Многоэлектронные явления в нанокластерах металлов вблизи их перехода в неметаллическое состояние тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Лебидько, Валентин Валерьевич

• Лебидько, Валентин Валерьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Лебидько, Валентин Валерьевич

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

1. Актуальность проблемы и цель работы

2. Содержание диссертации

3. Научная новизна и практическая значимость работы

4. Положения, выносимые на защиту

5. Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

6. Апробация работы

7. Структура и объем диссертации

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Проявление возбуждений электрон-дырочных пар в РФЭ спектрах металлов.

1.2. Эволюция электронной структуры кластеров: переход металл-неметалл.

1.3. Выводы из обзора публикаций.

2. ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ МЕТОДИКИ.

2.1. Методы формирования кластерных структур: импульсное лазерное осаждение (ИЛО).

Физические основы метода ИЛО.

2.2. Методы анализа полученных структур.

2.2.1. Исследование морфологии нанокластеров: метод сканирующей туннельной микроскопии (СТМ).

2.2.2. Методы исследования электронных свойств нанокластеров.

Физические основы метода сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) 44 Физические основы методов рентгеновской фотоэлектронной и оже-электронной спектроскопии (РФЭС) и (ОС)

Физические основы метода спектроскопии рассеяния медленных ионов (СРМИ)

2.3. Экспериментальная установка и методика эксперимента.

2.4. Обработка экспериментальных данных.

2.4.1. Характеристика ансамбля нанокластеров металлов на поверхности высокоориентированного пиролитического графита (ВОПГ).

Процедура обработки и анализа СТМ изображений нанокластеров

Определение фрактальной размерности нанокластеров

2.4.2. Анализ форм линий РФЭ спектров и спектров РМИ нанокластеров металлов.

3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ.

3.1. Исследованные системы нанокластер/подложка.

3.1.1. Результаты СТМ исследований.

3.1.2. Функции распределения нанокластеров по размерам.

3.1.3. Экспериментальные зависимости среднего размера нанокластеров от числа лазерных импульсов и концентрации осаждённого вещества.

3.1.4. Фрактальная размерность нанокластеров.

3.1.5. Экспериментальная зависимость высоты нанокластеров от их латерального размера.

3.2. Исследование электронной структуры нанокластеров с помощью метода СТС.

Измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) нанокластеров: результаты и обсуждение.

3.3. РФЭС и ОС исследования электронной структуры нанокластеров металлов: переход металл-неметалл.

3.3.1. Экспериментальные результаты.

3.3.2. Обсуждение результатов.

3.4. РФЭС исследования электронной структуры нанокластеров металлов: возбуждение электрон-дырочных пар.

3.4.1. Результаты исследования асимметрии РФЭ спектров нанокластеров металлов.

3.4.2. Обсуждение результатов.

3.5. СРМИ исследование электронной структуры нанокластеров металлов: возбуждение электрон-дырочных пар.

Исследования асимметрии спектров РМИ нанокластеров металлов: результаты и их обсуждение.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Многоэлектронные явления в нанокластерах металлов вблизи их перехода в неметаллическое состояние»

1. Актуальность проблемы и цель работы

Исследования фундаментальных свойств структур пониженной размерности -нанокластеров, нанотрубок, квантовых точек и нитей, а также образованных на их основе нанокомпозитные и наноструктурированные материалов, - в последние годы получили широкое развитие [1-48]. Интерес к этим структурам обусловлен тем, что их свойства качественно отличны как от свойств отдельных составляющих нанокластер или наноструктуру атомов, так и от макроскопического вещества.

Объекты конечных размеров (нанокластеры) представляют собой промежуточную стадию между изолированными атомами газовой фазы и твёрдым телом и проявляют особые физические и химические свойства, определяющиеся формой и размером самих нанокластеров, а также характером их взаимодействия с подложкой.

Как низкоразмерные объекты, нанокластеры обладают иными параметрами кристаллической решётки, теплоёмкостью, температурой плавления и электропроводностью, по-сравнению с соответствующими макрокристаллами [4]. Кроме того, у них проявляются новые оптические, магнитные и электронные характеристики, изменяются реакционные и каталитические свойства [4-7]. При этом свойства нанокластеров определяются не только их размером, но и их самоорганизацией в нанокластерную структуру, в которой нанокластеры выступают в роли отдельных атомов. Самоорганизация нанокластеров в наноструктуры представляет собой важную задачу, решение которой позволит приблизиться к созданию материалов нового поколения с уникальными свойствами.

Исследования в области нанокластеров и наносистем лежат в основе создания новой технологии XXI века - нанотехнологии, которая позволяет перейти к использованию одноэлектронных устройств [8], уменьшив на несколько порядков размер современных микронных вычислительных элементов и таким образом перейти от микро- к наноэлектронике, а также новых электронных и магнитных наноматериалов [9, 10], нанокластерных катализаторов [11] и нанопленок [12]. Уже в настоящее время активно ведутся работы в области конструирования прототипов простых электронных схем, подобных используемым в настоящий момент в микроэлектронике, базовыми элементами в которых выступают нанокластеры, обладающие регулярной геометрической формой. Нанокластеры могут использоваться в электронных, биологических, или химических устройствах хранения, записи и считывания информации следующего поколения, в развитии более емких систем магнитной и оптической памяти [13]. Работы в области полупроводниковых нанокластеров могут привести к созданию лазеров, в которых длина волны генерации определяется размером нанокластера [14].

Как уже упоминалось выше, основными требованиями к применению нанокластеров различных металлов в активно развивающихся в настоящее время нано- и одноэлекгронике (разработка приборов на основе одноэлекгронного туннелирования (ОЭТ) [8], исследование наноразмерных барьеров Шотгки [15] и омических контактов [16]), являются их малый размер и регулярная геометрическая форма. Поэтому важным аспектом соблюдения вышеизложенных требований является поверхность, на которой происходит формирование нанокластеров. Такими поверхностями могут быть полупроводниковые подложки (Si, SiC>2, GaAs, InF) и, в некоторых случаях, подложки на основе аморфного углерода и графита [17], поскольку на сегодняшний день они обеспечивают самый прямой путь к наилучшему использованию функциональных возможностей устройств, разрабытываемых в нанотехнологиях.

Сформированные на различных подложках нанокластеры металлов представляют собой уникальные объекты для исследований с помощью микроскопических методик с высоким разрешением, таких как сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) и атомная силовая микроскопия (АСМ), которые позволяют получить прямые изображения нанокластеров исследуемых материалов в нанометровых масштабах. Исследования [18, 19] показали, что на базе СТМ возможна разработка новой технологии - зондовой нанотехнологии, существенно отличающейся от традиционных подходов. Основой этой технологии является использование туннельного зонда как для визуализации объектов на подложке, так и для формирования их в нанометровых областях. С использованием зондовой нанотехнологии можно создать дискретные устройства наноэлектроники [20] в виде отдельных функциональных элементов, в том числе устройств памяти со сверхплотной записью информации, и в последующем интегральных квантовых схемснанометровыми размерами элементов. Элементная база на основе нанокластеров, позволяет созданть интегральные схемы, работающие, в частности, на основе эффекта дискретного ОЭТ [21], в том числе оперативно-запоминающих устройств (ОЗУ) со сверхбольшой производительностью и емкостью на кристалле.

Явление ОЭТ наблюдается, в нанокластерах металлов, размеры которых составляют всего лишь несколько нанометров. При этом емкость структуры нанокластер/подложка становится достаточно низкой, так что энергия зарядки нанокластера е /2С становится сравнимой с тепловой энергией квТ ~ 26 мэВ (кв - постоянная Больцмана) при комнатной температуре. Это явление (дискретность заряда) проявляется в виде «ступенек» в вольт-амперных характеристиках 1(Ц) или в зависимостях дифференциальной проводимости ШШи в измерениях с помощью сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) и носит название «кулоновской лестницы». К тому же вероятность туннелирования электронов достаточно мала для напряжений, меньших чем е НС, что приводит к появлению энергетической щели в этой области напряжений, т.е. электрон, находящийся на нанокластере своим полем «запирает» переход для последующих электронов. Это явление называется «кулоновской блокадой». Явления «кулоновской блокады» и «кулоновской лестницы» исследовались на нанокластерах различных металлов в работах [22-25]. С увеличением размера нанокластеров металла подобные наноструктуры могут обладать свойствами, присущими барьерам Шоттки, которые были исследованы в работах [26,27].

Экспериментальные исследования электронных характеристик нанокластеров (в том числе и описанных выше явлений «кулоновской блокады» и «кулоновской лестницы») в основном проводятся с помощью различных методов электронной и туннельной спектроскопии: рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС), оже-электронной спектроскопии (ОС), сканирующей туннельной спектроскопии (СТС). Известно [28], в частности, что по мере уменьшения размера нанокластера, т.е. при переходе от объемного образца (бесконечной системы) к нанокластеру (системе конечного размера) наблюдаются: (а) сдвиг энергии связи остовного электронного уровня атома нанокластера относительно соответствующего значения для объемного образца [29]; (б) уменьшение кинетической энергии оже-электронов [30]; (в) сужение валентной зоны [31]; (г) уширение остовной фотоэлектронной и оже-линий [29,30].

Важным носителем информации об электронной структуре нанокластеров является плотность электронных состояний в валентной зоне, косвенные измерения которой можно проводить с помощью метода РФЭС [32]. Однако наилучшим методом исследования эволюции валентной зоны является метод СТС, позволяющий не только измерять плотность электронных состояний, но также напрямую проводить измерения туннельной проводимости отдельных нанокластерах в зависимости от их размера [33, 34].

С уменьшением размера нанокластера происходит изменение его электронной структуры с переходом от непрерывной зоны проводимости объемного металла к набору дискретных атомных уровней [4], появление которых приводит к деметаллизации нанокластера. Фактически вопрос о том, каким образом изменяются свойства конденсированной фазы при переходе от макроскопической среды к группе атомов и далее к одному атому, является одним из фундаментальных в теории строения вещества. В этой связи вызывает интерес исследование самого момента такого перехода, т.е. определение минимального размера нанокластера, при котором происходит потеря им «металлических» свойств (состояния с почти металлической проводимостью) в непроводящее состояние («молекулярного диэлектрика»). Согласно [35, 36], для нанокластеров дивалентных металлов с заполненными оболочками (типа Нд 5<3106з26р°) такой переход можно интерпретировать как изменение типа связи между атомами в нанокластере от металлической к ковалентной и затем к ван-дер-ваальсовской. В рамках предложенной теории [35] металлизация нанокластера наступает в момент перекрытия л л заполненной 6б и незаполненной 6р оболочек. Результаты экспериментальных исследований перехода нанокластеров в неметаллическое состояние отражены в работах [37-41].

Переход металл-неметалл в нанокластерах металлов напрямую связан с многоэлектронными процессами (электрон-дырочные пары, плазменные колебания, одноэлектронные возбуждения), возникающими в результате отклика электронной системы на внезапное появление внешнего возмущения (потенциала), и проявляющимися в виде асимметрии форм линий и сателлитов в РФЭ спектрах и спектрах рассеяния медленных ионов (РМИ) [42]. Детальное исследование структуры и формы спектров может дать информацию об изменении плотности электронных состояний и, в целом, позволяет судить об эволюции электронной системы при изменении размера нанокластеров. Одним из таких явлений, служащих индикатором изменения электронных свойств нанокластера при изменении его размера, а, следовательно, и эволюции его металлического поведения, может быть явление возбуждения квазичастиц, так называемых электрон-дырочных (е-К) пар с малой энергией вблизи поверхности Ферми, в результате отклика электронной подсистемы нанокластера на воздействие внешнего возмущающего потенциала, проявляющихся в виде асимметрии РФЭ спектров и спектров РМИ. До настоящего времени экспериментальные исследования проявлений е-И пар в спектрах проводились лишь на объёмных металлах [43-45]. В этих работах измерялась асимметрия РФЭ спектров (индексы сингулярности Андерсона, являющиеся количественной характеристикой возбуждений е-И. пар в металлах) объёмных и поверхностных атомов простых металлов. Анализ асимметрии показал, что «объёмные» и «поверхностные» индексы сингулярности отличны друг от друга, что может свидетельствовать о различиях в электронных состояниях поверхностных и объёмных атомов исследуемых металлов. Отдельные исследования, проведенные на нанокластерах некоторых металлов [46-48], показали, что асимметрия (индексы сингулярности) также отлична от наблюдаемой асимметрии в РФЭ спектрах объёмных металлов. Систематических экспериментальных исследований возбуждений е-Н пар в нанокластерах благородных и переходных металлов (поскольку именно нанокластеры сЬметаллов представляют интерес с точки зрения их использования в нанотехнологии и катализе) в зависимости от их размеров на сегодняшний день не существует. Не существует также экспериментальных исследований рассеяний медленных ионов на нанокластерах металлов, связанных с исследованием формы линий их спектров, асимметрия которых также может быть обусловлена возбуждением е-к пар вследствие внезапного воздействия возмущающего потенциала (налетающего иона) и сравнений результатов этих исследований с результатами исследований, полученными с помощью метода РФЭС. Представляется важным установление корреляции между формой линий РФЭ спектров, сдвигами энергий связи электронов (и как следствие, сдвигами энергий релаксации, связанных с экранировкой остовной дырки валентными электронами нанокластера) в зависимости от размера нанокластеров и их вольт-амперными характеристиками (ВАХ), для того чтобы достоверно выявить произошедшие изменения в электронной структуре нанокластеров, связанные с потерей ими металлических свойств и возможным переходом нанокластеров в неметаллическое состояние при уменьшении их размеров.

Этим аспектам исследований многоэлектронных явлений в нанокластерах металлов и посвящена настоящая работа.

Целью настоящей работы является создание физических основ технологии получения нанокластеровс!-металлов с заданными физическими свойствами для их применения в различных областях нанотехнологий: нано-, микро- и оптоэлектронике, гетерогенном катализе и создания наноструктурированных материалов.

Для достижения поставленной цели были проведены экспериментальные исследования многоэлектронных явлений в нанокластерах с1-металлов вблизи их перехода в неметаллическое состояние.

В ходе исследования решены следующие задачи:

1. Разработана методика экспериментального исследования многоэлектронных явлений в нанокластерах металлов при взаимодействии их с ионами Не+ малых энергий в методе СРМИ;

2. Исследована асимметрия формы линии РФЭ спектров и спектров РМИ нанокластеров металлов в зависимости от их размера;

3. Проведено описание наблюдаемой асимметрии РФЭ спектров и спектров РМИ исследуемых нанокластеров в рамках механизма возбуждения электрон-дырочных пар малых энергий вблизи уровня Ферми с учётом конечного размера нанокластеров;

4. Исследованы электронно-спектроскопическими методами электронные свойства нанокластеров металлов с целью выяснения возможности наблюдения в них перехода металл-неметалл при уменьшении размера нанокластеров.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Лебидько, Валентин Валерьевич

3.4.1. Результаты исследования асимметрии РФЭ спектров нанокластеров металлов.

Анализ форм линий РФЭ спектров нанокластеров исследованных металлов, проведенный с использованием методики аппроксимации РФЭ спектров нанокластеров с помощью функции Дониаха-Шуньича (Д-Ш), см. раздел 2.4.2, показал наличие асимметрии в измеренных РФЭ спектрах нанокластеров, и её изменение с изменением размеров нанокластеров всех исследованных металлов. Также было установлено изменение естественной ширины у остовных уровней нанокластеров металлов при изменении их размера.

Асимметрия РФЭ спектров нанокластеров металлов

На Рис. 3-36 - Рис. 3-40 представлены экспериментальные РФЭ спектры остовных уровней атомов нанокластеров А\х4/7/2, Си2р3/2, Со2рз/2, Ст2рз/2 и Н\2рм со средним размером 1.5 пм, аппроксимированные функцией Д-Ш (сплошные линии) с различными величинами индексов сингулярности (а>0). Пунктирными линиями на Рис. 3-36 - Рис. 340 показаны симметричные линии, отвечающие нулевому значению величины а (а=0).

Рис. 3-36, Экспериментальный РФЭ спектр остовных уровней Аи4/"(1) нанокластеров Аи со средним размером /~1.5 нм, аппроксимированные функцией Д-Ш с индексом сингулярности а=0.17 (сплошная кривая 2) и а=0 (пунктирная кривая 3).

ВЕ, эВ

Рис. 3-37. Экспериментальный РФЭ спектр остовного уровня Си2рю (1) нанокластеров Си со средним размером /®1.5 нм, аппроксимированные функцией Д-Ш с индексом ситулярности а=0.1 (сплошная кривая 2) и а=0 (пунктирная кривая 3).

ВЕ, эВ

Рис. 3-38. Экспериментальный РФЭ спектр остовного уровня Со2р3/2 (1) нанокластеров Со со средним размером 1.5 нм, аппроксимированные функцией Д-Ш с индексом сингулярности а=0.36 (сплошная кривая 2) и а=0 (пунктирная кривая 3),

Q'f't I-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1-1---Г1

590 588 586 584 582 580

BE, эВ

Рис. 3-39. Экспериментальный РФЭ спектр остовного уровня Сг2рю (1) нанокластеров Сг со средним размером 1.5 нм, аппроксимированные функцией Д-Ш с индексом

ВЕ, эВ

Рис, 3-40. Экспериментальный РФЭ спектр остовного уровня Ni^j/? (1) нанокластеров Ni со средним размером /~1.5 нм, аппроксимированные функцией Д-Ш с индексом сингулярности а=0.11 (сплошная кривая 2) и а=0 (пунктирная кривая 3).

Аналогичным образом была проведена аппроксимация РФЭ спектров остовных уровней Аи4/^2, Си2рт, Co2p¡¡2, Сг2рю, N\2pja, СиЗр, СоЗр, СтЗр и Nu/?. Спектры Зр уровней, представляющих собой неразрешенные дублеты Зрш,зп аппроксимировались суммой двух функций Д-Ш с одинаковыми параметрами а и у.

Как видно из Рис. 3-36 - Рис. 3-40 теоретические зависимости Д-Ш удовлетворительно описывают экспериментальные данные. Для контроля качества аппроксимации РФЭ спектров функцией Д-Ш для каждого спектра были построены разности между экспериментальными и теоретическими данными в каждой точке спектра, одна из которых показана на Рис. 3-41 для линии Ст2р. Случайные флуктуации разности возле нуля свидетельствуют об адекватности аппроксимации экспериментальных данных теоретической зависимостью Д-Ш.

ВЕ, эВ

Рис. 3-41. Разность между экспериментальными и теоретическими данными в каждой точке РФЭ спектра 2р остовного уровня нанокластеров Сг со средним размером /~1.7 нм.

Таким образом, в результате аппроксимации экспериментальных РФЭ спектров нанокластеров исследованных металлов функцией Д-Ш были определены значения индексов сингулярности а, естественной ширины остовных уровней у, для всех исследованных РФЭ линий нанокластеров металлов, а также величины спин-орбитального расщепления ДЕ дублетных линий 2р остовных уровней для нанокластеров Сг, Со, N1 и Си. Величины индексов сингулярности а и естественной ширины остовных уровней у для нанокластеров минимального среднего размера (/-1.5 нм), а также сплошных металлических пленок, приведены в Таблице 7,

4. Заключение.

1. Проведено комплексное исследование методами РФЭС, СРМИ, СТМ и СТС электронных свойств нанокластеров ряда благородных и переходных ¿/-металлов (Аи, Си, Со, Сг, №), сформированных при ИЛО на поверхности ВОПГ(0001). Определены' распределения по размерам нанокластеров и их средние размеры.

2. Разработана методика исследования многочастичных электронных явлений в нанокластерах металлов при взаимодействии их с ионами Не+ малых энергий.

3. Экспериментально обнаружено, что рентгеновские фотоэлектронные спектры и спектры рассеяния медленных ионов нанокластеров исследованных металлов, обладают асимметричной формой линии, появление которой можно объяснить в рамках механизма возбуждения электрон-дырочных пар малых энергий и больших импульсов («инфракрасная катастрофа»).

4. Показано, что асимметрия спектров в зависимости от размера нанокластеров и от скорости ионов для нанокластеров разных металлов ведёт себя по-разному. В случае СРМИ асимметрия спектров не зависит от размера нанокластеров. В случае РФЭС для нанокластеров Аи, Си и Со асимметрия спектров увеличивается при уменьшении размера нанокластеров, а для нанокластеров Сг и № - уменьшается.

5. Определены фазы рассеяния электронов на потенциале остовной дырки и кулоновском потенциале иона Не+ для нанокластеров исследованных металлов. Оказалось, что, как в случае РФЭС, так и в случае СРМИ наибольший вклад в экранировку вносят фазы рассеяния s-электронов. Вклад поверхностных электронных состояний, измеряемых СРМИ в величину фазовых сдвигов s-электронов больше, чем объёмных (РФЭС).

6. Обнаружено аномальное увеличение асимметрии в РФЭ спектрах нанокластерах Au при уменьшении их размера, которое может быть обусловлено возможными одноэлектронными возбуждениями в вышележащие связанные состояния (процессы электронной «встряски»), имеющие место в случае отсутствия «металлической» экранировки остовной дырки, что может свидетельствовать о потере металлических свойств в нанокластерах Au с размерами /<2.5 нм.

7. Экспериментально обнаружено, что поведение измеренных зависимостей сдвигов энергий связи остовных электронов и энергий релаксации от размеров нанокластеров может свидетельствовать об изменении экранировки остовной дырки валентными электронами от металлической до неметаллической (поляризационной).

8. Предложена модель, в соответствии с которой наблюдаемое поведение зависимостей асимметрии и сдвигов энергии релаксации от размера нанокластеров Au и Си обусловлено изменением диэлектрической проницаемости. Обнаруженные эффекты свидетельствуют о возможном переходе нанокластеров исследованных металлов в неметаллическое состояние вследствие изменения их зонной структуры.

9. Показано, что измеренная методом СТС зависимость туннельного тока от высоты нанокластеров Au определяется изменением проводимости вследствие рождения вакансий, концентрация которых определяется высотой нанокластера. Установлено, что проводимость обладает локальным характером в пределах одного нанокластера Au при

2.5 нм, с переходом к проводимости объёмного металла при 1 >2.5 нм.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Лебидько, Валентин Валерьевич, 2006 год

1. Bannsman J., Baker S.H., Binns С., Magnetic and structural properties of isolated and assembled clusters // Surf. Sc. Rep. 56,189 (2005).

2. Brack M., The physics of simple metal clusters: self-consistent jellium model and semiclassical approaches // Rev. Mod. Phys. 65,677 (1993)

3. De Heer W. A., The physics of simple metal clusters: experimental aspects and simple models // Rev. Mod. Phys. 65, 611 (1993).

4. Clusters of Atoms and Molecules. (Ed. H.Haberland). Springer-Verlag, Berlin; Heidelberg, 1994.

5. Ролдугип В.И. Кваптоворазмерные металлические коллоидные системы // Успехи химии 69, 10, 899 (2000).

6. Помогайло А.Д., Розенберг А.С., Уфлянд И.Е., Наночастицы металлов в панокластерах. Химия, Москва, 2000.

7. Нагаев Э.Л., Малые металлические частицы // УФН 162, 49 (1992).

8. Kaplan D. М., Sverdlov V. A., and Likharev К. К., Coulomb gap, Coulomb blockade, and dynamic activation energy in frustrated single-electron arrays // Phys. Rev. В 68, 045321- (2003).

9. Jing S., Gider S., Magnetic clusters in molecular beams, metals, and semiconductors.// Science 271,937(1996).

10. Gatteschi D., Caneschi A., Pardi L., Sessoli R. Large clusters of metal ions: The transition from molecular to bulk magnets. // Science 265, 1054 (1994).

11. Chusuei C.C., Lai X., Luo K., Goodman D.W. Modeling heterogeneous catalysts: metal clusters on planar oxide supports // Topics in Catalysis 14, 71 (2001).

12. Campbell C.T. Ultrathin metal films and particles on oxide surfaces: structural, electronic ф and chemisorptive properties I I Surf. Sci. Rep. 27, 1 (1997).

13. Tae-Hee Lee and Robert M. Dickson, Discrete two-terminal single nanocluster quantum optoelectronic logic operations at room temperature, Proceedings of the National Academyof Sciences of the USA, 100, 3043 (2003).

14. Alivisatos A.P., Semiconductor clusters, nanocrystals, and quantum dots.// Science 271, 933 (1996).

15. Carroll D.L., M. Wagner, M. R.uhle & D.A. Bonnell, Schottky-barrier formation at nanoscale metal-oxide interfaces // Phys. Rev. В 55, 9792 (1997).

16. Lee Т., N.-P. Chen, J. Liu, R.P. Andres, D.B. Janes, E.H. Chen, M.R. Melloch, J.M. Woodall & R. Reifenberger, Ohmic nanocontacts to GaAs using undoped and p-doped layers of low-temperature-grown GaAs // Appl. Phys. Lett. 76,212 (2000).

17. Bifone A., Casalis L. and Riva R., Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of palladium clusters supported on graphite // Phys. Rev. В 51,11043 (1995).

18. Shang T.H.P., Kern D.P., Kratschwer A.O. Nanostructure technology// IBM. J. Res. Develop. 32,462(1988).

19. Shedd G.M., Russell P.E. The scanning tunnelling microscope as a tool for nanofabrication //Nanotechnology. 1, 67 (1991).

20. Schneiker G., Hameroff S., Voelker M., Scanning tunneling engineering // J. of Microsc. 152,585-596(1988).ч 21. Лихарев К.К. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схемна основе эффекта дискретного одноэлектроиного туннелирования //

21. Микроэлектроника 16, вып.З, 195-209 (1987).

22. Dorogi M., J. Gomez, R. Oschifin, R.P. Andres & R. Reifenberger, Room-temperature Coulomb blockade from a self-assembled molecular nanostructure // Phys. Rev. B 52, 9071-9077 (1995).

23. Park K.-H., Shin M., Ha J.S., Yun W.S. & Ko Y.-J., Fabrication of lateral single-electron tunneling structures by field-induced manipulation of Ag nanoclusters on a silicon surface //Appl. Phys. Lett. 75,139-141 (1999).

24. Jiang C.-S., Nakayama T. & Aono M., Spatially resolved observation of Coulomb blockade and negative differential conductance on a Ag cluster on the clean GaAs(llO) surface//Appl. Phys. Lett. 74, 1716-1718 (1999).

25. Hasegawa H., Sato T. & Kaneshiro C., Properties of nanometer-sized metal-semiconductor interfaces of GaAs and InP formed by an in situ electrochemical process // J. Vac. Sci. Technol. B 17,1856-1866 (1999).

26. Gheber L.A., Gorodetsky G. & Volterra V., Studies of submicron gold islands on silicon by STM // Thin Solid Films 238, 1-3 (1994).

27. Sato T., Kaneshiro C., Okada H. & Hasegawa H., Formation of size and position controlled nanometer size Pt dots on GaAs and InP subsrates by pulsed electrochemical deposition // Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 38, 2448 (1999).

28. Mason M.G. Electronic structure of supported small metal clusters // Phys. Rev. B 27, 748 (1983).

29. Citrin P.H., Wertheim G.K. Photoemission from surface-atom core levels, surface densities of states, and metal-atom clusters: A unified picture // Phys. Rev. B 27, 3176 (1983).

30. Wertheim G.K. Auger shifts in metal clusters // Phys. Rev. B 36, 9559 (1987).

31. Maeda Y., Okumura M., Tsubota S., Kohyama M., Haruta M., Local barrier height of Au nanoparticles on a Ti02(l 10)-(1 x2) surface // Appl. Surf. Sc. 222, 409 (2004).

32. Meiwes-Broer K.-H., in Metal clusters at surfaces, edited by K.-H. Meiwes-Broer (Springer-Verlag, Berlin), 2000.

33. Garcia M.E., Pastor G.M., Bennemann K.H. Theory for the change of the bond character in divalent-metal clusters // Phys. Rev. B 67, 1142 (1991).

34. Haberland H., von Issendorff B., Yufeng J., Kolar T. Transition to plasmonlike absorption in small Hg clusters // Phys. Rev. Lett. 69, 3212 (1992).

35. First P.N., J.A. Stroscio, R.A. Dragoset, D.T. Pierce & R.J. Celotta, Metallicity and gap states in tunneling to Fe clusters on GaAs(l 10) // Phys. Rev. Lett. 63, 1416-1419 (1989).

36. Chusuei C.C., Lai X., Luo K., Goodman D.W. Modeling heterogeneous catalysts: metal clusters on planar oxide supports //Topics in Catalysis 14, 71 (2001).

37. Xu C., Lai X., Zajac G.W., Goodman D.W. Scanning tunneling microscopy studies of the ТЮг(ПО) surface: structure and te nucleation growth on Pd // Phys. Rev. В 56, 13464 (1997).

38. Lai X., Clair T.P.St., Valden M., Goodman D.W. Scanning tunneling microscopy studies of metal clusters supported on Ti02(110): morphology and electronic structure // Prog. Surf. Sci. 59,25 (1998).

39. Citrin P.H., Wertheim G.K. and Shluter Y., One-electron and many-body effects in x-ray absorption and emission edges of Li, Na, Mg and A1 metals // Phys. Rev. В 20, 3067 (1979).

40. Wertheim G.K., Riffe D.M. and Citrin P.H., Bulk and surface singularity indices in the alkali metals // Phys. Rev. В 45, 8703 (1992).

41. Cheung T.T. P., Lineshape studies of the x-ray photoemission of small metal clusters // \ Surf. Sc. 127, LI29 (1983).

42. Fritsch A. and Legare P., Metal vapor deposition on carbon; an XPS study of Pd and Au cluster growth // Surf. Sc. 162, 742 (1985).

43. Binns C., Nanoclusters deposited on surfaces // Surf. Sc. Rep. 44, 1 (2001).

44. Nevolin V.N., Zenkevich A.V., Lai X.C., Pushkin M.A., Tronin V.N., Troyan V.I. The electronic states of copper clusters pulsed laser deposited on various substrates // Laser Physics 11,45 (2001).

45. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А., Физика квантовых низкоразмерпых структур, М.: и Логос, 2000.

46. Anderson P. W., Infrared catastrophe in fermi gases with local scattering potentials // Phys.• Rev. Lett. 18, 1049 (1967).

47. Mahan G.D., Excitons in Metals: Infinite Hole Mass // Phys. Rev.163, 612 (1967).

48. Nozieres P., De Dominicis C.T. Singularities in X-ray absorption and emission of metals. III. One-body theory exact solution // Phys. Rev. 178, 1097(1969).

49. Langreth D.C., Singularities in the x-ray spectra of metals // Phys. Rev. B 1,471 (1970).

50. Hopfield J. J., Infrared divergences, X-ray edges and all that // Comments Solid State Phys. 2,2(1969).

51. Doniach S., Sunjic M., Many electron singularity in X-ray photoemission and X-ray line spectra from metals // J. Phys. C 3,285 (1970).

52. Alfred L.C.R. and Van Ostenburg D.O., New scheme for the construction of phase shifts with application on nuclear magnetic resonance, Phys. Rev.161, 569 (1967).

53. Fridel J., Comments Solid State Phys. 2,21 (1969).

54. Minnhagen P., Exact numerical solutions of a Nozieres-De Dominicis-type model problem //Phys. Lett. 56 A, 327(1976).

55. Shung K. and Langreth D.C., Dynamical KLL Auger process in simple metals and their plasmon gain satellites // Phys. Rev. B 28,4976 (1983).

56. Ascarelli P., A simple model for the quantitative evaluation of the XPS line shape asymmetries in nearly free electron and noble metals // Sol.St.Comm. 21,205 (1977).

57. Kato M., Singularity index of the core-level x-ray photoemission spectrum from surface atoms // Phys. Rev. B 38,10915 (1988).

58. Citrin P.H. High-resolution x-ray photoemission from sodium metal and its hydroxide // Phys.Rev. B 8, 5545 (1973).

59. Hufner S., Wertheim G.K., Buchanan D.N.E., West K.W., Core line asymmetries in XPS-spectra of metals // Phys. Lett. 46 A, 420 (1974).

60. Wertheim G.K., Citrin P.H., Photoemission in solids // Topics in Applied Physics, edited by Cordona M. and L.Ley (Springer, Heidelberg, Berlin) 26, 197 (1978).

61. Hufner S., Wertheim G.K., Core line asymmetries in the x-ray photoelectron spectra of metals // Phys. Rev. B 11,678 (1975)

62. Hufner S., Wertheim G.K., X-ray photoemission spectra of metals // Phys. Lett. 51. A, 301 (1975).

63. Wertheim G.K., Hufner S., Many-body line shape in x-ray photoemission from metals // Phys. Rev. Lett. 35, 53 (1975).

64. Hufner S., Wertheim G.K., Wernick J.H., XPS core line asymmetries in metals // Sol. Stat. Comm. 17,417(1975).

65. Kotani A. and Toyozawa Y., Optical Spectra of Core Electrons in Metals with an Incomplete Shell. I. Analytic Features // J. Phys. Soc. Jpn. 35, 1073 (1973).

66. Hüfner S., Wertheim G.K., Core line asymmetries in the x-ray photoelectron spectra of metals: a comment //Phys. Rev. B 11, 5197 (1975).

67. Janak J. F., Uniform susceptibilities of metallic elements // Phys. Rev. B 16, 255 (1977).

68. Estermann I., Friedberg S. A., and Goldman J. E., The Specific Heats of Several Metals between 1.8° and 4.2°K// Phys. Rev. 87, 582 (1952).

69. Daunt J. G. and Heer C. V., Some Properties of Superconductors below 1°K. II. Aluminum and Zinc // Phys. Rev. 76,1324 (1949).

70. Pessa V. M., Influence of many-body effects and intra-atomic exchange interactions on the shape of x-ray emission and photoemission lines of 3 d metals // Phys. Rev. B 15, 1223 (1977).

71. Cheng C. H., Wei C. T., and Beck P. A., Low-Temperature Specific Heat of Body-Centered Cubic Alloys of 3d Transition Elements // Phys. Rev. 120,426 (1960).

72. Hodges L., Ehrenreich H., and Lang N.D., Interpolation Scheme for Band Structure of Noble and Transition Metals: Ferromagnetism and Neutron Diffraction in Ni // Phys. Rev. 152, 505 (1966).

73. Smith T.S. and Daunt J.G., Some Properties of Superconductors below 1°K. III. Zr, Hf, Cd, and Ti // Phys. Rev. 88,1172 (1952).

74. Wexler A. and Corak W.S. Superconductivity of Vanadium // Phys. Rev. 85, 85 (1952).

75. Manning M.F., Chodorow M.I., Electronic Energy Bands in Metallic Tungsten // Phys. Rev. 56,787(1939).

76. Smith N.V., Wertheim G. K., Hüfner S., et al Photoemission spectra and band structures of d-band metals. IV. X-ray photoemission spectra and densities of states in Rh, Pd, Ag, Ir, Pt, and Au // Phys. Rev. B 10, 3197 (1974).

77. Citrin P.H., Wertheim G.K., Baer Y. Core-Level Binding Energy and Density of States from the Surface Atoms of Gold // Phys. Rev. Lett. 41,1425 (1977).

78. Spanjaard D., Guillot C., Desjonquieres M-C., Surface core level spectroscopy of transition metals: A new tool for the determination of their surface structure // Surf. Sei. Rep. 5, 1 (1985).

79. Riffe D.M., Wertheim G.K., Citrin P.H., Enhanced vibrational broadening of core-level photoemission from the surface of Na(l 10) // Phys. Rev. Lett. 67, 116 (1991).

80. Wertheim G.K., Buchanan D.N.E., and Rowe J.E., Bulk and surface properties of Rb metal // Solid State Commun. 77, 903 (1991).

81. Riffe D.M., Wertheim G.K., Citrin P.H., Different core-hole lifetime and screening in the surface of W(110) //Phys. Rev. Lett. 63, 1976 (1989).

82. Wertheim G.К., Riffe D.M., and Citrin P.H., Bulk and surface singularity indices in the alkali metals // Phys. Rev. В 45, 8703 (1992).

83. Mason M.G., Gerenser L.J., and Lee S.T., Electronic Structure of Catalytic Metal Clusters Studied by X-Ray Photoemission Spectroscopy // Phys. Rev. Lett. 39, 288 (1977).

84. Messmer R.P., Knudson S.K., Johnson K.H. et al Molecular-orbital studies of transition-and noble-metal clusters by the self-consistent-field-Xa scattered-wave method // Phys. Rev. В 13, 1396(1976).

85. Борман В.Д., Борисюк П.В., Лебидько В.В., Пушкин М.А., Тронин В.Н., Троян В.И., Антонов Д.А., Филатов Д.О., Исследование многочастичных явлений в нанокластерах металлов (Au и Си) вблизи их перехода в неметаллическое состояние //ЖЭТФ 129,1 (2006).

86. Cini M., and Ascarelli P., J. Phys. F: Metal Phys. 4,1998 (1974).

87. Fritsch A. and Legare P., XPS study of small iridium clusters; comparison with the Ir4(CO)i2 molecule // Surf. Sci. 145, L517 (1984).

88. Fritsch A. and Legare P., Metal vapor deposition on carbon; an XPS study of Pd and Au cluster growth // Surf. Sci. 162, 742 (1985).

89. Baumer M., Freund H.-J. Metal deposits on well-orderd oxide films // Progress in Surf. Sci. 61, 127(1999).

90. Cryot-Lackmann F. Sur le calcul de la cohésion et de la tension superficielle des métaux de transition par une méthode de liaisons fortes // J. Phys. Chem. Solids 29, 1235 (1968).

91. Spanjaard D., Guillot C., Desjonquères M.-C., Tréglia G. Surface core spectroscopy of transition metals: a new tool for the determination of their surface structure // Surf. Sci. Rep. 5, 1 (1985).

92. Citrin P.H., Wertheim G.K., Bayer Y. Core-level binding energy and density of states from the surface atoms of gold // Phys.Rev.Lett. 41,1425 (1978).

93. Mehta M., Fadley C.S. Surface d-band narrowing in copper from angle-resolved X-ray photoelectron spectra//Phys. Rev. Lett. 39, 1569 (1977).

94. Jirka I. An ESCA study of copper clusters on carbon // Surf. Sci. 232, 307 (1990).

95. Wu Y., Garfunkel E., Madey Т.Е. Initial stages of Cu growth on ordered A1203 ultrathin films //J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1662 (1996).

96. Steiner P., Hiifer S., Core level binding energy shifts in Ni on Au and Au on Ni overlayers, Solid State Communications 37, 279 (1981).

97. Kohiki S., Ikeda S. Photoemission from small palladium clusters supported on various substrates // Phys. Rev. В 34, 3786 (1986).

98. Wertheim G.K., DiCenzo S.B., Buchanan D.N.E. Noble- and transition-metal clusters: The d bands of silver and palladium // Phys. Rev. В 33, 5384 (1986).

99. Hövel H., Grimm В., Bödecker M., Fieger К., Reihl В. Tunneling spectroscopy on silver clusters at T=5 K: size dependence and spatial energy shifts // Surf. Sei. 463, L603 (2000).

100. Лай С. Особенности электронных состояний металлических нанокластеров на различных подложках при импульсном лазерном осаждении / Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. паук. М.: МИФИ, 2000.

101. Yang D.-Q., Sacher Е., Initial- and final-state effects on metal clustersubstrate interactions, as determined by XPS copper clusters on Dow Cyclotene and highly oriented pyrolytic graphite //Appl. Surf. Sei. 195, 187 (2002).

102. Zafeiratos S., Kennou S. A study of gold ultrathin film growth on yttria-stabilized Zr02 (100) // Surf. Sei. 443,238 (1999).

103. Ohgi Т., Fujita D. Consistent size dependency of core-level binding energy shifts and single-electron tunneling effects in supported gold nanoclusters // Phys. Rev. В 66, 115410-1 (2002).

104. Wertheim G.K. and DiCenzo S.B., Cluster growth and core-electron binding energies in supported metal clusters // Phys. Rev. В 37, 844 (1988).

105. DiCenzo S. В., Berry S. D., and Hartford E. H., Photoelectron spectroscopy of single-size Au clusters collected on a substrate // Phys. Rev. В 38, 12, 8465 (1988).

106. Zhao J., Chen X., and Wang G., Critical size for a metal-nonmetal transition in transition-metal clustersPhys. Rev. В 50,15424 (1994).

107. Wang J., Wang G., and Zhao J., Nonmetal-metal transition in Zn„ (n = 2-20) clustersPhys. Rev. A 68, 013201 (2003).

108. Kreibig U., The transition cluster-solid state in small gold particles // Sol. St. Commun. 28, 767(1978).

109. Knight W.D., Clemenger K., de Heer W.A., Saunders W.A. Polarizability of alkali clusters //Phys. Rev. В 31, 2539 (1985).

110. Lübcke M., Sonntag В., Niemann W., Rabe P. Size-dependent valence change in small Pr, Nd, and Sm clusters isolated in solid Ar// Phys. Rev. В 34, 5184 (1986).

111. Stietz F., Träger F., Surface plasmons in nanoclusters elementaryelectronic excitations and their applications, Philos. Mag. В 79,1281 (1999).

112. Rademann К., Keiser В., Even U., Hensel F. Size dependence of the gradual transition to metallic properties in isolated mercury clusters // Phys. Rev. Lett. 59, 2319 (1987).

113. Wertheim G.K., Core electron binding energies in free and supported metal clusters, Z. Phys. D 12,319(1989).

114. Brechignac C., Broyer M., Cahuzac Ph., Delacretaz G., Labastie P., Wolf J.P., Wöste L. Probing the Transition from van der Waals to Metallic Mercury Clusters // Phys. Rev. Lett. 66,275 (1988).

115. Apai G., Lee S.-T., Mason M.G., Valence band formation of small metall silver clusters // Sol. St. Commun. 37,213 (1981).

116. Vijayakrishnan V., Cbainani A., Sarma D. D., and Rao C. N. R., Metal-Insulator Transitions In Metal Clusters: A High-Energy Spectroscopy Study of Pd and Ag Clusters J. Phys. Chem. 96, 8679 (1992).

117. Boyen H.-G., X-ray photoelectron spectroscopy study on gold nanoparticles supported on diamond // Phys. Rev. B 65, 075414 (2002).

118. Roulet H. Size dependence of the valence bands in gold clusters // J.Phys. F: Metal phys. 10, 1025 (1980).

119. Boyen H.-G., Ethirajan A., Kästle G., Weigl F., and Ziemann P. Alloy Formation of Supported Gold Nanoparticles at Their Transition from Clusters to Solids: Does Size Matter? // Phys. Rev. Lett. 94, 016804 (2005).

120. Egelhoff W.F., Tibbetts Jr. and G.G., A photoelectron study of palladium, nickel, and copper clusters on carbon surfaces // Sol. St. Commun. 29, 53 (1979).

121. Cha Chia-Yen, Gantefur G., and Eberhardt W., Photoelectron spectroscopy of Cun-clusters: Comparison with jellium model predictions // J. Chem. Phys. 99, 6308 (1993).

122. Dalacu D., Klemberg-Sapieha J.E., Martinu L, Substrate and morphology effects on photoemission fromcore-levels in gold clusters // Surface Science 472, 33 (2001).

123. Valden M., Lai X., Goodman D.W. Onset on catalytic activity of gold clusters on titania with the appearance of nonmetallic properties // Science 281,1647 (1998).

124. Suzuki M., Fukuda T. Scanning-tunneling-microscopy observation of aluminium on GaAs(l 10) surfaces // Phys. Rev. B 44, 3187 (1991).

125. Bettac A., Koller L., Rank V., Meiwes-Broer K.H. Scanning tunneling spectroscopy on deposited platinum clusters // Surf. Sei. 402, 475 (1998).

126. Nilius N., Ernst N., Freund H.-J. Photon Emission Spectroscopy of Individual Oxide-Supported Silver Clusters in a Scanning Tunneling Microscope // Phys. Rev. Lett. 84, 3994 (2000).

127. Hemantkumar N. Aiyer, Vijayakrishnan V., Subbanna G. N., and Rao C. N. R., Investigations of Pd clusters by the combined use of HREM, STM, high-energy spectroscopies and tunneling condactance measurements Surf. Sc. 313, 392 (1994).

128. Vinod G.U., Kulkarni C.P., Rao C. N. R., Size-dependent changes in the electronic structure of metal clusters as investigating by scanning tunneling spectroscopy // Chem. Phys. Lett. 279, 329 (1998).

129. Hovel H., Clusters on surfaces: high-resolution spectroscopy at low temperatures // Appl. Phys. A 72, 295 (2001).

130. Gu X., Ji M., Wei S. H., and Gong X. G., AuN clusters (N=32, 33, 34, 35): Cagelike structures of pure metal atoms // Phys. Rev. В 70, 205401 (2004).

131. Kools J.C.S. Pulsed Laser Deposition of Metals in: Chirsley, Hubler (Eds), Pulsed Laser Deposition of Thin Films, Whiley, New York, 1994.

132. Willmott P.R., Huber J.R. Pulsed Laser Vaporization and Deposition // Rev. Mod. Phys. 72,315(2000).

133. Зенкевич. A.B. Особенности структуро- и фазообразования в лазерно-осажденных слоях силицидов металлов. Диссертация на соискание ученой степени к. ф.-м. н. -М.: МИФИ, 1997.

134. Эдельман B.C. // Приборы и техника эксперимента, 1989, 5, с. 25-49.

135. Kubby J.A., Boland J.J. Scanning Tunneling Microscopy of Semiconductor Surfaces // Surf. Sci. Rep. 26,61 (1996).

136. Трояновский A.M., Эдельман B.C., Хайкин. M.C. Сканирующая туннельная микроскопия многослойной полупроводниковой структуры. // Письма в ЖТФ 13, 1359(1987).

137. Зигбан К. Электронная спектроскопия атомов, молекул и конденсированног вещества // УФН 138,223 (1982).

138. Нефедов В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. М.: Химия, 1984.

139. Бриггс Д., Сих М.П. Анализ поверхности методами Оже- и фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987.

140. Немошкаленко В.В., Алешин В.Г. Электронная спектроскопия кристаллов. Киев: Наукова думка, 1976.

141. Вудраф Д., Делчер Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989.

142. Wertheim G.K. Core-electron binding energies in free and supported metal clusters // Z. Phys. В 66, 53 (1987).

143. Interaction of charged particles with solids and surfaces, ed. by A. Gras-Marti, H. M. Urbassek, Arista N.R. and Flores F., Plenum press, New York and London (1991).

144. Tanuma S., Powell C.J., Penn D.R. Calculations of electron Inelastic Mean Free Paths: Data for 15 Inorganic compounds over the 50-2000 eV range // Surf.& Interface. Anal. 17, 927-(1991).

145. Souda R., Yamamoto K., Hayami W., Aizawa Т., and Ishizawa Y., Low-energy H+, He+, N+, 0+, and Ne+ scattering from metal and ionic-compound surfaces: Neutralization and electronic excitation // Phys. Rev. В 51, 4463 (1995).

146. Zinke-Allmang M. Phase separation on solid surfaces: nucleation, coarsening and coalescence kinetics // Thin Solid Films 346,1 (1999).

147. Rainer D. R. and Goodman D. W., Metal clusters on ultrathin oxide films: model catalysts for surface science studies // J. Mol. Catal. A: Chem. 131,259 (1998).

148. Пушкин M.A. Фрактальная структура и электронные свойства нанокластеров металла, сформированных при высоких скоростях осаждения // Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук. М.: МИФИ, 2003.

149. Francis G.M., Kuipers L., Cleaver J.R.A., Palmer R.E., Diffusion controlled growth of metallic nanoclusters at selected surface sites. // J.Appl. Phys. 79,2942, (1996).

150. Борман В.Д., Зенкевич А.В., Пушкин М.А., Тронин В.Н., Троян В.И. Наблюдение фрактальных нанокластеров при импульсном лазерном осаждении золота // Письма в ЖЭТФ73, 684 (2001).

151. Endo Т., Sumomogi Т., Maeta Н., Ohara S., Fujita Н. STM study on nanostructures of au and A1 deposits on HOPG and amorphous carbon // Materials Transactions, JIM 40, 903 (1999).

152. Williams A. R. and Lang N. D., Core-Level Binding-Energy Shifts in Metals // Phys. Rev. Lett. 40, 954(1978).

153. Gronbeck H. and Broqvist P., Comparison of the bonding in Aug and Cug: A density functional theory study // Phys. Rev. В 71, 073408 (2005).

154. Н.Ашкрофт, Н.Мермии, Физика твёрдого тела, т.1, М: Мир, 1979.

155. Д. Займан, Принципы теории твёрдого тела, М: Мир, 1974.

156. Ascarelli P., Cini М., Missoni G., Nistico N., XPS line broadening in small metal particles J. Physique Colloq., 38, C22-125 (1977).

157. Stern E.A., Electronic Properties of Alloys // Phys. Rev. 188,1163 (1969).

158. Lee S.-T., Apai G., Mason M. G., Benbow R., Hurych Z., Evolution of band structure in gold clusters as studied by photoemission // Phys. Rev. В 23, 505 (1981).

159. Ahuja R, Auluck S., Eriksson O. and Johansson B. Calculated electronic and optical properties of a graphite intercalation compound: ЫСб // J. Phys.: Condens. Matter 9, 9845 (1997).

160. Batallan F. and Rosenman I. Band structure and Fermi surface of hep ferromagnetic cobalt //Phys. Rev. В 11,545 (1975).

161. Wang C. S. and Callaway J. Band structure of nickel: Spin-orbit coupling, the Fermi surface, and the optical conductivity // Phys. Rev. B9,4897 (1974).

162. Koelling D. D., Mueller F. M., Arko A. J. and Ketterson J. B. Fermi surface and electronic density of states of molybdenum // Phys. Rev. В 10,4889 (1974).

163. Worley R. D., Zemansky M. W., and Boorse H. A. Heat Capacities of Vanadium and Tantalum in the Normal and Superconducting Phases // Phys. Rev. 99,447 (1955).

164. Sette F., Wertheim G. K., Ma Y., and Meigs G. Lifetime and screening of the С Is photoemission in graphite // Phys. Rev. В 41, 9766 (1990).

165. Wertheim G. K., Riffe D. M. Evidence for crystal-field splitting in surface-atom photoemission from potassium // Phys. Rev. В 52,14906 (1995).

166. Wertheim G. K. and Buchanan D. N. E. Core-electron line shapes in x-ray photoemission spectra from semimetals and semiconductors // Phys. Rev. В 16,2613 (1977).

167. Wertheim G. K. Shape of core-electron photoemission spectra from metals // Phys. Rev. В 25, 1987 (1982).

168. Wertheim G. K. and Citrin P. H. Line shapes in surface-atom core-level photoemission from Ta(l 11), W(111), and W(100) // Phys. Rev. В 30,4343 (1984).

169. Тейлор Дж., Теория рассеяния, Мир, Москва, 1975

170. Марч Н., Паринелло М., Коллективные эффекты в твёрдых телах, М: Мир, 1986.6. Благодарность.