Энергетический спектр и механизмы релаксации электронов в низкоразмерных полупроводниковых системах А3 В5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Шангина, Елена Леонидовна

• Шангина, Елена Леонидовна
• кандидат физико-математических наук
• 1996

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шангина, Елена Леонидовна

Предисловие^

Глава 1. Введение. Энергетический спектр и электронные свойства кваитоворазмерных систем

§1.1. Одиночный гетеропереход4$

§1.2. Структуры с 8-легированием

§1.3. Полупроводниковые сверхрешетки

Глава 2. Техника и методика эксперимента

§2.1. Тестовые образцы

§2.2. Криомагнитные системы

§2.3. Методика, измерений гальваномагнитных эффектов

§2.4. Измерение спектров фотолюминесценции

Глава 3. Времена релаксации вырожденных электронов в полупроводниковых соединениях А3В

§3.1. Метод сопоставления времен релаксации импульса

§3.2. Идентификация механизмов рассеяния 2О-электронов + в ГСЛ п - А] СаАя ОаАз методом сопоставления характерных времен

§3.3. Времена релаксации 2О-электронов в комбинированно легированных гетероструктурах

А1 ОаАз( 51) / ОаАз(6- 51)

Выводы

Глава 4. Энергетический спектр и механизмы релаксации электронов в разнесенных сверхрешетках ааАв/АЮаАз

§4.1. Особенности латерального переноса в разнесенных сверхрешетках

§4.2. Исследование энергетического спектра, разнесенных сверхрешеток методом фотолюминесценции

§4.3. Сверхрешетка ОаАх АЮаАя(5-81) как основа

И К-фотодетектора

Выводы

Глава 5. Особенности энергетического спектра и механизмов релаксации электронов в структурах ОаАн(б-5п) и системе асимметричных ту и цельно - связанных квантовых ям

§5.1. Особенности энергетического спектра асимметричной системы квантовых ям &аА5/ АЮаАз с широкими краевыми барьерами

§5.2. Энергетический спектр и механизмы релаксации электронов в системе ОаАзСб-Яп) на вицинальной грани

Выводыi8/f

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Энергетический спектр и механизмы релаксации электронов в низкоразмерных полупроводниковых системах А3 В5»

Современный прогресс полупроводниковой микроэлектроники обусловлен использованием наноструктур-элементов со сверхтонкими слоями размерами вплоть до нескольких постоянных решетки. Реализация наноструктур стала возможной благодаря совершенным технологиям синтеза. Одно из ведущих мест среди таких технологий принадлежит молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Создание технологической базы МПЭ является необычайно сложной задачей. Для получения совершенных структур необходимы обеспечение высокого вакуума в камере роста, использование чистых источников напыляемых материалов , точный контроль температуры подложки. Решение такого рода задач определяет существенные преимущества МПЭ перед другими технологическими методами. Использование установок МПЭ в научных лабораториях, а в настоящее время- и в промышленном производстве определено достоинствами технологии - возможностью прецизионного контроля толщин и композиционного состава слоев, низким уровнем непреднамеренного (фонового) подлегирования эпитаксиальных структур, различными методами диагностики процесса роста в сочетании с компьютерным управлением .

Технологией МПЭ были синтезированы селективно легированные гетероструктуры п-АЮаАз/ОаАз, п-1пА1А5/1пР с двумерными (2В) электронами, в которых обнаружен квантовый эффект Холла, разработаны подходы к созданию квантового эталона сопротивления, реализованы малошумящие НЕМТ-транзисторы, низкопороговые инжекционные лазеры, высокочувствительные ИК

3 5 фотодетекторы и т.д. МПЭ-синтез соединений А В наряду с МПЭ-синтезом кремния составляет основу развития современных систем передачи и обработки информации (кабельного телевидения, спутниковой и радарной связи). Технология МПЭ открывает новые пути к созданию полупроводниковых систем с пониженной размерностью (квазиодномерных и нульмерных) и разработке на их основе электронных и оптоэлектронных приборов с уникальными функциональными возможностями.

Как известно, основные параметры любого полупроводникового прибора определяются процессами на электронном уровне. Свойства электронных систем пониженной размерности в наибольшей степени обусловлены особенностями их энергетического спектра, который можно трансформировать направленным варьированием композиционного состава и толщин слоев, уровня и способа легирования, физико-технологических условий роста. Качество полупроводникового прибора, его характеристики напрямую связаны также и со структурным совершенством кристалла, которое оценивается при исследовании механизмов низкотемпературной релаксации носителей. Поэтому изучение особенностей энергетического спектра и механизмов релаксации носителей в квантоворазмерных гетероструктурах в условиях внешних воздействий (электрического и магнитного полей) плодотворно как в плане изучения протекания фундаментальных физических процессов в условиях пониженной размерности, так и в прикладном аспекте в смысле поиска оптимального варианта структуры для последующей приборной реализации.

Одними из наиболее мощных методов получения информации об энергетическом спектре и механизмах релаксации носителей в полупроводниковых структурах являются исследование явлений переноса в квантующих магнитных полях, а также изучение спектров фотолюминесценции. Целью настоящей работы являлось исследование энергетического спектра и механизмов релаксации электронов в квантоворазмерных гетероструктурах ОаАз/АЮаАз, выращенных методом МПЭ на базе отечественной установки "Цна", а именно:

1) исследование энергетического спектра электронов в структурах АЮаАзСБО/ОаАзСб-БО с комбинированным легированием, системах множественных квантовых ям АЮаАзСб-ЗО /ОаАз с 8-легированием барьерных слоев и структурах ОаА5(8-8п) на вицинальной грани; изучение влияния на потенциальный рельеф структур уровня и способа легирования, ориентации поверхности роста и технологических условий синтеза;

2) изучение конкуренции различных механизмов релаксации импульса электронов ( рассеяние на легирующей и фоновой примеси, шероховатостях гетерограгощы (островках роста )

4. и сплавном потенциале) в одиночном гетеропереходе п-АЗОаАз/ОаАз; системах множественных квантовых ям АЮаАз/СаАз с однородным легированием квантовых ям , а также 8-легированием барьерных слоев; оценка параметров дефектов структур (уровня фонового подлегирования и размеров островков гетерограниц) ;

3) исследование особенностей явлений переноса и среди них эффекта слабой локализации в квантоворазмерных полупроводниковых системах - структурах АIОа Ай (81) / (}а Ая(5-51) с комбинированным легированием , системах множественных квантовых ям , структурах (}аА5(8-8п) на. вицинальной грани и подавления эффекта слабой локализации повышением температуры, электрическим и магнитным полями; исследование механизмов релаксации фазы волновой функции электронов ;

4) исследование энергетического спектра системы асимметричных туннельно-связанных квантовых ям АЮаАэ/ОаАз и особенностей процессов резонансного туннелирования в структуре. *

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые выполнены комплексные экспериментальные исследования систем множественных квантовых ям с 8-легированием барьеров А1 ОаАя(8-50 СаАз А.1 Оа Аз(8-81) в области сверхнизких температур до 0.39 К и сильных магнитных полей до 400 кЭ. На основании полученных экспериментально параметров 2П-электронов рассчитана зонная диаграмма сверхрешеток

А1 ОаАз (8-51) С/а Аз / А1 (3 а Аз (8-81) при различных расстояниях 8-слоя от гетерограницы СаЛя АЮаАз и разном уровне легирования и определены основные механизмы рассеяния электронов.

2. Впервые исследованы электрофизические и фотолюминесцентные свойства структур Оа.Аз(8-5п) на вицинальной грани. Показано существование в 8-плоскости легирования периодического потенциального профиля, обусловленного процессом сегрегации атомов олова к торцам ступеней вицинальной грани, протяженным в [110] направлении. Впервые рассчитана зонная диаграмма структур ОаАзСЗ-Бп) на вицинальной грани с учетом текстурированного распределения атомов 5п в 8-плоскости (по [110] направлению) .

3. Впервые выполнены комплексные исследования электрофизических свойств структур АЮаА8(51)/ОаА5(8-80 с комбинированным легированием в области сверхнизких температур до 0.39 К и сильных магнитных полей до 400 кЭ. Впервые выполнены расчеты энергетического спектра электронов в структурах с комбинированным легированием на основании найденных из измерений низкотемпературной проводимости, эффекта Холла и осцилляций Шубникова ■де Гааза параметров 2О-электронов.

4. Рассчитаны времена релаксации импульса электронов ^ (определяемое рассеянием на большие углы) и ^ (дополнительно чувствительное к малоугловому рассеянию) в полупроводниковых гетероструктурах - одиночном гетеропереходе п^АЮаАз/ОаАз и системах множественных квантовых ям АЮаАэ /СаАз с использованием значений самосогласованной волновой функции. На основании данных расчета времен т^ х^ идентифицированы основные механизмы рассеяния, выполнены оценки качества структур и определены параметры дефектов.

5. Впервые выполнены комплексные исследования эффекта слабой локализации в квантоворазмерных полупроводниковых системах - структурах AlGa.As(Si)/GaAs(8-Si) с комбинированным легированием, системах множественных квантовых ям AlGaAs(5-Si)/GaAs с 5-легированием барьерных слоев и структурах GaAs(8-Sn) на вицинальной грани и особенностей подавления эффекта слабой локализации повышением температуры, электрическим и магнитным полями. Анализ экспериментальных данных в рамках теории квантовых поправок позволил идентифшцировать основной механизм релаксации фазы волновой функции электронов в структурах (электрон-электронное взаимодействие) и оценить толщину 20-электронного канала .

6. Впервые методом измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) в осевой геометрии исследован энергетический спектр системы туннельно-связанных квантовых ям . Показано, что особенности наблюдаемых ВАХ связаны с процессами резонансного туннелирования в структуре.

Практическая значимость работы определяется тем, что:

1. Выполнены оценки степени совершенства эпитаксиальных структур и определены параметры дефектов путем исследования характерных времен релаксации импульса. При этом источником экспериментальной информации являлись измерения концентрации ns, подвижности носителей и и температуры Дингла

Т0 . Установлена связь кинетических параметров структур п5 , ,и и Т0 с технологическими режимами синтеза, химическим составом и слоевой композицией структур, оптимизированы технологические условия роста и синтезированы гетероструктуры с рекордными для отечественного оборудования МПЭ параметрами.

2. Разработано программное обеспечение расчета энергетического спектра носителей заряда методом самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона и выполнен расчет энергетического спектра носителей заряда в квантоворазмерных полупроводниковых структурах : одиночном гетеропереходе, структурах с комбинированным легированием, системах множественных квантовых ям , системе асимметричных туннелъно-связанных квантовых ям, и структурах ОаА5(6-8п). Программное обеспечение может быть использовано для расчета энергетического спектра двумерных, квазиодномерных и одномерных электронных систем. Результаты расчета зонных диаграмм структур и данные экспериментальных наблюдений имеют непротиворечивый характер .

3. В работе показано, что система, множественных квантовых ям с 6-легированием барьерных слоев АЮаАзСб-ЗО/ОаАз/АЮаАзСб-ЗО является оптимальным вариантом основы И К-фотодетектора . Использование метода легирования позволило получить системы множественных квантовых ям с совершенными границами раздела, существенно более высокими значениями концентраций и подвижностей двумерных электронов по сравнению с однородно легированными структурами.

Работа состоит из настоящего Предисловия и пяти Глав. В первой и второй главах изложены необходимые предпосылки теоретического плана, описаны экспериментальная техника и методика. Третья глава посвящена исследованию времен релаксации электронов в селективно легированных гетероструктурах п-АЮа Аз / Са Аз и структурах с комбинированным легированием АЮаАзСЗО/ОаАзСб-ЗО. Рассчитан энергетический спектр структур, идентифицированы основные механизмы рассеяния и определены параметры дефектов. В четвертой главе изложены результаты исследования энергетического спектра и механизмов релаксации электронов в системах множественных квантовых ям ОаАз/АЮаАз. Исследование энергетического спектра и механизмов релаксации электронов в "экзотических" полупроводниковых структурах - системе ОаА$(5-5п) на вицинальной грани и системе трех туннельно связанных квантовых ям - представлено в главе 5. В Заключении сформулированы основные результаты исследований.

На защиту выносятся следующие положения : 1. Впервые выполнены комплексные экспериментальные исследования электрофизических и фотоэлектрических свойств квантоворазмерных полупроводниковых структур ОаАз/АЮаА* с концентрацией 20-электронов Пд= Ю^-гЮ1^ см2 : структур А1 (}а Аз (80 Оа АЭ (8-81) с комбинированным легированием, систем множественных квантовых ям с однородным легированием квантовых ям и 5-легированием барьеров ; структур ОаАяСб^п) в области температур Т=0.39н-300 К, магнитных полей до 400 кЭ, электрических полей до 7 кВ/см и при оптическом возбуждении мощностью до Вт/см2.

2. Впервые выполнены расчеты энергетического спектра электронов в структурах А1 ОаАз(80 ОаА*(6-81) с комбинированным легированием, системах множественных квантовых ям АЮаА8(8-51)/ОаА5 с 5-легированием барьерных слоев и структурах (}аА5(б-8п) на вицинальной грани с использованием найденных из измерений низкотемпературной проводимости, эффекта Холла и осцилляций Шубникова -де Гааза параметров 21>электронов. На основании данных расчета идентифицированы впервые наблюдавшиеся в спектрах фотолюминесценции ОаА8(8-8п) стрз^ктур линии как связанные с переходами электронов на уровнях размерного квантования в 8-8п слое.

3. Выполнены расчеты времен релаксации импульса электронов в квантоворазмерных гетероструктурах с использованием вычисленных значений самосогласованной волновой функции. На основании результатов расчета времен х^ и Tq идентифицирован основной механизм рассеяния электронов в ГС Л п-АЮаАз/С а Аз с подвижностями ц=(5-7-15)-104см2/В-с (Т=4.2 К) и АЮ аАх /ОаА^~ системах множественных квантовых ям шириной Ь2<60 А в температурном диапазоне Т^ЮО К - рассеяние на шероховатостях гетерограницы (островках роста) и определены параметры дефектов гетерограницы Л=70-И50 А (латеральный размер), Д=2.83-г5.66 А (высота островка).

-434. Впервые исследован эффект слабой локализации в структурах АЮаА$(В]) ОаА*( <5-80 с комбинированным легированием, системах множественных квантовых ям А1С а А$ (5-51) / ОаЛэ с б-легированием барьерных слоев и структурах ОаА5(8-8п) на вицинальной грани. Изучена корреляция степени подавления эффекта слабой локализации электронов с интенсивностью внешних воздействий (повышение температуры, электрические и магнитные поля). Измерена температурная зависимость времен релаксации фазы волновой функции электронов и показано, что основным механизмом релаксации фазы волновой функции электронов в исследованных структурах является электрон-электронное взаимодействие.

5. Энергетический спектр системы асимметричных туннельно-связанных квантовых ям может быть восстановлен измерениями вольт-амперной характеристики для вертикального транспорта.

Считаю своим приятным долгом поблагодарить наставников и коллег по научной работе за всестороннюю помощь и поддержку и за предоставление возможности выполнить эксперименты в ведущих физических лабораториях МГУ, ФИ РАН, МИФИ, ФТИ им. Иоффе и ИФТТ РАН.

Выражаю глубокую и искреннюю благодарность своему научному руководителю д.ф.-м.н. Кадушкину Владимиру Ивановичу за руководство моей научной работой и исключительную помощь и поддержку, оказанную при ее выполнении.

Хочу поблагодарить д.ф.-м.н. Сайдашева И.И. и коллектив лаборатории физики сильно легированных полупроводников ФТИ им. Иоффе РАН за предоставление возможности стажировки и выполнения экспериментов; за предоставление возможности выполнить эксперименты благодарна также д.ф.-м.н. Кулаковскому В.Д. (ИФТТ, г.Черноголовка).

Хочу выразить благодарность соавторам по публикациям -д.ф.-м.н. Кульбачинскому В.А. и к.ф.-м.н. Кытину В.Г. (МГУ. кафедра физики низких температур) за сотрудничество в экспериментах и плодотворные дискуссии.

Весьма благодарна сотрудникам НИТИ Скороходову В. М., Фомичеву С.И., Ивашову С.П. за доброжелательную помощь в работе, А.С.Бугаеву и О.Л .Кураксину за консультации по вопросам технологии МПЭ.

Хочу также поблагодарить Т.М.Пиковскую и коллектив отдела 140 НИТИ за о р ганиз ацион ную помощь и техническое содействие в процессе работы над диссертацией.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Шангина, Елена Леонидовна

Основные результаты и выводы

1. Впервые выполнены комплексные экспериментальные исследования квантоворазмерных полупроводниковых систем СаАз/'АЮаАз: структур А1 СаАз(81) /СаАь~(8-50, с комбинированным легированием, систем множественных квантовых ям с однородным легированием квантовых ям и 8-легированием барьеров и структур СаАз(5~5п) на вицинальной грани. Измерены температурные и магнитополевые зависимости компонент тензора проводимости <^хх(Н,Т), сХу(Н,Т), вольт-амперные характеристики и спектры фотолюминесценции структур в диапазоне температур Т=0.39-ь293 К, электрических полей до 7 кВ/см , магнитных полей до 400 кЭ и мощностей подсветки до 103 Вт/см2.

2. На основании данных комплексных экспериментальных исследований выполнен расчет энергетического спектра систем множественных квантовых ям с 8-легированием барьерных слоев АЮаАз(8-51)/ОаА5, Показано, что электроны основной подзоны размерного квантования локализованы в слое ОаАз. Результаты расчета позволили идентифицировать характерные линии в спектрах фотолюминесценции структур .

3. На основании данных комплексных экспериментальных исследований выполнен расчет энергетического спектра структур ОаАз(8-5л), полученных методом 8-легирования оловом вицинальных граней арсенида галлия, с учетом

- т профилированного распределения легирующей примеси в дельта-плоскости. Показано, что в потенциальной яме 8-5п слоя локализованы два уровня размерного квантования электронов. На основании результатов расчета идентифицированы впервые наблюдавшиеся в спектрах фотолюминесценции ОаАэСб-Зп) структур линии как связанные с переходами электронов на уровнях размерного квантования в б-Бп слое.

4. На основании данных комплексных экспериментальных исследований выполнен расчет энергетического спектра структур с комбинированным легированием АЮаАя (Б!) ОаАз (6-50 . Установлено значительное увеличение проводимости таких структур по сравнению с гетероструктурами АЮтаАзСЗО/ ОаАз с однородным либо 8-легированием тройного соединения.

5. Рассчитаны времена релаксации импульса электронов тъ в низкоразмерных системах с использованием значений самосогласованной волновой функции. На основании результатов расчета идентифицированы доминирующие механизмы рассеяния электронов в одиночном гетеропереходе п^АЮаАя/ОаАз и АЛОаАз/СаАз - системах о множественных квантовых ям толщиной ]2<60 А и выполнены, оценки параметров дефектов структур, а также выработаны рекомендации по усовершенствованию технологии синтеза.

6. Впервые выполнены исследования эффекта слабой локализации в квантоворазмерных полупроводниковых системах - структурах АЮаАзШ)/ОаАйСб-ЗО с комбинированным легированием, системах множественных квантовых ям АЮаАз( 8-8.1)/ОаАз с 8-легированием барьерных слоев и структурах ОаАз(8-5п) на вицинальной грани и особенностей подавления эффекта слабой локализации повышением температуры, электрическим и магнитным полями. При анализе зависимостей (Гхх(Т), хх(Н) и нелинейных ВАХ установлено, что процессы релаксации фазы волновой функции электронов опосредованы электрон-электронным взаимодействием. При исследовании отрицательного магнитосопротивления структуры СтаА$(8-8п) в магнитном ноле латеральной ориентации определена толщина 20-электронного канала в структуре.

7. Методом наблюдения вольт-амперных характеристик исследован энергетический спектр системы асимметричных туннельно-связанных квантовых ям ОаАз/АЛСхаАз. Расчеты структуры дна зоны проводимости и положения квазиуровней системы при различных значениях внешнего напряжения позволили связать наблюдавшиеся экспериментально особенности ВАХ с процессами резонансного туннелирования в структуре.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

1. Кадушкин В.И., Шангина Е.Л, Явления переноса в легированных сверхрешетках GaAs/ AlxGa-[.xAs разнесенного типа. -ФТП. 1993. т.27 в.8. с.1311-1318.

2. Кульбачинский В.А., Кадушкин В.И., Кытин В.Г., Шангина Е.Л. Особенности явлений переноса в разнесенных легированных сверхрешетках. -ФТТ. 1993. т.35 в.7. с. 17551763.

3. Кадушкин В. И., Садофьев Ю.Г., Шангина Е.Л, Фотолюминесценция и явления переноса в сильнолегированных арсенидгаллиевых структурах с 8-слоями. 1 Российская конференция по физике полупроводников . Тезисы докладов, т.2. Нижний Новгород, 1993. 380 с.

4. А.де Виссер, Кадушкин В.И., Кульбачинский В.А., Кытин В.Г., Скороходов В.М., Шангина Е.Л. Особенности рассеяния электронов в системе множественных квантовых ям с 8-легированием.- ЖЭТФ. 1994. т. 105 вып.6. с. 1701-1713.

5. Kulbachinskii V.A., Kvtin V.G., Kadushkin V.l., Shangina E.L., A. de Visser. Quantum corrections to the conductivity and quantum Hail effect in GaAs-GaAlAs multiple quantum well structures. -Journal of Applied Physics. 1994.v.75 N4. p.2081-2085.

6. Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., A. de Visser, Kadushkin V.l., Shangina E.L. Quantum corrections to conductivity and quantum

-ш

Hall effect in GaAs-GaAlAs quantum well structures.- LT-20. Handbook II, PK-31. Oregon. USA, 1993.

7. Kulbachinskii V.A., A. de Visser, Kytin V.G., Kadushkin V.I., Shangina E.L. Quantum corrections to conductivity and quantum Hall effect in GaAs-GaAlAs multiple quantum well structures. -Physica B. 1994. v.194-196. p.1197-1198.

8. Кадушкин В. PL, Шангина Е.Л. Фотолюминесценция легированных разнесенных сверхрешеток GaAs/AlxGa^As.-ФТП. 1995. т.29 выи.6. с.1051-1060.

9. А.де Виссер, Кадушкин В.И., Кульбачинский В.А., Кытин В. Г., Сеничкин А. П., Шангина Е.Л. Квазиодномерные электронные каналы и двумерный электронный газ в структурах с дельта-легированием оловом вицииальных граней GaAs.- Письма в ЖЭТФ. 1994. т.59 выи.5. с.339-343.

10. Kadushkin V.I., Kulbachinskii V.A., Senichkin А.P., Bugaev A.S., Kytin V.G., Shangina E.L., A. de Visser. Magnetotransport ani sot ropy in the GaAs(8 -Sn) structures with quantum wires.-Physics of low-dimensional structures. 1994. v.l. p.53-58.

11. Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.L, Senichkin A. P., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Kytin V.G., Shangina E.L., A. de Visser. Electron kinetic properties ani soi ropy of GaAs structures delta-doped by Sn on vicinal substrate. Abstracts of I International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, 1994. p.107-109.

-ш

12. Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.L, Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., A. de Visser. Transport properties of high-carrier-density GaAs/GaAlAs heterostructures. Abstracts of II International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, 1995. p.45-48.

13. Kadushkin V.I., Kulbachinskii V.A., Senichkin A, P., Bogdanov E.V., Bugaev A.S., Kytin V.G., Shangina E.L., A. de Visser. Anisotrop}^ of the hot electron conductivity in the GaAs(d-Sn) structures with quantum wires.- 7-th International Conference on Super lattices, Microstructures and Microdevices, Canada, 1994. Abstracts, p.545-546.

14. Кадушкин В.И., Катаев В.В., Кучеренко И.В., Подливаев А.И., Руднев И.А., Сннченко А.А., Шангина Е.Л. Особенности вольт-амперной характеристики асимметричной системы квантовых ям GaAs/AlGaAs с широкими краевыми барьерами.-ФТП. 1995. т.29 вып.4. с.720-724.

15. Kadushkin V.L, Shangina E.L. Photoluminescence of AlGaAs(S-Si) /GaAs multi-quantum well systems. 2nd International Conference "Physics of low-dimensional structures", Dubna, 1995. Abstracts, p.53.

16. Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.L, Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., A. de Visser. Optimization of transport parameters of selectively 6-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high-carrier-density for field effect

- rtotransistors. 2nd International Conference "Physics of low-dimensional structures", Dubna, 1995. Abstracts, p.43.

17. Kulbachinskii V.A., Brandt N.B., Kytin V.G., Kadushkin V.I., Shangina E.L., Senichkin A.P. Anisotropy of the negative magnetoresistance in the delta-doped by Sn and Si on vicinal substrate GaAs structures. 2nd International Conference "Physics of low-dimensional structures'-, Dubna, 1995. Abstracts, p.52.

18. Kulbachinskii V.A., Kadushkin V.I., Brandt N.B., Kytin V.G., Lunin R.A., Shangina E.L., A. de Visser. Optimization of transport parameters of selectively 8-doped GaAs/GaAlAs heterostructures with high-carrier-density for field effect transistors. - Physics of low-dimensional structures. 1995. N 10/11. p.347-351.

19. Kulbachinskii V.A., Brandt N.B., Kytin V.G., Kadushkin V.I. Senichkin A.P., Shangina E.L. Anisotropy of negative magnetoresistance in the GaAs structures delta-doped by Sn and Si on the vicinal substrate.- Physics of low-dimensional structures. 1995. N 12. p.237 - 242.

ЗЛКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шангина, Елена Леонидовна, 1996 год

1.1. Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем: Пер. с англ. - М.: Мир, 1985. - 416 с.

2. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Пер. с англ./Под ред.Л.Ченга, К.Плога. М,: Мир, 1989. -584 с.

3. Херман М. Полупроводниковые сверхршетки: Пер. с англ. М. - Мир, 1989. - 240 с.

4. Волков В.А., Гродненский II.М. Двумерный электронный газ в гетеропереходе. Свойства и применение.// Микроэлектроника. 1982. - Т.П. - в.З, с. 195-207.

5. Рашба. Э.И., Тимофеев В.Б. Квантовый эффект Холла. / / ФТП. 1986. - Т.20, в.6. - с. 977 - 1024.

6. Шик А.Я. Полупроводниковые структуры с 8-слоями. / / ФТП. 1992. - Т.26, в.7, - с. 1161-1181.

7. Шик А.Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры.// ФТП. - 1974. - Т.8 - в. 10, с.1841 - 1864.

8. Силин А.П. Полупроводниковые сверхрешетки./ / УФН. 1985. Т.147. - в.З, с. 485 - 522.

9. Dingle R., Stormer H.L., Gossard А.С., Wiegmann W. Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices.// Applied Physics Letters. -1978. Vol.33, N" 7. - P. 665 - 667.

10. Stormer H.L., Dingle R. Gossard A.C., Wiegmann W., Sturge M.D. Two-dimensional electron gas at a semiconduc- intor-semiconductor interface./ / Solid State Communications. -1979. Vol.29, N 10. - P. 705 - 709.

11. Abstreiter G., Ploog K. Inelastic light scatteringfrom a quasi-two-dimensional electron system in GaAs-AlxGa^xAs heteroj unctions.// Physical Review Letters. 1979, - Vol. 42, - N 19. - P. 1308 - 1311.

12. J.Batey, S.L.Wright. Energy band alignment in GaAs:(Al,Ga)As heterostructures.// Surface Science. -1986. Vol.174, N 1 - 3. - P. 320 - 323.

13. Giugni S., Tansley T.L. Comment on the compositional dependence of bandgap in AlGaAs and band-edge discontinuities in AlGaAs-GaAs heterostructures.// Semiconductor Science and Technology. 1992. - Vol.7, NT 8. -P. 1113-1116.

14. K.Lee, M.S.Shur, T.J.Drummond, H.Morkoc. Low field mobility of 2-d-electron gas in modulation doped AlGaAs/ GaAs layers.// Journal of Applied Physics. 1983. - Vol.54, N 11. P. 6432 - 6438.

15. Weimann G., Schlapp W. Molecular beam epitaxial growth and transport properties of modulation-doped A) GaAs-GaAs heterostructures. / / Applied Physics Letters. 1985. -Vol.46, N4. - P. 411 - 413.

16. J.J.Harris, C.T.Foxon, D.Hilton, J.Hewett, C.Roberts, S.Auzoux. Acoustic phonon scattering in ultra-high mobility, low carrier density GaAs/(Al,Ga.)As heterostructures// Surface science. 1990,- V.229, N 1-3.- p.113-115.

17. Mendez E.E. In: Yamada Conf. XIII Electron. Prop.- / 7J

18. Two Dimensional Systems (EP2DSVI). Kyoto, Yapan, 1985, P. 564 - 577.

19. J.-H.Reemtsma, K.Heime, W.Schlapp, G.Weimann. Transport properties of the two-dimensional hole gas in p-type heterostruct ure fied-effect transistors.// Journal of Applied Physics. 1989. - Vol.66, N 1. - P. 298 - 302.

20. Hirakawa K., Sakaki H. Mobility of the two-dimensional electron gas at selectively doped n-type A^Ga^As/ GaAs heterojunctions with controlled electron concentrations./ Physical Review B. 1986. - Vol.33, N 12. - P. 8291 - 8303.

21. Trankle G., Rothfritz H., Muller R., Weimann G.

22. CBE growth of high-quality AlGaAs/GaAs heterostructures for HEMT applications. // Journal of Crystalline Growth. -1992. Vol.120, N 1 - 4. - P. 240 - 244.

23. Ya.ma.da M., Ishikawa H. High transconductance selfaligned WSi gate A1 In As Gain As HIGFETS grown by MOCVD. // Electronic Letters. 1992. - Vol.28, N 16. - P. 14941495.

24. T.P.Pearsall. Two-dimensional electronic svstems for high-speed device applications./ / Surface Science. -1984. V.142, N 1-3.- p.529-544.

25. Mezrin O.A., Shik A.Ya., Mezrin V.O., Gated 5-layer structures. // Semiconductor Science and Technology. -1992. V.7, N5. - p.664 - 667.

26. N.Pan, J.Carter, G.S.Jackson, H.Hendriks, X.L.Zheng, M.H.Kim. Si delta-doped field-effect transistors by atmospheric pressure metalorganic chemical vapor deposition. // Applied Physics Letters. 1991. - V.59, N4. - p.458 - 460.

27. Young P.G., Mena R.A., Alterovitz S.A., Schacham S.E., Ha.ugla.nd E.J. Temperature independent quantum well FET with delta channel doping. // Electronic Letters. 1992. -V.28, N 14. - p. 1352 - 1354.

28. Yang G.M., Park S.G., Seo K.S., Choe B.D. 8-doped AlGaAs and AlGaAs InGaAs high electron mobility transistor structures grown by metal-organic chemical vapor deposition. // Applied Physics Letters. 1992. - V.60, N 19. -p.2380 - 2382.

29. Ploog K. Delta- (S-)doping in MBE-grown GaAs: concept and device application. / / Journal Crystalline Growth. 1987. - V.81, N 1. - p.304 - 313.

30. Wagner J., Ganser P., ICohler K., Fischer A., Ploog K. Fermi edge singularity and screening effects in the luminescence spectra of Si or Be 8-doped GaAs. // Surface Science. 1992. - V.263, N 1 - 3. - p.628 - 632.

31. Mao-Long K., Rimmer J.S., Hamilton B., Missous M., Khamsehpour B., Evans J.H., Singer K.E. Optical properties of GaAs Si 8-doped superlattices. // Surface Science.1992. V.267, N 1 - 3. - p.65 - 68.

32. Mao-Long К., Rimmer J.S., Hamilton В., Evans J.H., Missous M., Singer K.E., Zalm P. Radiative transitions associated with hole confinement at Si delta-doped planesin GaAs. // Physical Review B. 1992. - V.45, N 24. - p. 14114 - 14121.

33. Mlayah A., Carles R., Bedel E., Munoz-Gague A. Polar phonon-intersubband plasmon coupling in Si delta-doped GaAs. // Journal of Applied Phisics. 1993. - V. 74, N2. - p.1072 - 1078.

34. Maaref H., Mejri H., Priester C., Barrau J., Bacguet J.C. Photocurrent and photoluminescence from quantum-confined electrons in periodically 8-doped Si-GaAs. / / Journalof Applied Physics. 1993. - V.74, N 3. - p.1987 - 1991.

35. E.F.Schubert, J.M.Kuo, R.F.Kopf, H.S.Luftman, L.C.Hopkins, N.J.Sauer. Berillium delta-doping of GaAs grown by molecular beam epitaxy. // Journal of Applied Physics. -1990. V.67, N 4. - p. 1969 - 1979.

36. Никифоров А.И., Кантер Б.З., Стенин С.И., Рубанов

37. С.В. Структуры с 6- слоями сурьмы, полученные методом МЛЭ кремния. // Поверхность, физика, химия, механика. 1992. -N 10 - 11. - с.95 - 101.

38. Ashwin M.J.,. Tahy М., Harris J.J., Newman R.C., Sansom D.A., Addinall R., Mc Phail D.S., Sharma V.K.M. The lattice locations of silicon atoms in delta-doped layers in GaAs. /./ Journal of Applied Physics. 1993. - V.73, N 2. -p.633 - 639.-т

39. Гусев Г.М., Квон З.Д., Лубышев Д.И., Мигаль

40. В.П., Погосов А.Г. Квантовый перенос в 8-легированных слоях GaAs. // ФТП. 1991. - Т.25, в.4. - с.601 -607.

41. Yang M.J., Moore W.J., Wagner R.J., Waterman J.R., Yang C.H., Thompson P.E., Davis J.L. Electronic properties of silicon 8-doped InSb. // Journal of Applied Physics. -1992. V.72, N 2. - p.671 - 675.

42. S.Yamada, T.Makimoto. Subband mobility of quasi-two--dimensiona.1 electrons in Si atomic layer doped GaAs. // Applied Physics Letters. 1990. - V.57, N 10. - p. 1022 - 1024.

43. E.F.Schubert, J.Е.Cunningham, W.T.Tsang. Electron-mobility enhancement and electron concentration enhancementin 8-doped n-GaAs at 300 K, // Solid State Communications. -1987. V.63, N 7. - p.591 - 594.

44. Cheng W., Zrenner A., Ge-Qiu Yi, Koch F., Crutzma-cher D., Balk P. // Semiconductor Science Technology.-т1989. V.4, N 1. - p. 16 - 19.

45. Zrenner E. Thesis. Technische Universität of München, 1987.

46. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.: ГИФМЛ, 1963. - 704 с.

47. Chiu Т.Н., Zucker J.E., Woodward Т.К. High quality InGaAsP/InP multiple quant um wells for optical modulation from 1 to 1.6 mil. / / Applied Physics Letters. 1991. -V.59, N 26. - p.3452 - 3454.

48. Jupina Michael, Garmire Elsa, Hasenberg Tom С.,

49. Kost-Alan. InAs/GaAs short-period st.rained-la.yer superlattices grown on GaAs as quantum confined Stark effect modulators. // Applied Physics Letters. 1992. -V.60, N6. - p.686 - 688.

50. Chih-Hsiang Lin, K.W.Goossen, K.Sandra, J.M.Meese. Normally on GaAs/AlAs multiple - quantum - well Fabry-Perot reflection modulators for large two-dimensional arrays. / / Applied Physics Letters. - 1994. - V.65, N 10.p. 1242 1244.

51. B.F.Levine, G.Hasnain, C.G.Bethea, N.Chand. Broadband 8-12 urn high-sensitivity GaAs quantum well infrared photodetector. // Applied Physics Letters. 1989. - V.54, N26. - p.2704 - 2706.

52. G.Hasnain, B.F.Levine, C.G.Bethea, R.A.Logan, J. Walker, R.J.Malik. GaAs AlGaAs multiquant um well infrared detector arrays using etched gratings. / / Applied Physics Letters. 1989. - V.54, N 25. - p.2515 - 2517.

53. Einevoll G.J., Sham L.J. Tailoring infrared optical properties with superlattices of superlattices. // Physical Review B. 1992. - V.46, N 12. - p.7787 - 7793.

54. Goswami S., Singh J., Bhattacharya P.K. A voltage tunable threshold logic gate based on multiquantum well-heterojunction bipolar transistor for multifunction logic. / / IEEE Quantum Electronic. 1992. - V.28, N 7. - p. 1636 -1639.

55. Sun Chung-Yih, Liu Wen-Chau. A new GaAs sawtooth-doping-superlatt iced switching device. // Journal of Applied1. Литература к главе 3

56. ЗЛ. В.И,Каду шкин. Нетепловое уширение уровней Ландау осцилляций поперечного магнитосопротивления и фотомагнитного эффекта. // ФТП. 1981. - Т. 15, в.2. - с. 230 - 240.

57. В.И.Кадушкин. Затухание квантования Ландау как метод изучения совершенства границы раздела гетероперехода с 2Б-электронами. / / ФТП. 1991. - Т.25, в.З. - с.459 463.

58. В.И.Кадушкин, А.А.Денисов, С.В.Колосова. Время релаксации импульса 21>электронов n-AlxGa^xAs GaAs в классическом магнитном поле. // ФТП. 1989. -Т.23, в.10. - с. 1721 - 1724.

59. S.Ben Amor, L.Dmowski, J.С.Portal, K.P.Martin, R.J.Higgins, M.Razeghi. Quantum and classical lifetimesin a Ga0 4gIno,5iP/GaAs heterojunction. / / Applied Physics Letters. 1990. - V.57, M 27. - p.2925 - 2927.

60. С.Д.Быстров, А.М.Крещук, С.В.Новиков, Т.А.Полянская, И.Г.Савельев. Квантовое и классическое время релаксации и свойства гетерограницы в селективно легированных гетероструктурах InР 71п0 5зОа0 47As. // ФТП. 1993. - Т. 27, в.4. - с.645 - 653.

61. F.F. Fang, T.P.Smith III , S.L.Wright. Landau-level broadening and scattering time in modulation doped GaAs/ . AlGaAs heterostructures. / / Surface Science. 1988. - V.196, N 1-3. р.ЗЮ - 315.

62. Р.Т.Coleridge. Inter-subband scattering in a 2D electron gas. // Semiconductor Science Technology. 1990.- V.5, N 3 . p.961 - 966.

63. P.T.Coleridge. Small-angle scattering in two-dimensional electron gases. // Physical Review B. 1991. - V. 44, N8. - p.3793 - 3801.

64. B.Laikhtman, M.Heiblum, U.Meirav. Effect of high unintentional doping in A1 GaAs barriers on scattering times in accumulation layers. // Applied Physics Letters.- 1990. V 57, N 15. - p. 1557 - 1559.

65. S.Yamada, T.Makimoto. Subband mobility of quasi-two-dimensional electrons in Si atomic layer doped GaAs.// Applied Physics Letters. 1990. - V.57, N 10. - p. 1022- 1024.

66. K.P.Martin, R.J.Higgins, J.J.L.Rascol, H.-M.Yoo, J.R.Arthur. Quantum life-time measurements of the two-dimensional electron gas at the inverted AlGaAs / GaAs interface. // Surface Science. 1988. - V.196, N 1-3. - p. 323 - 327.

67. B. IE Кадушкин, А.П.Сеничкин. Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 21>электронамн на сильно разориентированных подложках. // ФТП 1990. - Т.24, в.12 - с.2080 - 2088.

68. A.Gold. Scattering time and single-particle relaxation time in a disordered two-dimensional electron gas.

69. Physical Review B. 1988. - V.38, N 15. - p. 10798 - 10811.

70. S.Das Sarma, F.Stern. Single-particle relaxation time in an impure electron gas. / / Physical Review B. -1985. V.32, N 12. - p.8442 - 8444.

71. Дж.Займан. Принципы теории твердого тела. М.:"Мир'\ 1974. 456 с.

72. L.Hedin, B.I.Lundqvist. Explicit local exchange-correlation potentials. // J.P.hys.C.:Solid St.Phys. 1971.- . V.4, N 14. - p.2064-2083.

73. A.C.Gossard. R.C.Miller, W.Wiegmann. MBE growth and energ3? levels of quantum wells with special shapes. // Surface Science. 1986. - V.174, N 1-3. - p.131 - 135.

74. M.A.Herman, D.Bimberg, J.Christen. Heterointerfaces in quantum wells and epitaxial growth processes: Evaluation b}/ luminescence techniques. / / Journal of Applied Physics. 1991. - V.70, N 2. - p.Rl - R 52.

75. T.Hayakawa., T.Suyama., K.Takahashi, M.Kondo, S.Yamamoto, S.Yano, T.Hijikata. Interface disorder in

76. GaAs/А1 GaAs quantum wells grown by MBE. // Surface Science. -1986. V.174, N 1-3 . - p.76 - 81.

77. K.Brunner, G.Abstreiter, G.Bohm, G.Trankle, G.Wei-mann. Sharp-line photoluminescence of excitons localized at GaAs/A1 GaAs quantum well inhomogeneiti^s. // Applied

78. Physics Letters. 1994. - V.64, N 24. - p.3320 - 3322.

79. Аде Виссер, В.И.Кадушкин, В.А.Кульбачинский, В.Г. Кытин, В.М.Скороходов, Е.Л.Шангина. Особенности рассеяния электронов в системе множественных квантовых ям GaAs/GaAlAs с 6-легированием. // ЖЭТФ. 1994. - Т. 105, в.6. - с. 1701 -1713.

80. Ж.И.Алферов, С.В.Иванов, П.С.Копъев, Б.Я.Мель-цер, Т.А.Полянскиая, И.Г.Савельев, В.М.Устинов, Ю.В.Шмарцев. Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах N-AlxGa|xAs/GaAs при высоком уровне легирования. // ФТП,- 1985. Т.19, В.7. - с.1199-1201.

81. Sladek R.J. Magnetoresistance oscillations in single crystal and poly crystalline In As. // Physical Review. 1958. - V.110, N 4. - p.817 - 826.

82. K.Ohta. Broadening of Landau levels in two-dimensional electron gas. П. Transverse Magnetoconductance. /,/ Journal of the Physical Society of Japan. 1971. - V.31,1. N6. p.1627 - 1638.

83. J.Hajdu. The Shubnikov-de Haas Effect: An Introduction to the Theory. In: Modern Problem in Condensed Matter Sciences (Landau Level Spectroscopy). Ed: G.Landwehr, E.I.Rashba. Elsevier Science Publishers B.V., 1991. p.999 - 1030.

84. A.Isihara. L.Smrcka. Density and magnetic field dependences of the conductivity of two-dimensional electron systems. /,/ Journal of Physics C: Solid State Physics. -1986. V.19, N 8 . - p.6777 - 6789.

85. Кадушкин В.И., Шангина Е.Л. Явления переноса в легированных сверхрешетках GaAs/AlxGa^xAs разнесенного типа. // ФТП. 1993. - Т.27, в.8. - с.1311 - 1318.

86. В.А.Кульбачинский, В.И.Кадушкин, В.Г.Кытин, Е.Л. Шангина. Особенности явлений переноса в разнесенных легированных сверхрешетках. // ФТТ. 1993. - Т.35, N 7.- с. 1755 - 1763.

87. V.A.Kulbachinskii, A. de Visser, V.I.Kadushkin, V.G.Kytin, E.L.Shangina. Quantum corrections to conductivity and quantum Hail effect in GaAs-GaAlAs multiple quantum well structures. .// Physica B. 1994. -V.194 - 196. - p. 1197 - 1198.

88. V.A.Kulbachinskii, V.G.Kytin, V.I.Kadushkin, E.L.Shangina, A. de Visser. Quantum corrections to the conductivity and quantum Hall effect in GaAs-GaAlAs multiple quantum well structures. / / Journal of Applied Physics.1. V.75, N4. p.2081 - 2085.

89. В,И.Кадушкин, Е.Л.Шангина. Фотолюминесценция легированных разнесенных сверхрешеток GaAs/AlxGatxAs. // ФТП. 1995. - Т.29, В.6. -с. 1051-1060.

90. H.Van Houten, J.C.Williamson, M.E.Broekaart, C.T.Foxon, J J. Harris. // Phys.Rev. 1988. - V.37. -p.2756.

91. R.Fletcher, E.Zaremba, M.D'Jorio, C.T.Foxon, J.J.Harris. // Phys.Rev.B 1988.- V.38.- p.7866.

92. R.M.Kusters, F.A.Wittekamp, J.Singleton,j.A.A.J.Perenboom, G.A.C.Jones, D.A.Ritchie, J.E.Frost, J.-P.Andre. // Phys.Rev.B 1992. - V.46. - p.10207.

93. M. Illy p. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с.

94. А.с. N 1674674 по заявке N 4761948 с приоритетом от 27.11.1989. Н.П.Ливотова, А.П.Сеничкин, А.С.Бугаев, В.И.Кадушкин.

95. S.Sasa, К. Коп do, H.Ishikawa, J.Fujii, S.Miito, S.Hiyamizu. Electronic properties of Si atomic-planar-doped GaAs/AlAs quantum well structures grown by MBE. // Surface Science. 1986. - V.174, N1-3.- p.433 - 438.

96. А.С.Рыков. Поисковая оптимизация. Методы деформируемых конфигураций. М.: Наука, 1993. 216 с.

97. В.А.Волков, Д.В.Галченков, И.М.Гродненский, М.И.Елинсон, К.В.Старостин. Двумерный электронный газ и анизотропия явлений переноса в гетероструктуре GaAs-AlxGat.xAs / ФТП.- 1983. т.17,в.2. - с.288-293.

98. Л.В.Голубев, А.М.Крегцук, С.В.Новиков, Т.А.Полянская, И. Г. Савельев, И. И. Сайдашев. Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофаз-ной эпитаксии// ФТП. 1988.- т.22,в.Г1. - с.1948-1954.1. Литература к главе 4

99. Алещенко Ю.А., Заварицкая Т.Н., Капаев В.В.,Копаев

100. Ю. В., Мельник H. H. Резонансное комбинационное рассеяние света, и эффекты передислокации в сверхрешетках GaAs/AlGaAs. // Письма в ЖЭТФ. 1994. - Т.59, в.З - 4. - с.235 - 239.

101. D.Kaufman, A.Sa'ar, N.Kuze. Anisotropy, birefringence, and optical phase retardation related to intersubband transitions in multiple quantum well structures. // Applied Physics Letters. 1994. - V.64, N 19. - p.2543 -2545.

102. J.L.Educato, D.W.Bailey, A.Sugg, K.Hess, J.P.Leburton. Intersubband dynamics in modulation doped quantum wells. // Solid State Electronics. 1989. - V.32, N 12. - p. 1615 - 1619.

103. P.England, J.R.Hayes, E.Colas, M.Helm. Hot electron transport in high-lying minibands in semiconductor super lattices. // Solid State Electronics. 1989. - V.32, N 12. - p.1213 - 1217.

104. J.Christen, D.Bimberg. Recombination dynamics of carriers in GaAs-GaAlAs quantum well structures. // Surface Science. 1986. - V.174, N 1 - 3. - p.261 - 271.

105. Б.Р.Варданян, Р.Р.Резванов, М.В.Чукичев, А.Э.Юнович. Люминесценция множественных квантовых ям GaAs-AlxGa xAs в структурах для инфракрасных фотоприемников. / / ФТГ1. 1994. -Т.28, в.2. с.259 - 265.

106. M.Helm, P.England, E.Colas, T. De Rosa, S.J.Allen Jr. Intersubband emission from vertically excited hot electrons in superlattices. // Solid-State Electronics. -1989. V.32, N 12, p. 1761 - 1764. ,

107. K.Leo, WAV. Ruhle, K.Ploog. Hot carrier thermalization in GaAs/AlAs superlatttice. // Solid-State Electronics. 1989. V.32, N 12. - p.1863 - 1867.

108. W.Ossau, B.Jakel, E.Bangert, G.Landwehr, G.Weimann. Magnetooptical determination of the exciton binding energy in GaAs quantum wells. // Surface Science. 1986. - V.174, N 1- 3. p. 188 - 193.

109. K.Yamanaka, T.Fukunaga, N.Tsukada, K.L.I.Kobayashi, M.Ishii. Photocurrent spectroscopic observation of interband transitions in GaAs-AlGaAs quantum wells under an applied high electric field. // Surface Science. 1986. - V.174, N 1 - 3. - p.250 - 254.

110. S.Tarucha, H.Iwamura, T.Saku, H.Okamoto. A magneto-optical absorption study of AlxGai x As ternary al loy quantum wells. // Surface Science. 1986. -V .174, N 1 - 3 . - p. 194- 199.

111. Litovchenko V.G., Bercha A.I., Korbutyak D.V., Gavrilenko V.I., Ploog K. Low-temperature luminescence of short-period GaAs/AlAs superlattices. // Thin Solid Films.- 1992. V.217, N I - 2. - p.62 - 67.

112. Алеижин В.Я., Аншон А.В., Батукова. Л.М., Демидов Е. В., Демидова Е.Р., Звонков Б.Н., Карпович И.А., Малкина И.Г. Фотолюминесценция в 6-легированных углеродом сверхрешетках варсениде галлия. // ФТП. 1992. - Т.26, N 10. - с. 1848 - 1849.

113. Ledentsov N.N., Tsukada N., Ploog К. Carbon acceptor luminescence in type-I GaAs/AlAs uitrathin-layer superlattices. // Applied Physics A. 1992. - V.54, N 3. -p.261 - 264.

114. H.Sakaki, T.Noda, K.Hirakawa, M.Tanaka, T.Matsusue. Interface roughness scattering in GaAs/AlAs quantum wells. // Applied Physics Letters. 1987. - V.51, N23. - p. 1934 -1936.

115. K.Hirakawa, T.Noda, H.Sakaki. Interface roughness in AlAs/GaAs quantum wells characterized by the mobility of two-dimensional electrons. // Surface Science. 1988. -V.196, N 1 - 3 . - p.365 - 366.

116. T.Noda, M.Tanaka, H.Sakaki. Correlation length of interface roughness and its enhancement in molecular beam epitaxy grown GaAs/AlAs quantum wells studied by mobility measurement. // Applied Physics Letters. 1990. - V.57, N 16. - p. 1651 - 1653.

117. R.Jeanjean, J.Sicart, J.-L.Robert, F. Mol lot, R.Planel. Photoconductivity in silicon doped AlAs/GaAs short period superlattices. // Superlattices and Microstructures. -1990. V.8, N3. - p.345 - 348.

118. K.Tsukaki, Livingstone A., Kawashima H., Okamoto PL, Kumabe K. Differential negative resistance caused by intersubband scattering in a 2-dimensional electron gas. // ' Solid State Communications. 1983. - V.46, N 7. - p.517 -520.-w

119. Tsubaki К., Sugimura A. Kama be K. Electron mobility limits of two-dimensional electron gas in N-AlGaAs/GaAs at low temperature. //Journal of Applied Physics. 1985. -V.57, N 12. - p.5354 - 5358.

120. Anderson P.W., Abrahams E., Ramakrishnan ТА7. Possible explanation of nonlinear conductivity in thin-film metal wires. // Physical Review Letters. 1979. - V.43, N 10. - p.718 - 720.

121. Полянская Т.A., Ill марцев Ю.В. Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент. // ФТП. 1989. - Т.23, В.1.- с.З 32.

122. B.J.F.Lin, M.A.Paalanen, A.C.Gossard, D.C.Tsui. Weak localization of two-dimensional electrons in

123. GaAs-AlxGai.xAs heterostructures. /'/ Physical Review B.- 1984. V.29, N.2. - p.927 - 934.

124. B.L.Altshuler and A.G.Aronov, in Modern Problems in Condensed Matter Science, ed. by A.L.Efros and M.Pollak, Amsterdam (1985), p.l.

125. И.Г.Савельев, Т.А.Полянская. Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs.// ФТП. 1988. - Т.22, В.10. - с.1818-1826.

126. Hirakawa К., Sakaki И. Energy relaxation of two-dimensional electrons and the deformation potential constant in selectively doped AlGaAs/GaAs heterojunctions. / / Applied Physics Letters. 1986. - V.49, N 14. - p.889 - 891.

127. Долгополов В.Т., Шашкин А.А., Дорожкин С.И., Выро-дов Е.А. Время энергетической релаксзации в двумерном электронном газе у поверхности (001) кремния. // ЖЭТФ. 1985. -Т.89, В.6(12). - с.2113 - 2123.

128. Савельев И.Г., Полянская Т.А., Шмарцев Ю.В. Квантовые поправки к проводимости и разогрев двумерного электронного газа на гетерогранице AlGaAs/GaAs. // ФТП. 1987. -Т.21, В. 11. - с.2096 - 2099.

129. Кадушкин В.И., Денисов.А.А., Сеничкин А.П. Эффективная температура и релаксация энергии 20-электронов в n-AlxGa^xAs/GaAs. // ФТП. 1989. - Т.23, В.7. - с. 1199 --1202.

130. P.M.Koenraad, В.F.A.Van Hest, F.A.P.Blom, et.al.// Physica В.-1992. V. 177, p.485.

131. Копьев П.С., Уральцев И.И., Эфрос А.А., Яковлев

132. Д.Р., Винокурова А.В. Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы. / / ФТП. 1988.- Т.22, В.З. с.424 - 432.

133. Козырев С.В., Маслов А.Ю. Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах. // ФТП. 1988. -Т.22, В.З. - с.433 - 438.

134. У.Кейси, М.Паниш. Лазеры на гетероструктурах. Т.1.- М.: "Мир", 1981. 300с.

135. T.Mishima, J.Kasai, M.Morioka, Y.Sawada, Y.Katayama, Y.Shiraki, Y.Murayama. Determination of bandgap discontinuity in AlGaAs GaAs system by quantum oscillations of photoluminescence intensity. // Surface Science. 1986. V.174, N 1 - 3 . - p.307 - 311.

136. A.C.Gossard, R.C.Miller, WAViegmann. MBE growth and energy levels of quantum wells with special shapes. // Surface Science. 1986. - V.174, N1-3.- p. 131 - 135.

137. E.S.Koteles, B.S.Elman, C.Jagannath, Y.J.Chen. Temperature dependent optical spectra of single quantum wells fabricated using interrupted molecular beam epitaxial growth. // Applied Physics Letters. - 1986. - V.49, N 21. -p. 1465 - 1467.

138. G.Sekiguchi, S.Miyazawa, N.Mizutani. Photoluminescence from GaAs. AlGaAs quantum wells grown at 350° C by conventional molecular beam epitaxy. / / Japanese Journalof Applied Physics. 1991. - V.30, N 10A. - p.L1726 - L1728.1. Литература к главе 5

139. Eisenstein J.P., Pfeiffer L.N., West K.W. Independently contacted two-dimensional electron systems in double quantum wells./'/ Applied Physics Letters. 1990.- V.57.1. N22. p. 2324 - 2326.

140. Liu H.С., Steele A.G., Buchanan M., Wasilewski Z.R. Infrared transmission and photocurrent study of intersub-band transitions in a coupled asymmetrical quantum well structure. // Journal of Applied Physics. 1991. - V.70,1. N 12. p. 7560 - 7563.

141. Горбацевич А.А,, Катаев В.В.» Копаев Ю.В. Асимметричные наноструктуры в магнитном поле. // Письма, в ЖЭТФ. 1993. - Т.57, В.9. - с. 565 - 569.

142. Елесин В.Ф., Копаев Ю.В., Опенов Л.А., Подливаев А.И. Влияние примесного рассеяния на когерентные процессы в трехъямной наноструктуре. / / ФТП. 1994.- Т.28, N8.с. 1334 1345.

143. Алещенко Ю.А., Воронова И.Д., Гришечкина. С.П., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Кучеренко И.В., Кадушкин В.И., Фоми-чев С.И. Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям.

144. Письма в ЖЭТФ.- 1993. Т.58. В.5 - с.377 - 380.

145. S.Fukuta, H.Goto, N.Sawaki, T.Suzuki, H.lto, К.Нага. Modulation of optical spectra in an asymmetric triple quantum well structure // Semiconductors Science Technology. 1993. - V.8, N 5. - p. 1881 - 1884.

146. M.Tanaka, J.Motohisa, H.Sakaki. Formation of in-plane superlattice and quantum wire states in grid inserted hetero-structures with period of 80-160 A: anisotropy of electronic states // Surface Science. 1990.- V.228, N 1-3. - p.408--411.

147. R.Notzel, K.Ploog. Direct synthesis of semiconductor quantum- wire and quantum-dot structures // Advanced Materials.--1993.-V.5, N 1,- p.22-29.

148. Notzel R., Ledentsov N.N., Daveritz L., Ploog К., Hohenstein M. Semiconductor quantum-wire structures directly grown on high-index surfaces // Physical Review B. 1992.-V.45, N 7. - p.3507-3515.

149. А.Ф.Кравченко, В. В.Назинцев, А.П.Савченко, А.С.Терехов. Влияние электрон-экситонных столкновений на форму линии люминесценции связанных экситонов в арсениде галлия / / ФТТ.-1979.- Т.21, В.5.- С. 1551-1553.

150. В.В.Волцит, А.В.Дражан, В.А.Зуев, М.Т.Иванийчук, Д.В.Корбутяк, В.Г.Литовченко . Фотолюминесценция арсенида. галлия, имплантированного кремнием // ФТП. 1978.-Т.12, В.10. - С.2036-2039.

151. W.Shairer, D.Bimberg, W.Kotteler, K.Cho, M.Schmidt.//