Исследование длинных диодных германиевых структур с запорными и антизапорными контактами металл-проводник тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Мишнёв, Анатолий Александрович

• Мишнёв, Анатолий Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Мишнёв, Анатолий Александрович

ВВЕДЕНИЕ.'

ГЛАВА I. ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ.

1.1. Неравновесные электронные процессы в полупроводниковых диодах.

1.2. Исходная система уравнений.

1.3. Граничные условия для р-п перехода.

1.4. Обобщенные граничные условия Хоозера для р~п перехода и контакта металл-полупроводник.

1.5. Вольт-амперные характеристики длинных диодов. . . 39 Задачи диссертационного исследования.

ГЛАВА 2. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ М-Р-М И М-Р-Р+ СТРУКТУР С УЧЕТОМ ЗАВИСИМОСТИ ГРАНИЧНЫХ КОНЦЕНТРАЦИЙ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ОТ КОЭФФИЦИЕНТОВ ИНЖЕКЦИИ КОНТАКТОВ.

2.1. Свойства вплавных контактов металл-германий.

2.2. Исходные положения методики расчета вольт-амперных характеристик м-р-м и м-р~р+ структур.

2.3. Вольт-амперная характеристика длинной диодной м-р~м структуры.

2.4. Разность неравновесных концентраций электронов и дырок в р-области м-р~м структуры.

2.5. Вольт-амперная характеристика длинной диодной м-р-р+ структуры.

2.6. Разность неравновесных концентраций электронов и дырок в р-области м-р-р+ структуры.

2.7. Связь мезду коэффициентами упн и , )(рн и

Выводы.

ГЛАВА 3. ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ

М-Р-М И М-Р-Р+ СТРУКТУР С УЧЕТОМ ВЛИЯНИЯ КОЭФФИЦИЕНТОВ ИНЖЕКЦИИ КОНТАКТОВ НА КВАЗИНЕЙТРАЛЬНОСТЬ Р-0ВЛАСТИ.

3.1. Исходные положения методики расчета вольт-амперных характеристик м-р-м и м-р«р+ структур.

3.2. Вольт-амперная характеристика длинной диодной м-р-м структуры.

3.3. Вольт-амперная характеристика длинной диодной м-р-р+ структуры.

3.4. Связь между коэффициентами и , урн

Выводы. III

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ДЛИННЫХ ДИОДНЫХ ГЕРМАНИЕВЫХ М-Р-М, М-Р-Р+, М-К-М, М-Ш-Р+ СТРУКТУР С ЗАПОРНЫМИ М-Р И АНТИЗАПОРНЫМИ М-М КОНТАКТАМИ.

4.1. Постановка задачи и методика эксперимента.

4.2. Технология изготовления германиевых структур.

4.3. Распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль средней области германиевых структур.

4.4. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики германиевых м-р-м и м-р«р+ структур.

4.5. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики германиевых м-п-м и м-п~р+ структур. 152 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование длинных диодных германиевых структур с запорными и антизапорными контактами металл-проводник»

В "Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981-1985 годы и на период до 1990 года", утвержденных ХХУТ съездом КПСС, указывается на необходимость ускоренного развития производства полупроводниковых материалов и приборов из них с комплексом заданных свойств [ I]. В связи с этим, особую актуальность приобретают теоретические и экспериментальные исследования полупроводниковых диодов с целью улучшения их эксплуатационных характеристик.

Предложенный в 1958 г. Стафеевым принцип модуляции длины диффузионного смещения носителей заряда, явился основой для создания ряда новых полупроводниковых приборов, в том числе "длинных" или так называемых Ь -диодов. Возможности эффективного использования длинных диодов в качестве датчиков величины и направления магнитных полей, быстродействующих бесконтактных переключателей тока, модуляторов и аттенюаторов СВЧ мощности, модуляторов инфракрасного излучения обусловили их интенсивное исследование.

Свойства длинных диодов с инжекцией неосновных носителей заряда (р-п диод с тыловым омическим контактом) и с двойной инжекцией (р-п диод с тыловым антизапорным п+-п контактом) изучались во многих работах [4, 24, 47, 66, 75, 76, 119]. При рассмотрении процессов переноса носителей заряда длинные диоды разбиваются на области объемного заряда переходов (контактов) с "быстрым" пространственным изменением электрического поля и квазинейтральную область с "медленным" его изменением.

Решение системы уравнений, описывающей поведение электронов и дырок, для области объемного заряда перехода связано с большими математическими трудностями, а для квазинейтральной области полупроводника получается при использовании допустимых приближений.

В последнем случае при получении вольт-амперной характеристики

ВАХ) диода используются граничные условия для концентраций электронов и дырок и их токов, отражающие поведение носителей в областях объемного заряда р-п, п+-п переходов или на поверхности омического контакта. На поверхности омического контакта скорость рекомбинации полагается бесконечно большой, так что концентрации неравновесных электронов и дырок равны нулю. На границе области объемного заряда р-п, п+-п перехода задается зависимость концентраций электронов и дырок от падения напряжения на переходе. При этом считается, что электроны и дырки в области объемного заряда распределены по закону Больцмана. Однако, при динамическом равновесии р-п, п+-п перехода распределение электронов и дырок в области объемного заряда отличается от распределения Больцмана. Электронный и дырочный токи на границе области объемного заряда р-п, п+-п перехода выражаются через коэффициент инжекции перехода и полный ток. Но при этом зависимость коэффициента инжекции от тока остается неизвестной. Обычно эта зависимость получается путем рассмотрения токов неосновных носителей заряда в квазинейтральных областях диода. Однако, в работе [157] справедливо полагается, что зависимость коэффициента инжекции р-п перехода от тока обусловлена, в основном, процессами в области объемного заряда.

Падение напряжения на квазинейтральной области диода обычно получается путем интегрирования выражения для электрического поля в ней, определяемого из уравнений для электронного, дырочного и полного токов. Это поле зависит от распределения концентрации неравновесных носителей заряда вдоль квазинейтральной области и полного тока, но не зависит от коэффициентов инжекции р-п, п+-п переходов.

Однако, качественный анализ механизмов протекания электронного и дырочного токов в полупроводниковых диодах показывает, что концентрация носителей заряда и электрическое поле в квазинейтральной области зависят от коэффициентов инжекции р«п, п+-п переходов. При этом электрическое поле в квазинейтральной области должно определяться нескомпенсированным зарядом разности концентраций неравновесных электронов и дырок. Однако, разность концентраций неравновесных электронов и дырок вдоль квазинейтральной области диода в зависимости от тока определить не удавалось.

Таким образом, развитие теории диодов с целью учета влияния зависимости коэффициентов инжекции р-п, п+-п переходов от тока на вид ВАХ диода до настоящего времени остается актуальной задачей.

Диодные структуры с вплавными запорными и антизапорными контактами металл-полупроводник исследовались в отдельных работах [37, 38, 39, 103, 13б] . В [38, 39] экспериментально установлена природа контактов, полученных вплавлением олова и свинца в германий п- и р-типа с различным удельным сопротивлением и показано, что они могут инжектировать в полупроводник электроны или дырки. В [37] экспериментально исследовано распределение потенциала в длинных германиевых структурах с контактами, полученными вплавлением олова, свинца и индия. Однако, детально длинные диодные структуры с вплавными запорными и антизапорными контактами металл-полупроводник не исследовались.

Вплавные контакты металл-полупроводник с заданными электрическими характеристиками широко используются в полупроводниковом приборостроении и микроэлектронике. Изучение их свойств путем теоретического и экспериментального исследования неравновесных процессов в области объемного заряда контакта связано с большими математическими и экспериментальными трудностями. Однако, изучение свойств вплавных контактов металл-полупроводник существенно упрощается, если исследовать их воздействие на нейтральный протяженный полупроводник.

Таким образом, теоретическое и экспериментальное исследование длинных диодных структур с вплавными контактами металл-полупроводник позволяет получить сведения о характеристиках контактов и выяснить возможности практического использования таких структур.

В диссертационной работе теоретически и экспериментально исследованы длинные диодные германиевые м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структуры с запорными м-р и антизапорными м-п, р+-р контактами (где м-металл).

Развита теория длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур с учетом влияния зависимостей коэффициентов инжекции запорного м-р и антизапорного р+-р контактов от тока на вид ВАХ структур. При этом полагается, что эти зависимости определяются неравновесными процессами в областях объемного заряда контактов.

Экспериментально исследованы распределение концентрации неравновесных носителей заряда, ВАХ и магниточувствительность у длинных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м и м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорными м-п, р+-р контактами.

Полученные новые теоретические результаты подтверждены экспериментально.

В первой главе, содержащей обзор литературы, приведены основные результаты анализа граничных условий для р-п перехода и исследований длинных р-п диодов с тыловым омическим и антизапорным п+-п контактом.

В последнее десятилетие опубликован ряд работ, в которых анализируются граничные условия для р-п перехода и контакта металл-полупроводник. Граничные условия определяются процессами изменения распределения носителей в области объемного заряда при изменении термодинамического равновесия на динамическое. В связи с этим рассмотрены более детально граничные условия Шокли [104,

153], широко используемые в полупроводниковой электронике, граничные условия Флетчера [из] и Мисавы [135], анализировавшиеся в ряде работ, и граничные условия Хоозера [122], содержащие принципиально новые результаты.

ВАХ длинного диода определяется параметрами базы и природой тылового контакта. Поэтому описаны основные процессы формирования ВАХ различных типов длинных диодов.

В конце главы сформулированы теоретические и экспериментальные задачи, решаемые в диссертации.

Во второй главе развита теория длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур с запорным м-р и антизапорным р+-р контактами с учетом зависимости граничных концентраций носителей заряда от коэффициентов инжекции м-р и р+-р контактов. Зависимости коэффициентов инжекции м-р и р+-р контактов от тока полагаются известными.

Рассмотрены свойства контактов, получаемых вплавлением олова и свинца в германий п- и р-типа с различным удельным сопротивлением.

Получены выражения для ВАХ длинных диодных м-р-м и м-р~р+ структур с диффузионно-дрейфовым механизмом переноса носителей заряда в квазинейтральной р-области. При этом полагается, что коэффициенты инжекции м-р и р+-р контактов, определяющие концентрации носителей заряда у этих контактов, не влияют на величину разности концентраций неравновесных электронов и дырок вдоль квазинейтральной р-области. Электрическое поле в квазинейтральной р-области находится из уравнений для электронного, дырочного и полного токов.

Определена разность концентраций неравновесных электронов и дырок вдоль квазинейтральной р-области м-р-м и м-р-р+ структур в зависимости от тока.

Для длинной диодной германиевой м-р-м структуры с запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова, численно рассчитаны концентрации неравновесных электронов у инжектирующего м-р контакта, разность концентраций неравновесных электронов и дырок вдоль квазинейтральной р-области и падение напряжения на ней в зависимости от тока через структуру. При расчетах использована экспериментально полученная зависимость коэффициента инжекции м-р контакта от тока.

Для описания неравновесных процессов в квазинейтральной р-об-ласти длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур введены коэффициент инжекции неосновных неравновесных носителей заряда м-р контакта и коэффициент инжекции основных неравновесных носителей заряда р+-р контакта. Обоснована необходимость введения этих коэффициентов и получена связь их с известными коэффициентами ин-жейции неосновных носителей заряда м-р контакта и основных носителей заряда р+-р контакта.

В третьей главе развита теория длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур с учетом влияния коэффициентов инжекции запорного м-р и антизапорного р+-р контактов на квазинейтральность р-области.

Показана необходимость учета влияния коэффициентов инжекции м-р и р+-р контактов на концентрации носителей заряда у этих контактов и на величину распределенного в р-области заряда, образованного разностью концентраций неравновесных электронов и дырок, т.е. на квазинейтральность р-области. Зависимости коэффициентов инжекции м-р и р+-р контактов от тока полагаются известными.

Получены выражения для ВАХ длинных м-р-м и м-р-р+ структур с диффузионно-дрейфовым механизмом переноса носителей заряда в квазинейтральной р-области.

Электрическое поле и падение напряжения на квазинейтральной р-области определены из уравнения Пуассона, содержащего распределённый в р-области заряд разности концентраций неравновесных электронов и дырок. Падение напряжения на квазинейтральной р-об-ласти получено в виде суммы трёх составляющих. Первая - это падение напряжения 11о , создаваемое током на исходном сопротивлении р-области структуры. Вторая - это падение напряжения Ымод, на которое уменьшается 11о за счёт модуляции сопротивления р-области неравновесными носителями заряда. Третья - это падение напряжения ,на которое увеличивается Ы0 за счёт влияния коэффициентов инжекции м-р и р+-р контактов на квазинейтральность р-области.

Для описания неравновесных процессов в квазинейтральной р-об-ласти длинных диодных м-р-м и м-р-р+ структур использованы коэффициенты инжекции неравновесных носителей заряда м-р и р+-р контактов. Получена связь между коэффициентами инжекции неравновесных носителей заряда и коэффициентами инжекции носителей заряда для м-р и р+-р контактов.

Для длинных диодных германиевых м-р-м структур с высокоомной и низкоомной р-областью и запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова, численно рассчитаны составляющие падения напряжения на квазинейтральной р-области IIиод и в зависимости от тока. При этом использованы экспериментально определённые зависимости коэффициента инжекции м-р контакта от тока. Полученные уменьшение сопротивления высокоомной р-области и увеличение сопротивления низкоомной р-области с ростом тока через м-р-м структуру подтверждены экспериментально.

В четвёртой главе приведены результаты экспериментального исследования диодных германиевых м-р-м, м-р-р+ структур с запорными м-р контактами,полученными вплавлением олова в германий с различным удельным сопротивлением, и м-п-м, м-п-р* структур с антизапорными м-п контактами, полученными вплавлением свинца, висмута и олова в высокоомный германий.

Исследовано распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль длинной средней области структур путем измерения распределения её удельного сопротивления двухзондовым методом. Установлены особенности распределения концентрации неравновесных носителей заряда в средней области структур.

Исследованы ВАХ структур с различными параметрами средней области и влияние поперечного магнитного поля на вид ВАХ этих структур. Показано, что структуры с длинной средней областью имеют ВАХ с участком Б-типа при Т = 295 К и либо сверхлинейную ВАХ, либо ВАХ с участком н-типа при Т » 77 К, а структуры, с длиной средней области близкой к длине диффузионного смещения носителей заряда, имеют либо сверхлинейную ВАХ, либо ВАХ с участком Б-типа при Т » 295 К и сверхлинейную ВАХ при Т = 77 К. Показано, что поперечное магнитное поле увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва ВАХ б - и н-типа, а., сверхлинейную ВАХ изменяет на ВАХ Б-типа при Т = 295 К и на сублинейную ВАХ при Т * 77 К. Приведены параметры, характеризующие магниточувствительность исследуемых структур при Т = 295 и 77 К.

В результате проведенного в диссертационной работе теоретического и экспериментального исследования неравновесных процессов в длинных диодных структурах с запорными и антизапорными контактами металл-полупроводник на защиту выносится:

I. Методика получения ВАХ длинных диодных м-р-м и м-р-р* структур, учитывающая влияние зависимостей коэффициентов инжекции запорного м-р и антизапорного р+-р контактов от тока на квазинейтральность р-области.

2. У длинных диодных м-р-м и м—р—р+ структур с запорными м-р и антизапорным р+-р контактами сопротивление квазинейтральной р-области, определяемое выражениями для их ВАХ, может быть меньше или больше исходного в зависимости от параметров м-, р-, р+-областей. У германиевых м-р-м структур с запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова, уменьшение сопротивления высокоомной р-области и увеличение сопротивления низкоомной р-области с ростом тока инжекции подтверждено экспериментально.

3. Распределение концентрации неравновесных носителей заряда у длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорннми м-п контактами, полученными вплавлением олова, характеризуется:

- в высокоомной средней области - наличием протяженного участка со слабо изменяющейся концентрацией и превышением концентрации равновесных носителей заряда у обратновклю-ченного м-р и м-п контактов;

- в низкоомной средней р-области - периодическим изменением положительных и отрицательных значений концентрации.

ВАХ длинных диодных германиевых м-р-м, м~р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорными м-п, р+-р контактами имеют при Т = 295 К участок Б-типа, а при Т = 77 К -участок Ы-типа, обусловленные разогревом структур. ВАХ исследованных структур, с длиной средней области близкой к длине диффузионного смещения носителей заряда, при Т = 295 К либо сверхлинейны, либо имеют тепловой участок Б-типа, а при Т = 77 К - сверхлинейны.

5. Поперечное магнитное поле у исследованных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорными м-п, р+-р контактами

- изменяет сверхлинейную БАХ на БАХ Б -типа при Т = 295 К и на сублинейную БАХ при Т = 77 К;

- увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва на БАХ

Б - и N -типа.

6. Максимальные значения вольтовой и токовой магниточувствитель-ности исследованных длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с запорными м-р и антизапорными м-п, р+-р контактами в режиме низких уровней инжекции при Т = 295 К составляют 30-60 В/Тл и 40-240 мА/Тл и увеличиваются в 5-10 раз с понижением температуры до 77 К.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на

- Всесоюзном совещании "Электрические и оптические свойства широкозонных полупроводников", Киев, 1975 г.;

- IX Всесоюзном совещании по теории полупроводников, Тбилиси, 1978 г.;

- научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава радиофизического факультета Харьковского госуниверситета им.А.М.Горького, Харьков, 1975-1983 гг.

По материалам диссертации опубликовано 17 научных работ.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Мишнёв, Анатолий Александрович

Выводы

1. У длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с высокоомкой средней областью характер экспериментального и теоретического распределения концентрации неравновесных носителей заряда вблизи инжектирующих контактов одинаков. Незначительное изменение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль средней области таких структур

I» «А

Рис. 4.23. Вольт-амперные характеристики диодной германиевой и-п-р*5* структуры (рп = 40 Ом-см ; 0,3 см ; 55 « 0,04 см ; м- Ба ) при Т » 77 К 2 поперечном магнитном поле» В , : I - 0 ; 2 - 0,05 ; 3 - 0,1 ; Ц - 0,2 ; 5 - 0,3» свидетельствует о малой интенсивности рекомбинации на этом участке.

2. У длинных диодных германиевых м-р-м и м-р-р+ структур с низкоомной р-областью распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль р-области характеризуется периодическим изменением положительных и отрицательных значений.

3. Отрицательные значения концентрации неравновесных носителей . заряда в низкоомной р-области диодных германиевых м-р-м и м-р-р+ структур с запорными м-р контактами обусловлены не-скомпенсированным зарядом разности концентраций неравновесных электронов и дырок. Величина этого заряда зависит от коэффициентов инжекции м-р и р+-р контактов. Диодные германиевые м-р-м структуры имеют:

- при Т = 295 К - ВАХ Б -типа;

- при Т = 77 К - сверхлинейную ВАХ.

Прямовключенные диодные германиевые м-р-р+ структуры имеют:

- при Т = 295 К - или сверхлинейную ВАХ ( ¿п ), или ВАХ

Б -типа ( £р> Ьп );

- при Т = 77 К - сверхлинейную ВАХ.

Диодные германиевые м-п-м структуры имеют:

- при Т = 295 К - ВАХ Б -типа;

- при Т = 77 К - или сверхлинейную ВАХ ( ), или ВАХ ы -типа ( {п > ¿р ).

Прямовключенные диодные германиевые м-п-р+ структуры имеют:

- при Т = 295 К - или сверхлинейную ВАХ ( £п ^ ), или ВАХ Б -типа ( £п > );

- при Т = 77 К - или сверхлинейную ВАХ ( ~ Ьр ), или ВАХ ы. -типа ( ).

Образование участка Б -типа при напряжении срыва и токе срыва 1$ ; и участка ж~типа при напряжении срыва IIк и токе срыва на прямых ВАХ обусловлено разогревом средних областей исследуемых структур. 5. Поперечное магнитное поле смещает ВАХ исследуемых структур в область больших напряжений.

У диодных германиевых м-р-м структур поперечное магнитное поле

- при Т = 295 К - увеличивает 11§ и уменьшает ;

- при Т = 77 К - изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную.

У прямовключенных диодных германиевых м-р-р+ структур поперечное магнитное поле

- при Т = 295 К - или может изменять сверхлинейную ВАХ на ВАХ б - типа ( "Ер~ 1|п ), или увеличивает 11$ и уменьшает 1$ ( {р > );

- при Т = 77 К - изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную.

У диодных германиевых м-п-м структур поперечное магнитное поле

- при Т = 295 К - увеличивает 11$ и уменьшает ;

- при Т = 77 К - или изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную ( {¡п & ^р )» или увеличивает 11к и уменьшает 1к 1п>Ьр ).

У прямовключенных диодных германиевых м-п-р+ структур поперечное магнитное поле

- при Т = 295 К - или изменяет сверхлинейную ВАХ на ВАХ

Э -типа ( 1п>,Ь? ), или увеличивает 11$ и уменьшает Ь ( €„>1Р );

- при Т = 77 К - или изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную ( £п ¿,Р ), или увеличивает и уменьшает I* с еп>^Р ).

Изменение хода ВАХ исследуемых структур поперечным маг

Кютн = 14,5;

Кготн = 49; Кютн = 3,6; Кютн = 9,3. нитным полем обусловлено уменьшением длины диффузионного смещения неравновесных носителей заряда I* (магнитодиодный эффект).

6. Магниточувствительность при Т = 295 К и В = 0-1 Тл в режиме низких уровней инжекции достигает следующих значений у диодных германиевых структур

- типа м-р-м: Ки = 32 В/Тл; & = 94 мА/Тл;

- типа м-р-р+: Ки = 53 В/Тл; Кх = 245 мА/Тл;

- типа м-п-м: Ки = 58 В/Тл; К1 = 40 мА/Тл;

- типа м-п-р+: Ки = 64 В/Тл; Кг = 225 мА/Тл;

Магниточувствительность при Т = 77 К н В = 0-0,3 Тл в режиме низких уровней инжекции достигает следующих значений у диодных германиевых структур

- типа м-р-м: Ки = 142 В/Тл; К1 = 52 мА/Тл; Кютн = 1,8;

- типа м-р-р+: Ки = 236 В/Тл; К1 =2220 мА/Тл; Кютн = 222;

- типа м-п-м: Ки = 300 В/Тл; К1 = 202 мА/Тл;

- типа м-п-р+: Ки = 707 В/Тл; К1 =1555 мА/Тл;

Увеличение магниточувствительности исследуемых структур при понижении температуры от 295 до 77 К обусловлено ростом подвижности электронов и дырок в германии.

Кютн =4,5; Кютн =40,6.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные научные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1. Разработана методика расчета ВАХ длинных диодных м-р-м и + м-р-р структур с запорными м-р и антизапорным р -р контактами при низких уровнях инжекции и чисто рекомбинационном действии ловушек, учитывающая влияние на вид ВАХ зависимостей коэффициентов инжекции м-р и р+-р контактов от тока.

2. Показано, что граничные концентрации носителей заряда у ин + жектирующих м-р и р -р контактов диодных м-р-м и м-р-р структур определяются концентрациями равновесных электронов и дырок в р-области, коэффициентами инжекции неравновесных носителей заряда м-р и р+-р контактов и током через структуру.

3. Показано, что падение напряжения на исходном сопротивлении р-области диодных м-р-м и м-р~р+ структур уменьшается за счет модуляции сопротивления неравновесными носителями заряда и увеличивается за счет инжекции из р-области дырок на поверхность м-области и электронов - в р+-область.

Показано, что сопротивление квазинейтральной р-области длинных диодных м-р-м и м-р-р"1" структур может быть меньше или больше исходного в зависимости от параметров м-, р- и р+-областей. У длинных диодных германиевых м-р-м структур с запорными м-р контактами, полученными вплавлением олова, уменьшение сопротивления высокоомной р-области и увеличение сопротивления низкоомной р-области с ростом тока подтверждено экспериментально.

5. У длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структур с высокоомными ( р >, 30 Ом-см) средними областями характер экспериментального и теоретического распределения концентрации неравновесных носителей заряда в средних областях вблизи инжектирующих контактов одинаков. Экспериментально полученный протяженный участок средней р- и п-области структур с незначительным изменением концентрации свидетельствует о малой интенсивности рекомбинации носителей заряда на этом участке.

6. У длинных диодных германиевых м-р-м и м-р-р+ структур с низкоомной ( рр 4 0,5 Ом-см) р-областыо распределение концентрации неравновесных носителей заряда вдоль р-области характеризуется периодическим изменением положительных и отрицательных значений.

7. Диодные германиевые м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структуры, с длиной средней области близкой к длине диффузионного смещения носителей заряда, имеют

- при Т = 295 К - или сверхлинейную ВАХ (м-р-р+ и м-п-р+ структуры), или ВАХ Б -типа (м-р-м и м-п-м структуры);

- при Т = 77 К - сверхлинейную ВАХ.

Длинные диодные германиевые м-р-м, м-р-р+, м-п-м, м-п-р+ структуры имеют

- при Т = 295 К - ВАХ Б -типа;

- при Т - 77 К - или сверхлинейную ВАХ (м-р-м и м-р-р+ структуры), или ВАХ к -типа (м-п-м и м-п-р+ структуры).

Образование участков Б - и ш-типа на прямых ВАХ обусловлено разогревом средних областей исследуемых структур.

8. Поперечное магнитное поле, увеличивая сопротивление средних областей, смещает ВАХ исследуемых структур в область больших напряжений и может приводить к изменению типа ВАХ.

У диодных германиевых м-р-м, м~р~р+, м-п-м, м«п-р+ структур, с длиной средней области близкой к длине диффузионного смещения носителей заряда, поперечное магнитное поле

- при Т = 295 К - или изменяет сверхлинейную ВАХ на ВАХ

Б -типа (м-р-р+ и м-п~р+ структуры), или увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва ВАХ Б -типа (м-р-м и м«п-м структуры);

- при Т = 77 К - изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную. тг + +

У длинных диодных германиевых м-р-м, м-р-р , м«п«м, м-п-р структур поперечное магнитное поле

- при Т = 295 К - увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва ВАХ Б -типа;

- при Т = 77 К ~ или изменяет сверхлинейную ВАХ на сублинейную (м-р-м и м-р~р+ структуры), или увеличивает напряжение срыва и уменьшает ток срыва ВАХ Н1 -типа (м-п-м и м-п-р+ структуры).

Изменение хода ВАХ исследуемых структур поперечным магнитным полем обусловлено уменьшением длины диффузионного смещения неравновесных носителей заряда.

9. Максимальные значения вольтовой и токовой магниточувстви-тельности исследуемых структур в режиме низких уровней инжекции

- при Т - 295 К - в магнитных полях 0-1 Тл составляют 64 В/Тл и 245 мА/Тл;

- при Т = 77 К - в магнитных полях 0-0,3 Тл составляют 707 В/Тл и 2220 мА/Тл.

Увеличение магниточувствительности исследуемых структур при понижении температуры от 295 до 77 К обусловлено ростом подвижности электронов и дырок в германии.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Мишнёв, Анатолий Александрович, 1984 год

1. МАТЕРИАЛЫ ХХУ1 съезда КПСС. - М.: Политиздат, 1981, - 223 с.

2. АВАКЬЯНЦ Г.М. Прохождение тока через полупроводники с примесями или дефектами, создающими глубокие уровни. Изв. АН АрмССР. Физ., 1966, т.1, вып.4, с. 248 - 258.

3. АВАКЬЯНЦ Г.М., КАНИЯЗОВ Ш. К теории вольт-амперной характе--ристики сверхдлинного диода с компенсированной базой, ч.2. -Изв. АН АрмССР. Физ., 1967, т.2, вып.6, с. 395 403.

4. АВАКЬЯНЦ Г.М., МУРЫГИН В.И., ТЕШАБАЕВ А. Некоторые свойства диодов с большим отношением длины базы к диффузионной длине неосновных носителей. Радиотехн. и электрон., 1963, т.8, вып.5, с. 821 - 829.

5. АВАКЬЯНЦ Г.М., ТАРУМЯН С.А. К теории вольт-амперной характеристики длинных диодов. Докл. АН АрмССР, 1979, т.69, вып. 3, с. 157 - 162.

6. АВАКЬЯНЦ F.M., ХАШИМОВ Г. Влияние тылового контакта на вольт-амперную характеристику диода, Изв. АН АрмССР. Физ., 1966, т.1, вып.2, с. 85 - 94.

7. АДИРОВИЧ Э.И., КАРАГЕОРГИЙ-АЛКАЛАЕВ П.М., ЛЕЙДЕРМАН А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках / Под ред. Е.И.Гальперина. М.: Сов. радио, 1978. - 320 е., ил.

8. АЛЕКСЕЕВА В.Г., КАРПОВА И.В., КАЛАШНИКОВ С.Г. Зависимость времени жизни электронов и дырок в германии от их концентрации. Физ. тв. тела, 1959, т.1, вып.2, с. 529 - 534.

9. АЛМАЗОВ А.Б., КУЛИКОВА Е.В., СТАФЕЕВ В.И. Исследование биполярного уравнения, описывающего распределение неравновесных носителей в полупроводниках. Физ. и техн. полупровод., 1973, т.7, вып.2, с. 319 - 326.

10. АЛФЁРОВ 1.И., ТРУКАН М.К., ТУЧКЕВИЧ В.М. Исследование изотермических вольт-амперных характеристик германиевых р-1 -п структур. В кн.: Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Ташкент: изд-во АН УзбССР, 1962, с. 76 - 83.

11. АЛФЕРОВ Ж.Й., УВАРОВ А.И. О тепловом пробое мощных германиевых вентилей. Электричество, 1964, №5, с. 46 - 50.

12. БАРАНЕНКОВ А.И., ОСИПОВ В.В. Вольт^амперные характеристики длинных диодов из компенсированных полупроводников. Физ. и техн. полупровод., 1969, т.З, вып.1, с. 39 - 45.

13. БАРАНОВ Л.И., ГАМАНКК В.Б., УСАНОВ Д.А. К теории р-п-п+- и р-п-м-диодов. Радиотехн. и электрон., 1972, т.17, вып.II, с. 2409 - 2413.

14. БАРАНОВ Л.И., КИРЬЯШКИНА З.И., КЛИМОВ Б.Н. Изучение эффектов обогащения и обеднения в р~п-п+ структурах. В сб.: Физ. полупровод, и полупровод, электрон., выпД. Саратов: изд-во при Саратов, ун-те, 1968, с. 19 - 36.

15. БАРАНОВ Л.И., КЛИМОВ Б.Н., СЕЛИЩЕВ Г.В. К вопросу о распределении носителей и изменений времени жизни в базовой,области р-п-п+-диода при высоких уровнях инжекции. Радиотехн.и электрон., 1966, т.II, вып.8, с. 1441 1446.

16. БАРАНОВ Л.И., СЕЛИЩЕВ Г.В. Влияние зависимости времени .жизни неравновесных носителей от концентрации на вольт-амперную характеристику р— | —п С р-п-п+ )-диода. Радиотехн. и электрон., 1971, т.16, вып.2, с. 404 - 410.

17. ВИКУЛИН И.М., ВИКУЛИНА Л.Ф., СТАФЕЕВ В.И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983. - 104 е., ил. - ( Массовая б-ка инженера "Электроника", вып.38 ).

18. ВОРОБЬЁВ Л.Е., КАРАКУШАН Э.И., СТАФЕЕВ В.И. Влияние магнитного поля на распределение носителей в толще магнитодиода. -Физ. тв. тела, 1963, т.5, вып.4, с. 982 989.

19. ВУЛ Б.М. О пробое переходных слоев в полупроводниках. I. техн. физ., 1956, т.26, вып.II, с. 2403 - 2416.

20. ВЯТКИН А.П. Исследование свойств сплавного контакта германия с оловом. Изв. вузов. Физ., 1959, №2, с. 4,8 - 53.

21. ГРИБНИКОВ З.С. Вольт^амперная характеристика полупроводникового диода в пределе больших токов. Радиотехн. и электрон., 1964, т.9, вып.1, с. 163 - 171.

22. ГРИБНИКОВ З.С. Плоскостной полупроводниковый диод с крутыми переходами в пределе больших токов. Радиотехн. и электрон., 1964, т.9, вып.5, с. 851 - 860.

23. ГРИБНИКОВ З.С. Теория инжекции носителей тока в "длинных" диодах. Физ. тв. тела, 1965, т.7, вып.1, с. 251 - 257. .

24. ГРИБНИКОВ З.С. Граничные условия инжекции в электронно-дырочных переходах. Физ. и техн. полупровод., 1967, т.1, вып.5, с. 736 - 744.

25. ГУБАНОВ А.И. Теория выпрямляющего действия полупроводников.-М.: ГИТТЛ, 1956. 348 е., ил.

26. ДОБРОВОЛЬСКИЙ В.Н., ВИНОСЛАВСКИЙ М.Н., ЗИНЕЦ О.С. Эффект уменьшения тока и возникновение домена сильного пол$ в электронно-дырочной плазме германия. Укр. физ. ж., 1973, т.18, вып.6, с. 1031 - 1033.

27. ДУДОРОВ Н.М. Использование функции распределения носителей заряда в полупроводнике по энергиям для определения тока через р-п переход, Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн « наук , 1971, вып.1, с. 24 - 29.

28. ДУДОРОВ Н.М. Граничные условия для р-п перехода. В сб.: Вопросы электросвязи, вып.б. Рига: Зинатне, 1972, с. 77 - 81.

29. ЗАСЕД B.C., КУБЕЦКИЙ Г.А. Сопротивление толщи полупроводникового диода. Физ. и техн. полупровод., 1967, т.1, вып.2, с. 295 - 297.

30. КАЗАРИНОВ Р.Ф., СКОВОВ В.Г. К теории электропроводности ионных полупроводников в сильных электрическом и магнитном полях. 1. эксп. и теор. физ., 1963, т.вып.4, с. 1368 -1374.

31. КАМКЕ 3. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям: Пер. с нем. М.: Наука, 1965. - 703 с.

32. КАРАКУШАН Э.И., СТАФЕЕВ В,И. Магнитодиоды. Физ. тв. тела, 1961, т.З, вып.З, с. 677 - 686.

33. КАРАКУШАН Э.И., СТАФЕЕВ В.И. Магнитодиоды большой площади. -Физ. тв. тела, 1961, т.З, вып.7, с. 2031 2040.

34. КАРАКУШАН Э.И., СТАФЕЕВ В.И. Магнитодиоды с отрицательным сопротивлением. Радиотехн. и электрон., 1964, т.9, вып.II,с. 2027 2030.

35. К ВОПРОСУ о распределении носителей и изменении времени жизни в базовой области р-п-п+-диода в эффектах обеднения .

36. Л.И.Баранов, Б.Н.Климов, В.Н.Алимпиев и др. . В сб.: Физ. полупровод, и полупровод, электрон., вып.2. Саратов: изд-во при Саратов, ун-те, 1968, с. 81 - 86.

37. КЛИМОВ Б.Н. Исследование эффектов обогащения и обеднения на. германии. Физ. тв. тела, 1964, т.6, вып.5, с. 1356 - 1360.

38. КОМАРОВСКИХ К.Ф., СТАФЕЕВ В.И. Исследование некоторых вплав-ных контактов металл-германий. Радиотехн. и электрон.,- 173 1966, t.II, вып.12, с. 2200 2208.

39. КОМАРОВСКИХ К.Ф., СТАФЕЕВ В.И. Исследование некоторых свойств контакта металл-полупроводник. В кн.: Физика р-п переходов. Рига: Зинатне, 1966, с. 271 - 278.

40. КОМАРОВСКИХ К.Ф., СТАФЕЕВ В.И. О природе отрицательного сопротивления в некоторых диодных структурах. В кн.: Физика р-п переходов. Рига: Зинатне, 1966, с. 433 - 442.

41. КОНУЭЛЛ Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях: Пер. с англ. / Под ред. Й.Б.Левинсона и Ю.К.Пожелы. М.: Мир, 1970. - 384 е., ил.

42. КОРН Г., КОРН Т. Справочник по математике: Для научных работников и инженеров: Пер. с англ. / Под общей ред. И.Г.Ара-мановича. М.: Наука, 1974. - 832 е., ил.

43. ЛЕБЕДЕВ A.A., СТАФЕЕВ В.И., ТУЧКЕВИЧ В.М. Некоторые свойства диодов из германия с примесью золота. I. техн. физ., 1956, т.26, вып.10, с. 2131 - 2141.

44. ЛЕЙДЕРМАН А.Ю. Влияние центров прилипания на токовые характеристики полупроводникового р-п~р+-диода. Физ. и техн. полупровод., 1969, т.З, вып.10, с. 1492 - 1505.

45. ЛЕЙДЕРМАН А.Ю., КАРАГЕОРГИЙ-АЛКАЛАЕВ П.М. Влияние антизапорного контакта на вольт-амперную характеристику полупроводникового диода. Радиотехн. и электрон., 1964, т.9, вып.10, с. 1868 - 1874.

46. ЛЕЙЕРМАН А.Ю., КАРАГЕОРГИЙ-АЛКАЛАЕВ П.М. К теории полупроводникового диода с антизапорным тыловым контактов. Радио-техн. и электрон., 1965, т.10, вып.4, с. 720 - 726.

47. ЛЕЙДЕРМАН А.Ю., КАРАГЕОРГИЙ-АЛКАЛАЕВ П.М. К теории полупроводникового р-п-п+-диода при высоких уровнях инъекции. В кн.: Физика р-п переходов. Рига: Зинатне, 1966, с. 68 - 75.

48. ЛЕЙДЕРМАН А.Ю., КАРАГЕОРГИЙ-АЛКАЛАЕВ П.М. К теории полупроводниковых приборов при высоких уровнях инжекции. Радио-техн. и электрон., 1967, т.12, вып.9, с. 1651 - 1656. .

49. МИДДЛБРУК Р.Д. Введение в теорию транзисторов: Пер. с англ.

50. Под ред. О.Т.Кильдеева. М.: Атомиздат, i960. - 304 е.,ил.

51. МИЛНС А., ФОЙХТ Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник: Пер. с англ./ Под ред. проф. В.С.Вавилова. М.: Мир, 1975. - 432 е., ил.

52. МИШНЁВ A.A., ШЕХОВЦОВ H.A. Вольт-амперная характеристика длинных германиевых м-р-м структур с учётом квазинейтральности р-области. В сб.: Тез. докл. IX Всесоюз. совещан. по теории полупровод., ч.2. Тбилиси: изд-во при Тбилис. ун-те, 1978, с. 24 - 25.

53. НЕКОТОРЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ вольт-амперных характеристик длинных диодов / Г.М.Авакьянц, Б.Атакулов, В.И.Мурыгин и др..-Радиотехн. и электрон., 1964, т.9, вып.5, с. 868 875.

54. ОСИПОВ В.В., СТАФЕЕВ В.И. К теории длинных диодов с отрицательным сопротивлением. Физ. и техн. полупровод., 1967,тЛ, вып.12, с. 1795 1804.

55. ОСИПОВ В.В., ХОЛОДНОВ В.А. Теория диодов с излучательной и и безызлучательной примесной рекомбинацией. Физ. и техн. полупровод., 1970, т.4, вып.12, с. 2241 - 2252.

56. ОСИПОВ В.В., ХОЛОДНОВ В.А. Отрицательное сопротивление в диодах из компенсированных полупроводников при двойной инжекции. Физ. и техн. полупровод., 1971, т.5, вып. 7, с. 1387 1399.

57. ОСИПОВ В.В., ХОЛОДНОВ В.А. Особенности вольт-амперных характеристик диодов из перекомпенсированных полупроводников. -#из. и техн. полупровод., 1972, т.6, вып.З, с. 441 450.

58. ПЕКАР С.И. Теория контакта металла с диэлектриком или полупроводником. 1. эксп. и теор. физ., 1940, т.10, вып.II, с. 1210 - 1224.

59. ПЕКАР С.И. Контакт полупроводника с металлом и приэлектрод-ные скачки потенциала. Изв. АН СССР, 1941, вып. 4-5,с. 422 433.

60. ПЕРСИЯНОВ Т.В., РЕКАЛОВА Г.И., ШАХОВ A.A. Концентрационные соотношения на квазинейтральных границах пространственного заряда р-п перехода при произвольных уровнях инжекции. -Изв. Ленингр. электротехн. ин-та, вып.141. Л.: изд-во ЛЭТИ, 1974, с. 95 103.

61. ПИКУС Г.Е. Контактные явления в полупроводниках. В кн.: Полупроводники в науке и технике, т.1. М.; Л.: изд-во АН СССР, 1957, с. 148 - 173.

62. ПИКУС Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М.: Наука, 1965, - 448 е., ил.

63. ПОЛУПРОВОДНИКИ / Под ред. Н.Б.Хеннея: Пер. с англ./ Под ред. проф. Б.Ф.Ормонта. М.: ИЛ, 1962. - 667 е., ил.

64. РАШБА Э.И., НОСАРЬ А.И. Вольт^амперные характеристики мощных полупроводниковых выпрямителей. S. техн. физ., 1957, т.27, вып.7, с. 1431 - 1445.

65. РАШБА Э.И., ТОЛПЫГО К.Б. Прямая вольт-амперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах. I. техн. физ., 1956, т.26, вып.7, с. 1419 - 1427.

66. РОДЕРИК Э.Х. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ.

67. Под ред. Г.В.Степанова. М.: Радио и связь, 1982, - 208 е., ил.

68. РЫБКИН С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: ГИФМЛ, 1963. 494 е., ил.

69. СЕЛИЩЕВ Г.В. Вольт-амперная характеристика р-п-п+~диода с учётом изменения времени жизни носителей заряда в базовой области. Физ. и техн. полупровод., 1968, т.2, вып.1, с. 139 - 142.

70. СЕНДЕРИХИН И.М. К теории обратной ветви статической характеристики германиевого диода в предпробойной области. -Изв. вузов. Физ., 1967, №9, с. 121 128.

71. СМИТ P.A. Полупроводники: Пер. с англ./ Под ред. д-ра.физ.-мат. наук Н.А.Пенина. 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Мир, 1982. - 560 е., ил.

72. СОНДАЕВСКИЙ В.П., СТАФЕЕВ В.И. Тепловая N -образная вольт-амперная характеристика длинного диода. В кн.: Физика р-п переходов. Рига: Зинатне, 1966, с. 83 - 88.

73. К 4407 72. Деп. от 25.05.72 г. ).

74. СТАФЕЕВ В.И. Влияние сопротивления толщи полупроводника на вид вольт-амперной характеристики диода. Я. техн. физ., 1958, т.28, вып.8, с. 1631 - 1641.

75. СТАФЕЕВ В.И. Модуляция длины диффузионного смещения как новый принцип действия полупроводниковых приборов. Физ. тв. тела, 1959, т.1, вып.б, с. 841 - 847.

76. СТАФЕЕВ В.И. К вопросу о вольт-амперной характеристике диода при сверхвысоких уровнях инъекции. Физ. тв. тела, 1959, т.1, вып.6, с. 848 - 850.

77. СТАФЕЕВ В.И. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики несимметричного диода. -Физ. тв. тела, 1961, т.З, вып.1, с. 185 193.

78. СТАФЕЕВ В.И. Фотопроводимость в полупроводниковом диоде, вызванная изменением времени жизни. Физ. тв. тела, 1961, т.З, вып.9, с. 2513 - 2518.

79. СТАФЕЕВ В.И., КАРАКУШАН Э.И. Магнитодиоды. Новые полупроводниковые приборы с высокой чувствительностью к магнитному полю. М.: Наука, 1975. - 216 е., ил.

80. СТРИХА В.й. Расчёт вольт-амперной характеристики прижимного контакта металл-полупроводник с учётом плёнки окисла, т Радиотехн. и электрон., 1964, т.9, вып.4, с. 681 687.

81. СТРИХА В.И. Расчёт вольт-амперной характеристики точечного контакта металл-полупроводник с учётом зазора и двух типов носителей. В респ. межвед. сб.: Полупровод, техн. и микроэлектрон. Киев: Наукова думка, 1966, с. 143 - 151.

82. СТРИХА В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. -Киев: Наукова думка, 1974. 263 е., ил. . .

83. СТРИХА В.И., БУЗАНЕВА Е.В., РАДЗИЕВСКИЙ И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение. М.: Сов. радио, I974. - 248 е., ил.

84. ТОЛПЫГО К.Б., ЗАСЛАВСКАЯ И.Г. Биполярная диффузия в полупроводниках при значительных токах. Ж. техн. физ., 1955, т. 25, вып.б, с. 955 - 977.

85. ТОЛПЫГО К.Б., РАШБА Э.И. Биполярная диффузия носителей тока при наличии глубоких ловушек. I. эксп. и теор. физ., 1956, т.31, вып.2 ( 8 ), с. 273 - 277.

86. ФОМЕНКО B.C. Эмиссионные свойства материалов. 4-е изд., перераб. и доп. - Киев: Наукова думка, 1981. - 338 е., ил.

87. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики германиевых р+-р-м и м-р-м структур.-Физ. и техн. полупровод., 1973, т.7, вып.1, с. 66 71.

88. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Влияние магнитного поля на вольт-амперные характеристики германиевых м-п-м и р+-п-м структур. Физ. и техн. полупровод., 1975, т.9, вып.1, с. 116 -118.

89. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Вольт-Амперная характеристика длинных м-р-м и р+-р-м структур при низких температурах. -Вестн. Харьк. ун-та, ИЗО. Радиофиз. и электрон., вып.4. Харьков: Вища школа. Изд-во при Харьк. ун-те, 1975, с. 100 -103.

90. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Особенности вольт-амперных характеристик германиевых р+-п-м и м-п-м структур при температуре жидкого азота. Физ. и техн. полупровод., 1976, т.10,вып.с. 757 760.

91. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Особенности распределения неравновесной концентрации в германиевых р+-р-м и м-р-м структурах. Ред. ж. Изв. вузов. Физ., Томск, 1977, 9 е., ил.

92. Рукопись деп. в ВИНИТИ, № 1010 77. Деп. от 25.02.77г. ).

93. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Распределение неравновесной концентрации в германиевых р+-р~м и м-р-м структурах. В респ. межвед. научн.-техн. сб.: Радиотехн., вып.45. Харьков: Вища школа, 1978, с. 89 - 95.

94. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Распределение неравновесной концентрации в германиевых р+-п-м и м-п-м структурах. В респ. межвед. научн.-техн. сб.: Радиотехн., вып.45. Харьков: Вища школа, 1978, с. 95 - 102.

95. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Распределение неравновесной концентрации в германиевых м-р-м и р+-р-р+ структурах. Вестн. Харьк. ун-та, Н63. Радиофиз. и электрон., вып.7. Харьков: Вища школа, йзд-во при Харьк. ун-те, 1978, с. 80 - 82.

96. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A. Вольт^амперная характеристика длинной м-р-р+ структуры с учётом квазинейтральности.р-области. Ред. ж. Изв. вузов. $из., Томск, 1981, 18 с. ( Рукопись деп. ВИНИТИ, }h 5158 - 80. Деп. от 31.10.80 г. ).

97. ШЕХОВЦОВ H.A., МИШНЁВ A.A., КОМАРЬ В.К. Вольт-амперная характеристика длинной м-р-м структуры с учётом квазинейтральности р-области. В сб. научн. трудов: Оптич. и сцинтилл.матер., вып.9. Харьков: изд-во ВНИИ Монокристаллов, 1982, с. 58 64.

98. ШЕХОВЦОВ Н.А., ПРОХОРОВ Э.Д., КАРАСИК Е.А. Влияние границы раздела металл-полупроводник на электрические характеристики транзисторов. Изв. вузов. Радиотехн., 1962, т.5, №2, с. 265 - 268.

99. ШОКЛИ В. Теория электронных полупроводников: Пер. с англ. / Под ред. В.П.Нузе. М.: ИЛ, 1953. - 714 е., ил.

100. AGARVYAL S.K., JAIN S.C., HARSH S. Variation of minority carrier lifetime with level of injection in p-n-junction devices. Electron. Lett., 1982, v.18, N7, pp. 298 - 299.

101. ARTHUR J.B., GIBSON A.F., GUNN J.B. Current amplification in 1-h-junction on germanium. Proc. Phys. Soc., 1956,v.B69, N7, PP. 705 711.

102. BERZ F. Comment on " A note on the assumption of quasi-equilibrium in semiconductor junction devices J. Appl. Phys., 1979, v.50, N6, pp. 4479 - 4481.

103. BETHER H.A. In: Proc. Massachusets Institute of Technology. Radiation Lab. Report, v.43, N12. - USA, Massachusets: Mass. Inst. Technol., 1942.

104. CHANG 1.3?. The condition-diffusion theory of semiconductor junctions. J. Appl. Phys., 1967, v.38, N2, pp. 534544.

105. CHOO S.C. Numerical analysis of a forward-biased step-junction p-l-h diode. IEEE Trans. Electron. Devices, 1971, v.I8, N8, pp. 574 - 586.

106. CHOO S.C. Theory of a forward-biased diffused-junction p-l-h rectifiers. Part I. Exact numerical solution. -IEEE Trans. Electron. Devices, 1972, v.I9, N8, pp. 954 -966.

107. DEMARI A. Accurate numerical solution of the one-dimensional p-n junction in steady state. Electron. Lett., 1967, v.3, N4, pp. 142 - 144.

108. FLETCHER N.H. General semiconductor junction relations.-J. Electron., 1957, v.2, N6, pp. 609 610.

109. FLETHER N.H. The high current limit for semiconductor junction devices. Proc IRE, 1957, v.45, N6, pp. 862 -872.

110. FULKERSON D.E., NUSSBAUM A.A. A computer solution for the steady-state behaviour of a p-n junction diode. Solid State Electron., 1966, v.9, N7, pp. 709 - 719.

111. GUCKEL H., THOMAS D.C., DEMIRKOL A. The p-n junction transition region. Solid State Electron., 1979, v.22, N9, pp. 829 - 830.

112. GTJMMEL H.K. Hole-electron product of p-n junctions. Solid State Electron., 1967, т.10, N3, pp. 209' - 212.

113. HALL R.N. Electron-hole recombination in germanium. Phys. Her., 1952, v.87, N7, pp.- 387 - 391.

114. HALL R.N. Power rectifiers and transistors. Proc. IRE, 1952, v.40, N11, pp. 1512 - 1519.

115. HARRICK N.J. Characteristics of junction in germanium. -J. Appl. Phys., 1958, v.29, N5, pp. 764 770.

116. HARRICK N.J. Use of infrared absorption in germanium to determine carrier distribution for injection and extraction. Phys. Rev., 1956, v.103, N5, pp. 1173 - II8I.

117. В кн.: Рекомбинация носителей тока в полупроводниках: Пер. с англ./ Под ред. В.Л.Бонч-Бруевича. М.: ИЛ,1959, с. НО - 130.

118. HAUSER J.R. Boundary conditions at p-n junctions. Solid State Electron., 1971, т.14, N2, pp. 133 - 139.

119. HAYNES J.R., SHOCKLET W. On mobility and life-time of injected holes and electrons in germanium. Phys. Rev., 1951, v.8I, N5, pp. 835 - 839.

120. HAZMAN S. Some remarks on " High injection theories of the p-n junction." by K.M. van Vliet. Solid State Electron., 1967, v.IO, N3, pp. 269 - 271.

121. HEASELL E.L. Boundary conditions at p-n junctions. Solid State Electron.,. 1979, v.22, N10, pp. 853 - 856.

122. HERLET A., SPENKE E. Gleichrichter mit p-i-n-bzw. mit p-s-n-Struktur unter Gleichstrombelastung. Zeitschrift fur angewandt Physik, 1955, v.7, N2, pp. 99 - 107; 1955,v. 7, N4, pp. 195 212.

123. JAIN G.C., PRASAD A., SINGH S.N. Effect of injection efficiency and dimensions on the performance of a forward "biased p+-i alloyed junction. Solid State Electron., 1974, v.17, N5, pp. 431 - 438.

124. KASSUR A. Theoretical analysis of the influence of an Injunction on operation of semiconductor devices. Electron. Technol., 1975, v.8, N1, pp. 13 - 41.

125. KENNEDY D.P., O'BRIEN R.R. On the mathematical theory of the linearlygraded p-n junction. IBM J. Res. Develop., 1967, v.II, N3, pp. 252 - 270.

126. KLEINMAN D.A. The forward characteristics of the p-i-n diode. Bell Syst. Techn. J., 1966, v.35, N5, pp. 688 - 706.

127. LADANY I. DC characteristics of a junction diode. Proc. IRE, 1959, v.47, N4, pp. 589 - 593.

128. LAMPERT M.A. Double injection in insulators. Phys. Rev., 1962, v.125, N1, pp. 126 - 141.

129. LAMPERT M.A., ROSE A. Volume-controlled, two-currier currents in solids: the injected plasma case. Phys. Rev., 1961, v.I2I, N1, pp. 26 - 37.

130. LOW G.G.E. On non-equilibrium currier concentrations in semiconductors. Proc. Phys. Soc., 1955, v.B68, N425B,pp. 310 313.

131. В кн.: Проблемы физики полупроводников: Пер. с англ./ Под ред. В.Л.Бонч-Бруевича. М.: ИЛ, 1957, с. 216 - 219.

132. MISAWA Т. A note on the extended theory of the junction transistor. J. Phys. Soc. Japan, 1956, v.II, N7, pp. 728 -739.

133. MUELLER C.W., HILIBRAND J. The thyristor a new high-speedswitching transistor. IRE Trans. Electron. Devices, 1958, v.ED-5, N1, pp. 2-5.

134. NORDMAN J.E. Comments on " High injection theories of the p-n junction." by K.M. van Yliet: Author's reply. -Solid State Electron., 1967, v.10, N3, pp. 263 264.

135. NUSSBAUM A. Boundary conditions for the space-charge region of a p-n junction. Solid State Electron., 1969, v.12,1. N3, pp. 177 183.

136. NUSSBAUM A. The modified Fletcher boundary conditions. -Solid State Electron., 1975, v.18, N1, pp. 107 109.

137. NUSSBAUM A. Inoonsistenciea in the original form of the Fletoher "boundary conditions. Solid State Electron., 1978, v.2I, N9, pp. 1178 - 1179.

138. ORLIE L., CURTIS J., GOSSIK B.R. Direct method of measuring the contact injection ratio. Rev. Sci. Instr., 1956, v.27, N10, pp. 828 - 829.

139. RITTNER E.S. Extension of the theory of the junction tran195Ц»sistor. Phys. Rev./ 94, N5, pp. II6I - II7I.

140. RUSTAGI S.C., CHATTOPADHYAYA S.K. Characterisation of linearly graded p-n junction. Solid State Electron., 1979, v.22, N9, pp. 819 - 827.

141. RUSTAGI S.C., CHATTOPADHYAYA S.K. Analysis of the spacecharge region of an assymmetrically graded p-n junction.-IEEE Trans. Electron. Devices, 1980, v.27, Nil, pp. 21632165.

142. RYOGO H., TOSIMA S., LAMPERT M.A. Theory of double injection into a semiconductor of finite cross-section. J. Phys. Soc. Japan, 1963, v.18, N4, pp. 535 - 540.

143. SANCHE2 M. Hole and electron concentrations in a p-n-abrupt-junction diode as obtained by exact computer solution of the differential equations. Electron. Lett., 1967, "v.3, N3, pp. 117 - 119.

144. SANCHEZ M. Electric field in a p-n-abrupt-junction diode as obtained by exact computer solution of the differential equations. Electron. Lett., 1967, v.3, N4, pp. 160-162.

145. SCHOTTKY W. Vereinfachte und erweiterte theorie der Randschichtleichter. Zeitschrift fur Physik, 1942, v.118, N9-10, pp. 539 - 592.

146. SHOCKLEY W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors. Bell Syst. Techn. J., 1949, v.28, N7, pp. 435 - 489.

147. SHOCKLEY W., READ W.T. Statistics of the recombination of holes and electrons. Phys. Rev., 1952, v.87, N9, pp.835842.

148. В кн.: Полупроводниковые электронные приборы: Пер. с англ. / Под ред. А.В.Ржанова. М.: ИЛ, 1953, с. 121 - 127.

149. SPENKE Е. Durchlap und Sperreigenschaften eines p-i-Metall-Gleichrichters. Zeitschrift ftir Nat u:c--£ors chung, 1956, y.IIa, N6, pp. 440 - 456.

150. STEELE M.C.,AND0 K., LAMPERT M.A. Avalanche breakdown-double injection induced negative resistance in semiconductors. J. Phys. Soc. Japan, 1962, v.17, N11, pp. 17291736.

151. THE FORWARD BIASED, abrupt p-n junction / H.Guckel, A.De-mirkol, D.C.Thomas, et al.J . Solid State Electron., 1982, v.25, N2, pp. 105 - 113.

152. TRANSITION REGION behaviour in abrupt, forward-biased p-n junctions / ^H.Guckel, D.C.Thomas, S.V.Iyengar, et al. . Solid State Electron., 1977, v.20, N7, pp. 647 652.

153. VARSHNEY R.C., ROULSTON D.J., CHAMBERLAIN S.G. Determination of neutral region carrier concentrations in p-n junctions using quasi-Fermi levels. J. Electron., 1973, v.35, N1, pp. 15 - 23.

154. VLIET K.M. van. High injection theories of the p-n junction in the charge neutrality approximation. Solid State Electron., 1966, v.9, N3, pp. 185 - 201.

155. WARNER R.M., LEE K. Modeling the space-charge-layer boundary of a forward-biased junction. J. Appl. Phys., 1982, v.53, N7, PP. 5304 - 5310.

156. ZIEL A. van der. Boundary conditions for forward biased p-n junctions. Solid State Electron., 1973, v.16, N12, pp. 1509 - I5II.