Интегральные полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Шубин, Сергей Викторович

• Шубин, Сергей Викторович
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Шубин, Сергей Викторович

Введение.

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТРИЧНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

МАГНИТНОГО ПОЛЯ.

1.1 Основные типы полупроводниковых матричных преобразователей магнитного поля.

1.1.1 Полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля на основе дискретных магниточувствительных элементов.

1.1.1.1 Полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля на основе магниторезисторов.

1.1.1.2 Полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля на основе магнитодиодов.

1.1.1.3 Полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля на основе элементов Холла.

1.1.1.4 Полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля на основе магнитотранзисторов.

1.1.2 Полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля в интегральном исполнении.

1.2 Применение матричных преобразователей магнитного поля.

1.2.1 Обнаружение скрытых дефектов ферромагнитных материалов с помощью интегральных матричных преобразователей.

1.2.2 Контроль за эволюцией трещин ферромагнитных материалов с помощью интегральных матричных преобразователей.

1.3 Основные требования к полупроводниковым матричным преобразователям магнитного поля.

1.4 Выводы и постановка задачи.

2. КОНСТРУКЦИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТРИЧНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ МАГНИТНОГО ПОЛЯ.

2.1 Варианты конструкций матричных преобразователей.

2.1.1 Преобразователи на основе МОП-магнитотранзисторов

2.1.2 Преобразователи на основе биполярных магнитотранзисторов.

2.2 Технология изготовления интегральных преобразователей

2.2.1 Формирование активных и пассивных элементов.

2.2.2 Варианты формирования массива биполярных магнитотранзисторов

2.2.2.1. Изготовление матричных преобразователей по

КМОП-технологии.

2.2.2.2. Изготовление матричных преобразователей по модифицированной КМОП-технологии.

2.3 Особенности в технологии изготовления интегральных матричных преобразователей магнитного поля.6(

2.4 Выводы.

3. МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕЖИМА РАБОТЫ ДВУХКОЛЛЕКТОРНОГО МАГНИТОТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ САПР ISE TCAD.

3.1 Физическая модель двухколлекторного биполярного магнитотранзистора.

3.2 Результаты моделирования режима работы двухколлекторного биполярного магнитотранзистора.

3.4 Выводы.

4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЯЧЕЕК ИНТЕГРАЛЬНЫХ МАТРИЧНЫХ

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ МАГНИТНОГО ПОЛЯ.

41 Преобразователи на основе МОП-магнитотранзисторов.

4 2 Преобразователи на основе биполярных магнитотранзисторов %

4 3 Сборка преобразователей в немагнитный корпус.юб

4.4 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Интегральные полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля»

В последнее время внимание разработчиков радиоэлектронной аппаратуры все чаще акцентируется на элементной базе для средств неразрушающего контроля качества различных материалов и изделий. Для получения визуального отображения дефектов внутренней структуры ферромагнитных материалов наиболее широко распространены магнитные методы, основанные на регистрации и отображении магнитных полей рассеяния от дефектов. В последние годы к известным методам диагностики ферромагнитных материалов, таким как магнитопороппсовый и магнитографический, добавился метод магнитной интроскопии, основанный на электронном сканировании приповерхностного магнитного поля объекта контроля и отображении его на экране видеоконтрольного устройства или персонального компьютера [1-4]. Достоинство магнитной интроскопии заключается в возможности проводить неразрушающий контроль ферромагнитных материалов, путем их локального намагничивания и регистрации карты распределенного магнитного поля от имеющихся структурных дефектов.

Линии магнитного поля, огибающие дефект в структуре ферромагнитного материала, имеют нормальную и тангенциальную составляющие вектора индукции В. С помощью матричного преобразователя магнитных полей состоящего из сенсоров, чувствительных к нормальной составляющей вектора индукции В„, можно определить границы области дефекта, а с помощью матричного преобразователя магнитных полей состоящего из сенсоров, чувствительных к тангенциальной составляющей вектора Вт, можно определитъ центр области дефекта. Для полной характеристики структурного дефекта необходимы матричные преобразователи магнитных полей, состоящие из сенсоров чувствительных ко всем » составляющим вектора магнитной индукции В.

Магнитный интроскоп для визуализации структурных дефектов ферромагнитных материалов, состоит из передвижного намагничивающего устройства, сканера распределенного магнитного поля, системы обработки и отображения информации на экране монитора или жидкокристаллическом индикаторе. Ядром сканера магнитного поля, является матричный преобразователь (МП) магнитного поля. Известны матричные преобразователи магнитных полей из дискретных магнитодиодов или магнитотранзисторов [5-7]. Недостатками МП, состоящих из дискретных магниточувствительных элементов (МЧЭ) является то, что они имеют не только большие габариты с большим количеством информационных выводов, но и низкую пространственную разрешающую способность, составляющую единицы миллиметров [5-7]. Разориентация кристаллов МЧЭ, возникающая при их монтаже на плату, приводит к разбросу основного параметра - магниточувствительности, что в свою очередь снижает точность диагностики. Известны также МП магнитных полей в виде матрицы из магниторезисторов [5]. Недостатками данных преобразователей является низкая пространственная разрешающая способность, большой ток потребления. МП состоящие из элементов Холла [7] имеют большое количество информационных выводов, что ведет к увеличению пассивной площади кристалла, занимаемой контактными площадками.

-7В связи с выше изложенным актуальной является задача разработки и комплексного исследования МП магнитного поля с высоким уровнем разрешения, малой потребляемой мощностью, минимальным числом выводов, обладающих высокой надежностью и низкой стоимостью.

Цель диссертационной работы - разработка и комплексное исследование интегральных полупроводниковых матричных преобразователей магнитного поля с высоким уровнем разрешения, основанных на высокоэффективных манитотранзистрных элементах, реализуемых по КМОП-технологии ИС.

В первой главе рассмотрены основные типы матричных преобразователей (МП) магнитного поля, которые наиболее часто используются в составе устройств для контроля качества структуры ферромагнитных материалов. Проведен анализ современных конструкций МП магнитного поля на основе дискретных элементов и в интегральном исполнении. Установлено, что наиболее часто в качестве чувствительных элементов в МП используются дискретные элементы Холла и магниторезисторы [5-7]. Показано, что МП на основе дискретных элементов имеют большие габариты, низкую разрешающую способность, высокий уровень токопотребления, большое количество информационных выводов, разброс чувствительности, низкую надежность. Совокупность всех этих недостатков является основным препятствием в разработке нового контрольно-измерительного оборудования для неразрушающего контроля [6, 8, 9]. Известны также интегральные полупроводниковые матричные преобразователи (ИПМП) [10-13], разработанные зарубежными специалистами, отличающиеся лучшими технико-экономическими показателями. Однако они имеют высокий уровень потребления. Сделан вывод о необходимости разработки интегральных полупроводниковых матричных преобразователей с высоким разрешением и низким уровнем потребления, основанных на высокоэффективных гальваномагнитных элементах, для применения в средствах магнитной интроскопии.

Во второй главе рассмотрены особенности конструкции и технологии изготовления ИПМП для регистрации нормальной и тангенциальной составляющей вектора магнитной индукции. При разработке конструкций ИПМП для регистрации отдельных компонент вектора магнитной индукции (Вш Вх), были решены задачи по минимизации информационных выводов, тока потребления, исключения взаимовлияния магниточувствительных ячеек и возможности получения безкорпусного варианта, в виде кристалла кремния с гибкими выводами или без них. Решение части задач по минимизации информационных выводов заключено в динамическом принципе построения ИПМП с размерностью КхМ, позволяющего проводить построчно-координатное или блочно-координатное сканирование контролируемой поверхности. Особенностью ИПМП на основе МОП-транзисторов является то, что при регистрации токов одной ячейки, или блока ячеек, происходит исключение их взаимовлияния, за счет ограничения по электрическому режиму включения. Представлены конструктивные методы повышения пространственной разрешающей способности ИПМП, путем организации ячеек в массив динамического типа. Также представлены технологические методы улучшения разрешающей способности по магнитному полю ИПМП, путем ограничения рабочей области ячейки по технологии "ЛОКОС" или тонким окислом, применяемым для формирования изоляции затвора МОП транзисторов от канала.

В третьей главе представлены результаты трехмерного моделирования двухколлекторного биполярного магнитотранзистора, с учетом влияния эффектов саморазогрева, поверхностной рекомбинации носителей, конструктивных и технологических факторов на значение магниточувствительности транзистора, а также влияние магнитного поля, внешних температурных условий и режима работы на электрофизические параметры магнитотранзистора.

В результате моделирования найден оптимальный режим включения БМТ, позволяющий избежать прямого смещения р-п перехода карман-подложка на величину напряжения, при котором возникает нестабильность работы БМТ. За счет настройки физических (времена жизни носителей заряда, скорости поверхностной рекомбинации, холловский коэффициент подвижности и т.п.) и геометрических параметров удалось добиться того, что отличие между экспериментальными и расчетными характеристиками БМТ не превышало 10 -15%.

В четвертой главе представлены результаты исследования основных характеристик ИПМП и их ячеек на основе двухстоковых МОП- и двухколлекторных биполярных магнитотранзисторах. В результате проведения сравнительного анализа их основных характеристик установлено, что пространственная разрешающая способность разработанных ИПМП на основе МОП магнитотранзисторов составляет 300 мкм, а потребляемая мощность и величина относительной магниточувствительности имеет значение 0,54 мВт и 4,0 %/Тл, соответственно. ИПМП, разработанные на основе двухколлекторных биполярных магнитотранзисторов имеют следующие параметры: пространственная разрешающая способность составляет 200 мкм, при температуре 300 К. Величина относительной магниточувствительности и потребляемая мощность равны 10 %/Тл и 7,2 мВт, соответственно.

В результате исследования макета строки из биполярных транзисторов установлено, что разработанные конструкции ИПМП с высокой разрешающей способностью могут применяться з контрольно-измерительной аппаратуре для неразрушающего контроля качества ферромагнитных материалов и сооружений из них.

Научная новизна результатов, полученных в настоящей диссертационной работе, заключается в следующем:

1. Впервые получены результаты трехмерного моделирования двухколлекторного биполярного магнитотранзистора, с учетом влияния эффектов саморазогрева, поверхностной рекомбинации носителей, конструктивных и технологических факторов на значение магниточувствительности транзистора, а также влияние магнитного поля, внешних температурных условий и режима работы на электрофизические параметры магнитотранзистора.

2. Показана возможность создания матричных преобразователей магнитного поля на основе МОП и биполярных транзисторов, обладающих низким уровнем собственных шумов (не выше 2 мкТл/\/Гц), и повышенными значениями магниточувствительности и пространственного разрешения.

3. Предложен принцип построения интегральных полупроводниковых матричных преобразователей магнитного поля на основе двухколлекторных биполярных и двухстоковых МОП транзисторов, основанный на комбинации галъваномагнитных и электрофизических эффектов в одной структуре.

Практическая ценность диссертационной работы заключается в следующем:

1. Разработаны и изготовлены оригинальные конструкции преобразователей магнитного поля динамического типа с размерностью 30x30 и 1x128, на основе МОП и биполярных магнитотранзисторов с высоким уровнем разрешения, имеющие соответствующие входы, для выбора магниточувствительных ячеек, и два информационных выхода, для опроса ее состояния.

2. Использование разработанных преобразователей магнитного поля позволяет:

- измерять нормальную составляющую магнитного поля, путем блочно-координатного сканирования поверхности с дискретностью 300 мкм;

- измерять тангенциальную составляющую магнитного поля, путем построчно-координатного сканирования с дискретностью 200 мкм;

-124. Полученные матричные преобразователи позволяют повысить разрешающую способность и надежность сканеров магнитных интроскопов.

Основные результаты работы отражены в шести статьях, одном патенте на изобретение и представлены двенадцатью докладами на следующих конференциях: Всероссийская научно-техническая конференция "Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления", (Крым, май 1998 г., 1999 г.); Всероссийская научно-техническая конференция с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". (Дивноморское. сентябрь 1998 г., 1999 г.). Научно-техническая конференция "Микроэлектроника и информатика" (Зеленоград 1997-1999 гг.)

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Шубин, Сергей Викторович

Основные результаты исследования параметров ИПМП, конструкции которых были представлены в данной главе, отражены в сравнительной таблице 4.2.

3. Из анализа результатов исследования конструкций КПМП, представленных в этой главе, следует, что:

- разработанные конструктивно-технологические решения для создания интегральных преобразователей магнитных полей по КМОП технологии ИС, имеющих высокую разрешающую способность, могут быть использованы при построении сканеров магнитного поля в интроскопах для более точной и оперативной диагностики качества ферромагнитных материалов и сооружений из них. Кроме того, возможно построение на основе диагностических систем более надежных и недорогих устройств контроля доступа к информации.

4. Разработанные конструктивно-технологические решения позволяют получать безкорпусные варианты интегральных магниточувствительных матриц. В случае монтажа кристалла магниточувствительной линейки на плату или в специальный корпус, к контактной площадке имеется возможность развариться алюминиевой проволокой или припаять гибкие изолированные проводники [8].

5. Разработанные конструктивно-технологические решения позволяют проводить сборку с использованием немагнитных материалов, что существенно снижает искажения измеряемого магнитного поля с помощью ИПМП.

-115-ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Разработка и комплексное исследование интегральных полупроводниковых матричных преобразователей магнитного поля позволили получить следующие основные результаты:

1. Проведено моделирование биполярного магнитотранзистора на основе пакета программ 1БЕ ТС АО (Швейцария), позволяющее:

- рассчитывать значения токов, магниточувствительности и ее температурных коэффициентов для двух областей ВАХ магнитотранзистора;

- учитывать влияние конструктивных и технологических факторов, на значение магниточувствительности; оптимизировать электрофизические параметры магнитотранзистора для получения низкого значения температурного коэффициента магниточувствительности.

2. Разработаны, получены и исследованы новые оригинальные конструкции интегральных полупроводниковых матричных преобразователей магнитных полей, а именно конструкции ИПМП на основе двухстоковых МОП-транзисторов, чувствительных к составляющей магнитного поля перпендикулярной поверхности кристалла, и на основе двухколлекторных биполярных магнитотранзисторов, чувствительных к составляющей магнитного поля параллельной поверхности кристалла.

3. Проведен анализ и показана перспективность использования разработанных конструкций ИПМП в средствах магнитной интроскопии.

-1164. В результате исследования двух конструкций, разработанных

ИПМП, показано, что наименьшим эквивалентным полем шума на центральной частоте 1 кГц обладает преобразователь на основе МОПтранзисторов с разделенным стоком - не выше 2 мкТлУ "/Гц. Наибольшей магниточувствительностью величиной 10%/Тл - преобразователи на основе биполярных транзисторов. Наилучшим пространственным разрешением обладают конструкции преобразователей на основе БМТ

200 мкм.

5. Предложен новый принцип построения интегрального полупроводникового матричного преобразователя магнитного поля позволяющий снизить число информационных выходов до двух. На основе данного принципа разработан и изготовлен ИПМП, динамического типа с размерностью 30x30, на основе МОП-транзисторов имеющая 64 вывода и позволяющий измерять нормальную составляющую магнитного поля, путем блочно-координатного сканирования поверхности с дискретностью 300 мкм и областью захвата до 3 см. На основе данного принципа также разработана и изготовлена линейка, динамического типа с размерностью 8x16 имеющая 24 входа для выбора магниточувствительной ячейки и два информационных выхода для опроса ее состояния. Разработанная линейка позволяет измерять тангенциальную составляющую магнитного поля, путем построчно-координатного сканирования с дискретностью 200 мкм.

6. На основании качественных и количественных результатов исследования, выявлены зависимости магниточувствительности матричных преобразователей от режима работы, от изменения величины вектора магнитной индукции и от температуры.

Новизна и оригинальность разработанных в рамках диссертационной работы конструкций ИПМП подтверждена патентом на изобретение. Практическая ценность подтверждена актами о внедрении (приложение 1, приложение 2) и использовании ИПМП при построении сканера магнитного поля на основе интегральных магнитотранзисторных элементах в Обнинском институте атомной энергетики.

Таким образом, в данной работе проведен комплекс исследований направленный на улучшение основных параметров матричных преобразователей магнитного поля и их ячеек. В результате чего, впервые получены результаты трехмерного моделирования двухколлекторного биполярного магнитотранзистора, с учетом влияния эффектов саморазогрева, поверхностной рекомбинации носителей, конструктивных и технологических факторов на значение магниточувствительности транзистора, а также влияние магнитного поля, внешних температурных условий и режима работы на электрофизические параметры магнитотранзистора. Получены новые конструкции и результаты исследований изготовленных по стандартной КМОП технологии ИС преобразователей магнитного поля с низким уровнем собственных шумов, высоким разрешением по магнитному полю, низким током потребления и высоким пространственным разрешением.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Шубин, Сергей Викторович, 2000 год

1. Неразрушающий контроль и диагностика, Справочник. Под ред. В.В.Клюева. М.: Машиностроение, 1995, 488 е.;

2. Шелихов Г.С. Магнитопорошковая дефектоскопия деталей и узлов. -М.: ГПНТЦ «Эксперт», 1995, 224 с.;

3. Хусанов М.Х. Магнитографический контроль сварных швов. М.: Недра, 1973, 216с.;

4. Сухоруков В.В., Вайнберг Э.И., Кажис Р-Й.Ю., Абакумов A.A. Неразрушающий контроль. В 5 . кн. Кн. 5. Интроскопия и автоматизация неразрушающего контроля: Практ. пособие. Под ред. Сухорукова В.В.- М.: Высш. шк., 1993, с. 290-322.

5. Амеличев В.В., Галушков А.И., Романов И.М., Чаплыгин Ю.А., Патент N2055422 от 11.04.96 г., "Двухстоковый МОП-магнитотранзистор", патентообладатель МИЭТ.

6. Амеличев В.В., Галушков А.И., Чаплыгин Ю.А., Шубин С.В Интегральные магниточувствительные матрицы с высоким уровнем разрешения // Известия вузов, Электроника, №1, 2000г., стр. 45-50.

7. Абакумов A.A. Амеличев В.В., Галушков А.И., Чаплыгин Ю.А., Шубин С.В, Патент N2140117 от 24.12.98 г., Интегральная магниточувствительная матрица патентообладатель МИЭТ.

8. Г.П. Балтес, P.C. Попович, "Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля", ТИИЭР, 1986, N8, с.60-90.

9. Г. Вайс, "Физика гальваномагнитных полупроводниковых приборов и их применение", пер. с нем. М., Энергия, 1974.

10. Описание изобретения к авторскому свидетельству №849865.

11. Описание изобретения к патенту RU №2006850 С1.

12. Описание изобретения к авторскому свидетельству №616860.

13. Е.В. Кучис, Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования, Москва, Радио и связь, с. 137-144, 1990.16. . Описание изобретения к авторскому свидетельству №859904.

14. United States Patent №5764054.

15. F. Jeffeers, Proc. IEEE, vol. 74, no. 11, pp. 1540-1556, Nov. 1986.

16. F. Jeffers, et al., IEEE Trans. Magnetics, vol. 18, no. 6, pp. 1146-1148, Nov. 1982.

17. R. A. Philpolt, et al., IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 29, no. 3, pp. 177184, March 1994.

18. A.A. Абакумов, Магнитная интроскопия, M., Энергоатомиздат 1996.

19. Абакумов A.A., Абакумов A.A. (мл.), Галушков А.И., Чаплыгин Ю.А. Полупроводниковые сканеры распределенного магнитного поля.// н-т. журнал "Известия вузов", Электроника, 1997, № 3-4, с. 117-125.

20. P.P. Хакимьянов, М.Х. Хусанов, И.Е. Нейфельд и др., Контроль качества сварных соединений трубопроводов нефти и газа, М., Недра, 1981.

21. А.Б. Сапожников, Теоретические основыэлектромагнитной дефектоскопии металлических тел, т. 1, томск: ТГУ, 1980.

22. Амеличев В.В., Чаплыгин Ю.А., Шубин C.B. Микроэлектронные датчики магнитного поля и интегральные схемы на их основе // Межотраслевой научно-технический сборник "Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России", М., ВИМИ, №3-4 1998, с.46-48.

23. A.A. Абакумов, Феррозонды в магнитной интроскопии, Обнинск: ИАТЭ, 1992.

24. Г.А. Егиазарян, В.И. Стафеев, Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение, М.: Радио и связь, 1987.

25. И.М.Викулин, ЛФ.Викулина , В.И. Стафеев, Гальваномагнитные приборы, М.: Радио и связь, 1983.

26. Амеличев В.В., Шубин C.B. Интегральные магниточувствительные матрицы и влияние методов сборки на их работу// Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов, Тезисы докладов, ч. 1, с. 3, Москва, Зеленоград 1998

27. С. Riccobene, К. Gartner, G. Wachutka, Н. Baltes, W. Fichtner, "Full three-dimensional numerical analysis of multi-collector magnetotransistors with directional sensitivity", Sensor and Actuator A46-47, pp. 289-293,1995.

28. Патент на изобретение РФ N2055419 от 25.01.94г. // Магниточувствительный биполярный транзистор, авторы Галушков А.И., Сауров А.Н., Чаплыгин Ю.А.

29. В.В. Амеличев, С.И. Волков, А.И. Галушков, Ю.А. Чаплыгин, "Способ температурной компенсации магниточувствительности биполярного магнитотранзистора", Всероссийская научно-техническая конференция

30. Электроника и информатика 95", Тезисы докладов, с. 40, Зеленоград, ноябрь, 1995 г.

31. ISETCAD Manuals. Release 5.0. Vol.2,3, 1997.

32. Галушков А.И., Амеличев В.В., Чаплыгин Ю.А., Зубенко Ф.Г. Биполярный магнитотранзистор, изготовленный по самосовмещенной КМОП технологии., //"Электронная промышленность", 1992г.,№3,стр.58-59.

33. Галушков А.И., Амеличев В.В., Чаплыгин Ю.А., Волков С.И. Магнетометр малых полей на основе биполярного магнитотранзистора., //VI Научно-техническая конференция, Тез. Док. г.Гурзуф, май, 1994г., стр. 139-140.

34. Галушков А.И., Миргородский Ю.Н., Тихомиров П.А., Чаплыгин Ю.А. "Моделирование магниточувствительного элемента на основе двухстокового МОП-транзистора" // "Микроэлектроника", 1995, том 24, с.63-67

35. Галушков А.И., Миргородский Ю.Н., Тихомиров П.А., Чаплыгин Ю.А "Моделирование сенсора магнитного поля на основе МОП-элемента Холла" // материалы 10-й научно-технической конференции "Датчик-98", Гурзуф, 1998, том 1, с.25-27

36. Амеличев В.В., Галушков А.И., Касаткин С.И., Муравьев A.M., Пудонйн Ф.А., Чаплыгин Ю.А., Шубин C.B. Биполярный магнитотранзистор с многослойным пермаллоевым концентратором магнитного поля // Датчики и системы, 1999, №3, с. 14-18.

37. Шубин C.B. Интегральная магниточувствительная матрица для регистрации вектора магнитной индукции // Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов, Тезисы докладов, с. 26, Москва, Зеленоград 1999

38. Амеличев В.В., Галушков А.И., Миргородский Ю.Н., Тихомиров П.А., Чаплыгин Ю.А., Шубин C.B. Физико-математическое моделирование интегрального элемента Холла на основе МОП-структуры // Микроэлектроника, т.29, №1, 2000г., стр. 48-58.

39. А. А. Абакумов, А. А. Абакумов (мл.), Ю. А. Чаплыгин, А. И. Галушков, "Оценка погрешности, калибровка и градуировка полупроводниковых матричных сканеров распределенных магнитных полей".

40. Multichip Modules for Today's VLSI Circuits // Suss report, Q-l, 1992, pp. 5-10.

41. А. А. Абакумов (мл.), "Система визуализации дефектов внутренней структуры ферромагнитных объектов", "Приборы и системы управления", 1997, №10, с.32-35.

42. Е. Muller, S. Koch, P. Woias, "An Integrated ISFET-Sensorarray with a CMOS Signal-Processing Circuits", pp. 675-680.

43. Гасанов Л.С., Зубенко Ф.Г., Мурыгин В.И., Фаттахдинов А.У., "Магнитодиоды и магнитотранзисторы из высокоомного кремния", Электронная промышленность, 1995, N4-5, с. 102-106.

44. C.B. Гуменюк, Б.И. Подлепецкий, "Интегральные полупроводниковые магниточувствительные датчики", Зарубежная электронная техника, 1989, N12, с.3-48.

45. Н. Pfleiderer, "Magnetodiode model", Solid-State Electron., vol. 15, pp. 335-353,1972.-12767. S. Cristoloveanu, "Magnetic field and surface influences on double injection phenomena in semiconductors", Phys. Status, Solidi (a), vol. 65, pp. 281292,1981.

46. S. Takamiya and K. Fujikawa, "Differential amplification magnetic sensors", IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-19, pp.1085-1090, 1972

47. A.W. Vinal, "Considiretions for applying solid state sensors to hig density magnetic disc recording", IEEE Trans. Magn., vol. MAG-20, pp. 681-686, 1984.

48. S. Kataoka, "New magnetoresistive sensors", Sensors and Actuators, vol. 5, pp. 353-357,1986.

49. T. Usuki, S. Sugiyama, M. Takeuchi, T. TakeucW, I.Igarashi "Integrated magnetic sensor" in Proc. 2nd Sensor Symp., 1982, S. Kataoka, Ed. (Tokyo, Japan), pp. 215-217,1982.

50. A.G. Andreou and C.R. Westgate, " The magnetotransistor effect", Electron Lett., vol.20, pp.699-701,1984.

51. S. Kataoka, "Recent developments of magnetoresistive devices and applications", Circulars Electrotech. Lab., no. 182, (Tokyo, Japan, Electrotech. Lab.), 1974.

52. J.E. Lenz, "Magnetic sensors", Scientific Honeyweller, vol. 6, no. 1, pp. 1625,1985.

53. L. ANDOR, H.P. BALTERS, A. NATHAN, H.G. SCHMIDT-WEINMAR, "Numerical Modeling of Magnetic-Field-Sensitive Semiconductor Devices", IEEE Transactions on Electron Devices, vol. ED-32, NO. 7, pp. 1224-1230, July 1985.

54. A. NATHAN et al, "Modeling of Sensors in CMOS Technology", IEEE Transactions on Electron Devices, vol. ED-32, NO. 7, pp.1213-1217, July 1985.

55. R. S. Popovic, H.P. Baltes, "A CMOS magnetic field sensor", IEEE J. SolidState Circuits, vol. SC-18, pp. 426-428,1983.

56. M. Hirata and S. Suzuki, "Integrated magnetic sensor", in Proc. 1st. Sensor Symp., S. Kataoka, Ed. (Tokyo, Japan, Inst. Elec. Eng. of Japan, 1982) pp. 37-40.

57. A.W. Vinal, N.A. masnasi, "Bipolar Magnetic Sensor", in IEDM Tech. Dig., pp.308-311, Dec.1982.

58. B.B. Амеличев, С.В. Шубин, "Исследование влияния топологии элемента Холла на его электрофизические параметры", Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов, Тезисы докладов, Москва, Зеленоград, 1997