Влияние внешних воздействий на релаксорные оксидные кристаллы тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат наук Лыу Тхи Ньян

• Лыу Тхи Ньян
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Лыу Тхи Ньян

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1 РЕЛАКСОРНЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ. МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ

РАЗМЫТОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В РЕЛАКСОРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ

1.1 Особенности сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом

1.2 Модели, описывающие формирование размытия фазового перехода

1.2.1 Модель флуктуации состава

1.2.2 Модель локализации носителей заряда в локализованных центрах

1.3 Структура и свойства кристаллов семейства ниобата бария стронция

1.3.1 Кристаллическая структура

1.3.2 Доменная структура

1.3.3 Основные электрофизические свойства сегнетоэлектриков - релаксоров семейства ниобата бария стронция

1.4 Влияния внешних воздействий на электрофизические свойства ниобата бария стронция

1.5 Выводы

2 ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ

2.1 Объекты исследований

2.2 Экспериментальные установки для исследования диэлектрического отклика образцов

2.3 Установка для исследования влияния освещения

2.4 Методика исследования петель поляризации

2.5 Выводы

3 ИССЛЕДОВАНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК РЕЛАКСОРНОЙ КЕРАМИКИ БВИ

3.1 Релаксорные свойства керамики 8ВЫ-75

3.2 Реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости

3.3 Выводы

4 ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ БЕЛЫМ СВЕТОМ НА ПОЛЯРИЦАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В КЕРАМИКЕ 8ВЫ-75

4.1 Влияние освещения белым светом на диэлектрический отклик керамического 8В1Ч-75

4.2 Влияние освещения на процессы низко - и инфранизкочастотной релаксации поляризации в сегнетокерамике 8ВЫ

4.3 Выводы

5 ФОТОТОКИ И ФОТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ В РЕЛАКСОРНОЙ

КЕРАМИКЕ НИОБАТА БАРИЯ СТРОНЦИЯ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЕТА

5.1 Фотоэлектрические свойства релаксорной керамики ниобата бария-стронция в области размытия фазового перехода

5.2 Кинетика инфранизкочастотного диэлектрического отклика в керамике 8го.75Вао.25МЪ2Об при воздействии белого света

5.3 Фототоки и инфранизкочастотный диэлектрический отклик при воздействии светом с различными длинами волн

5.4 Выводы

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние внешних воздействий на релаксорные оксидные кристаллы»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы исследования: В настоящее время наблюдается значительное расширение исследований электрофизических свойств релаксорных сегнетоэлектриков, в силу перспективности их применения в современном приборостроении - для создания на их основе малогабаритных конденсаторов, пьезоэлементов, электроакустических преобразователей, фильтров, нелинейных ёмкостных элементов, позисторов, оптических устройств для записи, хранения и обработки информации.

Одним из перспективных в практическом отношении релаксорных сегнетоэлектриков является твердые растворы ниобата бария стронция 8гхВа,. хМЬ206 (БВЫ-х), обладающие значительными пьезоэлектрическим и пироэлектрическим эффектами, высокими электрооптическими коэффициентами при комнатной температуре, существенной оптической нелинейностью и фоторефракцией. БВЫ является не содержащим свинец материалом, в отличие, например, от цирконата-титаната свинца, что очень актуално в плане защиты окружающей среды и безопасности для здоровья при разработке, эксплуатации и утилизации новых приборов, использующих сегнето- и пьезоэлектрическим эффекты.

Сегнетоэлектрический материал БВЫ достаточно давно привлекает внимание исследователей в качестве фоточувствительного сегнетоэлектрика [1,2]. В настоящее время изучение светочувствительных материалов особенно актуально. Например, фотовольтаический эффект в полярных средах может быть применен для неразрушающего считывания информации [2,3]. Исследование влияния облучения светом оптического диапазона (УФ, видимый свет, И К) на сегнетоэлектрические кристаллы ГлЫЬОз и БВИ позволяет считать эти соединения перспективными материалами для производства фотодетекторов, из-за их высокой надежности, хороших диэлектрических свойств и низкой стоимости. Несомненно, что практическое применение фотосегнетоэлектрических явлений (влияние фотоактивного освещения и соответственно неравновесных носителей на температуру Кюри, спонтанную поляризацию и другие макроскопические

свойства сегнетоэлектрика) будет расширяться в связи с развитием оптоэлектроники, нелинейной оптики и смежных с ними дисциплин.

Поэтому поиск общих закономерностей влияния внешних воздействий, в том числе и облучения светом с различными длинами волн, на сегнетоэлектри-ческие свойства кристаллов SBN представляется интересным и актуальным.

Степень разработанности темы исследования: первые монокристаллы SBN-x (0.25 <х< 0.75) были выращены Ballman и Brown (Ballman & Brown, 1966). В 1970 году лаборатория Bell Telephone опубликовала последовательные исследования оптических, электрических и структурных свойств кристаллов SBN. Исследование плёнок SBN было начато в Академии наук СССР в Новосибирске (Багинский и др., 1978) с использованием техники ВЧ распыления.

Исследованию доменной структуры и процессов переключения в кристаллах SBN посвящено довольно много работ, как российских, так и зарубежных авторов. В России это, прежде всего, работы Т.Р. Волк, Н.Р. Иванова, В.В. Гладкого [4-7]. Известны работы, связанные с непосредственным выявлением доменной структуры кристаллов SBN [8]; работы, где приводятся результаты исследования термоиндуцированных процессов переключения в кристаллах SBN с примесями Сг и Се [9]. Большой интерес вызывает обнаруженная возможность записи в релаксорном сегнетоэлектрике SBN регулярных 1D и 2D микродоменных структур, созданных путем приложения постоянных напряжений к зонду атомно-силового микроскопа [10,11]. Известны также исследования влияния примесей различного рода, [12-18], а также соотношение Sr/Ba на диэлектрические, сегнетоэлектрические и пироэлектрические свойства SBN, в т.ч. керамики [19]. Например, в ряде работ В.В. Гладкого с соавторами [6, 7, 20 — 22] приводятся результаты исследований влияния освещения на диэлектрические свойства фоточувствительного SBN-0.61 :(La+Ce) в слабых и сильных электрических полях.

Большинство из этих исследований были проведены на монокристаллах. Работ по изучению свойств поликристаллического материала SBN-x значительно меньше, хотя керамические материалы применяется в технике шире, чем

монокристаллы, из-за их низкой стоимости и относительной простоты изготовления. Поэтому исследование влияния внешних воздействий, (температура, электрическое поле, излучение различных участков спектра) представляет интерес как в прикладном, так и фундаментальном аспектах, поскольку позволяют существенно расширить область применения активных диэлектриков в различных современных электронных приборах, а также уточнить и дополнить основные модели, касающиеся физических свойств сегнетоэлектрических материалов с размытыми фазовыми переходами.

Цель работы: Целью работы являлось исследование электрофизических свойств релаксорной керамики Зго^Вао^^^Об (8ВЫ-75) при воздействии ряда внешних факторов.

В соответствии с поставленной целью решались следующие задачи:

1. Изучение поведения инфранизкочастотного диэлектрического отклика в релаксорной керамике 8ВМ-75, исследование диэлектрических свойств керамики 8ВЫ-75 в области размытого фазового перехода и сравнение полученных результатов с аналогичными параметрами в монокристалле 8В1ч[-75.

2. Изучение нелинейности диэлектрического отклика, т. е поведение керамического 8ВМ-75 в сильных электрических полях (до 22.5 кВ/см) в области температур размытого фазового перехода.

3. Исследование влияния освещения белым светом на характер диэлектрического отклика в сильных переменных (синусоидальных) электрических полях (до 10 кВ/см) в диапазоне частот от 0.1 Гц до 10 Гц в области температур размытия фазового перехода.

4. Исследование процессов низко - и инфранизкочастотной релаксации поляризации и фотодиэлектрического эффекта в сегнетокерамике 8ВЫ-75 при

-у

воздействии на образец света малой интенсивности (до 0.15 мВт/см ).

5. Исследование поведения кинетики фототока и инфранизкочастотного диэлектрического отклика в релаксорной керамике 8ВЫ-75 при освещении излучением как видимого, так и ультрафиолетового диапазона в области температур размытого фазового перехода.

Объекты исследований:

В качестве объектов исследований использовались керамические образцы 8В1\Г-75, приготовленные в институте физики твердого тела Латвийского университета методом реакции в твердой фазе.

Научная новизна работы:

1. Обнаружены особенности керамики 8ВЫ-75, связанные с существенно меньшими, по сравнению с монокристаллами, значениями диэлектрической проницаемости е' и особенно коэффициента диэлектрических потерь е", при температурах ниже температуры максимума е'(Т), и резкий рост этих параметров при температуре, выше данной.

2. Впервые обнаружено, что характер поведения действительной части комплексной диэлектрической проницаемости е'(Е=) при влиянии смещающих электрических полей в исследуемой керамике и нелинейность диэлектрического отклика ближе к поведению нелинейности в обычных сегнетоэлектриках, чем в релаксорах.

3. Установлено, что на инфранизких частотах диэлектрический отклик связан именно с наличием фотовольтаического эффекта.

4. Впервые проведены исследования поведения кинетики фототока и низко- и инфранизкочастотного диэлектрического отклика и фотодиэлектрического эффекта релаксорной керамики 8ВГчГ-75 при воздействии освещения различного диапазона в области размытого фазового перехода и дано объяснение наблюдаемым эффектам.

Теоретическая и практическая значимость работы:

Полученные в работе результаты и установленные закономерности по исследованию электрофизических свойств сегнетоэлектриков - релаксоров керамики 8В1М-75 могут быть использованы в научных центрах, занимающихся изучением сегнетоэлектриков, где они могут полезными при целенаправленном выборе составов в системе 8гхВа1.х№>20б для получения материалов с заданными физическими свойствами.

Результаты исследований изменения низко - и инфранизкочастотных

диэлектрических параметров керамики SBN под влиянием внешних воздействий, представленные в диссертационной работе, позволяют расширить и пополнить имеющуюся информацию о процессах диэлектрической релаксации в материалах, обладающих размытыми фазовыми переходам. Это будет полезно как для разработчиков технических применений керамики SBN-75, так и для проверки существующих и разработки новых теоретических представлений об особенностях физических свойств релаксоров вообще. Методология и методы исследования:

В работе использовались экспериментальные методики исследования электрофизических характеристик сегнетоэлектрических материалов. Диэлектрические свойства объекта на частотах 100 Гц и 1000 Гц исследовались при помощи измерителя иммитанса Е7-15, для инфранизких частот применялся емкостный лабораторный ИНЧ-мост. Петли переполяризации исследовались с помощью модернизированной схемы Сойера-Тауэра, в которой организованы оцифровка сигналов и их последующая компьютерная обработка.

Стабилизация температуры при проведении измерений осуществлялась прецизионным термостабилизирующими устройствами. При проведении диэлектрических измерений в области температур +20°С - +400°С погрешность поддержания температуры не превосходила ±0.3 К.

При проведении фотоэлектрических исследований в качестве источников излучения применялись светоизлучающие диоды малой мощности: источник белого света - 5034W2C-DSA-A с максимумом излучения на длине волны 550 нм; источник ультрафиолетового (УФ) излучения - UV-5 с максимумом излучения на длине волны 405 нм. Мощность излучения (интенсивность) составляла 0.15-0.2

л

мВт/см .

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Экспериментальные результаты, доказывающие релаксорные свойства и реверсивные зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрической керамики SBN-75.

2. Экспериментальное доказательство близости нелинейного отклика диэлек-

трической проницаемости в керамике SBN-75 при наличии смещающих полей поведению нелинейности в сегнетоэлектриках.

3. Совокупность экспериментальных результатов, показывающих влияние освещения на электрофизические свойства и на процессы низко - и инфранизко-частотной релаксации поляризации в сегнетокерамике SBN-75.

4. Результаты экспериментальных исследований, описывающих кинетику инфранизкочастотного диэлектрического отклика в керамике SBN-75 при освещении видимым светом и излучением в ультрафиолетовом диапазоне и фотоэлектрические свойства релаксорной керамики SBN-75.

Достоверность полученных результатов обеспечивается применением комплекса надежных экспериментальных методов, обеспечивающих получение достоверных данных, высоким качеством образцов, хорошим согласием полученных в работе результатов с теоретическими выкладками по исследуемой тематике, а также докладами и обсуждением результатов на конференциях различного уровня.

Апробация результатов: Результаты диссертационного исследования докладывались на Международных, Всероссийских и других научных конференциях: Шестнадцатой Всероссийской научной конференции студентов -физиков и молодых ученых, 22-29 апреля, 2010 г. г. Волгоград, Россия; Международной конференции EURODIM 2010, 12-16 июля, 2010 г., г. Печ, Венгрия; Семнадцатой Всероссийской научной конференции студентов - физиков и молодых ученых, 25 марта - 1 апреля, 2011 г., г. Екатеринбург, Россия; Международной научной конференции 18 - 21 октября 2011 г., Минск, Белоруссия; Международной конференции Functional Materials and Nanotechnologies (FM&NT-2011), 5-8 апреля 2011 г, Рига, Латвия; 7-ом Международном семинаре по физике сегнетоэластиков 2012 г. (ISFP7), Воронеж, Россия; Международном симпозиуме по Ферро - Домены (ISFD - 11 - RCBJSF), 21-25 августа 2012 г., Екатеринбург, Россия; Международной конференции "Функциональные материалы и нанотехнологии" (FM&NT-2013 г.), Тарту, Эстония; Международном семинаре по сегнетоэлектрикам, 1-6 июля 2013 г.,

Санкт - Петербург, Россия; «20-ой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых», 27 марта — 3 апреля 2014 г., Ижевск, Россия; 20-ой Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (ВКС-20), 18-22 августа 2014 г., г. Красноярске, Россия; 8-ой Международной конференции "Передовые оптические материалы и приборы» (AOMD-8), 25-27 августа 2014 г., г. Рига, Латвия; Международной конференции «Joint 12th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity and 9th International Conference Functional Materials and Nanotechnologies (RCBJSF - FM&NT 2014)» в институте физики твердого тела Латвийского университета, г. Рига, Латвия.

Личный вклад автора:

В соответствии с задачами, поставленными научным руководителем, автор непосредственно участвовал в процесс экспериментальных исследований и сделал обработку результатов измерений и их анализ. В постановке задачи, обсуждении результатов и формулировке выводов участвовали доктор физ. - мат. наук, проф. Бурханов А.И и кандидат физ.-мат. наук Медников С.В.

Публикации. Научные результаты работы опубликованы в журналах: «Ferroelectric», «Functional materials and Nanotechnologies», «SPIE — Society of Photo-optical Instrumentation Engineers», «Известия ВолгГТУ. Серия: Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь», «Изд-во МАРТ, Ростов-на-Дону», также в сборниках тезисов и материалов конференций. Всего - 20 печатных работ, из них 2 статьи в рецензируемом журнале из списка ВАК РФ, 3 статьи в международных рецензируемых журналах, индексируемых в базе Scopus, 3 статьи в других журналах.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка используемой литературы. Общий объем составляет 105 страниц, включая 52 рисунков и 29 формул, 1 таблица. Список литературы содержит 106 наименований.

1 РЕЛАКСОРНЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ.

МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ РАЗМЫТОГО ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА В РЕЛАКСОРНЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ

1.1 Особенности сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом

Начиная с первых работ Г.А. Смоленского и В.А. Исупова, открывших в 1952-1954 гг. новый вид сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом (релаксоры), эти материалы интенсивно изучаются как экспериментально, так и теоретически. Уникальные физические свойства релаксоров, а также разнообразные применения в современной технике являются причиной такого к ним интереса и делают их, с одной стороны, интереснейшими объектами для фундаментальных научных исследований, а с другой - перспективными материалами для практических разработок.

В ходе исследования физических свойств поликристаллических образцов твердых растворов £а(77,5)?)03 [23, 24] при больших содержаниях Ва5пО} было отмечено сильное размытие максимумов диэлектрической проницаемости (с') при сегнетоэлектрических фазовых переходах (Рисунок 1.1) и существование пьезоколебаний у предварительно поляризованных образцов при температурах, лежащих на десятки градусов выше температур максимумов г'.

Аналогичные явления выявлены и в ряде других твердых растворов, например в Ва(Л^г)03[25). Несколько позднее размытые максимумы с' при сегнетоэлектрических фазовых переходах были обнаружены у ряда сложных

перовскитов, таких, например, как магнониобат свинца PbMg]/Nb2/03 [26].

Л Л

Диэлектрическая проницаемость магнониобата свинца при температурах, близких к 0°С, проходит через максимум, который сдвигается в сторону более высоких температур при увеличении частоты (Рисунок 1.2). Это указывает на релаксационный характер диэлектрической поляризации.

е-103

Цифры у кривых указывают содержание Ва8пОъ в мол. %. [24] Рисунок 1.1- Температурная зависимость диэлектрической проницаемости твердых растворов ВаТЮъ - Ва5пОъ в слабых полях при частоте 1 кГц

1 - ОАкГц; 2 -1 кГц;3 - 45кГц; 4 - 450кГц; 5 -1500кГц; 6 - 4500кГц.

сплошные линии - диэлектрическая проницаемость £', штриховые линии - tg5 [26] Рисунок 1.2 - Температурная зависимость диэлектрических характеристик

поликристаллического образа PbMg] , МЬ2/03 в слабых полях при различных частотах

Л /з

В то же время при низких температурах у магнониобата свинца наблюдаются хорошо выраженные петли диэлектрического гистерезиса, указывающие на сегнетоэлектрическое состояние этого вещества (Рисунок 1.3). Спонтанная поляризация поликристаллических образцов, определенная из этих

петель, достигает при низких температурах достаточно большой величины (14 10"

6 2

Кл/см" при Т=-120°С) а при нагревании не обращается в нуль и сохраняет заметную величину даже выше температуры максимума г'.

Р, Кл/см2

Рисунок 1.3 - Петли диэлектрического гистерезиса поликристаллического образа

PЪMg ,/ЫЬ2 /Ог при -90"С и различных напряженностях электрического поля [26]

/з Л

Исследование монокристаллов магнониобата свинца [27] показало такой же характер температурных зависимостей г' и tg8, что и у поликристаллических образцов, и такой же сдвиг максимума на кривой е'(Т) при изменении частоты. Из рисунка 1.4, где приведена температурная зависимость спонтанной поляризации и

коэрцитивного поля монокристалла PbMgvNb2/03 (по данным работы [27]),

/з Л

видно, что в области максимумов е', т. е. при -20^-20°С, отсутствует сколько -нибудь ощутимый скачок Рз-

Ес ,кВ/см

16

-160 -80 0 80 Т.ЙС

Рисунок 1.4 - Температурная зависимость спонтанной поляризации и коэрцитивного поля монокристалла РЬМ^ Ь/М>2 03 [27]

О

>Г"?Г3

При исследовании кристаллов магнониобата свинца в поляризованном свете [27] было найдено, что при охлаждении они ведут себя как изотропные вещества вплоть до температуры жидкого азота. Под действием постоянного электрического поля, перпендикулярного направлению наблюдения, появляется двойное лучепреломление, но доменной структуры, как правило, не отмечается. Доменную структуру удалось наблюдать только в процессе переполяризации очень тонких кристаллов (клинья, прорастающие через кристалл).

Однако границы доменов неотчетливы и, по-видимому, имеют большую толщину. Если процесс поляризации проводить при достаточно низкой температуре, то, сняв поле, можно «заморозить» соответствующую доменную структуру. При нагревании в отсутствие поля видимость доменов постепенно ухудшается, границы становятся менее четкими. При температуре примерно -60 °С видимая доменная структура исчезает, и кристалл становится оптически изотропным.

В работах [28 - 30] подробно исследована релаксационная диэлектрическая поляризация магнониобата свинца. При этом было установлено, что смещение максимумов е' и г", наблюдающееся при изменении частоты, замедляется в области очень низких и очень высоких частот. Известно, что при релаксационной поляризации наклон линейной зависимости 1псо = /(1 /Тт) (где Тт - температура

максимума на кривой е"(Т) при заданной круговой частоте со) обычно определяет энергию активации и, а величина со при 1/Гда—»0 - частоту колебаний V релаксирующего элемента. В случае же магнониобата свинца экстраполяция кривой 1пгу = /(1/Тт) к высокой температуре ведет к бессмысленно большой

38

величине V ~ 10 Гц. Энергия активации, определенная при высоких температурах, составляет 1.5 эВ, а при низких (из - за наличия излома на кривой) достигает 7 эВ.

Другой особенностью релаксационной диэлектрической поляризации магнониобата свинца является своеобразная температурная зависимость высоты максимума на кривой е"(со). При понижении температуры до - 10°С высота максимума растет, ниже - 10°С - понижается (при обычной релаксационной поляризации высота этого максимума монотонно возрастает при понижении температуры).

20 40 60 80

(т-Т4);.10!.К; {кривые 1.3,4) (Т-Тс.)-.1СГ\К' (кривая 2)

(Т - То)

1 - монокристалл PbMgvNb2/03, 2 - керамика РЬМя ¡ ^УЬ. О-,,

3 - керамика 0ЛРЬГегЖиОъ+03РЬМ§[Ж1/О3,

А Л /г /г

4 - керамика РЬМ, М>, О,

/з /ъ

Рисунок 1.5- Зависимость \/е' от (Г - Т0 ) для различных релаксорных

материалов [30]

Важной особенностью магнониобата свинца и других сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом, как видно из рисунка 1.5, является то, что у них диэлектрическая проницаемость выше температуры максимума е' меняется не по закону Кюри - Вейсса

где С - постоянная Кюри - Вейсса, Тс - температура Кюри, а по закону

— = А + В(Т - Т )2 (1.2)

6

где А, В - постоянные.

Все отмеченные особенности поведения сегнетоэлектрико-релаксоров можно в полной мере отнести к исследуемому в данной работе ниобату бария-стронция.

1.2 Модели, описывающие формирование размытия фазового перехода

1.2.1 Модель флуктуации состава

За последние годы обнаружено большое число сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом: твердые растворы титаната висмута в титанате стронция [31 - 33], многие соединения и твердые растворы со структурой типа перовскита и тетрагональной калиево-вольфрамовой бронзы [26], и с другими структурами. Внимательное рассмотрение этих веществ позволяет выделить общую черту их строения - наличие ионов разного сорта в одинаковых кристаллографических положениях. Предположение о возможности статистического распределения разных ионов в одинаковых узлах кристаллической решетки позволило сделать допущение о возможности существования «замороженных» флуктуаций состава, которые приводят к размытию сегнетоэлектрического фазового перехода и к релаксационному характеру диэлектрической поляризации.

В работе [34], где приведена количественная оценка влияния флуктуации состава на размытие фазового перехода I рода, рассматриваются перовскитовые

твердые растворы А{В[_рВ"р )03. Предполагается, что какое бы то ни было

упорядочение ионов В' и В" в октаэдрических узлах решетки отсутствует. В твердом растворе выделяется малый объем, содержащий п молекул ЛВ'Оъ. Вероятность обнаружения в этом объеме т молекул АВ"Оъ равна:

п\

<р(т) = с:рт(1-ргт=]

или при т! п = ц

т\(п-т)\

п-т

(1.3)

(1.4)

V О-р)ч -

Величина п определяется из величины минимального объема, в котором спонтанная поляризация возникает одновременно и является стабильной во всех его частях. Таким объемом является объем критического зародыша полярной фазы.

Из соотношения (1.3) можно получить более удобное выражение для распределения микрообластей кристалла по локальным температурам Кюри :

2"

(Р(Т1С) = {2жсг2у2 ехр

2а:

(1.5)

2 2 / где (7 = у р(\ — р)/п. Коэффициент у = (7^ - - р) определяет скорость

изменения температуры Кюри при изменении концентрации компонентов, а Т£р -средняя температура Кюри, при которой половина объема кристалла переходит в сегнетоэлектрическое состояние.

Существуют различные факторы, влияющие на степень размытия фазовых переходов и, прежде всего, отступления от беспорядочного распределения ионов Вх и В" в октаэдрических узлах решетки. Тенденция к упорядочению ведет к уменьшению размытия, тенденция к разупорядочению ионов — к его увеличению. Большие спонтанные поляризация и деформация приводят к большим

деполяризационной и деформационной энергиям зародыша сегнетоэлектрической фазы и тем самым вызывают увеличение критических размеров зародышей. В связи с этим п в выражении (1.4) возрастает, а это влечет за собой уменьшение размытия фазового перехода.

1.2.2 Модель локализации носителей заряда в локализованных центрах

Свойства фотостимулированных сегнетоэлектрических фазовых переходов во многом определяется взаимным влиянием электронной и решеточной подсистем. Это приводит к увеличению ширины запрещенной зоны вследствие возникновения спонтанной поляризации и сдвигу температуры Кюри, обусловленному изменением заселенности ловушек [35].

Рассмотрим сегнетоэлектрик в условиях непрерывного освещения, генерирующего электроны проводимости, которые могут быть захвачены ловушками. Его термодинамический потенциал можно записать в виде разложения Ландау, зависящего от числа электронов в ловушках [35].

В работе [36] было получено выражение для разложения термодинамического потенциала, описывающего поведение параметра порядка (поляризации) 77 вблизи температуры фазового перехода с учетом влияния электронной подсистемы в следующем виде:

Ф = Ф0 + (а + ат)т]2 + рт]А +ут]6. (1.6)

Здесь Ф0 - термодинамический потенциал парафазы с учетом энергии электронной подсистемы, а, /?, у, - коэффициенты разложения решеточной части термодинамического потенциала по степеням параметра порядка, а - коэффициенты разложения энергии электронов на ловушках по степеням параметра порядка, т -концентрация электронов на уровнях прилипания (ловушках).

Таким образом, коэффициенты разложения термодинамического потенциала зависят от концентрации электронов на уровнях прилипания, член ат определяет сдвиг температуры фазового перехода за счет электронов на ловушках [37].

На термодинамическом уровне это влияние электронной подсистемы на фазовый переход удается описать через непрерывный сдвиг температуры фазового перехода Тст при постепенном заполнении ловушек

Т =Т-— (1.7)

1ст 1 с , ' V1 )

а

где Тс - температура фазового перехода в отсутствие электронной подсистемы (или при пустых ловушках), а' = 2тг/С, С - константа Кюри - Вейса.

С понижением температуры уровни прилипания заполняются до величины, близкой М (М - концентрация ловушек). В результате эффективная температура фазового перехода Тст будет иметь значение Тс^ = Тс — аМ/ос'. При температуре ТсМ произойдет фазовый переход в состояние со спонтанной поляризацией.

Выражение для температурного поведения дисперсии б(о>,Т) в слабых полях

для реального кристалла при размытых фазовых переходах представляется в виде [36]:

е(а),Т) = еоа+- ^---' (1.8)

ат(Т) + гт0{Т)о) ам(Т) + 1Т0(Т)в>

здесь ам = а'(Т-ТсМ), ат(Т) = а'(Т -Тст(Т)), г0(Т) - температурная

зависимость времени ралаксации. Выражение (1.8) определяет дисперсию и температурную зависимость диэлектрической проницаемости, которая имеет характерный вид, наблюдаемый при размытых фазовых переходах. Температурная и дисперсионная зависимости реальной е' и мнимой с" частей диэлектрической проницаемости г(со, Т) представлены на рисунках 1.6 -1.8.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Лыу Тхи Ньян, 2015 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Фридкин, В.М. Фотосегнетоэлектрики / В.М. Фридкин. - М.: Наука, 1979. -264 с.

2. Glass, A.M. Highvoltage bulk photovoltaik ettect and the photovoltaik ettect and

the photorefractive process in LiNb03 / A.M. Glass, D. Von der Linbe, T.J. Negran // Appl. Phys. Lett. - 1974. -Vol. 25, № 4. - P. 233-236.

3. Делимова, Л. А. Тонкопленочный конденсатор M/Pb(ZrTi)03/M как

поляризационно-чувствительный фотоэлемент / Л.А. Делимова, B.C. Юферев, И.В. Грехов, A.A. Петров, К.А. Федоров, В.П. Афанасьев // ФТТ. -2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1149-1153.

4. Волк, Т.Р. Атомное строение монокристалла Sro.75Bao.27Nb206 и связь состав - структура - свойства в твердых растворах (Sr,Ba)Nb206 / Т.Р. Волк, Т.С. Черная, Б.А. Максимов, Л.И. Ивлева, В.И. Смирнов // ФТТ. - 2000. - Т. 42, вып. 9.-С. 1668-1672.

5. Иванов, Н.Р. Сегнетоэлектрическая доменная структура в кристаллах SBN (статика и динамика) / Н.Р. Иванов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева, С.П. Чумакова, A.B. Гинзберг // Кристаллография. - 2002. - Т. 47, № 6. - С. 1092-1099.

6. Гладкий, В.В. Особенности кинетики поляризации фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Т.Р. Волк, Е.С. Иванова, Л.И. Ивлева // ФТТ. - 2005. - Т. 47, вып. 2. - С. 286-292.

7. Гладкий, В.В. Квазистатические петли диэлектрического гистерезиса фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика в области размытого фазового перехода / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк // ФТТ. - 2007. - Т. 49, вып. 5. - С. 881-885.

8. Пшеничнов, Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов / Ю.П.

Пшеничнов. - М.: Металлургия, 1974. - 528 с.

9. Большакова, H.H. Исследование процессов переключения кристаллов

ниобата бария-стронция методом теплового эффекта Баркгаузена / H.H.

Большакова, Т.О. Зазнобин, В.В. Иванов, Е.Б. Муравьева, Б.Б. Педько // ФТТ. - 2006. - Т. 48, вып. 6. - С. 967-968.

10. Лысова, О.В. Атомно-силовая микроскопия сегнетоэлектрических микро- и

нанодоменных структур: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.18 / О.А. Лысова. - М., 2011. - 24 с.

11. Simagina, L.V. Spesific features ID and 2D domains pattern stability recorded bin strontium-barium niobate by atomic force microscope / L.V. Simagina, T.R. Volk, R.V. Gaynutdinov, O.A. Lysova, A.L. Tolstikhina, L.I. Ivleva // Integrated Ferroelectrics. - 2009. - Vol. 109. - P. 36^17.

12. Кислова, И.Л. Влияние примесей церия и хрома на оптические и сегнетоэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / И.Л. Кислова. - Твер. гос. ун-т. Тверь: ТвГУ., 2004.-133 с.

13. Ивлева, Л.И. Исследование температурной зависимости электропроводимости в кристаллах ниобата бария-стронция с различными примесями / Л.И. Ивлева,Н. С. Козлова, Е.В. Забелина // Кристаллография. -2007. - Т. 52, № 2. - С. 344-347.

14. Волк, Т.Р. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция с примесями некоторых редкоземельных металлов / Т.Р. Волк, В.Ю. Салобутин, Л.И. Ивлева, Н.М. Полозков, Р.Панкрат, М.Вёлеке // ФТТ. - 2000. - Т. 42, вып. 11. - С. 2066-2073.

15. Kaczmarek, S.M. Optical and dielectric properties of SBN-61 single crystals doped with Co, Cr, Ni and Ce / S.M. Kaczmarek, D. Piwowarska, K. Matyjasek, M. Orlowski, L.I. Ivleva // Optical Materials. - 2009. - Vol. 31. - P. 1794-1797.

16. Ivleva, L.I. Growth and ferroelectric properties of Nd-doped strontium-barium niobate crystals / L.I. Ivleva, T.R. Volk, D.V. Isakov, V.V. Gladkii, N.M. Polozkov, P.A. Lykov // Journal of Crystal Growth. - 2002. - Vol. 1. - P. 700702.

17. Volk, Т. Effects of Ni doping on properties of strontium barium niobate crystals / T. Volk, D. Isakov, V. Salobutin, L.I. Ivleva, P. Lykov, V. Ramzaev, M. Wohlecke // Solid State Communications. - 2004. - Vol. 130. - P. 223-226.

18. Volk, T. Effects of rare-earth impurity doping on the ferroelectric and photorefractive properties of strontium barium niobate crystals / T. Volk, L.I. Ivleva, P. Lykov, N. Polozkov, V. Salobutin, R. Pankrath, M .Wohlecke // Optical Materials.-2001.-Vol. 18.-P. 179-182.

19. Jing Zhang. Influence of Sr/Ba ratio on the dielectric, ferroelectric and pyroelectric properties of strontium barium niobate ceramics / Jing Zhang, Genshui Wang, Feng Gao, Chaoliang Mao, Fei Cao, Xianlin Dong // Ceramics International. - 2013. - Vol._39. - P. 1971-1976.

20. Гладкий, B.B. О диэлектрической проницаемости фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк // ФТТ. - 2006. - Т. 48, вып. 10. - С. 1817-1819.

21. Гладкий, В.В. Реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк // ФТТ. - 2006. - Т. 48, вып. 11. - С. 20262029.

22. Гладкий, В.В. Процессы деполяризации в фоточувствительном релаксорном сегнетоэлектрике / В.В. Гладкий, Е.С. Иванова, Т.Р. Волк // ФТТ. - 2007. -Т. 49, вып. 11. - С. 2049-2054.

23. Смоленский, Г.А. Фазовые переходы в некоторых твердых растворах, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами / Г.А. Смоленский, В.А. Исупов // ДАН СССР. - 1954. - Т. 9, № 1. - С. 653-654.

24. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов станната-титаната бария / Г.А. Смоленский, В.А. Исупов // ЖТФ. - 1954. -Т. 24, №8.-С. 1375-1386.

25. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов цирконата бария в титанате бария / Г.А. Смоленский, Н.П. Тарутин // ЖТФ.

- 1954. - Т. 24, вып. 9. - С. 1584-1593.

26. Смоленский, Г.А. Сегнетоэлектрики с размытым фазовым переходом /Г.А. Смоленский, В.А. Исупов, А.И. Аграновская, С.Н. Попов // ФТТ. - 1960. -Т. 2, вып. 11.-С. 2906-2918.

27. Боков, В.А. Электрические и оптические свойства монокристаллов-сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом / В.А. Боков, И.Е Мыльникова// ФТТ. - 1961. - Т. 3, вып. 3 - С. 841-855.

28. Khuchua, N.P. Proc. Intern. Meeting on ferroelectricity / N.P. Khuchua // Prague.

- 1966.-Vol. 2.-P. 161.

29. Кириллов, B.B. Релаксационная поляризация сегнетоэлектрика PbMgioNt^e с размытым фазовым переходом / В.В. Кириллов, В.А. Исупов // Изв. АН СССР. Сер. физ. - 1971. - Т. 35, № 12. - С. 2602-2606.

30. Kirillov, V.V. Relaxation polarization of PbMg1/3Nb2/303 - ferroelectric with a diffused phase transition / V.V. Kirillov, V.A. Isupov // Ferroelectrics. - 1973. -Vol. 5.-P. 3-9.

31. Сканави, Г.И. Новые диэлектрики с весьма высокой диэлектрической проницаемостью и малой проводимостью, не обладающие сегнетоэлектрическими свойствами / Г.И. Сканави, E.H. Матвеева // ЖЭТФ.

- 1956. - Т. 30, № 6. - С. 1047-1051.

32. Сканави, Г.И. Релаксационная поляризация и потери в несегнетоэлектрических диэлектриках с высокой диэлектрической проницаемостью / Г. И. Сканави, Я. М. Ксендзов, В.А. Тригубенко, В.Г. Прохватилов // ЖЭТФ. - 1957. - Т. 33, вып. 2. - С. 320-334.

33. Фрицберг, В.Я. Физическая природа поляризации в твердых растворах титанатов стронция и висмута / В.Я. Фрицберг // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук. - 1961.-№ 5.-С. 39-51.

34. Исупов, В.А. К вопросу о причинах образования области Кюри в некоторых сегнетоэлектрических твердых растворах / В.А. Исупов // ЖТФ. - 1956. - Т. 26, № 9. - С. 1912-1916.

35. Фридкин, В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники / В.М. Фридкин. - М.: Наука, 1976.-408 с.

36. Мамин, Р.Ф. К теории фазовых переходов в релаксорах / Р.Ф. Мамин // ФТТ. - 2001. - Т. 43, № 7. - С. 1262-1267.

37. Мамин, Р.Ф. Трансформация сегнетоэлектрических фазовых переходов под действием освещения / Р.Ф. Мамин, Г.Б. Тейтельбаум // Письма ЖЭТФ. -1986. - Т. 44, № 7. - С. 326-329.

38. Viehland, D. Freezing of the polarization fluctuations in lead magnesium niobate relaxors / D. Viehland, S.J. Jang, L.E. Cross, M. Wuttig // J. Appl. Phys. - 1990. -Vol. 68, № 6. - P. 2916-2921.

39. Isupov, V.A. Phenomena at transformation from sharp to diffuse ferroelectric phase transition / V.A. Isupov// Ferroelectrics. - 1993. - Vol. 143. - P. 109-115.

40. Лайнс, M. Сегнетоэлектрические и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс. - М.: Мир, 1981.-736 с.

41. Кузьминов, Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением / Ю.С. Кузьминов. - М.: Наука, 1982. - 400 с.

42. Glass, A.M. Investigation of the electrical properties of Sr!_xBaxNb206 with special reference to pyroelectric detection / A.M. Glass // J. Appl. Phys. - 1969. -Vol. 40, № 12.-P. 4699.

43. Lenzo, P.V. Electrooptic coefficients of ferroelectric strontium barium niobates / P.V. Lenzo, E.G. Spencer, F.F. Ballmann // Appl. Phys. Lett. - 1967. - Vol. 11, № l.-P. 23-24.

44. Tian, L. Anomalous electro-optic effect in Sr0.6Ba0.4Nb2O6 single crystals and its application in two-dimensional laser scanning / L. Tian, D.A. Scrymgeour, A. Sharan, V. Gopalan // Appl. Phys. Lett. - 2003. - Vol. 83. - P. 4375.

45. Horowitz, M. Broadband second-harmonic generation in Sri_xBaxNb206 by spread spectrum phase matching with controllable domain gratings / M. Horowitz, A. Bekker, B. Fischer // Appl. Phys. Lett. - 1993. - Vol. 62. - P. 2619.

46. Kawai, S. Second-harmonic generation from needlelike ferroelectric domains in Sro.6Bao.4Nb206 single crystals / S. Kawai, T. Ogawa, H.S. Lee, R.C. DeMattei and R.S. Feigelson // Appl. Phys. Lett. - 1998. - Vol. 73. - P. 768.

47. Ewbank, M.D. Photorefractive properties of strontium-barium niobate / M.D. Ewbank, R.R. Neurgaonkar, W.K. Cory, J. Feinberg // J. Appl. Phys. - 1987. -Vol. 62.-P. 374.

48. Micheron, F. Electrical controlling of photoferroelectric materials for optical storage / F. Micheron, C. Mayeux, J.C. Trotier // Appl. Optics. - 1974. - Vol. 13. -P. 913.

49. Volk, T. Ferroelectric phenomena in holographic properties of strontium-barium niobate crystals doped with rare-earth elements / T. Volk, Th. Woike, U. Doerfler, R. Pankrath, L.I. Ivleva, M .Wohlecke // Ferroelectrics. - 1997. - Vol. 203.-P. 457-470.

50. Jamieson, P.B. Ferroelectric tungsten bronze-type crystal structures barium strontiun niobate Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78 / PB. Jamieson, S.C. Abrahams, J.L. Bernstein // J. Chem. Phys. - 1968. - Vol. 48, № 11. - P. 5048-5057.

51. Копылов, Ю.Л. Размытые сегнетоэлектрические фазовые переходы в монокристаллах (Sr,Ba,Ca)Nb206 / Ю.Л. Копылов, В.Б. Кравченко // ФТТ. -1981. - Т. 23, вып. 8. - С. 2394-2399.

52. Bhalla, A.S. Glassy polarization in the ferroelectric tungsten bronze (Ba,Sr)Nb2Oe / A.S. Bhalla, R. Gou, L.E. Cross, R.R. Neurgaonkar, G. Burns, F.H. Ducol // J. Appl. Phys. - 1992. - Vol. 71, № 11. - P. 5591- 5595.

53. Xu, Y. Phase transition of some ferroelectric niobate crystals with tungsten-bronze structure at low temperatures / Y. Xu, Z. Li, W. Li, H. Wang and H. Chen // Phys. Rev. B. - 1989. - Vol. 40. - P. 11902.

54. Иона, Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы: Пер. с англ. Фейгина Л. А. и Севастьянова Б. К. / Ф. Иона, Д. Ширане. - М.: Мир, 1965. - 555 с.

55. Воронов, В.В. Электрические и электрооптические свойства монокристаллов стехиометрического ниобата бария-стронция / В.В. Воронов, С.М. Десят-кова, Л.И. Ивлева, Ю.С. Кузьминов, Л.Г. Ляпунова, В.В. Осико // ФТТ. -1973.-Т. 15, вып. 7.-С. 2198-2200.

56. Oliver, J.R. A thermodynamic phenomelogy for ferroelectric tungsten bronze Sr0.6Ba0.4Nb2O6 (SBN: 60) / J.R. Oliver, R.R. Neurgaonkar, L.E. Cross // J. Appl. Phys.- 1988.-Vol. 64, № l.-P. 37-47.

57. Huang, W.H. Observation of a near-static condensation of polarization fluctuations in strontium barium niobate / W.H. Huang, X. Zu, D. Viehland, R.R. Neurgaonkar // J. Appl. Phys. - 1994. - Vol. 77, № 4. - P. 1677-1682.

58. Cline, T.W. Dielectric behavior of in strontium barium niobate (Sro.5Bao.5Nb206) crystals / T.W. Cline, L.E. Cross, S.T. Liu // J. Appl. Phys. - 1977. - Vol. 49, № 7. - P. 4298^1300.

59. Балденков, A.B. Диэлектрические спектры монокристаллического ниобата бария-стронция / A.B. Балденков, И.М. Бузин, Н.А. Морозов, А.И. Рукавишников // ФТТ. - 1981. - Vol. 23. - Р. 2376.

60. Abramov, N.A. Growth defects in barium-strontium niobate crystals / N.A. Abramov, L.I. Ivleva, Dr. Yu, S. Kuzminov, V.A. Myzina, N.M. Olozkov // Kristall und Technik. - 1977. -Vol. 12, № 11.-P. 1157-1162.

61. Бойцова, K.H. Исследование дефектной и доменной структуры кристаллов SBN с примесями Rh Eu / К.Н. Бойцова, Б.Б. Педько, И.И. Сорокина // V Междунар. науч. техн. школа_конференция. - М/.МИРЭА. - 2008. - С. 120— 124.

62. Bursill, L.A. Chaotic states observed in strontium barium niobate / L.A. Bursill, P.J. Lin // Philos. Mag. B. - 1986. - Vol. 54. - P. 157-170.

63. Fogarty, G. Antiparallel ferroelectric domains in photorefractive barium titanate and strontium barium niobate observed by high-resolution x-ray diffraction imaging / G. Fogarty, B. Steiner, M. Cronin-Golomb, U. Laor, M.H. Garett, J. Martin, R. Uhrin // J. Opt. Soc. Am. B. - 1996. - Vol. 13, № 11. - P. 2636-2643.

64. Santos, A. / Pyroelectric properties of rare earth doped strontium barium niobate ceramics from 20K to 450K / A. Santos, D Garcia, J. A. Eiras // Ferroelectrics. -2001.-Vol. 257.-P. 105-110.

65. Maciolek, R.B. Preparation and physical properties of lanthanum - modified Si |. xBaxNb206, ferroelectric crystals / R.B. Maciolek, S.T. Liu // J. Electr. Mat. -1975. - Vol. 4, №3.-P. 517.

66. Liu, S.T. Rare-earth-modified Sr0.5Ba0.5Nb2O6, ferroelectric crystals and their applications as infrared detectors / S.T. Liu, R.B. Maciolek // J. Electr. Mat. -1975. - Vol. 4, № 1.-P.91.

67. Maciolek, R.B. Preparation and physical properties of lanthanum - modified Sri. xBaxNb206, ferroelectric crystals / R.B. Maciolek, S.T. Liu // J. Electr. Mat. -1975.-Vol. 4, № 3. - P. 517.

68. Liu, S.T. Rare-earth-modified Sr0.5Ba0.5Nb2O6, ferroelectric crystals and their applications as infrared detectors / S.T. Liu, R.B. Maciolek // J. Electr. Mat. -1975.-Vol. 4, № 1.-P.91.

69. Копылов, Ю.Л. Пьезо- и сегнетоматериалы и их применение / Ю.Л. Копылов, В.В. Кравченко, О. Дудник // М.: МДНТП им. Ф. Э. Дзержинского, 1978. - 86 с.

70. Копылов, Ю.Л. Исследование оптической однородности монокристаллов диэлектриков для опто-электронных устройств / Ю.Л. Копылов, В.В. Кравченко, В.В. Куча // Микроэлектроника. - 1978. - Т. 7, № 5. - С. 412420.

71. Cross, L.E. Relaxor ferroelectrics / L.E. Cross // Ferroelectrics. - 1987. - Vol. 76, №2.-P. 241-267.

72. Копылов, Ю.С. Ниобат и танталат лития-материалы для нелинейной оптики / Ю.С. Копылов. -М.: Наука, 1975. - 224 с.

73. Кузьминов, Ю.С. Ниобат и танталат лития. Материалы для нелинейной оптики / Ю.С. Кузьминов. - М.: Наука, 1975. - 220 с.

74. Шильников, А.В. Воздействие гамма - облучения на НЧ и ИНЧ диэлектрические свойства монокристалле SBN-75 / А.В. Шильников, А.И.

Бурханов, П.В. Бондаренко, Л.И. Ивлена // Вестник Волгоградского государственного архитектурно-строительного университета. Серия: Естественные науки. - 2006. - № 5. - С. 60-64.

75. ASTM-D 150-70. Методы определения диэлектрической проницаемости диэлектрических потерь твердых электроизоляционных материалов при переменном токе // Сборник стандартов США. - М. - 2007. - С. 188-207.

76. Бурханов, А.И. Медленные процессы релаксации поляризации в неупорядоченных сегнетоэлектриках и родственных материалах: дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Бурханов Анвер Идрисович. - Воронеж, 2004. -307 с.

77. Тейлор, Дж. Введение в теорию ошибок / Дж. Тейлор. - М.: Мир, 1985. -272 с.

78. Povoa, J.M. Phase transition and dielectric characteristics of tungsten bronze relaxors / J.M. Povoa, E.N. Moreira, D. Garcia, D.U.P. Spinola, C.G.V. Docarmo, and J. A. Eiras // Journal of the Korean Physical Society. - 1998. - Vol. 32. - P. S1046-S1047.

79. Бурханов, А.И. Диэлектрические и акустические свойства монокристаллов SBN в широком диапазоне температур / А.И. Бурханов, А.С. Пилипенко, Л.И. Ивлева // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2007. -Вып. З.-С. 48-50.

80. Рубулис, А.Н. Фазовые переходы и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках / А.Н. Рубулис, А.Р. Штернберг, Г.Ж. Гринвалд, А.Э. Капениекс, У.А. Улманис, С.С. Диндун. // Сб. научн. статей. Латв. ун-т им. П. Стучки, Рига, 1984. - С. 107.

81. Ко Jae-Hyeon. Dielectric anomalies in (K0.5Na0.5)0.2(Sr0.75Ba0.25)0.9Nb2O6 single crystals with the tungsten bronze structure / Ко Jae-Hyeon, Do Han Kim, S. G. Lushnikov, R.S. Katiyar, Seiji Kojima // Ferroelectrics. - 2003. - Vol. 286. - P. 61-71.

82. Ye, Zuo-Guang. Optical, dielectric and polarization studies of the electric field-induced phase transition in Pb(Mgl/3Nb2/3)03 [PMN] / Zuo-Guang Ye, 11. Schmid // Ferroelectrics. - 1993. - V.145. - P. 83-108.

83. Бурханов, А.И. Влияние внешних воздействий на релаксационные явления в монокристалле Sr0.75Ba0.25Nb2O6 / А. И. Бурханов, А.В. Шильников, Р.Э. Узаков // Кристаллография. - 1997. - Т. 42, № 6. - С. 1069-1075.

84. Гладкий, В.В. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.В. Пронина, Т.Р. Волк, Р. Панкрат, М. Велеке // ФТТ. - 2001. - Т. 43, № 11. - С. 2052-2058.

85. Бурханов, А.И. Воздействие освещения на долговременную релаксацию поляризации в монокристалле SBN-75 + 0.01 ат. % Сг / А.И. Бурханов, К.Г1. Гужаковская, Л.И. Ивлева // Известия РАН. Серия Физическая. - 2010. - Т. 74, вып. 9.-С. 1292-1293.

86. Фридкин, В.М. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках / В.М. Фридкин, Б.Н. Попов // УФН. - 1978. - Т. 126, вып. 4.-С. 657-671.

87. Bormanis, К. Relaxor properties of barium-strontium niobate ceramics / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, Luu Thi Nhan, S.V. Mednhikov, A. Kalvane, M. Antonova. // Ferroelectrics. - 2011. - Vol. 417, № 1. - P. 58-62.

88. Барфут, Дж. Полярные диэлектрики и их применения / Дж. Барфут, Дж.

Тейлор. -М.: Мир, 1981. - 528 с.

89. Peter, G.R. Influence of light on the coercive field of repoled strontium barium niobate: The role of secondary repoling / G.R Peter, S. Robert, W. Eason // Appl. Phys. Lett. - 1996. - Vol. 69. - P. 1509.

90. Whatmore, R.W. Pyroelectric ceramics in the lead zirconate-lead titanate-lead iron niobate system / R.W. Whatmore , A.J. Bell // Ferroelectrics. - 1981. - Vol. 35.-P. 155-160.

91. Lian, J. Pyroelectric properties of Pb[Zr,Ti,(Zn,Nb)]03 solid solution ceramics / J. Lian, T. Shiosaki//Ferroelectrics.-1991.-Vol. 18, №1-P. 135-141.

92. Ярмаркин, В.К. Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT / В.К. Ярмаркин, Б.М. Гольцман, М.М. Казанин, В.В, Леманов // ФТТ. - 2000. - Т. 42, вып. 3. - С. 511-516.

93. Kumar, P. Dielectric, piezoelectric and pyroelectric properties of PMN-PT (68:32) system / / P. Kumar, S. Sharma, O.P. Thakur, C. Prakash, T.C. Goel // Ceramics International. - 2004. - Vol. 30, № 4 - P. 585-589.

94. Venet, M. Potentiality of SBN textured ceramics for pyroelectric applications / M. Venet, I.A. Santos, J.A. Eiras, D. Garcia // Solid State Ionics. - 2006. - Vol. 177, №5.-P. 589-593.

95. Yao, Y. Effects of rare earth dopants on the ferroelectric and pyroelectric properties of strontium barium niobate ceramics / Y. Yao, C.L. Mak, K.H. Wong, S. Lu, Z. Xu // International Journal of Applied Ceramic Technology. - 2009. -Vol. 6,№6.-P. 671-678.

96. Гужаковкая, К.П. Влияние освещения на низко- и инфра-низкочастотный диэлектрический отклик монокристалла SBN-75 / К.П. Гужаковкая,, А.И. Бурханов, Л.И. Ивлева // V Международная научно-техническая школа-конференция. - М.: МИРЭА. - 2008. - С. 117-119.

97. Орешкин, П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П. Т Орешкин. -М.:«Высш. школа», 1977. -448 с.

98. Bormanis, К. Effects of illumination on the dielectric response of bariumstrontium niobate ceramics [Электронный ресурс] / К. Bormanis, A.I. Burkhanov, Luu Thi Nhan, S.V. Mednhikov, M. Antonova // Functional materials and Nanotechnologies. - 2013. IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering. -Vol. 49 / Institute of Physics, University of Tartu. - Tartu (Estonia). - 2013. P. 1 - 5. URL:http://iopscience.iop.org/1757899X/49/l/012027/pdf/1757899X 49 1 012 027.pdf.

99. Лыу Тхи Ньян. Влияние освещения на процессы низко- и инфранизкочастотной релаксации поляризации в сегнетокерамике SBN / Лыу Тхи Ньян, А.Г. Шеин, С.В. Медников, А.И. Бурханов // Известия

ВолгГТУ. Серия «Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь». Вып. 7 : межвуз. сб. науч. ст. / ВолгГТУ. - Волгоград, 2013. - № 3 (106).-С. 72-75.

100. Wang, Q. Metamorphic InO.53GaO.47As p-i-n photodetector grown on GaAs substrates by low-pressure MOCVD / Q. Wang, J.H. Lu, D.P. Xiong, J. Zhou, H. Huang, A. Miao, S.W. Cai, Y. Q. Huang, X.M. Ren // Chin. Opt. Lett. - 2007. -Vol. 5.-P. 358-360.

101. Jin, K.J. Dember effect induced photovoltage in perovskite p-n heterojunctions / K.J. Jin, K. Zhao, H.B. Lu, L. Liao, & G. Z. Yang // Appl. Phys. Lett. - 2007. -Vol. 91.-P. 081906.

102. Bormanis, K. Photoelectrical properties of the SBN relaxor ceramics in the range of the broad phase transition / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, Luu Thi Nhan, A.G. Shein, S.V. Mednhikov // Ferroelectrics. - 2014. - Vol. 469, № 1. - P. 7984.

103. Land, C.E. Photoferroelectric effects in PLZT ceramics / С. E. Land,, P. S. Peercy // Ferroelectrics. - 1978. - Vol. 22. - P. 677-679.

104. Лыу Тхи Ньян. Фототоки в релаксорной сегнетоэлектрическои керамике SBN-75 при воздействии ультрафиолетового облучения / Лыу Тхи Ньян, А.Г. Шеин, С.В. Медников, А.И. Бурханов // Известия ВолгГТУ. Серия «Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь». Вып. 10. -Волгоград, 2014. -№ 26 (153). - С. 47-50.

105. Bormanis, К. Kinetics of dielectric response in SBN-75 ceramics at infra-low frequencies under illumination / K. Bormanis, A.I. Burkhanov, , Luu Thi Nhan, S.V. Mednikov, M. Antonova // SPIE Proceedings. Vol. 9421: Eighth International Conference on Advanced Optical Materials and Devices (AOMD-8). - [USA], 2014. - (22 October, 2014). - P. [1-5].

106. Bormanis, K. Dielectric and photoelectric properties of barium-strontium niobate ceramics under visible and ultraviolet irradiation / K. Bormanis, A. Sternberg, A.I. Burkhanov, Luu Thi Nhan, S.V. Mednikov, and M. Antonova. Proceedings of the International Meeting «Physics of Lead-Free Piezoactive and Relative

Materials (Analysis of Current State and Prospects of Development)» LFPM-2014, Rostov-on-Don-Tuapse, 2-6 September 2014. - T. 1, №. 3. - P. 27-30.