Микроволновые фотоэлектрические свойства двухэлектродных полупроводниковых структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Шибаев, Станислав Сергеевич

• Шибаев, Станислав Сергеевич
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Шибаев, Станислав Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ.

РАЗДЕЛ 1. Учет генерационно-рекомбинационных процессов и способы определения рекомбинационных параметров.

1.1. Аналитическая модель учета зависимости поперечного сечения рекомбинации от скорости носителей.

1.2. Определение рекомбинационных параметров на основе зависимостей поперечного сечения рекомбинации носителей заряда от их скорости.

1.3. Методы экспериментального определения зависимости параметров рекомбинации в фотоприемниках от электрического поля.

1.4. Итоги раздела.

РАЗДЕЛ 2. Анализ микроволновых оптоэлектронных свойств объема полупроводника.

2.1. Анализ фотопроводимости полупроводника при воздействии амплитудно-модулированного света и переменного электрического поля.

2.2. Анализ микроволновой объемной проводимости облучаемых светом полупроводников с учетом разогрева носителей заряда.

2.3. Теория микроволновой проводимости облучаемых светом полупроводников с омическими контактами.

2.4. Итоги раздела.:.

РАЗДЕЛ 3. Анализ влияния генерационно-рекомбинационных процессов и облучения светом на параметры диодных структур.

3.1. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов и облучения светом на комплексную электронную проводимость лавинно-пролетных диодов (ЛПД).

3.2. Преобразование частоты модуляции света лавинным фотодиодом.

3.3. Анализ преобразовательных свойств p-i-n фотодиода при оптикоэлектронном воздействии.

3.4. Итоги раздела.

РАЗДЕЛ 4. Оптическое управление параметрами активных микроволновых устройств на ЛПД.

4.1. Автогенератор на ЛПД с оптическим управлением.

4.2. Вопросы нелинейного регенеративного усиления частоты модуляции света и синхронизации автогенератора на ЛПД этой частотой.

4.3. Итоги раздела.

РАЗДЕЛ 5. Экспериментальное исследование ряда фотоэлектрических свойств полупроводниковых приборов.

5.1. Получение исходных данных для определения рекомбинационных параметров полупроводниковых материалов.И

5.2. Исследование преобразовательных свойств полупроводниковых приборов при приеме амплитудно-модулированного света.

5.3. Вопросы разработки устройства преобразования AM света.

5.4. Итоги раздела.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микроволновые фотоэлектрические свойства двухэлектродных полупроводниковых структур»

Современное развитие телекоммуникационных систем передачи информации вызвало большой интерес к исследованиям, направленным на увеличение быстродействия элементной базы. В настоящее время микроволновые системы работают практически на пределе своей пропускной способности и какое-либо улучшение передающих характеристик этих систем затруднительно, чего нельзя сказать о системах оптической связи, перспективы развития которой огромны. Ряд фирм и университетов (Германии, Японии, США и др.) в рамках приоритетных национальных программ ведут интенсивные исследования по созданию основных компонентов оптических систем со скоростью передачи информационных сигналов в диапазоне 20 - 100 Гбит/с. В России такие исследования проводятся, в частности, в ИРЭ РАН (Институт радиотехники и электроники РАН), Физико-техническом институте (Санкт-Петербург), НИИ «Сапфир», «Пульсар» (Москва) и др. Более чем за двадцатилетний период техника оптической связи стала конкурентоспособной, причем источники и каналы передачи существенно изменились, в то время как приемные устройства не претерпели значительных усовершенствований.

Появление и широкое развитие оптических систем связи, в том числе оптоволоконное управление фазированными антенными решетками, а также монолитных интегральных схем СВЧ диапазона заставляет подробно исследовать те физические процессы взаимодействия модулированного света и носителей заряда в полупроводниковых структурах, которые определяют работу этих систем. В основе этих физических процессов лежат явления тепловой и световой генерации свободных носителей, с одной стороны, и их рекомбинация - с другой. И, хотя эти процессы являются основой упомянутого взаимодействия и широко используются на практике, имеется недостаточное количество работ, посвященных экспериментальному и, в особенности, теоретическому их исследованию.

Все более возрастающий интерес приобретает оптическое управление полупроводниковыми приборами в СВЧ диапазоне. В 60-х годах прошлого века оптическое управление СВЧ приборами было отнесено к разряду неперспективных направлений, поскольку получение электронно-дырочной плазмы в больших объемах полупроводника требовало излучения большой мощности. Однако развитие интегральной технологии, волоконной и интегральной оптики, а также появление инжекционных лазеров открыло новые возможности, и уже в конце 70-х годов появились сообщения о практической реализации оптически управляемых полупроводниковых СВЧ приборов.

В настоящее время такие приборы выполняют функции модуляции, переключения, усиления, управление фазой и т.д. Оптическое управление полупроводниковыми СВЧ приборами обеспечивает ряд существенных преимуществ по сравнению с другими методами. Наиболее важными из них является высокая степень развязки СВЧ тракта от цепей постоянного тока, обеспечивающая широкую полосу рабочих частот; короткое время фотоотклика, определяющее быстродействие и высокие модуляционные способности; совместимость с волоконно-оптической и интегрально-оптической технологией, позволяющая повысить технические характеристики, а также значительно снизить себестоимость.

В последние годы появилось несколько публикаций (в подавляющем большинстве зарубежных авторов), посвященных вопросам практического применения микроволновых устройств с оптическим управлением. Ряд зарубежных фирм и институтов заявляют о создании как пассивных СВЧ устройств (фазовращателей, коммутаторов), так и активных приборов с оптическим управлением, в частности, оптически управляемых ФАР и АФАР, объемных интегральных СВЧ схем (см. Приложение 1). При этом в данных публикациях основное внимание уделяется принципам построения устройств, их конструкции и технологии, вопросам применения, но довольно скудно освещаются вопросы экспериментального исследования и практически совсем не описываются теоретические модели. Это во многом определяет актуальность данной работы, посвященной теоретическому и экспериментальному исследованию микроволновых фотоэлектрических свойств полупроводниковых структур.

Воздействие переменного СВЧ поля и модулированного излучения оптического диапазона значительно обогащает спектр отклика полупроводникового прибора (в частности, ЛПД), причем указанные эффекты могут быть не только вредными, но могут быть использованы для создания фотоприемных элементов нового типа, а оптимизация их позволяет помочь улучшить параметры и характеристики ряда приемных оптических устройств.

В настоящей работе исследуются приборы из однородного полупроводника, фотосопротивления, лавинные фотодиоды (ЛФД), а также находящийся под воздействием модулированного оптического излучения лавинно-пролетный диод, так как ЛПД широко применяются в таких перспективных устройствах, как АФАР.

Целыо диссертационной работы является теоретическое исследование влияния генерационно-рекомбинационных процессов на параметры однородных и диодных полупроводниковых структур, способных работать в микроволновом диапазоне длин волн, при воздействии на эти структуры амплитудно-модулированного (АМ) света совместно с постоянным и высокочастотным переменным электрическими полями, а также экспериментальное исследование ряда свойств полупроводниковых приборов при таком фотоэлектрическом воздействии.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

1. Разработка аналитической модели взаимодействия АМ оптического излучения и ВЧ поля в полупроводниковых структурах, а также модели учета зависимости параметров рекомбинации носителей от их скорости и методов определения этих параметров.

2. Теоретическое исследование влияния генерационно-рекомбинационных процессов при взаимодействии АМ света и ВЧ поля на параметры объема полупроводника и на его частотно-преобразовательные свойства при бигармоническом воздействии с учетом и без учета явлений разогрева носителей в сильном электрическом поле.

3. Построение теории управляемой светом микроволновой проводимости полупроводника с омическими контактами при учете влияния переменного объемного заряда в предположении известной объемной проводимости.

4. Разработка аналитической модели воздействия оптического излучения на слой умножения лавинно-пролетного диода (ЛПД), оценка результатов такого воздействия на СВЧ комплексную проводимость ЛПД, а также теоретическое исследование частотно-преобразовательных свойств диодных структур (ЛФД и р-ьп ФД) при приеме АМ света и при наличии ВЧ поля.

5. Анализ воздействия генерационно-рекомбинационных процессов на работу автоколебательной системы на ЛПД (автогенерация, регенеративное усиление частоты модуляции света и синхронизация ею генератора).

6. Экспериментальное исследование преобразовательных свойств приборов с лавинным умножением и р-ьп фотодиодов при приеме АМ света и определение рекомбинационных параметров полупроводников.

Содержание работы определили указанные цели и задачи.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложений.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Шибаев, Станислав Сергеевич

Основные результаты работы вошли в отчеты по госбюджетным НИР, проводимым на кафедре радиотехнической электроники ТРТУ в рамках научно-технической программы «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям» по разделу «Электроника»: №13263 «Исследование и использование оптико-полевого взаимодействия в полупроводниковых фотоэлементах для разработки устройств приема оптических сигналов в каналах связи с частотным уплотнением», 2003г.; №13258 «Квазилинейный анализ и экспериментальное исследование процессов преобразования световых и микроволновых сигналов на объемных и контактных нелинейностях приборов твердотельной электроники», 1999г.

Личный вклад автора в публикациях состоит в следующем: в [А1, А10, А21, А25, А27] — выполнен анализ влияния генерационно-рекомбинационных процессов на ток в слое умножения лавинных приборов, а также получены соотношения и проведен расчет комплексной СВЧ проводимости ЛПД; в [А2, АЗ, А7, А9, А12, А14, А15, А18, А20, А22-А24] - выполнены теоретические исследования нелинейных микроволновых свойств объема полупроводника при бигармоническом воздействии АМ света и СВЧ поля с учетом рекомбинационной и разогревной нелинейностей, получены расчетные соотношения; в [А6, А8, А11, А16, А17, А26] - проведен анализ учета зависимости поперечного сечения рекомбинации от электрического поля, проведен расчет зависимости рекомбинационных параметров от скорости носителей в ве и СёБ на основе приведенных в литературе экспериментальных данных; в [А13, А19] - проведен анализ регенеративного воздействия АМ света на диодный автогенератор, получены расчетные соотношения; в [А4, А5] - реализация экспериментальных установок и проведение эксперимента по исследованию преобразовательных свойств ЛФД, р-ьп ФД и определению рекомбинационных параметров в Сс18е, выполнен анализ результатов.

Результаты исследований используются для изготовления опытных образцов измерителей параметров радиосигналов в НИР "Горожанка-Т" (г.Таганрог); НИР "Марьяж" (г.Баку); в учебном процессе ТРТУ (в разделах курсов лекций "Микроволновые приборы и устройства", "Взаимодействие лазерного излучения с веществом") при подготовке инженеров, бакалавров, магистров и аспирантов по специальностям направления 550702, о чем имеются соответствующие акты внедрения.

Автор приносит благодарность научному руководителю, доктору физико-математических наук, профессору Малышеву В.А. за его помощь и внимание.

Во время работы над диссертацией автор ощущал поддержку и внимание всего коллектива кафедры радиотехнической электроники ТРТУ, сотрудникам которой он выражает свою благодарность.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе, на основе обзора отечественной и зарубежной литературы, показана актуальность постановки теоретических и экспериментальных исследований комплексного оптико-полевого воздействия на полупроводниковые структуры, проведен анализ такого воздействия для однородных полупроводников и диодных структур, с учетом квадратичного, либо линейного, законов рекомбинации носителей заряда в приближении зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей от их скорости движения, оценены параметры аппроксимации такой зависимости, построены математические модели для определения микроволновой проводимости фотосопротивления при воздействии постоянной и модулированной засветки, а также определения микроволновой электронной проводимости лавинно-пролетного диода, рассмотрены основные устройства на ЛПД, находящиеся под воздействием оптического излучения.

Основные теоретические и практические результаты, полученные в диссертационной работе, состоят в следующем:

1. На основе приведенных в литературе и полученных в рамках данной работы зависимостей сечения рекомбинации носителей (либо времени жизни) от температуры рассчитаны зависимости рекомбинационных параметров от скорости носителей.

2. В рамках локально-полевой модели проведен анализ воздействия генерационно-рекомбинационных процессов на ток и микроволновую проводимость объема однородного полупроводника. Получены соотношения для расчета оптически управляемой объемной и полной микроволновой проводимости с учетом разогрева носителей в электрическом поле.

3. Проведен анализ влияния генерационно-рекомбинационных процессов на параметры лавинных диодов. Получены соотношения для расчета комплексной проводимости ЛПД при таком воздействии. Проведено теоретическое исследование преобразовательных свойств лавинных и p-i-n фотодиодов.

4. Получены результаты теоретического исследования влияния оптического облучения на характеристики ЛПД генератора. Выявлено уменьшение мощности генератора с увеличением интенсивности засветки. Показано, что полученный результат согласуется с имеющимися в литературе экспериментальными данными. Предложена методика проектирования оптимизированных по выходной мощности ЛПД-автогенераторов с оптическим управлением.

5. В рамках метода медленно меняющихся амплитуд получены соотношения для расчета АЧХ регенеративного усилителя модулированного по интенсивности света на ЛПД и полосы синхронизации ЛПД-генератора.

6. Проведено экспериментальное исследование преобразовательных свойств диодов с лавинным умножением и p-i-n ФД при приеме AM света. Показано их соответствие теоретическим результатам. Экспериментально определена зависимость рекомбинационных параметров в CdSe от скорости носителей.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Шибаев, Станислав Сергеевич, 2006 год

1. В.А. Малышев. Бортовые активные устройства СВЧ, Л., Судостроение, 1990.-264с.

2. W. van Roosbroeck and W. Shockley. Radiative recombination of electrons and holes in germanium, Phys. Rev., 94, №6, 1558 (1954).

3. Малышев В.А., Завадовская Э.П. Зависимость поперечного сечения рекомбинации в CdS от электрического поля. Изв. ВУЗов, Физика, №3, 1963, с.48-53.

4. Малышев В.А. Теория разогревных нелинейностей плазмы твердого тела, Изд. Ростовского университета, Ростов-на-Дону, 1979.-264 с.

5. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: под ред. проф. Федорова Н.Д.- М.: Радио и связь, 1998.-560 с.

6. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа. 1975,-584 с.

7. Давыдов A.C. Теория твердого тела. М.: Наука. ГРФМЛ. 1976.-639 с.

8. Рожанский Д.А. Физика газового разряда, НКТП ОНТИ, 1937, стр. 169.

9. Малышев В.А., Сапелкин C.B., Червяков Г.Г., Юхимец Е.А. Нелинейное преобразование сигнала модуляции света при квадратичном законе рекомбинации в фотоприемнике. //ФТП, Т .27, В.1, 1993. с179-182,

10. Завадовская Э.П., Лазебников Ю.Е., Малышев В.А. Экспериментальная проверка частотных характеристик фотосопротивлений и люминофоров. Изв. ВУЗов, Физика, №1, 1963. С. 142-146.

11. Мухин Ю.А. Приборы и устройства полупроводниковой оптоэлектроники. М.: Изд-во МЭИ, 1996.-298 с.

12. Червяков Г.Г. Нелинейное взаимодействие модулированного света и переменного электрического поля в полупроводниковых фотоприемниках. Диссертация на соиск. учен, степени доктора технических наук. Таганрог, 2000.

13. Зеегер К. Физика полупроводников. Под ред. Пожелы Ю.К. М.: Мир, 1977.-615 с.

14. Усанов Д.А., Скрипаль A.B. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Изд. Саратовского университета, 1999.-373 с.

15. Данильченко B.JL, Малышев В.А. Квазилинейная комплексная СВЧ проводимость лавинно-пролетных диодов, Известия ВУЗов, Радиоэлектроника, Т.34, №10, 1991. с. 87-90.

16. Техника оптической связи. Фотоприемники. Под ред. Тсанга У. Перевод с английского под ред. Тришенкова М.А. М.: Мир. 1988.-526 с.

17. Гауэр Дж. Оптические системы связи: пер. с англ. — М.: Радио и связь, 1989.-504 с.

18. Гребнев А.К. и др. Оптоэлектронные элементы и устройства; под ред. Ю.В. Гуляева. М.: Радио и связь, 1998. - 336 с.

19. Тришенков М.А. Фотоприемные устройства и ПЗС. Обнаружение слабых оптических сигналов. М.: Радио и связь, 1992. - 400 с.

20. Андреев B.C. Теория нелинейных электрических цепей. М.: Связь, 1972.-328 с.

21. Попов В.П. Основы теории цепей . 4-е изд., испр. М.: Высш. шк., 2003.-575 с.

22. Кушнир В.Ф., Ферсман Б.А. Теория нелинейных электрических цепей. -М.: Связь, 1974.-384 с.

23. Быстров Ю.А. Оптоэлектронные приборы и устройства. М.: ИП РадиоСофт, 2001. - 256 с.

24. Червяков Г.Г. Избирательный фотоприем. Элементы, параметры, характеристики. ТРТУ, Таганрог, 1999, 75 с.

25. Бахрах Л.Д., Блисковицкий A.A. Использование оптомикроволновой техники в перспективных бортовых радиосистемах с активными ФАР (обзор). Часть I. Вопросы радиоэлектроники. Серия «Общие вопросы радиоэлектроники».-1991, вып. 14, с.3-44.

26. Капилевич Б.Ю. Тенденции применения оптически управляемых полупроводниковых структур в устройствах СВЧ диапазона. Зарубежная радиоэлектроника. 1989, №9, с. 75-82.

27. Бахрах Л.Д., Блисковицкий А.А. Использование оптомикроволновой техники в перспективных бортовых радиосистемах с активными ФАР (обзор). Часть И. Вопросы радиоэлектроники. Серия «Общие вопросы радиоэлектроники».-1992, вып.5, с.49-92.

28. Андреев B.C., Макаров Н.В. Оптическое управление полупроводниковыми приборами СВЧ. Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. 1995. т.38, №10, с. 17-33.

29. Kiehl R.A. Optically induced AM and FM in IMP ATT diode oscillator. IEEE Trans., 1980, v.ED-27, №2, pp.426-432.

30. Forrest J.R., Seeds A.J. Analysis of the optically controlled IMP ATT oscillator. Solid-State and Electron Devices, 1979, v.3, №5, pp. 161-169.

31. Seeds A.J., Singleton J.F., Brunt S.P. Optical control of W-Band IMPATT oscillators. Proc. Inst. Elect. Eng., 1986, V.133J, pp.349-352.

32. Simons R.N., Bhasin K.B. Analysis of the optically controlled microwave device structures. IEEE Trans., 1986, v.MTT-34, №12, pp.1349-1355.

33. Seeds A.J., Singleton J.F., Brunt S.P. and Forrest J.R. The optical control of IMPATT oscillators. J.Lightwave Technol., 1987, v.LT-5, pp.403-411.

34. Seeds A.J. and A.A. de Salles. Optical control of microwave semiconductor devices. IEEE Trans on MTT. 1990, v.38, №5, pp.577-584.

35. Forrest J.R., Seeds A.J. Initial observation of optical illumination locking of an X-Band IMPATT oscillator. Electron. Lett., 1978, v. 14, pp.829-830.

36. Biswas B.N. et al. A new possibility of detecting lightwave signals through IMPATT oscillators by optical illumination. IEEE Journal of Selected Areas in Comm., 1990, v.8, №7, pp.1387-1395.

37. Радиотехнические устройства СВЧ на синхронизированных генераторах. Под ред. Н.Н. Фомина. М.: Радио и связь, 1991.

38. Куракава К. Принудительная синхронизация твердотельных СВЧ генераторов. ТИИЭР. 1973, т.61, №10, с. 12-40.

39. Овечкин С.М. Управление работой генераторов на лавинно-пролетных диодах с помощью света малой интенсивности. Электронная техника, сер. Электроника СВЧ, вып. 9(345), 1982, с.72-73.

40. Gerlach H.W.A., Wellman R. The behavior of a pulsed millimeter wave (70 GHz) IMP ATT diode oscillator during laser illumination. Intern. Microw. Symp., 1980, pp. 70-72.

41. Yen H.W., Barnosky M.K., Hunsperger R.G. and Melville R.T. Switching of GaAs IMP ATT diode oscillator by optical illumination. Appl. Phys. Lett., 1977, v.31, pp. 120-122.

42. Schweighart A., Vyas H.P., Borrego J.M. and Gutmann R.J. Avalanche diode structures suitable for microwave-optical interactions. Solid-State Electron., 1978, v.21, pp.1119-1121.

43. Kiehl R.A. Optical control of IMP ATT oscillator dynamics. IEEE Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig., 1978, pp.286-289.

44. Forrest J.R. and A.A. de Salles. Optics control microwaves. Microwave Syst. News., 1981, pp.112-122.

45. Hunsperger R.G. Optical control of microwave devices. In Proc. SPIE, 1985, v.578, pp.40-45.

46. Simons R. Optical control of microwave devices. Artech House., 1990.

47. Stabile P.J., Rosen A., Herczfeld P.R. Optically controlled lateral pin diodes and microwave control circuits. RCA Rev., 1986, v.47, pp.443-456.

48. Yu Z., Lin W. A new wag to optical control a millimeter-wave oscillator. IEEE Trans on MTT. 1990, v.38, №9, pp.1360-1363.

49. Herczfeld P.R. et al. Optically controlled microwave devices and circuits. RCA Rev., 1985, v.46, pp.528-551.

50. Herczfeld P.R., Daryoush A.S., Contorino V.M. Optical tuned and modulated microwave oscillator circuits. Proc. SPIE, 1984, v.517, pp.48-56.

51. Davis O.D., Kulcryk W.K. Optical and electronic mixing in an Avalanche Photodiode. El. Lett., 1970, v.6, pp.25-26.

52. Усанов Д.А., Скрипаль A.B., Угрюмова H.B. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р-n перехода в СВЧ поле. Физика и техника полупроводников, 1998, т.32, №11, с. 1399-1402.

53. Herczfeld P.R. et al. Indirect subharmonic optical injection locking of a millimeter wave IMPATT oscillator. IEEE Trans., 1986, v.MTT-34, pp.1371-1375.

54. Вендик И.В., Геворкян С.Ш., Хижа Г.С. Оптически управляемые полупроводниковые СВЧ устройства. Зарубежная РЭ, 1987, №9, с. 10-22.

55. Montgomery J.D., Dixon F.W. Microwave fiber optics forecast. Microwave Journal, 1985, №4, pp.44-58.

56. Leonard R.F. GaAs MMIC elements in phased-array antennas. Proc. SPIE, 1988, v.886, pp.72-79.

57. Picosecond optoelectronic devices. (Ed. C.H. Lee). Orlando. Academic Prees, 1984.

58. Platte W. Optoelectronic microwave switching. IEEE Proc., 1985, pt.J, V.132J, №2, pp.126-132.

59. Leonberger F.J. High speed InP optoelectronic switch. Appl. Phys. Lett., 1979, v.35, №6, p.712.

60. Austin D.H. Picosecond optoelectronic switching and gating in Silicon. Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, №1, pp. 101-103.

61. Prond J.M. et al. High frequency waveform generation using optoelectronic switching in Silicon. IEEE Trans., 1978, v.MTT-26, №3, pp. 137-140.

62. Jonson A.M., Austin D.H. Microwave switching by picosecond photoconductivity. IEEE Journal, 1975, v.QE-11, pp.283-287.

63. Platte W. High speed optoelectronic switching in Silicon gap-shunt microstrip structures. Electron. Lett., 1976, v. 12, pp.437-438.

64. Platte W. Optoelectronic microwave switching via laser-induced plasma tipers ion GaAs microstrip sections. IEEE Trans., 1981, v.MTT-29, №10, pp. 10101029.

65. Paolella A., Herczfeld P.R. Optical gain control of a GaAs MMIC distributed amplifier. Microwave and Opt. Technol. Lett., 1988, v.l, pp. 13-16.

66. Forrest J.R., Seeds A.J. Reduction of FM noise in IMP ATT oscillators by optical illumination. El. Lett., 1981, v.17, №23, pp.865-866.

67. Saede R. et al. Optically controlled K-band oscillator. IEEE Trans., 1990, v.MTT-5, pp.293-294.

68. Cohran S.R. and Wang S.Y. Efficient optical injection locking of electronic oscillators. Microwave J., 1989, pp.315-327.

69. Fetterman H.R., Wu W.Y., Ni D.C. Optical control of millimeter wave devices. Proc. SPIE, 1987, v.789, pp.50-52.

70. Daryoush A.S. Optical synchronization of millimeter wave oscillators for distributed architectures. 1990, MTT, v.38, №5, pp.467-476.

71. Seeds A.J., Lenoir B. Avalanche diode harmonic optoelectronic mixer. IEEE Proc, 1986, v.133, Pt.J, №6, pp.353-357.

72. Abkelmaattr M.T. Theory of avalanche diode harmonic optoelectronic mixer. IEEE Proc, 1988, v.135, Pt.J, №2, pp.183-186.

73. Fetterman H.R, and Ni D.C. Control of millimeter wave devices by optical mixing. Microwave and Opt. Devices Lett, 1988, v.l, pp.34-39.

74. Herczfeld P.R, Daryoush A.S. Optically controlled pin microwave phase shifter. Proc. SPIE, 1985, v.545, pp.39-43.

75. Mizuno H. Microwave characteristics of an optically controlled GaAs MESFET. IEEE Trans, 1983, v.MTT-31, pp.596-600.

76. A.A. de Salles. Optical control of GaAs MESFETs. IEEE Trans, 1983, v.MTT-31, pp.812-820.

77. Gautier J.L., Pasquet D., Puovil P. Optical effects on the static and dynamic characteristics of GaAs MESFET. IEEE Trans., 1985, v.MTT-33, pp.819-822.

78. Simons R.N., Bhasin K.B. Microwave performance of an optically controlled AlGaAs/GaAs HEMT and GaAs MESFET. IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 1987, pp.815-818.

79. Forrest J.R., Richards F.P. and Perichon A. The microwave MESFET optical detector. IEEE IEDM Tech. Digb., 1982, pp.529-532.

80. Simons R.N. Microwave performance of an optically controlled AlGaAs/GaAs HEMT and GaAs MESFET. IEEE Trans., 1985, v.MTT-35, pp.14441455.

81. Moncrief F.J. LEDs replace varactors for tuning GaAs FETs. Microwaves, 1979, v.18, №1, pp.12-13.

82. A.A. de Salles, Forrest J.R. Initial observation of optical injection locking of GaAs Metal Semiconductor Field Effect Transistor oscillator. Appl. Phys. Lett., 1981, v.38, №5, pp.392-394.

83. Sun H.J., Gutmann R.J. and Borrego J.M. Photoeffects in common-source and common-drain microwave GaAs MESFET oscillators. Solid-State El., 1981, v.24, №10, pp.935-940.

84. Ni D.C., Fetterman H.R., Chew W. Millimeter wave generation and characterization of a GaAs FET by optical mixing. IEEE Trans, on MTT, 1990, v.38, №5, pp.608-614.

85. A.A. de Salles. An analysis of the optical injection locking of GaAs MESFET oscillators. SPIE, v.477, Optical Technol. for Microwave Appl., VA, 1984, pp.114-118.

86. Esman R.D., Goldberg L. Optically injection-locked FET microwave oscillator. IEEE Trans., 1989, v.37, pp.1512-1518.

87. Dong Myong Kim, Sang Ho Song et al. Electrical characteristics of an optically controlled n-channel AlGaAs/GaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT. IEEE Elec. Dev. Lett., 1999, v.20, №2, pp.73-76.

88. Sang-Shin Lee, Anand H. Udupa et al. Demonstration of a photonically controlled RF phase shifter. IEEE Microwave and Guided Wave Lett., 1999, v.9, №9, pp.357-359.

89. Miller D., Harris J., Solgaard O. Optical Interconnect: The Next Generation-Devices. Internet site, 6I4I20Q2.

90. Amit S. Nagra et al. Bias free optical control of microwave circuits and antennas using improved optically variable capacitors. ECE Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, * Toyon Research Corporation, Goleta, CA, Internet site.

91. Lau K.M. et al. Characterization of novel GaAs based microwave optical switch. Internet site.

92. Hyo-Soon Kang et al. Introduction to microwave photonics. YONSEI University, Internet site.

93. Didier Decoster ety al. Photodetectors for microwave applications: a review and trends. Institut d'Electronique et de Microelectronique du Nord (IEMN), UMR CNRS 8520, 59652 Villeneuve d'Ascq, France, Internet site.

94. D. Rohde et al. Optically Steered 1x4 Patch Array Antenna for 60 GHz. Heinrich-Hertz-Institut fur Nachrichtentechnik, Berlin GmbH Einsteinufer 37, D-10587, Berlin, FRG, Internet site.

95. Paul W. Juodawlkis et al. Optically Sampled Analog-to-Digital Converters. IEEE Trans on MTT, 2001, v.49, №10, pp. 1840-1853.

96. Jager D. Optically controlled microwave devices. International topical meeting on MWP, 1996,4 p.

97. Design and Fabrication of High-Speed InGaAs Photodiodes for Optical Control of Microwave Circuits. ISTC Project №B-607. Project manager Malyshev S.A. Belarussian Academy of Sciences / Institute of Electronics, Minsk, Belarus. Internet site.

98. Optically Controlled Phased Array Antenna. HRL Communications and Photonics Homepage. Internet site. 08.05.2003.

99. Project Optically controlled phased array antennas (OCPAA). Project Leaders: H. R. Fetterman, S. R. Forrest. Internet site. April 5, 1996.

100. Quasi-Optical Antenna Arrays. Department of Defense, ONR Office of Naval Research. Internet site.

101. Тагер A.C., Вальд-Перлов B.M. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ. М.: Сов. радио, 1968.-480.

102. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ. Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана, перевод с английского под ред. B.C. Эткина, М.: Мир, 1979.-445с.

103. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Книга 1, перевод с англ. под ред. Суриса Р.А. М.: Мир, 1984.-456с.

104. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Книга 2, перевод с англ. под ред. Суриса Р.А. М.: Мир, 1984.-456с.

105. Список работ, отражающих содержание диссертации

106. А1. Малышев В.А., Шибаев С.С. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на комплексную электронную проводимость лавинно-пролетных диодов. Радиотехника, №10, 2005 г., с.21-24.

107. А2. Малышев В.А., Шибаев С.С. Теория объемной СВЧ и КВЧ проводимости полупроводников. ЖЭДТ (Журнал электродинамики и техники СВЧ, КВЧ и оптических частот), №3 (35), т. 10, 2002 г., с.242-245.

108. АЗ. Малышев В.А., Червяков Г.Г., Шибаев С.С. Теория высокочастотной фотопроводимости полупроводников с линейной варьируемой полем рекомбинацией и с учетом реакции комплексной нагрузки. Сб. Известия ТРТУ, 2000 г., № 1, с.66-68.

109. А4. Шибаев С.С. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на ток в слое умножения лавинных приборов. Сб. Известия ТРТУ, 2000 г., №3(17), с.78-81.

110. А5. Малышев В.А., Червяков Г.Г., Шибаев С.С. Определение зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей заряда от их скорости. -Международная научно-техническая конференция «Оптика полупроводников 2000», Ульяновск, 19-24 июня 2000 г., с.111.

111. А6. Малышев В.А., Супрунова Е.Ф., Червяков Г.Г., Шибаев С.С. Параметры рекомбинации носителей заряда в германии и сернистом кадмии. -Международная научно-техническая конференция «Оптика полупроводников 2000», Ульяновск, 19 -24 июня 2000 г., с.112.

112. А13. Малышев В.А., Супрунова Е.Ф., Шибаев С.С., Филь К.А. К теории регенеративного микроволнового фотоприема на диоде Ганна. Всероссийская конференция "Излучение и рассеяние ЭМВ" ИРЭМВ-2001, Таганрог, Россия, июнь 18-23, 2001, с.273-275.

113. Al5. Малышев В.А., Супрунова Е.Ф., Шибаев С.С. Приближенная нелинейная теория взаимодействия амплитудно-модулированного света с постоянным и переменным электрическими полями в объеме фотоприемника. Сб. Известия ТРТУ, № 1,2001 г., с.86-89.

114. Al6. Малышев В.А., Червяков Г.Г., Шибаев С.С. Определение зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей заряда от их скорости и энергии в Ge и CdS. Известия ТРТУ № 1, 2001 г., с.90.

115. Al7. Супрунова Е.Ф., Шибаев С.С. Об учете влияния генерационно-рекомбинационных процессов на работу полупроводниковых приборов. -Международная научно-техническая конференция "Оптика, оптоэлектроника и технологии", Ульяновск, 25-29 июня, 2001, с. 34.

116. Al8. Таранович A.B., Шибаев С.С. Активные фотоприемные устройства.-Седьмая международная крымская конференция «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии», Севастополь, Украина, 15-18 сентября 1997 г., т.1, с.419.

117. А19. Малышев В.А., Супрунова Е.Ф., Шибаев С.С., Филь К.А. Регенеративный фотоприем на диоде Ганна. Сб. Известия ТРТУ № 1, 2002 г., с.62-65.

118. А22. Таранович A.B., Шибаев С.С. Полупроводниковые фотоприемные устройства. Всероссийская научная конференция студентов и аспирантов, Таганрог, октябрь 1997 г., с.27.

119. А23. Малышев В.А., Червяков Г.Г., Шибаев С.С. Определение комплексной проводимости полупроводников при наличии переменного внешнего напряжения и переменного светового потока. Известия ТРТУ №2, Таганрог, 1999, с.141-144.

120. А25. Червяков Г.Г., Шибаев С.С. Фотоприемные устройства. Известия ТРТУ №3, Таганрог, 1998, с. 129.

121. А27. Таранович A.B., Червяков Г.Г., Шибаев С.С. Активные фотоприемные устройства. Седьмая международная крымская конференция «СВЧ-техника и телеком. Технол.» (КрыМиКо-97), Севастополь, Крым, Украина, 15-18 сентября, Т.1, 1997, с.420-421.