Молекулярно-пучковая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Денисов, Сергей Александрович

• Денисов, Сергей Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Денисов, Сергей Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 Проблемы гетероэпитаксиального роста субмикронных слоев кремния и кремний-германия на сапфире.

1.1 Данные о кристаллографии 81, Ое, сапфира и их ориентационные соотношения.

1.2 Молекулярно-пучковая эпитаксия кремния из сублимационного источника.

1.3 Гетероэпитаксиальный рост слоев кремния на сапфире.

1.3.1 Подготовка подложек сапфира для эпитаксиального роста слоев кремния.

1.3.2 Условия роста монокристаллических слоев кремния на сапфире.

1.3.3 Начальная стадия роста слоев кремния на сапфире.

1.4 Дефекты кристаллической структуры слоев кремния на сапфире.

1.5 Методы улучшения структурного совершенства КНС-структур.

1.5.1 Двухтемпературный режим роста.

1.5.2 Рост слоев кремния из ионно-молекулярных потоков.

1.5.3 Другие методы улучшения структуры слоев кремния на сапфире.

1.6 Гетероэпитаксиальные слои 810е на сапфире.

1.7 Постановка цели и задач исследования.

ГЛАВА 2 Сверхвысоковакуумные технологические установки, методики выращивания эпитаксиальных слоев кремния на сапфире и исследования их структуры и морфологии поверхности.

2.1. Сверхвысоковакуумные установки для выращивания эпитаксиальных гетероструктур.

2.1.1 Устройство сверхвысоковакуумных технологических установок.

2.1.2 Устройства для нагрева подложек.

2.1.3 Сублимационные источники паров кремния.

2.2. Общие вопросы методики роста КНС-структур.

2.2.1 Основные этапы технологического цикла.

2.2.2 Характеристики процесса роста эпитаксиальных слоев кремния.

2.3. Методы исследования.

2.4 Выводы.

ГЛАВА 3 Теоретическое и экспериментальное исследование распределения толщины слоя по площади подложки диаметром до 100 мм при испарении из неподвижных и движущихся сублимационных источников.

3.1 Теоретические оценки распределения толщины слоя по площади подложки в зависимости от закона движения источника кремния или их числа.

3.1.1 Выбор метода расчета.

3.1.2 Распределение толщины слоя по площади подложки в зависимости от закона движения источника.

3.1.3 Распределения толщины слоя по площади подложки при испарении из нескольких источников.

3.2 Экспериментальное исследование распределения толщины слоя по площади подложки.

3.2.1 Испарение из неподвижных источников кремния.

3.2.2 Испарение из источника, движущегося по закону синуса.

3.2.3 Испарение из источника, движущегося по линейному закону.

3.3 Выводы.

ГЛАВА 4 Особенности эпитаксиального роста слоев кремния на сапфире в процессе сублимационной молекулярно-пучковой эпитаксии.

4.1. Влияние предэпитаксиального высокотемпературного отжига подложек на их структуру и морфологию.

4.1.1 in situ высокотемпературный отжиг подложек сапфира в вакууме.

4.1.2 Отжиг подложек сапфира в потоке атомов кремния.

4.2 Начальная стадия роста слоев кремния на сапфире.

4.3 Влияние условий роста на процесс эпитаксии слоев кремния на сапфире.

4.3.1 Рост при постоянной температуре подложки.

4.3.2 Двухтемпературный режим роста.

4.3.3 Влияние послеростового отжига на структуру слоев кремния на сапфире.

4.4 Влияние приложения отрицательного потенциала к подложке на структуру и морфологию поверхности слоев кремния на сапфире.

4.5 Структурное совершенство слоев кремния на подложках сапфира стандартной формы диаметром 76 и 100 мм.

4.6 Фотолюминесценция легированных эрбием слоев кремния на сапфире.

4.7 Выводы.

ГЛАВА 5 Эпитаксиальный рост слоев SiGe на сапфире и КНС-подложках.

5.1 Слои SiGe, выращенные непосредственно на сапфире.

5.2 Слои SiGe, выращенные на КНС-подложках.

5.3 Некоторые оптические свойства структур со слоями SiixGex:Er на сапфире.

5.3 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Молекулярно-пучковая эпитаксия из сублимационного источника слоев кремния и гетероструктур SiGe/Si на сапфире»

Актуальность темы

Одним из приоритетных направлений развития современной физики полупроводников является развитие технологии формирования гетероструктур, которое необходимо для улучшения параметров приборов твердотельной микро- и оптоэлектрони-ки. Среди различных полупроводниковых материалов кремний является основным материалом микроэлектроники. Это связано с уникальным сочетанием его свойств и высоким уровнем технологии синтеза этого материала и приборов на его основе. Значительное улучшение параметров приборов на основе кремния достигается, когда используются слои твердого раствора 8Юе за счет увеличения подвижности носителей заряда. Оптоэлектронные применения 81 также могут быть значительно расширены за счет использования слоев твердого раствора 8Юе. Большие надежды при этом возлагаются на использование этого материала для создания эффективных излучателей на основе 81.

Задачи разработки специализированных интегральных схем (ИС) с улучшенными характеристиками скорости обработки информации и повышенной устойчивостью к воздействию дестабилизирующих факторов способствовали появлению новых структур на основе кремния, а именно структур кремния на сапфире (КНС) и кремний-германия на сапфире. Однако вырастить слои кремния на сапфире с малой плотностью кристаллических дефектов трудно из-за большого несоответствия параметров решеток кремния и сапфира и разницы коэффициентов линейного теплового расширения. Эта проблема усугубляется при выращивании слоев твердого раствора 8Юе на сапфире из-за еще большего рассогласования параметров решеток слоя и подложки.

Для решения проблемы выращивания эпитаксиальных слоев или твердого раствора 8Юе на сапфире необходимо использовать низкотемпературные методы, например, молекулярно-пучковую эпитаксию (МПЭ). В то же время, используемое в МПЭ осаждение кремния и германия с помощью электронно-лучевого испарения сопряжено с рядом недостатков: трудность обеспечения автотигельного режима испарения, особенно Се; трудность получения слоев 81 и Ое с чистотой <11014 см"3 из-за загрязнений; кроме того, в потоке 81 содержится до 20% многоатомных молекул, конденсация которых в некогерентную позицию приводит к формированию дефектов.

Метод сублимационной МПЭ 81 имеет ряд преимуществ при выращивании елоев 81 и 8Юе по сравнению как с МПЭ с твердотельными источниками, так и с газовыми. С использованием простого устройства для испарения 81 можно формировать поток атомов 81 достаточно высокой интенсивности и низкого фонового легирования. Поток атомов 81 из сублимационного источника ближе к моноатомному, что снижает плотность дефектов в слоях и оказывает положительное влияние на весь процесс эпи-таксиального роста. При введении в камеру роста германа происходит его разложение на сублимационном источнике, что позволяет выращивать слои БЮе с меньшими трудностями, чем МПЭ с электронно-лучевым испарением. Методом сублимационной МПЭ можно выращивать слои 81 и БЮе при более низкой температуре.

В то же время получаемые данным методом слои были однородны по толщине у на небольшой площади (1-4 см ). Для изготовления ИС на основе структур, выращенных методом МПЭ, необходимо использовать подложки стандартной формы большей площади (дисках 0=76-100 мм).

К началу наших исследований (2004 г.) рост слоев кремния на сапфире методом МПЭ из сублимационного источника для практического использования был изучен недостаточно. Для реализации широких возможностей этого метода необходимо было установить фундаментальные закономерности между условиями роста и структурой выращиваемых слоев кремния на сапфире. В свете вышесказанного данная работа является актуальной.

Цель и основные задачи работы

Цель работы заключалась в проведении исследований особенностей роста методом сублимационной МПЭ слоев 81 и 8Юе на подложках сапфира, в том числе и на подложках стандартной формы (диски диаметром до 100 мм), а также в комплексном исследовании их условий роста, направленных на разработку технологии низкотемпературного выращивания КНС-структур и слоев 8Юе на них для микро- и оптоэлек-троники.

Достижение цели работы потребовало решения следующих основных задач:

1. Разработка метода и устройств для выращивания сублимационной МПЭ слоев 81 и 8Юе на подложках стандартной формы - дисках 0 = 16- 100 мм.

2. Теоретическое и экспериментальное исследование распределения толщины слоя 81 по площади подложки при испарении из плоского источника в зависимости от геометрических размеров (ширины и длины источника, расстояния между источником и подложкой), закона движения (сканирования) источника относительно подложки.

3. Исследование влияния высокотемпературного предэпитаксиального отжига на структуру и морфологию поверхности сапфира.

4. Исследование начальной стадии роста эпитаксиальных слоев кремния на сапфире для уточнения механизма роста при низкотемпературном осаждении из сублимационного источника.

5. Исследование особенностей ростовых процессов в методе сублимационной МПЭ слоев кремния на сапфире и влияние на них внешних условий.

6. Исследование условий роста, а также структурных, морфологических и некоторых оптических свойств слоев твердого раствора SiGe на сапфире.

Научная новизна работы

1. Разработан и исследован принципиально новый метод выращивания эпитаксиальных слоев кремния из сублимационного источника на подложках стандартной формы в виде дисков диаметром до 100 мм. Разработан комплект устройств, позволяющих осуществлять качение сублимационного источника относительно подложки, формировать из него поток атомов Si высокой интенсивности и осуществлять нагрев оптически прозрачной в видимом диапазоне волн подложки (сапфир) до высоких температур (вплоть до 1450°С).

2. Впервые всесторонне теоретически и экспериментально исследован процесс равномерного осаждения слоев кремния по площади подложки в зависимости от числа неподвижных сублимационных источников или источника, движущегося относительно подложки по разным законам. Установлено, что при сканировании источника по линейному закону достигается более однородное распределение толщины слоя Si: ее разброс составлял ~5% на площади, ограниченной координатами х = ±34 мм и у = ±50 мм (центр координат находится в центре подложки).

3. Впервые для метода сублимационной МПЭ исследована начальная стадия роста слоев кремния на подложке сапфира (ll02), подготовленной в условиях in situ высокотемпературного отжига, в зависимости от ее температуры. Установлено, что зародыши кремниевого слоя образуются с большей вероятностью на моноатомных ступенях, сформированных при высокотемпературном (>1400°С) отжиге сапфира, за счет дополнительных связей. Выявленная экспериментально зависимость плотности зародышей от времени осаждения позволила установить, что образование и рост их происходит по механизму насыщения со временем. Установлено также, что рост зародышей в плоскости подложки происходит быстрее, чем в высоту, что свидетельствует о преобладающем влиянии поверхностной диффузии в процессе роста.

4. Впервые исследована зависимость структуры и морфологии поверхности слоев кремния на сапфире (П02) от температуры и ее вариации в процессе роста. Установлены допустимые ее значения, обеспечивающие достаточно высокое совершенство слоев. Обнаружен эффект снижения температуры эпитаксиального роста слоев на сапфире и улучшения морфологи поверхности в процессе роста их с приложением к подложке отрицательного потенциала (-200 В), которому дано объяснение на основе модели о вкладе кинетической энергии потока в активацию подвижности адатомов 81.

5. Впервые исследована зависимость структуры и морфологии гетероструктур со слоями твердого раствора кремний-германий на сапфире (П02) от комплекса технологических параметров (температуры, давления германа), а также от толщины буферного слоя 81. Установлено, что достаточно высокое совершенство слоев 81].хОех с х<0,25 на сапфире достигается при низких температурах роста (360-410°С) и оно сравнимо с совершенством таких слоев, выращенных на подложках 81(100). Введение прослойки кремния между сапфиром и слоем 8Юе улучшает структурное совершенство последних. Однако при малых толщинах прослойки слои 8Юе имеют преимущественную ориентацию (011), а не (001), как слои кремния на сапфире. Этому эффекту дается объяснение на основе несоответствия параметров решеток слоя и подложки.

6. Впервые комбинированным методом осаждения из сублимационного источника кремния и германия из германа (СеН4) получены структуры со слоями Бм.хОех :Ег на сапфире (П02), которые продемонстрировали высокую интенсивность фотолюминесценции на X — 1,54 мкм, сравнимую с интенсивностью фотолюминесценци таких же слоев, выращенных на 81(001).

Практическая ценность работы

Результаты, полученные в данной работе, могут служить основой технологии выращивания методом сублимационной МПЭ структур кремний или кремний-германий на сапфире для кремниевой микро-, нано- и оптоэлектроники.

К основным практически важным результатам можно отнести следующие:

1. Разработанный для сублимационной МПЭ 81 метод расчета распределения толщины осаждаемого слоя позволяет определить значения технологических параметров для выращивания слоев 81 с заданным однородным распределением их толщины по площади подложки.

2. Разработанный метод предэпитаксиальной подготовки поверхности подложки сапфира путем высокотемпературного отжига в потоке атомов Si может быть использован в технологии выращивания методом МПЭ слоев Si и других полупроводниковых слоев (например, GaN).

3. Установленные количественные зависимости структурных, морфологических и оптических параметров слоев Si и SiGe от условий роста на подложках сапфира позволяют разработать методики формирования конкретных эпитаксиальных гетерост-руктур приборного качества.

4. На основе полученных результатов предложен ряд новых технических решений, на которые получены 2 патента и одно положительное решение по заявке.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Метод МПЭ с сублимационным источником паров кремния позволяет выращивать на подложках сапфира R-среза эпитаксиальные слои Si(001) с высоким совершенством структуры (при ds¡ = 0,5 мкм, Acoi/2 <18 угл. мин.) и относительно гладкой поверхностью (RMS = 2,4 нм от скана поверхности размером 10x10 мкм), однородные по толщине (~5%) на большой площади (до 0=100 мм) при использовании линейного движения источника относительно подложки.

2. Предэпитаксиальный высокотемпературный отжиг подложки сапфира (П02) при > 1210°С в потоке атомов Si и при > 1400°С без потока приводит к формированию на ее поверхности моноатомных ступеней, вдоль которых происходит образование зародышей на начальной стадии роста слоя кремния.

3. Приложение к подложке сапфира небольшого по величине (-200 В) отрицательного потенциала способствует эффективному снижению температуры роста Si на сапфире и сглаживанию морфологии его поверхности за счет достижения большей подвижности адатомов Si и их однородного распределения по поверхности роста.

4. Рост совершенных по структуре слоев Sii.xGex (х<25%) на подложках сапфира (ll02) с ориентацией (001) при низких температурах (360-410°С) возможен при введении тонкого (~100 нм) буферного слоя Si; без этого слоя формируется слой с ориентацией SiGe(Oll), что связано с несоответствием параметров решеток слоя и подложки. Наблюдаемая высокая фотолюминесценция гетероструктур Si/Sii„xGex :Er/Si/ сапфир (il02) на X = 1,54 мкм сравнима с ФЛ от таких структур, выращенных на Si(001), подтверждает их высокое структурное совершенство.

Апробация работы

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международных и Всероссийских конференциях: Международной конференции "Кремний" (Москва, 2005, 2007, 2011; Черноголовка, 2008; Н.Новгород, 2010; С.Петербург, 2012), Международной конференции «Рост кристаллов и тепломассоперенос (ГСЭС-2005)» (Обнинск, 2005), Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, 2004, 2006), Всероссийской молодежной научной школе «Материалы нано-, микро-оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (Саранск, 2004-2008), Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (С.Петербург, 2005, 2011), Ш-й Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Н.Новгород, 2010), Нижегородской научной сессии молодых ученых (Н.Новгород, 2007, 2008), Научной конференции «Структура и свойства твердых тел» (Н.Новгород, 2006), XXIV научные чтения им. Н.В. Белова (Н.Новгород, 2005), Научной студенческой конференции (Н.Новгород, 2003, 2005, 2006), ХП-й конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, свойства, применение» (Н.Новгород, 2004), Х-й юбилейной международной научной конференции «Химия твёрдого тела: наноматериалы, нанотехнологии» (Ставрополь, 2010).

Публикации

Перечень публикаций, раскрывающих основное содержание работы, содержит 51 печатную работу, в том числе одну монографию, 16 статей в рецензируемых журналах и 34 работы в материалах конференций. Также получено два патента и одно положительное решение о выдаче патента.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 154 страницы, включая 75 рисунков, 8 таблиц, список цитируемой литературы из 135 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Денисов, Сергей Александрович

Результаты исследования структур со слоями SiGe на сапфире в целом позволяют в полной мере использовать преимущества подложки сапфира. При этом тонкий буферный слой кремния может служить как основа для гетероэпитаксиального роста, так и для интеграции приборов на основе SiGe и Si.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные достижения и результаты настоящей работы состоят в следующем:

1. Разработан и изготовлен комплект устройств для сублимационной МПЭ Si: устройство колебательного движения (сканирования) источника относительно подложки для осаждения слоя на подложки стандартной формы (диски диаметром до 100 мм); устройство для нагрева до высоких (~1450°С) температур оптически прозрачной в видимом диапазоне волн подложки (сапфира); устройство сублимационного источника высокой интенсивности и чистоты потока с возможностью его легкой замены.

2. Написаны программы расчета распределения толщины слоя Si по площади подложки в зависимости от геометрических параметров и закона движения полос-кового сублимационного источника. Определены условия МПЭ, обеспечивающие рост слоев Si однородной толщины на подложках стандартной формы. Экспериментальное исследование процесса роста подтвердило теоретические оценки. Установлено, что наиболее однородное распределение толщины слоев по площади подложки достигается при движении источника по линейному закону: распределение толщины имеет вид усеченной четырехгранной пирамиды, а ее разброс составляет ~5% на площади, ограниченной координатами х = ±34 мм и у = ±50 мм (центр координат находится в центре подложки).

3. Обнаружено, что in situ высокотемпературный отжиг подложек сапфира в потоке атомов Si при Ts>1210°C, а без потока при TS>1400°C приводит к формированию на их поверхностях ступеней атомарной высоты, на которых при последующем росте зарождаются островки Si. Появление ступеней было объяснено микроразориентацией исходной поверхности сапфира, которая при отжиге превращается в террасчатую поверхность. Взаимодействие атомов Si с поверхностью сапфира (А1203) при его отжиге проходит по известной химической реакции, продуктами которой являются атомы А1 и летучая моноокись SiO. В результате испарения ее происходит и испарение адсорбированных атомов кислорода и углерода.

4. Установлено, что на начальной стадии роста Si на сапфире наблюдается островковый характер. Плотность мест зарождения близка к плотности их в слоях, выращенных ГФЭ из силана. С увеличением толщины слоя механизм роста сменяется на послойный. Из зависимости плотности зародышей от времени роста установлено, что образование и рост зародышей происходит по механизму насыщения со временем, а характер зависимости поперечного размера частиц от времени позволяет заключить, что рост частиц в плоскости подложки происходит быстрее, чем в высоту. Это свидетельствует о преобладании влияния поверхностной диффузии в процессе роста.

5. Исследована зависимость структурного совершенства слоев Si на сапфире от температуры роста, в которой был определен вид структуры, сделана количественная оценка их структурного совершенства и выявлена кинетика перехода от монокристаллического роста к росту поликристалла при снижении температуры роста. Установлено, что зависимость структурного совершенства слоев Si на сапфире от температуры роста носит немонотонный характер. Слои со структурой монокристалла растут в интервале температур 550-850°С. При этом наиболее совершенные по структуре слои формируются при Ts = 700-750°С. Ухудшение структурного совершенства слоя при низких температурах объясняется снижением подвижности адатомов. При высоких температурах (>850°С) происходит фасети-рование поверхности сапфира, рост слоя Si на такой грубой поверхности требует аккомодации слоев на выступах и ямках за счет образования дислокаций или дефектов упаковки. Разработан режим двухтемпературного роста для эффективного сглаживания морфологии поверхности слоя Si на сапфире за счет использования низкотемпературного (500-550°С) зародышевого слоя Si толщиной <0,1 мкм и последующего роста основного слоя при повышенной температуре.

6. Установлено, что при одинаковой температуре роста в интервале 450-600°С структурное совершенство слоев кремния на сапфире, выращенных с приложением отрицательного потенциала (-200 В) к подложке, выше, а морфология поверхности значительно глаже, чем слоев, выращенных без приложения потенциала. Эти различия слоев усиливаются при снижении температуры роста. Структурное совершенство и морфология поверхности слоев, выращенных с приложением потенциала при Ts = 475°С, соответствует слоям, выращенным без приложения потенциала при Ts = 600°С, т.е. разница температур составляет ~125°С. Данный эффект объясняется на основе модели усиления подвижности нейтральных адатомов Si за счет передачи м части энергии ионов Si+.

7. Показано, что рост слоев твердого раствора SiGe в МПЭ непосредственно на подложках сапфира приводит к появлению в слоях кристаллитов с разной ориентацией: помимо (001) еще и (011) и (111), что объясняется несоответствием параметров решеток слоя и подложки. Формирование слоев SiGe с единственной ориентацией (001) возможно при введении буферного слоя Si толщиной -0,1 мкм.

8. Методом МПЭ из сублимационного источника кремния и введением в камеру роста германа (GeH4) выращены многослойные структуры Si/Sii.xGex :Ег /Si /сапфир с толщиной слоев SiGe:Er больше критической толщины и х=0,15-0,25, которые демонстрируют ФЛ на X = 1,54 мкм высокой интенсивности.

БЛАГОДАРНОСТИ

Автор выражает благодарность и признательность научному руководителю д.ф.-м.н. Шенгурову В.Г. за выбор и разработку актуальной темы исследования, за помощь в планировании экспериментов и анализе результатов. Отдельную благодарность автор выражает Чалкову В.Ю. за помощь в проведении экспериментов по выращиванию структур и к.ф.-м.н. Светлову С.П. за помощь при проведении расчетов распределения толщины слоя по площади подложки.

Автор выражает признательность сотрудникам физического факультета ННГУ к.ф.-м.н. Питиримовой Е.А., к.ф.-м.н. Шиляеву П.А., Короткову Е.В., к.ф.-м.н. Нико-личеву Д.Е. за проведение измерений структур методами электронографии, атомно-силовой микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии; сотруднику НИФТИ д.ф.-м.н. Трушину В.Н. за снятие дифракционных кривых; сотрудникам Института физики микроструктур РАН (г. Н.Новгород) к.ф.-м.н. Степиховой М.В. и к.ф.-м.н. Красильниковой Л.В. за измерение спектров фотолюминесценции, д.ф.-м.н. Дроздову Ю.Н. за снятие дифракционных кривых структур БЮе.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Денисов, Сергей Александрович, 2012 год

1. Гиваргизов Е.И. Искусственная эпитаксия. М.: Наука. 1988. - 176 с.

2. Silicon on sapphire CMOS for optoelectronic microsystems / A.G. Andreou, Z.K. Kalayjian, A. Apsel, P.O. Pouliquen, R.A. Athale, G. Simonis, R. Reedy // Circuits and Systems. 2001. - V.l. -P.22-30.

3. Юдинцев В.А. Радиационно стойкие интегральные схемы. Надежность в космосе и на земле / В.А.Юдинцев // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007, №5. - С.72-77.

4. Manasevit Н.М. Single-Crystal Silicon on a Sapphire Substrate / H.M. Manasevit, W.J.Simpson // J. Appl. Phys. 1964. - V.35. -P.1349-1351.

5. Chang C.C. Silicon-on-sapphire epitaxy by vacuum sublimation: LEED-Auger studies and electronic properties of the films / C.C. Chang // J. Vac. Sci. Technol. 1971. - V.8. - P.500-511.

6. Bean J.C. Growth of thin silicon films on sapphire and spinel by molecular beam epitaxy / J. C. Bean // Appl. Phys. Lett. 1980. - V.36. - P.741-743.

7. Molecular beam epitaxy versus chemical vapor deposition of silicon on sapphire / E.D. Richmond, M.E. Twigg, S. Qadri, J.B. Pellegrino, M.T. Duffey // Appl. Phys. Lett. 1990. - V.56. -P.2551-2553.

8. Spin-dependent photoconductivity in CVD- and MBE-grown silicon on sapphire / C. Raifear-taiqh, L.Bradley, R.C.Barklie, A.M. Hodge, E.D. Richmond // Semicond.Sci. and Technol. -1995. -V.10. -P.1595-1603.

9. Wado H. Epitaxial growth of SiGe on AI2O3 using Si2H6 gas and Ge solid source molecular beam epitaxy / H. Wado, K. Ohtani, M. Ishida // J.Crystl.Growth. 1996. - V.169. - P.457-462.

10. Шенгуров В.Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния с использованием сублимирующих источников / В.Г. Шенгуров // Поверхность. Физика. Химия. Механика. 1994, №10-11. - С.44-50.

11. Грум-Гржимайло С.В., Классен-Неклюдов М.В. Методы и приборы для контроля качества кристаллов рубина. М.: Наука. - 1968. - 105 с.

12. Акустические кристаллы // Справочник под ред. Шаскольской М.П. М.:Наука. - 1982. -632 с.

13. Палатник JI.C., Папиров И.И. Эпитаксиальные пленки. -М.:Наука. 1971. - 480 с.

14. Larssen P.A. Crystallographic match in epitaxy between silicon and sapphire / P.A. Larssen // Acta Cryst. 1966. - V.20. - P.599-602.

15. Silicon on sapphire (SOS) device technology / Toshiyuki Nakamura, Hideaki Matsuhashi, Yo-shiki Nagatomo // Oki Technical Review. 2004. - V.71, №.4 - P.66-69.

16. Heteroepitaxial silicon-aluminum oxide interface-additional studies of orientation relationship of single-crystal silicon on sapphire / H.M. Manasevit, R.L. Nolder, Mondy L.A. // Trans. Metall. Soc. AIME. 1968. - V.242. - P.465-469.

17. Efimov A.N: Symmetry constraints and epitaxial growth on nonisomorphic substrate / A.N. Efimov, A.O. Lebedev // Thin Solid Films. 1995. - V.260. - P.l 11-117.

18. Александров JI.H. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука. 1978. - 224 с.

19. Ota Y. Silicon molecular beam epitaxy / Y.Ota // Thin Solid State. 1983. - V. 106. - P.3-136.

20. Bean J.G. Silicon molecular beam epitaxy: Highlights of recent work / J.G. Bean // J. Electron.Mater. 1990. - V. 19. - P. 1055-1059.

21. Hirayama H. Gas source Si-MBE / H. Hirayama, K. Hiroi, T. Tatsumi // J.Cryst.Growth. 1990.- V.105. P.46-51.

22. Honig R.E. On the heats of sublimation and evaporation of germanium / R.E. Honig // J. Chemical Physics. 1954.-V.22. - P. 1610.

23. Ченга Л., Плога Л. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. М.: Мир. 1989. -584 с.

24. Эпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме / В.В. Постников, М.И. Овсянников, Р.Г. Логинова, Р.А. Рубцова, Т.Н. Сергиевская, В.А. Толомасов. // Докл. АН СССР. 1967. - Т. 175, №4. - С.817-818.

25. Kilgore B.F. Preparation of evaporated silicon films / B.F. Kilgore, R.W. Roberts // Review of Scientific Instruments. 1963. - V.34, №1. -P.ll-12.

26. Кожухов A.B. Установка для масс-спектрометрических методов анализа / А.В. Кожухов, Б.З.Кантер // Приборы и техника эксперимента. 1990. Т.32. - С.918-921.

27. Получение высоколегированных эпитаксиальных слоев кремния при низких температурах / В.П. Кузнецов, А.Ю. Андреев, Н.А. Алябина // Электронная промышленность. 1990, №9.- С.57-60.

28. Исследование эпитаксиальных кремниевых слоев, выращенных в вакууме / М.И. Овсянников, В.Г. Шенгуров, В.Н. Шабанов, М.Л. Шильникова // Электронная техника. Сер. Материалы. 1983, Вып.9(182). - С.34-38.

29. Установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния / С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.А. Толомасов, Г.Н. Горшенин, В.Ю. Чалков // Приборы и техника эксперимента. 2001, №5. - С.137-140.

30. Racette G.W. Improved silicon source for ultra-high vacuum deposition / G.W.Racette,

31. D.J.Rutecki // Insulation/Circuits. 1981. - V.27, №9. - P.40-41.34 http://www.mbe-komponenten.de/products/efflisionysusi.html Компания: MBE-Komponenten GmbH (Германия). Последнее посещение 14.08.2012.

32. Effusion cell orientation dependence of molecular beam epitaxy flux uniformity / K.T. Shiralagi,

33. A.M. Kriman, G.N. Maracas // J. Vac. Sci. Technol. A. 1991. - V.9 - P.65-70.

34. Nanbu K. Thickness distribution of films fabricated by the molecular beam epitaxy technique / K.Nanbu, Y.Watanabe // Vacuum. 1986. - V.36. - P.349-354.

35. Об одной модели расчета неравномерности слоя в методе молекулярно-пучковой эпитаксии / А.А. Майоров, А.Г. Филаретов, Г.Э. Цырлин // Сб.: Научное приборостроение. Автоматизация научных исследований. Л.: Наука. 1988. - с.73-78.

36. Оптимизация диаграмм направленности потоков молекулярных источников / И.Е. Махов, Л.С. Махова, Э.М. Помазкова // Электронная промышленность. 1990, №10. -С.64-65.

37. Лембра Ю.Я. К оценке неоднородности пленки в методе эпитаксии молекулярных пучков / Ю.Я.Лембра // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985, №9. - С.81-85.

38. Лозгачев В.И. Распределение потоков молекул на плоскости при испарении в вакууме /

39. B.И. Лозгачев // Журнал технической физики. 1962. - T.XXXII, Вып.8. - С.1012-1022.

40. Перов А.С. Распределение потока молекул на плоскости при вакуумном испарении с произвольно ориентированного прямоугольного излучателя / А.С. Перов // Журнал технической физики. 1975. - T.XLV, Вып.6. - С.1296-1298.

41. Pellegrino J.G. Substrate annealing and the MBE growth of silicon on sapphire / J.G. Pellegrino,

42. E.D. Richmond // MRS Proceedings, Pittsburgh, USA. 1988. - V.107. P.383.

43. Ashurov Н.В. Dependence of silicon film density deposited on a sapphire substrate on growth conditions during partially ionized evaporation / H.B. Ashurov, A.G. Budrevich, A.S. Ljutovich // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1990. V.51. - P.476-478.

44. Лютович A.C. Формирование переходных слоев при осаждении кремния из ионно-молекулярных потоков на подложки сапфира /А.С. Лютович, Л.В.Кулагина, Х.Б. Ашуров // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. - Вып.2. - С.55-59.

45. Effects of surface treatment on sapphire substrates / Yinzhen Wang, Shiliang Liu, Guanliang Peng, Shengming Zhou, Jun Xu // J. Crystl. Growth. 2005. - V.274. - P.241-245.

46. Study on Sapphire Surface Preparation for Ill-Nitride Heteroepitaxial Growth by Chemical Treatments / F. Dwikusuma, D. Saulys, and T. F. Kuech // J. Electrochem. Soc. 2002. - V.149. -P.G603-G608.

47. Evolution of steps on vicinal (0001) surfaces of a-alumina / L. Pham Van, O. Kumosikov, J. Cousty // Surface Science. 1998. V.411. - P.263-271.

48. Peng L.M. Studies on the etching and annealing behaviour of a-Al203 (Toi2) surfaces by reflection electron microscopy / L.M. Peng, J.T Czernuszka // Surface Science. 1991. -V.243. - P.210-218.

49. Richmond E.D. XPS Analysis of the sapphire surface as a function of high temperature vacuum annealing / E.D. Richmond // MRS Proceedings, Pittsburgh, USA. 1989. - V.159. -P.253-256.

50. Электронографическое исследование термически обработанной поверхности корунда / С.А. Семилетов, Х.С. Багдасаров, B.C. Папков, З.И. Магомедов // ФТТ. 1968. - Т. 10. - С.71.

51. Морфологические исследования поверхностей корунда, термически обработанных в интервале температур 1200-1600°С / Е.Н. Акуленок, Ю.К. Данилейко, В.С.Папков, В.Я. Хаи-мов-Мальков // Кристаллография АН СССР. 1970. - Т. 15, №6. - С. 1200.

52. Single-crystal germanium grown on (1T02) sapphire-by molecular beam epitaxy / D.J. Godbey, S.B. Qadri, M.E. Twigg, E.D. Richmond // Appl. Phys. Lett. 1989. - V.54. - P.2449-2451.

53. Self-formed silicon quantum wires on ultrasmooth sapphire substrates / S. Yanagiya, S. Kami-mura, M. Fujii, M. Ishida, Y. Moriyasu, M. Matsui, M. Yoshimoto, T. Ohnishi, K.Yoshida, K. Sasaki, H. Koinuma // Appl. Phys. Lett. -1997. V.71. - P.14109-1411.

54. Точицкий Э.Н. Кристаллизация и термообработка тонких пленок. Минск: Наука и техника. 1976. - 376 с.

55. Папков B.C., Цыбульников М.Б. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе. М.:Энергия. 1979. - 88 с.

56. Early growth of silicon on sapphire. I. Transmission electron microscopy / M.S.Abrahams, C.J. Buiocchi, R.T. Smith, J.F. Corboy, J.Blanc, G.W.Cullen // J.Appl.Phys. -1976. V.47. - P.5139-5150.

57. Blanc J. Early growth of silicon on sapphire. II. Models / J. Blanc, M.S. Abrahams // J. Appl. Phys. 1976.-V.47.-P.5151-5160.

58. Yasuda Y. Epitaxial growth of silicon films evaporated on sapphire / Y. Yasuda, Y. Ohmura // Jap. J.Appl.Phys. 1969. - V.8. - P.1098-1106.

59. Папков B.C. Начальная стадия роста и морфология поверхности кремния при гетероэпи-таксии на сапфире / B.C. Папков, М.В. Сувориков, Т.И. Маркова // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. 1971. - Вып.9. - С.124-128.

60. Godbey D.J. The nucleation and growth of germanium on (1T02) sapphire deposited by molecular beam epitaxy / D.J. Godbey, M.E.Twigg // J.Appl.Phys. 1991. - V.69. -P.4216-4221.

61. Abrahams M.S. Cross-sectional electron microscopy of silicon on sapphire / M.S. Abrahams, C.J. Buiocchi // Appl. Phys. Lett. 1975. - V.27. - P.325-327.

62. Trilhe J. Three-dimensional distribution of twins in epitaxial silicon on sapphire / J.Trilhe // J.

63. Electrochem. 1977. - V.124. - P. 1299-1300.

64. Smith R.T. Influence of sapphire substrate orientation on SOS crystalline quality and SOS/MOS transistor mobility / R.T. Smith, C.E. Vetzel // J. Cryst. Growrh. 1982,- V.58. - P.61-72.

65. Малюков Б.А. Исследование явления кристаллографической разориентации эпитаксиаль-ных пленок кремния на сапфире / Б.А.Малюков, В.Е. Королев, B.C. Папков, М.А. Воркунова // Кристаллография. 1980. - Т.25, №2. - С.444-445.

66. Manasevit Н.М. A survey of the heteroepitaxial growth of semiconductor films on insulating substrates / H.M. Manasevit // J. Cryst. Growrh. 1974. -V.22. - P. 125-148.

67. Twigg M.E. Elimination of microtwins in silicon grown on sapphire by molecular beam epitaxy / M.E. Twigg // Appl. Phys. Letters. 1989. - V.54. - P. 1756-1759.

68. Yamada H. Low-temperature heteroepitaxial film growth of Si on sapphire by reactive ion beam deposition / H.Yamada, Y. Torii // J. Appl. Phys. 1987. - V.62. - P.2298-2301.

69. Misfit dislocations in heteroetitaxial Si on sapphire / M.S.Abrahams, C.J. Buiocci, J.F.Corboy, G.W.Cullen // Appl. Phys. Lett. 1976. - V.28. - P.275-277.

70. Mooney P.M. SiGe MOSFET Structures on silicon-on-sapphire substrates grown by ultra-high vacuum chemical vapor deposition / P.M. Mooney, J.O. Chu, J.A. Ott // J. Electronic Materials. -2000. V.29. - P.921-927.

71. Hughes J. Anisotropy in electrical properties of (001) Si/ (0lT2)Al2O3 / J. Hughes, A.C. Thor-sen // J. Appl. Phys. 1973. - V.44. - P.2304-2310.

72. Englert Th. Determination of existing stress in silicon films on sapphire substrate using Raman spectroscopy / Th. Englert, G. Abstreiter, J. Pontcharra // Solid-State Electronics. 1980. - V.23. -P.31-33.

73. Джибути З.В. Фотостимулированная релаксация внутренних механических напряжений в эпитаксиальных КНС-структурах / З.В.Джибути, Н.Д.Долидзе, Г.Л.Эристави // ЖТФ. 2008. - Т.78. - С.135-137.

74. Reedy R.E. Suppressing A1 outdiffusion in implantation amorphized and recrystallized silicon on sapphire films / R.E. Reedy, T.W. Sigmon, L.A. Christel // Appl. Phys. Lett. 1983. - V.42. -P.707- 709.

75. Dumin D.J. Electrical properties of silicon films grown epitaxially on sapphire / D.J. Dumin // J. Appl. Phys. 1967. - v38. - p. 1909-1914.

76. Gas source molecular beam epitaxy of wurtzite GaN on sapphire substrates using GaN buffer layers / N.Grandjean, M.Leroux, M.Laugt, J.Massies // Appl.Phys.Lett. 1997. - V.71. -P.240-242.

77. Blue emission from Tm-doped GaN electroluminescent devices / A. J. Steckl, M. Garter, D. S. Lee, J. Heikenfeld, R. Birkhahn // Appl.Phys. Lett. 1999. - V.75. - P.2184-2186.

78. An Atomic Force Microscopy study of the Initial nucleation of GaN on sapphire / M.Richard-Babb, S.L. Buczkowski, Zhonghai Yu, Т.Н. Myers // MRS Proceedings, Pittsburgh, USA. 1995. -V.395. - P.237.

79. Itoh Т., Nakamura T. Epitaxial growth of silicon assisted by ion implantation / T. Itoh, T.Nakamura // Rad.Effects. 1971. -V.9. - P. 1-4.

80. Marinov M. Influents of ion bombardment on the surface structure of silicon single crystals / M.Marinov // Thin Solid Films. 1979. - V.61. - P.363-371.

81. Green J.E. Ion surface interactions during vapor phase crystal growth by sputtering MBE, and plasma-enhanced CDD; Application to semiconductors / J.E. Green, S.A.Barnet // J.Vac.Sci.Technol. - 1982. - V.21. - P.285-302.

82. Бабаев В.Г. Адсорбция паров металла в присутствии ионного облучения / В.Г. Бабаев, М.Б. Гусева // Изв. АН СССР. сер. физ. 1973. - Т.37, №2. - С.2596-2606.

83. Shimizu S. Epitaxial growth of Si on (T012) AI2O3 by partially ionized vapor deposition / S. Shimizu, S. Komiya // J.Vac.Sci.Technol. 1980. - V.17. - P.489-491.

84. Лютович A.C. Ионно-активированная кристаллизация пленок. Ташкент. -1982.-148 с.

85. Лютович А.С. Ионно-активированная кристаллизация пленок. В кн.: "Рост кристаллов". -М.: Наука, 1986. - Т.15. - с.5-13.

86. Yamata H. Thin heteroepitaxial Si-on-sapphire films grown at 600°C by reactive ion beam deposition / H. Yamata, Y. Torii // J. Appl. Phys. 1988. - V.64. - P.4509.

87. Cullen G.W. The preparation and properties of chemically vapor deposited silicon on sapphire and spinel / G.W. Cullen // J. Cryst. Growth. 1971. - V.9. - P. 107-125.

88. Duchemin J.P. Kinetics of silicon growth under low Hydrogen pressure / J.P. Duchemin, M. Bonnett, M.F. Keelsch // J.Electrochem. Soc. 1978. - V.125. - P.637-644.

89. Takagi T. Role of ions in ion-based film formation / T. Takagi // Thin Solid Films. -1982. -V.92.-P.1-17.

90. Эффекты воздействия низкоэнергетических ионов на рост кремниевых пленок / Д.В. Шенгуров, А.В. Шабанов, Д.А. Павлов, В.Г. Шенгуров, А.Ф. Хохлов // Тез.докл. ХШ-ой Межд. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью». М.:1997. - Т.2. - С.346-349.

91. Improvement of crystalline quality of epitaxial Si layer by ion-implantation techniques / Lau S.S., Matteson S., Mayer J.W., Revesz P., J. Gyulai, J. Roth, T. W. Sigmon, T. Cass // Appl.Phys.Lett. V.34. - P.76-78.

92. Golecki I. Improvement of crystalline quality of epitaxial silicon-on-sapphire by ion implantation and furnace regrowth /1. Golecki, M.A. Nicolet // Solid-State Electronics. V.23. - P.803-806.

93. Воротынцев B.M. Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире / В.М.Воротынцев, Е.Л.Шолобов, В.А.Герасимов // ФТП. -2011,- Т.45. С. 1662-1666.

94. Особенности процесса твердофазной рекристаллизации аморфизированных ионами кислорода структур кремния на сапфире / Александров П.А., Демаков К.Д., Шемардов С.Г., Кузнецов Ю.Ю. // ФТП. 2009. - Т.43. - С.627-629.

95. Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно-совершенных пленок кремния на сапфировоф подложке / Александров П.А., Демаков К.Д., Шемардов С.Г., Кузнецов Ю.Ю. // ФТП. 2010. -Т.44. - С. 1433-1435.

96. Gated Hall effect measurements in high-mobility «-type Si/SiGe modulation-doped heterostruc-ture / K. Ismail, M. Arafa, F. Stern, J.O. Chu, B.S. Meyerson //Appl. Phys. Lett. 1995. - V.66. -P.842-844.

97. High speed p-type SiGe modulation-doped field-effect transistors / M. Arafa, P. Fay, K. Ismail, J.O. Chu, B.S. Meyerson, I. Adesida // IEEE Electron Dev. Lett. 1996. - V.17. - P.124-126.

98. Meyerson B.S. Low-temperature silicon epitaxy by ultrahigh vacuum/chemical vapor deposition / B.S. Meyerson // Appl. Phys. Lett. 1986. - V.48. - P.797-799.

99. Advanced thin-film silicon-on-sapphire technology: microwave circuit applications / R.A. Johnson, P.R. de la Houssaye, C.E. Chang, P-F. Chen, M.E. Wood, G.A. Garcia, I. Lagnado, P.M. Asbeck // IEEE Trans. Electron Dev. 1998. - V.45. - P.1047-1054.

100. Dubbelday W.B. The growth of SiGe on sapphire using rapid thermal chemical vapor deposition / W.B. Dubbelday, K.L. Kavanagh // J.Crystl.Growth. 2001. - V.222. - P.20-28.

101. Тонкие монокристаллические пленки германия на сапфире, полученные ионным распылением / Р.Н. Ловягин, А.Л. Асеев, Р.Ш. Ибрагимов, С.И. Стенин // Микроэлектроника.1973. Т.2, Вып.2. - С. 184-186.

102. Identification of a Mobility-Limiting Scattering Mechanism in Modulation-Doped Si/SiGe He-terostructures / K. Ismail, F.K. Legoues, K.L. Saenger, M. Arafa, J.O. Chu, P.M. Mooney, B.S. Meyerson // Phys. Rev. Lett. 1994. - V.73. - P.3447-3450.

103. Park Y. / Rhombohedral epitaxy of cubic SiGe on trigonal c-plane sapphire / Y. Park, G.C. King, S.H. Choi // J.Crystl.Growth. 2008. - V.310. - P.2724-2731.

104. Lagnado I. Integration of Si and SiGe with AI2O3 (sapphire) /1. Lagnado, P.R de la Houssaye // Microelectron. Eng. 2001. -V.59. - P.455-459.

105. Нагреватель подложек в сверхвысоком вакууме / Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Толома-сов В.А., Чалков В.Ю. // ПТЭ. 2004, №5. - С.158-160.

106. Несмеянов А.Н. Давление паров химических элементов. М.:АН СССР. - 1961.-396 с

107. Патент Сублимационный источник напыляемого материала для установки молекулярно-лучевой эпитаксии / В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, Д.В. Шенгуров // Патент №2449411, дата выдачи 27.04.2012, дата приоритета 13.01.2011.

108. Патент Устройство для вакуумного напыления пленок / В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов // Патент №2411304, дата выдачи 10.02.2011, дата приоритета 21.07.2009.

109. Перевощиков В.А., Луфт Б.Д., Возмилова Л.Н. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. М.: Изд-во "Радио и связь". -1982. -136 с.

110. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников. Н. Новгород: Изд-во ННГУ. -1992. -200 с.

111. Химический и фазовый состав ленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода / А.В. Боряков, Д.Е. Николичев, Д.И. Тетельбаум, А.И. Белов, А.В. Ершов, А.Н. Михайлов // ФТТ. 2012. - Т.54. - С.370-377.

112. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: «Высшая школа». - 1970. - 504 с.

113. Портнов В.Н., Чупрунов Е.В. Возникновение и рост кристаллов. М.: «Физматлит». -2006.-328 с.

114. Characterization of amorphous and polycrystalline Si and Ge films / J. Gonzalez-Hernandez, S.S. Chao, D.Martin, R.Tsu // SPIE. 1985. - V.524. - P. 126-136.

115. Горелик С.С., Дашевский МЛ. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. -М.: Металлургия. 1988. - 574 с.

116. Шенгуров В.Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния, стимулированная ионным облучением / Дис. док. физ.-мат. наук: 01.04.07 / В.Г. Шенгуров. Н. Новгород. 2003. - 409 с.

117. The adsorption of oxygen on silicon (111) surfaces / H.Ibach, K.Horn, R.Dorn, H.Luth // Surf. Sci. 1973. - V.38. - P.433-454.

118. Глазов В. M., Земсков В. С. Физико-химические основы легирования полупроводников. -М.: Наука, 1967. 371 е.; гл.2 п.З. с.96-198.

119. Соболев Н.А. Светоизлучающие структуры Si : Ег. Технология и физические свойства. / Н.А. Соболев // ФТП. 1995. - Т.29. - С. 1153-1177.

120. Structure of the 0.767-eV oxygen-carbon luminescence defect in 450°C thermally annealed Czochralski-grown silicon / W. Kuerner, R. Sauer., A. Doerner, K. Thonke // Phys. Rev. B. 1989. - V.39. - P.13327-13337.

121. Optically active erbium centers in silicon / H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hen-dorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy // Phys. Rev. B. 1996. -V.54. - P.2532-2547.

122. Гетероэпитаксия легированных эрбием слоев кремния на сапфире / В.Г. Шенгуров, Д.А. Павлов, С.П. Светлов, В.Ю.Чалков, П.А.Шиляев, М.В.Степихова, JI.B. Красильникова, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник ФТТ. 2005. - V.47. - Р.86-89.

123. Температурная зависимость морфологии ансамблей наноостровков в системе Ge/Si(100) / В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, А.А. Тонких, В.А.Егоров, Г.Э.Цырлин, P.Werner // Письма в журнал технической физики. 2003. - Т. 29, Вып.17. - С.41-48.

124. Teichert С. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy / C. Teichert // Physics Reports. 2002. - V. 365, №4. - P. 335-432.