Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.17.01, кандидат технических наук Смирнова, Наталья Анатольевна

• Смирнова, Наталья Анатольевна
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Смирнова, Наталья Анатольевна

Введение.4 /

Глава 1 Литературный обзор.

1.1 Основные свойства полупроводникового твердого раствора Cdi.yZnyTe (0<у<0,10) и диаграмма состояния системы Cd-Zn-Te.10.

1.2 Основные методы выращивания кристаллов Cdi.yZnyTe (0<у<0,10).

1.3 Способы обработки поверхности подложек Cd].yZnyTe (0<у<0,10).

1.4 Технологические требования, предъявляемые к подложкам Cdi.yZnyTe (0<у<0,10) для выращивания на их основе эпитаксиальных структур CdxHgi.xTe (0,19<х<0,32) методом жидкофазной эпитаксии.

Глава 2 Выращивание кристаллов Cdi.yZnyTe методом вертикальной направленной кристаллизации и их свойства.

2.1 Методика проведения процесса выращивания кристаллов Cd].yZnyTe

2.2 Дефекты структуры кристаллов Cdi.yZnyTe.

2.2.1 Дислокационная структура кристаллов Cd].yZnyTe.

2.2.2 Двойники и микродвойниковые ламели.

2.2.3 Включения второй фазы и преципитаты.

2.3 Контроль примесного фона масс-спектрометрическими методами.

Глава 3 Влияние температурно-временных режимов завершающей -стадии процесса кристаллизации и последующего охлаждения кристаллов Cdi.yZnyTe на их электрофизические и оптические свойства .58 3.1 Локальный контроль оптических и электрофизических параметров

Cd].yZnyTe.

3.2 Влияние температурно-временных режимов завершающей стадии процесса кристаллизации на оптические и электрофизические свойства кристаллов Cdi„yZnyTe.

3.3 Температурно-временные режимы посткристаллизационного охлаждения кристаллов CdiyZnyTe.

Глава 4 Локальные несовершенства кристаллической решетки подложек Cdi.yZnyTe (0,02<у<0,06).

4.1 Исследования колебательных свойств подложки Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06) и эпитаксиального слоя CdxHgi.xTe (0,19<х<0,32) методом комбинационного рассеяния света.

4.2 Оценка пространственного размера преципитатов теллура по спектрам комбинационного рассеяния света.8$

4.3 Выявление нанопреципитатов теллура в подложках Cdi.yZnyTe (0,02<у<0,06) по спектрам инфракрасного отражения.

Глава 5 Изготовление подложек Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06) для выращивания эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe (0,19<х<0,32) методом жидкофазной эпитаксии.

5.1 Основные технологические переделы при изготовлении пластин-подложек.

5.2 Финишная химико-механическая полировка пластин-подложек.

5.2.1 Выбор способа химико-механической полировки.1 И)

5.2.2 Выбор травильного раствора.'.

5.2.3 Контроль геометрических параметров и микрорельефа поверхности подложек.

5.2.4 Контроль физико-химического состояния поверхности.

5.3 Опробование подложек в процессах жидкофазной эпитаксии. Технологическая схема изготовления подложек Cd].yZnyTe для выращивания гетероструктур CdxHg]xTe/Cdi.yZnyTe методом жидкофазной эпитаксии.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка технологии изготовления подложек CdZnTe для выращивания гетероструктур CdHgTe/CdZnTe методом жидкофазной эпитаксии»

Актуальность темы.

2 6 * Полупроводниковые соединения А В и твердые растворы на их основе занимают особое место в современной оптоэлектронике, что связано с их уникальными свойствами. Широкозонные представители этого класса материалов - CdTe (КТ) и твердые растворы CdZnTe (КЦТ) используются для создания детекторов ионизирующих излучений, а также в качестве подложечного материала при изготовлении эпитаксиальных слоев (ЭС) узкозонных твердых растворов CdHgTe (KPT), являющихся основным материалом для производства ИК-фотоприемников, работающих в спектральных диапазонах 1,0+2,5 мкм, 3+5 мкм и 8+14 мкм - так называемых окнах прозрачности» атмосферы. Новый этап в развитии КРТ - это создание высокоэффективных матричных фотоприемников третьего поколения [1-3].

Эпитаксиальные методы выращивания КРТ по сравнению с объемными дают возможность выращивать эпитаксиальные слои площадью до 30 см2. К настоящему времени наилучшие результаты достигнуты на гетероструктурах

CdHgTe/CdZnTe, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, поэтому предполагается, что подложки CdZnTe будут востребованы в течение длительного времени, особенно для фотоприемников с высокими рабочими характеристиками [4]. Следует отметить, что CdTe и CdZnTe являются технологически сложными материалами. Низкая теплопроводность твердой и жидкой фаз, достаточно высокая упругость паров компонентов при высокой температуре, склонность к двойникованию, неблагоприятные механические свойства (низкое значение микротвердости, хрупкость) делают выращивание совершенных кристаллов и изготовление подложек, пригодных для процессов эпитаксиального наращивания, достаточно -трудной технологической задачей. Кроме того, при выращивании однородных кристаллов с заданными свойствами необходимо учитывать сложную форму области гомогенности соединений CdTe и CdZnTe, а также то обстоятельство, что в определенных термодинамических условиях в твердой фазе может иметь место структурная самоорганизация системы, включая процессы преципитации.

К моменту постановки данной работы в России отсутствовала комплексная технология изготовления подложек CdZnTe, предназначенных для проведения процессов эпитаксиального наращивания. Необходимо было провести всесторонние исследования оптических и структурных свойств твердых растворов CdZnTe. Исследования, направленные на установление взаимосвязи электрофизических свойств эпитаксиального слоя CdHgTe и технологии изготовления подложек CdZnTe, до настоящего времени не проводились.

Настоящая работа являлась частью исследований, проведенных в соответствии с координационным планом научно-исследовательских и v опытно-конструкторских работ ФГУП «Гиредмет» по темам «Исследование, разработка базовой технологии жидкофазной эпитаксии высокооднородного КРТ для нового поколения матричных ИК-фотоприемников на спектральные диапазоны 1+12 мкм» Шифр: «Сатурн-М-С)КО»(2003год), «Разработка базовых технологий изготовления эпитаксиальных полупроводниковых структур теллурида кадмия - ртути для производства крупноформатных матричных фотоприемников» Шифр «Гепард»(2004), "Разработка технологии и выпуск ТУ на эпитаксиальные слои КРТ для крупноформатных ФЭМ." Шифр работы: "Фотоника-21 Э"(2005год), «Разработка опытно-промышленной технологии изготовления эпитаксиальных структур CdxHgi.xTe для производства многоэлементных фотоприемников» шифр "Ягуар"(2005год), «Исследование и разработка технологии изготовления пластин-подложек CdZnTe для производства эпитаксиальных гетероструктур CdZnTe/CdHgTe» номер государственной регистрации 01.2.00614984(2006год). У

Цель работы

Разработка научно-обоснованной технологии производства подложек Cdi.yZnyTe (0,02<у<0,06) с заданными оптическими и структурными свойствами, пригодных для использования в процессах эпитаксиального наращивания слоев CdxHgi.xTe (0,19<х<0,23 и 0,27<х<0,32) с требуемыми и воспроизводимыми электрофизическими характеристиками методом жидкофазной эпитаксии для изготовления на их основе приемников ИК излучения с высокими эксплутационными характеристиками.

В соответствии с поставленной целью в процессе работы необходимо было решить следующие задачи:

- провести комплексные исследования влияния подложки CdZnTe на электрофизические свойства гетероструктур CdHgTe/CdZnTe. На основании полученных результатов определить ключевые моменты и оптимизировать технологию изготовления подложек CdZnTe с целью увеличения выхода гетероструктур CdHgTe/CdZnTe, пригодных для изготовления многоэлементных ИК- фотоприемных устройств.

- провести исследования свойств кристаллов CdZnTe и разработать режимы их посткристаллизационного охлаждения и отжига, обеспечивающие получение материала с набором заданных структурных, электрофизических и оптических параметров.

- разработать технологическую схему изготовления подложек, включающую ориентированную резку монокристаллического' блока кристалла CdZnTe на пластины в заданной кристаллографической плоскости, придание им необходимых геометрических размеров, механическую шлифовку и финишную химико-механическую полировку.

Научная новизна

Проведенные исследования позволили получить следующие новые научные результаты.

1. Впервые разработана комплексная технология изготовления пластин-подложек CdiyZnyTe (0,02<у<0,06), удовлетворяющих требованиям современного производства гетероструктур CdHgTe/CdZnTe для дальнейшего их использования в производстве детекторов инфракрасного излучения.

2. Впервые разработана технология обработки поверхности материала Cdi.yZnyTe (0,02<у<0,06) методом химико-механической полировки с применением плана-полировальника типа «архимедова спираль» и полирующего травителя модифицированного состава на основе брома-бромистоводородной кислоты и глицерина, что позволяет обеспечить требуемые планарность, высоту микрорельефа и гарантировать отсутствие неконтролируемых примесей на поверхности подложек Cdi.yZnyTe.

3. Впервые в России с использованием разработанной технологии изготовлены подложки Cdi.yZnyTe (0,02<у<0,06) с заданными оптическими и структурными свойствами, на которых были выращены эпитаксиальные слои CdxHgi.xTe (0,19<х<0,23 и 0,27<х<0,32) р- и n-типа проводимости с требуемыми и воспроизводимыми электрофизическими параметрами методом жидкофазной эпитаксии.

4. Разработан метод, основанный на регистрации спектров инфракрасного отражения и комбинационного рассеяния света, позволяющий определить наличие преципитатов теллура нанометрового размера в объеме твердых растворов Cdj.yZnyTe (0,02<у<0,06). Впервые выявлена взаимосвязь между присутствием подобных нанопреципитатов в кристаллах CdiyZnyTe (0,02<у<0,06), используемых для изготовления пластин-подложек, и электрофизическими характеристиками эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe (0,19<х<0,23) р-типа проводимости, выращенных на этих подложках методом жидкофазной эпитаксии.

Практическая значимость

Разработанная технология производства пластин-подложек кадмий-цинк-теллур является составной частью комплексных технологий изготовления эпитаксиальных структур ртуть-кадмий-теллур для многоэлементных фоторезисторов (ТД 48.0572.204.05), эпитаксиальных полупроводниковых структур теллурида кадмия-ртути для производства крупноформатных матричных фотоприемников (ТД 48.0572.198.04 и ТД 48.0572.203.05). По разработанной технологии на базе ФГУП ТИРЕДМЕТ" организовано опытно-промышленное производство подложек Cdj.yZnyTe (0,02<у<0,06). Методом жидкофазной эпитаксии на изготовленных подложках выращены гетероструктуры CdZnTe/CdHgTe, которые были переданы в ФГУП НПО «ОРИОН» и ОАО МЗ «САПФИР» для производства ИК- фотоприемных устройств.

Положения, выносимые на защиту:

1. Технология изготовления подложек Cdj.yZnyTe (0,02<у<0,06), предназначенных для проведения процессов эпитаксиального наращивания слоев CdxHgi.xTe (0,19<х<0,23 и 0,27<х<0,32) р- и n-типа проводимости.

2. Технологические температурно-временные режимы процесса выращивания в части тепловых условий на завершающей стадии кристаллизации расплава и посткристаллизационного отжига в процессе выращивания кристаллов, использование которых позволяет получать кристаллы CdZnTe с заданными оптическими свойствами.

3. Технология обработки поверхности подложек Cdi.yZnyTe (0,02<у<0,06), используемых для дальнейшего наращивания эпитаксиальных слоев CdHgTe, позволяющей обеспечить планарность не хуже чем 2-4 мкм/см, высоту микрорельефа на уровне 4-8 нм и гарантировать отсутствие неконтролируемых примесей на поверхности подложек. Состав травителя, режимы химико-механической полировки.

4. Способ определения преципитатов теллура нанометрового размера в нелегированной подложке CdZnTe при концентрации остаточных примесей на уровне 1015 см"3, заключающийся в использовании взаимодополняющих методов комбинационного рассеяния света и инфракрасной спектроскопии. Экспериментальное доказательство существования взаимосвязи концентрации носителей заряда в эпитаксиальном слое

CdxHg!.xTe (0,19<x<0,23) р-типа проводимости гетероструктуры CdZnTe/CdHgTe с присутствием преципитатов теллура нанометрового размера в материале подложки CdZnTe.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов, списка литературы, приложения. Во введении показаны актуальность темы, цель, задачи, научная новизна и практическая ценность работы. Сформулированы положения, выносимые на защиту. В главе 1 приводится обзор опубликованных работ, касающихся основных свойств тройного твердого раствора Cdi.yZnyTe (0<у<0,06), методов выращивания и способов обработки поверхности Cd]yZnyTe (0,02<у<0,06) подложечного применения, анализ и характеристика требований, предъявляемых к подложке на современном этапе. В главе 2 дано описание методики изготовления кристаллов Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06), характеристика структурных дефектов и анализ остаточного примесного фона выращиваемого кристалла Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06). В главе 3 рассматриваются оптические и электрофизические свойства кристаллов Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06). Показано, что наблюдаемые электрофизические и оптические свойства получаемого материала определяются собственными точечными дефектами в результате отклонения состава тройного твердого раствора Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06) от стехиометрического. Прослежено влияние разработанных температурно-временных режимов завершающей стадии процесса кристаллизации и посткристаллизационного охлаждения Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06) на однородность распределения электрофизических и оптических свойств по объему слитка. Глава 4 посвящена исследованию локальных нарушений кристаллической решетки методами инфракрасной спектроскопии и комбинационного рассеяния света. Показана взаимосвязь присутствующих в подложке Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06) нанопреципитатов теллура и электрофизических свойств выращенных эпитаксиальных слоев CdxHg].xTe (0,19<х<0,32) р-типа проводимости. В главе 5 представлена разработанная технология изготовления подложек Cd].yZnyTe (0,02<у<0,06), предназначенных для проведения процессов эпитаксиального наращивания.

Заключение диссертации по теме «Технология неорганических веществ», Смирнова, Наталья Анатольевна

ВЫВОДЫ

1. Разработана комплексная технология изготовления подложек с плотностью дислокаций (0,5 - 1,0) х 105 см*2 и заданными оптическими свойствами, основанная на использовании кристаллов CdZnTe диаметром до 60 мм, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации расплава в запаянной кварцевой ампуле с защитным внутренним покрытием стенок при минимальном свободном объеме над расплавом.

2. Разработаны температурно-временные режимы процесса выращивания в части тепловых условий на завершающих стадиях кристаллизации расплава и посткристаллизационного отжига. Установлено, что для предотвращения формирования областей' с разным- типом проводимости в объеме кристалла температура расплава не должна превышать 1100-1105°С, а температура дна ампулы быть не меньше 1000-1020°С.

3. Величина выхода гетероструктур CdZnTe/CdHgTe с заданной концентрацией носителей заряда в эпитаксиальных слоях р-типа электропроводности увеличилась в четыре раза и в два раза для и-типа электропроводности при использовании разработанных температурно-временных технологических режимов посткристаллизационного охлаждения.

4. Разработана технология изготовления подложек CdiyZnyTe (0,02<у<0,06). Минимизировано количество технологических переделов (исключена стадия механической полировки, требующая наклейку на планшайбы воском, отмывку от воска в органических растворителях) с целью повышения выхода годных подложек. Разработаны состав травильного раствора и режимы химико-механической полировки пластин CdiyZnyTe (0,02<у<0,06), использование которых в рамках технологической схемы позволяют изготовить подложки с плоскостностью не хуже 2-4 мкм/см. Данный технологический подход обеспечивает высоту микрорельефа на уровне 4-8 нм и предотвращает появление неконтролируемых примесей на поверхности подложки.

5. Предложен способ контроля существования нанопреципитатов теллура в CdZnTe по спектрам комбинационного рассеяния света и спектрам отражения в дальней инфракрасной области длин волн. Установлено, что на электрофизические свойства эпитаксиальных слоев CdxHgi.xTe (0,19<х<0,23 и 0,27<х<0,32) р-типа проводимости, выращенных методом жидкофазной эпитаксии, существенное влияние оказывают преципитаты теллура нанометрового размера, присутствующие в подложках CdiyZnvTe (0,02<у<0,06).

6. Разработанная комплексная технологическая схема изготовления подложек является составной частью комплексной технологии изготовления гетероструктур CdHgTe/CdZnTe для дальнейшего их использования при производстве широкоформатных матричных фотоприемников и фоторезистивных многоэлементных фотоприемников.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Смирнова, Наталья Анатольевна, 2007 год

1. Tribolet P. HgCdTe technology in France // Comptes Rendus Physique. 2003. N.4. P.1121-1131.

2. Norton P. HgCdTE infrared detectors // Opto-Electronics Review. 2002. V.10. N.3. P. 159-174.

3. Rogalski A. Infrared detectors: an overview // Infrared Physics & Technology. 2002. N.43. P. 187-210.

4. Рогальский А. Инфракрасные детекторы // Перевод под ред. А.В. Войцеховского. Новосибирск: Наука. - 2003. - 636 С.

5. Properties of Narrow Gap Cd-based Compounds, ed. P.Capper. INSPEC, London. 1994.-618 P.

6. Strauss A.J. The physical properties of cadmium telluride // Revue de physique applique. 1977. V.12,N.2. P.167-184.

7. Kennedy J.J., Amirtharaj P.M., Boyd P.R., Boyd P.R., Qadri S.B., Dobbyn R.C., Long G.G. Growth and characterization of Cd.xZnxTe and Hgj.y ZnyTe // J. Cryst. Growth. 1988. V.86, N. 1-4. P. 93-99.

8. Герасимов Я.И., Крестовников A.H., Горбов С.И. Химическая термодинамика в цветной металлургии том VI / Москва. Металлургия. 1974.-312 С.

9. Гринберг Я.Х., Гуськов В.Н., Лазарев В.Б., Зельвенский М.Я. р-Т-х-фазовые равновесия в системе Cd-Te // Неорганические материалы. 1989. Т. 25, №12. С. 1991-1996.

10. Гуськов В.Н., Нипан Г.Д., Кольцова Т.Н. р-Т-х-фазовые равновесия в системе Cd-Zn-Te // Неорганические материалы. 2003. Т. 39, № 4. С.415-421.

11. Greenberg J.H. Р-Т-Х phase equilibrium and vapor pressure scanning of non-stoichiometry in CdTe // J. Cryst. Growth. 1996. V. 161. P. 1-11.

12. Глазов B.M., Павлова Jl.M. Область гомогенности на основе теллурида кадмия в системе кадмий-теллур // Неорганические материалы. 1994. Т. 30, № 5. С.629-634.

13. Guskov V.N., Greenberg J.H., Fiederle М., Benz K.W. Vapour pressure investigation of CdZnTe // Journal of alloys and compounds. 2004. V.371. P.118-121.

14. Greenberg J.H., Guskov V.N., Fiederle M., Benz K.W. Vapour pressure scanning of non-stoichiometry in Cd0,95Zn0,05Tei±5 // J. Cryst. Growth. 2004. V.270. P.69-76.

15. Алиханян A.C., Гуськов B.H., Натаровский A.H., Коваленко В.В. Термодинамические свойства твердых растворов системы CdTe-ZnTe // Неорганические материалы. 2003.Т. 39, № 3. С.298-304.

16. Alikhanian A.S., Guskov V.N., Natarovsky A.M., Greenberg J.H., Fiederle M., Benz K.W. Mass spectrometric study of the CdTe-ZnTe system // J. Cryst. Growth. 2002. V.240. P.73-79.

17. Мильвидский М.Г, Освенский В.Б. Структурные дефекты монокристаллах полупроводников / Москва. Металлургия. 1984. 256 С.

18. Rai R.S., Mahajan S., VcDevit S., Johnson C.J. Characterization of CdTe, (Cd,Zn)Te and Cd (Te,Se) single crystals by transmission electron microscopy // J.Vac.Sci.Technol. B. 1991. V.9. P.1892-1896.

19. Rudolph P., Schroter H., Rinas U., Zimmermann H., Boyn R. Control of composition and substitutional acceptor density during crystal growth of CdTe //Advanced materials for optics and electronics. 1994. V.3. P.289-293.

20. Клевков Ю.В., Колосов C.A., Плотников А.Ф.Транспорт носителей заряда в отожженных крупно- и мелкозернистых поликристаллах CdTe // ФТП. 2006. Т.40, № 9. С.1028-1032.

21. Berding М.А., Schilfgaarde M.van, Paxton A.T., Sher A. Defects in ZnTe, CdTe, and HgTe: Total energy calculations // J.Vac.Sci.Technol. A. 1990. V.*8, N.2. P.l 103-1107.

22. Hage-Ali M., Siffert P. Status of semi-insulating cadmium telluride for nuclear radiation detectors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 1992. V.322. P.313-323.

23. Kroger F.A. The defect structure of CdTe // Revue de Phisique Appliquee. 1977. V.12, N.2. P.205-210.

24. Комарь B.K., Пузиков B.M. Монокристаллы группы А2В6. Выращивание, свойства,применение / Харьков. Институт монокристаллов. 2002 г. С.244.

25. Crystal Growth Technology ed. H.J.Schell and T.Fukuda / WILEY.2004.-668 p.

26. Glass H.L., Socha A.J., Parfeniuk C.L. Improvements in production of CdZnTe crystals grown by the Bridgman method // J. Cryst. Growth. 1998. V. 184/185. P.1035-1038.

27. Koyama A., Hichiwa A., Hirano R. Recent progress in CdZnTe grystals // J.ElectroN.mater. 1999. V.28, N.6. P.683-687.

28. Kestigian M., Bollong A.B., Derby J.J., Glass H.L., Harris K., Hettich H.L., Liao P.K., Mitra P., Norton P.W., Wadley H. Cadmium zinc telluride substrate growth, characterization, and evaluation // J.ElectroN.mater. 1999. V.28, N.6. P.726-731.

29. Asahi Т., Oda O., Taniguchi Y., Koyama A. Crowth and characterization of 100mm diameter CdZnTe single crystals by the vertical gradient freezing method // J. of Cryst. Growth. 1996. V. 161. P. 20-27.

30. Casagrande L.G., Marzio D.D., Lee M.B., Larson D.J.jr, Dudley M., Fanning T. Vertical Bridgman growth and characterization of large-diameter single-crystal CdTe //J. Cryst. Growth. 1993. V. 128. P.576-581.

31. Иванов Ю.М. Выращивание монокристаллов с использованием эффекта самозатравления // Неорганические материалы. 1998. Т.34, №9. С. 10621068.

32. Ivanov Yu.M., Artemov V.V., Kanevsky V.M., Polyakov A.N., Chudakov V.S., Pashaev E.M., Senin R.A. Prodaction of structurally perfect single crystals of CdTe and CdZnTe // European Physical Journal Appled Physics. 2004. V.27. P.371-374.

33. Матвеев O.A., Терентьев А.И., Карпенко В.П., Зеленина Н.К. Выращивание полуизолирующих кристаллов Cd.xZnxTe(Cl) методом горизонтальной направленной кристаллизации // Неорганические материалы. 2002. Т. 38, № 9. С. 1049-1052.

34. Матвеев О.А., Терентьев А.И. Особенности выращивания кристаллов CdTe из расплава// ФТП. 1995. Т.29, №2. С.378-383.

35. Lay K.Y., Nichols D., McDevitt S., Dean B.E., Johnson C.J. High quality, single crystal CdTe grown by a modified horizontal Bridgman technique // J. Cryst. Growth. 1988. V.86. P. 118-126.

36. Cheuvart P., El-Hanani U., Schneider D., Triboulet R. CdTe and CdZnTe crystal growth by horizontal Bridgman technique // J. Cryst. Growth. 1990. V.101. P.270-274.

37. Rudolph P., Muhlberg M. Basic problem of vertical Bridgman growth of CdTe //Material Science and Engineering. 1993. B16. P.8-16. .

38. Rudolph P., Kawasaki S., Yamashita S., Yamamoto S., Usuki Y., Konagaya Y., Matada S., Fukuda T. Attempts to growth of undoped CdTe single crystals with high electrical resistivity // J. Cryst. Growth. 1996. V. 161. P.28-33.

39. Blackmore G.W., Courtney S.J., Royle A., Shaw N., Vere A.W. Boron-segregation in Czochralki-grown CdTe // J. Cryst. Growth. 1987. V.85. P.33^5-340.

40. Triboulet R., Legros R., Heurtel A., Sieber В., Didier G., Imnoff D. Properties of CdTe crystals grown by THM using Cd as the solvent // J. Cryst. Growth. 1985. V.72. P.90-96.

41. Weigel E., Muller-Vogt G. Comparison of Bridgman and THM method regarding the effect of In doping and distribution of Zn in CdTe // J. Cryst. Growth. 1996. V. 161. P.40-44.

42. Garg A.K., Srivastava M., Narula R.C., Bagai R.K., Kumar V. Improvement in crystalline quality of Cdbx Znx Те (x=4%) crystal grown in graphite crucible // J. Cryst. Growth. 2004. V.260. P.148-158.

43. Lakeenkov V.M., Ufimtsev V.B., Shmatov N.I., Schelkin Yu.F. Numeric simulation of vertical Bridgman growth of Cdj.x Znx Те melts // J. Cryst. Growth. 1999. V.197. P.443-448.

44. Yellin N., Eger D., Shachna A. Vertical unseeded vapor growth of large CdTe crystals // J. Cryst. Growth. 1982. V.60. P.343-348.

45. Weirauch D.F. A study of lapping and polishing damage in single-crystal CdTe // J.Electrochem.Soc.Solid -State Science and technology. 1985. V.132, N.l. P.250-254.

46. Меринов B.H., Раскевич A.M., Елизаров A.M., Ергаков B.K., Богобоящий В.В. Способ и устройство для обработки поверхности пластин полупроводников. А.С. № 312172.

47. Moravec P., Hoschl P., Franc J., Belas Е., Fesh R., Grill R., Horodysky P., Praus P. Chemical polishing of CdTeZn substrates fabricated from crystalsgrown by the vertical gradient freezing method // J.Electron.mater. 2006. V.35, N.6. P.1206-1213.

48. Артемов A.C. Наноалмазы для полирования // Физика твердого тела. 20Q4. Т.46, вып.4. С.670-678.

49. Артемов А.С. Химико-механическое полирование-универсальная технология получения совершенной поверхности кристаллов // Тезисы докладов на XI Национальной конференции по росту кристаллов. Москва. ИК РАН. декабрь 2004г. С. 340.

50. Томашик В.Н., Томашик З.Ф. Механическая и химико-механическая1. О Аобработка полупроводниковых соединений типа А В // Неорганические материалы. 1994.Т.30, №12. С. 1498-1503.

51. Перевощиков В.А. Процессы химико-динамического полирования поверхности полупроводников //Высокочистые вещества. 1995. №2.С.5-29.

52. Билевич Е.О., Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Комарь В.Н., Даниленко С.Г. Химическое травление твердых растворов Cdix Znx Те в растворах систем НМОз-НСЬ-органическая кислота // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2001. вып.36. С. 118-126.

53. Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Гуменюк О.Р., Сизов Ф.Ф. Химическое травление твердых растворов в иодвыделяющих растворах на основе системы H2O2-HJ // Прикладная физика. 2005. С. 106.

54. Томашик З.Ф., Лукиянчук Э.М., Томашик В.Н. Химическое травлениеч.монокристаллов CdTe и CdxHg!.xTe в растворах систем Н2 02-минеральная кислота // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 2003. вып.38. С.204-209.

55. Chen Н., Egarievwe S.U et all Study of Gamma-Ray detector performance of Cdj.xZnxTe crystal treated by different etchants // Proceeding of SPIE. vol. 2859. P.254-262.

56. Yoon H.,Van Scyoc J.M., James R.B. Investigation of the effects of polishing and etching on the quality of Cd!.xZnxTe using spatial mapping techniques // Journal of Electronic Materials. 1997. V.26, N.6. P.529-533.

57. Томашик B.H., Сава A.A., Томашик З.Ф. Взаимодействие теллура и теллурсодержащих полупроводниковых соединений с растворами системы HI-HNO3-H2O // Неорганические материалы. 1994. Т.30, №1. С.49-52.

58. Томашик В.Н., Сава А.А., Томашик З.Ф., Фомин А.В. Состав поверхностных слоев, образующихся при растворении CdTe в кислотных травителях // Неорганические материалы. 1994. Т.30, №1. С.44-48.

59. Байдуллаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е. Влияние различных видов обработки поверхности на фотоэлектрические и оптические свойства CdTe // Физика и техника полупроводников. 1997. Т.31, № 12. С. 1428-143.0.

60. Amirtharaj P.M., Pollak F.H. Raman scattering study of the properties and removal of excess Те on CdTe surfaces // Appl.Phys.Lett. 1984. V.45, N.7. P.789-791.

61. Kotina I.M., Tukhkonen L.M., Patsekina G.V., Shchukarev A.V., Gusinskii G.M. Study of CdTe etching process in alcoholic solutions of bromine // Semicond. Sci.Technol. 1998. V.13. P.890-894.

62. Сава А.А., Томашик В.Н., Фомин А.В., Кравецкий М.Ю., Якубцов О.А., Пужевич В.К., Махнюк В.И. Химическое растворение теллурида кадмия в растворах системы Вг2- НВг // Неорганические материалы. 1989. Т.25, №12. С. 1997-2001.

63. Lo Vecchio P., Reine M. В., Grimbergen M.N. Characterization of anisotype and isotype Hgo^Cdo^Te/CdTe heterojunctions // J.Vac.Sci.Technol.A. 193-5. V.3, N.l. P.246-254.

64. Елизаров А.И., Богобоящий B.B., Белов А.Г. Вольтамперные характеристики потенциальных барьеров в гетероструктурах CdxHg.xTe/CdZnTe // ФТП. 1990. Т.24, вып.5. С. 923-926.

65. Белов А.Г., Белогорохов А.И., Лакеенков В.М. Об особенностях электрофизических свойств гетероструктур CdxHgj.xTe/CdZnTe // ФТП. 2001. Т.35, вып.8. С.917-919.

66. Pelliciari В. State of the art of LPE HgCdTe at LIR // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 146-160.

67. Gower J.E., Maxey C.D., Capper P., O'Keefe E.S., Skauli T. Use of near-infrared as a screening technique for CdZnTe substrates // Journal of materials science: materials in electronics. 1999.V.10. P.589-593.

68. Guergouri K., Triboulet R., Tromson-Carli A., Marfaing Y. Solution hardening and dislocation density reduction in CdTe crystals by Zn addition // J. Cryst. Growth. 1988. V. 86. P. 61-65.

69. Bell S.L., Sen S. Crystal growth of Cdi.xZnxTe and its use as a superior substrate for LPE growth of Hgo.8Cdo.2Te // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. V. 3, N. 1. P. 112-115.

70. Skauli Т., Colin Т., Lovold S. Mapping of CdZnTe substrates and CdHgTe epitaxial layers by X-ray diffraction // J. Cryst. Growth, 1997. V.172. P.97-105.

71. Larson D.J.jr., Silberstein R.P., DiMarzio D., Carlson F.C., Gillies D., Long G., Dudley M., Wu JuN. Compositional, strain contour and property mapping of CdZnTe boules and wafers // Semicond.Sci.Technol. 1993. V.8. P.911-915.

72. Maxey C.D., Gower J.E., Capper P., O'Keefe E.S., Skauli Т., Ard C.K. Zn concentration determination in CdZnTe by NIR spectroscopy // J. Cryst. Growth. 1999. V.197. P.427-434.

73. Johnson S.M., Sen S., Konkel W.H., Kalisher M.H. Optical techniques for composition measurement of bulk and thin-film Cdi.yZnyTe // J.Vac.Sci.Technol. B. 1991. V.9, N.3. P.1897-1901.

74. Sen S., Hettich H.L., Rhiger D.R., Price S.L., Currie M.C., Ginn R.P., McLean E.O. CdZnTe substrate producibility and its impact on IRFPA yield // J.Electron.mater. 1999. V.28, N.6. P.718-725.

75. Сангвал К. Травление кристаллов теория, эксперимент, применение. Москва, изд-во Мир, 1990, -496 с.

76. Томашик В.Н. Селективное травление халькогенидов цинка, кадмия и ртути // Неорганические материалы. 1995. Т.31, №3. С.313-317.

77. Inoue М., Teramoto I., Takayanagi S. Etch pits and polarity in CdTe crystals // J. Appl. Phys. 1962. V.33, N.8. P.2578-2582.

78. Nakagawa K., Maeda K., Takeuchi S. Observation of dislocations in cadmium telluride by cathodoluminescence microscopy // Appl.Phys.Lett. 1979. V.34, N.9. P.574-575.

79. Bagai R.K., Mohan G., Seth G.L., Borle W.N. Preferential etchant for revealing crystallographic defects on (11 l)Te surface of CdTe crystals // J. Cryst. Growth.1987. V.85. P.386-388.

80. Bagai R.K., Seth G.L. Borle W.N. Nature of the crystallographic defects on the (111) Те surface of CdTe delineated by preferential etching // J. Cryst.' Growth.1988. V.91. P.605-609.

81. Everson W.J., Ard C.K., Sepich J.L., Dean B.E., Neugebauer G.T., Schaake H.F. Etch Pit Characterization of CdTe and CdZnTe Substrates for Use in Mercury Cadmium Telluride Epitaxy // J.Electron.mater. 1995. V.24, №5. P.505.

82. Инденбаум Г.И., Бароненкова Р.П., Бойных Н.М. Травление дислокаций в монокристаллах CdTe // Физика и химия обработки материалов. 1971. №2. С.91-96.

83. Durose К., Russell G.J. Structural defects in CdTe crystals grown by two different vapour phase techniques // J. Cryst. Growth. 1988. V.86. P.471-472. v

84. Vydyanath H.R. Incorporation of dopants and native defects in bulk Hg ,.xCd xTe crystals and epitaxial layers //J.Cryst. Growth. 1996.V.l6l.P.64-72.

85. Sen S., Liang C.S., Rhiger D.R., Stannard J.E., Arlinghaus H.F. Reduction of CdZnTe substrate defects and relation to epitaxial HgCdTe qualityv// J.Electron.mater. 1996. V.25. N.8. P.l 188-1195.

86. Vydyanath H.R., Ellsworth J., Kennedy J.J., Dean В., Jonhson C.J., Neugebauer G.T., Sepich J., Pok-Kai Liao. Recipe to minimize Те precipitation in CdTe and (Cd,Zn)Te crystals //J.Vac.Sci.Technol. B. 1992. V.10, N.4. P.1476-1484.

87. Vydyanath H.R., Elisworth J.A., Fisher R.F., Kennedy J.J., Johnson C.J., Neugebauer G.T. Vapor phase equilibria in the Cd.x Znx Те alloy system // J.Electron.mater. 1993. V.22, N.8. P.1067-1071.

88. Yadava R.D.S., Bagai R.K., Borle W.N. Theory of Те precipitation and related effects in CdTe crystals // J.Electron.mater. 1992. V.21, N. 10. P. 1001 -1016.

89. Shin S.H., Bajaj J., Moudy L.A., Cheung D.T. Characterization of Те precipitates in CdTe crystals // Appl. Phys. Lett. 1983. V.43, N.l. P. 68^70.

90. Вул Б.М., Сальман В.М., Чапнин В.А. Инфракрасное поглощение в CdTe р-типа // ФТП. 1970. Т.4, №1. С. 67-71.

91. Белогорохов А.И. Поведение коэффициента поглощения, обусловленного переходами в валентной зоне, в CdTe в диапазоне температур 5-400К // ФТТ. 1992. Т.34, №4. С. 1045-1050.

92. Yadava R.D.S., Sundersheshu B.S., Anandan М., Bagai R.K., Borle W.N. Precipitation in CdTe crystals studied through Mie scattering // J.Electron.mater. 1994. V.23, N.12. P.1349-1357.

93. Белогорохов А.И., Лакеенков B.M., Белогорохова Л.И. Оптические свойства монокристаллов CdixZnxTe(0<x<0,l) в инфракрасном диапазоне длин волн // ФТП. 2001. Т.35, вып.7. С.808-811.

94. Sen S., Rhiger D.R., Curtis C.R., Kalisher M.H., Hettich H.L., Currie M.C. Infrared absorption behavior in CdZnTe substrate // J.Electron.mater. 2001. V.30, N.6. P.611-618.

95. Syllaios A.J., Liao P.-K., Greene B.J., Schaake H.F., Liu H.-Y., Westphal G. Application of Urbach rule optical absorption to composition measurement of Cdi.yZn yTe // J.Electron.mater. 1997. V.26, N.6. P.567-570.

96. Zhu J., Zhang X., Li В., Chu J. The effects of Те precipitationon IR transmittance and crystalline quality of as-grown CdZnTe crystals // Infrared Physics and Technology. 1999. V. 40. P.411-415.

97. Гареева A.P., Петров В.И., Смирнова H.A. Неоднородности оптических и люминесцентных свойств р- CdZnTe //. Известия АН СССР серия физическая. 1991. Т.55, №8. С.1553-1555.

98. Vere A.W., Cole S., Williams D.J. The origins of twinning in CdTe // J.Electron.mater. 1983. V.12, N.3. P.551-561.

99. Takeuchi S., Suzuki K., Maeda K., Iwanaga H. Stacking-fault energy of И-VI compounds // Phil.Mag. (a). 1984. V.50, n.2. P.171-178.

100. Denisov I.A., Lakeenkov V.M., Mazhorova O.S., Smirnova N.A. Study of the conditions of liquid phase epitaxy of CdxHg!.xTe solid solutions for focal plane IR arrays // Proceeding of SPIE. 2000. V. 4340. P. 223-231.

101. Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Белов А.Г., Лакеенков В.М., Смирнова Н.А. К вопросу о поглощении инфракрасного излучения свободными носителями заряда в n-Cd!xZnxTe // ФТП. 1999. Т. 33, вып.5, С. 549-552.

102. Виноградов Е.А., Хаммадов И.И. Спектроскопия объемных и поверхностных фононов кристаллов / Ташкент. ФАН. 1989г.- 168 с.

103. Питер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников / Москва. Физматлит. 2002. -560 с.

104. Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., Белогорохова Л.И. Исследование структурного совершенства эпитаксиальных слоев CdxHg!.xTe/CdZnTe методом комбинационного рассеяния света // ФТП. 2004. Т.38, №1. С. 84-93.

105. Wang R.-P., Zhou G.-w., Liu Y.-I., Pan S.-h., Zhang H.-z., Yu D.-p, Zhang Z. Raman spectral study of silicon nanowires: high-order scattering and phonon confinement effects // Phys. Rev. B. 2000.V.61. P.l6827-16832.

106. Belogorokhov A.I., Belogorokhova L.I., Lakeenkov V.M., Liberant L.M. Dependence of local distribution on ZnTe and CdTe lattice vibration modes in

107. Cdi.xZnxTe with alloy composition // XXIII European Congress on Molecular Spectroscopy. Balatonfured. Hungary. 1996. P. 57.

108. Mikkelson S. A., Boyce J. B. Extended x-ray-absorption fine structure study of GaixInxAs random solid solutions // Phys.Rev. (B). 1983. V. 28. Р.7Ц0-7140.

109. Genzel L., Martin T.P., Perry С. H. Model for long-wavelength optical-phonon modes of mixed crystals // Phys.St.Sol. (B), 1974, V. 62, N.l, P. 83-92.

110. Quadri S. В., Skelton E. F., Webb A. W., Kennedy J. Evidence for bond strengthening in Cd,.xZnxTe (x=0.04) // Appl.Phys.Lett.l985.V.46, N.3. P.257-259.

111. Белогорохов А.И., Белогорохова Л.И., Белов А.Г., Лакеенков В.М., Смирнова Н.А. Оптические исследования решеточных колебаний в кристаллах Cdi.xZnxTe (0<х<0.2) в квазилокальном приближении JI Автометрия СО РАН. 1998. Вып. 3. С.69-76.

112. Comedi D., Kalish R., Richler V. Abnormal vibrations of Cd atoms in ZnxCd,.xTe // Phys.ReV.Lett. 1988. V.61, N.18. P.2125-2128.

113. Belogorokhov A.I., Gavrilov S.A., Belogorokhova L.I. Coupled polar optical vibrational modes of CdS semiconductor nanocrystals • embedded in porous A1203 //Physica Status Solidi (a). 2003. V. 197, N.l. P. 204-207.

114. Белов А.Г., Белогорохов А.И., Лакеенков B.M., Либерант Л.М., Смирнова Н.А. О некоторых особенностях спектров отражения Cdj.xZnxTe в дальней инфракрасной области спектра //ФТП.1996.Т.ЗО,вып.З.С.484-487.

115. Боуэн Д.К., Таннер Б.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Санкт-Петербург. Наука. 2002. 274 С.

116. Шматов Н.И., Смирнова Н.А., Белов А.Г., Оранский В.А., Шленский А.А. Твердые растворы Cdi.yZnyTe материал для подложек эпитаксиальных структур CdxHgj.xTe // Материалы электронной техники. 2006. №3. С. 28-32.

117. Математическая обработка реальных спектров отражения1 Метод Крамерса-Кронига

118. Хорошо известно, что в случае решеточного отражения максимумы зависимостей co-Im(-Ei)=fi(co) и co-S2=f^co) определяют частоты L0- и ТО-фононов, а полуширины кривых параметры их затухания.

119. Метод дисперсионных осцилляторов.

120. Обобщенный метод дисперсионного анализа и соотношений1. Крамерса-Кронига.

121. Здесь R (со) спектр, вычисленный методом дисперсионного анализа, coj и со2 - граничные частоты экспериментального спектра отражения.