. Квантовая механика и интегралы по траекториям / Пер с англ. -М.: Мир, 1968. - 384 С.

133. Глазман Л.И. Неупругое туннелирование через тонкие аморфные пленки / Л.И. Глазман, К.А. Матвеев// ЖЭТФ. - 1988. - Т. 94, N 6., - С. 332-343.

134. Тернов И.М., Жуковский В.Ч., Борисов А.В. Квантовая механика и макроскопические эффекты. -М.: изд-во МГУ, 1993. -198 С.

135. Жуковский В.Ч., Кревчик В.Д., Семенов М.Б., Тернов А.И. Квантовые эффекты в мезоскопических системах. Ч. I. Квантовое туннелирование с диссипацией. - М.: изд-во физического ф-та МГУ, 2002. - 108 С.

136. Benderskii V.A., Makarov D.E., Wight С.А. Chemical Dynamics at Low Temperatures, Willey-Interscience, New York, 1994.

137. Benderskii V.A. Semiclassical approach to states near the potential barrier top. / Benderskii V.A., Vetoshkin E.V., Kats E.I. // Zh. Eksp. Teor. Fiz. (Russian). -2002. - Vol. 122, N 4. - P. 746-764.

138. Овчинников Ю.Н. Проводимость гранулированных металлических пленок// ЖЭТФ - 2007. Т. 131, № 2, С. 286-290.

139. Овчинников А.А. Принципы управляемой модуляции низкоразмерных структур (монография) / А.А Овчинников, Ю.И. Дахновский, В.Д. Кревчик, М.Б. Семенов, А.К. Арынгазин // Москва, изд-во УНЦ ДО. - 2003. - 510 с.

140. Aringazin А.К. Two-dimensional tunnel correlations with dissipation/ А.К. Aringazin, Yu.I. Dahnovsky, V.D. Krevchik, M.B. Semenov, A.A. Ovchinnikov, K. Yamamoto // Physical Review B. - 2003. V. 68. P. 155426-1 -155426-12.

141. Transfer processes in low-dimensional systems: Сб. статей; Под ред. Ю.И. Дахновского, В.Д. Кревчика, В.Я. Кривнова, М.Б. Семенова, К. Yamamoto. - UT Research Institute Press, Tokyo, Japan, 2005. - 690 p.

142. Управляемое диссипативное туннелирование (коллективная монография, посвященная памяти академика РАН А.И. Ларкина, под редакцией Нобелевского лауреата Э. Леггетта, при редакционном участии В.Д. Кревчика, М.Б. Семенова, К. Ямамото и др.), Часть 1, 2, Издательство физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова, 2009.

143. Каган Ю. О туннелировании с «диссипацией» / Каган Ю., Прокофьев Н.В. // Письма в ЖЭТФ. - 1986. - Т. 43. - № 9. - С. 434-437.

144. Benderkii V.A. Effect of molecular motion on low-temperature and other anomalously fast chemical reactions in the solid phase / Benderkii V.A., Goldanskii V.I., Ovchinnikov A.A. // Chem. Phys. Lett. - 1980. - V. 73. - № 3. - P. 492-495.

145. Benderskii V.A. Competing tunneling trajectories in a 2D potential with variable topology as a model for quantum bifurcations / V.A. Benderskii, E.V. Vetoshkin, E.I. Kats, H.P. Trommsdorff// Phys. Rev. E. - 2003. - V. 67. - P. 026102.

146. Kiselev M.N. Resonance Kondo tunneling through a double quantum dot at finite bias / Kiselev M.N., Kikoin K., Molenkamp L.W. // Phys. Rev. B. - 2003. - V. 68.-P. 155323.

147. ХанинЮ.Н. Резонансное Г-Х - туннелирование в однобарьерных гетероструктурах GaAs/AlAs/GaAs / Ханин Ю.Н., Вдовин Е.Е.,

Дубровский Ю.В. // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38, вып. 4. - С. 436-447.

148. Овчинников А.А., Дахновский Ю.И., Кревчик В.Д., Семенов М.Б., Арынгазин А.К. Принципы управляемой модуляции низкоразмерных структур (монография). Москва, изд-во УНЦ ДО. 2003. 510 С.

149. Бурдов В.А. Динамический контроль электронных состояний в двойной квантовой точке в условиях слабой диссипации / Бурдов В.А., Соленов Д.С. // ЖЭТФ. - 2004. - Т. 125. - вып. 3. - С. 684-692.

150. Дахновский Ю.И., Овчинников А.А., Семенов М.Б. Низкотемпературные химические реакции как туннельные системы с диссипацией // ЖЭТФ. 1987. Т. 92. вып. 3. С. 955-967; Dahnovsky Yu.I., Semenov М.В. Tunneling of two interacting particles: Transition between separate and cooperative tunneling// Journal of Chemical Physics, volume 91, num. 12, P. 7606 - 7611 (1989).

151. Aringazin A.K., Dahnovsky Yu.I., Krevchik V.D., Semenov M.B., Ovchinnikov A.A., Yamamoto K. Two-dimensional tunnel correlations with dissipation // Physical Review B. 2003. V. 68. P. 155426-1 - 155426-12; Aringazin

A.K., Dahnovsky Yu.I., Krevchik V.D., Semenov M.B., Ovchinnikov A.A., Veremyev V.A. and Yamamoto K., Hadronic Journal, volume 27, num. 2, pp. 115150 (2004).

152. Ларкин А.И. Квантовое туннелирование с диссипацией / Ларкин А.И., Овчинников Ю.Н. // Письма в ЖЭТФ. - 1983. - Т. 37, N 7. - С. 322 - 325.

153. Caldeira А.О. Quantum tunnelling in a dissipative system / Caldeira А.О., Leggett A. J. // Ann. of Phys. - 1983. - Vol. 149, N 2. - P. 374-456.

154. Dakhnovskii Yu.I. Absolute negative resistance in double - barrier heterostructures in a strong laser field / Yu.I. Dakhnovskii, Metiu Horia. // Phys. Rev.

B. - 1995. - Vol. 51, N 7. - P. 4193-4199; York J.T. Control of electron current by double-barrier structures using pulsed laser fields / J.T. York, R.D. Coalson, Yu. Dahnovsky // Phys. Rev. B. - 2002. - Vol. 65. - P. 235321-1 - 235321-8.

155. Benderskii V.A., Makarov D.E., Wight C.A. Chemical Dynamics at Low Temperatures. - Willey-Interscience, New York. - 1994. - 385 P.; Weiss U. Quantum dissipative systems. - World scientific pub., Singapore. - 1993. - 235 P.

156. Vandersypen L.M.K. Real-time detection of single-electron tunneling using a quantum point contact / Vandersypen L.M.K., Elzerman J.M., Schouten R.N., Willems van Beveren L. H., Hanson R., and Kouwenhoven L.P. // Applied Physics Letters. 2004. V. 85, N 19, P. 4394 - 4396.

157. Крючков C.B. Ионизация примесных центров в полупроводниковой квантовой сверхрешетке нелинейными электромагнитными волнами / С.В. Крючков, К.А. Попов // ФТП. 1998. Т. 32, № з, с. 334-337.

158. Elzerman J.M. Tunable few-electron double quantum dots with integrated charge read-out / Elzerman J.M., Hanson R., Greidanus J.S., Willems van Beveren L.H., De Franceschi S., Vandersypen L.M.K., Tarucha S., Kouwenhoven L.P. // PhysicaE. 2004. Vol. 25. P. 135 - 141.

159. Kouwenhoven L.P. Observation of photon - assisted tunneling through a quantum dot / Kouwenhoven L.P., Jauhar S., Orenstein J., McEuen P.L., Nagamune Y., Motohisa J., Sakaki H. // Phys. Rev. Lett. - 1994, Vol. 73, N 25 - P. 3443 - 3446.

160. Bakkers E.P.A.M. Shell-tunneling spectroscopy of the single - particle energy levels of insulating quantum dots / Bakkers E.P.A.M., Hens Z., Zunger A., Franceschetti A., Kouwenhoven L.P., Gurevich L., Vanmaekelbergh D. // Nano Letters. 2001, Vol. 1, N 10 - P. 551-556.

161. Oosterkamp H. Microwave spectroscopy of a quantum-dot molecule / Oosterkamp H., Fujisawa Т., van der Wiel W.G., Ishibashi K., Hijman R.V., Tarucha S., Kouwenhoven L.P. // Nature. 1998. - Vol. 395. - P. 873-876.

162. Aguado R.. Double Quantum Dots as Detectors of High-Frequency Quantum Noise in Mesoscopic Conductors / Aguado R., Kouwenhoven L. P. // Phys. Rev. Lett. 2000. - Vol.84, N 9. - P. 1986 - 1989.

163. Зерова В. JI. Межподзонное поглощение света в селективно легированных двойных туннельно связанных квантовых ямах / Зерова В.Л., Катаев В.В.,

Воробьев Л.Е., Фирсов Д.А., Schmidt S., Зибик Е.А., Seilmeier A., Towe Е. // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38, № 12. -С. 1455 - 1462.

164. Хабаров Ю.В. Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям / Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А. // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38 -№ 4. -С. 455 -464.

165. Воробьев Л.Е. Межподзонное поглощение света в гетероструктурах с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs / Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Федосов Н.К., Фирсов Д.А., Шалыгин В.А., Капаев В.В., Hanna S., Schmidt S., Zibik Е.А., Seilmeier А. // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, № 1. - С. 49 - 52.

166. ХанинЮ.Н. Нулевые аномалии транспортных характеристик однобарьерных гетероструктур GaAs/AlAs/GaAs как проявление резонансного туннелирования между параллельными двумерными электронными газами и подавление резонансного туннелирования в магнитном поле как проявление кулоновской щели в туннельной плотности состояний / ХанинЮ.Н., Дубровский Ю.В., Вдовин Е.Е.// Физика и техника полупроводников. - 2003. -Т. 37-№6.-С. 717-723.

167. Dixon D. Influence of energy level alignment on tunneling between coupled quantum dots / Dixon D., Kouwenhoven L.P., McEuen P.L., Nagamune Y., Motohisa J., SakakiH. //Phys. Rev. B. - 1996. -Vol. 53, N 19. -P. 12625 - 12628.

168. Van der Vaart N.C. Time -resolved tunneling of single electrons between Landau levels in a quantum dot / Van der Vaart N.C., van Steveninck M.P. de Ruyter, Kouwenhoven L.P., Johnson A.T., Nazarov Yu.V., Harmans C.J.P.M., Foxon C.T. // Phys. Rev. Lett. - 1994. Vol. 73, N 2 - P. 320 - 323.

169. Dahnovsky Yu.I. Electron tunneling dynamics in anharmonic bath // J. Chem. Phys. -2005 - Vol. 122. - P. 044501 (1-5).

170. Dakhnovskii Yu.I. Particle tunneling in a classical anharmonic bath. / Dakhnovskii Yu.I., Nefedova V.V. //Physics letters, A. - 1991. - Vol. 157. - P. 301305.

171. Galperin M., Nitzan A., Ratner M.A. and Stewart D.R. Molecular Transport Junctions: Asymmetry in Inelastic Tunneling Processes, to be published.

172. Nitzan A. Electron transmission through molecules and molecular interfaces// Annual Reviews of Physical Chemistry, vol. 52, 681-750 (2001).

173. Benjamin I. Asymmetric tunneling through ordered molecular layers / Benjamin I.; Evans D.; Nitzan A. // Journal of Chemical Physics, vol. 106, p. 12911293 (1997).

174. Dakhnovskii Yu.I., Bursulaya B. and Kim H.J., Quantum Tunneling in an Anharmonic Classical Bath. Enhanced Kinetic Isotope Effects in an Arrhenius Region// J. Chem. Phys. 102, 7838 - 7849 (1995).

175. Морозова E.H. Резонансное туннелирование дырок в двухбарьерных структурах с квантовыми точками InAs в центре квантовой ямы GaAs / Морозова Е.Н., Макаровский О.Н., Волков В.А., Дубровский Ю.В., L. Turyanska, Вдовин Е.Е., A. Patane, L. Eaves, М. Henini. // Физика и техника полупроводников. - 2005. - т. 39. - вып. 5. - С. 573 - 576.

176. Воробьев JI.B. Оптические явления в гетероструктурах InAs/GaAs с легированными квантовыми точками и искусственными молекулами / Воробьев JI.B., Паневин В. Ю., Федосов Н. К., Фирсов Д. А., Шалыгин В.А., A.D. Andreev, Самсоненко Ю.Б., Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Крыжановская Н.В., Устинов В.М., S. Hanna, S. Seilmeiler, N.D. Zakharov, P. Werner. // Физика и техника полупроводников. - 2005. - т. 39. - вып. 1. - С. 59 - 62.

177. Баграев Н.Т. Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур / Баграев Н.Т., Буравлев А.Д., Клячкин Л.Д., Маляренко A.M., Гельхофф В., Романов Ю.И., Рыков С.А. // Физика и техника полупроводников. - 2005. - т. 39. - вып. 5. - С. 716 - 728.

178. Шутый A.M. Стохастическая динамика намагниченности в обменно-связанной слоистой структуре. / A.M. Шутый, Д.И. Семенцов // Письма в ЖЭТФ. 2003. Т.78. Вып.8. С.952-956.

179. Семенцов Д.И. Динамическая бистабильность в двухслойных магнитосвязанных пленках. / Семенцов Д.И., Шутый A.M. // Письма в ЖТФ. 2001. Т.27, Вып.21. С. 19-25.

180. Li-jun Liu Resonant tunneling through a coupled double quantum well in the presence of electron-phonon interaction / Li-jun Liu, Yuan-tai Du, and Hong Zhou, Tsung-han Lin //Phys. Rev. B, Vol. 54, № 3, c. 1953 - 1958

181. Luis G. G. «Туннелирование, сопровождаемое фононами, и двух-канальная физика Кондо в молекулярных контактах» / Luis G. G., V. Dias da Silva и Elbio Dagotto // Phys. Rev. В 79, 155302 (2009)