Модификация процесса монтажа проволочных и ленточных выводов к кристаллам силовых полупроводниковых приборов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Каданцев, Игорь Александрович

• Каданцев, Игорь Александрович
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Каданцев, Игорь Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ С ОБЕСПЕЧЕНИЕМ

КАЧЕСТВА СОЕДИНЕНИЙ ВНУТРЕННИХ ВЫВОДОВ НА КРИСТАЛЛАХ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ.

1.1. Анализ способов и режимов монтажа внутренних выводов в производстве СПП.

1.1.1. Сварка ленточных выводов СПП.

1.2. Инструмент для присоединения внутренних выводов.

1.2.1. Инструмент для сварки внутренних выводов в глубоких полостях и корпусах.

1.3. Алюминиевая металлизация на кристаллах СПП.

1.4. Микротвердость пленочной металлизации.

1.5. Коррозионная устойчивость алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов.

1.6. Переходное сопротивление контактов «проводник-металлизация» СПП.

1.7. Методы, приборы и оборудование, используемые для экспериментальных исследований.

Выводы и постановка задач для исследований и разработок.

ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ДВУХСЛОЙНОЙ АЛЮМИНИЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК КРИСТАЛЛОВ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ.

2.1. Исследование структуры алюминиевой металлизации с нижним слоем, легированным никелем и титаном.

2.2. Микрорентгеноспектральный анализ алюминиевой металлизации.

2.3. Микротвердость алюминиевой металлизации.

2.4. Коррозионная устойчивость алюминиевой металлизации.

2.5. Поверхностное и удельное сопротивление алюминиевой металлизации.

Выводы.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ КОНСТРУКТИВНО - ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ НА КАЧЕСТВО СВАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ВЫВОДОВ С КОНТАКТНЫМИ ПЛОЩАДКАМИ КРИСТАЛЛОВ СПП.

3.1. Прочность соединений алюминиевой проволоки с двухслойной алюминиевой металлизацией с нижним слоем, легированным никелем и титаном.

3.2. Прочность соединений алюминиевой ленты с двухслойной алюминиевой металлизацией с нижним слоем, легированным никелем и титаном.

3.3. Сопротивление контактов «алюминиевый вывод -алюминиевая металлизация» на кристаллах СПП.

3.4. Оптимизация режимов УЗС проволоки и ленты из алюминия к кристаллам.

3.4.1. УЗС алюминиевой проволоки к кристаллам с алюминиевой металлизацией.

3.4.2. УЗС алюминиевой ленты к кристаллам с алюминиевой металлизацией.

3.5. От проволочного монтажа к HARB - процессу.

3.5.1. Термозвукоимпульсная сварка ленточных выводов.

3.5.2. Дислокационная структура в кремнии после имитации УЗС внутренних выводов.

Выводы.

ГЛАВА 4. ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЙ В ПРОИЗВОДСТВЕ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

4.1. Расчет концентратора для установки ультразвуковой сварки.

4.2. Расчет конструкции инструмента для установки ультразвуковой сварки.

4.2.1. Передача энергии УЗ колебаний в зону сварки.

4.2.2. Расчет геометрических размеров инструмента.

4.3. Контроль прочности соединений в СПП.

4.4. Разработка способа нанесения пленочной металлизации на обратную поверхность кристаллов в составе пластины.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Модификация процесса монтажа проволочных и ленточных выводов к кристаллам силовых полупроводниковых приборов»

Актуальность темы. Внедрение энергосберегающих технологий неразрывно связано с достижениями в области силовой электроники. При монтаже мощных полупроводниковых приборов, таких как MOSFET и IGBT, одним из наиболее распространенных способов электрического соединения между контактными площадками кристалла и выводами корпуса является ультразвуковая сварка (УЗС) с помощью проволочных выводов диаметром 0,25 — 0,5 мм или ленточных перемычек. Этот вид монтажа остается одним из основных при сборке полупроводниковых приборов, что объясняется высокой автоматизацией процесса, универсальностью по отношению к различным технологическим вариантам производства и геометрическим размерам изделий.

В последнее время в печати появляются сообщения о перспективности сборки силовых полупроводниковых приборов (Cllil) УЗС с использованием алюминиевой ленты [1,2]. Данная технология получила название HARB (Heavy Aluminum Ribbon Bonding). Присоединение одной ленты шириной 2,0 мм и толщиной 0,3 мм эквивалентно трем петлям из проволоки диаметром 0,5 мм. Учитывая конструктивные и технологические особенности изготовления металлизации контактных площадок на кристаллах Cllil, производитель может столкнуться с рядом ограничений на HARB-процесс. Нельзя полностью согласиться с утверждением, что «физические основы HARB и традиционной сварки толстой алюминиевой проволоки настолько близки, что для выполнения сварки лентой подойдет обычная установка УЗС, лишь немного модернизированная под HARB-процесс» [1].

Известно, что в производстве CHI 1 качество соединений на траверсах корпусов выше, чем на контактных площадках кристаллов. Для обеспечения высокого качества и воспроизводимости соединений на кристаллах СПП, полученных УЗС, необходимо проведение следующих исследований и разработок: свойств поверхности контактных площадок; оптимизация технологических режимов УЗС методом математического моделирования; разработка новых способов сварки, в том числе и сварочного инструмента с активацией процесса физико-химического взаимодействия контактирующих металлов (вывод - пленочная металлизация).

При разработке новых способов сварки необходимо учитывать традиционно сложившиеся подходы и методики конструирования и технологии производства СПП. Поэтому вопросы совершенствования процесса монтажа проволочных и ленточных выводов к кристаллам Cllil являются актуальными как в научном, так и в прикладном плане.

Диссертация выполнена на кафедре «Полупроводниковая электроника и наноэлектроника» ГОУ ВПО «Воронежский государственный технический университет» в рамках госбюджетных программ ГБ-04.34 «Исследование полупроводниковых материалов (Si, А3В5 и др.), приборов и технологии их изготовления», номер гос. регистрации 0120.0412888 и ГБ-2010.34 «Физические основы технологии и проектирования полупроводниковых изделий микроэлектроники».

Цель и задачи работы. Целью работы является решение научно-технической задачи по повышению качества контактов алюминиевых проволочных и ленточных выводов с двухслойной алюминиевой металлизацией кристаллов силовых полупроводниковых приборов. Для достижения поставленной цели в диссертации решались следующие задачи: анализ способов монтажа внутренних выводов на кристаллах СПП; исследование свойств поверхности двухслойной алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов с нижним слоем, легированным 1% Ni или 1% Ti; установление влияния двухслойной алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов на качество сварных соединений с алюминиевыми выводами; оценка коррозионной устойчивости, удельного и поверхностного сопротивлений, микротвердости двухслойной алюминиевой металлизации; определение переходного сопротивления контактов проволоки и ленты с двухслойной алюминиевой металлизации кристаллов; выбор оптимальных режимов УЗС проволочных и ленточных алюминиевых выводов к контактным площадкам кристаллов СПП; зависимость удельного давления сварочного инструмента на кристалл при оптимальных режимах УЗС от геометрических размеров присоединяемых выводов; расчет параметров конического ультразвукового концентратора для ультразвукового сварочного устройства; расчет рабочего вылета инструмента в установке для УЗС выводов в корпусах с глубоким расположением кристалла; разработка нового способа сварки ленточных выводов к кристаллам СПП импульсным нагревом сварочного инструмента с приложением к нему давления и ультразвуковых колебаний.

Методы исследований. При выполнении экспериментов использованы современные методы и оборудование. Напайка кристаллов с использованием припоя ВПрб на основания корпусов осуществлялась на полуавтоматической установке ЭМ-4085-14М. Для УЗС проволочных/ленточных выводов использовалась установка УСИММ-61.

Коррозионно-электрохимическое поведение алюминиевой металлизации изучали потенциодинамическим методом на потенциостате П-5827М с автоматической записью на потенциометре КСП.

При выполнении экспериментов использовались электронный микроанализ и растровая электронная микроскопия.

Научная новизна работы. Получены следующие новые научные и технические результаты: впервые установлено влияние легирования нижнего слоя 1% Ni или 1% Ti на свойства (химический состав, микротвердость, коррозионная устойчивость, поверхностное и удельное сопротивления) поверхности двухслойной алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов и на качество (прочность и сопротивление) контактов на кристаллах СПП; методом планирования многофакторных экспериментов определены оптимальные режимы УЗС проволочных и ленточных алюминиевых выводов к кристаллам с двухслойной алюминиевой металлизацией СПП, обеспечивающие высокое качество контактов; впервые установлена зависимость удельного давления сварочного инструмента на кристалл при оптимальных режимах УЗС от геометрических размеров присоединяемых выводов. Показано, что при сборке СПП с использованием алюминиевой ленты сечением 1,35x0,145 мм2 требуется удельное давление сварочного инструмента на кристалл в 7 раз меньше, чем при УЗС проволоки диаметром 0,025 мм; разработан новый способ сварки ленточных выводов к кристаллам СПП, отличающийся от известных тем, что формирование контактов осуществляется импульсным нагревом сварочного инструмента с приложением к нему давления и ультразвуковых колебаний;

Реализация результатов работы, практическая значимость. Проведен анализ способов монтажа внутренних выводов на кристаллах СПП. Показана перспектива использования ленточных выводов (HARB-технология) в производстве СПП.

Исследованы свойства поверхности двухслойной алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов с нижним слоем, легированным 1% Ni или 1% Ti, и их влияние на качество сварных соединений с алюминиевыми выводами СПП.

Проведена оценка коррозионной устойчивости, удельного и поверхностного сопротивлений, микротвердости двухслойной алюминиевой металлизации. Существенное влияние на коррозионную устойчивость двухслойной алюминиевой металлизации оказывает температурный отжиг и легирование нижнего слоя алюминиевой металлизации кремнием.

Определено переходное сопротивление контактов проволоки и ленты с двухслойной алюминиевой металлизацией кристаллов. Установлено, что величина переходного сопротивления контактов проволоки и ленты с двухслойной алюминиевой металлизацией уменьшается с ростом толщины металлизации, а также при напылении алюминия на Si02-0CH0By по сравнению с напылением на чистый кремний.

На основе теоретических расчетов и экспериментальных исследований определены оптимальные режимы УЗС проволоки диаметром 0,4 мм и ленты сечением 1,35x0,145 мм к двухслойной алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов, обеспечивающие высокое качество контактов.

Установлена зависимость удельного давления сварочного инструмента на кристалл при оптимальных режимах УЗС от геометрических размеров присоединяемых выводов. При сборке СПП с использованием алюминиевой ленты сечением 1,35x0,145 мм требуется удельное давление на контактные площадки кристаллов в 7 раз меньше, чем проволоки диаметром 0,025 мм. Утверждение производителей СПП о том, что при использовании HARB -процесса возможно повреждение кристалла, не обосновано.

Проведены расчеты параметров конического ультразвукового концентратора для ультразвукового сварочного устройства и рабочего вылета инструмента в установке для УЗС выводов в корпусах с глубоким расположением кристалла.

Разработан новый способ сварки ленточных выводов к кристаллам СПП, заключающийся в том, что формирование контактов осуществляется импульсным нагревом сварочного инструмента с приложением к нему давления и ультразвуковых колебаний. Для данного способа приведены стадии формирования сварных контактов и разработана циклограмма процесса сварки.

Основные положения, выносимые на защиту.

Установленную зависимость влияния легирования нижнего слоя 1% Ni или 1% Ti на свойства (химический состав, микротвердость, коррозионная устойчивость, поверхностное и удельное сопротивления) поверхности двухслойной алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов и на качество (прочность и сопротивление) контактов на кристаллах СПП.

Выбор оптимальных режимов УЗС проволочных и ленточных алюминиевых выводов к кристаллам с двухслойной алюминиевой металлизацией СПП, обеспечивающие высокое качество контактов «вывод -пленочная» металлизация.

Расчетную зависимость удельного давления сварочного инструмента на кристалл при оптимальных режимах УЗС от геометрических размеров присоединяемых выводов.

Новый способ сварки ленточных выводов к кристаллам СПП, заключающийся в том, что формирование контактов осуществляется импульсным нагревом сварочного инструмента с приложением к нему давления и ультразвуковых колебаний.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях и научно-технических семинарах: семинаре-презентации «Элементная база силовой электроники, СБИС и ПЛИС специального назначения», (Воронеж, 2008); XV Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2008» (Москва, 2008); научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов (Воронеж, 2007 - 2010); Международном научно-методическом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2010).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 18 научных работ, в том числе 6 - в изданиях, рекомендованных ВАК РФ. В работах, опубликованных в соавторстве и приведенных в конце автореферата, лично соискателю принадлежат: [1] - анализ свойств алюминиевой металлизации на кристаллах, [2 - 4, 6, 7, 8, 9, 12, 16, 18] - исследование свойств двухслойной алюминиевой металлизации и их влияние на качество соединений с алюминиевыми выводами, [10, 11, 13] - оптимизация режимов УЗС проволоки и ленты из алюминия к кристаллам СПП, [5, 7, 14, 15, 17] - расчеты концентратора и инструмента для установки УЗС, [1 - 18] - обсуждение полученных результатов и подготовка работ к печати.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы из 141 наименования. Основная часть работы изложена на 158 страницах, содержит 62 рисунка и 15 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Каданцев, Игорь Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

В диссертации получены следующие научные и технические результаты:

1. Микроструктурный анализ поверхности двухслойной алюминиевой металлизации общей толщиной 4,0; 4,5; 6,0 мкм с нижним слоем А1+1%>П толщиной 0,2, 0,5, 1,0 мкм и общей толщиной 6,7 мкм с нижним слоем А1+1%Т1 толщиной 1,1 мкм, нанесенной на кремний (с активными областями и без них) и на оксид кремния, не выявил существенных различий в структуре данных пленок.

2. Рентгеноспектральный микроанализ поверхности двухслойной алюминиевой металлизации общей толщиной 4,0; 4,5; 6,0 мкм с нижним слоем АВТ%№ толщиной 0,2, 0,5, 1,0 мкм и общей толщиной 6,7 мкм с нижним слоем А1+1%Т1 толщиной 1,1 мкм, нанесенной на кристаллы кремния без активных областей (с нижним слоем оксида кремния и без него) и на кристаллы кремния с активными областями, показал изменение химического состава данных пленок. Установлено наличие кремния (до 1,5%) на поверхности алюминиевой металлизации, нанесенной на кремний.

3. Коррозионная устойчивость металлизации с нижним слоем А1+1%Т1 ниже, чем с нижним слоем А1+1%№. Формирование двухслойной алюминиевой металлизации на контактных площадках СПП с нижним слоем, легированным 1%№ или 1%Т1, с целью повышения ее коррозионной устойчивости нецелесообразно. Более эффективным может быть легирование нижнего слоя алюминиевой металлизации кремнием.

4. На двухслойной алюминиевой металлизации толщиной 4,5 и 6,0 мкм, нанесенной на кремний, величина удельного и поверхностного сопротивлений на 10% выше, чем у аналогичных образцов, нанесенных на 8Юг- Значения поверхностного и удельного сопротивлений на металлизациях с нижним слоем А1+1%Т1 на 21% выше, чем у аналогичных образцов с нижним слоем А1+1%№. Это, по-видимому, связано с тем, что значение удельного сопротивления титана

7 Я

5,6-10 Ом-м) выше удельного сопротивления никеля (8,7-10" Ом-м).

5. Прочность сварных соединений алюминиевой проволоки с двухслойной алюминиевой металлизацией, имеющей нижний слой, легированный 1% Тл, на 12% выше, чем для металлизации, легированной 1% №. Это объясняется тем, что микротвердость металлизации, легированной Т1, на 200 - 250% выше, чем у металлизации, легированной Ni, что способствует увеличению прочности сварных соединений.

6. Установлено, что величина переходного сопротивления контактов проволоки и ленты с двухслойной алюминиевой металлизацией уменьшается с ростом толщины металлизации (на 18%) и при напылении алюминия на SiCV основу (на 58%).

7. На основе теоретических расчетов и экспериментальных исследований определены оптимальные режимы УЗС проволоки диаметром 0,4 мм и ленты сечением 1,35x0,145 мм к двухслойной алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов.

8. Разработан новый способ сварки ленточных выводов к кристаллам СПП, заключающийся в том, что формирование контактов осуществляется импульсным нагревом сварочного инструмента с приложением к нему давления и ультразвуковых колебаний. Для данного способа приведены стадии формирования сварных контактов и разработана циклограмма процесса сварки.

9. Установлено, что при сборке СПП с использованием алюминиевой ленты сечением 1,35x0,145 мм требуется удельное давление сварочного инструмента на кристалл при оптимальных режимах УЗС в 7 раз меньше, чем при УЗС проволоки диаметром 0,025 мм. Поэтому утверждение производителей СПП о том, что при использовании HARB - процесса возможно повреждение кристалла, не обосновано.

142

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Каданцев, Игорь Александрович, 2011 год

1.Валев С. Ультразвуковая сварка силовых приборов плоской алюминиевой лентой (HARB): эффективность, производительность и некоторые проблемы // Силовая электроника, 2007. №3. С. 130-133.

2. Ланин В. Монтаж ленточными перемычками мощных полупроводниковых приборов / В. Ланин, С. Волкенштейн, И. Петухов, А. Хмыль // Компоненты и технологии, 2009. №1. С. 120-123.

3. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, H.A. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцева. М.: Энергоатомиздат, 1990. -442 с.

4. Флоренцев С.Н. Современное состояние и прогноз развития приборов силовой электроники // СТА. 2004. С. 20-30.

5. Пат. 2271909 RU, В 23 К 31/02. Способ сварки давлением / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, Ю.Л. Фоменко, В.Я. Пьяных, A.B. Рягузов В.А., Шарапов. Опубл. 27.06.05. Бюл. № 8.

6. Погорельцев И. Некоторые методы повышения качества и надежности ультразвуковой сварки // Силовая электроника, 2010. №2. С. 102-105.

7. Шмаков М. Микросварка при производстве микросборок и гибридных интегральных микросхем // Технологии в электронной промышленности, 2007. №1. С. 60-67.

8. Апостолова Е.М. Сборка полупроводниковых приборов. Автоматизацию! процессов проволочных межсоединений многовыводных СВЧ мощных транзисторов / Е.М. Апостолова, Ю.П. Клюев // Электронная промышленность, 2003. №2. С. 210 - 213.

9. Ланин В. Повышение качества микросварных соединений в интегральных схемах с использованием ультразвуковых систем повышенной частоты / В. Ланин, И. Петухов, Д. Мордвинцев // Технологии в электронной промышленности, 2010. №1. С. 48-50.

10. Панин В. Ультразвуковое оборудование для сварки микропроводников / В. Ланин, И. Петухов, В. Шевцов // Компоненты и технологии, 2009. №8. С. 124-129.

11. Балашов Ю.С. Сборочные операции и их контроль в микроэлектронике: Учеб. пособие / Ю.С. Балашов, В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал. — Воронеж: 2004. 229 с.

12. Зенин В.В. Конструктивно-технологические аспекты сборки полупроводниковых изделий: электронный ресурс.: учеб. пособие / В.В. Зенин,

13. A.B. Рягузов. Воронеж: ВГТУ, 2005. 353 с.

14. Онегин Е.Е.Автоматическая сборка ИС / Е.Е. Онегин, В.А. Зенкович, Л.Г. Битно // Технологический процесс. Оборудование. Управление. Техническое зрение. Привод: Справ. Пособие. Мн.: Высш.шк., 1990 - 346 с.

15. Шмаков М. Технология термозвуковой микросварки методом «шарик — клин шарик» и контроль микросварных соединений // Технологии в электронной промышленности, 2007. №7. С. 70 - 72.

16. Васильев Ю.В. Термокомпрессионная сварка алюмооксидной керамики с медью // Петербургский журнал электроники, 2003. №3. С. 13 20.

17. Шутов C.B. Термокомпрессия монокристаллического арсенида галлия // Петербургский журнал электроники, 1999. №3. С. 43 46.

18. Ланин В. Сборка мощных бескорпусных MOSFET для поверхностного монтажа / В. Ланин, А. Керенцев // Силовая электроника, 2009. №3. С. 76-79.

19. Ланин В. Сварка и монтаж мощных транзисторов в корпусе SMD — 2 /

20. B. Ланин, А. Керенцев // Силовая электроника, 2010. №1. С. 76 79.

21. Ланин В. Сравнительная характеристика способов монтажа кристаллов MOSFET транзисторов / В. Ланин, Л. Ануфриев // Силовая электроника, 2008. №4. С. 90-95.

22. Красников Г.Я. Перспективные направления отечественной электроники // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 2000 2001. Вып. 1-2. С. 3 -6.

23. Павленко Л.С. Электричекие перегрузки причина отказов сварных соединений / Л.С. Павленко, Е.М. Понаровкин, Н.К. Константинова // Электронная техника. Сер. 8. Управление качеством, метрология, стандартификация, 1977. Вып. 7. С. 75 - 79.

24. Апостолова Е.М. Сборка полупроводниковых приборов. Автоматизациия процессов проволочных межсоединений многовыводных СВЧ мощных транзисторов/ Е.М. Апостолова, Ю.П. Клюев // Электронная промышленность, 2003. №2. С. 210 — 213.

25. Евстигнеев В.Г. Обеспечение импортонезависимости при разработке и производстве радиоэлектронной аппаратуры вооружения, военной и специальной техники / В.Г. Евстигнеев, A.B. Завьялов, А.Н. Кошарновский // Электронная промышленность, 2002. №1. С. 73 78.

26. Ланин В. Повышение надежности микроконтактных соединений радиоционно — стойких мощных транзисторов / В. Ланин, И. Рубцевич, А. Керенцев // Силовая электроника, 2010. №3. С. 100-105.

27. A.c. 182490 СССР, МПК В 23 К Н 05 в. Способ сварки микродеталей давлением с косвенным нагревом / Ю.Л. Красулин, В.И. Кузьмин, В.Г. Никитин (СССР). Опубл. 1966, Бюл. № 11.-1с.

28. A.c. 332973 СССР, М. Кл. В 23 К 19/00, В 23 К 31/02. Способ сварки давлением с косвенным нагревом / В.Г. Ширшов, О.П. Бондаренко (СССР). Опубл. 1972, Бюл. № 11.-2с.

29. A.c. 498129 СССР, М. Кл.2 В 32 К 19/00. Способ ультразвуковой сварки / В.М. Петров, В.В. Турбин (СССР). Опубл. 1976, Бюл. № 1.-2с.

30. A.c. 1764899 AI СССР, В 23 К 20/10. Способ ультразвуковой сварки / А.И. Беляков, В.Н. Акимов (СССР). Опубл. 1992, Бюл. № Зб.-Зс.

31. A.c. 365224 СССР, М.Кл. В 23 К 19/00. Способ ультразвуковой сварки / А.П. Рыдзевский, Б.И. Басенко (СССР). Опубл. 1973, Бюл. № 6.-2с.

32. A.c. 327022 СССР, М.Кл. В 23 К19/00. Способ ультразвуковой сварки / Е.Г. Коновалов, B.C. Галков (СССР). Опубл. 1972, Бюл. № 5.-1с.

33. A.c. 719830 СССР, М.Кл.2 В 23 К 19/00. Способ термокомпрессионной сварки / В.Е. Атауш, Р.Б. Рудзит, С.В. Карпенко, В.П. Леонов, Э.Г. Москвин (СССР). Опубл. 1978, Бюл. №9.-3 с.

34. Ланин В. Свариваемость гальванических покрытий для изделий электроники / В. Ланин, А. Хмыль // Технологии в электронной промышленности, 2008. №5. С. 50-53.

35. Материалы для металлизации кремниевых СБИС / А.Г. Климовицкий, Д.Г. Громов, В.Л. Евдокимов, И.О. Личманов, А.И. Мочалов, А.Д. Сулимин // Электронная промышленность, 2002. №1. С. 60-66.

36. Красников Г.Я. Физико-технические основы обеспечения качества СБИС / Г .Я. Красников, H.A. Зайцев М., 1999. Ч. 2. - 216 с.

37. Бокарев Д.И. Ультразвуковая сварка внутренних выводов в силовых полупроводниковых приборах / Д.И. Бокарев, В.В. Зенин // Техника машиностроения, 2005. №5. С. 30 36.

38. Особенности технологии ультразвуковой сварки соединений силовых модулей / Р. Ширбс, Г. Богхофф, Т. Нубель, В. Руше, Г. Стротлан (перевод Е. Картатьева) // Силовая электроника, 2010. №1. С. 72-75.

39. Колешко В.Н. Ультразвуковая микросварка.- Минск, 1977.-328 с.

40. Морозовский Ю. Ультразвук для сборки электронных блоков и датчиков / Ю. Морозовский, В. Резницкий // Компоненты и технологии, 2008. №4. С. 192- 195.

41. Ланин В. Активация процессов ультразвуковой микросварки изделий электроники // Технологии в электронной промышленности, 2009. №2. С. 63 -66.

42. Пешков В.В. Специальные методы сварки в твердой фазе / В.В. Пешков, В.В. Зенин // Учеб. пособие, Воронеж, политехи, ин-т. Воронеж, 1990.

43. Ланин В. Ультразвуковое оборудование для сварки микропроводников / В. Ланин, И. Петухов, В. Шевцов // Компоненты и технологии, 2009. №8. С. 124-129.

44. Ланин В. Активация процессов ультразвуковой микросварки изделий электроники // Технологии в электронной промышленности, 2009. №2. С. 63 -66.

45. Морозовский Ю. Ультразвук для сборки электронных блоков и датчиков / Ю. Морозовский, В. Резницкий // Компоненты и технологии, 2008. №4. С. 192- 195.

46. Малащенко А. Машины для контактной микросварки, пайки и термообработки / А. Малащенко, В. Вайнштейн // Компоненты и технологии, 2004. №9. С. 202-203.

47. Пат. 2220830 Российская Федерация, Инструмент для микросварки / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, В.Н. Беляев.- Опубл. 10.01.2004. Бюл. № 1.

48. Зенин В.В. Сборка силовых полупроводниковых приборов с использованием ленточных выводов / В.В. Зенин, В.И. Бойко, И.А. Каданцев //

49. Прогрессивные технологии и оборудование в электронике и машиностроении: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2008. С.83-88.

50. Мазур А.И. Процесс сварки и пайки в производстве полупроводниковых приборов / А.И. Мазур, В.П. Алехин, М.Х. Шоршоров.-М.: Радио и связь, 1981.- 224 с.

51. Пат. 2179101 Российская Федерация, Инструмент для ультразвуковой сварки / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, Ю.Л. Фоменко, Д.И. Бокарев, В.И. Фролов. -Опубл. 10.02.2002; Бюл. № 4.

52. Пат. 2220830 Российская Федерация, Инструмент для микросварки /

53. B.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, В.Н. Беляев. Опубл. 10.01.2004; Бюл. № 1.

54. Кудряшов И. Технология микросварки проволочных выводов // Производство электроники: технологии, оборудование, материалы, 2007. №5.1. C. 1-6.

55. Липатов Г.И. Технология материалов и изделий электронной техники // Учеб. пособие, Воронеж: ГОУВПО «Воронежский государственный технический университет», 2010. 4.4. 173 с.

56. Алюминиевые сплавы. Справочное руководство. М.: Металлургия, 1970.-520 с.

57. Влияние технологических факторов на качество микросоединений полупроводниковых приборов и микросборок / В.В. Зенин, Ф.Н. Рыжков, В.М. Ефимов, А.Н. Худяков: Обзор. М.: ЦНТИ «Поиск», 1986. 46 с. (Сер. VII, № 151).

58. Зенин В.В. Алюминиевая металлизация на кристаллах полупроводниковых приборов и ИС /В.В. Зенин, В.П. Гальцев, И.А. Каданцев, О.В. Марченко, Б.А. Спиридонов // Вестник Воронежского государственного технического университета, 2009. Том №5, №2. С. 32-37

59. Горлов М.И. Контроль стабильности алюминиевой металлизации к явлению электромиграции по резистометрическим измерениям / М.И. Горлов, В.И. Плебанович, A.B. Строгонов // Микроэлектроника, 2006. №4. С. 277 284.

60. Зенин В. Исследование алюминиевых гальванических покрытий корпусов полупроводниковых изделий / В.В. Зенин, А.И. Колычев, Б.А. Спиридонов, О.В. Хишко // Технологии в электронной промышленности, 2006. №1. С. 44-47.

61. A.c. 1685216 СССР, МКИ4 HOIL 21/60. Способ изготовления полупроводниковых приборов / А.И. Колычев, В.В. Зенин, В.И. Фролов и др. (СССР).-б с.

62. Моряков О.С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. BIO кн. Кн. 7. Элионная обработка. М.: Высш. шк., 1990. - 128 с.

63. Козырь И.Я. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн. Кн. 1. Общая технология / И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов, Ю.С. Чернозубов, A.C. Пономарев. -М.: Высш. шк., 1989.-223 с.

64. Вигдорович В.Н. Металлы и сплавы микроэлектроники (классификация, методы получения пленок, их применение и контроль качества) / В.Н. Вигдорович, В.И. Попов, В.Н. Пинчук // Электронная техника. Сер.6. Материалы, 1980. Вып.1. С. 3 17.

65. Эффективный способ создания алюминиевой металлизации ИС / Б.А. Егоров, Б.Г. Лысовол, И.Н. Пекишев и др. // Электронная промышленность, 1982. Вып. 4. С. 59-61.

66. Фазовая и структурная неравновесность в тонких конденсированных пленках алюминия / Л.С. Палатник, М.Н. Набока, Г.В. Жуков и др. // Физика и химия обработки материалов, 1980. № 1. С. 96 102.

67. Красников Г.Я. Физико-технические основы обеспечения качества СБИС / Г.Я. Красников, H.A. Зайцев М., 1999. Ч. 1. - 226 с.

68. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции / Под ред. Дж. Поута, К.Ту, Дж. Мейера. М.: Мир, 1982.

69. Костин П. П. Физико-механические испытания металлов, сплавов и неметаллических материалов: Учеб. пособие для профессионально-технических училищ. — М.: Машиностроение, 1990. — 256 с.

70. Испытание материалов. Справочник. / Под ред. X. Блюменауэра. Пер. с нем, 1979.-448 с.

71. Зенин В.В. Физико-химические процессы в микросоединениях полупроводниковых изделий. / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, Б.А. Спиридонов // Воронеж: Воронежский государственный технический университет, 2003. — 168 с.

72. Груев И.Д. Электрохимические покрытия изделий радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / И.Д. Груев, Н.И. Матвеев, Н.Г. Сергеева. М., 1988. -304 с.

73. Медведев А. Технологичекое обеспечение надежности межсоединений // Технологии в электронной промышленности, 2005. №5. С. 59 62.

74. Розенфельд И.Л. Коррозия и защита металлов. М.: Металлургия, 1970.-448 с.

75. Томашов И.Д. Коррозия и коррозионно-стойкие сплавы / И.Д. Томашов, Г.П. Чернова. М.: Металлургия, 1973. - 232 с.

76. Томашов И.Д. Теория коррозии и защиты металлов. — М.: Изд-во АН СССР, 1959.-592 с.

77. Тодт Ф. Коррозия и защита от коррозии. Л.: Химия, 1967. - 388 с.

78. Русанова А.Л. Исследование кинетики коррозии металлизации и разработка модели времени до отказа ИС / Электронная техника. Сер.8. Управление качеством, стандартизация, метрология и испытания, 1983. Вып.2. С. 65-70.

79. Томашов Н.Д. Пассивность и защита металлов от коррозии / Н.Д. Томашов, Г.П. Чернова. М.: Наука, 1965. - 208 с.

80. Розенфельд И.Л. Исследование анодного растворения алюминия в нейтральных средах / И.Л. Розенфельд, В.П. Персианцева, В.Е. Зорина // Защита металлов, 1979. Т. 15. № 1. С. 89 95.

81. Интегральные схемы / Г.Р.Медленд и др. М.: Советское радио, 1970. -280 с.

82. Данилин Н. Безотказный космос. Современные методы контроля качества высоконадежных компонентов / Н. Данилин, С. Белосдунцев // Вестник Электроники, 2007. №2. С. 8 11.

83. Ланин В. Методы контроля и диагностики скрытых дефектов в изделиях электроники / В. Ланин, С. Волкенштейн, А. Хмыль // Компоненты и технологии, 2010. №2. С. 137 142.

84. Бурова H.H. О сопротивлении микроконтактов между тонкими пленками и проводниками / Изв. вузов. Сер. Приборостроение, 1972. № 2. С. 117-122.

85. Хольм Р. Электрические контакты / ИИЛ, 1961.

86. Новиков А. Симпозиум «Построение эффективных производств в условиях кризиса» // Технологии электронной промышленности, 2010. №1. С. 4 -7.

87. POPS Horace (Перевод: Святослав Юрьев). Изготовление проволоки -из древности в будущее // Компоненты и технологии. 2009 №7. с. 140 146.

88. Зейдл 3. Автоматическая головка для тестирования прочности сварных соединений от F&K Delvotec: шаг на пути к бездефектному производству / 3. Зейдл, Й. Седлмаэр, С. Валев // Технологии электронной промышленности, 2010. №1. С. 30-34.

89. Грачев A.A. Влияние температурных воздействий на характеристики соединений алюминиевый проводник-пленка, выполненных ультразвуковой сваркой / A.A. Грачев, A.M. Пастушенко // Автоматическая сварка, 1974. № 8. С. 28-29.

90. Назаров Е. Будущее нашей электроники — планарный внутренний монтаж // Технологии в электронной промышленности, 2010. №1. С. 9 11.

91. Ньюман П. (Перевод: Андрей Колпаков). Эффективность преобразования и совершенствование технологий силовых модулей // Компоненты и технологии, 2008. №3. С. 136 138.

92. Колпаков А. Новые технологии расширяют горизонты силовой электроники // Компоненты и материалы, 2007. №4. С. 116 — 119.

93. Jeng Yeau-Ren, Horng Jeng-Haur. A microcontact approach for ultrasonic wire bonding in microelectronics // Trans. ASME. J. Tribol. 2001. V. 123. № 4. P. 725-731.

94. Горлов М.И. Исследование влияния состава алюминиевой металлизации на качество микросварных соединений алюминий алюминий / М.И. Горлов, В.В. Зенин, А.И. Колычев // Известия вузов. Электроника, 1998. №6. - С. 67-72.

95. Сергеев В.А. Контроль качества мощных транзисторов по теплофизическим параметрам / Ульян, гос. техн. ун-т. Ульяновск: УлГТУ, 2000.-253 с.

96. Зенин В.В. Исследование качества микросварных соединения алюминиевой проволоки в корпусах изделий электронной техники с покрытиями из никеля и его сплавов / В.В. Зенин, Ю.Е. Сегал, А.И. Колычев // Известия вузов. Электроника, 2000. №2. С. 37 44.

97. Пасынков В.В. Материалы электронной техники: учебн. для студ. вузов по спец. «Полупроводники и микроэлектронные приборы» /В.В. Пасынков, B.C. Сорокин // 2-е изд., перераб. и доп. СПб.: Издательство «Лань», 2004 -367 с.

98. Бокарев Д.И. Модификация процесса формирования внутренних соединений силовых полупроводниковых приборов: дис. на соискание уч. степ, канд. техн. наук. Воронеж: ВГТУ, 2002. - 162 с.

99. Микротвердость алюминиевой металлизации контактных площадок кристаллов силовых полупроводниковых приборов / И.А. Каданцев, Д.И.

100. Бокарев, Е.П. Новокрещенова, В.В. Зенин // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2010. С. 191-193.

101. Курносов А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. — М.: Высш. шк., 1980. — 327 с.

102. Томашов Н.Д. Теория коррозии и защиты металлов. М.: изд-во АН СССР, 1959.-592 с.

103. Зенин В.В. Влияние легирования и термообработки на коррозионную стойкость алюминиевой металлизации / В.В. Зенин, Б.А. Спиридонов // Вестник ВГТУ, 2006.

104. Зенин В.В. Методы испытаний коррозионной устойчивостиполупроводниковых изделий /В.В. Зенин, И.А. Каданцев, Б.А. Спиридонов, С.Ю. Чистяков // Вестник Воронежского государственного технического университета, 2009. Том №5, №6. С. 5-6.

105. Измерения и контроль в микроэлектронике: Учеб. пособие для вузов по специальностям электрон. техники/Дубовой Н. Д., Осокин В. И., Очков А. С. и др. / Под ред. А. А. Сазонова. М.: Высш. шк., 1984. - 367 с.

106. Горлов М.И. Контроль качества изделий полупроводниковой электроники: Учеб. пособие. Воронеж, 1998. - 144 с.

107. Измерения и контроль в микроэлектронике / Н.Д. Дубовой, В.И. Осокин, A.C. Очков и др. М., 1984. - 267 с.

108. Зенин В.В. Контроль качества микросоединений в изделиях электронной техники: Обзор /В.В. Зенин, А.И. Колычев, А.Н. Худяков. — М., 1986. №54.-52 с.

109. Кулешов В.Т. Неразрушающий контроль качества микросварных соединений / В.Т. Кулешов, Я.Н. Мистейко // Электронная промышленность.-1974. Вып. 10. С.26.

110. Неразрушающий контроль элементов и узлов радиоэлектронной аппаратуры / Б.Е. Бердичевский, Л.Г. Дубицкий, Г.М. Сушинцев, А.П. Агеев; Под. Ред. Б.Е. Бердичевского. М., 1976. - 296 с.

111. Зенин В.В. Контроль прочности микросоединений в изделиях электронной техники /В.В. Зенин, Д.И. Бокарев, М.И. Горлов // Оптимизация и моделирование в автоматизированных системах. Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2001. С. 140-150.

112. Пат. 2186366 RU. Установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий / В.Н. Беляев, Д.И. Бокарев, М.И. Горлов, Ю.Е. Сегал, Ю.Л. Фоменко. Опубл. 27.07.2002. Бюл. № 21.

113. Пат. 46360 RU. Установка для испытания микрообразцов на прочность / Ю.Е. Сегал, Ю.А. Цеханов, Д.И. Бокарев, В.П. Коренев. Опубл. 27.06.2005. Бюл. № 18.

114. Зенин В.В. Контроль прочности микросоединений БИС и СБИС /В.В. Зенин, Д.И. Бокарев, М.И. Горлов, О.В. Хишко // Прогрессивные технологии в сварочном производстве: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2005. С. 135140.

115. Горлов М.И. Геронтология кремниевых интегральных схем / М.И. Горлов, В.А. Емельянов, A.B. Строгонов.- М.: Наука, 2004.- 240 с.

116. Зенин В.В. Инструмент для ультразвуковой сварки внутренних выводов в производстве силовых полупроводниковых приборов /В.В. Зенин,

117. И.А. Каданцев, Е.П. Новокрещенова // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2009.-С. 143-148.

118. Современный эксперимент: подготовка, проведение, анализ результатов / В.Г. Блохин, О.П. Глудкин, А.И. Гуров, М.А. Ханин; под ред. О.П. Глудкина. М., 1997. - 232 с.

119. Зенин В.В. Сборка силовых полупроводниковых приборов с использованием ленточных выводов / В.В. Зенин, И.А. Каданцев // Микроэлектроника. 49 научно-техническая конференция преподавателей и студентов ВГТУ. Тез. докл. Воронеж ГОУВПО «ВГТУ», 2009. С. 17.

120. Емельянов В.А. Корпусирование интегралых схем. Мн.: Полифакт, 1998.-360 с.

121. Функциональные особенности инструмента для автоматической микросварки / JI.A. Чиненков, Ю.И. Калинин, В.А. Лавров, З.М. Славинский. Электронная техника. Сер.7. Технология, организация производства и оборудование, 1984. Вып. 2. С. 39 44.

122. Грачев A.A. Ультразвуковая микросварка / A.A. Грачев, А.П. Кожевников, В.А. Лебига, A.A. Россошинский. М.: Энергия, 1977.

123. Бабаков И.М. Теория колебаний. -М.: Наука, 1965. — 560 с.

124. Каданцев И.А. Расчет концентратора для установки ультразвуковой сварки / И.А. Каданцев, В.В. Зенин // Прогрессивные технологии и оборудование в электронике и машиностроении: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2009. С. 89 96.

125. Скучик Е. Простые и сложные колебательные системы. — М.: «Мир», 1971.-557 с.

126. Ананьев И.В. Справочник по расчету собственных колебаний упругих систем. Гостехиздат, 1946.

127. Каданцев И.А. Расчет инструмента для установки ультразвуковой сварки силовых полупроводниковых приборов / И.А Каданцев, В.В. Зенин // Вестник Воронежского государственного технического университета, Том №6, №11,2010. С. 62-65.

128. Каданцев И.А. Расчет инструмента для установки ультразвуковой сварки / И.А Каданцев, В.В. Зенин // Твердотельная электроника и микроэлектроника: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2010. -С. 129.

129. Стриха В.И. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике / В.И. Стриха, Е.В. Бузанева.- М.: Радио и связь, 1987.-256 с.

130. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. — М.: Радио и связь, 1991. 528 с.