Неустойчивость тока в многослойных структурах с активными энергетическими уровнями тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Григорьян, Леонтий Рустемович

• Григорьян, Леонтий Рустемович
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Григорьян, Леонтий Рустемович

Введение.

Глава 1. Неустойчивость тока в многослойных твердотельных структурах.

1.1 Динамические неоднородности электрического тока в неоднородных твердотельных структурах.

1.2 Условия возникновения неустойчивости тока в твердотельных щ структурах.

1.3 Поверхностно - барьерная и рекомбинационная неустойчивость тока.

1.4 Неустойчивость тока в твердотельных структурах с распределенным эмиттерным переходом.

Глава 2. Методика исследования неустойчивости тока в многослойных твердотельных структурах.

2.1 Элементы на основе многослойных структур с инжекционной неустойчивостью.

2.2 Изготовление элементов многослойных структур.

2.3 Методика исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств.v. v.

Глава 3. Экспериментальное исследование электрофизических и фотоэлектрических характеристик структур с распределенным эмиттерным переходом.

3.1 Статические и импульсные вольтамперные характеристики структур.

3.2 Фотоэлектрические свойства структур с распределенным эмиттерным переходом.

3.3 Температурные характеристики Туннелистора и Биспина.

3.4 Исследование полного дифференциального сопротивления структур с распределенным эмиттерным переходом от напряжения на активном контакте.

Глава 4. Феноменологическая модель процессов неустойчивости электрического тока в многослойных структурах.

4.1 Уравнения, описывающие неравновесные процессы в структуре с распределенным эмиттерным переходом.

4.2 Уравнение полной динамической системы для многослойных структур.

4.3 Анализ СРП структуры как полной динамической системы.

4.4 Численное решение динамических уравнений колебательной системы.

Глава 5. Использование неустойчивости тока для создания приборов функциональной электроники.

5.1 Функциональные приборы на основе структур с распределенным эмиттерным переходом

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Неустойчивость тока в многослойных структурах с активными энергетическими уровнями»

Широкое проникновение новейших достижений радиоэлектроники в технику обработки информации, системы автоматизации и робототехники является характерной чертой происходящего в обществе научно-технического прогресса. Поэтому понятен большой интерес к вопросам развития радиоэлектроники и ее влияния на развитие общества и государства [1-5].

Современная электроника, являясь основным средством обработки информации, развивается по двум главным направлениям: интегральной электроники или микроэлектроники, и функциональной электроники [6]. Основные тенденции развития микроэлектроники обусловлены идеологией больших и сверхбольших интегральных схем и осуществляются в направлении освоения субнаносекундных интервалов времени и субмикронных размеров компонентов сверхвысоких уровней интеграции. Эти достижения, реализующиеся на основе транзисторной схемо - и системотехники, используют классические методы схемной радиотехники, теории электрических цепей и основаны на принципе технологической интеграции статических неоднородностей - потенциальных барьеров, к которым относятся легированные разными примесями полупроводниковые области активных компонентов интегральных схем (диодов, транзисторов), металлические и диэлектрические участки кристалла [7-9].

Разработчики интегральных схем первого направления [6, 8] активно ищут способы преодоления "тирании количества", способы обхода технологических и физических барьеров. С этой целью разрабатываются вертикальные структуры, в которых стараются разместить максимум элементов в минимальном пространстве. Активные и пассивные элементы схемы размещаются в объеме, и интегральная схема становится трехмерной.

Второе направление основано на полном отказе от понятия классических схемных элементов и непосредственном использовании физических явлений в твердом теле, связанных с кинетическими, квантовыми, механическими, тепловыми, излучательными и магнитными эффектами, а также явлений в жидких средах, связанных с электрохимическими процессами, для выполнения функций сложных электронных систем.

Эти явления являются физической основой функциональной электроники. Интеграция в функциональной электронике - параметрическая, интегрируются функции преобразования, что исключает схемотехнический принцип их формирования, а следовательно, компонентную и элементную их интеграцию. Физические процессы и явления, происходящие в твердом теле, используются для моделирования функций передачи и преобразования, определяемых алгоритмами обработки массивов информации [6, 10]. Другими словами, функциональная электроника основана не на схемной радиотехнике с использованием статических неоднородностей (потенциальных барьеров) и технологической интеграции, характеризующих интегральную электронику, а на физических принципах интеграции динамических неоднородностей (электрические и магнитные домены, магнитные вихри, волны деформации, зарядовые пакеты и др.), возникающих в процессе эксплуатации электронной системы. Известно большое количество динамических неоднородностей различной физической природы. Это ансамбли заряженных частиц и квазичастиц (зарядовые пакеты, флуксоны и т.п.), домены (электрические домены, цилиндрические магнитные домены и т.п.), динамические неоднородности волновой природы (поверхностные акустические волны, магнитные статические волны и т.п.). Одним из наиболее известных элементов функциональной электроники основанной на использовании динамической неоднородности является кристалл арсенида галлия, в котором возникают движущиеся домены, проявившиеся в возникновении неустойчивости тока (эффект Ганна) [11,12,13].

Значительный интерес для функциональной электроники представляют физические процессы, связанные с образованием динамических неоднородностей в многослойных структурах. Ранее неустойчивость тока была обнаружена в структурах с реальными контактами металл - полупроводник [14,

15]. Однако, неустойчивость тока наблюдались только при определенных внешних воздействиях, что ограничивало использование эффекта.

Дальнейшие исследования авторов [14, 15] были связаны с изучением физических процессов, приводящих к возникновению обнаруженной поверхностно-барьерной неустойчивости тока [16, 17]. Показано, что особенности процессов в таких структурах связаны с периодическим заполнением поверхностных состояний (ПС) в активном контакте [18-20]. Следует отметить, что в этих работах рассматривают твердотельные структуры только с металл-тунельно прозрачный окисел полупроводник - контактом, а как показали исследования [21], неустойчивость тока в структуре возникает и в том случае, если в качестве активного контакта использовать п+-р-диод, образующий с n-областью р+-п-перехода п+-р-п-транзистор.

В диссертационной работе изучаются твердотельные многослойные структуры отличающиеся: во-первых, сложной структурой коллекторного перехода, площадь которого на несколько порядков меньше площади эмиттерного, во-вторых, усилением тока с а>1 на коллекторном переходе, который далее будем называть активным контактом. В качестве активного контакта может выступать контакт металл-туннельно-прозрачный окисел полупроводник (МТОП-контакт) (Туннелистор) или локальный п+-р- переход (БИСПИН-структура). В исследуемых многослойных структурах протяженность эмиттерного перехода на несколько порядков больше его толщины и размеров активного контакта. Поэтому для отражения указанных геометрических особенностей введен термин распределенный эмиттерный переход.

Следует отметить, что, несмотря на проведенные ранее исследования характеристик многослойных структур с МТОП - контактом [22-24], электрофизические и фотоэлектрические процессы, определяющие их параметры и характеристики, выяснены только в самых общих чертах. Все особенности неустойчивости тока объяснялись периодическим опустошением б и заполнением поверхностных состояний. Кроме того было установлено, что на возникновение неустойчивости тока в МТОП структуре влияет накопление в базе неосновных носителей заряда [22, 23]. Динамика накопления носителей заряда и определяющие ее факторы ранее не исследовались.

Представление структуры как динамической колебательной системы проводилось упрощенно, не установлено необходимое условие появления неустойчивости тока (колебаний) в структуре. Детальное моделирование процессов приводящих к неустойчивости тока в структуре выполнялись также в упрощенном виде [24].

Сравнительный анализ общих закономерностей электрофизических свойств МТОП и Биспин структур ранее не проводился. При исследовании функциональных возможностей структур мало внимания уделялось проблемам, связанных с исследованием применения структур с активными и пассивными элементами.

Таким образом, углубление исследования неустойчивости тока в многослойных структурах с активными контактами как в теоретическом, так и практическом аспектах является актуальной задачей.

Цель работы.

Исследование закономерностей возникновения неустойчивости тока в сложных многослойных структурах, вследствие накопления заряда в активном контакте.

Задачи работы:

1. Провести измерение электрофизических и фотоэлектрических характеристик многослойных структур.

2. Построить эквивалентную схему многослойных транзисторных структур.

3. Разработать модель, объясняющую неустойчивость тока в многослойных структурах с активными энергетическими уровнями.

4. Провести сопоставление теоретических фазовых диаграмм с экспериментальными вольтамперными характеристиками и определить характерные временные параметры процесса неустойчивости.

5. Провести сравнительный анализ свойств МТОП и Биспин структур.

6. Исследовать влияние внешних воздействий на характер наблюдаемых колебаний тока в активном контакте структуры.

7. Проанализировать возможность практического применения структур с распределенным эмиттером.

Научная новизна.

1. Построена феноменологическая модель и эквивалентная схема многослойных структур в динамическом режиме, учитывающая накопление носителей заряда и туннельный пробой активного контакта.

2. Впервые проведен сравнительный анализ вольтамперных, частотных, температурных, фотоэлектрических и вольтфарадных характеристик многослойных структур с различным типом активного контакта.

3. На основе расчета барьерной и дифференциальной емкости распределенного р+-п - перехода для обоих типов структур впервые продемонстрировано влияние процесса накопления неосновных носителей заряда на напряженность электрического поля в области пространственного заряда активного контакта.

4. Показано, что многослойные структуры с активным контактом являются динамической колебательной системой.

5. Определены необходимые и достаточные условия возникновения неустойчивости тока в многослойных структурах с активным контактом.

Практическая ценность.

1. Проведен сравнительный анализ структур с различным активным контактом, что позволяет выявить наиболее перспективные области применения структур в зависимости от типа АК.

2. Установлено, что в структуре с МТОП - контактом в режиме генерации, АК имеет сравнительно большую составляющую обратного тока ip=0,1-г0,8 мА, что обуславливает возможность работы структуры от одного источника питания.

3. Ток протекая ip по распределенному сопротивлению п — слоя создает на р+-п - переходе автоматическое прямое смещение, поэтому обратный ток АК Биспина очень мал, и для него требуются два источника питания: один - для нелинейного контакта, другой - для цепи р+-п - перехода, это обуславливает более высокую чувствительность к оптическому излучению Биспина, чем Туннелистора.

4. Исследованные структуры благодаря своим электрическим и фотоэлектрическим характеристикам являются перспективными активными элементами функциональной электроники обладающими следующими свойствами: малое время отклика на воздействие, многофункциональность, наличие трех каналов управления, широкий динамический диапазон, один из каналов гальванически развязан, выходные импульсы напряжения до 10 В обуславливают хорошее согласование с цифровыми схемами обработки информации.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Многослойные структуры с активным контактом являются колебательной системой с единичной степенью свободы, а активный контакт как элемент структуры - колебательной системой с половинной степенью свободы.

2. Наиболее существенной физической закономерностью, определяющей возникновение колебаний тока является зависимость напряженности электрического поля области пространственного заряда активного контакта от концентрации неосновных носителей заряда в базе структуры, обусловленная геометрией структуры.

3. Одной из причин возникновения неустойчивости тока является накопление заряда в базе структуры, при этом период колебаний определяется временем заполнения дырками ОПЗ активного контакта, а длительность -временем рекомбинации с избыточными неравновесными электронами.

4. Барьерная емкость р+-п - перехода исследуемых структур изменяется более 104 раз при изменении потенциала эмиттера на 1В в следствие периодического накопления заряда в локальном участке ОПЗ перехода, что дает основание считать многослойные структуры с распределенным эмиттером функциональными структурами с накоплением заряда.

5. Транзисторные слоистые структуры являются перспективными приборами функциональной электроники со следующими характеристиками:

2 6 частота генерации 10" -И0 Гц; чувствительность к оптическому излучению

8 9

10410" Гц/Вт; чувствительность по току 0,8-^4 Гц/мкА, по сопротивлению 0,1ч-1000 мкс/кОм, по емкости 0,1-И,5 мкс/пФ.

Апробация работы.

Основные результаты исследований опубликованы в 11 печатных статьях и тезисах докладов конференций. Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: третья всероссийская научно -техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1996); четвертая всероссийская научно - техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1997); межрегиональная научно-практическая конференция «Экология Культура Образование» (Сочи, 1997); международный форум по проблемам науки, техники и образования (Москва, 1997); Semiconductor Devise Research Symposium (University of Virginia, 1997); пятая всероссийская научно - техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1998); первый всероссийский семинар «Моделирование неравновесных систем - 98» (Красноярск, 1998); шестая всероссийская научно - техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 1999); седьмая всероссийская научно - техническая конференция с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморск, 2000).

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, библиографического списка. Общий объем работы составляет 161 страницу, включая 56 рисунков и список литературы из 118 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Григорьян, Леонтий Рустемович

выводы

1. На основе многослойных полупроводниковых структур можно построить генератор импульсных сигналов без использования дополнительных

2 6 активных элементов, с частотой / в пределах 10" -г 10 Гц. Преимущество генератора, построенного на основе этих структуры является предельная простота схемотехнической реализации и одновременно получение высоких технических характеристик. Равенство коэффициента нелинейности нулю, определяет большие перспективы применения многослойных структур СРП в генераторах пилообразного напряжения

2. Чувствительность структур к оптическому излучению при крутизне

8 9 ваттчастотной характеристики 10-10 Гц/Вт позволяет построить оригинальные оптоэлектронные устройства.

3. Структура с распределенным р+-п - переходом может выступать в качестве эффективного измерительного преобразователя «аналог - частота» в системах контроля технологическими процессами, имеющего следующие характеристики: 0,8-4 кГц/мкА (ток); 0,1-1000 мкс/кОм (сопротивление); 0,1-1,5 мкс/пф (емкость).

4. Введение в структуру дополнительных активных контактов позволяет существенно расширить функциональные возможности и реализовать самые разнообразные нелинейные функции: умножение, деление.

5. Функциональные устройства, построенные на основе СРП обладают следующими свойствами: многофункциональность, наличие трех каналов управления, широким динамическим диапазоном управления по каждому из каналов, наличие гальванически развязанного канала управления (оптический), хорошее согласование с цифровыми схемами обработки информации, малое время отклика на воздействие.

Заключение

В результате теоретических и экспериментальных исследований образования неустойчивости тока в многослойных структурах с распределенным эмиттером обоснованы следующие положения и выводы.

1. Анализ опубликованных работ, посвященных исследованию неустойчивости тока в сложных многослойных структурах показывает, что наблюдаемую инжекционную неустойчивость можно объяснить процессами накопления неосновных носителей в области пространственного заряда.

2. Анализ ВАХ структур с различным типом активного контакта позволил установить закономерности и различия структур. На ВАХ структур СРП наблюдаются участки отрицательного сопротивления и отрицательной проводимости, причем наличие дифференциального отрицательного сопротивления является необходимым, но не достаточным условием существования колебаний. Инжекционная неустойчивость тока возникает лишь тогда, когда участок S - типа переходит в участок N - типа. Наличие на ВАХ СРП S и N характеристик обуславливает наличие положительной обратной связи по току и напряжению, охватывающей не менее двух источников изменения проводимости: распределенный р+-п - переход и активный контакт.

3. Теоретическое и экспериментальное исследования полного дифференциального сопротивления структур в динамическом режиме позволяет утверждать, что структуры с распределенным эмиттерным переходом являются многослойными структурами с накоплением заряда. Появление неустойчивости тока объясняется параметрическим изменением барьерных емкостей структуры за счет периодического накопления дырок в локальном участке ОПЗ, площадь которого совпадает с площадью активного контакта структур.

4. Построена модель, учитывающая зависимость концентрации дырок в

ОПЗ активного контакта от накопления и рекомбинации неосновных носителей

150 заряда, а так же влияние неосновных носителей на изменение заполнения ПС. Анализ фазовых траекторий состояний системы показывает, что траектория движения изображающей точки имеет отрицательный наклон. Этот факт является необходимым и достаточным условием возникновения колебаний в системе.

5. Представление структуры как динамической колебательной системы с одной степенью свободы позволило качественно объяснить электрофизические особенности МТОП-структуры и провести сравнительный анализ с экспериментальными данными.

6. Анализ электрофизических и фотоэлектрических свойств структур показывает широкие возможности их использования как активного элемента функциональной электроники, выполняющего разнообразные нелинейные функции и обладающего уникальными параметрами: малым временем отклика на воздействие (меньше 10"3 с); многофункциональностью; наличием двух каналов управления (током и напряжением эмиттера), с коэффициентом перекрытия по частоте импульсов К=106; наличием оптического, гальванически

О Q развязанного, канала управления с чувствительностью 10+10 Гц/Вт. Эти свойства позволяют добиться хорошего согласования рассматриваемых элементов с цифровыми схемами обработки информации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Григорьян, Леонтий Рустемович, 2003 год

1. «Современные проблемы радиофизики и электроники». Юбил. сб. науч. тр. преподавателей и сотрудников каф. радиофизики и динамики электрон, систем // М-во общ. и проф. образования РФ. Яросл. гос. ун-т им. П. Г. Демидова.-Ярославль. 1998. С. 167.

2. К.А. Валиев «Микроэлектроника: достижения и пути развития». Москва. «Наука». 1986. С.7-8.

3. Дорфамн В.Ф. «Микроэлектроника: технологический подъем». М. Знание. 1989.

4. Проблемы современной радиотехники и электроники. Москва. Наука. 1987.

5. Ушаков В. Н. «Электротехника и электроника». М. Радио и связь. 1997. С. 327.

6. Щука А.А. «Фукциоальая электроника» Учеб. для студентов ВУЗов, обучающихся спец. "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". 1998.

7. Жребцов И.П. «Основы электроники» Энергоатомиздат. JI. 1989.

8. Волков В.М., Иваненько А.А., Лапий В.Ю. Микроэлектроника. Киев. Техника. 1983. С. 263.

9. Джонс, М.Х. Электроника практический курс / Пер. с англ. Е.В. Воронова, А.Л. Ларина.- М. Постмаркет. 1999. С. 527.

10. Материалы и компоненты функциональной электроники : Учеб. пособие / В.П. Афанасьев, Н.А. Ганенков, Н.С. Пщелко ; М-во образования РФ. С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т "ЛЭТИ". 1999.

11. Левинштейн М.Е., Пожела Ю.К., Щур М.С. Эффект Ганна. М. Сов. Радио. 1975.12. «Арсенид галлия в микроэлектронике» М. Мир. 1988 г.

12. Хотдицв Ю.А., Лобарев А.С. «Основы радиоэлектроники» М. Агар, 1998 г.

13. Косман М.С., Муравский Б.С. // ФТТ. 1961. №3. С. 2504.152

14. Муравский B.C. // ФТТ. 1962. №4. С. 2485.

15. Муравский Б.С., Кузнецов В.И., Френзен Г.И., Черный В.Н. Исследование кинетики поверхностно барьерной неустойчивости. // ФТТ. 1972. Т6. №11. С. 2114-2122.

16. Муравский Б.С. Влияние излучения на параметры колебаний поверхностно-барьерного генератора. // ФТП. 1975. Т9. №6. С.1140-1142.

17. Муравский Б.С., Кузнецов В.И. Коэффициент передачи тока в структуре с барьером Шоттки. // Радиотехника и электроника. 1980. Т25. №5. С.1112-1114.

18. Муравский Б.С., Черный В.Н., Яманов И.Л., Потапов А.Н., Жужа М.А. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно-прозрачным окислом. // Микроэлектроника. 1989. Т18. №4. С.304-309.

19. Муравский Б.С., Яманов И.Л. Неравновесные электронные процессы в слоистых структурах с поверхностно барьерным переходом. // ФТП. 1987. Т21. №5.

20. Булгаков С.С., Кнаб О.Д., Лысенко А.П., БИСПИН новый прибор микроэлектроники. // Обзоры по электронной технике. 1990. Серия 2. Вып. 6. (1563) С.1-71.

21. Жужа М.А., Ильченко Т.П., Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Неравновесная динамическая проводимость транзисторных структур металл-туннельно прозрачный окисел полупроводник в СВЧ-поле. // Микроэлектроника. 1995. Т24. Вып. 4. С.270-274.

22. Яманов И.JI. Неравновесные электронные процессы в транзисторных слоистых структурах с поверхностно барьерным переходом. Дис. канд. Физ. — мат. наук. Краснодар. 1989.

23. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. // Микроэлектроника. М. Высшая школа». 1987.

24. Рычина Т.А., Зеленский А.В. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы. М. Радио и связь. 1989.

25. Балодис Ю.Н. Лутовинов С.И. Устройства функциональной электроники. 41. 42. ЛИЭС. Л. 1988.

26. Кравчеко А.Ф. Физические основы функциональной электроники

27. Учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по группе специальностей "Электрон, техника, радиотехника и связь". 2000.

28. Белова И.В. Устройства функциональной электроники. Ульяновск, 1998. С. 144.

29. Каримов А.В. Многофункциональные арсенидогалливые тонкопереходные структуры. Ташкент. Фан. 1992.

30. Носов Ю.Р. Приборы с зарядовой связью. М. Знание. 1989.

31. Балякин И.А., Егоров Ю.М., Родзивилов В.А. Приборы с переносом заряда в радиотехнических устройствах обработки информации. М. Радио и связь. 1987. С. 176.

32. Захаров А.Л. // ЖЭТФ. 1960. 38. С. 565.

33. Алексеев М.Е., Сондаевский В.П. // Письма ЖЭТФ. 1969. 10. С. 31.

34. Алексеев М.Е., Варламов И.В., Полторацкий Э.А., Сондаевский В.П. // ФТП. 1969. 3. С. 1787.

35. Fukami Т., Homma К. // Japan J. Appl. Phys. 1963. 2. P. 535.

36. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Миронов А.Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М. Наука. 1972.

37. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников. М. 1990.

38. Федорченко A.M., Коцаренко Н.Я. Абсолютная и конвективная неустойчивость в плазме и твердых телах. М. Наука. 1981. С. 176.154

39. Леонов Е.И. // Зарубежная радиоэлектроника. 1971. №4. С. 55.

40. Кэррол Дж. СВЧ - генераторы на горячих электронах, М.: Мир, 1972.

41. Моделирование режима пролетного домена в субмикронных диодах Ганна. /У Микроэлектроника. 1995. Т. 24. №1. С. 30-33.

42. Денис В.И. введение в физику явлений переноса в сильных электрических полях. ИФП. Вильнюс. 1973.

43. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, М. Наука. 1977.

44. Владимиров В.В., Волков А.Ф., Мейликов Е.З. Плазма полупроводников. М. Атомиздат. 1979.46. «Плазменная неустойчивость и нелинейные явления в полупроводниках». Киев. Наук. Думка. 1984.

45. Капулевский Ю.А. «Градиентные явления в вырожденной электронно -дырочной плазме». Ташкент. 1992.

46. Муравский Б.С. Эффект сильного поля в приповерхностном слое слаболегированных германия и кремния. Диссертация на соискание учен, степени кандидата физ.-мат. Наук. JI. 1963.

47. Муравский Б.С. // Радиотехника и электроника. 1963. 8. С. 162.

48. Hayashi Т., Takao J. // JEEE Electron. Devises. 1971. 18. P. 70.

49. Qayyum A. and Waoding E.R. // Phys. Lett. 1972. A40. P. 247.

50. Qayyum A. and Waoding E.R. // Phys. Lett. 1972. A43. P. 533.

51. Simmony М/And Williams R//J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40. P. 691.

52. Азимоходжаев X.E. // В кн. Тезисы докладов Всесоюзного совещания по диэлектрической электронике. Ташкент. Фан. 1973. С. 16.

53. Moore J.S., Penchia С.М., Holonjak N., Sirkis M.D. and Yamara T. // J. Appl. Phys. 1966. Vol. 37. P. 2009.

54. Kroger H., Wegener H.A. Bistable Impendance State in MIS Structures through Controlled Inversion // Appl. Phys. Letters. Vol. 23. №7. P. 397-399.

55. EI-Badry A., Simmons J.G. Experimental Studies of Switching in Metal -Semiinsulator- n -p+ Silicon Devices // Solid State Electron. 1.977. Vol. 20. №12. P. 963-966.

56. Yamamoto Т., Miromoto M. Thin MIS Structures-Si Negative Resistance Diodes//Appl. Phys. Letters. 1.972. Vol. 20. №8. P. 1.5-1.6.

57. Simmons J. G., EI-Badry A. Theory of Switching Phenomena in Metal-Semiconductor-n-p+-Silicon Devices // Solid State Electron. 1.977. Vol. 20. №12. P. 955-956.

58. Милне С.A. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках М. Мир. 1977.

59. Коварский В.Я., Шимко В.И. // ФТТ. 1965. Вып. С. 3106.

60. Меликян Э.Г. // ФТП. 1973. 7. С. 1022.

61. Меликян Э.Г., Бабаян Г.Г. // ФТП. 1973. 7. С. 1664.

62. Литовченко В.Г., Шаповал A.M. // ФТП. 1968. 2. С. 1330.

63. Литовченко В.Г., Шаповал A.M. // ФТП. 1969. 3. С. 297.

64. Астров Ю.А., Кастальский А.А. // ФТП. 1972. 5. С. 1573.

65. Извозчиков В.А., Косман М.С., Чернявский К.А. //ФТТ. 1965. 7. С. 1552.

66. Баев М.А. // ФТТ. 1964. 6. С. 3747.

67. Conrad R.W., Bebbs J.F Phys. Stat. Solid (a), 1970, 2, K101.

68. Муравский Б.С. Условия возникновения поверхностно- барьерной неустойчивости тока. // В кн. Плазма и неустойчивости в полупроводниках. Тезисы докладов на IV симпозиуме. Вильнюс. 1960. С. 149.

69. Муравский Б.С., Стриха В.И. В кн. Физические основы работы контакта металл - полупроводник с барьером Шоттки. Материалы конференции. Киев. 1975. С. 28.

70. Муравский Б.С. // ФТТ. 1965. №7. С. 334- 335.

71. Муравский Б.С. // В кн. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Материалы конференции. Киев. 1975. С. 30.

72. Муравский Б.С.//ФТП. 1977. №11 С. 1010.156

73. Simmons J.G., Taylor G.W. Concepts Gain of Oxide-Semiconductor Interface and their Application to the TETRAN // Solid State Electron. 1986. Vol. 29. №3. P.287-303.

74. Chang G. Y., Wang J. C. On the Minority-Cauiers Quasi-Fermy Level in Metal-Oxide-Semiconductor Tunnel Structures // Solid State Electron. 1986. Vol. 29. №3. P. 339-353.

75. Phan H. K., Phu L. H., Binh P. H. Electron Surface Trapping Effects on the Switching of Metal-Insulator (Tunnel) -Si (n) -Si (p+) Devices // Solid State Electron. 1986. Vol. 29. №3. P. 273.

76. Kikuchi M. Japan. J. Appl. Phys., 1962. 1. P. 187.

77. Green V. A., Shewchun J. Current Multiplication in Metal-Insulator-Semiconductor Tunnel Diodes // Solid State Electron. 1974. Vol. 17. №3. P. 349-356.

78. Кокин А.А. Перезарядка поверхностных ловушечных состояний и неустойчивость тока в МОП-транзисторах. // Микроэлектроника 1991. Т. 206. Вып. 5. С. 424-434.

79. Румак Н.В. «Система кремний двуокись кремния в МОП — структуре». Минск. Наука и техника. 1998.

80. Усанов Д. А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р-п в СВЧ поле. // ФТП, 1998. Т. 32. №11. С. 1399-1402.

81. Игнатьев А.С., Каминский В.Е., Копылов В.Б., Мокеров В.Г., Немцев Г.З., Шмелев С.С., Шубин B.C. // ФТП. 1992. №26. С. 1795.

82. Воронков Э.Н., Колобаев В.В. Токовая неустойчивость в тонких пленках теллурида кадмия. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М.: МНТОРЭС им. А.С. Попова, 1997.157

83. Колобаев В.В. Возникновение генерационно рекомбинационной неустойчивости в тонкопленочных структурах. // ФТП. 1999. Т. 33. №4. С.423-424.

84. Кнаб О.Д., Фролов В.Д. Эффект фотостимулированной генерации колебаний тока в полупроводниковой структуре. // Письма в ЖЭТФ. 1983. Т. 38. №5. С. 244-246.

85. Идлис Б.Г., Кнаб О.Д., Фролов В.Д. Инжекционная неустойчивость в полупроводниковых структурах с р-п переходом. // Доклады Академии наук СССР. 1989. Т. 308. №3. С. 601-605.

86. Токовая неустойчивость в транзисторных БИСПИН-структурах. С.С. Булгаков, М.Ю. Исаев, О.Д. Кнаб и др. // Электронная промышленность. 1990. №8. С. 15.

87. Применение БИСПИН-структур./ О.Д. Кнаб, С.С. Булкагов, В.И. Никишин и др. // Электронная промышленность, 1989. №9. С. 26-30.

88. Барышев М.Г., Ильченко Г.П., Черный В.Н. Исследование накоплениянеосновных носителей в структуре с распределенным р+-п- переходом. //

89. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды158

90. Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1997. С. 136.

91. Разработка фотоприемника с частотным выходным сигналом видимого и ИК диапазона для оптоэлектронных микропроцессорных устройств. Отчет по НИР./ Кубан. гос. ун-т (КубГУ), Рук. Муравский Б.С., № ГР 01.9.70 002929. Краснодар.

92. Остроумова Е. В., Рогачев А.А. Высокочастотные неустойчивости тока в кремниевом оже-транзисторе. // ФТП. 1999. Т. 33. №9. С. 1126.

93. Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и в оже-транзисторе в сверхсильных электрических полях. // ФТТ. 2003. Т. 37. Вып. 3. С. 372-377.

94. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. Л. Наука. 1972.

95. Муравский Б.С., Рубцов Г.П., Григорьян Л.Р., Куликов О.Н.

96. Электрофизические и фотоэлектрические свойства транзисторных структур сраспределенным эмиттером и функциональные приборы на их основе. Журнал159

97. Радиоэлектроника. №10. 2000. http://jre.cplire.rU/win/oct00/2/text.html.

98. Muravskiy B.C., Grigorian L.R. Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium, USA Charlottesville, 1997, p. 233 -236.

99. Григорьян Л.Р., Муравский Б.С. Моделирование неравновесных электрофизических процессов в структурах с распределенным р+-п-переходом. Моделирование неравновесных систем -98. Тезисы докладов Первого всероссийского семинара. Красноярск. 1998. С. 53-54.

100. Долуденко В.Г., Муравский Б.С. Туннельная эмиссия из несобственных поверхностных состояний типа Мауэ на границе раздела оксид полупроводник. //Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. №12. С. 101105.

101. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводника. М. Наука. 1971. С. 480.

102. Андронов А.А., Витт А.А., Хайкин С.Э. Теория колебаний. М. Наука. 1981. С. 568.

103. Пикус Т.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М. Наука. 1965. 448 С.

104. Туннельные явления в твердых телах. // Сб. статей. М. Мир. 1973. С.

105. Матханов П.Н. Основы анализа электрических цепей. М. Высшая школа. 1977. С.272.

106. Гаряинов С. А. Физические модели полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением. М.: Радио и связь, 1997.- 275 е.,