Моделирование и оптимизация МДП-структур аналоговых ИС тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.12, кандидат технических наук Турецкий, Андрей Владимирович

• Турецкий, Андрей Владимирович
• кандидат технических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат технических наук Турецкий, Андрей Владимирович

ВВЕДЕНИЕ

1. ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ

ПРОЕКТИРОВАНИЯ АНАЛОГОВЫХ ИС НА ОСНОВЕ МОДЕЛИРОВАНИЯ И ОПТИМИЗАЦИИ МДП-СТРУКТУР

1.1 Основные задачи анализа и оптимизации при проектировании аналоговых МДП ИС

1.2. Системы автоматизированного схемотехнического проектирования аналоговых ИС

1.3. Цели и задачи исследования

2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР

2.1 Состав и структура математического обеспечения моделирования и оптимизации МДП-структур

2.2. Разработка электрической нелинейной модели для МДП-структуры аналоговых ИС

2.3. Разработка малосигнальной модели МДП-структуры

2.4 Модель усилителя с общим истоком

2.4.1 Каскад с ОИ и нагрузочным диффузионным резистором

2.4.2 Каскад с ОИ и нагрузочным МДП-транзистором

2.5. Модель усилителя с общим стоком

2.5.1 Каскад с ОС и нагрузочным диффузионным резистором

2.5.2 Каскад с ОС и нагрузочным МДП-транзистором

2.6. Модель усилителя с общим затвором

2.6.1 Каскад с 03 и нагрузочным резистором

2.6.2 Каскад с 03 и нагрузочным МДП-транзистором

2.7. Модель каскодного усилителя

2.8 Шумовая модель МДП- структуры

3. АЛГОРИТМИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ МОДЕЛИРОВАНИЯ И ОПТИМИЗАЦИИ МДП-СТРУКТУР

3.1. Методы оптимизации топологии МДП- структур

3.2. Общий алгоритм моделирования и оптимизации топологии МДП- структуры

3.3 Алгоритм оптимизации длины Ь и ширины № канала методом штрафных функций

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Моделирование и оптимизация МДП-структур аналоговых ИС»

Актуальность темы. Интегральные схемы (ИС) на основе транзисторов со структурой металл- диэлектрик- полупроводник (МДП) получили в настоящее время широкое распространение. Этому способствует ряд существенных особенностей МДП-транзистора такие как, простота технологии изготовления, высокая плотность упаковки в ИС, малое энергопотребление, возможность использования МДП-транзистора как электрически управляемого нагрузочного резистора.

Современный процесс автоматизированного схемотехнического проектирования ИС предполагает использование как универсального, так и прикладного программного обеспечения (ПО). Универсальное ПО предназначено для решения различных задач схемотехнического и конструкторского проектирования по синтезу, анализу и оптимизации параметров и характеристик схем. Применение таких промышленных САПР для задач моделирования и оптимизации МДП-структур при схемотехническом проектировании МДП ИС является неэффективным из-за их универсальности и направленности на решение широкого класса задач. Для решения таких задач требуется разработка специализированного проблемно-ориентированного комплекса, входящего в качестве подсистемы в промышленную САПР ИС.

В большинстве известных работ анализ и оптимизация ИС проводится в основном для цифровых ИС, в то время как вопросу моделирования и оптимизации МДП- структур аналоговых ИС до сих пор не уделялось достаточного внимания в исследованиях и при разработке средств автоматизированного проектирования.

В связи с этим весьма важным является решение вопросов повышения эффективности процесса схемотехнического проектирования МДП ИС путем моделирования и оптимизации МДП- структур.

Таким образом, разработка методов и средств, позволяющих создать на основе промышленных пакетов интегрированный комплекс схемотехнического проектирования аналоговых МДП ИС усилителей, является актуальной задачей.

Диссертационная работа выполнялась в рамках НИР ГБ 96.17 «Исследование и разработка устройств и технологии радиоэлектронных средств» и в соответствии с научным направлением Воронежского государственного технического университета «Системы автоматизированного проектирования и автоматизации производства».

Цель и задачи исследования. Целью работы заключается в разработке моделей, алгоритмов, программного обеспечения комплекса моделирования и оптимизации МДП- структур аналоговых ИС при их схемотехническом проектировании.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: провести анализ этапов и особенностей схемотехнического проектирования МДП ИС усилителей; разработать электрическую, малосигнальную и шумовую модели МДП-транзистора, учитывающие основные процессы происходящие в МДП-структуре, обеспечивающие приемлемую для схемотехнического проектирования точность, а также модели различных схем включения МДП-структуры в том числе каскодного включения; осуществить разработку алгоритмов моделирования и оптимизации топологических параметров МДП-структуры, позволяющих обеспечить встраиваемость в современные промышленные САПР ИС; реализовать предложенные модели, алгоритмы и процедуры в программно- методическом комплексе моделирования и оптимизации МДП ИС при ее схемотехническом проектировании.

Методы исследования. При выполнении работы использованы элементы теории системного анализа, автоматизированного проектирования, методы вычислительной математики, математического моделирования и оптимизации, теории полупроводниковых приборов, теории цепей, структурного программирования.

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены и выносятся на защиту следующие результаты, характеризующиеся научной новизной: электрическая нелинейная модель, отличающаяся простотой аналитических выражений, не содержащих трансцендентных функций, обладающая приемлемой для моделирования точностью (около 10-15 %) и учитывающая эффект модуляции длины канала, управляющее действие подложки; малосигнальная модель МДП-транзистора, отличающаяся компактностью математических выражений, учитывающая паразитные сопротивления и емкости, влияющие на частотные свойства транзистора, обеспечивающая точность моделирования 10-15 %; модели усилительных каскадов на МДП-транзисторах с различными схемами включения, учитывающие два типа нагрузки- диффузионный резистор и МДП-транзистор, отличающиеся высокой точностью оценки выходных параметров усилителей при меньшей сложности математического описания по сравнению с известными; модель шумовых свойств МДП-транзистора, полученная на основе малосигнальной модели, отличающаяся учетом шумов не только во входной и выходной цепях, но и дополнительных шумов паразитных сопротивлений, позволяющая оценить минимальный коэффициент шума транзистора; алгоритмы и процедуры моделирования и оптимизации топологических параметров МДП-структуры, отличающиеся учетом конструктивных, функциональных, технологических особенностей МДП-структуры, позволяющие получить в результате не только значения оптимизированных параметров, характеристик, но и параметры SPICE модели оптимизированного варианта транзистора для использования в программных пакетах схемотехнического проектирования.

Практическая ценность. На основе предложенных моделей и алгоритмов разработано программное обеспечение комплекса моделирования и оптимизации ИС на основе МДП-структур в процессе схемотехнического проектирования, интегрированного в промышленную САПР OrCAD 9.2, использование которого позволяет сократить временные затраты на проектирование при повышении качества получаемых решений (ИС).

Внедрение результатов работы. Основные положения диссертации в виде автоматизированного программного комплекса внедрены и используются в учебном процессе специальности 200800 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» ВГТУ и Воронежским заводом полупроводниковых приборов.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

Всероссийской научно-технической конференции «Современные проблемы радиоэлектроники» (Красноярск, 1999, 2000);

Международной конференции «Системные проблемы качества, математического моделирования, информационных, электронных и лазерных технологий» (Сочи, 2001);

Всероссийской научно-технической конференции «Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве» (Нижний Новгород, 2000).

Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 12 печатных работ. В работах, опубликованных в соавторстве лично соискателю принадлежит в [1] анализ математических моделей МДП-структуры; в [2] разработка модифицированной эквивалентной схемы; в [3] обоснование выбора целевой функции варьируемых параметров; в [4] разработка общего алгоритма моделирования и оптимизации топологических параметров МДП-структуры; в [5] компьютерное исследование функции Р(и<;,ип,Фо); в [6] разработка алгоритма получения семейства статических ВАХ и алгоритма определения выходных параметров в рабочей точке на ВАХ; в [7] экспериментальное определение коэффициента ш при определении величины модуляции длины канала; в [8] получение У-параметров П-образной схемы замещения МДП-структуры; в [9] получение выражений, определяющих частотные свойства каскада с ОИ; в [10] исследование каскада на МДП-транзисторе с

ОС и нагрузочным резистором; в [11] анализ шумовых свойств транзистора и выражение для оценки минимального коэффициента шума.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников, включающего 103 наименования, 6 приложений. Основная часть работы изложена на 141 странице, содержит 48 рисунков и 1 таблицу.

Заключение диссертации по теме «Системы автоматизации проектирования (по отраслям)», Турецкий, Андрей Владимирович

4.3. Основные выводы четвертой главы

1. На основе предложенной структуры проблемно-ориентированного комплекса моделирования и оптимизации МДП-транзисторов аналоговых ИС, разработанных математических моделей, методов и алгоритмов создано программное обеспечение, позволяющее в комплексе решать задачи

119 оптимизации МДП-структур при схемотехническом проектировании аналоговых ИС усилителей.

2. Разработанное ПО применялось при оптимизации МДП-структур ИС усилителя низкой частоты К1УС671, внедрено в учебный процесс ВГТУ в виде лабораторного практикума и курсового проектирования по курсу «Конструирование микросхем и микросборок» специальности 200800 «Проектирование и технология РЭС» дневной и заочной форм обучения, а также прошло экспериментальную проверку и внедрено Воронежским заводом полупроводниковых приборов.

120

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Рассмотрены этапы и особенности схемотехнического проектирования ИС, особенности МДП-транзистора как объекта проектирования, проведен анализ существующего математического обеспечения современных промышленных пакетов схемотехнического проектирования ИС, рассмотрены особенности функционирования в них отдельных проблемно-ориентированных подсистем, выполняющих в комплексе схемотехническое проектирование ИС. Определена необходимость разработки математических моделей, алгоритмов и процедур для организации моделирования и оптимизации МДП-структур, а также программного обеспечения. Сделано обоснование выбора в качестве базовой системы для построения интегрированной САПР схемотехнического проектирования ИС промышленного пакета ОгСАБ 9.2.

2. Сформирована структура математического обеспечения процесса моделирования и оптимизации ИС на основе МДП- структур.

3. Предложена электрическая нелинейная модель статических параметров МДП-структуры, учитывающая эффект модуляции длины канала, влияние напряжения, подаваемого на подложку, обеспечивающая точность моделирования около 10-15 %, имеющая простой аналитический вид без дробных показателей степени.

4. Предложена малосигнальная модель транзистора, учитывающая паразитные сопротивления и емкости, влияющие на частотные свойства транзистора, обеспечивающая точность моделирования 10-15 %.

5. На основе электрической и малосигнальной моделей разработаны модели различных схемных вариантов включения МДП- структуры в усилителе, а также модель каскодного включения, позволяющие оценить выходные параметры усилителя на основе МДП-транзистора.

6. Предложена шумовая математическая модель МДП-транзистора, учитывающая шумы не только во входной и выходной цепях, а также

121 дополнительные шумы паразитных сопротивлений, позволяющая оценить минимальный коэффициент шума транзистора.

7. Разработан алгоритм моделирования и оптимизации МДП- структур, основанный на методе штрафных функций с уменьшающимся значением параметра штрафа для оптимизации топологических параметров МДП-структуры. Выбран метод покоординатного спуска, применяемый для минимизации штрафной функции.

8. Разработан метод получения параметров SPICE модели, основанный на нелинейной электрической модели МДП-транзистора, позволяющий исследовать усилительные схемы на его основе рядом программ, использующих SPICE модели, в том числе известной программой схемотехнического проектирования Pspice.

9. Разработано программное обеспечение, позволяющее в комплексе решать задачи оптимизации МДП- структур при схемотехническом проектировании аналоговых ИС усилителей, применялось при оптимизации МДП-структур ИС усилителя низкой частоты К1УС671, внедрено в учебный процесс ВГТУ в виде лабораторного практикума и курсового проектирования по курсу «Конструирование микросхем и микросборок» специальности 200800 «Проектирование и технология РЭС» дневной и заочной форм обучения, а также прошло экспериментальную проверку и внедрено Воронежским заводом полупроводниковых приборов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Турецкий, Андрей Владимирович, 2002 год

1. Кроуфорд Р. Схемные применения МОП- транзисторов: Пер. с англ. / Под ред. М.С. Сонина. М.: Мир, 1970. 192 с.

2. Полевые транзисторы. Физика, технология и применения: Пер. с англ. / Под ред. С.А. Майорова. М.: Сов. радио, 1971. 376 с.

3. Глоризов Е.Л., Ссорин В.Г., Сыпчук П.П. Введение в автоматизацию схемотехнического проектирования. М.: Сов. радио, 1976. 224 с.

4. Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. М.: Энергия, 1976. 80 с.

5. Абдеева Л., Гришина Л. Полевые транзисторы с изолированным затвором // Радио. 1973. № 11. С. 55-56.

6. Микроэлектроника / Под ред. Л.А. Коледова. М.: Высшая школа, 1987. 437 с.

7. Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором: Пер. с англ. / Под ред. Г.Г. Смолко. М.: Сов. радио, 1971.263 с.

8. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов: Пер с англ. М.: Мир, 1970. 192 с.

9. Николаевский И.Ф. , Игумнов Д.В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов. М.: Сов. радио, 1971. 384 с.

10. Разевиг В.Д. Применение программ Р-САО и Рэрке для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Общие сведения графический ввод схем. М.:Радио и связь, 1992. Вып.1. 72с.

11. Разевиг В.Д. Применение программ Р-САО и Рэрке для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Модели компонентов аналоговых устройств. М.:Радио и связь, 1992. Вып.2. 64с.

12. Разевиг В.Д. Применение программ Р-САЭ и Рэрюе для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Моделирование аналоговых устройств. М.:Радио и связь, 1992. Вып.З. 120 с.

13. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0. M.: Солон, 1999. 789 с.

14. BSIM: Berkley shot-channel IGFET model for MOS transistors BJ. Sheu, D. L. Scharfetter, P.K. Ko, M.C. Jeng // IEEE journal of solid-state circuits August 1987. V. SC-22. P. 558-566.

15. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (Pspice). M.: CK Пресс, 1996. 272 с.

16. Макаров А.И. Сравнение математических моделей МДП-транзисторов для программ схемотехнического моделирования // Эхлектронная техника. Сер. Микроэлектронные устройства. 1990. Вып.6. С. 34-39.

17. Энгель B.JL, Диркс Х.К., Майнерцхаген Б. Моделирование полупроводниковых приборов / ТИИЭР. 1983. Т. 71. № 1. С. 14-41.

18. Петросянц К.О., Шилин В.А., Яншин А.А. Электрические модели элементов интегральных схем для автоматизации проектирования. М.: Машиностроение, 1979. 92 с.

19. Физико-топологические модели для автоматизации схемотехнического проектирования полупроводниковых и вакуумных элементов интегральных схем. / В.В. Ермак, К.О. Петросянц, В.А. Шилин, А.А. Яншин М.: Машиностроение, 1980. 60 с.

20. Канунников А.И., Пригожин Г.Я. Математическая модель МДП-транзистора с ионно- легированным каналом малых размеров // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1990.- Вып.2. С.82-90.

21. Носов Ю.Р., Петросянц К.О., Шилин В.А. Математическое моделирование элементов интегральной электроники. М.: Сов. радио, 1976. 304 с.

22. Анализ методов моделирования характеристик МДП- транзисторов для машинного проектирования интегральных схем / В.Н. Ильин, B.JI. Коган,

23. B.А. Лементуев, В.З. Попов // Автоматика и телемеханика АН СССР. 1977. №2. С. 153-160.

24. Норенков И.П., Маничев В.Б. Системы автоматизированного проектирования электронной и вычислительной аппаратуры. М.: Высш. шк., 1983.272 с.

25. Баталов Б.В., Русаков С.Г., Савин В.В. Пакет прикладных программ автоматизации схемотехнического проектирования для персональных компьютеров // Микропроцессорные средства и системы. 1988. № 4.1. C. 63-66.

26. Диалоговые системы схемотехнического проектирования / В.И. Анисимов, Г.Д. Дмитревич, К.Б. Скобельцын и др. Под ред. В.И. Анисимова. М.: Радио и связь, 1988. 288 с.

27. Диалоговое схемотехническое проектирование в дисплейном классе на мини -ЭВМ/ В. И. Анисимов, П.П. Азбелев, Г.Д. Дмитревич и др. Под ред. В.Д. Разевига. М.: Моск. энерг. ин-т, 1986. 123 с.

28. Ильин В.Н., Коган B.JI. Разработка и применение программ автоматизации схемотехнического проектирования. М.: Радио и связь, 1984. 368с.

29. Кренкель Т.Э., Коган А.Г., Тараторин A.M. Персональные ЭВМ в инженерной практике. М.: Радио и связь, 1989. 337 с.

30. Автоматизация проектирования: сб. науч. тр. / Под ред. В .А. Трапезникова. М.: 1986. Вып.1. 275 с.

31. Системы автоматизированного проектирования в радиоэлектронике: Справочник / Е.В. Авдеев, А.Т. Еремин, И.П. Норенков, М.И. Песков; Под ред. И.П. Норенкова. М.: Радио и связь, 1986. 386 с.

32. Чоговадзе Г.Г. Персональные компьютеры.-М.: Финансы и статистика, 1989. 208 с.

33. Бергхаузер Т., Шлив П. Система автоматизированного проектирования AutoCAD: Пер с англ. М.: Радио и связь, 1989. 256 с.

34. Афанасьев А.О., Кузнецова С.А. Наше решение проблемы // EDA Express. 2001. №3. С. 19.

35. Афанасьев А.О., Кузнецова С.А., Нестеренко A.B. Проектирование в OrCAD. Киев: Наука и техника, 2001 541 с.

36. Разевиг В.Д. Design Center для Windows // Монитор- Аспект. 1994. С. 52-58.

37. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap IV. М.: Изд-во МЭИ, 1996.

38. Разевиг В.Д. Design Center 6.2 система сквозного проектирования // PC Week / RE. 1996. № 3. С. 37-39, 42.

39. Разевиг В.Д. Моделирование аналоговых электронных устройств на персональных ЭВМ. М.: Изд-во МЭИ, 1991. 162 с.

40. Разевиг В.Д. Система проектирования цифровых устройств OrCAD. М.: Солон-Р, 2000. 519 с.

41. Автоматизация проектирования радиоэлектронных средств / О.В. Алексеев, A.A. Головков, И.Ю. Пивоваров, Г.Г. Чавка; Под ред. О.В. Алексеева. М.: Высш. шк., 2001. 268 с.

42. Разевиг В.Д. Система проектирования OrCAD 9.2.- М.: Солон-Р,2001.

43. Автоматизация схемотехнического проектирования / В.Н. Ильин, В.Т. Фролкин, А.И. Бутко и др.; Под ред. В.Н. Ильина. М.: Радио и связь, 1987.

44. Агаханян Т.М. Основы теории и расчета транзисторных структур в микроэлектронике. В кн.: Микроэлектроника / Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Атомиздат, 1971. Вып 1. С 5-30.

45. Проектирование СБИС: Пер. с япон. М. Ватанабе и др. М.: Мир, 1988. 304 с.

46. Батищев Д.И., Львович Я.Е., Фролов В.Н. Оптимизация в САПР: Учебник. Воронеж: ВГТУ, 1997. 416 с.

47. Байков В.Д., Кармазинский, Немчинов В.М. Влияние потенциала подложки на вольтамперные характеристики унитрона со структурой МДП // Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника. 1969. Т. XII. № 5.

48. Баталов Б.В., Егоров Ю.Б., Русаков С.Г. Основы математического моделирования больших интегральных схем на ЭВМ. М.: Радио и связь, 1982. 168 с.

49. Reggy V.G., Sah С.Т. Sourse to Drain resistance beyond pinch-off in Metal-Oxide-Semiconductor Transistor (MOST).// IEEE Trans. 1985. ED-12. № 3.

50. Валиев К.А., Кармазинский A.H., Королев M.A. Цифровые интегральные схемы на МДП- транзисторах. М.: Сов. радио, 1971.

51. Крюков Ю.Г., Турецкий A.B. Вольтамперные характеристики и дифференциальные параметры МДП-структур // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2000. С. 170.

52. An experimental method for determination of the saturation point of MOSFET / G. Boyle, B. Cohn, D. Pederson, J. Solomon // IEEE jornal of Solid State Circuits. 1984. V. 19. №19.

53. Першенков B.C., Степаненко И.П., Яворская Р.Я. Дифференциальные параметры МДП- транзистора в области насыщения. Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника. № 3. 1971.

54. Турецкий A.B., Крюков Ю.Г. Вольтамперные характеристики МДП-структур // Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. науч. тр. / Под ред. A.B. Сарафанова. Красноярск: 2000. С. 160.

55. Дронкин Е.Ф., Мирошниченко С.И. Y-параметры полевых МОП транзисторов с индуцированным каналом. // Электронная техника. Сер IV. Микроэлектроника. 1969. Вып 4.

56. Ходош JT.C. Технологические методы изготовления МДП-транзисторов. // Зарубежная электроника. 1972. № 1.

57. Бруснецов И.В., Сорокин A.B. Современные методы моделирования полевых МОП-транзисторов в диапазоне температур 4.240 К. Зарубежная электронная техника. 1991. №8.

58. Лавренцов В.Д., Хорохина Л.Н., ЮсовЮ.П. Работоспособность МДП-приборов при воздействии ионизирующих излучений в реальных условиях эксплуатации // Зарубежная электронная техника. 1991. №1-2.

59. Голубев А.П., Малышев И.В. Эквивалентные схемы интегрального транзистора для практических расчетов частотных характеристик полупроводниковых интегральных схем. В кн.: Микроэлектроника. М.: Сов. радио, 1971. Вып. 4. С 315-325.

60. Крюков Ю.Г., Турецкий A.B. Модели МДП-структур и их характеристические проводимости // Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 1999. С.91.

61. Шило В.Л. Популярные микросхемы КМОП: Справочник. -М.: Изд-во Ягуар, 1993. 64 с.

62. Галкин В.Н., Шилков В.М. Расчет интегральных усилителей на МДП- транзисторах // Микроэлектроника: Сб. науч. тр. / Под ред. A.A. Васенкова 1973. Вып. 6.

63. Гальперин B.C., Красник Е.К., Овсянников Е.К. К вопросу о методике разработки электрофизической модели МДП-транзистора и ее экспериментального исследования // Электронная техника. Сер. 6. Микроэлектроника, 1973. № 4. С. 21-28.

64. Караханян Э.Р. О канонической форме записи выражений, описывающих вольт-амперные характеристики МДП-транзистора / Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. М.: 1976. Вып 1. С 310312.

65. Носов Ю.Р., Петросянц К.О., Шилин В.А. Модели компонентов для машинного проектирования ИС. // Зарубежная электронная техника. 1972. Вып. 6. 59 с.

66. Караханян Э.Р. Анализ динамического инвертора с резистивно-емкостной связью на МДП- транзисторах. В. кн.: Микроэлектроника. М.: Сов. радио, 1971. Вып. 4. С 315-325.

67. Павлов А.Н., Парфенов В.П. Эквивалентная схема транзистора МДП. // Электронная техника. Сер. 6. Микроэлектроника. 1971. Вып 5 (31). С. 107-114.

68. Линн Д., Мейер Ч., Гамильтон Д. Анализ и расчет интегральных схем: Пер с англ.; Под ред. Б.И. Ермолаева М.: Мир, 1969. Ч. 1. 370 с.

69. Степаненко И.П. Анализ простейших усилительных каскадов на МДП- транзисторах // Микроэлектроника. Под ред. Лукина Ф.В. 1969. Вып. 3 С. 35-41.

70. Степаненко И.П., Зайцев Б.Д. Усилительные схемы на МОП-транзисторах с учетом нелинейных искажений. // Изв. вузов СССР Сер. Радиоэлектроника. 1973. № 4.

71. Степаненко И.П., Худыкина В.М. Анализ и расчет однотактных каскадов на МДП-транзисторах с учетом нелинейных искажений. Изв. вузов СССР, Радиоэлектроника, 1973, № 4.

72. Степаненко И.П. Статический анализ простейшего дифференциального каскада на МДП-транзисторах. Сб. Микроэлектроника. Под ред. Лукина Ф.В. М.: 1971. № 5.

73. Усилители с полевыми транзисторами / Под ред. И.П. Степаненко М.: 1980. 192 с.

74. Турецкий A.B., Шишкин В.М. Моделирование характеристик схемы усиления на МДП-транзисторах с общим истоком и нагрузочным диффузионным резистором / Вестник ВГТУ Сер. Радиоэлектроника и системы связи выпуск 4.1 Воронеж. 2001. С.111.

75. Турецкий A.B., Шишкин В.М. Моделирование характеристик схемы усиления на МДП-транзисторах с общим стоком и нагрузочным резистором / Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж. 2001 г. С.55.

76. Богданов В.И., Завадовский А.З., Крюков Ю.Г. Оптимизация транзисторных каскодных усилителей на базе микросборок и интегральных схем. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1985. 132 с.

77. Херберт Д.Б. Моделирование источников шума с помощью программы Spice // Электроника. 1991. № 16. С. 68-69.

78. Суходоев И.В. Шумы электрических цепей. (Теория.) М.: Связь, 1975.352 с.

79. Беннет У.Р. Основные понятия и методы теории шумов в радиотехнике. М.: Сов. радио, 1977. 103 с.

80. Хаус Г., Адлер Р. Теория линейных шумящих цепей. Изд-во иностр. лит., 1963. 56 с.

81. Крейнгель Н.С. Шумовые параметры радиоприемных устройств. JL: Энергия, 1969. 168 с.

82. Тетерич Н. М. Генераторы шума и измерение шумовых характеристик. М.: Энергия, 1988. 215 с.

83. Макаров О.Ю., Турецкий A.B. Моделирование шумовых характеристик аналоговых схем на МДП-транзисторах // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2002. С. 10.

84. Аоки М. Введение в методы оптимизации: Пер. с англ. М.: Наука, 1977. 344 с.

85. Ильин В.Н. Основы автоматизации схемотехнического проектирования. М.: Энергия, 1979. 391 с.

86. Зангвилл У.И. Нелинейное программирование: Пер с англ. М.: Сов. радио, 1973. 311 с.

87. Фиакко А., Мак-Кормик Г. Нелинейное программирование. М.: Мир, 1972. 240 с.

88. Батищев Д.И. Поисковые методы оптимального проектирования. -М.: Сов. радио, 1975. 216 с.

89. Геминтерн В.И., Каган Б.М. Методы оптимального проектирования.- М.: Энергия, 1980. 160 с.

90. Корячко В.П., Курейчик В.М., Норенков И.П. Теоретические основы САПР.- М.: Энергоатомоиздат, 1987. 400 с.

91. Крюков Ю.Г., Турецкий A.B. Алгоритмизация проектирования МДП-структур аналоговых ИС // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: 2000. С.10.

92. Машинный расчет интегральных схем: Пер. с англ.; Под ред. К.А. Валиева, Г.Г. Казенова. М.: Мир, 1971. 407 с.

93. Петренко А.И. Основы автоматизации проектирования Киев: Техника, 1982. 295 с.

94. Львович Я.Е., Фролов В.Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЭА: Учеб. пособие для вузов.- М.: Радио и связь, 1986. 192 с.131

95. Дмитришин P.B. Оптимизация электронных схем на ЭВМ. -Киев: Техника, 1980. 224 с.

96. Турецкий A.B., Крюков Ю.Г. Этапы проектирования МДП-структур аналоговых интегральных схем // Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. науч. трудов / Под ред. A.B. Сарафанова. Красноярск: 2000. С. 158.

97. Перельман Б.Л., Петухов В.Н. Новые транзисторы: Справочник.- М.: Солон. Микротех, 1994. 272 с.

98. Фаронов B.B. Delphi 5. Учебный курс. М.: Нолидж,2000. 608 с.

99. Турецкий A.B. Автоматизированный комплекс моделирования и оптимизации МДП-структур // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: 2002. С.15.

100. Справочник по интегральным микросхемам. / Под общ. ред. Б.В. Тарабрина. М.: Энергия, 1977. 548 с.

101. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы / C.B. Якубовский, Л.И. Ниссельсон, В.Н. Кулешова и др.; Под ред. C.B. Якубовского. М.: Радио и связь, 1989. 496 с.1. Параметры SPICE моделей