Методы и средства оценки и прогнозирования сбоеустойчивости аналоговых интегральных микросхем при воздействии отдельных ядерных частиц тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Криницкий, Александр Васильевич

• Криницкий, Александр Васильевич
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Криницкий, Александр Васильевич

Введение.

Глава 1. Основные факторы космического пространства, действующие на бортовую аппаратуру космических аппаратов.

1.1. Внешние воздействующие факторы космического пространства, влияющие на бортовую аппаратуру космических аппаратов.

1.2. Локальные радиационные эффекты в интегральных схемах при воздействии на них отдельных ядерных частиц

1.3. Особенности возникновения в интегральных схемах кратковременных импульсов, вызванных тяжелыми заряженными частицами.

1.4. Выводы.

Глава 2. Расчетное моделирование возникновения в интегральных схемах кратковременных импульсов, вызванных отдельными ядерными частицами

2.1. Расчетное моделирование ионизационной реакции р-п перехода.

2.2. Расчетное моделирование ионизационной реакции в транзисторных структурах цифровых и аналоговых интегральных схем.

2.2.1. Формирование ионизационной реакции в активных элементах цифровых интегральных схем.

2.2.2. Формирование ионизационной реакции в активных элементах аналоговых интегральных схем.

2.3. Расчетное моделирование ионизационной реакции в аналоговых интегральных схемах.

2.4. Выводы.

Глава 3. Экспериментальные исследования кратковременной ионизационной реакции в аналоговых интегральных схемах на моделирующих установках и имитаторах.

3.1. Техническое обеспечение экспериментальных исследований кратковременной ионизационной реакции в аналоговых интегральных схемах на моделирующих установках.

3.2. Техническое обеспечение экспериментальных исследований кратковременной ионизационной реакции в аналоговых интегральных схемах на имитирующих установках.

3.3. Разработка требований к аппаратно-программным средствам для экспериментальных исследований кратковременной ионизационной реакции в аналоговых интегральных схемах.

3.4. Доработка и модификация аппаратно-программных средств и лазерных имитаторов с целью возможности оценки показателей стойкости аналоговых интегральных схем к эффектам «иголок».

3.5. Результаты экспериментальных исследований по определению чувствительности аналоговых интегральных схем к эффектам «иголок» при воздействии отдельных ядерных частиц.

3.6. Выводы.

Глава 4. Методическое обеспечение оценки стойкости интегральных схем к одиночным кратковременным импульсам ионизационной реакции, вызванных воздействием отдельных ядерных частиц.

4.1. Анализ задания требований и существующих методов оценки стойкости интегральных схем при воздействии отдельных ядерных частиц.

4.2. Обоснование методов оценки стойкости к кратковременным импульсам ионизационной реакции при воздействии на аналоговые интегральные схемы отдельных ядерных частиц.

4.3. Расчетно-экспериментальные методики оценки параметров чувствительности аналоговых интегральных схем к кратковременным импульсам ионизационной реакции при воздействии отдельных ядерных частиц.

4.3.1. Методика определения зависимости сечения эффекта «иголок» аналоговых интегральных схем от линейной потери энергии тяжелых заряженных частиц.

4.3.2. Методика определения зависимости сечения эффекта «иголок» аналоговых интегральных схем от энергии протонов.

4.3.3. Методика определения параметров чувствительности аналоговых интегральных схем, основанная на применении локального воздействия лазерного излучения субнаносекундного диапазона.

4.4. Методики проведения экспериментальных исследований аналоговых интегральных схем на моделирующих установках и имитаторах.

4.4.1. Методика проведения экспериментальных исследований аналоговых интегральных схем на ускорителях ионов.

4.4.2. Методика проведения экспериментальных исследований аналоговых интегральных схем на ускорителях протонов и генераторе нейтронов.

4.4.3. Методики проведения экспериментальных исследований аналоговых интегральных схем с использованием лазерных имитаторов пикосекундной длительности.

4.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методы и средства оценки и прогнозирования сбоеустойчивости аналоговых интегральных микросхем при воздействии отдельных ядерных частиц»

В настоящее время при разработке бортовой аппаратуры (БА) космических аппаратов (КА) все большее внимание уделяется вопросам ее стойкости к воздействию отдельных ядерных частиц (ОЯЧ). Это обусловлено, с одной стороны, необходимостью создания высоконадежной и сбое- и отказоустойчивой бортовой аппаратуры космических аппаратов с длительными сроками активного функционирования в автономном режиме, а, с другой стороны, широким применением в БА КА высокоинтегрированных изделий микроэлектроники, в том числе аналоговых, обладающих повышенной чувствительностью к воздействию ОЯЧ. Анализ номенклатуры электронной компонентной базы (ЭКБ) показывает, что доля интегральных схем (ИС) отечественного производства и производства стран участников СНГ и стран Балтии, применяемых в БА КА, составляет порядка 47% (из них аналоговых ИС - 18%), а для ИС иностранного производства - 54% (из них аналоговых ИС - 15%) [1].

Одной из вероятной причин сбоев БА КА является эффект, связанный с появлением кратковременных импульсов («иголок») ионизационной реакции на выходах аналоговых ИС [2,3]. Эти импульсы могут приводить к функциональным сбоям БА КА, так как могут восприниматься как полезные сигналы.

Предъявляемые к БА КА требования по сбое- и отказоустойчивости обуславливают необходимость оценки стойкости ИС, в том числе и аналоговых, к одиночным эффектам, вызываемыми ОЯЧ. Однако, до настоящего времени номенклатура ИС как отечественного, так и иностранного производства, применяемых в БА КА, в основном либо не квалифицирована на стойкость к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов, вызываемых ОЯЧ, либо требования стойкости ИС к таким эффектам документацией на поставку не регламентируются.

Таким образом, к началу диссертационной работы методы и методики, а также технические средства для оценки и прогнозирования стойкости ИС к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов, вызываемых ОЯЧ, отсутствовали или были проработаны не достаточно. Имеющиеся на момент начала работы исследования этих эффектов носили разрозненный характер и не позволяли проводить практические оценки стойкости к ним ИС.

Поэтому перед автором встала задача по развитию методов и методик оценки .и прогнозирования стойкости аналоговых ИС к сбоям, связанным !. с возникновением кратковременных импульсов, вызываемых ОЯЧ искусственного и естественного происхождений.

Другой задачей, требующей отдельного решения при исследовании стойкости аналоговых ИС к воздействию ОЯЧ, стало отсутствие доступньтх технических средств для контроля работоспособности аналоговых ИС при проведении их испытаний на радиационную стойкость. Проведенный анализ показал, что система контроля функционирования должна обладать мобильностью, иметь достаточную гибкость при ее настройке для каждого исследуемого типономинала. Решение последней задачи невозможно без разработки общих методических подходов при исследовании радиационного поведения аналоговых ИС при воздействии на них ОЯЧ.

Целью диссертации является развитие методов и технических средств оценки и прогнозирования стойкости аналоговых ИС к сбоям, проявляющимся

Г'

I. в возникновении на их выходах кратковременных импульсов, вызываемых г

ОЯЧ космического пространства (КП). | г ,

Указанная цель достигается решением в работе следующих задач: \

- анализа существующих методических и технических средств исследований кратковременных импульсов ионизационной реакции (ИР)! в аналоговых ИС;

- разработки методов расчетного моделирования кратковременных импульсов, вызываемых воздействием ОЯЧ, в структурах и элементах ИС;

- разработки методов экспериментальных исследований по определению стойкости аналоговых ИС к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов от ОЯЧ;

- разработки расчетно-экспериментальных методик оценки и прогнозирования стойкости аналоговых ИС к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов;

- разработки предложений по составу характеристик требований стойкости аналоговых ИС к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов («иголок») на их выходах при воздействии ОЯЧ;

- получения и систематизации экспериментальных данных. '

На защиту выносятся следующие положения: •

1. Физико-топологические модели и результаты моделирования формирования кратковременных импульсов напряжения в полупроводниковых структурах (р-п переходе и биполярных транзисторах) при локальном энерговыделении в чувствительном микрообъеме элемента ИС.

2. Модель и результаты схемотехнического расчетного моделирования 1 кратковременных импульсов напряжения в аналоговых ИС, вызываемых воздействием ОЯЧ. [

3. Требования к составу и оптимальным характеристикам технических средств экспериментальных исследований кратковременных импульсов напряжения, вызываемых в ИС воздействием ОЯЧ. I I

4. Оригинальные экспериментальные данные, ИР аналоговых ИС при воздействии на них ОЯЧ.

5. Состав характеристик требований стойкости и критериев для определения параметров чувствительности аналоговых ИС к эффектам «иголок» при воздействии на них ОЯЧ.

6. Расчетно-экспериментальные методы и методики оценки и прогнозирования стойкости ИС к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов, с использованием экспериментальных результатов, получаемых на испытательных установках.

Основные научные результаты работы:

1. Разработаны модели и проведено расчетное моделирование ИР полупроводниковых структур при локальном энерговыделении в микрообъеме элементов ИС (р-п переходе и биполярных транзисторах), которые позволили обоснованно выбрать характеристики генераторов ионизационных токов для систем схемотехнического моделирования.

2. Модифицирован и обоснован метод расчетного схемотехнического моделирования кратковременных импульсов выходного напряжения в аналоговых ИС, который базируется на включении одиночного генератора ионизационного тока в наиболее чувствительные узлы ИС, параметры которого определяются из результатов моделирования полупроводниковых структур.

3. Разработаны расчетно-экспериментальные методы и методики оценки и прогнозирования стойкости ИС к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов, которые базируются на экспериментальном определении параметров чувствительности на испытательных установках с последующей оценкой показателей стойкости для реальных условий эксплуатации.

4. Предложены и обоснованы оптимальные характеристики средств экспериментального исследования кратковременных импульсов напряжения, вызванных воздействием ОЯЧ, состав которых включают в себя как испытания на ускорителе ионов (ускорителе протонов), так и последующие эксперименты на лазерном имитаторе с целыо локализации наиболее чувствительных областей, определения предельных амплитуд и длительностей «иголок» и т.п.

Практическая значимость работы:

1. Разработаны методики испытаний и оценки стойкости ИС к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов, на ускорителях ионов и протонов и на базе лазерного имитатора, позволяющие оценить параметры чувствительности ИС к эффекту «иголок» при воздействии ОЯЧ с учетом предложенных критериев к их амплитуде и длительности. 7

Разработанные методики легли в основу организационно-методического аппарата проведения испытаний ЭКБ отечественного и иностранного производства по определению стойкости бортовой аппаратуры изделий разработки ФГУП ГНПРКЦ «ЦСКБ-Прогресс», ФГУП «ЦНИИ «Комета», ОАО РКК «Энергия им. С.П. Королева» к воздействию ТЗЧ и высокоэнергетичных протонов КП.

2. Получены и систематизированы оригинальные экспериментальные данные ИР для 15 типов аналоговых ИС отечественного и иностранного производства при воздействии на них ОЯЧ, необходимые разработчикам БА КА для оценки частоты возникновения «иголок» в реальных условиях.

3. Разработаны предложения по составу характеристик требований стойкости аналоговых ИС к эффектам, связанным с возникновением «иголок» на их выходах при воздействии ОЯЧ, которые дополняют и конкретизируют существующие требования по стойкости изделий микроэлектроники при воздействии ОЯЧ.

4. Результаты использованы в ОСТ 11 073.013-2008 «Микросхемы интегральные. Методы испытаний (часть 10) и в проекте нормативного документа по стандартизации РКТ «Аппаратура радиоэлектронная бортовая космических аппаратов. Методы испытаний аналоговых и аналого-цифровых интегральных микросхем к воздействию одиночных высокоэнергетических протонов и тяжёлых заряженных частиц космического пространства на ускорителях заряженных частиц».

5. Результаты диссертации вошли в отчетные материалы по НИР и составным частям ОКР «Облепиха-2», «Кругозор-2007», «Кругозор-2008» и др., выполняемым в интересах Минобороны России, Роскосмоса и предприятий оборонного комплекса.

Содержание диссертации

В первой главе проведен обзор научных работ, посвященных определению основных внешних воздействующих факторов КП, влияющих на БА КА и рассмотрению основных локальных радиационных эффектов в ИС и 8 особенностей возникновения в ИС кратковременных импульсов, вызываемых ОЯЧ. Проведен анализ номенклатуры ЭКБ, применяемой в БА КА.

Вторая глава содержит результаты моделирования характеристик кратковременных импульсов напряжения в полупроводниковых структурах при локальном энерговыделении в чувствительных микрообъемах элементов ИС и выходных импульсов напряжения, возникающих в аналоговых ИС. Проведенные расчеты подтвердили необходимость учета при оценке выходной реакции аналоговых ИС двух основных компонент ионизационного тока -дрейфового и диффузионного. Анализ результатов расчетного моделирования позволил выявить ряд основных закономерностей и механизмов формирования ИР для ИС.

Третья глава посвящена обоснованию основных требований к техническим средствам проведения исследований по оценке стойкости ИС к сбоям, связанных с возникновением кратковременных импульсов, вызываемых ОЯЧ. Обосновываются состав аппаратно-программных средств, позволяющий при проведении испытаний обеспечивать задание режимов функционирования ИС, контроль параметров ИС в процессе испытаний (с их регистрацией), дозиметрическое сопровождение испытаний и т.д. Приведены результаты оригинальных экспериментальных исследований аналоговых ИС на стойкость к воздействие ионов, высокоэнергетических протонов и нейтронов, а также результаты, полученные с использованием лазерных имитаторов, показавших сходимость полученных результатов с результатами расчетного моделирования.

В четвертой главе представлен анализ существующих методов оценки стойкости ИС при воздействии ОЯЧ, а также задания требований по их стойкости. Рассмотрены общие методические подходы экспериментальных исследований, учитывающих особенности формирования ИР в аналоговых ИС для оценки уровней их стойкости по эффектам «иголок» и предложены расчетно-экспериментальные методы и методики оценки и прогнозирования стойкости аналоговых ИС к эффектам «иголок».

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Криницкий, Александр Васильевич

4.5. Выводы:

1. Проведенный анализ требований и существующих методов оценки стойкости ИС при воздействии ОЯЧ показал, что практически все ранее действующие нормативные документы распространялись только на цифровые ИС, не затрагивая вопросы возникновения кратковременных импульсов («иголок) на их выходах аналоговых ИС, что повлекло за собой необходимость разработки методов и методик оценки стойкости аналоговых ИС к эффектам «иголок» от ОЯЧ.

2. Разработаны предложения по составу характеристик требований стойкости аналоговых ИС с учетом возможности возникновения кратковременных импульсов ИР при воздействии на них ОЯЧ и критериев по амплитудно-временным характеристикам импульсов ИР для определения параметров чувствительности их к эффектам «иголок», которые дополняют и конкретизируют существующие требования по стойкости аналоговых ИС при воздействии ОЯЧ.

3. Обоснованы методы по оценке стойкости аналоговых ИС к «иголкам», основанные на введении критериев по амплитудно-временным характеристикам кратковременных импульсов ИР, вызываемых ОЯЧ. Основной отличительной особенностью этого класса эффектов является широкий разброс в амплитудно-временных характеристик наблюдаемых кратковременных реакций на выходах аналоговых ИС. При этом характеристики импульсов «иголок» зависят от схемы включения аналоговой ИС, рабочей частоты, линейных потерь энергии ТЗЧ и т.п. Поэтому

110 предлагается два метода определения критериев по амплитуде и длительности выходных импульсов ИР аналоговых ИС: первый - исходя из функционального назначения БА КА и то, что в ней средства обработки информации основаны на применении цифровых алгоритмов (т.е. аналоговые сигналы являются входными для систем цифровой обработки - цифровых ИС). При данном подходе критерий по амплитуде определяется минимальным значением напряжения, при котором цифровая ИС не изменяет своего логического состояния - соответствующее уровню помехоустойчивости цифровой ИС для выходного напряжения низкого уровня (для современных ИС это значение равно 0.8 В) при их длительностях - равных или больших времени задержки переключения входного каскада цифровой ИС; второй -привязан к частным особенностям БА КА. В этом случае оценка и прогнозирование ИС к эффектам «иголок» предполагает: установление критериев по амплитуде и длительности для конкретных условий и схемы включения аналоговой ИС в определенной БА КА. В качестве минимального набора параметров чувствительности предлагается ввести пороговое значение ЛПЭ (энергии протона), при котором амплитуда сигнала превышает 0.8 В, а длительность составляет не менее 2 не.

4. Разработаны расчетно-экспериментальные методы и методики оценки и прогнозирования стойкости ИС к сбоям, связанных с возникновением кратковременных импульсов, которые базируются на экспериментальном определении параметров чувствительности на испытательных установках с последующей оценкой показателей стойкости для реальных условий эксплуатации.

Заключение

Основной результат диссертации заключается в развитие методов оценки и прогнозирования стойкости аналоговых ИС к сбоям, связанным с возникновением кратковременных импульсов напряжения из-за действия ОЯЧ, которые позволили обосновать и выработать критерии по радиационной стойкости для этого класса изделий микроэлектроники.

Основные научные результаты диссертации:

1. Разработаны модели расчетного моделирования ионизационных токов в полупроводниковых структурах при локальном энерговыделении в микрообъеме элементов ИС (р-п переходе и биполярных транзисторах), позволяющие выбрать характеристики генераторов ионизационных токов для систем схемотехнического моделирования.

2. Модифицирован и обоснован метод расчетного схемотехнического моделирования кратковременных импульсов выходного напряжения в аналоговых ИС, основанный на включении одиночного генератора ионизационного тока в наиболее чувствительные узлы.

3. Разработаны расчетно-эксперимептальные методы и методики оценки и прогнозирования стойкости ИС к сбоям, связанных с возникновением «иголок», базирующиеся на экспериментальном определении параметров чувствительности на испытательных установках с последующей оценкой показателей стойкости для реальных условий эксплуатации.

4. Предложены и обоснованы оптимальные характеристики технических средств экспериментального исследования «иголок», вызванных воздействием ОЯЧ, состав которых включают в себя как испытания на моделирующих установках, так и последующие эксперименты на лазерном имитаторе с целью локализации наиболее чувствительных областей, определения предельных амплитудно-временных параметров «иголок».

Основные практические результаты диссертации:

1. Разработаны методики экспериментальной оценки стойкости ИС к сбоям, связанных с возникновением кратковременных импульсов, на

112 ускорителях ионов и протонов и на базе лазерного имитатора, позволяющие оценить чувствительность аналоговых ИС к воздействию ОЯЧ. Разработанные методики легли в основу организационно-методического аппарата проведения испытаний ЭКБ отечественного и иностранного производства по определению стойкости БА КА разработки ведущих предприятий космической отрасли, к воздействию ОЯЧ КП.

2. Получены и систематизированы оригинальные экспериментальные данные ИР для 15 типов аналоговых ИС отечественного и иностранного производств, необходимые разработчикам БА КА для оценки частоты возникновения «иголок» в реальных условиях. Полученные результаты экспериментальных исследований коррелируют с результатами численного моделирования ИР в аналоговых ИС. При этом результаты испытаний на имитаторах коррелируют с результатами на моделирующих установках.

3. Обоснован состав характеристик требований стойкости аналоговых ИС с учетом возможности возникновения «иголок» при воздействии на них ОЯЧ и критериев по амплитудно-временным характеристикам импульсов ИР для определения параметров чувствительности их к данным эффектам, которые дополняют и конкретизируют существующие требования по стойкости изделий микроэлектроники при воздействии ОЯЧ.

4. Результаты использованы в ОСТ 11 073.013-2008 «Микросхемы интегральные. Методы испытаний» (часть 10) и в проекте нормативного документа по стандартизации РКТ «Аппаратура радиоэлектронная бортовая космических аппаратов. Методы испытаний аналоговых и аналого-цифровых интегральных микросхем к воздействию одиночных высокоэнергетических протонов и тяжёлых заряженных частиц космического пространства на ускорителях заряженных частиц», а также вошли в отчетные материалы ряда НИР и составных частей ОКР, выполняемых в интересах Минобороны России, Роскосмоса и предприятий оборонного комплекса.

Таким образом, в ходе работы над диссертацией достигнута ее основная цель, а именно - разработаны методы и определены основные требования к

113 техническим средствам моделирования и оценки показателей стойкости аналоговых ИС к эффектам воздействия ОЯЧ, связанным с возникновением кратковременной ИР в них, что позволит обеспечить комплектование устройств Б А К А различного назначения ИС с требуемой стойкости.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Криницкий, Александр Васильевич, 2012 год

1. Криницкий А.В. Воздействие отдельных ядерных частиц на интегральные схемы // Современная электроника. 2008. - №4. - С. 60-63.

2. Turflinger Т. Single event effects in analog and mixed-signal integrated circuits // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1996. - Vol. NS-43. - №6. -PP. 594-601.

3. Чумаков А.И. Действие космической радиации на ИС // М.: Радио и связь. 2004. - 320 с.

4. Научно-технический отчет о НИР «Апогей-08-22» (промежуточный, этап 1) // Мытищи: ФГУ «22 ЦНИИИ Минобороны России». 2010. - 81 с.

5. The Radiation Design Handbook. European Space Agency // ESTEC. -Noorfwijk, Nederlands. 1993. - 444 p.

6. Archive of radiation effects // IEEE NSREC Nuclear and Space Radiation Conference. Short Course Notebooks. 1980-1998.

7. Gordon G. Geostationary communications satellites // IEEE NSREC Nuclear and Space Radiation Conference. Short Course: «Practical considerations in applying electronics to space systems». Snowbird, Utah, USA. - 1993. -PP. 11-157.

8. Normand E. Single-event effects in systems using commercial electronics in harsh environments // IEEE NSREC Nuclear and Space Radiation Conference. Short Course: «Radiation effects in commercial electronics». Tucson, Arizona, USA. -1994. - PP. V1-V77.

9. Горшков Г.В. и др. Естественный нейтронный фон атмосферы и земной коры // М.: Атомиздат. 1966. 237 с.

10. Holmes-Siedle A., Adams L. Handbook of Radiation Effects // Oxford University Press. 1993. - 479 p.

11. Никофоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП интегральных схемах // М.: Радио и связь. 1994. 180 с.

12. Messenger G., Ash M. Single event phenomena // Chapman and Hall. -1997.-368 p.

13. Peterson E. Single-event analysis and prediction // IEEE NSREC. Short Course: «Applying computer simulation tools to radiation effects problems». -Snowmass Village, Colorado, USA. 1997. - PP. Ill 1-III 160.

14. Belyakov V., Chumakov A., Nikiforov A., Pershenkov V., Skorobagatov P., Sogoyan A. IC's radiation effects modeling and estimation // Microelectronics Reliability. 2000. - Vol. 40. - №2. - PP. 1997-2018.

15. Иванов В.И., Лысцов В.Н., Губин А.Т. Справочное руководство по микродозиметрии //М.: Энергоатомиздат. 1986. - 184 с.

16. Иванов В.И., Лысцов В.Н. Основы микродозиметрии // М.: Атомиздат. 1979. - 192 с.

17. Buchner S., Baze M., Brown D., McMorrow D., Melinger J. Comparison of error rates in combinational and sequential logic // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1997. -Vol. NS-44. - №6. -PP. 2209-2215.

18. Чумаков А.И. Актуальные проблемы моделирования радиационных эффектов в изделиях микроэлектроники при воздействии факторовкосмического пространства // Радиационные процессы в электронике. Сборник докладов. М.: МИФИ. 1998. - С. 20-29.

19. Poivey М., Buchner S., Howard J., LaBel К. Testing guidelines for single event transient (SET) testing of linear devices // NASA Goddard Space Flight Center. 2003. - Vol. NS-44. - №6. - PP. 2209-2215.

20. Чумаков А.И. Оценка заряда, собранного элементом ИС с трека отдельной ядерной частицы за счет диффузно-дрейфовых механизмов // VI межотраслевой семинар «Радиационные процессы в электронике». Тезисы докладов. М.: МИФИ. - 1994. - С. 39-40.

21. Чумаков А.И. Оценка заряда, собранного с трека отдельной ядерной частицы за счет дрейфовых механизмов // Микроэлектроника. 1991. - Т.20. -№4. - С. 402-406.

22. Криницкий А.В., Чумаков А.И. Ионизационная реакция от отдельных ядерных частиц в комбинированных и аналоговых интегральных схемах // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов. -М.:МИФИ. 2005. - С. 206-209.

23. Technology modeling associates PISCES (version 9) // Technology modeling associates. Palo Alto.

24. Gosset C., Hughlok В., Jonston A. Laser simulation of single particles effects // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1992. - Vol. NS-39. - №6. -PP. 1647-1652.

25. Dodd P. Device simulation of charge collection and single-event upset // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1996. - Vol. NS-43. - №2. - PP. 561-575.

26. Чумаков А.И., Яненко A.B., Сыцько Ю.И. и др. Физико-математическое моделирование эффектов от отдельных ядерных частиц в элементах ИС // М.:Инженерная физика. 1999. - №2. - С. 68-72.

27. Ма Т., Dressendorfer P. Ionizing affects in MOS devices and circuits // New York: John Wiley and Sons. 1989. - 588 p.

28. McLean F., Oldham T. Charge funneling in N- and P-type Si substrates // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1982. - Vol. NS-29. - №6. -PP. 2018-2023.

29. Hsien C., Murley P., O'Brien R. Collection of charge from alpha-particle tracks in silicon devices // IEEE Transactions on Electron Devices. 1983. -Vol. ED-30. - №6. - PP. 686-693.

30. Oldham Т., McLean F. Charge collection measurements for heavy ions incident // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1983. - Vol. NS-30. - №6. -PP. 4493-4500.

31. Хайнеманн P. Визуальное моделирование электронных схем в PSPICE // Учебное пособие. ДМК Пресс. - 2008. - 231 с.

32. Virtusoso Analog ElectronStorm // www.cadance.com/rl/Resources/ datasheets/4913VirtusosoEleStormDSfnl.pdf.

33. Криницкий A.B., Чумаков А.И., Шереметьев А.И. Расчетное моделирование ионизационной реакции в элементах аналоговых ИС // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов. -М.:МИФИ. 2009. - С. 212-216.

34. Коршунов Р.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах // Минск: Наука и техника. 1978. -232 с.

35. Мырова JI.O., Чепиженко А.З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи//М.: Радио и связь. 1983. -216 с.

36. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов Г.М. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем // М.: Энергоатомиздат. 1988. - 256 с.

37. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытаний // РД В 319.03.22-97. -М.: 22 ЦНИИИ МО. 1997. - 34 с.

38. Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Никифоров А.Ю., Скоробогатов П.К., Чумаков А.И. Имитационное и экспериментальное моделирование для оценки и прогнозирования радиационной стойкости ИЭТ // Вестник АДС «Радтех-СССР». 1991. - Выпуск 2. - С. 44-47.

39. Чумаков А.И., Афонин A.B., Гонтарь В.В., Васильев A.JL, Герасимов В.Ф., Криницкий A.B., Пасхалов A.A., Савченков Д.В., Тарараксин A.C.,119

40. Чумаков А.И., Яненко A.B., Артамонов A.C., Демидов A.A. Базовая методика проведения экспериментальных исследований чувствительности БИС на чувствительность к одиночным сбоям при протонном облучении // М.: Препринт МИФИ. 1996. - 20 с.

41. Аствацатурьян Е.Р., Белянов A.A., Елисеев К.Г., Калашников O.A., Курнаев С.А., Чумаков А.И. Техника экспериментальных исследований одиночных сбоев в цифровых интегральных микросхемах // ПТЭ. №1. -1993.-С. 123-127.

42. Кадилин В.В., Рябева Е.В., Самосадный В.Т. Прикладная нейтронная физика // Учебное пособие. М.: НИЯУ МИФИ. - 2011. - 124 с.

43. Sexton F. Microbeam studies of single-event effects // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1996. - Vol. NS-43. - №2. - PP. 687-695.

44. Buecher S. et al. Charge collection from focused picosecond laser pulses // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1988. - Vol. NS-35. - №6. -PP. 1517-1522.

45. Zhu X., Bhuva D., Criba С., Massengill L., Buchner S., Dodd P. A methodology for identifying laser parameters for equivalent heavy-ion hits // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2001. - Vol. NS-48. -№6. - PP. 2174-2178.

46. Baze M., Buchner S., McMorrow D. A digital CMOS design technique for SEU hardening // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2000. - Vol. NS-47. -№6.-PP. 2603-2608.

47. Чумаков А.И., Криницкий A.B. Особенности задания требований по стойкости ИС при воздействии тяжелых заряженных частиц // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2010». Научно-технический сборник. Выпуск 13. - М.: МИФИ. - 2010. - С. 9-10.

48. Chumakov A., Nikiforov A., Telets V. et al. 1С space radiation effects experimental simulation and estimation methods // Radiation Measurements. -1999.-Vol. 30.-PP. 547-552.

49. Чумаков А.И. Однопараметрическая модель одиночных сбоев // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2003». Научно-технический сборник. Выпуск 6. - М.: МИФИ. - 2003. - С. 99-100.

50. Чумаков А.И. Однопараметрическая модель для оценки чувствительности ИС к эффектам одиночных сбоев при воздействии высокоэнергитических протонов // Микроэлектроника. 2004. - Т.ЗЗ. - №2. -С. 121-127.

51. Miroshkin V., Tverskoy М. Some aspects of application of the two-parameter SEU model // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1995. -Vol. NS-42. - №6. - PP. 1809-1814.

52. Koga R. Single-event effect ground test issues // IEEE Transaction on Nuclear Science. 1996. - Vol. NS-43. -№2. - PP. 661-670.

53. Микросхемы интегральные. Методы испытаний // ОСТ 11 073.013-2008, часть 10. 2008. - 39 с.

54. Poivey С., Howard J., Buchner S., LaBel К., Forney J., Kim H., Assad A. Development of a Test Methodology for Single Event Transients (SETs) in Linear Devices // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2001. - Vol. NS-48. - №6. -PP. 2180-2186.

55. Poivey C. Heavy ion Single Event Effect test report on LM124 operational amplifier from NSC // NASA-GSFC test report. 2003.

56. Marec R., Chatry C., Adell P., Mion O., Barillot C., Calvel P., Cresciucci L. Towards a Single Event Transient Hardness Assurance Methodology // RADECS Proceedings. 2001.

57. Микропроцессоры. Средства сопряжения. Контролирующие и информационно-управляющие системы // Учебник для ВТУЗов. Под редакцией JI.H. Преснухина. -М.: Высшая школа. 1986. -383 с.

58. Файзулаев Б.Н., Шагурин И.И., Кармазинский А.Н., Алюшин М.В., Мозговой Г.П., Панфилов А.П. Быстродействующие матричные БИС и СБИС. Теория и проектирование // М.: Радио и связь. 1989. - 304 с.

59. Наумов Ю.Е., Аваев Н.А., Бебрековский М.А. Помехоустойчивость устройств на интегральных логических схемах // М.: Советствое радио. -1975.-216 с.

60. Белоус В., Дрозд С., Листопадов А. Схемотехнические методы повышения помехоустойчивости цифровых КМОП-микросхем // Компоненты и технологии. 2010. - №6. - С. 132-137.

61. Верхопятницкий П.Д., Латинский B.C. Справочник по модульному конструированию радиоэлектронной аппаратуры // Л.: Судостроение. 1983. -С. 141-144.

62. Преснухин Л.Н., Шахнов В.А., Кустов В.А. Основы конструирования микроэлектронных вычислительных машин // Учебное пособие для ВТУЗов. -М.: Высшая школа. 1976. - С. 65-71.

63. Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы // Учебное пособие для ВУЗов. М.: Энергоатомиздат. - 1983. - С. 255-257.

64. Электронная компонентная база специального назначения // Каталог ОАО «Интеграл». Минск: ОАО «Интеграл». - 2011. - 664 с.

65. Atmel microcontrollers // http://www.atmel.com/products/ microcontrollers/avr/ default.aspx.

66. Standard Logic ICs including Switches, Translation, PC, Interface, Little Logic, Gates, Inverters, Flip-Flops, and FIFOs // http://www.ti.com/ lsds/ti/logic/homeoverview.page.

67. Microcontrollers for Ultra-Low Power, High-Performance Real-Time Control and ARM-based Embedded Design Solutions // http://www.ti.com/lsds/ti/ microcontroller/home.page.

68. Embedded Processors // http://www.ti.com/lsds/ti/dsp/embedded processor.page.

69. ON Semiconductor supplies ECLinPS Lite™ differential clock and logic devices // http://www.onsemi.ru.com/PowerSolutions/taxonomy.

70. Johnston A., Swift G., Miyahira Т., Edmonds L. A model for Single Event Transients in Comparators // IEEE Transaction on Nuclear Science. 2000. -Vol. NS-47. - №6. - PP. 2624-2633.

71. Poivey C. Single Event Transients in LM139 comparators // NASA-GSFC test report. 2000.

72. Savage M.W. Heavy Ion Analog SET Test of LM111 and LM124 // NAVSEA CRANE test report. 2001.

73. Chumakov A., Tverskoy М. Estimation of ion- and proton-induced SEU rate by two values of saturation cross section // 6th European Conference. RADECS 2001. Radiation and Its Effects on Components and Systems. Grenoble, France. -2001.

74. Yanenko A., Chumakov A., Artamonov A., Demidov A., Pomazan Y. Proton-induced SEU experimental technique // III International Workshop «Space125

75. Radiation Environment Modelling: New Phenomena and Approaches». Abstracts. -Moscow. 1997.-PP. 4-29.

76. Яненко А.В., Калашников О.А., Чумаков A.M. Исследование эффекта одиночных сбоев в БИС ОЗУ при облучении протонами 1 ГэВ // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сборник научных трудов. М.:МИФИ. - 2000. -С. 203-208.

77. Чумаков А.И., Егоров A.H., Маврицкий О.Б., Яненко А.В. Возможности использования локального лазерного излучения для моделирования эффектов от воздействия отдельных ядерных частиц в ИС // Микроэлектроника. 2004. - Т.ЗЗ. - №2. - С. 128-133.