Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Цаххаев, Фалес Магомедович

• Цаххаев, Фалес Магомедович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Цаххаев, Фалес Магомедович

Введение.

1. Обзор литературы.

1.1. Энергетический спектр и электронные свойства наноструктур.

1.1.1. п- АУЗаьхАз/СаАБ гетероструктура.

1.1.2. Структуры с 8-легированием.

1.2. Полупроводниковые наноструктуры (фундаментальное и прикладное значение).

2. Техника и методика эксперимента.

2.1. Тестовые образцы.

2.2. Криомагнитные системы.

2.3. Особенности измерения кинетических коэффициентов в двумерных электронных системах.

3. Механизмы релаксации 2Г) электронов в селективно-легированной гетероструктуре Л1хСа]хЛ$/СаА8.

3.1. Исходные экспериментальные результаты.

3.2. Модельные представления и расчеты времен релаксации.

3.3. Анализ механизмов релаксации.

3.4. Выводы.

4. Особенности межподзонной релаксации 21) электронов сильнолегированных гетероструктур АЮаАв^уСаАБ.

4.1. Экспериментальные источники информации.

4.2. Анализ наблюдаемых аномалий явлений переноса.

4.3. Обсуждение возможных моделей.

4.4. Выводы.

5. Анизотропия и аномалии низкотемпературного транспорта в 8-(81,8п) легированных наноструктурах на вицинальной грани ЮаАБ матрицы.

5.1. Аномалии кинетических коэффициентов.

5.1.1. Низко- и высокотемпературная логарифмическая 92 проводимость.

5.1.2. Особенности вольт- амперных характеристик.

5.1.3. Отрицательное магнитосопротивление.

5.2. Экспериментальное проявление квантования электронного спектра.

5.2.1. Особенности осцилляций магнитосопротивления.

5.2.2. Проявление квантовых эффектов в спектрах фотолюминесценции.

5.3. Параметры 2D электронов в GaAs(S-Sn) структуре.

5.4. Энергетический спектр электронов.

5.5. Особенности эффектов слабой локализации электронов в GaAs(S-Sn) системе.

5.6. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs»

Одной из наиболее актуальных задач современной физической электроники является создание приборов и устройств, работа которых основана на квантовых свойствах низкоразмерных микрочастиц. Особый интерес вызывает изучение электронного спектра и процессов релаксации двумерных электронов проводимости в условиях высокой концентрации носителей. В прикладном направлении исследования различных механизмов переноса электронов важны для реализации сильноточных сверхбыстрых транзисторов и других составляющих современной элементной базы.

В приборах с высоким уровнем мощности для получения больших токовых значений необходимо одновременно повышать концентрацию п8 и подвижность ц электронов. Однако с увеличением п8 падает подвижность электронов, а при уменьшении концентрации подвижность растет только до определенного предела. Исследования процессов релаксации электронов при больших концентрациях позволяют выявить, какие физические процессы несут ответственность за ограничение подвижности носителей заряда.

Наиболее простой реализацией двумерного электронного газа является п-АЮаАзЛЗгаАз наноструктура. При больших уровнях легирования в низкоразмерной области возникают несколько заполненных уровней размерного квантования. Как известно, подвижность электронов пропорциональна транспортному времени релаксации % которое определяется рассеянием носителей на большие углы. Кроме того, важную информацию несет одночастичное время релаксации тч, которое связано с рассеянием на малые углы. Изучение х\ и позволяет выявить суть физических явлений на гетерогранице наноструктуры. Исследования структур с 8-легированием на вицинальной грани ьОаАз также представляют большой интерес, как в фундаментальном аспекте, так и для дальнейших приборных реализаций.

Наиболее информативными методами являются измерения компонентов тензора магнитосопротивления в квантующих магнитных полях в условиях низких температур, исследования спектров низкотемпературной фотолюминесценции, а также вольтамперных характеристик и температурных зависимостей проводимости при сильных и слабых электрических и магнитных полях в области низких и сверхнизких температур. Подобные эксперименты использованы для изучения электронных явлений при существовании в низкоразмерных областях нескольких подзон размерного квантования.

Цель настоящей работы заключается в идентификации механизмов рассеяния, ограничивающих подвижность низкоразмерных электронов в наноструктурах различного химического и слоевого состава, в которых обнаружены аномальные низкотемпературные и магнитополевые характеристики.

Достижение цели исследований требует решения следующих задач:

1. Детальное исследование явлений низкотемпературного транспорта двумерных электронов и выявление в особенностях релаксации носителей заряда роли электрон-электронного взаимодействия на гетерогранице сильнолегированных наноструктур п - АЮаАз^Г)/ОаАэ.

2. Исследование явлений низкотемпературного магнитотранспорта двумерных электронов проводимости в ОаАз(8-8п,81) структурах на вицинальной грани, определение количественных параметров и их магнитотемпературных зависимостей.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Обнаружено изменение наклона логарифмических зависимостей (изломы) нормированной амплитуды осцилляций поперечного магнитосопротивления от обратного магнитного поля (графики Дингла) в

11 О сильнолегированных наноструктурах п-АЮаАз^уОаАз (п8>8-10 см ). Данные аномалии связаны с температурной зависимостью одночастичного времени релаксации электронов и объяснены изменением (конкуренцией) парциального вклада внутриподзонного и межподзонного электрон-электронного взаимодействия.

2. Установлено сильное воздействие температуры и магнитного поля на характер немонотонных зависимостей одночастичных времен релаксации в сильнолегированных наноструктурах п-АЮаАз^уОаАБ. Увеличение магнитного поля сжимает радиальную составляющую волновой функции электронов, а повышение температуры делокализует ее. Это приводит к сложной зависимости нормированной амплитуды осцилляций Шубникова - де Гааза(ШдГ) от обратного магнитного поля.

3. Впервые выявлена аномалии и анизотропия явлений переноса СаА8(5-8п,81) структур на вицинальной грани: (5-г7)% для [110] направления и до 28% для [110] направления. По результатам вычислений зонной диаграммы ОаАз(8-8п) структуры под уровнем Ферми обнаружено две подзоны размерного квантования, модулированные по [110] направлению. Найдено, что аномалии в зависимостях Аа/ао(Т) и Ар/ро(В) для [110] и [110] направлений связаны с модулированием потенциального рельефа.

Научная и практическая значимость диссертационной работы состоит в следующем:

1. Развитые модельные представления о конкуренции внутриподзонной и межподзонной электрон-электронной релаксации при большой концентрации двумерных носителей в условиях сильного вырождения электронов позволили разработать подходы к объяснению магнитотемпературных аномалий одночастичного времени релаксации электронов в сильнолегированных наноструктурах п-АЮаАз^уОаАз.

2. В сильнолегированных наноструктурах п-АЮаАз^уваАз при подавлении межподзонного электрон-электронного рассеяния существует возможность увеличить подвижность носителей технологическими методами без изменения их концентрации.

3. В структурах с 8-легированием на вицинальной грани ьваАз матрицы, созданных в реализуемых технологических условиях и условиях экспериментов, предоставленных для исследования, не обнаружено существование квазиодномерных каналов. Теория квантовых поправок позволила объяснить аномалии и анизотропию кинетических свойств электронов проводимости эффектами слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия и определить характерные времена релаксации электронов как в продольном , так и в поперечном магнитных полях. Обнаруженная сильная анизотропия ОаАз(8-8п,8)) структур допускает возможность создания на их основе твердотельных переключателей.

Достоверность полученных результатов подтверждается их воспроизводимостью на большом количестве исследуемых образцов и соответствием результатов, полученных с помощью различных аналитических методов.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Анализ осцилляций Шубникова - де Гааза для сильнолегированных наноструктур п-АЮаАз^уОаАэ и структур с 5- легированием на вицинальной грани ьОаАя матрицы позволяет экспериментально определить величины одночастичных времен релаксации электронов в подзонах размерного квантования.

2. Изменение наклона зависимостей логарифма нормированной амплитуды осцилляций Шубникова - де Гааза от обратной величины индукции магнитного поля вызвано разрушением внешним магнитным полем межподзонной электрон-электронной релаксации и сменой механизмов рассеяния электронов в сильнолегированных наноструктурах п-АЮаА8($1)/ОаА8. Рост температуры делокализует волновую функцию электронов и восстанавливает межподзонную электрон-электронную релаксацию.

3. Структуры с 5- легированием на вицинальной грани ьОаАз матрицы обладают сильной анизотропией и аномалиями проводимости и магнитосопротивления, достигающими относительных величин (5-7)% для [110] направления и 28% для [110] направления.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения. Общий объем диссертации составляет 155 страниц, в том числе 7 таблиц, 34 рисунка и список цитируемой литературы из 111 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Цаххаев, Фалес Магомедович

Основные выводы и результаты

Рассмотрены аномалии малоугловой релаксации электронов в сильнолегированных наноструктурах п-АЮаАз^уОаАз с заполнением двух подзон размерного квантования. Дано объяснение немонотонной зависимости температуры Дингла от температуры Тв(Т). Показано, что данные аномалии определяются межподзонной электрон - электронной релаксацией.

Выявлено, что магнитное поле и температура оказывают противоположные воздействия на межподзонную релаксацию электронов. Показано, что в структурах с заполнением нескольких подзон размерного квантования необходимо учитывать как межподзонную, так и внутриподзонную релаксацию импульса электронов. Хотя доминирующую роль играют обычные механизмы релаксации (электронно - примесное, электрон- фононное и т.д.), все они проявляются через меж- и внутриподзонное электрон- электронное взаимодействие.

Были подвергнуты комплексному анализу измерения кинетических коэффициентов в слабых, сильных и квантующих магнитных полях. В ОаАз(8-8п) структуре на вицинальной грани при угле разориентации 0.3° не обнаружено свойств, присущих электронам в одномерных каналах.

Сопоставлением температурных, вольтамперных и магнитополевых зависимостей проводимости (в поперечном и продольном магнитном поле)

142 структур были обнаружены аномалии свойств

GaAs(0.3°,8-Sn) структуры по [110] направлению относительно [110] направления. Данные аномалии связаны с уменьшением концентрации Sn на плато террас из-за сегрегации его на торцах ступеней, что создает исключительные условия для электронного транспорта по [110] направлению.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ.

1. V.I. Kadushkin, E.L. Shangina, F.M.Tsahhaev. Relaxation mechanisms of 2D - electrons in selective doped n - AlGaAs/GaAs heterostmcture. Physics of Low-Dimensional Structures, 1996, N 11/12, p.43-64.

2. В.И. Кадушкин, E.JI. Шангина, Ф.М. Цаххаев. Энергетический спектр GaAs(S-Sn) структры на вицинальной грани. Физика твердого тела, 1997 t.39,N 10, с.1853-1856.

3. V.I. Kadushkin, E.Y. Klyshevich, E.L. Shangina, F.M. Tsahhaev. Anisotropy and anomalies of low - temperature 2D - electron transport in 8-(Si,Sn) doped nanostructures grown on i-GaAs vicinal plane. Physics of Low- Dimensional Structures, 1998, N 3/4, p. 135-166.

4. V.I. Kadushkin, E.Y. Klyshevich, E.L. Shangina, F.M. Tsahhaev. Relaxation mechanisms of 2D- electrons in selectively doped n-AlxGai.xAs/GaAs heterostmcture with the filling of two subbands. Physics of Low- Dimensional Structures, 1999, N 5/6, p. 55-74.

5. V.I.Kadushkin, F.M.Tsahhaev. Intersubband relaxation of 2D electrons in AlGaAs(Si)/GaAs heavily doped heterojunction. Physics of Low- Dimensional Structures, 2000, N 1/2, p. 93-112.

6. Цаххаев Ф.М. Анизотропия эффективной массы 2D электронов в гетеропереходе с латеральной сверхрешеткой на вицинальной грани.

Международная конференция студентов и аспирантов "Ломоносов -97". Москва, МГУ, 1997г. Сборник тезисов, с.55

7. V.I. Kadushkin, E.L. Shangina, F.M. Tsahhaev. Anomalies of weak localization of 2D- electrons in 5-Sn and 5-Si layers on vicinal plane of i-GaAs matrix. 12 Уральская Международная зимняя школа по физике полупроводников "Электронные свойства низкоразмерных полу- и сверхпроводниковых структур", Екатеринбург, 1997, с.15.

8. В.И.Кадушкин, Е.В.Клышевич, Е.Л.Шангина, Ф.М.Цаххаев. Тезисы докладов: Анизотропия времен релаксации электронов в 8-Sn и 8-Si слоях на вицинальной грани i-GaAs матрицы; Оптический эшелетт на вицинальной грани полуизолирующегоОаА8(Сг). 3 Всероссийская Конференция по физике полупроводников "Полупроводники - 97", 1997, Москва, с.73,с.331.

9. V.I. Kadushkin, E.V.Klyshevich, E.L. Shangina, F.M. Tsahhaev, Yu.A.Kotova. Energy spectrum and relaxation mechanisms of electrons in lateral-surface superlattices GaAs(0.3°,S-Sn). The 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1998, Jerusalem, Israel, p.342.

10. J.Kavaliauskas, G.Krivaite, B. Cechavicius,V.I.Kadushkin, E.V.Klyshevich, E.L.Shangina, F.M.Tsahhaev. Abstracts: Photomodulation processes in GaAs/AlAs type-I quantum well structures. 10th International Symposium on Ultrafast Phenomena in Semiconducors, 1998, Vilnius, Lithuania, p. 126.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Цаххаев, Фалес Магомедович, 2000 год

1. J.Batey, S.L.Wright. Surface Science, v.174, N 1 -3 (1986) p. 320 - 323.

2. Giugni S., Tansley T.L. Semiconductor Science and Technology, v.7, N 8 (1992) p.1113 -1116.

3. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. - 416 с.

4. K.Lee, M.S.Shur, T.J.Drummond, H.Morkoc. Journal of Applied Physics, v. 54, N 11 (1983) p. 6432-6438.

5. V.Umansky, R.De-Picciotto, M.Heiblum. Applied Physics Letters, v. 71, N 5 (1997) p.683-685.

6. Mendez E.E. In: Yamada Conf. XIII Electron. Prop. Two - Dimensional Systems (EP2DSVI). Kyoto, Yapan, 1985, p. 564 - 577.

7. J.-H.Reemtsma, K.Heime, W.Schlapp, G.Weimann. Journal of Applied Physics, y.66, N 1 (1989) p. 298 302.

8. Hirakawa K., Sakaki H. Physical Review B. v.33, N 12 (1986) p. 8291 -8303.

9. Волков В.А., Гродненский И.М. Микроэлектроника, т.11, в.З (1982) с. 195-207.

10. Рашба Э.И., Тимофеев В.Б. ФТП. 1986. Т.20, в.6. - с. 977 - 1024.

11. IHhk A.ü. OTIT. t.26, b.7 (1992) c. 1161-1181.

12. Mezrin O.A., Shik A.Ya., Mezrin V.O. Semiconductor Science and Technology, v.7, N 5. (1992) p.664 667.

13. N.Pan, J.Carter, G.S.Jackson, H.Hendriks, X.L.Zheng, M.H.Kim. Applied Physics Letters, v.59, N 4 (1991) p.458 460.

14. Young P.G., Mena R.A., Alterovitz S.A., Schacham S.E., Haugland E.J. Electronic Letters, v.28, N 14. (1992) p.1352 1354.

15. Yang G.M., Park S.G., Seo K.S., Choe B.D. Applied Physics Letters. v.60, N 19 (1992) p.2380 2382.

16. Ploog K. Journal Crystalline Growth, v.81, N 1 (1987) p.304 313.

17. Wagner J., Ganser P., Kohler K., Fischer A., Ploog K. Surface Science. v.263, N 1 3 (1992) p.628 - 632.

18. Mao-Long K., Rimmer J.S., Hamilton B., Missous M., Khamsehpour B., Evans J.H., Singer K.E. Surface Science, v.267, N 1 3 (1992) p.65 - 68.

19. Mao-Long K., Rimmer J.S., Hamilton B., Evans J.H., Missous M., Singer K.E., Zalm P. Physical Review B. v.45,N 24 (1992) p.14114-14121.

20. Mayah A., Carles R., Bedel E., Munoz-Gague A. Journal of Applied Phisics. v.74, N 2 (1993) p. 1072 1078.

21. Maaref H., Mejri H., Priester C., Barrau J., Bacguet J.C. Journal of Applied Physics, v.74, N 3 (1993) p. 1987 1991.

22. E.F.Schubert, J.M.Kuo, R.F.Kopf, H.S.Luftman, L.C.Hopkins, N.J.Sauer. Journal of Applied Physics, v.67, N 4 (1990) p.1969 1979.

23. Никифоров А.И., Кантер Б.З, Стенин С.И, Рубанов C.B. Поверхность, физика, химия, механика. N 10 11 (1992) - с.95 -101.

24. Ashwin M.J, Tahy M., Harris J.J., Newman R.C., Sansom D.A., Addinall R., Me Phail D.S., Sharma V.K.M. Journal of Applied Physics, v.73, N 2 (1993) p.633 639.

25. Гусев Г.М., Квон З.Д., Лубышев Д.И., Мигаль В.П., Погосов А.Г. ФТП. т.25, в.4 (1991) с.601 -607.

26. R.Rodrigiues, P.S.S.Guimaraes, J.F.Sampaio, R.A.Nogueira, A.T.Oliveira, I.F.L.Dias, J.C.Bejerra, A.G.de Oliveira, A. S.Chaves. Solid State Communications, v.78, N 9 (1991) p.793 796.

27. Yang M.J., Moore W.J, Wagner R.J, Waterman J.R, Yang C.H, Thompson P.E,

28. Davis J.L. Journal of Applied Physics, v.72, N 2 (1992) p.671 675.

29. S.Yamada, T.Makimoto. Applied Physics Letters, v.57, N 10 (1990) p. 1022 1024.

30. Котельников И.Н, Кокин В.А, Медведев Б.К, Мокеров В.Г, Ржанов Ю.А, Анохина С.П. ФТП. т.26, в.8 (1992) с.1462 1470.

31. E.F.Schubert, J.E.Cunningham, W.T.Tsang. Solid State Communications. v.63, N 7 (1987) p.591 594.

32. Cheng W, Zrenner A, Ge-Qiu Yi, Koch F, Crutzmacher D, Balk P. Semiconductor Science Technology, v.4, N 1 (1989) p. 16 19.

33. Koenraad P.M., Yoncken A.P.J., Singleton J., Blom F.A.P., Langerak C.J.G.M., Leys M.R., Perenboom J.A.A.J., Spermon S.J.R.M., Van Vleuten W.C., Wolter J.H. Surface Science, v.228, N 1 3. (1990) p.538 - 541.

34. Zrenner E. Thesis. Technische Universität of München, 1987.

35. D.C. Tsui, H.L. Stornier, A.C. Gossard. Phys.Rev.Lett, v.48, 1559(1982).

36. A.Y. Cho. J. Vac. Sei. Technol, v. 8, 31 (1971); A.Y. Cho. Appl.Phys. Lett., v.19, 467 (1971).

37. H.M. Manasevit. Appl. Phys. Lett., v. 12, 156 (1968).

38. L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., v.14, 61 (1970).

39. P.O. KasapHHOB, P.A. Cypnc. OTn, t.5, 707 (1971); d>Tn, t.6,120 (1972); 0>Tn, t.7, 347 (1973).

40. R. Tsu, L. Esaki. Appl Phys. Lett., v.22, 562 (1973).

41. L.L. Chang, L Esaki. WE. Howard, R. Ludke. J. Vac. Sei. Technol., v. 10, 11 (1973).

42. L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu. Appl. Phys. Lett, v.24, 593 (1974).

43. L. Esaki, L.L. Chang. Phys. Rev. Lett, v.33, 686 (1974).

44. J.R. Shriffer. Semiconductor Surface Physics, ed. byR.H. Kingston (University of Pennsylvania Press, Philadelphia) p. 68.

45. A.B. Fowler, F.F. Fang, WE. Howard, PJ. Stilee. Phys. Rev.Lett, v.16, 901 (1966).

46. V.N. Lutskii. Phys. St. Sol. (a), v.l, 199 (1970).

47. R. Dingle, H.L Stornier, H.L. Gossard, W Wiegmann. Appl.Phys.Lett, v.33, 665 (1978).

48. D. Delagebeaudeuf et'al. Electron. Lett, v.16, 667 (1980).

49. T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fuji, K.A. Nanbu. Jpn. J. Appl. Phys., v. 19, L225 (1980).

50. Ж.И. Алферов. ФТП, т.32, N 1, (1998) с.З.1. Литература к главе 2.

51. А. де Виссер, В.И.Кадушкин, В.А.Кульбачинский, В.Г.Кытин, В.М.Скороходов, Е.Л.Шангина. ЖЭТФ,105,1701(1994).

52. J.J. Harris, B.A.Joyce, J.P. Govers, J.H. Neave. Appl.Phys., A28, 63 (1982).

53. J.J. Harris, D.E. Asendird, C.T. Foxon, P.J. Dodson, B.A.Joyce. Appl.Phys., A33, 87 (1984).

54. P.R.Pukite, G.S. Petrich, S.Batra, P.J. Cohen. J.Cryst.Crowth., 95, 269 (1989).

55. M.A.Herman, D.Bimberg, J.Christen. J.Appl.Phys., 70 (2), p.R 1(1991 ).

56. Кучис E.B. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. -М.: Радио и связь, 1990. 264 с.1. Литература к главе 3.

57. Ж.И.Алферов, С.В.Иванов, П.С.Копьев, Б.Я.Мельцер, Т.А.Полянская, И.Г.Савельев, В.М.Устинов, Ю.В.Шмарцев. ФТП, 19,1199(1985).

58. R.I.Sladek.Phys.Rev.,110,817(1958).

59. В.И.Кадушкин. ФТП,15, 230(1981).

60. K.Ohta.J.Phys.Soc.Japan,31,1627(1971); Japan J.Appl. Phys.,10,850(1971).

61. J.Haidu.Jn:Modern Problem in Condensed Matter Sciences (Landau Level Spectroscopy).Ed: G.Landwehr, E.I.Rashba, 1991, v.27.2 (Ch.l7),p.999. Amsterdam, Oxford, New York, Tokyo, Elsevier Science Publishers B.V.

62. A.Isichara, L.Smrcka.J.Phys.C:Sol.St.Phys,19,6777(1986)

63. F.F.Fang, T.P.Smith ,S.L.Wright.Surf.Sei.,196,310(1988)

64. P.T.Coleridge.Semicond.Sci.Technol.,5,961(1990);Phys.Rev,44,3793(1991).

65. В .Laikhtman,M.Heiblum,U.Meirav. Appl.,Phys .Lett. ,57, 1557(1990).

66. В.И.Кадушкин. ФТП,25,459(1991); ФТП,26,1323(1992).

67. A.Gold. Phys.Rev.B., 38,10798(1988).

68. С.Д.Быстров, А.М.Крешук, С.В.Новиков, Т.А.Полянская, И.Г.Савельев. ФТП,27,645(1993).

69. В.И.Кадушкин. Автореферат диссертации.М., 1994.

70. Y.Takagaki, K.J.Friedland, K.Ploog.Appl.Phys.Lett,64, 3258(1994).

71. F.Stern, W.E.Howard. Physical Review, v. 163 (1967) p.816 835.

72. A.H.Chatak, H.Thyarajan, M.R.Shenoy.IEEE J.Quantum. Electr., 24, 1524 (1988).1. Литература к главе 4.

73. L.R.Leadley, R.J. Nicholas, J.J. Harris, C.T. Foxon. Semicond. Sci. Tecnoi., 4, 885 (1989); 5,1081 (1990).

74. Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц.Квантовая механика,М.,ГИФМЛ, 1963, 702с.

75. В. Карпус. ФТП, 20,10 (1986); 22, 43 (1988).

76. В.Ф. Гантмахер, И.Б. Левинсон. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М., Наука, ГИФМЛ, 1984, 352 с.

77. S. Mori, Т. Ando. J. Phis. Soc. Jap., 48, 865 (1980).

78. R. Fletcher, E. Zaremba, M.D.'Jorio et al. Phis. Rev. В., 38, 7866 (1998).

79. M. Slutzky, O. Entin- Wohlman, Y. Berk, A. Palevski. Phys. Rev. B, 53, №7,4065, 1996.

80. Ben Yu- К. Ни, K. Fleusberg. Phys.Rev. В., 53, №15, 10072-10077, 1996.

81. Список литературы главы 5.

82. M.J. Uren, R.A. Davies, М. Pepper. J. Phys. C13, L985 (1981).

83. T.Namby, S.Kawaji, K.Kuboki, Y. Kawaguchi, J. Yochino, H. Sakaki. J.Phys. Soc. Japan, 53, 682 (1984).

84. И.Г. Савельев, T.A. Полянская. ФТП, 22, 1818 (1988).

85. D.R. Mace, M. Pepper, R. Grey. J. Phys.Cond.Matter., 4, L 487 (1992).

86. V.A.Kulbachinskii, N.B.Brandt, V.G.Kytin, V.I.Kadushkin, E.L.Shangina,

87. A.P.Senichkin. Phys. of Low.-Dimens.Stract., 12, 237(1995).

88. А. де Виссер, В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, А.П. Сеничкин, Е.Л. Шангина. Письма в ЖЭТФ., 59, 340(1994).

89. В.И. Кадушкин, В.А. Кульбачинский. ФТП, 25, 612 (1991).

90. А.Ф. Кравченко, В.В. Казинцев, А.П. Савченко, А.С. Терехов. ФТТ, 21, 1551 (1979).

91. В.В. Волцит, А.В. Дражан, В.А. Зуев, М.Т. Иванийчук, Д.В. Корбутяк,

92. B.Г.Литовченко. ФТП, 12, 2036 (1978).

93. E.W.Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968).

94. E.W.Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and semimetals. V.8. Ed: R.K. Willardson and A.S. Bebb. N.-Y.: Academic, p.370, 1972.

95. W. Schairer, D. Bimberg, W.Kotteler, K.Cho, M. Schmidt. Phys.Rev.B., 13, 3452 (1976).

96. S. Tarucha, H. Iwamura, T. Saku, H. Okamoto, Y. Iwasa, N. Miura.

97. Surf.Sci., 174, 194 (1986).

98. A. Petron, M.C. Smith, C.H. Perry, J.M. Worlock, R.L. Aggarwal. Solid State Comm., 52, 93 (1984).

99. R.L. Greene, K.K. Bajaj. Phys.Rev.B., 31, 913 (1985).

100. В.И.Кадушкин, Е.Л. Шангина. ФТП, 30, 1676 (1996).

101. T.A. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23, 3 (1989)

102. В.И.Кадушкин, Е.Л. Шангина. ФТП,29,1051(1995).

103. B.J. Lin, М.А. Paalen, А.С. Gossard, D.C. Tsui. Phys.Rev.B., 29, 927 (1984).

104. V.I. Fal'ko. J.Phys.: Condens Matter, 2, 3797 (1990).

105. E.F. Schubert, J.M.Kuo, R.F. Kopf. J. Electr.Mater., 19, 521 (1990).

106. T.Noda,M.Tanaka,H. Sakaki. Appl.Phys.Lett., 57, 1651 (1990).

107. B.A. Кульбачинский, В.И.Кадушкин, В.Г. Кытин, Е.Л. Шангина. ФТТ, 35,Ш5 (1993).

108. В.И.Кадушкин, В.А. Кульбачинский, Е.В. Богданов, А.П. Сеничкин. ФТП, 28, 1889 (1994).

109. В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, В.И.Кадушкин, А.П. Сеничкин. ФТТ, 37, 2693 (1995).

110. R. Notzel, К. Ploog. Adv.Mater, 5 , 22 (1993).

111. R.P. Teylor, P.C. Main, L.Eaves, S.P. Beaumont, Y.McIntyre, S. Thoms, C.D.W.Wilkinson. Surf. Sci., 228, 296 (1990).155

112. H.Temkin, G.J. Dolan, M.B.Panish, S.N.G. Chu. Appl.Phys.Lett, 50, 413 (1987).

113. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов. ЖЭТФ, 77, 2028 (1979).