Лазерные методы оценки стойкости КМОП БИС к тиристорным эффектам при воздействии отдельных ядерных частиц тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Печенкин, Александр Александрович

• Печенкин, Александр Александрович
• кандидат технических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат технических наук Печенкин, Александр Александрович

Глава 1 Эффекты в КМОП БИС при воздействии отдельных заряженных частиц и методы их исследований

1.1. Локальные радиационные эффекты в КМОП БИС

1.2. Особенности возникновения тиристорных эффектов в КМОП

БИС при воздействии ОЯЧ

1.3. Существующие методы и средства исследований тиристорных эффектов в КМОП БИС

Глава 2 Метод на основе сфокусированного лазерного воздействия

2.1. Физические основы метода на основе сфокусированного лазерного воздействия

2.2. Требования к лазерному воздействию для моделирования тиристорных эффектов от воздействия ОЯЧ

2.3. Методика исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС с использованием сфокусированного лазерного воздействия

2.4. Экспериментальные исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС с применением сфокусированного лазерного воздействия

Глава 3 Метод на основе локального лазерного воздействия

3.1. Локальное лазерное воздействие

3.2. Модель чувствительной области

3.3. Ионизационная реакция при локальном лазерном воздействии

3.4. Параметры чувствительности

3.5. Методика исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС с использованием локального лазерного воздействия

3.6 Сравнение результатов исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС с использованием локального лазерного воздействия и ускорителей протонов и ионов

Глава 4 Аппаратно-программные и технические средства для исследования тиристорных эффектов методами на основе лазерного воздействия

4.1. Лабораторные лазерные комплексы

4.2. Вспомогательные технические средства для исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС

4.3. Автоматизация процесса исследования тиристорного эффекта в КМОП БИС методами на основе лазерного воздействия

4.4. Дополнительные возможности методов лазерного воздействия для исследования тиристорного эффекта в КМОП БИС

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Лазерные методы оценки стойкости КМОП БИС к тиристорным эффектам при воздействии отдельных ядерных частиц»

Диссертация направлена на решение важной научно-технической задачи по развитию методов и средств оценки чувствительности КМОП БИС к тиристорным эффектам от воздействия отдельных заряженных частиц (ОЯЧ) космического пространства с использованием методик лазерного воздействия, имеющей существенное значение для оценки, прогнозирования и обеспечения радиационной стойкости электронных устройств вычислительной техники и систем управления космического назначения.

Актуальность темы диссертации

Проблема повышения сроков активного существования космических аппаратов при воздействии радиационных факторов космического пространства является крайне актуальной в связи с широким применением высокоинтегриро-ванных изделий микроэлектроники в бортовой аппаратуре космических аппаратов^,2]. Вместе с тем, применение КМОП БИС с субмикронными проектными нормами приводит к возможности возникновения в них тиристорных эффектов [3] в полях воздействия ОЯЧ (тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) и вы-сокоэнергетичных протонов (ВЭП) космического пространства (КП)) [4]. Применение радиационно-стойких БИС, позволяет решить задачу по обеспечению стойкости электронной аппаратуры к тиристорным эффектам, но ограниченная функциональная номенклатура подобных изделий не позволяет обеспечить требуемые технические характеристики космических аппаратов. Этот факт вынуждает разработчиков электронной аппаратуры применять высокоинтегриро-ванные изделия микроэлектроники, изготовленные по субмикронной объемной КМОП технологии, которые потенциально уязвимы, так как имеют низкие пороги возникновения тиристорных эффектов при воздействии ОЯЧ [5]. Тенденция к уменьшению технологических размеров современных БИС приводит к тому, что локальные эффекты от воздействия ОЯЧ выходят на передний план, по сравнению с эффектами поглощенной дозы. Таким образом, крайне актуальной является задача по разработке методов оценки чувствительности КМОП

БИС к тиристорным эффектам от воздействия ОЯЧ КП и реализации эффективных методов их парирования в электронной аппаратуре в случае их возникновения.

Существующие в России различные методы и средства оценки стойкости элементной базы к факторам космического пространства не способны в полной мере удовлетворить возрастающие потребности по испытаниям КМОП БИС отечественного и иностранного производства. Так, ускорители ионов, наиболее адекватно моделирующие воздействие заряженных частиц, не способны обеспечить испытания БИС, покрытых защитными компаундами, или БИС с «перевернутыми» кристаллами (технология Flip-chip) [6]. Это связано с недостаточной длиной пробега ионов, которая в реальной практике испытаний не превышает 100 мкм [7]. Также к существенным недостаткам испытаний на ускорителях ионов следует отнести высокую стоимость и «сессионный» режим работы, который существенно увеличивает сроки проведения испытаний.

Ускорители протонов хотя и обладают большой, по сравнению с ионами, проникающей способностью, при этом не позволяют моделировать воздействие частиц космического пространства с величиной линейных потерь энергии более 14 МэВ'см2/мг.[8]

Разработка и широкое применение методик испытаний на чувствительность к тиристорным эффектам с помощью лазерного воздействия позволяет снять ряд ограничений, а также разработать принципиально новые возможности при проведении испытаний.

Состояние исследований по проблеме.

Значительное количество отечественных и зарубежных исследований (д.т.н. Скоробогатов П.К., д.т.н. Никифоров А.Ю., к.т.н. Раткин А.В., к.т.н. Ахабаев Б,A., A.Jonston и др.) было посвящено вопросам моделирования, прогнозирования и оценке стойкости КМОП БИС по тиристорным эффектам при воздействии импульсного ионизирующего излучения, в том числе с помощью лазерного воздействия. Однако из-за наличия эффектов «просадки» питания распространить эти результаты для моделирования тиристорных эффектов от воздействия ОЯЧ не представляется возможным.

Изучением тиристорных эффектов от воздействия ОЯЧ за рубежом начали активно заниматься более 20 лет назад, особенно после того, как было потеряно несколько космических аппаратов из-за перегорания источников питания вследствие возникновения тиристорного эффекта в КМОП ОЗУ NEC64 [1]. В России, к сожалению, этим вопросам уделялось малое внимание, вследствие чего именно возникновение локальных радиационных эффектов могло привести к потере ряда отечественных космических аппаратов.

Вопросам моделирования эффектов от воздействия ОЯЧ с помощью сфокусированного лазерного воздействия были посвящены многочисленные работы зарубежных авторов: S.Buecher, P.Fouillât, V.Pouget, D.McMorrow, F. Miller и многих других специалистов [9-14]. В России исследованиям возможности применения сфокусированного лазерного излучения также был посвящен ряд работ д.т.н. А.И. Чумакова, А.Н. Егорова, О.Б. Маврицкого, к.т.н. A.B. Яненко (МИФИ) [15-18]. Также этими авторами была показана принципиальная возможность применения лазерного облучения для имитации локальных радиационных эффектов в работах [19,20]. Однако вопросы по выбору оптимальных характеристик лазерного излучения, получения количественных оценок и т.п. остались открытыми.

Как российские, так и зарубежные исследователи столкнулись с проблемой количественного учета потерь лазерного излучения на оптических неодно-родностях, таких как слои металлизации и поликремния. Отсутствие решений данной проблемы привело к невозможности оценки линейных потерь энергии по результатам лазерного воздействия. Попытка проведения сравнительных исследований различными зарубежными авторами с использованием ускорителей ионов приводила к различающимся в несколько раз коэффициентам пропорциональности между энергией лазерного излучения и линейными потерями энергии [21]. Этот факт связан как с различными параметрами лазерного излучения установок, использованных авторами, так и с различной технологией изготовления БИС, участвующих в сравнительных исследованиях. В России подобные работы проводились в основном в МИФИ, при этом в качестве объектов экспериментальных исследований использовались БИС отечественного производства, выполненные по проектным нормам более 1 мкм с одним слоем металлизации [15,17,22]. Это затрудняло распространение полученных закономерностей на современные БИС, выполненные по субмикронным проектным нормам с наличием нескольких слоев металлизации.

Таким образом, имеющиеся в России на момент начала работы научно-методические и технические средства не позволяли осуществлять практическое использование лазерного излучения для исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС методами сфокусированного и локального лазерных воздействий.

К началу диссертационной работы возникла необходимость в обобщении и систематизации данных, накопленных как в России, так и за рубежом, и разработке методов исследований, методик, средств и рекомендаций по применению лазерного излучения для оценки параметров чувствительности КМОП БИС в части тиристорных эффектов от воздействия ОЯЧ.

Целью является развитие методов и технических средств исследования и оценки параметров чувствительности КМОП БИС к тиристорным эффектам от воздействии ОЯЧ космического пространства с использованием сфокусированного и локального лазерных облучений, позволяющих провести количественную оценку параметров чувствительности КМОП БИС к тиристорным эффектам при воздействии отдельных ядерных частиц.

Указанная цель достигается решением в работе следующих задач:

- анализ существующих методических и технических средств исследований тиристорных эффектов в КМОП БИС;

- моделирование ионизационной реакции в полупроводниковых структурах при воздействии сфокусированного и локального лазерных воздействий;

- разработка методики оценки коэффициента оптических потерь из анализа экспериментального отклика ионизационной реакции в цепи питания при локальном облучении части кристалла БИС;

- разработка расчетно-экспериментальных методов оценки параметров чувствительности КМОП БИС к воздействию ОЯЧ в части тиристорных эффектов по результатам облучения сфокусированным и локальным лазерными воздействиями;

- создание новых и совершенствование существующих методических и технических средств испытаний КМОП БИС на стойкость к факторам космического пространства на основе лазерного воздействия;

- получение и систематизации экспериментальных данных.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложены и обоснованы оптимальные характеристики лазерного излучения для исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС;

2. Разработана модель по оценке пороговой энергии лазерного излучения в современных КМОП БИС, основанная на представлении чувствительной области в виде прямоугольника, позволяющая учитывать конечные размеры чувствительной области и определять пороговую энергию остросфокусированного лазерного излучения даже в случае наличия многослойной металлизации над чувствительной областью в КМОП БИС.

3. Предложена и обоснована методика экспериментальных исследований тиристорных эффектов в КМОП БИС с помощью локального лазерного воздействия, отличающаяся от существующих тем, что для поиска чувствительных областей используется локальное облучение с диаметром оптического пятна 20. 50 мкм, и позволяющая учитывать влияние многослойной металлизации в современных КМОП БИС.

4. Предложена и обоснована расчетно-экспериментальная методика оценки количественных параметров чувствительности КМОП БИС к воздействию ОЯЧ в части тиристорных эффектов по результатам локального лазерного воздействия, отличающаяся от существующих тем, что для оценки коэффициента пропорциональности между энергией лазерного излучения и линейными потерями энергии используются параметры ионизационной реакции в цепи питания в той же области, где и был обнаружен тиристорный эффект.

5. Разработаны автоматизированные прецизионные средства перемещения и фиксации объектов исследований в составе уникального специализированного лабораторного лазерного комплекса, не имеющего аналогов в России, обеспечивающего возможность исследования тиристорных эффектов в широкой номенклатуре КМОП БИС, отличающийся от существующих зарубежных аналогов возможностью сканирования всей поверхности кристалла БИС локальным оптическим воздействием заданного диаметра с точностью позиционирования 0,1 мкм.

Практическая значимость работы:

1. Развиты существующие методические и созданы новые технические средства, обеспечивающие возможность проведения испытаний на стойкость КМОП БИС к тиристорным эффектам на лазерных установках.

2. Получены оригинальные результаты экспериментальных исследований тиристорных эффектов для более 50 типов КМОП БИС, используемых в электронной аппаратуре космических аппаратов.

3. Результаты диссертации внедрены в ОАО «ЭНПО СПЭЛС» при радиационных испытаниях отечественных и зарубежных КМОП БИС, комплектующих бортовую аппаратуру, на стойкость к факторам космического пространства в аппаратуре изделий 14Ф137, 14Ф142, 14Ф148, 14В120, ЛТ150, ЛУЧ-5А и других.

4. Разработаны при участии автора лазерные комплексы «Радон-9Ф» и «ПИКО-3» на основе сфокусированного и локального лазерных излучений на-носекундной и пикосекундной длительностей, которые успешно используются при проведении испытаний КМОП БИС на стойкость к воздействию ОЯЧ по тиристорным эффектам. На экспериментальный комплекс «ПИКО-3» получен патент на полезную модель №110488, зарегистрированный в Государственном реестре полезных моделей Российской Федерации 20 ноября 2011 г.

5. Результаты диссертации вошли в отчетные материалы по НИР и составным частям ОКР («Абонемент», «БИВК-СВВ», «Джут», «Микро-Д», «Перспектива - 2 СПЭЛС», «Сверло С2» и др.), выполняемых в интересах Минобороны РФ, Росатома и предприятий оборонного комплекса.

6. Результаты диссертации использованы в РД В 319.03.58-2010 «Методы испытаний и оценки стойкости интегральных схем и мощных МДП-транзисторов по эффектам отказов от воздействия отдельных высокоэнергетич-ных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства» и в «Методические указания по обеспечению стойкости бортовой аппаратуры изделий разработки ФГУП ГНПРКЦ «ЦСКБ-Прогресс» к воздействию тяжелых заряженных частиц и высокоэнергетичных протонов космического пространства».

Результаты, выносимые на защиту:

1. Методы сфокусированного и локального лазерных воздействий для оценки чувствительности КМОП БИС к тиристорным эффектам при воздействии отдельных ядерных частиц, основанные на способности лазерного излучения ионизовать полупроводниковые структуры и позволяющие проводить количественную оценку параметров чувствительности КМОП БИС.

2. Требования к характеристикам лазерного излучения для исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС, обеспечивающие получение количественных значений параметров чувствительности КМОП БИС при воздействии отдельных ядерных частиц.

3. Математическая модель по оценке параметров чувствительности КМОП БИС к тиристорному эффекту, основанная на представлении чувствительной области в виде прямоугольника, позволяющая получить энергию лазерного излучения, приведенную к остросфокусированному значению.

4. Модель оценки доли лазерного излучения, достигающей активных приборных слоев БИС, основанная на анализе экспериментального отклика ионизационной реакции в цепи питания при локальном облучении части кристалла БИС, позволяющая количественно оценить оптические потери, вносимые многослойной металлизацией в современных КМОП БИС.

5. Методики экспериментальных исследований и расчетно-экспериментальной оценки параметров чувствительности КМОП БИС к воздействию отдельных ядерных частиц по тиристорным эффектам с помощью сфокусированного и локального лазерных воздействий, позволяющие в 2.3 раза повысить информативность, снизить стоимость и сроки проведения исследований.

6. Средства прецизионного перемещения и фиксации объектов исследований в составе уникального специализированного лабораторного лазерного комплекса, обеспечивающего возможность исследования тиристорных эффектов, не имеющего аналогов в России, отличающегося от существующих зарубежных аналогов возможностью сканирования всей поверхности кристалла БИС локальным оптическим воздействием заданного диаметра с точностью позиционирования 0,1 мкм.

7. Оригинальные результаты испытаний на стойкость КМОП БИС к тиристорному эффекту при воздействии ОЯЧ, которые использовались разработчиками при проектировании отказоустойчивой электронной аппаратуры космических аппаратов.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на Российских научных конференциях: «Радиационная стойкость электронных систем» (Лыткарино, 2007.2011 гг.), «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем», (ИППМ РАН, Истра, 2008, 2010 гг.), «Электроника, микро- и наноэлектроника» (2007, 2009); «Электронная компонентная база космических систем» (Сочи 2010, 2011), «Сертификация ЭКБ

2011» (С.-Петербург), научных сессиях МИФИ (Москва, 2006, 2008, 2009, 2012 гг.), на международном семинаре ЯАБЬА8 (Франция, Париж, 2011) и на международной конференции ЯАОЕС8-2011 (Испания, 2011).

Публикации: Основные результаты диссертации опубликованы в 33 работах (в период с 2006 по 2011 гг.), в том числе 8 - в реферируемых изданиях, рекомендованных ВАК, и 1 - без соавторов.

Объем и структура диссертации. Диссертация содержит 126 страниц, в том числе 51 рисунок, 12 таблиц, список литературы из 182 наименований и состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Печенкин, Александр Александрович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основным результатом диссертации являлось решение важной научно-технической задачи по развитию методов и средств оценки чувствительности КМОП БИС к тиристорным эффектам от воздействия отдельных заряженных частиц (ОЯЧ) космического пространства с использованием методик лазерного воздействия, имеющей существенное значение для оценки, прогнозирования и обеспечения радиационной стойкости электронных устройств вычислительной техники и систем управления космического назначения.

Проведенный обобщенный анализ проблемной ситуации позволил констатировать отсутствие к началу диссертационной работы методов и средств исследования тиристорных эффектов, в полной мере удовлетворяющих возрастающим потребностям по испытаниям КМОП БИС отечественного и иностранного производства. Поэтому целью диссертации являлось развитие методов и технических средств исследования и оценки параметров чувствительности КМОП БИС к тиристорным эффектам от воздействия ОЯЧ космического пространства с использованием сфокусированного и локального лазерных облучений, позволяющих провести количественную оценку параметров чувствительности КМОП БИС к тиристорным эффектам при воздействии отдельных ядерных частиц.

Основные научные результаты диссертации заключаются в следующем:

1. Предложены и обоснованы оптимальные характеристики лазерного излучения для исследования тиристорных эффектов в КМОП БИС.

2. Разработана модель по оценке пороговой энергии лазерного излучения в современных КМОП БИС, основанная на представлении чувствительной области в виде прямоугольника, позволяющая учитывать конечные размеры чувствительной области и определять пороговую энергию остросфокусированного лазерного излучения даже в случае наличия многослойной металлизации над чувствительной областью в КМОП БИС.

3. Предложена и обоснована методика экспериментальных исследований тиристорных эффектов в КМОП БИС с помощью локального лазерного воздействия, отличающаяся от существующих тем, что для поиска чувствительных областей используется локальное облучение с диаметром оптического пятна 20.50 мкм, и позволяющая учитывать влияние многослойной металлизации в современных КМОП БИС.

4. Предложена и обоснована расчетно-экспериментальная методика оценки количественных параметров чувствительности КМОП БИС к воздействию ОЯЧ в части тиристорных эффектов по результатам локального лазерного воздействия, отличающаяся от существующих тем, что для оценки коэффициента пропорциональности между энергией лазерного излучения и линейными потерями энергии используются параметры ионизационной реакции в цепи питания в той же области, где и был обнаружен тиристорный эффект.

5. Разработаны автоматизированные прецизионные средства перемещения и фиксации объектов исследований в составе уникального специализированного лабораторного лазерного комплекса, не имеющего аналогов в России, обеспечивающего возможность исследования тиристорных эффектов в широкой номенклатуре КМОП БИС, отличающийся от существующих зарубежных аналогов возможностью сканирования всей поверхности кристалла БИС локальным оптическим воздействием заданного диаметра с точностью позиционирования 0.1 мкм.

Основной практический результат диссертации заключается в разработке аппаратно-программных средств и методик для исследований тиристорных эффектов в КМОП БИС с использованием сфокусированного и локального лазерных воздействий. Разработанные методические и технические средства обеспечивают проведение всесторонних исследований тиристорных эффектов в КМОП БИС и внедрены в ОАО «ЭНПО СПЭЛС» при проведении испытаний на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц космического пространства.

Частные практические результаты работы и их реализация:

1. Развиты существующие методические и созданы новые технические средства, обеспечивающие возможность проведения испытаний на стойкость КМОП БИС к тиристорным эффектам на лазерных установках.

2. Получены оригинальные результаты экспериментальных исследований тиристорных эффектов для более 50 типов КМОП БИС, используемых в электронной аппаратуре космических аппаратов.

3. Результаты диссертации внедрены в ОАО «ЭНПО СПЭЛС» при радиационных испытаниях отечественных и зарубежных КМОП БИС, комплектующих бортовую аппаратуру, на стойкость к факторам космического пространства в аппаратуре изделий 14Ф137, 14Ф142, 14Ф148Д4В120, ЛТ150, ЛУЧ-5А и других.

4. Разработаны при участии автора лазерные комплексы «Радон-9Ф» и «ПИКО-3» на основе сфокусированного и локального лазерных излучений на-носекундной и пикосекундной длительностей, которые успешно используются при проведении испытаний КМОП БИС на стойкость к воздействию ОЯЧ по тиристорным эффектам. На экспериментальный комплекс «ПИКО-3» получен патент на полезную модель №110488, зарегистрированный в Государственном реестре полезных моделей Российской Федерации 20 ноября 2011 г.

5. Результаты диссертации вошли в отчетные материалы по НИР и составным частям ОКР («Абонемент», «БИВК-СВВ», «Джут», «Микро-Д», «Перспектива - 2 СПЭЛС», «Сверло С2» и др.), выполняемых в интересах Минобороны РФ, Росатома и предприятий оборонного комплекса.

6. Результаты диссертации использованы в РД В 319.03.58-2010 «Методы испытаний и оценки стойкости интегральных схем и мощных МДП-транзисторов по эффектам отказов от воздействия отдельных высокоэнергетич-ных тяжелых заряженных частиц и протонов космического пространства» и в «Методические указания по обеспечению стойкости бортовой аппаратуры изделий разработки ФГУП ГНПРКЦ «ЦСКБ-Прогресс» к воздействию тяжелых заряженных частиц и высокоэнергетичных протонов космического пространства».

Таким образом, в ходе работы над диссертацией достигнута ее основная цель, а именно развиты методы и технические средства исследования и оценки параметров чувствительности КМОП ИС к тиристорным эффектам от воздействия ОЯЧ с использованием сфокусированного и локального лазерных облучений.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Печенкин, Александр Александрович, 2012 год

1. Проблемы обеспечения высоких сроков активного существования РЭА спутников связи / Анашин B.C. / Электросвязь, №4 2009, с. 19-22.

2. Single event latchup in a deep submicron CMOS technology / John M. Hutson // Dissertation of the requirements for the degree of DOCTOR OF PHILOSOPHY in electrical engineering, Vanderbilt University, 2008, Nashville, TN

3. Single-event effects in systems using commercial electronics in harsh environments / Normand E. // IEEE Nuclear and Space Radiation Effects. Short Course. Radiation effects in commercial electronics, 1996, Tucson, Arizona, pp. V-l-V-77.

4. Decapsulation method for flip chips with ceramics in microelectronic packaging / Shih T.I., Duh J.G. //Journal of ELECTRONIC MATERIALS, Vol. 37, No. 6, 2008, pp. 845-851

5. SRIM The Stopping and Range of Ions in Matter / Ziegler J. F., Biersack J.P., Ziegler M.D. // Ion Implantation Press, 2008.

6. Исследование эффекта одиночных сбоев в БИС ОЗУ при облучении протонами 1 ГэВ / Яненко А.В., Калашников О.А., Чумаков А.И. // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научных трудов. М.:МИФИ, 2000, с.203-208

7. Correlation of Picosecond Laser-Induced Latchup in CMOS Test Structures / Moss S.C., Lalumondiere S.D., Scarpulla J.R., MacWillams K.P., Crain W.R., Koga R. // IEEE Trans. On Nuclear Science, Vol.42, No.6, Dec. 1995, pp. 19481956.

8. Picosecond Lasers for Single-Event Effects Testing / Moss S., LaLumondiere S. // Crosslink, summer 2003, Vol.4, No. 2, pp. 20-25.

9. Laser Simulation of Single Event Effects in Pulse Width Modulators / Chugg A., Jones R., Moutrie M., et.al.// IEEE Trans. Nucl. Sci., 2005, Vol 52, No 6, pp. 2487-2494.

10. Fundamentals of the Pulsed Laser Technique for Single-Event Upset Testing. / Fouillat P., Pouget V., McMorrow D., Darracq F., Buchner S., Lewis D. // Radiation Effects on Embedded Systems, 2007, Springer, p.121-141.

11. The mechanism for SEU simulation by pulsed laser / Huang Jianguo, Han Jianwei // Science in China Ser. G Phisics, Mechanics&Astronomy, 2004 Vol.47 №5, p.540-549.

12. Utilisation of Pulsed Laser for SEE Testing Study at Two Wavelengths / Jones R., Chugg M. // European Space Agency Contract Report ESA QCAO10801 SC, 2001, 49 p.

13. Laser Technique of single event latchup threshold estimation / Chumakov A.I., Egorov A.N., Yanenko A.V., Artamonov A.S., et.al. // Proceedings of the Fourth Workshop on Electronics for LHC Experiments, Rome, 1998, pp.471-475.

14. Моделирование эффекта "просадки" питания в ИС при воздействии импульса ионизирующего излучения /Чумаков А.И. // Микроэлектроника 2006, Т. 35, № 3, с. 184-190.

15. Local Laser Irradiation Technique for Estimating Single Event Effects Sensitivity / Chumakov A.I., Yanenko A.V., Egorov A.N., Mavritsky O.B. // Proceedings the 9th Workshop on Electronics for LHC Experiments. -Amsterdam, 2003.

16. Fundamentals of laser SEE testing and recent trends/ Pouget V. // Radiation Analysis Laser Facilities Day. RADECS 2009, September 2009, Suresnes, France.

17. Field testing for cosmic ray soft errors in semiconductor memories / О'Gorman T.J., Ross J.M., Taber A.H., Ziegler J.F. et al. // IBM I. RES. DEVELOP., Vol. 40, No. 1, January 1996, pp 41-51.

18. Effect of Cosmic Rays on Computer Memories / Ziegler J.F. and Lanford W.A. // Science 206, 1979, pp. 776-788.

19. Single Event Transient (SET) Response of National Semiconductor's ELDRS-Free LM139 Quad Comparator / Kruckmeyer K., Buchner S., DasGupta S. // Radiation Effects Data Workshop, 2009, IEEE, pp. 65-70.

20. Characterization of Single Event Effects for AD677, 16bit AD converter / Wilson D.J., Dom D.A. // IEEE Rad. Effects Data Workshop, 1994, pp.78-85.

21. SEE tests for commercial off-the-shelf DSPs to be used in a space experiment/ Menichelli, M. Alpat, B. Battiston, R. et al. //Radiation effects data workshop, 2001 IEEE, pp. 51-56.

22. The Variability of Single Event Upset Rates in the Natural Environment / Adams J. H. // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1983, NS-30, p. 4475.

23. Effect of CMOS Miniaturization on Cosmic-Ray Induced Error Rate / Pickel J. C. // IEEE Trans. Nucl. Sei., 1982, NS-29,6, p. 2049.

24. Soft Errors in Modern Electronic System / Nicolaidis Ed. M. // 2011, Springer, XVIII, p. 368.

25. Радиационные эффекты в КМОП ИС/ Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. // Радио и связь, 1994, 164 с.

26. Действие космической радиации на интегральные схемы / Чумаков А.И. // М.: Радио и связь, 2004, 320 с.

27. Single Event Phenomena / Messenger G.C., Ash M.S. // N.Y.:Chapman&Hall, 1997, 368 p.

28. Latent Damage From Single-Event Latchup / Becker Heidi N., Miyahira Tetsuo F. and Johnston Allan H. // Jet Propulsion Laboratory California Institute of Technology, 2002 Single Event Effects Symposium.

29. Методы и средства исследования радиационных эффектов в интегральных схемах запоминающих устройств с использованием локального воздействия / Яненко A.B. // Диссертация на соиск. Уч. Ст. к.т.н. -М.:МИФИ, 2009.

30. Numerical Modelling of Mechanisms Involved in Latchup Triggering by a Laser Beam / Fouillat P., Lapuyade H., Touboul A., Dom J.P., Gaillard R. // Proc. Of RADECS-95, September 18-22, 1995, Arcachon, France, pp.379-386.

31. Application of a Pulsed Laser for Evaluation and Optimization of SEU Hard Designs / McMorrow D., et.al // IEEE Transactions on nuclear Science, 2000, Vol.47, pp. 559-563.

32. Физико-математическое моделирование эффектов от отдельных ядерных частиц в элементах ИС / Чумаков А.И., Яненко A.B., Сыцько Ю.И., Артамонов A.C. и др. // Инженерная Физика, 1999, №2, с.68-72.

33. A chip-level modeling approach for rail span collapse and survivability analyses / Mavis D., Alexander D., Dinger G. // IEEE Trans. Nucl. Sci., 1989, Vol 36, No 6, pp. 2239-2246.

34. Возможности использования локального лазерного излучения для моделирования эффектов от воздействия отдельных ядерных частиц в ИС / Чумаков А.И., Егоров А.Н., Маврицкий О.Б., Яненко А.В. // Микроэлектроника, 2004, том 33, №2, с.137-142

35. General Framework for Single Event Effects Rate Prediction in Microelectronics / Weller R.A, Reed R.A., et.al // IEEE Transactions on nuclear Science, 2009, Vol.56, No 6, pp. 3098-3108.

36. Monte Carlo Simulation of Single Event Effects / Weller R.A., Mendenhall M.H., et.al // IEEE Transactions on nuclear Science, 2010, Vol.57, No 4, pp. 1726-1746.

37. Физические основы лазерного имитационного моделирования объемных ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах и ИС: линейная модель/ Никифоров А.Ю. Скоробогатов П.К.// Микроэлектроника, 2004, Т. 33, №2, с. 91-107.

38. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы контроля радиационной стойкости на этапах разработки, производства и поставки. Общие методики имитационных испытании. //РДВ 319.03.22-97 . М.: 22 ЦНИИИ МО, 1997, 32с.

39. Влияние статистических факторов на достоверность оценки сечения насыщения по тиристорному эффекту / Печенкин А.А. // Научная сессия НИЯУ МИФИ-2010 Аннотации докладов. В 3 т. Т. 1. М.: НИЯУ МИФИ, 2010, с. 148.

40. Application of the atomic force microscope to integrated circuit reliability and failure analysis / Rodgers M.R // Reliability Physics Symposium, 1991, 29th Annual Proceedings., International, pp. 250-254.

41. A practical guide to scanning probe microscopy / Howland R., Benatar L. // ThermoMicroscopes, 2000, p. 80.

42. Методы и средства моделирования доминирующих радиационных эффектов в интегральных схемах при воздействии высокоэнергетичных ядерных частиц / Чумаков А.И. // Диссертация на соискание ученой степени доктора техн. Наук, 1998, 270 с.

43. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах / Вавилов B.C., Ухин Н.А. // М.:Атомиздат, 1969, 312 с.

44. The effects of radiation on electronic systems / Messenger G.S., Milton S.A. // N.Y.: Van Nostrand Reinhold Company, 1986, 577 p.

45. Ionizing radiation effects in MOS devices and circuits / Ma T.P., Dressendorfer P.V. //N.Y.: John Wiley and Sons, 1989. 588 p.

46. Handbook of Radiation Effects / Holmes-Siedle A., Adams L. // N.Y.: Oxford Unifersity Press, 1993. 479 p.

47. Выбор радиационных условий и оценка уровня одиночных сбоев в электронике космических аппаратов / Кузнецов Н.В., Лобаков А.П. // Радиационная стойкость электронных систе, «Стойкость-99», Научно-технический сборник. Вып.2, М. СПЭЛС, 1999, с.25-26.

48. Review of Accelerated Testing of SRAMs and DRAMs / Ziegler J. F. // RADECS 2001 SHORT COURSE Earth and Space Single-Events. Grenoble, 2001, pp. III.1-III.16

49. Взаимодействие высокоэнергетических частиц и атомных ядер с ядрами / Барашенков B.C., Тонеев В.Д. // М.: Атомиздат, 1972. 648 с.

50. Microvolume Energy Deposition from High Energy Proton-Silicon Reactions / Bredford J.N. // IEEE Trans. On Nucl.Sci, 1982, V.NS-29, No 6, p.2085-2089.

51. Single-event analysis and prediction / Petersen E.D. // IEEE NSREC. Short Course: "Applying Computer Simulation Tools to Radiation Effects Problems", July 21, 1997 Snowmass Conference Center, Snowmass Village, Colorado, pp. III-1-III-160.

52. Nuclear Models for Proton Induced Upsets: a Critical Comparison / Akkerman A., Barak J., Lifshitz Y. // IEEE Trans. On Nucl. Sci., vol. 49, no. 3, June, 2002, pp. 1539-1546.

53. Радиационные эффекты в кремнии / Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. // Киев: Наукова думка, 1974. 200 с.

54. Вопросы радиационной технологии полупроводников / Смирнов JI.C. // Новосибирск: Наука, 1984. 374 с.

55. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием / Коноплева Р.Ф., Остроумов В.Н. // М.:Атомиздат, 1975. 127с.

56. IC's Radiation Effects Modeling and Estimation / Belyakov V.V., Chumakov

57. A.I., Nikiforov A.Y., Pershenkov V.S., Skorobogatov P.K., Sogoyan A.V. // Microelectronics Reliability, 2000, v.40, №12, p.1997-2018.

58. Расчетно-экспериментальные методы прогнозирования эффектов одиночных сбоев в элементах современной микроэлектроники / Беляков

59. B.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю., Першенков B.C., Скоробогатов П.К., Согоян А.В. // Микроэлектроника, 2003, том 32, № 2, с. 134-151.

60. Silicon Amnesia Terrestrial Effects / Baumann R.C // RADECS 2001 SHORT COURSE Earth and Space Single-Events. Grenoble, 2001. P. 1.1 -III.54

61. Актуальные проблемы моделирования радиационных эффектов в изделиях микроэлектроники при воздействии факторов космического пространства / Чумаков А.И. // Радиационные процессы в электронике. Сборник докладов. М.: МИФИ, 1998, с.20-29.

62. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн.1. / Зи С // Пер с англ. 2-е переработ. И доп. Изд. - М.:МИР, 1984. -456 с.

63. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн.2. / Зи С. / Пер с англ. 2-е переработ. И доп. Изд. -М.:МИР, 1984. -456 с.

64. Лабораторный практикум «Экспериментальные методы радиационных испытаний РЭА". Учебное пособие / Аствацатурьян Е.Р., Зайцев В.Л., Раткин А.В., Скоробогатов П.К., Чумаков А.И. // Под ред. Агаханяна Т.М. М/.МИФИ, 1986, 87 с.

65. Radiation Effects in Semiconductor Devices / Larin F. // N.Y.: John Wiley and Sons, 1968.-287 p.

66. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. //М.:Энергоатомиздат,1989.- 256с.

67. Charge Model Limitation for SEU Predication / Chumakov A.I. // III International Workshop "Space Radiation Environment Modeling: New Phenomena and Approaches": Abstracts. Moscow, 1997. P.4.20.

68. Ограничения имитационных испытаний в поле изотопного источника CF252 / Чумаков А.И., Яненко А.В. // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-99». Научно-технический сборник. Вып.2М. СПЭЛС, 1999, с.119-120.

69. Charge funneling in N- and P-type Si substrates / McLean F.B., Oldnam T.R. // IEEE Transac-tion onNucl. Sci. 1982. - V.NS-29, N 6. -P.2018-2023.

70. Charge collection measurements for heavy ions incident / Oldham T.R., McLean F.B. // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 1983. - V.NS-30, N 6. - P.4493-4500.

71. Device Simulation of Charge Collection and Single-Event Upset / Dodd P. E. // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 1996. V.NS-43, N2. - P.561-575.

72. Laser simulation of single particles effects / Gosset C.A., Hughlock B.W., Jonston A.H // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 1992. - V. NS-39, No6. -P.1647-1652.

73. Modeling diffusion and collection of charge from ionizing radiation in silicon devices / Kirkpatrick S. // IEEE Trans. Electron devices, v. ED-26, 1979, p.1742-1753.

74. Моделирование одиночных сбоев в элементах БИС / Чумаков А.И. // Микроэлектроника. 1988. - Т. 17, вып.5. - С. 459-464.

75. Моделирование дрейфовых процессов собирания носителей с трека отдельной частицы / Елисеев К.Г., Чумаков А.И. //Электронные приборы и устройства для экспериментальной физики, Под ред. Т.М.Агаханяна. -М.:Энергоатомиздат, 1992. С.22-28.

76. Оценка заряда, собранного элементом ИС с трека отдельной частицы за счет диффузионно-дрейфовых механизмов / Чумаков А.И. // VI межотраслевой семинар «Радиационные процессы в электронике»: Тезисы докладов. -М.: МИФИ, 1994. С.39-40.

77. Оценка заряда, собранного с трека отдельной ядерной частицы за счет дрейфовых процессов / Чумаков А.И. //Микроэлектроника. 1991. - Т.20, N4. - С.402-406.

78. Lateral charge transport from heavy-ion tracks in integrated circuit chips / Zoutendyk J.A., Schwartz H.R., Nevill L.R. // IEEE Trans. On Nucl. Sci, 1988. V.NS-35, N6. P. 1644-1647.

79. Однопараметрическая модель одиночных сбоев / Чумаков А.И. // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2003». Научно-технический сборник. Вып.6 М. СПЭЛС, 2003, стр. 99-100

80. Single-event effect ground test issues / Koga R. // IEEE Trans. On Nucl. Sci., 1996. V.NS-43, N2. P.661-670

81. Modeling single-event effects in a complex digital devices / Clark K.A. Ross A.A., Loomis H.H., Weatherford T.R., Fouts D J., Buchner S.P., McMorrow D. // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 2003. V.NS-50, N9. - P.2069-2087.

82. Упрощенная методика оценки чувствительности ИС к одиночным сбоям / Чумаков А.И. // Микроэлектроника, т.27, №6, 1998, с.475-479.

83. Correlation of Ion- and Proton-induced Single Event Upsets / Chumakov A.I. // Proceedings of the Fourth Workshop on Electronics for LHC Experiments. -Rome, 21.09-25.09.1998. pp.476-479

84. LET spectra of proton energy levels from 50 to 500 MeV and their effectiveness for single event effects characterization of microelectronics / Hiemstra D.M., Blackmore E.W. // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 2003. V.NS-50, N9. - P.2245-2250.

85. The relationship of proton and heavy ion upset thresholds / Petersen E.L. // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 1992. - V.NS-39, N6. -P.1600-1604.

86. The size of in charge tracks on single event multiple-bit upset / Martin R.C., Ghoniem N.M., Song Y., Cable J.S. // IEEE Trans. On Nucl. Sci., NS-34, 1984, pp. 1305-1310.

87. Heavy Ion and Proton Induced Single Event Transients in Comparators / Nichols D. K., Coss J. R., Miyahira T. F., Schwartz H. R. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 43, 2960 (1996).

88. Расчетно-экспериментальная оценка реакции операционных усилителей на воздействие отдельных ядерных частиц. / Артамонов А.С., Рязанцев С.А., Чумаков А.И. // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научных трудов. М.:МИФИ, 2000, с. 197-202.

89. Методы защиты микросхем от единичных сбоев / Чумаков А.И. // Электроника и автоматизация в научных исследованиях / Под ред. В.М. Рыбина. -М.: Энергоатомиздат, 1988. С.114-115.

90. Single Event Latchup Threshold Estimation Based on Laser Dose Rate Test Results / Chumakov A.I., Nikiforov A.Y., Mavritsky O.B., Egorov A.N., Yanenko A.V. // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 1997. - V.NS-44, No6.

91. A distribution function for ion track lengths in rectangular volumes / Bradford J.N. // J. Appl. Phys. V. 50, #6, 1979, pp. 3799-3801

92. Calculation of LET-spectra of Heavy Cosmic Ray Nuclei at Various Absorber Depths / Heinrich W // Radiation Effects, Vol. 34, 143-8, (1977).

93. Handbook of Optical Constants of Solids / Palik E.D. // San Diego.: АРД997, 668 p.

94. Charge collection from focused picoseconds laser pulses / Buecher S.P.et. al. // IEEE Trans on Nucl.Sci. 1988.- V.NS-35, N6. - P.1517-1522

95. Simulation of space radiation effects in microelectronics parts / Nikiforov A.I., Chumakov A.I. // Effects of space weather on technology infrastructure/Ed. By Dagles L.A. 2004 Kluwer Academic Publishers/ Netherlands. Pp. 165-184.

96. Радиационная физика полупроводников / Винецкий В.Л., Холодарь Г.А // Киев: Наукова думка, 1979. 453 с.

97. Single-event effects rate prediction / Pickel J.C. // IEEE Trans. Nucl. Sei. 43, 483-495 (1996).

98. Ионизационная реакция от отдельных ядерных частиц в комбинационных и аналоговых интегральных схемах / Криницкий A.A., Чумаков А.И. // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научных трудов / Под ред. Стенина В .Я. М.: МИФИ, 2005, с.

99. Моделирование ионизационной реакции элементов ИС при локальном и сфокусированном радиационном воздействиях / Чумаков А.И., Яненко A.B. // Электроника, микро- и наноэлектроника. Сб. научных трудов / Под ред. Стенина В.Я. М.: МИФИ, 2006, с.147-150.

100. Методика локального облучения / Чумаков А.И., Калашников O.A., Яненко A.B. // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2005», науч-тех. Сб. Вып.8. М.: МИФИ, 2005, с. 211-212.

101. Методы оценки частоты эффектов при воздействии отдельных ядерных частиц / Чумаков А.И. // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2005», науч-тех. Сб. Вып.8. -М.:МИФИ, 2005, с.107-108.

102. Single Event Latchup Sensitivity Estimation Technique Based on Local Laser Irradiation / Chumakov A.I., Pechenkin A.A., Egorov A.N., Mavritskii O.B., Baranov S.V., Vasil'ev A.L., Yanenko A.V. // RADECS 2007

103. Оценка неравномерности лазерного излучения при локальном воздействии / Печенкин А.А, Чумаков И.А. // Научно-технический сборник. Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2009». Вып. 12. М.: МИФИ, 2009. - С.139-140.

104. Аппаратно-программная доработка системы ПИКО-3 для автоматической локализации ТЭ / Печенкин A.A., Кольцов Д.О. // Научно-технический сборник. Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2010». Вып. 13.-М.: МИФИ, 2010. С.205-206

105. Автоматизация лазерных имитационных испытаний / Савченков Д.В., Тарараксин A.C., Печенкин A.A. // Научно-технический сборник. Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2011». Вып. 14. М.: МИФИ, 2011. - С.221-222

106. Сравнительное исследование эффектов переходных процессов в стабилизаторах напряжения компенсационного типа / Печенкин A.A., Печенкина Д.В. // Научно-технический сборник. Радиационная стойкость электронных систем. Вып. 14. М.: МИФИ, 2011. - С.69-70

107. Верификация лазерных испытаний ИС на стойкость к воздействию отдельных ядерных частиц с использованием импульсной гамма-установки / Васильев А.Л., Печенкин A.A., Чумаков А.И., Яненко A.B., Артамонов A.C.// «Спецтехника и связь», 2011, №4-5. С. 17-20

108. Проектирование устройств вычислительной техник с учетом радиационных воздействий / Аствацатурьян Е.Р., Голотюк О.Н., Попов Ю.А., Самойлов Ю.В., Скоробогатов П.К. // М.:изд. МИФИ, 1985. -84 с.

109. Experimental study on the single event latchup simulated by a pulse laser / Yang Shiyu, Cao Zhou, Li Danming, Xue Yuxiong, and Tian Ka // Journal of Semiconductors, Vol. 30, No. 6, 2009.

110. Experimental studies of single-event effects induced by heavy ions / J. Liu, M.D. Hou, B.Q. Li, et all. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 164-165, 2000, pp. 973-978

111. Physical mechanisms of single-event effects in advanced microelectronics / Schrimpf. R.D., Weller R.A., Mendenhall M.H., Reed R.A., Massengill L.W. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 261, 2007, pp. 11331136

112. A pulsed nanosecond IR laser diode system to automatically test the Single Event Effects in the laboratory / Alpata В., Battistona R., Bizzarria M., Blaskoa S., et all // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A 485, 2002, pp. 183-187

113. SEE sensitivities of selected advanced flash and first-in-first-out memories / Koga R., Tran V., George J., Crawford K., Crain S., Zakrzewski M., Yu P. // Radiation Effects Data Workshop, 2004 IEEE, pp. 47-53

114. Critical evaluation of the pulsed laser method for single-event effects testing and fundamental studies // Melinger J.S., Buchner S., McMorrow D., Stapor W.J., Weatherford T.R., Campbell A.B., //IEEE Trans. Nucl. Sci., Vol. 41, p. 2574, 1994

115. Laser cross section measurement for the evaluation of single-event effects in integrated circuits / Pouget V., Fouillat P., Lewis D., Lapuyade H., Darracq F., Touboul A. // Microelectronics Reliability, vol. 40, October, 2000.

116. Charge Generation and Collection in p-n Junctions Excited with Pulsed Infrared Lasers / Johnston A.H. //IEEE Trans. Nucl. Sci., 40, p. 1694, 1993

117. Latchup in CMOS Devices from Heavy Ions / Soliman K., Nichols D.K. // IEEE Trans. Nucl. Sci., 30, p. 4514-4519, 1983

118. Investigation of surface-induced latch-up in VLSI CMOS using the laser probe I Quincke J., Dielacher F., Goser K. // Microelectronic Engineering, Volume 7, Issues 2-4, 1987, pp. 371-375

119. The impact of technology scaling on soft error rate performance and limits to the efficacy of error correction / Baumann R. // Electron Devices Meeting, 2002. IEDM '02. Digest. International, pp. 329-332

120. Subbandgap laser-induced single event effects: carrier generation via two-photon absorption I McMorrow D., Lotshaw W. Т., Melinger J. S., Buchner S., Pease R. L. // IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 49, pp. 3002-3008, Dec. 2002.

121. Catastrophic latchup in CMOS analog-to-digital converters / Miyahira T.F., Johnston A.H., Becker H.N., LaLumondiere S.D., Moss S.C. // IEEE Trans. On Nucl. Sci., vol. 48, no. 6, pp. 1833-1840, Dec. 2001.

122. A Study of CMOS Latch-up by Laser Scanning and Voltage Contrast Techniques / Wills K.S., Pilch, C.J., Hyslop A. // Reliability Physics Symposium,. 24th Annual, 1986, pp. 115-119

123. Оптические свойства полупроводников/ Мосс Т. // Москва, Издательство иностранной литературы, 1961, 304 с.

124. Действие излучений на полупроводник / Вавилов B.C. // Москва. Физматгиз, 1963, 264 с.

125. Лазеры ультракоротких импульсов / Крюков П.Г. // Квантовая электроника, 31, №2, 2001, с 95-119

126. Анализ физических моделей явления «защелкивания» в КМОП БИС / Марколенко Ю.К., Латышонок А.Н., Шевцов Н.Н. // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. 1989, Вып. 1(73), С. 13-17

127. Экспериментальное исследование явления "защелкивания" р-п-р-п структур на основе транзисторного эквивалента / Латышонок А.Н., Марколенко Ю.К., Шевцов Н.Н // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1989, Вып. 3 (132), С. 7-10.

128. Радиационно стойкие интегральные схемы. Надежность в космосе и на земле / Юдинцев В. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес научно-технический журнал 5/2007, с. 71-77

129. Космическое материаловедение. Методическое и учебное пособие / Акишин А.И./ Москва: НИИЯФ МГУ, 2007, с. 209.