Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Ильченко, Геннадий Петрович

• Ильченко, Геннадий Петрович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ильченко, Геннадий Петрович

ВВЕДЕНИЕ.,.

ГЛАВА 1, ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ

ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ /-«-ПЕРЕХОДОМ.

1.1. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МТОП-структур.:.

1.2. Неравновесные электронные процессы в структурах МТОП.

1.3. Электрофизические и фотоэлектрические характеристики БИСПИН-структуры.

ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАЗЦОВ И

МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ.

2.1. Технология изготовления образцов МТОП- и Б И С П И Н -структур

2.2. Экспериментальная установка и методика проведения эксперимента

2.3. Методика измерения полного дифференциального сопротивления и

С- Г-характеристик СРП.

2.4. Методика измерения распределенного сопротивления базы.

2.5. Технология изготовления СВЧ-образцов и методика их исследования.

2.6. Экспериментальная установка для исследования температурной зависимости параметров колебаний в СРП.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ В СТРУКТУРАХ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ /-л-ПЕРЕХОДОМ.

3.1. Семейства В АХ структуры с распределенным /-«-переходом и активным МТОП-контактом

3.2. Вольт-амперные характеристики БИСПИН-структуры.

3.3. Зависимость полного дифференциального сопротивления структур с распределенным /-«-переходом от напряжения на активном контакте.

3.4. Исследование влияния распределенного р -«-перехода на параметры колебаний в структурах с распределенным /-«-переходом

ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНЫЕ ВЫВОДЫ К ТРЕТЕЙ ГЛАВЕ.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА НЕРАВНОВЕСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В СТРУКТУРАХ С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ /-«-ПЕРЕХОДОМ.

4.1. Исследование зависимости параметров колебаний в структурах с распределенным /-«-переходом от температуры.

4.2. Неравновесная динамическая проводимость транзисторных структур с распределенным/-«-переходом в СВЧ поле.

4.3. Функциональные датчики температуры и СВЧ мощности на основе СРП.

ЗАКЛЮЧИТЕЛЬНЫЕ ВЫВОДЫ К ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ.

ГЛАВА 5. ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ

СТРУКТУР С РАСПРЕДЕЛЕННЫМ /-«-ПЕРЕХОДОМ.

5.1. Функциональный время-импульсный преобразователь

5.2. Аналого-цифровые преобразователи.

5.5. Синхронный детектор.

5.6. Согласование функциональных приборов на основе СРП с цифровыми схемами и устройствами.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом»

Как известно, широко используемые в современной электронике транзисторные структуры обычно содержат эмиттерный переход, площадь которого существенно меньше площади коллекторного. Физические процессы, протекающие в таких структурах, изучены достаточно полно. Значительно менее полно исследованы процессы в транзисторных структурах, площадь эмиттерного перехода которых превышает площадь коллекторного, в частности, с эмиттерным переходом распределенным по всей площади кристалла. Исследования таких структур в течение ряда лет ведутся на кафедре физики полупроводников Кубанского госуниверситета. Отличительной особенностью исследуемых структур, называемых структурами с распределенным //-«-переходом (СРП), кроме распределенного эмиттерного перехода, является то, что коллекторный переход выполнен в виде локального контакта металл-туннельно-прозрачный окисел-полупроводник (МТОП) [1], называемого активным контактом (АК).

Электрофизические характеристики транзисторных МТОП-структур существенно отличаются от известных. Одна из особенностей рассматриваемых структур, в частности, состоит в появлении в них поверхностно-барьерной неустойчивости тока (ПБНТ), проявляющейся в возникновении импульсных колебаний тока, протекающего через МТОП-контакт. При этом существенную роль в отличии от диодных структур [2], как было установлено ранее, играет накопление неосновных носителей в «-области (базе) структуры вблизи АК. Эффект, аналогичный ПБНТ, наблюдался также в транзисторной структуре с А К в виде локального п-р-диода и р+-п-переходом, распределенным по всей площади кристалла (БИСПИН-структура) [4]. Колебания в транзисторных структурах в отличие от диодных возникают при низких критических напряжениях, а их параметры эффективно управляются воздействием оптического излучения и электрического поля. Наблюдается также усиление тока и переключение структуры в выскопроводящее состояние под действием излучения и поля [3].

Качественное совпадение электрофизических характеристик транзисторных структур с распределенным //-«-переходом и АК разных типов свидетельствует о том, что важную роль в протекающих в них физических процессах играет распределенный //-«-переход. Однако влияние распределенного //-«-перехода на физические процессы, протекающие в структурах, ранее детально не исследовалась. Ранее при исследовании структур обоих типов основное внимание уделялось процессам, происходящим в активном контакте, и недостаточно полно рассматривались процессы, обусловленные распределенным //-«-переходом [1].

Оставался невыясненным механизм накопления дырок в МТОП-структуре, а роль накопления неосновных носителей в механизме возникновения неустойчивости тока в структурах БИСПИН вообще не исследовалась. До настоящего времени детально не исследовалась причина возникновения колебаний напряжения на /)+-об ласти структур с распределенным //-«-переходом. Не выяснена роль процесса перезарядки барьерной емкости распределенного // -«-перехода в механизме возникновения колебаний и влияние динамики изменения этой емкости на их параметры. Детально не исследовался механизм возникновения положительной обратной связи по току, обусловленный изменением уровня инжекции дырок из /?+-области при изменении тока АК, протекающего по распределенному сопротивлению базы. Не выяснены условия существования этого механизма.

В связи с этим представляется актуальным провести сравнительный анализ физических процессов в транзисторных структурах с распределенным ¿/-«-переходом и АК различных типов.

Ранее проводились исследования по влиянию температуры и СВЧ излучения на параметры неустойчивости тока. Однако исследования влияния СВЧ излучения в широком диапазоне частот не проводились, а физические процессы, обусловливающие влияние температуры, детально не исследовались. Все это свидетельствует о необходимости проведения дальнейших исследований электрофизических характеристик структур с распределенным //'-//-переходом.

Кроме того, неустойчивость тока, наблюдаемая в структурах с распределенным //-//-переходом, представляет значительный интерес для создания функциональных приборов, осуществляющих на основе новых физических несхемотехнических принципов преобразование различных аналоговых величин непосредственно в частоту электрических колебаний и "вписывающихся" как по схемотехнике, так и по технологии, в современную микроэлектронику.

Таким образом, актуальность темы диссертационной работы определяется актуальностью детального исследования неравновесных электронных процессов в транзисторных структурах с распределенным р+-п-переходом й активными контактами различных типов и практического использования их в современной микроэлектронике. В связи с этим была определена следующая цель работы.

Исследование особенностей электрофизических характеристик транзисторных структур с распределенным /?+-/?-переходом с различными АК и выяснение роли распределенного //-«-перехода в неравновесных процессах, протекающих в структурах.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:' ■

1) исследовать вольт-амперные характеристики структур с распределенным //-«-переходом с двумя типами АК: контактом МТОП и локальным «т-/;-диодом при различных режимах распределенного //-/^-перехода и провести их сравнительный анализ;

2) исследовать зависимость полной дифференциальной проводимости от напряжения на активном контакте структур с двумя указанными выше типами АК при различных режимах распределенного //-«-перехода;

3) на основе экспериментальных данных разработать физическую модель, объясняющую особенности неустойчивости тока в структурах с распределенным //-«-переходом, с учетом взаимной связи процессов в р+-п-переходе и активном контакте;

4) исследовать влияние на неравновесные электронные процессы, протекающие в структурах с распределенным //-«-переходом с двумя типами АК, СВЧ поля в широком диапазоне частот и выяснить его механизм;

5) выяснить физические процессы, обусловливающие влияние температуры на электрофизические характеристики структур;

6) разработать на основе полученных данных новые функциональные устройства и исследовать их характеристики.

Научная новизна.

1. Впервые исследовано влияние режима распределенного //-«-перехода на электрофизические характеристики структур с распределенным //-«переходом с АК МТОП и АК в виде локального «+-/?-диода (БИСПИН).

2. Впервые исследована зависимость дифференциальной полной проводимости структур МТОП и БИСПИН от напряжения на Л К при различных режимах распределенного //-«-перехода. Установлено, что зависимость дифференциальной емкости структуры Сд от обратного смещения на А К имеет участки, на которых Сд остается постоянной и даже возрастает, а дифференциальное сопротивление уменьшается. Показано, что наблюдаемые аномальные зависимости обусловлены в случае МТОП-структуры накоплением в «-области дырок, а в случае БИСПИН -структур ы — также и эффектом динамического умножения емкости.

3. Впервые проведены детальные исследования по выяснению механизма положительной обратной связи по току в структурах с распределенным //-«-переходом и активными контактами двух типов, обусловленного бис-мещенным состоянием //-«-перехода.

4. Предложена физическая модель, объясняющая особенности неустойчивости тока в структурах с распределенным //-«-переходом с учетом взаимной связи процессов в //-«-переходе и активном контакте.

5. Впервые проведены исследования по выяснению физических процессов, обусловливающих влияние температуры на параметры колебаний тока и напряжения в структурах с распределенным //-«-переходом. Установлено, что это влияние обусловлено следующими механизмами: изменением подвижности основных носителей заряда в «-области; изменением эффективной толщины «-области за счет температурного изменения ширины ОПЗ распределенного //-«-перехода; изменением концентрации неосновных носителей в «-области за счет температурной зависимости обратного тока //-«-перехода.

6. Исследовано влияние СВЧ излучения в широком диапазоне частот на параметры разрывных колебаний тока и напряжения в структурах с распределенным /г-«-переходом. Установлено, что зависимость частоты колебаний и фронтов нарастания и спада импульса от СВЧ мощности обусловлена тем, что СВЧ поле вносит дополнительное сопротивление (как активное так и реактивное) в неравновесное сопротивление структуры при наличии в ней колебаний, обусловленных неустойчивостью тока.

7. Впервые проведен сравнительный анализ электрофизических характеристик структур с распределенным //'-«-переходом и АК двух типов (структур МТОГ1 и БИСПИН).

Практическая ценность.

1. На основе результатов исследований влияния СВЧ излучения и изменения температуры на частоту колебаний в структуре с распределенным //«-переходом разработаны датчики СВЧ мощности и датчик температуры с частотным выходным сигналом.

2. На основе результатов исследования электрофизических характеристик структур с распределенным //-«-переходом разработаны принципиально новые функциональные устройства: синхронный детектор, время-импульсный и аналого-цифровые преобразователи, использующие новые физические принципы.

3. Проанализированы способы согласования разработанных функциональных устройств с различными типовыми цифровыми микросхемами.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. Результаты исследования влияния режима распределенного р+-п-перехода на вольт-амперные характеристики структур с распределенным //'-«-переходом с Л К МТОП и локальным //-/»-диодом.

2. Результаты исследования зависимости полной дифференциальной проводимости структур с распределенным //-«-переходом с двумя типами активных контактов от обратного напряжения на А К при различных режимах распределенного //-«-перехода.

3. Разработанная на основе анализа экспериментальных данных модель, объясняющая особенности электрофизических характеристик структур с распределенным //-«-переходом и учитывающая взаимную связь процессов в //-«-переходе и активном контакте.

4. Результаты исследований по выяснению физических процессов, обусловливающих влияние температуры на электрофизические характеристики структур с распределенным //-«-переходом.

5. Результаты исследований влияния СВЧ излучения в широком диапазоне частот на неравновесные электронные процессы, протекающие в структурах с распределенным //-«-переходом и впервые предложенная модель, объясняющая это влияние.

6. Разработанные на основе исследований неравновесных электронных процессов принципиально новые функциональные датчики и устройства (датчики температуры и СВЧ мощности, синхронный детектор, время-импульсный и аналого-цифровые преобразователи).

Апробация работы.

Результаты работы в 1994-1997 гг. докладывались на ежегодной Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (г.Таганрог); научных семинарах физического факультета КубГу и опубликованы в следующих работах:

1. Ильченко Г.П., Муравский Б.С, Черный В.Н, Приборы функциональной электроники Туннелистор и БИСПИН // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог, 1994. С. 56.

2. Муравский Б.С., Барышев М.Г., Ильченко Г.П. Электрофизические свойства структур с распределенным //-«-переходом и функциональные приборы на их основе // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог, 1995. С. 59-61.

3. Ильченко Г.П., Жужа М.А., Яманов И.Л. Функциональные полупроводниковые приборы на основе поверхностно-барьерной неустойчивости тока // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 1995. С. 68.

4. Ильченко Г.П. и др. Датчик СВЧ мощности с частотным выходом // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 1996. С. 98.

5. Ильченко Г.П., Рубцов Г.П., Черный В,Н. Фазовый детектор на основе структуры с распределенным //-«-переходом // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 1997. С. 116.

6. Барышев М.Г., Ильченко Г.П., Черный В.Н. Исследование накопления неосновных носителей в структуре с распределенным //-«-переходом // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 1997. С. 136.

7. Жужа М.А., Ильченко Г.П., Муравский Б.С., Яманов И.Л. Неравновесная динамическая проводимость транзисторных структур металл-туннельно-прозрачный окисел-полупроводник в СВЧ поле // Микроэлектроника. 1995, Т. 24, № 4, С. 270-274.

8. Ильченко Т.П., Муравский Б.С., Магеровский В.В. Использование Туннелистора и БИСПИНа для системы автоматического управления технологическими процессами в сельском хозяйстве // Электрификация сельскохозяйственного производства. Сборник трудов КГАУ. Краснодар. 1995. С. 130-137.

9. Ильченко Г.П., Муравский Б.С. Использование функционального датчика с частотным выходом для контроля режимов обработки плодов и овощей// Современные технологии и оборудование в области переработки и хранения сельскохозяйственной продукции/ Сборник трудов КНИИХП. Краснодар. 1997. С. 68-72.

10. Ильченко Г.П., Муравский Б.С. Транзисторная структура с распределенным р '"-«-переходом в системах автоматизации хранения и переработки сельхозпродукции // Хранение и переработка сельхозпродукции. Сбор-пик научных трудов КНИИХП. Вып. 3. Краснодар. 1998. С. 57-65.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ильченко, Геннадий Петрович

Основные выводы но результатам исследований можно сформулировать следующим образом.

1. Проведенный анализ вольт-амперных характеристик транзисторных структур с распределенным //-«-переходом и активными контактами (АК) двух типов (в виде МТОП и в виде локального //-/»-диода) показывает, что их особенности во многом обусловлены взаимным влиянием процессов, протекающих в АК и распределенном /?'-«-переходе, а для объяснения возникновения НТ необходимо учитывать влияние протекания начального тока АК вдоль распределенного //-«-перехода на высоту его барьера. Установлено, что распределенный //' -«-переход находится в двух пространственно разделенных состояниях с противоположными уровнями смещения (бисмещенное состояние [4]).

2. Впервые исследована зависимость дифференциальной полной проводимости структур МТОП и БИСПИН от напряжения на А К при различных режимах распределенного //-«-перехода. Установлено, что зависимость дифференциальной емкости структуры С() от обратного смещения на АК имеет участки, на которых Сд остается постоянной и даже возрастает; Показано, что наблюдаемые аномальные зависимости обусловлены в случае МТОП-структуры накоплением в «-области дырок, а в случае БИСПИН-структуры — также и эффектом динамического умножения емкости.

3. Впервые проведены детальные исследования по выяснению механизмов положительной обратной связи по току в структурах с распределенным //-«-переходом и АК двух типов, показавшие, что существует два механизма ПОСТ: первый обусловлен физическими процессами в АК, второй — изменением уровня инжекции дырок из //-области за счет изменения тока АК, протекающего по распределенному сопротивлению базы при наличии у множения тока на АК. Причем в Б НС П И Н -структуре второй механизм является преобладающим.

4. Установлено, что в процессе возникновения неустойчивости тока в структурах с распределенным //-«-переходом, важную роль играет взаимное влияние процессов в //-«-переходе и активном контакте. Возникновению НТ способствует бисмещенное состояние //-«-перехода, вызванное протеканием тока А К, и перезарядка его барьерной емкости.

6. Впервые исследовано влияние температуры на неравновесные процессы в структурах с распределенным //-«-переходом. Установлено, что это влияние обусловлено следующими механизмами: изменением подвижности основных носителей заряда в «-области; изменением эффективной толщины «-области за счет температурного изменения ширины ОПЗ распределенного р+-«-перехода; изменением концентрации неосновных носителей в «области за счет температурной зависимости обратного тока /+-«-перехода.

7. Исследовано влияние СВЧ излучения в широком диапазоне частот на неравновесные процессы в структурах с распределенным //-«-переходом. Установлено, что зависимость частоты колебаний и фронтов нарастания и спада импульса колебаний от СВЧ мощности обусловлена тем, что СВЧ поле вносит дополнительное сопротивление в неравновесное сопротивление структуры при наличии возбужденных в ней колебаний, обусловленных неустойчивостью тока.

8. На основе результатов исследований влияния СВЧ излучения и температуры на неравновесные процессы в структуре с распределенным //-«переходом разработаны датчики СВЧ мощности и температуры с частотным выходным сигналом.

9. На основе результатов исследования электрофизических характеристик структур с распределенным //-«-переходом разработаны принципиально новые функциональные устройства: синхронный детектор, время-импульсный и аналого-цифровые преобразователи.

10. Проанализированы способы согласования датчиков и устройств на основе структур с распределенным //-«-переходом с различными типовыми цифровыми микросхемами.

В заключение выражаю глубокую благодарность научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Б. С. Муравскому за внимательное руководство, постановку настоящей работы и детальное обсуждение полученных результатов, благодаря которым был завершен этот труд. 140:

Автор считает своим долгом отметить, что выполнение диссертационной работы проходило при активном участии коллег; кандидатов физико-математических наук, доцентов М.Г. Барышева и М.А. Жужы, принимавших активное участие в обсуждении полученных результатов и высказавших ценные замечания, которые позволили существенно улучшить эту работу; а также аспиранта О. Н. Куликова, чья моральная поддержка, регулярное участие в обсуждении полученных результатов и помощь в проведении экспериментов явились мощным стимулом к выполнению данной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ильченко, Геннадий Петрович, 1999 год

1. Муравский Б.С. и др. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно-прозрачным окислом // Микроэлектроника. 1989, Т. 18, № 4, С. 304-309.

2. Косман M.C., Муравский Б.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях // Физика твердого тела. 1961. Т. 3. № 11. С. 2504 -2506.

3. Муравский Б.С. Неравновесные электронные процессы и токовая неустойчивость в контактах металл-полупроводник // докторская диссертация. Краснодар, 1980. С. 367.

4. Кнаб О.Д. БИСПИН —новый полупроводниковый прибор // Электронная промышленность. 1989. Вып. 8. С. 3-8.

5. Муравский Б.С., и др. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока // Физика и техника полупроводников. 1972. Т. 6. № 11. С. 2114-2122.

6. Муравский Б.С. Влияние излучения на параметры колебаний поверхностно-барьерного генератора // Физика и техника полупроводников. 1975. Т. 9. №6. С. 1140-1142.

7. Муравский Б.С., Стриха В.И. Физические основы работы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки // Мат. конф. Киев, 1975. С. 28-35.

8. Муравский Б.С., Кузнецов В.И. Коэффициент передачи тока структуры с барьером Шоттки // Радиотехника и электроника. 1980. Т. 25. № 5, С.1112-1114.

9. Shewchun J., Clarke R.A. The Surface Oxide Transistor // Solid State Electron. 1973. Vol. 16. № 2. P. 213-219.

10. Green M.A., Shewchun J. Current Multiplication in Metal-Insulator-semiconductor Tunnel Diodes // Solid State Electron. 1974. Vol. 17. N° 3. P. 349-365.

11. Green M.A., Temple V.A.K., Shewchun J. Frequence of the Current Multiplication Process in Tunnel Diodes // Solid State Electron. 1975. Vol. 18. № 6.1. P. 745-752.

12. YamamotoT., Kawamura К. Silicon p-n Insulator-Metal Devices // Solid State Electron. 1976. Vol. 19. № 5. P. 701-706.

13. ChikoK., Suzuuky Т., Misushima J. Properties of a Shottky Barrier Transistor and the Carrier-Coupling Devices // Procedeedings of the 4th Conference on Solid State Devices. Tokyo, 1972. P. 195-200.

14. Simmons J.G., El-Baddry A. Theory of Switching Phenomena in Metal-semiinsulator-«-/?+-Silicon Devices // Solid state Electron. 1977. Vol.20. № 12. P. 955-962.

15. El-Baddry A. Simmons J.G. Experimental Studies of Switching in Metal-semiinsulator-«-/r!-Silicon Devices// Solid state Electron. 1977. Vol.20. № 12. P. 963-966.

16. Kroger H., Wegener H.A.R. Bistable Impedance States in MIS Structures thrugh Controlled Invesion // Appl. Phys. Lett. 1973. Vol.23. №7. P.397-399.

17. Simmons J. G., Taylor G. W. Concepts of Gain at Oxide-semiconductor Interface and their Application to the TETRAN — Tunnel-Emitter-Transistor and to the MIS Switching Device // Solid state Electron. 1986. Vol. 29. № 3. P. 287 -303.

18. Барышев М.Г. Размерные эффекты в слоистых полупроводниковых структурах // кандидатская диссертация. Краснодар, 1995.

19. Жужа М.А. Исследование электрофизических характеристик и функциональных возможностей транзисторных МТОП-структур // кандидатская диссертация.Краснодар, 1990.

20. Яманов И.Л. Неравновесные электронные процессы в транзисторных слоистых структурах с поверхностно-барьерным переходом // кандидатская диссертация. Краснодар, 1989.

21. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. Под ред. В.И. Стафеева. М. 1984.

22. Барышев М.Г. и др. Фотоэффект в эпитаксиальной />+-л-структуре с «-областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл // ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С, 91-95.

23. Булгаков С.С., Кнаб О.Д., Лысенко А.П. БИСПИН — новый прибор микроэлектроники // Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1990. Вып. 6. С. 53-77.

24. Идлис Б.Г., Кнаб О.Д., Фролов В.Д. Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структурах с /?-/?-переходом // Докл. АН СССР. 1989. Т. 308. №3. С. 601-605.

25. Кнаб. О.Д., Булгаков С.С. Применение БИСПИН-структур // Электронная промышленность. 1989. Вып. 9. С. 26-30.

26. Булгаков С.С. и др. Токовая неустойчивость в транзисторных БИСП И Н-структурах. // Электронная промышленность. 1990. Вып. 8. С. 15 18.

27. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М„ 1973.

28. Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М., 1970.

29. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев, 1974.

30. Викулин И М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М., 1980.

31. Гаврилов Г.К. Переходные процессы в транзисторе и методы расчета импульсных схем. М. 1971.

32. Тугов H.M., Глебов Б.А., Чарыков H.A. Полупроводниковые приборы. М., 1990.

33. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов. М. 1975. С.304.

34. Тагер A.C., Вальд-Перлов В.М. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М. 1968.

35. Петров Т.В. Баррит-диоды — новые полупроводниковые элементы для создания генераторов и усилителей СВЧ диапазона // Зарубежная радиоэлектроника. 1975. № 2. С. 114-126.

36. Левеллин Ф.Б. Инерция электронов. М., 1946.

37. Долуденко В.Г., Муравский Б.С. Туннельная эмиссия из поверхностных состояний на границе раздела окисел-полупроводник // Поверхность.1985. Т. 12. С. 28-31.

38. А. с. 317986 СССР МКИ G Ol R 21/06. Способ измерения мощности электромагнитного поля / H.A. Панекин. № 1308576/26-9; Заявлено 17.02.69; Опубл. 19 10.71, Бюл. J4° 31.

39. А. с. 1073709 СССР МКИ G Ol R 21/00. Измеритель СВЧ мощности / H.H. Пренцлау, В.М. Дмитриев, В.Д. Бобрышев. № 3006251/18-09; Заявлено 14.09.77; Опубл. 15.02.84, Бюл. № 6.

40. Пренцлау H.H., Дмитриев В.М., Бобрышев В.Д. индуцированная СВЧ полем генерация низкочастотных электромагнитных колебаний полупроводниковыми диодами // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24. №8. С. 1702-1704.

41. А. с. 970967 СССР МКИ G 01 R 21/04. датчик сверхвысокочастотной мощности / С.Г. Аракелян, Б.В. Корнилов, В.В. Привезенцев, А.Г. Щетинин. № 3227134/18-09; Заявлено 30.12.80.

42. Константинов О.В., Перель В.И. Рекомбинационные волны в полупроводниках//ФТТ. 1964. Т. 6. № 11. С. 3365-3371.

43. Константинов О.В., Царенков Г.В. Рекомбинационные волны в ограниченном образце//ФТТ. 1966. Г. 8. №6. С. 1866-1877.

44. Константинов О.В., Перель В.И., Царенков Г.В. Условия существования медленных и быстрых рекомбинациопных волн в полупроводниках // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 8. С. 1576-1578.

45. А. с. 1352245 СССР МКИ Ol К 7/14. Преобразователь температуры в частоту / X. X. Девликамов, А. Н. Комов, О. К. Переверзева, В. И. Че-пурнов. № 3990556/24-10; Заявлено 17.12.85; Опубл. 15.11. 87, Бюл. N° 42.

46. A.c. 723395 СССР МКИ Ol К 7/14. Преобразователь температуры в частоту / B.C. Постников, А.И. Дрожжин, II.К. Седых и др.№ 2367856/1810; Заявлено 02.06.76; Опубл. 25.03.80. Бюл. № 11.

47. Датчики температуры с частотным выходом / М.М. Никулин, И.Е. Май-стренко, В.А. Прохоров, А.П. Шабля // Оптоэлектронника и полупроводниковая техника. 1989. Вып. 15. С. 31-33.

48. Жуковский А.П. и др. Радиоприемные устройства. М. 1989.

49. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. М. 1993. Т. 2. С. 43.

50. В.З. Найдеров и др. Функциональные устройства на микросхемах. М.1985.

51. Федорков Б.Г., Телец В.А, Дегтяренко В.П. Микроэлектронные цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи. М., 1984.

52. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л., 1988.

53. Шило В.Л. Линейные интегральные схемы. М. 1974. С. 164.

54. Псурцев В.А. "Открытие" амплитудного диодного детектора // Радио.1986. № 1. С. 33-36.

55. Богданов В.Д. Устройство для синхронного детектирования АМ сигналов//Радио. 1990. №3. С. 53-55.

56. Руднев А.Д. Средневолновый приемник с синхронным детектором7/ Радио. 1991. № 2. С. 56-57. /

57. Богданович М.И. и др. Цифровые интегральные микросхемы. Минск. 1991.