Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4,2-400К тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Акилбеков, Абдираш Тасанович

  • Акилбеков, Абдираш Тасанович
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 1985, Тарту
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 203
Акилбеков, Абдираш Тасанович. Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4,2-400К: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Тарту. 1985. 203 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Акилбеков, Абдираш Тасанович

Лист сокращений и обозначений, употребляемых в диссертации . g

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. НАКОПЛЕНИЕ УСТОЙЧИВЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК КАК РЕЗУЛЬТАТ СУПЕРПОЗИЦИИ РАЗНОНАПРАВЛЕННЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (Обзор литературных данных) .J

1.1. Создание радиационных дефектов в ЩГК и зависимость этого процесса от температуры облучения ионизирующей радиацией.J

1.1.1. Создание дефектов при кратковременном облучении (имцульсное облучение)

1.1.2. Накопление дефектов при продолжительном облучении (непрерывное облучение)

1.2. Явления, приводящие к накоплению, разрушению и преобразованию дефектов во время продолжительного облучения ионизирующей радиацией .•••.•••,•••«.•».••.•.

1.2.1. Механизм создания И -пар и разделение компонент

1.2.2. Стабилизация подвижных междоузельных дефектов .••.••.•••••«*••••••.••»••

1.2.3. Радиационное разрушение и радиационное преобразование дефектов.

Глава 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2,1» Основные методические приемы, использованные в работе.

2,2, Объекты исследования и экспериментальная установка .••*.•••.••••«.••.••.•.,••.

2.2.1. Объекты исследования

2.2.2, Экспериментальная установка

Глава 3, СОЗДАНИЕ И РАЗРУШЕНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК В ПРОЦЕССЕ ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОГО ОБЛУЧЕНИЯ РЛ В ОБЛАСТИ ТЕМПЕРАТУР 4,2-400 К.

3.1. Область температур 4,2-80 К

3.1.1. Зависимость эффективности накопления при 4,2 К радиационных дефектов в Kßr от наличия примесей и других несовершенств кристаллической структуры

3.1.2. Зависимость эффективности накопления различных радиационных дефектов от температуры (4,2-80 К) и от поглощенной дозы

3.2. Область температур 80-400 К.

3.2.1. Зависимость эффективности создания

F Xg-центров и более крупных ас-социатов галогена от температуры облучения РЛ . ОТ

3.2.2. Зависимость эффективности радиационного разрушения Х^-центров от температуры облучения РЛ (200-320 К)

3.3. Конкретный ход зависимости в области температур 4,2-320 К как функция поглощенной дозы

3.3.1. Спад ^ в области температур

10-30 К

3.3.2. Подъем ^ в области температур

80-160 К.

3.3.3. Спад Ч| в области температур

240-320 К . Ю

3.3.4. Обобщенная схема зависимости выживания радиационных дефектов в ¡СВ>у при продолжительном облучении РЛ при 4,2-400 К . Ш

Глава 4. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СТРУКТУРА ПАРНЫХ АССОЦИАЦИЙ МЕВДОУЗЕЛЬНОГО ГАЛОГЕНА - ДИ-Н-ЦЕНТ-РОВ

4.1. Ди-Н-центры в КВг , основной структурной единицей которых является Вг^-ион . ^^

4.1.1. Свойства Ъг^ -центров в КВг-Ы и К&г-Бг

4.1.2. Свойства Вг^ -центров в чистом

4.2. Другие варианты ди-Н-центров в КВг

4.3. Структура ди-Н-центров и начальные этапы агрегации междоузельного галогена в

К.6>г

4.3.1. Ьгз -центры в \Cbr-Ll

4.3.2. Вг^ -центры в К&г- $г.

4.3.3. Ьу5 -центры в чистом КВг

4.3.4. Специфические особенности дефектооб-разования при облучении РЛ в разных областях температур

4.3.5. Ди-Н-центры, возникающие при термическом отжиге облученного кристалла

4.3.6. Ди-Н-центры, возникающие при импульсном облучении.

4.3.7. Агрегация междоузельного галогена в КВ>г . Х

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4,2-400К»

Исследование радиационных повреждений в кристаллических телах, в том числе и в щелочногалоидных кристаллах (ЩГК), уже давно является одним из важных разделов физики твердого тела. Хотя в ЩГК был накоплен значительный экспериментальный материал (см., например, обзоры [1-12] ) актуальность этих исследований не уменьшилась и в последние годы, т.к. развивающаяся техника предъявляла все новые и новые требования к материалам, находящимся в условиях сильного облучения.

В ЩГК достигнут высокий уровень научного понимания природы первичных радиационных дефектов 11,2,6,7] и элементарных механизмов радиационного создания этих дефектов [3-5,8-12 ] : в этих кристаллах осуществляется низкоэнергетический механизм безызлучательного распада анионного экситона па пару анионных дефектов Френкеля, гипотеза о возможности которого высказана в [13-15] , а первая модель и теория рассмотрены в [16-20] . Глубина знаний, достигнутая в этом вопросе, позволяет исследовать и обсуждать уже отдельные тонкости, такие, как детализация уровней экситона, конкретно из которых происходит распад на дефекты; влияние способа создания экситона на эффективность распада; величина и механизм разлета первичной ^И -пары. I I

Однако, таково положение дел лишь для главного процесса радиационного дефектообразования в анионной подрешетке ЩГК. Процессы же, связанные с последующей стабилизацией дефектов, изучены гораздо слабее, хотя^ начиная с температур, когда междоузельные Н-центры становятся подвижными (в КВг > 40 К), именно они способствуют выживанию дефектов, препятствуя обратной реакции рекомбинации Н- и Г -центров. В чистых ЩГК стабилизация Н-центров, в основном, осуществляется за счет явления ассоциации этих дефектов [ 7,21,22] , воз-го можно^потому, что между одиночными Н-центрами существует упругое притяжение, приводящее к встрече двух Н-центров, что в свою очередь заканчивается созданием ди-Н-центров и более крупных образований галогена, наблюдаемых электронномикрос-кодическим методом £23,24] . Стабилизация Н-центров возможна также и на других собственных дефектах ЩГК, например, на катионных вакансиях, радиационное создание которых исследуется в Тарту уже с 1969 года [ 3,25-34] .

Ассоциация электронных центров окраски ( Р -центров) широко исследовалась (см*обзоры [35,36] ), и при высоких температурах (> 300 К) детально изучены первые этапы процесса ассоциации р -центров, т.е. создание и Р3 -центров.

Отставание в изучении явления ассоциации междоузельного галогена объясняется разными причинами, из которых можно выделить, во-первых, невозможность применения для исследования структуры непарамагнитных ди-Н-центров информативного метода ЭПР и, во-вторых, многообразие конкретного осуществления ассоциации в кристаллической решетке: уже давно было известно как чувствителен этот процесс к температуре и дозе облучения ионизирующей радиацией.

В связи с этим,исследователи, занимающиеся проблемой ассоциации галогена, вынуждены были пойти по пути медленного накопления экспериментальных и теоретических сведений относительно отдельных конкретных форм ассоциации Н-центров в строго конкретных условиях.

Начиная с 1969 года такие исследования ведутся в ИФ АН ЭССР, в лаборатории Ч.Лущика. Это работы Гиндиной, Йыги, А.Дущика, ^рахметова, Плоома, Цунга, А.Эланго, Яансон. Изучалась структура ди-Н-центров, создаваемых радиацией в области температур 180-200 К, где эффективность выживания устойчивых дефектов максимальна [ 27-29 ] . Исследовались и ди-Н-центры, возникающие при облучении при 80 К (уже с гораздо меньшей,чем при 200 Неэффективностью) [27,30-34] . Выл получен результат, что при некоторых различиях в микроструктуре центров в обоих случаях в беспримесных ЩГК главной структурной единицей ди-Н-центра является молекулярный ион , занимающий одно катионное и два анионных узла, т.е. (Хз)ас^-центр. Выло предложено [ 27,34 ] , что цутем создания (Х~ )^-центров в ЩГК осуществляется взаимная стабилизация дефектов Френкеля в анионной и катионной под-решетках.

Настоящее исследование, являясь планомерным продолжением сделанного ранее в ИФ АН ЭССР, направлено на дальнейшее расширение исследования ассоциации галогена в низкотемпературную область ( < 80 К) и на углубление (цутем применения низкотемпературных методик) знаний относительно высокотемпературных ( > 80 К) ди-Н-центров. В области температур 4,2-80 К мы надеялись получить ответ относительно структуры и способа образования самых элементарных ди-Н-центров, возникающих при температурах начала подвижности

Н-центров.

Целью настоящей диссертационной работы являлось систематическое экспериментальное исследование в области температур 4,2-400 К на примере кристаллов К&г высокой чистоты и кристаллов К В г > легированных примесями ( 1и , ¿г ) накопления продуктов ассоциации галогена, созданных рентгеновской радиацией, и процессов их термо- и фотостщулиро-ванного преобразования«

Основной задачей исследования было определение эффективности создания устойчивых ди-Н-центров-Х^-центров во всей исследованной области температур; выделение эффектов радиационного создания и разрушения Хд-центров из фона других вторичных процессов, характерных для использованного нами продолжительного облучения рентгеновскими лучами (РЛ); и установление микроструктуры различных ди-Н-образо-ваний, возникающих при облучении РЛ в разных температурных областях• Предполагалось широко использовать возможности, открывающиеся при исследовании отжига облученного при 4,2 К кристалла, позволяющие цутеы термической стимуляции моделировать элементарный акт объединения двух Н-центров»

Работа состоит из введения, четырех глав и заключения* В первой главе приводится обзор литературных данных относительно явлений, приводящих к накоплению, разрушению и преобразованию дефектов во время продолжительного облучения РЛ. Наиболее подробно рассматривается главное явление, обуславливающее накопление устойчивых дефектов - ассоциация междоузельных Н-центров,

Во второй главе сформулированы основные методические приемы, использованные в работе, и дана характеристика объектов исследования и экспериментальной установки*

В третьей главе приводятся результаты исследования эффективности радиационного накопления всех устойчивых радиационных дефектов в КВт (и частично в KCl , KT и NciCL ) в зависимости от температуры (4,2-320 К), дозы поглощенной радиации и наличия примесей. Обнаружены закономерные изменения в форме зависимостей от температуры облучения эффек-тивн г- in/ дефектов» Проведены исследования изменения термической устойчивости основных дефектов, обусловленные изменением поглощенной дозы« Экспериментально выявлена роль радиационного создания и радиационного разрушения Хд-центров в общем де-фектообразовании•

В четвертой главе излагаются результаты исследования свойств ди-Н-центров, создающихся в чистых и легированных в разных условиях облучения РЛ. Цутем планомерного изучения термо- и фотоустойчивости, продуктов фотодиссоциации, термовосстановления исходных дефектов из продуктов их фотодиссоциации, и определения ориентации при измерении дихроизма определены основные свойства различных Вг£ -центров. Предложены и обсуждены модели для этих Вг~ -центров. Найдены экспериментальные проявления ди-Н-центров другой микроструктуры, чем Вг^ -центры, и предложены модели для таких малоустойчивых конфигураций. Обсуждена общая схема ассоциации междоузельного галогена в КВг ,

В заключении изложены итоги работы и ее основные выводы. Главными из них являются следующие:

I. На примере кристаллов КВг высокой чистоты в процессе изучения^облученных при 4,2 К кристаллов КВг нами промоделированы начальные этапы ассоциации и преобразования и отжига междоузельного галогена. Впервые обнаружено, что первой стадией ассоциации Н-центров является образование связанных только упругим взаимодействием близкорасположенных двух Нцентров (Н,Н-пар). Спектральные характеристики Н,Н-пар = ах 3,3 эВ, полуширина Л = 0,55 эВ) близки к таковым одиночных Н-центров ( = 3,26 эВ, Л = 0,45 эВ).

Н,Н-пары при 65-75 К в результате химического взаимодействия преобразуются в междоузельные Ьг^ -центры, с установленной нами на базе разностороннего анализа их свойств структурой » имеющие ориентацию <100> и спектр поглощения с максимумом 4,39 эВ и полушириной 0,62 эВ. -центры уже при НО К разрушаются с созданием дефектов с поглощением при 3,85 эВ, полушириной 0,55 эВ и ориентацией<110^ , которые проинтерпретированы нами как химически связанные Н-интерстициалы, имеющие структуру (Вг^)--димеров, и обозначенные как ^-центры*

2, При изучении результатов фотодиссоциации Вг^ --центров в К&г с примесями Ц и Бг впервые выделена в спектрах поглощения полоса с максимумом 3,6 эВ и полушириной 0,45 эВ, принадлежащая \/р -центрам (ориентация по<110>) в кристалле К В г «На базе исследования продуктов фотодиссоциации £>г^ -центров и их других свойств установлено, что при облучении при температурах около 80 К создаются

-центры с <100 > ориентацией ( )> а при

160 К и выше )с,Сд -центры с < 110> ориентацией ( К

К2>г-1\ >, т.е. .

3, Облучение при Т > 80 К создает в Кбг Вг^ -центры, фотодиссоциация которых осуществляется с образованием как Н-центров, так и Ч^ -центров, что подтверждает предложенную ранее в тартуских работах модель (Вгд)всв -центра, которая свидетельствует о радиационном создании при Т > 80 К не только анионных, но и катионных дефектов кристаллической решетки*

При облучении КВ>г при Т < 80 К 'взаимодействия двух Н-центров возникают междоузельные С&г^)^- -центры, а центры (занимающие регулярные узлы) практически не создаются, что свидетельствует о необходимости повышенных температур для радиационного создания катионных дефектов»

4« Проведенное исследование эффективности радиационного накопления всех устойчивых дефектов в кристаллах К В>г выделило роль ди-Н-центров в общем процессе накопления дефектов в широком интервале температур (4,2-400 К) и подтвердило существенное значение других вторичных процессов, приводящих, в частности, к созданию при обучении рентгеновской радиацией Р*, Т , -троек, с последующей диффузией междо-узельных ионов галоида к Г - и \/к -центрам и уменьшением эффективности их выживания при Т > 30 К.

Наши основные результаты оцубликованы [ 37-46 ] , доложены и обсуждены на следующих совещаниях и семинарах:

- У Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1983;

- Прибалтийские семинары по физике ионных кристаллов (Лиелупе 1980, 1981, 1983; Лохусалу 1981, 1984; Эзерниеки 1982)«

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Акилбеков, Абдираш Тасанович

3,а ключение

Проведенное нами исследование процессов накопления, преобразования и ассоциации радиационных дефектов в кристал лах КЕ>г , облученных РЛ при 4,2-320 К, дало определенные экспериментальные результаты и позволило сделать основные выводы. Б соответствии с порядком изложения материала в диссертации, полученные результаты можно подразделить на две части.

В первой части (в основном на базе материала 3 главы) получены сведения относительно общих закономерностей накопления большинства радиационных дефектов в ЩГК:

1. Показано, что в КВг разные по своей природе нарушения периодичности кристаллической решетки (примеси Ы , вг , СЛ , дислокации и вакансии, а также радиационные дефекты) действуют при облучении РЛ при 4,2 К одинаково, уменьшая эффективность создания всех долгоживущих дефектов в Кбг . Этот эффект объясняется подавлением дефектообразо-вания в результате увеличения с ростом концентрации нарушений эффективности создания околодефектных возбуждений, распад которых на дефекты малоэффективен.

2. В КВ>г , облученном РЛ при 4,2 К, с увеличением дозы поглощенной радиации изменяется термическая устойчивость возникающих дефектов: в отжиге Г - и Н-центров появляется низкотемпературная стадия при 12-15 К, которой не наблюдается при малой поглощенной дозе; увеличивается доля высокоустойчивых 1-центров (отжиг при 24-30 К), с увеличением которой по линейной зависимости увеличивается также число X -центров, отжигающихся тоже при 24-30 К. Последние факты интерпретированы как проявление создания радиацией при 4,2 К X,-троек дефектов, совместный отжиг которых их и обуславливает.

3. Определены зависимости эффективности создания большинства радиационных дефектов от температуры облучения при 4,2-320 К («¡р (т) , ^(г) , (Т) , ^ СТ)).

Установлено, что температура спада, наблюдающегося в районе 10-30 К на зависимостях , ^[ц ^С7",) и^у-(т), смещается с увеличением дозы поглощенной радиации в область

ОТ О более низких температур, и при дозах 10 эВ/см непрерывного облучения РЛ приходится на область температур делока-лизации 1-центров.

Крутизна подъема 4|р (т) при 80-160 К с увеличением уровня накопления дефектов уменьшается: в КЬг с высоким содержанием радиационных дефектов вероятность нарастания дефектов растет с энергией активации 0,03 эВ, а в КЬг с цулевой начальной концентрацией дефектов с 0,017 эВ.

Исследовано радиационное разрушение Вг3 -центров при 200-320 К и показано, что спад в этой области температур, обусловлен усилением этого разрушения при температурах, когда становятся подвижными все продукты радиационного распада -центров.

4. Проведенное исследование эффективности радиационного накопления всех устойчивых дефектов в кристаллах КВг выделило роль ди-Н-центров в общем процессе накопления дефектов, показав, что при температурах больше 30 К эффективность накопления Г -центров в КВг определяется выживанием Ьгъ -центров. Оно также подтвердило существенное значение вторичных процессов в явлении накопления дефектов: перечисленные выше зависимости от уровня накопления дефектов (цункты 2,3) обусловлены в широкой области температур изменением эффективности взаимодействия экситонов и других электронных возбуждений, подвижность которых меняется с температурой, с ранее созданными радиационными дефектами, а в области ниже температур делокализации 1-центров, наряду с этим, определяющим является изменение с дозой эффективности создания V} X)-троек.

Вторая часть полученных результатов (глава 4) относится к ключевому вопросу явления ассоциации Н-центров, а именно, к вопросу установления микроструктуры ди-Н-образований, и к преобразованию последних.

5. При изучении результатов фотодиссоциации Вг3 -центров в К&г с примесями и 5г впервые выделена в спектрах поглощения полоса с = 3,6 эВ и полушириной 0,45 эВ, принадлежащая \/р -центрам (ориентация по <(П0)>) в кристалле КВг . Установлено, что при облучении при температурах около 80 К создаются ГВгГ \ -центры с <100 > ориентацией (КВг- вг ), а при 160 К и выше (Вг^ -центры с <1Ю)> ориентацией (КВг-Эти КВг-Ш, т.е. (Вгь)+ . Термовосстановление Вг^ -центров из продуктов их фотодиссоциации начинается уже при II К, как в К£>г- 1л , так и в 1СВг-8г.

6. Облучение радиацией при Т > 80 К создает в КВ>г Б

-центры Спри облучении при 80 К = 4,45 эВ, а при 160 К » 4,6 эВ), фотодиссоциация которых осуществляется с образованием как Н-центров, так и УР -центров, что подтверждает предложенную ранее в тартуских работах модель (Вг^)-центра, которая свидетельствует о радиационном создании при 80 К не только анионных, но и катионных дефектов кристаллической решетки.

7. При фотодиссоциации Бг^" -центров, создающихся радиацией при Т < 80 К, а также в процессе отжига облученных при 4,2 К кристаллов, имеющих полосу поглощения с = « 4,39 эВ и А « 0,62 эВ, возникают только Н-центры. Эти

В^ -центры ориентированы по <100> , термически устойчивы до ПО К и их термовосстановление из продуктов их фотодиссоциации идет через стадию отжига при 65-75 К.

Для низкотемпературных В^ -центров нами предложена модель междоузельного изогнутого -иона с выделенным <<100у направлением - т.е. структура (Вг^). . Отсутствие (В|г£)асс1-центров при Т< 80 К свидетельствует о необходимости повышенных температур для радиационного создания катионных дефектов.

8. Детально изучено превращение Н-центров в междо-узельные (В^)^- -центры в процессе отжига облученного при 4,2 К кристалла. Показано, что стадия отжига при 65-75 К имеет близкий к единице коэффициент 2Н -> Ъгъ превращения. Эффективность этого превращения при 65-75 К не зависит от наличия в кристалле примесей , N01 , , бг и С{, , и оно не сопровождается отжигом f -центров. Эти факты объясняются как проявление при 65-75 К системы связанных только упругим взаимодействием близкорасположенных двух Н--центров (Н,Н-пар), оптические характеристики которых С = 3,3 эВ, Д ш 0,55 эВ) близки к таковым у одиночных

Н-центров С - 3,26 эВ, Д » 0,45 эВ).

9. Термическое разрушение низкотемпературных (Вг~ --центров, наблюдающееся при 110 К, приводит к созданию новых ди-Н-центров, с поглощением около 3,85 эВ. Эти центры устойчивы до 135 К; при их фотодиссоциации при 4,2 К создаются только Н-центры; оптический переход в центре ориентирован по <И0)> направлениям.

Для 3,85 эВ-центра предложена модель: это образование из двух Н-центров, связанных химическим взаимодействием (Н£-центр), имеющее структуру (Вг^-димера, занимающего два анионных узла. Обсуждается возможная конфигурация такого ди-мера.

10. На примере кристаллов КВг высокой чистоты в процессе изучения отжига облученных при 4,2 К кристаллов (результаты 7,8,9) нам удалось промоделировать начальные этапы ассоциации и преобразования междоузельного галогена при низких температурах. Впервые обнаружено, что первой стадией ассоциации Н-центров является образование связанных только упругим взаимодействием Н,Н-пар. При 65-75 К Н,Н-пары в результате химического взаимодействия преобразуются в междо-узельные (В^);«,; -центры, которые уже при 110 К превращаются в Нг>-димеры. Из факта, что рассмотренные преобразования есть преобразования одних малоустойчивых междоузельных дефектов в другие, следует, что энергии двух Н-центров недостаточно адя перестройки при низких температурах кристаллической ре-петки с созданием вакансий, занимаемых устойчивым линейным

Ьг" -ионом типа (Ву^ ) ^-центра.

В заключение приношу глубокую и искреннюю благодарность Ариадне Александровне Эланго за внимательное и доброжелательное руководство, постоянное внимание и поддержку, многочисленные плодотворные обсуждения полученных результатов во время выполнения диссертационного исследования.

Автор благодарен Ч.Б.Лущику за предоставление возможности выполнить настоящее исследование в руководимом им секторе физики ионных кристаллов ИФ АН ЗССР и постоянный интерес к работе. Искренне благодарен Р.И.Гиндиной и М.А.Эланго за полезные и стимулирующие обсуждения проблем, затронутых в диссертации, Е.А.Васильченко и А.К.Даулетбековой за плодотворное сотрудничество, А.А.Маароосу и О.А.Федоровой за предоставление кристаллов.

Я сердечно благодарен сотрудникам сектора физики ионных кристаллов Института физики АН ХСР за чуткое отношение и помощь в работе, а также Л.Немцевой, К.Тамм, Х.Гросс, К.Вест-ре и А.Баймаханову за помощь при оформлении настоящей работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Акилбеков, Абдираш Тасанович, 1985 год

1. Schulman J.H., Compton W.D. Color Centers in Solids. - Oxford, London, N.-Y., Paris, Pergamon Press, 1962. - 368 p.

2. Royce B.S.K. The creation of point defects in alkali hali-des. Progress in Sol.St.Chemistry, 1967, v.4, p.213-243.

3. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго M.A. Экситонный механизм создания Р-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. -ФТТ, 1968, т.10, в.9, с.2753-2759.

4. Лущик Ч.Б., Роозе Н.С., Эланго М.А. Электронные возбуждения и радиационное окрашивание ионных кристаллов. Тр. Шк АН ЗССР, 1969, т.36, с.57-108.

5. Лущик Ч.Б. Элементарные механизмы создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. Тр. ИФА АН ЭССР, 1972, т.39, с.81-99.

6. Sonder Е., Sibley W.A. Defects'Creation by Radiation in Polar Crystals. In: Point Defects in Solids/ Ed. by J.Crawford. - N.-Y., Plenum Press, 1972, p.202.

7. Itoh IT. Interstitial and trapped-hole centers in alkali ha-lides. Crystal Lattice Defects, 1972, v.3* p.115-143.

8. Itoh N., Stoneham A.M., Harker A.H. The initial production of defects in alkali halides: F and H centre production by nonradiative decay of the self-trapped exciton. J.Phys.C: Sol.St.Phys., 1977, v.10, No.21, p.4197-4207.

9. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УФН, 1977, т.122, в.2, с.223-251.

10. Williams R.T. Photochemistry of F-ceiiter formation in halide crystals. Semicond.Insulat., 1978, v.3, p.251-283.

11. Lushchik Ch., Lushchik A., Vasilchenko E. Excitons and pointьdefect creation in alkali fealides. In: Defects in Insulating Crystals: Proceeding of the International Conference, Riga, 1981, p.323-342.

12. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides. Advances in Physics, 1982, v.31, Ho.5, p.491-551. ,

13. Hersh H.N. Proposed excitonic mechanism of color-center formation in alkali halides , Phys.Rev., 1966, v.148, p.928-932.

14. Витол И.К. Современные представления о механизме рекомбина-ционной люминесценции щелочногалоидных кристаллофосфоров.

15. Изв. АН СССР, сер.физ., 1966, т.30, в.4, с.564-569.

16. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and a subsequent /110/ replacement sequence: a discussion of the electron hole recombination. -Proc.Phys.Soc., 1966, v.87, p.245-256.

17. Leung C.H., Song K.S. Model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. Phys.Rev.B, 1978, v.18, No.2, p.922-929.

18. Song K.S., Leung C.H. Formation time of F-centres in alkali halides. Solid State Commun., 1979, v.32, Ho.7, p.565-568.

19. Кристофель H.H. О возможности дефектообразования из термически равновесного состояния автолокализованного экситона в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1979,т.21,в,7,с.2054-2057.

20. Sonder Е., Sibley W.A., Rowe J.E., Nelson С.M. Some Properties of Defects Produced by Ionizing Radiation in KC1 between 80 and 300 K. Phys.Rev., 1967, v. 153, ITo.3. p. 1000-1008.

21. Garth J.C., Sonder E. Radiation-produced ultraviolet absorption in KOI. J.Phys.Chem.Sol., 1968, v.29, Ho.10, p.1737-1744.

22. Hobbs L., Hughes A.E., Pooley D. A study of Interstitial Clas-ters in Irradiated Alkali Halides Using Direct Electron Microscopy. Proc.Roy.Soc., 1973, v.322A, p.167-185.

23. Hobbs L.W. Point Defect Stabilization in Ionic Crystals at High Defect Concentration. J.Physique С olio q«, 1976, v.37, С7-3 - C7-26.

24. Иыги X.P.-B., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф., Тийслер Э.С. Элект-ронномикроскопическое обнаружение и оптическое исследование продуктов распада экситонов в кристаллах КВг . ФТТ, 1972, т.14, в.1, с.117-123.

25. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Пунг Л.А., Тийслер Э.С., Зйанго А.А., Яансон Н.А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах Изв. АН CCGP, сер.физ., 1974, т.38, № 6, с.1219-1222.

26. Яансон Н.А., Гиндина Р.И., Лущик Ч.Б. Создание анионных и катионных дефектов в нитевидных кристаллах КВг . ФТТ, 1974, т.16, в.2, с.379-383.

27. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Йыги Х.Р.-В., Плоом Л.А., Пунг Л.А., Тийслер З.С., Эланго А.А., Яансон Н.А. Распад электронных возбуждений на катионные френкелевские дефекты в щелочногалоид-ных кристаллах. Тр. ИФ АН ЗССР, 1975, т.43, с.7-62.

28. Зланго А.А., Нурахметов Т.Н. Создание и разрушение дырочных Вг~ -центров в КВг . ФТТ, 1976, т.18, в.4, с.1147-1150.

29. Elango A.A., Nurakhmetov T.N. Structure and generation mechanism of Br^-centers in X-rayed KBr. Phys.Stat.Sol.(b), 1976, v.78, Ho.2, p.529-536.

30. Лущик Ч.Б., Гиндина P.M., Маароос A.A., Плоом Л.А., Лущик А.Ч., Пунг Л,А., Пыллусаар Ю.В., Соовик Х.А. Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах КС1. ФТТ, 1977, т.19, в.12, с.3625-3630.

31. Лущик А.Ч. Фотодиссоциация, оптическая анизотропия и механизмы создания С1^центров в кристаллах КС1 и КС1-Ж>2. Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, т.49, с.25-44.

32. Гиндина Р.И., Плоом Л.А., Маароос А.А., Пыллусаар Ю.В. Центры окраски в кристаллах КС1 повышенной чистоты. Журн.прикл. спектр., 1977, т.27, с.520-527.

33. Lushchik Ch., Elango A., Gindina R., Pung Ъ., Lushchik A., Maaroos A., Uurakhmetov Т., Ploom b. Mechanisms of cation defects creation in alkali halides. J.Semicond.Insul., 1980, v.5, p.133-158.

34. Шварц K.K., Калниньш Д.О., Экманис Ю.А. Радиационные процессы в ионных кристаллах и проблемы радиационного материаловедения. Изв. АН йатв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1981, № 4, с.71-90.

35. Шварц К.К., Экманис Ю.А. Радиационные процессы в кристаллических и аморфных диэлектриках. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1983, № 10, с.64-84.

36. Akilbekov. А., Nurakhmetov Т., Elango A. Creation and Destruction of X~ centers in Alkali Halides by X-Radiation. Phys. Stat.Sol.(b), 1980, v.100, No.1, p.289-296.

37. Акилбеков А., Эданго А. Температурная зависимость и энергия активации дефектообразования в квг с различной концентрацией радиационных дефектов. ФТТ, 1980, т.22, в.12, с.3607-3611.

38. Dauletbekova A., Akilbekov A., Elango A. Thermo- and Photo-stimulated Recombinations of F-Нд and Centers in KBr with large Na Concentration. Phys.Stat.Sol.(b), 1982,v. 112, No.2, p.445-451.

39. Даулетбекова А.К., Акилбеков А.T., Эланго A.A. Влияние примесей лития и натрия на радиационное дефектообразование в области температур 4,2-300 К в кристалле квг . ФТТ. 1982,т.24,в.10, с.2920-2924.

40. Тайиров М., Акилбеков А., Федорова 0. Влияние ионов хлорана люминесценцию и радиационные эффекты в квг. Тр. ИФ АН ХСР, 1983, т.54, с.102-121.

41. Акилбеков А. Ассоциация Н-центров в процессе отжига х-облу-ченного при 4,2 К кристалла квг. Тр. ИФ АН ЭССР, 1984,т.55, с.165-179.

42. Акилбеков А., Васильченко Е., Эланго А. Вторичные процессы в создании и отжига радиационных дефектов в квг в области 4,280 К. ФТТ, 1984, т.26, в.9, с.2593-2597.

43. Akilbekov А., Dauletbekova А., Elango A. Photo- and Thermo-chemical Reactions with Participation of Br^ Centres in X-Rayed KBr. Phys.Stat.Sol.(b), 1985, v. 127, No.2, p.493-501.

44. Эланго M.A. Механизм создания радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах и его значение для радиационной физики твердого тела. Тр. ИФ АН ЭССР, 1975, т.43, с.63-78.

45. Ueta M., Kondo Y., Hirai M., Yosehinari T. P-Center Formationin KC1 Crystals by Pulsed Electron Beam at 80 К. J.Phys.

46. Soo.Japan, 1969, v.26, N0.4, p.1000-1006.

47. Э, Ueta M., Kondo Y., Hirai M., Yosehinari T. Color Center Formation and Bleaching in KC1 and NaCl by Electron Pulse at 15 K. J.Phys.Soc.Japan, 1971, v.30, Wo.2, p.440-448.

48. Kondo Y., Hirai M., Ueta M. Transient Formation of Color Centers in KBr Urystals tinder the Pulsed Electron Beam. J. Phys.Soc.Japan, 1972, v. 33, N1, p.-151-157.

49. Karasawa 5., Hirai M., Color Center Formation in KC1 and NaCl Crystals by Pulsed Electron Beam. J.Phys.Soc.Japan, 1975, v.39, N0.4, p.999-1003.

50. Karasawa T.f Hirai M. Intrinsic Luminescence in KBr Crystals between 1,8 and 80 K. J. Phys.Soc.Japan, 1976, v.40, No.1, p.128-133.

51. Saidoh M., Hoshi I., Itoh N. Temperature Dependence of the Radiation-Induced Dynamic Motion of Interstitial Halogen in Alkali Halides. J.Phys.Soc.Japan, 1975, v.39, No.1, p.155-161.

52. SaXena R.D., Soda K., Itoh N. Pulse Radiolysis Studies of Metastable Interstitial Centers in KBr at High Temperatures. -Crystal Lattice Defects, 1979, v.8, p.155-157.

53. Faraday B.J., Compton W.D. Color Centers in KC1 and KBr Produced by Prolonged X-Irradiation at Low Temperatures. Phys. Rev., 1965, v.138, No.ЗА, p.893-911.

54. Нурахметов Т.Н., Зланго А.А. Агрегатизация галогена в KBr, облученном рентгеновскими лучами. Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, т.49, с.7-23.

55. Itoh N., Saidoh M. Radiation-Induced Interstitial Centres in Alkali Halides. Phys.Stat.Sol.(b), 1969, v.33, No.2, p.649-656.

56. Saidoh M., Itoh N. Interactions of Interstitial Centers with Monovalent Impurities in KBr Crystals. J.Phys.Soc.Japan, 1970, v.29, No.1, p.156-162.

57. Itoh N. Photochemistry of V Centers in Alkali Halides X-Rayed Near 200 K. J.Phys.Chem.Solids, 1966, v.27, No.1, p.197-203.

58. Ziraps V. Ionic and Electronic Processes during Prenkel Defect Annealing in KBr Crystals above IfleT. Phys.Stat.Sol. (b), 1983, v.119, No.1, p.49-59.

59. Лущик Ч.Б., Вале Г.К., Эланго М.А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски. Изв. АН СССР, сер.физ., 1967, т.31, № 5, с.820-828.

60. Luscik (5.В., Liidja G.G., Jaek I.V. The Mechanism of Formation of Color Centers in Ionic Crystals by Ultraviolet Irradiation. Proc.Intern.Сonf. on Semiconductor Physics, Prague, 1960, p.717-721.

61. Лущик Ч.Б., Лийдья 1\Г., Эланго М.А. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах. ФТТ, 1964, т.6, в.8, с.2256-2262.

62. Бичевин В.В., Кяэмбре Х.Ф#, Лущик Ч.Б., Тийслер Э.С. Экситон-ные и электронно-дырочные процессы в кристаллах КС1 при создании центров окраски ультрафиолетовой радиацией, ФТТ, 1970, т.12, в.10, с.2888-2894.

63. Тийслер Э.С., Лущик Ч.Б. Распад экситонов на F и Н-центры в кристаллах кв г . ФТТ, 1969, т.II, в.II, с.3270-3275.

64. Кристофель Н.Н. О роли либрационных колебаний в распаде авто-локализующихся экситонов на дефекты. ФТТ, 1985,

65. Зланго М.А. Об энергетических аспектах нестабильности экситонов относительно распада на дефекты структуры в щелочногалоид-ных кристаллах. ФТТ, 1975, т.17, в.8, с.2356-2359.

66. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Колк Ю.В., Лущик Н.Е. Создание и преобразование дефектов в КС1-Т1 при аннигиляции электронных возбуждений. Тр. ИФ АН ЗССР, 1983, т.54, с.38-72.

67. Миллере Д.К., Тале И.А., Котомин Е.А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах. Уч.зап. Латв.ГУ, 1975,т.245,в.4,с.24-72.

68. Котомин Е.А., фабрикант И.И. Оценка квазистационарного радиуса диффузионно-контролируемой рекомбинации дефектов с учетом тун-нелирования и упругого взаимодействия. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1979, № 3, с.76-83.

69. Tale I., Millers D., Kotomin E. Role of tunneling recombinationin radiation-induced F-centre creation in alkali halide crystals at liquid helium temperatures. -J.Phys.C: Solid State Phys., 1975, v.8, p.2366-2375.

70. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Соовик Х.А., Тайиров М.М. Туннельная перезарядка френ-келевских дефектов в СзВг . ФТТ, 1981, т.23, в.6, с.1636-1642.

71. Smoluchowski R., Lazareth O.W., Hatcher R.D., Dienes G.J. Mechanism of point-defect formation in ionic crystals. -Phys.Rev.betters, 1971, v.27, p.1288-1290.

72. Витол И.К. Исследование дырочно-ионных процессов в щелочно-галоидных кристаллах. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Рига, 1969. - 117 с.

73. Лисицын В.М. Образование радиационных дефектов при распадеэлектронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки. Дис. . докт.физ.-мат.наук. - Томск, 1979. -274 с.

74. ВО. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в ионных кристаллах. -Вопр.ат.науки и техн., сер.:физ.рад.поврежд. и рад.материаловедение, Харьков, 1981, в.1(15), с.17-27.

75. Dauletbekova А., Elango A. Conversion of Р-Нд Pairs intocJL- 1Д Pairs in KBr-Li and KBr-Ua X-Rayed at 80 K. Phys.Stat. Sol.(b), 1981, v.108, Ho.2, p.299-305.

76. B2. Васильченко E.A., Тайиров M.M. Низкотемпературный распад экситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в KCl, KCl-Br и KC1-I. Тр. ИФ АН ЗССР, 1982, т.53, с.172-192.

77. Agullo-Lopez Р. Р-Н Recombination and Intrinsic Light Emission in Alkali Halides. J.Luminescence, 1981, v.23, p.433-436.

78. Kotomin E., Shluger A. Quantum-chemical simulation of Frenkel pairs separation in a LiP crystal. Solid State Commun., 1981, v.40, tto.6, p.6^9-672.

79. Лисицын B.M., Сигимов В.И., Яковлев В.Ю. Распад электронных возбуждений на пары френкелевских заряженных дефектов в ЕС. -ФГГ, 1982, т.24, в.9, с.2747-2752.

80. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р. Зона неустойчивости вакансия-атомв междоузлии. ФТТ, 1974, т.16, в.II, с.3480-3483.

81. Тайиров М.М. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в квг и квг-С1. ФТТ, 1983, т.25, в.2, с.450-455.

82. Лисицын В.М., Сигимов В.И. Вероятность аннигиляции компонентов первичной F-H-пары при термоактивационном движении. Изв. вузов, Физика, 1977, № 10, с.41-44.

83. Giuliani G. Color Centres Production in Sodium Doped KBr at 80 K. Solid State Commun., 1969, v. 7, No.1, p.79-82.

84. Tanimura K. The H-Center Interaction with a Rb+ Ion during Irradiation and Thermal Annealing ir{ KBr. J.Phys.Chem.Sol,, 1978, v.39, Ho.7, p.735-741.

85. Колк Ю.В. Радиационное создание, перезарядка и отжиг парамагнитных Н- и Vk -центров в КС1 и KCl-Rb при 20+100 К. Тр. ИФ АН ЗССР, 1984, т.55, с.106-142.

86. Schoemaker D, Electron-Paramagnetic-Resonance Study of the Structure and Motions of H^ and HA' д Centers in Na+- and Li+-Doped KC1. Phys.Rev.B, 1971, v.3, No.10, p.3516-3531.3, Duering W.K., Markham J. Color Centers in Alkali Halides at

87. K. Phys.Rev,, 1952, v.88, No.5, p.1043-1049. ?4, Compton W.D,, Klick C.C. Symmetry of the H Center in KC1 and

88. KBr. Phys.Rev,, 1958, v.110, No.2, p.349-353. )5. Kanzig V/. , Woodruff Т.О. The Electronic Structure of an H Center. - J.Phys.Chem.Solids, 1958, v.9, No.1, p.70-92. Ю. Bachmann K., Peisl H. Elastic Distortions and Interactions of

89. Point Defects in KBr.-J.Phys.Chem.Solids,1970,v.31,No.7,p.1525-1529.

90. Dienes G.J., Hatcher R.D., Smoluchowski R. Structure and Stability of H Centers.- Phys.Rev., 1967, v.157, Ho.3, p.692-700. Dienes G.J,. Hatcher R.D. Smoluchowski R. Formation and Stru6ture of H Centers. J.Phys.Chem,Solids., 1970,v.31,No.4,p.701-705.

91. Balzer R., Peial H., Waidelich V/. Volume Change of KBr due to Various Point Defects. Phys.Stat.Sol.,1969, v.31, No.1, P.K29-K33.

92. Bachmann K., Kanzig W. Paraelastische Defektelektronen-Zentren in Alkalihalogeniden.-Phys.Kondens.Mater.,1968,v.7,p.284317.

93. COI* Kanzig W. Paraelasticity, a mechanical analogy of paramagnetism. J.Phys.Chem.Solids, 1962, v.23, No.5« p.479-499.

94. Hoshi J., Saidoh M., Itoh N. Stabilization of the Interstitial Center by Divalent Impurities in Alkali Halides. Crystal Lattice Defects, 1975, v.6, p.15-34.

95. C03. Catlow C.R.A., Diller K.M., Hobbs L.W. Irradiation-induceddefects in alkali halides crystals. Phil.Mag.A, 1980, v.42, No.2, p.123-150.

96. C04. Некрасов Б.В. Курс общей химии. М.: Госхимиздат, 1954. -941 с.

97. Mitsushima У., Morta К., Matsunami М., Itoh N. Determination of the V^-Center Structure in KBr Crystal by Means of Double Alignment Channeling Technique. J.Physique Colloq., 1976, v.37, Р.С7-97-С7-Ю0.

98. Naramoto H., Ozawa K., Okada Т., Suita T. Correlated Changes of Plow Stress and. Optical Absorption in KBr X-Rayed at LNT.

99. Phys.Stat.Sol.(a), 1974, v.22, No.2, p.445-453.

100. White W.W., Greene A.C. Energetics of interstitial molecule formation in alkali halides: Clg in NaCl. Crystal Lattice Defects, 1969, v.1, No.1, p.83-90.

101. Catlow C.R.A., Diller K.M., Norgett M.J. Interstitial Defects in Irradiated Alkali Halides. J.Phys.C: Solid State Phys., 1975, v.8, N0.3, p.L34-L36.

102. Tasker P.W. A calculation of the electronic states of the tri-halide anions. Molecular Physics, 1977, v.33, No.2,p.511-518.

103. Hersh H.N. Spectra of Halogen Solutions and V-Bands in Alkali Halides.- Phys.Rev., 1957, v.105, No.4, p.1410-1411.1.. Winter E.M., Wolfe D.R., Christy R.W. Dichroism of V Bands in Potassium and Rubidium Halides. Phys.Rev., 1969, v.186, p.949-952.

104. Kingsley J.D. Bleaching and Symmetry Properties of the V^ Center. J.Phys.Chem.Solids, 1962, v.23» p.949-953.

105. Круминып В.Я., Бауманис 3>.A. Рекомбинационные механизмы генерации и терморазрушения v^ -центров в кристаллах КВг. -Уч.зап. Латв.ГУ, 1976, т.254, в.5, с.101-129.

106. Яансон H.A. Термостимулированная люминесценция и катионные радиационные дефекты в нитевидных кристаллах КВг повышенной чистоты и совершенства. Дис. . канд.хим.наук. - Тарту, 1975. - 175 с.

107. Zaleskiewicz T.P., Christy P.W. Optical Bleaching of V^ Centers in KCl. Phys.Rev.A, 1964, v.135, p.194-199.

108. Лущик Ч.Б., Гиндина Р,И., Маароос А.А,, Плоом Л,А,, Лущик А.Ч., Пунг Л,А., Пыллусаар Ю,В., Соовик Х.А, Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах KCl. ФТТ, 1977, т.19, в.12, с.3625-3630.

109. EI9. bushchik Ch.B., Elango A.A., Gindina R.I., Lushchik A.Ch.,

110. Maaroos A.A., Nurakhmetov T.N., Ploom L.A., Pung L.A., Pollu-saar I.V., Soovik H.A., Jaanson N.A. Mechanisms of Cation Defects Creation in Alkali Halides. In: Defects in Insulating Crystals, InternConference, Tennessee,1977,p.273-274.

111. Лущик А.Ч. Оптическое исследование катионных дефектов в облученных кристаллах RbBr. Изв. АН ЭССР, сер.физ.мат., 1980, т.29, с.173-180.

112. Шункеев К.Ш., Гиндина Р.И., Плоом JI.A, Создание и разрушение 01" -центров и катионные дефекты в кристаллах KCl-Na. -Тр. Ш АН ЭССР, 1981, т.52, с.101-120.

113. Нурахметов Т.Н. Структура и механизмы образования центров окраски, возникающих в КВг в результате ассоциации H -центров. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Тарту, 1977. - 190 с.

114. Пунг JI.A., Лущик А.Ч., Халдре Ю.Ю. Рекомбинационная люминесценция и ЭПР в кристаллах КС1 и КВг с катионными френке-левскими дефектами. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т.40, № 9, с.1952-1954.

115. Пунг Л.А., Лущик А.Ч. Парамагнитные и непарамагнитные дырочные центры в кристалле КВг , $ТТ, 1976, т.18, в.З, с.1176-1178.

116. Лущик А.Ч., Пунг Л.А., Халдре Ю.Ю., Колк Ю.В. Радиационное создание дефектов в кристаллах KCl . Bon.ат.науки и техн., сер.: физрад.поврежд. и рад.материаловедение, 1981, в.4(18), с.89-90.

117. Ishii T., Rolfe J. V-Centers in Potassium Bromide Crystals. Phys.Rev., 1966, v.141, Uo.2,. p.758-767.

118. Chowdari B.Ï.R., Itoh H. Interstitial halogen centers in X-irradiated CsBr. J.Phys.Chem.Sol., 1972, v.33» Ho.9,p.1773-1783.

119. Лущик А.Ч. Br^ -центры в облученных рентгеновской и ВУФ-ра-диацией кристаллах CsBr. Тр. Ш АН ЭССР, 1980, т.51, с. 39-56.

120. Шункеев К.Ш., Гиндина Р.И., Плоом Л.А. Создание C1I -центровв кристаллах KCl-Li и NaCl-Li . Тр. ИФ АН SCCP, 1980, т.51, с.143-162.

121. СЗО. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Лущик Н.Е., Тайиров М.М., Шункеев К.Ш. Распад экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в KCl-Na. Тр. ИФ АН ЗССР, 1982, т.54, с.146-171.

122. C3I. Clark C.D., Newman D.H. V-centers produced in KBr and KC1 at 290 К by electron irradiation. J.Phys.C: Solid State Phys., 1971, v.4, Ho.10, p.1130-1144.

123. C32. Harten H. Zur Wirkung von Rontgenlicht auf KCl-Kristalle. -Z.Physik, 1949, v.126, p.619.

124. C33. Bauer C.L., Gordon R.B. Mechanism for Dislocatioa Pinning in the Alkali Halides. J.Appl.Phys., 1962, v.33, No.2, p.672-682.

125. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г. Зкситонные центры захвата в щелочно-галоидных кристаллах, активированных ртутеподобными ионами. -Тр. ИФА АН ЭССР, 1958, т.7, с.193-226.

126. Лийдья Г.Г. Взаимодействие экситонов с дефектами щелочнога-лоидных кристаллов. Тр. ИФА АН ЗССР, I960, т.12, с.149-174.

127. Зланго М.А. Физические процессы при возбуждении ЩГК ионизирующими излучениями. I. Создание центров окраски в монокристаллах NaCl . Тр. ИФА АН ЗССР, 1961, т.17, с.135-147.

128. Зланго М.А. Физические процессы при возбуждении ЩГК ионизирующими излучениями. II. Ионно-электронные явления при создании и разрушении центров окраски в монокристаллах NaCl . -Тр. ИФА АН ЗССР, 1962, т.21, с.215-246.

129. Sonder Б. Radiation Annihilation of F-Aggregate Centers in KOI. Phys.Rev.B, 1972, v.5, No.8, p.3259-3269.

130. I. Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценции кристал-лофосфоров. М.: Наука, 1966. - 324 с.42* Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука, 1964. - 284 с.

131. Круминып В.Я., Зариня Г.Я., Аболинып Я.Я., Зирап В.Э. Роль экситонной (Г-люминесценции в процессах аккумуляции радиационных дефектов в КВг. Тезисы докладов ХХУ Совещания по люминесценции. - Львов, 1978, с.76.

132. Apker L.R., Taft Е.А. Photoelectric Emission from F-Centers in KI. Phys.Rev., 1950, v.79» No.6, p.964-966.

133. Schnatterly S., Compton W.D. F-Aggregate Color Centers in KC1. Phys.Rev.,1964, v.135, Uo.1A, p.227-232.

134. Hayes W., Hodby J.W. An investigation of x-irradiated KC1-H and NaCl-H. Proc.Roy.Soc., 1966, v.294, p.359-375.

135. Витол И.К., Зирап В,Э», Круминь В.Я., Миллер Д.К. Механизмы генерации радиационных дефектов в щелочногапоидных кристаллах. Труды межвузовской конференции по радиационной физике. - Томск, 1970, с.46-54.

136. Guillot G., Uouailhat A. Kinetics of F-center formation and interstitial stabilization mechanism in alkali halides irradiated at 77 K. Phys.Rev.B, 1979, v.19, So.4,p.2295-2304.

137. Kingsley J.D. Photochemistry of the V^ Center. Phys.Rev., 1961, v.122, N0.3, p.772-778.

138. Tanimura K., Okada T. Formation of the self-trapped exciton via thermally induced defect reactions in alkali halides. -Phys.Rev.B, 1980, v.21, N0.4, p.1690-1697.

139. Delbecq С.J,, Hutchinson E., Shoemaker D., Yasaitis E.L., Yuster P.H. ESR and Optical Absorption Study of the V^ Center in KCl:NaCl. Phys.Rev., 1969, v.187, No.3, p.1103-1120.

140. Srinivasan T.M., Compton W.D. X-Ray Generation of Color Centers in Zone-Refined KC1 and KBr. Phys.Rev., 1965, v.137, No.1A, p.264-272.

141. Колк Ю.В. ЗПР-исследование низкотемпературных процессов создания и преобразования н-центров в КС1 и КС1-Т1 . Тезисы У Всесоюзного совещания по радиационной физике и химии ионных кристаллов. - Рига, 1983, с.231.

142. Mercier Е., Guillott G., Nouailhot A. Role of Vk-centers in the equilibria among centers created by electron irradiation at 4 К in KBr. Phys.Rev.B, 1978, v.17, Wo.18, p.3401-3408.

143. Itoh M.a Kanno H., Mori N., Nakai Y. Recombination Processes of Lattice Defects Produced in KBr at Low Temperatures. J. Phys.&oc.Japan, 1980, v.50, No.4, p.1227-1232.

144. Kabler M.N. Low-temperature recombination luminescence in alkali halide crystals. Phys.Rev., 1964, v.136, No.5A,p.12961302.

145. Гиндина P.И., Маароос А.А., Длоом Л.А., Яансон H.A. Разработка методики получения кристаллов КС1 и квг с содержаниемпримеси Ю~б-1(Г8. Тр. Ш АН 3CGP, 1978, т.49, с.45-89.

146. Плоом Л.А., Гиндина Р.И. Определение концентрации гидроксиль-ных ионов в кристаллах галогенидов щелочных металлов. В сб.: Методы анализа галогенидов щелочных и щелочноземельных металлов высокой чистоты. Харьков, 1971, чЛ, с.127-132.

147. Андреев Г.А. Распределение примесей однозарядных ионов при выращивании монокристаллов КС1 и квг , $хт, 1965, т.7, в.5, с.1883-1884.

148. Лущик Н.Е., Соовик Х.А. Возбуждение люминесценции примесных центров квг при оптическом создании экситонов. Тр. Шк АН

149. Tanimura K., Okada T. Effects of the Na+ impurity on the relaxation of an exciton in KBr at low temperatures. Phys. Rev.B, 1976, v.13, No.4, p.1811-1816.

150. Tanimura K. Electronic structure of the relaxed exciton trapped by an alkali impurity in KBr. J.Phys.Сi Solid State Phys., 1978, v.11, No.18, p.3835-3845.

151. Миллере Д.К., Гринфелдс Я.К. Влияние примеси Na+ на создание радиационных дефектов в кристалле KBr. Учен.зап. Латв.ГУ, 1973, в.1, с.131-137.бб. Ikezawa М. The Luminescence Induced by Illumination in the

152. Band in KBr and KC1. Science Reports of the Tohoku University, 1969, ser.1, v.52, p.129-134.

153. Вилу P.O., Эланго M.A. О роли дырочных процессов при создании F-центров в ионных кристаллах на начальной стадии радиационного окрашивания. ФТТ, 1965, т.7, в.12, с.3673-3676.

154. Нурахметов Т.Н., Гиндина Р.И., Осминин B.C., Эланго А.А. Эффективность радиационного создания Xg-центров в щелочно-галоидных кристаллах. Тр. ИФ АН ЭССР, 1977, т.47, с.168-183.

155. Comins I.De Temperature Dependence of Defect Production in

156. KBr and KC1. Phys.Stat.Sol.(b), 1971, v.43, No.1,p.101-111.

157. Vasilchenko E., Lushchik N., Lushchik Ch. Migrations of Excitons and Holes in Luminescent Crystals of CsBr. J.Luminescence, 1972, v.5, No.2, p.117-131.

158. Васильченко Е.А., Йыги Х.Р.-В., Лущик Н.Е., Лущик Ч.Б., Малышева А.Ф., Тийслер Э.С. Экситоны и радиационные дефекты. -Учен.зап.Латв.ГУ, 1973, т.193, в.1, с.112-130.

159. Lushchik Ch.B. Free and self-trapped excitons in alkali hali-des: spectra^and dynamics. In: Modern Problems in Condensed Matter Sciences, v. 2. Excitons./ Ed. by E.I.Rashba and M.D. Sturge. - North Holland, 1982, p.505-541.

160. Котомин E.A., Фабрикант И.И. Эффективность радиационного накопления F-центров в ионных кристаллах. Изв.АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1979, т.1, с.53-59.

161. Даулетбекова А.К. Радиационное создание и рекомбинация дефектов Френкеля в кристаллах квг и KI с различным содержанием примеси Li+ и Na+ . Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Тарту, 1983. - 178 с.

162. Balzer R. Volumenanderung von Alkalihalogenidkristallen bei der Bildung von Gitterdefekten dursh niederenenergetische Strahlung. Z.Physik, 1970, v.234, p.242-260.

163. Круминып В.Я., Бауманис Э.А. Генерация и термическое разрушение v2-центров в квг. Учен.зап.Латв.ГУ, 1975, т.245, в.4,с.99-110.

164. Ishii Т. Photochemically Produced V Bands in KBr and KCl. -J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, No.11, p.2202-2207.

165. Пиментел Г., Спартли P. Как квантовая механика объясняет химическую связь. М.: Мир, 1973. - 331 с.

166. Gabes W., Stufkens D.J. Electronic absorption spectra of symmetrical and asymmetrical trihalide ions. Spectrochi-mia Acta, 1974, v.30A, p.1835-1841.

167. Zoller W., Bridges P. Phonon spectroscopy of lithium-doped KBr. Phys.Rev.B, 1981, v.24, No.8, p.4796-4804.

168. Каплан Н.Г. Введение в теорию межмолекулярных взаимодейст- > вий. М.: Наука, 1982. - 331 с.

169. Andrews L. Optical Spectra of the Dibromide and Diiodide Ions in the Matrix-Isolated M+Br2 and M"1"^ Species. J.Am. Chem.Soc., 1976, v.98, No.8, p.2152-2156.

170. Chance K.V., Bowen K.H., Winn J.S., Klemperer W. Electric deflection studies of halogen and interhalogen. J.Chem. Phys., 1980, v.72, p.812-814.

171. Jansen L., Block R. Effect of direct and indirect exchange interactions on geometries and binding energies of molecularcomplexes. The dimer (Cl0)0.- J.Phys.Chem.,1981,v.75,p.847^ 852.

172. Forbes H.L., Lunch D.W. Ionic conductivity of KI colored with

173. J.Phys.Chem.Sol., 1964, v.25, N0.6, p.621-627.

174. Saidoh M., Itoh N. Ionic Size Effect on the Radiation Induced Dynamics Motion of Interstitial Halogen in Alkali Halides. -Phys.Stat.Sol.(b), 1975, v.72, No.2, p.709-717.

175. Hoshi J., Saidoh M., Itoh N. Stabilization of the Interstitial Center by Divalent Impurities in Alkali Halides. Crystal Lattice Defects, 1979, v.6, p.15-34.

176. Tanimura K., Itoh N. Comments on "Role of Impurities on the Primary Process for F-Coloring in Alkali Halides". Radiation Effects Letters, 1980, v.57, No.5, p.155-159.

177. X9I. Яковлев В.Ю. Исследование сложных центров окраски в ионных кристаллах при импульсном электронном возбуждении. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Томск, 1980. - 161 с.

178. Анненков Ю.М., Столяренко В.Ф., Франгульян Г.С. Импульсная абсорбционная спектроскопия облученных кристаллов бромида калия. ФТТ, 1983, т.25, в.5, с.1343-1351.

179. Даулетбекова А.К., Гиндина Р.И., Эланго A.A. Агрегатные центры брома в облученных кристаллах квг с примесями. Опт. и спектр., 1982, т.53, в.8, с.548-549.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.